JP5408883B2 - Wafer polishing equipment - Google Patents

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Description

本発明はウェーハ研磨装置に関するものであり、特に、化学的機械研磨法(CMP:Chemical Mechanical Polishing)による半導体ウェーハを研磨するウェーハ研磨装置に関するものである。 The present invention relates to a wafer polishing equipment, particularly, a chemical mechanical polishing: it relates to a wafer polishing equipment for polishing a semiconductor wafer according to (CMP Chemical Mechanical Polishing).

近年、ICの微細加工が進んでおり、多層にわたってICパターンを形成することが行われている。このようなIC構造では、パターンを形成した層の表面にはある程度の凹凸が生じるのが避けられない。従来は、層の表面にある程度の凹凸が生じていても、そのまま次の層のパターンを形成していた。しかし、層数が増加し、また線やホールの幅が小さくなると、良好なパターン形成が困難になるという欠陥等がある。   In recent years, IC microfabrication has progressed, and IC patterns are formed over multiple layers. In such an IC structure, it is inevitable that a certain degree of unevenness is generated on the surface of the layer on which the pattern is formed. Conventionally, the pattern of the next layer is formed as it is even if a certain degree of unevenness is generated on the surface of the layer. However, when the number of layers increases and the width of lines and holes decreases, there is a defect that it is difficult to form a good pattern.

そこで、パターンを形成した層の表面を研磨し、該表面を平坦にした後、次の層のパターンを形成することが行われている。このようなICパターンを形成する途中でウェーハを研磨するには、CMP法によるウェーハ研磨装置(CMP装置)が使用される。   Therefore, after polishing the surface of the layer on which the pattern is formed and flattening the surface, a pattern of the next layer is formed. In order to polish a wafer in the middle of forming such an IC pattern, a wafer polishing apparatus (CMP apparatus) using a CMP method is used.

また、このようなウェーハ研磨装置として、表面に研磨布が貼付された円盤状の研磨定盤と、研磨すべきウェーハの一面を保持して研磨布に該ウェーハの他面を当接させる複数のウェーハ研磨ヘッドと、これらウェーハ研磨ヘッドを研磨定盤に対し相対回転させるヘッド駆動機構とを具備し、研磨布とウェーハとの間に研磨材であるスラリーを供給することによりウェーハの研磨を行うものが、一般に広く知られている(例えば、特許文献1参照)。   Further, as such a wafer polishing apparatus, a disk-shaped polishing surface plate having a polishing cloth affixed to the surface, and a plurality of wafers that hold one surface of the wafer to be polished and abut the other surface of the wafer against the polishing cloth A wafer polishing head and a head drive mechanism for rotating the wafer polishing head relative to a polishing surface plate, and polishing the wafer by supplying slurry as an abrasive between the polishing cloth and the wafer. Is widely known (see, for example, Patent Document 1).

さらに、近年では、個々のウェーハの初期膜厚が必ずしも均一ではなく、一定の分布を持ったウェーハを補正して研磨することも要求される。この場合、補正するために圧力分布をウェーハ面内に対して変化させた状態を形成することが要求される。   Furthermore, in recent years, the initial film thickness of each wafer is not necessarily uniform, and it is also required to correct and polish a wafer having a certain distribution. In this case, it is required to form a state in which the pressure distribution is changed with respect to the wafer surface for correction.

さらに、消耗品などのばらつきにより、研磨が不均一になることもある。たとえば、スラリーの供給のばらつきやパッド表面のばらつきなど、例え研磨圧力を均一にしたとしても、諸々の不均一な要素により、結果として研磨形状がある分布を持った形になることがある。こうした場合、その不均一な要素を均一にすることが求められるところであるが、一方で、そうした材料のばらつきの不均一性は容認して、圧力分布を変化させることで研磨形状を補正するといった要求もある。  Furthermore, polishing may become non-uniform due to variations in consumables. For example, even if the polishing pressure is made uniform, such as variations in slurry supply and pad surfaces, there may be a distribution with a certain polishing shape due to various non-uniform factors. In such a case, it is required to make the non-uniform elements uniform, but on the other hand, such non-uniformity of the material variation is accepted, and a request to correct the polishing shape by changing the pressure distribution is required. There is also.

こうした問題に対して、例えば、特許文献1による従来の方法では、ウェーハを押圧するトップリングの表面に複数のエア室を形成し、それぞれのエア室内に入れるエア圧を変化させることで、ウェーハ裏面を押圧する領域ごとに圧力を変化させ、研磨形状を制御することなどが示されている。
特開2001−179605号公報。
With respect to such a problem, for example, in the conventional method disclosed in Patent Document 1, a plurality of air chambers are formed on the surface of the top ring that presses the wafer, and the air pressure to be placed in each air chamber is changed, thereby changing the wafer back surface. For example, it is shown that the pressure is changed for each region where the pressure is pressed to control the polishing shape.
JP 2001-179605 A.

しかし、特許文献1で知られるように、軟質な部材を使用してウェーハ全面を押圧するようにした構造では、圧力分布が異なる複数の圧力室の間に急激な変化が発生し、その各圧力室の圧力がほぼそのままの状態でウェーハ側に伝えられると、該ウェーハに段階状の研磨形状が作られ、問題となっている。それは、局所的な圧力をウェーハ面内に適度に分配するようになっていないからである。したがって、滑らかな研磨形状を得るためには、ウェーハ圧力を適度に分配するように、ある程度、ウェーハを押圧する部分の勾配を緩和させる必要がある。   However, as known from Patent Document 1, in the structure in which the entire surface of the wafer is pressed using a soft member, a sudden change occurs between a plurality of pressure chambers having different pressure distributions, and each pressure is changed. If the pressure in the chamber is transmitted to the wafer side almost as it is, a stepped polished shape is formed on the wafer, which is a problem. This is because local pressure is not properly distributed in the wafer surface. Therefore, in order to obtain a smooth polished shape, it is necessary to relax the gradient of the portion that presses the wafer to some extent so that the wafer pressure is appropriately distributed.

一方、ウェーハ裏面全域を押圧するために、ウェーハをパッドに押し付ける圧力を該ウェーハの裏面から加える可撓性シート(メンブレンシートとも呼ぶ)に硬質な材料を使用した場合、ウェーハ裏面の中央部付近は、複数の圧力室で形成された段階的な圧力分布を、硬質な材料による撓み抵抗の効果によって、比較的滑らかな研磨形状になることが多い。しかし、その反作用として、可撓性シートを硬質材料で一体品として製作し、それを使用した場合、ウェーハのエッジ部分において急峻に圧力が変化する。ウェーハのエッジ部分に過剰な圧力がかかる場合とエッジ部分にはほとんど圧力がかからない場合が生じる。こうした場合、ウェーハエッジ部分の微妙なエッジ形状を調整することができず、ウェーハ外周に渉って均一な研磨形状を安定して形成することが困難であった。   On the other hand, when a hard material is used for a flexible sheet (also referred to as a membrane sheet) that applies pressure from the back surface of the wafer to press the entire area of the wafer back surface, In many cases, the stepwise pressure distribution formed by a plurality of pressure chambers has a relatively smooth polished shape due to the effect of bending resistance caused by a hard material. However, as a reaction, when a flexible sheet is manufactured as a single piece of a hard material and used, the pressure changes sharply at the edge portion of the wafer. There are cases where excessive pressure is applied to the edge portion of the wafer and where pressure is hardly applied to the edge portion. In such a case, the delicate edge shape of the wafer edge portion cannot be adjusted, and it has been difficult to stably form a uniform polished shape along the outer periphery of the wafer.

また、硬質な材料で可撓性シートを形成し、かつ、該可撓性シートが外周部でリテーナリング等に固定される場合は、該外周部でほとんど可撓性シートが変形せず、ほとんどその位置を保つためにウェーハのエッジ部分は押圧されない。しかし、ウェーハの中央部は可撓性シートが固定された外周部から距離が遠いため、撓み変形による垂直方向の変位マージンを大きくとることができる。   In addition, when a flexible sheet is formed of a hard material and the flexible sheet is fixed to a retainer ring or the like at the outer peripheral portion, the flexible sheet is hardly deformed at the outer peripheral portion. In order to maintain the position, the edge portion of the wafer is not pressed. However, since the central portion of the wafer is far from the outer peripheral portion to which the flexible sheet is fixed, the vertical displacement margin due to the bending deformation can be increased.

これは、以下の式(1)からも分かる。式(1)は、半径aの円状硬質シート内に一様な分布荷重pがかかっていると想定した場合で、硬質シートポアソン比をν、板の撓み剛性をDとすると、その中心部分で撓む撓み量δは、以下で表される。   This can be seen from the following equation (1). Equation (1) assumes that a uniform distributed load p is applied in a circular hard sheet having a radius a, where the hard sheet Poisson's ratio is ν and the flexural rigidity of the plate is D. The amount of bending δ which is bent at is expressed as follows.

Figure 0005408883
Figure 0005408883

上式(1)から解るように、中心部の撓み量δは、その半径aの4乗に比例する。
これは、ウェーハの外周部を固定して中心部を見た場合、該中心部分に近づけば近づくほど変位可能な量は大きくなり、また一定の変位量であれば、その変位に要する分布荷重自体も非常に小さい荷重で済むことを示している。
As can be seen from the above equation (1), the amount of deflection δ at the center is proportional to the fourth power of the radius a.
This is because when the outer peripheral part of the wafer is fixed and the central part is viewed, the closer to the central part, the greater the amount that can be displaced, and if the amount of displacement is constant, the distributed load required for the displacement itself Also shows that a very small load is sufficient.

すなわち、ウェーハの外周部を固定した場合、ウェーハの外周部を所定量変位させるには、変位するマージンもあり、非常に大きな圧力が必要となるが、ウェーハ中心部は比較的少ない圧力で十分変位させることが可能となる。こうした結果は、ウェーハの中心部では可撓性シートを変形させるための応力はほとんど必要とならないことから、可撓性シート上でウェーハと反対側の圧力を、可撓性シートを介してウェーハに忠実に伝達することが可能となる。しかし、ウェーハの周辺部においては、可撓性シートを変形させるための応力自体が非常に大きくなることから、可撓性シート上でウェーハと反対側に位置する圧力を、可撓性シートを介してウェーハに忠実に伝達することは不可能となる。   In other words, when the outer periphery of the wafer is fixed, in order to displace the outer periphery of the wafer by a predetermined amount, there is a margin to be displaced and a very large pressure is required, but the center of the wafer is sufficiently displaced with a relatively small pressure. It becomes possible to make it. As a result, almost no stress is required to deform the flexible sheet at the center of the wafer, so that the pressure opposite to the wafer is applied to the wafer through the flexible sheet. It becomes possible to communicate faithfully. However, since the stress for deforming the flexible sheet itself becomes very large at the periphery of the wafer, the pressure on the side opposite to the wafer on the flexible sheet is applied via the flexible sheet. Therefore, it is impossible to transmit the wafer faithfully.

こうした問題に対して、ウェーハに可撓性シート自体が硬質な材料で製作されたシートで形成され、また外周部で固定される場合、可撓性シート自体の撓み剛性の影響で、ウェーハエッジ部付近が非常に敏感に影響し、ウェーハヘ均等に圧力を与えることすら難しくなる。   To solve this problem, when the flexible sheet itself is formed of a sheet made of a hard material on the wafer and is fixed at the outer periphery, the wafer edge portion is affected by the bending rigidity of the flexible sheet itself. The neighborhood is very sensitive and makes it difficult to evenly apply pressure to the wafer.

また、硬質な可撓性シートでウェーハを押圧するシートを形成した場合、ウェーハを次工程へ搬送するときに問題を生じる。すなわち、ウェーハ研磨装置は、ウェーハを次工程に搬送する場合、硬質な可撓性シートに設けられた孔を通じて、ウェーハを減圧吸着して保持する。このウェーハを減圧吸着して保持する場合、ウェーハと可撓性シートが互いに密着してなければ効率的に減圧してウェーハを吸着することはできない。特に可撓性シー
トが硬質の場合、白身がウェーハに対して密着してシールする効果が非常に小さくなる。こうしたことから、ウェーハ面内においては、可撓性シートは、ウェーハ裏面側の圧力分布を緩和してウェーハ面内を連続的に単調な形状に補正しつつも、ウェーハに対しては密着させて該ウェーハに対して十分なシールをした上で減圧吸着するような表面を持つものでなければならない。また、硬質なシートで形成した場合、研磨中ウェーハ裏面と擦れることで、ウェーハ裏面を傷つける恐れがある。そうした意味においても、ウェーハ裏面に対して密着してグリップするような表面を持つことが要求される。
Moreover, when the sheet | seat which presses a wafer with a hard flexible sheet | seat is formed, a problem will be produced when a wafer is conveyed to the following process. That is, when the wafer polishing apparatus transports the wafer to the next process, the wafer polishing apparatus holds the wafer under reduced pressure through holes provided in the hard flexible sheet. When the wafer is held under reduced pressure, the wafer cannot be efficiently sucked and sucked unless the wafer and the flexible sheet are in close contact with each other. In particular, when the flexible sheet is hard, the effect of sealing the white meat to the wafer is very small. For this reason, within the wafer surface, the flexible sheet is kept in close contact with the wafer while reducing the pressure distribution on the wafer back side and correcting the wafer surface continuously to a monotonous shape. The wafer must have a surface that can be adsorbed under reduced pressure after sufficient sealing. Moreover, when it forms with a hard sheet | seat, there exists a possibility of damaging a wafer back surface by rubbing with the wafer back surface during grinding | polishing. Even in such a meaning, it is required to have a surface that is in close contact with and grips the back surface of the wafer.

さらに、ウェーハを均一に押圧するのに、可撓性シートの内側のエア圧を封止し、エアバッグでウェーハを押圧する場合では、研磨中、研磨のせん断応力でウェーハの姿勢自体が変化すると、その変化した姿勢を元に戻すような応力は作用しない。これはパスカルの原理によって、封止されたエアは、その封止された状態に関わらず、絶えず内側を均等に押圧するからであり、結果としてウェーハの姿勢が傾いたら傾いた状態で安定化する。   Furthermore, in order to uniformly press the wafer, when the air pressure inside the flexible sheet is sealed and the wafer is pressed with an airbag, the posture of the wafer itself changes due to the shear stress of polishing during polishing. The stress that restores the changed posture does not work. This is because, due to Pascal's principle, the sealed air constantly presses the inside evenly regardless of the sealed state, and as a result, the wafer is stabilized in a tilted state if it is tilted. .

そこで、本発明はウェーハの不連続な研磨形状の発生を防ぐとともに、ウェーハエッジに至るまで滑らかな研磨形状になるようにするために解決すべき技術的課題が生じてくるのであり、本発明はこの課題を解決することを目的とする。   Therefore, the present invention causes a technical problem to be solved in order to prevent the generation of a discontinuous polishing shape of the wafer and to achieve a smooth polishing shape up to the wafer edge. It aims at solving this subject.

本発明は上記目的を達成するために提案されたものであり、請求項1記載の発明は、ウェーハをパッドに摺接させて、相対運動させながら研磨を行うウェーハ研磨装置において、
前記ウェーハを前記パッドに押し付ける圧力を該ウェーハの裏面から可撓性シートを介して加え
ウェーハ面内において、複数の独立した圧力室からなる圧力付与手段を有した研磨ヘッドを備えるとともに、
前記可撓性シートは、前記ウェーハ面内で、前記複数の独立した圧力室を覆い、前記ウェーハに滑らかな圧力分布を与える撓み剛性の大きいウェーハ内領域部と、
該ウェーハ内領域部の撓み剛性よりも弱い撓み剛性を持ち、かつ、前記ウェーハ内領域部の外周外側に設けられたウェーハ外側領域部
の二つの領域を有してなるウェーハ研磨装置を提供する。
The present invention has been proposed in order to achieve the above object, and the invention according to claim 1 is a wafer polishing apparatus that performs polishing while sliding a wafer against a pad and relatively moving the pad.
Applying a pressure to press the wafer against the pad from the back side of the wafer through a flexible sheet ,
In the wafer surface, with a polishing head having a pressure applying means consisting of a plurality of independent pressure chambers ,
The flexible sheet covers the plurality of independent pressure chambers in the wafer surface, and has a large deflection in-wafer region that gives a smooth pressure distribution to the wafer; and
A wafer outer region portion that has a bending rigidity that is weaker than the bending rigidity of the wafer inner region portion, and is provided on the outer periphery of the wafer inner region portion ;
A wafer polishing apparatus having two regions is provided.

この構成によれば、ウェーハ面内において、複数の独立した圧力室からなる力付与手段を有した研磨ヘッドを備えるとともに、前記可撓性シートは、前記ウェーハ面内で、前記複数の独立した圧力室を覆い、前記ウェーハに滑らかな圧力分布を与える撓み剛性の大きいウェーハ内領域部と、該ウェーハ内領域部の撓み剛性よりも弱い撓み剛性を持ち、かつ、前記ウェーハ内領域部の外周外側に設けられたウェーハ外側領域部とで構成している。 According to this configuration, in the wafer surface provided with a polishing head having a pressure applying means comprising a plurality of independent pressure chambers, the flexible sheet is in a said wafer surface, said plurality of independent A wafer inner region that has a large bending rigidity that covers the pressure chamber and gives a smooth pressure distribution to the wafer, and a bending rigidity that is weaker than the bending rigidity of the inner region of the wafer, and outside the outer periphery of the inner region of the wafer And a wafer outer region provided on the substrate.

そのため、複数の領域において形成された段階的な圧力分布を、ウェーハ内領域部の大きい撓み剛性によって、緩和することができる。すなわち、段階的な圧力分布を滑らかな圧力分布形状にすることができるため、効果的にウェーハ内周部の圧力分布を補正することが可能となる。   Therefore, the stepwise pressure distribution formed in the plurality of regions can be relaxed by the large deflection rigidity of the region in the wafer. That is, since the stepwise pressure distribution can be made into a smooth pressure distribution shape, it is possible to effectively correct the pressure distribution in the inner peripheral portion of the wafer.

その一方で、ウェーハの外側の領域部を内側の撓み剛性の大きい部分よりも弱く形成し、ウェーハ面に倣って変位可能とすることによって、リテーナ部分とウェーハ部分の間の領域における圧力勾配を緩やかにすることができ、ウェーハエッジの形状をウェーハ中央部から連続させて均一な形状とすることができる。   On the other hand, the outer area of the wafer is made weaker than the inner flexible part and can be displaced along the wafer surface, so that the pressure gradient in the area between the retainer part and the wafer part is moderated. The shape of the wafer edge can be made continuous from the center of the wafer to be a uniform shape.

仮に、ウェーハ内周部に配設する硬質なプレートをウェーハ外周部まで延長した場合、先の問題点でも述べたように、そのプレートがリテーナに支持されると、ウェーハ外周部に全く圧力がかからなくなってしまう場合もある。ウェーハ外周部の可撓性シートを弾性材料もしくは薄手の可撓性をもつ材料とすることにより、ウェーハ中央部からエッジに至るまで滑らかな圧力分布を形成し、研磨形状もウェーハ中央部から連続的に均一な形状とすることができる。   If a hard plate placed on the inner periphery of the wafer is extended to the outer periphery of the wafer, as described above, if the plate is supported by the retainer, no pressure is applied to the outer periphery of the wafer. Sometimes it will disappear. By using a flexible sheet on the outer periphery of the wafer as an elastic material or a thin flexible material, a smooth pressure distribution is formed from the wafer center to the edge, and the polished shape is continuous from the wafer center. And uniform shape.

また、可撓性シートの全てに撓み剛性の強いものを使用するのではなく、ウェーハ外側
領域部にウェーハ内領域部内よりも弱い撓み剛性を持つものを使用することにより、ウェーハ内領域部全体が変位するマージンをウェーハ全域において得ることができる。
In addition, instead of using all of the flexible sheet with a strong bending rigidity, by using a sheet having a bending rigidity that is weaker than that in the wafer inner area in the wafer outer area, the entire area in the wafer is A displacement margin can be obtained over the entire wafer.

請求項2記載の発明は、上記可撓性シートは、上記ウェーハ内領域部内から上記ウェーハ外側領域部内にわたって配設された第1可撓性シートと、上記ウェーハと略同径で該第1可撓性シートに重ねて配設された第2可撓性シートとからなるウェーハ研磨装置を提供する。   According to a second aspect of the present invention, the flexible sheet includes a first flexible sheet disposed from the inner area of the wafer to the outer area of the wafer, and the first flexible sheet having substantially the same diameter as the wafer. Provided is a wafer polishing apparatus comprising a second flexible sheet disposed on a flexible sheet.

この構成によれば、ウェーハ内領域部とウェーハ外側領域部で異なる撓み剛性を有する別々の素材を、その末端でつなぎ合わせると言うような面倒な作業を行わずに、2つのシート部材を重ね合わせるだけで、ウェーハ内領域部とウェーハ外側領域部で異なる撓み剛性を持つ可撓性シートが得られる。   According to this configuration, the two sheet members are overlapped without performing the troublesome task of joining different materials having different flexural rigidity in the wafer inner region portion and the wafer outer region portion at their ends. As a result, it is possible to obtain a flexible sheet having different bending rigidity in the wafer inner region and the wafer outer region.

請求項3記載の発明は、上記可撓性シートは、上記ウェーハと接する部位に軟質材料を配設したウェーハ研磨装置を提供する。   According to a third aspect of the present invention, there is provided a wafer polishing apparatus in which the flexible sheet is provided with a soft material at a portion in contact with the wafer.

この構成によれば、研磨中、ウェーハが水平移動することで、ウェーハの裏面が可撓性シートに当たっても、該ウェーハは硬い可撓性シートには直接当たらず、ウェーハ裏面を傷付ける虞のない軟質の材料に当たる。また、研磨後、もしくは研磨前にウェーハを搬送する際に、ウェーハを密着してシールし、減圧吸着するのであるが、軟質部材はウェーハと接する可撓性シート上に設けられるので、該軟質材料によりウェーハと可撓性シートとの間の密着性が得られる。   According to this configuration, since the wafer moves horizontally during polishing, even if the back surface of the wafer hits the flexible sheet, the wafer does not directly hit the hard flexible sheet, and there is no risk of damaging the back surface of the wafer. Hit the material. In addition, when the wafer is transported after polishing or before polishing, the wafer is closely sealed and adsorbed under reduced pressure, but since the soft member is provided on the flexible sheet in contact with the wafer, the soft material Thus, adhesion between the wafer and the flexible sheet can be obtained.

請求項4記載の発明は、上記軟質材料は、保水性を有し、かつ、上記ウェーハと密着するように構成されたウェーハ研磨装置を提供する。   According to a fourth aspect of the present invention, there is provided a wafer polishing apparatus wherein the soft material has water retention and is configured to be in close contact with the wafer.

この構成によれば、軟質材料の保水で、ウェーハと可撓性シートの間が良好に密着する。   According to this configuration, the wafer and the flexible sheet are in good contact with each other with water retention of the soft material.

請求項5記載の発明は、上記可撓性シートは、外周部をリテーナ部分に挟着されているエハ研磨装置を提供する。   The invention according to claim 5 provides the wafer polishing apparatus in which the flexible sheet has an outer peripheral portion sandwiched between retainer portions.

この構成によれば、可撓性シートをリテーナに取り付け、そのリテーナで挟着されることにより、可撓性シートを適当な張力で保持できるほか、ほとんど水平状態で可撓性シートを保持できる。そのため、可撓性シートを折り曲げることによる余分な応力がウェーハエッジ部にかからず、ウェーハエッジにも可撓性シートをウェーハに倣わせながら、ウェーハエッジに至るまで、ほぼ連続かつ均一な圧力を加えることができる。   According to this configuration, by attaching the flexible sheet to the retainer and sandwiching it with the retainer, the flexible sheet can be held with an appropriate tension, and the flexible sheet can be held almost in a horizontal state. For this reason, excessive stress due to bending of the flexible sheet is not applied to the wafer edge, and the wafer is also subjected to substantially continuous and uniform pressure until it reaches the wafer edge while following the wafer to the wafer edge. Can be added.

請求項6記載の発明は、上記圧力付与手段は、上記可撓性シートの裏面側に設けたバックプレートと、該バックプレートと前記可撓性シートとの間に連続的にエアを供給するエア供給手段を有し、該エア供給手段により該バックプレートと前記可撓性シートとの間に形成したエア層と前記可撓性シートを介して前記ウェーハに押圧力を伝達するように構成されたウェーハ研磨装置を提供する。   According to a sixth aspect of the present invention, the pressure applying means includes a back plate provided on the back surface side of the flexible sheet, and air that continuously supplies air between the back plate and the flexible sheet. A supply unit configured to transmit a pressing force to the wafer through the air layer and the flexible sheet formed between the back plate and the flexible sheet by the air supply unit; A wafer polishing apparatus is provided.

この構成によれば、ウェーハを押圧するバックプレートと可撓性シートの間に連続的にエアを供給してエア層を形成することにより、ウェーハ面内への圧力分布がさらに緩和する。   According to this configuration, air is continuously supplied between the back plate that presses the wafer and the flexible sheet to form an air layer, thereby further reducing the pressure distribution in the wafer surface.

また、リテーナに可撓性シートの外周部を挟着させた場合では、ウェーハを押圧するバックプレートとリテーナの隙間から供給したエアを逃がすことができ、清浄なエアが絶え
ずバックプレートから供給され、かつ、バックプレートと可撓性シートとの間に常にエア層が一様に形成される。
In addition, when the outer periphery of the flexible sheet is sandwiched between the retainers, the air supplied from the gap between the back plate and the retainer that presses the wafer can be released, and clean air is constantly supplied from the back plate. In addition, an air layer is always formed uniformly between the back plate and the flexible sheet.

さらに、エアーを密封した状態では、ウェーハの押圧時に、ウェーハの姿勢が傾いた場合においても、パスカルの原理によって、ウェーハの姿勢に関係なく絶えず均一な圧力が付与されるため、ウェーハの姿勢は傾いたままとなる。しかし、エアー層を形成し、バックプレートと可撓性シートを接触させない状態で保つことで、例えば、ウェーハが傾いた姿勢になった場合、バックプレートと可撓性シートがある部分で近接すると、その近接状態を回避するように、局部的に過大な応力が発生し、その姿勢を元に戻すような応力が自動的に作用する。その結果、ウェーハ面内で絶えず対称的な圧力が付与され、結果としてウェーハ面内全体でいつも均一な圧力分布の下、均一な研磨形状が得られる。   Furthermore, in the air-sealed state, even when the wafer is tilted when the wafer is pressed, the wafer posture is tilted because the Pascal principle constantly applies a uniform pressure regardless of the wafer posture. Will remain. However, by forming an air layer and keeping the back plate and the flexible sheet in a non-contact state, for example, when the wafer is in an inclined posture, when the back plate and the flexible sheet are close to each other, In order to avoid the proximity state, excessive stress is locally generated, and the stress that restores the posture automatically acts. As a result, a symmetric pressure is constantly applied in the wafer surface, and as a result, a uniform polished shape is obtained under a uniform pressure distribution throughout the wafer surface.

請求項1記載の発明は、ウェーハに連続的な圧力分布が伝達されてウェーハ面内で連続的な研磨形状を得ることが可能となり、ウェーハの不連続な研磨形状の発生を防ぎ、滑らかな研磨形状が得られる。   According to the first aspect of the present invention, it is possible to obtain a continuous polishing shape in the wafer surface by transmitting a continuous pressure distribution to the wafer, and to prevent the generation of a discontinuous polishing shape of the wafer, and smooth polishing. A shape is obtained.

また、上記ウェーハ面内において、複数の独立した圧力室からなる圧力付与手段を有した研磨ヘッドを備え、前記可撓性シートは、前記ウェーハ面内で、前記複数の独立した圧力室を覆い、前記ウェーハに滑らかな圧力分布を与える撓み剛性の大きいウェーハ内領域部と、該ウェーハ内領域部の撓み剛性よりも弱い撓み剛性を持ち、かつ、前記ウェーハ内領域部の外周外側に設けられたウェーハ外側領域部とで構成したので、複数の圧力室の内部圧力を個々的に調整することができる。そして、ウェーハ中央部付近における圧力伝達状態とウェーハ外周部付近における圧力伝達状態の差を緩和した状態でウェーハに伝達することができるので、ウェーハ面内では連続的な滑らかな研磨形態が得られるとともに、ウェーハ外周部のエッジ部においても滑らかで均一な研磨形状が得られる。



Further, in the wafer surface, comprising a polishing head having a pressure applying means comprising a plurality of independent pressure chambers, the flexible sheet covers the plurality of independent pressure chambers in the wafer surface, Wafer having a large deflection rigidity that gives a smooth pressure distribution to the wafer, a deflection rigidity that is weaker than the deflection rigidity of the wafer inner area, and provided on the outer periphery of the wafer inner area. Since it comprises the outer region portion, the internal pressures of the plurality of pressure chambers can be individually adjusted. And since the difference between the pressure transmission state near the wafer central portion and the pressure transmission state near the wafer outer peripheral portion can be transmitted to the wafer in a relaxed state, a continuous smooth polishing form can be obtained within the wafer surface. Also, a smooth and uniform polished shape can be obtained at the edge portion of the outer periphery of the wafer.



なお、従来は、硬質の可撓性シートの場合、該可撓性シートが外周部で固定された場合に、外周部付近の撓み変位のマージンの制約から、ウェーハと反対側に形成された圧力分布の状態を、ウェーハに忠実に伝達されないことがあったが、本発明のようにウェーハ外側領域部をウェーハ内領域部よりも撓み剛性の弱い材料の可撓性シートで形成しておくと、ウェーハ全面に渉って可撓性シートの変位マージンを取ることが可能となり、ウェーハ面内に圧力を忠実に伝達することができる。   Conventionally, in the case of a rigid flexible sheet, when the flexible sheet is fixed at the outer peripheral portion, the pressure formed on the opposite side of the wafer due to a margin of deflection displacement near the outer peripheral portion. The distribution state may not be faithfully transmitted to the wafer, but when the outer region of the wafer is formed of a flexible sheet of a material having a lower bending rigidity than the inner region of the wafer as in the present invention, The displacement margin of the flexible sheet can be secured over the entire wafer surface, and the pressure can be transmitted faithfully within the wafer surface.

請求項2記載の発明は、請求項1記載の発明の効果に加えて、2つのシート部材を重ねて貼り合わせるだけで、ウェーハ内領域部とウェーハ外側領域部にそれぞれ異なる撓み剛性を持たせた可撓性シートを形成することができ、可撓性シートを効率的に製作することができる。   In addition to the effect of the invention described in claim 1, the invention described in claim 2 gives different flexural rigidity to the inner region and the outer region of the wafer only by stacking and bonding the two sheet members. A flexible sheet can be formed, and a flexible sheet can be efficiently manufactured.

請求項3記載の発明は、請求項1記載の発明の効果に加えて、ウェーハの研磨中に、ウェーハ裏面が可撓性シートと当たって擦れても、ウェーハ裏面を傷つけることがなくなる。また、ウェーハと密着する側に設けた可撓性シート上の軟質材料が、ウェーハと可撓性シートとの間の密着性を向上させるので、ウェーハ搬送時に、研磨パッドがウェーハを確実に吸着保持して、搬送ミスがなくなる等の効果が得られる。   In addition to the effects of the invention described in claim 1, the invention described in claim 3 does not damage the wafer back surface even if the wafer back surface rubs against the flexible sheet during polishing of the wafer. In addition, the soft material on the flexible sheet provided on the side that is in close contact with the wafer improves the adhesion between the wafer and the flexible sheet, so the polishing pad securely holds the wafer during wafer transfer. As a result, an effect such as elimination of a conveyance error can be obtained.

請求項4記載の発明は、請求項3記載の発明の効果に加えて、さらに軟質材料を介してウェーハを密着保持することができるので、ウェーハの焼損を防止することができるとともに、ウェーハ裏面に対するクロスコンタミネーションを回避することが可能となる。また、水の表面張力によって、ウェーハと軟質材料との密着性が向上し、ウェーハを減圧吸着して搬送する際の搬送ミスをさらに無くすことができる等の効果が得られる。   In addition to the effect of the invention of the third aspect, the invention according to the fourth aspect can hold the wafer in close contact via a soft material, so that the wafer can be prevented from being burned out and the back surface of the wafer can be prevented. Cross contamination can be avoided. In addition, the surface tension of water improves the adhesion between the wafer and the soft material, and it is possible to obtain effects such as further eliminating a transport mistake when transporting the wafer by vacuum suction.

請求項5記載の発明は、請求項1,2,3または4記載の発明の効果に加えて、可撓性シートの外周部をリテーナに挟持させて取り付けることにより、可撓性シートを適当な張力で保持できる。また、可撓性シートを極度に折り曲げることなく、ほとんど水平状態で保持することが可能となり、可撓性シート本来の撓み剛性に影響する形式で圧力分布の伝達が効率的に行われる等の効果が得られる。   In addition to the effects of the first, second, third, and fourth aspects, the invention according to the fifth aspect attaches the flexible sheet to the retainer by sandwiching the outer periphery of the flexible sheet. Can be held with tension. In addition, the flexible sheet can be held almost horizontally without being extremely bent, and the pressure distribution is efficiently transmitted in a form that affects the inherent bending rigidity of the flexible sheet. Is obtained.

なお、例えば、ウェーハを押圧するバックプレートと、それとは別にウェーハの外周部を覆うリテーナが存在し、かつ、ウェーハを押圧する可撓性シートに2種類の撓み剛性を持たせた場合において、可撓性シートをバックプレートに取り付ける場合は場所的な制約があり、可撓性シートを極度に折り曲げて取り付ける必要があった。また、可撓性シートを折り曲げて取り付けない場合には、該可撓性シートを取り付けるための別のリングが必要となり、それを固定する機構等もあって、構造が複雑化する。さらに、可撓性シートを極度に折り曲げ、該可撓性シートをウェーハに押圧するバックプレートに取り付ける場合、ウェーハ内領域部とウェーハ外側領域部の撓み剛性の差を問題視する以前に、該可撓性シートを極度に折り曲げることによって生じる撓みが影響し、ウェーハのエッジ部分に極度な圧力を与えること等の問題がある。   For example, if there is a back plate that presses the wafer and a retainer that covers the outer periphery of the wafer, and the flexible sheet that presses the wafer has two types of flexural rigidity, it is acceptable. When the flexible sheet is attached to the back plate, there is a place restriction, and the flexible sheet needs to be extremely bent and attached. Further, when the flexible sheet is not attached by being bent, another ring for attaching the flexible sheet is required, and there is a mechanism for fixing the ring, which complicates the structure. Further, when the flexible sheet is extremely bent and attached to the back plate that presses the flexible sheet against the wafer, the flexible sheet can be used before considering the difference in flexural rigidity between the area inside the wafer and the area outside the wafer. There is a problem that bending caused by extremely bending the flexible sheet is affected, and extreme pressure is applied to the edge portion of the wafer.

しかし、本発明では可撓性シートをリテーナに取り付け、そのリテーナで挟着することにより、可撓性シートを適当な張力で保持できるほか、可撓性シートを極度に折り曲げることなく、ほとんど水平状態で可撓性シートを保持することが可能となり、可撓性シート本来の撓み剛性に影響する形式で圧力分布の伝達が効率的に行われる。これにより、ウェーハ面内における研磨形状の連続性と、ウェーハのエッジ部における均一な研磨形状を両立させることが可能となる。   However, in the present invention, the flexible sheet can be held at an appropriate tension by attaching the flexible sheet to the retainer and sandwiched by the retainer, and the flexible sheet can be held in an almost horizontal state without being bent extremely. Thus, the flexible sheet can be held, and the pressure distribution is efficiently transmitted in a manner that affects the inherent bending rigidity of the flexible sheet. Thereby, it is possible to achieve both the continuity of the polished shape in the wafer surface and the uniform polished shape at the edge portion of the wafer.

請求項6記載の発明は、請求項1,2,3,4または5記載の発明の効果に加えて、ウェーハを押圧するバックプレートと可撓性シートの間に連続的にエアを供給してエア層を形成することにより、ウェーハ面内への圧力分布をさらに緩和させることが可能となる。   According to the sixth aspect of the invention, in addition to the effect of the first, second, third, fourth, or fifth aspect, air is continuously supplied between the back plate that presses the wafer and the flexible sheet. By forming the air layer, the pressure distribution in the wafer surface can be further relaxed.

また、リテーナに可撓性シートの外周部を挟着させた場合では、ウェーハを押圧するバックプレートとリテーナの隙間から供給したエアを逃がすことができ、清浄なエアが絶えずバックプレートから供給され、かつ、バックプレートと該可撓性シートとの間に常にエア層が一様に形成されるので、該エア層の形成により、例えばウェーハが研磨のせん断応力によって傾いた場合においても、エアベアリングの原理により元の姿勢に戻すことが可能となる。   In addition, when the outer periphery of the flexible sheet is sandwiched between the retainers, the air supplied from the gap between the back plate and the retainer that presses the wafer can be released, and clean air is constantly supplied from the back plate. In addition, since the air layer is always formed uniformly between the back plate and the flexible sheet, even when the wafer is inclined due to the shear stress of polishing, the air layer is formed by the formation of the air layer. It becomes possible to return to the original posture by the principle.

ウェーハの不連続な研磨形状の発生を防ぎ、滑らかな研磨形状になるようにするという目的を達成するために、ウェーハをパッドに摺接させて、相対運動させながら研磨を行うウェーハ研磨装置において、前記ウェーハを前記パッドに押し付ける圧力を該ウェーハの裏面から可撓性シートを介して加える圧力付与手段を有した研磨ヘッドを備えるとともに、前記可撓性シートは、前記ウェーハの裏面内で前記ウェーハに圧力を与えるウェーハ内領域部と、該ウェーハ内領域部の撓み剛性よりも弱い撓み剛性を持ち、かつ、前記ウェーハ内領域部の外周外側に設けられたウェーハ外側領域部とを有してなるように構成して実現した。   In order to prevent the occurrence of discontinuous polishing shape of the wafer and achieve the purpose of making it a smooth polishing shape, in the wafer polishing apparatus that performs polishing while sliding the wafer against the pad and making relative movement, A polishing head having pressure applying means for applying pressure for pressing the wafer against the pad from the back surface of the wafer through the flexible sheet; and the flexible sheet is applied to the wafer within the back surface of the wafer. A region in the wafer to which pressure is applied, and a region outside the wafer that has a bending rigidity that is weaker than that in the region in the wafer and that is provided outside the outer periphery of the region in the wafer. Realized by configuring.

以下、本発明のウェーハ研磨装置について、好適な実施例をあげて説明する。   Hereinafter, the wafer polishing apparatus of the present invention will be described with reference to preferred embodiments.

図1は、本発明を適用したウェーハ研磨装置10の全体構成を示す斜視図である。同図に示すようにウェーハ研磨装置10は、主として研磨定盤12とウェーハ保持ヘッド14とで構成されている。   FIG. 1 is a perspective view showing the overall configuration of a wafer polishing apparatus 10 to which the present invention is applied. As shown in the figure, the wafer polishing apparatus 10 is mainly composed of a polishing surface plate 12 and a wafer holding head 14.

前記研磨定盤12は円盤状に形成され、その下面中央には回転軸16が連結されている。研磨定盤12は、この回転軸16に連結されたモータ18を駆動することにより回転する。また、この研磨定盤12の上面には研磨パッド20が貼り付けられており、この研磨パッド20上に図示しないノズルからメカノケミカル研磨剤(スラリー)が供給される。   The polishing surface plate 12 is formed in a disk shape, and a rotating shaft 16 is connected to the center of the lower surface thereof. The polishing surface plate 12 rotates by driving a motor 18 connected to the rotating shaft 16. A polishing pad 20 is attached to the upper surface of the polishing surface plate 12, and a mechanochemical abrasive (slurry) is supplied onto the polishing pad 20 from a nozzle (not shown).

前記ウェーハ保持ヘッド14は、図2に示すように、主としてヘッド本体22、バックプレート(キャリア)24、バックプレート押圧手段26、リテーナリング28、 リテーナリング押圧手段30等で構成されている。   As shown in FIG. 2, the wafer holding head 14 mainly comprises a head main body 22, a back plate (carrier) 24, a back plate pressing means 26, a retainer ring 28, a retainer ring pressing means 30 and the like.

前記ヘッド本体22は円盤状に形成され、その上面中央には回転軸32が連結されている。該ヘッド本体22は、この回転軸32に連結された図示しないモータに駆動されて回転する。   The head body 22 is formed in a disc shape, and a rotary shaft 32 is connected to the center of the upper surface thereof. The head body 22 is driven to rotate by a motor (not shown) connected to the rotary shaft 32.

前記バックプレート24は、ウェーハWの外径よりも大きな外径を有する円盤状に形成され、ヘッド本体22の下部中央に配置されている。該バックプレート24の上面中央部には円筒状の凹部34が形成されている。該凹部34にはヘッド本体22の軸部36がピン38を介して嵌着されている。該バックプレート24は、該ピン38を介してヘッド本体22から回転が伝達される。   The back plate 24 is formed in a disc shape having an outer diameter larger than the outer diameter of the wafer W, and is arranged at the lower center of the head body 22. A cylindrical recess 34 is formed at the center of the upper surface of the back plate 24. A shaft portion 36 of the head body 22 is fitted into the recess 34 via a pin 38. The rotation of the back plate 24 is transmitted from the head main body 22 via the pins 38.

前記バックプレート24の上面周縁部には、バックプレート押圧部材40が設けられている。該バックプレート24は、該バックプレート押圧部材40を介してバックプレート押圧手段26から押圧力が伝達される。   A back plate pressing member 40 is provided on the peripheral edge of the upper surface of the back plate 24. The back plate 24 receives a pressing force from a back plate pressing means 26 via the back plate pressing member 40.

また、バックプレート24の下面には、各々環状をした3つのエア吸引・吹出溝42a,42b,42cが同心状に形成されて設けられている。図3に示すように、この各エア吸引・吹出溝42a,42b,42cは、複数のエア吸引・吹出口(図示略)を設けた隔膜43a,43b,43cを前面に配設して、該隔膜43a,43b,43cで互いのエア吸引・吹出溝42a,42b,42c同士を隔離し、それぞれ独立している圧力室が形成された構造になっている。さらに、バックプレート24の下面には、該バックプレート24の下面を覆って、その外周端部を該バックプレート24の下端外周面に密着固定してなる可撓性シート50が配設されている。   Further, on the lower surface of the back plate 24, three annular air suction / blowout grooves 42a, 42b and 42c are formed concentrically. As shown in FIG. 3, each of the air suction / blowout grooves 42a, 42b, 42c has diaphragms 43a, 43b, 43c provided with a plurality of air suction / blowout ports (not shown) on the front surface, The diaphragms 43a, 43b, and 43c separate the air suction / blowout grooves 42a, 42b, and 42c from each other, and have independent pressure chambers. Further, a flexible sheet 50 is provided on the lower surface of the back plate 24 so as to cover the lower surface of the back plate 24 and to fix the outer peripheral edge thereof to the outer peripheral surface of the lower end of the back plate 24. .

なお、各エア吸引・吹出溝42a,42b,42cにはそれぞれバックプレート24の内部に形成されたエア流路44a,44b,44cが連通されている。これらエア流路44a,44b,44cには、図示しないエア配管を介して吸気ポンプと排気ポンプを有するエア供給手段46が接続される。エア吸引・吹出溝42a,42b,42cからのエアの吸引と吹出は、エア供給手段46の操作による吸気ポンプと排気ポンプの動作で行われ、またエア流路44a,44b,44c毎に異なる大きさの圧力を供給し、上記3つの圧力室の内部圧力を個々に調整することが可能になっている。   Air flow paths 44a, 44b, 44c formed inside the back plate 24 are communicated with the air suction / blowout grooves 42a, 42b, 42c, respectively. An air supply means 46 having an intake pump and an exhaust pump is connected to these air flow paths 44a, 44b, 44c via an air pipe (not shown). The suction and blowout of air from the air suction / blowing grooves 42a, 42b, and 42c are performed by the operation of the intake pump and the exhaust pump by the operation of the air supply means 46, and the air passages 44a, 44b, and 44c have different sizes. It is possible to individually adjust the internal pressures of the three pressure chambers.

また、上記エア供給手段46とバックプレート24、及び隔膜43a,43b,43cで形成される圧力室は、ウェーハWを研磨パッド20に押し付ける圧力をウェーハWの裏面から可撓性シート50を介して加える圧力付与手段45を構成している。   Further, the pressure chamber formed by the air supply means 46, the back plate 24, and the diaphragms 43a, 43b, 43c applies a pressure for pressing the wafer W against the polishing pad 20 from the back surface of the wafer W through the flexible sheet 50. The pressure application means 45 to apply is comprised.

前記バックプレート押圧手段26は、ヘッド本体22の下面外周部に配置され、バックプレート押圧部材40に押圧力を与えることにより、これに結合されたバックプレート24に押圧力を伝達する。図2に示すように、該バックプレート押圧手段26は、好ましくはエアの吸排気により膨張収縮するゴムシート製のエアバッグ47で構成される。エアバッグ47にはエアを供給するための空気供給機構48が連結され、該空気供給機構48には、図示しないポンプから圧送されるエアの圧力を調整するレギュレータ(図示せず)が具備される。   The back plate pressing means 26 is disposed on the outer periphery of the lower surface of the head main body 22 and applies a pressing force to the back plate pressing member 40 to transmit the pressing force to the back plate 24 coupled thereto. As shown in FIG. 2, the back plate pressing means 26 is preferably composed of a rubber sheet airbag 47 that expands and contracts by air intake and exhaust. An air supply mechanism 48 for supplying air is connected to the airbag 47, and the air supply mechanism 48 includes a regulator (not shown) that adjusts the pressure of air pumped from a pump (not shown). .

前記リテーナリング28は、リング状に形成され、リテーナリング押圧手段30からの押圧力を該リテーナリング28に伝えるリテーナ押圧部材31に取り付けられている。なお、本例では、リテーナ押圧部材31とバックプレート押圧部材40は、互いに交差して設けられているが、リテーナリング押圧手段30の配置によって交差させずに設けることも可能である。   The retainer ring 28 is formed in a ring shape, and is attached to a retainer pressing member 31 that transmits a pressing force from the retainer ring pressing means 30 to the retainer ring 28. In this example, the retainer pressing member 31 and the back plate pressing member 40 are provided so as to intersect with each other. However, the retainer ring pressing means 30 may be provided so as not to intersect with each other.

前記可撓性シート50は、各々可撓性を有する第1可撓性シート51と第2可撓性シート52とから成る。第1可撓性シート51は、バックプレート24における外径よりも十分大きな円形に形成されており、図2及び図3に示すように、ウェーハ外側領域部53A内に配置される外周部51aを水平方向に弛ませた状態で、その外周端51bをバックプ
レート24の外周面に密着固定させ、ウェーハWの裏面と対向しているウェーハ内領域部53Aからウェーハ外側領域部53Bまで配設されるようにして設けられている。
The flexible sheet 50 includes a first flexible sheet 51 and a second flexible sheet 52 each having flexibility. The first flexible sheet 51 is formed in a circular shape that is sufficiently larger than the outer diameter of the back plate 24. As shown in FIGS. 2 and 3, the first flexible sheet 51 has an outer peripheral portion 51a disposed in the wafer outer region portion 53A. In a state of being slackened in the horizontal direction, the outer peripheral edge 51b is closely fixed to the outer peripheral surface of the back plate 24, and the wafer inner region portion 53A facing the rear surface of the wafer W is disposed from the wafer outer region portion 53B. It is provided as such.

一方、第2可撓性シート52は、図2及び図3に示すように、ウェーハWの外径と略同径、すなわち、上記ウェーハ内領域部53Aとほぼ同じ外径をした円板状に形成され、第1可撓性シート51の下面に重ねて接着剤等で貼着して取り付けられている。   On the other hand, as shown in FIGS. 2 and 3, the second flexible sheet 52 is formed in a disk shape having substantially the same diameter as the outer diameter of the wafer W, that is, substantially the same outer diameter as that of the in-wafer region portion 53 </ b> A. It is formed and attached to the lower surface of the first flexible sheet 51 by being attached with an adhesive or the like.

なお、第1可撓性シート51は、例えば0.5ミリ厚のポリエチレンシート、または0.25ミリ厚のPETシート、0.3ミリ厚のポリプロピレンシート、0.3ミリ厚のPFAシート等から成る薄膜シートが用いられる。一方、第2可撓性シート52は、2ミリ厚の塩化ビニル板、1.5ミリ厚のアクリル板、1ミリ厚のSUS板等が使用される。   The first flexible sheet 51 is, for example, a 0.5 mm thick polyethylene sheet, a 0.25 mm thick PET sheet, a 0.3 mm thick polypropylene sheet, a 0.3 mm thick PFA sheet, or the like. A thin film sheet is used. On the other hand, the second flexible sheet 52 is a 2 mm thick vinyl chloride plate, a 1.5 mm thick acrylic plate, a 1 mm thick SUS plate, or the like.

また第2の可撓性シートの表面に貼り付けられ、ウェーハと接触してもウェーハ裏面に有害なキズなどをもたらさない材料としては、ニッタハース社などで販売されているスウェードタイプのSupremeパッドや、フジボウ愛媛のPolypasパッドが好適に使用される。スウェードタイプのパッドでは、表面に水を十分に含むため、ウェーハ裏面が直接接触しても水を含んだ面が接触するため、ウェーハ裏面に有害なキズをつけることがなく、ウェーハ裏面を強く保持することができる。   In addition, as a material that is affixed to the surface of the second flexible sheet and does not cause harmful scratches on the back of the wafer even if it comes into contact with the wafer, a suede type Supreme pad sold by Nita Haas, etc. A Fujipa Atago Polypas pad is preferably used. Suede type pads contain enough water on the front surface, so even if the wafer back surface comes in direct contact with the water containing surface, the wafer back surface will not be damaged and the wafer back surface will be held firmly. can do.

そして、可撓性シート50は、第1可撓性シート51と第2可撓性シート52とが重ね合わされているウェーハ内領域部53Aの撓み剛性と、第2可撓性シート52が重ね合わされていないウェーハ外側領域部53Bの撓み剛性とで異なる撓み剛性を有し、ウェーハ内領域部53Aよりもウェーハ外側領域部53Bの撓み剛性の方が弱く、撓みやすく、かつ、柔軟に形成さている。また、ウェーハ内領域部53Aに配置されている可撓性シート50には、バックプレート24のエア吸引・吹出溝42a,42b,42c内に通じる複数のエア吸引・吹出孔54が開けられ、エア吸引・吹出溝42a,42b,42cからのエアの吸引と吹き出しが行われるように構成されている。   The flexible sheet 50 is formed by overlapping the bending rigidity of the in-wafer region portion 53A where the first flexible sheet 51 and the second flexible sheet 52 are overlapped with the second flexible sheet 52. The bending rigidity of the wafer outer area 53B is different from that of the non-wafer outer area 53B. The bending rigidity of the wafer outer area 53B is weaker than that of the wafer inner area 53A. The flexible sheet 50 disposed in the in-wafer region portion 53A is provided with a plurality of air suction / blowout holes 54 communicating with the air suction / blowout grooves 42a, 42b, and 42c of the back plate 24. Air is sucked and blown out from the suction / blowout grooves 42a, 42b, and 42c.

すなわち、可撓性シート50のウェーハ内領域部53Aに形成されたエア吸引・吹出孔54は、ウェーハWを保持して搬送する際には吸着用の孔として作用し、研磨終了時には、ウェーハWの剥離用のエア噴き出し孔として作用する。   That is, the air suction / blowout holes 54 formed in the in-wafer region portion 53A of the flexible sheet 50 act as suction holes when holding and transporting the wafer W, and at the end of polishing, the wafer W Acts as an air ejection hole for peeling.

前記リテーナリング押圧手段30は、ヘッド本体22の下面の中央部に配置され、リテーナリング押圧部材56に押圧力を与えることで、これに結合しているリテーナリング28を研磨パッド20に押し付ける。このリテーナリング押圧手段30も好ましくはバックプレート押圧手段26と同様にゴムシート製のエアバッグ58で構成される。エアバッグ58にはエアを供給するための空気供給機構59が連結され、該空気供給機構59には、図示しないポンプから圧送されるエアの圧力を調整するレギュレータ(図示せず)が具備されている。   The retainer ring pressing means 30 is disposed at the center of the lower surface of the head main body 22 and applies a pressing force to the retainer ring pressing member 56 to press the retainer ring 28 coupled thereto against the polishing pad 20. The retainer ring pressing means 30 is also preferably constituted by a rubber sheet airbag 58 in the same manner as the back plate pressing means 26. An air supply mechanism 59 for supplying air is connected to the airbag 58, and the air supply mechanism 59 is provided with a regulator (not shown) that adjusts the pressure of air pumped from a pump (not shown). Yes.

次に、このように構成されているウェーハ研磨装置10の研磨動作を説明する。   Next, the polishing operation of the wafer polishing apparatus 10 configured as described above will be described.

まず、ウェーハWをウェーハ保持ヘッド14で保持して研磨パッド20上に載置する。この際、ウェーハWはバックプレート24の下面に形成された吸引・吹出溝42a,42b,42cと可撓性シート50のエア吸引・吹出孔54を通してなされるエア吸引により保持される。   First, the wafer W is held by the wafer holding head 14 and placed on the polishing pad 20. At this time, the wafer W is held by air suction performed through suction / blowing grooves 42 a, 42 b, 42 c formed on the lower surface of the back plate 24 and the air suction / blowing hole 54 of the flexible sheet 50.

次に、圧力付与手段46の制御でバックプレート24の吸引・吹出溝42a,42b,42cからエアを吹出し、同時にバックプレート24を押圧すると、エア吸引・吹出溝42a,42b,42cと隔膜43a,43b,43cで形成されている3つの圧力室の圧
がそれぞれ高くなり、バックプレート押圧手段26がバックプレート24を押圧する力と隔膜43a,43b,43cの圧力でバックプレート24を押し上げる力が同じになると、一定の圧力が維持されるようになる。
Next, when air is blown out from the suction / blowing grooves 42a, 42b, 42c of the back plate 24 under the control of the pressure applying means 46, and simultaneously the back plate 24 is pressed, the air suction / blowing grooves 42a, 42b, 42c and the diaphragm 43a, The pressures of the three pressure chambers formed by 43b and 43c are increased, and the force by which the back plate pressing means 26 presses the back plate 24 and the force by which the back plate 24 is pushed up by the pressure of the diaphragms 43a, 43b, and 43c are the same. Then, a certain pressure is maintained.

この状態で研磨定盤12を図1中に示す矢印A方向に回転させるとともに、ウェーハ保持ヘッド14を図1中に示す矢印B方向に回転させる。そして、その回転する研磨パッド20上に図示しないノズルからスラリーを供給する。これにより、ウェーハWの下面が研磨パッド20により研磨される。   In this state, the polishing surface plate 12 is rotated in the direction of arrow A shown in FIG. 1, and the wafer holding head 14 is rotated in the direction of arrow B shown in FIG. Then, slurry is supplied from a nozzle (not shown) onto the rotating polishing pad 20. Thereby, the lower surface of the wafer W is polished by the polishing pad 20.

なお、可撓性シート50には複数のエア吸引・吹出孔54が形成されているため、バックプレート24のエア吸引・吹出溝42a,42b,42cから供給されたエアは、バックプレート24とウェーハW裏面との間で可撓性シート50を介してエア層を形成し、ウェーハWを研磨パッド20に押圧する。   Since the flexible sheet 50 is formed with a plurality of air suction / blowout holes 54, the air supplied from the air suction / blowout grooves 42a, 42b, 42c of the backplate 24 is supplied to the backplate 24 and the wafer. An air layer is formed between the W back surface and the flexible sheet 50, and the wafer W is pressed against the polishing pad 20.

また、ウェーハWを研磨パッド20に押圧する力は、可撓性シート50を介してエア層で行うが、可撓性シート50がウェーハWを押圧している圧力と同じなので、可撓性シート50とウェーハWとの間にはエアの流れがほとんどなく、またエアの流れがあったとしても、エア量は非常に少ないので、スラリーの凝集が起らない。 また、可撓性シート50に厚さムラがあっても、ウェーハWの加工精度には影響を及ぼさない。   Further, the force for pressing the wafer W against the polishing pad 20 is performed by the air layer through the flexible sheet 50, but the flexible sheet 50 is the same as the pressure pressing the wafer W, so the flexible sheet There is almost no air flow between the wafer 50 and the wafer W, and even if there is an air flow, the amount of air is very small, so that aggregation of the slurry does not occur. Further, even if the thickness of the flexible sheet 50 is uneven, the processing accuracy of the wafer W is not affected.

また、ウェーハWの加工が終了したら、ウェーハWをウェーハ保持ヘッド14で再び保持して研磨パッド20上から排出する。この際、ウェーハWはバックプレート24の下面に形成された吸引・吹出溝42a,42b,42cと可撓性シート50のエア吸引・吹出孔54を通してなされるエア吸引により保持され、排出搬送される。   When the processing of the wafer W is completed, the wafer W is again held by the wafer holding head 14 and discharged from the polishing pad 20. At this time, the wafer W is held by air suction performed through the suction / blowout grooves 42a, 42b, 42c formed on the lower surface of the back plate 24 and the air suction / blowout holes 54 of the flexible sheet 50, and is discharged and conveyed. .

したがって、本実施例のウェーハ研磨装置10では、可撓性シート50を、ウェーハWの裏面内でウェーハWに圧力を与えるウェーハ内領域部53Aと、ウェーハWの外周部から該ウェーハWに圧力を与える、ウェーハ内領域部53Aの撓み剛性よりも弱い撓み剛性を有するウェーハ外側領域部53Bとで構成しているので、ウェーハを加圧する際に、ウェーハ中央部付近における圧力伝達状態とウェーハ外周部付近における圧力伝達状態の差、すなわち圧力勾配を緩和させて伝達することが可能となり、ウェーハに連続的な圧力分布が伝達され、ウェーハ面内では連続的な滑らかな研磨形状が維持され、ウェーハエッジ部においても滑らかで均一な研磨形状を確保することができる。   Therefore, in the wafer polishing apparatus 10 of this embodiment, the flexible sheet 50 is subjected to pressure on the wafer W from the wafer inner region 53A that applies pressure to the wafer W within the back surface of the wafer W, and from the outer periphery of the wafer W. Since it is composed of a wafer outer region portion 53B having a bending rigidity that is weaker than the bending rigidity of the inner region portion 53A, the pressure transmission state in the vicinity of the wafer central portion and the vicinity of the wafer outer periphery portion when pressing the wafer It is possible to transmit with the difference in pressure transmission state in the wafer, that is, the pressure gradient can be relaxed, and the continuous pressure distribution is transmitted to the wafer, and the continuous smooth polishing shape is maintained in the wafer surface. In this case, a smooth and uniform polished shape can be secured.

また、ウェーハWを押圧するバックプレート24と可撓性シート50の間に連続的にエアを供給してエア層を形成するようにしているので、ウェーハW面内への圧力分布がさらに緩和する。   Further, air is continuously supplied between the back plate 24 that presses the wafer W and the flexible sheet 50 to form an air layer, so that the pressure distribution in the wafer W plane is further relaxed. .

次に、本発明の第2の実施の形態におけるウェーハ研磨装置について図5及び図6を参照して説明する。この第2の実施の形態における研磨パッド20の構成は、図2及び図3に示した可撓性シート50における第1可撓性シート51の外周部51aをリテーナリング28の内周に張設して取り付けたもので、他の構成は図2及び図3と同一であるから、同一の構成部分は同一符号を付して重複説明を省略する。   Next, a wafer polishing apparatus according to a second embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. The configuration of the polishing pad 20 in the second embodiment is such that the outer peripheral portion 51 a of the first flexible sheet 51 in the flexible sheet 50 shown in FIGS. 2 and 3 is stretched around the inner periphery of the retainer ring 28. Since other configurations are the same as those in FIGS. 2 and 3, the same components are denoted by the same reference numerals, and redundant description is omitted.

図5及び図6において、リテーナリング28は、それぞれリング状に形成されたリテーナリングホルダ57とスナップリング58と取付部材59と挟持部材60を介して、リテーナリング押圧部材31に取り付けられている。   5 and 6, the retainer ring 28 is attached to the retainer ring pressing member 31 via a retainer ring holder 57, a snap ring 58, an attachment member 59, and a clamping member 60 each formed in a ring shape.

前記第1可撓性シート51をリテーナリング28の内周に張設するようにして、リテーナリング28に可撓性シート50を取り付ける場合は、まずリテーナリング28と挟持部
材60とを分離し、その分離されたリテーナリング28と挟持部材60との間に第1可撓性シート51の外周端51bを外側へ均一に引っ張った状態に配置し、その後、その外周端51bをリテーナリング28と挟持部材60との間で挟み、かつ、リテーナリング28と挟持部材60との間をねじ61で固定する。次いで、リテーナリング28とリテーナリングホルダ57との間にスナップリング58を取り付け、リテーナリング28とリテーナリングホルダ57との間を一体化し、次いで取付部材59をリテーナリング押圧部材56に固定することによって組み付けられる。
When the flexible sheet 50 is attached to the retainer ring 28 in such a manner that the first flexible sheet 51 is stretched around the inner periphery of the retainer ring 28, the retainer ring 28 and the sandwiching member 60 are first separated. The outer peripheral end 51b of the first flexible sheet 51 is disposed between the separated retainer ring 28 and the clamping member 60 so as to be evenly pulled outward, and then the outer peripheral end 51b is clamped with the retainer ring 28. The retainer ring 28 and the sandwiching member 60 are fixed with screws 61 between the member 60 and the retainer ring 28. Next, by attaching a snap ring 58 between the retainer ring 28 and the retainer ring holder 57, integrating the retainer ring 28 and the retainer ring holder 57, and then fixing the attachment member 59 to the retainer ring pressing member 56. Assembled.

このように構成された研磨パッド20では、可撓性シート50における第1可撓性シート51の外周端51bをリテーナリング28に適当な張力を持たせて取り付け、挟持部材60と共に外周端51bを挟着保持することにより、可撓性シート50を適当な張力で保持できるほか、可撓性シート50を極度に折り曲げることなく、ほとんど水平状態で保持することが可能となる。これにより、可撓性シート本来の撓み剛性に影響する形式で圧力分布の伝達が効率的に行われることになる。   In the polishing pad 20 configured as described above, the outer peripheral end 51 b of the first flexible sheet 51 in the flexible sheet 50 is attached to the retainer ring 28 with appropriate tension, and the outer peripheral end 51 b is attached together with the holding member 60. By sandwiching and holding, the flexible sheet 50 can be held with an appropriate tension, and the flexible sheet 50 can be held almost horizontally without being bent extremely. As a result, the pressure distribution is efficiently transmitted in a form that affects the inherent bending rigidity of the flexible sheet.

また、リテーナリング28に第1の可撓性シート51の外周端51bをリテーナリングに挟着させているから、ウェーハWを押圧するバックプレート24とリテーナリング28の隙間から、供給したエアを逃がすことができる。これにより、清浄なエアが絶えずバックプレート24から供給され、バックプレート24と第1可撓性シート51との間に常にエア層が一様に形成される。   Further, since the outer peripheral end 51b of the first flexible sheet 51 is sandwiched between the retainer ring 28 and the retainer ring 28, the supplied air is released from the gap between the back plate 24 and the retainer ring 28 that presses the wafer W. be able to. Accordingly, clean air is continuously supplied from the back plate 24, and an air layer is always formed uniformly between the back plate 24 and the first flexible sheet 51.

なお、上記各実施の形態では、可撓性シート50は、第1可撓性シート51の下面に第2可撓性シート52を重ね合わせて接着することにより、ウェーハ領域部53Aにおける撓み剛性をウェーハ外側領域部53Bの撓み剛性よりも強くしているが、必ずしも2枚の可撓性シート51,52を貼り合わせなくても、一枚の可撓性シートを加工してなる撓み剛性の異なるウェーハ領域部53Aとウェーハ外側領域部53Bとを有する可撓性シートを用いても良い。   In each of the above embodiments, the flexible sheet 50 has the bending rigidity in the wafer region 53A by overlapping the second flexible sheet 52 on the lower surface of the first flexible sheet 51 and bonding it. Although it is stronger than the flexural rigidity of the wafer outer region 53B, the flexural rigidity obtained by processing one flexible sheet is not necessarily required to bond the two flexible sheets 51 and 52 together. A flexible sheet having a wafer region portion 53A and a wafer outer region portion 53B may be used.

また、可撓性シート50は、ウェーハ外周部領域53B内に位置する第1可撓性シート51のウェーハWと接する部位及び第2可撓性シート52のウェーハWと接する部位に軟質材料を張り付け、またはコーティングした構造にしてもよい。ウェーハWと接する部位に軟質材料を設けた構造にておくと、研磨中、ウェーハWが水平移動してウェーハWの裏面に可撓性シート50が当たっても、軟質材料に当接し、斯くして、ウェーハ裏面を傷付けるようなことはなくなる。さらに、ウェーハWと密着する側に軟質材料を設けた場合では、研磨後、もしくは研磨前にウェーハWを搬送するとき、軟質の材料がウェーハによく密着し、安定した搬送を行うことができる。   In addition, the flexible sheet 50 is pasted with a soft material on a portion of the first flexible sheet 51 located in the wafer outer peripheral region 53B that contacts the wafer W and a portion of the second flexible sheet 52 that contacts the wafer W. Or a coated structure. If a structure in which a soft material is provided in a portion in contact with the wafer W is used, even if the wafer W moves horizontally during the polishing and the flexible sheet 50 hits the back surface of the wafer W, the soft material is brought into contact with the wafer W. As a result, the back surface of the wafer is not damaged. Furthermore, when a soft material is provided on the side that is in close contact with the wafer W, when the wafer W is transported after polishing or before polishing, the soft material is in close contact with the wafer and can be stably transported.

また、軟質材料に水を含ませてウェーハを保持する構造にしてもよく、ウェーハWと可撓性シート50の間が水を介して良好に密着する。   Alternatively, the structure may be such that water is contained in a soft material to hold the wafer, and the wafer W and the flexible sheet 50 are in good contact with each other through the water.

なお、本発明は、本発明の精神を逸脱しない限り種々の改変を為すことができ、そして、本発明が該改変されたものに及ぶことは当然である。   It should be noted that the present invention can be variously modified without departing from the spirit of the present invention, and the present invention naturally extends to the modified ones.

本発明のウェーハ研磨装置の全体構造を示す側面図。The side view which shows the whole structure of the wafer grinding | polishing apparatus of this invention. ウェーハ保持ヘッドの構成を示す縦断面図。The longitudinal cross-sectional view which shows the structure of a wafer holding head. 可撓性シート取付部分の構成を示す断面図。Sectional drawing which shows the structure of a flexible sheet | seat attachment part. バックプレートの構成を示す底面図。The bottom view which shows the structure of a backplate. ウェーハ保持ヘッドの他の構成を示す縦断面図。The longitudinal cross-sectional view which shows the other structure of a wafer holding head. 可撓性シート取付部分の他の構成を示す断面図。Sectional drawing which shows the other structure of a flexible sheet | seat attachment part.

符号の説明Explanation of symbols

10 ウェーハ研磨装置
12 研磨定盤
14 ウェーハ保持ヘッド
20 研磨パッド
22 ヘッド本体
24 バックプレート(キャリア)
26 バックプレート押圧手段
28 リテーナリング
30 リテーナリング押圧手段
31 リテーナリング押圧部材
32 回転軸
36 軸部
40 バックプレート押圧部材
42a エア吸引・吹出溝
42b エア吸引・吹出溝
42c エア吸引・吹出溝
45 圧力付与手段
46 エア供給手段
48 空気供給機構
50 可撓性シート
51 第1可撓性シート
51a 外周部
51b 外周端
52 第2可撓性シート
53A ウェーハ内領域部
53B ウェーハ外側領域部
54 エア吸引・吹出孔
57 リテーナリングホルダ
60 挟持部材
DESCRIPTION OF SYMBOLS 10 Wafer polisher 12 Polishing surface plate 14 Wafer holding head 20 Polishing pad 22 Head main body 24 Back plate (carrier)
26 Back plate pressing means 28 Retainer ring 30 Retainer ring pressing means 31 Retainer ring pressing member 32 Rotating shaft 36 Shaft 40 Back plate pressing member 42a Air suction / blowing groove 42b Air suction / blowing groove 42c Air suction / blowing groove 45 Pressure application Means 46 Air supply means 48 Air supply mechanism 50 Flexible sheet 51 First flexible sheet 51a Outer peripheral portion 51b Outer end 52 Second flexible sheet 53A Wafer inner region portion 53B Wafer outer region portion 54 Air suction / blowout hole 57 Retaining ring holder 60 Clamping member

Claims (6)

ウェーハをパッドに摺接させて、相対運動させながら研磨を行うウェーハ研磨装置において、
前記ウェーハを前記パッドに押し付ける圧力を該ウェーハの裏面から可撓性シートを介して加え、
ウェーハ面内において、複数の独立した圧力室からなる圧力付与手段を有した研磨ヘッドを備えるとともに、
前記可撓性シートは、前記ウェーハ面内で、前記複数の独立した圧力室を覆い、前記ウェーハに滑らかな圧力分布を与える撓み剛性の大きいウェーハ内領域部と、
該ウェーハ内領域部の撓み剛性よりも弱い撓み剛性を持ち、かつ、前記ウェーハ内領域部の外周外側に設けられたウェーハ外側領域部、
の二つの領域を有してなることを特徴とするウェーハ研磨装置。
In a wafer polishing apparatus that performs polishing while sliding the wafer against the pad and performing relative movement,
Applying a pressure to press the wafer against the pad from the back side of the wafer through a flexible sheet,
In the wafer surface, with a polishing head having a pressure applying means consisting of a plurality of independent pressure chambers,
The flexible sheet covers the plurality of independent pressure chambers in the wafer surface, and has a large deflection in-wafer region that gives a smooth pressure distribution to the wafer; and
A wafer outer region portion that has a bending rigidity that is weaker than the bending rigidity of the wafer inner region portion, and is provided on the outer periphery of the wafer inner region portion;
A wafer polishing apparatus characterized by having two regions.
上記可撓性シートは、上記ウェーハ内領域部内から上記ウェーハ外側領域部内にわたって配設された第1可撓性シートと、上記ウェーハと略同径で該第1可撓性シートに重ねて配設された第2可撓性シートとからなることを特徴とする請求項1記載のウェーハ研磨装置。   The flexible sheet is disposed to overlap the first flexible sheet having the same diameter as the first flexible sheet disposed from the inner region of the wafer to the outer region of the wafer. The wafer polishing apparatus according to claim 1, wherein the wafer polishing apparatus comprises the second flexible sheet. 上記可撓性シートは、上記ウェーハと接する部位面に軟質材料を配設したことを特徴とする請求項1または2記載のウェーハ研磨装置。   The wafer polishing apparatus according to claim 1, wherein the flexible sheet is provided with a soft material on a part surface in contact with the wafer. 上記軟質材料は、保水性を有し、かつ、上記ウェーハと密着するように構成されたことを特徴とする請求項3記載のウェーハ研磨装置。   4. The wafer polishing apparatus according to claim 3, wherein the soft material has water retention and is in close contact with the wafer. 上記可撓性シートは、外周部をリテーナ部分に挟着されていることを特徴とする請求項1,2,3または4記載のウェーハ研磨装置。   The wafer polishing apparatus according to claim 1, 2, 3, or 4, wherein the flexible sheet has an outer peripheral portion sandwiched between retainer portions. 上記圧力付与手段は、上記可撓性シートの裏面側に設けたバックプレートと、該バックプレートと前記可撓性シートとの間に連続的にエアを供給するエア供給手段を有し、該エア供給手段により該バックプレートと前記可撓性シートとの間に形成したエア層と前記可撓性シートを介して前記ウェーハに押圧力を伝達するように構成されたことを特徴とする請求項1,2,3,4または5載のウェーハ研磨装置。 The pressure applying means includes a back plate provided on the back side of the flexible sheet, and an air supply means for continuously supplying air between the back plate and the flexible sheet. 2. A pressing force is transmitted to the wafer via an air layer formed between the back plate and the flexible sheet by the supply means and the flexible sheet. , 2, 3, 4 or 5 Symbol mounting of the wafer polishing apparatus.
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