JP5432168B2 - プラズマ蒸発による亜鉛めっき方法及び設備 - Google Patents
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Description
・基材が処理装置内に入るとき処理装置の電源を入れるステップと、
・基材が完全に処理装置を通過するときのこの方法の基準動作電力に到達するまで、処理装置を通過する基材の面積に比例して処理装置に供給される電力を増加させるステップと、
・基材が端から端まで処理装置を通過している限り、基材の通過速度に応じて一定の基準処理電力を維持するステップと、
・基材が装置から出て最早初めから終わりまで通過していないとき、装置内の基材の面積に比例して処理装置に供給される電力を減少させるステップと、
・基材がないとき処理装置に供給する電力供給を切断するステップとを含む、全く同じ手順で機能する利点を有する。
・設備を作動状態下に置くこと、保守のために再度大気に開放することを可能にし、そして動作に際しては、設備の真空エアロック又はエアロックからの鋼基材の迅速な導入及び排出のために、搬送速度で、及び設備の様々な処理装置内で基材の処理中の一般により低い処理速度で、真空エアロック及び鋼基材の移動を制御できることを可能にするマスター・プログラム。
・1台が処理装置の入口に設置され、もう1台が処理鋼基材の装置の出口に設置される少なくとも2基の検出器によって、基材の存在で作動する処理装置毎の1つのスレーブ・プログラム。このスレーブ・プログラムは、工程の機能化のために必要な物理的条件が達成されたとき、マスター・プログラムによって伝達される信号に従属する。実際面ではこのマスター信号は、設備の処理区画全体が、通常0.0005〜0.05ミリバールである基準アルゴン圧力に到達するときに得られる。各スレーブ・プログラムは、既に前に述べたように、始動、動作体制へ傾斜的に上昇する電力増加、基材が入口検出器及び出口検出器により検出されている限りの動作体制の維持、装置に接続される電力に対する傾斜的減少、及び基材が最早2基の検出器によって検出されないときの電力の切断である、供給される電力制御の同様な手順によって特徴付けられる。
・鋼桁などの長い基材を導入するための、図1に示すようにローラー列から構成される場合のある基材を導入するためのゾーン1。この基材搬送システムはモーター駆動されるローラーの列によって搬送するためのシステムである。当然基材を吊るしそれらをゾーン1から設備の様々な他のゾーンに搬送するためのモノレール搬送システムなどの他の搬送システムも予測することができる。
・隣接する処理ゾーン3を連続的に必要とされるアルゴン圧力で真空下に維持し、したがってこの処理ゾーンが空気の導入によって汚染することを避けることができるようにする入口真空エアロック2。必要とされるアルゴン圧力は、通常0.05Pa〜5Paである。
・基材のプラズマ活性化のためのゾーン3と2つのプラズマ亜鉛めっきゾーン4及び5を備えるいくつかの処理ゾーン。このゾーン4及び5は、動作モードで、好ましくは5×10−4ミリバール〜5×10−2ミリバールの部分的なアルゴン圧力下に連続的に維持される。
・処理ゾーン3、4、5を空気のない状態に保持しながら、基材をこれらの処理ゾーンから出口及び排出ゾーン3に排出するための出口エアロック6。
・鋼表面のプラズマ活性化のための装置9を装備する容器8。図に示されない基材は、自由懸架でこの容器8を通過する。
・高真空ポンプ汲み出しと基材の搬送のための容器10。この容器10によって、隣接する活性化容器8及び亜鉛めっき容器11内のアルゴン作動圧力を維持することが可能になる。この容器10によって、容器10を通過する基材をモーター駆動されるローラー上で支持し、前方に移動させることも可能になる。
・活性化容器8内で鋼基材がプラズマ活性化された後、この鋼基材を亜鉛めっきするためのプラズマ亜鉛めっき容器11。
・基材を搬送するための第2の高真空ポンプ汲み出し容器12。
・鋼基材を亜鉛めっきするための第2のプラズマ亜鉛めっき容器13。
・対応する亜鉛めっき容器11又は13内に設置される坩堝23に供給するための液体亜鉛の蓄えを溶融状態で維持し、温度を調節するための炉22を収容する真空容器21。この真空容器21と対応する亜鉛めっき容器11又は13との間の接続部は、供給チューブ24を用いて排他的に且つそれぞれに設けられる。このチューブ24はガス密封式であり、通常5×10−4〜5×10−2ミリバールの亜鉛めっき容器11又は13内の一定のアルゴン圧力を維持することが可能でなければならず、一方炉22を収容する真空容器21内のアルゴン又は窒素ガス圧力は通常0.1〜2000ミリバールの間を変化することができる。これは、炉22を収容する真空容器21内のガス圧力をそれぞれ減少させ、又は増加させることによって、対応する亜鉛めっき容器11又は13内に設けられる坩堝23を空にし、又は液体亜鉛を供給するのを可能にするために不可欠である。
・亜鉛蒸気閉じ込めチャンバ25を通過する亜鉛めっきされるべき基材に近接して亜鉛蒸気を閉じ込める亜鉛蒸気閉じ込めチャンバ25が上に載っている前記坩堝23から構成される、プラズマ亜鉛めっき機器を収容する前記亜鉛めっき真空容器11又は13。この閉じ込め部25の壁は、亜鉛が固体形態であれ液体形態であれその上に凝縮できないように、ジュール効果による従来型の手段によって全体的に加熱される。一般にこの閉じ込めチャンバ25の壁の内側温度は400℃〜500℃である。この閉じ込めチャンバ25は、入口開口部26と出口開口部27を有する。閉じ込めチャンバ25の各開口部26及び27の近傍と、亜鉛めっき容器11又は13のそれぞれの内側には、基材が上記で既に開示された考え方に従って移動するとき、亜鉛の蒸発のために働くプラズマに連結される電力を調節することを可能にする基材存在検出器28及び29が設けられる。一般に高密度グラファイトから作られる電気的に伝導性の坩堝23は、真空容器21内のガス圧力の調節を介してチューブ24を用いて液体亜鉛が供給される。この坩堝23は、閉じ込めチャンバ25の内側に設置されるアノード(図示せず)に対して平均して負にバイアスされる。一般に磁気回路が坩堝23の下に設置されて、坩堝23内に入っている液体亜鉛の表面上へのプラズマのエネルギーの消散によって生じる亜鉛蒸気内にマグネトロン放電を生じさせることを可能にする。基材の処理中、基材入口検出器28のみが作動しているとき、プラズマに加えられる電力は、基材の存在によって2基の検出器28及び29が作動させられる基準動作電力に到達するまで、漸次、2基の検出器28と29の間の空間を通過する基材の長さに比例して増加させられる。出口検出器29が依然として作動しているが基材入口検出器28が最早作動しなくなるや否や、亜鉛の蒸発のために働くプラズマに供給される電力は、2基の検出器28と29の間に残っている基材の長さに比例して減少させられ、遂に閉じ込めチャンバ25の基材入口及び出口開口部の近傍に設置される1台又はもう1台の検出器によって基材が最早検出されなくなるとき電力が遮断される。チャンバ25の上流の入口検出器28又はチャンバ25の下流の出口検出器29の用語は、基材の移動方向に対する検出器の位置に応じてのみ決まる。結果として、検出器28及び29は単一の方向に機能する設備内の絶対的な入口又は出口の性格を有するけれども、これは、ただ1つのエアロックを有し、したがって先ず最初に1つの方向に、次いでもう1つの方向に機能する設備の場合には当てはまらない。この場合、基材の移動の1つの方向での入口検出器は、反対方向での出口検出器になり、逆の場合も同様である。
a)処理中のガス圧力の制御
エアロック2及び6が、処理ゾーン3、4及び5内に行きわたるアルゴン圧力よりも低い圧力でないとき、これら入口エアロック2及び出口エアロック6の気密ドア14を用いてこれらの処理ゾーンを隔離することによって、設備の処理ゾーン3、4、及び5内の一定ガス圧力を維持するために、マスター・プログラムが、気密ドア14、並びにそれぞれの真空容器に接続される真空ポンプ30のスイッチのオン、オフ切り替えを制御する。一般に、アルゴンはこれらのゾーン内に0.05〜5Paの圧力で、好ましくはほぼ0.5Paの圧力で存在する。
この移動システムは、真空エアロック2及び6の入場及び出場のための迅速前進速度である搬送速度と、亜鉛めっきのためのより遅い処理速度との2つの異なる速度範囲の存在によって特徴付けられる。これは、真空エアロック内への入場及び出場時間を限定することによって十分な生産性を確実にするために不可欠である。この搬送速度は、過渡的な影響を限定するために処理速度よりも大きい。一般に、処理速度は30m/分よりも小さく、搬送速度は20m/分よりも大きい。
処理機器の各品目は、プラズマ処理装置の上流15及び別に28に設置される少なくとも1台の基材存在検出器と、プラズマ処理装置の下流16及び別に29に設置される少なくとも1台の基材存在検出器による基材の検出を介して、基材の前進に従属させられる。
各処理装置9、19及び20は、前記装置の上流及び下流に設置される検出器によって伝達される信号に従って処理装置の始動、処理のために供給されるプラズマに連結される電力の増加、維持、且つ減少を制御し、最終的にそれのスイッチ切りを制御するこの処理装置に固有のスレーブ・プログラムによって制御される。プラズマに連結される電力は、入口検出器15又は別に28のみが作動されるとき、入口すなわち上流と、出口すなわち下流の検出器との間に位置する基材の面積に比例して増加する。プラズマに連結される電力は、2基の検出器15及び16又は別に28及び29が基材によって作動しているときは基準値になる。プラズマに連結される電力は、基材の移動に対して下流の、出口検出器16又は別々に29のみが作動するとき、2台の検出器の間に位置する基材の面積に比例して減少する。この基材存在検出器は、それが機械式、磁気式、電気式又は光学式であろうが、任意の原理に従って機能することができる。
図4を参照し、プラズマ亜鉛めっき装置19又は20を考慮すると、プラズマ亜鉛めっき装置19又は20を制御するためのスレーブ・プログラムは以下の機能を含む。
・液体亜鉛の蓄えを貯蔵する炉22を収容する真空容器21内のガス圧力に作用することによって、坩堝23の底部に出る供給チューブ24を介して、坩堝23内の液体亜鉛の液量を、例えば重量測定、電気的な接触又は光学的な測定などの任意の手段によって制御し、維持する機能。
・壁内への液体又は固体形態でのどのような亜鉛の凝縮も防止するために、閉じ込めチャンバ25の内部壁を通常400℃〜500℃である、最小限の一定温度に維持する機能。
・坩堝23に接続される電力供給を介して亜鉛蒸気内に形成されるプラズマに連結される電力を、入口検出器28及び出口検出器29によって提供される以下の方式で制御する機能。
−入口検出器28及び出口検出器29が作動していない限り、電力供給部は閉じ込めチャンバ25でプラズマを発生させるためのどのような電力も供給しない、又はより一般には最小限の電力しか供給しない。
−入口検出器28が基材の存在によって作動するとき、プラズマに連結され、電力供給部によって供給される電力を、入口検出器28及び対応する出口検出器29が作動するとき供給部によって供給される一定の基準電力に到達するように、閉じ込めチャンバ25内に収容される基材の面積に比例して増加させる。
−入口検出器が基材によって作動するのを中止するとき、プラズマに連結される電力を閉じ込めチャンバ25内に収容される基材の面積に比例して漸次減少させる。
−入口検出器28及び出口検出器29の両方が非作動のとき、供給部が最早どのような電力も供給しない、又はより一般には最小限の電力しか供給しない。
図1から図4に示すような設備によって、長い鋼基材をプラズマ亜鉛めっきすることができる。この設備は、導入ゾーン1内の基材装荷テーブル31と、入口真空エアロック2と、常にアルゴンの0.005ミリバールに維持される、基材を処理するためのゾーン3、4及び5と、出口真空エアロック6と、出口ゾーン7に基材を排出するためのテーブル32とを備える。
・基材を装荷テーブル31上に装荷するステップ、
・気密ドア14を閉じることによって処理ゾーン3、4及び5を入口真空エアロック2から隔離するステップ、
・再度雰囲気に入口真空エアロック2を開口するステップ、
・入口ゾーン1に隣接する入口エアロック2の外部気密ドア14を開くステップ、
・基材を60m/分の搬送速度で入口真空エアロック2の底部まで導入し、負荷存在検出器33を用いて入口エアロック2の端部のところの負荷の頭を検出することによって、ローラー17の床を停止させるステップ、
・入口真空エアロック2の外部気密ドア14を閉じるステップ、
・入口真空エアロック2を高真空下に置くステップ、
・入口真空エアロック2と第1の処理ゾーン3の間の中間気密ドア14を開口させるステップ、
・処理すべき負荷を9m/分のその処理速度で前進させるステップ、
・入口検出器15及び出口検出器16によって作動する第1の処理ゾーン3内で表面のプラズマ活性化処理を行うステップ、
・入口検出器28及び出口検出器29によって作動する亜鉛めっき装置19内でプラズマ蒸発亜鉛めっき処理を行うステップ、
・対応する入口検出器28及び出口検出器29によって作動する第2の亜鉛めっき装置20内でプラズマ蒸発亜鉛めっき処理を行うステップ、
・基材が出口真空エアロック6の端部で検出されるとき、第2の亜鉛めっき装置20とこの出口真空エアロック6の間の気密ドア14を再度閉じるステップ、
・出口真空エアロック6を大気に再度開口するステップ、
・大気圧力が出口真空エアロック6内に到達するとき、このエアロック6の外部気密ドアを開口するステップ、
・排出テーブル32の端部が排出ゾーン7内で検出されるまで、基材を60m/分の搬送速度で出口真空エアロック6から運び出すステップ、
・基材を排出テーブル32から排出するステップ、
・出口真空エアロック6の外部気密ドア14を閉じるステップ、
・出口真空エアロック6を高真空に置くステップ、および
・出口真空エアロック6と第2の亜鉛めっき装置20の間の内部気密ドア14を開口するステップ。
もし(「検出器15」=ON、且つ「検出器16」=OFF)なら、
RF電力をONにし、
DC電力を傾斜的に上昇させる
そうでない場合、もし(「検出器15」=ON、且つ「検出器16」=ON)なら、
RF電力をONにし、
DC電力を基準値にする
そうでない場合、もし(「検出器15」=OFF、且つ「検出器16」=ON)なら
RF電力をONにし、
DC電力を傾斜的に下降させる
そうでない場合、もし(「検出器15」=OFF、且つ「検出器16」=OFF)なら
DC電力をOFFにし、
RF電力をOFFにする。
もし(「検出器28」=ON、且つ「検出器29」=OFF)なら
「坩堝23」のZnレベルを制御し、
プラズマ電力を傾斜的に上昇させる
そうでない場合、もし(「検出器28」=ON、且つ「検出器29」=ON)なら
「坩堝23」のZnレベルを制御し、
プラズマ電力を基準値にする
そうでない場合、もし(「検出器28」=OFF、且つ「検出器29」=ON)なら
「坩堝23」のZnレベルを制御し、
プラズマ電力を傾斜的に下降させる
そうでない場合、もし(「検出器28」=OFF、且つ「検出器29」=OFF)なら
プラズマ電力を最小限の値にする
Claims (19)
- 基材を少なくとも1つのプラズマ処理ゾーン(3、4、5)を次々に通って移動させて、蒸発した亜鉛の凝縮によって前記基材の表面を被覆する、1つ又は複数の鋼製品を含む基材を連続してプラズマ処理するための方法において、
前記基材が前記プラズマ処理ゾーン(3、4、5)を通過する際に、前記プラズマ処理ゾーン(3、4、5)内でプラズマを発生させるために供給される電力を、前記プラズマ処理ゾーン(3、4、5)内に存在する前記基材の面積に応じて変化させ、
前記基材が前記基材の搬送方向に前記プラズマ処理ゾーン(3、4、5)の全長に沿って延在するときの基準動作電力に到達するまで、前記プラズマ処理ゾーン(3、4、5)内でプラズマを発生させる前記電力を、前記プラズマ処理ゾーン(3、4、5)に入る前記基材の面積に比例して増加させ、
前記製品が前記プラズマ処理ゾーンを出る際に、最小限の動作電力に到達するまで、または前記基材が前記プラズマ処理ゾーン(3、4、5)を完全に出たときに、発生した前記プラズマへの前記電力の供給が切断されるまで、前記プラズマ処理ゾーン(3、4、5)内に存在する前記基材の前記面積に比例して前記プラズマを発生させる前記電力を減少させることを特徴とする、基材を連続してプラズマ処理するための方法。 - 前記基材が前記プラズマ処理ゾーン(3、4、5)に入る際にプラズマを前記プラズマ処理ゾーン内で発生させ、前記製品が前記プラズマ処理ゾーン(3、4、5)を出る際にプラズマを非活性化させることを特徴とする、請求項1に記載された基材を連続してプラズマ処理するための方法。
- 前記プラズマ処理ゾーン(3、4、5)内へ前記基材が入ったこと及び前記プラズマ処理ゾーン(3、4、5)から前記基材が出たことを検出すること、並びに、
前記基材の検出に基づいて、前記プラズマを発生させる前記電力を、前記プラズマ処理ゾーン(3、4、5)内に存在する前記基材の面積に応じて制御することを特徴とする、請求項1または請求項2に記載された基材を連続してプラズマ処理するための方法。 - 前記プラズマ処理ゾーン(3、4、5)内の前記基材の前記処理を、前記プラズマ処理ゾーン(3、4、5)内へ前記基材が入ったことの検出、及び前記プラズマ処理ゾーン(3、4、5)から前記基材が出たことの検出によって発生する信号に基づいてスレーブ・プログラムによって独立に制御し、該スレーブ・プログラムが、前記プラズマ処理ゾーン(3、4、5)内でのプラズマの発生に先立って必要とされる物理的な条件が達成されるとき、マスター・プログラムによって送られる信号に依存することを特徴とする、請求項3に記載された基材を連続してプラズマ処理するための方法。
- 前記基材を第1のプラズマ処理ゾーン(3)を通り、続いて少なくとも1つの第2のプラズマ処理ゾーン(4、5)を通って移動させ、前記第1のプラズマ処理ゾーン(3)の中で前記基材の前記表面をイオン照射によって活性化し、前記第2のプラズマ処理ゾーン(4、5)の中で、前記基材をプラズマによって蒸発した亜鉛の凝縮によって前記基材の前記表面を被覆することを特徴とする、請求項1から請求項4までのいずれか一項に記載された基材を連続してプラズマ処理するための方法。
- 前記基材が移動するときの前記第2のプラズマ処理ゾーン(4、5)内に存在する前記基材の面積に応じて、前記第2のプラズマ処理ゾーン(4、5)内で電力を前記プラズマに供給し、前記電力が前記プラズマから前記第2の処理ゾーン(4、5)内に存在する液体亜鉛の表面上に放出されるイオンの照射によって消散されることを特徴とする、請求項5に記載された基材を連続してプラズマ処理するための方法。
- 前記基材を、入口真空エアロック(2)及び出口真空エアロック(6)を介して、前記プラズマ処理ゾーン(3、4、5)に移動させ、および前記プラズマ処理ゾーン(3、4、5)から移動させることを特徴とする、請求項1から請求項6までのいずれか一項に記載された基材を連続してプラズマ処理するための方法。
- 前記基材を、前記プラズマ処理ゾーン(3、4、5)内での前記基材の処理速度によって決まる、前記処理速度よりも大きな搬送速度で、前記入口真空エアロック(2)内に導入し、前記出口真空エアロック(6)から離れさせることを特徴とする、請求項7に記載された基材を連続してプラズマ処理するための方法。
- 1つ又は複数の鋼製品を含む基材を連続的にプラズマ処理する設備であって、処理ゾーンが設けられたチャンバを有する少なくとも1つのプラズマ処理装置(9、19、20)と、前記基材を前記プラズマ処理装置(9、19、20)の前記処理ゾーンを通過させる搬送手段(17)とを有する設備において、
前記プラズマ処理装置が、前記基材を亜鉛めっきするための亜鉛めっき真空容器(11、13)を有し、
検出器(15、16、28、29)が前記処理装置(9、19、20)の入口及び出口に設けられ、前記検出器(15、16、28、29)が、前記基材が前記処理ゾーンを通過する際に前記処理ゾーン内に存在する前記基材の面積に応じて前記処理ゾーン内にプラズマを発生させるために設けられた電力供給部にスレーブ・プログラムを用いて協働し、
前記設備は、
前記プラズマ処理装置(9、19、20)内にプラズマを作り出すに先立って必要とされる物理的な条件の存在によって前記基材の通過を制御するマスター・プログラムと、
各プラズマ処理装置と関連させ、前記マスター・プログラムに依存するスレーブ・プログラムと
を備え、前記スレーブ・プログラムが、前記入口検出器(15、28)が前記基材を検出し、前記出口検出器(16、29)によって前記基材が検出されないとき、前記基材の面積に比例して前記プラズマに連結される前記電力が増加するように、且つ前記入口検出器(15、28)及び前記出口検出器(16、29)が前記基材を検出するとき、前記電力が基準値になるように、かつ前記出口検出器(16、29)のみが前記基材の存在を検知するとき、前記入口検出器(15、28)と出口検出器(16、29)の間に位置する前記基材の前記面積に比例して前記電力が減少するように、前記入口検出器(15、28)及び出口検出器(16、29)からの信号に従って、前記プラズマを発生させる前記電力を調節するために前記入口検出器(15、28)及び出口検出器(16、29)と協働することを特徴とする、設備。 - 前記基材の表面を活性化させるためのプラズマイオン源を有する真空容器(8)を有する第1の処理装置(9)と、それに続く、前記基材を亜鉛めっきするための前記亜鉛めっき真空容器(11、13)を有する少なくとも1つの第2の処理装置(19、20)とを備えることを特徴とする、請求項9に記載された設備。
- 気密ドア(14)によって前記第1の処理装置(9)の前記真空容器(8)から分離された入口真空エアロック(2)が前記第1の処理装置(9)の上流に設けられ、前記基材の入場を検出する検出器(15)が前記第1の処理装置(9)の前記処理ゾーンの上流の前記真空容器(8)内に設けられ、前記基材の出場を検出する検出器(16)が前記処理ゾーンの下流の前記真空容器(8)内に設けられることを特徴とする、請求項10に記載された設備。
- 前記入口真空エアロック(2)が、前記気密ドア(14)の反対側に、前記基材が到着したことを検出するための検出器(33)を備えることを特徴とする、請求項11に記載された設備。
- 前記第2の処理装置(19、20)の前記亜鉛めっき真空容器(10、13)が、
液体亜鉛を収容する坩堝(23)が存在する前記亜鉛蒸気の閉じ込めるチャンバ(25)と、
前記処理ゾーンの前記閉じ込めチャンバ(25)内で、前記坩堝(23)内に収容された液体亜鉛の表面上のプラズマのエネルギーの消散によって亜鉛蒸気の形成を可能にする、前記プラズマを発生させる手段と、
前記閉じ込めチャンバ(25)の上流で前記亜鉛めっき真空容器(11、13)内に設けられた、前記基材の入場を検出する検出器(28)と、
前記チャンバ(25)の下流で、前記真空容器(11、13)内に設けられた前記基材の出場を検出する検出器(29)と
を備えることを特徴とする、請求項10から請求項12までのいずれか一項に記載された設備。 - 前記坩堝(23)に、前記亜鉛めっき真空容器(11、13)から分離された真空容器(21)内に設置された炉(22)からチューブ(24)を用いて液体亜鉛が供給され、前記炉(22)が、少なくとも部分的に溶融状態に維持された亜鉛を収容し、前記炉(22)内に前記チューブ(24)の端部が浸漬されるようになっていることを特徴とする、請求項13に記載された設備。
- 前記亜鉛めっき真空容器(11、13)に気密ドア(14)によって前記亜鉛めっき容器(11、13)から分離された出口真空エアロック(6)が続くことを特徴とする、請求項10から請求項14までのいずれか一項に記載された設備。
- 前記出口真空エアロック(6)が、前記第2の処理装置(19、20)の前記気密ドア(14)を通って、前記基材が完全に通過することを検出するための検出器を備えることを特徴とする、請求項15に記載された設備。
- 前記基材を前記第1の処理装置及び第2の処理装置の前記処理ゾーンを通り移動させるための手段を有する搬送容器(10、12)が、前記第1の処理装置(9)と前記第2の処理装置(19、20)の間に設けられることを特徴とする、請求項10から請求項16までのいずれか一項に記載された設備。
- 前記亜鉛めっき真空容器(11、13)を通って前記基材を通過させるための駆動手段(17)を有する搬送容器(10、12)が、前記亜鉛めっき真空容器(11、13)に先行し、又は前記亜鉛めっき真空容器(11、13)の後に続くことを特徴とする、請求項10から請求項17までのいずれか一項に記載された設備。
- 前記亜鉛めっき真空容器(11、13)がチューブ(18)の形態の柔軟な気密接続部によって1つ又は複数の隣接する真空容器(10、12)に接続され、前記基材を連続する前記真空容器の間で前記接続部を通過させることができることを特徴とする、請求項10から請求項18までのいずれか一項に記載された設備。
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Family Cites Families (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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BE795116A (fr) * | 1972-02-08 | 1973-05-29 | Cockerill | Procede d'alimentation de bain d'evaporation |
JPH07110991B2 (ja) * | 1989-10-02 | 1995-11-29 | 株式会社日立製作所 | プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法 |
EP0577766B1 (en) * | 1991-04-04 | 1999-12-29 | Seagate Technology, Inc. | Apparatus and method for high throughput sputtering |
JPH0850715A (ja) * | 1994-01-28 | 1996-02-20 | Komag Inc | 低ノイズ,高い保磁力および優れた方形度を有する磁気記録媒体および磁気記録媒体形成方法 |
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US6432281B2 (en) * | 1995-12-20 | 2002-08-13 | Recherche Et Developpement Due Groupe Cockerill Sambre | Process for formation of a coating on a substrate |
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US6572738B1 (en) * | 1999-05-25 | 2003-06-03 | Unaxis Balzers Aktiengesellschaft | Vacuum treatment system and process for manufacturing workpieces |
FR2800098B1 (fr) * | 1999-10-26 | 2002-03-01 | Lorraine Laminage | Tole d'acier dotee d'un revetement comprenant une couche principale d'alliage zinc-chrone, dont la phase preponderante presente une structure delta et/ou dzeta |
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