JP5484945B2 - 液晶表示装置および電子機器 - Google Patents

Description

本発明は、横電界駆動方式により駆動される液晶表示装置、およびそれを備えた電子機器に関する。

近年、表示装置においては、低消費電力、省スペースなどの観点から、液晶表示装置が主流となっている。液晶の駆動方式の一つとして、ＦＦＳ（Fringe Field Switching）方式やＩＰＳ（In-Plane Switching）方式に代表される、横電界駆動方式がある。横電界駆動方式は、基板に対して平行な方向に電界を形成し、双極子モーメントをもつ液晶分子を、基板に対して平行な面内において回転させることにより表示を行う駆動方式である。特にＦＦＳ方式は、画素の電極構造がシンプルなため、しばしば使用される。

横電界駆動方式では、画素電極と共通電極にそれぞれ電圧を印加して、基板に対して平行な方向に電界を形成する。電圧印加時に液晶がその電界方向へ配向する際、いわゆるスプレイ変形（広がり変形）やベンド変形（曲がり変形）などの配向変形が生じる。

液晶分子は、双極子モーメントに加え、図３４，３５に示したように、一般に、形状の非対称性をもつ。このような液晶分子からなる液晶にスプレイ変形やベンド変形などの配向変形が生じたときには、分極が誘起されることがある。つまり、液晶（ネマティック媒質）では、配向変形がない場合には、例えば図３４（Ａ）や図３５（Ａ）に示したように、全体としての分極が生じないが、スプレイ変形が生じると、例えば図３４（Ｂ）に示したように分極が誘起され、ベンド変形が生じると、例えば図３５（Ｂ）に示したように分極が誘起される。これは、フレクソエレクトリック（flexoelectric）効果として知られている（非特許文献１，２など）。

液晶表示装置では、液晶材料の劣化を防ぐため、画素電極の電圧と共通電極の電圧との電位差の極性を一定周期で反転させる、いわゆる交流駆動が通常行われる。上記したフレクソエレクトリック効果を有する液晶をこのような液晶表示装置に用いた場合には、交流駆動において上記した電位差の極性を正負反転させても、上記したフレクソエレクトリック効果に起因する液晶の分極は単純に反転したものとならないため、その電位差の極性の正負によって各画素における光の透過率は異なったものとなる。特に、フレームごとにこの電位差の極性を反転するように液晶を交流駆動（フレーム反転駆動）した場合には、画素電極の電圧が共通電極の電圧よりも大きいフレーム（正フレーム）と、画素電極の電圧が共通電極の電圧よりも小さいフレーム（負フレーム）とで、光の透過率が異なる。これにより、液晶表示装置の輝度がフレームごとに変動し、画面にちらつき（フリッカ）が生じ、画質が低下する。

このフレクソエレクトリック効果に起因する画質への影響を抑制する方法について、多くの検討がなされている。例えば、特許文献１では、ＩＰＳ方式において、画素を２つの領域に分割し、その２つの領域の間で画素電極と共通電極の配置を入れ替えて構成することにより、２つの領域の間で電界の方向が互いに反対になるような液晶表示装置が提案されている。この構成により、正フレームと負フレームとで、画素における光の透過率に差が生じないようにしている。

また、フレクソエレクトリック効果自体を生じにくくする方法についても、多くの検討がなされている。例えば、特許文献２では、非対称性を抑えた分子構造をもつ液晶を用いた液晶表示装置が提案されている。この液晶分子は、電子吸引基と電子供与基の向きにおいて構造の非対称性が小さくなるように分子設計されたものである。

なお、液晶表示装置には、画素の一部に遮光層を設けるものがある（例えば、特許文献３〜６）。この遮光層は、ＩＰＳ方式において、画素電極と画素信号線との間に意図しない電界が生じることにより液晶の配向が乱れる箇所を遮光するために設けられている。すなわち、画素信号に起因して液晶の配向制御が十分にできない箇所を遮光することにより、その箇所が表示に影響を及ぼさないようにしている。

特許第３６６８８４４号公報 特開２００９−１６７２２８号公報 特開２００２−１３１７６７号公報 特開２００２−１３１７８０号公報 特開平１０−１８６４０７号公報 特開２００９−１０３９２５号公報

J. S. Patel and Robert B. Meyer, "Flexoelectric electro-optics of a cholesteric liquid crystal", Physical Review Letters, Volume 58, pp1538-1540, 1987. J. S. Patel and Sin-Doo Lee, "Fast linear electro-optic effect based on cholesteric liquid crystals", Journal of Applied Physics, Volume 66, pp1879-1881, 1989.

しかしながら、特許文献１に開示された液晶表示装置では、画素の電極構造が複雑になってしまう。特許文献２に開示された液晶表示装置では、液晶の分子構造が複雑化するため、材料コストが高くなるおそれや、液晶の粘性や複屈折率が低下するおそれがある。また、例えば、様々な要求仕様がある場合には、それらを満足できる分子構造を得るために分子設計を行う必要が生じ、開発コストがかかるおそれがある。

特許文献３〜６には、ＩＰＳ方式の液晶表示装置において画素信号に起因する画質低下を抑える方法が開示されているものの、フレクソエレクトリック効果についてはなんら記載がなく、よって、フレクソエレクトリック効果に起因する画質低下を抑えるための具体的な方法については、一切開示されていない。

本発明はかかる問題点に鑑みてなされたもので、その目的は、電極構造や液晶の分子構造を複雑にすることなく、シンプルな構成で高画質を実現できる液晶表示装置および電子機器を提供することにある。

本発明の第１の液晶表示装置は、第１の基板と、第２の基板と、液晶層と、ダミー電極とを備えている。第１の基板は、基体上に共通電極、絶縁膜、および複数の画素電極を順に形成してなるものである。第２の基板は、第１の基板の画素電極が形成された面と対向して離間配置されている。液晶層は、第１および第２の基板の間に配置されている。ダミー電極は、画素電極と同じ層に設けられている。画素電極は、間隔をおいて並設された複数の帯状部分を有している。上記ダミー電極は、帯状部分の長手方向と直交する方向の画素電極間領域に、画素電極から離間して形成されている。ここで、「並設」とは、並んで配置することを意味し、必ずしも互いに完全に平行配置されている必要はなく、平行からずれるように配置されていてもよい。

本発明の第２の液晶表示装置は、第１の基板と、第２の基板と、液晶層とを備えている。第１の基板は、基体上に共通電極、絶縁膜、および複数の画素電極を順に形成してなるものである。第２の基板は、第１の基板の画素電極が形成された面と対向して離間配置されている。液晶層は、第１および第２の基板の間に配置されている。画素電極は、間隔をおいて並設された複数の帯状部分を有している。帯状部分の長手方向と直交する方向の画素電極間領域の幅は、共通電極と画素電極との間に形成される電界による上記液晶層のフレクソエレクトリック効果を軽減しうる程度に狭くなっている。

本発明の電子機器は、上記本発明の第１または第２の液晶表示装置を備えたものであり、例えば、テレビジョン装置、デジタルカメラ、パーソナルコンピュータ、ビデオカメラあるいは携帯電話等の携帯端末装置などが該当する。

本発明の液晶表示装置および電子機器では、画素電極と共通電極にそれぞれ電圧を印加して、基板に対して平行な方向に電界を形成する。一般に、画素電極の最も外側の帯状部分の領域では、スプレイ変形やベンド変形などの配向変形が生じ、フレクソエレクトリック効果に起因して分極が誘起されることがある。この場合、交流駆動において画素電極の電圧と共通電極の電圧との電位差の極性を正負反転すると、その電位差の極性の正負によって、対応する液晶部分における光の透過率は異なってしまう。本発明の第１の液晶表示装置および電子機器では、画素電極間領域にダミー電極を形成することにより、フレクソエレクトリック効果を軽減している。本発明の第２の液晶表示装置および電子機器では、画素電極間領域の幅を狭くすることにより、フレクソエレクトリック効果を軽減している。これにより、フレクソエレクトリック効果による液晶の分極が生じにくくなり、透過率の変化に起因した光の明滅は抑制され、画面のちらつき（フリッカ）が低減する。

本発明の第１の液晶表示装置および電子機器では、ダミー電極は、例えば、画素電極と同じ材料により形成するのが好ましい。また、例えば、画素電極間領域における画素電極とダミー電極との間隔は、画素電極における帯状部分間の間隔に相当する間隔となっていることが望ましい。ここで、「相当する」とは、完全に等しい場合に加え、フレクソエレクトリック効果が生じにくくなる許容範囲内において多少の差があってもいいことを意味する。

ダミー電極は、例えば、帯状部分の長手方向に延びる複数の第１の配線に対応する位置に形成されていてもよい。また、ダミー電極は、例えば、周囲から電気的に絶縁されていても良いし、共通電極と電気的に接続されていてもよい。

第１の基板または第２の基板が、例えば、赤色カラーフィルタと、緑色カラーフィルタと、青色カラーフィルタとを有するカラーフィルタ層を含む場合において、ダミー電極は、少なくとも、緑色カラーフィルタに対応する画素電極に隣接する画素電極間領域に形成されていてもよい。

本発明の第２の液晶表示装置および電子機器では、画素電極間領域は、例えば、帯状部分の長手方向に延びる複数の第１の配線に対応する位置に配置されていてもよい。

第１の基板または第２の基板が、例えば、赤色カラーフィルタと、緑色カラーフィルタと、青色カラーフィルタとを有するカラーフィルタ層を含む場合において、少なくとも緑色カラーフィルタに対応する画素電極に隣接する画素電極間領域の幅が、フレクソエレクトリック効果を軽減しうる程度に狭くなっていてもよい。

本発明の第１の液晶表示装置および電子機器によれば、画素電極間領域にダミー電極を設けるようにしたので、フレクソエレクトリック効果が生じにくくなり、シンプルな構成で高画質を実現できる。

本発明の第２の液晶表示装置および電子機器によれば、画素電極間領域の幅を狭くしたので、フレクソエレクトリック効果が生じにくくなり、シンプルな構成で高画質を実現できる。

第１の実施の形態に係る液晶表示装置の一構成例を表すブロック図である。 図１に示した表示部の一構成例を表す回路図である。 図３に示した表示部の一構成例を表す平面図である。 図３に示した表示部の概略断面構造を表す断面図である。 図３に示した表示部の概略断面構造を表す他の断面図である。 図１に示した表示部の要部の拡大斜視図である。 図１に示した表示部の動作を説明するための断面図である。 比較例に係る表示部の一構成例を表す平面図である。 図８に示した液晶表示装置の特性を表す特性図である。 図８に示した液晶表示装置における配向変形を表す模式図である。 図８に示した液晶表示装置の特性を表す他の特性図である。 図８に示した液晶表示装置の他の特性を表す特性図である。 第１の実施の形態の変形例に係る表示部の一構成例を表す平面図である。 第２の実施の形態に係る表示部の一構成例を表す平面図である。 図１４に示した表示部の概略断面構造を表す断面図である。 第３の実施の形態に係る表示部の一構成例を表す平面図である。 図１６に示した表示部の概略断面構造を表す断面図である。 第４の実施の形態に係る表示部の一構成例を表す平面図である。 図１８に示した表示部の概略断面構造を表す断面図である。 第４の実施の形態の変形例に係る表示部の概略断面構造を表す断面図である。 第５の実施の形態に係る表示部の一構成例を表す平面図である。 図２１に示した表示部の概略断面構造を表す断面図である。 第５の実施の形態の変形例に係る表示部の一構成例を表す平面図である。 図２３に示した表示部の概略断面構造を表す断面図である。 第６の実施の形態に係る表示部の一構成例を表す平面図である。 図２５に示した表示部の概略断面構造を表す断面図である。 第６の実施の形態の変形例に係る表示部の一構成例を表す平面図である。 図２７に示した表示部の概略断面構造を表す断面図である。 実施の形態を適用した液晶表示装置のうち、適用例１の外観構成を表す斜視図である。 適用例２の外観構成を表す斜視図である。 適用例３の外観構成を表す斜視図である。 適用例４の外観構成を表す斜視図である。 適用例５の外観構成を表す正面図、側面図、上面図および下面図である。 フレクソエレクトリック効果を説明するための模式図である。 フレクソエレクトリック効果を説明するための他の模式図である。

以下、実施の形態について、図面を参照して詳細に説明する。なお、説明は以下の順序で行う。
１．第１の実施の形態
２．第２の実施の形態
３．第３の実施の形態
４．第４の実施の形態
５．第５の実施の形態
６．第６の実施の形態
７．適用例

＜１．第１の実施の形態＞
［構成例］
図１は、第１の実施の形態に係る液晶表示装置の一構成例を表すものである。液晶表示装置１は、ＦＦＳ方式の液晶表示装置において、フレクソエレクトリック効果が発生しやすい部分に対応する画素電極の一部を通過する光を遮光するようにしたものである。液晶表示装置１は、表示制御部２と、共通信号ドライバ３と、ゲートドライバ４と、ソースドライバ５とを備えている。

表示制御部２は、供給される画像信号Ｖsigを１画面毎（１フレームの表示ごと）に、例えばＳＲＡＭ（Static Random Access Memory）等で構成されるフレームメモリに格納して保持するものである。また、この表示制御部２は、表示部６を駆動する、共通信号ドライバ３、ゲートドライバ４、およびソースドライバ５が連動して動作するように制御する機能を有している。具体的には、表示制御部２は、共通信号ドライバ３に共通信号タイミング制御信号を供給し、ゲートドライバ４に走査タイミング制御信号を供給し、ソースドライバ５に、フレームメモリに保持されている画像信号に基づいた１水平ライン分の画像信号と表示タイミング制御信号を供給する。

共通信号ドライバ３は、表示制御部２から供給される共通信号タイミング制御信号に応じて、表示部６に共通信号Ｖcomを供給する回路である。この例では、表示部６は、フレーム反転駆動されるものである。すなわち、共通信号ドライバ３は、表示部６が１フレームを表示するごとに共通信号Ｖcomを反転して出力するものである。

ゲートドライバ４は、表示制御部２から供給される走査タイミング制御信号に応じて、表示駆動の対象となる表示部６内の画素Ｐix（後述）を選択する機能を有している。具体的には、ゲートドライバ４は、走査信号線ＧＣＬを介して、走査信号Ｖscanを画素ＰixのトランジスタＴｒのゲート（後述）に印加することにより、表示部６にマトリックス状に形成されている画素Ｐixのうちの１行を表示駆動の対象として選択する。そして、これらの画素Ｐixでは、ソースドライバ５から供給される画素信号Ｖpix（後述）に応じて、１水平ラインの表示がなされる。このようにして、ゲートドライバ４は、時分割的に１水平ラインずつ順次走査を行い、表示部６の表示面全体にわたって表示を行うように動作する。

ソースドライバ５は、表示制御部２から供給される１水平ライン分の画像信号を、表示部６内の各画素Ｐixに画素信号Ｖpixとして供給する回路である。具体的には、ソースドライバ５は、画素信号Ｖpixを、ゲートドライバ４により選択された１水平ラインを構成する各画素Ｐixに、画素信号線ＳＧＬを介してそれぞれ供給するものである。

表示部６は、ソースドライバ５から供給される画素信号Ｖpixに基づいて、画像を表示するものである。以下に、図２〜図６を参照して、表示部６の構成例を説明する。

図２は、表示部６の画素の回路構成例を表すものである。表示部６は、マトリックス状に配列した複数の画素Ｐixを有している。画素Ｐixは、図２に示したように、トランジスタＴｒおよび液晶素子ＬＣを有している。トランジスタＴｒは、例えば薄膜トランジスタ（ＴＦＴ；Thin Film Transistor）などにより構成されるものであり、この例では、ｎチャネルのＭＯＳ（Metal Oxide Semiconductor）型のＴＦＴで構成されている。トランジスタＴｒは、ソースが画素信号線ＳＧＬに接続され、ゲートが走査信号線ＧＣＬに接続され、ドレインが画素電極１４（図示せず）を介して液晶素子ＬＣに接続されている。液晶素子ＬＣは、一方が画素電極１４（図示せず）を介してトランジスタＴｒのドレインと接続され、他方が共通電極１３（図示せず）に接続され、共通信号ドライバ３より共通信号Ｖcomが供給される。

画素Ｐixは、図２に示したように、走査信号線ＧＣＬにより、表示部６の同じ行に属する他の画素Ｐixと互いに接続されている。走査信号線ＧＣＬは、ゲートドライバ４と接続され、ゲートドライバ４より走査信号Ｖscanが供給される。また、画素Ｐixは、画素信号線ＳＧＬにより、表示部６の同じ列に属する他の画素Ｐixと互いに接続されている。画素信号線ＳＧＬは、ソースドライバ５と接続され、ソースドライバ５より画素信号Ｖpixが供給される。

図３は、表示部６の構成例を表すものである。画素Ｐixは、図３に示したように、画素電極１４および遮光体３９を有している。画素電極１４は、例えばＩＴＯ（Indium Tin Oxide）などにより構成され、図３に示したように、間隔をおいて並設された複数の帯状部分がその長手方向の両端で互いに接続された形状を有する透明な電極である。画素電極１４とトランジスタＴｒとは、コンタクトＣＯＮＴを介して接続されている。遮光体３９は、画素電極１４の複数の帯状部分のうち、一番外側に配置された電極に対応する部分に設けられている。共通電極１３は、図３には図示されていないが、後述するように、画素電極１４の下の層に一面にわたって形成されている。共通電極１３もまた、画素電極１４と同様に、例えばＩＴＯなどを用いて構成される透明な電極である。

図４は、図３に示した表示部６のＩＶ−ＩＶ矢視方向の概略断面構造を表すものであり、図５（Ａ）は、Ｖ−Ｖ矢視方向の概略断面構造を表すものである。表示部６は、アレイ基板１０と、カラーフィルタ基板２０と、液晶層９とを備えている。

アレイ基板１０は、ＴＦＴ基板１１の液晶層９に接する面に、３層の絶縁膜１２１〜１２３、共通電極１３、絶縁膜１２４、画素電極１４、配向膜１５（図示せず）が順に形成されたものである。共通電極１３は、絶縁膜１２３の上に、一面にわたって形成されている。また、ＴＦＴ基板１１の反対の面には、偏光板１６が形成されている。

カラーフィルタ基板２０は、対向基板２１の液晶層９に接する面に、カラーフィルタ２２、配向膜２３（図示せず）が順に形成されている。カラーフィルタ２２は、例えば赤色（Ｒ）、緑色（Ｇ）、青色（Ｂ）の３色のカラーフィルタを周期的に配列して構成したものである。カラーフィルタ２２には、開口部以外の部分での光の遮光や、隣接する３色のカラーフィルタから出射する３色の光の混色を防止するために、図示しないブラックマトリックスが形成されている。また、対向基板２１の反対の面には、偏光板２４が形成されている。

液晶層９は、電界の状態に応じて、通過する光を変調するものであり、ＦＦＳモード（横電界モード）の液晶が用いられる。

トランジスタＴｒは、図４に示したように、絶縁膜１２１〜１２３と同じ層に形成される。トランジスタＴｒのゲート電極３１は、ＴＦＴ基板１１上に形成される。このゲート電極３１は、走査信号線ＧＣＬを利用したものである。つまり、ゲート電極３１は、ＴＦＴ基板１１上に形成された走査信号線ＧＣＬの一部で構成されている。ゲート電極３１（走査信号線ＧＣＬ）の上には、絶縁膜１２１が形成され、さらにその上に半導体層４０が形成されている。つまり、絶縁膜１２１は、トランジスタＴｒにおいて、ＭＯＳ構造におけるゲート絶縁膜として機能している。

半導体層４０は、チャネル層４１と、ソース領域４２と、ドレイン領域４３と、ＬＤＤ（Lightly Doped Drain）領域４４，４５とを有している。半導体層４０は、例えば、アモルファスシリコン、ポリシリコン、単結晶シリコンなどにより構成される。チャネル層４１は、ゲート電極３１の電圧に応じてチャネルが形成されるものである。ソース領域４２およびドレイン領域４３には、例えばｎ型不純物などの不純物がドーピングされている。ＬＤＤ領域４４，４５は、ソース領域４２およびドレイン領域４３よりも不純物濃度が低くなるように、不純物がドーピングされている。ＬＤＤ領域４４は、チャネル層４１とソース領域４２との間に形成され、ＬＤＤ領域４５は、チャネル層４１とドレイン領域４３との間に形成されている。

半導体層４０の上には絶縁膜１２２が形成されている。絶縁膜１２２の上にはソース電極３２およびドレイン電極３３が形成され、コンタクトホールを介して、ソース領域４２およびドレイン領域４３にそれぞれ接続されている。ソース電極４２は、同じ層に形成される画素信号線ＳＧＬ（図５（Ａ））に接続されている。ドレイン電極３３は、コンタクトＣＯＮＴを介して画素電極１４に接続されている。

遮光体３９は、図５（Ａ）に示したように、ＴＦＴ基板１１の上に形成され、画素電極１４の複数の帯状部分のうち、一番外側に配置された帯状部分に対応する位置に配置されている。図５（Ａ）に示した例では、遮光体３９は、走査信号線ＧＣＬ（図４）と同じ層に形成され、走査信号線ＧＣＬと同じ材料により形成されている。このため、遮光体３９と走査信号線ＧＣＬとは、製造プロセスの同じ工程において同時に形成することができる。遮光体３９は走査信号線ＧＣＬとは接続されておらず、周囲から電気的に絶縁されている。

図６は、液晶素子の表示動作例を表すものであり、偏光板と配向膜の向きを示している。図６に示したように、偏光板１６と偏光板２４とは、クロスニコルの状態で配置されている。すなわち、この例では、偏光板１６の透過軸は、画素電極１４の帯状部分の長手方向と直交する方向、もしくはその方向からやや角度をつけた方向に設定され、偏光板２４の透過軸は、画素電極１４の帯状部分の長手方向、もしくはその方向からやや角度をつけた方向に設定されている。配向膜１５および配向膜２３のラビング方向は、ともに偏光板２４の透過軸と一致するように設定されている。

ここで、アレイ基板１０は本発明における「第１の基板」の一具体例に対応し、カラーフィルタ基板２０は本発明における「第２の基板」の一具体例に対応する。絶縁膜１２４は、本発明における「絶縁膜」の一具体例に対応する。画素信号線ＳＧＬは、本発明における「第１の配線」の一具体例に対応する。カラーフィルタ２２は、本発明における「カラーフィルタ層」の一具体例に対応する。

［動作および作用］
続いて、本実施の形態の液晶表示装置１の動作および作用について説明する。

（全体動作概要）
表示制御部２は、供給される画像信号Ｖsigに基づいて、１水平ライン分の画像信号をソースドライバ５に供給するとともに、共通信号ドライバ３、ゲートドライバ４、およびソースドライバ５にタイミング制御信号を供給し、連動して動作するための制御を行う。共通信号ドライバ３は、フレーム反転駆動を行うための共通信号Ｖcomを生成し、表示部６に供給する。ゲートドライバ４は、走査信号Ｖscanを生成し、走査信号線ＧＣＬを介して表示部６に供給する。ソースドライバ５は、１水平ライン分の画像信号を基に、画素信号Ｖpixを生成し、画素信号線ＳＧＬを介して表示部６に供給する。表示部６は、供給された画素信号Ｖpix、走査信号Ｖscan、および共通信号Ｖcomに基づいて、１水平ラインずつ表示を行い、線順次走査により表示部６に画像を表示する。

（液晶動作）
次に、図６および図７を参照して、ＦＦＳモードの液晶の動作を説明する。

図６において、（Ａ）は画素電極と共通電極との間に電位差が無い状態（電圧未印加状態）における液晶素子の表示動作例を示し、（Ｂ）は電位差がある状態（電圧印加状態）における液晶素子の表示動作例を示す。図７は、液晶分子の動作例を表すものであり、（Ａ）は電圧未印加状態を示し、（Ｂ）は電圧印加状態を示す。

液晶層９の液晶分子９１は、電圧未印加状態では、図６（Ａ）および図７（Ａ）に示したように、液晶分子９１の軸は、偏光板１６の透過軸と直交し、かつ、偏光板２４の透過軸と平行な状態になっている（図６（Ａ））。このため、偏光板１６を透過した入射光ｈは、液晶層９内において位相差を生じることなく偏光板２４に到達し、偏光板２４で吸収される。つまり、電圧未印加状態では、この画素は黒を表示する。一方、電圧印加状態では、図６（Ｂ）および図７（Ｂ）に示したように、液晶分子９１の軸が、横電界Ｅによって、画素電極１４の帯状部分の長手方向からずれた方向に回転する。液晶層９の厚み方向の中央に位置する液晶分子９１が、画素電極１４の帯状部分の長手方向から４５度回転する場合には、偏光板１６を透過した入射光ｈは、液晶層９内を通過する間に位相差が生じ、９０度回転した直線偏光となって偏光板２４に到達し、偏光板２４を透過する。つまり、液晶分子９１が４５度回転するように電位差を与えた状態では、この画素は白を表示する。

（遮光体の作用）
図３および図５（Ａ）に示したように、画素電極１４の複数の帯状部分のうち、一番外側に配置された帯状部分に対応する部分には、遮光体３９が設けられている。この遮光体３９を配置した部分は、比較例において後述するように、フレクソエレクトリック効果の影響が顕著に表れる部分である。具体的には、この部分に遮光体を配置しない場合には、正フレームと負フレームとで、光の透過率に差が生じ、フリッカが発生する。また、過去の表示状態が現在の表示に影響を与える、いわゆる焼きつきが生じる。液晶表示装置１では、このように、フレクソエレクトリック効果の影響が顕著に表れる部分に遮光体を設けることにより、フリッカや焼きつきを低減し、高い画質を実現できる。

［比較例］
次に、比較例に係る液晶表示装置について説明する。本比較例では、遮光体をもたない表示部６Ｒを用いて液晶表示装置を構成している。その他の構成は、上記第１の実施の形態（図１，３）と同様である。なお、上記第１の実施の形態に係る液晶表示装置１と実質的に同一の構成部分には同一の符号を付し、適宜説明を省略する。

図８は、比較例に係る表示部６Ｒの構成例を表すものである。表示部６Ｒの画素Ｐixでは、第１の実施の形態に係る表示部６（図３）と異なり、遮光体が設けられていない。

図９（Ａ）は、図８に示した表示部６Ｒの線分ＩＸ−ＩＸにおけるフレクソエレクトリック効果を加味した透過率のシミュレーション値を表し、図９（Ｂ）は、ＩＸ−ＩＸ矢視方向の断面構造および横電界の模式図を表すものである。図９（Ｂ）において、Ｓは、図８に示したように、互いに隣接する画素Ｐixの画素電極１４の間隔を示し、Ｌは画素電極１４の帯状部分の電極幅を示す。図１０は、表示部６Ｒで発生したスプレイ変形およびベンド変形の模式図を表すものである。

図９（Ａ）に示したように、正フレームの透過率Ａ１と負フレームの透過率Ａ２とは、画素電極１４上と、画素電極１４間の２箇所で大きく透過率が異なる。これは、図１０に示したように、画素電極１４上では液晶のスプレイ変形が大きく生じ、画素電極１４間では液晶のベンド変形が大きく生じるためである。つまり、これらの箇所では、フレクソエレクトリック効果により液晶が分極しやすく、正フレームと負フレームとで、透過率に差が生じているためである。

図１１は、図８に示した表示部６Ｒにおける、画素電極１４の一番外側の帯状部分の付近の液晶の、正負フレームでの分極差を表すものであり、電極幅Ｌ（ライン）と電極間隔Ｓ（スペース）の比（ライン・スペース比）Ｌ／Ｓを変化させたときの分極差のシミュレーション値を示している。ここでは、電極幅Ｌを固定して、電極間隔Ｓを変化させることにより、ライン・スペース比Ｌ／Ｓを変化させている。図１１において、Ｂ１は、図８に示したように、電極間隔Ｓが大きいときの分極差を示しており、Ｂ２は、電極間隔Ｓを、画素電極１４内の帯状部分間の距離Ｓ２（図８）と同じ距離にまで小さくしたときの分極差を示している。言い換えれば、Ｂ１は、画素電極１４の一番外側の帯状部分の付近における液晶の分極差を示しており、Ｂ２は、例えば、画素電極１４の中央付近に位置する帯状部分の付近における液晶の分極差を示している。このシミュレーションの結果は、フレクソエレクトリック効果に起因する正負フレームでの液晶の分極差が、画素電極１４の中央付近の帯状部分付近（Ｂ２）に比べ、画素電極１４の一番外側の帯状部分付近（Ｂ１）において大きくなることを意味している。これにより、特に画素電極１４の一番外側の帯状部分付近において、正フレームと負フレームとで光の透過率に差が生じるようになる。

このように、比較例に係る液晶表示装置では、画素電極１４の一番外側の帯状部分付近において、正フレームと負フレームとで光の透過率に差が生じるため、液晶表示装置の輝度がフレームごとに変動し、フリッカが発生する。

一方、上記第１の実施の形態に係る液晶表示装置１では、図３に示したように、画素Ｐixにおいて、もっとも透過率差が大きくなる、画素電極１４の一番外側の帯状部分に対応する位置に、遮光体３９を設けている。これにより、フリッカを低減することができ、高い画質を実現することができる。なお、画素電極間領域では、図３に示したように、画素信号線ＳＧＬにより遮光されるので、フリッカは生じにくい。

また、フレクソエレクトリック効果は、過去の表示状態が現在の表示に影響を与える、いわゆる焼きつきをも引き起こす。以下に比較例に係る液晶表示装置の焼きつきについて説明する。

図１２は、比較例に係る液晶表示装置を用いたときの焼きつきの測定結果例を表すものである。焼きつきの測定は以下のように行った。まず、グレイラスタ画面（全面灰色の画面）を表示し、画素の透過率分布を求めた。次に、黒白のチェッカーフラッグ画面を数時間表示した。そして最後に、再度グレイラスタ画面を表示し、画素の透過率分布を求めた。そして、最初のグレイラスタ画面を表示したときと、最後のグレイラスタ画面を表示したときとでの、画面の透過率分布の変化分を求めた。図１２において、（Ａ）は、チェッカーフラッグ画面のうちの黒色を表示していた画素における焼き付き試験前後での透過率分布の変化分を色で表したものであり、（Ｂ）は、白色を表示していた画素における透過率分布の変化分を色で表したものであり、（Ｃ）は透過率変化と色との関係を表したものである。図１２に示したように、白色を表示していた画素の方が、画素全体にわたり透過率が大きく変化している。特に、画素電極の一番外側の帯状部分付近の透過率が大きく変化している。つまり、比較例に係る液晶表示装置では、いわゆる焼きつきが発生している。

この焼きつきの現象は、以下のようにして生じていると考えられる。すなわち、比較例に係る液晶表示装置では、図１１に示したように、フレクソエレクトリック効果により、正負フレームにおいて分極差が生じる。交流駆動を行った場合、正負フレームにおいて同じ大きさの電位を印加したとしても、この分極差により両フレームにて異なった電位（残留ＤＣ電位差）が印加され続ける状態が続く。この残留ＤＣ電位差により、セル内の不純物イオンが画素電極の配向膜付近に集積する。不純物イオンの移動度の違いなどから配向膜に蓄積した不純物イオンは配向膜内に長時間蓄積される。この状態では液晶セルに電位を与えなくとも、電圧が常に印加された状態となる。白表示していた画素はこのように実際に印加した電位に残留ＤＣ電位差の分だけ余分に電圧印加された状態となるため、黒表示していた箇所に比べて輝度が変化する。これが焼き付きの要因となっている。

このように、比較例に係る液晶表示装置では、過去の表示状態が現在の表示に影響を与える、いわゆる焼きつきが生じやすく、画質が低下しやすい。

一方、上記第１の実施の形態に係る液晶表示装置１では、画素Ｐixにおいて、もっとも焼きつきが生じやすい、画素電極１４の一番外側の帯状部分に対応する位置に遮光体３９を設けている。これにより、焼きつきの表示への影響を低減することができ、高画質を実現できる。

［効果］
以上のように本実施の形態では、画素電極の一番外側の帯状部分に対応する位置に遮光体を配置したので、フリッカや焼きつきを低減することにより高画質を実現できる。

また、本実施の形態では、遮光体を、走査信号線ＧＣＬと同じ層に同じ材料を用いて形成したので、構造がシンプルになるとともに、遮光体を形成するための製造工程を追加する必要が無いため、製造コストの増加を抑えることができる。

［変形例１−１］
上記実施の形態では、画素電極は、図３に示したように、複数のまっすぐな帯状部分により構成したが、これに限定されるものではなく、これに代えて、例えば、図１３に示したように、複数の折れ曲がった帯状部分により構成してもよい。

［その他の変形例］
上記実施の形態では、画素電極１４の複数の帯状部分のうちの一番外側の帯状部分に対応する領域全体に遮光体３９を配置したが、これに限定されるものではない。例えば、この一番外側の帯状部分に対応する領域の一部に遮光体を配置してもよい。この場合、少なくともこの帯状部分の幅方向中央部に対応する位置に遮光体を設けるのが望ましい。なぜなら、図９に示したように、この帯状部分の中央部（図９（Ａ）の左端および右端）において、正フレームと負フレームとで光の透過率に顕著な差が生じるためである。また、一番外側の帯状部分に対応する領域全体を含むように、この帯状部分よりも大きな遮光体を配置してもよい。

図５（Ｂ）は、画素電極と遮光体との位置関係を表すものである。遮光体３９Ａは、一番外側の帯状部分の幅方向中央部に対応する領域に形成されている。遮光体３９Ｂ，３９Ｃは、この帯状部分の幅方向中央部に対応する領域を含み、遮光体３９Ａよりやや広い領域に形成されている。遮光体３９Ｄは、一番外側の帯状部分に対応する領域全体を含むように形成されている。

上記実施の形態では、遮光体を、走査信号線ＧＣＬと同じ層に同じ材料を用いて形成したが、これに限定されるものではない。例えば、走査信号線ＧＣＬと同じ層に、走査信号線ＧＣＬとは異なる材料を用いて形成してもよい。また、例えば、画素信号線ＳＧＬと同じ層に同じ材料を用い、画素信号線ＳＧＬと別体として形成してもよい。

＜２．第２の実施の形態＞
次に、第２の実施の形態に係る液晶表示装置について説明する。本実施の形態は、画素内における遮光体の配置場所が、上記第１の実施の形態と異なるものである。すなわち、上記第１の実施の形態（図３）では、画素電極の一番外側の帯状部分に対応する位置に遮光体を配置したが、これに代えて、本実施の形態では、互いに隣接する画素の画素電極間領域に対応する位置にも遮光体を配置している。その他の構成は、上記第１の実施の形態（図１，３）と同様である。なお、上記第１の実施の形態に係る液晶表示装置と実質的に同一の構成部分には同一の符号を付し、適宜説明を省略する。

図１４は、本実施の形態に係る表示部５１の構成例を表すものであり、図１５は、図１４に示した表示部５１のＸＶ−ＸＶ矢視方向の概略断面構造を表すものである。表示部５１は遮光体５２を備えている。遮光体５２は、画素電極１４の一番外側の帯状部分に対応する位置から、隣接画素の画素電極１４の一番外側の帯状部分に対応する位置にわたって設けられている。つまり、遮光体５２は、画素電極１４の一番外側の帯状部分に対応する位置に加え、互いに隣接する画素Ｐixの画素電極間領域に対応する位置にも設けられている。遮光体５２は、上記第１の実施の形態（図４，５）と同様に、走査信号線ＧＣＬ（図４）と同じ層に形成され、走査信号線ＧＣＬと同じ材料により形成される。つまり、遮光体３９と走査信号線ＧＣＬとは、製造プロセスの同じ工程において同時に形成することができる。遮光体３９は走査信号線ＧＣＬとは接続されておらず、周囲から電気的に絶縁されている。

表示部５１では、この遮光体５２を設けることにより、上記第１の実施の形態と同様に、フレクソエレクトリック効果の表示画像への影響を低減することができる。特に、遮光体５２は、画素電極間領域を通過する光を遮光するため、画素電極間領域にこの遮光体を設けずに画素信号線のみによって遮光する場合（上記第１の実施の形態）に比べ、より確実にフリッカを低減することができる。

以上のように本実施の形態では、画素電極の一番外側の帯状部分に対応する位置に加え、互いに隣接する画素の画素電極間に対応する位置にも遮光体を配置したので、さらにフリッカを低減し、高い画質を実現することができる。その他の効果は、上記第１の実施の形態の場合と同様である。

上記実施の形態では、遮光体を、走査信号線ＧＣＬと同じ材料を用いて形成したが、これに限定されるものではなく、これに代えて、例えば、走査信号線ＧＣＬとは異なる材料を用いて形成してもよい。

＜３．第３の実施の形態＞
次に、第３の実施の形態に係る液晶表示装置について説明する。本実施の形態は、画素信号線を遮光体として兼用するように構成したものである。その他の構成は、上記第１の実施の形態（図１，３）などと同様である。なお、上記第１の実施の形態に係る液晶表示装置と実質的に同一の構成部分には同一の符号を付し、適宜説明を省略する。

図１６は、本実施の形態に係る表示部５４の構成例を表すものであり、図１７は、図１６に示した表示部５４のＸＶＩＩ−ＸＶＩＩ矢視方向の概略断面構造を表すものである。表示部５４は画素信号線ＳＧＬ２を備えている。画素信号線ＳＧＬ２は太く形成され、その両側に隣接する画素Ｐixの画素電極１４のうちの一番外側の帯状部分とオーバーラップするようになっている。

画素信号線ＳＧＬ２は、金属で構成されており光を遮光するため、上記第１の実施の形態などの遮光体と同じ効果をもたらす。つまり、表示部５４は、この画素信号線ＳＧＬ２を設けることにより、上記第１の実施の形態などと同様に、フレクソエレクトリック効果の表示画像への影響を低減することができる。

以上のように本実施の形態では、画素信号線を太くして、画素信号線に隣接する画素電極の一番外側の帯状部分に対応する位置にまで延在するようにしたので、専用の遮光体を設けることないためシンプルな構成となり、製造工程を追加する必要なく遮光の機能を備えることができる。その他の効果は、上記第１の実施の形態などの場合と同様である。

＜４．第４の実施の形態＞
次に、第４の実施の形態に係る液晶表示装置について説明する。本実施の形態は、フレクソエレクトリック効果の表示画像への影響を低減するための遮光体として混色防止用のブラックマトリックスを利用したものである。その他の構成は、上記第１の実施の形態（図１，３）などと同様である。なお、上記第１の実施の形態に係る液晶表示装置と実質的に同一の構成部分には同一の符号を付し、適宜説明を省略する。

図１８は、本実施の形態に係る表示部５７の構成例を表すものであり、図１９は、図１８に示した表示部５７のＸＩＸ−ＸＩＸ矢視方向の概略断面構造を表すものである。表示部５７は遮光体５８を備えている。遮光体５８は、上記第２の実施の形態と同様に、画素電極１４の一番外側の帯状部分に対応する位置から、隣接画素の画素電極１４の一番外側の帯状部分に対応する位置にわたって設けられている。遮光体５８は、カラーフィルタ２２に、いわゆるブラックマトリックスとして形成されたものである。言い換えれば、表示部５７では、カラーフィルタに設けられたブラックマトリックスを、フレクソエレクトリック効果が表示画像に影響を与える部分にまで延在するように形成している。

表示部５７は、カラーフィルタ２２に遮光体５８を設けることにより、上記第１の実施の形態などと同様に、フレクソエレクトリック効果の表示画像への影響を低減することができる。特に、遮光体５８は、フレクソエレクトリック効果によって光の透過率が変化する液晶層９に接しているため、偏光板１６を透過した入射光のうち、偏光板１６に垂直な方向からずれた斜めの方向からの入射光に対しても、効果的に遮光することができる。

以上のように本実施の形態では、カラーフィルタのブラックマトリックスを用いて遮光体を構成したので、製造工程を追加する必要なく、専用の遮光体を設ける必要がないためシンプルな構成を実現できる。

また、本実施の形態では、液晶層９に近い部分に遮光体を形成したので、斜めの方向からの入射光に対しても、効果的に遮光することができる。

その他の効果は、上記第１の実施の形態などの場合と同様である。

［変形例４−１］
上記実施の形態では、カラーフィルタのブラックマトリックスを用いて遮光体を構成したが、これに限定されるものではなく、例えば、カラーフィルタ基板の他の層や、アレイ基板側に、通常の混色防止に加えフレクソエレクトリック効果に起因する画質低下を抑えるためのブラックマトリックスを設けてもよく、または、フレクソエレクトリック効果に起因する画質低下を抑えるための専用のブラックマトリックスを、混色防止用のブラックマトリックスとは別に設けてもよい。図２０は、アレイ基板側にブラックマトリックスを設けた場合の概略断面構造を表すものである。このブラックマトリックスは、絶縁膜１２１と絶縁膜１２２の間に設けられており、このブラックマトリックスを用いて遮光体５８Ｂを構成している。

［変形例４−２］
上記実施の形態では、カラーフィルタをカラーフィルタ基板２０に設けるようにしたが、これに限定されるものではなく、例えば、カラーフィルタをアレイ基板１０に設けるようにしてもよい。

＜５．第５の実施の形態＞
次に、第５の実施の形態に係る液晶表示装置について説明する。本実施の形態は、画素電極間にダミー電極を配置した表示部６１を用いて、液晶表示装置を構成したものである。その他の構成は、上記第１の実施の形態（図１，３）などと同様である。なお、上記第１の実施の形態に係る液晶表示装置と実質的に同一の構成部分には同一の符号を付し、適宜説明を省略する。

図２１は、本実施の形態に係る表示部６１の構成例を表すものであり、図２２は、図２１に示した表示部６１のＸＸＩＩ−ＸＸＩＩ矢視方向の概略断面構造を表すものである。表示部６１はダミー電極６２を備えている。ダミー電極６２は、互いに隣接する画素Ｐixの画素電極間領域に配置されている。ダミー電極６２と画素電極１４との間隔は、画素電極１４内の複数の帯状部分の間隔Ｓ２と同じになるようにしている。ダミー電極６２は、画素電極１４と同じ層に形成され、画素電極１４と同じ材料により形成される。つまり、ダミー電極６２と画素電極１４とは、製造プロセスの同じ工程において同時に形成することができる。図２１，２２に示した例では、ダミー電極６２は、表示部６１のどの部分とも電気的に接続されておらず、フローティングの状態になっている。

ここで、ダミー電極６２は本発明における「ダミー電極」の一具体例に対応する。

上記第１の実施の形態の比較例において説明した、正負フレームでの液晶の分極差は、図１１に示したように、画素間の電極間隔Ｓを小さくすると（ライン・スペース比を大きくすると）小さくなる。本実施の形態に係る表示部６１では、画素電極１４の一番外側の帯状部分のさらに外側に、画素電極１４内の帯状部分の間隔Ｓ２と同じ距離を隔ててダミー電極６２を配置することにより、等価的に上記画素間の電極間隔Ｓを小さくして、分極差が小さくなるようにしている。具体的には、比較例に係る表示部６Ｒ（図８）のようにダミー電極６２を設けない場合には、図１１において、Ｂ１のように分極差が大きいが、本実施の形態に係る表示部６１（図２１）のように、画素電極１４の一番外側の帯状部分から間隔Ｓ２を隔ててダミー電極６２を設けると、Ｂ２のように分極差を小さくすることができる。これは、ダミー電極６２を設けることにより、フレクソエレクトリック効果自体が低減することを意味する。このように、表示部６１では、フレクソエレクトリック効果自体が低減し、正負フレームでの液晶の分極差が小さくなることにより、正負フレームでの光の透過率差も小さくなり、結果として、フリッカを低減することができ、高画質を実現することができる。

また、表示部６１では、ダミー電極６２を配置してフレクソエレクトリック効果自体を低減することによって、上記第１の実施の形態で説明した、フレクソエレクトリック効果に起因して生じる焼きつきの発生をも抑えることができ、高画質を実現できる。

以上のように本実施の形態では、画素電極の一番外側の帯状部分のさらに外側に、画素電極内の帯状部分の間隔と同じ距離を隔ててダミー電極を配置したので、フレクソエレクトリック効果自体を低減させることができ、上記第１の実施の形態等の遮光体を設ける場合に比べて開口率を下げることなく、高画質を実現できる。

また、本実施の形態では、ダミー電極を、画素電極と同じ層に同じ材料を用いて形成したので、構造がシンプルになるとともに、ダミー電極を形成するための製造工程を追加する必要が無いため、製造コストの増加を抑えることができる。

［変形例５−１］
上記実施の形態では、ダミー電極は表示部のどの部分とも電気的に接続しないようにしたが、これに限定されるものではなく、これに代えて、例えば、ダミー電極が表示部内の他の部分と電気的に接続してもよい。

図２３は、ダミー電極が共通電極と電気的に接続された表示部６１Ｂの構成例を表すものであり、図２４は、図２３に示した表示部６１ＢのＸＸＩＶ−ＸＸＩＶ矢視方向の概略断面構造を表すものである。ダミー電極６２は、画素電極１４の下の層に一面にわたって形成されている共通電極１３と、コンタクトＣＯＮＴ２を介して電気的に接続されている。これにより、ダミー電極６２には、共通信号ドライバ３により、共通電極１３およびコンタクトＣＯＮＴ２を介して共通信号Ｖcomが供給される。このように、表示部６１Ｂでは、ダミー電極６２に共通信号Ｖcomを印加するようにしたので、ダミー電極６２の電位が図２１，２２の場合のようなフローティング状態ではなく既知となり、ダミー電極６２の周辺の電界を設計段階において考慮することができ、フレクソエレクトリック効果のさらなる低減を図るなど、より高精度な設計が可能になる。

なお、図２３において、ダミー電極６２は、１つのコンタクトＣＯＮＴ２を用いて共通電極１３と接続したが、これに限定されるものではなく、これに代えて、例えば、複数のコンタクトを用いて接続してもよい。

［その他の変形例］
上記実施の形態では、画素電極１４の一番外側の帯状部分とダミー電極６２との間の間隔は、画素電極１４内の複数の帯状部分の間隔と等しいとしたが、これに限定されるものではなく、これらの帯状部分の間隔とやや異なっていてもよい。これにより、図１１において、Ｂ２からややずれることになるが、この場合でも、Ｂ１（ダミー電極を設けない場合）に比べ分極差を十分に低くすることができる。

上記実施の形態では、ダミー電極６２を、画素電極１４と同じ材料を用いて形成したが、これに限定されるものではなく、これに代えて、例えば、画素電極１４とは異なる材料を用いて形成してもよい。

上記実施の形態では、全ての画素（赤色、青色、緑色）に対して、隣接する画素の画素電極の間にダミー電極を設けるようにしたが、これに限定されるものではなく、これに代えて、例えば、緑色の画素と隣接する画素との間にのみ、ダミー電極を設けるようにしてもよい。緑色の画素は、赤色や青色の画素に比べて透過率が大きいため、フレクソエレクトリック効果の画質への影響が大きい。よって、緑色の画素の周辺にのみダミー電極を設けることにより、最低限の数のダミー電極を用いて効果的に画質を高めることができる。

＜６．第６の実施の形態＞
次に、第６の実施の形態に係る液晶表示装置について説明する。本実施の形態は、互いに隣接する画素の画素電極間の間隔を狭めたものである。すなわち、上記第５の実施の形態（図２１）では、互いに隣接する画素の画素電極間にダミー電極を設けて、画素電極間の間隔を等価的に狭めるようにしたが、これに代えて、本実施の形態では、互いに隣接する画素の画素電極の間隔自体を狭めるようにしている。その他の構成は、上記第５の実施の形態（図２１）と同様である。なお、上記第５の実施の形態に係る液晶表示装置と実質的に同一の構成部分には同一の符号を付し、適宜説明を省略する。

図２５は、本実施の形態に係る表示部６４の構成例を表すものであり、図２６は、図２５に示した表示部６４のＸＸＶＩ−ＸＸＶＩ矢視方向の概略断面構造を表すものである。表示部６４において、互いに隣接する画素の画素電極１４の間隔は、画素電極１４内の複数の帯状部分の間隔Ｓ２と同じになるようにしている。

表示部６４では、互いに隣接する画素の画素電極１４の間隔を狭めることにより、上記画素間の電極間隔Ｓを小さくして、正負フレームでの液晶の分極差が小さくなるようにしている。これにより、上記第５の実施の形態と同様に、正負フレームでの光の透過率差も小さくなり、結果として、フリッカを低減することができ、高画質を実現することができる。また、表示部６４では、上記第５の実施の形態と同様に、フレクソエレクトリック効果に起因して生じる焼きつきの発生をも抑えることができ、高画質を実現できる。

以上のように本実施の形態では、隣接する画素の画素電極１４の間隔を狭くしたので、フレクソエレクトリック効果自体を低減させることができ、上記第１の実施の形態等の遮光体を設ける場合に比べて開口率を下げることなく、高画質を実現できる。

また、本実施の形態では、フレクソエレクトリック効果を低減するための、追加の部材を一切必要としないため、構造がシンプルになるとともに、製造コストの増加を抑えることができる。

［変形例６−１］
上記実施の形態では、図２５に示したように、画素電極１４は、隣接する画素の画素電極１４の間の隙間が画素信号線ＳＧＬからずれた場所に配置されるようにしたが、これに限定されるものではなく、これに代えて、例えば、図２７，２８に示したように、この隙間が画素信号線ＳＧＬに重なるように配置されるようにしてもよい。これにより、隣接する画素電極１４の間の隙間において、それぞれの画素電極１４に印加された画素信号Ｖpixにより形成された電場により、この部分の液晶の透過率に誤差が生じた場合でも、画素信号線ＳＧＬが遮光体として機能することにより、画質への影響を最小限に抑えることができる。

［その他の変形例］
上記実施の形態では、隣接する画素の画素電極１４の間隔は、画素電極１４内の複数の帯状部分の間隔と等しいとしたが、これに限定されるものではなく、これらの帯状部分の間隔とやや異なっていてもよい。これにより、図１１において、Ｂ２からややずれることになるが、この場合でも、Ｂ１（隣接する画素の画素電極１４の間隔が広い場合）に比べ分極差を十分に低くすることができる。

上記実施の形態では、全ての画素（赤色、青色、緑色）に対して、隣接する画素の画素電極の間隔を狭めるようにしたが、これに限定されるものではなく、これに代えて、例えば、緑色の画素と隣接する画素との間に対してのみ、画素電極の間隔を狭めるようにしてもよい。緑色の画素は、赤色や青色の画素に比べて透過率が大きいため、フレクソエレクトリック効果の画質への影響が大きい。よって、緑色の画素の周辺に対してのみ画素電極の間隔を狭めることにより、効果的に画質を高めることができる。

＜７．適用例＞
次に、図２９〜図３３を参照して、上記実施の形態および変形例で説明した液晶表示装置の適用例について説明する。上記実施の形態等の液晶表示装置は、テレビジョン装置、デジタルカメラ、ノート型パーソナルコンピュータ、携帯電話等の携帯端末装置あるいはビデオカメラなどのあらゆる分野の電子機器に適用することが可能である。言い換えると、上記実施の形態等の液晶表示装置は、外部から入力された映像信号あるいは内部で生成した映像信号を、画像あるいは映像として表示するあらゆる分野の電子機器に適用することが可能である。

（適用例１）
図２９は、上記実施の形態等の液晶表示装置が適用されるテレビジョン装置の外観を表すものである。このテレビジョン装置は、例えば、フロントパネル５１１およびフィルターガラス５１２を含む映像表示画面部５１０を有しており、この映像表示画面部５１０は、上記実施の形態等に係る液晶表示装置により構成されている。

（適用例２）
図３０は、上記実施の形態等の液晶表示装置が適用されるデジタルカメラの外観を表すものである。このデジタルカメラは、例えば、フラッシュ用の発光部５２１、表示部５２２、メニュースイッチ５２３およびシャッターボタン５２４を有しており、その表示部５２２は、上記実施の形態等に係る液晶表示装置により構成されている。

（適用例３）
図３１は、上記実施の形態等の液晶表示装置が適用されるノート型パーソナルコンピュータの外観を表すものである。このノート型パーソナルコンピュータは、例えば、本体５３１、文字等の入力操作のためのキーボード５３２および画像を表示する表示部５３３を有しており、その表示部５３３は、上記実施の形態等に係る液晶表示装置により構成されている。

（適用例４）
図３２は、上記実施の形態等の液晶表示装置が適用されるビデオカメラの外観を表すものである。このビデオカメラは、例えば、本体部５４１、この本体部５４１の前方側面に設けられた被写体撮影用のレンズ５４２、撮影時のスタート／ストップスイッチ５４３および表示部５４４を有している。そして、その表示部５４４は、上記実施の形態等に係る液晶表示装置により構成されている。

（適用例５）
図３３は、上記実施の形態等の液晶表示装置が適用される携帯電話機の外観を表すものである。この携帯電話機は、例えば、上側筐体７１０と下側筐体７２０とを連結部（ヒンジ部）７３０で連結したものであり、ディスプレイ７４０、サブディスプレイ７５０、ピクチャーライト７６０およびカメラ７７０を有している。そのディスプレイ７４０またはサブディスプレイ７５０は、上記実施の形態等に係る液晶表示装置により構成されている。

以上、いくつかの実施の形態および変形例、ならびに電子機器への適用例を挙げて本発明を説明したが、本発明はこれらの実施の形態等には限定されず、種々の変形が可能である。

例えば、上記の各実施の形態では、液晶表示装置はフレーム反転駆動を行うようにしたが、これに限定されるものではなく、例えば、ラインごとに画素電極の電圧と共通電極の電圧との電位差の極性を反転するライン反転駆動を行うようにしてもよく、また、ドットごとにこの電位差の極性を反転するドット反転駆動を行うようにしてもよい。

また、例えば、第１〜第４の各実施の形態では、全ての画素（赤色、青色、緑色）に対して、遮光体を設けるようにしたが、これに限定されるものではなく、これに代えて、例えば、緑色の画素のみに遮光体を設けるようにしてもよい。緑色の画素は、赤色や青色の画素に比べて透過率が大きいため、フレクソエレクトリック効果の画質への影響が大きい。よって、緑色の画素にのみ遮光体を設けることにより、遮光体の導入による開口率の低下を最低限に抑えることができ、効果的に画質を高めることができる。

また、例えば、第１〜第４の各実施の形態では、遮光体を、走査信号線ＧＣＬ、画素信号線ＳＧＬ、カラーフィルタ２２の層に形成したが、これに限定されるものではなく、別の層に遮光体を形成してもよいし、もしくは、遮光体の為の専用の層を新たに形成してもよい。この場合でも、遮光体を設けることによりフリッカと焼きつきを低減でき、高画質を実現できる。

また、例えば、第１〜第４の各実施の形態では、ＦＦＳ方式の表示部に遮光体を設けたが、これに限定されるものではなく、例えばＩＰＳ方式の表示部に遮光体を設けてもよい。この場合でも、遮光体を設けることによりフリッカと焼きつきを低減でき、高画質を実現できる。

１…液晶表示装置、２…表示制御部、３…共通信号ドライバ、４…ゲートドライバ、５…ソースドライバ、６，５１，５４，５７，６１，６１Ｂ，６４，６４Ｂ…表示部、９…液晶層、１０…アレイ基板、１１…ＴＦＴ基板、１２１〜１２４…絶縁膜、１３…共通電極、１４…画素電極、１５，２３…配向膜、２０…カラーフィルタ基板、２１…対向基板、２２…カラーフィルタ、２４…偏光板、３１…ゲート電極、３２…ソース電極、３３…ドレイン電極、３９，５２，５８，５８Ｂ…遮光体、４０…半導体層、４１…チャネル層、４２…ソース領域、４３…ドレイン領域、４４，４５…ＬＤＤ領域、６２…ダミー電極、９１…液晶分子、ＣＯＮＴ，ＣＯＮＴ２…コンタクト、ＧＣＬ…走査信号線、Ｌ…電極幅、ＬＣ…液晶素子、Ｐix…画素、Ｓ…間隔、ＳＧＬ，ＳＧＬ２…画素信号線、Ｔｒ…トランジスタ、Ｖcom…共通信号、Ｖpix…画素信号、Ｖscan…走査信号、Ｖsig…映像信号

Claims (11)

1. 基体上に共通電極、絶縁膜、および複数の画素電極を順に形成してなる第１の基板と、
   前記第１の基板の前記画素電極が形成された面と対向して離間配置された第２の基板と、
   前記第１および第２の基板の間に配置された液晶層と、
   前記画素電極と同じ層に設けられたダミー電極と
   を備え、
   前記画素電極は、間隔をおいて並設された複数の帯状部分を有し、
   前記ダミー電極は、前記帯状部分の長手方向と直交する方向の画素電極間領域に、前記画素電極から離間して形成されており、
   前記画素電極間領域における前記画素電極と前記ダミー電極との間隔が、前記画素電極における前記帯状部分間の間隔に相当する間隔となっている
   液晶表示装置。
2. 前記ダミー電極は、前記画素電極と同じ材料により形成される
   請求項１に記載の液晶表示装置。
3. さらに、前記帯状部分の長手方向に延びる複数の第１の配線を備え、
   前記ダミー電極は、前記第１の配線に対応する位置に形成されている
   請求項１に記載の液晶表示装置。
4. 前記ダミー電極は、周囲から電気的に絶縁されている
   請求項１に記載の液晶表示装置。
5. 前記ダミー電極は、前記共通電極と電気的に接続されている
   請求項１に記載の液晶表示装置。
6. 前記第１の基板または前記第２の基板は、
   赤色のみを透過する赤色カラーフィルタと、緑色のみを透過する緑色カラーフィルタと、 青色のみを透過する青色カラーフィルタとを有するカラーフィルタ層を含み、
   前記ダミー電極は、少なくとも、前記緑色カラーフィルタに対応する前記画素電極に隣接する前記画素電極間領域に形成されている
   請求項１に記載の液晶表示装置。
7. 基体上に共通電極、絶縁膜、および複数の画素電極を順に形成してなる第１の基板と、
   前記第１の基板の前記画素電極が形成された面と対向して離間配置された第２の基板と、
   前記第１および第２の基板の間に配置された液晶層と
   を備え、
   前記画素電極は、間隔をおいて並設された複数の帯状部分を有し、
   前記帯状部分の長手方向と直交する方向の画素電極間領域の幅が、前記画素電極における前記帯状部分間の間隔に相当する間隔となっている
   液晶表示装置。
8. さらに、前記帯状部分の長手方向に延びる複数の第１の配線を備え、
   前記画素電極間領域が、前記第１の配線に対応する位置に配置されている
   請求項７に記載の液晶表示装置。
9. 前記第１の基板または前記第２の基板は、
   赤色のみを透過する赤色カラーフィルタと、緑色のみを透過する緑色カラーフィルタと、 青色のみを透過する青色カラーフィルタとを有するカラーフィルタ層を含み、
   少なくとも、前記緑色カラーフィルタに対応する前記画素電極に隣接する前記画素電極間領域の幅が、前記画素電極における前記帯状部分間の間隔に相当する間隔となっている
   請求項７に記載の液晶表示装置。
10. 画像信号に基づいて表示を行う液晶表示装置と、
    所定の処理により前記画像信号を生成する処理部と
    を備え、
    前記液晶表示装置は、
    基体上に共通電極、絶縁膜、および複数の画素電極を順に形成してなる第１の基板と、
    前記第１の基板の前記画素電極が形成された面と対向して離間配置された第２の基板と、
    前記第１および第２の基板の間に配置された液晶層と、
    前記画素電極と同じ層に設けられたダミー電極と
    を含み、
    前記画素電極は、間隔をおいて並設された複数の帯状部分を有し、
    前記ダミー電極は、前記帯状部分の長手方向と直交する方向の画素電極間領域に、前記画素電極から離間して形成されており、
    前記画素電極間領域における前記画素電極と前記ダミー電極との間隔が、前記画素電極における前記帯状部分間の間隔に相当する間隔となっている
    電子機器。
11. 画像信号に基づいて表示を行う液晶表示装置と、
    所定の処理により前記画像信号を生成する処理部と
    を備え、
    基体上に共通電極、絶縁膜、および複数の画素電極を順に形成してなる第１の基板と、
    前記第１の基板の前記画素電極が形成された面と対向して離間配置された第２の基板と、
    前記第１および第２の基板の間に配置された液晶層と
    を含み、
    前記画素電極は、間隔をおいて並設された複数の帯状部分を有し、
    前記帯状部分の長手方向と直交する方向の画素電極間領域の幅が、前記画素電極における前記帯状部分間の間隔に相当する間隔となっている
    電子機器。

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