JP5401635B1 - ラマン散乱光増強デバイス、ラマン散乱光増強デバイスの製造方法、ならびに、ラマン散乱光増強デバイスを用いたラマンレーザ光源 - Google Patents
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Abstract
Description
以下、添付の図面を参照して、ラマン散乱光増強デバイスの一例として光共振器100を説明する。
図1は、2次元フォトニック結晶20を用いた光共振器100の概略構成を示す図である。2次元フォトニック結晶20は、シリコンに多数の空孔20aが配列された構造となっている。光共振器100は、レーザダイオード(LD)10からレンズファイバ11を経て出射されたレーザ光(波長は1435nm)が入光器12から入力導波路13に入射されると、出力導波路15を経て新たな波長のレーザ光(波長は約1550nm)が出光器30によって集光されてレンズファイバ31に導かれる構成となっている。
次に、図5を用いて、2次元フォトニック結晶20の製造方法について説明しておく。後述するように、本実施形態では、第一励起導波モードと基底導波モードとを利用し、導波路の形成方向がシリコンの結晶方位面[100]方向となるように、2次元フォトニック結晶20を作製する。
図6は、シリコン(SOI)基板における面方位を説明する図である。[110]方位と[010]方位との間には45度の角度の相違がある。[110]方位にはオリフラが設けられている。従来、導波路構造ないし光共振構造を作製する場合には、劈開により導波路端面を作製することが容易な[110]方位に設けられることが一般的であった。
このラマン遷移確率gは、次の式(1)の積分式に比例する。
図10に、シリコンの結晶方位[100]に第一励起導波モード用と基底導波モード用とのそれぞれの導波路を設けて作製した2次元フォトニック結晶30の概略図を示す。2次元フォトニック結晶30では、15.6Hz差を得られるような例示的設計として、格子定数aを410nm、空孔の径rを130nm、シリコン基板の厚さdを220nmとした。
本実施形態のラマン散乱光増強デバイスの効果を纏めると、次のとおりである。本実施形態のラマン散乱光増強デバイスによれば、励起光から発生したラマン光を効果的に増強できるので、従来より強いラマン散乱光が得られる。そして、強いラマン散乱光が得られるので、省電力のラマンレーザの実現に繋がる。また、従来技術と異なり、ラマンレーザの連続発振を実現できる可能性が高まる。さらに、集積性に優れ、作製が容易であり、低コストで実現できる。加えて、励起光で発生した自由キャリアのキャリア寿命が短くなることが期待できる。
実施の形態の一例として、実施の形態1を説明した。しかし、実施の形態は、これらには限定されない。以下は、その他の実施の形態に関するものである。
発明者は、図1に示した構成において、誘導ラマン散乱光の連続発振に成功した。図14は、図1におけるLD10から光共振器100へ入力される励起光(ポンプ光)のパワー(横軸)と、共振器100から出力される誘導ラマン散乱光(以下、「ラマンレーザ光」と称す。)のパワーとの関係を示すグラフである。なおこのとき用いた励起光は、スペクトルのピークを波長1425nmに有するレーザ光(cw)である。
11 レンズファイバ
12 入光器
13 入力導波路
14 微小共振器
15 出力導波路
20 2次元フォトニック結晶
20a 空孔
30 出光器
31 レンズファイバ
100 光共振器
Claims (10)
- 半導体基板に空孔が形成されたフォトニック結晶において、入射光に対して複数の周波数で共鳴モードを有する導波路を備えるラマン散乱光増強デバイスであって、
一の共鳴モードと他の共鳴モードとの周波数差が前記半導体基板のラマンシフト周波数に等しくなっているとともに、
前記二つの共鳴モードの電磁界分布と前記半導体基板のラマンテンソルとによって表されるラマン遷移確率が最大となるように、前記半導体基板の結晶方位面における前記導波路の形成方向が設定されていることを特徴とするラマン散乱光増強デバイス。 - 前記二つの共鳴モードは、基底導波モードと第一励起導波モードとであることを特徴とする請求項1に記載のラマン散乱光増強デバイス。
- 前記半導体基板はシリコンであり、かつ前記半導体基板の結晶方位面における前記導波路の形成方向は、前記シリコンの結晶方位[100]方向あるいはこれと等価な面方位であることを特徴とする請求項2に記載のラマン散乱光増強デバイス。
- 前記フォトニック結晶に形成された線状の欠陥からなる前記導波路において、当該導波路の途中で光伝搬波長の帯域をずらすように、周囲のフォトニック結晶の構造を変化させた一対の光反射面を有する光共振器を備えることを特徴とする請求項1に記載のラマン散乱光増強デバイス。
- 前記一対の光反射面は、基底導波モードの光と第一励起導波モードの光との両方を反射することを特徴とする請求項4に記載のラマン散乱光増強デバイス。
- ラマンレーザ光源であって、
請求項5に記載のラマン散乱光増強デバイスと、
前記第一励起導波モードの光を出力する励起光光源とを有し、
前記励起光光源が出力する第一励起導波モードの光は、前記ラマン散乱光増強デバイスの前記光共振器へ入力される、ことを特徴とするラマンレーザ光源。 - 前記励起光光源は、レーザ光源である、請求項6に記載のラマンレーザ光源。
- 前記励起光光源は、発光ダイオードである、請求項6に記載のラマンレーザ光源。
- 前記励起光光源は、前記フォトニック結晶が形成された前記半導体基板に形成されている、請求項7または8に記載のラマンレーザ光源。
- 半導体基板に空孔が形成されたフォトニック結晶において、入射光に対して複数の周波数で共鳴モードを有する導波路を備えるラマン散乱光増強デバイスの製造方法であって、
一の共鳴モードと他の共鳴モードとの周波数差を前記半導体基板のラマンシフト周波数に等しくするように、前記フォトニック結晶の空孔の大きさや配置を設定する段階と、
前記二つの共鳴モードの電磁界分布と前記半導体基板のラマンテンソルとによって表されるラマン遷移確率が最大となるように、前記半導体基板の結晶方位面における前記導波路の形成方向を設定する段階とを備えることを特徴とするラマン散乱光増強デバイスの製造方法。
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JPN6013016454; 千原賢大 他: 'ヘテロ構造ナノ共振器の高エネルギーモードからのラマン散乱スペクトル(2)' 応用物理学会学術講演会講演予稿集 Vol.72nd, 20110816, p.04-024, ROMBUNNO.31P-ZR-2 * |
JPN6013016457; 千原賢大 他: 'ヘテロ構造ナノ共振器の高エネルギーモードからのラマン散乱スペクトル' 応用物理学関係連合講演会講演予稿集 Vol.58th, 20110309, p.04-040, ROMBUNNO.26P-KA-7 * |
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