JP5378971B2 - Polishing equipment - Google Patents

Polishing equipment Download PDF

Info

Publication number
JP5378971B2
JP5378971B2 JP2009283232A JP2009283232A JP5378971B2 JP 5378971 B2 JP5378971 B2 JP 5378971B2 JP 2009283232 A JP2009283232 A JP 2009283232A JP 2009283232 A JP2009283232 A JP 2009283232A JP 5378971 B2 JP5378971 B2 JP 5378971B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
polishing
wheel
workpiece
electrolyte
chuck table
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
JP2009283232A
Other languages
Japanese (ja)
Other versions
JP2011122230A (en
Inventor
徹 高沢
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Disco Corp
Original Assignee
Disco Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Disco Corp filed Critical Disco Corp
Priority to JP2009283232A priority Critical patent/JP5378971B2/en
Publication of JP2011122230A publication Critical patent/JP2011122230A/en
Application granted granted Critical
Publication of JP5378971B2 publication Critical patent/JP5378971B2/en
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Landscapes

  • Constituent Portions Of Griding Lathes, Driving, Sensing And Control (AREA)
  • Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)
  • Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)

Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a polishing device which can perform electrolytic polishing to a workpiece without complicating a carrying mechanism carrying the workpiece to a workpiece holding means. <P>SOLUTION: In the polishing device, a polisher polishing a workpiece held to a chuck table 81 is composed of: a rotary spindle 322; a wheel mount 4; and a polishing wheel 5. The polishing wheel includes: a wheel base 51 whose upper face is mounted to the lower face of the wheel mount; and a polishing pad 52 mounted to the lower face of the wheel base and provided with a plurality of electrolyte flowout holes. The wheel base includes a plus electrode plate 53 and a minus electrode plate 54 provided with a plurality of communication holes 541 communicated with the plurality of electrolyte flowout holes 522 provided at the polishing pad, further, an electrolyte introduction passage 512 communicated with the plurality of communication holes is provided, and the wheel mount is provided with a communication passage communicating the electrolyte introduction passage provided at the wheel base with the electrolyte feed passage provided at the rotary spindle. <P>COPYRIGHT: (C)2011,JPO&amp;INPIT

Description

本発明は、半導体ウエーハ等の被加工物を研磨するための研磨装置に関する。   The present invention relates to a polishing apparatus for polishing a workpiece such as a semiconductor wafer.

半導体デバイス製造工程においては、略円板形状である半導体ウエーハの表面に格子状に配列されたストリートと呼ばれる切断ラインによって多数の矩形領域を区画し、該矩形領域の各々にIC,LSI等のデバイスを形成する。このように多数のデバイスが形成された半導体ウエーハをストリートに沿って分割することにより、個々のデバイスを形成する。デバイスの小型化および軽量化を図るために、通常、半導体ウエーハをストリートに沿って切断して個々のデバイスに分割する前に、半導体ウエーハの裏面を研削して所定の厚さに形成している。半導体ウエーハの裏面の研削は、通常、ダイヤモンド砥粒をレジンボンドの如き適宜のボンドで固着して形成した研削砥石を備えた研削ホイールを、回転しつつ半導体ウエーハの裏面に押圧せしめることによって遂行されている。このような研削方式によって半導体ウエーハの裏面を研削すると、半導体ウエーハの裏面に所謂加工歪が生成し、これによって個々に分割されたデバイスの抗折強度が低減する。   In the semiconductor device manufacturing process, a large number of rectangular areas are defined by cutting lines called streets arranged in a lattice pattern on the surface of a semiconductor wafer having a substantially disk shape, and devices such as ICs, LSIs, etc. are divided into the rectangular areas. Form. Individual devices are formed by dividing the semiconductor wafer on which a large number of devices are formed in this manner along the streets. In order to reduce the size and weight of the device, the semiconductor wafer is usually ground to the predetermined thickness by grinding the backside of the semiconductor wafer before it is cut along the street and divided into individual devices. . Grinding of the back surface of a semiconductor wafer is usually performed by pressing a grinding wheel having a grinding wheel formed by fixing diamond abrasive grains with an appropriate bond such as a resin bond against the back surface of the semiconductor wafer while rotating. ing. When the back surface of the semiconductor wafer is ground by such a grinding method, so-called processing strain is generated on the back surface of the semiconductor wafer, thereby reducing the bending strength of the individually divided devices.

上述したように研削された半導体ウエーハの裏面に生成される加工歪を除去する対策として、研削された半導体ウエーハの裏面に研磨液を供給しつつ研磨パッドを用いて研磨し、半導体ウエーハの裏面に生成された加工歪を除去する方法が下記特許文献1に開示されている。   As a measure for removing the processing strain generated on the back surface of the ground semiconductor wafer as described above, polishing is performed using a polishing pad while supplying a polishing liquid to the back surface of the ground semiconductor wafer, and the back surface of the semiconductor wafer is A method for removing the generated processing strain is disclosed in Patent Document 1 below.

しかるに、デバイスの表面に形成されたボンディングパッドが設けられた箇所に裏面に達する貫通孔(ビアホール)を形成し、この貫通孔(ビアホール)にボンディングパッドと接続する銅等の金属電極を埋め込むように構成したウエーハにおいては、ウエーハの裏面側から銅等の導電性材料を蒸着させて金属電極を埋設するため、金属膜が裏面に積層されている。このため、ウエーハの裏面から金属電極を露出するために上記特許文献1に開示された研磨方法によってウエーハの裏面を研磨すると、研磨パッドによる研磨圧力が高いためウエーハの裏面に露出した金属電極に凹みが生じてデバイス同士を積層する際に上下の電極が接触不良を起こすという問題がある。   However, a through hole (via hole) that reaches the back surface is formed at a position where the bonding pad formed on the surface of the device is provided, and a metal electrode such as copper connected to the bonding pad is embedded in the through hole (via hole). In the constructed wafer, a metal film is laminated on the back surface in order to embed a metal electrode by depositing a conductive material such as copper from the back surface side of the wafer. For this reason, when the back surface of the wafer is polished by the polishing method disclosed in Patent Document 1 in order to expose the metal electrode from the back surface of the wafer, the polishing pressure by the polishing pad is high, so that the metal electrode exposed on the back surface of the wafer is recessed. This causes a problem that the upper and lower electrodes cause poor contact when the devices are stacked.

一方、研磨圧力を低減して研磨加工を行う電解研磨装置が下記特許文献2に開示されている。この電解研磨装置は、加工電極および研磨パッドが配設された研磨テーブルと、被加工物を保持する研磨ヘッドとを具備し、回転する研磨テーブルの研磨パッド上に電解液を供給しつつ研磨ヘッドに保持された被加工物を回転しながら研磨パッドに押圧することにより、被加工物を電解研磨する。   On the other hand, Patent Document 2 below discloses an electropolishing apparatus that performs polishing while reducing the polishing pressure. The electrolytic polishing apparatus includes a polishing table on which a processing electrode and a polishing pad are disposed, and a polishing head that holds a workpiece, and the polishing head supplies an electrolytic solution onto the polishing pad of the rotating polishing table. By pressing the workpiece held on the polishing pad while rotating, the workpiece is electropolished.

特開平8−99265号公報JP-A-8-99265 特開2009−108405号公報JP 2009-108405 A

而して、上記特許文献2に開示された電解研磨装置は、研磨テーブルに研磨パッドを配設し、研磨ヘッドに被加工物を保持する構成であるため、被加工物を研磨ヘッドの下面に搬送して保持させるための搬送機構が複雑となるという問題がある。   Thus, the electropolishing apparatus disclosed in Patent Document 2 has a configuration in which a polishing pad is disposed on a polishing table and the workpiece is held on the polishing head, so that the workpiece is placed on the lower surface of the polishing head. There is a problem in that the transport mechanism for transporting and holding is complicated.

本発明は上記事実に鑑みてなされたものであり、その主たる技術課題は、被加工物を被加工物保持手段に搬送する搬送機構を複雑にすることなく電解研磨を実施することができる研磨装置を提供することにある。   The present invention has been made in view of the above facts, and a main technical problem thereof is a polishing apparatus capable of performing electrolytic polishing without complicating a transport mechanism for transporting a workpiece to a workpiece holding means. Is to provide.

上記主たる技術課題を解決するため、本発明によれば、被加工物を保持し回転可能に構成されたチャックテーブルと、該チャックテーブルに保持された被加工物を研磨する研磨手段とを具備し、該研磨手段は回転スピンドルと、該回転スピンドルの下端に設けられたホイールマウントと、該ホイールマウントの下面に着脱可能に装着された研磨ホイールとからなっている、研磨装置において、
該研磨ホイールは、該ホイールマウントの下面に上面が装着されるホイール基台と、該ホイール基台の下面に装着され複数の電解液流出穴を備えた研磨パッドとを具備し、該ホイール基台には該研磨パッドに設けられた複数の電解液流出穴と連通する複数の連通穴を備えたプラス電極板およびマイナス電極板が配設されているとともに、該複数の連通穴と連通する電解液導入通路が設けられており、
該ホイールマウントは、該ホイール基台に設けられた電解液導入通路と該回転スピンドルに設けられた電解液供給通路とを連通する連通路を備えており、
該プラス電極板とマイナス電極板との間に電圧を印可する電力供給手段を具備している、
ことを特徴とする研磨装置が提供される。
In order to solve the above main technical problem, according to the present invention, there is provided a chuck table configured to hold and rotate a workpiece, and a polishing means for polishing the workpiece held on the chuck table. In the polishing apparatus, the polishing means comprises a rotating spindle, a wheel mount provided at the lower end of the rotating spindle, and a polishing wheel detachably attached to the lower surface of the wheel mount.
The polishing wheel includes a wheel base having an upper surface mounted on the lower surface of the wheel mount, and a polishing pad mounted on the lower surface of the wheel base and having a plurality of electrolyte outflow holes. Includes a positive electrode plate having a plurality of communication holes communicating with a plurality of electrolyte outflow holes provided in the polishing pad and an electrolyte solution communicating with the plurality of communication holes. There is an introduction passage,
The wheel mount includes a communication path that connects an electrolyte introduction path provided in the wheel base and an electrolyte supply path provided in the rotary spindle;
Comprising power supply means for applying a voltage between the positive electrode plate and the negative electrode plate;
A polishing apparatus is provided.

上記研磨ホイールのホイール基台には、上記プラス電極板およびマイナス電極板とそれぞれ接続され上面から突出するプラス電極端子およびマイナス電極端子が配設されており、上記ホイールマウントには、上記電力供給手段と接続されプラス電極端子およびマイナス電極端子とそれぞれ嵌合するプラス電極プラグおよびマイナス電極プラグが配設されている。   The wheel base of the grinding wheel is provided with a positive electrode terminal and a negative electrode terminal that are respectively connected to the positive electrode plate and the negative electrode plate and project from the upper surface, and the wheel mount includes the power supply means. Are connected to the positive electrode terminal and the negative electrode terminal, respectively.

本発明による研磨装置は、上記のように回転スピンドルの下端に設けられたホイールマウントに研磨ホイールを装着し、この研磨ホイールに電解液を供給しつつチャックテーブル上に保持された被加工物を電解研磨するように構成したので、チャックテーブルへの被加工物の搬入および搬出が容易であり、チャックテーブルへの被加工物の搬入・搬出機構を比較的簡単な構成とすることができる。   The polishing apparatus according to the present invention attaches the polishing wheel to the wheel mount provided at the lower end of the rotating spindle as described above, and electrolyzes the workpiece held on the chuck table while supplying an electrolytic solution to the polishing wheel. Since it is configured to polish, it is easy to load and unload the workpiece onto and from the chuck table, and the mechanism for loading and unloading the workpiece to and from the chuck table can be made relatively simple.

本発明に従って構成された研磨装置の斜視図。1 is a perspective view of a polishing apparatus configured according to the present invention. 図1に示す研磨装置を構成するホイールマウントを下方から見た状態を示す斜視図。The perspective view which shows the state which looked at the wheel mount which comprises the grinding | polishing apparatus shown in FIG. 1 from the downward direction. 図1に示す研磨装置を構成する研磨ホイールの斜視図。The perspective view of the grinding | polishing wheel which comprises the grinding | polishing apparatus shown in FIG. 図3に示す研磨ホイールを構成するホイール基台に装着された電極の配列状態を示す説明図。Explanatory drawing which shows the arrangement | sequence state of the electrode with which the wheel base which comprises the grinding | polishing wheel shown in FIG. 3 was mounted | worn. 図2に示すホイールマウントに図3に示す研磨ホイールが装着された状態を示す断面図。Sectional drawing which shows the state by which the grinding | polishing wheel shown in FIG. 3 was mounted | worn with the wheel mount shown in FIG. 図1に示す研磨装置によって被加工物を研磨している状態を示す説明図。Explanatory drawing which shows the state which grind | polishes a workpiece by the grinding | polishing apparatus shown in FIG.

以下、本発明に従って構成された研磨装置の好適な実施形態について、添付図面を参照して更に詳細に説明する。   Preferred embodiments of a polishing apparatus constructed according to the present invention will be described below in more detail with reference to the accompanying drawings.

図1には本発明に従って構成された研磨装置の斜視図が示されている。
研磨装置は、全体を番号2で示す装置ハウジングを具備している。装置ハウジング2は、細長く延在する直方体形状の主部21と、該主部21の後端部(図1において右上端)に設けられ上方に延びる直立壁22とを有している。直立壁22の前面には、上下方向に延びる一対の案内レール221、221が設けられている。この一対の案内レール221、221に研磨手段としての研磨ユニット3が上下方向に移動可能に装着されている。
FIG. 1 is a perspective view of a polishing apparatus constructed according to the present invention.
The polishing apparatus comprises an apparatus housing, generally designated 2. The apparatus housing 2 has a rectangular parallelepiped main portion 21 that extends elongated and an upright wall 22 that is provided at the rear end portion (upper right end in FIG. 1) of the main portion 21 and extends upward. A pair of guide rails 221 and 221 extending in the vertical direction are provided on the front surface of the upright wall 22. The pair of guide rails 221 and 221 is mounted with a polishing unit 3 as a polishing means so as to be movable in the vertical direction.

研磨ユニット3は、移動基台31と該移動基台31に装着されたスピンドルユニット32を具備している。移動基台31は、後面両側に上下方向に延びる一対の脚部311、311が設けられており、この一対の脚部311、311に上記一対の案内レール221、221と摺動可能に係合する被案内溝312、312が形成されている。このように直立壁22に設けられた一対の案内レール221、221に摺動可能に装着された移動基台31の前面には前方に突出した支持部313が設けられている。この支持部313にスピンドルユニット32が取り付けられる。   The polishing unit 3 includes a moving base 31 and a spindle unit 32 attached to the moving base 31. The movable base 31 is provided with a pair of legs 311 and 311 extending in the vertical direction on both sides of the rear surface. The pair of legs 311 and 311 is slidably engaged with the pair of guide rails 221 and 221. Guided grooves 312 and 312 are formed. As described above, a support portion 313 protruding forward is provided on the front surface of the movable base 31 slidably mounted on the pair of guide rails 221 and 221 provided on the upright wall 22. The spindle unit 32 is attached to the support portion 313.

スピンドルユニット32は、支持部313に装着されたスピンドルハウジング321と、該スピンドルハウジング321に回転自在に配設された回転スピンドル322と、該回転スピンドル322を回転駆動するための回転駆動手段としてのサーボモータ323とを具備している。回転スピンドル322の下端部はスピンドルハウジング321の下端を越えて下方に突出せしめられており、その下端には円板形状のホイールマウント4が設けられている。このホイールマウント4の下面に研磨ホイール5が着脱可能に装着される。ホイールマウント4および研磨ホイール5について、図2乃至図5を参照して説明する。   The spindle unit 32 includes a spindle housing 321 mounted on the support portion 313, a rotating spindle 322 rotatably disposed on the spindle housing 321, and a servo as rotation driving means for driving the rotating spindle 322 to rotate. And a motor 323. The lower end of the rotary spindle 322 protrudes downward beyond the lower end of the spindle housing 321, and a disc-shaped wheel mount 4 is provided at the lower end. A polishing wheel 5 is detachably attached to the lower surface of the wheel mount 4. The wheel mount 4 and the grinding wheel 5 will be described with reference to FIGS.

図2はホイールマウント4を下方から見た状態を示す斜視図、図3は研磨ホイール5の斜視図、図4は図3に示す研磨ホイール5を構成するホイール基台に装着された電極の配列状態を示す説明図、図5はホイールマウント4に研磨ホイール5が装着された状態を示す断面図である。
ホイールマウント4は、図2および図5に示すように円盤状に形成され、上記回転スピンドル322の下端に設けられている。このホイールマウント4には、図2に示すように周方向に間隔をおいて4個のボルト挿通穴41が設けられている。また、ホイールマウント4には、図5に示すように回転スピンドル322に設けられた電解液供給通路322aと連通し下面(装着面)に開口する連通路42が設けられている。この連通路42は、図2に示すように下面(装着面)に4個開口している。また、ホイールマウント4には、筒状の4個のプラス電極プラグ43と筒状の2個のマイナス電極プラグ44が配設されている。
2 is a perspective view of the wheel mount 4 as viewed from below, FIG. 3 is a perspective view of the grinding wheel 5, and FIG. 4 is an array of electrodes mounted on a wheel base constituting the grinding wheel 5 shown in FIG. FIG. 5 is a cross-sectional view showing a state where the grinding wheel 5 is mounted on the wheel mount 4.
The wheel mount 4 is formed in a disk shape as shown in FIGS. 2 and 5, and is provided at the lower end of the rotary spindle 322. As shown in FIG. 2, the wheel mount 4 is provided with four bolt insertion holes 41 at intervals in the circumferential direction. As shown in FIG. 5, the wheel mount 4 is provided with a communication passage 42 that communicates with an electrolyte supply passage 322a provided in the rotary spindle 322 and opens on the lower surface (mounting surface). As shown in FIG. 2, four of the communication passages 42 are opened on the lower surface (mounting surface). The wheel mount 4 is provided with four cylindrical positive electrode plugs 43 and two cylindrical negative electrode plugs 44.

研磨ホイール5は、図3に示すように円盤状に形成されたホイール基台51と、該ホイール基台51の下面に装着された研磨パッド52とからなっている。ホイール基台51には、ホイールマウント4に設けられた4個のボルト挿通孔41と対応する位置に周方向に間隔をおいて4個の雌ねじ穴511が設けられている。また、ホイール基台51には、図3および図5に示すように上記ホイールマウント4に設けられた連通路42と連通する電解液導入通路512が設けられている。この電解液導入通路512は、ホイール基台51の上面における上記ホイールマウント4に設けられた連通路42と対応する位置に開口して設けられている。ホイール基台51の下面には、図4および図5に示すように4個のプラス電極板53と4個のマイナス電極板54が装着されている。この4個のプラス電極板53および4個のマイナス電極板54は、上記ホイール基台51に設けられた電解液導入通路512と対応する位置に配設され、それぞれ電解液導入通路512と連通する複数の連通穴531および541を備えている。また、ホイール基台51には、図3に示すように上面から突出する4個のプラス電極端子55と2個のマイナス電極端子56が配設されている。この4個のプラス電極端子55は上記ホイールマウント4に配設された筒状の4個のプラス電極プラグ43と嵌合するように構成されており、2個のマイナス電極端子56は上記ホイールマウント4に配設された筒状の2個のマイナス電極プラグ44と嵌合するように構成されている。このように構成された4個のプラス電極端子55は4個のプラス電極板53と図示しない導線によってそれぞれ接続されており、2個のマイナス電極端子56は4個のマイナス電極板54の2個づつと図示しない導線によってそれぞれ接続されている。   As shown in FIG. 3, the polishing wheel 5 includes a wheel base 51 formed in a disk shape and a polishing pad 52 mounted on the lower surface of the wheel base 51. The wheel base 51 is provided with four female screw holes 511 at intervals in the circumferential direction at positions corresponding to the four bolt insertion holes 41 provided in the wheel mount 4. Further, as shown in FIGS. 3 and 5, the wheel base 51 is provided with an electrolyte introduction passage 512 that communicates with the communication passage 42 provided in the wheel mount 4. The electrolytic solution introduction passage 512 is provided to open at a position corresponding to the communication passage 42 provided in the wheel mount 4 on the upper surface of the wheel base 51. As shown in FIGS. 4 and 5, four positive electrode plates 53 and four negative electrode plates 54 are mounted on the lower surface of the wheel base 51. The four plus electrode plates 53 and the four minus electrode plates 54 are disposed at positions corresponding to the electrolyte solution introduction passages 512 provided in the wheel base 51 and communicate with the electrolyte solution introduction passages 512, respectively. A plurality of communication holes 531 and 541 are provided. The wheel base 51 is provided with four positive electrode terminals 55 and two negative electrode terminals 56 protruding from the upper surface as shown in FIG. The four plus electrode terminals 55 are configured to be fitted with four cylindrical plus electrode plugs 43 disposed on the wheel mount 4, and the two minus electrode terminals 56 are arranged on the wheel mount. 4 is configured to be fitted with two cylindrical negative electrode plugs 44 disposed in the cylinder 4. The four positive electrode terminals 55 configured in this way are connected to the four positive electrode plates 53 by conducting wires (not shown), and the two negative electrode terminals 56 are two of the four negative electrode plates 54. They are connected to each other by conductors (not shown).

上述したように構成されたホイール基台51の下面に装着された研磨パッド52はウレタンによって形成されている。この研磨パッド52には、図5に示すように上面に上記プラス電極板53に設けられた連通穴531およびマイナス電極板54に設けられた連通穴541と連通する複数の連通溝521と、該連通溝521と連通し下面に開口する複数の電解液流出穴522が設けられている。   The polishing pad 52 mounted on the lower surface of the wheel base 51 configured as described above is formed of urethane. As shown in FIG. 5, the polishing pad 52 includes a plurality of communication grooves 521 that communicate with the communication holes 531 provided in the plus electrode plate 53 and the communication holes 541 provided in the minus electrode plate 54 on the upper surface, A plurality of electrolyte outflow holes 522 communicating with the communication groove 521 and opening on the lower surface are provided.

ホイールマウント4と研磨ホイール5は以上のように構成されており、ホイールマウント4の下面(装着面)に研磨ホイール5のホイール基台51を位置付け、ホイール基台51に設けられた4個のプラス電極端子55をホイールマウント4に配設された筒状の4個のプラス電極プラグ43に嵌合するとともに、ホイール基台51に設けられた2個のマイナス電極端子56をホイールマウント4に配設された筒状の2個のマイナス電極プラグ44に嵌合する。そして、ホイールマウント4に設けられたボルト挿通孔41に締結ボルト55(図5参照)を挿通し、研磨ホイール5のホイール基台51に設けられた雌ねじ穴511に螺合することにより、図5に示すようにホイールマウント4の下面(装着面)に研磨ホイール5を装着することができる。   The wheel mount 4 and the grinding wheel 5 are configured as described above, and the wheel base 51 of the grinding wheel 5 is positioned on the lower surface (mounting surface) of the wheel mount 4 and four pluses provided on the wheel base 51 are provided. The electrode terminal 55 is fitted into four cylindrical positive electrode plugs 43 provided on the wheel mount 4, and the two negative electrode terminals 56 provided on the wheel base 51 are provided on the wheel mount 4. The two cylindrical negative electrode plugs 44 are fitted. Then, the fastening bolt 55 (see FIG. 5) is inserted into the bolt insertion hole 41 provided in the wheel mount 4 and screwed into the female screw hole 511 provided in the wheel base 51 of the grinding wheel 5, whereby FIG. As shown in FIG. 3, the polishing wheel 5 can be mounted on the lower surface (mounting surface) of the wheel mount 4.

図5を参照して説明を続けると、図示の実施形態における研磨装置は、上記4個のプラス電極板53および4個のマイナス電極板54との間に電圧を印可する電力供給手段6を具備している。電力供給手段6は、4個の直流電源61a、61b、61c、61dを備えている。一方、上記回転スピンドル322の上端部外周面には5個のスリップリング62a、62b、62c、62d、62eが配設されており、このうち4個のスリップリング62a、62b、62c、62dが上記4個の直流電源61a、61b、61c、61dのプラス(+)側に接続され、1個のスリップリング62eが4個の直流電源61a、61b、61c、61dのマイナス(−)側に接続される。なお、上記4個のスリップリング62a、62b、62c、62dは上記ホイールマウント4に配設された筒状の4個のプラス電極プラグ43に図示しない導線によってそれぞれ接続されており、1個のスリップリング62eは上記ホイールマウント4に配設された筒状の2個のマイナス電極プラグ44に図示しない導線によって接続されている。従って、電力供給手段6が作動すると、直流電源61a、61b、61c、61dからスリップリング62a、62b、62c、62d、図示しない導線および4個のプラス電極プラグ43、4個のプラス電極端子55、図示しない導線を介して4個のプラス電極板53および4個のマイナス電極板54との間に電圧が印可される。   Continuing with reference to FIG. 5, the polishing apparatus in the illustrated embodiment includes power supply means 6 for applying a voltage between the four positive electrode plates 53 and the four negative electrode plates 54. doing. The power supply means 6 includes four DC power supplies 61a, 61b, 61c, 61d. On the other hand, five slip rings 62a, 62b, 62c, 62d, and 62e are disposed on the outer peripheral surface of the upper end portion of the rotary spindle 322, and among these, four slip rings 62a, 62b, 62c, and 62d are arranged as described above. Four DC power supplies 61a, 61b, 61c, 61d are connected to the plus (+) side, and one slip ring 62e is connected to the four DC power supplies 61a, 61b, 61c, 61d on the minus (−) side. The The four slip rings 62a, 62b, 62c, 62d are respectively connected to four cylindrical positive electrode plugs 43 disposed on the wheel mount 4 by conducting wires (not shown). The ring 62e is connected to two cylindrical negative electrode plugs 44 disposed on the wheel mount 4 by a lead wire (not shown). Therefore, when the power supply means 6 is activated, the DC power sources 61a, 61b, 61c, 61d to the slip rings 62a, 62b, 62c, 62d, the conductors not shown, the four positive electrode plugs 43, the four positive electrode terminals 55, A voltage is applied between the four positive electrode plates 53 and the four negative electrode plates 54 via a lead wire (not shown).

なお、上記回転スピンドル322設けられた電解液供給通路322aは、図1に示すように電解液供給手段9に連通されている。従って、電解液供給手段9が作動すると、例えばクエン酸と砥粒が含まれた電解液が電解液供給通路322a、ホイールマウント4に設けられた連通路42、ホイール基台51に設けられた電解液導入通路512、プラス電極板53に設けられた連通穴531およびマイナス電極板54に設けられた連通穴541を介して研磨パッド52に設けられた複数の連通溝521を通り複数の電解液流出穴522から流出される。   The electrolyte supply passage 322a provided with the rotary spindle 322 is in communication with the electrolyte supply means 9 as shown in FIG. Therefore, when the electrolyte supply means 9 is operated, for example, an electrolyte containing citric acid and abrasive grains is supplied to the electrolyte supply passage 322a, the communication passage 42 provided in the wheel mount 4, and the electrolytic provided in the wheel base 51. Through the plurality of communication grooves 521 provided in the polishing pad 52 through the liquid introduction passage 512, the communication holes 531 provided in the positive electrode plate 53, and the communication holes 541 provided in the negative electrode plate 54, a plurality of electrolytes flow out. It flows out of the hole 522.

図1に戻って説明を続けると、図示の実施形態における研磨装置は、上記研磨ユニット3を上記一対の案内レール221、221に沿って上下方向(後述するチャックテーブルの保持面と垂直な方向)に移動せしめる研磨送り手段7を備えている。この研磨送り手段7は、直立壁22の前側に配設され上下方向に延びる雄ねじロッド71を具備している。この雄ねじロッド71は、その上端部および下端部が直立壁22に取り付けられた軸受部材72および73によって回転自在に支持されている。上側の軸受部材72には雄ねじロッド71を回転駆動するための駆動源としてのパルスモータ74が配設されており、このパルスモータ74の出力軸が雄ねじロッド71に伝動連結されている。移動基台31の後面にはその幅方向中央部から後方に突出する連結部(図示していない)も形成されており、この連結部には上下方向に延びる貫通雌ねじ穴が形成されており、この雌ねじ穴に上記雄ねじロッド71が螺合せしめられている。従って、パルスモータ74が正転すると移動基台31即ち研磨ユニット3が下降即ち前進せしめられ、パルスモータ74が逆転すると移動基台31即ち研磨ユニット3が上昇即ち後退せしめられる。   Referring back to FIG. 1, the polishing apparatus in the illustrated embodiment moves the polishing unit 3 in the vertical direction along the pair of guide rails 221 and 221 (in a direction perpendicular to the holding surface of the chuck table described later). A polishing feed means 7 is provided for moving to the right. The polishing feed means 7 includes a male threaded rod 71 disposed on the front side of the upright wall 22 and extending in the vertical direction. The male screw rod 71 is rotatably supported by bearing members 72 and 73 whose upper end and lower end are attached to the upright wall 22. The upper bearing member 72 is provided with a pulse motor 74 as a drive source for rotationally driving the male screw rod 71, and an output shaft of the pulse motor 74 is transmission-coupled to the male screw rod 71. A connecting portion (not shown) that protrudes rearward from the center portion in the width direction is also formed on the rear surface of the movable base 31, and a through female screw hole extending in the vertical direction is formed in this connecting portion, The male screw rod 71 is screwed into the female screw hole. Accordingly, when the pulse motor 74 rotates in the forward direction, the moving base 31, that is, the polishing unit 3 is lowered or moved forward, and when the pulse motor 74 rotates in the reverse direction, the moving base 31, that is, the polishing unit 3 is raised or moved backward.

図1を参照して説明を続けると、ハウジング2の主部21にはチャックテーブル機構8が配設されている。チャックテーブル機構8は、被加工物保持手段としてのチャックテーブル81と、該チャックテーブル81の周囲を覆うカバー部材82と、該カバー部材82の前後に配設された蛇腹手段83および84を具備している。チャックテーブル81は、図示しない回転駆動機構によって回転せしめられるようになっており、その上面に被加工物であるウエーハを図示しない吸引手段を作動することにより吸引保持するように構成されている。また、チャックテーブル81は、図示しないチャックテーブル移動手段によって図1に示す被加工物載置域24と上記研磨ユニット3を構成する研磨ホイール51と対向する研磨域25との間で移動せしめられる。蛇腹手段83および84はキャンパス布の如き適宜の材料から形成することができる。蛇腹手段83の前端は主部21の前面壁に固定され、後端はカバー部材82の前端面に固定されている。また、蛇腹手段84の前端はカバー部材82の後端面に固定され、後端は装置ハウジング2の直立壁22の前面に固定されている。チャックテーブル81が矢印23aで示す方向に移動せしめられる際には蛇腹手段83が伸張されて蛇腹手段84が収縮され、チャックテーブル81が矢印23bで示す方向に移動せしめられる際には蛇腹手段83が収縮されて蛇腹手段84が伸張せしめられる。   Continuing the description with reference to FIG. 1, the chuck table mechanism 8 is disposed in the main portion 21 of the housing 2. The chuck table mechanism 8 includes a chuck table 81 as a workpiece holding means, a cover member 82 that covers the periphery of the chuck table 81, and bellows means 83 and 84 that are disposed before and after the cover member 82. ing. The chuck table 81 is configured to be rotated by a rotation drive mechanism (not shown), and is configured to suck and hold a wafer as a workpiece on its upper surface by operating a suction means (not shown). Further, the chuck table 81 is moved between a workpiece placement area 24 shown in FIG. 1 and a polishing area 25 facing the polishing wheel 51 constituting the polishing unit 3 by a chuck table moving means (not shown). The bellows means 83 and 84 can be formed from any suitable material such as campus cloth. The front end of the bellows means 83 is fixed to the front wall of the main portion 21, and the rear end is fixed to the front end surface of the cover member 82. The front end of the bellows means 84 is fixed to the rear end surface of the cover member 82, and the rear end is fixed to the front surface of the upright wall 22 of the apparatus housing 2. When the chuck table 81 is moved in the direction indicated by the arrow 23a, the bellows means 83 is expanded and the bellows means 84 is contracted. When the chuck table 81 is moved in the direction indicated by the arrow 23b, the bellows means 83 is By contracting, the bellows means 84 is extended.

図1に基づいて説明を続けると、装置ハウジング2の主部21における前半部上には、第1のカセット11と、第2のカセット12と、被加工物仮載置手段13と、洗浄手段14と、被加工物搬送手段15と、被加工物搬入手段16および被加工物搬出手段17が配設されている。第1のカセット11は研磨加工前の被加工物を収納し、装置ハウジング2の主部21におけるカセット搬入域に載置される。このカセット11には、半導体ウエーハWが表面に保護テープTが貼着された状態で複数枚収容される。このとき、半導体ウエーハWは、裏面(被研削面)を上側にして収容される。上記第2のカセット12は装置ハウジング2の主部21におけるカセット搬出域に載置され、研磨加工後の半導体ウエーハWを収納する。上記被加工物仮載置手段13は第1のカセット11と被加工物搬入・搬出域24との間に配設され、研磨加工前の半導体ウエーハWを仮載置する。上記洗浄手段14は被加工物搬入・搬出域24と第2のカセット12との間に配設され、研磨加工後の半導体ウエーハWを洗浄する。上記被加工物搬送手段15は第1のカセット11と第2のカセット12との間に配設され、第1のカセット11内に収納された半導体ウエーハWを被加工物仮載置手段13に搬出するとともに洗浄手段14で洗浄された半導体ウエーハWを第2のカセット12に搬送する。上記被加工物搬入手段16は被加工物仮載置手段13と被加工物搬入・搬出域24との間に配設され、被加工物仮載置手段13上に載置された研磨加工前の半導体ウエーハWを被加工物搬入・搬出域24に位置付けられたチャックテーブル機構8のチャックテーブル81上に搬送する。上記被加工物搬出手段17は被加工物搬入・搬出域24と洗浄手段14との間に配設され、被加工物搬入・搬出域24に位置付けられたチャックテーブル81上に載置されている研磨加工後の半導体ウエーハWを洗浄手段14に搬送する。   The description will be continued based on FIG. 1. On the front half of the main portion 21 of the apparatus housing 2, a first cassette 11, a second cassette 12, a workpiece temporary placing means 13, and a cleaning means are provided. 14, a workpiece conveying means 15, a workpiece carrying-in means 16 and a workpiece carrying-out means 17 are arranged. The first cassette 11 stores a workpiece before polishing and is placed in a cassette carry-in area in the main portion 21 of the apparatus housing 2. A plurality of semiconductor wafers W are accommodated in the cassette 11 in a state where the protective tape T is adhered to the surface. At this time, the semiconductor wafer W is accommodated with the back surface (surface to be ground) facing upward. The second cassette 12 is placed in a cassette unloading area in the main portion 21 of the apparatus housing 2 and accommodates the semiconductor wafer W after polishing. The workpiece temporary mounting means 13 is disposed between the first cassette 11 and the workpiece loading / unloading area 24, and temporarily mounts the semiconductor wafer W before polishing. The cleaning means 14 is disposed between the workpiece loading / unloading area 24 and the second cassette 12, and cleans the semiconductor wafer W after polishing. The workpiece transport means 15 is disposed between the first cassette 11 and the second cassette 12, and the semiconductor wafer W stored in the first cassette 11 is placed on the workpiece temporary placement means 13. The semiconductor wafer W that has been unloaded and cleaned by the cleaning means 14 is transferred to the second cassette 12. The workpiece carrying-in means 16 is disposed between the workpiece temporary placing means 13 and the workpiece carrying-in / out area 24 and is placed on the workpiece temporary placing means 13 before polishing. The semiconductor wafer W is transported onto the chuck table 81 of the chuck table mechanism 8 positioned in the workpiece loading / unloading area 24. The workpiece unloading means 17 is disposed between the workpiece loading / unloading area 24 and the cleaning means 14 and is placed on a chuck table 81 positioned in the workpiece loading / unloading area 24. The polished semiconductor wafer W is transferred to the cleaning means 14.

被加工物としての半導体ウエーハWを収容した第1のカセット11は、装置ハウジング2の主部21における所定のカセット搬入域に載置される。そして、カセット搬入域に載置された第1のカセット11に収容されていた研磨加工前の半導体ウエーハWが全て搬出されると、空のカセット11に代えて複数個の半導体ウエーハWを収容した新しいカセット11が手動でカセット搬入域に載置される。一方、装置ハウジング2の主部21における所定のカセット搬出域に載置された第2のカセット12に所定数の研磨加工後の半導体ウエーハWが搬入されると、第2のカセット12が手動で搬出され、新しい空の第2のカセット12が載置される。   The first cassette 11 containing the semiconductor wafer W as a workpiece is placed in a predetermined cassette carry-in area in the main portion 21 of the apparatus housing 2. Then, when all the semiconductor wafers W before being polished that were accommodated in the first cassette 11 placed in the cassette carry-in area are unloaded, a plurality of semiconductor wafers W are accommodated in place of the empty cassette 11. A new cassette 11 is manually placed in the cassette carry-in area. On the other hand, when a predetermined number of polished semiconductor wafers W are loaded into the second cassette 12 placed in a predetermined cassette unloading area in the main portion 21 of the apparatus housing 2, the second cassette 12 is manually moved. It is unloaded and a new empty second cassette 12 is placed.

次に、上述した研磨装置によって実施する研磨作業について、主に図1および図6を参照して説明する。
第1のカセット11に収容された研磨加工前の被加工物としての半導体ウエーハWは被加工物搬送手段15の上下動作および進退動作により搬送され、被加工物仮載置手段13に載置される。被加工物仮載置手段13に載置された半導体ウエーハWは、ここで中心合わせが行われた後に被加工物搬入手段16の旋回動作によって被加工物搬入・搬出域24に位置せしめられているチャックテーブル機構8のチャックテーブル81上に載置される。チャックテーブル81上に載置された被加工物としての半導体ウエーハWは、図示しない吸引手段によってチャックテーブル81上に吸引保持される。
Next, the polishing operation performed by the above-described polishing apparatus will be described mainly with reference to FIGS.
The semiconductor wafer W as a workpiece before polishing, which is accommodated in the first cassette 11, is transported by the vertical movement and advancing / retreating operation of the workpiece conveying means 15 and is placed on the workpiece temporary placing means 13. The The semiconductor wafer W mounted on the workpiece temporary mounting means 13 is positioned in the workpiece loading / unloading area 24 by the turning operation of the workpiece loading means 16 after being centered here. Is mounted on a chuck table 81 of the chuck table mechanism 8. A semiconductor wafer W as a workpiece placed on the chuck table 81 is sucked and held on the chuck table 81 by suction means (not shown).

チャックテーブル81上に半導体ウエーハWを吸引保持したならば、図示しないチャックテーブル移動手段を作動してチャックテーブル81を矢印23aで示す方向に移動し、研磨域25に位置付ける。半導体ウエーハWを保持したチャックテーブル81が研磨域に位置付けたならば、研磨液供給手段9を作動するとともに、上記電力供給手段6を作動する。そして、図6に示すように半導体ウエーハWを保持したチャックテーブル81を矢印81aで示す方向に例えば70rpmで回転し、上記サーボモータ323を駆動して研磨ホイール5を矢印5aで示す方向に例えば50rpmで回転するとともに、上記研磨送り手段7のパルスモータ74を正転駆動して研磨ユニット3を下降即ち前進せしめ、研磨ホイール5の研磨パッド52をチャックテーブル81上の半導体ウエーハWの裏面(上面)に所定の荷重で押圧する。このように研磨液供給手段を作動すると上述したように電解液が電解液供給通路322a、ホイールマウント4に設けられた連通路42、ホイール基台51に設けられた電解液導入通路512、プラス電極板53に設けられた連通穴531およびマイナス電極板54に設けられた連通穴541を介して研磨パッド52に設けられた複数の連通溝521を通り複数の電解液流出穴522からチャックテーブル81に保持された半導体ウエーハWの裏面(上面)に流出される。一方、電力供給手段6が作動すると上述したように直流電源61a、61b、61c、61dからスリップリング62a、62b、62c、62d、図示しない導線および4個のプラス電極プラグ43、4個のプラス電極端子55、図示しない導線を介して4個のプラス電極板53および4個のマイナス電極板54との間に電圧が印可され、電解液を介してプラス電極板53とマイナス電極板54とが電気的に接続されて、チャックテーブル81に保持された半導体ウエーハWの裏面(上面)が電解研磨され、例えば半導体ウエーハWの裏面に積層された金属膜を除去することができる。このように半導体ウエーハWは電解研磨されるので、研磨ホイール5による押圧力を低減することができ、例えば半導体ウエーハWに金属電極が埋設されている場合に金属電極に凹みが生ずることがない。   When the semiconductor wafer W is sucked and held on the chuck table 81, the chuck table moving means (not shown) is operated to move the chuck table 81 in the direction indicated by the arrow 23a and position it in the polishing area 25. When the chuck table 81 holding the semiconductor wafer W is positioned in the polishing zone, the polishing liquid supply means 9 is activated and the power supply means 6 is activated. Then, as shown in FIG. 6, the chuck table 81 holding the semiconductor wafer W is rotated in a direction indicated by an arrow 81a at, for example, 70 rpm, and the servo motor 323 is driven to move the polishing wheel 5 in a direction indicated by an arrow 5a, for example, 50 rpm. And the pulse motor 74 of the polishing feed means 7 is driven to rotate forward to lower or advance the polishing unit 3, and the polishing pad 52 of the polishing wheel 5 is moved to the back surface (upper surface) of the semiconductor wafer W on the chuck table 81. Is pressed with a predetermined load. When the polishing liquid supply means is operated in this way, as described above, the electrolyte is supplied with the electrolyte supply path 322a, the communication path 42 provided in the wheel mount 4, the electrolyte introduction path 512 provided in the wheel base 51, and the positive electrode. Through the communication holes 531 provided in the plate 53 and the communication holes 541 provided in the negative electrode plate 54, the plurality of communication grooves 521 provided in the polishing pad 52 are passed through the plurality of electrolyte outflow holes 522 to the chuck table 81. It flows out to the back surface (upper surface) of the held semiconductor wafer W. On the other hand, when the power supply means 6 is operated, as described above, the DC power supplies 61a, 61b, 61c, 61d to the slip rings 62a, 62b, 62c, 62d, the conductors not shown, the four positive electrode plugs 43, and the four positive electrodes. A voltage is applied between the four positive electrode plates 53 and the four negative electrode plates 54 via the terminal 55 and a conductive wire (not shown), and the positive electrode plate 53 and the negative electrode plate 54 are electrically connected via the electrolytic solution. Thus, the back surface (upper surface) of the semiconductor wafer W held on the chuck table 81 is electrolytically polished, and for example, the metal film laminated on the back surface of the semiconductor wafer W can be removed. Thus, since the semiconductor wafer W is electrolytically polished, the pressing force by the polishing wheel 5 can be reduced. For example, when the metal electrode is embedded in the semiconductor wafer W, the metal electrode is not depressed.

上記のようにして、研磨作業が終了したら、研磨液供給手段9および電力供給手段6の作動を停止し、研磨送り手段7のパルスモータ74を逆転駆動してスピンドルユニット32を所定位置まで上昇させるとともに、研磨ホイール5の回転を停止し、更に、チャックテーブル81の回転を停止する。そして、チャックテーブル81を被加工物搬入・搬出域24(図1参照)に位置付ける。チャックテーブル81が被加工物搬入・搬出域24に位置付けられたならば、チャックテーブル81上の研磨加工された半導体ウエーハWの吸引保持が解除され、吸引保持が解除された半導体ウエーハWは被加工物搬出手段17により搬出されて洗浄手段14に搬送される。洗浄手段14に搬送された半導体ウエーハWは、ここで洗浄された後に被加工物搬送手段15よって第2のカセット12の所定位置に収納される。   When the polishing operation is completed as described above, the operations of the polishing liquid supply means 9 and the power supply means 6 are stopped, and the pulse motor 74 of the polishing feed means 7 is driven in reverse to raise the spindle unit 32 to a predetermined position. At the same time, the rotation of the polishing wheel 5 is stopped, and further, the rotation of the chuck table 81 is stopped. Then, the chuck table 81 is positioned in the workpiece loading / unloading area 24 (see FIG. 1). If the chuck table 81 is positioned in the workpiece loading / unloading area 24, the suction holding of the polished semiconductor wafer W on the chuck table 81 is released, and the semiconductor wafer W whose suction holding is released is processed. It is unloaded by the object unloading means 17 and conveyed to the cleaning means 14. The semiconductor wafer W transferred to the cleaning means 14 is cleaned here and then stored in a predetermined position of the second cassette 12 by the workpiece transfer means 15.

以上のように図示の実施形態における研磨装置は、回転スピンドル322の下端に設けられたホイールマウント4に研磨ホイール5を装着し、この研磨ホイール5に電解液を供給しつつチャックテーブル81上に保持された被加工物を電解研磨するように構成したので、チャックテーブル81への被加工物の搬入および搬出が容易である。従って、上述した従来の電解研磨装置のように回転スピンドル側に装着された研磨ヘッドに被加工物を保持する構成のものと比較して、被加工物搬入手段16および被加工物搬出手段17を比較的簡単な構成とすることができる。
また、実施形態における研磨装置は、電力供給手段6の直流電源を4つに分割しているので、小型の直流電源を適宜調整して大型の電源に代えることができる。
As described above, the polishing apparatus in the illustrated embodiment has the polishing wheel 5 mounted on the wheel mount 4 provided at the lower end of the rotary spindle 322, and is held on the chuck table 81 while supplying the electrolytic solution to the polishing wheel 5. Since the processed workpiece is electropolished, it is easy to carry the workpiece into and out of the chuck table 81. Therefore, the workpiece carrying-in means 16 and the workpiece carrying-out means 17 are compared with a construction in which the workpiece is held by the polishing head mounted on the rotary spindle side as in the conventional electrolytic polishing apparatus described above. A relatively simple configuration can be obtained.
In the polishing apparatus according to the embodiment, the DC power source of the power supply means 6 is divided into four, so that a small DC power source can be appropriately adjusted and replaced with a large power source.

2:装置ハウジング
3:研磨ユニット
31:移動基台
32:スピンドルユニット
321:スピンドルハウジング
322:回転スピンドル
323:サーボモータ
4:ホイールマウント
43:プラス電極プラグ
44:マイナス電極プラグ
5:研磨ホイール
51:ホイール基台
52:研磨パッド
53:プラス電極板
54:マイナス電極板
55:プラス電極端子
56:マイナス電極端子
6:電力供給手段
7:研磨ユニット送り機構
8:チャックテーブル機構
81:チャックテーブル
11:第1のカセット
12:第2のカセット
13:被加工物仮載置手段
14:洗浄手段
15:被加工物搬送手段
16:被加工物搬入手段
17:被加工物搬出手段
2: Device housing 3: Polishing unit 31: Moving base 32: Spindle unit 321: Spindle housing 322: Rotating spindle 323: Servo motor 4: Wheel mount 43: Positive electrode plug 44: Negative electrode plug 5: Polishing wheel 51: Wheel Base 52: Polishing pad 53: Positive electrode plate 54: Negative electrode plate 55: Positive electrode terminal 56: Negative electrode terminal 6: Power supply means 7: Polishing unit feed mechanism 8: Chuck table mechanism 81: Chuck table 11: First Cassette 12: Second cassette 13: Temporary workpiece placing means 14: Cleaning means 15: Workpiece conveying means 16: Workpiece carrying means 17: Workpiece carrying means

Claims (2)

被加工物を保持し回転可能に構成されたチャックテーブルと、該チャックテーブルに保持された被加工物を研磨する研磨手段とを具備し、該研磨手段は回転スピンドルと、該回転スピンドルの下端に設けられたホイールマウントと、該ホイールマウントの下面に着脱可能に装着された研磨ホイールとからなっている、研磨装置において、
該研磨ホイールは、該ホイールマウントの下面に上面が装着されるホイール基台と、該ホイール基台の下面に装着され複数の電解液流出穴を備えた研磨パッドとを具備し、該ホイール基台には該研磨パッドに設けられた複数の電解液流出穴と連通する複数の連通穴を備えたプラス電極板およびマイナス電極板が配設されているとともに、該複数の連通穴と連通する電解液導入通路が設けられており、
該ホイールマウントは、該ホイール基台に設けられた電解液導入通路と該回転スピンドルに設けられた電解液供給通路とを連通する連通路を備えており、
該プラス電極板とマイナス電極板との間に電圧を印可する電力供給手段を具備している、
ことを特徴とする研磨装置。
A chuck table configured to hold and rotate a workpiece, and a polishing means for polishing the workpiece held on the chuck table. The polishing means is provided on a rotating spindle and a lower end of the rotating spindle. In a polishing apparatus comprising a provided wheel mount and a polishing wheel detachably attached to the lower surface of the wheel mount,
The polishing wheel includes a wheel base having an upper surface mounted on the lower surface of the wheel mount, and a polishing pad mounted on the lower surface of the wheel base and having a plurality of electrolyte outflow holes. Includes a positive electrode plate having a plurality of communication holes communicating with a plurality of electrolyte outflow holes provided in the polishing pad and an electrolyte solution communicating with the plurality of communication holes. There is an introduction passage,
The wheel mount includes a communication path that connects an electrolyte introduction path provided in the wheel base and an electrolyte supply path provided in the rotary spindle;
Comprising power supply means for applying a voltage between the positive electrode plate and the negative electrode plate;
A polishing apparatus characterized by that.
該研磨ホイールの該ホイール基台には、該プラス電極板および該マイナス電極板とそれぞれ接続され上面から突出するプラス電極端子およびマイナス電極端子が配設されており、該ホイールマウントには、該電力供給手段と接続され該プラス電極端子および該マイナス電極端子とそれぞれ嵌合するプラス電極プラグおよびマイナス電極プラグが配設されている、請求項1記載の研磨装置。   The wheel base of the grinding wheel is provided with a positive electrode terminal and a negative electrode terminal that are respectively connected to the positive electrode plate and the negative electrode plate and project from the upper surface. The polishing apparatus according to claim 1, wherein a plus electrode plug and a minus electrode plug connected to the supply means and fitted to the plus electrode terminal and the minus electrode terminal, respectively, are disposed.
JP2009283232A 2009-12-14 2009-12-14 Polishing equipment Active JP5378971B2 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2009283232A JP5378971B2 (en) 2009-12-14 2009-12-14 Polishing equipment

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2009283232A JP5378971B2 (en) 2009-12-14 2009-12-14 Polishing equipment

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2011122230A JP2011122230A (en) 2011-06-23
JP5378971B2 true JP5378971B2 (en) 2013-12-25

Family

ID=44286390

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2009283232A Active JP5378971B2 (en) 2009-12-14 2009-12-14 Polishing equipment

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP5378971B2 (en)

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP7096752B2 (en) * 2018-10-15 2022-07-06 株式会社ディスコ Grinding device
JP7281226B2 (en) * 2018-12-14 2023-05-25 大連理工大学 Photoelectrochemical mechanical polishing processing apparatus and processing method for semiconductor wafer
CN114148387B (en) * 2021-11-16 2023-03-28 徐州鑫晶半导体科技有限公司 Bearing trolley for planet wheel of polishing machine

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0899265A (en) * 1994-09-30 1996-04-16 Disco Abrasive Syst Ltd Polishing device
JP2002025959A (en) * 2000-07-06 2002-01-25 Canon Inc Grinding apparatus of semiconductor substrate
JP2002190461A (en) * 2000-12-22 2002-07-05 Nikon Corp Method and apparatus for cmp polishing, and method for manufacturing semiconductor device
JP2002334858A (en) * 2001-05-10 2002-11-22 Canon Inc Apparatus for polishing semiconductor wafer
JP4464113B2 (en) * 2003-11-27 2010-05-19 株式会社ディスコ Wafer processing equipment
JP4790322B2 (en) * 2005-06-10 2011-10-12 株式会社ディスコ Processing apparatus and processing method
JP2009108405A (en) * 2007-10-10 2009-05-21 Ebara Corp Electrolytic polishing method and apparatus of substrate

Also Published As

Publication number Publication date
JP2011122230A (en) 2011-06-23

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US6969308B2 (en) Method and apparatus for chemical and mechanical polishing
KR100709457B1 (en) Semiconductor wafer grinding method
TWI577496B (en) Cleaning module and process for particle reduction
US20140209239A1 (en) Methods and apparatus for post-chemical mechanical planarization substrate cleaning
JP5916513B2 (en) Processing method of plate
JP5320014B2 (en) Grinding equipment
JPWO2019013042A1 (en) Substrate processing system, substrate processing method, and computer storage medium
JP5731158B2 (en) Processing equipment
JP2009160700A (en) Polishing device
JP5378971B2 (en) Polishing equipment
JP5378727B2 (en) Processing equipment equipped with a bite tool
TWI523096B (en) Wafer polishing tool and method for wafer polishing
JP2008036744A (en) Polishing device
JP5730127B2 (en) Grinding method
JPH11104942A (en) Method of and device for polishing work edge
JP2011143516A (en) Machining device
JP5350127B2 (en) Workpiece grinding method
JP5590477B2 (en) Polishing equipment
JP2017204606A (en) Manufacturing method of wafer
JP4477974B2 (en) Polishing equipment
JP2011056615A (en) Dressing method for polishing pad
JP2004058221A (en) Dressing board and method of its manufacture
JP2003236752A (en) Polisher
JP2003086545A (en) Device for removing processing strain
JP2003303797A (en) Polishing equipment

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20121126

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20130823

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20130903

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20130926

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 5378971

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250