JP5457122B2 - 液体吐出装置 - Google Patents
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Description
前記振動板は絶縁体からなるものであり、
該振動板の、前記圧力室の内壁面側に導電層を備えていることを特徴とするものである。
前記圧電素子が、該複数の圧液室にそれぞれ対応して複数形成されてなり、
該複数の圧電素子の前記下部電極は各圧電素子毎に個別分離した個別電極であり、該下部電極が前記駆動回路に接続され、駆動電位が与えられるアドレス電極であることが望ましい。
本発明の第1の実施形態の液体吐出装置(インクジェット式記録ヘッド)1について説明する。図1Aは本発明に係る第1の実施形態の液体吐出装置の要部平面図、図1Bは図1Aの液体吐出装置の1B−1B断面図(圧電素子の厚み方向の断面図)、図2A〜図2Dは液体吐出装置の製造工程を示す断面図である。
一般式AaBbO3・・・(P)
(式中、A:Aサイト元素であり、Pbを含む少なくとも1種の元素、
B:Bサイトの元素であり、Ti,Zr,V,Nb,Ta,Cr,Mo,W,Mn,Sc,Co,Cu,In,Sn,Ga,Zn,Cd,FeおよびNiからなる群より選ばれた少なくとも1種の元素、
O:酸素原子。
a=1.0かつb=1.0である場合が標準であるが、これらの数値はペロブスカイト構造を取り得る範囲内で1.0からずれてもよい。)
圧電体膜22の膜厚は特に制限なく、通常1μm以上であり、例えば1〜10μmである。
ターゲット印加電圧:2.5W/cm2、
基板−ターゲット間距離:60mm、
真空度:0.5Pa、
成膜ガス:Ar/O2混合ガス(O2分圧1.3モル%)、
その後、上部電極23を圧電体膜22上に全面ベタ形成する。上部電極23は、一例として、50nm厚のTi層と200nm厚のPt層との積層構造である。
図3は、第1の実施形態の設計変更例の液体吐出装置1’を示す。液体吐出装置1’は、圧力室11の内壁面のうち、ノズルプレート13の内壁部に導電層16および内部保護膜17を備えていない点でのみ第1の実施形態の液体吐出装置1と異なる。液体吐出装置1’は、上述の第1の実施形態の液体吐出装置1の製造方法において、ノズルプレート13を基板12の裏面に接着する前に、基板12の裏面のダイアフラム構造15の開口部から通常のスパッタ、蒸着等気相成膜によりダイアフラム構造の壁面に導電層16および内部保護膜17を順に成膜形成し、導電層16および内部保護膜17の成膜後、基板12裏面にノズルプレート13を接着するようにすればよい。
本発明の第2の実施形態の液体吐出装置(インクジェット式記録ヘッド)2について説明する。図4Aは本発明に係る第2の実施形態の液体吐出装置の平面図、図4Bは図4Aの液体吐出装置の4B−4B断面図(圧電素子の厚み方向の断面図)である。図4Aおよび図4Bにおいて、第1の実施形態の液体吐出装置1と同一の構成要素については同一の符号を付し、詳細な説明を省略する。
図5および図6を参照して、上記第1の実施形態のインクジェット式記録ヘッド1を備えたインクジェット式記録装置100の構成例について説明する。図5は装置全体図であり、図6は部分上面図である。
Siウエハ上に30nm厚のTi密着層と100nm厚のIr層とが順次積層された下部電極付き基板を用意した。その後、下部電極を個別化するためにドライエッチングにてIr/Ti下部電極のエッチングを行い、パターン電極化処理をした。次いで、Pb1.3Zr0.52Ti0.48O3のターゲットを用い、RFスパッタリング装置により、5μm厚のPZT圧電体膜を全面に成膜した。成膜条件は以下の通りとした。
基板温度:525℃、
ターゲット印加電圧:2.5W/cm2、
基板−ターゲット間距離:60mm、
真空度:0.5Pa、
成膜ガス:Ar/O2混合ガス(O2分圧1.3モル%)。
比較例1のインクジェット式記録ヘッドに対して、圧力室から連通して設けられている流路の開口部からガスフロー蒸着により、圧力室の内壁に導電層として酸化物導電体であるITO(In2O3:Sn)を形成した。ガスフロー蒸着は、真空チャンバ内にてプラズマによりターゲット材料をプラズマ化し、アルゴンガスフローにより局所構造中への成膜を行うものとした。これにより流路及びインク室内に厚み50nmのITO膜を形成した。
さらに、有機シリコン系材料のガスフロー蒸着により、内部保護膜としてSiO2膜を厚み50nm成膜した。このようにして得られた、圧力室内壁に導電層(帯電防止膜)を有するインクジェット式記録ヘッドを実施例1とした。
次に、帯電防止膜が酸化物導電体からなるものであることが好ましいことを確認した密着性確認実験について説明する。
このように、導電層として金属であるTiを用いた場合、帯電防止効果は十分に得られたが、一方で、SiO2膜の密着性が非常に低く、内部保護膜の機能が著しく低下することが判明した。
[サンプル1]
シリコン基板上に膜厚50nmのTi膜を全面形成し、その上にSiO2膜を上記と同じ成膜手法(ガスフロー蒸着)にて膜厚50nm成膜した。
[サンプル2]
シリコン基板上に膜厚50nmのITO膜を全面形成し、その上にSiO2膜を同様の手法で膜厚50nm成膜した。
SiO2膜の密着性強度評価のためにスクラッチ法による密着性評価を行った。スクラッチ法とは一定の曲率半径を持つ硬いダイヤモンド圧子を膜面に押しつけ、荷重を増加させながら膜面を引っ掻くことで膜の破壊が発生する臨界荷重値から密着強度を求める方法である。なお、密着強度の指標であるせん断応力(せん断剥離強度)Fは下記の式で求められる。
F=H/√((πH/W)*R2-1) W:印加荷重値
R:圧子の曲率半径
H:基材のブリネル硬度
F:せん断応力
この結果、Ti金属膜上のSiO2膜(サンプル1)のせん断剥離強度は100kgf/cm2以下であったのに対して、ITO膜上のSiO2膜(サンプル2)のせん断剥離強度は450kgf/cm2であった。
10 液体吐出部材
11 圧力室
12 基板
13 ノズルプレート
13a 液体吐出口
15 ダイアフラム構造
16 導電層
17 内部保護膜
20 40 圧電素子
21、41 下部電極
22、42 圧電体膜
23、43 上部電極
26、46 下部側電気配線
27、47 上部側電気配線
30 負駆動IC(駆動回路)
50 正駆動IC(駆動回路)
100 インクジェット式記録装置
Claims (5)
- 液体が充填される圧力室および該圧力室に連通し該圧力室内の前記液体を外部に吐出する液体吐出口を有する液体吐出部材の前記圧力室上に、該圧力室の一壁面を構成する振動板を介して、下部電極と圧電体膜と上部電極とを順次備えた圧電素子が形成されてなり、該下部電極および上部電極間に所定の駆動回路を介して電圧が印加されることにより前記振動板が駆動されて前記圧力室内の前記液体を前記液体吐出口から吐出する液体吐出装置であって、
前記振動板は絶縁体からなるものであり、
該振動板の、前記圧力室の内壁面側に導電層を備えており、
前記導電層を含む前記圧力室の内壁面に、有機シリコン系材料からなる内部保護膜を備えていることを特徴とする液体吐出装置。 - 前記導電層が酸化物導電材料からなることを特徴とする請求項1記載の液体吐出装置。
- 前記圧電素子の前記下部電極が、前記所定の駆動回路に接続され、駆動電位が与えられるアドレス電極であることを特徴とする請求項1または2項記載の液体吐出装置。
- 前記液体吐出部材が前記圧力室を複数備え、
前記圧電素子が、該複数の圧液室にそれぞれ対応して複数形成されてなり、
該複数の圧電素子の前記下部電極は各圧電素子毎に個別分離した個別電極であり、該下部電極が前記駆動回路に接続され、駆動電位が与えられるアドレス電極であることを特徴とする請求項1から3いずれか1項記載の液体吐出装置。 - 前記絶縁体がシリコンであることを特徴とする請求項1から4いずれか1項記載の液体吐出装置。
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