JP5352260B2 - 有機トランジスタ - Google Patents
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Description
有機半導体層を有する有機トランジスタにおいて、該有機半導体層に一般式(1)で表される化合物を少なくとも1種含有してなる有機トランジスタである。
本発明の有機トランジスタは、有機半導体層に一般式(1)で表される化合物を少なくとも1種含有してなるものである。
2−メトキシフェニル基、3−メトキシフェニル基、4−メトキシフェニル基、3−エトキシフェニル基、4−エトキシフェニル基、4−n−プロポキシフェニル基、4−イソプロポキシフェニル基、4−n−ブトキシフェニル基、4−イソブトキシフェニル基、4−n−ペンチルオキシフェニル基、4−n−ヘキシルオキシフェニル基、4−シクロヘキシルオキシフェニル基、4−n−ヘプチルオキシフェニル基、4−n−オクチルオキシフェニル基、4−n−ノニルオキシフェニル基、4−n−デシルオキシフェニル基、4−n−ウンデシルオキシフェニル基、4−n−ドデシルオキシフェニル基、4−n−テトラデシルオキシフェニル基、2,3−ジメトキシフェニル基、2,4−ジメトキシフェニル基、2,5−ジメトキシフェニル基、3,4−ジメトキシフェニル基、3,5−ジメトキシフェニル基、3,5−ジエトキシフェニル基、2−メトキシ−4−メチルフェニル基、2−メトキシ−5−メチルフェニル基、2−メチル−4−メトキシフェニル基、3−メチル−4−メトキシフェニル基、3−メチル−5−メトキシフェニル基、
2−フルオロフェニル基、3−フルオロフェニル基、4−フルオロフェニル基、2−クロロフェニル基、3−クロロフェニル基、4−クロロフェニル基、4−ブロモフェニル基、3−トリフルオロメチルフェニル基、4−トリフルオロメチルフェニル基、2,4−ジフルオロフェニル基、2,4−ジクロロフェニル基、3,4−ジフルオロフェニル基、3,4−ジクロロフェニル基、3,5−ジフルオロフェニル基、3,5−ジクロロフェニル基、3,4,5−トリフルオロフェニル基、2−メチル−4−クロロフェニル基、2−クロロ−4−メチルフェニル基、3−クロロ−4−メチルフェニル基、2−クロロ−4−メトキシフェニル基、3−メトキシ−4−フルオロフェニル基、3−メトキシ−4−クロロフェニル基、3−フルオロ−4−メトキシフェニル基、2,3,4,5,6−ペンタフルオロフェニル基、4−フェニルフェニル基、3−フェニルフェニル基、4−(4’−メチルフェニル)フェニル基、4−(4’−メトキシフェニル)フェニル基、1−ナフチル基、2−ナフチル基、4−メチル−1−ナフチル基、4−エトキシ−1−ナフチル基、6−n−ブチル−2−ナフチル基、6−メトキシ−2−ナフチル基、7−エトキシ−2−ナフチル基、1−アントラセニル基、2−アントラセニル基、9−アントラセニル基、2−テトラセニル基、2−フルオレニル基、9,9−ジメチル−2−フルオレニル基、9,9−ジ−n−プロピル−2−フルオレニル基、2−フリル基、2−チエニル基、5−n−プロピル−2−チエニル基、5−n−ブチル−2−チエニル基、5−n−ヘキシル−2−チエニル基、5−n−オクチル−チエニル基、5−n−デシル−2−チエニル基、5−n−トリデシル−2−チエニル基、5−フェニル−2−チエニル基、5−(2’−チエニル)−2−チエニル基、5−(5’−n−ブチル−2’−チエニル)−2−チエニル基、5−(5’−n−ヘキシル−2’−チエニル)−2−チエニル基、5−(5’−n−デシル−2’−チエニル)−2−チエニル基、3−チエニル基、2−ピリジル基、3−ピリジル基、4−ピリジル基などの置換または未置換のアリール基を挙げることができる。
好ましくは、ハロゲン原子、直鎖、分岐または環状のアルキル基、直鎖、分岐または環状のアルコキシ基、直鎖、分岐または環状のアルコキシアルキル基、あるいは置換または未置換のアリール基で置換されていてもよいチオフェン環を表し、より好ましくは、直鎖、分岐または環状のアルキル基、直鎖、分岐または環状のアルコキシアルキル基、あるいは置換または未置換のアリール基で置換されていてもよいチオフェン環を表し、さらに好ましくは、置換または未置換のアリール基で置換されていてもよいチオフェン環を表す。
ゲート電極としての抵抗率0.02Ω・cmのシリコン基板に、厚さ200nmの熱酸化膜(SiO2)を形成した。ここで、シリコン基板自体がゲート電極となり、シリコン基板表面に形成されたSiO2層がゲート絶縁層となる。この上に、真空下(5×10−4Pa)で、例示化合物番号3の化合物を、蒸着速度0.03nm/secの速度で、30nmの厚さに蒸着し、有機半導体層を形成した。さらに、この上に、マスクを用いて、金を蒸着してソース電極およびドレイン電極を形成した。尚、ソース電極およびドレイン電極の厚みは40nmであり、チャネル幅は5mm、チャネル長は20μmであった。
以上のように作製した有機トランジスタは、p型のトランジスタ素子としての特性を示した。有機トランジスタの電流―電圧(I−V)特性の飽和領域から、電荷移動度を求めた。
さらに、ドレインバイアス−50Vとし、ゲートバイアス−50Vおよび0Vにした時のドレイン電流値を測定し、電流のオン/オフ比を求めた。
さらに、作製した有機トランジスタ素子を大気中で、25℃で、1ヶ月保存した後、再度、電荷移動度と電流のオン/オフ比を測定した。測定結果を第1表に示した。
実施例1において、有機半導体層の形成に際して、例示化合物番号3の化合物を使用する代わりに、例示化合物番号10の化合物(実施例2)、例示化合物番号16の化合物(実施例3)、例示化合物番号19の化合物(実施例4)、例示化合物番号24の化合物(実施例5)、例示化合物番号37の化合物(実施例6)、例示化合物番号59の化合物(実施例7)、例示化合物番号63の化合物(実施例8)、例示化合物番号73の化合物(実施例9)、例示化合物番号92の化合物(実施例10)、例示化合物番号102の化合物(実施例11)、例示化合物番号114の化合物(実施例12)、例示化合物番号130の化合物(実施例13)を使用した以外は、実施例1に記載の方法により、有機トランジスタを作製した。
さらに、実施例1に記載の方法により、有機トランジスタの特性を調べ、結果を第1表に示した。
実施例1において、有機半導体層の形成に際して、例示化合物番号3の化合物を使用する代わりに、ペンタセンを使用した以外は、実施例1に記載の方法により、有機トランジスタを作製した。
さらに、実施例1に記載の方法により、有機トランジスタの特性を調べ、結果を第1表に示した。
尚、1ヶ月放置後には、有機トランジスタとしての特性を示さなかった。
実施例1において、有機半導体層の形成に際して、例示化合物番号3の化合物を使用する代わりに、α−ヘキサチエニレンを使用した以外は、実施例1に記載の方法により、有機トランジスタを作製した。
さらに、実施例1に記載の方法により、有機トランジスタの特性を調べ、結果を第1表に示した。
実施例1において、有機半導体層の形成に際して、例示化合物番号3の化合物を使用する代わりに、2,7−ジフェニル[1]ベンゾチエノ[3,2−b][1]ベンゾチオフェン(非特許文献4に記載)を使用した以外は、実施例1に記載の方法により、有機トランジスタを作製した。
さらに、実施例1に記載の方法により、有機トランジスタの特性を調べ、結果を第1表に示した。
ゲート電極としての抵抗率0.02Ω・cmのシリコン基板に、厚さ200nmの熱酸化膜(SiO2)を形成した。ここで、シリコン基板自体がゲート電極となり、シリコン基板表面に形成されたSiO2層がゲート絶縁層となる。シリコン基板を80℃に加熱しておき、その上に、例示化合物番号4の化合物のクロロホルム溶液(濃度:0.4質量%)を塗布したところ、クロロホルムが蒸発し、50nmの厚さの例示化合物番号4の化合物からなる有機半導体層が形成された。さらに、この上に、マスクを用いて、金を蒸着してソース電極およびドレイン電極を形成した。尚、ソース電極およびドレイン電極の厚みは40nmであり、チャネル幅は5mm、チャネル長は20μmであった。
さらに、実施例1に記載の方法により、有機トランジスタの特性を調べたところ、移動度は、1.2×10−1(cm2/Vsec)であり、電流のオン/オフ比は2.3×107であった。
実施例14において、有機半導体層の形成に際して、例示化合物番号4の化合物を使用する代わりに、例示化合物番号107の化合物を使用した以外は、実施例14に記載の方法により、有機トランジスタを作製した。
さらに、実施例1に記載の方法により、有機トランジスタの特性を調べたところ、移動度は、1.5×10−1(cm2/Vsec)であり、電流のオン/オフ比は2.5×107であった。
実施例14において、有機半導体層の形成に際して、例示化合物番号4の化合物を使用する代わりに、2,7−ジヘキシル[1]ベンゾチエノ[3,2−b][1]ベンゾチオフェン(非特許文献5に記載)を使用した以外は、実施例14に記載の方法により、有機トランジスタを作製した。
さらに、実施例1に記載の方法により、有機トランジスタの特性を調べたところ、移動度は、8.2×10−2(cm2/Vsec)であり、電流のオン/オフ比は2.2×107であった。
21:ゲート電極
31:ゲート絶縁層
41:ドレイン電極
51:有機半導体層
61:ソース電極
12:基板
22:ゲート電極
32:ゲート絶縁層
42:ドレイン電極
52:有機半導体層
62:ソース電極
13:基板
23:ゲート電極
33:ゲート絶縁層
43:ドレイン電極
53:有機半導体層
63:ソース電極
14:基板
24:ゲート電極
34:ゲート絶縁層
44:ドレイン電極
54:有機半導体層
64:ソース電極
Claims (1)
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2009021860A JP5352260B2 (ja) | 2009-02-02 | 2009-02-02 | 有機トランジスタ |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2009021860A JP5352260B2 (ja) | 2009-02-02 | 2009-02-02 | 有機トランジスタ |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2010177641A JP2010177641A (ja) | 2010-08-12 |
JP5352260B2 true JP5352260B2 (ja) | 2013-11-27 |
Family
ID=42708245
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2009021860A Expired - Fee Related JP5352260B2 (ja) | 2009-02-02 | 2009-02-02 | 有機トランジスタ |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5352260B2 (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP3193383A4 (en) * | 2014-09-01 | 2017-08-30 | Fujifilm Corporation | Composition for forming organic semiconductor film, organic semiconductor film and method for manufacturing same, and organic semiconductor compound |
JP7025927B2 (ja) | 2017-12-28 | 2022-02-25 | 株式会社ダイヘン | 溶接用センサ装置 |
Families Citing this family (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5263250B2 (ja) | 2010-09-24 | 2013-08-14 | 株式会社デンソー | 化合物、有機半導体材料、及び半導体デバイス |
EP3428987B1 (en) | 2011-03-10 | 2020-02-26 | Tokyo Institute of Technology | Organic semiconductor material |
US8372312B1 (en) | 2011-10-17 | 2013-02-12 | Xerox Corporation | Non-symmetrical dibenzodithienothiophene compounds |
US9318713B2 (en) * | 2013-11-14 | 2016-04-19 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Asymmetric fused polyheteroaromatic compound, organic thin film including the asymmetric fused polyheteroaromatic compound, and electronic device including the organic thin film |
KR102277812B1 (ko) * | 2013-11-14 | 2021-07-15 | 삼성전자주식회사 | 비대칭 축합다환 헤테로방향족 화합물, 이를 포함하는 유기 박막 및 상기 유기 박막을 포함하는 전자 소자 |
US9985222B2 (en) | 2014-06-23 | 2018-05-29 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Organic compound, and organic thin film and electronic device |
KR102232857B1 (ko) | 2014-08-05 | 2021-03-25 | 삼성전자주식회사 | 유기 화합물, 유기 박막 및 전자 소자 |
CN108690046A (zh) * | 2018-06-11 | 2018-10-23 | 中国科学院长春应用化学研究所 | 非对称型芳香稠环化合物及其制备方法和应用 |
CN109503621A (zh) * | 2018-12-11 | 2019-03-22 | 中国科学院化学研究所 | 一种不对称苯并噻吩衍生物及其制备方法与应用 |
-
2009
- 2009-02-02 JP JP2009021860A patent/JP5352260B2/ja not_active Expired - Fee Related
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP3193383A4 (en) * | 2014-09-01 | 2017-08-30 | Fujifilm Corporation | Composition for forming organic semiconductor film, organic semiconductor film and method for manufacturing same, and organic semiconductor compound |
JP7025927B2 (ja) | 2017-12-28 | 2022-02-25 | 株式会社ダイヘン | 溶接用センサ装置 |
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Publication number | Publication date |
---|---|
JP2010177641A (ja) | 2010-08-12 |
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Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A711 | Notification of change in applicant |
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|
A621 | Written request for application examination |
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A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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