JP5410107B2 - 有機トランジスタ - Google Patents
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有機半導体層を有する有機トランジスタにおいて、該有機半導体層に一般式(1)で表される化合物を少なくとも1種含有してなる有機トランジスタである。
本発明の有機トランジスタは、有機半導体層に一般式(1)で表される化合物を少なくとも1種含有してなるものである。
2−メトキシフェニル基、3−メトキシフェニル基、4−メトキシフェニル基、3−エトキシフェニル基、4−エトキシフェニル基、4−n−プロポキシフェニル基、4−イソプロポキシフェニル基、4−n−ブトキシフェニル基、4−イソブトキシフェニル基、4−n−ペンチルオキシフェニル基、4−n−ヘキシルオキシフェニル基、4−シクロヘキシルオキシフェニル基、4−n−ヘプチルオキシフェニル基、4−n−オクチルオキシフェニル基、4−n−ノニルオキシフェニル基、4−n−デシルオキシフェニル基、4−n−ウンデシルオキシフェニル基、4−n−ドデシルオキシフェニル基、4−n−テトラデシルオキシフェニル基、2,3−ジメトキシフェニル基、2,4−ジメトキシフェニル基、2,5−ジメトキシフェニル基、3,4−ジメトキシフェニル基、3,5−ジメトキシフェニル基、3,5−ジエトキシフェニル基、2−メトキシ−4−メチルフェニル基、2−メトキシ−5−メチルフェニル基、2−メチル−4−メトキシフェニル基、3−メチル−4−メトキシフェニル基、3−メチル−5−メトキシフェニル基、
2−フルオロフェニル基、3−フルオロフェニル基、4−フルオロフェニル基、2−クロロフェニル基、3−クロロフェニル基、4−クロロフェニル基、4−ブロモフェニル基、3−トリフルオロメチルフェニル基、4−トリフルオロメチルフェニル基、2,4−ジフルオロフェニル基、2,4−ジクロロフェニル基、3,4−ジフルオロフェニル基、3,4−ジクロロフェニル基、3,5−ジフルオロフェニル基、3,5−ジクロロフェニル基、3,4,5−トリフルオロフェニル基、2−メチル−4−クロロフェニル基、2−クロロ−4−メチルフェニル基、3−クロロ−4−メチルフェニル基、2−クロロ−4−メトキシフェニル基、3−メトキシ−4−フルオロフェニル基、3−メトキシ−4−クロロフェニル基、3−フルオロ−4−メトキシフェニル基、2,3,4,5,6−ペンタフルオロフェニル基、4−フェニルフェニル基、3−フェニルフェニル基、4−(4’−メチルフェニル)フェニル基、4−(4’−メトキシフェニル)フェニル基、1−ナフチル基、2−ナフチル基、4−メチル−1−ナフチル基、4−エトキシ−1−ナフチル基、6−n−ブチル−2−ナフチル基、6−メトキシ−2−ナフチル基、7−エトキシ−2−ナフチル基、1−アントラセニル基、2−アントラセニル基、9−アントラセニル基、2−テトラセニル基、2−フルオレニル基、9,9−ジメチル−2−フルオレニル基、9,9−ジ−n−プロピル−2−フルオレニル基、2−フリル基、2−チエニル基、5−n−プロピル−2−チエニル基、5−n−ブチル−2−チエニル基、5−n−ヘキシル−2−チエニル基、5−n−オクチル−チエニル基、5−n−デシル−2−チエニル基、5−n−トリデシル−2−チエニル基、5−フェニル−2−チエニル基、5−(2’−チエニル)−2−チエニル基、5−(5’−n−ブチル−2’−チエニル)−2−チエニル基、5−(5’−n−ヘキシル−2’−チエニル)−2−チエニル基、5−(5’−n−デシル−2’−チエニル)−2−チエニル基、3−チエニル基、2−ピリジル基、3−ピリジル基、4−ピリジル基などの置換または未置換のアリール基を挙げることができる。
好ましくは、ハロゲン原子、直鎖、分岐または環状のアルキル基、直鎖、分岐または環状のアルコキシ基、直鎖、分岐または環状のアルコキシアルキル基、あるいは置換または未置換のアリール基で置換されていてもよいチエノチオフェン環を表し、
より好ましくは、直鎖、分岐または環状のアルキル基、直鎖、分岐または環状のアルコキシアルキル基、あるいは置換または未置換のアリール基で置換されていてもよいチエノチオフェン環を表す。
好ましくは、ハロゲン原子、直鎖、分岐または環状のアルキル基、直鎖、分岐または環状のアルコキシ基、直鎖、分岐または環状のアルコキシアルキル基、あるいは置換または未置換のアリール基で置換されていてもよいチオフェン環、
ハロゲン原子、直鎖、分岐または環状のアルキル基、直鎖、分岐または環状のアルコキシ基、直鎖、分岐または環状のアルコキシアルキル基、あるいは置換または未置換のアリール基で置換されていてもよいベンゾ[b]チオフェン環、
ハロゲン原子、直鎖、分岐または環状のアルキル基、直鎖、分岐または環状のアルコキシ基、直鎖、分岐または環状のアルコキシアルキル基、あるいは置換または未置換のアリール基で置換されていてもよいチエノチオフェン環を表す。
ゲート電極としての抵抗率0.02Ω・cmのシリコン基板に、厚さ200nmの熱酸化膜(SiO2)を形成した。ここで、シリコン基板自体がゲート電極となり、シリコン基板表面に形成されたSiO2層がゲート絶縁層となる。この上に、真空下(5×10−4Pa)で、例示化合物番号2の化合物を、蒸着速度0.03nm/secの速度で、30nmの厚さに蒸着し、有機半導体層を形成した。さらに、この上に、マスクを用いて、金を蒸着してソース電極およびドレイン電極を形成した。尚、ソース電極およびドレイン電極の厚みは40nmであり、チャネル幅は5mm、チャネル長は20μmであった。
以上のように作製した有機トランジスタは、p型のトランジスタ素子としての特性を示した。有機トランジスタの電流−電圧(I−V)特性の飽和領域から、電荷移動度を求めた。
さらに、ドレインバイアス−50Vとし、ゲートバイアス−50Vおよび0Vにした時のドレイン電流値を測定し、電流のオン/オフ比を求めた。
さらに、作製した有機トランジスタ素子を大気中で、25℃で、1ヶ月保存した後、再度、電荷移動度と電流のオン/オフ比を測定した。測定結果を第1表に示した。
実施例1において、有機半導体層の形成に際して、例示化合物番号2の化合物を使用する代わりに、例示化合物番号23の化合物(実施例2)、例示化合物番号27の化合物(実施例3)、例示化合物番号50の化合物(実施例4)、例示化合物番号60の化合物(実施例5)、例示化合物番号68の化合物(実施例6)、例示化合物番号77の化合物(実施例7)、例示化合物番号86の化合物(実施例8)、例示化合物番号118の化合物(実施例9)を使用した以外は、実施例1に記載の方法により、有機トランジスタを作製した。
さらに、実施例1に記載の方法により、有機トランジスタの特性を調べ、結果を第1表に示した。
実施例1において、有機半導体層の形成に際して、例示化合物番号2の化合物を使用する代わりに、ペンタセンを使用した以外は、実施例1に記載の方法により、有機トランジスタを作製した。
さらに、実施例1に記載の方法により、有機トランジスタの特性を調べ、結果を第1表に示した。
尚、1ヶ月放置後には、有機トランジスタとしての特性を示さなかった。
実施例1において、有機半導体層の形成に際して、例示化合物番号2の化合物を使用する代わりに、α−ヘキサチエニレンを使用した以外は、実施例1に記載の方法により、有機トランジスタを作製した。
さらに、実施例1に記載の方法により、有機トランジスタの特性を調べ、結果を第1表に示した。
実施例1において、有機半導体層の形成に際して、例示化合物番号2の化合物を使用する代わりに、ベンゾ[1,2−b:4,5−b’]ビス[b]ベンゾチオフェン(非特許文献4、特許文献1に記載の化合物)を使用した以外は、実施例1に記載の方法により、有機トランジスタを作製した。
さらに、実施例1に記載の方法により、有機トランジスタの特性を調べ、結果を第1表に示した。
ゲート電極としての抵抗率0.02Ω・cmのシリコン基板に、厚さ200nmの熱酸化膜(SiO2)を形成した。ここで、シリコン基板自体がゲート電極となり、シリコン基板表面に形成されたSiO2層がゲート絶縁層となる。シリコン基板を80℃に加熱しておき、その上に、例示化合物番号83の化合物のクロロホルム溶液(濃度:0.4質量%)を塗布したところ、クロロホルムが蒸発し、50nmの厚さの例示化合物番号83の化合物からなる有機半導体層が形成された。さらに、この上に、マスクを用いて、金を蒸着してソース電極およびドレイン電極を形成した。尚、ソース電極およびドレイン電極の厚みは40nmであり、チャネル幅は5mm、チャネル長は20μmであった。
さらに、実施例1に記載の方法により、有機トランジスタの特性を調べたところ、移動度は、2.4×10−1(cm2/Vsec)であり、電流のオン/オフ比は5.3×105であった。
実施例10において、有機半導体層の形成に際して、例示化合物番号83の化合物を使用する代わりに、例示化合物番号111の化合物を使用した以外は、実施例10に記載の方法により、有機トランジスタを作製した。
さらに、実施例1に記載の方法により、有機トランジスタの特性を調べたところ、移動度は、1.6×10−1(cm2/Vsec)であり、電流のオン/オフ比は4.6×105であった。
21:ゲート電極
31:ゲート絶縁層
41:ドレイン電極
51:有機半導体層
61:ソース電極
12:基板
22:ゲート電極
32:ゲート絶縁層
42:ドレイン電極
52:有機半導体層
62:ソース電極
13:基板
23:ゲート電極
33:ゲート絶縁層
43:ドレイン電極
53:有機半導体層
63:ソース電極
14:基板
24:ゲート電極
34:ゲート絶縁層
44:ドレイン電極
54:有機半導体層
64:ソース電極
Claims (1)
- 有機半導体層を有する有機トランジスタにおいて、該有機半導体層に一般式(1)で表される化合物を少なくとも1種含有してなる有機トランジスタ。
(式中、X1〜X4は水素原子を表し、
環Aはハロゲン原子、炭素数1〜20の直鎖、分岐または環状のアルキル基、炭素数1〜20の直鎖、分岐または環状のアルコキシ基、炭素数2〜20の直鎖、分岐または環状のアルコキシアルキル基、あるいは炭素数4〜20の置換または未置換のアリール基で置換されていてもよいチエノチオフェン環を表し、
環Bはハロゲン原子、炭素数1〜20の直鎖、分岐または環状のアルキル基、炭素数1〜20の直鎖、分岐または環状のアルコキシ基、炭素数2〜20の直鎖、分岐または環状のアルコキシアルキル基、あるいは炭素数4〜20の置換または未置換のアリール基で置換されていてもよいチオフェン環、
ハロゲン原子、炭素数1〜20の直鎖、分岐または環状のアルキル基、炭素数1〜20の直鎖、分岐または環状のアルコキシ基、炭素数2〜20の直鎖、分岐または環状のアルコキシアルキル基、あるいは炭素数4〜20の置換または未置換のアリール基で置換されていてもよいベンゾ[b]チオフェン環、
あるいはハロゲン原子、炭素数1〜20の直鎖、分岐または環状のアルキル基、炭素数1〜20の直鎖、分岐または環状のアルコキシ基、炭素数2〜20の直鎖、分岐または環状のアルコキシアルキル基、あるいは炭素数4〜20の置換または未置換のアリール基で置換されていてもよいチエノチオフェン環を表す)
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2009021861A JP5410107B2 (ja) | 2009-02-02 | 2009-02-02 | 有機トランジスタ |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2009021861A JP5410107B2 (ja) | 2009-02-02 | 2009-02-02 | 有機トランジスタ |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2010177642A JP2010177642A (ja) | 2010-08-12 |
JP5410107B2 true JP5410107B2 (ja) | 2014-02-05 |
Family
ID=42708246
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2009021861A Expired - Fee Related JP5410107B2 (ja) | 2009-02-02 | 2009-02-02 | 有機トランジスタ |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5410107B2 (ja) |
Families Citing this family (18)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2010254599A (ja) * | 2009-04-23 | 2010-11-11 | Ricoh Co Ltd | ジチエノナフトジチオフェン誘導体とこれを用いた有機電子デバイス、有機薄膜トランジスタ及びディスプレイ装置 |
WO2011078246A1 (ja) * | 2009-12-25 | 2011-06-30 | 住友化学株式会社 | 高分子化合物、これを含む薄膜及びインク組成物 |
KR102277812B1 (ko) * | 2013-11-14 | 2021-07-15 | 삼성전자주식회사 | 비대칭 축합다환 헤테로방향족 화합물, 이를 포함하는 유기 박막 및 상기 유기 박막을 포함하는 전자 소자 |
US9318713B2 (en) | 2013-11-14 | 2016-04-19 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Asymmetric fused polyheteroaromatic compound, organic thin film including the asymmetric fused polyheteroaromatic compound, and electronic device including the organic thin film |
JP6246150B2 (ja) | 2014-03-26 | 2017-12-13 | 富士フイルム株式会社 | 非発光性有機半導体デバイス用塗布液、有機トランジスタ、化合物、非発光性有機半導体デバイス用有機半導体材料、有機トランジスタ用材料、有機トランジスタの製造方法および有機半導体膜の製造方法の提供 |
JP2016001659A (ja) * | 2014-06-11 | 2016-01-07 | 株式会社東海理化電機製作所 | 有機半導体材料 |
US9985222B2 (en) | 2014-06-23 | 2018-05-29 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Organic compound, and organic thin film and electronic device |
KR102232857B1 (ko) | 2014-08-05 | 2021-03-25 | 삼성전자주식회사 | 유기 화합물, 유기 박막 및 전자 소자 |
WO2016035640A1 (ja) * | 2014-09-01 | 2016-03-10 | 富士フイルム株式会社 | 有機半導体膜形成用組成物、有機半導体膜、及び有機半導体素子 |
JP6205074B2 (ja) * | 2014-09-24 | 2017-09-27 | 富士フイルム株式会社 | 有機半導体素子及びその製造方法、化合物、有機半導体膜形成用組成物、並びに、有機半導体膜 |
JP6275874B2 (ja) | 2014-12-16 | 2018-02-07 | 富士フイルム株式会社 | 有機半導体素子及びその製造方法、有機半導体組成物、並びに、有機半導体膜 |
WO2016143775A1 (ja) * | 2015-03-11 | 2016-09-15 | 富士フイルム株式会社 | 有機半導体膜形成用組成物、及び、有機半導体素子 |
US10230059B2 (en) | 2015-06-19 | 2019-03-12 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Organic compound and organic thin film and electronic device |
EP3386989B1 (en) | 2015-12-10 | 2019-10-23 | Basf Se | Naphthoindacenodithiophenes and polymers |
JP6780365B2 (ja) * | 2016-08-23 | 2020-11-04 | 東ソー株式会社 | ヘテロアセン誘導体、有機半導体層、及び有機薄膜トランジスタ |
CN111655684B (zh) * | 2017-10-19 | 2023-07-07 | Clap有限公司 | 用于有机电子材料的新型取代苯并萘噻吩化合物 |
KR102631401B1 (ko) | 2018-08-28 | 2024-01-29 | 삼성전자주식회사 | 화합물, 박막 트랜지스터 및 전자 소자 |
KR20200061888A (ko) | 2018-11-26 | 2020-06-03 | 삼성전자주식회사 | 화합물, 유기 박막, 박막 트랜지스터 및 전자 소자 |
Family Cites Families (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
GB2465626B (en) * | 2008-11-28 | 2013-07-31 | Cambridge Display Tech Ltd | Organic semiconductors |
-
2009
- 2009-02-02 JP JP2009021861A patent/JP5410107B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2010177642A (ja) | 2010-08-12 |
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Date | Code | Title | Description |
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A711 | Notification of change in applicant |
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R250 | Receipt of annual fees |
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