JP3218572B2 - Polishing plate for wafer pressing - Google Patents

Polishing plate for wafer pressing

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JP3218572B2
JP3218572B2 JP19588092A JP19588092A JP3218572B2 JP 3218572 B2 JP3218572 B2 JP 3218572B2 JP 19588092 A JP19588092 A JP 19588092A JP 19588092 A JP19588092 A JP 19588092A JP 3218572 B2 JP3218572 B2 JP 3218572B2
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polishing
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Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は、シリコン半導体等の薄
板状ウェーハ表面の鏡面加工を行うポリッシング装置の
ポリッシングプレートに関するものである。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a polishing plate for a polishing apparatus for mirror-finishing the surface of a thin wafer such as a silicon semiconductor.

【0002】[0002]

【従来の技術】従来、半導体ウェーハ表面の鏡面加工を
行うポリッシング装置は、平坦なプレートに複数個のウ
エーハを接着し、研磨面に研磨クロスを貼った回転定盤
上に前記プレートをウェーハが研磨クロスと接触するよ
うにして載置し、ポリッシングプレートによってプレー
トを押圧することでウェーハを研磨クロスに押圧し、ス
ラリーを供給しながら回転定盤を回転させると共に、プ
レートを回転させてウェーハを鏡面加工するポリッシン
グ装置が用いられてきた。
2. Description of the Related Art Conventionally, a polishing apparatus for mirror-polishing a semiconductor wafer surface has a plurality of wafers bonded to a flat plate, and the plate is polished on a rotating platen having a polishing cloth attached to a polishing surface. Place the wafer in contact with the cloth, press the plate with the polishing plate, press the wafer against the polishing cloth, rotate the rotating platen while supplying the slurry, and rotate the plate to mirror-process the wafer. Polishing apparatuses have been used.

【0003】[0003]

【発明が解決しようとする課題】しかし、前記のように
平坦なプレートに複数個のウェーハを貼り付けた場合、
個々のウェーハに僅かな厚さムラがあると、押圧力が一
定とならず良好なポリッシングは不可能になってしま
う。ウェーハを一枚ずつポリッシングプレートにより押
圧しながら加工する枚葉式のポリッシング装置では、バ
ッチ式のものとは異なり前記厚さムラによる押圧力のバ
ラツキはさほど問題とならないが、同時に加工できるウ
ェーハ枚数は必然的に少なくなってしまい、加工能率が
悪くて生産性に劣る問題点がある。近年、ウェーハの一
層高精度な加工が要求されており、ウェーハ全面を常に
一定圧で加圧しながらポリッシングを行うことが必須の
加工条件となるが、ウェーハ一枚の中にも場所によって
僅かな厚さムラが存在し、前記の加工条件を完全に満た
すポリッシング装置は存在しなかった。更に、バッチ
式、枚葉式に拘らず、ウェーハ或はウェーハを接着した
プレートは、研磨クロスを貼った回転定盤に接触しつつ
一定位置にて回転しているため、研磨クロスのウェーハ
接触部の軌跡は、毎回同一のリング状の軌跡を辿ること
となり、加工を行うにつれて研磨クロスのウェーハ接触
部のみが凹状に摩耗してしまうが、そのエッジ部はウェ
ーハに対して垂直ではなく、傾斜しているためエッジ部
に当接するウェーハ周縁部も傾斜して加工されてしまう
問題点がある。
However, when a plurality of wafers are attached to a flat plate as described above,
If the individual wafers have slight thickness unevenness, the pressing force is not constant, and good polishing becomes impossible. In a single-wafer type polishing apparatus that processes wafers while pressing them one by one with a polishing plate, unlike a batch type polishing apparatus, the variation in the pressing force due to the thickness unevenness does not matter so much, but the number of wafers that can be processed simultaneously is Inevitably, there is a problem that the processing efficiency is poor and the productivity is inferior. In recent years, higher precision processing of wafers has been required, and it is essential to perform polishing while constantly pressing the entire surface of the wafer at a constant pressure. There was unevenness, and there was no polishing apparatus that completely satisfied the above processing conditions. Furthermore, regardless of the batch type or the single-wafer type, the wafer or the plate on which the wafer is bonded is rotated at a fixed position while being in contact with the rotating platen on which the polishing cloth is stuck. The trajectory follows the same ring-shaped trajectory every time, and as the processing is performed, only the wafer contact portion of the polishing cloth wears in a concave shape, but the edge portion is not perpendicular to the wafer but is inclined. Therefore, there is a problem that the peripheral portion of the wafer abutting on the edge portion is also processed with an inclination.

【0004】本発明は、前記従来の問題点を解決するた
めになされ、ウェーハの厚さムラに拘らずウェーハ全面
を常に均等に加圧することが可能であると共に、研磨ク
ロスの変形による加工不良を防止することが可能な、バ
ッチ処理方式のウェーハ加工用ポリッシングプレートを
提供することを課題としたものである。
SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made to solve the above-mentioned conventional problems, and it is possible to always uniformly press the entire surface of a wafer irrespective of unevenness in the thickness of the wafer, and to reduce processing defects due to deformation of a polishing cloth. It is an object of the present invention to provide a batch processing type polishing plate for processing a wafer, which can be prevented.

【0005】[0005]

【課題を解決するための手段】この課題を技術的に解決
するための手段として、本発明は、研磨クロスを貼った
回転定盤にウェーハを接触させると共に、そのウェーハ
をポリッシングプレートにより研磨クロスに押圧し、ス
ラリーを供給しながらウェーハの鏡面加工を行うポリッ
シング装置のポリッシングプレートにおいて、ポリッシ
ングプレートの内部に形成された密閉空間と、この密閉
空間内に流体の供給及び排除を行う流体供給ノズルと、
弾性体膜を取り付けてポリッシングプレートとの間に個
々に独立させた流体室をそれぞれ設けた複数個のウェー
ハ加圧部と、前記個々の流体室と前記密閉空間とをそれ
ぞれ連通させる流体供給穴とを備えたウェーハ加圧用ポ
リッシングプレートを要旨とするものである。又、この
ウェーハ加圧用ポリッシングプレートにおいて、前記ポ
リッシングプレートの下面の、少なくともウェーハ加圧
部の外周部に研磨クロス用ドレッサーを設けたこと、更
に加工するウェーハの形状に応じた円弧部とオリフラ部
とを有する切欠きを備えたテンプレートを前記弾性体膜
に貼着し、この弾性体膜の下面におけるウェーハとの接
触部にクッション材を介在させたこと、を特徴とするも
のである。
Means for Solving the Problems As means for technically solving this problem, the present invention provides a method in which a wafer is brought into contact with a rotating platen on which a polishing cloth is stuck, and the wafer is brought into contact with the polishing cloth by a polishing plate. Pressing, in the polishing plate of the polishing apparatus that performs mirror polishing of the wafer while supplying the slurry, a sealed space formed inside the polishing plate, and a fluid supply nozzle that supplies and removes fluid in the sealed space,
A plurality of wafer pressurizing sections each having an independent fluid chamber provided between the polishing plate and an elastic film attached thereto, and a fluid supply hole for communicating each of the fluid chambers and the closed space, respectively. And a polishing plate for pressurizing a wafer having the following. Further, in this wafer pressing polishing plate, a polishing cloth dresser is provided on at least the outer peripheral portion of the wafer pressing portion on the lower surface of the polishing plate, and further, an arc portion and an orientation flat portion corresponding to the shape of the wafer to be processed. A template provided with a notch having a notch is attached to the elastic film, and a cushion material is interposed at a contact portion of the lower surface of the elastic film with the wafer.

【0006】[0006]

【作用】流体供給ノズルからポリッシングプレート内部
の密閉空間に供給される流体は、流体供給穴を通ってウ
ェーハ加圧部の流体室に供給され、ウェーハ加圧部全面
に均等に圧力を掛けることができる。ウェーハ加圧部
は、弾性体膜で形成され下面にはウェーハが保持されて
おり、ウェーハにはポリッシングプレートから直接圧力
が掛かるのではなく、ウェーハ加圧部の流体室の内部圧
力により圧力が掛かって研磨クロスに押圧される。又、
ウェーハに厚さムラがあったとしても、弾性体膜により
その厚さムラを容易に吸収することができる。更に、ポ
リッシングプレートの下面の少なくともウェーハ加圧部
の外周部に、研磨クロス修正用ドレッサーを備えること
で、ポリッシング加工中において研磨クロス表面のウェ
ーハ接触部より幅広い範囲を常時修正し、研磨クロスの
ウェーハ接触部のみが凹状に磨耗するのを防止できる。
又、弾性体膜の下面がウェーハと接触する部分にクッシ
ョン材を介在させることで、テンプレート内でのウェー
ハの回転(滑り)を防止し、ウェーハのオリフラ部の両端
部がテンプレートのオリフラ部に干渉して破損するのを
防止できる。
The fluid supplied from the fluid supply nozzle to the closed space inside the polishing plate is supplied to the fluid chamber of the wafer pressurizing unit through the fluid supply hole, and can uniformly apply pressure to the entire surface of the wafer pressurizing unit. it can. The wafer pressing section is formed of an elastic film and holds the wafer on the lower surface. The wafer is not pressured directly from the polishing plate, but is pressed by the internal pressure of the fluid chamber of the wafer pressing section. And pressed against the polishing cloth. or,
Even if the wafer has uneven thickness, the elastic film can easily absorb the uneven thickness. Furthermore, by providing a dresser for polishing cloth correction at least on the outer peripheral part of the wafer pressing part on the lower surface of the polishing plate, a wider range than the wafer contact part on the polishing cloth surface is constantly corrected during polishing processing, and the polishing cloth wafer It is possible to prevent only the contact portion from being worn in a concave shape.
In addition, by interposing a cushion material at the part where the lower surface of the elastic film contacts the wafer, rotation (slipping) of the wafer in the template is prevented, and both ends of the wafer orientation flat interfere with the template orientation flat. Can be prevented from being damaged.

【0007】[0007]

【実施例】以下、本発明の実施例を添付図面に基づいて
詳説する。図1において、1はポリッシングプレートで
あり、円盤状で下面側に凹部を有する上部体1aと、こ
の上部体1aにOリング1cを介して密に一体化された
下部体1bとから構成され、前記凹部は密閉空間2とな
っている。
DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Embodiments of the present invention will be described below in detail with reference to the accompanying drawings. In FIG. 1, reference numeral 1 denotes a polishing plate, which comprises a disk-shaped upper body 1a having a concave portion on the lower surface side, and a lower body 1b tightly integrated with the upper body 1a via an O-ring 1c. The recess forms a closed space 2.

【0008】前記上部体1aは、中央部が回転主軸3に
より吊り持固定され、その回転主軸3の軸線方向に形成
した流体供給ノズル4を前記密閉空間2に連通させ、密
閉空間2内に流体を供給及び排除できるようにしてあ
る。
The upper body 1a is suspended and fixed at the center by a rotating main shaft 3, and a fluid supply nozzle 4 formed in the axial direction of the rotating main shaft 3 is communicated with the closed space 2 so that a fluid is supplied into the closed space 2. Can be supplied and removed.

【0009】前記下部体1bは、図2に示すように下面
側に円形の凹部が円周方向に複数個(5個)形成され、
この凹部にゴム等の弾性体で形成された弾性体膜5をテ
ーパリング6を介して取り付けてそれぞれ流体室7を形
成すると共に、各流体室7の上部に流体供給穴8を設け
て前記密閉空間2とそれぞれ連通させてある。
As shown in FIG. 2, the lower body 1b has a plurality of (five) circular concave portions formed on the lower surface side in the circumferential direction.
An elastic film 5 made of an elastic material such as rubber is attached to the concave portion via a taper ring 6 to form fluid chambers 7 respectively. The space 2 is communicated with each other.

【0010】従って、前記流体供給ノズル4から密閉空
間2内に圧縮エアーを供給すると、その圧縮エアーは流
体供給穴8を通って流体室7に流入し、弾性体膜5に均
等な圧力を加えることができる。つまり、弾性体膜5が
エアーバックのような様相を呈して、各凹部にウェーハ
加圧部9が形成されることになる。
Therefore, when compressed air is supplied from the fluid supply nozzle 4 into the closed space 2, the compressed air flows into the fluid chamber 7 through the fluid supply hole 8 and applies an even pressure to the elastic membrane 5. be able to. That is, the elastic film 5 has an appearance like an air bag, and the wafer pressing portion 9 is formed in each concave portion.

【0011】10はシート状の研磨クロス用ドレッサー
であり、前記下部体1bの下面側でウェーハ加圧部9を
除く部分に取り付けてある。11は前記上部体1aの上
面側に載せたリング状のウェイトである。
Reference numeral 10 is a dresser for a polishing cloth in the form of a sheet, which is attached to the lower surface of the lower body 1b except for the wafer pressurizing section 9. Reference numeral 11 denotes a ring-shaped weight placed on the upper surface side of the upper body 1a.

【0012】このように構成されたポリッシングプレー
ト1を用いて、被加工物であるウェーハWを鏡面加工す
るには、先ず純水に浸して濡らした前記弾性体膜5にウ
ェーハWをそれぞれ付着させてウェーハ加圧部9に取り
付ける。この際、ウェーハWは水濡れしている弾性体膜
5に密着し、かつ前記テーパリング6により周囲が保持
される。
In order to mirror-process a wafer W to be processed by using the polishing plate 1 having such a structure, first, the wafers W are respectively adhered to the elastic film 5 which is immersed in pure water and wetted. To the wafer pressurizing section 9. At this time, the wafer W is in close contact with the elastic film 5 that is wet with water, and the periphery is held by the taper ring 6.

【0013】次に、ポリッシングプレート1を動かし、
ウェーハ加圧部9に保持されたウェーハWを図3に示す
ように回転定盤Tの研磨クロスC面に近接させ、ポリッ
シングプレート1の下面のドレッサー10を研磨クロス
表面に接触させ、ポリッシングプレート1全体を回転定
盤上に載置する。
Next, the polishing plate 1 is moved,
The wafer W held by the wafer pressing unit 9 is brought close to the polishing cloth C surface of the rotary platen T as shown in FIG. 3, and the dresser 10 on the lower surface of the polishing plate 1 is brought into contact with the polishing cloth surface. Place the whole on a rotating platen.

【0014】この後、流体供給ノズル4から圧縮エアー
を密閉空間2内に供給し、ウェーハ加圧部9の流体室7
内の圧力を上昇させて弾性体膜5を膨らませ、ウェーハ
Wを研磨クロスCに対して押圧する。
Thereafter, compressed air is supplied from the fluid supply nozzle 4 into the closed space 2, and the fluid chamber 7 of the wafer pressurizing section 9 is supplied.
The internal pressure is increased to expand the elastic film 5, and the wafer W is pressed against the polishing cloth C.

【0015】流体室7内の圧力が所定圧に達した時点
で、この圧力を保つようにエアー供給量を調整しつつ回
転定盤Tを回転させ、これと共にポリッシングプレート
1を回転定盤Tとの連れ回り、或は強制駆動により回転
させると同時に、スラリーを回転定盤T上に供給してウ
ェーハ表面の鏡面加工を行う。
When the pressure in the fluid chamber 7 reaches a predetermined pressure, the rotary platen T is rotated while adjusting the air supply amount so as to maintain this pressure, and the polishing plate 1 is moved together with the rotary platen T. The slurry is supplied on the rotating platen T and mirror-finished on the wafer surface at the same time when the wafer is rotated by forced rotation or forced driving.

【0016】この鏡面加工において、各ウェーハ加圧部
9の流体室7内には前記流体供給ノズル4から圧縮エア
ーが供給されて所定の圧力に保持され、弾性体膜5によ
ってウェーハW全体に均一の押圧力が掛かるようにして
あるので、ウェーハWに厚さムラがあったとしても、弾
性体膜5の弾性によってその厚さムラを吸収することが
できる。しかも、各ウェーハ加圧部9が独立していてそ
れぞれ弾性体膜5が取り付けられているので、各ウェー
ハWは各別に作用を受けバッチ式に好適である。又、ウ
ェーハ加圧部9には、前記テーパーリング6がそれぞれ
取り付けられてウェーハWの周囲を保持しているため、
ウェーハWの横振れを未然に防止することができる。
In this mirror finishing, compressed air is supplied from the fluid supply nozzle 4 into the fluid chamber 7 of each wafer pressurizing section 9 and is maintained at a predetermined pressure, and is uniformly spread over the entire wafer W by the elastic film 5. Therefore, even if the wafer W has uneven thickness, the elasticity of the elastic film 5 can absorb the uneven thickness. In addition, since each wafer pressing unit 9 is independent and the elastic film 5 is attached to each wafer, each wafer W is individually actuated and is suitable for a batch type. In addition, since the taper rings 6 are attached to the wafer pressurizing unit 9 to hold the periphery of the wafer W,
Lateral deflection of the wafer W can be prevented.

【0017】更に、ウェーハ加圧部9の外側には研磨ク
ロス用ドレッサー10を有するので、ポリッシングプレ
ート1の研磨クロスC上の軌跡は実際のウェーハ接触部
分よりも広範囲となり、このためウェーハWが接触する
研磨クロスC上の軌跡部分に凹状の摩耗が生じることは
なく、ウェーハWの外周部が研磨クロスCの変形部分の
エッジにより削られるという加工不良を未然に防止する
ことができる。
Furthermore, since the polishing cloth dresser 10 is provided outside the wafer pressing portion 9, the trajectory of the polishing plate 1 on the polishing cloth C is wider than the actual wafer contact portion. Therefore, it is possible to prevent a processing defect such that the outer peripheral portion of the wafer W is shaved by the edge of the deformed portion of the polishing cloth C without causing concave wear on the locus portion on the polishing cloth C.

【0018】ところで、通常は図6、図7に示すように
弾性体膜5(エアーバッグ)の下面にテンプレート12
を貼着し、そのテンプレート12に形成された円形の切
欠き12a内にウェーハWを保持して弾性体膜5で押圧
するが、ウェーハWにはオリフラ部W1 (オリエンテー
ションフラット部)が存在するため、そのオリフラ部W
1 とテンプレート12との間の隙間S1 がウェーハWの
円弧部とテンプレート12との間の隙間S0 より大きく
なり、その間隔の大きい部分で弾性体膜5が膨らみ、ウ
ェーハWのオリフラ部W1 もこの膨らみ部5aに従って
変形してしまう。このため、加工終了後ウェーハWを取
り外した際にウェーハWに反りが発生する。
Normally, as shown in FIGS. 6 and 7, the template 12 is placed on the lower surface of the elastic film 5 (air bag).
The wafer W is held in the circular notch 12 a formed in the template 12 and pressed by the elastic film 5, and the wafer W has an orientation flat portion W 1 (orientation flat portion). Therefore, the orientation flat part W
The gap S 1 between the template 1 and the template 12 becomes larger than the gap S 0 between the arc portion of the wafer W and the template 12, and the elastic film 5 swells at a portion where the gap is large, and the orientation flat portion W of the wafer W 1 is also deformed according to the bulging portion 5a. Therefore, when the wafer W is removed after the processing, the wafer W is warped.

【0019】前記ウェーハWのオリフラ部W1 における
弾性体膜5の膨らみを防止するには、テンプレート12
の切欠きを円形ではなくウェーハWと同様にオリフラ部
12bを有する形状にすれば良い。しかしながら、ウェ
ーハWを弾性体膜5で押圧する場合、ウェーハWを密着
して保持することはできず、加工中においてウェーハW
がテンプレート12内で回転してしまう。
[0019] To prevent the bulging of the elastic film 5 in the orientation flat portion W 1 of the wafer W, the template 12
May be formed not in a circular shape but in a shape having the orientation flat portion 12b similarly to the wafer W. However, when the wafer W is pressed by the elastic film 5, the wafer W cannot be held in close contact with the
Rotates in the template 12.

【0020】前記のように弾性体膜5の膨らみを防止す
るには、テンプレート12の円弧部12c及びオリフラ
部12bの寸法はウェーハWの外径寸法と非常に近い寸
法に形成しなくてはならず、このためテンプレート12
内でウェーハWが回転すると、図5に示すようにウェー
ハWのオリフラ部W1 の両端部とテンプレート12のオ
リフラ部12bとが干渉してしまい、ウェーハWを破損
する危険がある。
In order to prevent the elastic film 5 from bulging as described above, the dimensions of the circular arc portion 12c and the orientation flat portion 12b of the template 12 must be formed to be very close to the outer diameter of the wafer W. Therefore, the template 12
When the wafer W is rotated by the inner, will interfere with the orientation flat portion 12b of the end portions and the template 12 of the orientation flat portion W 1 of the wafer W is, as shown in FIG. 5, there is a risk of damage to the wafer W.

【0021】従って、本発明は、図4に示すようにテン
プレート12内でウェーハWが回転するのを防止するた
めに、弾性体膜5の下面がウェーハWと接触する部分に
クッション材13を介在させる。このクッション材13
としては、例えば研磨布を用いることができ、弾性体膜
5とウェーハWとの直接接触を回避させることでウェー
ハWの滑り止めを計ることができる。
Accordingly, in the present invention, in order to prevent the wafer W from rotating in the template 12 as shown in FIG. 4, the cushion material 13 is interposed at the portion where the lower surface of the elastic film 5 contacts the wafer W. Let it. This cushion material 13
For example, a polishing cloth can be used, and the slip of the wafer W can be measured by avoiding direct contact between the elastic film 5 and the wafer W.

【0022】[0022]

【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
ポリッシングプレートにおいてウェーハを直接保持する
ウェーハ加圧部を、流体室を形成する弾性体膜で形成し
たことにより、ウェーハは流体室の内圧により全面が均
等に加圧されると共に、ウェーハが持つ僅かな厚さムラ
が吸収されるため、高精度なポリッシング加工が可能と
なる。更に、ポリッシングプレートの下面に研磨クロス
用ドレッサーを取り付け、研磨クロスの変形部分の幅を
実際のウェーハ接触部分より広範囲にしてあるため、ウ
ェーハの外周部は研磨クロスの変形部分のエッジに接触
しないで済み、これによりウェーハ周縁部の加工不良を
防止することができる。又、弾性体膜の下面とウェーハ
との接触部にクッション材を介在させ、弾性体膜に対す
るウェーハの直接接触を回避させることでテンプレート
内でのウェーハの回転(滑り)を阻止し、これによりウ
ェーハのオリフラ部の両端部がテンプレートのオリフラ
部に干渉して破損するのを防止することができる。
As described above, according to the present invention,
By forming the wafer pressing portion for directly holding the wafer in the polishing plate with the elastic film forming the fluid chamber, the entire surface of the wafer is uniformly pressed by the internal pressure of the fluid chamber, and the slight Since the thickness unevenness is absorbed, highly accurate polishing can be performed. Furthermore, since a dresser for the polishing cloth is attached to the lower surface of the polishing plate, and the width of the deformed portion of the polishing cloth is wider than the actual wafer contact portion, the outer peripheral portion of the wafer does not contact the edge of the deformed portion of the polishing cloth. This makes it possible to prevent processing defects at the wafer peripheral portion. Also, a cushioning material is interposed between the lower surface of the elastic film and the contact portion between the wafer and the wafer to prevent direct contact of the wafer with the elastic film, thereby preventing rotation (slipping) of the wafer in the template, thereby preventing the wafer from rotating. Can be prevented from interfering with the orientation flat portion of the template and being damaged.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】 本発明の実施例を示すポリッシングプレート
主要部の断面図である。
FIG. 1 is a sectional view of a main part of a polishing plate showing an embodiment of the present invention.

【図2】 その下面図である。FIG. 2 is a bottom view thereof.

【図3】 使用状態を示す説明図である。FIG. 3 is an explanatory diagram showing a use state.

【図4】 テンプレートを用いた実施例を示す要部の断
面図である。
FIG. 4 is a sectional view of a main part showing an embodiment using a template.

【図5】 テンプレート内でウェーハが回転する状態を
示す説明図である。
FIG. 5 is an explanatory diagram showing a state in which a wafer rotates within a template.

【図6】 テンプレートを貼着した弾性体膜とウェーハ
との関係を示す説明図である。
FIG. 6 is an explanatory diagram showing a relationship between an elastic film on which a template is adhered and a wafer.

【図7】 同、要部の断面図である。FIG. 7 is a sectional view of a main part of the same.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1…ポリッシングプレート 1a…上部体 1b…
下部体 1c…Oリング 2…密閉空間 3…回
転主軸 4…流体供給ノズル 5…弾性体膜 5
a…膨らみ部 6…テーパリング 7…流体室
8…流体供給穴 9…ウェーハ加圧部 10…研磨クロス用ドレッサー
11…ウェイト 12…テンプレート 12a切欠き 12b…オリ
フラ部 12c…円弧部 13…クッション材
W…ウェーハ W1 …オリフラ部 T…回転定盤
C…研磨クロス S0 、S1 …間隔
1 Polishing plate 1a Upper body 1b
Lower body 1 c O-ring 2 closed space 3 rotating main shaft 4 fluid supply nozzle 5 elastic membrane 5
a: bulging portion 6: tapering 7: fluid chamber
Reference Signs List 8: Fluid supply hole 9: Wafer pressurizing part 10: Dresser for polishing cloth 11 ... Weight 12: Template 12a notch 12b: Orientation flat part 12c ... Arc part 13: Cushion material
W: Wafer W 1 : Orientation flat T: Rotary surface plate
C ... polishing cloth S 0, S 1 ... interval

フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 FI H01L 21/304 622 H01L 21/304 622M (58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名) B24B 37/04,37/00 H01L 21/304 622 Continuation of the front page (51) Int.Cl. 7 identification code FI H01L 21/304 622 H01L 21/304 622M (58) Field surveyed (Int.Cl. 7 , DB name) B24B 37 / 04,37 / 00 H01L 21/304 622

Claims (3)

(57)【特許請求の範囲】(57) [Claims] 【請求項1】 研磨クロスを貼った回転定盤にウェーハ
を接触させると共に、そのウェーハをポリッシングプレ
ートにより研磨クロスに押圧し、スラリーを供給しなが
らウェーハの鏡面加工を行うポリッシング装置のポリッ
シングプレートにおいて、ポリッシングプレートの内部
に形成された密閉空間と、この密閉空間内に流体の供給
及び排除を行う流体供給ノズルと、弾性体膜を取り付け
てポリッシングプレートとの間に個々に独立させた流体
室をそれぞれ設けた複数個のウェーハ加圧部と、前記個
々の流体室と前記密閉空間とをそれぞれ連通させる流体
供給穴とを備えたことを特徴とするウェーハ加圧用ポリ
ッシングプレート。
1. A polishing plate of a polishing apparatus for bringing a wafer into contact with a rotating platen on which a polishing cloth is stuck, pressing the wafer against the polishing cloth with a polishing plate, and supplying a slurry to mirror-process the wafer. A closed space formed inside the polishing plate, a fluid supply nozzle for supplying and removing a fluid in the closed space, and a fluid chamber which is attached to the polishing plate by attaching an elastic film to the polishing plate, respectively. A polishing plate for pressurizing a wafer, comprising: a plurality of pressurized wafer portions provided; and fluid supply holes for communicating the individual fluid chambers and the closed space, respectively.
【請求項2】 ポリッシングプレートの下面の、少なく
ともウェーハ加圧部の外周部に研磨クロス用ドレッサー
を設けた、請求項1記載のウェーハ加圧用ポリッシング
プレート。
2. The polishing plate for pressurizing a wafer according to claim 1, wherein a dresser for polishing cloth is provided on at least the outer peripheral portion of the wafer pressing portion on the lower surface of the polishing plate.
【請求項3】 加工するウェーハの形状に応じた円弧部
とオリフラ部とを有する切欠きを備えたテンプレートを
前記弾性体膜に貼着し、この弾性体膜の下面におけるウ
ェーハとの接触部にクッション材を介在させた、請求項
1又は2記載のウェーハ加圧用ポリッシングプレート。
3. A template having a notch having an arc portion and an orientation flat portion corresponding to the shape of a wafer to be processed is attached to the elastic film, and a lower surface of the elastic film is provided at a contact portion of the lower surface with the wafer. 3. The polishing plate for pressurizing a wafer according to claim 1, wherein a cushion material is interposed.
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