JP5485951B2 - Switch device - Google Patents

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Description

本発明は、圧電膜を備えたスイッチ装置に関する。   The present invention relates to a switch device including a piezoelectric film.

従来、圧電膜と、圧電膜に電圧を印加する電極とを備え、当該圧電膜に電圧が印加されると当該圧電膜が伸縮することに伴ってその大きさが変化する圧電アクチュエータが知られていた(例えば、特許文献1参照)。また、圧電アクチュエータの可動端に設けられた可動接点と、可動接点に対向して設けられた固定接点との接触/非接触を切り換えるスイッチ装置が知られている。
特許文献1 特開2001−191300号公報
2. Description of the Related Art Conventionally, there has been known a piezoelectric actuator that includes a piezoelectric film and an electrode that applies a voltage to the piezoelectric film, and that changes in size as the piezoelectric film expands and contracts when a voltage is applied to the piezoelectric film. (For example, see Patent Document 1). There is also known a switch device that switches contact / non-contact between a movable contact provided at a movable end of a piezoelectric actuator and a fixed contact provided opposite to the movable contact.
Japanese Patent Application Laid-Open No. 2001-191300

しかしながら、圧電膜は、長手方向だけでなく短手方向にも収縮するので、圧電アクチュエータも長手方向および短手方向に曲がる現象が生じる。そのため、圧電アクチュエータの可動接点と固定接点が接触する前に、圧電アクチュエータの例えば角部分が対向する部材に接触する可能性がある。   However, since the piezoelectric film contracts not only in the longitudinal direction but also in the lateral direction, the piezoelectric actuator also bends in the longitudinal direction and the lateral direction. Therefore, before the movable contact and fixed contact of the piezoelectric actuator come into contact, for example, the corner portion of the piezoelectric actuator may come into contact with the opposing member.

本発明の第1の態様においては、固定接点および可動接点を電気的に接続するスイッチ装置であって、可動接点が設けられた可動端と、可動端より離れた位置に設けられた固定端を有し、可動接点を固定接点に対して接触または離間させる圧電アクチュエータと、を備え、圧電アクチュエータの可動端側の幅は、固定端側の幅より小さいスイッチ装置を提供する。   According to a first aspect of the present invention, there is provided a switch device for electrically connecting a fixed contact and a movable contact, wherein the movable end provided with the movable contact and the fixed end provided at a position separated from the movable end are provided. And a piezoelectric actuator that contacts or separates the movable contact with respect to the fixed contact, and the width of the movable end side of the piezoelectric actuator is smaller than the width of the fixed end side.

なお、上記の発明の概要は、本発明の必要な特徴の全てを列挙したものではない。また、これらの特徴群のサブコンビネーションもまた、発明となりうる。   It should be noted that the above summary of the invention does not enumerate all the necessary features of the present invention. In addition, a sub-combination of these feature groups can also be an invention.

第1の実施形態に係るスイッチ装置100の構成例を示す。The structural example of the switch apparatus 100 which concerns on 1st Embodiment is shown. 第1の実施形態に係るスイッチ装置100の側面図を示す。The side view of the switch apparatus 100 which concerns on 1st Embodiment is shown. 第1の実施形態の圧電アクチュエータ131の変形例を示す。The modification of the piezoelectric actuator 131 of 1st Embodiment is shown. 第2の実施形態に係るスイッチ装置200の構成例を示す。The structural example of the switch apparatus 200 which concerns on 2nd Embodiment is shown. 第3の実施形態に係るスイッチ装置300の構成例を示す。The structural example of the switch apparatus 300 which concerns on 3rd Embodiment is shown. 第1の実施形態に係るスイッチ装置100を用いた試験装置410の構成例を被試験デバイス400と共に示す。1 shows a configuration example of a test apparatus 410 using a switch apparatus 100 according to a first embodiment, together with a device under test 400. 第1の実施形態のスイッチ装置100を用いた伝送路切り替え装置500の構成例を示す。The structural example of the transmission-line switching apparatus 500 using the switch apparatus 100 of 1st Embodiment is shown. 第1の実施形態のスイッチ装置100を用いてループバック試験する試験装置の構成例を示す。1 shows a configuration example of a test apparatus that performs a loopback test using the switch device 100 according to the first embodiment.

以下、発明の実施の形態を通じて本発明を説明するが、以下の実施形態は特許請求の範囲にかかる発明を限定するものではない。また、実施形態の中で説明されている特徴の組み合わせの全てが発明の解決手段に必須であるとは限らない。   Hereinafter, the present invention will be described through embodiments of the invention, but the following embodiments do not limit the invention according to the claims. In addition, not all the combinations of features described in the embodiments are essential for the solving means of the invention.

図1は、本実施形態に係るスイッチ装置100の構成例を示す。図2は、本実施形態に係るスイッチ装置100の側面図を示す。スイッチ装置100は、固定接点112を有する基板110と、可動端132および固定端134を有する圧電アクチュエータ130と、台座部152と、蓋部154と、側面部156と、第1電源部180と、第2電源部190と、制御部192とを備える。スイッチ装置100は、圧電アクチュエータ130の圧電膜に電圧を印加して伸縮させることにより、圧電アクチュエータ130の可動端132を移動させ、固定接点112と可動接点136とを電気的に接続または分離する。   FIG. 1 shows a configuration example of a switch device 100 according to the present embodiment. FIG. 2 shows a side view of the switch device 100 according to the present embodiment. The switch device 100 includes a substrate 110 having a fixed contact 112, a piezoelectric actuator 130 having a movable end 132 and a fixed end 134, a base portion 152, a lid portion 154, a side surface portion 156, a first power supply portion 180, A second power supply unit 190 and a control unit 192 are provided. The switch device 100 applies a voltage to the piezoelectric film of the piezoelectric actuator 130 to expand and contract, thereby moving the movable end 132 of the piezoelectric actuator 130 and electrically connecting or disconnecting the fixed contact 112 and the movable contact 136.

基板110は、固定接点112が設けられる第1面と、第1面の反対側の第2面を有する。基板110は、ガラス基板等の絶縁体であってよく、これに代えてシリコン等の半導体基板等であってよい。基板110は、固定接点112と、第1配線114と、第2配線116と、第1グランド線路118と、第2グランド線路120と、裏面配線122と、ビア124と、制御配線126と、ビア128とを有する。   The substrate 110 has a first surface on which the fixed contact 112 is provided, and a second surface opposite to the first surface. The substrate 110 may be an insulator such as a glass substrate, and may instead be a semiconductor substrate such as silicon. The substrate 110 includes a fixed contact 112, a first wiring 114, a second wiring 116, a first ground line 118, a second ground line 120, a back surface wiring 122, a via 124, a control wiring 126, and a via. 128.

固定接点112は、基板110に固定され、圧電アクチュエータ130の可動接点136と、接触または離間する。固定接点112は、第1の固定接点112aおよび第2の固定接点112bを含む。固定接点112は、突部のない平面状のパッドであってよい。固定接点112は、アルミニウム、タングステン、パラジウム、ロジウム、金、白金、ルテニウム、インジウム、イリジウム、オスミウム、モリブデン、および/またはニッケルを含んでよい。ここで、固定接点112は、これらの材料を含む2以上の材料の合金であってよい。   The fixed contact 112 is fixed to the substrate 110 and contacts or separates from the movable contact 136 of the piezoelectric actuator 130. The fixed contact 112 includes a first fixed contact 112a and a second fixed contact 112b. The fixed contact 112 may be a flat pad without a protrusion. Fixed contact 112 may include aluminum, tungsten, palladium, rhodium, gold, platinum, ruthenium, indium, iridium, osmium, molybdenum, and / or nickel. Here, the fixed contact 112 may be an alloy of two or more materials including these materials.

本実施形態においては、スイッチ装置100は、2点の固定接点112aおよび112bを有する。これにより、スイッチ装置100は、可動接点136を介して固定接点112aと固定接点112bとの間の電気的導通または非導通を切り換える。   In the present embodiment, the switch device 100 has two fixed contacts 112a and 112b. As a result, the switch device 100 switches electrical conduction or non-conduction between the fixed contact 112 a and the fixed contact 112 b via the movable contact 136.

これに代えて、スイッチ装置100は、1点の固定接点112を有してもよい。この場合、スイッチ装置100は、可動接点136から固定接点112への信号伝送をON/OFFし、ONの場合に外部から入力された信号を可動接点136及び固定接点112を介して外部へと伝送してよい。   Instead of this, the switch device 100 may have one fixed contact 112. In this case, the switch device 100 turns on / off the signal transmission from the movable contact 136 to the fixed contact 112, and transmits the signal input from the outside via the movable contact 136 and the fixed contact 112 in the case of ON. You can do it.

第1配線114は、第1の固定接点112aと電気的に接続され、第1の固定接点112aから第2の固定接点112bの反対方向へと延伸する。第1配線114は、第1の固定接点112aと一体的に形成されてよい。第2配線116は、第2の固定接点112bと電気的に接続され、第2の固定接点112bから第1の固定接点112aの反対方向へと延伸する。第2配線116は、第2の固定接点112bと一体的に形成されてよい。固定接点112aおよび112bと可動接点136とが接触すると、第1配線114、第1の固定接点112a、可動接点136、第2の固定接点112b、および第2配線116は、スイッチ装置100を通過する電気信号の伝送路を形成する。   The first wiring 114 is electrically connected to the first fixed contact 112a and extends from the first fixed contact 112a in the direction opposite to the second fixed contact 112b. The first wiring 114 may be formed integrally with the first fixed contact 112a. The second wiring 116 is electrically connected to the second fixed contact 112b and extends from the second fixed contact 112b in the direction opposite to the first fixed contact 112a. The second wiring 116 may be formed integrally with the second fixed contact 112b. When the fixed contacts 112 a and 112 b contact the movable contact 136, the first wiring 114, the first fixed contact 112 a, the movable contact 136, the second fixed contact 112 b, and the second wiring 116 pass through the switch device 100. An electric signal transmission path is formed.

第1グランド線路118および第2グランド線路120は、第1配線114および第2配線116が形成された基板110に設けられ、基準電位に接続される。ここで基準電位は予め定められた電圧を供給する。本実施例において基準電位は、接地電位(0V)である。第1グランド線路118は、圧電アクチュエータ130側に位置する。第1グランド線路118および第2グランド線路120は、第1配線114、可動接点136、および第2配線116を含む電気信号の伝送路の両側において当該伝送路と並走し、当該伝送路とコプレナー伝送線路を形成する。従って、第1配線114、可動接点136、および第2配線116を含む伝送路は良好な高周波伝送特性を有する。   The first ground line 118 and the second ground line 120 are provided on the substrate 110 on which the first wiring 114 and the second wiring 116 are formed, and are connected to a reference potential. Here, the reference potential supplies a predetermined voltage. In this embodiment, the reference potential is the ground potential (0 V). The first ground line 118 is located on the piezoelectric actuator 130 side. The first ground line 118 and the second ground line 120 run in parallel with the transmission line on both sides of the electric signal transmission line including the first wiring 114, the movable contact 136, and the second wiring 116, and the transmission line and the coplanar A transmission line is formed. Therefore, the transmission line including the first wiring 114, the movable contact 136, and the second wiring 116 has good high-frequency transmission characteristics.

ここで、第1グランド線路118および第2グランド線路120の間の間隔は、第1の固定接点112aおよび第2の固定接点112bの両側において、第1配線114および第2配線116の配線上の両側における第1グランド線路118と第2グランド線路120の間の間隔より小さい。即ち、第1配線114から第2配線116までの伝送路において、伝送路と第1グランド線路118および第2グランド線路120の距離は、伝送路の幅に応じて略一定に保たれる。従って、第1配線114から第2配線116までの伝送路は、コプレナー伝送線路を形成し、良好な高周波伝送特性を有する。   Here, the interval between the first ground line 118 and the second ground line 120 is set on the wirings of the first wiring 114 and the second wiring 116 on both sides of the first fixed contact 112a and the second fixed contact 112b. It is smaller than the distance between the first ground line 118 and the second ground line 120 on both sides. That is, in the transmission line from the first wiring 114 to the second wiring 116, the distance between the transmission line and the first ground line 118 and the second ground line 120 is kept substantially constant according to the width of the transmission line. Therefore, the transmission line from the first wiring 114 to the second wiring 116 forms a coplanar transmission line and has good high-frequency transmission characteristics.

裏面配線122は、基板110の第2面に設けられ、スイッチ装置100を通過させる電気信号を伝送する。裏面配線122は、ランド、コネクタ、および/またはアンテナ等を含み、外部からスイッチ装置100に通過させる信号を送受信してよい。   The back surface wiring 122 is provided on the second surface of the substrate 110 and transmits an electrical signal that passes through the switch device 100. The back surface wiring 122 includes a land, a connector, and / or an antenna, and may transmit / receive a signal that is allowed to pass through the switch device 100 from the outside.

ビア124は、基板110の第1面および第2面を貫通し、第1配線114および第2配線116と、裏面配線122とを電気的に接続する。ビア124は、導電性材料が充填されて、貫通孔が形成される基板110の上面と下面の密閉性を保つように形成されてよい。ビア124は、基板110に設けられる固定接点112の数に応じて複数設けられてよい。   The via 124 penetrates through the first surface and the second surface of the substrate 110 and electrically connects the first wiring 114 and the second wiring 116 and the back surface wiring 122. The via 124 may be formed so as to maintain the hermeticity of the upper surface and the lower surface of the substrate 110 in which the through hole is formed by being filled with a conductive material. A plurality of vias 124 may be provided according to the number of fixed contacts 112 provided on the substrate 110.

制御配線126は、基板110の第1面および第2面に複数設けられ、第1電源部180および第2電源部190から圧電アクチュエータ130に供給する電気信号をそれぞれ伝送する。制御配線126は、ランド、コネクタ、および/またはアンテナ等を含み、外部から圧電アクチュエータ130に供給する信号を送受信してよい。   A plurality of control wires 126 are provided on the first surface and the second surface of the substrate 110, and transmit electric signals supplied from the first power supply unit 180 and the second power supply unit 190 to the piezoelectric actuator 130, respectively. The control wiring 126 includes a land, a connector, and / or an antenna, and may transmit and receive a signal supplied to the piezoelectric actuator 130 from the outside.

ビア128は、基板110の第1面および第2面を貫通し、基板110の第1面と第2面の制御配線126を電気的に接続する。ビア128は、導電性材料が充填されて、貫通孔が形成される基板110の上面と下面の密閉性を保つように形成されてよい。ビア128は、圧電アクチュエータ130に供給する電気信号の数に応じて、基板110に複数設けられてもよい。なお、制御配線126及びビア128は、蓋部154に形成されてもよい。   The via 128 penetrates the first surface and the second surface of the substrate 110 and electrically connects the control wiring 126 on the first surface and the second surface of the substrate 110. The via 128 may be formed so as to maintain the hermeticity of the upper surface and the lower surface of the substrate 110 that is filled with a conductive material and through-holes are formed. A plurality of vias 128 may be provided on the substrate 110 in accordance with the number of electrical signals supplied to the piezoelectric actuator 130. Note that the control wiring 126 and the via 128 may be formed in the lid portion 154.

圧電アクチュエータ130は、第1電源部180及び第2電源部190からの電圧印加に応じて湾曲し、可動端132を移動させる。これにより、圧電アクチュエータ130は、可動端132に設けられた可動接点136を、第1の固定接点112aおよび第2の固定接点112bに対して接触または離間させる。圧電アクチュエータ130は、可動端132と、固定端134と、可動接点136と、第1圧電膜138と、第2圧電膜140と、支持層142と、露出部143と、第1圧電膜138の電極層144および電極層146と、第2圧電膜140の電極層148および電極層150とを有する。圧電アクチュエータ130は、例えば、CVD(Chemical Vapor Deposition:化学気相成長)法を用いる半導体製造装置等によって成膜される。   The piezoelectric actuator 130 bends in response to voltage application from the first power supply unit 180 and the second power supply unit 190 and moves the movable end 132. As a result, the piezoelectric actuator 130 causes the movable contact 136 provided at the movable end 132 to contact or separate from the first fixed contact 112a and the second fixed contact 112b. The piezoelectric actuator 130 includes a movable end 132, a fixed end 134, a movable contact 136, a first piezoelectric film 138, a second piezoelectric film 140, a support layer 142, an exposed portion 143, and a first piezoelectric film 138. The electrode layer 144 and the electrode layer 146, and the electrode layer 148 and the electrode layer 150 of the second piezoelectric film 140 are included. The piezoelectric actuator 130 is formed by, for example, a semiconductor manufacturing apparatus using a CVD (Chemical Vapor Deposition) method.

可動端132は、圧電アクチュエータ130の固定されない端部である。固定端134は、圧電アクチュエータ130の固定される端部であり、第1配線114、可動接点136、および第2配線116を含む伝送路に対して可動端132より離れた位置に設けられる。圧電アクチュエータ130の可動端132側の幅は、固定端134側の幅より小さい。従って、圧電アクチュエータ130が幅方向(図1のW方向)に反ったときに、圧電アクチュエータ130の可動端132側の角を基板110に接し難くする。また、圧電アクチュエータ130の可動端132の厚み方向(図1のH方向)における変形量を低減するので、固定接点112a及び112bと可動接点136との接触動作を安定化することができる。   The movable end 132 is an end portion of the piezoelectric actuator 130 that is not fixed. The fixed end 134 is an end portion to which the piezoelectric actuator 130 is fixed, and is provided at a position away from the movable end 132 with respect to the transmission path including the first wiring 114, the movable contact 136, and the second wiring 116. The width on the movable end 132 side of the piezoelectric actuator 130 is smaller than the width on the fixed end 134 side. Therefore, when the piezoelectric actuator 130 warps in the width direction (W direction in FIG. 1), the corner on the movable end 132 side of the piezoelectric actuator 130 is made difficult to contact the substrate 110. Further, since the deformation amount in the thickness direction (H direction in FIG. 1) of the movable end 132 of the piezoelectric actuator 130 is reduced, the contact operation between the fixed contacts 112a and 112b and the movable contact 136 can be stabilized.

可動接点136は、可動端132に設けられ、可動端132の移動に従って、基板110の固定接点112に対して接触または離間する。可動接点136は、固定接点112と同様の金属を含んでよい。可動接点136は、突起を有する形状である。これに代えて、可動接点136を、突部のない平面として、固定接点112に面で接触させてもよい。   The movable contact 136 is provided at the movable end 132, and contacts or separates from the fixed contact 112 of the substrate 110 according to the movement of the movable end 132. The movable contact 136 may include the same metal as the fixed contact 112. The movable contact 136 has a shape having a protrusion. Instead of this, the movable contact 136 may be brought into contact with the fixed contact 112 by a plane as a plane having no protrusions.

可動接点136は、固定接点112の破壊または劣化を防ぐように、半球状の形状を有していてもよく、これに代えて先端を丸めた針状の形状を有していてもよい。一例として、可動接点136は、1点の固定接点112と接触して伝送線路を形成する場合に、伝送する信号の周波数に応じた伝送線路幅等を形成するように、予め定められた形状で設けられてよい。   The movable contact 136 may have a hemispherical shape so as to prevent the fixed contact 112 from being broken or deteriorated, and may instead have a needle shape with a rounded tip. As an example, when the movable contact 136 is in contact with one fixed contact 112 to form a transmission line, the movable contact 136 has a predetermined shape so as to form a transmission line width or the like according to the frequency of the signal to be transmitted. May be provided.

第1圧電膜138は、圧電アクチュエータ130の内層において、支持層142上に形成され、第1駆動電圧に応じて伸縮する。第1圧電膜138は、第1駆動電圧を印加された場合に、圧電アクチュエータ130の長さ方向および幅方向(W方向)に伸縮して、固定接点112と可動接点136との距離が変化する方向に圧電アクチュエータ130を湾曲させるように配される。   The first piezoelectric film 138 is formed on the support layer 142 in the inner layer of the piezoelectric actuator 130 and expands and contracts according to the first drive voltage. The first piezoelectric film 138 expands and contracts in the length direction and width direction (W direction) of the piezoelectric actuator 130 when the first drive voltage is applied, and the distance between the fixed contact 112 and the movable contact 136 changes. The piezoelectric actuator 130 is arranged to bend in the direction.

第1圧電膜138は、例えば、チタン酸ジルコン酸鉛(PZT)膜である。これに代えて、第1圧電膜138は、チタン酸ジルコン酸ランタン鉛(PLZT)、窒化アルミニウム(AlN)、酸化亜鉛(ZnO)のウルツ鉱型の結晶、またはチタン酸バリウム(BTO)等のペロブスカイト系強誘電体等により形成された膜でもよい。   The first piezoelectric film 138 is, for example, a lead zirconate titanate (PZT) film. Instead, the first piezoelectric film 138 is made of a wurtzite crystal of lead lanthanum zirconate titanate (PLZT), aluminum nitride (AlN), zinc oxide (ZnO), or a perovskite such as barium titanate (BTO). A film formed of a system ferroelectric or the like may be used.

第2圧電膜140は、支持層142を介して第1圧電膜138と対向して、支持層142を中心として第1圧電膜138と対称に設けられ、第2駆動電圧に応じて伸縮する。また、第2圧電膜140は、第2駆動電圧を印加された場合に、圧電アクチュエータ130の長さ方向(L方向)および幅方向(W方向)に伸縮して、固定接点112と可動接点136との距離が変化する方向に圧電アクチュエータ130を湾曲させるように配される。   The second piezoelectric film 140 faces the first piezoelectric film 138 with the support layer 142 interposed therebetween, is provided symmetrically with the first piezoelectric film 138 around the support layer 142, and expands and contracts according to the second drive voltage. The second piezoelectric film 140 expands and contracts in the length direction (L direction) and the width direction (W direction) of the piezoelectric actuator 130 when a second drive voltage is applied, so that the fixed contact 112 and the movable contact 136 are expanded. The piezoelectric actuator 130 is arranged so as to bend in the direction in which the distance between the piezoelectric actuator 130 changes.

第2圧電膜140は、第1圧電膜138と同様の材料を用いて形成される。また、第2圧電膜140は、第1圧電膜138と略同一の材料で、かつ、第1圧電膜138と略同一の形状で形成されてよい。これにより、第1圧電膜138がそりを生じさせる応力と、第2圧電膜140がそりを抑える応力とを、略同一にさせることができる。   The second piezoelectric film 140 is formed using the same material as the first piezoelectric film 138. The second piezoelectric film 140 may be formed of substantially the same material as the first piezoelectric film 138 and substantially the same shape as the first piezoelectric film 138. Thereby, the stress that causes the first piezoelectric film 138 to warp and the stress that the second piezoelectric film 140 suppresses warpage can be made substantially the same.

圧電アクチュエータ130における第1圧電膜138および第2圧電膜140が設けられた領域の可動端132側の幅は、固定端134側の幅より小さい。このため、可動端132側の第1圧電膜138が幅方向に伸縮する長さは、固定端134側と比べて小さい。また、可動端132側の第2圧電膜140が幅方向に伸縮する長さは、固定端134側と比べて小さい。従って、圧電アクチュエータ130における第1圧電膜138および第2圧電膜140が設けられた領域の可動端132側の角部分が基板110に接し難くなる。また、可動端132近傍において、圧電アクチュエータ130が幅方向に大きく伸縮しないので、圧電アクチュエータ130の可動端132側の角が、基板110に接し難くなる。   The width on the movable end 132 side of the region where the first piezoelectric film 138 and the second piezoelectric film 140 are provided in the piezoelectric actuator 130 is smaller than the width on the fixed end 134 side. For this reason, the length by which the first piezoelectric film 138 on the movable end 132 side expands and contracts in the width direction is smaller than that on the fixed end 134 side. Further, the length by which the second piezoelectric film 140 on the movable end 132 side expands and contracts in the width direction is smaller than that on the fixed end 134 side. Therefore, the corner portion on the movable end 132 side of the region where the first piezoelectric film 138 and the second piezoelectric film 140 are provided in the piezoelectric actuator 130 is difficult to contact the substrate 110. In addition, since the piezoelectric actuator 130 does not greatly expand and contract in the width direction in the vicinity of the movable end 132, the corner on the movable end 132 side of the piezoelectric actuator 130 becomes difficult to contact the substrate 110.

圧電アクチュエータ130における第1圧電膜138および第2圧電膜140が設けられた領域の可動端132側における端部は、第1グランド線路118の第2グランド線路120側の端部よりも第1の固定接点112aおよび第2の固定接点112bから離れた位置に設けられる。このため、第1配線114、可動接点136、および第2配線116により形成されるコプレナー伝送路は、圧電アクチュエータ130に供給される電気信号の影響を受けにくいので、良好な高周波伝送特性を有する。   In the piezoelectric actuator 130, the end portion on the movable end 132 side of the region where the first piezoelectric film 138 and the second piezoelectric film 140 are provided is first than the end portion of the first ground line 118 on the second ground line 120 side. It is provided at a position away from the fixed contact 112a and the second fixed contact 112b. For this reason, the coplanar transmission path formed by the first wiring 114, the movable contact 136, and the second wiring 116 is not easily affected by the electrical signal supplied to the piezoelectric actuator 130, and thus has good high-frequency transmission characteristics.

支持層142は、第1圧電膜138および第2圧電膜140の間に設けられる。支持層142は、力の印加によって変形する弾性を有し、第1圧電膜138および/または第2圧電膜140が伸縮して力を印加することによって、湾曲される。また、支持層142は、圧電アクチュエータ130が撓みすぎるのを抑制する剛性を有し、第1圧電膜138および第2圧電膜140の電界の印加が停止すると、圧電アクチュエータ130は初期位置に戻る。   The support layer 142 is provided between the first piezoelectric film 138 and the second piezoelectric film 140. The support layer 142 has elasticity that is deformed by application of force, and is bent when the first piezoelectric film 138 and / or the second piezoelectric film 140 expands and contracts and applies force. In addition, the support layer 142 has rigidity to prevent the piezoelectric actuator 130 from being bent excessively, and when the application of the electric field to the first piezoelectric film 138 and the second piezoelectric film 140 is stopped, the piezoelectric actuator 130 returns to the initial position.

支持層142は、基板110の第1面と平行な面において、第1圧電膜138または第2圧電膜140と略同じ面積を有する。これに代えて、支持層142は、第1圧電膜138または第2圧電膜140よりも大きい面積を有してもよい。   The support layer 142 has substantially the same area as the first piezoelectric film 138 or the second piezoelectric film 140 on a surface parallel to the first surface of the substrate 110. Alternatively, the support layer 142 may have a larger area than the first piezoelectric film 138 or the second piezoelectric film 140.

支持層142は、第1圧電膜138または第2圧電膜140が形成される場合に、当該圧電膜と共に焼成温度に加熱される。そこで支持層142は、第1圧電膜138および第2圧電膜140の焼成温度に加熱しても破壊されず、圧電膜の圧電定数等の膜特性を劣化させず、かつ周囲の部材と化学反応を生じ難い材質で形成されることが望ましい。また、支持層142を絶縁材料で形成すると、金属膜よりも安価なCVD等の製造方法により短時間で支持層142を形成することができる。   The support layer 142 is heated to a firing temperature together with the piezoelectric film when the first piezoelectric film 138 or the second piezoelectric film 140 is formed. Therefore, the support layer 142 is not broken even when heated to the firing temperature of the first piezoelectric film 138 and the second piezoelectric film 140, does not deteriorate film characteristics such as the piezoelectric constant of the piezoelectric film, and chemically reacts with surrounding members. It is desirable to form with the material which does not produce easily. In addition, when the support layer 142 is formed of an insulating material, the support layer 142 can be formed in a short time by a manufacturing method such as CVD that is less expensive than the metal film.

支持層142は、例えば、酸化シリコン(SiO)または、窒化シリコン(SiN)を主成分とする材料で形成される。これに代えて、支持層142は、アルミニウム、金、白金等の導電体、ガラス等の絶縁体、またはシリコン等の半導体を用いてよい。 The support layer 142 is formed of, for example, a material mainly composed of silicon oxide (SiO 2 ) or silicon nitride (SiN). Instead, the support layer 142 may use a conductor such as aluminum, gold, or platinum, an insulator such as glass, or a semiconductor such as silicon.

露出部143は、圧電アクチュエータ130の可動端132において、第1圧電膜138および第2圧電膜140が設けられていない支持層142の部分である。可動接点136は、露出部143に設けられる。可動接点136は、露出部143により、電極層144、146、148および150から離間されるので、可動接点136と固定接点112aおよび112bにより形成される伝送路を流れる電気信号は、圧電アクチュエータ130に流れる電気信号の影響を受けにくい。また、露出部143のL方向の長さを大きくすることで、第1圧電膜138および第2圧電膜140が設けられた領域の可動端132側における端部を、第1グランド線路118よりも第1の固定接点112aおよび第2の固定接点112bからより離れた位置に設けることができる。   The exposed portion 143 is a portion of the support layer 142 where the first piezoelectric film 138 and the second piezoelectric film 140 are not provided at the movable end 132 of the piezoelectric actuator 130. The movable contact 136 is provided on the exposed portion 143. Since the movable contact 136 is separated from the electrode layers 144, 146, 148 and 150 by the exposed portion 143, the electric signal flowing through the transmission path formed by the movable contact 136 and the fixed contacts 112 a and 112 b is transmitted to the piezoelectric actuator 130. Less susceptible to flowing electrical signals. Further, by increasing the length of the exposed portion 143 in the L direction, the end portion on the movable end 132 side of the region where the first piezoelectric film 138 and the second piezoelectric film 140 are provided is made to be more than the first ground line 118. The first fixed contact 112a and the second fixed contact 112b can be provided at a position farther from the first fixed contact 112a and the second fixed contact 112b.

電極層144および電極層146は、第1圧電膜138の上面および下面に設けられ、制御配線126を介して、第1圧電膜138に第1駆動電圧を印加する。ここで、第1駆動電圧は、正または負の一定電圧でよい。電極層144および電極層146は、圧電アクチュエータ130の長さ方向Lに延伸する平板形状を有してよい。電極層144は、電極層146と略同一の形状、および略同一の材質でよい。   The electrode layer 144 and the electrode layer 146 are provided on the upper and lower surfaces of the first piezoelectric film 138 and apply a first drive voltage to the first piezoelectric film 138 via the control wiring 126. Here, the first drive voltage may be a positive or negative constant voltage. The electrode layer 144 and the electrode layer 146 may have a flat plate shape extending in the length direction L of the piezoelectric actuator 130. The electrode layer 144 may have substantially the same shape and the same material as the electrode layer 146.

電極層148および電極層150は、第2圧電膜140の上面および下面に設けられ、制御配線126を介して、第2圧電膜140に第2駆動電圧を印加する。電極層148および電極層150は、圧電アクチュエータ130の長さ方向Lに延伸する平板形状を有してよい。電極層148は、電極層150と略同一の形状、および略同一の材質でよい。また、電極層150は、電極層144と略同一の形状および略同一の材質でよく、電極層148は、電極層146と略同一の形状および略同一の材質でよい。   The electrode layer 148 and the electrode layer 150 are provided on the upper and lower surfaces of the second piezoelectric film 140, and apply a second drive voltage to the second piezoelectric film 140 via the control wiring 126. The electrode layer 148 and the electrode layer 150 may have a flat plate shape extending in the length direction L of the piezoelectric actuator 130. The electrode layer 148 may be substantially the same shape and material as the electrode layer 150. The electrode layer 150 may have substantially the same shape and material as the electrode layer 144, and the electrode layer 148 may have approximately the same shape and material as the electrode layer 146.

電極層144、146、148、および150は、例えば、アルミニウム、金、白金、銅、インジウム、タングステン、モリブデン、ルテニウム、イリジウム等の低抵抗で加工が容易な金属であってよく、ルテニウムオキサイド(RuO)、イリジウムオキサイド(IrO)等酸化物電極、セラミック電極、または、シリコン等の半導体を用いてもよい。 The electrode layers 144, 146, 148, and 150 may be a low-resistance and easy-to-work metal such as aluminum, gold, platinum, copper, indium, tungsten, molybdenum, ruthenium, iridium, and the like. 2 ), an oxide electrode such as iridium oxide (IrO 2 ), a ceramic electrode, or a semiconductor such as silicon may be used.

電極層144、146、148、および150の材料としてシリコンを用いる場合には、不純物を高濃度にドープしたシリコンを用いることが好ましい。本実施形態の電極層144、146、148、および150は、厚さ方向Hの厚さが0.2μmの白金である。ここで、白金を成膜する場合、チタン、タンタル、クロム等を成膜してから白金を成膜してよい。   When silicon is used as the material for the electrode layers 144, 146, 148, and 150, it is preferable to use silicon doped with impurities at a high concentration. The electrode layers 144, 146, 148, and 150 of the present embodiment are platinum with a thickness in the thickness direction H of 0.2 μm. Here, in the case where a platinum film is formed, the platinum film may be formed after titanium, tantalum, chromium, or the like is formed.

台座部152は、半導体材料で形成され、圧電アクチュエータ130の固定端を蓋部154に固定する。これに代えて、台座部152は、圧電アクチュエータ130を基板110に固定してもよい。   The pedestal portion 152 is made of a semiconductor material, and fixes the fixed end of the piezoelectric actuator 130 to the lid portion 154. Instead of this, the pedestal portion 152 may fix the piezoelectric actuator 130 to the substrate 110.

この場合、台座部152の厚みは、圧電アクチュエータ130の最大変位量と同等もしくはそれ以下であってよい。ここで、圧電アクチュエータ130の最大変位量とは、第1圧電膜138および/または第2圧電膜140に印加できる最大の駆動電圧を印加した場合における、圧電アクチュエータ130の変位量を意味する。台座部152は、シリコン基板の半導体材料をエッチングして形成される。   In this case, the thickness of the pedestal portion 152 may be equal to or less than the maximum displacement amount of the piezoelectric actuator 130. Here, the maximum amount of displacement of the piezoelectric actuator 130 means the amount of displacement of the piezoelectric actuator 130 when the maximum drive voltage that can be applied to the first piezoelectric film 138 and / or the second piezoelectric film 140 is applied. The pedestal 152 is formed by etching a semiconductor material of a silicon substrate.

蓋部154は、圧電アクチュエータ130を保護する。蓋部154は、基板110と同様の材料で形成される。側面部156は、蓋部154を圧電アクチュエータ130の上部に固定する。側面部156は、シリコン基板の半導体材料をエッチングして形成される。側面部156は、台座部152と同一のプロセスで形成されてもよい。   The lid 154 protects the piezoelectric actuator 130. The lid 154 is formed of the same material as the substrate 110. The side surface portion 156 fixes the lid portion 154 to the upper portion of the piezoelectric actuator 130. The side surface portion 156 is formed by etching the semiconductor material of the silicon substrate. The side surface portion 156 may be formed by the same process as the pedestal portion 152.

第1電源部180は、第1駆動電圧を第1圧電膜138に供給し、第2電源部190は、第2駆動電圧を第2圧電膜140にそれぞれ供給する。制御部192は、スイッチ装置100のON/OFFを制御し、第1電源部180および第2電源部190に電気信号を供給する。   The first power supply unit 180 supplies the first drive voltage to the first piezoelectric film 138, and the second power supply unit 190 supplies the second drive voltage to the second piezoelectric film 140, respectively. The control unit 192 controls ON / OFF of the switch device 100 and supplies electric signals to the first power supply unit 180 and the second power supply unit 190.

制御部192は、固定接点112と可動接点136とを接触させてスイッチ装置100をON状態にする場合に、第2圧電膜140に第2駆動電圧を印加して第2圧電膜140を縮める。これに代えて、制御部192は、スイッチ装置100をON状態にする場合に、第1圧電膜138に第1駆動電圧を印加して第1圧電膜138を伸ばしてもよい。これに代えて、制御部192は、スイッチ装置100をON状態にする場合に、第2圧電膜140を縮めつつ、同時に第1圧電膜138を伸ばしてもよい。   When the switch unit 100 is turned on by bringing the fixed contact 112 and the movable contact 136 into contact with each other, the control unit 192 contracts the second piezoelectric film 140 by applying a second driving voltage to the second piezoelectric film 140. Alternatively, the control unit 192 may apply the first driving voltage to the first piezoelectric film 138 to extend the first piezoelectric film 138 when the switch device 100 is turned on. Instead, when the switch device 100 is turned on, the control unit 192 may contract the second piezoelectric film 140 and simultaneously extend the first piezoelectric film 138.

また、制御部192は、固定接点112と可動接点136とを離間させてスイッチ装置100をOFF状態にする場合に、第2圧電膜140への第2駆動電圧の供給を停止し、第1圧電膜138への第1駆動電圧の供給を停止する。これに代えて、制御部192は、スイッチ装置100をOFF状態にする場合に、第2圧電膜140に第2駆動電圧とは正負の異なる電圧を印加して、圧電アクチュエータ130の戻りを付勢してもよい。これに代えて、制御部192は、スイッチ装置100をOFF状態にする場合に、第1圧電膜138に第1駆動電圧とは正負の異なる電圧を印加して、圧電アクチュエータ130の戻りを付勢してもよい。これに代えて、制御部192は、スイッチ装置100をOFF状態にする場合に、第1圧電膜138に第1駆動電圧とは正負の異なる電圧を印加し、さらに第2圧電膜140に第2駆動電圧とは正負の異なる電圧を印加して、圧電アクチュエータ130の戻りを付勢してもよい。   In addition, the control unit 192 stops the supply of the second drive voltage to the second piezoelectric film 140 when the switch device 100 is turned off by separating the fixed contact 112 and the movable contact 136, and the first piezoelectric The supply of the first drive voltage to the film 138 is stopped. Instead, when the switch device 100 is turned off, the control unit 192 applies a voltage that is different from the second drive voltage to the second piezoelectric film 140 to bias the return of the piezoelectric actuator 130. May be. Instead, the control unit 192 applies a voltage, which is different from the first drive voltage, to the first piezoelectric film 138 to bias the return of the piezoelectric actuator 130 when the switch device 100 is turned off. May be. Instead, the control unit 192 applies a voltage that is different from the first drive voltage to the first piezoelectric film 138 when the switch device 100 is turned off, and further applies a second voltage to the second piezoelectric film 140. The return of the piezoelectric actuator 130 may be urged by applying a voltage that is different from the driving voltage.

制御部192は、電子回路等のハードウェアであってよく、これに代えて、プログラム等により動作するソフトウェアを実行する制御プロセッサを含む制御システムにより実現されてもよい。   The control unit 192 may be hardware such as an electronic circuit, and instead may be realized by a control system including a control processor that executes software that operates according to a program or the like.

以上説明したように、図1および図2に示したスイッチ装置100は、可動端132側の幅が固定端134側の幅より小さい圧電アクチュエータ130を有するので、可動端132側の角が基板110に接してしまうのを防ぎ、固定接点112と可動接点136とをより確実に接触させることができる。また、スイッチ装置100は、固定接点112及可動接点136が接触する場合にコプレナー伝送線路を形成するので、良好な高周波伝送特性を有する。   As described above, the switch device 100 shown in FIG. 1 and FIG. 2 has the piezoelectric actuator 130 whose width on the movable end 132 side is smaller than the width on the fixed end 134 side. The fixed contact 112 and the movable contact 136 can be more reliably brought into contact with each other. Moreover, since the switch apparatus 100 forms a coplanar transmission line when the fixed contact 112 and the movable contact 136 contact, it has a favorable high frequency transmission characteristic.

図3は、第1の実施形態の変形例における圧電アクチュエータ131を示す。本変形例の圧電アクチュエータ131は、第1の実施形態の圧電アクチュエータ130に加えて、第1保護膜170および第2保護膜172を有する。本変形例において、第1の実施形態と略同一の構成を採る部分については、説明を省略する。   FIG. 3 shows a piezoelectric actuator 131 according to a modification of the first embodiment. The piezoelectric actuator 131 of this modification has a first protective film 170 and a second protective film 172 in addition to the piezoelectric actuator 130 of the first embodiment. In the present modification, the description of the portions that have substantially the same configuration as that of the first embodiment will be omitted.

第1保護膜170は、絶縁材料で形成され、第1圧電膜138における支持層142とは反対側から第1圧電膜138の少なくとも一部を覆い、かつ、第1圧電膜138の端部の少なくとも一部において支持層142と接する。第1保護膜170および支持層142は、第1圧電膜138、電極層144および電極層146が露出しないように各層を覆うように形成されてよい。一例として、第1保護膜170および支持層142は、各層を覆う。ここで、第1保護膜170および支持層142は、電極層144および電極層146がそれぞれ制御配線126と接続される接続部を露出させて形成されてよい。   The first protective film 170 is made of an insulating material, covers at least a part of the first piezoelectric film 138 from the opposite side of the first piezoelectric film 138 from the support layer 142, and is formed at the end of the first piezoelectric film 138. At least in part, it is in contact with the support layer 142. The first protective film 170 and the support layer 142 may be formed so as to cover each layer so that the first piezoelectric film 138, the electrode layer 144, and the electrode layer 146 are not exposed. As an example, the first protective film 170 and the support layer 142 cover each layer. Here, the first protective film 170 and the support layer 142 may be formed by exposing connection portions where the electrode layer 144 and the electrode layer 146 are respectively connected to the control wiring 126.

第2保護膜172は、絶縁材料で形成され、第2圧電膜140における支持層142とは反対側から第2圧電膜140の少なくとも一部を覆い、かつ、第2圧電膜140の端部の少なくとも一部において支持層142と接する。第2保護膜172および支持層142は、第2圧電膜140、電極層148および電極層150が露出しないように各層を覆うように形成されてよい。一例として、第2保護膜172および支持層142は、各層を覆う。ここで、第2保護膜172および支持層142は、電極層148および電極層150がそれぞれ制御配線126と接続される接続部を露出させて形成されてよい。   The second protective film 172 is made of an insulating material, covers at least a part of the second piezoelectric film 140 from the side opposite to the support layer 142 in the second piezoelectric film 140, and covers the end of the second piezoelectric film 140. At least in part, it is in contact with the support layer 142. The second protective film 172 and the support layer 142 may be formed so as to cover the second piezoelectric film 140, the electrode layer 148, and the electrode layer 150 so as not to be exposed. As an example, the second protective film 172 and the support layer 142 cover each layer. Here, the second protective film 172 and the support layer 142 may be formed by exposing connection portions where the electrode layer 148 and the electrode layer 150 are respectively connected to the control wiring 126.

第1保護膜170および第2保護膜172は、支持層142と略同一の絶縁材料で形成されてよい。例えば、第1保護膜170および第2保護膜172は、酸化シリコン(SiO)または窒化シリコン(SiN)で形成されてよい。この場合、第1保護膜170および第2保護膜172は、支持層142と同様に、弾性および剛性を有し、支持層142と密着性よく、強く結合して形成される。 The first protective film 170 and the second protective film 172 may be formed of substantially the same insulating material as the support layer 142. For example, the first protective film 170 and the second protective film 172 may be formed of silicon oxide (SiO 2 ) or silicon nitride (SiN). In this case, the first protective film 170 and the second protective film 172 have elasticity and rigidity similarly to the support layer 142, and are formed by being strongly bonded to the support layer 142 with good adhesion.

このように、略同一の弾性および剛性を有する第1保護膜170、第2保護膜172、および支持層142は、第1圧電膜138、第2圧電膜140、電極層144、146、148、および150を包み込むので、圧電アクチュエータ131を製造する過程または圧電アクチュエータ131を湾曲させる場合において、各層の割れ、欠け、またはヒビ等の物理的な破壊を防ぐことができる。また、第1保護膜170および第2保護膜172は、剛性を有するので、圧電アクチュエータ131の剛性を高めることができる。これによって、圧電アクチュエータ131は、接点同士の凝着を防ぐことができる。   In this way, the first protective film 170, the second protective film 172, and the support layer 142 having substantially the same elasticity and rigidity are the first piezoelectric film 138, the second piezoelectric film 140, the electrode layers 144, 146, 148, Therefore, in the process of manufacturing the piezoelectric actuator 131 or when the piezoelectric actuator 131 is bent, physical destruction such as cracking, chipping, or cracking of each layer can be prevented. Further, since the first protective film 170 and the second protective film 172 have rigidity, the rigidity of the piezoelectric actuator 131 can be increased. Thereby, the piezoelectric actuator 131 can prevent adhesion between the contacts.

また、第1保護膜170および第2保護膜172は、支持層142と略同一の材料で形成されるので、支持層142と略同一の剛性および弾性を持つことができる。したがって、第1保護膜170および第2保護膜172は、圧電アクチュエータ131が変位した場合に、圧電アクチュエータ131内部の剛性および弾性の不一致に起因する応力の発生を抑えることができる。また、複数の膜が積層されたことによって生じる圧電アクチュエータ131がそる方向に働く残留応力および熱応力等と、そりを抑える方向に働く残留応力および熱応力等とを、略同一にさせて打ち消し合わせることにより圧電アクチュエータ131のそりを抑えることができる。   In addition, since the first protective film 170 and the second protective film 172 are formed of substantially the same material as the support layer 142, the first protective film 170 and the second protective film 172 can have substantially the same rigidity and elasticity as the support layer 142. Therefore, when the piezoelectric actuator 131 is displaced, the first protective film 170 and the second protective film 172 can suppress the generation of stress due to the mismatch in rigidity and elasticity inside the piezoelectric actuator 131. In addition, the residual stress and thermal stress that act in the direction in which the piezoelectric actuator 131 deflects due to the lamination of a plurality of films and the residual stress and thermal stress that act in the direction to suppress warpage are canceled out by making them substantially the same. Accordingly, warping of the piezoelectric actuator 131 can be suppressed.

また、第1保護膜170、第2保護膜172、および支持層142は、第2圧電膜140、電極層144、146、148、および150を外部へ露出させないので、これらの層を酸化等から防ぐこともできる。   The first protective film 170, the second protective film 172, and the support layer 142 do not expose the second piezoelectric film 140 and the electrode layers 144, 146, 148, and 150 to the outside. It can also be prevented.

以上説明したように、図3に示した圧電アクチュエータ131は、第1保護膜170および第2保護膜172を有するので、保護層を有さない場合と比べて物理的強度、耐食性および剛性が向上する。   As described above, since the piezoelectric actuator 131 shown in FIG. 3 has the first protective film 170 and the second protective film 172, physical strength, corrosion resistance, and rigidity are improved as compared with the case where the protective layer is not provided. To do.

図4は、第2の実施形態に係るスイッチ装置200の構成例を示す。スイッチ装置200の説明において、第1の実施形態と略同一の部材には同一の符号を付して、説明を省略する。スイッチ装置200は、第1の実施形態における圧電アクチュエータ130とは異なる形状の圧電アクチュエータ230を有する。   FIG. 4 shows a configuration example of the switch device 200 according to the second embodiment. In the description of the switch device 200, substantially the same members as those in the first embodiment are denoted by the same reference numerals, and the description thereof is omitted. The switch device 200 includes a piezoelectric actuator 230 having a shape different from that of the piezoelectric actuator 130 in the first embodiment.

圧電アクチュエータ230は、固定端134側から可動端232側へ近づくにつれて、幅(W方向の長さ)が漸減する形状を有する。これにより、第1の実施形態における可動端132と比較して、可動端232の先端部分の幅が小さくなる。これにより、圧電アクチュエータ230が幅方向に反ったときに、圧電アクチュエータ230の可動端232の先端の角が基板110に更に接し難くなる。   The piezoelectric actuator 230 has a shape in which the width (the length in the W direction) gradually decreases as it approaches the movable end 232 side from the fixed end 134 side. Thereby, compared with the movable end 132 in 1st Embodiment, the width | variety of the front-end | tip part of the movable end 232 becomes small. Thereby, when the piezoelectric actuator 230 warps in the width direction, the corner of the tip of the movable end 232 of the piezoelectric actuator 230 becomes more difficult to contact the substrate 110.

図4においては、圧電アクチュエータ230は、固定端134側から可動端232側に近づく途中から幅が漸減するので、矩形と台形が結合した形状を有する。これに代えて、圧電アクチュエータ230は、固定端134から可動端232側に近づくについて一様に幅が漸減した形状であってよい。例えば、圧電アクチュエータ230は略台形または略三角形であってよい。   In FIG. 4, the piezoelectric actuator 230 has a shape in which a rectangle and a trapezoid are combined because the width gradually decreases from the middle of approaching the movable end 232 side from the fixed end 134 side. Instead of this, the piezoelectric actuator 230 may have a shape in which the width gradually decreases gradually as it approaches the movable end 232 side from the fixed end 134. For example, the piezoelectric actuator 230 may be substantially trapezoidal or substantially triangular.

図5は、第3の実施形態に係るスイッチ装置300の構成例を示す。スイッチ装置300の説明において、第1の実施形態と略同一の部材には同一の符号を付して、説明を省略する。スイッチ装置300は、第1の実施形態における圧電アクチュエータ130とは異なる形状の圧電アクチュエータ330を有する。   FIG. 5 shows a configuration example of the switch device 300 according to the third embodiment. In the description of the switch device 300, substantially the same members as those in the first embodiment are denoted by the same reference numerals, and the description thereof is omitted. The switch device 300 includes a piezoelectric actuator 330 having a shape different from that of the piezoelectric actuator 130 in the first embodiment.

圧電アクチュエータ330は、圧電膜が設けられた領域の可動端側の幅は、固定端側の幅より小さく、可動端332の可動接点136が設けられた先端の幅(W方向の長さ)が、可動端332の先端以外の部分の幅よりも大きい形状を有する。これにより、可動接点136の面積を大きくすることができるので、可動接点136と固定接点112をより確実に接触させることができる。   In the piezoelectric actuator 330, the width on the movable end side of the region where the piezoelectric film is provided is smaller than the width on the fixed end side, and the width (length in the W direction) of the tip where the movable contact 136 of the movable end 332 is provided. The movable end 332 has a shape larger than the width of the portion other than the tip. Thereby, since the area of the movable contact 136 can be enlarged, the movable contact 136 and the fixed contact 112 can be contacted more reliably.

図6は、本実施形態に係るスイッチ装置100を用いた試験装置410の構成例を被試験デバイス400と共に示す。試験装置410は、アナログ回路、デジタル回路、アナログ/デジタル混載回路、メモリ、およびシステム・オン・チップ(SOC)等の少なくとも1つの被試験デバイス400を試験する。試験装置410は、被試験デバイス400を試験するための試験パターンに基づく試験信号を被試験デバイス400に入力して、試験信号に応じて被試験デバイス400が出力する出力信号に基づいて被試験デバイス400の良否を判定する。   FIG. 6 shows a configuration example of a test apparatus 410 using the switch apparatus 100 according to the present embodiment, together with the device under test 400. The test apparatus 410 tests at least one device under test 400 such as an analog circuit, a digital circuit, an analog / digital mixed circuit, a memory, and a system on chip (SOC). The test apparatus 410 inputs a test signal based on a test pattern for testing the device under test 400 to the device under test 400, and the device under test based on an output signal output from the device under test 400 according to the test signal. The quality of 400 is judged.

試験装置410は、試験部420と、信号入出力部430と、制御部440とを備える。試験部420は、被試験デバイス400との間で電気信号を授受して被試験デバイス400を試験する。試験部420は、試験信号発生部423と、期待値比較部426とを有する。   The test apparatus 410 includes a test unit 420, a signal input / output unit 430, and a control unit 440. The test unit 420 tests the device under test 400 by exchanging electrical signals with the device under test 400. The test unit 420 includes a test signal generation unit 423 and an expected value comparison unit 426.

試験信号発生部423は、信号入出力部430を介して1または複数の被試験デバイス400に接続されて、被試験デバイス400へ供給する複数の試験信号を発生する。試験信号発生部423は、試験信号に応じて被試験デバイス400が出力する応答信号の期待値を生成してよい。   The test signal generator 423 is connected to one or a plurality of devices under test 400 via the signal input / output unit 430 and generates a plurality of test signals to be supplied to the device under test 400. The test signal generator 423 may generate an expected value of the response signal output from the device under test 400 according to the test signal.

期待値比較部426は、信号入出力部430から受信した被試験デバイス400の応答信号に含まれるデータ値と試験信号発生部423が生成する期待値とを比較する。期待値比較部426は、比較結果に基づき、被試験デバイス400の良否を判定する。   The expected value comparison unit 426 compares the data value included in the response signal of the device under test 400 received from the signal input / output unit 430 with the expected value generated by the test signal generation unit 423. The expected value comparison unit 426 determines pass / fail of the device under test 400 based on the comparison result.

信号入出力部430は、試験すべき被試験デバイス400と試験部420との間を電気的に接続して、試験信号発生部423が発生した試験信号を当該被試験デバイス400に送信する。また、信号入出力部430は、試験信号に応じて当該被試験デバイス400が出力する応答信号を受信する。信号入出力部430は、受信した被試験デバイス400の応答信号を期待値比較部426へと送信する。信号入出力部430は、複数の被試験デバイス400を搭載するパフォーマンスボードであってよい。信号入出力部430は、スイッチ装置100を有する。   The signal input / output unit 430 electrically connects the device under test 400 to be tested and the test unit 420, and transmits the test signal generated by the test signal generation unit 423 to the device under test 400. The signal input / output unit 430 receives a response signal output from the device under test 400 in accordance with the test signal. The signal input / output unit 430 transmits the received response signal of the device under test 400 to the expected value comparison unit 426. The signal input / output unit 430 may be a performance board on which a plurality of devices under test 400 are mounted. The signal input / output unit 430 includes the switch device 100.

スイッチ装置100は、試験部420および被試験デバイス400の間に設けられ、試験部420および被試験デバイス400の間を電気的に接続または切断する。試験装置410は、本実施形態に係るスイッチ装置100によって電気的な接続または切断を実行してよい。   The switch device 100 is provided between the test unit 420 and the device under test 400 and electrically connects or disconnects between the test unit 420 and the device under test 400. The test apparatus 410 may perform electrical connection or disconnection by the switch apparatus 100 according to the present embodiment.

本例において、信号入出力部430は1つの被試験デバイス400に接続され、スイッチ装置100は、1つの被試験デバイス400の入力信号ラインおよび出力信号ラインにそれぞれ1つ設けられる例を説明した。これに代えて信号入出力部430は、複数の被試験デバイス400に接続され、スイッチ装置100は、複数の被試験デバイス400の入力信号ラインおよび出力信号ラインのそれぞれに1つ設けられてよい。また、信号入出力部430から1つの被試験デバイス400へ接続される信号入出力ラインが1つの場合、1つの入出力ラインに1つのスイッチ装置100が設けられてよい。   In this example, the example in which the signal input / output unit 430 is connected to one device under test 400 and one switch apparatus 100 is provided for each of the input signal line and the output signal line of one device under test 400 has been described. Instead, the signal input / output unit 430 may be connected to a plurality of devices under test 400, and one switch device 100 may be provided for each of the input signal lines and the output signal lines of the plurality of devices under test 400. Further, when one signal input / output line is connected from the signal input / output unit 430 to one device under test 400, one switch device 100 may be provided in one input / output line.

制御部440は、試験装置410の試験を実行すべく、試験部420および信号入出力部430に制御信号を送信する。制御部440は、試験プログラムに応じて、試験部420に、試験信号の発生または応答信号と期待値との比較等を実行させる制御信号を送信する。また、制御部440は、試験プログラムに応じて、接続すべき信号入出力ラインに設けられたスイッチ装置100の接続の指示、および切断すべき信号入出力ラインに設けられたスイッチ装置100の切断の指示等を、信号入出力部430に送信する。制御部440は、図2における第1電源部180、第2電源部190、および制御部192を含んでもよい。   The control unit 440 transmits a control signal to the test unit 420 and the signal input / output unit 430 in order to execute the test of the test apparatus 410. The control unit 440 transmits a control signal that causes the test unit 420 to generate a test signal or compare a response signal with an expected value in accordance with a test program. The control unit 440 also instructs connection of the switch device 100 provided in the signal input / output line to be connected and disconnection of the switch device 100 provided in the signal input / output line to be disconnected according to the test program. An instruction or the like is transmitted to the signal input / output unit 430. The control unit 440 may include the first power supply unit 180, the second power supply unit 190, and the control unit 192 in FIG.

以上の本実施形態に係る試験装置410は、安定した接触動作を行い、良好な高周波伝送特性を有する圧電アクチュエータ130を備えたスイッチ装置100を用いて試験を実行することができる。また、試験装置410は、電圧制御による低消費電力のスイッチング制御で、かつ、長寿命化させたスイッチ装置100を用いて試験を実行することができる。また、試験装置410は、接点間の凝着を低減させたスイッチ装置100を用いて試験を実行することができる。   The test apparatus 410 according to the above-described embodiment can perform a test using the switch apparatus 100 that includes the piezoelectric actuator 130 that performs a stable contact operation and has good high-frequency transmission characteristics. In addition, the test apparatus 410 can perform a test by using the switch apparatus 100 which has low power consumption switching control by voltage control and has a long life. Moreover, the test apparatus 410 can perform a test using the switch apparatus 100 in which adhesion between the contacts is reduced.

図7は、本実施形態に係る伝送路切り替え装置500の構成例を示す。伝送路切り替え装置500は、入力端と複数の出力端のそれぞれの間に各々接続された複数のスイッチ装置100を備える。本実施例の伝送路切り替え装置500は、入力端Aと出力端BおよびCのそれぞれの間に各々接続された複数のスイッチ装置100aおよびスイッチ装置100bを備える。   FIG. 7 shows a configuration example of the transmission path switching apparatus 500 according to the present embodiment. The transmission path switching device 500 includes a plurality of switch devices 100 respectively connected between an input end and a plurality of output ends. The transmission line switching apparatus 500 of this embodiment includes a plurality of switch devices 100a and 100b that are respectively connected between the input terminal A and the output terminals B and C.

伝送路切り替え装置500は、スイッチ装置100aをON状態にし、かつ、スイッチ装置100bをOFF状態にすることで、入力端Aと出力端Bとを電気的に接続し、かつ、入力端Aと出力端Cとを電気的に切断する。また、伝送路切り替え装置500は、スイッチ装置100aをOFF状態にし、かつ、スイッチ装置100bをON状態にすることで、入力端Aと出力端Bおよび出力端Cとを電気的に切断し、かつ、出力端Bと出力端Cとを電気的に接続する。   The transmission path switching device 500 electrically connects the input terminal A and the output terminal B by setting the switch device 100a to the ON state and the switch device 100b to the OFF state, and also connects the input terminal A and the output device. The end C is electrically disconnected. Further, the transmission path switching device 500 electrically disconnects the input end A, the output end B, and the output end C by turning the switch device 100a OFF and the switch device 100b ON. The output terminal B and the output terminal C are electrically connected.

このように、伝送路切り替え装置500は、複数のスイッチ装置をそれぞれON/OFFすることで、入力端と複数の出力端との伝送路を切り換える。伝送路切り替え装置500は、複数のスイッチ装置が1つのパッケージ等に密封されて収容された装置であってよい。   As described above, the transmission path switching device 500 switches the transmission path between the input end and the plurality of output ends by turning ON / OFF the plurality of switch devices, respectively. The transmission path switching device 500 may be a device in which a plurality of switch devices are sealed and accommodated in one package or the like.

図8は、本実施形態に係るループバック試験する試験装置の構成例を被試験デバイス400と共に示す。本実施形態のループバック試験する試験装置は、図6で説明した試験装置410と、図7で説明した伝送路切り替え装置500の組み合わせで構成される。そこで、図6、7に示された本実施形態に係る試験装置410および伝送路切り替え装置500の動作と略同一のものには同一の符号を付け、説明を省略する。   FIG. 8 shows a configuration example of a test apparatus for performing a loopback test according to the present embodiment, together with a device under test 400. A test apparatus for performing a loopback test according to the present embodiment includes a combination of the test apparatus 410 described with reference to FIG. 6 and the transmission path switching apparatus 500 described with reference to FIG. Therefore, the same reference numerals are given to the substantially same operations as those of the test apparatus 410 and the transmission path switching apparatus 500 according to the present embodiment shown in FIGS.

本試験装置は、試験装置410からの試験信号を被試験デバイス400に供給する場合に、伝送路切り替え装置500のスイッチ装置100aをON状態にし、かつ、スイッチ装置100bをOFF状態にする。また、本試験装置は、被試験デバイス400から出力される信号を当該被試験デバイス400にループバックする場合に、伝送路切り替え装置500のスイッチ装置100aをOFF状態にし、かつ、スイッチ装置100bをON状態にする。   When supplying a test signal from the test apparatus 410 to the device under test 400, the test apparatus turns on the switch apparatus 100a of the transmission path switching apparatus 500 and turns off the switch apparatus 100b. Further, when the signal output from the device under test 400 is looped back to the device under test 400, the test apparatus turns off the switch device 100a of the transmission path switching device 500 and turns on the switch device 100b. Put it in a state.

これによって、本試験装置は、試験装置410から被試験デバイス400を試験するための試験信号を被試験デバイス400に入力させる伝送路と、被試験デバイス400からの信号をループバックさせて当該被試験デバイス400に入力させる伝送路とを切り換えることができる。本実施形態に係るループバック試験する試験装置は、1つの伝送路切り替え装置500を備える例を説明したが、これに代えて、2以上の伝送路切り替え装置500を備え、試験装置410と被試験デバイス400との複数の伝送路を切り換えることによって、試験信号による被試験デバイス400の試験とループバック試験とを切り換えてよい。   As a result, the test apparatus causes the test apparatus 410 to input a test signal for testing the device under test 400 to the device under test 400 and loops back the signal from the device under test 400 to perform the test. The transmission path to be input to the device 400 can be switched. The test apparatus for performing the loopback test according to the present embodiment has been described as including the single transmission line switching apparatus 500. Instead, the test apparatus includes two or more transmission line switching apparatuses 500, the test apparatus 410, and the device under test. By switching a plurality of transmission paths with the device 400, the test of the device under test 400 and the loopback test using the test signal may be switched.

以上の本実施形態に係るループバック試験する試験装置によれば、安定した接触動作を行い、良好な高周波伝送特性を有する圧電アクチュエータ130を備えたスイッチ装置100を用いて試験信号による試験とループバック試験とを切り換えることができる。また、本試験装置は、電圧制御による低消費電力のスイッチング制御で、かつ、長寿命化させたスイッチ装置100を用いて2つの試験を切り換えることができる。また、本試験装置は、接点間の凝着を低減させたスイッチ装置100を用いて2つの試験を切り換えることができる。   According to the test apparatus that performs the loopback test according to the above-described embodiment, the test apparatus performs the test using the switch device 100 including the piezoelectric actuator 130 that performs stable contact operation and has good high-frequency transmission characteristics, and the loopback. You can switch between tests. In addition, the present test apparatus can switch between two tests by using the switch apparatus 100 which has low power consumption switching control by voltage control and has a long life. In addition, this test apparatus can switch between two tests using the switch device 100 in which adhesion between the contacts is reduced.

以上、本発明を実施の形態を用いて説明したが、本発明の技術的範囲は上記実施の形態に記載の範囲には限定されない。上記実施の形態に、多様な変更または改良を加えることが可能であることが当業者に明らかである。その様な変更または改良を加えた形態も本発明の技術的範囲に含まれ得ることが、特許請求の範囲の記載から明らかである。   As mentioned above, although this invention was demonstrated using embodiment, the technical scope of this invention is not limited to the range as described in the said embodiment. It will be apparent to those skilled in the art that various modifications or improvements can be added to the above-described embodiment. It is apparent from the scope of the claims that the embodiments added with such changes or improvements can be included in the technical scope of the present invention.

特許請求の範囲、明細書、および図面中において示した装置、システム、プログラム、および方法における動作、手順、ステップ、および段階等の各処理の実行順序は、特段「より前に」、「先立って」等と明示しておらず、また、前の処理の出力を後の処理で用いるのでない限り、任意の順序で実現しうることに留意すべきである。特許請求の範囲、明細書、および図面中の動作フローに関して、便宜上「まず、」、「次に、」等を用いて説明したとしても、この順で実施することが必須であることを意味するものではない。   The order of execution of each process such as operations, procedures, steps, and stages in the apparatus, system, program, and method shown in the claims, the description, and the drawings is particularly “before” or “prior to”. It should be noted that the output can be realized in any order unless the output of the previous process is used in the subsequent process. Regarding the operation flow in the claims, the description, and the drawings, even if it is described using “first”, “next”, etc. for convenience, it means that it is essential to carry out in this order. It is not a thing.

100 スイッチ装置、100a スイッチ装置、100b スイッチ装置、110 基板、112 固定接点、112a 第1の固定接点112b 第2の固定接点、114 第1配線、116 第2配線、118 第1グランド線路、120 第2グランド線路、122 裏面配線、124 ビア、126 制御配線、128 ビア、130 圧電アクチュエータ、131 圧電アクチュエータ、132 可動端、134 固定端、136 可動接点、138 第1圧電膜、140 第2圧電膜、142 支持層、143 露出部、144 電極層、146 電極層、148 電極層、150 電極層、152 台座部、154 蓋部、156 側面部、170 第1保護膜、172 第2保護膜、180 第1電源部、190 第2電源部、192 制御部、200 スイッチ装置、230 圧電アクチュエータ、232 可動端、300 スイッチ装置、330 圧電アクチュエータ、332 可動端、400 被試験デバイス、410 試験装置、420 試験部、423 試験信号発生部、426 期待値比較部、430 信号入出力部、440 制御部、500 伝送路切り替え装置 100 switch device, 100a switch device, 100b switch device, 110 substrate, 112 fixed contact, 112a first fixed contact 112b second fixed contact, 114 first wiring, 116 second wiring, 118 first ground line, 120 first 2 ground lines, 122 back wiring, 124 via, 126 control wiring, 128 via, 130 piezoelectric actuator, 131 piezoelectric actuator, 132 movable end, 134 fixed end, 136 movable contact, 138 first piezoelectric film, 140 second piezoelectric film, 142 support layer, 143 exposed portion, 144 electrode layer, 146 electrode layer, 148 electrode layer, 150 electrode layer, 152 pedestal portion, 154 lid portion, 156 side surface portion, 170 first protective film, 172 second protective film, 180 first 1 power supply unit, 190 second power supply unit, 192 control unit, 2 0 switch device, 230 piezoelectric actuator, 232 movable end, 300 switch device, 330 piezoelectric actuator, 332 movable end, 400 device under test, 410 test device, 420 test unit, 423 test signal generation unit, 426 expected value comparison unit, 430 Signal input / output unit, 440 control unit, 500 transmission line switching device

Claims (12)

固定接点および可動接点を電気的に接続するスイッチ装置であって、
前記可動接点が設けられた可動端と、前記可動端より離れた位置に設けられた固定端を有し、前記可動接点を前記固定接点に対して接触または離間させる圧電アクチュエータと、
を備え
前記圧電アクチュエータの前記可動端側の幅は、前記固定端側の幅より小さく、
前記圧電アクチュエータは、
絶縁材料で形成された支持層と、
第1圧電膜と、
前記支持層を介して前記第1圧電膜と対向して、前記支持層を中心として前記第1圧電膜と対称に設けられた第2圧電膜とを有し、
前記支持層は圧電アクチュエータの可動端において、前記第1圧電膜および前記第2圧電膜が設けられていない露出部を有する
スイッチ装置。
A switch device for electrically connecting a fixed contact and a movable contact,
A piezoelectric actuator having a movable end provided with the movable contact and a fixed end provided at a position distant from the movable end, and causing the movable contact to contact or separate from the fixed contact;
Equipped with a,
The width of the movable end of the piezoelectric actuator, rather smaller than the width of the fixed end,
The piezoelectric actuator is
A support layer formed of an insulating material;
A first piezoelectric film;
A second piezoelectric film provided symmetrically with the first piezoelectric film with the support layer as a center, facing the first piezoelectric film through the support layer;
The switch device has an exposed portion in which the first piezoelectric film and the second piezoelectric film are not provided at the movable end of the piezoelectric actuator .
第1の前記固定接点と、
第2の前記固定接点と、
前記第1の固定接点から前記第2の固定接点の反対方向へと延伸する第1配線と、
前記第2の固定接点から前記第1の固定接点の反対方向へと延伸する第2配線と、
を備え、
前記圧電アクチュエータは、前記第1配線、前記可動接点、および前記第2配線を含む伝送路に対して前記可動端より離れた位置に設けられた前記固定端を有し、前記可動接点を前記第1の固定接点および前記第2の固定接点に対して接触または離間させる
請求項1に記載のスイッチ装置。
A first fixed contact;
A second fixed contact;
A first wiring extending from the first fixed contact in a direction opposite to the second fixed contact;
A second wiring extending from the second fixed contact in a direction opposite to the first fixed contact;
With
The piezoelectric actuator has the fixed end provided at a position away from the movable end with respect to a transmission line including the first wiring, the movable contact, and the second wiring, and the movable contact is connected to the first wiring. The switch device according to claim 1, wherein the switch device is brought into contact with or separated from one fixed contact and the second fixed contact.
前記圧電アクチュエータは、内層に圧電膜を有し、
前記圧電アクチュエータにおける前記圧電膜が設けられた領域の前記可動端側の幅は、前記固定端側の幅より小さい
請求項1または2に記載のスイッチ装置。
The piezoelectric actuator has a piezoelectric film in an inner layer,
The switch device according to claim 1, wherein a width of the movable end side of a region where the piezoelectric film is provided in the piezoelectric actuator is smaller than a width of the fixed end side.
前記圧電アクチュエータは、前記固定端側から前記可動端側へ近づくにつれて、幅が漸減する請求項3に記載のスイッチ装置。   The switch device according to claim 3, wherein the piezoelectric actuator gradually decreases in width as it approaches the movable end side from the fixed end side. 前記第1配線および前記第2配線が形成された基板に設けられ、前記第1配線、前記可動接点、および前記第2配線を含む電気信号の伝送路の両側において当該伝送路と並走する第1グランド線路および第2グランド線路を更に備え、
前記圧電アクチュエータは、内層に圧電膜を有し、
前記圧電アクチュエータにおける前記圧電膜が設けられた領域の前記可動端側における端部は、前記圧電アクチュエータ側に位置する前記第1グランド線路よりも前記第1の固定接点および前記第2の固定接点から離れた位置に設けられる
請求項2に記載のスイッチ装置。
The first wiring and the second wiring are provided on a substrate on which the first wiring and the second wiring are formed, and the first wiring, the movable contact, and the electric signal transmission path that includes the second wiring are arranged in parallel with the transmission path. A ground line and a second ground line;
The piezoelectric actuator has a piezoelectric film in an inner layer,
An end portion on the movable end side of the region where the piezoelectric film is provided in the piezoelectric actuator is closer to the first fixed contact and the second fixed contact than the first ground line located on the piezoelectric actuator side. The switch device according to claim 2, wherein the switch device is provided at a distant position.
前記第1の固定接点および前記第2の固定接点の両側において、前記第1グランド線路および前記第2グランド線路の間の間隔は、前記第1配線および第2配線の配線上の両側における前記第1グランド線路と前記第2グランド線路の間の間隔より小さい
請求項5に記載のスイッチ装置。
On both sides of the first fixed contact and the second fixed contact, the distance between the first ground line and the second ground line is the second distance on both sides of the first wiring and the second wiring. The switch device according to claim 5, wherein the switch device is smaller than a distance between one ground line and the second ground line.
前記圧電アクチュエータは、
絶縁材料で形成され、前記第1圧電膜における前記支持層とは反対側から前記第1圧電膜の少なくとも一部を覆い、かつ、前記第1圧電膜の端部の少なくとも一部において前記支持層と接する第1保護膜と、
絶縁材料で形成され、前記第2圧電膜における前記支持層とは反対側から前記第2圧電膜の少なくとも一部を覆い、かつ、前記第2圧電膜の端部の少なくとも一部において前記支持層と接する第2保護膜と、
を更に有する請求項1から6のいずれか1項に記載のスイッチ装置。
The piezoelectric actuator is
The support layer is formed of an insulating material, covers at least a part of the first piezoelectric film from the side opposite to the support layer in the first piezoelectric film, and covers the support layer at least at a part of the end of the first piezoelectric film. A first protective film in contact with
The support layer is formed of an insulating material, covers at least part of the second piezoelectric film from the side opposite to the support layer in the second piezoelectric film, and covers at least part of the end of the second piezoelectric film. A second protective film in contact with
The switch device according to any one of claims 1 to 6 , further comprising:
前記第1圧電膜および前記第2圧電膜は、PZT膜である請求項1から7のいずれか1項に記載のスイッチ装置。 The switch device according to claim 1, wherein the first piezoelectric film and the second piezoelectric film are PZT films. 前記支持層は、SiOまたはSiNを主成分とする請求項1から8のいずれか一項に記載のスイッチ装置。 The support layer, the switch device according to any one of claims 1 to 8 whose main component is SiO 2 or SiN. 入力端と複数の出力端のそれぞれの間に各々接続された複数の請求項1からのいずれか1項に記載のスイッチ装置を備える伝送路切り替え装置。 A transmission path switching device comprising a plurality of switch devices according to any one of claims 1 to 9 , each connected between an input end and a plurality of output ends. 被試験デバイスをループバック試験する試験装置であって、
前記被試験デバイスとの間で電気信号を授受して前記被試験デバイスを試験する試験部と、
前記試験部および前記被試験デバイスの間に設けられ、前記試験部からの信号を前記被試験デバイスに供給するか、前記被試験デバイスからの信号を前記被試験デバイスにループバックさせるかを切り換える請求項10に記載の伝送路切り替え装置と、
を備える試験装置。
A test apparatus for performing a loopback test on a device under test,
A test unit for exchanging electrical signals with the device under test to test the device under test;
A switch that is provided between the test unit and the device under test and switches between supplying a signal from the test unit to the device under test or looping back a signal from the device under test to the device under test. Item 10. The transmission line switching device according to Item 10 ,
A test apparatus comprising:
被試験デバイスを試験する試験装置であって、
前記被試験デバイスとの間で電気信号を授受して前記被試験デバイスを試験する試験部と、
前記試験部および前記被試験デバイスの間に設けられ、前記試験部および前記被試験デバイスの間を電気的に接続または切断する請求項1からのいずれか1項に記載のスイッチ装置と、
を備える試験装置。
A test apparatus for testing a device under test,
A test unit for exchanging electrical signals with the device under test to test the device under test;
The switch device according to any one of claims 1 to 9 , which is provided between the test unit and the device under test and electrically connects or disconnects between the test unit and the device under test.
A test apparatus comprising:
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