JP5432863B2 - Alignment substrate for film formation and superconducting wire - Google Patents

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Description

本発明は、膜形成用配向基板および超電導線材に関し、より詳しくは、膜形成用配向基板と、その膜形成用配向基板上に超電導膜が形成された超電導線材とに関するものである。 The present invention relates to a film forming oriented substrate and a superconducting wire, and more particularly, to a related to the alignment substrate film, and the film forming oriented substrate superconducting wire superconducting film is formed on the material.

高温超電導体の発見以来、ケーブル、限流器、マグネットなどの電力機器への応用を目指した高温超電導線材の開発が活発に行なわれている。ここで、優れた高温超電導線材を得るためには、配向性の高い超電導膜を形成する必要がある。   Since the discovery of high-temperature superconductors, high-temperature superconducting wires have been actively developed for applications in power devices such as cables, current limiters, and magnets. Here, in order to obtain an excellent high-temperature superconducting wire, it is necessary to form a superconducting film with high orientation.

超電導膜の配向性を向上させるためには、その超電導膜が形成される基板を配向させる必要がある。この超電導膜形成用の配向基板として2軸配向性を有する配向金属基板を用い、その上に超電導膜または中間層および超電導膜を順次形成する方法が提案されている(たとえば、非特許文献1〜4参照。)。   In order to improve the orientation of the superconducting film, it is necessary to orient the substrate on which the superconducting film is formed. There has been proposed a method in which a superconducting film or an intermediate layer and a superconducting film are sequentially formed on an oriented metal substrate having biaxial orientation as the orientation substrate for forming the superconducting film (for example, Non-Patent Documents 1 to 4). 4).

ここでは、金属基板として基板を構成する金属原子が2軸配向した配向金属基板を用いて、前記配向金属基板の上に中間層をエピタキシャル成長させることにより配向金属基板と同じ2軸配向性を有する中間層が形成され、その中間層の上にさらに超電導膜をエピタキシャル成長させることにより中間層と同じ2軸配向性を有する超電導膜が形成される。かかる製造方法により、超電導に適した2軸配向性を有する超電導膜を有する高温超電導線材の製造が容易になる。   Here, an intermediate layer having the same biaxial orientation as the oriented metal substrate is formed by epitaxially growing an intermediate layer on the oriented metal substrate using an oriented metal substrate in which metal atoms constituting the substrate are biaxially oriented as the metal substrate. A layer is formed, and a superconducting film having the same biaxial orientation as that of the intermediate layer is formed by epitaxially growing a superconducting film on the intermediate layer. Such a production method facilitates the production of a high-temperature superconducting wire having a superconducting film having a biaxial orientation suitable for superconductivity.

E. D. Specht et al., "Cube-textured nickel substrates for high-temperature superconductors", Supercond. Sci. Technol. 11 (1998), pp.945-949E. D. Specht et al., "Cube-textured nickel substrates for high-temperature superconductors", Supercond. Sci. Technol. 11 (1998), pp.945-949 J. H. Je et al., "Microstructure of RE2O3layers on cube textured Ni substrates", Physica C,(2003),384,pp.54-60J. H. Je et al., "Microstructure of RE2O3layers on cube textured Ni substrates", Physica C, (2003), 384, pp.54-60 B. W. Kang et al., "Comparative study of thickness dependence of critical current density of YBa2Cu3O7-δ on (100) SrTiO3 and on rolling-assisted biaxially textured substrates", J. Mater. Res., Jul. 2002, Vol.17, No.7, pp.1750-1757BW Kang et al., "Comparative study of thickness dependence of critical current density of YBa2Cu3O7-δ on (100) SrTiO3 and on rolling-assisted biaxially textured substrates", J. Mater. Res., Jul. 2002, Vol.17, No.7, pp.1750-1757 D. Eyidi et al., "Growth of CeO2 thin films deposited on biaxially textured nickel substrates", J. Mater. Res., Jan. 2003, Vol.18, No.1, pp.14-26D. Eyidi et al., "Growth of CeO2 thin films deposited on biaxially textured nickel substrates", J. Mater. Res., Jan. 2003, Vol.18, No.1, pp.14-26

上記のような2軸配向させる配向金属基板としては、Ni(ニッケル)もしくはNiに異種金属(たとえばW(タングステン))を数%添加したNi合金が主流である。しかし、Niの材料強度は低く、降伏応力も30MPaにすぎない。また、NiにWを5質量%程度添加することにより強度を向上させることができるが、このようなNi合金においても降伏応力は195MPaと低い値にとどまっている。   As the above-described biaxially oriented metal substrate, Ni (nickel) or Ni alloy in which several percent of a different metal (for example, W (tungsten)) is added to Ni is the mainstream. However, the material strength of Ni is low and the yield stress is only 30 MPa. Further, the strength can be improved by adding about 5% by mass of W to Ni. However, even in such a Ni alloy, the yield stress remains as low as 195 MPa.

このようなNiおよびNi合金は強度が低いために、線材としてのハンドリングが悪く、またケーブルなどに加工する際に撚り線機などで加工することが難しいという問題があった。   Since such Ni and Ni alloy have low strength, handling as a wire rod is bad, and when processing into a cable or the like, there is a problem that it is difficult to process with a stranded wire machine or the like.

本発明は、上記の問題を解決するためになされたものであり、良好な配向性を維持したまま高い強度を有する膜形成用配向基板および超電導線材を提供することを目的とする。 The present invention has been made to solve the above problems, and an object thereof is to provide a film forming oriented substrate and a superconducting wire having high strength while maintaining excellent orientation.

本発明の膜形成用配向基板は、無配向で非磁性のステンレス鋼よりなる第1の金属層と、その第1の金属層に貼り合わされ、かつ少なくとも表層が配向した集合組織を有する第2の金属層とを備え、第1の金属層が第2の金属層より高い強度を有することを特徴とするものである。第2の金属層は、第1の金属層の表面に貼り合わされた表面側の第2の金属層と、第1の金属層の背面に貼り合わされた背面側の第2の金属層とを含み、表面側の第2の金属層と背面側の第2の金属層とは互いに分離している。表面側の第2の金属層と背面側の第2の金属層との各々は、互いに積層された第1の層と第2の層とを有し、第1の層は第2の層よりも第1の金属層側に位置しており、第2の層は第1の層よりも表層側に位置している。表面側および背面側の第2の金属層の各々の第1の層は銅よりなり、表面側および背面側の第2の金属層の各々の第2の層はニッケルまたはニッケル合金よりなっている。 The oriented substrate for film formation of the present invention comprises a first metal layer made of non-oriented and non-magnetic stainless steel, and a second metal layer bonded to the first metal layer and having a texture in which at least the surface layer is oriented. And a metal layer, wherein the first metal layer has higher strength than the second metal layer. The second metal layer includes a surface-side second metal layer bonded to the surface of the first metal layer and a back-side second metal layer bonded to the back surface of the first metal layer. The second metal layer on the front side and the second metal layer on the back side are separated from each other. Each of the second metal layer on the front surface side and the second metal layer on the rear surface side has a first layer and a second layer laminated on each other, and the first layer is more than the second layer. Is located on the first metal layer side, and the second layer is located on the surface layer side of the first layer. Each first layer of the second metal layer on the front side and the back side is made of copper, and each second layer of the second metal layer on the front side and the back side is made of nickel or a nickel alloy. .

本発明の膜形成用配向基板によれば、第1の金属層が第2の金属層より高い強度を有しているため、膜形成用配向基板の強度を第2の金属層単体の場合よりも向上させることができる。また、第1の金属層と第2の金属層とを貼り合せているため、第2の金属層が配向した集合組織を有するように膜形成用配向基板を形成することができ、良好な配向性を維持することができる。このように第1の金属層と第2の金属層とを貼り合わせることにより、良好な配向性を維持したまま高い強度を得ることが可能となる。
また第1の層が第2の層よりも第1の金属層側に位置しており、第2の層は第1の層よりも上記表層側に位置しているため、この第1の層により第1の金属層と第2の層との格子整合性を緩和することができ、かつ第1の金属層と第2の層との間で元素が拡散することを抑制することができる。また、第1の層は第1の金属層が第2の層の配向性に影響を与えることを防止する役割をなしている。
また第1の金属層の材質がステンレス鋼よりなっているため、市販されている高強度材料を第1の金属層として用いることができ、コストを抑えることができる。
According to the alignment substrate for film formation of the present invention, since the first metal layer has higher strength than the second metal layer, the strength of the alignment substrate for film formation is higher than that of the second metal layer alone. Can also be improved. In addition, since the first metal layer and the second metal layer are bonded together, the alignment substrate for film formation can be formed so that the second metal layer has a texture that is oriented, and good orientation is achieved. Sex can be maintained. Thus, by bonding the first metal layer and the second metal layer together, it is possible to obtain high strength while maintaining good orientation.
Further, since the first layer is located on the first metal layer side with respect to the second layer, and the second layer is located on the surface layer side with respect to the first layer, the first layer Thus, the lattice matching between the first metal layer and the second layer can be relaxed, and the diffusion of elements between the first metal layer and the second layer can be suppressed. Further, the first layer serves to prevent the first metal layer from affecting the orientation of the second layer.
Moreover, since the material of the first metal layer is made of stainless steel, a commercially available high-strength material can be used as the first metal layer, and costs can be reduced.

上記の膜形成用配向基板において好ましくは、表面側および背面側の第2の金属層の各々の少なくとも表層は立方体集合組織を有する。 In the above-mentioned alignment substrate for film formation, at least the surface layer of each of the second metal layers on the front side and the back side preferably has a cubic texture.

これにより、第2の金属層上に中間層および超電導膜を形成した場合に、その超電導膜の配向性を良好とすることができる。   Thereby, when an intermediate | middle layer and a superconducting film are formed on the 2nd metal layer, the orientation of the superconducting film can be made favorable.

本発明の超電導線材は、上記の膜形成用配向基板の表面側および背面側の第2の金属層の各々の上に中間層および超電導膜が形成されたことを特徴とするものである。 The superconducting wire of the present invention is characterized in that an intermediate layer and a superconducting film are formed on each of the second metal layers on the front side and the back side of the above-mentioned film forming alignment substrate.

本発明の超電導線材によれば、良好な配向性を維持したまま高い強度を有する膜形成用配向基板を用いているため、良好な配向性を有する超電導膜を形成することができ、かつ超電導線材の強度を向上させることができる。   According to the superconducting wire of the present invention, a superconducting film having a good orientation can be formed and a superconducting wire having a high orientation can be formed because the orientation substrate for film formation having a high strength while maintaining a good orientation is used. The strength of can be improved.

なお、第1の金属層と第2の金属層とは圧延などの方法により貼り合わされる。また、第1および第2の金属層と第1および第2の層とのそれぞれは、単一の金属元素からなる金属よりなっていてもよく、また複数の金属元素からなる合金よりなっていてもよい。   Note that the first metal layer and the second metal layer are bonded together by a method such as rolling. Each of the first and second metal layers and the first and second layers may be made of a metal made of a single metal element, or made of an alloy made of a plurality of metal elements. Also good.

以上説明したように、本発明の膜形成用配向基板によれば、第1の金属層が第2の金属層より高い強度を有しているため、膜形成用配向基板の強度を第2の金属層単体の場合よりも向上させることができる。また、第1の金属層と第2の金属層とを貼り合せているため、第2の金属層が配向した集合組織を有するように膜形成用配向基板を形成することができ、良好な配向性を維持することができる。このように第1の金属層と第2の金属層とを貼り合わせることにより、良好な配向性を維持したまま高い強度を得ることが可能となる。   As described above, according to the alignment substrate for film formation of the present invention, since the first metal layer has higher strength than the second metal layer, the strength of the alignment substrate for film formation is increased to the second level. This can be improved as compared with the case of a single metal layer. In addition, since the first metal layer and the second metal layer are bonded together, the alignment substrate for film formation can be formed so that the second metal layer has a texture that is oriented, and good orientation is achieved. Sex can be maintained. Thus, by bonding the first metal layer and the second metal layer together, it is possible to obtain high strength while maintaining good orientation.

また本発明の超電導線材によれば、良好な配向性を維持したまま高い機械強度を有する膜形成用配向基板を用いているため、良好な配向性を有する超電導膜を形成することができ、かつ超電導線材の強度を向上させることができる。   Further, according to the superconducting wire of the present invention, since a film-forming alignment substrate having high mechanical strength while maintaining good orientation can be used, a superconducting film having good orientation can be formed, and The strength of the superconducting wire can be improved.

本発明の実施の形態1における膜形成用配向基板の構成を示す概略断面図である。It is a schematic sectional drawing which shows the structure of the orientation substrate for film formation in Embodiment 1 of this invention. 本発明の実施の形態1における膜形成用配向基板を用いた超電導線材の構成を示す概略断面図である。It is a schematic sectional drawing which shows the structure of the superconducting wire using the oriented substrate for film formation in Embodiment 1 of this invention. 本発明の実施の形態2における膜形成用配向基板の構成を示す概略断面図である。It is a schematic sectional drawing which shows the structure of the orientation substrate for film formation in Embodiment 2 of this invention. 本発明の実施の形態2における膜形成用配向基板を用いた超電導線材の構成を示す概略断面図である。It is a schematic sectional drawing which shows the structure of the superconducting wire using the oriented substrate for film formation in Embodiment 2 of this invention. Ni配向箔の配向性をX線ポールフィギュアにより測定した結果を示す図である。It is a figure which shows the result of having measured the orientation of Ni orientation foil with the X-ray pole figure. Cu配向箔の配向性をX線ポールフィギュアにより測定した結果を示す図である。It is a figure which shows the result of having measured the orientation of Cu orientation foil with the X-ray pole figure. Ni膜の配向性をX線ポールフィギュアにより測定した結果を示す図である。It is a figure which shows the result of having measured the orientation of Ni film | membrane by the X-ray pole figure. 実施の形態1で説明した第2の金属層が第1の金属層の両面に形成された様子を示す断面図である。It is sectional drawing which shows a mode that the 2nd metal layer demonstrated in Embodiment 1 was formed in both surfaces of the 1st metal layer. 実施の形態2で説明した第2の金属層が第1の金属層の両面に形成された様子を示す断面図である。It is sectional drawing which shows a mode that the 2nd metal layer demonstrated in Embodiment 2 was formed in both surfaces of the 1st metal layer.

以下、本発明の実施の形態について図に基づいて説明する。
(実施の形態1)
図1は、本発明の実施の形態1における膜形成用配向基板の構成を示す概略断面図である。図1を参照して、膜形成用配向基板5Aは、第1の金属層1と、第2の金属層2とが互いに貼り合わされた構成を有している。第1の金属層1と第2の金属層2との貼り合わせは、たとえば圧延などの方法により行なわれる。
Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings.
(Embodiment 1)
FIG. 1 is a schematic cross-sectional view showing the configuration of the film-forming alignment substrate in Embodiment 1 of the present invention. Referring to FIG. 1, film forming alignment substrate 5A has a configuration in which a first metal layer 1 and a second metal layer 2 are bonded to each other. The bonding of the first metal layer 1 and the second metal layer 2 is performed by a method such as rolling.

第1の金属層1は、無配向であり、かつ非磁性である(つまり自発磁化をもたない)。第2の金属層2は単層よりなり、少なくとも表層が配向した集合組織を有している。第1の金属層1は第2の金属層2より高い強度を有している。また第1の金属層1の強度は、超電導膜の形成時に高温でテンションをかけられた状態においても伸びない程度の強度であることが好ましい。   The first metal layer 1 is non-oriented and non-magnetic (that is, has no spontaneous magnetization). The second metal layer 2 is a single layer and has a texture in which at least the surface layer is oriented. The first metal layer 1 has higher strength than the second metal layer 2. Further, the strength of the first metal layer 1 is preferably such a strength that it does not stretch even when it is tensioned at a high temperature when the superconducting film is formed.

つまり、超電導膜を形成する際には、超電導膜の下地となる基材をテープ状として、そのテープを1対のロールの回転によりテープの長手方向に送りながら、そのテープ上に超電導膜が形成される。このとき、テープは高温に晒されるとともに、ロールで送る際のテンションを与えられる。第1の金属層1が、この超電導膜の形成時における高温でテンションをかけられた状態においても伸びない程度の強度を有していることにより、第1の金属層1を超電導膜の下地となるテープ状基材として用いることができる。   In other words, when forming a superconducting film, the base material that forms the base of the superconducting film is formed into a tape shape, and the superconducting film is formed on the tape while feeding the tape in the longitudinal direction of the tape by the rotation of a pair of rolls. Is done. At this time, the tape is exposed to a high temperature and is given a tension when being fed by a roll. Since the first metal layer 1 has such a strength that it does not stretch even when it is tensioned at a high temperature during the formation of the superconducting film, the first metal layer 1 can be used as the base of the superconducting film. It can be used as a tape-shaped substrate.

このような強度を有する材質として、第1の金属層1には、たとえばステンレス、ニッケル系合金などが使用される。本実施の形態では、第1の金属層1はたとえば100μmの厚みT1のステンレス鋼よりなっている。   As the material having such strength, for example, stainless steel, nickel-based alloy or the like is used for the first metal layer 1. In the present embodiment, first metal layer 1 is made of, for example, stainless steel having a thickness T1 of 100 μm.

第2の金属層2は、熱機械加工することにより非常にシャープでよく発達した立方晶系の集合組織(立方体集合組織:Cube Texture)を有していることが好ましい。この第2の金属層2の表面は、強い{100}<001>立方晶配向を有する。   The second metal layer 2 preferably has a very sharp and well-developed cubic texture (cube texture) by thermomechanical processing. The surface of the second metal layer 2 has a strong {100} <001> cubic orientation.

また、この集合組織においては第2の金属層2を構成する金属原子が2軸配向している。この2軸配向における配向の方向としては、<100>軸が基板面に垂直な方向に、<010>軸が第2の金属層2の長手方向に配向していることが好ましい。また、この2軸配向とは、完全な2軸配向のもののみならず、結晶軸のずれ角が25°以下のものも含まれる。   Further, in this texture, the metal atoms constituting the second metal layer 2 are biaxially oriented. As the orientation direction in this biaxial orientation, the <100> axis is preferably oriented in the direction perpendicular to the substrate surface, and the <010> axis is oriented in the longitudinal direction of the second metal layer 2. The biaxial orientation includes not only perfect biaxial orientation but also crystal axis misalignment angle of 25 ° or less.

この第2の金属層2としては、前記のような2軸配向を有する層であれば特に制限はないが、Ni、Cu(銅)、Ag(銀)、W、V(バナジウム)、Cr(クロム)、Mo(モリブデン)、Mn(マンガン)、Al(アルミニウム)およびFe(鉄)の単体よりなる金属またはこれらの金属元素の任意の組合せよりなる合金であることが好ましい。本実施の形態では、第2の金属層2はたとえば30μmの厚みT2のNiよりなっている。   The second metal layer 2 is not particularly limited as long as it has a biaxial orientation as described above, but Ni, Cu (copper), Ag (silver), W, V (vanadium), Cr ( It is preferably a metal made of a simple substance of chromium), Mo (molybdenum), Mn (manganese), Al (aluminum) and Fe (iron) or an alloy made of any combination of these metal elements. In the present embodiment, the second metal layer 2 is made of Ni having a thickness T2 of 30 μm, for example.

なお、第2の金属層2は、表層だけでなく全体的に配向していることが好ましい。
本実施の形態によれば、第1の金属層1が第2の金属層2より高い強度を有しているため、膜形成用配向基板5Aの強度を第2の金属層2単体の場合よりも向上させることができる。また、第1の金属層1と第2の金属層2とを貼り合せているため、第2の金属層2が配向した集合組織を有するように膜形成用配向基板5Aを形成することができ、良好な配向性を維持することができる。このように第1の金属層1と第2の金属層2とを貼り合わせることにより、良好な配向性と高い強度とを有する膜形成用配向基板5Aを得ることが可能となる。
In addition, it is preferable that the 2nd metal layer 2 is not only a surface layer but the whole orientation.
According to the present embodiment, since the first metal layer 1 has higher strength than the second metal layer 2, the strength of the film-forming alignment substrate 5A is higher than that of the second metal layer 2 alone. Can also be improved. In addition, since the first metal layer 1 and the second metal layer 2 are bonded together, the film forming alignment substrate 5A can be formed so that the second metal layer 2 has an oriented texture. , Good orientation can be maintained. By bonding the first metal layer 1 and the second metal layer 2 in this way, it is possible to obtain a film-forming alignment substrate 5A having good orientation and high strength.

次に、上記の膜形成用配向基板5Aを用いた超電導線材について説明する。
図2は、本発明の実施の形態1における膜形成用配向基板を用いた超電導線材の構成を示す概略断面図である。図2を参照して、超電導線材10Aは、上述した図1に示す膜形成用配向基板5Aと、中間層および超電導膜3とを有している。膜形成用配向基板5A上に中間層が形成され、その中間層上に超電導膜が形成されている。この超電導膜はたとえば希土類系超電導薄膜であって、蒸着法などにより形成されている。
Next, a superconducting wire using the above-mentioned film forming alignment substrate 5A will be described.
FIG. 2 is a schematic cross-sectional view showing a configuration of a superconducting wire using the film-forming alignment substrate in Embodiment 1 of the present invention. Referring to FIG. 2, superconducting wire 10 </ b> A includes film forming alignment substrate 5 </ b> A shown in FIG. 1 described above, an intermediate layer, and superconducting film 3. An intermediate layer is formed on the film-forming alignment substrate 5A, and a superconducting film is formed on the intermediate layer. This superconducting film is, for example, a rare earth-based superconducting thin film, and is formed by vapor deposition or the like.

本実施の形態では、第2の金属層2が良好な配向性を有しているため、その上に形成される中間層および超電導膜3の配向性も良好なものにすることができる。また、第1の金属層1が高い強度を有するため、超電導線材10Aの強度も純NiまたはNi−W合金を基板とする超電導線材よりも高めることができる。   In the present embodiment, since the second metal layer 2 has a good orientation, the orientation of the intermediate layer and the superconducting film 3 formed thereon can also be made good. In addition, since the first metal layer 1 has high strength, the strength of the superconducting wire 10A can be higher than that of a superconducting wire having pure Ni or Ni—W alloy as a substrate.

(実施の形態2)
図3は、本発明の実施の形態2における膜形成用配向基板の構成を示す概略断面図である。図3を参照して、本実施の形態の膜形成用配向基板5Bの構成は、実施の形態1の構成と比較して、第2の金属層2が互いに積層された第1の層2aと第2の層2bとを有している点において異なる。
(Embodiment 2)
FIG. 3 is a schematic cross-sectional view showing the configuration of the film-forming alignment substrate in the second embodiment of the present invention. Referring to FIG. 3, the configuration of the film-forming alignment substrate 5 </ b> B of the present embodiment is different from the configuration of the first embodiment in that the first layer 2 a in which the second metal layers 2 are laminated with each other It differs in having the second layer 2b.

第1の層2aは第1の金属層1にたとえば圧延などにより貼り合わされている。第2の層2bは、第1の層2aをコーティングするために、たとえばメッキ法により第1の層2a上に形成されている。   The first layer 2a is bonded to the first metal layer 1 by, for example, rolling. The second layer 2b is formed on the first layer 2a by, for example, a plating method in order to coat the first layer 2a.

この第1の層2aは第1の金属層1と第2の層2bとの格子整合性を緩和する役割をなし、かつ第1の金属層1と第2の層2bとの間で元素が拡散することを抑制する役割もなす。また、第1の層2aは、第1の金属層1が第2の層2bの配向性に影響を与えることを防止する役割もなしている。   The first layer 2a serves to relax the lattice matching between the first metal layer 1 and the second layer 2b, and an element is present between the first metal layer 1 and the second layer 2b. It also plays a role in suppressing diffusion. The first layer 2a also serves to prevent the first metal layer 1 from affecting the orientation of the second layer 2b.

第1の層2aの材質は、Ni、Cu、Ag、W、V、Cr、Mo、Mn、AlおよびFeの単体よりなる金属またはこれらの金属元素の任意の組合せよりなる合金であることが好ましい。本実施の形態では、第1の層2aはたとえば18μmの厚みT2aのCuよりなっている。   The material of the first layer 2a is preferably a metal made of Ni, Cu, Ag, W, V, Cr, Mo, Mn, Al and Fe or an alloy made of any combination of these metal elements. . In the present embodiment, the first layer 2a is made of Cu having a thickness T2a of 18 μm, for example.

また第2の層2bの材質は、Ni、Pd(パラジウム)およびAgの単体よりなる金属またはこれらの金属元素の任意の組合せよりなる合金であることが好ましい。本実施の形態では、第2の層2bはたとえば1μmの厚みT2bのNiよりなっている。   The material of the second layer 2b is preferably a metal made of Ni, Pd (palladium) and Ag alone or an alloy made of any combination of these metal elements. In the present embodiment, the second layer 2b is made of Ni having a thickness T2b of 1 μm, for example.

これらの第1の層2aと第2の層2bとはともに配向していることが好ましく、第1の層2aの結晶粒と第2の層2bの結晶粒との間の結晶軸のずれが15°以内であることが好ましい。ここで、結晶軸のずれとは、a軸、b軸およびc軸の全ての軸のずれのことを意味している。結晶軸のずれが15°以内であると、その上にある超電導線材の超電導特性が良好となる。   Both the first layer 2a and the second layer 2b are preferably oriented, and the crystal axis shift between the crystal grains of the first layer 2a and the crystal grains of the second layer 2b It is preferably within 15 °. Here, the deviation of the crystal axis means the deviation of all the axes of the a-axis, the b-axis, and the c-axis. When the deviation of the crystal axis is within 15 °, the superconducting characteristics of the superconducting wire on the crystal axis are good.

なお、本実施の形態の膜形成用配向基板5Bのこれ以外の構成は、図1に示す実施の形態1の構成と同様の構成を有するため、同一の構成要素については同一の符号を付し、その説明を省略する。   Since the other configuration of the film-forming alignment substrate 5B of the present embodiment is the same as that of the first embodiment shown in FIG. 1, the same components are denoted by the same reference numerals. The description is omitted.

本実施の形態によれば、実施の形態1と同様の作用効果を得ることができる。さらに、第1の層2aにより、第1の金属層1と第2の層2bとの格子整合性を緩和することができるとともに、第1の金属層1と第2の層2bとの間で元素が拡散することを抑制することもできる。また、第1の層2aにより、第1の金属層1が第2の層2bの配向性に影響を与えることを防止することもできる。   According to the present embodiment, the same effect as that of the first embodiment can be obtained. Furthermore, the first layer 2a can relax the lattice matching between the first metal layer 1 and the second layer 2b, and between the first metal layer 1 and the second layer 2b. It is also possible to suppress the diffusion of elements. The first layer 2a can also prevent the first metal layer 1 from affecting the orientation of the second layer 2b.

次に、上記の膜形成用配向基板5Bを用いた超電導線材について説明する。
図4は、本発明の実施の形態2における膜形成用配向基板を用いた超電導線材の構成を示す概略断面図である。図4を参照して、超電導線材10Bは、上述した図3に示す膜形成用配向基板5Bと、中間層および超電導膜3とを有している。膜形成用配向基板5B上に中間層が形成され、その中間層上に超電導膜が形成されている。この超電導膜はたとえば希土類系超電導薄膜であって、蒸着法などにより形成されている。
Next, a superconducting wire using the above-mentioned film forming alignment substrate 5B will be described.
FIG. 4 is a schematic cross-sectional view showing the configuration of a superconducting wire using the film-forming alignment substrate in the second embodiment of the present invention. Referring to FIG. 4, superconducting wire 10 </ b> B includes film forming alignment substrate 5 </ b> B shown in FIG. 3 described above, an intermediate layer, and superconducting film 3. An intermediate layer is formed on the film-forming alignment substrate 5B, and a superconducting film is formed on the intermediate layer. This superconducting film is, for example, a rare earth-based superconducting thin film, and is formed by vapor deposition or the like.

本実施の形態では、第1の層2aと第2の層2bとの積層構造よりなる第2の金属層2が良好な配向性を有しているため、その上に形成される中間層および超電導膜3の配向性も良好なものにすることができる。また、第1の金属層1が高い強度を有するため、超電導線材10Bの強度も純NiまたはNi−W合金を基板とする超電導線材よりも高めることができる。   In the present embodiment, since the second metal layer 2 having a laminated structure of the first layer 2a and the second layer 2b has a good orientation, an intermediate layer formed thereon and The orientation of the superconducting film 3 can also be made favorable. In addition, since the first metal layer 1 has high strength, the strength of the superconducting wire 10B can be higher than that of the superconducting wire using pure Ni or Ni—W alloy as a substrate.

なお上記の実施の形態1および2においては、少なくとも表層が配向した集合組織を有する第2の金属層2が、第1の金属層1の片面にのみ形成された場合について説明したが、図8に示すように実施の形態1で説明した第2の金属層2が第1の金属層1の両面に形成されていてもよく、また図9に示すように実施の形態2で説明した第2の金属層2が第1の金属層1の両面に形成されていてもよい。   In the first and second embodiments, the case where the second metal layer 2 having a texture in which the surface layer is oriented is formed only on one side of the first metal layer 1 has been described. As shown in FIG. 9, the second metal layer 2 described in the first embodiment may be formed on both surfaces of the first metal layer 1, and the second metal layer 2 described in the second embodiment as shown in FIG. The metal layer 2 may be formed on both surfaces of the first metal layer 1.

以下、実施例1について図を用いて説明する。
図1を参照して、100μmの厚みT1を有する第1の金属層1としてSUS316L(JIS(Japanese industrial standard)規定のステンレス鋼)に、30μmの厚みT2を有する第2の金属層2としてNi配向箔を貼り合せて、10mmの幅Wを有するテープ状の膜形成用配向基板5Aを作製した。
Hereinafter, Example 1 will be described with reference to the drawings.
Referring to FIG. 1, SUS316L (JIS (Japanese industrial standard) standard stainless steel) is used as a first metal layer 1 having a thickness T1 of 100 μm, and Ni orientation is used as a second metal layer 2 having a thickness T2 of 30 μm. The foil was bonded to produce a tape-shaped film-forming alignment substrate 5A having a width W of 10 mm.

この膜形成用配向基板5AのNi配向箔の配向性を、X線ポールフィギュア測定により調べた。その結果を図5に示す。   The orientation of the Ni orientation foil of this film-forming orientation substrate 5A was examined by X-ray pole figure measurement. The result is shown in FIG.

図5を参照して、マップ上に、面内で配向していることを示すピークが観察され、特にα=45°の円周上にNi(111)面の回折ピークが4つ観察された。また、面内配向性を示す半波高全幅値(FWHM:Full Width at Half Maximum)は15.4°であり、良好な配向性が維持できていることがわかった。   Referring to FIG. 5, peaks indicating in-plane orientation were observed on the map, and in particular, four diffraction peaks of the Ni (111) plane were observed on the circumference of α = 45 °. . Moreover, the full width at half maximum (FWHM) which shows in-plane orientation property is 15.4 degrees, and it turned out that favorable orientation property is maintained.

なお、半波高全幅値とは、回折ピークの半値幅であり、この値が小さいほど面内での配向性が良好であることを示すものである。   The half-wave height full width value is the half width of the diffraction peak, and the smaller this value is, the better the in-plane orientation is.

また、この膜形成用配向基板5Aを用いて図2に示す超電導線材10Bを作製し、降伏応力を測定した結果、480MPa以上の降伏応力が得られており、純NiまたはNi−W合金を基板とする超電導線材と比較して遥かに大きな強度を、高度に配向した組織を維持したまま達成することができた。   Further, as a result of producing the superconducting wire 10B shown in FIG. 2 using this oriented film forming substrate 5A and measuring the yield stress, a yield stress of 480 MPa or more was obtained, and pure Ni or Ni—W alloy was used as the substrate. As compared with the superconducting wire, a much higher strength can be achieved while maintaining a highly oriented structure.

以下、実施例2について図を用いて説明する。
図3を参照して、100μmの厚みT1を有する第1の金属層1としてSUS316L(JIS規定のステンレス鋼)に、18μmの厚みT2aを有する第1の層2aとしてCu配向箔を貼り合せ、そのCu配向箔上に1μmの厚みT2bを有する第2の層2bとしてNi膜をメッキにより形成して、10mmの幅Wを有するテープ状の膜形成用配向基板5Bを作製した。
Hereinafter, Example 2 will be described with reference to the drawings.
Referring to FIG. 3, SUS316L (JIS-regulated stainless steel) is bonded to SUS316L as a first metal layer 1 having a thickness T1 of 100 μm, and Cu-oriented foil is bonded as a first layer 2a having a thickness T2a of 18 μm, A Ni film was formed by plating as a second layer 2b having a thickness T2b of 1 μm on the Cu-oriented foil to produce a tape-shaped film-forming alignment substrate 5B having a width W of 10 mm.

この膜形成用配向基板5BのCu配向箔とNi膜との配向性を、X線ポールフィギュア測定により調べた。その結果を、Cu配向箔については図6に、Ni膜については図7にそれぞれ示す。   The orientation of the Cu orientation foil and the Ni film of the orientation substrate for film formation 5B was examined by X-ray pole figure measurement. The results are shown in FIG. 6 for the Cu oriented foil and in FIG. 7 for the Ni film.

図6および図7のいずれにおいても、マップ上に、面内で配向していることを示すピークが観察され、特に図6ではα=45°の円周上にCu(111)面の回折ピークが、また図7ではNi(111)面の回折ピークが4つづつ観察された。また、面内配向性を示す半波高全幅値(FWHM:Full Width at Half Maximum)は図6のCu配向箔では9.3°であり、図7のNi膜では9.9であり、ともに良好な配向性が維持できていることがわかった。   In both FIG. 6 and FIG. 7, a peak indicating in-plane orientation is observed on the map. In particular, in FIG. 6, the diffraction peak of the Cu (111) plane on the circumference of α = 45 °. However, in FIG. 7, four diffraction peaks on the Ni (111) plane were observed. Further, the full width at half maximum (FWHM) indicating the in-plane orientation is 9.3 ° for the Cu oriented foil of FIG. 6 and 9.9 for the Ni film of FIG. It was found that good orientation was maintained.

また、この膜形成用配向基板5Bを用いて図4に示す超電導線材10Bを作製し、降伏応力を測定した結果、480MPa以上の降伏応力が得られており、純NiまたはNi−W合金を基板とする超電導線材と比較して遥かに大きな強度を、高度に配向した組織を維持したまま達成することができた。   Moreover, as a result of producing the superconducting wire 10B shown in FIG. 4 using this film-forming alignment substrate 5B and measuring the yield stress, a yield stress of 480 MPa or more was obtained, and pure Ni or Ni—W alloy was used as the substrate. As compared with the superconducting wire, a much higher strength can be achieved while maintaining a highly oriented structure.

今回開示された実施の形態および実施例はすべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は上記した説明ではなくて特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。   It should be understood that the embodiments and examples disclosed herein are illustrative and non-restrictive in every respect. The scope of the present invention is defined by the terms of the claims, rather than the description above, and is intended to include any modifications within the scope and meaning equivalent to the terms of the claims.

本発明は、特に膜形成用配向基板と、その膜形成用配向基板上に超電導膜が形成された超電導線材とに有利に適用され得るものである。   The present invention can be advantageously applied particularly to an alignment substrate for film formation and a superconducting wire having a superconducting film formed on the alignment substrate for film formation.

1 第1の金属層、2 第2の金属層、2a 第1の層、2b 第2の層、3 中間層および超電導膜、5A,5B 膜形成用配向基板、10A,10B 超電導線材。   DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 1st metal layer, 2nd 2nd metal layer, 2a 1st layer, 2b 2nd layer, 3 intermediate | middle layer, and superconducting film, 5A, 5B orientation substrate for film formation, 10A, 10B superconducting wire.

Claims (4)

無配向で非磁性のステンレス鋼よりなる第1の金属層と、
前記第1の金属層に貼り合わされ、かつ少なくとも表層が配向した集合組織を有する第2の金属層とを備え、
前記第1の金属層は前記第2の金属層より高い強度を有し、
前記第2の金属層は、前記第1の金属層の表面に貼り合わされた表面側の第2の金属層と、前記第1の金属層の背面に貼り合わされた背面側の第2の金属層とを含み、前記表面側の第2の金属層と前記背面側の第2の金属層とは互いに分離しており、
前記表面側の第2の金属層と前記背面側の第2の金属層との各々は、互いに積層された第1の層と第2の層とを有し、前記第1の層は前記第2の層よりも前記第1の金属層側に位置しており、前記第2の層は前記第1の層よりも前記表層側に位置しており、
前記表面側および背面側の第2の金属層の各々の前記第1の層は銅よりなり、前記表面側および背面側の第2の金属層の各々の前記第2の層はニッケルまたはニッケル合金よりなっている、膜形成用配向基板。
A first metal layer made of non-oriented and non-magnetic stainless steel;
A second metal layer having a texture that is bonded to the first metal layer and at least a surface layer is oriented,
The first metal layer has a higher strength than the second metal layer;
The second metal layer includes a surface-side second metal layer bonded to the surface of the first metal layer and a back-side second metal layer bonded to the back surface of the first metal layer. And the second metal layer on the front side and the second metal layer on the back side are separated from each other,
Each of the second metal layer on the front surface side and the second metal layer on the back surface side includes a first layer and a second layer stacked on each other, and the first layer is the first layer. 2 is located on the first metal layer side of the second layer, the second layer is located on the surface layer side of the first layer ,
The first layer of each of the front-side and back-side second metal layers is made of copper, and the second layer of each of the front-side and back-side second metal layers is nickel or a nickel alloy are becoming more, the orientation substrate for film formation.
前記表面側および背面側の第2の金属層の各々の少なくとも前記表層は立方体集合組織を有することを特徴とする、請求項1に記載の膜形成用配向基板。   The alignment substrate for film formation according to claim 1, wherein at least the surface layer of each of the second metal layer on the front side and the back side has a cubic texture. 請求項1または2に記載の前記膜形成用配向基板の前記表面側および背面側の第2の金属層の各々の上に中間層および超電導膜が形成されたことを特徴とする、超電導線材。 3. A superconducting wire, wherein an intermediate layer and a superconducting film are formed on each of the second metal layer on the front side and the back side of the alignment substrate for film formation according to claim 1 or 2 . 降伏応力が480MPa以上である、請求項に記載の超電導線材。 The superconducting wire according to claim 3 , wherein the yield stress is 480 MPa or more.
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WO2014054817A1 (en) * 2012-10-05 2014-04-10 古河電気工業株式会社 Silver reflection film, light reflection member, and manufacturing method for light reflection member

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JP2968557B2 (en) * 1990-05-14 1999-10-25 株式会社フジクラ Substrate for oxide superconducting conductor
JP4316070B2 (en) * 1999-10-07 2009-08-19 古河電気工業株式会社 High strength oriented polycrystalline metal substrate and oxide superconducting wire
JP3822077B2 (en) * 2001-09-18 2006-09-13 株式会社フジクラ Manufacturing method of oxide superconductor tape wire and oxide superconductor tape wire
JP3771142B2 (en) * 2001-06-22 2006-04-26 株式会社フジクラ Oxide superconducting conductor and manufacturing method thereof
JP3771143B2 (en) * 2001-06-22 2006-04-26 株式会社フジクラ Manufacturing method of oxide superconductor
JP2003055095A (en) * 2001-08-07 2003-02-26 Sumitomo Electric Ind Ltd Thin film deposition process
US6670308B2 (en) * 2002-03-19 2003-12-30 Ut-Battelle, Llc Method of depositing epitaxial layers on a substrate

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