JP5397753B2 - 炭化ケイ素焼結体とその製造方法 - Google Patents
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Description
SiC粉末の固相焼結法を初めて開発したのは米国GE社のProchazkaで[非特許文献1]、それ以後、多くの研究と技術開発がなされ、現在のSiCが工業材料として確立された。工業的に利用されている焼結法はSiC粉末に焼結助剤としてホウ素(B)と炭素(C)を加え、2100℃前後で焼結するものである。一方、アルミニウム(Al)、BとC元素を加える方法も開発され、さらに、3元素から焼結中にAl8B4C7化合物を生成させ、SiCの間に発生する液相を利用する方法が開発された[特許文献1]。これによれば、当初開発されたB−C焼結助剤を添加する方法より1750℃という低温で容易に焼結できるようになった。
炭化ケイ素焼結体は、硬度が高く靱性が低いため、切削加工が難しく、焼結体の塑性加工が可能であれば複雑形状部品を容易に作製できる。炭化ケイ素の塑性変形については1700℃での変形が報告されているが[非特許文献2]、変形温度が高いと、変形中に粒成長が起こり、変形が阻害される。また、変形用の治具は高温強度の点から、高荷重部には炭化ケイ素焼結体を用いることとなるため、1600℃以下で良好な塑性変形能をもつことが望ましく、そのためには、粒子径の小さな焼結体を低温で焼結する必要がある。
発明3の炭化ケイ素焼結体は、発明2の炭化ケイ素焼結体において、焼成温度が14.5×102℃以上で焼結体の相対密度が95%以上であることを特徴とする。
発明4の炭化ケイ素焼結体は、発明3の炭化ケイ素焼結体において、15.0×102℃以上、16.5×102℃以下の温度で、ひずみ速度1×10−4毎秒以上で、−0.5以上のひずみまで塑性変形することを特徴とする。
発明5の炭化ケイ素焼結体の製造方法は、焼結助剤として、Al、Si、及びCを含有する粉末を用いて焼成する炭化ケイ素焼結体の製造方法であって、前記焼結助剤のAl:Si:Cの比率(モル比)が4:1:4であることを特徴とする。
発明6の炭化ケイ素焼結体の製造方法は、発明5に記載の炭化ケイ素焼結体の製造方法において、前記焼結助剤がAl4SiC4化合物粉末を含有していることを特徴とする。
発明7の炭化ケイ素焼結体の製造方法は、発明6に記載の炭化ケイ素焼結体の製造方法において、焼成温度が14.5×102℃以上であり、焼結体の相対密度が95%以上であることを特徴とする。
以上から、Al4SiC4を添加して低温で焼結したSiC焼結体、およびその焼結技術を完成した。
実験番号101のホットプレス焼結の温度を18.0×102℃、19.0×102℃で焼結したところ、焼結体密度は3.06Mg/m3、3.10Mg/m3と緻密な焼結体が得られた。(実験番号102,103)
実験番号101〜103の焼結は真空中で行ったが、雰囲気を大気圧のアルゴン(Ar)とすると、焼結体密度は17.0×102℃で3.02Mg/m3、18.0×102℃で3.05Mg/m3、19.0×102℃で3.08Mg/m3となり(実験番号104〜106)、真空中の方が、高密度化には有効であった。ホットプレス焼結における、焼結温度と焼結体密度の関係、およびその焼結雰囲気依存性を図1に示す。
実験番号101〜103では、ホットプレス法を用いて焼結を行ったが、放電プラズマ焼結装置を用いて高密度化を行うと、焼結温度14.5×102℃、焼結時間30分で焼結体密度は2.94Mg/m3(相対密度95.0%)となった。放電プラズマ焼結の場合は、ホットプレス焼結の場合と比較すると低温で高密度の焼結体が得られているが、これは、放電プラズマ焼結の方が高圧で加圧していることが一因と考察される。放電プラズマ焼結においても加圧は高い方が高密度化に有利であるが、カーボンダイスの強度の点から、120MPaがほぼ上限である。(実験番号107)
焼結温度を高くすると、焼結温度15.0×102℃では焼結体密度3.07Mg/m3、焼結温度15.5×102℃では焼結体密度は3.1Mg/m3以上となった。(実験番号108〜111)
放電プラズマ焼結における焼結温度と焼結体密度の関係を図2に示す。
表1に実験番号101〜111の焼結条件と焼結体密度をまとめる。
実験番号113の焼結体から大きさ約2mm×2.5mm×5mmの試験片を切り出し、高温測定用の材料試験機を用いて、アルゴン雰囲気中、圧縮試験を行った。初期ひずみ速度を1×10−4毎秒としたとき、15.0×102℃の温度でひずみ量の絶対値が0.5以上の大きな塑性変形を示した。(図3)
同様の圧縮試験において、実験番号112の焼結体について、試験温度を16.0×102℃と一定とし、初期ひずみ速度を1×10−4毎秒、5×10−4毎秒と変形させたとき、ひずみ量の絶対値が0.5以上の大きな塑性変形を示した。(図4)
この混合粉末をカーボンダイスに入れ、ホットプレス装置を用い、真空雰囲気で、16.0×102℃で2時間焼成した。焼結体密度は2.24Mg/m3(理論密度72.4%)にとどまった(実験番号201)
実験番号201では真空中での焼結であったが、これをアルゴン雰囲気とした場合、焼結体密度は2.38Mg/m3とわずかに高くなったが、相対密度は76.9%と低い値であった。(実験番号202)
放電プラズマ焼結の場合は、焼結温度14.0×102℃のとき、焼結体密度は2.33Mg/m3(相対密度75.5%)と低い値にとどまった。(実験番号203)
実験番号110の焼結体から大きさ約2mm×2.5mm×5mmの試験片を切り出し、高温測定用の材料試験機を用いて、アルゴン雰囲気中、圧縮試験を行った。初期ひずみ速度を1×10−5毎秒、5×10−5毎秒としたとき、16.0×102℃の温度でひずみ量の絶対値が0.5以上の大きな塑性変形を示した。(図4)
この混合粉末をカーボンダイスに入れ、ホットプレス装置を用い、真空雰囲気で、17.0×102℃で2時間焼成した(実験番号101と同条件)。焼結体密度は、実験番号101と比較すると、2.99Mg/m3(理論密度96.8%)にとどまった(実験番号301)。本実験に供した混合粉末のAl含有量は5.9重量%で、これは実験番号101と同じであるが、Alを実験番号101ではAl4SiC4で添加し、本実験ではAl4C3として添加している点が異なる。実験番号101の方が高密度が得られていることから、Al4SiC4としての添加が焼結助剤とし有効であることがわかる。
現在この部品は金属やアルミナで作られているが、比剛性率(弾性率/密度)が高いものが求められている。SiC焼結体は比剛性率が金属やアルミナより大きく、広く応用されることが期待できる。
塑性変形能を利用し、塑性加工を行うことができると、複雑形状部品を安価に作製することが可能となる。
Claims (5)
- 焼結助剤としてAl 4 SiC 4 を添加した炭化ケイ素粉末を、放電プラズマ焼結により加圧下で14.5×10 2 ℃から16.5×10 2 ℃の温度範囲で焼結する、炭化ケイ素焼結体。
- 相対密度が95%以上である、請求項1に記載の炭化ケイ素焼結体。
- 15.0×10 2 ℃以上16.5×10 2 ℃以下の温度で、ひずみ速度1×10 −4 毎秒以上で、−0.5以上のひずみまで塑性変形する、請求項2に記載の炭化ケイ素焼結体。
- 焼結助剤としてAl 4 SiC 4 を添加した炭化ケイ素粉末を放電プラズマ焼結により加圧下で14.5×10 2 ℃から16.5×10 2 ℃の温度範囲で焼結する、炭化ケイ素焼結体の製造方法。
- 焼結体の相対密度が95%以上である、請求項4に記載の炭化ケイ素焼結体の製造方法。
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