JP5437199B2 - 半導体遮断回路 - Google Patents
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また、直流電源からの給電線を介して給電される負荷と前記直流電源との間に設けられた半導体遮断回路であって、前記給電線上に接続され、前記給電線に流れる電流の電流値が所定の電流値に達すると、前記給電線を流れる電流の遮断を開始する半導体遮断器と、前記直流電源と、前記半導体遮断器のゲート端子との間に接続され、前記半導体遮断器のゲート電圧を制御するゲート電圧調整部と、前記給電線に流れる電流の電流値が閾値電流値を超えると、前記半導体遮断器の電気的接続状態をオン状態からオフ状態へ切り替えるスイッチ切替制御部と、を有し、前記スイッチ切替制御部は、前記半導体遮断器が電流を遮断するとき、前記ゲート電圧調整部の分圧回路の電気的接続状態を複数の状態に切り替えることにより前記半導体遮断器のゲート電圧を制御し、前記ゲート電圧調整部は、前記給電線の一方の極線と、前記半導体遮断器のゲート端子との間に接続された複数の一方の極側抵抗と、前記給電線の他方の極線と、前記半導体遮断器のゲート端子との間に接続された少なくとも1つの他方の極側抵抗と、前記一方の極線と、前記複数の一方の極側抵抗とのそれぞれの間に接続された複数の一方の極側スイッチング素子と、前記他方の極線と、前記他方の極側抵抗との間に接続された少なくとも1つの他方の極側スイッチング素子と、からなり、前記ゲート電圧調整部は、前記一方の極線と、前記半導体遮断器のゲート端子との間に接続された第1及び第2の抵抗と、前記他方の極線と、前記半導体遮断器のゲート端子との間に接続された第3及び第4の抵抗と、前記一方の極線と、前記第1の抵抗との間に接続された第1のスイッチング素子と、前記一方の極線と、前記第2の抵抗との間に接続された第2のスイッチング素子と、前記他方の極線と、前記第3の抵抗との間に接続された第3のスイッチング素子と、前記他方の極線と、前記第4の抵抗との間に接続された第4のスイッチング素子と、からなり、前記半導体遮断器のゲートの電圧を検出する電圧検出部を有し、前記スイッチ切替制御部は、前記給電線に流れる電流の電流値が所定の電流値に達する前、前記第1及び第2のスイッチング素子の電気的接続状態をオン状態に切り替え、前記第3及び第4のスイッチング素子の電気的接続状態をオフ状態に切り替え、前記給電線に流れる電流の電流値が所定の電流値に達すると、前記第3及び第4のスイッチング素子の電気的接続状態をオン状態に切り替え、前記給電線に流れる電流の電流値が所定の電流値に達した後、前記電圧検出部にて検出された前記半導体遮断器のゲートの電圧が当該半導体遮断器の遮断開始電圧よりも高い電圧である第1の電圧以下になると、前記第1及び第3のスイッチング素子の電気的接続状態をオフ状態に切り替え、前記電圧検出部にて検出された前記半導体遮断器のゲートの電圧が前記第1の電圧以下になった後、さらに当該半導体遮断器の遮断完了電圧よりも低い電圧である第2の電圧以下になると、前記第2のスイッチング素子の電気的接続状態をオフ状態に切り替えることにより、前記半導体遮断器の電気的接続状態をオン状態からオフ状態へ切り替える。
図1は、本発明の半導体遮断回路を適用した給電回路の実施形態の構成を示す図である。
なお、上述した実施形態おいては、半導体遮断器12及び電流検出部13が正極線51上に接続される場合を一例として説明したが、半導体遮断器12及び電流検出部13は、負極線52上に接続されていてもよい。また、半導体遮断器12と電流検出部13との一方が正極線51上に接続され、他方が負極線52上に接続されていてもよい。さらに、短絡や過電流を検出するのに際しても、電流検出部13を用いる以外の方法によって短絡や過電流を検出することもできる。
スナバ回路や波形発生回路等を用いることなく、半導体遮断器12を破損させずに電流を遮断することができる。制御部11が、短絡や過電流が発生したと判断すると、スイッチS3,S4の電気的接続状態をオン状態に切り替え、ゲート電圧調整部の抵抗値を低い状態にして、半導体遮断器12のゲート電圧VGを半導体遮断器12が遮断を開始する閾値電圧V1よりもやや高いレベルまで短時間で一気に減少させる。次に、スイッチS1,S3の電気的接続状態をオフ状態に切り替え、ゲート電圧調整部の抵抗値を高い状態にして、半導体遮断器12のゲート電圧VGを緩やかに減少させる。
11 制御部
11a スイッチ切替制御部
11b ゲート電圧調整部
12 半導体遮断器
13 電流検出部
51 正極線
52 負極線
80 直流電源
90 負荷
Claims (5)
- 直流電源からの給電線を介して給電される負荷と前記直流電源との間に設けられた半導体遮断回路であって、
前記給電線上に接続され、前記給電線に流れる電流の電流値が所定の電流値に達すると、前記給電線を流れる電流の遮断を開始する半導体遮断器と、
前記直流電源と、前記半導体遮断器のゲート端子との間に接続され、前記半導体遮断器のゲート電圧を制御するゲート電圧調整部と、
前記給電線に流れる電流の電流値が閾値電流値を超えると、前記半導体遮断器の電気的接続状態をオン状態からオフ状態へ切り替えるスイッチ切替制御部と、を有し、
前記スイッチ切替制御部は、
前記半導体遮断器が電流を遮断するとき、前記ゲート電圧調整部の分圧回路の電気的接続状態を複数の状態に切り替えることにより前記半導体遮断器のゲート電圧を制御し、
前記ゲート電圧調整部は、
前記給電線の一方の極線と、前記半導体遮断器のゲート端子との間に接続された複数の一方の極側抵抗と、
前記給電線の他方の極線と、前記半導体遮断器のゲート端子との間に接続された少なくとも1つの他方の極側抵抗と、
前記一方の極線と、前記複数の一方の極側抵抗とのそれぞれの間に接続された複数の一方の極側スイッチング素子と、
前記他方の極線と、前記他方の極側抵抗との間に接続された少なくとも1つの他方の極側スイッチング素子と、からなり、
前記ゲート電圧調整部は、
前記一方の極線と、前記半導体遮断器のゲート端子との間に接続された第1及び第2の抵抗と、
前記他方の極線と、前記半導体遮断器のゲート端子との間に接続された第3及び第4の抵抗と、
前記一方の極線と、前記第1の抵抗との間に接続された第1のスイッチング素子と、
前記一方の極線と、前記第2の抵抗との間に接続された第2のスイッチング素子と、
前記他方の極線と、前記第3の抵抗との間に接続された第3のスイッチング素子と、
前記他方の極線と、前記第4の抵抗との間に接続された第4のスイッチング素子と、からなり、
時間を計測する計時部を有し、
前記スイッチ切替制御部は、
前記給電線に流れる電流の電流値が所定の電流値に達する前、前記第1及び第2のスイッチング素子の電気的接続状態をオン状態に切り替え、前記第3及び第4のスイッチング素子の電気的接続状態をオフ状態に切り替え、
前記給電線に流れる電流の電流値が所定の電流値に達すると、前記第3及び第4のスイッチング素子の電気的接続状態をオン状態に切り替え、
前記給電線に流れる電流の電流値が所定の電流値に達した後、前記計時部にて計測された時間が第1の時間を超えると、前記第1及び第3のスイッチング素子の電気的接続状態をオフ状態に切り替え、
前記計時部にて計測された時間が前記第1の時間を超えた後、さらに第2の時間を超えると、前記第2のスイッチング素子の電気的接続状態をオフ状態に切り替えることにより、前記半導体遮断器の電気的接続状態をオン状態からオフ状態へ切り替える半導体遮断回路。 - 直流電源からの給電線を介して給電される負荷と前記直流電源との間に設けられた半導体遮断回路であって、
前記給電線上に接続され、前記給電線に流れる電流の電流値が所定の電流値に達すると、前記給電線を流れる電流の遮断を開始する半導体遮断器と、
前記直流電源と、前記半導体遮断器のゲート端子との間に接続され、前記半導体遮断器のゲート電圧を制御するゲート電圧調整部と、
前記給電線に流れる電流の電流値が閾値電流値を超えると、前記半導体遮断器の電気的接続状態をオン状態からオフ状態へ切り替えるスイッチ切替制御部と、を有し、
前記スイッチ切替制御部は、
前記半導体遮断器が電流を遮断するとき、前記ゲート電圧調整部の分圧回路の電気的接続状態を複数の状態に切り替えることにより前記半導体遮断器のゲート電圧を制御し、
前記ゲート電圧調整部は、
前記給電線の一方の極線と、前記半導体遮断器のゲート端子との間に接続された複数の一方の極側抵抗と、
前記給電線の他方の極線と、前記半導体遮断器のゲート端子との間に接続された少なくとも1つの他方の極側抵抗と、
前記一方の極線と、前記複数の一方の極側抵抗とのそれぞれの間に接続された複数の一方の極側スイッチング素子と、
前記他方の極線と、前記他方の極側抵抗との間に接続された少なくとも1つの他方の極側スイッチング素子と、からなり、
前記ゲート電圧調整部は、
前記一方の極線と、前記半導体遮断器のゲート端子との間に接続された第1及び第2の抵抗と、
前記他方の極線と、前記半導体遮断器のゲート端子との間に接続された第3及び第4の抵抗と、
前記一方の極線と、前記第1の抵抗との間に接続された第1のスイッチング素子と、
前記一方の極線と、前記第2の抵抗との間に接続された第2のスイッチング素子と、
前記他方の極線と、前記第3の抵抗との間に接続された第3のスイッチング素子と、
前記他方の極線と、前記第4の抵抗との間に接続された第4のスイッチング素子と、からなり、
前記半導体遮断器のゲートの電圧を検出する電圧検出部を有し、
前記スイッチ切替制御部は、
前記給電線に流れる電流の電流値が所定の電流値に達する前、前記第1及び第2のスイッチング素子の電気的接続状態をオン状態に切り替え、前記第3及び第4のスイッチング素子の電気的接続状態をオフ状態に切り替え、
前記給電線に流れる電流の電流値が所定の電流値に達すると、前記第3及び第4のスイッチング素子の電気的接続状態をオン状態に切り替え、
前記給電線に流れる電流の電流値が所定の電流値に達した後、前記電圧検出部にて検出された前記半導体遮断器のゲートの電圧が当該半導体遮断器の遮断開始電圧よりも高い電圧である第1の電圧以下になると、前記第1及び第3のスイッチング素子の電気的接続状態をオフ状態に切り替え、
前記電圧検出部にて検出された前記半導体遮断器のゲートの電圧が前記第1の電圧以下になった後、さらに当該半導体遮断器の遮断完了電圧よりも低い電圧である第2の電圧以下になると、前記第2のスイッチング素子の電気的接続状態をオフ状態に切り替えることにより、前記半導体遮断器の電気的接続状態をオン状態からオフ状態へ切り替える半導体遮断回路。 - 請求項1または2に記載の半導体遮断回路において、
前記直流電源は、
前記負荷を駆動するための駆動用直流電源と、前記半導体遮断器を制御するための制御用直流電源とであって、
前記ゲート電圧調整部は、
前記制御用直流電源と、前記半導体遮断器のゲート端子との間に接続され、前記半導体遮断器のゲート電圧を制御する半導体遮断回路。 - 請求項1または2に記載の半導体遮断回路において、
前記ゲート電圧調整部は、
DC/DCコンバータを介して前記給電線と接続され、前記半導体遮断器のゲート電圧を制御する半導体遮断回路。 - 請求項1〜4のいずれか1項に記載の半導体遮断回路において、
前記ゲート電圧調整部は、
インダクタが接続された前記給電線と接続され、前記半導体遮断器のゲート電圧を制御する半導体遮断回路。
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