JP5303848B2 - 光導波路素子、及び光導波路素子の光クロストーク抑止方法 - Google Patents
光導波路素子、及び光導波路素子の光クロストーク抑止方法 Download PDFInfo
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Description
なわち動作点が随時シフトしてしまい、安定な動作を確保することができないという問題があった。
電気光学効果を有する基板と、
前記基板上に形成された光導波路と、
前記光導波路内を導波する光波を変調するための複数の変調用電極とを具え、
前記光導波路は、前記光波の進行方向において少なくとも2つに分岐して少なくとも2本のメイン光導波路を構成し、各メイン光導波路は前記光波の前記進行方向においてさらに少なくとも2つに分岐して少なくとも2本のサブ光導波路を構成し、
前記少なくとも2本のメイン光導波路は、メインマッハツエンダー型光導波路を構成するとともに、前記少なくとも2本のサブ光導波路は、前記メインマッハツエンダー型光導波路内に組み込まれるようにしてサブマッハツエンダー型光導波路を構成し、
前記サブ光導波路から構成される前記サブマッハツエンダー型光導波路の全ては、前記光波の前記進行方向を基準とした場合に、前記全てのメイン光導波路間において互いに異なる位置に形成されていることを特徴とする、光導波路素子に関する。
電気光学効果を有する基板と、前記基板上に形成された光導波路と、前記光導波路内を導波する光波を変調するための複数の変調用電極とを具え、
前記光導波路は、前記光波の進行方向において少なくとも2つに分岐して少なくとも2本のメイン光導波路を構成し、各メイン光導波路は前記光波の前記進行方向においてさらに少なくとも2つに分岐して少なくとも2本のサブ光導波路を構成し、前記少なくとも2本のメイン光導波路は、メインマッハツエンダー型光導波路を構成するとともに、前記少なくとも2本のサブ光導波路は、前記メインマッハツエンダー型光導波路内に組み込まれるようにしてサブマッハツエンダー型光導波路を構成してなる光導波路素子において、
前記サブ光導波路から構成される前記サブマッハツエンダー型光導波路の全てを、前記光波の前記進行方向を基準とした場合に、前記全てのメイン光導波路間において、前記サブマッハツエンダー型光導波路の変調部が重なり合わないようにして形成し、前記サブマッハツエンダー型光導波路間の光クロストークを抑止することを特徴とする、光導波路素子(ネスト型導波路構造の光導波路素子)の光クロストーク抑止方法に関する。
図1は、本発明の第1の実施形態における光導波路素子の構成を示す平面図である。本実施形態における光導波路素子10は、電気光学効果を有する基板11、この基板11の表面部分に形成された光導波路12を具えている。光導波路12は、光波の進行方向において2つに分岐して2本のメイン光導波141及び142を構成し、各メイン光導波路141及び142は、それぞれ前記光波の前記進行方向においてさらに2つに分岐して2本のサブ光導波路151及び152、並びに161及び162を構成する。
図2は、第2の実施形態における光導波路素子を示す平面図である。本実施形態において、第1の実施形態と同一及び類似の構成要素に関しては、同じ参照数字を用いて表している。
図3は、第2の実施形態における光導波路素子を示す平面図である。本実施形態において、第1の実施形態と同一及び類似の構成要素に関しては、同じ参照数字を用いて表している。
11 基板
12 光導波路
14 メインマッハツエンダー型光導波路
15 第1のサブマッハツエンダー型光導波路
16 第2のサブマッハツエンダー型光導波路
Claims (6)
- 電気光学効果を有する基板と、
前記基板上に形成された光導波路と、
前記光導波路内を導波する光波を変調するための複数の変調用電極とを具え、
前記光導波路は、前記光波の進行方向において少なくとも2つに分岐して少なくとも2本のメイン光導波路を構成し、各メイン光導波路は前記光波の前記進行方向においてさらに少なくとも2つに分岐して少なくとも2本のサブ光導波路を構成し、
前記少なくとも2本のメイン光導波路は、メインマッハツエンダー型光導波路を構成するとともに、前記少なくとも2本のサブ光導波路は、前記メインマッハツエンダー型光導波路内に組み込まれるようにしてサブマッハツエンダー型光導波路を構成し、
前記サブ光導波路から構成される前記サブマッハツエンダー型光導波路の全ては、前記光波の前記進行方向を基準とした場合に、前記全てのメイン光導波路間において互いに異なる位置に形成されていることを特徴とする、光導波路素子。 - 前記少なくとも2つのサブマッハツエンダー型光導波路は、前記光波の前記進行方向において、少なくとも前記サブマッハツエンダー型光導波路の変調部が重なり合わないようにして形成されたことを特徴とする、請求項1に記載の光導波路素子。
- 前記少なくとも2本のメイン光導波路は、前記基板の途中経路において互いに交差し、前記光波の進行方向において、前記少なくとも2つのサブマッハツエンダー型光導波路の少なくとも1つは、前記メイン光導波路の交点の前方に位置するとともに、前記少なくとも2つのサブマッハツエンダー型光導波路の残りは、前記メイン光導波路の交点の後方に位置することを特徴とする、請求項1に記載の光導波路素子。
- 前記少なくとも2つのサブマッハツエンダー型光導波路は、前記光波の前記進行方向において並列に形成されるとともに、前記光波の前記進行方向において互いに前方及び後方に位置するようにして形成されたことを特徴とする、請求項1に記載の光導波路素子。
- 前記サブマッハツエンダー型光導波路は3つ以上であって、前記光波の前記進行方向において、少なくとも前記サブマッハツエンダー型光導波路の変調部が重なり合わないようにして形成されたことを特徴とする、請求項1に記載の光導波路素子。
- 電気光学効果を有する基板と、前記基板上に形成された光導波路と、前記光導波路内を導波する光波を変調するための複数の変調用電極とを具え、
前記光導波路は、前記光波の進行方向において少なくとも2つに分岐して少なくとも2本のメイン光導波路を構成し、各メイン光導波路は前記光波の前記進行方向においてさらに少なくとも2つに分岐して少なくとも2本のサブ光導波路を構成し、前記少なくとも2本のメイン光導波路は、メインマッハツエンダー型光導波路を構成するとともに、前記少なくとも2本のサブ光導波路は、前記メインマッハツエンダー型光導波路内に組み込まれるようにしてサブマッハツエンダー型光導波路を構成してなる光導波路素子において、
前記サブ光導波路から構成される前記サブマッハツエンダー型光導波路の全てを、前記光波の前記進行方向を基準とした場合に、前記全てのメイン光導波路間において、前記サブマッハツエンダー型光導波路の変調部が重なり合わないようにして形成し、前記サブマッハツエンダー型光導波路間の光クロストークを抑止することを特徴とする、光導波路素子の光クロストーク抑止方法。
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