JP5474858B2 - Liquid processing apparatus and liquid processing method - Google Patents

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Description

本発明は、例えば半導体ウエハやフラットパネルディスプレイ（ＦＰＤ）用ガラス基板等の基板に対して所定の液処理を行う液処理装置及び液処理方法に関する。   The present invention relates to a liquid processing apparatus and a liquid processing method for performing predetermined liquid processing on a substrate such as a semiconductor wafer or a glass substrate for a flat panel display (FPD).

半導体デバイスやフラットパネルディスプレー（ＦＰＤ）の製造工程においては、半導体ウエハやガラス基板などの基板に処理液を供給する液処理プロセスが行われる。このようなプロセスとしては、例えば、基板に付着したパーティクルやコンタミネーション等を除去する洗浄処理、フォトリソグラフィ工程における現像液供給処理、エッチング工程におけるエッチング処理などを挙げることができる。   In the manufacturing process of a semiconductor device or a flat panel display (FPD), a liquid processing process for supplying a processing liquid to a substrate such as a semiconductor wafer or a glass substrate is performed. As such a process, for example, a cleaning process for removing particles or contamination attached to the substrate, a developer supply process in a photolithography process, an etching process in an etching process, and the like can be given.

液処理プロセスに使用される液処理装置として、半導体ウエハの処理面を均一に処理する為に、半導体ウエハ等の周縁部を保持して基板を回転し、基板の少なくとも一方の面に対し、処理液供給ノズルの複数の吐出口から処理液を供給し、その面を処理する枚葉式のものが知られている（例えば特許文献１及び２）。   As a liquid processing apparatus used in a liquid processing process, in order to uniformly process a processing surface of a semiconductor wafer, the substrate is rotated while holding the peripheral edge of the semiconductor wafer or the like, and processing is performed on at least one surface of the substrate A single-wafer type is known in which processing liquid is supplied from a plurality of discharge ports of a liquid supply nozzle and the surface is processed (for example, Patent Documents 1 and 2).

特開平８−２５５７７６号公報Japanese Patent Laid-Open No. 8-255576 特開平１１−３１９７３２号公報Japanese Patent Laid-Open No. 11-319732

上述のような液処理装置において、基板の一方の面に対して複数の処理液を供給して液処理を行う場合がある。しかし、基板の一方の面に十分なスペースがない場合、処理液が供給されない部分が生じないようにするために処理液供給ノズルを移動させることまで考慮すると、複数の処理液供給ノズルを設けることは難しい。   In the liquid processing apparatus as described above, liquid processing may be performed by supplying a plurality of processing liquids to one surface of the substrate. However, if there is not enough space on one side of the substrate, a plurality of processing liquid supply nozzles should be provided in consideration of moving the processing liquid supply nozzle in order to prevent a portion where the processing liquid is not supplied. Is difficult.

本発明は、上記の事情に鑑み、複数の処理液供給部を基板の一方の面側に配置することが可能な液処理装置、及びこの液処理装置における液処理方法を提供する。   In view of the above circumstances, the present invention provides a liquid processing apparatus capable of arranging a plurality of processing liquid supply units on one surface side of a substrate, and a liquid processing method in the liquid processing apparatus.

本発明の第１の態様によれば、基板を支持し、前記基板を回転する基板支持部材と、前記基板支持部により支持される基板の中心に対応する位置に配置され、第１の回転軸の周りを回転する第１の回転部と、前記第１の回転部から第１の方向に離間して配置され、前記第１の回転軸と平行な第２の回転軸の周りを回転する第２の回転部と、前記第１の回転部及び前記第２の回転部を連結する少なくとも２つの連結部とを備え、前記連結部が、前記基板の一方の面に対して処理を行う処理部材を備える液処理装置が提供される。   According to the first aspect of the present invention, the substrate support member that supports the substrate and rotates the substrate and the position corresponding to the center of the substrate supported by the substrate support portion are arranged, and the first rotation shaft A first rotating part that rotates around the first rotating part, and a first rotating part that is spaced apart from the first rotating part in the first direction and rotates around a second rotating shaft parallel to the first rotating shaft. 2, and at least two connecting parts that connect the first rotating part and the second rotating part, and the connecting part performs processing on one surface of the substrate. A liquid processing apparatus is provided.

本発明の第２の態様によれば、請求項１に記載の液処理装置において実施される液処理方法であって、前記基板支持部材により前記基板を回転するステップと、前記一の処理部を用いて前記基板の前記一方の面に対して第１の処理を行うステップと、少なくとも前記第１の回転部の回転によって、前記第１の方向に沿って互いに平行に、且つ前記第１の方向と直交する第２の方向に前記少なくとも２つの処理部を移動させることにより、前記少なくとも２つの処理部のうちの他の処理部を前記基板の半径に沿った位置に配置するステップと、前記他の処理部を用いて前記基板の前記一方の面に対して第２の処理を行うステップと、を含む液処理方法が提供される。   According to a second aspect of the present invention, there is provided a liquid processing method implemented in the liquid processing apparatus according to claim 1, wherein the step of rotating the substrate by the substrate support member includes the one processing unit. And performing the first treatment on the one surface of the substrate, and at least by rotating the first rotating part, parallel to each other along the first direction and in the first direction. Moving the at least two processing units in a second direction orthogonal to the other direction to place another processing unit of the at least two processing units at a position along the radius of the substrate; and Performing a second process on the one surface of the substrate using the processing unit.

ここで、前記第１の処理を行うステップにおいて、前記一の処理部から流体と気体との混合流体が供給され、前記第２の処理を行うステップにおいて、ブラシを含む前記他の処理部が、前記基板の前記一方の面に接すると好ましい。ただし、この場合において、第１の処理を行うステップを第２の処理を行うステップに先行しても良く、その逆であっても良い。   Here, in the step of performing the first process, a mixed fluid of a fluid and a gas is supplied from the one processing unit, and in the step of performing the second process, the other processing unit including a brush includes: It is preferable to contact the one surface of the substrate. However, in this case, the step of performing the first process may precede the step of performing the second process, or vice versa.

本発明の実施形態によれば、複数の処理液供給部を基板の裏面側に配置することが可能な液処理装置、及びこの液処理装置における液処理方法が提供される。   According to the embodiment of the present invention, a liquid processing apparatus capable of arranging a plurality of processing liquid supply units on the back side of a substrate and a liquid processing method in the liquid processing apparatus are provided.

本発明の実施形態による液処理装置を備える基板処理装置を示す上面図である。It is a top view which shows a substrate processing apparatus provided with the liquid processing apparatus by embodiment of this invention. 本発明の第１の実施形態による液処理装置を示す概略側面図である。1 is a schematic side view showing a liquid processing apparatus according to a first embodiment of the present invention. 図２の液処理装置における裏面処理部材を示す上面図（ａ）及び側面図（ｂ）である。It is the top view (a) and side view (b) which show the back surface processing member in the liquid processing apparatus of FIG. 図３の裏面処理部材の液体供給部と回転部との位置関係及び構成を示す分解斜視図である。It is a disassembled perspective view which shows the positional relationship and structure of the liquid supply part of a back surface processing member of FIG. 3, and a rotation part. 図３の裏面処理部材の液体供給部と回転部との連結を示す断面図である。It is sectional drawing which shows the connection of the liquid supply part of the back surface processing member of FIG. 3, and a rotation part. 図３の裏面処理部材の動作を説明する図である。It is a figure explaining operation | movement of the back surface processing member of FIG. 本発明の第２の実施形態による液処理装置を示す概略側面図である。It is a schematic side view which shows the liquid processing apparatus by the 2nd Embodiment of this invention. 図６の液処理装置における複合部材とウエハとの位置関係を示す上面図である。FIG. 7 is a top view showing a positional relationship between a composite member and a wafer in the liquid processing apparatus of FIG. 6. 図７に示す複合部材におけるガス噴出吸引部を説明する図である。It is a figure explaining the gas ejection suction part in the composite member shown in FIG. 図６の液処理装置における裏面処理部材を示す上面図（ａ）及び側面図（ｂ）である。It is the top view (a) and side view (b) which show the back surface processing member in the liquid processing apparatus of FIG. 図６の裏面処理部材における流体供給部を説明する図である。It is a figure explaining the fluid supply part in the back surface processing member of FIG. 図６の裏面処理部材の動作を説明する図である。It is a figure explaining operation | movement of the back surface processing member of FIG. 図１１に引き続いて、図６の裏面処理部材の動作を説明する図である。FIG. 12 is a diagram for explaining the operation of the back surface processing member of FIG. 6 following FIG. 11. 図１２に引き続いて、図６の裏面処理部材の動作を説明する図である。FIG. 13 is a diagram for explaining the operation of the back surface processing member of FIG. 6 following FIG. 12. 図３に示す裏面処理部材の液体供給部及び回転部の変形例を示す図である。It is a figure which shows the modification of the liquid supply part and rotation part of a back surface processing member shown in FIG.

以下、添付図面を参照しながら、本発明の限定的でない例示の実施形態について説明する。
始めに、図１を参照しながら、本発明の実施形態による液処理装置を含む基板処理装置について説明する。図１に示すとおり、基板処理装置１００は、複数のウエハＷを収容する複数の（図示の例では４つの）ウエハキャリアＣが載置されるキャリアステーションＳ１と、キャリアステーションＳ１と後述の液処理ステーションＳ３との間でウエハＷを受け渡す搬入出ステーションＳ２と、本発明の実施形態による液処理装置１が配置される液処理ステーションＳ３とを備える。 Hereinafter, non-limiting exemplary embodiments of the present invention will be described with reference to the accompanying drawings.
First, a substrate processing apparatus including a liquid processing apparatus according to an embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. As shown in FIG. 1, the substrate processing apparatus 100 includes a carrier station S1 on which a plurality of (four in the illustrated example) wafer carriers C that accommodate a plurality of wafers W are placed, a carrier station S1, and a liquid processing described later. A loading / unloading station S2 for transferring the wafer W to / from the station S3, and a liquid processing station S3 in which the liquid processing apparatus 1 according to the embodiment of the present invention is disposed.

搬入出ステーションＳ２には、ウエハキャリアＣからウエハＷを搬出してステージ１３に載置し、また、ステージ１３からウエハＷを取り上げてウエハキャリアＣへ搬入する搬送機構１１を有している。搬送機構１１は、ウエハＷを保持する保持アーム１１ａを有している。搬送機構１１は、ウエハキャリアＣの配列方向（図中のＸ方向）に延びるガイド１２に沿って移動することができる。また、搬送機構１１は、Ｘ方向に垂直な方向（図中のＹ方向）及び上下方向に保持アーム１１ａを移動させることができ、水平面内で保持アーム１１ａを回転させることができる。   The loading / unloading station S2 has a transport mechanism 11 that unloads the wafer W from the wafer carrier C and places it on the stage 13 and picks up the wafer W from the stage 13 and loads it into the wafer carrier C. The transfer mechanism 11 has a holding arm 11 a that holds the wafer W. The transport mechanism 11 can move along a guide 12 that extends in the arrangement direction of the wafer carriers C (X direction in the drawing). Further, the transport mechanism 11 can move the holding arm 11a in a direction perpendicular to the X direction (Y direction in the drawing) and in the vertical direction, and can rotate the holding arm 11a in a horizontal plane.

液処理ステーションＳ３は、Ｙ方向に延びる搬送室１６と、搬送室１６ａの両側に設けられた複数の液処理装置１とを有している。搬送室１６には、搬送機構１４が設けられ、搬送機構１４は、ウエハＷを保持する保持アーム１４ａを有している。搬送機構１４は、搬送室１６に設けられＹ方向に延びるガイド１５に沿って移動することができる。また、搬送機構１４は、保持アーム１４ａをＸ方向に移動することができ、水平面内で回転させることができる。搬送機構２４は、搬入出ステーションＳ２の受け渡しステージ１３と各液処理装置１との間でウエハＷを搬送する。   The liquid processing station S3 includes a transfer chamber 16 extending in the Y direction and a plurality of liquid processing apparatuses 1 provided on both sides of the transfer chamber 16a. A transfer mechanism 14 is provided in the transfer chamber 16, and the transfer mechanism 14 has a holding arm 14 a that holds the wafer W. The transport mechanism 14 can move along a guide 15 provided in the transport chamber 16 and extending in the Y direction. Further, the transport mechanism 14 can move the holding arm 14a in the X direction, and can rotate it in a horizontal plane. The transfer mechanism 24 transfers the wafer W between the transfer stage 13 of the carry-in / out station S <b> 2 and each liquid processing apparatus 1.

以上の構成を有する基板処理装置１００においては、キャリアステーションＳ１に載置されるウエハキャリアＣから搬送機構１１によってウエハＷが取り出されてステージ１３に載置される。ステージ１３上のウエハＷは、液処理ステーションＳ３内の搬送機構１４により液処理装置１に搬入され、ウエハＷの表面に対して液処理が行われる（後述）。液処理後、ウエハＷは、搬入時と逆の経路（手順）によりウエハキャリアＣへ戻される。また、一のウエハＷに対して液処理が行われる間に、他のウエハＷが他の液処理装置１へ順次搬送され、他のウエハＷに対して液処理が行われる。このため、高いスループットでウエハＷに対して液処理を行うことができる。   In the substrate processing apparatus 100 having the above configuration, the wafer W is taken out from the wafer carrier C placed on the carrier station S 1 by the transport mechanism 11 and placed on the stage 13. The wafer W on the stage 13 is carried into the liquid processing apparatus 1 by the transfer mechanism 14 in the liquid processing station S3, and liquid processing is performed on the surface of the wafer W (described later). After the liquid processing, the wafer W is returned to the wafer carrier C through a path (procedure) reverse to that at the time of loading. Further, while the liquid processing is performed on one wafer W, the other wafers W are sequentially transferred to the other liquid processing apparatus 1, and the liquid processing is performed on the other wafers W. For this reason, the liquid processing can be performed on the wafer W with high throughput.

（第１の実施形態による液処理装置）
次に、図２から図５までを参照しながら、本発明の第１の実施形態による液処理装置１について説明する。図示のとおり、液処理装置１は、ウエハＷを支持するウエハ支持部材１０と、ウエハ支持部材１０を回転するモータＭと、ウエハ支持部材１０に支持されるウエハＷの上方に配置され、ウエハＷの表面に処理液を供給する処理液供給ノズル４５と、ウエハ支持部材１０に支持されるウエハＷの下方に配置され、ウエハＷの裏面に処理液を供給する裏面処理部材５０と、ウエハ支持部材１０に支持されるウエハＷの周囲を囲むように配置され、処理液供給ノズル４５及び裏面処理部材５０からウエハＷに対して供給される処理液を受け取るカップ部３０とを備える。また、液処理装置１は筐体１Ｃを有し、上述のウエハ支持部材１０、モータＭ、処理液供給ノズル４５、裏面処理部材５０、及びカップ部３０などが筐体１Ｃ内に収容されている。また、筐体１Ｃには、ウエハＷを筐体１Ｃ内に搬入し、筐体１Ｃから搬出するための搬送口１Ｈが設けられ、搬送口１Ｈはシャッター１Ｇにより開閉可能である。さらに、筐体１Ｃの底部には排出管１Ｄが接続されており、処理液供給ノズル４５及び裏面処理部材５０から供給されて、カップ部３０により受け取られた処理液は排出管１Ｄから液処理装置１の外部へ排出される。 (Liquid processing apparatus according to the first embodiment)
Next, the liquid processing apparatus 1 according to the first embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. As illustrated, the liquid processing apparatus 1 is disposed above a wafer support member 10 that supports the wafer W, a motor M that rotates the wafer support member 10, and the wafer W that is supported by the wafer support member 10. A processing liquid supply nozzle 45 for supplying a processing liquid to the surface of the wafer W, a back surface processing member 50 disposed below the wafer W supported by the wafer support member 10 and supplying a processing liquid to the back surface of the wafer W, and a wafer support member 10 is provided so as to surround the periphery of the wafer W supported by 10, and includes a processing liquid supply nozzle 45 and a cup portion 30 that receives the processing liquid supplied from the back surface processing member 50 to the wafer W. Further, the liquid processing apparatus 1 has a housing 1C, and the wafer support member 10, the motor M, the processing liquid supply nozzle 45, the back surface processing member 50, the cup portion 30 and the like are accommodated in the housing 1C. . The housing 1C is provided with a transport port 1H for carrying the wafer W into and out of the housing 1C, and the transport port 1H can be opened and closed by a shutter 1G. Further, a discharge pipe 1D is connected to the bottom of the housing 1C, and the processing liquid supplied from the processing liquid supply nozzle 45 and the back surface processing member 50 and received by the cup 30 is discharged from the discharge pipe 1D to the liquid processing apparatus. 1 is discharged to the outside.

（液処理装置のウエハ支持部材）
ウエハ支持部材１０は、中央部に開口を有する円環形状のプレート部材１０ａと、プレート部材１０ａの裏面側において中央部の開口の開口縁に取り付けられる中空の円筒形状のベース部１０ｂと、プレート部１０ａの外周から立ち上がる扁平な円筒形状の円周部１０ｃとを有している。円周部１０ｃは、ウエハＷの外径よりもわずかに大きい内径を有し、上部には、円周部１０ｃから内方に延びる爪部Ｓが設けられている。本実施形態においては、円周部１０ｃには、１２個の爪部Ｓが所定の間隔で設けられている。これらの爪部ＳはウエハＷの裏面周縁部に接してウエハＷを支持する。 (Wafer support member of liquid processing equipment)
The wafer support member 10 includes an annular plate member 10a having an opening in the center portion, a hollow cylindrical base portion 10b attached to the opening edge of the opening in the center portion on the back surface side of the plate member 10a, and a plate portion. And a flat cylindrical circumferential portion 10c rising from the outer periphery of 10a. The circumferential portion 10c has an inner diameter slightly larger than the outer diameter of the wafer W, and a claw portion S extending inward from the circumferential portion 10c is provided on the upper portion. In the present embodiment, twelve claw portions S are provided at predetermined intervals on the circumferential portion 10c. These claw portions S support the wafer W in contact with the peripheral edge of the back surface of the wafer W.

また、モータＭは、ウエハ支持部材１０のベース部１０ｂを取り囲み、ベース部１０ｂを回転可能に保持している。これによりウエハ支持部材１０とウエハ支持部材１０に支持されるウエハＷとを回転することができる。   The motor M surrounds the base portion 10b of the wafer support member 10 and holds the base portion 10b rotatably. Thereby, the wafer support member 10 and the wafer W supported by the wafer support member 10 can be rotated.

処理液供給ノズル４５は、図２に示すように、ウエハＷの上方に配置されている。処理液供給ノズル４５には、本実施形態では、２つの供給管（図示せず）が形成されており、一つの供給管には、開閉弁６ＡＶ、流量計６ＡＦ、及びニードル弁６ＡＮが設けられた配管６８Ａが接続されている。配管６８Ａは、例えば、基板処理装置１００が配置されるクリーンルームの用役設備としての処理液供給源（図示せず）からの配管７０Ａに接続されている。また、処理液供給ノズル４５の他方の供給管には、開閉弁６ＢＶ、流量計６ＢＦ、及びニードル弁６ＢＮが設けられた配管６８Ｂが接続されている。配管６８Ｂは、例えば、基板処理装置１００が配置されるクリーンルームの用役設備としての他の処理液供給源（図示せず）からの配管７０Ｂに接続されている。このような構成により、処理液供給源から供給される処理液（液体１）と、他の処理液供給源から供給される処理液（液体２）とを選択的に処理液供給ノズル４５からウエハＷの表面に対して供給することができる。   The processing liquid supply nozzle 45 is disposed above the wafer W as shown in FIG. In this embodiment, the processing liquid supply nozzle 45 is formed with two supply pipes (not shown), and one supply pipe is provided with an on-off valve 6AV, a flow meter 6AF, and a needle valve 6AN. A pipe 68A is connected. The pipe 68A is connected to, for example, a pipe 70A from a processing liquid supply source (not shown) as a service facility in a clean room where the substrate processing apparatus 100 is disposed. The other supply pipe of the processing liquid supply nozzle 45 is connected to a pipe 68B provided with an on-off valve 6BV, a flow meter 6BF, and a needle valve 6BN. The pipe 68B is connected to, for example, a pipe 70B from another processing liquid supply source (not shown) as a service facility in a clean room where the substrate processing apparatus 100 is disposed. With such a configuration, the processing liquid (liquid 1) supplied from the processing liquid supply source and the processing liquid (liquid 2) supplied from another processing liquid supply source are selectively sent from the processing liquid supply nozzle 45 to the wafer. It can be supplied to the surface of W.

処理液としては、例えば洗浄処理においては脱イオン水（ＤＩＷ）、アルコール（例えばイソプロピルアルコール（ＩＰＡ））、ＳＣ１(ＮＨ４ＯＨ+Ｈ２Ｏ２＋Ｈ２Ｏ)、又はＳＣ２（ＨＣｌ＋Ｈ２Ｏ２＋Ｈ２Ｏ）などを用いることができる。また、現像処理においては現像液が薬液として用いられる。さらに、エッチング処理においては、フッ酸（ＨＦ）、バッファードフッ酸（ＢＨＦ）、又はＨＮＯ３などを処理液として使用しても良い。例えば、処理液供給ノズル４５から、先ず、配管６８Ａを通してＳＣ１を供給し、次いで、配管６８Ｂを通してＤＩＷを供給しても良い。また、他の実施形態においては、処理液供給ノズル４５に配管６８Ａ及び６８Ｂのいずれか一方を接続し、１種類の処理液を供給しても構わない。 As the treatment liquid, for example, deionized water (DIW), alcohol (for example, isopropyl alcohol (IPA)), SC1 (NH 4 OH + H 2 O 2 + H 2 O), or SC2 (HCl + H 2 O 2 + H) in the cleaning treatment. 2 O) or the like can be used. In the development process, a developer is used as a chemical solution. Further, in the etching process, hydrofluoric acid (HF), buffered hydrofluoric acid (BHF), HNO 3 or the like may be used as a processing liquid. For example, first, SC1 may be supplied from the treatment liquid supply nozzle 45 through the pipe 68A, and then DIW may be supplied through the pipe 68B. In another embodiment, either one of the pipes 68A and 68B may be connected to the processing liquid supply nozzle 45 to supply one type of processing liquid.

次に、図３から図５までを参照しながら、裏面処理部材５０について説明する。図３（ａ）は裏面処理部材５０の上面図であり、図３（ｂ）は裏面処理部材５０の側面図である。図示のとおり、裏面処理部材５０は、ウエハ支持部材１０に保持されるウエハＷと、ウエハ支持部材１０のプレート部材１０ｂとの間に配置されており、液体供給部５０Ａ及び５０Ｂと、液体供給部５０Ａ及び５０Ｂが取り付けられる回転部５２Ｌ及び５２Ｒとを有している。   Next, the back surface processing member 50 will be described with reference to FIGS. FIG. 3A is a top view of the back surface processing member 50, and FIG. 3B is a side view of the back surface processing member 50. As illustrated, the back surface processing member 50 is disposed between the wafer W held by the wafer support member 10 and the plate member 10b of the wafer support member 10, and includes liquid supply units 50A and 50B, and a liquid supply unit. It has rotation parts 52L and 52R to which 50A and 50B are attached.

液体供給部５０Ａには、図３（ａ）に示すように、内部に導管５０ＡＣが形成され、導管５０ＡＣに連通し、ウエハＷの裏面に向かって開口する複数の孔５０ＡＨが、液体供給部５０Ａの長手方向に沿って所定の間隔で形成されている。液体供給部５０Ａには、所定の接続配管を介して、開閉弁ＡＶ、流量計ＡＦ、及びニードル弁ＡＮが設けられた配管５Ａ（図２参照）が接続されている。配管５Ａは、処理液供給源（図示せず）からの配管７０Ａに接続されている。これにより、配管７０Ａからの処理液（液体１）が、液体供給部５０Ａの複数の孔５０ＡＨからウエハＷの裏面に向けて供給される。   As shown in FIG. 3A, the liquid supply unit 50A has a conduit 50AC formed therein, and a plurality of holes 50AH communicating with the conduit 50AC and opening toward the back surface of the wafer W are provided in the liquid supply unit 50A. Are formed at predetermined intervals along the longitudinal direction. A pipe 5A (see FIG. 2) provided with an on-off valve AV, a flow meter AF, and a needle valve AN is connected to the liquid supply unit 50A through a predetermined connection pipe. The pipe 5A is connected to a pipe 70A from a processing liquid supply source (not shown). Accordingly, the processing liquid (liquid 1) from the pipe 70A is supplied toward the back surface of the wafer W from the plurality of holes 50AH of the liquid supply unit 50A.

また、ニードル弁ＡＮと液体供給部５０Ａとの間において配管５Ａに対して配管５Ｃが合流している。配管５Ｃは、処理液供給源（図示せず）からの配管７０Ｃに接続されている。これにより、液体供給部５０Ａの複数の孔５０ＡＨからウエハＷの裏面に向けて、配管７０Ａからの処理液（液体１）と配管７０Ｃからの処理液（液体３）とが選択的に又は同時に供給され得る。なお、図示を省略するが、配管５Ｃにも、処理液（液体３）の供給の開始／停止、及び流量を制御するため、開閉弁、流量計、及びニードル弁が設けられている。   Further, the pipe 5C joins the pipe 5A between the needle valve AN and the liquid supply unit 50A. The pipe 5C is connected to a pipe 70C from a processing liquid supply source (not shown). Thus, the processing liquid (liquid 1) from the pipe 70A and the processing liquid (liquid 3) from the pipe 70C are selectively or simultaneously supplied from the plurality of holes 50AH of the liquid supply unit 50A toward the back surface of the wafer W. Can be done. In addition, although illustration is abbreviate | omitted, in order to start / stop supply of a process liquid (liquid 3), and to control a flow volume, the pipe 5C is provided with the on-off valve, the flowmeter, and the needle valve.

また、液体供給部５０Ｂには、内部に導管５０ＢＣが形成され、導管５０ＢＣに連通し、ウエハＷの裏面に向かって開口する複数の孔５０ＢＨが、液体供給部５０Ｂの長手方向に沿って所定の間隔で形成されている。液体供給部５０Ｂには、開閉弁ＢＶ、流量計ＢＦ、及びニードル弁ＢＮが設けられた配管５Ｂ（図２参照）が接続されている。配管５Ｂは、処理液供給源（図示せず）からの配管７０Ｂに接続されている。これにより、配管７０Ｂからの処理液（液体２）が、液体供給部５０Ｂの複数の孔５０ＢＨからウエハＷの裏面に向けて供給される。   In addition, a conduit 50BC is formed in the liquid supply unit 50B, and a plurality of holes 50BH that communicate with the conduit 50BC and open toward the back surface of the wafer W are arranged along the longitudinal direction of the liquid supply unit 50B. It is formed at intervals. A pipe 5B (see FIG. 2) provided with an on-off valve BV, a flow meter BF, and a needle valve BN is connected to the liquid supply unit 50B. The pipe 5B is connected to a pipe 70B from a processing liquid supply source (not shown). Thereby, the processing liquid (liquid 2) from the pipe 70B is supplied toward the back surface of the wafer W from the plurality of holes 50BH of the liquid supply unit 50B.

また、ニードル弁ＢＮと液体供給部５０Ｂとの間において配管５Ｂに対して配管５Ｄが合流している。配管５Ｄは、配管７０Ｃに接続されている。これにより、液体供給部５０Ｂの複数の孔５０ＢＨからウエハＷの裏面に向けて、配管７０Ｂからの処理液（液体２）と配管７０Ｃからの処理液（液体３）とが選択的に又は同時に供給され得る。なお、図示を省略するが、配管５Ｄにも開閉弁、流量計、及びニードル弁が設けられている。   Further, the pipe 5D joins the pipe 5B between the needle valve BN and the liquid supply unit 50B. The pipe 5D is connected to the pipe 70C. Thereby, the processing liquid (liquid 2) from the pipe 70B and the processing liquid (liquid 3) from the pipe 70C are selectively or simultaneously supplied from the plurality of holes 50BH of the liquid supply unit 50B toward the back surface of the wafer W. Can be done. Although not shown, the pipe 5D is also provided with an on-off valve, a flow meter, and a needle valve.

回転部５２Ｌは、円筒状の形状を有し、ウエハＷの中心部の下方に配置されている。また、回転部５２Ｌは駆動部５５Ｌにより支持されている。駆動部５５Ｌは、回転部５２Ｌの中心軸ＬＣを中心として回転部５２Ｌを回転し、上下動させるように構成されている。   The rotating portion 52L has a cylindrical shape and is disposed below the center portion of the wafer W. The rotating part 52L is supported by the driving part 55L. The drive unit 55L is configured to rotate the rotary unit 52L around the central axis LC of the rotary unit 52L and move it up and down.

回転部５２Ｒは、回転部５２Ｌに対してウエハＷの半径方向に離間して配置され、図３（ｂ）に示すように、扁平な円筒状の形状を有し、基台５５Ｒに取り付けられている。基台５５Ｒは、ウエハ支持部材１０のプレート部材１０ｂから離間した支持部材５５Ｓ上に配置され、基台５５Ｒ内に設けられるベアリング（図示せず）を支持部材として回転自在及び昇降自在に構成されている。回転部５２Ｒの中心軸（回転軸）ＲＣは、回転部５２Ｌの中心軸（回転軸）ＬＣと平行である。また、本実施形態では、後述するように、基台５５Ｒは、回転部５２Ｒ及び回転部５２Ｌを介して駆動部５５Ｌにより駆動され、駆動部５５Ｌと同じ方向に同じ速度で回動する。   The rotating part 52R is arranged away from the rotating part 52L in the radial direction of the wafer W, has a flat cylindrical shape as shown in FIG. 3B, and is attached to the base 55R. Yes. The base 55R is disposed on a support member 55S spaced from the plate member 10b of the wafer support member 10, and is configured to be rotatable and movable up and down using a bearing (not shown) provided in the base 55R as a support member. Yes. The central axis (rotating axis) RC of the rotating part 52R is parallel to the central axis (rotating axis) LC of the rotating part 52L. In the present embodiment, as will be described later, the base 55R is driven by the drive unit 55L via the rotation unit 52R and the rotation unit 52L, and rotates at the same speed in the same direction as the drive unit 55L.

次に、図４Ａ及び図４Ｂを参照しながら、回転部５２Ｌ及び回転部５２Ｒと液体供給部５０Ａ及び５０Ｂの配置関係について説明する。
図示のとおり、液体供給部５０Ａには、液体供給部５０Ａの下面に開口する大径部と、この大径部に連通し、液体供給部５０Ａの上面に開口する小径部とを有する貫通孔５８Ｒ及び貫通孔５８Ｌが形成されている。また、貫通孔５８Ｒに対応するネジ穴６０Ｒが回転部５２Ｒに形成され、貫通孔５８Ｌに対応するネジ穴６０Ｌが回転部５２Ｌに形成されている。
図４Ｂに示すように、ベアリング５７ＲＢを介してネジ５７Ｒがネジ穴６０Ｒにねじ込まれており、これによりベアリング５７ＲＢが回転部５２Ｒに固定される。固定されたベアリング５７ＲＢには、貫通孔５８Ｒの大径部が嵌め込まれ、このようにして液体供給部５０Ａが回転部５２Ｒに取り付けられる。また、貫通孔５８Ｒの小径部には蓋部材ＬＭが嵌め込まれており、これにより、ネジ５７Ｒやベアリング５７ＲＢが、液体供給部５０Ａ（又は５０Ｂ）から供給される処理液に晒されるのが抑制される。
なお、液体供給部５０Ａの回転部５２Ｒへの取り付けは以下のとおりに行うことができる（図４Ａ及び図４Ｂを参照）。まず、ネジ穴６０に対応するように回転部５２Ｒにベアリング５７ＲＢを置く。次に、液体供給部５０Ａの貫通孔５８Ｒの大径部にベアリング５７ＲＢが嵌り込むように、液体供給部５０Ａを回転部５２Ｒ上に置く。次いで、ネジ穴６０に対して、貫通孔５８Ｒの小径部側からネジ５８Ｒをねじ込む。最後に、貫通孔５８Ｒの小径部に対して蓋部材ＬＭを嵌め込む。
また、回転部５２Ｌに対しても、液体供給部５０Ａが同様に取付けられる。 Next, with reference to FIGS. 4A and 4B, the arrangement relationship between the rotation unit 52L and the rotation unit 52R and the liquid supply units 50A and 50B will be described.
As shown in the drawing, the liquid supply part 50A has a through-hole 58R having a large-diameter part that opens on the lower surface of the liquid supply part 50A and a small-diameter part that communicates with the large-diameter part and opens on the upper surface of the liquid supply part 50A. And the through-hole 58L is formed. A screw hole 60R corresponding to the through hole 58R is formed in the rotating portion 52R, and a screw hole 60L corresponding to the through hole 58L is formed in the rotating portion 52L.
As shown in FIG. 4B, the screw 57R is screwed into the screw hole 60R via the bearing 57RB, thereby fixing the bearing 57RB to the rotating portion 52R. The large diameter portion of the through hole 58R is fitted into the fixed bearing 57RB, and thus the liquid supply unit 50A is attached to the rotating unit 52R. Further, the cover member LM is fitted into the small diameter portion of the through hole 58R, and thereby, the exposure of the screw 57R and the bearing 57RB to the processing liquid supplied from the liquid supply unit 50A (or 50B) is suppressed. The
The liquid supply unit 50A can be attached to the rotating unit 52R as follows (see FIGS. 4A and 4B). First, the bearing 57RB is placed on the rotating portion 52R so as to correspond to the screw hole 60. Next, the liquid supply part 50A is placed on the rotating part 52R so that the bearing 57RB fits into the large diameter part of the through hole 58R of the liquid supply part 50A. Next, the screw 58R is screwed into the screw hole 60 from the small diameter portion side of the through hole 58R. Finally, the lid member LM is fitted into the small diameter portion of the through hole 58R.
The liquid supply unit 50A is similarly attached to the rotating unit 52L.

ベアリング５７ＲＢ及び５７ＬＢを介して液体供給部５０Ａが回転部５２Ｒ及び回転部５２Ｌに取り付けられるため、回転部５２Ｌが駆動部５５Ｌ（図３）より回転されると、液体供給部５０Ａを介して回転部５２Ｒもまた回転するとともに、液体供給部５０Ａは、その長手方向と、長手方向に直交する方向とに移動することができる。   Since the liquid supply part 50A is attached to the rotation part 52R and the rotation part 52L via the bearings 57RB and 57LB, when the rotation part 52L is rotated by the drive part 55L (FIG. 3), the rotation part via the liquid supply part 50A. 52R also rotates, and the liquid supply unit 50A can move in the longitudinal direction and in a direction orthogonal to the longitudinal direction.

このような構成によれば、液体供給部５０Ａと回転部５２Ｒ及び５２Ｌとは接触しない。また、貫通孔５８Ｒ（又は５８Ｌ）の小径部はネジ５７Ｒ（又は５７Ｌ）の外径よりも大きく（図４Ｂ参照）、貫通孔５８Ｒ（又は５８Ｌ）の小径部の内壁とネジ５７Ｒ（又は５７Ｌ）とが接することはないため、液体供給部５０Ａの移動時に、液体供給部５０Ａ、回転部５２Ｒ及び５２Ｌ、並びにネジ５７Ｒ及び５７Ｌからパーティクルが発生することは殆どない。   According to such a configuration, the liquid supply unit 50A and the rotating units 52R and 52L are not in contact with each other. The small diameter portion of the through hole 58R (or 58L) is larger than the outer diameter of the screw 57R (or 57L) (see FIG. 4B), and the inner wall of the small diameter portion of the through hole 58R (or 58L) and the screw 57R (or 57L). Therefore, when the liquid supply unit 50A moves, particles are hardly generated from the liquid supply unit 50A, the rotation units 52R and 52L, and the screws 57R and 57L.

また、回転部５２Ｒのネジ穴６１Ｒに対応して置かれたベアリング５６ＲＢが貫通孔５９Ｒの大径部に嵌め込まれるように液体供給部５０Ｂが回転部５２Ｒ上に置かれ、ネジ５９Ｒがネジ穴６１Ｒにねじ込まれる。そして、貫通孔５９Ｒの小径部に蓋部材ＬＭが取り付けられる。さらに、回転部５２Ｌのネジ穴６１Ｌに対応して置かれたベアリング５６ＬＢが貫通孔５９Ｌの大径部に嵌め込まれるように液体供給部５０Ｂが回転部５２Ｌ上に置かれ、ネジ５９Ｌがネジ穴６１Ｌにねじ込まれる。そして、貫通孔５９Ｌの小径部に蓋部材ＬＭが取り付けられる。このようにして、液体供給部５０Ｂが、回転部５２Ｌ及び５２Ｒに取り付けられる。このような構成によれば、回転部５２Ｌが駆動部５５Ｌ（図３）より回転されると、液体供給部５０Ｂ（及び５０Ａ）を介して回転部５２Ｒもまた回転するとともに、液体供給部５０Ｂは、その長手方向と、長手方向に直交する方向とに移動することができる。   Further, the liquid supply part 50B is placed on the rotating part 52R so that the bearing 56RB placed corresponding to the screw hole 61R of the rotating part 52R is fitted into the large diameter part of the through hole 59R, and the screw 59R is screwed into the screw hole 61R. Screwed into. Then, the lid member LM is attached to the small diameter portion of the through hole 59R. Further, the liquid supply part 50B is placed on the rotating part 52L so that the bearing 56LB placed corresponding to the screw hole 61L of the rotating part 52L is fitted into the large diameter part of the through hole 59L, and the screw 59L is inserted into the screw hole 61L. Screwed into. Then, the lid member LM is attached to the small diameter portion of the through hole 59L. In this way, the liquid supply unit 50B is attached to the rotating units 52L and 52R. According to such a configuration, when the rotation unit 52L is rotated by the drive unit 55L (FIG. 3), the rotation unit 52R also rotates via the liquid supply unit 50B (and 50A), and the liquid supply unit 50B It is possible to move in the longitudinal direction and the direction orthogonal to the longitudinal direction.

すなわち、液体供給部５０Ａ及び５０Ｂは、回転部５２Ｌの回転によって、長手方向に直交する方向に互いに平行に、且つ長手方向に直交する方向に移動できるように回転部５２Ｒ及び５２Ｌに取り付けられている。液体供給部５０Ａ及び５０Ｂは、回転部５２Ｒ及び５２Ｌを連結する連結部と、ウエハＷに対して処理を行う処理部材との双方として働く。   That is, the liquid supply units 50A and 50B are attached to the rotating units 52R and 52L so that they can move in a direction orthogonal to the longitudinal direction and in a direction orthogonal to the longitudinal direction by the rotation of the rotating unit 52L. . The liquid supply units 50A and 50B function as both a connecting unit that connects the rotating units 52R and 52L and a processing member that performs processing on the wafer W.

なお、回転部５２Ｒにおいて、ネジ穴６０Ｒとネジ穴６１Ｒとが回転部５２Ｒの中心軸ＲＣに対してなす角度は約９０°であり、回転部５２Ｌにおいて、ネジ穴６０Ｌとネジ穴６１Ｌとが回転部５２Ｌの中心軸ＬＣに対してなす角度は約９０°である。このため、液体供給部５０Ａ及び５０Ｂは互いに平行に回転部５２Ｒ及び５２Ｌに取り付けられる。また、回転部５２Ｒ及び回転部５２Ｌの回転角度もまた約９０°である。   In the rotating portion 52R, the angle formed by the screw hole 60R and the screw hole 61R with respect to the central axis RC of the rotating portion 52R is about 90 °. In the rotating portion 52L, the screw hole 60L and the screw hole 61L rotate. The angle formed with respect to the central axis LC of the portion 52L is about 90 °. For this reason, the liquid supply parts 50A and 50B are attached to the rotating parts 52R and 52L in parallel with each other. Further, the rotation angle of the rotation unit 52R and the rotation unit 52L is also about 90 °.

以上の構成によれば、液体供給部５０Ａから例えばＳＣ１（液体１）を供給してウエハＷの裏面を洗浄する場合には、回転部５２Ｒ及び５２Ｌを回転することにより、図５（ａ）に示すように、液体供給部５０ＡをウエハＷの半径に沿った線Ｒ上に配置することができる。そして、ウエハ支持部材１０（図２参照）によりウエハＷを回転しながら、液体供給部５０ＡからＳＣ１を供給すると、ＳＣ１はウエハＷの裏面の全体に供給され、裏面を均一に洗浄することができる。所定の時間、洗浄した後、ＳＣ１の供給を停止するとともに純水（液体３）を供給すれば、ＳＣ１を洗い流すことができる。純水によりＳＣ１が十分に洗い流された後、純水の供給を停止する。   According to the above configuration, when SC1 (liquid 1), for example, is supplied from the liquid supply unit 50A to clean the back surface of the wafer W, the rotating units 52R and 52L are rotated to obtain the structure shown in FIG. As shown, the liquid supply portion 50A can be disposed on a line R along the radius of the wafer W. Then, when SC1 is supplied from the liquid supply unit 50A while rotating the wafer W by the wafer support member 10 (see FIG. 2), the SC1 is supplied to the entire back surface of the wafer W, and the back surface can be cleaned uniformly. . After cleaning for a predetermined time, the supply of SC1 is stopped, and if pure water (liquid 3) is supplied, SC1 can be washed away. After SC1 is sufficiently washed away with pure water, the supply of pure water is stopped.

次いで、回転部５２Ｒ及び５２Ｌを反対方向に約９０°回転すると、図５（ｂ）に示すように、液体供給部５０ＢがウエハＷの半径に沿って配置される。そして、ウエハ支持部材１０（図２参照）によりウエハＷを回転しながら、液体供給部５０Ｂから例えばＢＨＦ（液体２）を供給すると、ＢＨＦがウエハＷの裏面の全体に供給され、裏面を均一に洗浄することができる。所定の時間、洗浄した後、ＢＨＦの供給を停止するとともに純水（液体３）を供給すれば、ＢＨＦを洗い流すことができる。純水によりＢＨＦが十分に洗い流された後、純水の供給を停止する。   Next, when the rotating parts 52R and 52L are rotated by about 90 ° in the opposite direction, the liquid supply part 50B is arranged along the radius of the wafer W as shown in FIG. When, for example, BHF (liquid 2) is supplied from the liquid supply unit 50B while rotating the wafer W by the wafer support member 10 (see FIG. 2), the BHF is supplied to the entire back surface of the wafer W, and the back surface is made uniform. Can be washed. After cleaning for a predetermined time, if the supply of BHF is stopped and pure water (liquid 3) is supplied, BHF can be washed away. After the BHF is sufficiently washed away with pure water, the supply of pure water is stopped.

このように、本実施形態によれば、２つの液体供給部５０Ａ及び５０Ｂが取り付けられる回転部５２Ｒ及び５２Ｌを回転するだけで、液体供給部５０Ａ及び５０Ｂのいずれか一方をウエハＷの半径に沿って配置することが可能となる。特に、ウエハＷの裏面を処理するためにウエハ支持部材１０内に２つの液体供給部を移動可能に設けることは、そのスペースから容易ではない。しかし、本実施形態によれば、簡便な構成で２つの液体供給部５０Ａ及び５０Ｂを使い分けることが可能となる。また、本実施形態には、一つの液体供給部を用いて、２種類の処理液を切り替えて供給する場合に比べ、処理液間のコンタミネーションを抑制できるという利点がある。   As described above, according to the present embodiment, only one of the liquid supply units 50A and 50B is moved along the radius of the wafer W only by rotating the rotation units 52R and 52L to which the two liquid supply units 50A and 50B are attached. Can be arranged. In particular, in order to process the back surface of the wafer W, it is not easy to provide two liquid supply units in the wafer support member 10 so as to be movable. However, according to the present embodiment, the two liquid supply units 50A and 50B can be used properly with a simple configuration. In addition, this embodiment has an advantage that contamination between processing liquids can be suppressed as compared with a case where two liquids are switched and supplied using one liquid supply unit.

（第２の実施形態による液処理装置）
次に、図６から図１３までを参照しながら、本発明の第２の実施形態による液処理装置１について説明する。以下の説明においては、第１の実施形態による液処理装置１との相違点を中心に説明することとし、同じ構成についての重複する説明は省略する。
図示のとおり、液処理装置１は、ウエハＷを支持するウエハ支持部材１０と、ウエハ支持部材１０を回転するモータＭと、ウエハＷをウエハ支持部材１０に対して押圧するとともに、ウエハ支持部材１０に支持されるウエハＷの表面に対して処理液を供給する複合部材２０と、ウエハ支持部材１０に支持されるウエハＷの下方に配置され、ウエハＷの裏面を処理する裏面処理部材５０と、ウエハ支持部材１０に支持されるウエハＷの周囲を囲むように配置され、処理液供給ノズル４５及び裏面処理部材５０からウエハＷに対して供給される処理液を受け取るカップ部３０と、を備える。 (Liquid treatment apparatus according to the second embodiment)
Next, a liquid processing apparatus 1 according to a second embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. In the following description, differences from the liquid processing apparatus 1 according to the first embodiment will be mainly described, and redundant description of the same configuration will be omitted.
As illustrated, the liquid processing apparatus 1 includes a wafer support member 10 that supports the wafer W, a motor M that rotates the wafer support member 10, and presses the wafer W against the wafer support member 10. A composite member 20 for supplying a processing liquid to the surface of the wafer W supported by the wafer, a back surface processing member 50 disposed below the wafer W supported by the wafer support member 10 and processing the back surface of the wafer W, And a cup portion 30 that is disposed so as to surround the periphery of the wafer W supported by the wafer support member 10 and that receives the processing liquid supplied to the wafer W from the processing liquid supply nozzle 45 and the back surface processing member 50.

複合部材２０は、ウエハ支持部材１０により支持されるウエハＷの上方に配置されている。複合部材２０は、支持部材２０Ｓにより昇降機構２０Ｅに接続され、昇降機構２０Ｅにより上下に移動可能である。複合部材２０は、ウエハＷが筐体１Ｃ内に搬入されるとき、昇降機構２０Ｅによって上方位置に退避し、ウエハＷが搬入されてウエハ支持部材１０によりウエハＷが支持された後、昇降機構２０Ｅにより下降し、ウエハＷの表面から僅かに上方に配置される。また、昇降機構２０Ｅには水平移動機構２０Ｄが設けられ、水平移動機構２０Ｄにより昇降機構２０Ｅひいては複合部材２０が水平方向に移動可能である。   The composite member 20 is disposed above the wafer W supported by the wafer support member 10. The composite member 20 is connected to the lifting mechanism 20E by the support member 20S, and can be moved up and down by the lifting mechanism 20E. When the wafer W is loaded into the housing 1C, the composite member 20 is retracted to the upper position by the lifting mechanism 20E, and after the wafer W is loaded and supported by the wafer support member 10, the lifting mechanism 20E. And is disposed slightly above the surface of the wafer W. Further, the elevating mechanism 20E is provided with a horizontal moving mechanism 20D, and the elevating mechanism 20E and thus the composite member 20 can be moved in the horizontal direction by the horizontal moving mechanism 20D.

図７は、複合部材２０及びウエハＷの水平方向の位置関係を示す図である。図示のとおり、複合部材２０は、ウエハＷのほぼ中心から外縁に向かって概ね半径方向に沿って延びている。本実施形態においては、複合部材２０は、ウエハＷに対して処理液を供給する処理液供給部２０Ｌ及び２１Ｌと、ウエハＷに対して気体、例えば窒素（Ｎ２）ガスを噴出すると共に、噴出したＮ２ガスを吸引するガス噴出吸引部２０Ｇとを有している。図示のとおり、処理液供給部２１ＬがウエハＷの半径方向に沿うように、ウエハＷのほぼ中心から外縁にまで延びている。 FIG. 7 is a view showing the positional relationship between the composite member 20 and the wafer W in the horizontal direction. As shown in the figure, the composite member 20 extends substantially in the radial direction from the approximate center of the wafer W toward the outer edge. In the present embodiment, the composite member 20 ejects gas, for example, nitrogen (N 2 ) gas, to the processing liquid supply units 20L and 21L that supply the processing liquid to the wafer W, and the wafer W, And a gas ejection suction portion 20G for sucking the N 2 gas. As illustrated, the processing liquid supply unit 21 </ b> L extends from substantially the center of the wafer W to the outer edge so as to follow the radial direction of the wafer W.

処理液供給部２０Ｌ及び２１Ｌは、本実施形態においては、複合部材２０の長手方向に延びる導管として形成され、導管の底部には、ウエハＷに向かって開口する複数の孔２ＬＨが所定の間隔で形成されている。また、処理液供給部２０Ｌには、開閉弁３ＡＶ、流量計３ＡＦ、及びニードル弁３ＡＮが設けられた配管４Ａ（図６参照）が接続されている。また、配管４Ａは、例えば、基板処理装置１００が配置されるクリーンルームの用役設備としての処理液供給源（図示せず）からの配管７０Ａに接続されている。このような構成により、処理液供給源から供給される処理液（液体１）が、処理液供給部２０Ｌの複数の孔２ＬＨからウエハＷに向けて供給される。   In the present embodiment, the processing liquid supply units 20L and 21L are formed as a conduit extending in the longitudinal direction of the composite member 20, and a plurality of holes 2LH opening toward the wafer W are formed at predetermined intervals at the bottom of the conduit. Is formed. Further, a pipe 4A (see FIG. 6) provided with an on-off valve 3AV, a flow meter 3AF, and a needle valve 3AN is connected to the processing liquid supply unit 20L. Further, the pipe 4A is connected to, for example, a pipe 70A from a processing liquid supply source (not shown) as a service facility in a clean room where the substrate processing apparatus 100 is disposed. With such a configuration, the processing liquid (liquid 1) supplied from the processing liquid supply source is supplied toward the wafer W from the plurality of holes 2LH of the processing liquid supply unit 20L.

同様に、処理液供給部２１Ｌには、開閉弁３ＢＶ、流量計３ＢＶ、及びニードル弁３ＢＮが設けられた配管４Ｂ（図６参照）が接続されている。配管４Ｂは、処理液供給源（図示せず）からの配管７０Ｂに接続されている。これにより、処理液供給源から供給される処理液（液体２）が、処理液供給部２１Ｌの複数の孔２ＬＨからウエハＷに向けて供給される。   Similarly, a pipe 4B (see FIG. 6) provided with an on-off valve 3BV, a flow meter 3BV, and a needle valve 3BN is connected to the processing liquid supply unit 21L. The pipe 4B is connected to a pipe 70B from a processing liquid supply source (not shown). Thereby, the processing liquid (liquid 2) supplied from the processing liquid supply source is supplied toward the wafer W from the plurality of holes 2LH of the processing liquid supply unit 21L.

なお、図７では、処理液供給部２１ＬがウエハＷの半径に沿って配置されているが、処理液供給部２０ＬからウエハＷの表面に対して処理液を供給するときは、処理液供給部２０ＬがウエハＷの半径に沿って配置されるように、水平移動機構２０Ｄによって複合部材２０が水平方向に移動する。これにより、ウエハＷの中心からウエハＷの表面全体を液処理することが可能となる。また、処理液供給部２０Ｌ及び２１Ｌから供給され得る処理液は、上述のとおりである。   In FIG. 7, the processing liquid supply unit 21L is arranged along the radius of the wafer W, but when the processing liquid is supplied from the processing liquid supply unit 20L to the surface of the wafer W, the processing liquid supply unit The composite member 20 is moved in the horizontal direction by the horizontal movement mechanism 20D so that 20L is arranged along the radius of the wafer W. Thereby, it is possible to liquid-treat the entire surface of the wafer W from the center of the wafer W. Further, the processing liquids that can be supplied from the processing liquid supply units 20L and 21L are as described above.

次に、複合部材２０のガス噴出吸引部２０Ｇについて説明する。ガス噴出吸引部２０Ｇには、図７及び図８に示すように、ウエハＷに向かって開口する複数の孔２ＧＨ及び２ＥＨが２列に形成されている。複数の孔２ＧＨと複数の孔２ＥＨとは、本実施形態においては、複合部材２０の長手方向に沿って交互に配列されている。複数の孔２ＧＨには、開閉弁３ＧＶ、流量計３ＧＦ、及びニードル弁３ＧＮが設けられた配管３Ｇ（図６参照）が接続されている。配管３Ｇは、例えば、クリーンルームの用役設備としての気体供給源（図示せず）からの配管７１Ｇに接続されている。このような構成により、気体供給源から供給されるガス（例えば窒素ガスや清浄空気）が、図８に矢印ＡＧで示すように、複数の孔２ＧＨからウエハＷに向けて噴出される。   Next, the gas ejection suction part 20G of the composite member 20 will be described. As shown in FIGS. 7 and 8, a plurality of holes 2GH and 2EH opening toward the wafer W are formed in two rows in the gas ejection suction portion 20G. In the present embodiment, the plurality of holes 2GH and the plurality of holes 2EH are alternately arranged along the longitudinal direction of the composite member 20. A pipe 3G (see FIG. 6) provided with an on-off valve 3GV, a flow meter 3GF, and a needle valve 3GN is connected to the plurality of holes 2GH. The pipe 3G is connected to, for example, a pipe 71G from a gas supply source (not shown) as a service facility in the clean room. With such a configuration, a gas (for example, nitrogen gas or clean air) supplied from a gas supply source is ejected from the plurality of holes 2GH toward the wafer W as indicated by an arrow AG in FIG.

一方、複数の孔２ＥＨは、開閉弁３ＥＶ、流量計３ＥＦ、及びニードル弁３ＥＮが設けられた配管３Ｅ（図６参照）が接続されている。配管３Ｅは、例えば、クリーンルームの用役設備としての排気設備（図示せず）からの配管７１Ｅに接続されている。このような構成により、複合部材２０とウエハＷとの間の空間の雰囲気が、図８に矢印ＡＥで示すように、複数の孔２ＥＨから排気設備によって吸引される。   On the other hand, the plurality of holes 2EH are connected to a pipe 3E (see FIG. 6) provided with an on-off valve 3EV, a flow meter 3EF, and a needle valve 3EN. The pipe 3E is connected to, for example, a pipe 71E from an exhaust facility (not shown) as a service facility in the clean room. With such a configuration, the atmosphere in the space between the composite member 20 and the wafer W is sucked by the exhaust equipment from the plurality of holes 2EH as indicated by arrows AE in FIG.

具体的には、ガス噴出吸引部２０Ｇの複数の孔２ＧＨからウエハＷに向けてガスを噴出するとともに、複数の孔２ＧＨからのガスの総噴出量とほぼ同一又は僅かに少ない流量で、複数の孔２ＥＨからガスが吸引される。これにより、ガス噴出吸引部２０ＧとウエハＷとの間の空間に（常圧よりも高い）所定の圧力を有する均一なガスの層を形成することができる。このため、少なくとも複合部材２０の下方において、ウエハＷを水平に維持しつつ、ウエハＷを爪部Ｓに押しつけることによりウエハＷをしっかりと保持できる。   Specifically, the gas is ejected from the plurality of holes 2GH of the gas ejection suction unit 20G toward the wafer W, and the plurality of gas flows are substantially the same as or slightly less than the total amount of gas ejected from the plurality of holes 2GH. Gas is sucked from the hole 2EH. Thereby, a uniform gas layer having a predetermined pressure (higher than the normal pressure) can be formed in the space between the gas ejection suction unit 20G and the wafer W. For this reason, at least below the composite member 20, the wafer W can be held firmly by pressing the wafer W against the claw S while keeping the wafer W horizontal.

次に、図９から図１３までを参照しながら、裏面処理部材５０について説明する。図９（ａ）は裏面処理部材５０の上面図であり、図９（ｂ）は裏面処理部材５０の側面図である。図示のとおり、裏面処理部材５０は、ウエハ支持部材１０に保持されるウエハＷと、ウエハ支持部材１０のプレート部材１０ｂとの間に配置されている。また、裏面処理部材５０は、液体及び気体から形成されるミストをウエハＷの裏面に吹き付けてウエハＷの裏面を洗浄する流体供給部２００と、細長い棒状の本体の上面に複数のブラシＢを取り付けることにより構成されブラシ部材５００と、ウエハＷの裏面に複数種類の液体を供給する液体供給部材５４と、流体供給部２００及びブラシ部材５００が取り付けられる回転部５２Ｌ及び５２Ｒとを有している。図３に示す裏面処理部材５０と比べると、液体供給部５０Ａの代わりに流体供給部２００が用いられ、液体供給部５０Ｂの代わりにブラシ部材５００が用いられている。流体供給部２００及びブラシ部材５００と、回転部５２Ｌ及び５２Ｒとの位置関係、構成は、上述のとおりである。
なお、ブラシＢは、例えば多数のプラスチック製の糸を円柱状に束ねることにより構成される。プラスチック製の糸は、例えば、ＰＰ（polypropylene）、ＰＶＣ（polyvinyl chloride）、ウレタン、ナイロンから作ることができる。 Next, the back surface processing member 50 will be described with reference to FIGS. 9 to 13. FIG. 9A is a top view of the back surface processing member 50, and FIG. 9B is a side view of the back surface processing member 50. As illustrated, the back surface processing member 50 is disposed between the wafer W held by the wafer support member 10 and the plate member 10 b of the wafer support member 10. Further, the back surface processing member 50 attaches a plurality of brushes B to the upper surface of a slender bar-like body, and a fluid supply unit 200 that sprays mist formed from liquid and gas on the back surface of the wafer W to clean the back surface of the wafer W. And a liquid supply member 54 for supplying a plurality of types of liquid to the back surface of the wafer W, and rotating portions 52L and 52R to which the fluid supply unit 200 and the brush member 500 are attached. Compared to the back surface processing member 50 shown in FIG. 3, the fluid supply unit 200 is used instead of the liquid supply unit 50A, and the brush member 500 is used instead of the liquid supply unit 50B. The positional relationship and configuration of the fluid supply unit 200 and the brush member 500 and the rotating units 52L and 52R are as described above.
Note that the brush B is configured, for example, by bundling a large number of plastic threads in a cylindrical shape. The plastic yarn can be made of, for example, PP (polypropylene), PVC (polyvinyl chloride), urethane, or nylon.

次に、図１０を参照しながら、裏面処理部材５０の流体供給部２００の構成について説明する。図１０（ａ）は、図９（ａ）のＩ−Ｉ線に沿った断面図であり、図１０（ｂ）は、図９（ａ）のＩＩ−ＩＩ線に沿った断面図である。本実施形態では、流体供給部２００は、長細い筒状の形状を有し、その長手方向の長さはウエハＷの半径とほぼ等しい。図１０（ａ）及び１０（ｂ）に示すとおり、流体供給部材２００の内部には、流体供給部２００の長手方向に延びる気体導管２０ｃと、気体導管２０ｃとほぼ平行に延びる液体導管２０ｄが形成されている。   Next, the configuration of the fluid supply unit 200 of the back surface processing member 50 will be described with reference to FIG. FIG. 10A is a cross-sectional view taken along the line II of FIG. 9A, and FIG. 10B is a cross-sectional view taken along the line II-II of FIG. 9A. In the present embodiment, the fluid supply unit 200 has a long and thin cylindrical shape, and the length in the longitudinal direction is substantially equal to the radius of the wafer W. As shown in FIGS. 10A and 10B, a gas conduit 20c extending in the longitudinal direction of the fluid supply unit 200 and a liquid conduit 20d extending substantially parallel to the gas conduit 20c are formed inside the fluid supply member 200. Has been.

気体導管２０ｃには、開閉弁ＣＶ、流量計ＣＦ、及びニードル弁ＣＮが設けられた配管１５Ｃ（図６参照）が接続されている。配管１５Ｃは、例えばクリーンルームの用役設備としての気体供給源（図示せず）からの配管７０Ｃに接続されている。この気体供給源は、例えば窒素ガスや清浄空気を供給することができる。   A pipe 15C (see FIG. 6) provided with an on-off valve CV, a flow meter CF, and a needle valve CN is connected to the gas conduit 20c. For example, the pipe 15C is connected to a pipe 70C from a gas supply source (not shown) as a service facility in a clean room. This gas supply source can supply, for example, nitrogen gas or clean air.

液体導管２０ｄには、開閉弁ＢＶ、流量計ＢＦ、及びニードル弁ＢＮが設けられた配管１５Ｂ（図６参照）が接続されている。配管１５Ｂは、液体供給源（図示せず）からの配管７０Ｂに接続されている。この液体供給源は、上述のＤＩＷなどの処理液を供給することができる。   A pipe 15B (see FIG. 6) provided with an on-off valve BV, a flow meter BF, and a needle valve BN is connected to the liquid conduit 20d. The pipe 15B is connected to a pipe 70B from a liquid supply source (not shown). This liquid supply source can supply a processing liquid such as the above-mentioned DIW.

図１０（ａ）を参照すると、流体供給部材２００内には、それぞれ縮径管２２、円筒管２３、及び拡径管２４からなる複数の吐出管２５が、流体供給部材２００の長手方向に沿って所定の間隔で配置されている。縮径管２２は、下端において気体導管２０ｃに連通している。縮径管２２の内径は、上方向（ウエハＷに向かう方向）に円錐状に小さくなっている。円筒管２３は、下端において縮径管２２に連通し、一定の内径で上方向に延びている。拡径管２４は、下端において円筒管２３に連通し、上端において開口している。拡径管２４の内径は上方向に逆円錐状に大きくなっている。   Referring to FIG. 10A, a plurality of discharge pipes 25 each including a reduced diameter pipe 22, a cylindrical pipe 23, and an enlarged diameter pipe 24 are provided in the fluid supply member 200 along the longitudinal direction of the fluid supply member 200. Are arranged at predetermined intervals. The reduced diameter tube 22 communicates with the gas conduit 20c at the lower end. The inner diameter of the reduced diameter tube 22 is reduced in a conical shape in the upward direction (direction toward the wafer W). The cylindrical tube 23 communicates with the reduced diameter tube 22 at the lower end and extends upward with a constant inner diameter. The expanded diameter tube 24 communicates with the cylindrical tube 23 at the lower end and opens at the upper end. The inner diameter of the expanded tube 24 is increased in an inverted conical shape upward.

図１０（ｂ）を参照すると、液体導管２０ｄは、連通導管２０ｅにより拡径管２４と連通している。また、連通導管２０ｅは、図１０（ａ）に示すように、複数の拡径管２４のそれぞれに対応して形成されている。本実施形態では、各連通導管２０ｅの内径は同一である。   Referring to FIG. 10B, the liquid conduit 20d communicates with the diameter-expanded tube 24 by the communication conduit 20e. Further, the communication conduit 20e is formed corresponding to each of the plurality of diameter-expanded tubes 24 as shown in FIG. 10 (a). In the present embodiment, the inner diameter of each communication conduit 20e is the same.

上記の構成において、流体供給部材２００に対して気体供給源から配管１５Ｃを通して例えば窒素ガスが供給されると、窒素ガスは、気体導管２０ｃを流れて各吐出管２５からウエハＷに向けて吐出される。このとき、窒素ガスは縮径管２２により圧縮されるため、円筒管２３を抜け出て拡径管２４に至る際には逆に膨張し、円錐状に広がる。その広がり角は、各拡径管２４の拡径角度θにより規制される。   In the above configuration, when, for example, nitrogen gas is supplied from the gas supply source to the fluid supply member 200 through the pipe 15C, the nitrogen gas flows through the gas conduit 20c and is discharged from the discharge pipes 25 toward the wafer W. The At this time, since the nitrogen gas is compressed by the reduced diameter tube 22, when the nitrogen gas exits the cylindrical tube 23 and reaches the expanded diameter tube 24, the nitrogen gas expands conversely and expands in a conical shape. The spread angle is regulated by the diameter expansion angle θ of each diameter expansion tube 24.

窒素ガスの供給と同時に又は少し遅れて、流体供給部材２００に対して液体供給源から配管５Ｂを通して例えばＤＩＷが供給されると、図１０（ｂ）に示すように、ＤＩＷは、液体導管２０ｄから連通導管２０ｅを通して吐出管２５の拡径管２４に至る。拡径管２４に到達したＤＩＷは、吐出管２５から吐出される窒素ガスによって吹き飛ばされるようにして窒素ガスと混ざり合い、吐出管２５から吐出される。このため、ＤＩＷは、窒素ガスによりミスト状になってウエハＷの裏面に吹き付けられる。主に、このように吹き付けられるミストの衝撃力によってウエハＷの裏面が洗浄される。   When, for example, DIW is supplied from the liquid supply source to the fluid supply member 200 through the pipe 5B at the same time or slightly after the supply of the nitrogen gas, the DIW is supplied from the liquid conduit 20d as shown in FIG. The discharge pipe 25 reaches the diameter-expanded pipe 24 through the communication conduit 20e. The DIW that has reached the diameter expansion tube 24 is mixed with the nitrogen gas so as to be blown off by the nitrogen gas discharged from the discharge tube 25 and discharged from the discharge tube 25. For this reason, DIW is sprayed on the back surface of the wafer W in the form of a mist with nitrogen gas. The back surface of the wafer W is cleaned mainly by the impact force of the mist sprayed in this way.

また、本実施形態における液処理装置１においては、ウエハＷの下方に液体供給部材５４が設けられている。図９（ｂ）に説明の便宜上点線で示すように、流体供給部２００及びブラシ部材５００の下方に位置している。液体供給部材５４の基端部は、回転部５２Ｌの上端の切欠部を通してほぼ円筒形状の回転部５２Ｌの内部に挿入されるとともに、保持部材５４により保持されている。これにより、液体供給部材５４は、ウエハＷの中央下方位置から、ウエハＷの外縁にまで延びている。また、液体供給部材５４は、図９（ａ）に示すように、液体供給部５４１、５４２、５４３、及び５４４を有し、それぞれの液体供給部５４１〜５４４に対応した異なる液体をウエハＷの裏面に対して供給することができる。液体供給部５４１〜５４４のうちの一つには、開閉弁ＡＶ、流量計ＡＦ、及びニードル弁ＡＮが設けられた配管１５Ａ（図６参照）が接続されている。配管１５Ａは、液体供給源からの配管７０Ａに接続されている。これにより、配管７０からの処理液（液体１）が液体供給部５４１〜５４４のうちの一つからウエハＷの裏面に対して供給される。液体供給部５４１〜５４４の他の３つも同様に、所定の配管により、対応する処理液が供給される。   In the liquid processing apparatus 1 in the present embodiment, a liquid supply member 54 is provided below the wafer W. As shown by a dotted line in FIG. 9B for convenience of explanation, the fluid supply unit 200 and the brush member 500 are located below. The base end portion of the liquid supply member 54 is inserted into the substantially cylindrical rotating portion 52L through the notch at the upper end of the rotating portion 52L and is held by the holding member 54. Thereby, the liquid supply member 54 extends from the central lower position of the wafer W to the outer edge of the wafer W. Further, as shown in FIG. 9A, the liquid supply member 54 includes liquid supply units 541, 542, 543, and 544, and different liquids corresponding to the respective liquid supply units 541 to 544 are supplied to the wafer W. Can be supplied to the back side. One of the liquid supply units 541 to 544 is connected to a pipe 15A (see FIG. 6) provided with an on-off valve AV, a flow meter AF, and a needle valve AN. The pipe 15A is connected to a pipe 70A from the liquid supply source. Thus, the processing liquid (liquid 1) from the pipe 70 is supplied from one of the liquid supply units 541 to 544 to the back surface of the wafer W. Similarly, the other three liquid supply units 541 to 544 are supplied with the corresponding processing liquid through a predetermined pipe.

次に、図１１から図１３までを参照しながら、上述の液処理装置１における裏面処理部材５０の動作（基板処理方法）について説明する。上面図である図１１（ａ１）を参照すると、流体供給部２００がウエハＷの半径に沿って配置され、ブラシ部材５００がウエハＷの半径に沿った位置からずれて配置されている。また、図１１（ａ１）に対応する側面図である図１１（ａ２）を参照すると、流体供給部２００及びブラシ部材５００は下方位置にあり、ブラシ部材５００のブラシＢはウエハＷの裏面から離間している。また、ウエハＷの表面の僅かに上方に、複合部材２０のガス噴出吸引部２０Ｇが配置され、ガス噴出吸引部２０Ｇにより、ウエハ支持部材１０の爪部Ｓに押しつけられる。このとき、ガス噴出吸引部２０Ｇからガスを噴出するとともに吸引されているため、ウエハＷは平坦に維持されている。ただし、ガス噴出吸引部２０Ｇからはガスを噴出するだけでも良い。   Next, the operation (substrate processing method) of the back surface processing member 50 in the above-described liquid processing apparatus 1 will be described with reference to FIGS. 11 to 13. Referring to FIG. 11A1, which is a top view, the fluid supply unit 200 is arranged along the radius of the wafer W, and the brush member 500 is arranged offset from the position along the radius of the wafer W. Further, referring to FIG. 11 (a2) which is a side view corresponding to FIG. 11 (a1), the fluid supply unit 200 and the brush member 500 are in the lower position, and the brush B of the brush member 500 is separated from the back surface of the wafer W. doing. Further, the gas ejection suction portion 20G of the composite member 20 is disposed slightly above the surface of the wafer W, and is pressed against the claw portion S of the wafer support member 10 by the gas ejection suction portion 20G. At this time, since the gas is ejected and sucked from the gas ejection suction unit 20G, the wafer W is kept flat. However, the gas may be ejected from the gas ejection suction unit 20G.

この状態において、ウエハＷがウエハ支持部材１０（図６参照）により回転されると共に、図１１（ｂ１）及び（ｂ２）に示すように、流体供給部２００から例えば窒素ガスとＤＩＷによるミストが噴射され、ウエハＷの裏面が洗浄される。所定の時間、流体供給部２００からのミストによりウエハＷの裏面を洗浄した後、ミストの供給が停止される。   In this state, the wafer W is rotated by the wafer support member 10 (see FIG. 6), and as shown in FIGS. 11 (b1) and (b2), a mist of, for example, nitrogen gas and DIW is ejected from the fluid supply unit 200. Then, the back surface of the wafer W is cleaned. After the back surface of the wafer W is cleaned by mist from the fluid supply unit 200 for a predetermined time, the supply of mist is stopped.

次に、図１２（ｃ１）に示すように、回転部５２Ｒ及び５２Ｌを同期して回転することにより、流体供給部２００がウエハＷの半径に沿った位置からはずれ、ブラシ部材５００がウエハＷの半径に沿った位置に位置する。次いで、回転部５２Ｒ及び５２Ｌが、それぞれ基台５５Ｒ及び駆動部５５Ｌにより、上方位置へ移動する。これにより、図１２（ｄ２）に示すように、ブラシ部材５００のブラシＢがウエハＷの裏面に接する。引き続き、流体供給部２００からミスト又は液体（例えばＤＩＷ）のみがウエハＷの裏面に対して供給され、ウエハ支持部材１０によりウエハＷが回転することにより、ウエハＷの裏面が洗浄される。すなわち、先に説明した流体供給部２００からのミストによっては除去できなかった汚れであっても、ウエハＷの裏面に接するブラシＢによってこすり取ることができ、液体により流しさることができるため、ウエハＷの裏面がより確実に洗浄される。   Next, as shown in FIG. 12C1, by rotating the rotating parts 52R and 52L synchronously, the fluid supply part 200 is displaced from the position along the radius of the wafer W, and the brush member 500 is moved to the wafer W. Located along the radius. Next, the rotating parts 52R and 52L are moved to the upper position by the base 55R and the driving part 55L, respectively. Thereby, the brush B of the brush member 500 contacts the back surface of the wafer W as shown in FIG. Subsequently, only the mist or liquid (for example, DIW) is supplied from the fluid supply unit 200 to the back surface of the wafer W, and the wafer W is rotated by the wafer support member 10 to clean the back surface of the wafer W. That is, even the dirt that could not be removed by the mist from the fluid supply unit 200 described above can be scraped off by the brush B in contact with the back surface of the wafer W and can be washed away by the liquid. The back surface of W is more reliably cleaned.

なお、ウエハＷの裏面に対してブラシＢを強い力で押しつけても、ウエハＷの表面側からガス噴出吸引部２０ＧによりウエハＷが押しつけられているので、ウエハＷがウエハ支持部材１０から持ち上げられるのを防ぐことができる。また、ガス噴出吸引部２０Ｇからガスを噴出すると共に吸引することにより、ウエハＷの反り（撓み）が矯正され、ウエハＷが平坦に維持されるので、ウエハＷの裏面に対してブラシＢが均一に接することとなる。したがって、より均一な洗浄が可能となる。これらのことからも、ウエハＷの裏面は、一層確実に洗浄される。   Even if the brush B is pressed against the back surface of the wafer W with a strong force, the wafer W is pressed from the front surface side of the wafer W by the gas ejection suction unit 20G, so that the wafer W is lifted from the wafer support member 10. Can be prevented. Further, since the gas is ejected and sucked from the gas ejection suction unit 20G, the warp (deflection) of the wafer W is corrected and the wafer W is kept flat. Therefore, the brush B is uniform on the back surface of the wafer W. It will be in contact with. Therefore, more uniform cleaning is possible. Also from these things, the back surface of the wafer W is more reliably cleaned.

所定の洗浄時間の経過後、流体供給部２００からのミスト又は流体の供給を停止し、図１３（ｅ２）に示すように、流体供給部２００及びブラシ部材５００が下降し、ウエハＷの回転速度を上げることにより、ウエハＷを乾燥させる。次いで、図１３（ｆ１）に示すように、回転部５２Ｒ及び５２Ｌが回転することにより、流体供給部２００がウエハＷの半径に沿った位置に配置される。以上により、ウエハＷの裏面の洗浄が完了する。   After elapse of a predetermined cleaning time, supply of mist or fluid from the fluid supply unit 200 is stopped, and the fluid supply unit 200 and the brush member 500 are lowered as shown in FIG. Is raised to dry the wafer W. Next, as shown in FIG. 13 (f <b> 1), the rotating parts 52 </ b> R and 52 </ b> L are rotated to place the fluid supply part 200 at a position along the radius of the wafer W. Thus, the cleaning of the back surface of the wafer W is completed.

以上、幾つかの実施形態を参照しながら本発明を説明したが、本発明の上述の実施形態に限定されることなく、添付の特許請求の範囲に照らし、種々に変形又は変更が可能である。   The present invention has been described above with reference to some embodiments. However, the present invention is not limited to the above-described embodiments, and various modifications and changes can be made in light of the appended claims. .

上記の実施形態においては、裏面処理部材５０は液体供給部５０Ａ（流体供給部２００）及び液体供給部５０Ｂ（ブラシ部材５００）を含んでいるが、これらの間にて他の液体供給部（又はブラシ部材）を回転部５２Ｒ及び回転部５２Ｌに対して同様に取り付けても良い。   In the above-described embodiment, the back surface processing member 50 includes the liquid supply unit 50A (fluid supply unit 200) and the liquid supply unit 50B (brush member 500). The brush member may be similarly attached to the rotating portion 52R and the rotating portion 52L.

また、回転部５２Ｌの回転中心に沿って下方から延びて、回転部５２Ｌの上面に開口する供給管を設け、この供給管を通して、例えばＩＰＡなどの有機溶剤をウエハＷの裏面に供給しても良い。ただし、この場合、液体供給部５０Ａ（流体供給部２００）及び液体供給部５０Ｂ（又はブラシ部材５００）の双方は、上記の供給管とウエハＷの裏面との間に位置しないように、ウエハＷの半径方向に沿った位置から外れて配置される。例えば、図３（ａ）に示す配置において、回転部５２Ｌ及び５２Ｒを反時計回りに約４５°回転すると、液体供給部５０Ａ及び５０Ｂは、上から見て供給管の両側に位置することができ、供給管からウエハＷの裏面に向けて有機溶剤を供給することが可能となる。   Further, a supply pipe that extends from below along the rotation center of the rotation part 52L and opens on the upper surface of the rotation part 52L is provided, and an organic solvent such as IPA is supplied to the back surface of the wafer W through this supply pipe. good. However, in this case, the wafer W is arranged such that both the liquid supply unit 50A (fluid supply unit 200) and the liquid supply unit 50B (or the brush member 500) are not positioned between the supply pipe and the back surface of the wafer W. It is arrange | positioned away from the position along the radial direction. For example, in the arrangement shown in FIG. 3A, when the rotating parts 52L and 52R are rotated about 45 ° counterclockwise, the liquid supply parts 50A and 50B can be positioned on both sides of the supply pipe as viewed from above. The organic solvent can be supplied from the supply pipe toward the back surface of the wafer W.

また、液処理装置１においては、ウエハＷは、例えば集積回路（ＩＣ）などのデバイスが形成される面が上面になるようにウエハ支持部材１０により保持されても良く（いわゆるフェースアップ）、デバイスが形成される面が下面になるようにウエハ支持部材１０により保持されても良い（いわゆるフェースダウン）。フェースダウンの場合、デバイス形成面へダメージを与えないように、ブラシ部材５００を使用せずに流体供給部２００のみを用いても良い。また、例えばブラシ部材５００のブラシＢをデバイス形成面にダメージを与え難い材料で形成すれば、ブラシ部材５００を使用可能であることは勿論である。   In the liquid processing apparatus 1, the wafer W may be held by the wafer support member 10 (so-called face-up) so that a surface on which a device such as an integrated circuit (IC) is formed is an upper surface. It may be held by the wafer support member 10 so that the surface on which is formed becomes the lower surface (so-called face-down). In the case of face-down, only the fluid supply unit 200 may be used without using the brush member 500 so as not to damage the device formation surface. For example, if the brush B of the brush member 500 is formed of a material that does not easily damage the device formation surface, it is needless to say that the brush member 500 can be used.

また、図１１から図１３までを参照しながら説明したウエハＷの裏面の洗浄においては、流体供給部２００及びブラシ部材５００の両方を用いたが、洗浄対象面に合わせていずれか一方を用いても良い。さらに、ウエハＷの裏面洗浄中、流体供給部２００からではなく液体供給部材５４から液体をウエハＷの裏面に対して供給しても良い。   In the cleaning of the back surface of the wafer W described with reference to FIGS. 11 to 13, both the fluid supply unit 200 and the brush member 500 are used, but either one is used according to the surface to be cleaned. Also good. Further, during the cleaning of the back surface of the wafer W, the liquid may be supplied from the liquid supply member 54 to the back surface of the wafer W instead of the fluid supply unit 200.

さらに、流体供給部２００を用いてからブラシ部材５００を用いるのではなく、ブラシ部材５００を用いてから流体供給部２００を用いても良い。この場合、例えば、ブラシ部材５００のブラシＢにより、こすり取られ残留した不純物を、流体供給部２００からのミストにより除去することができる。また、流体供給部２００及びブラシ部材５００を交互に用い、これを繰り返しても構わない。   Further, instead of using the brush member 500 after using the fluid supply unit 200, the fluid supply unit 200 may be used after using the brush member 500. In this case, for example, impurities remaining after being scraped off by the brush B of the brush member 500 can be removed by mist from the fluid supply unit 200. Alternatively, the fluid supply unit 200 and the brush member 500 may be used alternately and this may be repeated.

また、ブラシ部材５００を用いる際に、回転部５２Ｒ及び５２Ｌを所定の範囲で双方向に交互に回転することにより、ブラシ部材５００を揺動しても良い。これにより、ウエハＷの裏面の洗浄効果を向上できる。   Further, when the brush member 500 is used, the brush member 500 may be swung by alternately rotating the rotating portions 52R and 52L in a predetermined range. Thereby, the cleaning effect of the back surface of the wafer W can be improved.

さらにまた、ウエハＷの裏面の洗浄中に、ウエハＷの上方に配置される複合部材２０の処理液供給部２０Ｌかつ／又は処理液供給部２１Ｌから処理液を供給することにより、ウエハＷの表面に対して液処理を同時に行っても良い。   Furthermore, during the cleaning of the back surface of the wafer W, the surface of the wafer W is supplied by supplying the processing liquid from the processing liquid supply unit 20L and / or the processing liquid supply unit 21L of the composite member 20 disposed above the wafer W. The liquid treatment may be performed simultaneously.

また、裏面処理部材５０と同じ構成を有する処理部材をウエハＷの表面側に配置しても良い。これによれば、ウエハＷの表面側において、処理を簡便に切り替えることができ、また、複数の処理液を使用する場合に処理液間の汚染が抑制される。また、そのような処理部材を用いる場合、複合部材２０は設けなくても良く、また、併せて設けても良い。また、その処理部材に、複合部材２０のガス噴出吸引部２０Ｇを設けても良い。
また、回転部５２Ｌ及び５２Ｒには、２つの液体供給部５０Ａ及び５０Ｂが取り付けられているが、３つの液体供給部を取り付けても良い。この場合、回転部５２Ｌ及び５２Ｒのそれぞれに４５°の角度間隔で、ネジ穴６０Ｒ等に相当するネジ穴を設けて３つの液体供給部を取り付けることができる。図４Ａ及び図４Ｂを参照しながら説明したように、これら３つの液体供給部を回転部５２Ｌ及び５２Ｒに取り付ければ、回転部５２Ｌ及び５２Ｒを４５°回転する毎に、ウエハＷの半径方向に沿って液体供給部を配置することができる。 Further, a processing member having the same configuration as the back surface processing member 50 may be disposed on the front surface side of the wafer W. According to this, processing can be easily switched on the front surface side of the wafer W, and contamination between processing liquids is suppressed when a plurality of processing liquids are used. Moreover, when using such a processing member, the composite member 20 may not be provided, and may be provided together. Further, a gas ejection suction portion 20G of the composite member 20 may be provided in the processing member.
In addition, the two liquid supply parts 50A and 50B are attached to the rotating parts 52L and 52R, but three liquid supply parts may be attached. In this case, it is possible to attach three liquid supply units by providing screw holes corresponding to the screw holes 60R and the like at an angular interval of 45 ° in each of the rotating units 52L and 52R. As described with reference to FIGS. 4A and 4B, if these three liquid supply units are attached to the rotation units 52L and 52R, the rotation units 52L and 52R are rotated along the radial direction of the wafer W every 45 ° rotation. The liquid supply unit can be arranged.

また、円筒形状を有する回転部５２Ｌ及び５２Ｒの代わりに、図１４（ａ）に示すように、回転可能なシャフト５２ＳＬ及び５２ＳＲと、これらのシャフトの上端に対応して設けられ、ほぼ水平方向に延びるＬ字状のアーム５２ＡＬ及び５２ＡＲとを有する治具を用いることもできる。この場合においても、図４Ａ及び図４Ｂを参照しながら説明した方法に従って、これらの治具に対して液体供給部５０Ａ及び５０Ｂを連結し、シャフト５２ＳＬ及び５２ＳＲのいずれか一方又は双方を回転すれば、上述の実施形態と同様の効果が発揮される。また、図１４（ｂ）に示すように、上述のアーム５２ＡＬ及び５２ＡＲの代わりに、扇状板５２ＢＬ（５２ＢＲ）をシャフト５２ＳＬ（５２ＳＲ）の上端に取り付けた治具を用いても良い。
ウエハＷは半導体ウエハにかぎらず、ＦＰＤ用のガラス基板であっても良い。 Further, instead of the rotating parts 52L and 52R having a cylindrical shape, as shown in FIG. 14 (a), the rotatable shafts 52SL and 52SR and the upper ends of these shafts are provided corresponding to the upper ends of the shafts. A jig having extended L-shaped arms 52AL and 52AR can also be used. Even in this case, according to the method described with reference to FIGS. 4A and 4B, the liquid supply parts 50A and 50B are connected to these jigs, and either one or both of the shafts 52SL and 52SR are rotated. The same effect as the above-described embodiment is exhibited. Moreover, as shown in FIG.14 (b), you may use the jig | tool which attached fan-shaped board 52BL (52BR) to the upper end of shaft 52SL (52SR) instead of the above-mentioned arms 52AL and 52AR.
The wafer W is not limited to a semiconductor wafer and may be a glass substrate for FPD.

１・・・液処理装置、１Ｃ・・・筐体、１Ｇ・・・ゲート弁、１Ｈ・・・搬送口、１０・・・ウエハ支持部材、１０ａ・・・プレート部材、１０ｂ・・・ベース部、１０ｃ・・・円周部、Ｓ・・・爪部、２０・・・複合部材、２０Ｄ・・・駆動機構、２０Ｅ・・・昇降機構、２０Ｓ・・・支持部材、２０Ｇ・・・ガス噴出吸引部、２０Ｌ，２１Ｌ・・・処理液供給部、５０・・・裏面処理部材、５０Ａ，５０Ｂ・・・液体供給部、５２Ｒ，５２Ｌ・・・回転部、２００・・・流体供給部、５００・・・ブラシ部材、Ｂ・・・ブラシ、２ＬＨ，２ＧＨ，２ＥＨ・・・孔、Ｍ・・・モータ、Ｗ・・・ウエハ。   DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Liquid processing apparatus, 1C ... Housing | casing, 1G ... Gate valve, 1H ... Transfer port, 10 ... Wafer support member, 10a ... Plate member, 10b ... Base part DESCRIPTION OF SYMBOLS 10c ... Circumference part, S ... Claw part, 20 ... Composite member, 20D ... Drive mechanism, 20E ... Elevating mechanism, 20S ... Support member, 20G ... Gas ejection Suction unit, 20L, 21L ... treatment liquid supply unit, 50 ... backside treatment member, 50A, 50B ... liquid supply unit, 52R, 52L ... rotation unit, 200 ... fluid supply unit, 500 ... Brush member, B ... Brush, 2LH, 2GH, 2EH ... Hole, M ... Motor, W ... Wafer.

Claims (12)

基板を支持し、前記基板を回転する基板支持部材と、
前記基板支持部により支持される基板の中心に対応する位置に配置され、第１の回転軸の周りを回転する第１の回転部と、
前記第１の回転部から第１の方向に離間して配置され、前記第１の回転軸と平行な第２の回転軸の周りを回転する第２の回転部と、
前記第１の回転部及び前記第２の回転部を連結する少なくとも２つの連結部と
を備え、
前記連結部が、前記基板の一方の面に対して処理を行う処理部材を備える液処理装置。 A substrate support member for supporting the substrate and rotating the substrate;
A first rotation unit that is disposed at a position corresponding to the center of the substrate supported by the substrate support unit and rotates around a first rotation axis;
A second rotating part that is arranged away from the first rotating part in a first direction and rotates around a second rotating axis parallel to the first rotating axis;
And at least two connecting parts for connecting the first rotating part and the second rotating part,
A liquid processing apparatus, wherein the connecting portion includes a processing member that performs processing on one surface of the substrate. 前記第１の回転部及び前記第２の回転部の回転により、前記少なくとも２つの処理部が、選択的に、前記基板支持部材により支持される前記基板の半径に沿って配置される、請求項１に記載の液処理装置。   The rotation of the first rotation unit and the second rotation unit selectively arranges the at least two processing units along a radius of the substrate supported by the substrate support member. The liquid processing apparatus according to 1. 前記少なくとも２つの処理部が、前記基板の前記一方の面に対して処理液を供給する処理液供給部である、請求項１又は２に記載の液処理装置。   The liquid processing apparatus according to claim 1, wherein the at least two processing units are processing liquid supply units that supply a processing liquid to the one surface of the substrate. 前記少なくとも２つの処理部のうちの一つが、
気体を噴出可能で、前記基板の前記一方の面に向かって開口する噴出口と、
前記噴出口に連通し、前記噴出口に液体を供給する液体供給導管と
を含む流体供給部であり、
前記少なくとも２つの処理部のうちの他の一つが、
前記基板の前記一方の面に向かって設けられたブラシを含むブラシ部材である、請求項１又は２に記載の液処理装置。 One of the at least two processing units is
A spout capable of ejecting gas and opening toward the one surface of the substrate;
A fluid supply section that communicates with the ejection port and includes a liquid supply conduit that supplies liquid to the ejection port;
Another one of the at least two processing units is
The liquid processing apparatus according to claim 1, wherein the liquid processing apparatus is a brush member including a brush provided toward the one surface of the substrate. 前記流体供給部及び前記ブラシ部材が、前記基板の前記一方の面に対して進退可能に構成される、請求項４に記載の液処理装置。   The liquid processing apparatus according to claim 4, wherein the fluid supply unit and the brush member are configured to be movable back and forth with respect to the one surface of the substrate. 前記基板の他方の面に対して気体を噴出する気体噴出孔と、
前記気体噴出孔から噴出された気体を吸引する吸引孔と
を含み、前記基板を前記基板支持部材に押圧可能な気体噴出吸引部を更に備える、請求項１から５のいずれか一項に記載の液処理装置。 A gas ejection hole for ejecting a gas to the other surface of the substrate;
A suction hole for sucking the gas ejected from the gas ejection hole, and further comprising a gas ejection suction part capable of pressing the substrate against the substrate support member. Liquid processing equipment. 請求項１に記載の液処理装置において実施される液処理方法であって、
前記基板支持部材により前記基板を回転するステップと、
前記一の処理部を用いて前記基板の前記一方の面に対して第１の処理を行うステップと、
少なくとも前記第１の回転部の回転によって、前記第１の方向に沿って互いに平行に、且つ前記第１の方向と直交する第２の方向に前記少なくとも２つの処理部を移動させることにより、前記少なくとも２つの処理部のうちの他の処理部を前記基板の半径に沿った位置に配置するステップと、
前記他の処理部を用いて前記基板の前記一方の面に対して第２の処理を行うステップと
を含む、液処理方法。 A liquid processing method performed in the liquid processing apparatus according to claim 1,
Rotating the substrate by the substrate support member;
Performing a first process on the one surface of the substrate using the one processing unit;
Moving the at least two processing units in a second direction parallel to each other along the first direction and perpendicular to the first direction by at least the rotation of the first rotation unit; Disposing another processing unit of at least two processing units at a position along the radius of the substrate;
Performing a second process on the one surface of the substrate using the other processing unit. 前記第１の処理を行うステップにおいて、前記一の処理部から第１の処理液が供給され、
前記第２の処理を行うステップにおいて、前記他の処理部から第２の処理液が供給される、請求項７に記載の液処理方法。 In the step of performing the first processing, a first processing liquid is supplied from the one processing unit,
The liquid processing method according to claim 7, wherein in the step of performing the second processing, a second processing liquid is supplied from the other processing unit. 前記第１の処理を行うステップ及び前記第２の処理を行うステップが、前記基板の他方の面に対して気体を噴出するステップを含む、請求項７又は８に記載の液処理方法。   The liquid processing method according to claim 7 or 8, wherein the step of performing the first process and the step of performing the second process include a step of ejecting a gas to the other surface of the substrate. 前記第１の処理を行うステップにおいて、前記一の処理部から流体と気体との混合流体が供給され、
前記第２の処理を行うステップにおいて、ブラシを含む前記他の処理部が、前記基板の前記一方の面に接する、請求項７に記載の液処理方法。 In the step of performing the first processing, a mixed fluid of fluid and gas is supplied from the one processing section,
The liquid processing method according to claim 7, wherein in the step of performing the second processing, the other processing unit including a brush is in contact with the one surface of the substrate. 前記第２の処理を行うステップに先だって、前記基板の前記一方の面に向けて前記他の処理部を移動するステップを更に含む、請求項１０に記載の液処理方法。   The liquid processing method according to claim 10, further comprising a step of moving the other processing unit toward the one surface of the substrate prior to the step of performing the second processing. 前記第２の処理を行うステップが、前記基板の他方の面に対して気体を噴出するとともに、前記気体噴出孔から噴出された気体を吸引するステップを含む、請求項１０又は１１に記載の液処理方法。   The liquid according to claim 10 or 11, wherein the step of performing the second treatment includes a step of sucking a gas ejected from the gas ejection hole while ejecting a gas to the other surface of the substrate. Processing method.
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