JP2011084507A - Method for producing trialkyl aluminum - Google Patents

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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a highly pure trialkyl aluminum. <P>SOLUTION: The method for producing the trialkyl aluminum is characterized by contacting an oxygen-having trialkyl aluminum with a bisalkylcyclopentadienyl magnesium. <P>COPYRIGHT: (C)2011,JPO&INPIT

Description

本発明はトリアルキルアルミニウムに関する。特に、例えば化合物半導体用Al系膜と言ったAl系膜の形成に用いられるトリアルキルアルミニウムに関する。   The present invention relates to trialkylaluminum. In particular, the present invention relates to a trialkylaluminum used for forming an Al-based film such as an Al-based film for compound semiconductors.

化合物半導体は、半導体発光ダイオード、レーザ、或は赤外検知器等の分野において有用に用いられる。そして、有機金属化合物を気相成長させて得られる化合物半導体の品質は、原料である有機金属化合物の不純物によって大きな影響を受ける。   Compound semiconductors are useful in the fields of semiconductor light emitting diodes, lasers, infrared detectors, and the like. And the quality of the compound semiconductor obtained by carrying out vapor phase growth of an organometallic compound is greatly influenced by the impurity of the organometallic compound which is a raw material.

例えば、化合物半導体の気相成長原料の一つであるトリアルキルアルミニウム(例えば、トリメチルアルミニウム)における酸素(O)は、未だ、解決できない大きな問題の一つである。   For example, oxygen (O) in trialkylaluminum (for example, trimethylaluminum), which is one of raw materials for vapor deposition of compound semiconductors, is still one of the major problems that cannot be solved.

すなわち、トリメチルアルミニウムは酸素や水分と敏感に反応し、発火・発煙が起きる。この為、トリアルキルアルミニウムにおける酸素不純物には、酸素や水分に限られず、酸素(O)を含んだ(有する)化合物、例えばアルミニウムアルコキシド[(CHAl−O−CH]のような形態のものも含まれる。 That is, trimethylaluminum reacts sensitively with oxygen and moisture, causing ignition and smoke generation. For this reason, the oxygen impurity in the trialkylaluminum is not limited to oxygen or moisture, but includes (has) a compound containing (having) oxygen (O), such as aluminum alkoxide [(CH 3 ) 2 Al—O—CH 3 ]. Forms are also included.

さて、酸素分子(O)の混入であれば、このような不純物は、例えば蒸留操作によって簡単に除去できる。或は、脱気操作によって簡単に除去できる。水(HO)の混入であれば、例えば乾燥剤による脱水操作によって簡単に除去できる。 Now, if oxygen molecules (O 2 ) are mixed, such impurities can be easily removed by, for example, a distillation operation. Alternatively, it can be easily removed by a deaeration operation. If mixed with water (H 2 O), it can be easily removed by a dehydration operation with a desiccant, for example.

ところが、アルミニウムアルコキシド[(CHAl−O−CH]のような形態で混入した酸素原子(O)は、簡単には除去できない。特に、トリメチルアルミニウムの場合、混入した酸素含有化合物は、その共沸現象により、精密蒸留を以ってしても、分離が困難である。 However, oxygen atoms (O) mixed in a form such as aluminum alkoxide [(CH 3 ) 2 Al—O—CH 3 ] cannot be easily removed. In particular, in the case of trimethylaluminum, the mixed oxygen-containing compound is difficult to separate even by precision distillation due to its azeotropic phenomenon.

そこで、還元剤との反応によって、酸素化合物を除去する方法が考えられる。   Therefore, a method of removing the oxygen compound by reaction with a reducing agent can be considered.

前記方法における還元剤には、Li,Na等のアルカリ金属系の還元剤が知られている。しかしながら、アルカリ金属は、半導体デバイスに欠陥を引き起こす。従って、アルカリ金属の使用は避けられるべきである。   As the reducing agent in the above method, alkali metal reducing agents such as Li and Na are known. However, alkali metals cause defects in semiconductor devices. Therefore, the use of alkali metals should be avoided.

アルカリ土類金属も還元剤として知られている。そして、アルカリ土類金属系の還元剤も還元能力が強い。例えば、ジメチルマグネシウムは、蒸気圧が極めて低い為、反応後の蒸留による分離が容易である。しかしながら、ジメチルマグネシウムは、トリアルキルアルミニウムと錯体を形成する。この為、トリアルキルアルミニウムの製造(精製)にジメチルマグネシウムを用いた場合、蒸留操作では、分離が出来ない。   Alkaline earth metals are also known as reducing agents. Alkaline earth metal reducing agents also have a strong reducing ability. For example, dimethylmagnesium has a very low vapor pressure, so that it can be easily separated by distillation after the reaction. However, dimethylmagnesium forms a complex with trialkylaluminum. For this reason, when dimethylmagnesium is used for the production (purification) of trialkylaluminum, it cannot be separated by distillation.

その他の族にも還元性を示す物が認められる。しかしながら、高い蒸気圧を持つ為、還元反応後において蒸留操作を施しても、分離が困難である。   Other groups also show reducing properties. However, since it has a high vapor pressure, separation is difficult even if a distillation operation is performed after the reduction reaction.

従って、本発明が解決しようとする課題は、高純度のトリアルキルアルミニウムを提供することである。
例えば、トリアルキルアルミニウム中の酸素含有化合物(不純物)を除去できる技術を提供することである。更には、酸素含有化合物(不純物)を還元反応によって除去した後、還元剤として用いた化合物とトリアルキルアルミニウムとを簡単に分離できる技術を提供することである。
Therefore, the problem to be solved by the present invention is to provide high purity trialkylaluminum.
For example, it is to provide a technique capable of removing oxygen-containing compounds (impurities) in trialkylaluminum. Furthermore, it is to provide a technique capable of easily separating a compound used as a reducing agent and trialkylaluminum after removing an oxygen-containing compound (impurities) by a reduction reaction.

前記の課題を解決する為の研究が、鋭意、押し進められて行く中に、本発明者は、ビスシクロペンタジエニルマグネシウムによって、トリアルキルアルミニウム中の酸素濃度が低下することを見出すに至った。更に、ビスシクロペンタジエニルマグネシウムはトリアルキルアルミニウムと錯体を形成しない事が判明し、蒸留によってビスシクロペンタジエニルマグネシウムとの分離が可能であることも判った。   While research for solving the above-mentioned problems has been earnestly advanced, the present inventor has found that the oxygen concentration in the trialkylaluminum is lowered by biscyclopentadienylmagnesium. Furthermore, it was found that biscyclopentadienyl magnesium does not form a complex with trialkylaluminum, and it was also found that separation from biscyclopentadienyl magnesium is possible by distillation.

このような知見に基づいて本発明が達成されたものである。   The present invention has been achieved based on such findings.

すなわち、前記の課題は、
酸素を有するトリアルキルアルミニウムと、ビスアルキルシクロペンタジエニルマグネシウムとを接触させる
ことを特徴とするトリアルキルアルミニウムの製造方法によって解決される。
That is, the above problem is
This is solved by a method for producing trialkylaluminum, which comprises contacting oxygen-containing trialkylaluminum with bisalkylcyclopentadienylmagnesium.

例えば、酸素を有するトリアルキルアルミニウムと、ビスアルキルシクロペンタジエニルマグネシウムとを、混合処理することを特徴とするトリアルキルアルミニウムの製造方法によって解決される。   For example, this can be solved by a method for producing trialkylaluminum, which comprises mixing trialkylaluminum having oxygen and bisalkylcyclopentadienylmagnesium.

或いは、酸素を有するトリアルキルアルミニウムと、ビスアルキルシクロペンタジエニルマグネシウムとを、還流処理することを特徴とするトリアルキルアルミニウムの製造方法によって解決される。   Alternatively, the problem is solved by a method for producing trialkylaluminum, which comprises refluxing trialkylaluminum having oxygen and bisalkylcyclopentadienylmagnesium.

若しくは、酸素を有するトリアルキルアルミニウムを、ビスアルキルシクロペンタジエニルマグネシウム中に通すことを特徴とするトリアルキルアルミニウムの製造方法によって解決される。   Alternatively, the problem is solved by a method for producing trialkylaluminum, characterized in that trialkylaluminum having oxygen is passed through bisalkylcyclopentadienylmagnesium.

又は、酸素を有する気相状態のトリアルキルアルミニウムを、ビスアルキルシクロペンタジエニルマグネシウム中に通すことを特徴とするトリアルキルアルミニウムの製造方法によって解決される。   Alternatively, the problem can be solved by a method for producing trialkylaluminum, characterized by passing trialkylaluminum in the gas phase containing oxygen through bisalkylcyclopentadienylmagnesium.

又、上記トリアルキルアルミニウムの製造方法であって、好ましくは、トリアルキルアルミニウムとビスアルキルシクロペンタジエニルマグネシウムとの接触工程後に蒸留工程を有することを特徴とするトリアルキルアルミニウムの製造方法によって解決される。   The trialkylaluminum production method described above is preferably solved by a trialkylaluminum production method comprising a distillation step after the contact step between the trialkylaluminum and the bisalkylcyclopentadienylmagnesium. The

又、上記トリアルキルアルミニウムの製造方法であって、好ましくは、トリアルキルアルミニウムとビスアルキルシクロペンタジエニルマグネシウムとの接触工程後に濾過工程を有することを特徴とするトリアルキルアルミニウムの製造方法によって解決される。   The trialkylaluminum production method described above is preferably solved by a trialkylaluminum production method comprising a filtration step after the contact step between the trialkylaluminum and the bisalkylcyclopentadienylmagnesium. The

又、上記トリアルキルアルミニウムの製造方法によって得られたトリアルキルアルミニウムによって解決される。   Moreover, it solves with the trialkylaluminum obtained by the manufacturing method of the said trialkylaluminum.

Oを持つ不純物成分が少ない高純度なトリアルキルアルミニウムが簡単に得られる。   High-purity trialkylaluminum with few impurity components having O can be easily obtained.

トリアルキルアルミニウムの製造装置(精製装置)の概略図Schematic diagram of trialkylaluminum production equipment (purification equipment) トリアルキルアルミニウムの製造装置(精製装置)の概略図Schematic diagram of trialkylaluminum production equipment (purification equipment) トリアルキルアルミニウムの製造装置(精製装置)の概略図Schematic diagram of trialkylaluminum production equipment (purification equipment)

本発明はトリアルキルアルミニウムの製造方法(精製方法)である。この方法は、酸素を有するトリアルキルアルミニウム(例えば、不純物成分としてOを有するトリアルキルアルミニウム)と、ビスアルキルシクロペンタジエニルマグネシウムとを接触させる工程を有する。例えば、酸素を有するトリアルキルアルミニウムと、ビスアルキルシクロペンタジエニルマグネシウムとを、処理する工程を有する。例えば、酸素を有するトリアルキルアルミニウムと、ビスアルキルシクロペンタジエニルマグネシウムとを、混合処理する工程を有する。若しくは、酸素を有するトリアルキルアルミニウムと、ビスアルキルシクロペンタジエニルマグネシウムとを、還流処理する工程を有する。或いは、酸素を有するトリアルキルアルミニウムを、ビスアルキルシクロペンタジエニルマグネシウム中に通す工程を有する。又は、酸素を有する気相状態(又は液相状態)のトリアルキルアルミニウムを、ビスアルキルシクロペンタジエニルマグネシウム中に通す工程を有する。好ましくは、上記接触工程後に、蒸留工程及び/又は濾過工程を有する。   The present invention is a production method (purification method) of trialkylaluminum. This method includes a step of contacting trialkylaluminum having oxygen (for example, trialkylaluminum having O as an impurity component) with bisalkylcyclopentadienylmagnesium. For example, there is a step of treating trialkylaluminum having oxygen and bisalkylcyclopentadienylmagnesium. For example, the method includes a process of mixing trialkylaluminum having oxygen and bisalkylcyclopentadienylmagnesium. Alternatively, the method includes a step of refluxing trialkylaluminum having oxygen and bisalkylcyclopentadienylmagnesium. Alternatively, the method includes a step of passing a trialkylaluminum having oxygen through bisalkylcyclopentadienylmagnesium. Alternatively, the method includes a step of passing a trialkylaluminum in a gas phase state (or a liquid phase state) containing oxygen through bisalkylcyclopentadienylmagnesium. Preferably, after the contact step, a distillation step and / or a filtration step are included.

トリアルキルアルミニウムはRAl又はRR’R”Al(R,R’,R”はアルキル基。R,R’,R”は同一でも異なるものでも良い。)で表される化合物である。例えば、(CHAl,(CAl,(CAl,(CAl,(CHAlC,(CAlCH等のトリアルキルアルミニウムが代表的なものとして挙げられる。好ましいアルキル基は炭素数が7以下の炭化水素基である。更に好ましいアルキル基は炭素数が4以下の炭化水素基である。アルキル基は、全てが同一のものでも異なるものでも良い。尚、酸素を有するトリアルキルアルミニウム(RAl,RR’R”Al)とは、前記R,R’,R”がRO,R’O,R”Oの如きのアルコキシド基に代わった構造の化合物が代表的な例として挙げられる。例えば、RR’AlOR”等で表される化合物である。 Trialkylaluminum is a compound represented by R 3 Al or RR′R ″ Al (R, R ′, R ″ are alkyl groups, and R, R ′, R ″ may be the same or different). , (CH 3 ) 3 Al, (C 2 H 5 ) 3 Al, (C 3 H 7 ) 3 Al, (C 4 H 9 ) 3 Al, (CH 3 ) 2 AlC 2 H 5 , (C 2 H 5 ) 2 A typical example is a trialkylaluminum such as AlCH 3. A preferable alkyl group is a hydrocarbon group having 7 or less carbon atoms, and a more preferable alkyl group is a hydrocarbon group having 4 or less carbon atoms. The alkyl groups may be all the same or different, and the oxygen-containing trialkylaluminum (R 3 Al, RR′R ″ Al) means that R, R ′, R ″ are RO, R Alkoxy like 'O, R "O Compounds of structure behalf group can be cited as typical examples. For example, a compound represented by RR'AlOR "or the like.

ビスアルキルシクロペンタジエニルマグネシウムは、例えば下記の一般式[I]で表される化合物である。
一般式[I]
尚、上記一般式[I]中、R〜R10は、H又はアルキル基である。好ましいアルキル基は炭素数が7以下の炭化水素基である。更に好ましいアルキル基は炭素数が4以下の炭化水素基である。
Bisalkylcyclopentadienyl magnesium is, for example, a compound represented by the following general formula [I].
Formula [I]
In the general formula [I], R 1 to R 10 are H or an alkyl group. A preferred alkyl group is a hydrocarbon group having 7 or less carbon atoms. More preferred alkyl groups are hydrocarbon groups having 4 or less carbon atoms.

特に好ましいビスアルキルシクロペンタジエニルマグネシウムとしては、ビスシクロペンタジエニルマグネシウム、ビスメチルシクロペンタジエニルマグネシウム、ビスエチルシクロペンタジエニルマグネシウム、ビスイソプロピルシクロペンタジエニルマグネシウム、ビスターシャリーブチルシクロペンタジエニルマグネシウム、ビスペンタメチルシクロペンタジエニルマグネシウムが挙げられる。   Particularly preferred bisalkylcyclopentadienyl magnesiums include biscyclopentadienyl magnesium, bismethylcyclopentadienyl magnesium, bisethylcyclopentadienyl magnesium, bisisopropylcyclopentadienyl magnesium, and bistally butylcyclopentadienyl. Examples include magnesium and bispentamethylcyclopentadienyl magnesium.

以下、具体的な実施例を挙げて本発明を説明する。但し、本発明は本実施例に限定されるものではない。   Hereinafter, the present invention will be described with specific examples. However, the present invention is not limited to this embodiment.

[実施例1]
ビスシクロペンタジエニルマグネシウム[CpMg]を用いてトリメチルアルミニウム[TMAl:(CHAl]の精製を行った。
[Example 1]
Trimethylaluminum [TMAl: (CH 3 ) 3 Al] was purified using biscyclopentadienylmagnesium [Cp 2 Mg].

すなわち、図1に示される装置が用いられた。尚、図1中、1は蒸留釜、2は蒸留塔、3は塔頂温度計、4は冷却器、5は流出物捕集器である。   That is, the apparatus shown in FIG. 1 was used. In FIG. 1, 1 is a distillation kettle, 2 is a distillation column, 3 is a tower top thermometer, 4 is a cooler, and 5 is an effluent collector.

先ず、蒸留釜1に2gのCpMgが入れられた。この後、50gのTMAl(TMAlは不純物成分としてOを有する)が入れられた。 First, 2 g of Cp 2 Mg was placed in the still 1. Thereafter, 50 g of TMAl (TMAl has O as an impurity component) was added.

この後、還流処理が行なわれた。そして、2時間後に留出塔頂温度125℃で留出したTMAlが捕集器5に捕集された。   Thereafter, a reflux treatment was performed. After 2 hours, TMAl distilled at a distillation column top temperature of 125 ° C. was collected in the collector 5.

前記還流・蒸留処理後の蒸留釜1に残された溶液を観察した処、これは薄赤色に着色したものであった。   When the solution remaining in the still 1 after the reflux / distillation treatment was observed, it was colored light red.

上記還流・蒸留処理で精製された物をH−NMRで分析した。その結果は、処理前の物に比べて、CHO−Alのプロトンによるピーク強度が1/5以下に減少していた。かつ、CpMgに由来のピークは認められなかった。 The thing refine | purified by the said reflux and distillation process was analyzed by H-NMR. As a result, the peak intensity due to the protons of CH 3 O—Al was reduced to 1/5 or less as compared with that before treatment. And a peak derived from Cp 2 Mg was observed.

[実施例2]
実施例1において、CpMgの代わりにMeCpMg(ビスメチルシクロペンタジエニルマグネシウム)を用いた以外は同様に行なった。
その結果は同様なものであった。すなわち、処理前の物に比べて、CHO−Alのプロトンによるピーク強度が1/5以下に減少していた。かつ、MeCpMgに由来のピークは認められなかった。
[Example 2]
In Example 1, it was carried out in the same manner except for using MeCp 2 Mg instead of Cp 2 Mg (bis-cyclopentadienyl magnesium).
The result was similar. That is, the peak intensity due to the protons of CH 3 O—Al was reduced to 1/5 or less as compared with that before treatment. And, a peak derived from MeCp 2 Mg was observed.

[実施例3]
実施例1において、CpMgの代わりにEtCpMg(ビスエチルシクロペンタジエニルマグネシウム)を用いた以外は同様に行なった。
その結果は同様なものであった。すなわち、処理前の物に比べて、CHO−Alのプロトンによるピーク強度が1/5以下に減少していた。かつ、EtCpMgに由来のピークは認められなかった。
[Example 3]
In Example 1, is performed in the same manner except for using instead EtCp 2 Mg of Cp 2 Mg (bis-ethyl-cyclopentadienyl magnesium).
The result was similar. That is, the peak intensity due to the protons of CH 3 O—Al was reduced to 1/5 or less as compared with that before the treatment. And, a peak derived from EtCp 2 Mg was observed.

[実施例4]
実施例1において、CpMgの代わりにi-PrCpMg(ビスイソプロピルシクロペンタジエニルマグネシウム)を用いた以外は同様に行なった。
その結果は同様なものであった。すなわち、処理前の物に比べて、CHO−Alのプロトンによるピーク強度が1/5以下に減少していた。かつ、i-PrCpMgに由来のピークは認められなかった。
[Example 4]
In Example 1, it was carried out in the same manner except for using i-PrCp 2 Mg (bis-isopropylcyclopentadienyl magnesium) instead of Cp 2 Mg.
The result was similar. That is, the peak intensity due to the protons of CH 3 O—Al was reduced to 1/5 or less as compared with that before the treatment. And a peak derived from the i-PrCp 2 Mg was observed.

[実施例5]
実施例1において、CpMgの代わりにt-BuCpMg(ビスターシャリーブチルシクロペンタジエニルマグネシウム)を用いた以外は同様に行なった。
その結果は同様なものであった。すなわち、処理前の物に比べて、CHO−Alのプロトンによるピーク強度が1/5以下に減少していた。かつ、t-BuCpMgに由来のピークは認められなかった。
[Example 5]
In Example 1, were carried out in the same manner except for using, instead of Cp 2 Mg t-BuCp 2 Mg ( Bicester tertiary butyl cyclopentadienyl magnesium).
The result was similar. That is, the peak intensity due to the protons of CH 3 O—Al was reduced to 1/5 or less as compared with that before the treatment. In addition, no peak derived from t-BuCp 2 Mg was observed.

[実施例6]
実施例1において、CpMgの代わりにMeCpMg(ビスペンタメチルシクロペンタジエニルマグネシウム)を用いた以外は同様に行なった。
その結果は同様なものであった。すなわち、処理前の物に比べて、CHO−Alのプロトンによるピーク強度が1/4以下に減少していた。かつ、MeCpMgに由来のピークは認められなかった。
[Example 6]
In Example 1, it was carried out in the same manner except for using Me 5 Cp 2 Mg (bis-pentamethylcyclopentadienyl magnesium) instead of Cp 2 Mg.
The result was similar. That is, the peak intensity due to the protons of CH 3 O—Al was reduced to ¼ or less as compared with that before treatment. And a peak derived from Me 5 Cp 2 Mg was observed.

[実施例7]
実施例1において、TMAlの代わりにTEAl(トリエチルアルミニウム)を用いた以外は同様に行なった。
その結果は同様なものであった。すなわち、処理前の物に比べて、CO−Alのプロトンによるピーク強度が1/4以下に減少していた。かつ、CpMgに由来のピークは認められなかった。
[Example 7]
In Example 1, it carried out similarly except having used TEAl (triethylaluminum) instead of TMAl.
The result was similar. That is, the peak intensity due to the protons of C 2 H 5 O—Al was reduced to ¼ or less compared to that before treatment. And a peak derived from Cp 2 Mg was observed.

[実施例8]
実施例1において、TMAlの代わりにTPAl(トリプロピルアルミニウム)を用いた以外は同様に行なった。
その結果は同様なものであった。すなわち、処理前の物に比べて、CO−Alのプロトンによるピーク強度が1/4以下に減少していた。かつ、CpMgに由来のピークは認められなかった。
[Example 8]
In Example 1, it carried out similarly except having used TPAl (tripropylaluminum) instead of TMAl.
The result was similar. That is, the peak intensity due to the protons of C 3 H 7 O—Al was reduced to ¼ or less compared to that before treatment. And a peak derived from Cp 2 Mg was observed.

[実施例9]
実施例1において、TMAlの代わりにTBAl(トリブチルアルミニウム)を用いた以外は同様に行なった。
その結果は同様なものであった。すなわち、処理前の物に比べて、CO−Alのプロトンによるピーク強度が1/4以下に減少していた。かつ、CpMgに由来のピークは認められなかった。
[Example 9]
In Example 1, it carried out similarly except having used TBAl (tributylaluminum) instead of TMAl.
The result was similar. That is, the peak intensity due to the protons of C 4 H 9 O—Al was reduced to ¼ or less as compared with that before the treatment. And a peak derived from Cp 2 Mg was observed.

[実施例10]
実施例1において、TMAlの代わりにDMEAl(ジメチルエチルアルミニウム)を用いた以外は同様に行なった。その結果は同様なものであった。
[Example 10]
In Example 1, it carried out similarly except having used DMEAl (dimethyl ethyl aluminum) instead of TMAl. The result was similar.

[実施例11]
図2に示される装置が用いられた。尚、図2中、1はTMAl(TMAlは不純物成分としてOを有する)が入れられた容器、2はCpMgが入れられた容器、3は捕集器、4は冷却器、5は配管、6は窒素ガスボンベである。
容器2には30gのCpMgが入れられている。そして、窒素ガスボンベ6から容器1内に窒素ガスが供給された。この供給された窒素ガスによるバブリングによって、容器1内のTMAlは気相状態で容器2内に送り込まれた。
この送り込まれたTMAlは、CpMgと接触しながら、容器2内を通過した。容器2を出たTMAlは、冷却器4で冷却され、容器3内に捕集された。
上記方法によるCpMgで精製されたTMAlをH−NMRで分析した。その結果は、処理(精製)前の物に比べて、CHO−Alのプロトンによるピーク強度が1/3以下に減少していた。かつ、CpMgに由来のピークは認められなかった。
[Example 11]
The apparatus shown in FIG. 2 was used. In FIG. 2, 1 is a container containing TMAl (TMAl has O as an impurity component), 2 is a container containing Cp 2 Mg, 3 is a collector, 4 is a cooler, and 5 is a pipe. , 6 are nitrogen gas cylinders.
Container 2 contains 30 g of Cp 2 Mg. Then, nitrogen gas was supplied into the container 1 from the nitrogen gas cylinder 6. By bubbling with the supplied nitrogen gas, TMAl in the container 1 was sent into the container 2 in a gas phase state.
This sent TMAl passed through the container 2 while contacting with Cp 2 Mg. TMAl exiting the container 2 was cooled by the cooler 4 and collected in the container 3.
TMAl purified with Cp 2 Mg by the above method was analyzed by H-NMR. As a result, the peak intensity due to the protons of CH 3 O—Al decreased to 1/3 or less as compared with the product before treatment (purification). And a peak derived from Cp 2 Mg was observed.

[実施例12]
図3に示される装置が用いられた。尚、図3中、1はTMAl(TMAlは不純物成分としてOを有する)が入れられた容器、2はCpMg充填容器、3は捕集器、4は濾過器、5は配管、6は窒素ガスボンベである。
容器2には30gのCpMgが入れられている。そして、窒素ガスボンベ6から容器1内に窒素ガスが供給された。この供給された窒素ガスによるバブリングによって、容器1内のTMAl(液体)はCpMg充填容器1内に圧送された。
この圧送された液体TMAlは、CpMgと接触しながら、CpMg層を通過した。そして、CpMg充填容器2を出た液体TMAlは、濾過器4で濾過され、容器3内に捕集された。
上記方法によるCpMgで精製されたTMAlをH−NMRで分析した。その結果は、処理(精製)前の物に比べて、CHO−Alのプロトンによるピーク強度が1/4以下に減少していた。かつ、CpMgに由来のピークは認められなかった。
[Example 12]
The apparatus shown in FIG. 3 was used. In FIG. 3, 1 is a container containing TMAl (TMAl has O as an impurity component), 2 is a Cp 2 Mg filled container, 3 is a collector, 4 is a filter, 5 is piping, 6 is Nitrogen gas cylinder.
Container 2 contains 30 g of Cp 2 Mg. Then, nitrogen gas was supplied into the container 1 from the nitrogen gas cylinder 6. By bubbling with the supplied nitrogen gas, TMAl (liquid) in the container 1 was pumped into the Cp 2 Mg filled container 1.
The pumped liquid TMAl, while in contact with Cp 2 Mg, passed through the Cp 2 Mg layer. Then, the liquid TMAl exiting the Cp 2 Mg filled container 2 was filtered by the filter 4 and collected in the container 3.
TMAl purified with Cp 2 Mg by the above method was analyzed by H-NMR. As a result, the peak intensity due to the protons of CH 3 O—Al was reduced to ¼ or less compared to that before treatment (purification). And a peak derived from Cp 2 Mg was observed.

[比較例1]
実施例1において、CpMgの代わりにMeMg(ジメチルマグネシウム)を用いた以外は同様に行なった。
本比較例の場合、留出した液体に錯体[MeAlMg]が認められた。
[Comparative Example 1]
In Example 1, it was carried out in the same manner except for using Me 2 Mg (dimethyl magnesium) instead of Cp 2 Mg.
In the case of this comparative example, a complex [Me 8 Al 2 Mg] was observed in the distilled liquid.

Claims (9)

酸素を有するトリアルキルアルミニウムと、ビスアルキルシクロペンタジエニルマグネシウムとを接触させる
ことを特徴とするトリアルキルアルミニウムの製造方法。
A method for producing trialkylaluminum, comprising bringing a trialkylaluminum having oxygen into contact with bisalkylcyclopentadienylmagnesium.
酸素を有するトリアルキルアルミニウムと、ビスアルキルシクロペンタジエニルマグネシウムとを、混合処理する
ことを特徴とする請求項1のトリアルキルアルミニウムの製造方法。
The method for producing a trialkylaluminum according to claim 1, wherein a trialkylaluminum having oxygen and a bisalkylcyclopentadienylmagnesium are mixed.
酸素を有するトリアルキルアルミニウムと、ビスアルキルシクロペンタジエニルマグネシウムとを、還流処理する
ことを特徴とする請求項1のトリアルキルアルミニウムの製造方法。
The method for producing a trialkylaluminum according to claim 1, wherein the trialkylaluminum having oxygen and the bisalkylcyclopentadienylmagnesium are refluxed.
酸素を有するトリアルキルアルミニウムを、ビスアルキルシクロペンタジエニルマグネシウム中に通す
ことを特徴とする請求項1のトリアルキルアルミニウムの製造方法。
The method for producing a trialkylaluminum according to claim 1, wherein the trialkylaluminum having oxygen is passed through bisalkylcyclopentadienylmagnesium.
酸素を有する気相状態のトリアルキルアルミニウムを、ビスアルキルシクロペンタジエニルマグネシウム中に通す
ことを特徴とする請求項1のトリアルキルアルミニウムの製造方法。
The method for producing a trialkylaluminum according to claim 1, wherein the gas-phase trialkylaluminum having oxygen is passed through bisalkylcyclopentadienylmagnesium.
トリアルキルアルミニウムとビスアルキルシクロペンタジエニルマグネシウムとの接触工程後に蒸留工程を有する
ことを特徴とする請求項1〜請求項5いずれかのトリアルキルアルミニウムの製造方法。
6. The method for producing a trialkylaluminum according to claim 1, further comprising a distillation step after the contacting step of the trialkylaluminum and the bisalkylcyclopentadienylmagnesium.
トリアルキルアルミニウムとビスアルキルシクロペンタジエニルマグネシウムとの接触工程後に濾過工程を有する
ことを特徴とする請求項1〜請求項6いずれかのトリアルキルアルミニウムの製造方法。
The method for producing a trialkylaluminum according to any one of claims 1 to 6, further comprising a filtration step after the contact step between the trialkylaluminum and the bisalkylcyclopentadienylmagnesium.
ビスアルキルシクロペンタジエニルマグネシウムが、ビスシクロペンタジエニルマグネシウム、ビスメチルシクロペンタジエニルマグネシウム、ビスエチルシクロペンタジエニルマグネシウム、ビスイソプロピルシクロペンタジエニルマグネシウム、ビスターシャリーブチルシクロペンタジエニルマグネシウム、ビスペンタメチルシクロペンタジエニルマグネシウムの群の中から選ばれる一つ又は二つ以上の化合物である
ことを特徴とする請求項1〜請求項7いずれかのトリアルキルアルミニウムの製造方法。
Bisalkylcyclopentadienylmagnesium, biscyclopentadienylmagnesium, bismethylcyclopentadienylmagnesium, bisethylcyclopentadienylmagnesium, bisisopropylcyclopentadienylmagnesium, bistally butylcyclopentadienylmagnesium, bis The method for producing a trialkylaluminum according to any one of claims 1 to 7, which is one or more compounds selected from the group of pentamethylcyclopentadienylmagnesium.
請求項1〜請求項8いずれかのトリアルキルアルミニウムの製造方法によって得られたトリアルキルアルミニウム。
A trialkylaluminum obtained by the method for producing a trialkylaluminum according to any one of claims 1 to 8.
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