JP5445658B2 - 光導波路素子 - Google Patents
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Description
電気光学効果を有する基板と、
前記基板上に形成された光導波路と、
前記光導波路内を導波する光波を変調するための複数の変調用電極とを具え、
前記光導波路は、前記光波の進行方向において少なくとも2つに分岐して少なくとも2本のメイン光導波路を構成し、各メイン光導波路は前記光波の前記進行方向においてさらに少なくとも2つに分岐して少なくとも2本のサブ光導波路を構成し、
前記少なくとも2本のメイン光導波路は、メインマッハツエンダー型光導波路を構成するとともに、前記少なくとも2本のサブ光導波路は、前記メインマッハツエンダー型光導波路内に組み込まれるようにしてサブマッハツエンダー型光導波路を構成し、
前記サブ光導波路から構成される総ての前記サブマッハツェンダー型光導波路は、前記光波の前記進行方向を基準とした場合に、前記少なくとも2本のメイン光導波路間において少なくとも一部が非並列に形成されていることを特徴とする、光導波路素子(ネスト型光導波路構造の光導波路素子)に関する。
また、本発明は、
電気光学効果を有する基板と、
前記基板上に形成された光導波路と、
前記光導波路内を導波する光波を変調するための複数の変調用電極とを具え、
前記光導波路は、前記光波の進行方向において分岐して少なくとも2本のメイン光導波路を構成し、各メイン光導波路は前記光波の前記進行方向においてさらに分岐して少なくとも2 本のサブ光導波路を構成し、
前記少なくとも2本のメイン光導波路は、メインマッハツェンダー型光導波路を構成するとともに、前記少なくとも2本のサブ光導波路は、前記メインマッハツェンダー型光導波路内に組み込まれるようにしてそれぞれが近接してサブマッハツェンダー型光導波路を構成し、
前記少なくとも2本のメイン光導波路それぞれには1つのサブマッハツエンダー型光導波路が形成され、
前記サブ光導波路から構成される隣接する前記サブマッハツェンダー型光導波路は、前記光波の前記進行方向を基準とした場合において、少なくとも一部が非並列に形成されていることを特徴とする、光導波路素子(ネスト型光導波路構造の光導波路素子)に関する。
図1は、本発明の第1の実施形態における光導波路素子の構成を示す平面図である。本実施形態における光導波路素子10は、電気光学効果を有する基板11、この基板11の表面部分に形成された光導波路12を具えている。光導波路12は、光波の進行方向において2つに分岐して2本のメイン光導波141及び142を構成し、各メイン光導波路141及び142は、それぞれ前記光波の前記進行方向においてさらに2つに分岐して2本のサブ光導波路151及び152、並びに161及び162を構成する。
図2は、第2の実施形態における光導波路素子を示す平面図である。本実施形態において、第1の実施形態と同一及び類似の構成要素に関しては、同じ参照数字を用いて表している。
図4は、第4の実施形態における光導波路素子を示す平面図である。本実施形態において、第1の実施形態と同一及び類似の構成要素に関しては、同じ参照数字を用いて表している。また、本実施形態では、その特徴を明確かつ簡略に説明すべく、変調用電極などについてその記載を省略している。
11 基板
12 光導波路
14 メインマッハツェンダー型光導波路
15 第1のサブマッハツェンダー型光導波路
16 第2のサブマッハツェンダー型光導波路
Claims (4)
- 電気光学効果を有する基板と、
前記基板上に形成された光導波路と、
前記光導波路内を導波する光波を変調するための複数の変調用電極とを具え、
前記光導波路は、前記光波の進行方向において少なくとも2つに分岐して少なくとも2本のメイン光導波路を構成し、各メイン光導波路は前記光波の前記進行方向においてさらに少なくとも2つに分岐して少なくとも2本のサブ光導波路を構成し、
前記少なくとも2本のメイン光導波路は、メインマッハツエンダー型光導波路を構成するとともに、前記少なくとも2本のサブ光導波路は、前記メインマッハツエンダー型光導波路内に組み込まれるようにしてサブマッハツエンダー型光導波路を構成し、
前記サブ光導波路から構成される総ての前記サブマッハツェンダー型光導波路は、前記光波の前記進行方向を基準とした場合に、前記少なくとも2本のメイン光導波路間において少なくとも一部が非並列に形成されていることを特徴とする、光導波路素子。 - 電気光学効果を有する基板と、
前記基板上に形成された光導波路と、
前記光導波路内を導波する光波を変調するための複数の変調用電極とを具え、
前記光導波路は、前記光波の進行方向において分岐して少なくとも2本のメイン光導波路を構成し、各メイン光導波路は前記光波の前記進行方向においてさらに分岐して少なくとも2 本のサブ光導波路を構成し、
前記少なくとも2本のメイン光導波路は、メインマッハツェンダー型光導波路を構成するとともに、前記少なくとも2本のサブ光導波路は、前記メインマッハツェンダー型光導波路内に組み込まれるようにしてそれぞれが近接してサブマッハツェンダー型光導波路を構成し、
前記少なくとも2本のメイン光導波路それぞれには1つのサブマッハツエンダー型光導波路が形成され、
前記サブ光導波路から構成される隣接する前記サブマッハツェンダー型光導波路は、前記光波の前記進行方向を基準とした場合において、少なくとも一部が非並列に形成されていることを特徴とする、光導波路素子。 - 前記基板と前記複数の変調用電極それぞれとの間に形成されたバッファ層を具えることを特徴とする、請求項1又は2に記載の光導波路素子。
- 前記少なくとも2本のメイン光導波路は、前記光波の入射側と相対向する端部から前記入射側に向けて折り返された構造を有していることを特徴とする、請求項1乃至請求項3に記載の光導波路素子。
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