JP5393136B2

JP5393136B2 - Image display device

Info

Publication number: JP5393136B2
Application number: JP2008332275A
Authority: JP
Inventors: 親知高杉; 太朗蓮見; 薫草深
Original assignee: エルジーディスプレイカンパニーリミテッド
Priority date: 2008-12-26
Filing date: 2008-12-26
Publication date: 2014-01-22
Anticipated expiration: 2028-12-26
Also published as: JP2010152221A

Description

本発明は、有機ＥＬディスプレイ装置等の画像表示装置に関する。 The present invention relates to an image display device such as an organic EL display device.

マトリックス状に配列された画素中に、発光層に注入された正孔と電子とが再結合することにより発光する有機ＥＬ（Electro Luminescence）素子と、アモルファスシリコンや多結晶シリコン等で形成される薄膜トランジスタ（Thin Film Transistor：以下「ＴＦＴ」という）等を含む画素回路とを備えた画像表示装置が提案されている。 An organic EL (Electro Luminescence) element that emits light by recombination of holes and electrons injected into the light emitting layer in pixels arranged in a matrix, and a thin film transistor formed of amorphous silicon, polycrystalline silicon, or the like An image display device including a pixel circuit including a thin film transistor (hereinafter referred to as “TFT”) has been proposed.

有機ＥＬ素子を用いた画像表示装置は、光透過性を有する基板上に形成された有機ＥＬ素子から前記基板を通して下方に光を放つボトムエミッション構造と、基板上に形成された有機ＥＬ素子から上方に光を放つトップエミッション構造とに分類できる。なお、ボトムエミッション構造の画像表示装置としては、特許文献１および２等が存在する。 An image display device using an organic EL element has a bottom emission structure that emits light downward through the substrate from the organic EL element formed on the light-transmitting substrate, and an upper side from the organic EL element formed on the substrate. It can be classified as a top emission structure that emits light. Patent Documents 1 and 2 and the like exist as image display devices having a bottom emission structure.

特開２００７−０８１０９４号公報JP 2007-081094 A 特開２００５−０１１５７１号公報JP 2005-011571 A

しかしながら、ボトムエミッション構造は、平面視して画素内において有機ＥＬ素子と画素回路とが重なる領域が大きいため、開口率（各画素の発光面積の割合）が小さくなるという問題がある。 However, the bottom emission structure has a problem that the aperture ratio (the ratio of the light emission area of each pixel) is small because the area where the organic EL element and the pixel circuit overlap in the pixel is large in plan view.

本発明は、上記に鑑みてなされたものであって、開口率を上げることのできる画像表示装置を提供することを目的とする。 The present invention has been made in view of the above, and an object thereof is to provide an image display device capable of increasing the aperture ratio.

本発明の一実施形態に係る画像表示装置は、透明素子基板と、前記透明素子基板上に形成され、電流が流れることで発光する発光素子と、閾値電圧以上の電圧が印加されることで、前記発光素子に流れる電流量を調整するドライバ素子と、前記ドライバ素子に対して印加する前記閾値電圧以上の電圧に応じた電荷が蓄積される容量素子と、を備えた画像表示装置であって、前記容量素子は、平面視して前記発光素子と重なる領域であって、前記透明素子基板と前記発光素子との間に設けられ、且つ前記発光素子の発する光を透過することを特徴とする。 An image display device according to an embodiment of the present invention is formed by applying a transparent element substrate, a light emitting element that is formed on the transparent element substrate and emits light when a current flows, and a voltage equal to or higher than a threshold voltage. An image display device comprising: a driver element that adjusts an amount of current flowing through the light emitting element; and a capacitor element that accumulates electric charges according to a voltage equal to or higher than the threshold voltage applied to the driver element. The capacitive element is a region overlapping the light emitting element in plan view, is provided between the transparent element substrate and the light emitting element, and transmits light emitted from the light emitting element.

また、本発明の一実施形態に係る画像表示装置は、請求項１に記載の画像表示装置において、前記発光素子は、一対の電極間に電流が流れて発光するとともに、該一対の電極の一方が、前記容量素子の一方の電極であることを特徴とする。 An image display device according to an embodiment of the present invention is the image display device according to claim 1, wherein the light emitting element emits light when a current flows between a pair of electrodes, and one of the pair of electrodes. Is one electrode of the capacitor.

また、本発明の一実施形態に係る画像表示装置は、請求項１に記載の画像表示装置において、前記ドライバ素子は、平面視して前記容量素子と離間して設けられていることを特徴とする。 An image display device according to an embodiment of the present invention is the image display device according to claim 1, wherein the driver element is provided apart from the capacitor element in plan view. To do.

また、本発明の一実施形態に係る画像表示装置は、請求項１に記載の画像表示装置において、前記容量素子は、第１電極層と第２電極層との間に介在される誘電体層とを備え、前記発光素子の発する光のうち、発光ピーク波長をλとし、前記第１電極層の膜厚をｄ３、屈折率をｎ３とし、前記誘電体層の膜厚をｄ２、屈折率をｎ２とし、前記第２電極層の膜厚をｄ１、屈折率をｎ１とした場合に、λ＝ｄ１×ｎ１＝ｄ２×ｎ２＝ｄ３×ｎ３の関係が成り立つように各層を形成することを特徴とする。 The image display device according to an embodiment of the present invention is the image display device according to claim 1, wherein the capacitor element is a dielectric layer interposed between the first electrode layer and the second electrode layer. Of the light emitted from the light emitting element, the emission peak wavelength is λ, the film thickness of the first electrode layer is d3, the refractive index is n3, the film thickness of the dielectric layer is d2, and the refractive index is Each layer is formed so that the relationship of λ = d1 × n1 = d2 × n2 = d3 × n3 is established, where n2 is the thickness of the second electrode layer and the refractive index is n1. To do.

本発明は、開口率を上げることの可能な画像表示装置を提供することができる。 The present invention can provide an image display device capable of increasing the aperture ratio.

以下に添付図面を参照して、本発明にかかる画像表示装置の最良な実施の形態を詳細に説明する。なお、本発明は以下の実施形態に限定されないものとする。 Exemplary embodiments of an image display apparatus according to the present invention will be explained below in detail with reference to the accompanying drawings. In addition, this invention shall not be limited to the following embodiment.

図１は、本実施の形態にかかる画像表示装置の１画素を構成する画素回路および発光素子としての有機ＥＬ素子を示す回路図であり、図２は、図１の画素回路および有機ＥＬ素子で構成された画像表示装置の１画素を示す透過上面図であり、図３は、図２のＡ−Ａ矢視断面図である。なお、図２では、透明素子基板としての基板１５、絶縁膜１６、平坦化膜１７、接着膜１８、誘電体層７、層間絶縁膜１９、有機発光層１４、および、上部電極１３を省略するとともに、第１電極層５において第２電極層６と重なって見えない部分を点線で描いている。なお、有機ＥＬ素子４は、一対の電極と、その電極間に介在される有機発光層１４とを備えている。ここで、有機ＥＬ素子４の一対の電極のうち、基板１５に近い方の電極を下部電極１２とし、その上方に位置する電極を上部電極１３とする。 FIG. 1 is a circuit diagram showing a pixel circuit constituting one pixel and an organic EL element as a light emitting element of the image display apparatus according to the present embodiment. FIG. 2 is a circuit diagram of the pixel circuit and organic EL element in FIG. FIG. 3 is a transparent top view showing one pixel of the configured image display device, and FIG. 3 is a cross-sectional view taken along line AA in FIG. 2. In FIG. 2, the substrate 15 as the transparent element substrate, the insulating film 16, the planarizing film 17, the adhesive film 18, the dielectric layer 7, the interlayer insulating film 19, the organic light emitting layer 14, and the upper electrode 13 are omitted. In addition, a portion of the first electrode layer 5 that cannot be seen overlapping the second electrode layer 6 is drawn with a dotted line. The organic EL element 4 includes a pair of electrodes and an organic light emitting layer 14 interposed between the electrodes. Here, of the pair of electrodes of the organic EL element 4, the electrode closer to the substrate 15 is referred to as the lower electrode 12, and the electrode positioned above the electrode is referred to as the upper electrode 13.

本画素回路は、ｎ型ＴＦＴを用いたコモンカソード・ボトムエミッション構造である。画素回路は、容量素子としての保持容量Ｃ_ｓ、ドライバ素子としての駆動トランジスタＴ_ｄ、制御用トランジスタＴ_ｓ、電源線１、走査線２、および、画像信号線３を備えて構成されており、本画素回路に有機ＥＬ素子４が接続されている。 This pixel circuit has a common cathode / bottom emission structure using n-type TFTs. The pixel circuit includes a storage capacitor C _s as a capacitive element, a drive transistor T _d as a driver element, a control transistor T _s , a power supply line 1, a scanning line 2, and an image signal line 3. The organic EL element 4 is connected to this pixel circuit.

ボトムエミッション構造は、基板上方に乾燥剤を配置できるため、湿度に強いという利点がある一方、平面視して１画素内において有機ＥＬ素子４と画素回路とが重なる領域が大きい同一平面状に配置されるため、開口率（各画素の発光面積の割合）が小さくなるという問題がある。そして、開口率が小さいと画像表示装置においては、開口率が大きい画像表示装置と比較した場合、輝度を大きくしようとすると有機ＥＬ素子４に流れる電流量を多くしなければならない。その結果、有機発光層が酸化しやすくなり、ひいては有機ＥＬ素子４の製品寿命が短くなってしまう。 The bottom emission structure has the advantage of being resistant to humidity because a desiccant can be placed above the substrate, but on the same plane, the area where the organic EL element 4 and the pixel circuit overlap is large in one pixel when seen in a plan view. Therefore, there is a problem that the aperture ratio (the ratio of the light emission area of each pixel) becomes small. When the aperture ratio is small, in the image display device, the amount of current flowing through the organic EL element 4 must be increased in order to increase the luminance as compared with an image display device having a large aperture ratio. As a result, the organic light emitting layer is easily oxidized, and as a result, the product life of the organic EL element 4 is shortened.

画素の中で有機ＥＬ素子４に次いで場所を取るのは保持容量Ｃ_ｓである。特に、ＴＦＴのチャネル層がアモルファスシリコンの場合、ＴＦＴの寄生容量が大きいため、その寄生容量の影響を小さくするために必要とする保持容量Ｃ_ｓの面積は大きくなる。図１に示すように、有機ＥＬ素子４と保持容量Ｃ_ｓとを電気的に直接接続し、有機ＥＬ素子４と保持容量Ｃ_ｓとを基板上に重ねて配置する。具体的には、有機ＥＬ素子４の下部電極１２と、保持容量Ｃ_ｓの第２電極層６とを同一の層で形成する。さらに、保持容量Ｃ_ｓの第１電極層５および誘電体層７を有機ＥＬ素子４が発する光が透過する材料から構成することにより、保持容量Ｃ_ｓが形成されていた部分から有機ＥＬ素子４が発する光を取り出すことができる。これにより、画素の開口率を上げることができる。 Take place subsequent to the organic EL element 4 in the pixel is holding capacitor C _s. In particular, when the channel layer of the TFT of amorphous silicon, because of the large parasitic capacitance of the TFT, the area of the storage capacitor C _s that needed to reduce the influence of the parasitic capacitance increases. As shown in FIG. 1, and a storage capacitor C _s and the organic EL element 4 is connected electrically directly before and after removal of the storage capacitor C _s and the organic EL element 4 on a substrate. Specifically, the lower electrode 12 of the organic EL element 4, and a second electrode layer 6 of the storage capacitor C _s is formed in the same layer. Further, the holding capacitor C _s the first electrode layer 5 and the dielectric layer 7 by light emitted from the organic EL element 4 is composed of a material which transmits, organic EL element 4 from a portion holding capacitor C _s has been formed The light emitted by can be taken out. Thereby, the aperture ratio of the pixel can be increased.

保持容量Ｃ_ｓは、画像信号線３から供給された画像データ電位を保持する容量素子である。なお、画像データ電位とは、有機ＥＬ素子４の発光輝度に応じた電位のことであって、保持容量Ｃ_ｓに画像データ電位が保持されることで、駆動トランジスタＴ_ｄのゲート電位を大きくし、それに応じた電流が駆動トランジスタＴ_ｄのソース・ドレイン間に流れることで、有機ＥＬ素子４を発光させることができる。 The holding capacitor C _s is a capacitive element that holds the image data potential supplied from the image signal line 3. Note that the image data potential, the method comprising the potential corresponding to the emission luminance of the organic EL element 4, by the image data potential is held in the storage capacitor C _s, and increasing the gate potential of the driving transistor T _d The current corresponding to that flows between the source and drain of the drive transistor _Td , whereby the organic EL element 4 can emit light.

かかる保持容量Ｃ_ｓは、第１電極層５、第２電極層６、および、第１電極層５と第２電極層６の間に介在された誘電体層７を備えた構造を有している。そして、第１電極層５及び第２電極層６は、例えば、インジウム錫酸化物（ＩＴＯ）又は錫酸化物等の光透過性を有する導電材料を用いて形成される。また、第１電極層５及び第２電極層６は、例えば、マグネシウム、銀、アルミニウム又はカルシウム等の材料、あるいはこれらの合金等を用いることができ、その厚みを３０ｎｍ以下にすることによって、光透過性の電極とすることができる。また、誘電体層７は、例えば、窒化珪素又は酸化珪素等の光透過性の誘電体を用いることができる。従って、保持容量Ｃ_ｓは、光を透過する材料からなるため、有機ＥＬ素子４の発する光の少なくとも一部を透過することができる。 The storage capacitor C _s has a structure including a first electrode layer 5, a second electrode layer 6, and a dielectric layer 7 interposed between the first electrode layer 5 and the second electrode layer 6. Yes. The first electrode layer 5 and the second electrode layer 6 are formed using a light-transmitting conductive material such as indium tin oxide (ITO) or tin oxide, for example. The first electrode layer 5 and the second electrode layer 6 can be made of, for example, a material such as magnesium, silver, aluminum, or calcium, or an alloy thereof. A permeable electrode can be obtained. The dielectric layer 7 can be made of, for example, a light transmissive dielectric such as silicon nitride or silicon oxide. Accordingly, the holding capacitor C _s is to become a material that transmits light can be transmitted through at least part of the light emitted from the organic EL element 4.

駆動トランジスタＴ_ｄは、保持容量Ｃ_ｓに保持される画像データ電位により、該駆動トランジスタＴ_ｄに電流が流れるオン状態又は電流が流れないオフ状態に切り替えられることにより、有機ＥＬ素子４に流れる電流量を制御する。駆動トランジスタＴ_ｄは、ゲート電極８、ソース電極９、および、ドレイン電極１０、および、チャネル層１１を備えた構造を有している。 The drive transistor T _d is switched to an on state in which a current flows through the drive transistor T _d or an off state in which no current flows in accordance with an image data potential held in the storage capacitor C _s , thereby causing a current flowing in the organic EL element 4. Control the amount. The drive transistor _Td has a structure including a gate electrode 8, a source electrode 9, a drain electrode 10, and a channel layer 11.

駆動トランジスタＴ_ｄは、平面視して保持容量Ｃ_ｓが設けられている領域と隣接する領域に設けられている。具体的には、有機発光層１４と下部電極１２とが直接接する領域と重ならない領域に駆動トランジスタＴ_ｄが設けられている。駆動トランジスタＴ_ｄは、ゲート電極８、ソース電極９及びドレイン電極１０等の光を反射する金属材料から成り、有機ＥＬ素子４が発する光が照射することがある。また、駆動トランジスタＴ_ｄは、光が照射されることで、駆動トランジスタＴ_ｄの電気的特性に変化が生じることがある。そのため、有機ＥＬ素子４の発光領域の直下には、駆動トランジスタＴ_ｄが配設されない。なお、発光領域とは、有機発光層１４の下面と下部電極１２の上面とが直接接する領域のことであって、有機発光層１４が下部電極１２及び上部電極１３から電圧を印加されることで、発光する領域のことをいう。 Driving transistor T _d is provided to an area adjacent to the area where the holding capacitor C _s in plan view is provided. Specifically, the drive transistor _Td is provided in a region that does not overlap with a region where the organic light emitting layer 14 and the lower electrode 12 are in direct contact with each other. The drive transistor _Td is made of a metal material that reflects light, such as the gate electrode 8, the source electrode 9, and the drain electrode 10, and may be irradiated with light emitted from the organic EL element 4. In addition, the drive transistor _Td may be changed in electrical characteristics of the drive transistor _Td when irradiated with light. For this reason, the drive transistor _Td is not disposed immediately below the light emitting region of the organic EL element 4. The light emitting region is a region where the lower surface of the organic light emitting layer 14 and the upper surface of the lower electrode 12 are in direct contact, and the organic light emitting layer 14 is applied with a voltage from the lower electrode 12 and the upper electrode 13. Refers to a region that emits light.

制御用トランジスタＴ_ｓは、走査線２の電位に応じて保持容量Ｃ_ｓと画像信号線３との電気的接続を制御するスイッチングトランジスタである。制御用トランジスタＴ_ｓは、走査線２の電位に応じて、該制御用トランジスタＴ_ｓがオン状態又はオフ状態に切り替えられる。そして、制御用トランジスタＴ_ｓがオン状態において、画像信号線３から供給される画像データ電位が保持容量Ｃ_ｓに供給される。 The control transistor T _s is a switching transistor that controls the electrical connection between the storage capacitor C _s and the image signal line 3 in accordance with the potential of the scanning line 2. Control transistor T _s in response to the potential of the scanning line 2,該制patronage transistor T _s is switched on or off. When the control transistor T _s is on, the image data potential supplied from the image signal line 3 is supplied to the storage capacitor C _s .

電源線１は、駆動トランジスタＴ_ｄに所定電圧を供給する。そして、駆動トランジスタＴ_ｄがオン状態のとき、有機ＥＬ素子４の両電極間に所定電圧に応じた電圧差が生じ、有機ＥＬ素子４に電流が流れ、該有機ＥＬ素子４が発光する。走査線２は、制御用トランジスタＴ_ｓをオン状態又はオフ状態に制御するための電位としての制御信号を供給する。画像信号線３は、有機ＥＬ素子４の発光輝度に対応する画像データ電位としての画像信号を保持容量Ｃ_ｓに供給する。 The power line 1 supplies a predetermined voltage to the driving transistor _Td . When the driving transistor _Td is in the on state, a voltage difference corresponding to a predetermined voltage is generated between both electrodes of the organic EL element 4, a current flows through the organic EL element 4, and the organic EL element 4 emits light. Scanning line 2, supplies a control signal as a potential for controlling the control transistor T _s in the on state or the off state. Image signal lines 3, and supplies to the storage capacitor C _s an image signal as image data potential corresponding to the light emission luminance of the organic EL element 4.

有機ＥＬ素子４は、アノードとしての下部電極１２、カソードとしての上部電極１３、および、下部電極１２と上部電極１３の間に介在され、有機発光材料からなる有機発光層１４を少なくとも備えた構造を有している。本画素回路では、有機ＥＬ素子４の下部電極１２を電源線１側に、上部電極１３をグラウンド側にそれぞれ接続している。 The organic EL element 4 has a structure including at least a lower electrode 12 as an anode, an upper electrode 13 as a cathode, and an organic light emitting layer 14 made of an organic light emitting material and interposed between the lower electrode 12 and the upper electrode 13. Have. In this pixel circuit, the lower electrode 12 of the organic EL element 4 is connected to the power supply line 1 side, and the upper electrode 13 is connected to the ground side.

ここで、本実施の形態では、画素回路上で、有機ＥＬ素子４と保持容量Ｃ_ｓとを直接接続するとともに、両者を平面視して重ね合わせる。そして、有機ＥＬ素子４の一対の電極のうち、一方の下部電極１２と、保持容量Ｃ_ｓの第２電極５とを、共通の電極とし、構造上は同一の層となる。 In the present embodiment, on the pixel circuits, with connecting the storage capacitor C _s and the organic EL element 4 directly superimposed in plan view both. Then, the pair of electrodes of the organic EL element 4, and one of the lower electrode 12, and a second electrode 5 of the storage capacitor C _s, and a common electrode, the structure is the same layer.

下部電極１２の材料としては、第２電極層６と同一の層とすることができるため、第２電極層６と同一材料からなる。また、上部電極１３の材料としては、例えば、カルシウム、マグネシウム、アルミニウム又は銀等の金属、あるいはこれらの合金等の材料から成る。なお、上部電極層１４の厚みは、例えば５０ｎｍ以上５００ｎｍ以下に設定されている。 Since the material of the lower electrode 12 can be the same layer as the second electrode layer 6, it is made of the same material as the second electrode layer 6. Moreover, as a material of the upper electrode 13, it consists of materials, such as metals, such as calcium, magnesium, aluminum, or silver, or these alloys, for example. The thickness of the upper electrode layer 14 is set to, for example, 50 nm or more and 500 nm or less.

また、有機発光層１４の材料としては、例えば、Ａｌｑ３（トリス（８−キノリノラト）アルミニウム錯体）等の発光性の材料で構成される。発光効率を高めるために、トリス［ピリジニル−ｋＮ−フェニル−ｋＣ］イリジウム等の有機金属化合物又クマリン等の色素をドーパント材料として、正孔輸送性又は電子輸送性を有するホスト材料にドープして有機発光層を構成してもよい。有機発光層を構成するドーパント材料の濃度は、例えば、０．５質量％以上２０質量％以下とする。正孔輸送性を有するホスト材料の例としては、α−ＮＰＤ、ＴＰＤ等がある。電子輸送性を有するホスト材料の例としては、ビス（２−メチル−８−キノリノラト）−４−（フェニルフェノラト）アルミニウム、１，４−フェニレンビス（トリフェニルシラン）、１，３−ビス（トリフェニルシリル）ベンゼン、１，３，５−トリ（９Ｈ−カルバゾール−９−イル）ベンゼン、ＣＢＰ、Ａｌｑ３又はＳＤＰＶＢｉ等がある。なお、有機発光層の各層を構成する材料は、発する光の色に応じて、適当な材料が選択される。赤色の光を発するドーパント材料の例としては、トリス（１−フェニルイソキノリナト−Ｃ２，Ｎ）イリジウム又はＤＣＪＴＢ等がある。緑色の光を発するドーパント材料の例としては、トリス［ピリジニル−ｋＮ−フェニル−ｋＣ］イリジウム又はビス［２−（２−ベンゾオキサゾリル）フェノラト］亜鉛（ＩＩ）等がある。青色の光を発するドーパント材料の例としては、ジスチリルアリーレン誘導体、ペリレン誘導体又はアゾメチン亜鉛錯体等がある。有機発光層は、１層構造に限られることはなく、複数層構造であってもよい。このような有機ＥＬ素子４は、有機発光層１４に注入された正孔と電子とが再結合することによって光を生じる機能を有する。 Moreover, as a material of the organic light emitting layer 14, it is comprised with luminescent materials, such as Alq3 (Tris (8-quinolinolato) aluminum complex), for example. In order to increase luminous efficiency, an organic metal compound such as tris [pyridinyl-kN-phenyl-kC] iridium or a dye such as coumarin is used as a dopant material and doped into a host material having a hole transport property or an electron transport property. You may comprise a light emitting layer. The density | concentration of the dopant material which comprises an organic light emitting layer shall be 0.5 mass% or more and 20 mass% or less, for example. Examples of the host material having a hole transporting property include α-NPD and TPD. Examples of a host material having an electron transporting property include bis (2-methyl-8-quinolinolato) -4- (phenylphenolato) aluminum, 1,4-phenylenebis (triphenylsilane), 1,3-bis ( Triphenylsilyl) benzene, 1,3,5-tri (9H-carbazol-9-yl) benzene, CBP, Alq3, or SDPVBi. In addition, the material which comprises each layer of an organic light emitting layer selects an appropriate material according to the color of the light to emit. Examples of a dopant material that emits red light include tris (1-phenylisoquinolinato-C2, N) iridium or DCJTB. Examples of dopant materials that emit green light include tris [pyridinyl-kN-phenyl-kC] iridium or bis [2- (2-benzoxazolyl) phenolato] zinc (II). Examples of the dopant material that emits blue light include a distyrylarylene derivative, a perylene derivative, or an azomethine zinc complex. The organic light emitting layer is not limited to a single layer structure, and may have a multiple layer structure. Such an organic EL element 4 has a function of generating light by recombination of holes and electrons injected into the organic light emitting layer 14.

さらに、画像表示装置はその構造上、基板１５、絶縁膜１６、平坦化膜１７、接着膜１８、および、層間絶縁膜１９を備えている。基板１５は、例えば、ガラスやプラスチック等の光を透過する材料からなる。また、基板１５上に、駆動トランジスタＴ_ｄのゲート電極８に対して、ソース電極９及びドレイン電極１０を絶縁するための絶縁膜１６が形成されている。絶縁膜１６は、例えば、窒化珪素、酸化珪素又は酸化窒化珪素等の光を透過する絶縁材料からなる。 Furthermore, the image display device includes a substrate 15, an insulating film 16, a planarizing film 17, an adhesive film 18, and an interlayer insulating film 19 due to its structure. The substrate 15 is made of a material that transmits light, such as glass or plastic. An insulating film 16 for insulating the source electrode 9 and the drain electrode 10 from the gate electrode 8 of the driving transistor _Td is formed on the substrate 15. The insulating film 16 is made of an insulating material that transmits light, such as silicon nitride, silicon oxide, or silicon oxynitride.

絶縁膜１６上には、駆動トランジスタＴ_ｄに起因する表面の凹凸を低減するために、平坦化膜１７が形成されている。駆動トランジスタＴ_ｄは、複数のゲート電極８等の複数の電気配線がパターニングされているため、その表面には凹凸が形成される。有機ＥＬ素子４を凹凸な表面上に形成すると、有機ＥＬ素子４を構成する電極層同士が短絡し、有機ＥＬ素子４が発光しないことがある。そのため、絶縁膜１６及び駆動トランジスタＴ_ｄ上には、平坦化膜１７が形成される。かかる平坦化膜１７は、例えば、ノボラック樹脂、アクリル樹脂、エポキシ樹脂又はシリコン樹脂等の光を透過する絶縁性を有する有機材料を用いることができる。なお、平坦化膜１７の厚みは、例えば２μｍ以上５μｍ以下に設定されている。 A planarizing film 17 is formed on the insulating film 16 in order to reduce surface irregularities caused by the drive transistor _Td . Since the drive transistor _Td has a plurality of electric wirings such as the plurality of gate electrodes 8 patterned, irregularities are formed on the surface thereof. When the organic EL element 4 is formed on an uneven surface, the electrode layers constituting the organic EL element 4 may be short-circuited and the organic EL element 4 may not emit light. Therefore, a planarizing film 17 is formed on the insulating film 16 and the driving transistor _Td . For the planarizing film 17, for example, an organic material having an insulating property that transmits light, such as a novolac resin, an acrylic resin, an epoxy resin, or a silicon resin can be used. The thickness of the planarizing film 17 is set to 2 μm or more and 5 μm or less, for example.

また、接着膜１８は、平坦化膜１７と層間絶縁膜１９との間に形成されている。接着膜１８は、平坦化膜１７と層間絶縁膜１９との両者の接着性を良好にすることができる。かかる接着膜１８は、誘電体層７と同一の材料からなる。 The adhesive film 18 is formed between the planarizing film 17 and the interlayer insulating film 19. The adhesive film 18 can improve the adhesion between the planarizing film 17 and the interlayer insulating film 19. The adhesive film 18 is made of the same material as the dielectric layer 7.

また、層間絶縁膜１９は、有機ＥＬ素子４の発光する領域を取り囲むように、下部電極１２及び接着膜１８上に形成されている。かかる層間絶縁膜１９は、下部電極１２と上部電極１３とが短絡するのを防止している。なお、層間絶縁膜１９は、例えば、フェノール樹脂、アクリル樹脂又はポリイミド樹脂等の有機絶縁材料、あるいは窒化珪素、酸化珪素又は酸化窒化珪素等の無機絶縁材料から成る。層間絶縁膜１９の厚みは、例えば０．５μｍ以上２μｍ以下に設定されている。 The interlayer insulating film 19 is formed on the lower electrode 12 and the adhesive film 18 so as to surround the light emitting region of the organic EL element 4. The interlayer insulating film 19 prevents the lower electrode 12 and the upper electrode 13 from being short-circuited. The interlayer insulating film 19 is made of, for example, an organic insulating material such as phenol resin, acrylic resin, or polyimide resin, or an inorganic insulating material such as silicon nitride, silicon oxide, or silicon oxynitride. The thickness of the interlayer insulating film 19 is set to, for example, 0.5 μm or more and 2 μm or less.

上述したように構成された画素回路の駆動について説明する。まず、走査線２を高電位にして制御用トランジスタＴ_ｓをオン状態として導通させる。そして、画像信号線３を介して保持容量Ｃ_ｓに適切な画像データ電位を保持し、駆動トランジスタＴ_ｄをオン状態に設定する。その後、走査線２を低電位にして制御用トランジスタＴ_ｓをオフ状態として非導通にする。その結果、保持容量Ｃ_ｓに保持された画像データ電位によって、駆動トランジスタＴ_ｄをオン状態に維持することができる。 The driving of the pixel circuit configured as described above will be described. First, to conduct the scanning line 2 is turned on to the control transistor T _s in the high potential. Then, via the image signal lines 3 retain the appropriate image data potential to the storage capacitor C _s, it sets the driving transistor T _d in the ON state. Thereafter, non-conductive scanning line 2 is turned off the control transistor T _s in the low potential. As a result, the image data potential held in the storage capacitor C _s, it is possible to maintain the driving transistor T _d in the ON state.

そして、有機ＥＬ素子４の発光について説明する。駆動トランジスタＴ_ｄがオン状態に維持されているときに、電源線１をグラウンドに対して高電位にする。このとき、駆動トランジスタＴ_ｄに流れる電流は保持容量Ｃ_ｓに保持された画像データ電位に応じて制御されている。そのため、電源線１がグラウンドよりも高電位であるため、電源線１からグラウンドに向かって電流が流れ、有機ＥＬ素子４の有機発光層１４が発光する。 And light emission of the organic EL element 4 is demonstrated. When the drive transistor _Td is kept on, the power supply line 1 is set to a high potential with respect to the ground. At this time, the current flowing through the driving transistor T _d is controlled in accordance with image data potential held in the storage capacitor C _s. Therefore, since the power supply line 1 has a higher potential than the ground, a current flows from the power supply line 1 toward the ground, and the organic light emitting layer 14 of the organic EL element 4 emits light.

そして、有機発光層１４より下側に形成された第２電極層６、誘電体層７、第１電極層５、平坦化膜１７、絶縁膜１６、および、基板１５が光を透過させるため、有機発光層１４が発光した光は基板１５から外部に向かって放射される。この時、有機ＥＬ素子４と重なる保持容量Ｃ_ｓ形成部は開口部となるので、画素の開口率を効果的に大きくすることができる。本実施形態によれば、画素内において、平面視して保持容量Ｃ_ｓと重なる領域にまで有機ＥＬ素子４を配設することができ、発光面積を大きくすることができる。しいては、画素の開口率を大きくすることができ、有機ＥＬ素子４の発する光を外部に取り出しやすくする外部取出効率を向上させることができる。 Since the second electrode layer 6, the dielectric layer 7, the first electrode layer 5, the planarization film 17, the insulating film 16, and the substrate 15 formed below the organic light emitting layer 14 transmit light, The light emitted from the organic light emitting layer 14 is emitted from the substrate 15 toward the outside. At this time, the holding capacitor C _s forming part overlapping the organic EL device 4 since the opening, it is possible to increase the aperture ratio of the pixel effectively. According to this embodiment, in the pixel, it is possible to dispose the organic EL device 4 to a region overlapping the retention capacitor C _s in a plan view, it is possible to increase the light emission area. Therefore, the aperture ratio of the pixel can be increased, and the external extraction efficiency that makes it easy to extract the light emitted from the organic EL element 4 to the outside can be improved.

（画像表示装置の製造方法）
次に、図１〜図３に示される構成を有する画像表示装置の製造方法について説明する。図４−１〜図４−１８は、本実施の形態にかかる画像表示装置の工程断面図である。 (Method for manufacturing image display device)
Next, a method for manufacturing the image display device having the configuration shown in FIGS. 1 to 3 will be described. 4-1 to 4-18 are process cross-sectional views of the image display apparatus according to the present embodiment.

最初に、基板１５上に、ゲート層２０を成膜する（図４−１）。ここで、基板１５の材料としては、例えば、ガラスが用いられ、その厚さは、本例では、０．７ｍｍである。また、ゲート層２０の材料としては、例えば、アルミニウム合金又はモリブデン合金が用いられ、その厚さは、本例では、３００ｎｍである。その後、レジストの塗布、露光、現像、ゲート層２０のエッチング、レジストの剥離を順番に行うことにより、ゲート層２０を所定の形状にパターニングする（図４−２）。なお、図４−２では、ゲート層２０から走査線２および駆動トランジスタＴ_ｄのゲート電極８が形成される。 First, the gate layer 20 is formed on the substrate 15 (FIG. 4A). Here, as the material of the substrate 15, for example, glass is used, and the thickness thereof is 0.7 mm in this example. Moreover, as a material of the gate layer 20, for example, an aluminum alloy or a molybdenum alloy is used, and the thickness thereof is 300 nm in this example. Then, the gate layer 20 is patterned into a predetermined shape by sequentially performing resist application, exposure, development, etching of the gate layer 20, and peeling of the resist (FIG. 4-2). In FIG. 4B, the scanning line 2 and the gate electrode 8 of the driving transistor _Td are formed from the gate layer 20.

次に、絶縁膜１６を成膜し、さらに、ａ−Ｓｉ（アモルファスシリコン）層２１を成膜する（図４−３）。ここで、絶縁膜１６の材料としては、例えば、窒化珪素が用いられ、その厚さは、本例では、３５０ｎｍである。また、アモルファスシリコンの厚さは、本例では、１００ｎｍである。次に、レジストの塗布、露光、現像、ａ−Ｓｉ層２１のエッチング、レジストの剥離を順番に行うことにより、ａ−Ｓｉ層２１を所定の形状にパターニングする（図４−４）。なお、図４−４では、ａ−Ｓｉ層２１から駆動トランジスタＴ_ｄのチャネル層１１が形成される。 Next, an insulating film 16 is formed, and an a-Si (amorphous silicon) layer 21 is further formed (FIG. 4-3). Here, as a material of the insulating film 16, for example, silicon nitride is used, and the thickness thereof is 350 nm in this example. In addition, the thickness of the amorphous silicon is 100 nm in this example. Next, the a-Si layer 21 is patterned into a predetermined shape by sequentially performing resist application, exposure, development, etching of the a-Si layer 21, and peeling of the resist (FIG. 4-4). In FIG. 4-4, the channel layer 11 of the drive transistor _Td is formed from the a-Si layer 21.

次に、ソース・ドレイン層２２を成膜する（図４−５）。ここで、ソース・ドレイン層２２の材料としては、例えば、アルミニウムが用いられ、その厚さは、本例では、３００ｎｍである。その後、レジストの塗布、露光、現像、ソース・ドレイン層２２のエッチング、レジストの剥離を順番に行うことにより、ソース・ドレイン層２２を所定の形状にパターニングする（図４−６）。なお、図４−６では、ソース・ドレイン層２２から駆動トランジスタＴ_ｄのソース電極９およびドレイン電極１０が形成される。 Next, the source / drain layer 22 is formed (FIG. 4-5). Here, as a material of the source / drain layer 22, for example, aluminum is used, and the thickness thereof is 300 nm in this example. Thereafter, the source / drain layer 22 is patterned into a predetermined shape by sequentially performing resist application, exposure, development, etching of the source / drain layer 22, and stripping of the resist (FIGS. 4-6). 4-6, the source electrode 9 and the drain electrode 10 of the drive transistor _Td are formed from the source / drain layer 22.

次に、平坦化膜１７を塗布する（図４−７）。ここで、平坦化膜１７の材料としては、例えば、アクリル樹脂、ポリイミド樹脂又はノボラック樹脂が用いられ、その厚さは、本例では、３μｍである。その後、露光、現像、硬化を順番に行うことにより、駆動トランジスタＴ_ｄのドレイン電極１０の上部が露出した平坦化膜１７を形成する（図４−８）。 Next, a planarizing film 17 is applied (FIGS. 4-7). Here, as a material of the planarizing film 17, for example, an acrylic resin, a polyimide resin, or a novolac resin is used, and the thickness thereof is 3 μm in this example. Thereafter, exposure, development, and curing are sequentially performed to form a planarization film 17 in which the upper portion of the drain electrode 10 of the drive transistor _Td is exposed (FIGS. 4-8).

次に、第１電極層５を成膜する（図４−９）。ここで、第１電極層５の材料としては、例えば、インジウム錫酸化物（ＩＴＯ）が用いられ、その厚さは、本例では、４５０ｎｍである。その後、レジストの塗布、露光、現像、第１電極層５のエッチング、レジストの剥離を順番に行うことにより、第１電極層５を所定の形状にパターニングする（図４−１０）。 Next, the first electrode layer 5 is formed (FIG. 4-9). Here, for example, indium tin oxide (ITO) is used as the material of the first electrode layer 5, and the thickness thereof is 450 nm in this example. Thereafter, the first electrode layer 5 is patterned into a predetermined shape by sequentially performing resist application, exposure, development, etching of the first electrode layer 5, and stripping of the resist (FIG. 4-10).

次に、接着膜１８を成膜する（図４−１１）。ここで、接着膜１８の材料としては、例えば、窒化珪素が用いられ、その厚さは、本例では、４５０ｎｍである。その後、レジストの塗布、露光、現像、接着膜１８のエッチング、レジストの剥離を順番に行うことにより、接着膜１８を所定の形状にパターニングする（図４−１２）。 Next, the adhesive film 18 is formed (FIGS. 4-11). Here, as a material of the adhesive film 18, for example, silicon nitride is used, and the thickness thereof is 450 nm in this example. Then, the adhesive film 18 is patterned into a predetermined shape by sequentially performing resist application, exposure, development, etching of the adhesive film 18 and peeling of the resist (FIG. 4-12).

次に、第２電極層６を成膜する（図４−１３）。ここで、第２電極層６の材料としては、例えば、インジウム錫酸化物（ＩＴＯ）が用いられ、その厚さは、本例では、５０ｎｍである。その後、レジストの塗布、露光、現像、第２電極層６のエッチング、レジストの剥離を順番に行うことにより、第２電極層６を所定の形状にパターニングする（図４−１４）。なお、前述した様に、第２電極層６は、下部電極１２の役割も有する。さらに、第２電極層６と第１電極層５の間に配置された接着膜１８は、誘電体層７の役割を有する。 Next, the second electrode layer 6 is formed (FIG. 4-13). Here, for example, indium tin oxide (ITO) is used as the material of the second electrode layer 6, and the thickness thereof is 50 nm in this example. Thereafter, the second electrode layer 6 is patterned into a predetermined shape by sequentially performing resist application, exposure, development, etching of the second electrode layer 6 and stripping of the resist (FIG. 4-14). As described above, the second electrode layer 6 also serves as the lower electrode 12. Further, the adhesive film 18 disposed between the second electrode layer 6 and the first electrode layer 5 has a role of the dielectric layer 7.

次に、層間絶縁膜１９を塗布する（図４−１５）。ここで、層間絶縁膜１９の材料としては、例えば、アクリル樹脂、ポリイミド樹脂又はノボラック樹脂が用いられ、その厚さは、本例では、１μｍである。その後、露光、現像、硬化を順番に行うことにより、第２電極層６の上部が露出した層間絶縁膜１９を形成する（図４−１６）。 Next, an interlayer insulating film 19 is applied (FIGS. 4-15). Here, as a material of the interlayer insulating film 19, for example, an acrylic resin, a polyimide resin, or a novolac resin is used, and the thickness thereof is 1 μm in this example. Thereafter, the interlayer insulating film 19 with the upper portion of the second electrode layer 6 exposed is formed by sequentially performing exposure, development, and curing (FIGS. 4-16).

次に、有機発光層１４を成膜する（図４−１７）。ここで、有機発光層１４の材料としては、例えば、Ａｌｑ３が用いられ、その厚さは、本例では、０．５ｎｍである。最後に、上部電極１３を成膜する（図４−１８）。ここで、上部電極１３の材料としては、例えば、カルシウム又はマグネシウムが用いられ、その厚さは、本例では、１００ｎｍである。以上の工程を経て、図１〜図３に示される構成を有する画像表示装置が完成する。 Next, the organic light emitting layer 14 is formed (FIGS. 4-17). Here, as a material of the organic light emitting layer 14, for example, Alq3 is used, and the thickness thereof is 0.5 nm in this example. Finally, the upper electrode 13 is formed (FIG. 4-18). Here, as a material of the upper electrode 13, for example, calcium or magnesium is used, and the thickness thereof is 100 nm in this example. The image display apparatus having the configuration shown in FIGS. 1 to 3 is completed through the above steps.

（変形例１）
本発明は、有機ＥＬ素子４と保持容量Ｃ_ｓとが直接接続されているボトムエミッション構造であれば適用することが可能である。図５は、本実施の形態にかかる画像表示装置の１画素を構成する画素回路および有機ＥＬ素子４の第１の変形例を示す回路図である。本画素回路は、図１の画素回路と比べて、制御用トランジスタＴ_ｍ、閾値電圧検出用トランジスタＴ_ｔｈ、制御用トランジスタＴ_ｍを制御するための制御信号を供給するＴ_ｍ制御線２３、および、閾値電圧検出用トランジスタＴ_ｔｈを制御するための制御信号を供給するＴ_ｔｈ制御線２４をさらに備える。また、有機ＥＬ素子４の下部電極１２がグラウンド側に、上部電極１３が電源線１側に接続されている点が異なっている。 (Modification 1)
The present invention can be applied if a bottom emission structure in which a storage capacitor C _s and the organic EL element 4 is directly connected. FIG. 5 is a circuit diagram showing a first modification of the pixel circuit and the organic EL element 4 constituting one pixel of the image display device according to the present embodiment. Compared with the pixel circuit of FIG. 1, the present pixel circuit includes a control transistor T _m , a threshold voltage detection transistor T _th , a T _m control line 23 that supplies a control signal for controlling the control transistor T _m , and And a T _th control line 24 for supplying a control signal for controlling the threshold voltage detecting transistor T _th . Further, the organic EL element 4 is different in that the lower electrode 12 is connected to the ground side and the upper electrode 13 is connected to the power supply line 1 side.

本例でも同様に、有機ＥＬ素子４の下部電極１２と、保持容量Ｃ_ｓの第２電極層６とを光を透過する同一の層で形成し、さらに、保持容量Ｃ_ｓの第１電極層５および誘電体層７を光を透過する材料から構成することによって、画素の開口率を大きくすることができる。 Similarly, in the present embodiment, the lower electrode 12 of the organic EL element 4, and a second electrode layer 6 of the storage capacitor C _s is formed in the same layer to transmit light, further, the first electrode layer of the storage capacitor C _s 5 and the dielectric layer 7 are made of a material that transmits light, so that the aperture ratio of the pixel can be increased.

（変形例２）
また、本実施の形態にかかる画像表示装置において、保持容量Ｃ_ｓの第２電極層６、誘電体層７、および、第１電極層５の各光路長（膜厚ｄと屈折率ｎとの積）を、所望の波長の整数倍にすることで、有機ＥＬ素子４が発光する光のうち特定の波長を強めることができる。つまり、第１電極層５と第２電極層６との間に、有機ＥＬ素子４が発する光が共振する定在波が発生するように、保持容量Ｃ_ｓを構成する各層の厚みを調整する。図６は、本実施の形態にかかる画像表示装置の１画素を構成する画素回路および有機ＥＬ素子４の第２の変形例を示す断面図である。図のように、第２電極層６の膜厚をｄ１、屈折率をｎ１とし、誘電体層７の膜厚をｄ２、屈折率をｎ２とし、第１電極層５の膜厚をｄ３、屈折率をｎ３とする。そして、有機ＥＬ素子が発光する光で強めたい波長（光強度が最大となる波長）である発光ピーク波長をλとすると、λ＝ｄ１×ｎ１＝ｄ２×ｎ２＝ｄ３×ｎ３の関係が成り立つように各層を形成することにより、発光ピーク波長λの光を強めることができる（発光スペクトルを細くすることができる）。なお、λ＝ｄ１×ｎ１＝ｄ２×ｎ２＝ｄ３×ｎ３の関係が成り立つとは、０．９≦（ｄ１×ｎ１）／λ≦１．１、０．９≦（ｄ２×ｎ２）／λ≦１．１、０．９≦（ｄ３×ｎ３）／λ≦１．１の関係式を満たす場合も該当する。 (Modification 2)
In the image display apparatus according to the present embodiment, the second electrode layer 6 of the storage capacitor C _s, the dielectric layer 7, and respective optical path lengths of the first electrode layer 5 (the film thickness d and the refractive index n By making the product) an integer multiple of the desired wavelength, the specific wavelength of the light emitted from the organic EL element 4 can be strengthened. That is, between the first electrode layer 5 and the second electrode layer 6, as a standing wave is generated to resonate the light organic EL element 4 is emitted, adjusting the thickness of each layer constituting the storage capacitor C _s . FIG. 6 is a cross-sectional view showing a second modification of the pixel circuit and the organic EL element 4 constituting one pixel of the image display device according to the present embodiment. As shown in the figure, the film thickness of the second electrode layer 6 is d1, the refractive index is n1, the film thickness of the dielectric layer 7 is d2, the refractive index is n2, and the film thickness of the first electrode layer 5 is d3. Let the rate be n3. Then, assuming that the emission peak wavelength, which is the wavelength that the organic EL element emits light (the wavelength at which the light intensity becomes maximum), is λ, the relationship of λ = d1 × n1 = d2 × n2 = d3 × n3 holds. By forming each layer, the light having the emission peak wavelength λ can be strengthened (the emission spectrum can be narrowed). Note that the relationship of λ = d1 × n1 = d2 × n2 = d3 × n3 holds that 0.9 ≦ (d1 × n1) /λ≦1.1, 0.9 ≦ (d2 × n2) / λ ≦ This also applies when the relational expression of 1.1, 0.9 ≦ (d3 × n3) /λ≦1.1 is satisfied.

本実施形態によれば、有機ＥＬ素子４の直下に保持容量Ｃ_ｓを設けるとともに、両者の間で電極層を共通に使用する。さらに、有機ＥＬ素子４と保持容量Ｃ_ｓの各層の厚みを調整することによって、有機ＥＬ素子４と保持容量Ｃ_ｓにて、それぞれ定在波を発生させることができる。その結果、有機ＥＬ素子４が発光する強まった光を保持容量Ｃ_ｓを介して、外部に効率良く取り出すことができる。 According to this embodiment, provided with a storage capacitor C _s directly under the organic EL element 4, to use the electrode layers in common between them. Further, by adjusting the thickness of each layer of the storage capacitor C _s and the organic EL element 4, by the holding capacitor C _s and the organic EL element 4, it is possible to generate a standing wave, respectively. As a result, via the storage capacitor C _s the intensified light of the organic EL element 4 emits light, it can be efficiently extracted to the outside.

（変形例３）
また、本実施の形態にかかる画像表示装置において、第１電極層５を有機ＥＬ素子４が発光する光の発光ピーク波長よりはるかに薄くし、さらに、誘電体層７および第２電極層６の各膜厚ｄを、所望の波長の整数倍にすることで、有機ＥＬ素子４が発光する光のうち特定の波長を強めることができる。なお、第１電極層５は、例えば、マグネシウム、銀、アルミニウム又はカルシウム等の材料を用いる。さらに、第１電極層５の厚みを１００ｎｍ以下にすることによって、光透過性の電極とすることができる。 (Modification 3)
In the image display device according to the present embodiment, the first electrode layer 5 is made much thinner than the emission peak wavelength of the light emitted from the organic EL element 4, and the dielectric layer 7 and the second electrode layer 6 are further reduced. By making each film thickness d an integer multiple of the desired wavelength, it is possible to increase a specific wavelength among the light emitted by the organic EL element 4. The first electrode layer 5 is made of a material such as magnesium, silver, aluminum, or calcium. Further, by setting the thickness of the first electrode layer 5 to 100 nm or less, a light transmissive electrode can be obtained.

図７は、本実施の形態にかかる画像表示装置の１画素を構成する画素回路および有機ＥＬ素子の第３の変形例を示す断面図である。図のように、第２電極層６の膜厚をｄ１、屈折率をｎ１とし、誘電体層７の膜厚をｄ２、屈折率をｎ２とし、第１電極層５の膜厚を発光ピーク波長λよりはるかに薄いｄ３とする。そして、λ＝ｄ１×ｎ１＝ｄ２×ｎ２の関係がほぼ成り立つように各層を形成することにより、発光ピーク波長λの光を強めることができる。 FIG. 7 is a cross-sectional view showing a third modification of the pixel circuit and the organic EL element constituting one pixel of the image display device according to the present embodiment. As shown in the figure, the film thickness of the second electrode layer 6 is d1, the refractive index is n1, the film thickness of the dielectric layer 7 is d2, the refractive index is n2, and the film thickness of the first electrode layer 5 is the emission peak wavelength. Let d3 be much thinner than λ. Then, by forming each layer so that the relationship of λ = d1 × n1 = d2 × n2 is substantially established, the light having the emission peak wavelength λ can be strengthened.

さらに、第１電極層５、第２電極層６及び誘電体層７の厚みを調整する。つまり、第１電極層５と第２電極層６との間にて有機ＥＬ素子４の発する光を強める構造とする。そして、第１電極層５の直下に、外光を吸収する光吸収層２５を設ける。光吸収層２５は、外部から有機ＥＬディスプレイ内に入射する外光を吸収する機能を備えている。また、光吸収層２５は、外光を吸収するとともに、有機ＥＬ素子４が発する光は外部に効率良く取り出すことができる。 Further, the thicknesses of the first electrode layer 5, the second electrode layer 6, and the dielectric layer 7 are adjusted. That is, the light emitted from the organic EL element 4 is strengthened between the first electrode layer 5 and the second electrode layer 6. A light absorption layer 25 that absorbs external light is provided immediately below the first electrode layer 5. The light absorption layer 25 has a function of absorbing external light incident on the organic EL display from the outside. The light absorption layer 25 absorbs external light and can efficiently extract light emitted from the organic EL element 4 to the outside.

光吸収層２５は、エネルギーギャップ（ＨＯＭＯ−ＬＵＭＯ）が１ｅＶ以下の材料から成り、例えばポルフィリン類及びフラーレン類の混合物、ポルフィリン環及びフラーレン基を同一分子内に有する化合物類、シアニン系ポリメチン色素、又はスチリル系ポリメチン色素等の材料から成る。また、光吸収層２５は、有機ＥＬ素子４の発する光のうち、定在波が外部に出射されるように、定在波の節となる位置に該当する第１電極層５の直下に配置されている。そのため、光吸収層２５の厚みは、５ｎｍ以上２５ｎｍ以下に設定されている。光吸収層２５の厚みを５ｎｍ以上とすることで、外光又は定在波の波長と異なる光を十分に吸収することができる。また、光吸収層２５の厚みを２５ｎｍ以下にすることで、必要以上に有機ＥＬ素子４の発する光を吸収することがなく、有機ＥＬディスプレイ１の輝度が低下するのを抑制することができる。 The light absorption layer 25 is made of a material having an energy gap (HOMO-LUMO) of 1 eV or less. Consists of materials such as styryl-based polymethine dyes. In addition, the light absorption layer 25 is disposed immediately below the first electrode layer 5 corresponding to a position serving as a node of the standing wave so that the standing wave of the light emitted from the organic EL element 4 is emitted to the outside. Has been. Therefore, the thickness of the light absorption layer 25 is set to 5 nm or more and 25 nm or less. By setting the thickness of the light absorption layer 25 to 5 nm or more, light different from the wavelength of external light or standing wave can be sufficiently absorbed. Moreover, by making the thickness of the light absorption layer 25 25 nm or less, the light emitted from the organic EL element 4 is not absorbed more than necessary, and the luminance of the organic EL display 1 can be suppressed from decreasing.

本実施の形態にかかる画像表示装置の１画素を構成する画素回路および有機ＥＬ素子を示す回路図である。It is a circuit diagram which shows the pixel circuit and organic EL element which comprise 1 pixel of the image display apparatus concerning this Embodiment. 図１の画素回路および有機ＥＬ素子で構成された画像表示装置の１画素の上面図である。It is a top view of 1 pixel of the image display apparatus comprised with the pixel circuit and organic EL element of FIG. 図２のＡ−Ａ矢視断面図である。It is AA arrow sectional drawing of FIG. 本実施の形態にかかる画像表示装置の工程断面図である。It is process sectional drawing of the image display apparatus concerning this Embodiment. 本実施の形態にかかる画像表示装置の工程断面図である。It is process sectional drawing of the image display apparatus concerning this Embodiment. 本実施の形態にかかる画像表示装置の工程断面図である。It is process sectional drawing of the image display apparatus concerning this Embodiment. 本実施の形態にかかる画像表示装置の工程断面図である。It is process sectional drawing of the image display apparatus concerning this Embodiment. 本実施の形態にかかる画像表示装置の工程断面図である。It is process sectional drawing of the image display apparatus concerning this Embodiment. 本実施の形態にかかる画像表示装置の工程断面図である。It is process sectional drawing of the image display apparatus concerning this Embodiment. 本実施の形態にかかる画像表示装置の工程断面図である。It is process sectional drawing of the image display apparatus concerning this Embodiment. 本実施の形態にかかる画像表示装置の工程断面図である。It is process sectional drawing of the image display apparatus concerning this Embodiment. 本実施の形態にかかる画像表示装置の工程断面図である。It is process sectional drawing of the image display apparatus concerning this Embodiment. 本実施の形態にかかる画像表示装置の工程断面図である。It is process sectional drawing of the image display apparatus concerning this Embodiment. 本実施の形態にかかる画像表示装置の工程断面図である。It is process sectional drawing of the image display apparatus concerning this Embodiment. 本実施の形態にかかる画像表示装置の工程断面図である。It is process sectional drawing of the image display apparatus concerning this Embodiment. 本実施の形態にかかる画像表示装置の工程断面図である。It is process sectional drawing of the image display apparatus concerning this Embodiment. 本実施の形態にかかる画像表示装置の工程断面図である。It is process sectional drawing of the image display apparatus concerning this Embodiment. 本実施の形態にかかる画像表示装置の工程断面図である。It is process sectional drawing of the image display apparatus concerning this Embodiment. 本実施の形態にかかる画像表示装置の工程断面図である。It is process sectional drawing of the image display apparatus concerning this Embodiment. 本実施の形態にかかる画像表示装置の工程断面図である。It is process sectional drawing of the image display apparatus concerning this Embodiment. 本実施の形態にかかる画像表示装置の工程断面図である。It is process sectional drawing of the image display apparatus concerning this Embodiment. 本実施の形態にかかる画像表示装置の１画素を構成する画素回路および有機ＥＬ素子の第１の変形例を示す回路図である。It is a circuit diagram which shows the 1st modification of the pixel circuit which comprises 1 pixel of the image display apparatus concerning this Embodiment, and an organic EL element. 本実施の形態にかかる画像表示装置の１画素を構成する画素回路および有機ＥＬ素子の第２の変形例を示す断面図である。It is sectional drawing which shows the 2nd modification of the pixel circuit and organic EL element which comprise 1 pixel of the image display apparatus concerning this Embodiment. 本実施の形態にかかる画像表示装置の１画素を構成する画素回路および有機ＥＬ素子の第３の変形例を示す断面図である。It is sectional drawing which shows the 3rd modification of the pixel circuit and organic EL element which comprise 1 pixel of the image display apparatus concerning this Embodiment.

Explanation of symbols

１電源線
２走査線
３画像信号線
４有機ＥＬ素子
５第１電極層
６第２電極層
７誘電体層
８ゲート電極
９ソース電極
１０ドレイン電極
１１チャネル層
１２下部電極
１３上部電極
１４有機発光層
１５基板
１６絶縁膜
１７平坦化膜
１８接着膜
１９層間絶縁膜
２０ゲート層
２１ａ−Ｓｉ層
２２ソース・ドレイン層
２３Ｔ_ｍ制御線
２４Ｔ_ｔｈ制御線
２５光吸収層
Ｃ_ｓ保持容量
Ｔ_ｄ駆動トランジスタ
Ｔ_ｓ制御用トランジスタ
Ｔ_ｍ制御用トランジスタ
Ｔ_ｔｈ閾値電圧検出用トランジスタ DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Power supply line 2 Scan line 3 Image signal line 4 Organic EL element 5 1st electrode layer 6 2nd electrode layer 7 Dielectric layer 8 Gate electrode 9 Source electrode 10 Drain electrode 11 Channel layer 12 Lower electrode 13 Upper electrode 14 Organic light emitting layer DESCRIPTION OF SYMBOLS 15 Substrate 16 Insulating film 17 Flattening film 18 Adhesive film 19 Interlayer insulating film 20 Gate layer 21 a-Si layer 22 Source / drain layer 23 _Tm control line 24 _Tth control line 25 Light absorption layer C _s holding capacity T _d drive Transistor T _s control transistor T _m control transistor T _th threshold voltage detection transistor

Claims

A transparent element substrate;
A light emitting element that is formed on the transparent element substrate and emits light when a current flows;
A driver element that adjusts an amount of current flowing through the light emitting element by applying a voltage equal to or higher than a threshold voltage;
A capacitor element that accumulates electric charge according to a voltage equal to or higher than the threshold voltage applied to the driver element, and an image display device comprising:
The capacitive element is a region overlapping the light emitting element in plan view, provided between the transparent element substrate and the light emitting element, and transmits light emitted from the light emitting element ,
The light from the light emitting element is emitted to the outside through the capacitive element and the transparent element substrate,
The capacitive element includes a dielectric layer interposed between the first electrode layer and the second electrode layer,
Of the light emitted from the light emitting element, the emission peak wavelength is λ, the film thickness of the first electrode layer is d3, the refractive index is n3, the film thickness of the dielectric layer is d2, and the refractive index is n2. Each layer is formed so that the relationship of λ = d1 × n1 = d2 × n2 = d3 × n3 is established when the thickness of the second electrode layer is d1 and the refractive index is n1. apparatus.

The image display device according to claim 1,
The first corresponding to a position of a node of the standing wave between the first electrode layer and the transparent element substrate so that the standing wave out of the light from the light emitting element is emitted to the outside. An image display device, further comprising a light absorption layer disposed immediately below one electrode.

The image display device according to claim 1,
The light-emitting element emits light when a current flows between a pair of electrodes, and one of the pair of electrodes is one electrode of the capacitor element.

The image display device according to claim 1,
The image display device, wherein the driver element is provided apart from the capacitor element in plan view.