JP5437680B2 - Semiconductor wafer double-side grinding apparatus and double-side grinding method - Google Patents
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Description
本発明は、半導体ウェーハの両面研削装置及び両面研削方法に関する。 The present invention relates to a semiconductor wafer double-side grinding apparatus and a double-side grinding method.
従来から、半導体ウェーハを鉛直方向に立てた姿勢に支持して軸線周りに回転させながら両面を研削する両面研削装置が提案されている(例えば、特許文献1参照)。このような両面研削装置では、回転する半導体ウェーハの両面に厚みセンサを接触させた状態に保持し、厚みセンサにより両面研削の開始から終了まで継続して半導体ウェーハの厚みを監視しながら両面研削工程を実行する。 2. Description of the Related Art Conventionally, a double-sided grinding apparatus has been proposed that grinds both sides while rotating a semiconductor wafer around an axis while supporting the semiconductor wafer in a vertical position (see, for example, Patent Document 1). In such a double-sided grinding apparatus, the thickness sensor is held in contact with both surfaces of the rotating semiconductor wafer, and the thickness sensor continuously monitors the thickness of the semiconductor wafer from the start to the end of the double-sided grinding process. Execute.
ところで、両面研削工程に供される半導体ウェーハは、前工程としてのスライス工程において、ワイヤソー等によって所定の厚さにスライスされる。
このスライス工程において、半導体ウェーハの両面にはワイヤソー等によるソーマークが形成されている。ソーマークとは、ワイヤソー等によりスライスされた半導体ウェーハの両面に残る起伏、段差等の切断痕のことである。
By the way, the semiconductor wafer subjected to the double-side grinding process is sliced to a predetermined thickness by a wire saw or the like in a slicing process as a previous process.
In this slicing step, saw marks are formed on both sides of the semiconductor wafer by a wire saw or the like. The saw mark is a cut mark such as undulations and steps remaining on both surfaces of a semiconductor wafer sliced by a wire saw or the like.
しかしながら、両面研削装置にセットした半導体ウェーハの両面に厚みセンサを接触させた状態で半導体ウェーハを回転させると、半導体ウェーハの両面のソーマークが厚みセンサを通過する際に厚みセンサを跳ね上げる。これにより厚みセンサが微小に振動し、半導体ウェーハの両面にキズを付ける場合がある。 However, if the semiconductor wafer is rotated in a state where the thickness sensors are in contact with both surfaces of the semiconductor wafer set in the double-side grinding apparatus, the thickness sensors jump up when the saw marks on both surfaces of the semiconductor wafer pass through the thickness sensors. As a result, the thickness sensor vibrates slightly, and the semiconductor wafer may be scratched on both sides.
このような厚みセンサの振動により半導体ウェーハの両面に付くキズは、両面研削工程を実行しても消滅しないほど深い場合が多い。このキズは、両面研削工程後に片面ずつ研削する仕上げ研削工程でも消滅しないため、出荷工程で製品不良として発見されることになる。 Scratches on both sides of the semiconductor wafer due to such vibration of the thickness sensor are often so deep that they do not disappear even when the double-side grinding process is executed. Since this scratch does not disappear even in the finish grinding process in which each side is ground after the double-side grinding process, it is discovered as a product defect in the shipping process.
本発明は、上述の課題に鑑みてなされたものであり、半導体ウェーハの両面に接触式の厚みセンサに起因するキズが付くことを抑制することができる半導体ウェーハの両面研削装置及び両面研削方法を提供することを目的とする。 The present invention has been made in view of the above-described problems, and provides a double-sided grinding apparatus and double-sided grinding method for a semiconductor wafer capable of suppressing scratches caused by a contact-type thickness sensor on both sides of a semiconductor wafer. The purpose is to provide.
(1)本発明の半導体ウェーハの両面研削装置は、半導体ウェーハを鉛直方向に立てた姿勢で支持して軸線周りに回転させる回転駆動部と、前記半導体ウェーハの両面に供給する流体の圧力により当該両面を支持する一対の静圧パッドと、前記半導体ウェーハの回転軸線と平行な軸線周りに回転して当該半導体ウェーハの両面を研削する一対の研削用砥石と、前記半導体ウェーハの両面に接触する接触位置と接触しない非接触位置との間を移動可能であり、前記接触位置にある場合に前記半導体ウェーハの厚みを監視する厚みセンサと、前記研削用砥石による両面研削工程の開始から所定の段階まで前記厚みセンサを前記非接触位置に保持し、前記所定の段階から両面研削工程の終了まで前記厚みセンサを前記接触位置に保持する切り換え部と、を備えることを特徴とする。 (1) A semiconductor wafer double-side grinding apparatus according to the present invention includes a rotational drive unit that supports a semiconductor wafer in a vertical position and rotates it around an axis, and a pressure of fluid supplied to both surfaces of the semiconductor wafer. A pair of static pressure pads that support both surfaces, a pair of grinding wheels that rotate around an axis parallel to the rotation axis of the semiconductor wafer to grind both surfaces of the semiconductor wafer, and contacts that contact both surfaces of the semiconductor wafer From the start of the double-sided grinding process by the grinding wheel with a thickness sensor that can move between a position and a non-contact position that is movable, and monitors the thickness of the semiconductor wafer when in the contact position. A switching unit that holds the thickness sensor at the non-contact position and holds the thickness sensor at the contact position from the predetermined stage to the end of the double-side grinding process. , Characterized in that it comprises a.
(2)前記所定の段階は、半導体ウェーハの両面からソーマークが実質的に消滅する段階であることが好ましい。 (2) Preferably, the predetermined stage is a stage in which the saw mark substantially disappears from both sides of the semiconductor wafer.
(3)前記所定の段階は、両面研削工程の開始からあらかじめ設定された時間が経過する時期であることが好ましい。 (3) It is preferable that the predetermined stage is a time when a preset time elapses from the start of the double-side grinding process.
(4)本発明の半導体ウェーハの両面研削方法は、半導体ウェーハを鉛直方向に立てた姿勢で支持して軸線周りに回転させる回転駆動部と、前記半導体ウェーハの両面に供給する流体の圧力により当該両面を支持する一対の静圧パッドと、前記半導体ウェーハの回転軸線と平行な軸線周りに回転して当該半導体ウェーハの両面を研削する一対の研削用砥石と、前記半導体ウェーハの両面に接触する接触位置と接触しない非接触位置との間を移動可能であり、前記接触位置にある場合に前記半導体ウェーハの厚みを監視する厚みセンサと、備える両面研削装置を用いた半導体ウェーハの両面研削方法であって、前記研削用砥石による両面研削工程の開始から所定の段階まで前記厚みセンサを前記非接触位置に保持して前記半導体ウェーハの両面の研削を行う非厚み監視研削工程と、前記所定の段階から両面研削工程の終了まで前記厚みセンサを前記接触位置に保持して前記半導体ウェーハの両面の研削を行う厚み監視研削工程と、を含むことを特徴とする。 (4) The method for double-sided grinding of a semiconductor wafer according to the present invention includes a rotary drive unit that supports the semiconductor wafer in a vertical position and rotates it around an axis, and a pressure of fluid supplied to both sides of the semiconductor wafer. A pair of static pressure pads that support both surfaces, a pair of grinding wheels that rotate around an axis parallel to the rotation axis of the semiconductor wafer to grind both surfaces of the semiconductor wafer, and contacts that contact both surfaces of the semiconductor wafer A method of double-sided grinding of a semiconductor wafer using a double-sided grinding apparatus comprising a thickness sensor that can move between a non-contact position and a non-contact position and that monitors the thickness of the semiconductor wafer when in the contact position. The thickness sensor is held at the non-contact position from the start of the double-side grinding process by the grinding wheel to a predetermined stage, and the both sides of the semiconductor wafer A non-thickness monitoring grinding process for performing grinding, and a thickness monitoring grinding process for grinding both surfaces of the semiconductor wafer while holding the thickness sensor at the contact position from the predetermined stage to the end of the double-side grinding process. It is characterized by.
(5)前記所定の段階は、半導体ウェーハの両面からソーマークが実質的に消滅する段階であることが好ましい。 (5) Preferably, the predetermined stage is a stage in which the saw mark substantially disappears from both surfaces of the semiconductor wafer.
(6)前記所定の段階は、両面研削工程の開始からあらかじめ設定された時間が経過する時期であることが好ましい。 (6) It is preferable that the predetermined stage is a time when a preset time elapses from the start of the double-side grinding process.
本発明によれば、半導体ウェーハの両面に接触式の厚みセンサに起因するキズが付くことを抑制することができる半導体ウェーハの両面研削装置及び両面研削方法を提供することができる。 ADVANTAGE OF THE INVENTION According to this invention, the double-sided grinding apparatus and double-sided grinding method of a semiconductor wafer which can suppress that the crack resulting from a contact-type thickness sensor is attached to both surfaces of a semiconductor wafer can be provided.
以下、本発明の一実施形態について、図面を参照しながら説明する。
まず、図1及び図2を参照して半導体ウェーハの両面研削装置10の全体構成について説明する。両面研削装置10は、半導体ウェーハとしてのシリコンウェーハ1の両面を同時に研削するものである。
Hereinafter, an embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings.
First, with reference to FIG.1 and FIG.2, the whole structure of the double-sided
図1及び図2に示すように、本実施形態の両面研削装置10は、キャリア11と、回転駆動部としての回転ローラ13及び支持ローラ14と、一対の静圧パッド21、26と、一対の研削用砥石31、36と、制御装置50(図5参照)と、流体供給部20(図5参照)と、厚みセンサ40と、切り換え部45(図3から図5参照)と、を備える。制御装置50は、回転ローラ13、流体供給部20、研削用砥石31、36、厚みセンサ40、切り換え部45などの各種制御を行う。
As shown in FIGS. 1 and 2, the double-
キャリア11は、リング状の部材であり、その内周部に1個の突起12を有する。キャリア11の内周部には、薄板円盤状のシリコンウェーハ1が充填される。キャリア11の厚さは、シリコンウェーハ1の厚さよりも薄く形成されている。キャリア11の内周部にシリコンウェーハ1が充填されることで、シリコンウェーハ1の外周部を保護することができる。その際、シリコンウェーハ1の外周部に形成したノッチ2を、キャリア11の突起12に嵌合することで、キャリア11に対してシリコンウェーハ1を円周方向に位置決めする。これにより、キャリア11をリングの中心周りに回転させることにより、シリコンウェーハ1をキャリア11と一体的に回転させることができる。
The
回転ローラ13及び支持ローラ14は、シリコンウェーハ1を鉛直方向に立てた姿勢で支持して、水平な軸線1aの周りに回転させる。ここで、「鉛直方向」とは、典型的には、重力の方向であるが、重力の方向から若干傾いていてもよい。
一対の静圧パッド21、26の間にシリコンウェーハ1が配置される。一対の静圧パッド21、26は、シリコンウェーハ1の両面3、4に供給される流体25の圧力により、回転するシリコンウェーハ1の両面3、4を支持する。
一対の研削用砥石31、36は、シリコンウェーハ1の回転軸線1aと平行な軸線31a、36aの周りに回転して、シリコンウェーハ1の両面3、4を研削する。
The
The
The pair of
1個の回転ローラ13及び3個の支持ローラ14が、キャリア11の周囲の4箇所に位置決めされる。
回転ローラ13は、図示しないモータにより水平な軸線13aの周りに回転するローラである。回転ローラ13は、シリコンウェーハ1及びキャリア11の重量を支える下部の2個のローラのうちの1個を構成する。回転ローラ13は、図5に示す制御装置50に接続され、制御装置50からの指令によりモータを介して回転される。
One rotating
The rotating
支持ローラ14は、水平な軸線14aの周りに回転自在なローラである。支持ローラ14は、上部の2個のローラ及び下部の他の1個のローラを構成する。上部の2個の支持ローラ14は、シリコンウェーハ1を上方から出し入れする場合に邪魔にならないように、図2において左右に退避できるように構成されている。
The
一対の静圧パッド21、26は、両者間に鉛直方向に立てた姿勢で配置されるシリコンウェーハ1及びキャリア11の大きさよりも、鉛直方向に大きく形成されている。静圧パッド21、26の下部には、両者間に配置されるシリコンウェーハ1の直径の約半分の直径を有する切り欠き部22、27がそれぞれ形成されている。
The pair of
静圧パッド21、26には、両者間に配置されるシリコンウェーハ1に対応する領域で且つ切り欠き部22、27を除く領域に、それぞれ多数の貫通孔23、28が形成されている。貫通孔23、28は、それぞれ管路24、29を介して、図5に示す流体供給部20に連結される。
In the
流体供給部20は、流体25を供給する。流体供給部20は、制御装置50に接続され、制御装置50からの指令により流体25の供給を制御する。流体供給部20から供給される流体25は、それぞれ管路24、29を介して貫通孔23、28から、シリコンウェーハ1の両面3、4に向けて所要の圧力で噴射される。
The
シリコンウェーハ1及びキャリア11が回転ローラ13及び支持ローラ14に支持されて回転する場合に、貫通孔23、28からシリコンウェーハ1の両面3、4に向けて噴射される流体25の圧力により、シリコンウェーハ1の両面3、4は、静圧パッド21、26の対向面に鉛直状態に保たれる。
When the silicon wafer 1 and the
一対の研削用砥石31、36は、概略円柱状を有しており、互いに対向する先端面に環状の砥石部32、37をそれぞれ備えている。研削用砥石31、36は、静圧パッド21、26の切り欠き部22、27内にそれぞれ配置され、図示しないモータにより水平な軸線31a、36aの周りに回転される。研削用砥石31、36の回転方向は、互いに逆方向でもよく、同一方向でもよい。
The pair of grinding
研削用砥石31、36は、両面研削工程の進行に伴って、軸線31a、36aの方向に沿う砥石部32、37の高さが低くなるのに応じて、図示しない送りモータによりシリコンウェーハ1に接近する方向へ徐々に前進する。これにより、砥石部32、37の先端の研削面33、38は、シリコンウェーハ1の両面3、4に対して適正に接触する。
The grinding
研削用砥石31、36は、制御装置50に接続され、制御装置50からの指令によりモータを介して回転される。
また、研削用砥石31、36は、制御装置50からの指令により送りモータを介して前進方向への変位が制御される。すなわち、研削用砥石31、36は、両面研削工程の初期には比較的速い送り速度で前進する。また、研削用砥石31、36は、両面研削工程の終期には比較的遅い送り速度で前進する。
The grinding
Further, the grinding
図2〜図4に示すように、厚みセンサ40は、シリコンウェーハ1の一方の面3に接触可能なセンサ部41と、他方の面4に接触可能なセンサ部42とを備える。厚みセンサ40は、センサ部41、42がそれぞれシリコンウェーハ1の両面3、4に接触する接触位置(図4参照)と、センサ部41、42が両面3、4に接触しない非接触位置(図3参照)との間を移動可能である。厚みセンサ40は、図4に示す接触位置にある場合にシリコンウェーハ1の厚みを監視する接触式のセンサである。
As shown in FIGS. 2 to 4, the
厚みセンサ40が図3に示す非接触位置にある場合、センサ部41、42の相互間隔は、シリコンウェーハ1の厚さよりも大きく拡がると共に、センサ部41、42の先端部は、キャリア11の外周部よりも周方向外側へ退避している。
When the
厚みセンサ40は、図4に示す接触位置にある場合、センサ部41、42の先端部がシリコンウェーハ1の外周部よりも内側へ侵入している。センサ部41がシリコンウェーハ1の一方の面3に接触し、センサ部42がシリコンウェーハ1の他方の面4に接触する。センサ部41とセンサ部42とでシリコンウェーハ1を挟むことにより、厚みセンサ40は、シリコンウェーハ1の厚みを監視する。
When the
厚みセンサ40は、制御装置50に接続され、接触位置においてシリコンウェーハ1の厚みを監視している間、シリコンウェーハ1の厚みデータを制御装置50へ継続して送信する。
The
切り換え部45は、研削用砥石31、36による両面研削工程の開始から所定の段階まで厚みセンサ40を非接触位置に保持し、又は、所定の段階から両面研削工程の終了まで厚みセンサ40を接触位置に保持するように、厚みセンサ40の状態を切り換えることができる。
The switching
切り換え部45は、両面研削工程の開始に先だって、制御装置50からの指令により、厚みセンサ40を、図4に示す接触位置から図3に示す非接触位置へ移動させる。そして、両面研削工程の開始から所定の段階まで、厚みセンサ40を非接触位置に保持する。
Prior to the start of the double-side grinding process, the switching
切り換え部45は、両面研削工程が所定の段階になる際に、制御装置50からの指令により、厚みセンサ40を、図3に示す非接触位置から図4に示す接触位置へ移動させる。そして、切り換え部45は、所定の段階から両面研削工程の終了まで、厚みセンサ40を接触位置に保持する。
When the double-side grinding process reaches a predetermined stage, the switching
ここで、切り換え部45が、厚みセンサ40を非接触位置から接触位置へ移動させる所定の段階の設定方法について説明する。
例えば、シリコンウェーハ1の両面3、4からソーマークが実質的に消滅する段階を、所定の段階として設定することができる。「ソーマークが実質的に消滅する段階」とは、半導体ウェーハとしてのシリコンウェーハ1の両面3、4から、本発明の効果を達成できる程度にソーマークが消滅する段階をいう。
または、両面研削工程の開始からあらかじめ設定された時間が経過する時期を、所定の段階として設定することができる。
Here, a setting method at a predetermined stage in which the
For example, the stage where the saw mark substantially disappears from both
Alternatively, the time when a preset time elapses from the start of the double-side grinding process can be set as a predetermined stage.
ここでは、シリコンウェーハ1の両面研削工程の開始から終了までを、粗研削、中1研削、中2研削、仕上げ研削の4つの工程に分類する。仕上げ研削後のスパークアウトは、考慮しないものとする。
粗研削の開始時のシリコンウェーハ1の厚さをAμm、中1研削の開始時のシリコンウェーハ1の厚さをBμm、中2研削の開始時のシリコンウェーハ1の厚さをCμm、仕上げ研削の開始時のシリコンウェーハ1の厚さをDμmとする。
Here, the process from the start to the end of the double-side grinding process of the
The thickness of the
このような両面研削工程を用いて、複数枚のシリコンウェーハ1の両面3、4からソーマークが消滅する段階について試験を行ったところ、つぎのような結果が得られた。
すなわち、粗研削を終了した段階では、多くのシリコンウェーハ1の両面3、4にソーマークが残っていた。つまり、厚さがBμmの段階では、ソーマークが消滅したシリコンウェーハ1はわずかであった。
Using such a double-sided grinding process, a test was performed on the stage where the saw mark disappeared from both
That is, saw marks remained on both
中1研削を終了した段階では、ほとんどのシリコンウェーハ1の両面3、4からソーマークが消滅した。つまり、厚さがCμmの段階では、ソーマークが残っているシリコンウェーハ1はほとんど無かった。
中2研削を終了した段階では、全てのシリコンウェーハ1の両面3、4からソーマークが消滅した。つまり、厚さがDμmの段階では、ソーマークが残っているシリコンウェーハ1は1枚も無かった。
At the stage of finishing the middle 1 grinding, saw marks disappeared from both
At the stage where the middle 2 grinding was completed, saw marks disappeared from both
この試験により、中2研削の途中には、全てのシリコンウェーハ1の両面3、4からソーマークが実質的に消滅するという知見が得られた。この知見に基づいて、中2研削の途中を所定の段階として設定すればよいことがわかった。
従って、中2研削の途中の時期を所定の段階と設定した。すなわち、粗研削の開始から中2研削の途中まで厚みセンサ40を非接触位置に保持する。また、中2研削の途中から仕上げ研削の終了まで及び仕上げ研削後のスパークアウトも含めて厚みセンサ40を接触位置に保持する。
Through this test, it was found that saw marks substantially disappeared from both
Therefore, the intermediate half grinding time was set as a predetermined stage. That is, the
具体的には、例えば、送りモータによる研削用砥石31、36の送り量を監視することによって、制御装置50は、両面研削工程が中2研削の途中まで進行したことを検出することが可能である。これにより、制御装置50は、切り換え部45に指令を出して、厚みセンサ40を図3に示す非接触位置から図4に示す接触位置へ移動させることができる。
Specifically, for example, by monitoring the feed amount of the grinding
また、例えば、両面研削工程が粗研削の開始から中2研削の途中まで進行するのに要する時間をあらかじめ設定しておくことによって、制御装置50は、両面研削工程が中2研削の途中まで進行したことを検出することが可能である。この場合も、制御装置50は、切り換え部45に指令を出して、厚みセンサ40を図3に示す非接触位置から図4に示す接触位置へ移動させることができる。
Further, for example, by setting in advance the time required for the double-sided grinding process to progress from the start of rough grinding to the middle 2 grinding, the
以下、図6のフローチャートを参照して、本発明による半導体ウェーハの両面研削方法の一実施形態について説明する。 Hereinafter, an embodiment of a double-side grinding method for a semiconductor wafer according to the present invention will be described with reference to the flowchart of FIG.
まず、ステップS1では、制御装置50により、厚みセンサ40を非接触位置にセットする。すなわち、切り換え部45は、制御装置50から指令を受けて、厚みセンサ40のセンサ部41,42を、キャリア11の外周部よりも外側へ退避させる(図3参照)。
First, in step S1, the
ステップS2では、制御装置50により、シリコンウェーハ1及び研削用砥石31、36を回転させる。
すなわち、モータは、制御装置50から指令を受けて、回転ローラ13を軸線13aの周りに回転させる。これにより、回転ローラ13は、シリコンウェーハ1及びキャリア11を軸線1aの周りに回転させる。また、別のモータは、制御装置50から指令を受けて、研削用砥石31、36を軸線31a、36aの周りに回転させる。
これにより、研削用砥石31、36の研削面33、38が同時にシリコンウェーハ1の両面3、4をそれぞれ研削する両面研削工程が開始される。
In step S <b> 2, the
That is, the motor receives a command from the
Thereby, the double-sided grinding process in which the grinding surfaces 33 and 38 of the grinding
ステップS3では、制御装置50により、シリコンウェーハ1の両面3、4からソーマークが実質的に消滅する段階まで両面研削工程が進行したか否かを判定する。
すなわち、粗研削の開始から中1研削を経て中2研削の途中まで両面研削工程が進行したか否かを判定する。または、粗研削の開始から中1研削を経て中2研削の途中までの両面研削工程に要する時間が経過したか否かを判定する。
この判定がNOの場合は、ステップS3に戻り、YESの場合は、ステップS4に移る。
In step S <b> 3, the
That is, it is determined whether the double-sided grinding process has progressed from the start of rough grinding to middle 1 grinding through middle 1 grinding. Alternatively, it is determined whether or not the time required for the double-sided grinding process from the start of rough grinding to middle 1 grinding through middle 1 grinding has elapsed.
If this determination is NO, the process returns to step S3, and if YES, the process proceeds to step S4.
なお、ステップS3までの期間は、両面研削工程の終了まで十分な余裕があるので、厚みセンサ40によるシリコンウェーハ1の厚みの監視を行わなくても、問題なく、シリコンウェーハ1の両面研削を行うことができる。
In addition, since there is a sufficient margin until the end of the double-sided grinding process during the period up to step S3, the double-sided grinding of the
ステップS4では、制御装置50により、厚みセンサ40を接触位置にセットする。すなわち、切り換え部45は、制御装置50から指令を受けて、厚みセンサ40のセンサ部41及びセンサ部42を、シリコンウェーハ1の外周部よりも内側へ進入させる。そして、センサ部41をシリコンウェーハ1の一方の面3に接触させ、センサ部42をシリコンウェーハ1の他方の面4に接触させる(図4参照)。
In step S4, the
ステップS5では、厚みセンサ40によりシリコンウェーハ1の厚みを監視する。すなわち、厚みセンサ40のセンサ部41とセンサ部42とでシリコンウェーハ1の両面3、4を挟んでシリコンウェーハ1の厚みを監視する。監視されているシリコンウェーハ1の厚みデータは、リアルタイムで制御装置50へ送信される。
In step S5, the thickness of the
ステップS6では、制御装置50により、両面研削工程が終了したか否かを判定する。すなわち、中2研削の途中から仕上げ研削を経てスパークアウトまで両面研削工程が終了したか否かを判定する。
この判定がNOの場合は、ステップS5に戻り、YESの場合は、終了する。
In step S6, the
If this determination is NO, the process returns to step S5, and if it is YES, the process ends.
本発明によれば、以上のように、両面研削工程の開始から所定の段階までは厚みセンサ40をシリコンウェーハ1の両面3、4に接触しない非接触位置に保持することにより、厚みセンサ40がシリコンウェーハ1の両面3、4にキズを付ける原因であるソーマークによる厚みセンサ40の跳ね上がりを解消することができる。つまり、所定の段階以降において、厚みセンサ40がシリコンウェーハ1の両面3、4に接触しても、ソーマークが実質的に消滅しているため、ソーマークに起因する厚みセンサ40の跳ね上がりは、ほとんど発生しない。これにより、シリコンウェーハ1の両面3、4に接触式の厚みセンサ40に起因するキズが付くことを抑制することができる。
According to the present invention, as described above, the
以上、本発明の両面研削装置及び両面研削方法の一実施形態について説明したが、本発明は、前述した実施態様に制限されるものではない。
例えば、上記の実施形態では、厚みセンサ40の非接触位置への退避及び接触位置への進入を図3、図4に示すように構成したが、これに限定されない。他の退避形態及び進入形態を採用することが可能である。
半導体ウェーハは、シリコンウェーハに限定されない。
As mentioned above, although one Embodiment of the double-sided grinding apparatus and the double-sided grinding method of this invention was described, this invention is not restrict | limited to the embodiment mentioned above.
For example, in the above embodiment, the
The semiconductor wafer is not limited to a silicon wafer.
1 シリコンウェーハ(半導体ウェーハ)
10 両面研削装置
13 回転ローラ(回転駆動部)
14 支持ローラ(回転駆動部)
21,26 静圧パッド
31,36 研削用砥石
40 厚みセンサ
45 切り換え部
1 Silicon wafer (semiconductor wafer)
10 Double-
14 Support roller (rotation drive part)
21, 26
Claims (2)
前記半導体ウェーハの両面に供給する流体の圧力により当該両面を支持する一対の静圧パッドと、
前記半導体ウェーハの回転軸線と平行な軸線周りに回転して当該半導体ウェーハの両面を研削する一対の研削用砥石と、
前記半導体ウェーハの両面に接触する接触位置と接触しない非接触位置との間を移動可能であり、前記接触位置にある場合に前記半導体ウェーハの厚みを監視する厚みセンサと、
を備える両面研削装置を用いた半導体ウェーハの両面研削方法であって、
前記研削用砥石による両面研削工程の開始から所定の段階まで前記厚みセンサを前記非接触位置に保持して前記半導体ウェーハの両面の研削を行う非厚み監視研削工程と、
前記所定の段階から両面研削工程の終了まで前記厚みセンサを前記接触位置に保持して前記半導体ウェーハの両面の研削を行う厚み監視研削工程と、を含み、
前記所定の段階は、半導体ウェーハの両面からソーマークが実質的に消滅する段階であることを特徴とする半導体ウェーハの両面研削方法。 A rotation drive unit that supports the semiconductor wafer in a vertical position and rotates it around an axis;
A pair of hydrostatic pads that support both sides of the semiconductor wafer by the pressure of the fluid supplied to both sides;
A pair of grinding wheels that rotate around an axis parallel to the rotation axis of the semiconductor wafer to grind both sides of the semiconductor wafer;
A thickness sensor that is movable between a contact position that contacts both surfaces of the semiconductor wafer and a non-contact position that does not contact, and monitors the thickness of the semiconductor wafer when in the contact position;
A method for double-sided grinding of a semiconductor wafer using a double-sided grinding apparatus comprising:
A non-thickness monitoring grinding step for grinding both sides of the semiconductor wafer by holding the thickness sensor in the non-contact position from the start of the double-side grinding step with the grinding wheel to a predetermined stage;
See containing and a thickness monitoring grinding step for grinding of both surfaces of the semiconductor wafer while holding the thickness sensor in the contact position to the end of the double-side grinding step from said predetermined stage,
The semiconductor wafer double-side grinding method , wherein the predetermined stage is a stage in which saw marks substantially disappear from both sides of the semiconductor wafer.
前記半導体ウェーハの両面に供給する流体の圧力により当該両面を支持する一対の静圧パッドと、
前記半導体ウェーハの回転軸線と平行な軸線周りに回転して当該半導体ウェーハの両面を研削する一対の研削用砥石と、
前記半導体ウェーハの両面に接触する接触位置と接触しない非接触位置との間を移動可能であり、前記接触位置にある場合に前記半導体ウェーハの厚みを監視する厚みセンサと、
前記研削用砥石による両面研削工程の開始から所定の段階まで前記厚みセンサを前記非接触位置に保持し、前記所定の段階から両面研削工程の終了まで前記厚みセンサを前記接触位置に保持する切り換え部と、を備え、
前記所定の段階は、半導体ウェーハの両面からソーマークが実質的に消滅する段階であることを特徴とする半導体ウェーハの両面研削装置。
A rotation drive unit that supports the semiconductor wafer in a vertical position and rotates it around an axis;
A pair of hydrostatic pads that support both sides of the semiconductor wafer by the pressure of the fluid supplied to both sides;
A pair of grinding wheels that rotate around an axis parallel to the rotation axis of the semiconductor wafer to grind both sides of the semiconductor wafer;
A thickness sensor that is movable between a contact position that contacts both surfaces of the semiconductor wafer and a non-contact position that does not contact, and monitors the thickness of the semiconductor wafer when in the contact position;
A switching unit that holds the thickness sensor at the non-contact position from the start of the double-side grinding process by the grinding wheel to a predetermined stage and holds the thickness sensor at the contact position from the predetermined stage to the end of the double-side grinding process. and, with a,
2. The semiconductor wafer double-side grinding apparatus according to claim 1, wherein the predetermined stage is a stage in which saw marks substantially disappear from both sides of the semiconductor wafer.
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