JP5378971B2 - Polishing equipment - Google Patents
Polishing equipment Download PDFInfo
- Publication number
- JP5378971B2 JP5378971B2 JP2009283232A JP2009283232A JP5378971B2 JP 5378971 B2 JP5378971 B2 JP 5378971B2 JP 2009283232 A JP2009283232 A JP 2009283232A JP 2009283232 A JP2009283232 A JP 2009283232A JP 5378971 B2 JP5378971 B2 JP 5378971B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- polishing
- wheel
- workpiece
- electrolyte
- chuck table
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 238000005498 polishing Methods 0.000 title claims abstract description 118
- 238000004891 communication Methods 0.000 claims abstract description 27
- 239000003792 electrolyte Substances 0.000 claims abstract description 26
- 239000008151 electrolyte solution Substances 0.000 claims description 9
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 abstract description 9
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 46
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 41
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 8
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 8
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 8
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 5
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 4
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 4
- KRKNYBCHXYNGOX-UHFFFAOYSA-N citric acid Chemical compound OC(=O)CC(O)(C(O)=O)CC(O)=O KRKNYBCHXYNGOX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000003780 insertion Methods 0.000 description 3
- 230000037431 insertion Effects 0.000 description 3
- 238000000034 method Methods 0.000 description 3
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 3
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical group [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000006061 abrasive grain Substances 0.000 description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 2
- WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N lead(0) Chemical compound [Pb] WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000007723 transport mechanism Effects 0.000 description 2
- JOYRKODLDBILNP-UHFFFAOYSA-N Ethyl urethane Chemical compound CCOC(N)=O JOYRKODLDBILNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 1
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 230000000994 depressogenic effect Effects 0.000 description 1
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010432 diamond Substances 0.000 description 1
- 239000004744 fabric Substances 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 1
Images
Landscapes
- Constituent Portions Of Griding Lathes, Driving, Sensing And Control (AREA)
- Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)
- Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
Abstract
Description
本発明は、半導体ウエーハ等の被加工物を研磨するための研磨装置に関する。 The present invention relates to a polishing apparatus for polishing a workpiece such as a semiconductor wafer.
半導体デバイス製造工程においては、略円板形状である半導体ウエーハの表面に格子状に配列されたストリートと呼ばれる切断ラインによって多数の矩形領域を区画し、該矩形領域の各々にIC,LSI等のデバイスを形成する。このように多数のデバイスが形成された半導体ウエーハをストリートに沿って分割することにより、個々のデバイスを形成する。デバイスの小型化および軽量化を図るために、通常、半導体ウエーハをストリートに沿って切断して個々のデバイスに分割する前に、半導体ウエーハの裏面を研削して所定の厚さに形成している。半導体ウエーハの裏面の研削は、通常、ダイヤモンド砥粒をレジンボンドの如き適宜のボンドで固着して形成した研削砥石を備えた研削ホイールを、回転しつつ半導体ウエーハの裏面に押圧せしめることによって遂行されている。このような研削方式によって半導体ウエーハの裏面を研削すると、半導体ウエーハの裏面に所謂加工歪が生成し、これによって個々に分割されたデバイスの抗折強度が低減する。 In the semiconductor device manufacturing process, a large number of rectangular areas are defined by cutting lines called streets arranged in a lattice pattern on the surface of a semiconductor wafer having a substantially disk shape, and devices such as ICs, LSIs, etc. are divided into the rectangular areas. Form. Individual devices are formed by dividing the semiconductor wafer on which a large number of devices are formed in this manner along the streets. In order to reduce the size and weight of the device, the semiconductor wafer is usually ground to the predetermined thickness by grinding the backside of the semiconductor wafer before it is cut along the street and divided into individual devices. . Grinding of the back surface of a semiconductor wafer is usually performed by pressing a grinding wheel having a grinding wheel formed by fixing diamond abrasive grains with an appropriate bond such as a resin bond against the back surface of the semiconductor wafer while rotating. ing. When the back surface of the semiconductor wafer is ground by such a grinding method, so-called processing strain is generated on the back surface of the semiconductor wafer, thereby reducing the bending strength of the individually divided devices.
上述したように研削された半導体ウエーハの裏面に生成される加工歪を除去する対策として、研削された半導体ウエーハの裏面に研磨液を供給しつつ研磨パッドを用いて研磨し、半導体ウエーハの裏面に生成された加工歪を除去する方法が下記特許文献1に開示されている。 As a measure for removing the processing strain generated on the back surface of the ground semiconductor wafer as described above, polishing is performed using a polishing pad while supplying a polishing liquid to the back surface of the ground semiconductor wafer, and the back surface of the semiconductor wafer is A method for removing the generated processing strain is disclosed in Patent Document 1 below.
しかるに、デバイスの表面に形成されたボンディングパッドが設けられた箇所に裏面に達する貫通孔(ビアホール)を形成し、この貫通孔(ビアホール)にボンディングパッドと接続する銅等の金属電極を埋め込むように構成したウエーハにおいては、ウエーハの裏面側から銅等の導電性材料を蒸着させて金属電極を埋設するため、金属膜が裏面に積層されている。このため、ウエーハの裏面から金属電極を露出するために上記特許文献1に開示された研磨方法によってウエーハの裏面を研磨すると、研磨パッドによる研磨圧力が高いためウエーハの裏面に露出した金属電極に凹みが生じてデバイス同士を積層する際に上下の電極が接触不良を起こすという問題がある。 However, a through hole (via hole) that reaches the back surface is formed at a position where the bonding pad formed on the surface of the device is provided, and a metal electrode such as copper connected to the bonding pad is embedded in the through hole (via hole). In the constructed wafer, a metal film is laminated on the back surface in order to embed a metal electrode by depositing a conductive material such as copper from the back surface side of the wafer. For this reason, when the back surface of the wafer is polished by the polishing method disclosed in Patent Document 1 in order to expose the metal electrode from the back surface of the wafer, the polishing pressure by the polishing pad is high, so that the metal electrode exposed on the back surface of the wafer is recessed. This causes a problem that the upper and lower electrodes cause poor contact when the devices are stacked.
一方、研磨圧力を低減して研磨加工を行う電解研磨装置が下記特許文献2に開示されている。この電解研磨装置は、加工電極および研磨パッドが配設された研磨テーブルと、被加工物を保持する研磨ヘッドとを具備し、回転する研磨テーブルの研磨パッド上に電解液を供給しつつ研磨ヘッドに保持された被加工物を回転しながら研磨パッドに押圧することにより、被加工物を電解研磨する。
On the other hand,
而して、上記特許文献2に開示された電解研磨装置は、研磨テーブルに研磨パッドを配設し、研磨ヘッドに被加工物を保持する構成であるため、被加工物を研磨ヘッドの下面に搬送して保持させるための搬送機構が複雑となるという問題がある。
Thus, the electropolishing apparatus disclosed in
本発明は上記事実に鑑みてなされたものであり、その主たる技術課題は、被加工物を被加工物保持手段に搬送する搬送機構を複雑にすることなく電解研磨を実施することができる研磨装置を提供することにある。 The present invention has been made in view of the above facts, and a main technical problem thereof is a polishing apparatus capable of performing electrolytic polishing without complicating a transport mechanism for transporting a workpiece to a workpiece holding means. Is to provide.
上記主たる技術課題を解決するため、本発明によれば、被加工物を保持し回転可能に構成されたチャックテーブルと、該チャックテーブルに保持された被加工物を研磨する研磨手段とを具備し、該研磨手段は回転スピンドルと、該回転スピンドルの下端に設けられたホイールマウントと、該ホイールマウントの下面に着脱可能に装着された研磨ホイールとからなっている、研磨装置において、
該研磨ホイールは、該ホイールマウントの下面に上面が装着されるホイール基台と、該ホイール基台の下面に装着され複数の電解液流出穴を備えた研磨パッドとを具備し、該ホイール基台には該研磨パッドに設けられた複数の電解液流出穴と連通する複数の連通穴を備えたプラス電極板およびマイナス電極板が配設されているとともに、該複数の連通穴と連通する電解液導入通路が設けられており、
該ホイールマウントは、該ホイール基台に設けられた電解液導入通路と該回転スピンドルに設けられた電解液供給通路とを連通する連通路を備えており、
該プラス電極板とマイナス電極板との間に電圧を印可する電力供給手段を具備している、
ことを特徴とする研磨装置が提供される。
In order to solve the above main technical problem, according to the present invention, there is provided a chuck table configured to hold and rotate a workpiece, and a polishing means for polishing the workpiece held on the chuck table. In the polishing apparatus, the polishing means comprises a rotating spindle, a wheel mount provided at the lower end of the rotating spindle, and a polishing wheel detachably attached to the lower surface of the wheel mount.
The polishing wheel includes a wheel base having an upper surface mounted on the lower surface of the wheel mount, and a polishing pad mounted on the lower surface of the wheel base and having a plurality of electrolyte outflow holes. Includes a positive electrode plate having a plurality of communication holes communicating with a plurality of electrolyte outflow holes provided in the polishing pad and an electrolyte solution communicating with the plurality of communication holes. There is an introduction passage,
The wheel mount includes a communication path that connects an electrolyte introduction path provided in the wheel base and an electrolyte supply path provided in the rotary spindle;
Comprising power supply means for applying a voltage between the positive electrode plate and the negative electrode plate;
A polishing apparatus is provided.
上記研磨ホイールのホイール基台には、上記プラス電極板およびマイナス電極板とそれぞれ接続され上面から突出するプラス電極端子およびマイナス電極端子が配設されており、上記ホイールマウントには、上記電力供給手段と接続されプラス電極端子およびマイナス電極端子とそれぞれ嵌合するプラス電極プラグおよびマイナス電極プラグが配設されている。 The wheel base of the grinding wheel is provided with a positive electrode terminal and a negative electrode terminal that are respectively connected to the positive electrode plate and the negative electrode plate and project from the upper surface, and the wheel mount includes the power supply means. Are connected to the positive electrode terminal and the negative electrode terminal, respectively.
本発明による研磨装置は、上記のように回転スピンドルの下端に設けられたホイールマウントに研磨ホイールを装着し、この研磨ホイールに電解液を供給しつつチャックテーブル上に保持された被加工物を電解研磨するように構成したので、チャックテーブルへの被加工物の搬入および搬出が容易であり、チャックテーブルへの被加工物の搬入・搬出機構を比較的簡単な構成とすることができる。 The polishing apparatus according to the present invention attaches the polishing wheel to the wheel mount provided at the lower end of the rotating spindle as described above, and electrolyzes the workpiece held on the chuck table while supplying an electrolytic solution to the polishing wheel. Since it is configured to polish, it is easy to load and unload the workpiece onto and from the chuck table, and the mechanism for loading and unloading the workpiece to and from the chuck table can be made relatively simple.
以下、本発明に従って構成された研磨装置の好適な実施形態について、添付図面を参照して更に詳細に説明する。 Preferred embodiments of a polishing apparatus constructed according to the present invention will be described below in more detail with reference to the accompanying drawings.
図1には本発明に従って構成された研磨装置の斜視図が示されている。
研磨装置は、全体を番号2で示す装置ハウジングを具備している。装置ハウジング2は、細長く延在する直方体形状の主部21と、該主部21の後端部(図1において右上端)に設けられ上方に延びる直立壁22とを有している。直立壁22の前面には、上下方向に延びる一対の案内レール221、221が設けられている。この一対の案内レール221、221に研磨手段としての研磨ユニット3が上下方向に移動可能に装着されている。
FIG. 1 is a perspective view of a polishing apparatus constructed according to the present invention.
The polishing apparatus comprises an apparatus housing, generally designated 2. The
研磨ユニット3は、移動基台31と該移動基台31に装着されたスピンドルユニット32を具備している。移動基台31は、後面両側に上下方向に延びる一対の脚部311、311が設けられており、この一対の脚部311、311に上記一対の案内レール221、221と摺動可能に係合する被案内溝312、312が形成されている。このように直立壁22に設けられた一対の案内レール221、221に摺動可能に装着された移動基台31の前面には前方に突出した支持部313が設けられている。この支持部313にスピンドルユニット32が取り付けられる。
The
スピンドルユニット32は、支持部313に装着されたスピンドルハウジング321と、該スピンドルハウジング321に回転自在に配設された回転スピンドル322と、該回転スピンドル322を回転駆動するための回転駆動手段としてのサーボモータ323とを具備している。回転スピンドル322の下端部はスピンドルハウジング321の下端を越えて下方に突出せしめられており、その下端には円板形状のホイールマウント4が設けられている。このホイールマウント4の下面に研磨ホイール5が着脱可能に装着される。ホイールマウント4および研磨ホイール5について、図2乃至図5を参照して説明する。
The
図2はホイールマウント4を下方から見た状態を示す斜視図、図3は研磨ホイール5の斜視図、図4は図3に示す研磨ホイール5を構成するホイール基台に装着された電極の配列状態を示す説明図、図5はホイールマウント4に研磨ホイール5が装着された状態を示す断面図である。
ホイールマウント4は、図2および図5に示すように円盤状に形成され、上記回転スピンドル322の下端に設けられている。このホイールマウント4には、図2に示すように周方向に間隔をおいて4個のボルト挿通穴41が設けられている。また、ホイールマウント4には、図5に示すように回転スピンドル322に設けられた電解液供給通路322aと連通し下面(装着面)に開口する連通路42が設けられている。この連通路42は、図2に示すように下面(装着面)に4個開口している。また、ホイールマウント4には、筒状の4個のプラス電極プラグ43と筒状の2個のマイナス電極プラグ44が配設されている。
2 is a perspective view of the
The
研磨ホイール5は、図3に示すように円盤状に形成されたホイール基台51と、該ホイール基台51の下面に装着された研磨パッド52とからなっている。ホイール基台51には、ホイールマウント4に設けられた4個のボルト挿通孔41と対応する位置に周方向に間隔をおいて4個の雌ねじ穴511が設けられている。また、ホイール基台51には、図3および図5に示すように上記ホイールマウント4に設けられた連通路42と連通する電解液導入通路512が設けられている。この電解液導入通路512は、ホイール基台51の上面における上記ホイールマウント4に設けられた連通路42と対応する位置に開口して設けられている。ホイール基台51の下面には、図4および図5に示すように4個のプラス電極板53と4個のマイナス電極板54が装着されている。この4個のプラス電極板53および4個のマイナス電極板54は、上記ホイール基台51に設けられた電解液導入通路512と対応する位置に配設され、それぞれ電解液導入通路512と連通する複数の連通穴531および541を備えている。また、ホイール基台51には、図3に示すように上面から突出する4個のプラス電極端子55と2個のマイナス電極端子56が配設されている。この4個のプラス電極端子55は上記ホイールマウント4に配設された筒状の4個のプラス電極プラグ43と嵌合するように構成されており、2個のマイナス電極端子56は上記ホイールマウント4に配設された筒状の2個のマイナス電極プラグ44と嵌合するように構成されている。このように構成された4個のプラス電極端子55は4個のプラス電極板53と図示しない導線によってそれぞれ接続されており、2個のマイナス電極端子56は4個のマイナス電極板54の2個づつと図示しない導線によってそれぞれ接続されている。
As shown in FIG. 3, the
上述したように構成されたホイール基台51の下面に装着された研磨パッド52はウレタンによって形成されている。この研磨パッド52には、図5に示すように上面に上記プラス電極板53に設けられた連通穴531およびマイナス電極板54に設けられた連通穴541と連通する複数の連通溝521と、該連通溝521と連通し下面に開口する複数の電解液流出穴522が設けられている。
The
ホイールマウント4と研磨ホイール5は以上のように構成されており、ホイールマウント4の下面(装着面)に研磨ホイール5のホイール基台51を位置付け、ホイール基台51に設けられた4個のプラス電極端子55をホイールマウント4に配設された筒状の4個のプラス電極プラグ43に嵌合するとともに、ホイール基台51に設けられた2個のマイナス電極端子56をホイールマウント4に配設された筒状の2個のマイナス電極プラグ44に嵌合する。そして、ホイールマウント4に設けられたボルト挿通孔41に締結ボルト55(図5参照)を挿通し、研磨ホイール5のホイール基台51に設けられた雌ねじ穴511に螺合することにより、図5に示すようにホイールマウント4の下面(装着面)に研磨ホイール5を装着することができる。
The
図5を参照して説明を続けると、図示の実施形態における研磨装置は、上記4個のプラス電極板53および4個のマイナス電極板54との間に電圧を印可する電力供給手段6を具備している。電力供給手段6は、4個の直流電源61a、61b、61c、61dを備えている。一方、上記回転スピンドル322の上端部外周面には5個のスリップリング62a、62b、62c、62d、62eが配設されており、このうち4個のスリップリング62a、62b、62c、62dが上記4個の直流電源61a、61b、61c、61dのプラス(+)側に接続され、1個のスリップリング62eが4個の直流電源61a、61b、61c、61dのマイナス(−)側に接続される。なお、上記4個のスリップリング62a、62b、62c、62dは上記ホイールマウント4に配設された筒状の4個のプラス電極プラグ43に図示しない導線によってそれぞれ接続されており、1個のスリップリング62eは上記ホイールマウント4に配設された筒状の2個のマイナス電極プラグ44に図示しない導線によって接続されている。従って、電力供給手段6が作動すると、直流電源61a、61b、61c、61dからスリップリング62a、62b、62c、62d、図示しない導線および4個のプラス電極プラグ43、4個のプラス電極端子55、図示しない導線を介して4個のプラス電極板53および4個のマイナス電極板54との間に電圧が印可される。
Continuing with reference to FIG. 5, the polishing apparatus in the illustrated embodiment includes power supply means 6 for applying a voltage between the four
なお、上記回転スピンドル322設けられた電解液供給通路322aは、図1に示すように電解液供給手段9に連通されている。従って、電解液供給手段9が作動すると、例えばクエン酸と砥粒が含まれた電解液が電解液供給通路322a、ホイールマウント4に設けられた連通路42、ホイール基台51に設けられた電解液導入通路512、プラス電極板53に設けられた連通穴531およびマイナス電極板54に設けられた連通穴541を介して研磨パッド52に設けられた複数の連通溝521を通り複数の電解液流出穴522から流出される。
The
図1に戻って説明を続けると、図示の実施形態における研磨装置は、上記研磨ユニット3を上記一対の案内レール221、221に沿って上下方向(後述するチャックテーブルの保持面と垂直な方向)に移動せしめる研磨送り手段7を備えている。この研磨送り手段7は、直立壁22の前側に配設され上下方向に延びる雄ねじロッド71を具備している。この雄ねじロッド71は、その上端部および下端部が直立壁22に取り付けられた軸受部材72および73によって回転自在に支持されている。上側の軸受部材72には雄ねじロッド71を回転駆動するための駆動源としてのパルスモータ74が配設されており、このパルスモータ74の出力軸が雄ねじロッド71に伝動連結されている。移動基台31の後面にはその幅方向中央部から後方に突出する連結部(図示していない)も形成されており、この連結部には上下方向に延びる貫通雌ねじ穴が形成されており、この雌ねじ穴に上記雄ねじロッド71が螺合せしめられている。従って、パルスモータ74が正転すると移動基台31即ち研磨ユニット3が下降即ち前進せしめられ、パルスモータ74が逆転すると移動基台31即ち研磨ユニット3が上昇即ち後退せしめられる。
Referring back to FIG. 1, the polishing apparatus in the illustrated embodiment moves the
図1を参照して説明を続けると、ハウジング2の主部21にはチャックテーブル機構8が配設されている。チャックテーブル機構8は、被加工物保持手段としてのチャックテーブル81と、該チャックテーブル81の周囲を覆うカバー部材82と、該カバー部材82の前後に配設された蛇腹手段83および84を具備している。チャックテーブル81は、図示しない回転駆動機構によって回転せしめられるようになっており、その上面に被加工物であるウエーハを図示しない吸引手段を作動することにより吸引保持するように構成されている。また、チャックテーブル81は、図示しないチャックテーブル移動手段によって図1に示す被加工物載置域24と上記研磨ユニット3を構成する研磨ホイール51と対向する研磨域25との間で移動せしめられる。蛇腹手段83および84はキャンパス布の如き適宜の材料から形成することができる。蛇腹手段83の前端は主部21の前面壁に固定され、後端はカバー部材82の前端面に固定されている。また、蛇腹手段84の前端はカバー部材82の後端面に固定され、後端は装置ハウジング2の直立壁22の前面に固定されている。チャックテーブル81が矢印23aで示す方向に移動せしめられる際には蛇腹手段83が伸張されて蛇腹手段84が収縮され、チャックテーブル81が矢印23bで示す方向に移動せしめられる際には蛇腹手段83が収縮されて蛇腹手段84が伸張せしめられる。
Continuing the description with reference to FIG. 1, the
図1に基づいて説明を続けると、装置ハウジング2の主部21における前半部上には、第1のカセット11と、第2のカセット12と、被加工物仮載置手段13と、洗浄手段14と、被加工物搬送手段15と、被加工物搬入手段16および被加工物搬出手段17が配設されている。第1のカセット11は研磨加工前の被加工物を収納し、装置ハウジング2の主部21におけるカセット搬入域に載置される。このカセット11には、半導体ウエーハWが表面に保護テープTが貼着された状態で複数枚収容される。このとき、半導体ウエーハWは、裏面(被研削面)を上側にして収容される。上記第2のカセット12は装置ハウジング2の主部21におけるカセット搬出域に載置され、研磨加工後の半導体ウエーハWを収納する。上記被加工物仮載置手段13は第1のカセット11と被加工物搬入・搬出域24との間に配設され、研磨加工前の半導体ウエーハWを仮載置する。上記洗浄手段14は被加工物搬入・搬出域24と第2のカセット12との間に配設され、研磨加工後の半導体ウエーハWを洗浄する。上記被加工物搬送手段15は第1のカセット11と第2のカセット12との間に配設され、第1のカセット11内に収納された半導体ウエーハWを被加工物仮載置手段13に搬出するとともに洗浄手段14で洗浄された半導体ウエーハWを第2のカセット12に搬送する。上記被加工物搬入手段16は被加工物仮載置手段13と被加工物搬入・搬出域24との間に配設され、被加工物仮載置手段13上に載置された研磨加工前の半導体ウエーハWを被加工物搬入・搬出域24に位置付けられたチャックテーブル機構8のチャックテーブル81上に搬送する。上記被加工物搬出手段17は被加工物搬入・搬出域24と洗浄手段14との間に配設され、被加工物搬入・搬出域24に位置付けられたチャックテーブル81上に載置されている研磨加工後の半導体ウエーハWを洗浄手段14に搬送する。
The description will be continued based on FIG. 1. On the front half of the
被加工物としての半導体ウエーハWを収容した第1のカセット11は、装置ハウジング2の主部21における所定のカセット搬入域に載置される。そして、カセット搬入域に載置された第1のカセット11に収容されていた研磨加工前の半導体ウエーハWが全て搬出されると、空のカセット11に代えて複数個の半導体ウエーハWを収容した新しいカセット11が手動でカセット搬入域に載置される。一方、装置ハウジング2の主部21における所定のカセット搬出域に載置された第2のカセット12に所定数の研磨加工後の半導体ウエーハWが搬入されると、第2のカセット12が手動で搬出され、新しい空の第2のカセット12が載置される。
The
次に、上述した研磨装置によって実施する研磨作業について、主に図1および図6を参照して説明する。
第1のカセット11に収容された研磨加工前の被加工物としての半導体ウエーハWは被加工物搬送手段15の上下動作および進退動作により搬送され、被加工物仮載置手段13に載置される。被加工物仮載置手段13に載置された半導体ウエーハWは、ここで中心合わせが行われた後に被加工物搬入手段16の旋回動作によって被加工物搬入・搬出域24に位置せしめられているチャックテーブル機構8のチャックテーブル81上に載置される。チャックテーブル81上に載置された被加工物としての半導体ウエーハWは、図示しない吸引手段によってチャックテーブル81上に吸引保持される。
Next, the polishing operation performed by the above-described polishing apparatus will be described mainly with reference to FIGS.
The semiconductor wafer W as a workpiece before polishing, which is accommodated in the
チャックテーブル81上に半導体ウエーハWを吸引保持したならば、図示しないチャックテーブル移動手段を作動してチャックテーブル81を矢印23aで示す方向に移動し、研磨域25に位置付ける。半導体ウエーハWを保持したチャックテーブル81が研磨域に位置付けたならば、研磨液供給手段9を作動するとともに、上記電力供給手段6を作動する。そして、図6に示すように半導体ウエーハWを保持したチャックテーブル81を矢印81aで示す方向に例えば70rpmで回転し、上記サーボモータ323を駆動して研磨ホイール5を矢印5aで示す方向に例えば50rpmで回転するとともに、上記研磨送り手段7のパルスモータ74を正転駆動して研磨ユニット3を下降即ち前進せしめ、研磨ホイール5の研磨パッド52をチャックテーブル81上の半導体ウエーハWの裏面(上面)に所定の荷重で押圧する。このように研磨液供給手段を作動すると上述したように電解液が電解液供給通路322a、ホイールマウント4に設けられた連通路42、ホイール基台51に設けられた電解液導入通路512、プラス電極板53に設けられた連通穴531およびマイナス電極板54に設けられた連通穴541を介して研磨パッド52に設けられた複数の連通溝521を通り複数の電解液流出穴522からチャックテーブル81に保持された半導体ウエーハWの裏面(上面)に流出される。一方、電力供給手段6が作動すると上述したように直流電源61a、61b、61c、61dからスリップリング62a、62b、62c、62d、図示しない導線および4個のプラス電極プラグ43、4個のプラス電極端子55、図示しない導線を介して4個のプラス電極板53および4個のマイナス電極板54との間に電圧が印可され、電解液を介してプラス電極板53とマイナス電極板54とが電気的に接続されて、チャックテーブル81に保持された半導体ウエーハWの裏面(上面)が電解研磨され、例えば半導体ウエーハWの裏面に積層された金属膜を除去することができる。このように半導体ウエーハWは電解研磨されるので、研磨ホイール5による押圧力を低減することができ、例えば半導体ウエーハWに金属電極が埋設されている場合に金属電極に凹みが生ずることがない。
When the semiconductor wafer W is sucked and held on the chuck table 81, the chuck table moving means (not shown) is operated to move the chuck table 81 in the direction indicated by the
上記のようにして、研磨作業が終了したら、研磨液供給手段9および電力供給手段6の作動を停止し、研磨送り手段7のパルスモータ74を逆転駆動してスピンドルユニット32を所定位置まで上昇させるとともに、研磨ホイール5の回転を停止し、更に、チャックテーブル81の回転を停止する。そして、チャックテーブル81を被加工物搬入・搬出域24(図1参照)に位置付ける。チャックテーブル81が被加工物搬入・搬出域24に位置付けられたならば、チャックテーブル81上の研磨加工された半導体ウエーハWの吸引保持が解除され、吸引保持が解除された半導体ウエーハWは被加工物搬出手段17により搬出されて洗浄手段14に搬送される。洗浄手段14に搬送された半導体ウエーハWは、ここで洗浄された後に被加工物搬送手段15よって第2のカセット12の所定位置に収納される。
When the polishing operation is completed as described above, the operations of the polishing liquid supply means 9 and the power supply means 6 are stopped, and the
以上のように図示の実施形態における研磨装置は、回転スピンドル322の下端に設けられたホイールマウント4に研磨ホイール5を装着し、この研磨ホイール5に電解液を供給しつつチャックテーブル81上に保持された被加工物を電解研磨するように構成したので、チャックテーブル81への被加工物の搬入および搬出が容易である。従って、上述した従来の電解研磨装置のように回転スピンドル側に装着された研磨ヘッドに被加工物を保持する構成のものと比較して、被加工物搬入手段16および被加工物搬出手段17を比較的簡単な構成とすることができる。
また、実施形態における研磨装置は、電力供給手段6の直流電源を4つに分割しているので、小型の直流電源を適宜調整して大型の電源に代えることができる。
As described above, the polishing apparatus in the illustrated embodiment has the
In the polishing apparatus according to the embodiment, the DC power source of the power supply means 6 is divided into four, so that a small DC power source can be appropriately adjusted and replaced with a large power source.
2:装置ハウジング
3:研磨ユニット
31:移動基台
32:スピンドルユニット
321:スピンドルハウジング
322:回転スピンドル
323:サーボモータ
4:ホイールマウント
43:プラス電極プラグ
44:マイナス電極プラグ
5:研磨ホイール
51:ホイール基台
52:研磨パッド
53:プラス電極板
54:マイナス電極板
55:プラス電極端子
56:マイナス電極端子
6:電力供給手段
7:研磨ユニット送り機構
8:チャックテーブル機構
81:チャックテーブル
11:第1のカセット
12:第2のカセット
13:被加工物仮載置手段
14:洗浄手段
15:被加工物搬送手段
16:被加工物搬入手段
17:被加工物搬出手段
2: Device housing 3: Polishing unit 31: Moving base 32: Spindle unit 321: Spindle housing 322: Rotating spindle 323: Servo motor 4: Wheel mount 43: Positive electrode plug 44: Negative electrode plug 5: Polishing wheel 51: Wheel Base 52: Polishing pad 53: Positive electrode plate 54: Negative electrode plate 55: Positive electrode terminal 56: Negative electrode terminal 6: Power supply means 7: Polishing unit feed mechanism 8: Chuck table mechanism 81: Chuck table 11: First Cassette 12: Second cassette 13: Temporary workpiece placing means 14: Cleaning means 15: Workpiece conveying means 16: Workpiece carrying means 17: Workpiece carrying means
Claims (2)
該研磨ホイールは、該ホイールマウントの下面に上面が装着されるホイール基台と、該ホイール基台の下面に装着され複数の電解液流出穴を備えた研磨パッドとを具備し、該ホイール基台には該研磨パッドに設けられた複数の電解液流出穴と連通する複数の連通穴を備えたプラス電極板およびマイナス電極板が配設されているとともに、該複数の連通穴と連通する電解液導入通路が設けられており、
該ホイールマウントは、該ホイール基台に設けられた電解液導入通路と該回転スピンドルに設けられた電解液供給通路とを連通する連通路を備えており、
該プラス電極板とマイナス電極板との間に電圧を印可する電力供給手段を具備している、
ことを特徴とする研磨装置。 A chuck table configured to hold and rotate a workpiece, and a polishing means for polishing the workpiece held on the chuck table. The polishing means is provided on a rotating spindle and a lower end of the rotating spindle. In a polishing apparatus comprising a provided wheel mount and a polishing wheel detachably attached to the lower surface of the wheel mount,
The polishing wheel includes a wheel base having an upper surface mounted on the lower surface of the wheel mount, and a polishing pad mounted on the lower surface of the wheel base and having a plurality of electrolyte outflow holes. Includes a positive electrode plate having a plurality of communication holes communicating with a plurality of electrolyte outflow holes provided in the polishing pad and an electrolyte solution communicating with the plurality of communication holes. There is an introduction passage,
The wheel mount includes a communication path that connects an electrolyte introduction path provided in the wheel base and an electrolyte supply path provided in the rotary spindle;
Comprising power supply means for applying a voltage between the positive electrode plate and the negative electrode plate;
A polishing apparatus characterized by that.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2009283232A JP5378971B2 (en) | 2009-12-14 | 2009-12-14 | Polishing equipment |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2009283232A JP5378971B2 (en) | 2009-12-14 | 2009-12-14 | Polishing equipment |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2011122230A JP2011122230A (en) | 2011-06-23 |
JP5378971B2 true JP5378971B2 (en) | 2013-12-25 |
Family
ID=44286390
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2009283232A Active JP5378971B2 (en) | 2009-12-14 | 2009-12-14 | Polishing equipment |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5378971B2 (en) |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP7096752B2 (en) * | 2018-10-15 | 2022-07-06 | 株式会社ディスコ | Grinding device |
JP7281226B2 (en) * | 2018-12-14 | 2023-05-25 | 大連理工大学 | Photoelectrochemical mechanical polishing processing apparatus and processing method for semiconductor wafer |
CN114148387B (en) * | 2021-11-16 | 2023-03-28 | 徐州鑫晶半导体科技有限公司 | Bearing trolley for planet wheel of polishing machine |
Family Cites Families (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0899265A (en) * | 1994-09-30 | 1996-04-16 | Disco Abrasive Syst Ltd | Polishing device |
JP2002025959A (en) * | 2000-07-06 | 2002-01-25 | Canon Inc | Grinding apparatus of semiconductor substrate |
JP2002190461A (en) * | 2000-12-22 | 2002-07-05 | Nikon Corp | Method and apparatus for cmp polishing, and method for manufacturing semiconductor device |
JP2002334858A (en) * | 2001-05-10 | 2002-11-22 | Canon Inc | Apparatus for polishing semiconductor wafer |
JP4464113B2 (en) * | 2003-11-27 | 2010-05-19 | 株式会社ディスコ | Wafer processing equipment |
JP4790322B2 (en) * | 2005-06-10 | 2011-10-12 | 株式会社ディスコ | Processing apparatus and processing method |
JP2009108405A (en) * | 2007-10-10 | 2009-05-21 | Ebara Corp | Electrolytic polishing method and apparatus of substrate |
-
2009
- 2009-12-14 JP JP2009283232A patent/JP5378971B2/en active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2011122230A (en) | 2011-06-23 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US6969308B2 (en) | Method and apparatus for chemical and mechanical polishing | |
KR100709457B1 (en) | Semiconductor wafer grinding method | |
TWI577496B (en) | Cleaning module and process for particle reduction | |
US20140209239A1 (en) | Methods and apparatus for post-chemical mechanical planarization substrate cleaning | |
JP5916513B2 (en) | Processing method of plate | |
JP5320014B2 (en) | Grinding equipment | |
JPWO2019013042A1 (en) | Substrate processing system, substrate processing method, and computer storage medium | |
JP5731158B2 (en) | Processing equipment | |
JP2009160700A (en) | Polishing device | |
JP5378971B2 (en) | Polishing equipment | |
JP5378727B2 (en) | Processing equipment equipped with a bite tool | |
TWI523096B (en) | Wafer polishing tool and method for wafer polishing | |
JP2008036744A (en) | Polishing device | |
JP5730127B2 (en) | Grinding method | |
JPH11104942A (en) | Method of and device for polishing work edge | |
JP2011143516A (en) | Machining device | |
JP5350127B2 (en) | Workpiece grinding method | |
JP5590477B2 (en) | Polishing equipment | |
JP2017204606A (en) | Manufacturing method of wafer | |
JP4477974B2 (en) | Polishing equipment | |
JP2011056615A (en) | Dressing method for polishing pad | |
JP2004058221A (en) | Dressing board and method of its manufacture | |
JP2003236752A (en) | Polisher | |
JP2003086545A (en) | Device for removing processing strain | |
JP2003303797A (en) | Polishing equipment |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20121126 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20130823 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20130903 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20130926 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5378971 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |