JP5467311B2 - 有機薄膜太陽電池 - Google Patents
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- 239000010409 thin film Substances 0.000 title claims description 29
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 63
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 24
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 14
- 238000010030 laminating Methods 0.000 claims description 2
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 111
- XMWRBQBLMFGWIX-UHFFFAOYSA-N C60 fullerene Chemical compound C12=C3C(C4=C56)=C7C8=C5C5=C9C%10=C6C6=C4C1=C1C4=C6C6=C%10C%10=C9C9=C%11C5=C8C5=C8C7=C3C3=C7C2=C1C1=C2C4=C6C4=C%10C6=C9C9=C%11C5=C5C8=C3C3=C7C1=C1C2=C4C6=C2C9=C5C3=C12 XMWRBQBLMFGWIX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 25
- 238000000034 method Methods 0.000 description 16
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 12
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 11
- 229910003472 fullerene Inorganic materials 0.000 description 11
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 10
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 10
- 239000010408 film Substances 0.000 description 10
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 9
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 9
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 8
- -1 porphyrin metal complex Chemical class 0.000 description 8
- 230000006798 recombination Effects 0.000 description 8
- 238000005215 recombination Methods 0.000 description 8
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 7
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 7
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 6
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 6
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 description 6
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 5
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 5
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 5
- 238000003475 lamination Methods 0.000 description 4
- 230000035515 penetration Effects 0.000 description 4
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 4
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 3
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 3
- PTFCDOFLOPIGGS-UHFFFAOYSA-N Zinc dication Chemical compound [Zn+2] PTFCDOFLOPIGGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 2
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 2
- 239000012780 transparent material Substances 0.000 description 2
- DGWSNUKQRDJSLY-UHFFFAOYSA-N C(C)C1=C(C=2C=C3C(=C(C(=CC=4C(=C(C(=CC5=C(C(=C(N5)C=C1N2)CC)CC)N4)CC)CC)N3)CC)CC)CC.[Zn] Chemical compound C(C)C1=C(C=2C=C3C(=C(C(=CC=4C(=C(C(=CC5=C(C(=C(N5)C=C1N2)CC)CC)N4)CC)CC)N3)CC)CC)CC.[Zn] DGWSNUKQRDJSLY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CDBYLPFSWZWCQE-UHFFFAOYSA-L Sodium Carbonate Chemical compound [Na+].[Na+].[O-]C([O-])=O CDBYLPFSWZWCQE-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- YCLGKGKABVZDJQ-UHFFFAOYSA-N [Cu].C(C)C1=C(C=2C=C3C(=C(C(=CC=4C(=C(C(=CC5=C(C(=C(N5)C=C1N2)CC)CC)N4)CC)CC)N3)CC)CC)CC Chemical compound [Cu].C(C)C1=C(C=2C=C3C(=C(C(=CC=4C(=C(C(=CC5=C(C(=C(N5)C=C1N2)CC)CC)N4)CC)CC)N3)CC)CC)CC YCLGKGKABVZDJQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 239000005388 borosilicate glass Substances 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 1
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 1
- 238000001540 jet deposition Methods 0.000 description 1
- 230000000873 masking effect Effects 0.000 description 1
- 229910021645 metal ion Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000480 nickel oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 1
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GNRSAWUEBMWBQH-UHFFFAOYSA-N oxonickel Chemical compound [Ni]=O GNRSAWUEBMWBQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000001782 photodegradation Methods 0.000 description 1
- 229920006254 polymer film Polymers 0.000 description 1
- 238000010248 power generation Methods 0.000 description 1
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 1
- 238000007738 vacuum evaporation Methods 0.000 description 1
Images
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- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
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- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
- Y02E10/549—Organic PV cells
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- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
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図3は、従来の有機薄膜太陽電池の典型的な例を示すものである。図中符号1は透明基板を示す。この透明基板1は、ガラス板などの透明材料からもので、その一方の表面にはITO(酸化インジウム・スズ)などからなる透明電極2が形成されている。
この透明電極2上には、光電変換層3が形成されている。この光電変換層3は、電子ドナー層31と電子アクセプター層32とが交互にそれぞれ複数層積層されたものである。
この光電変換層3上にはアルミニウムなどの導電材料からなる背面電極4が設けられている。
さらに、入射光が透明電極2を透過して光電変換層3に入射されるので、透明電極2での光の減衰があり、これによっても光電変換効率が低下することにもなる。
請求項1にかかる発明は、透明基板上に、電子ドナー層と電子アクセプター層とが交互に積層されてなる有機光電変換層が直接設けられ、光が透明基板を透過して直接光電変換層に入射される有機薄膜太陽電池であって、
前記有機光電変換層内に第1貫通電極と第2貫通電極とをそれぞれ1以上埋設し、これら第1貫通電極と第2貫通電極とが有機光電変換層を交互に分断するように配されており、
前記第1および第2貫通電極は、導電部と絶縁部とを交互に直列に連結したものであって、上記導電部と上記絶縁部との界面が有機光電変換層の電子ドナー層と電子アクセプター層との界面に一致するように構成され、第1貫通電極の導電部と第2貫通電極の導電部とが同一材料から構成されていることを特徴とする有機薄膜太陽電池である。
また、透明電極が不要になるので、製造コストの高騰を抑えることができ、透明電極による入射光の減衰もなくなる。さらに、光電変換層内を移動するキャリアの移動距離が短縮され、これによってもキャリアの減少が抑えられる。
請求項3の発明によれば、光電変換層で生じたキャリアの電極への駆動力が大きい場合には、第1貫通電極の導電部と第2貫通電極の導電部とを同一材料で構成でき、構造が比較的複雑な各貫通電極の製造を簡略化できる。
この透明基板11の一方の表面には、直接光電変換層12が設けられている。すなわち、透明基板11の表面に光電変換層12が直接、密着した状態で形成され、透明電極が存在しない。この光電変換層12は、電子ドナー層12Aと電子アクセプター層12Bとが交互にそれぞれ1〜10層程度積層されて構成されている。
この例では、透明基板11の表面に直接接している層は、電子ドナー層12Aであるが、電子アクセプター層12Bであってもよい。
電子アクセプター層12Bは、光の入射により電子(e−)を発生する層であって、例えばフラーレン重合体などのフラーレン誘導体等からなる厚さ1〜100nmの薄膜で構成されている。
第1および第2貫通電極13、14は、その幅(厚さ)が、10nm〜75μmとされた膜状のもので、その幅(厚さ)方向が光電変換層12の厚さ方向と直交するように、換言すれば透明基板11上に直接基板11に対して垂直に立てられた状態で設けられている。
光電変換層12のビルトインポテンシャルとは、電子ドナー層31と電子アクセプター層32とをそれぞれ構成する材料の仕事関数の差に相当する電位差を言い、拡散電位とも呼ばれる。
オクタエチルポリフィリン銅錯体の仕事関数は6.6eVであるので、これとフラーレンC60とを組み合わせた光電変換層12のビルトインポテンシャルは0eV相当となる。
逆に、光電変換層12のビルトインポテンシャルが高い場合には、第1貫通電極13と第2貫通電極14とを同じ材料で構成しても、キャリアの移動が抑えられる程度は小さい。
ここでは、電子ドナー層12Aがポルフィリン金属錯体からなり、電子アクセプター層12Bがフラーレン重合体からなるものについて説明する。
初めから、電子アクセプター層12Bとして、フラーレン重合体を積層することも可能である。
つぎに、第1電極13・・・の端部に銅テープなどからなる第1集電電極を、第2電極14・・・の端部に銅テープなどからなる第2集電電極を貼り付ける。
さらに、ITOからなる透明電極が不要であり、調達が困難なインジウムを使用する必要がなく、透明電極による入射光の減衰もない。
この例においても、第1の例と同様に、複数の第1貫通電極13・・・と複数の第2貫通電極14・・・とが光電変換層12内に交互に埋設された状態で設けられている。個々の第1および第2電極13、14は、第1の例と同様に、透明基板11上に直接基板11に対して垂直に立てられた状態となっており、個々の貫通電極13、14によって、光電変換層12が、分断された状態となっている。
前記導電部Aには金、白金などの導電性材料が用いられ、絶縁部Bには酸化アルミニウム、酸化ニッケルなどの電気絶縁材料が用いられる。
このビルトインポテンシャルが大きい場合には、発生したキャリアの貫通電極への移動のための駆動力が比較的高いことになり、第1貫通電極13と第2貫通電極14の導電部Aをなす材料として互いに仕事関数の同じ材料を用いてもキャリアの移動が低くなることはない。
また、第1貫通電極13の導電部Aと第2貫通電極14の導電部Aとを同一材料で構成でき、構造が比較的複雑な各貫通電極の製造を簡略化できる。
さらに、第1の例の有機薄膜太陽電池と同様に、ITOからなる透明電極が不要であり、調達が困難なインジウムを使用する必要がなく、透明電極による入射光の減衰もない。
(実施例1)
図1に示す本発明の構造のセルを作製した。
透明基板として、厚さ1.1mmの硼珪酸ガラス板を用い、その表面を洗浄した。このガラス板の中央部以外をマスクして光電変換層を成膜した。真空蒸着装置のチャンバー内にガラス板を置き、電子ドナー層となる蒸着源として2,3,7,8,12,13,17,18−オクタエチル−21H,23Hポルフィン亜鉛(II)(Zn(OEP))を、電子アクセプター層となる蒸着源としてフラーレンC60を用いて、真空蒸着を交互に行った。真空度は約5×10−3Pa、時間約1分、積層はZn(OEP)、フラーレンC60の順番で繰り返して光電変換層を形成した。
この後、集束イオンビーム装置(FEI Company製 Quanta 200 3D)を用い、光電変換層12の第1貫通電極13・・・および第2貫通電極14・・・が設けられる部分にガリウムなどの金属イオンをビーム径10μmにて照射し、光電変換層12をエッチング除去して幅10μm程度の溝(トレンチ)を複数個形成した。
つぎに、第1電極13・・・の端部に銅テープなどからなる第1集電電極を、第2電極14・・・の端部に銅テープなどからなる第2集電電極を貼り付けた。
図3に示す従来の構造のセルを作製した。
基板として、厚さ1.1mmのITO膜付きソーダガラスを用い、余分の範囲のITO膜を除去し、表面洗浄した。真空蒸着装置のチャンバー内にガラス板を置き、電子ドナー層となる蒸着源として2,3,7,8,12,13,17,18−オクタエチル−21H,23Hポルフィン亜鉛(II)(Zn(OEP))を、電子アクセプター層となる蒸着源としてフラーレンC60を用いて、真空蒸着を交互に行った。真空度は約5×10−3Pa、時間約1分、積層はITO膜の上に、Zn(OEP)、フラーレンC60の順番で繰り返して光電変換層を形成した。
所定回数の蒸着を行った後、光電変換層の表面にアルミニウムを蒸着して電極を形成した。真空度は約5×10−3Pa、時間約1分とした。
図1に示す構造の有機薄膜太陽電池を別の方法により製作した。透明基板として厚さ0.5mmの透明ポリエチレンテレフタレート(PET)フィルムを用い、この表面を有機溶剤にて清拭した。このフィルムの表面に実施例1と同様にして、Zn(OEP)、フラーレンC60の順番で5回づつ交互に真空蒸着して積層し、厚さ約1μmの光電変換層12を形成した。
ついで、外径50μmの金およびアルミニウムからなる2種のボンディングワイヤを用意し、このボンディングワイヤを光電変換層12上に交互に1mm間隔で平行に並べたのち、機械的にボンディングワイヤを光電変換層12に押し込み、ボンディングワイヤからなる第1貫通電極13・・・と第2貫通電極14・・・を形成した。
このセルの特性を測定したところ、開放電圧0.35V、短絡電流密度7.2×10−4mA/cm2であった。
Claims (1)
- 透明基板上に、電子ドナー層と電子アクセプター層とが交互に積層されてなる有機光電変換層が直接設けられ、光が透明基板を透過して直接光電変換層に入射される有機薄膜太陽電池であって、
前記有機光電変換層内に第1貫通電極と第2貫通電極とをそれぞれ1以上埋設し、これら第1貫通電極と第2貫通電極とが有機光電変換層を交互に分断するように配されており、
前記第1および第2貫通電極は、導電部と絶縁部とを交互に直列に連結したものであって、上記導電部と上記絶縁部との界面が有機光電変換層の電子ドナー層と電子アクセプター層との界面に一致するように構成され、第1貫通電極の導電部と第2貫通電極の導電部とが同一材料から構成されていることを特徴とする有機薄膜太陽電池。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2009142456A JP5467311B2 (ja) | 2009-06-15 | 2009-06-15 | 有機薄膜太陽電池 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2009142456A JP5467311B2 (ja) | 2009-06-15 | 2009-06-15 | 有機薄膜太陽電池 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2010287849A JP2010287849A (ja) | 2010-12-24 |
JP5467311B2 true JP5467311B2 (ja) | 2014-04-09 |
Family
ID=43543304
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2009142456A Active JP5467311B2 (ja) | 2009-06-15 | 2009-06-15 | 有機薄膜太陽電池 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5467311B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2013024602A1 (ja) | 2011-08-15 | 2013-02-21 | 独立行政法人科学技術振興機構 | 有機太陽電池用有機材料の評価装置および評価方法 |
Family Cites Families (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
AUPM483494A0 (en) * | 1994-03-31 | 1994-04-28 | Pacific Solar Pty Limited | Multiple layer thin film solar cells |
JP4548779B2 (ja) * | 2004-01-23 | 2010-09-22 | 日本電信電話株式会社 | 有機光電変換デバイス及び有機太陽電池 |
JP4783958B2 (ja) * | 2006-03-20 | 2011-09-28 | パナソニック電工株式会社 | 有機薄膜太陽電池 |
US7687870B2 (en) * | 2006-12-29 | 2010-03-30 | Panasonic Corporation | Laterally configured electrooptical devices |
-
2009
- 2009-06-15 JP JP2009142456A patent/JP5467311B2/ja active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2010287849A (ja) | 2010-12-24 |
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A621 | Written request for application examination |
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