JP5418971B2 - Glass film - Google Patents

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Description

本発明は、ガラスフィルムに関し、具体的には液晶ディスプレイ、有機ELディスプレイ等のディスプレイ用基板、チップサイズパッケージ(CSP)、電荷結合素子(CCD)、等倍近接型固体撮像素子(CIS)等のイメージセンサー用基板、有機EL照明等の照明デバイス用基板および配線基板に好適なガラスフィルムに関する。   TECHNICAL FIELD The present invention relates to a glass film, specifically, a display substrate such as a liquid crystal display or an organic EL display, a chip size package (CSP), a charge coupled device (CCD), an equal magnification proximity solid-state imaging device (CIS), or the like. The present invention relates to a glass film suitable for an image sensor substrate, a substrate for an illumination device such as organic EL lighting, and a wiring substrate.

近年、有機ELディスプレイ等のデバイスは、小型化、薄型化、軽量化が進んでいる。また、これらのデバイスは、携帯電話、ノートPC、TV等に搭載されており、今後、消費電力を更に低下させることが望まれている。しかもこれらのデバイスは、平面状態のみで使用する用途だけでなく、曲面状に曲げて使用する用途もあり、例えばフレキシブルな腕時計の表示部、湾曲した壁の一部に設置する表示部に用いるケースも増えつつある。   In recent years, devices such as organic EL displays have been reduced in size, thickness, and weight. Moreover, these devices are mounted on mobile phones, notebook PCs, TVs, and the like, and it is desired to further reduce power consumption in the future. Moreover, these devices are not only used in a flat state but also used in a curved shape. For example, a case used for a display part of a flexible wristwatch or a display part installed on a curved wall. Is also increasing.

特開2008−305557号公報JP 2008-305557 A 特開2009−70759号公報JP 2009-70759 A

有機ELディスプレイ等には、一般的に、0.5〜0.7mm厚のガラス基板が用いられる。しかし、0.5〜0.7mm厚のガラス基板は、可撓性(フレキシブル性)が乏しいため、曲面状に曲げて使用する用途に適用できないといった問題がある。   In general, a glass substrate having a thickness of 0.5 to 0.7 mm is used for an organic EL display or the like. However, the glass substrate having a thickness of 0.5 to 0.7 mm has a problem that it cannot be applied to a use in which the glass substrate is bent into a curved surface because of poor flexibility.

また、有機ELディスプレイ等は、各画素に送られる電気信号によって、EL素子に流れる電流が変化して、画素の表示が変化する仕組みになっている。しかし、各画素に電圧が印加された場合、それと相反する電荷が基板上に誘起され、この誘起された電荷によって、画素電極にかかるべき電圧が低下し、結果として、TFTの駆動電圧が高くなり、消費電力が高くなるおそれがある。さらに、各画素に電圧が印加された場合、基板が発熱して、デバイスの動作特性に悪影響を及ぼすおそれもある。   In addition, an organic EL display or the like has a mechanism in which display of a pixel is changed by a current flowing through the EL element being changed by an electric signal sent to each pixel. However, when a voltage is applied to each pixel, an opposite charge is induced on the substrate, and this induced charge lowers the voltage to be applied to the pixel electrode, resulting in an increase in the driving voltage of the TFT. There is a possibility that power consumption becomes high. Furthermore, when a voltage is applied to each pixel, the substrate may generate heat and adversely affect the operation characteristics of the device.

そこで、本発明は、可撓性を有しつつ、各画素に電圧が印加された場合、基板上で電荷が誘起され難く、しかも発熱し難い基板材料を創案することにより、曲面状に湾曲可能であり、且つ低消費電力、高信頼性のデバイスを作製することを技術的課題とする。   Therefore, the present invention can be curved into a curved surface by creating a substrate material that has flexibility and is less likely to induce charge on the substrate and to generate heat when a voltage is applied to each pixel. Therefore, it is a technical problem to manufacture a device with low power consumption and high reliability.

本発明者は、種々の実験を繰り返した結果、基板材料として、フィルム厚が小さいガラスフィルムを用いるとともに、ガラスフィルムの誘電率および誘電正接を低下させることにより、上記技術的課題を解決できることを見出し、本発明として、提案するものである。すなわち、本発明のガラスフィルムは、フィルム厚が100μm以下であり、周波数1MHzにおける誘電率が5以下、周波数1MHzにおける誘電正接が0.5以下であることを特徴とする。ここで、「周波数1MHzにおける誘電率」は、25℃においてASTM D150に準拠した方法により測定した値を指す。また、「周波数1MHzにおける誘電正接」は、25℃においてASTM D150に準拠した方法により測定した値を指す。   As a result of repeating various experiments, the present inventors have found that the above technical problem can be solved by using a glass film having a small film thickness as a substrate material and reducing the dielectric constant and dielectric loss tangent of the glass film. This is proposed as the present invention. That is, the glass film of the present invention has a film thickness of 100 μm or less, a dielectric constant at a frequency of 1 MHz, and a dielectric loss tangent at a frequency of 1 MHz of 0.5 or less. Here, “dielectric constant at a frequency of 1 MHz” refers to a value measured at 25 ° C. by a method based on ASTM D150. The “dielectric loss tangent at a frequency of 1 MHz” refers to a value measured by a method based on ASTM D150 at 25 ° C.

ガラスフィルムのフィルム厚を100μm以下に規制すれば、可撓性を高めることができる。このガラスフィルムを基板に用いると、可撓性を有するデバイスを作製しやすくなる。また、ガラスフィルムの誘電率を5以下に規制すれば、画素電極に電圧が印加された場合に、誘起される電荷量を抑制することができ、結果として、デバイスの消費電力が上昇する事態を防止することができる。さらに、ガラスフィルムの誘電正接を0.5以下に規制すれば、ガラスフィルムが発熱して、デバイスの動作特性に悪影響を及ぼす事態を防止することができる。   If the film thickness of the glass film is regulated to 100 μm or less, flexibility can be enhanced. When this glass film is used for a substrate, it becomes easy to produce a flexible device. Moreover, if the dielectric constant of the glass film is regulated to 5 or less, the amount of charge induced when a voltage is applied to the pixel electrode can be suppressed, and as a result, the power consumption of the device increases. Can be prevented. Furthermore, if the dielectric loss tangent of the glass film is regulated to 0.5 or less, it is possible to prevent the glass film from generating heat and adversely affecting the operation characteristics of the device.

第二に、本発明のガラスフィルムは、ガラス組成として、質量%で、SiO 40〜80%、Al 0〜20%、B 10〜30%、MgO 0〜10%、CaO 0〜10%、SrO 0〜10%、BaO 0〜10%含有することを特徴とする。 Second, the glass film of the present invention has a glass composition, in mass%, SiO 2 40~80%, Al 2 O 3 0~20%, B 2 O 3 10~30%, 0~10% MgO, CaO 0 to 10%, SrO 0 to 10%, BaO 0 to 10% are contained.

第三に、本発明のガラスフィルムは、ガラス組成として、質量%で、SiO 55〜75%、Al 10〜20%、B 13〜30%、MgO 0〜4%、CaO 1〜10%、SrO 0〜5%、BaO 0〜5%、LiO+NaO+KO(LiO、NaO、KOの合量) 0〜6%含有することを特徴とする。 Thirdly, the glass film of the present invention has a glass composition, in mass%, SiO 2 55~75%, Al 2 O 3 10~20%, B 2 O 3 13~30%, 0~4% MgO, CaO 1~10%, SrO 0~5%, BaO 0~5%, Li 2 O + Na 2 O + K 2 O (Li 2 O, Na 2 O, the total content of K 2 O), characterized in that it contains 6% And

第四に、本発明のガラスフィルムは、ガラス組成として、質量%で、SiO 55〜63%、Al 10〜20%、B 13〜20%、MgO 0〜2%、CaO 6〜10%、SrO 0〜3%、BaO 0〜3%、MgO+CaO+SrO+BaO(MgO、CaO、SrO、BaOの合量) 6.5〜10%、LiO+NaO+KO 0〜0.1%含有することを特徴とする。 Fourth, the glass film of the present invention has a glass composition, in mass%, SiO 2 55~63%, Al 2 O 3 10~20%, B 2 O 3 13~20%, 0~2% MgO, CaO 6-10%, SrO 0-3%, BaO 0-3%, MgO + CaO + SrO + BaO (total amount of MgO, CaO, SrO, BaO) 6.5-10%, Li 2 O + Na 2 O + K 2 O 0-0.1 % Content.

第五に、本発明のガラスフィルムは、熱膨張係数が25〜50×10−7/℃であることを特徴とする。ここで、「熱膨張係数」は、30〜380℃の温度範囲において、ディラトメーターで測定した平均値を指す。有機ELディスプレイ等は、一般的に、基板上に低膨張のSi系の膜(熱膨張係数:32〜34×10−7/℃程度)が成膜される。このため、ガラスフィルムとSiの熱膨張係数が不整合であると、ガラスフィルムに反りが発生してしまう。そこで、ガラスフィルムの熱膨張係数を上記範囲に規制すれば、Siの熱膨張係数に整合しやすくなり、結果として、ガラスフィルムの反りを防止しやすくなる。 Fifth, the glass film of the present invention has a thermal expansion coefficient of 25 to 50 × 10 −7 / ° C. Here, the “thermal expansion coefficient” refers to an average value measured with a dilatometer in a temperature range of 30 to 380 ° C. In general, in an organic EL display or the like, a low expansion Si-based film (thermal expansion coefficient: about 32 to 34 × 10 −7 / ° C.) is formed on a substrate. For this reason, if the thermal expansion coefficients of the glass film and Si are mismatched, the glass film is warped. Therefore, if the thermal expansion coefficient of the glass film is regulated within the above range, it becomes easy to match the thermal expansion coefficient of Si, and as a result, it becomes easy to prevent warping of the glass film.

第六に、本発明のガラスフィルムは、液相粘度が104.0dPa・s以上であることを特徴とする。ここで、「液相粘度」は、液相温度におけるガラスの粘度を白金球引き上げ法で測定した値を指す。また、「液相温度」は、標準篩30メッシュ(500μm)を通過し、50メッシュ(300μm)に残るガラス粉末を白金ボートに入れ、温度勾配炉中に24時間保持して、結晶が析出する温度を測定した値を指す。なお、液相粘度が高く、液相温度が低い程、耐失透性や成形性に優れている。 Sixth, the glass film of the present invention has a liquidus viscosity of 10 4.0 dPa · s or more. Here, “liquid phase viscosity” refers to a value obtained by measuring the viscosity of glass at the liquid phase temperature by a platinum ball pulling method. In addition, the “liquid phase temperature” passes through a standard sieve 30 mesh (500 μm), and the glass powder remaining in 50 mesh (300 μm) is placed in a platinum boat and kept in a temperature gradient furnace for 24 hours to precipitate crystals. Refers to the value measured temperature. In addition, the higher the liquidus viscosity and the lower the liquidus temperature, the better the devitrification resistance and the moldability.

第七に、本発明のガラスフィルムは、オーバーフローダウンドロー法で成形されてなることを特徴とする。ここで、「オーバーフローダウンドロー法」は、フュージョン法とも称されており、溶融ガラスを耐熱性の樋状構造物の両側から溢れさせて、溢れた溶融ガラスを樋状構造物の下端で合流させながら、下方に延伸成形してガラスフィルムを製造する方法である。   Seventh, the glass film of the present invention is formed by an overflow down draw method. Here, the “overflow down draw method” is also referred to as a fusion method. The molten glass is overflowed from both sides of the heat-resistant cage structure, and the overflowed molten glass is joined at the lower end of the cage structure. However, this is a method for producing a glass film by stretching downward.

第八に、本発明のガラスフィルムは、有機ELディスプレイの基板に用いることを特徴とする。   Eighth, the glass film of the present invention is used for a substrate of an organic EL display.

第九に、本発明のガラスフィルムは、配線基板に用いることを特徴とする。   Ninthly, the glass film of the present invention is used for a wiring board.

本発明のガラスフィルムにおいて、フィルム厚は100μm以下であり、80μm以下、50μm以下、特に30μm以下が好ましい。フィルム厚が小さい程、ガラスフィルムを軽量化することができ、結果として、デバイスも軽量化することができる。また、フィルム厚が小さい程、ガラスフィルムの可撓性が向上するため、デバイスに可撓性を付与しやすくなり、湾曲した部分にデバイスを設置しやすくなる。   In the glass film of the present invention, the film thickness is 100 μm or less, preferably 80 μm or less, 50 μm or less, and particularly preferably 30 μm or less. The smaller the film thickness, the lighter the glass film and, as a result, the lighter the device. Moreover, since the flexibility of a glass film improves so that film thickness is small, it becomes easy to provide flexibility to a device and it becomes easy to install a device in the curved part.

本発明のガラスフィルムにおいて、1MHzにおける誘電率は5以下、好ましくは4.9以下、更に好ましくは4.8以下である。誘電率が高くなると、画素電極に電圧が印加された際に、誘起される電荷が高くなり、消費電力が上昇する傾向にある。   In the glass film of the present invention, the dielectric constant at 1 MHz is 5 or less, preferably 4.9 or less, more preferably 4.8 or less. When the dielectric constant increases, the charge induced when a voltage is applied to the pixel electrode increases, and the power consumption tends to increase.

本発明のガラスフィルムにおいて、1MHzにおける誘電正接は0.5以下であり、好ましくは0.1以下、より好ましくは0.01以下、更に好ましくは0.005以下、特に好ましくは0.001以下、最も好ましくは0.0005以下である。誘電正接が高くなると、ガラスフィルムが発熱して、デバイスの動作特性に悪影響を及ぼすおそれが生じる。   In the glass film of the present invention, the dielectric loss tangent at 1 MHz is 0.5 or less, preferably 0.1 or less, more preferably 0.01 or less, still more preferably 0.005 or less, particularly preferably 0.001 or less, Most preferably, it is 0.0005 or less. When the dielectric loss tangent increases, the glass film generates heat, which may adversely affect the operation characteristics of the device.

本発明のガラスフィルムにおいて、ガラス組成中の各成分の含有量を上記のように限定した理由を以下に示す。   The reason for limiting the content of each component in the glass composition as described above in the glass film of the present invention will be described below.

SiOの含有量は40〜80%、好ましくは50〜75%、より好ましくは55〜70%、更に好ましくは57〜63%、最も好ましくは58〜62%である。SiOの含有量が40%より少ないと、密度を低下させ難くなる。一方、SiOの含有量が80%より多いと、高温粘度が高くなり、溶融性が低下することに加えて、ガラス中に失透結晶(クリストバライト)等の欠陥が生じやすくなる。 The content of SiO 2 is 40 to 80%, preferably 50 to 75%, more preferably 55 to 70%, still more preferably 57 to 63%, and most preferably 58 to 62%. When the content of SiO 2 is less than 40%, it is difficult to reduce the density. On the other hand, when the content of SiO 2 is more than 80%, the high temperature viscosity becomes high and the meltability is lowered. In addition, defects such as devitrified crystals (cristobalite) are likely to occur in the glass.

Alの含有量は0〜20%である。Alの含有量が少ないと、耐熱性を高め難くなったり、高温粘性が高くなり、溶融性が低下しやすくなる。よって、Alの好適な下限範囲は0.1%以上、3%以上、5%以上、10%以上、12%以上、14%以上、14.5%以上、15%以上、特に15.5%以上である。一方、Alの含有量が多いと、液相温度が高くなり、耐失透性が低下しやすくなる。よって、Alの好適な上限範囲は19%以下、18%以下、特に17%以下である。 The content of Al 2 O 3 is 0 to 20%. When the content of Al 2 O 3 is less or hardly enhance the heat resistance, the higher the viscosity at high temperature, the melting property tends to decrease. Therefore, the preferred lower limit range of Al 2 O 3 is 0.1% or more, 3% or more, 5% or more, 10% or more, 12% or more, 14% or more, 14.5% or more, 15% or more, particularly 15 .5% or more. On the other hand, when the content of Al 2 O 3 is large, the liquidus temperature increases, devitrification resistance tends to decrease. Therefore, the preferable upper limit range of Al 2 O 3 is 19% or less, 18% or less, and particularly 17% or less.

は、誘電率を低下させる成分である。また融剤として働き、高温粘性を下げて、溶融性を高める成分であり、その含有量は10〜30%である。Bの含有量が少ないと、誘電率を低下させることが困難になり、また融剤としての働きが不十分になるため、高温粘性が高くなり、泡品位が低下しやすくなる。更には、ガラスを低密度化し難くなる。よって、Bの好適な下限範囲は11%以上、11.5%以上、12%以上、13%以上、14%以上、15%以上、特に15.5%以上である。一方、Bの含有量が多いと、耐熱性や耐候性が低下しやすくなる。よって、Bの好適な上限範囲は25%以下、20%以下、19%以下、18%以下、特に17%以下である。 B 2 O 3 is a component that lowers the dielectric constant. Moreover, it is a component which acts as a flux, lowers the high temperature viscosity, and improves the meltability, and its content is 10 to 30%. When the content of B 2 O 3 is small, it becomes difficult to lower the dielectric constant, and the function as a flux becomes insufficient, so that the high-temperature viscosity becomes high and the bubble quality tends to be lowered. Furthermore, it is difficult to reduce the density of the glass. Therefore, the preferable lower limit range of B 2 O 3 is 11% or more, 11.5% or more, 12% or more, 13% or more, 14% or more, 15% or more, particularly 15.5% or more. On the other hand, if the content of B 2 O 3 is large, heat resistance and weather resistance tends to lower. Therefore, the preferable upper limit range of B 2 O 3 is 25% or less, 20% or less, 19% or less, 18% or less, particularly 17% or less.

MgOは、歪点を低下させずに、高温粘性を下げて、溶融性を高める成分であり、またアルカリ土類金属酸化物の中では最も密度を下げる効果がある成分であり、その含有量は0〜10%、0〜6%、0〜2%、0〜1%、0〜0.5%、0〜0.1%が好ましい。しかし、MgOの含有量が多過ぎると、誘電率や誘電正接が高くなりやすい。また、MgOの含有量が多過ぎると、液相温度が上昇し、耐失透性が低下しやすくなり、更にはガラスが分相しやすくなり、透明性が損なわれるおそれがある。   MgO is a component that increases the meltability by lowering the high-temperature viscosity without lowering the strain point, and is the component that has the effect of reducing the density most among the alkaline earth metal oxides. 0-10%, 0-6%, 0-2%, 0-1%, 0-0.5%, 0-0.1% are preferable. However, when the content of MgO is too large, the dielectric constant and dielectric loss tangent tend to be high. Moreover, when there is too much content of MgO, liquidus temperature will rise, devitrification resistance will fall easily, and also it will become easy to phase-divide glass, and there exists a possibility that transparency may be impaired.

CaOの含有量は0〜10%である。CaOは、歪点を低下させずに、高温粘性を下げて、溶融性を顕著に高める成分であるとともに、本発明に係るガラス組成系において、失透を抑制する効果が大きい成分である。さらに、アルカリ土類金属酸化物の中で、その含有量を相対的に増加させると、ガラスを低密度化しやすくなる。よって、CaOの好適な下限範囲は1%以上、2%以上、3%以上、6%以上、6.5%以上、特に7%以上である。一方、CaOの含有量が多いと、誘電率や誘電正接が高くなりやすく、また熱膨張係数や密度が高くなり過ぎたり、ガラス組成の成分バランスを損なわれて、耐失透性が低下しやすくなる。よって、CaOの好適な上限範囲は9.5%以下、9%以下、特に8.5%以下である。   The content of CaO is 0 to 10%. CaO is a component that lowers the high-temperature viscosity without significantly lowering the strain point and significantly increases the meltability, and is a component that has a large effect of suppressing devitrification in the glass composition system according to the present invention. Furthermore, when the content is relatively increased in the alkaline earth metal oxide, the glass is easily reduced in density. Therefore, the preferable lower limit range of CaO is 1% or more, 2% or more, 3% or more, 6% or more, 6.5% or more, particularly 7% or more. On the other hand, if the content of CaO is large, the dielectric constant and dielectric loss tangent are likely to be high, the thermal expansion coefficient and density are too high, the component balance of the glass composition is impaired, and devitrification resistance is likely to be reduced. Become. Therefore, the preferable upper limit range of CaO is 9.5% or less, 9% or less, and particularly 8.5% or less.

SrOの含有量は0〜10%である。SrOは、歪点を低下させずに、高温粘性を下げて、溶融性を高める成分であるが、SrOの含有量が多くなると、密度や熱膨張係数が上昇しやすくなり、誘電率や誘電正接も上昇しやすくなる。また、SrOの含有量が多くなると、Siの熱膨張係数に整合させるために、相対的にCaOやMgOの含有量を低下しなければならず、その含有量の低下に起因して、耐失透性が低下したり、高温粘性が上昇する事態を招きやすくなる。よって、SrOの含有量は0〜5%、0〜2%、0〜1.5%、0〜1%、0〜0.5%、特に0〜0.1%が好ましい。   The content of SrO is 0 to 10%. SrO is a component that increases the meltability by lowering the high-temperature viscosity without lowering the strain point. However, as the SrO content increases, the density and thermal expansion coefficient tend to increase, and the dielectric constant and dielectric loss tangent. Will also rise. In addition, when the SrO content is increased, the CaO and MgO contents must be relatively reduced in order to match the thermal expansion coefficient of Si. It becomes easy to invite the situation where permeability falls and high temperature viscosity rises. Therefore, the content of SrO is preferably 0 to 5%, 0 to 2%, 0 to 1.5%, 0 to 1%, 0 to 0.5%, particularly preferably 0 to 0.1%.

BaOの含有量は0〜10%である。BaOは、歪点を低下させずに、高温粘性を下げて、溶融性を高める成分であるが、BaOの含有量が多くなると、密度や熱膨張係数が上昇しやすくなり、誘電率や誘電正接も上昇しやすくなる。また、BaOの含有量が多くなると、Siの熱膨張係数に整合させるためには、相対的にCaOやMgOの含有量を低下しなければならず、結果として、耐失透性が低下したり、高温粘性が上昇する事態を招きやすくなる。よって、BaOの含有量は0〜6%、0〜3%、0〜2%、0〜1.5%、0〜1%、0〜0.5%、特に0〜0.1%未満が好ましい。   The content of BaO is 0 to 10%. BaO is a component that increases the meltability by lowering the high-temperature viscosity without lowering the strain point. However, as the content of BaO increases, the density and thermal expansion coefficient tend to increase, and the dielectric constant and dielectric loss tangent. Will also rise. Further, when the content of BaO increases, in order to match the thermal expansion coefficient of Si, the content of CaO and MgO must be relatively decreased, resulting in a decrease in devitrification resistance. , The high temperature viscosity is likely to increase. Therefore, the content of BaO is 0-6%, 0-3%, 0-2%, 0-1.5%, 0-1%, 0-0.5%, especially less than 0-0.1%. preferable.

MgO+CaO+SrO+BaOは、液相温度を下げて、ガラス中に結晶異物を発生させ難くする成分であり、また溶融性や成形性を高める成分であり、その含有量は0〜25%、1〜20%、3〜15%、5〜10%、6.5〜9.5%、特に7〜9%が好ましい。MgO+CaO+SrO+BaOの含有量が少ないと、融剤としての働きを十分に発揮できず、溶融性が低下することに加えて、熱膨張係数が低くなり過ぎ、Siの熱膨張係数に整合し難くなる。一方、MgO+CaO+SrO+BaOの含有量が多いと、密度が上昇し、ガラスを軽量化し難くなり、また比ヤング率が低下するとともに、熱膨張係数が高くなり過ぎる。   MgO + CaO + SrO + BaO is a component that lowers the liquidus temperature and makes it difficult to generate crystalline foreign matter in the glass, and is a component that improves meltability and formability, and its content is 0 to 25%, 1 to 20%, 3 to 15%, 5 to 10%, 6.5 to 9.5%, particularly 7 to 9% are preferable. When the content of MgO + CaO + SrO + BaO is small, the function as a flux cannot be sufficiently exhibited, and in addition to the decrease in meltability, the thermal expansion coefficient becomes too low and it becomes difficult to match the thermal expansion coefficient of Si. On the other hand, if the content of MgO + CaO + SrO + BaO is large, the density increases, it becomes difficult to reduce the weight of the glass, the specific Young's modulus decreases, and the thermal expansion coefficient becomes too high.

上記成分以外にも、他の成分を例えば25%、好ましくは15%までガラス組成中に添加することができる。   In addition to the above components, other components can be added to the glass composition, for example, up to 25%, preferably up to 15%.

清澄剤は、泡品位を高めるために用いる成分である。従来、清澄剤として、As、Sbが使用されていた。しかし、As、Sbは、環境負荷物質であり、環境的観点から、これらの使用量を削減することが要求されている。そこで、清澄剤として、SnOを用いると、環境的要請に配慮しつつ、泡品位を高めることができる。 A fining agent is a component used to improve foam quality. Conventionally, As 2 O 3 and Sb 2 O 3 have been used as fining agents. However, As 2 O 3 and Sb 2 O 3 are environmentally hazardous substances, and it is required to reduce their usage from an environmental point of view. Therefore, when SnO 2 is used as a fining agent, the foam quality can be improved while considering environmental requirements.

SnOは、高温域で良好な清澄作用を発揮する成分であるとともに、高温粘性を低下させる成分であり、その含有量は0〜1%、0.001〜1%、0.01〜0.5%、特に0.05〜0.3%が好ましい。SnOの含有量が1%より多いと、SnOの失透結晶がガラス中に析出しやすくなる。なお、SnOの含有量が0.001%より少ないと、上記の効果を享受し難くなる。 SnO 2 is a component that exhibits a good clarification action in a high temperature range and a component that lowers the high temperature viscosity, and its content is 0 to 1%, 0.001 to 1%, 0.01 to 0.00. 5%, particularly 0.05 to 0.3% is preferable. When the content of SnO 2 is more than 1%, a devitrified crystal of SnO 2 is likely to be precipitated in the glass. Incidentally, when the content of SnO 2 is less than 0.001%, it becomes difficult to enjoy the effect of the above.

As、Sbも清澄剤として有効に作用し、本発明は、これらの成分の含有を完全に排除するものではないが、環境的観点から、これらの成分の含有量をそれぞれ0.1%未満、特に0.05%未満に規制することが好ましい。また、F、Cl等のハロゲンは、溶融温度を低温化するとともに、清澄剤の作用を促進させる効果があり、結果として、溶融コストを低廉化しつつ、ガラス製造窯の長寿命化を図ることができる。しかし、F、Clの含有量が多過ぎると、ガラスフィルム上に形成される金属の配線パターンを腐食させる場合がある。よって、F、Clの含有量はそれぞれ1%以下、0.5%以下、0.1%未満、0.05%以下、特に0.01%以下が好ましい。 As 2 O 3 and Sb 2 O 3 also act effectively as fining agents, and the present invention does not completely exclude the inclusion of these components, but from an environmental point of view, the content of these components is It is preferable to regulate to less than 0.1%, particularly less than 0.05%. In addition, halogens such as F and Cl lower the melting temperature and promote the action of the clarifying agent. As a result, it is possible to extend the life of the glass manufacturing kiln while reducing the melting cost. it can. However, if the content of F or Cl is too large, the metal wiring pattern formed on the glass film may be corroded. Therefore, the contents of F and Cl are preferably 1% or less, 0.5% or less, less than 0.1%, 0.05% or less, particularly 0.01% or less, respectively.

上記の通り、清澄剤として、SnOが好適であるが、ガラス特性を損なわない限り、CeO、SO、C、金属粉末(例えばAl、Si等)を5%まで添加することができる。 As described above, SnO 2 is suitable as a fining agent, but CeO 2 , SO 3 , C, and metal powder (eg, Al, Si, etc.) can be added up to 5% as long as the glass properties are not impaired.

ZnOは、溶融性を高める成分であるが、その含有量が多くなると、誘電率や誘電正接が高くなり、またガラスが失透しやすくなるとともに、歪点が低下する上、密度も上昇しやすくなる。よって、ZnOの含有量は0〜10%、0〜5%、0〜3%、0〜0.5%、特に0〜0.3%が好ましく、理想的には実質的に含有しないことが望ましい。ここで、「実質的にZnOを含有しない」とは、ガラス組成中のZnOの含有量が0.1%以下の場合を指す。   ZnO is a component that enhances meltability, but as its content increases, the dielectric constant and dielectric loss tangent increase, the glass tends to devitrify, the strain point decreases, and the density also increases easily. Become. Therefore, the content of ZnO is preferably 0 to 10%, 0 to 5%, 0 to 3%, 0 to 0.5%, particularly preferably 0 to 0.3%, and ideally not substantially contained. desirable. Here, “substantially does not contain ZnO” refers to a case where the content of ZnO in the glass composition is 0.1% or less.

ZrOは、耐候性を高める成分であるが、その含有量が多くなると、誘電率や誘電正接が高くなる。よって、ZrOの含有量は0〜5%、0〜3%、0〜0.5%、特に0〜0.2%が好ましく、理想的には実質的に含有しないことが望ましい。ここで、「実質的にZrOを含有しない」とは、ガラス組成中のZrOの含有量が0.01%以下の場合を指す。なお、耐候性を高めたい場合は、ZrOの含有量を0.01%以上にすることが好ましい。 ZrO 2 is a component that enhances the weather resistance, but as its content increases, the dielectric constant and dielectric loss tangent increase. Therefore, the content of ZrO 2 is preferably 0 to 5%, 0 to 3%, 0 to 0.5%, particularly preferably 0 to 0.2%, and ideally not substantially contained. Here, “substantially does not contain ZrO 2 ” refers to a case where the content of ZrO 2 in the glass composition is 0.01% or less. Incidentally, For greater weather resistance, it is preferable that a content of ZrO 2 in 0.01% or more.

TiOは、高温粘性を下げて、溶融性を高める成分であるとともに、ソラリゼーションを抑制する成分であるが、ガラス組成中に多く添加すると、誘電率や誘電正接が高くなり、またガラスが着色し、透過率が低下しやすくなる。よって、TiOの含有量は0〜5%、0〜3%、0〜1%、特に0〜0.02%が好ましい。 TiO 2 is a component that lowers the viscosity at high temperature and increases the meltability, and is a component that suppresses solarization, but when added in a large amount in the glass composition, the dielectric constant and dielectric loss tangent increase, and the glass is colored. , The transmittance tends to decrease. Therefore, the content of TiO 2 is preferably 0 to 5%, 0 to 3%, 0 to 1%, particularly preferably 0 to 0.02%.

は、耐失透性を高める成分であるが、ガラス組成中に多く添加すると、ガラス中に分相、乳白が生じることに加えて、耐水性が顕著に低下する。よって、Pの含有量は0〜5%、0〜1%、特に0〜0.5%が好ましい。 P 2 O 5 is a component that enhances devitrification resistance. However, when it is added in a large amount in the glass composition, in addition to the occurrence of phase separation and milk white in the glass, the water resistance is significantly reduced. Therefore, the content of P 2 O 5 is preferably 0 to 5%, 0 to 1%, particularly preferably 0 to 0.5%.

、Nb、Laは、歪点を高める働きがあるが、これらの含有量が多いと、誘電率、誘電正接、密度が上昇しやすくなる。よって、これらの成分の含有量は、それぞれ0〜3%、0〜1%、特に0〜0.1%が好ましい。 Y 2 O 3 , Nb 2 O 5 , and La 2 O 3 have a function of increasing the strain point. However, when the content thereof is large, the dielectric constant, dielectric loss tangent, and density are likely to increase. Therefore, the content of these components is preferably 0 to 3%, 0 to 1%, particularly preferably 0 to 0.1%, respectively.

LiO+NaO+KOの含有量が多くなると、熱膨張係数が高くなったり、歪点が低下したり、TFTの特性が劣化する。よって、LiO+NaO+KOの含有量は0〜10%未満、0〜6%、0〜5%未満、0〜3%、0〜1%、特に0〜0.1%が好ましく、理想的には実質的に含有しないことが望ましい。ここで、「実質的にLiO+NaO+KOを含有しない」とは、ガラス組成中のLiO+NaO+KOの含有量が0.1%未満の場合を指す。 When the content of Li 2 O + Na 2 O + K 2 O increases, the thermal expansion coefficient increases, the strain point decreases, and the TFT characteristics deteriorate. Therefore, the content of Li 2 O + Na 2 O + K 2 O is preferably 0 to less than 10%, 0 to 6%, 0 to less than 5%, 0 to 3%, 0 to 1%, particularly preferably 0 to 0.1%. Ideally, it is desirable not to contain substantially. Here, "substantially free of Li 2 O + Na 2 O + K 2 O ", the content of Li 2 O + Na 2 O + K 2 O in the glass composition refers to a case of less than 0.1%.

本発明のガラスフィルムにおいて、ガラス組成範囲を以下のように規定すれば、誘電率が低下し、またSiの熱膨張係数に整合しやすくなるとともに、高温粘度が低下し、しかも液相粘度が高くなりやすい。
(1)ガラス組成として、質量%で、SiO 50〜70%、Al 0.1〜20%、B 11〜25%、MgO+CaO+SrO+BaO 5〜13%、MgO 0〜10%、CaO 0〜9%、SrO 0〜7%、BaO 0〜7%含有し、Asの含有量が0.5%未満、Sbの含有量が0.5%未満、Fの含有量が0.1%未満、Clの含有量が0.1%未満、アルカリ金属酸化物の含有量が10%未満、
(2)ガラス組成として、質量%で、SiO 55〜70%、Al 11〜18%、B 12〜22%、MgO+CaO+SrO+BaO 7〜11%、MgO 0〜9%、CaO 0.1〜9%、SrO 0〜6%、BaO 0〜6%含有し、Asの含有量が0.1%未満、Sbの含有量が0.1%未満、Fの含有量が0.1%未満、Clの含有量が0.1%未満、アルカリ金属酸化物の含有量が5%未満、
(3)ガラス組成として、質量%で、SiO 55〜70%、Al 12〜17%、B 12〜19%、MgO+CaO+SrO+BaO 7〜11%、MgO 0〜5%、CaO 2〜9%、SrO 0〜3%、BaO 0〜3%含有し、Asの含有量が0.1%未満、Sbの含有量が0.1%未満、Fの含有量が0.1%未満、Clの含有量が0.1%未満、アルカリ金属酸化物の含有量が1%未満、
(4)ガラス組成として、質量%で、SiO 55〜65%、Al 13〜18%、B 13〜19%、MgO+CaO+SrO+BaO 7〜10%、MgO 0〜1%、CaO 6.5〜9%、SrO 0〜1%、BaO 0〜1%含有し、Asの含有量が0.05%未満、Sbの含有量が0.05%未満、Fの含有量が0.1%未満、Clの含有量が0.1%未満、アルカリ金属酸化物の含有量が0.1%未満、
(5)ガラス組成として、質量%で、SiO 57〜63%、Al 15〜17%、B 15〜18%、MgO+CaO+SrO+BaO 7〜9%、MgO 0〜1%、CaO 7〜9%、SrO 0〜0.5%、BaO 0〜0.5%、SnO 0.01〜0.6%含有し、Asの含有量が0.05%未満、Sbの含有量が0.05%未満、Fの含有量が0.1%未満、Clの含有量が0.1%未満、アルカリ金属酸化物の含有量が0.1%未満。
In the glass film of the present invention, if the glass composition range is defined as follows, the dielectric constant decreases, and it becomes easy to match the thermal expansion coefficient of Si, the high temperature viscosity decreases, and the liquid phase viscosity is high. Prone.
(1) as a glass composition, in mass%, SiO 2 50~70%, Al 2 O 3 0.1~20%, B 2 O 3 11~25%, MgO + CaO + SrO + BaO 5~13%, 0~10% MgO, CaO 0-9%, SrO 0-7%, BaO 0-7%, As 2 O 3 content less than 0.5%, Sb 2 O 3 content less than 0.5%, F The content is less than 0.1%, the Cl content is less than 0.1%, the alkali metal oxide content is less than 10%,
(2) as a glass composition, in mass%, SiO 2 55~70%, Al 2 O 3 11~18%, B 2 O 3 12~22%, MgO + CaO + SrO + BaO 7~11%, MgO 0~9%, CaO 0 0.1 to 9%, SrO 0 to 6%, BaO 0 to 6%, As 2 O 3 content less than 0.1%, Sb 2 O 3 content less than 0.1%, F The content is less than 0.1%, the Cl content is less than 0.1%, the alkali metal oxide content is less than 5%,
(3) as a glass composition, in mass%, SiO 2 55~70%, Al 2 O 3 12~17%, B 2 O 3 12~19%, MgO + CaO + SrO + BaO 7~11%, 0~5% MgO, CaO 2 -9%, SrO 0-3%, BaO 0-3%, As 2 O 3 content less than 0.1%, Sb 2 O 3 content less than 0.1%, F content Is less than 0.1%, the Cl content is less than 0.1%, the alkali metal oxide content is less than 1%,
(4) as a glass composition, in mass%, SiO 2 55~65%, Al 2 O 3 13~18%, B 2 O 3 13~19%, MgO + CaO + SrO + BaO 7~10%, 0~1% MgO, CaO 6 0.5-9%, SrO 0-1%, BaO 0-1%, As 2 O 3 content less than 0.05%, Sb 2 O 3 content less than 0.05%, The content is less than 0.1%, the Cl content is less than 0.1%, the alkali metal oxide content is less than 0.1%,
(5) As a glass composition, by mass%, SiO 2 57 to 63%, Al 2 O 3 15 to 17%, B 2 O 3 15 to 18%, MgO + CaO + SrO + BaO 7 to 9%, MgO 0 to 1%, CaO 7 -9%, SrO 0-0.5%, BaO 0-0.5%, SnO 2 0.01-0.6%, As 2 O 3 content less than 0.05%, Sb 2 O 3 content is less than 0.05%, F content is less than 0.1%, Cl content is less than 0.1%, and alkali metal oxide content is less than 0.1%.

誘電率を低下させるためには、一般的に、ガラス組成中のSiOの含有量を増加させることが有効である。しかし、無アルカリガラスまたは低アルカリガラスの場合、SiOの含有量を増加させると、溶融性が著しく低下する場合がある。しかし、ガラス組成範囲を上記(3)〜(5)のように規制すれば、誘電率を低下させつつ、溶融性の低下を抑制することができる。 In order to lower the dielectric constant, it is generally effective to increase the content of SiO 2 in the glass composition. However, in the case of an alkali-free glass or a low alkali glass, increasing the SiO 2 content may significantly decrease the meltability. However, if the glass composition range is regulated as in the above (3) to (5), it is possible to suppress a decrease in meltability while reducing the dielectric constant.

本発明のガラスフィルムにおいて、密度は2.6g/cm以下、2.5g/cm以下、2.45g/cm以下、2.42g/cm以下、2.40g/cm以下、2.38g/cm以下、2.35g/cm以下、特に2.34g/cm以下が好ましい。密度が2.6g/cmより大きいと、ガラスフィルムを軽量化し難くなる。ここで、「密度」は、周知のアルキメデス法で測定した値を指す。 In the glass film of the present invention, the density is 2.6 g / cm 3 or less, 2.5 g / cm 3 or less, 2.45 g / cm 3 or less, 2.42 g / cm 3 or less, 2.40 g / cm 3 or less, 2 .38g / cm 3 or less, 2.35 g / cm 3 or less, particularly preferably 2.34 g / cm 3 or less. When the density is larger than 2.6 g / cm 3 , it is difficult to reduce the weight of the glass film. Here, “density” refers to a value measured by the well-known Archimedes method.

本発明のガラスフィルムにおいて、熱膨張係数は25〜50×10−7/℃、29〜45×10−7/℃、31〜39×10−7/℃、32〜38×10−7/℃、33〜37×10−7/℃、特に33〜35×10−7/℃が好ましい。熱膨張係数が上記範囲外となると、ガラスフィルムが、TFT等の膜との熱膨張係数差に起因して、反りやすくなる。なお、フィルム厚が小さい程、ガラスフィルムが反りやすくなる。そのため、フィルム厚が小さい程、熱膨張係数を上記範囲内に規制する必要性が高くなる。 In the glass film of the present invention, the thermal expansion coefficient is 25 to 50 × 10 −7 / ° C., 29 to 45 × 10 −7 / ° C., 31 to 39 × 10 −7 / ° C., and 32 to 38 × 10 −7 / ° C. 33 to 37 × 10 −7 / ° C., particularly 33 to 35 × 10 −7 / ° C. is preferable. When the thermal expansion coefficient is outside the above range, the glass film tends to warp due to a difference in thermal expansion coefficient from a film such as a TFT. In addition, a glass film becomes easy to warp, so that film thickness is small. Therefore, the smaller the film thickness, the higher the necessity of regulating the thermal expansion coefficient within the above range.

本発明のガラスフィルムにおいて、歪点は500℃以上、550℃以上、620℃以上、630℃以上、640℃以上、650℃以上、特に660℃以上が好ましい。歪点が低いと、ガラスフィルムが、有機ELディスプレイ用基板に使用する場合に、p−Si・TFTの製造工程で熱収縮しやすくなる。   In the glass film of the present invention, the strain point is preferably 500 ° C. or higher, 550 ° C. or higher, 620 ° C. or higher, 630 ° C. or higher, 640 ° C. or higher, 650 ° C. or higher, and particularly 660 ° C. or higher. When the strain point is low, when the glass film is used for an organic EL display substrate, the glass film is likely to be thermally contracted in the manufacturing process of the p-Si • TFT.

高温溶融は、ガラス溶融窯の負担を増加させる。ガラス溶融窯に使用されるアルミナやジルコニア等の耐火物は、高温になる程、溶融ガラスに激しく浸食される。耐火物の浸食量が多くなると、ガラス溶融窯のライフサイクルが短くなり、結果として、ガラスフィルムの製造コストが高騰する。また、高温溶融を行う場合、ガラス溶融窯の構成部材に高耐熱性の構成部材を使用する必要があるため、ガラス溶融窯の構成部材が割高になり、結果として、ガラスの溶融コストが高騰する。さらに、高温溶融は、ガラス溶融窯の内部を高温に保持する必要があるため、低温溶融に比べて、ランニングコストが高騰する。したがって、本発明のガラスフィルムにおいて、102.5dPa・sにおける温度は1590℃以下、1580℃以下、1570℃以下、1560℃以下、特に1550℃以下が好ましい。102.5dPa・sにおける温度が1590℃より高いと、低温溶融が困難になり、また泡品位が低下しやすくなり、結果として、ガラスフィルムの製造コストが高騰しやすくなる。ここで、「102.5dPa・sにおける温度」は、溶融温度に相当し、白金球引き上げ法で測定した値を指す。 High temperature melting increases the burden on the glass melting furnace. Refractories such as alumina and zirconia used in a glass melting furnace are eroded violently by molten glass as the temperature rises. When the erosion amount of the refractory is increased, the life cycle of the glass melting furnace is shortened, and as a result, the manufacturing cost of the glass film is increased. In addition, when performing high temperature melting, it is necessary to use a high heat resistance component for the glass melting kiln, so the glass melting kiln becomes expensive, resulting in a high glass melting cost. . Furthermore, high-temperature melting requires that the interior of the glass melting furnace be maintained at a high temperature, so that the running cost is higher than that at low-temperature melting. Therefore, in the glass film of the present invention, the temperature at 10 2.5 dPa · s is preferably 1590 ° C. or lower, 1580 ° C. or lower, 1570 ° C. or lower, 1560 ° C. or lower, particularly 1550 ° C. or lower. When the temperature at 10 2.5 dPa · s is higher than 1590 ° C., low-temperature melting becomes difficult, and the bubble quality tends to be lowered, and as a result, the production cost of the glass film is likely to increase. Here, “temperature at 10 2.5 dPa · s” corresponds to the melting temperature and indicates a value measured by a platinum ball pulling method.

本発明のガラスフィルムにおいて、液相温度は1180℃以下、1150℃以下、1110℃以下、1070℃以下が好ましい。このようにすれば、ガラスに失透結晶が発生し難くなるため、オーバーフローダウンドロー法等でガラスを成形しやすくなる。このため、ガラスフィルムの表面品位を向上しつつ、ガラスフィルムの製造コストを低廉化することができる。なお、液相温度は、耐失透性の指標であり、液相温度が低い程、耐失透性に優れる。   In the glass film of the present invention, the liquidus temperature is preferably 1180 ° C. or lower, 1150 ° C. or lower, 1110 ° C. or lower, 1070 ° C. or lower. In this way, devitrification crystals are less likely to occur in the glass, and it becomes easier to form the glass by the overflow downdraw method or the like. For this reason, the manufacturing cost of a glass film can be reduced, improving the surface quality of a glass film. The liquidus temperature is an index of devitrification resistance. The lower the liquidus temperature, the better the devitrification resistance.

本発明のガラスフィルムにおいて、液相粘度は104.5dPa・s以上、105.0dPa・s以上、105.5dPa・s以上、105.7dPa・s以上、特に105.8dPa・s以上が好ましい。このようにすれば、成形時に失透結晶が発生し難くなるため、オーバーフローダウンドロー法等でガラスを成形しやすくなり、ガラスフィルムの表面品位を向上しつつ、ガラスフィルムの製造コストを低廉化することができる。なお、液相粘度は、成形性の指標であり、液相粘度が高い程、成形性に優れる。 In the glass film of the present invention, the liquid phase viscosity is 10 4.5 dPa · s or more, 10 5.0 dPa · s or more, 10 5.5 dPa · s or more, 10 5.7 dPa · s or more, particularly 10 5. .8 dPa · s or more is preferable. In this way, since devitrification crystals are less likely to occur during molding, it becomes easier to mold glass by the overflow down draw method or the like, and the glass film manufacturing cost is reduced while improving the surface quality of the glass film. be able to. The liquid phase viscosity is an index of moldability. The higher the liquid phase viscosity, the better the moldability.

本発明のガラスフィルムは、オーバーフローダウンドロー法で成形されてなることが好ましい。このようにすれば、未研磨で表面品位が良好なガラスフィルムを作製することができる。その理由は、オーバーフローダウンドロー法の場合、ガラスフィルムの表面となるべき面は樋状耐火物に接触せず、自由表面の状態で成形されるからである。樋状構造物の構造や材質は、所望の寸法や表面品位を実現できるものであれば、特に限定されない。また、下方への延伸成形を行うために、ガラスフィルムに対して力を印加する方法は、所望の寸法や表面品位を実現できるものであれば、特に限定されない。例えば、充分に大きい幅を有する耐熱性ロールをガラスフィルムに接触させた状態で回転させて延伸する方法を採用してもよいし、複数の対になった耐熱性ロールをガラスフィルムの端面近傍のみに接触させて延伸する方法を採用してもよい。なお、液相温度が低く、液相粘度が高い程、オーバーフローダウンドロー法でガラスフィルムを成形しやすくなる。   The glass film of the present invention is preferably formed by an overflow downdraw method. In this way, a glass film that is unpolished and has good surface quality can be produced. The reason is that, in the case of the overflow downdraw method, the surface to be the surface of the glass film does not come into contact with the bowl-like refractory and is molded in a free surface state. The structure and material of the bowl-shaped structure are not particularly limited as long as desired dimensions and surface quality can be realized. Moreover, in order to perform the downward extending | stretching shaping | molding, the method of applying force with respect to a glass film will not be specifically limited if a desired dimension and surface quality are realizable. For example, a method may be adopted in which a heat-resistant roll having a sufficiently large width is rotated and stretched in contact with the glass film, or a plurality of pairs of heat-resistant rolls are only near the end face of the glass film. You may employ | adopt the method of making it contact and extending | stretching. The lower the liquidus temperature and the higher the liquidus viscosity, the easier it is to mold the glass film by the overflow downdraw method.

本発明のガラスフィルムは、オーバーフローダウンドロー法以外にも、種々の成形方法を適用することができる。例えば、スロットダウンドロー法、リドロー法等を適用することができる。   Various molding methods can be applied to the glass film of the present invention in addition to the overflow downdraw method. For example, a slot down draw method, a redraw method, or the like can be applied.

本発明のガラスフィルムにおいて、表面粗さRaは、50Å以下、30Å以下、10Å以下、5Å以下、3Å以下、2Å以下である。表面粗さRaが大きくなると、ガラスフィルム上に形成されるITOやTFT等の膜の品位が低下し、デバイスが表示不良を引き起こすおそれがある。ここで、「表面粗さ(Ra)」は、JIS B0601:2001に準拠した方法により測定した値を指す。   In the glass film of the present invention, the surface roughness Ra is 50 Å or less, 30 Å or less, 10 Å or less, 5 Å or less, 3 Å or less, 2 Å or less. When the surface roughness Ra is increased, the quality of a film such as ITO or TFT formed on the glass film is lowered, and the device may cause a display defect. Here, “surface roughness (Ra)” refers to a value measured by a method based on JIS B0601: 2001.

本発明のガラスフィルムは、所定のガラス組成になるように調合したガラスバッチを連続式ガラス溶融窯に投入し、このガラスバッチを加熱溶融した後、得られた溶融ガラスを清澄し、成形装置に供給した上で薄板形状等に成形することにより作製することができる。   In the glass film of the present invention, a glass batch prepared so as to have a predetermined glass composition is put into a continuous glass melting furnace, and after the glass batch is heated and melted, the obtained molten glass is clarified and put into a molding apparatus. It can be manufactured by forming into a thin plate shape after being supplied.

以下、実施例に基づいて、本発明を詳細に説明する。   Hereinafter, based on an Example, this invention is demonstrated in detail.

表1は、本発明の実施例(試料No.1〜10)を示している。   Table 1 shows examples of the present invention (sample Nos. 1 to 10).

Figure 0005418971
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次のようにして、試料No.1〜10を作製した。まず表中のガラス組成になるように調合したガラスバッチを白金坩堝に入れ、1600℃で24時間溶融した後、カーボン板上に流し出して平板形状に成形した。次に、得られた各試料について、誘電率、誘電正接、密度、熱膨張係数α、歪点、徐冷点、軟化点、104.0dPa・sにおける温度、103.0dPa・sにおける温度、102.5dPa・sにおける温度、液相温度TL、液相粘度logηTLを評価した。 Sample no. 1-10 were produced. First, a glass batch prepared so as to have the glass composition shown in the table was put in a platinum crucible, melted at 1600 ° C. for 24 hours, and then poured out onto a carbon plate to form a flat plate shape. Next, for each sample obtained, dielectric constant, dielectric loss tangent, the density, the thermal expansion coefficient alpha, strain point, annealing point, softening point, temperature at 10 4.0 dPa · s, 10 3.0 dPa · s at a temperature, temperature at 10 2.5 dPa · s, the liquid phase temperature TL, to evaluate the liquidus viscosity LogitaTL.

誘電率、誘電正接は、ASTM D150に準拠し、周波数1MHz、25℃における測定値である。   The dielectric constant and dielectric loss tangent are measured values at a frequency of 1 MHz and 25 ° C. in accordance with ASTM D150.

密度は、周知のアルキメデス法で測定した値である。   The density is a value measured by a well-known Archimedes method.

熱膨張係数αは、ディラトメーターで測定した値であり、30〜380℃の温度範囲における平均値である。   The thermal expansion coefficient α is a value measured with a dilatometer, and is an average value in a temperature range of 30 to 380 ° C.

歪点、徐冷点および軟化点は、ASTM C336の方法に基づいて測定した値である。   The strain point, annealing point, and softening point are values measured based on the method of ASTM C336.

104.0dPa・sにおける温度、103.0dPa・sにおける温度、102.5dPa・sにおける温度は、白金球引き上げ法で測定した値である。 The temperature at 10 4.0 dPa · s, the temperature at 10 3.0 dPa · s, and the temperature at 10 2.5 dPa · s are values measured by the platinum ball pulling method.

液相温度TLは、標準篩30メッシュ(500μm)を通過し、50メッシュ(300μm)に残るガラス粉末を白金ボートに入れ、温度勾配炉中に24時間保持して、結晶の析出する温度を測定した値である。   The liquid phase temperature TL passes through a standard sieve 30 mesh (500 μm), and the glass powder remaining in 50 mesh (300 μm) is placed in a platinum boat and held in a temperature gradient furnace for 24 hours to measure the temperature at which crystals precipitate. It is the value.

液相粘度logηTLは、液相温度TLにおけるガラスの粘度を白金引き上げ法で測定した値である。   The liquid phase viscosity log ηTL is a value obtained by measuring the viscosity of the glass at the liquid phase temperature TL by the platinum pulling method.

表1から明らかなように、試料No.1〜10は、ガラス組成が所定範囲に規制されているため、誘電率が4.93以下、誘電正接が0.0007以下、密度が2.39g/cm以下、熱膨張係数αが30〜35×10−7/℃、歪点が511℃以上、102.5dPa・sにおける温度が1548℃以下、液相温度TLが1190℃以下、液相粘度logηTLが4.0以上であった。なお、試料No.1〜10は、ガラス組成中にAs、Sbを含有していないが、泡品位が良好であった。 As is clear from Table 1, sample No. In Nos. 1 to 10, since the glass composition is regulated within a predetermined range, the dielectric constant is 4.93 or less, the dielectric loss tangent is 0.0007 or less, the density is 2.39 g / cm 3 or less, and the thermal expansion coefficient α is 30 to 30. 35 × 10 −7 / ° C., strain point was 511 ° C. or higher, temperature at 10 2.5 dPa · s was 1548 ° C. or lower, liquidus temperature TL was 1190 ° C. or lower, and liquidus viscosity logηTL was 4.0 or higher. . Sample No. 1-10, but it does not contain As 2 O 3, Sb 2 O 3 in the glass composition, the foam quality was good.

試験溶融炉で表1に記載の試料No.1〜4を溶融し、オーバーフローダウンドロー法でフィルム厚50μmのガラスフィルムを成形したところ、表面粗さ(Ra)は20Å以下であった。なお、成形に際し、引っ張りローラーの速度、冷却ローラーの速度、加熱装置の温度分布、溶融ガラスの温度、溶融ガラスの流量、板引き速度、攪拌スターラーの回転数等を適宜調整することで、ガラスフィルムの表面品位を調節した。表面粗さ(Ra)」は、JIS B0601:2001に準拠した方法により測定した値である。   In the test melting furnace, sample No. When 1-4 was melted and a glass film having a film thickness of 50 μm was formed by the overflow downdraw method, the surface roughness (Ra) was 20 mm or less. In forming the glass film, the speed of the pulling roller, the speed of the cooling roller, the temperature distribution of the heating device, the temperature of the molten glass, the flow rate of the molten glass, the drawing speed, the rotation speed of the stirring stirrer, etc. are appropriately adjusted. The surface quality of the was adjusted. “Surface roughness (Ra)” is a value measured by a method based on JIS B0601: 2001.

試験溶融炉で表1に記載の試料No.1〜10を溶融し、オーバーフローダウンドロー法またはリドロー法でフィルム厚30μmのガラスフィルムを成形した。次に、得られたガラスフィルムについて、Nd:YAGレーザーを照射し、直径30μmの貫通穴を形成し、更にその貫通孔に対して、アルミめっきを行い、ガラスフィルムの前面と背面間で導通が取れるように処理を行った。続いて、ガラスフィルムの前面に電極等の配線パターンを形成した。最後に、パターニングを行ったガラスフィルムを複数用意し、これらを積層することにより、配線基板を作製した。   In the test melting furnace, sample No. 1 to 10 were melted, and a glass film having a film thickness of 30 μm was formed by the overflow downdraw method or the redraw method. Next, the obtained glass film is irradiated with an Nd: YAG laser to form a through hole having a diameter of 30 μm, and further, the through hole is subjected to aluminum plating so that conduction is established between the front surface and the back surface of the glass film. Processing was performed so that it could be removed. Subsequently, a wiring pattern such as an electrode was formed on the front surface of the glass film. Finally, a plurality of patterned glass films were prepared and laminated to prepare a wiring board.

Claims (9)

フィルム厚が100μm以下であり、周波数1MHzにおける誘電率が5以下、周波数1MHzにおける誘電正接が0.5以下であることを特徴とするガラスフィルム。   A glass film having a film thickness of 100 μm or less, a dielectric constant at a frequency of 1 MHz of 5 or less, and a dielectric loss tangent at a frequency of 1 MHz of 0.5 or less. ガラス組成として、質量%で、SiO 40〜80%、Al 0〜20%、B 10〜30%、MgO 0〜10%、CaO 0〜10%、SrO 0〜10%、BaO 0〜10%含有することを特徴とする請求項1に記載のガラスフィルム。 As a glass composition, in mass%, SiO 2 40~80%, Al 2 O 3 0~20%, B 2 O 3 10~30%, 0~10% MgO, CaO 0~10%, SrO 0~10% BaO 0 to 10% is contained, The glass film of Claim 1 characterized by the above-mentioned. ガラス組成として、質量%で、SiO 55〜75%、Al 10〜20%、B 13〜30%、MgO 0〜4%、CaO 1〜10%、SrO 0〜5%、BaO 0〜5%、LiO+NaO+KO 0〜6%含有することを特徴とする請求項1に記載のガラスフィルム。 As a glass composition, in mass%, SiO 2 55~75%, Al 2 O 3 10~20%, B 2 O 3 13~30%, 0~4% MgO, CaO 1~10%, SrO 0~5% , BaO 0 to 5%, the glass film according to claim 1, characterized in that Li 2 O + Na 2 O + K 2 O containing 6%. ガラス組成として、質量%で、SiO 55〜63%、Al 10〜20%、B 13〜20%、MgO 0〜2%、CaO 6〜10%、SrO 0〜3%、BaO 0〜3%、MgO+CaO+SrO+BaO 6.5〜10%、LiO+NaO+KO 0〜0.1%含有することを特徴とする請求項1に記載のガラスフィルム。 As a glass composition, in mass%, SiO 2 55~63%, Al 2 O 3 10~20%, B 2 O 3 13~20%, 0~2% MgO, CaO 6~10%, SrO 0~3% glass film according to claim 1, wherein BaO 0~3%, MgO + CaO + SrO + BaO 6.5~10%, by containing Li 2 O + Na 2 O + K 2 O 0~0.1%. 熱膨張係数が25〜50×10−7/℃であることを特徴とする請求項1〜4のいずれかに記載のガラスフィルム。 The thermal expansion coefficient is 25-50 * 10 < -7 > / degreeC, The glass film in any one of Claims 1-4 characterized by the above-mentioned. 液相粘度が104.0dPa・s以上であることを特徴とする請求項1〜5のいずれかに記載のガラスフィルム。 Glass film according to claim 1, liquidus viscosity, characterized in that of 10 4.0 dPa · s or more. オーバーフローダウンドロー法で成形されてなることを特徴とする請求項1〜6のいずれかに記載のガラスフィルム。   The glass film according to claim 1, wherein the glass film is formed by an overflow downdraw method. 有機ELディスプレイの基板に用いることを特徴とする請求項1〜7のいずれかに記載のガラスフィルム。   It uses for the board | substrate of an organic electroluminescent display, The glass film in any one of Claims 1-7 characterized by the above-mentioned. 配線基板に用いることを特徴とする請求項1〜7のいずれかに記載のガラスフィルム。   It uses for a wiring board, The glass film in any one of Claims 1-7 characterized by the above-mentioned.
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