JP5340674B2 - Substrate processing equipment - Google Patents

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Description

本発明は、シート状の基材の表面に連続的に化合物を析出させる基材処理装置に関するものである。   The present invention relates to a substrate processing apparatus for continuously depositing a compound on the surface of a sheet-like substrate.

従来より、液相析出法による金属酸化物被膜の作成方法が種々提案されている。例えば、酸化チタン、酸化珪素、酸化鉄、酸化亜鉛、硫化カドミウムなどの化合物を基材の表面に析出させる場合に、基材を溶液中に浸漬させ、又は、ロール状の基材を溶液中に浸漬させ、一定時間浸漬させた後に引き上げる方法などが提案されている(例えば、特許文献1、特許文献2参照)。
特開平11−243223号公報 特開2001−294408公報
Conventionally, various methods for producing metal oxide films by liquid phase deposition have been proposed. For example, when a compound such as titanium oxide, silicon oxide, iron oxide, zinc oxide, cadmium sulfide is deposited on the surface of the substrate, the substrate is immersed in the solution, or a roll-shaped substrate is immersed in the solution. A method of immersing and pulling up after immersing for a certain time has been proposed (see, for example, Patent Document 1 and Patent Document 2).
JP-A-11-243223 JP 2001-294408 A

上記のような化合物の析出方法であると、一定時間基材を溶液中に浸漬させる必要があり、生産時間が長くなり、生産性が低下するという問題点があった。   In the case of the compound precipitation method as described above, it is necessary to immerse the base material in the solution for a certain period of time, resulting in a problem that the production time becomes long and the productivity is lowered.

そこで、本発明は上記問題点に鑑み、シート状の基材を連続して処理することができる基材処理装置を提案することを目的とする。   Then, in view of the said problem, this invention aims at proposing the base-material processing apparatus which can process a sheet-like base material continuously.

本発明は、塗工対象である基材を下半分で前後方向に搬送するバックアップロールと、前記バックアップロールの前記下半分を溶液で浸漬するための液槽と、前記液槽の前部に設けられた前記溶液の排出槽と、前記バックアップロールと前記液槽との間であって、前記バックアップロールの幅より狭く前記基材より広い位置に設けられた一対の隔壁と、前記液槽の後部から前記液槽内部の一対の隔壁の間に溶液を供給する供給部と、を有した基材処理装置である。 The present invention provides a backup roll for transporting the substrate to be coated in the front-rear direction in the lower half, a liquid tank for immersing the lower half of the backup roll in the solution, and a front part of the liquid tank A pair of partition walls disposed between the backup roll and the liquid tank at a position narrower than a width of the backup roll and wider than the base material, and a rear part of the liquid tank. And a supply unit for supplying a solution between a pair of partition walls inside the liquid tank.

本発明によれば、バックアップロールによって搬送される基材を連続的に処理することができる。   According to this invention, the base material conveyed with a backup roll can be processed continuously.

以下、本発明の一実施形態の基材処理装置10について図1及び図2に基づいて説明する。   Hereinafter, the base material processing apparatus 10 of one Embodiment of this invention is demonstrated based on FIG.1 and FIG.2.

本実施形態における基材処理装置10によって処理される基材としては、例えば合成樹脂製フィルム、金属箔などであって、溶液に浸漬させて基材の表面に析出させる化合物としては、例えば酸化アルミニウム、酸化亜鉛、酸化チタン、硫化カドミウムである。   As a base material processed by the base-material processing apparatus 10 in this embodiment, it is a synthetic resin film, metal foil, etc. Comprising: As a compound immersed in a solution and depositing on the surface of a base material, it is aluminum oxide, for example Zinc oxide, titanium oxide, cadmium sulfide.

(1)基材処理装置10の構成
基材処理装置10の構造について、図1及び図2に基づいて説明する。
(1) Configuration of the substrate processing apparatus 10 The structure of the substrate processing apparatus 10 will be described with reference to FIGS. 1 and 2.

基材処理装置10は、バックアップロール12と液槽14とを備えている。   The substrate processing apparatus 10 includes a backup roll 12 and a liquid tank 14.

バックアップロール12は、図1において、反時計回りに回転し、その下半分で基材Wを前後方向(図1においては左から右)に搬送するものである。バックアップロール12の前方には第1案内ロール16が配され、後方には第2案内ロール18が配され、基材Wは、第1案内ロール、バックアップロール12及び第2案内ロール18の順番で通過する。このバックアップロール12の直径は200〜2000mm、好ましくは600mm〜1500mmであり、ステンレス製である。そして、基材Wを1〜10m/分の搬送速度Vで搬送させる。また、このバックアップロール12は、50〜100℃、好ましくは80℃〜100℃に加温されている。   The backup roll 12 rotates counterclockwise in FIG. 1, and conveys the substrate W in the front-rear direction (left to right in FIG. 1) in its lower half. A first guide roll 16 is disposed in front of the backup roll 12, a second guide roll 18 is disposed in the rear, and the base material W is in the order of the first guide roll, the backup roll 12, and the second guide roll 18. pass. The backup roll 12 has a diameter of 200 to 2000 mm, preferably 600 mm to 1500 mm, and is made of stainless steel. And the base material W is conveyed with the conveyance speed V of 1-10 m / min. The backup roll 12 is heated to 50 to 100 ° C, preferably 80 to 100 ° C.

液槽14は、バックアップロール12の下半分、すなわち基材Wが搬送されている部分を収納するものであり、図1に示すように側面から見るとほぼ縦断面形状が半円形となっている。この半円形の大きさは、バックアップロール12の直径よりやや大きい程度、具体的にはバックアップロール12の直径より10〜100mm大きく設計されている。   The liquid tank 14 accommodates the lower half of the backup roll 12, that is, the portion where the substrate W is transported, and has a semicircular shape when viewed from the side as shown in FIG. . The semicircular size is designed to be slightly larger than the diameter of the backup roll 12, specifically 10 to 100 mm larger than the diameter of the backup roll 12.

また、この液槽14は、不図示のジャケットに覆われ、バックアップロール12と同様に50〜100℃、好ましくは80℃〜100℃に加温されている。なお、この加温される温度は、用いられる溶液の析出温度以上に加温させる。この加温方法としては、ジャケットと液槽14との間に加温した水を流す。   The liquid tank 14 is covered with a jacket (not shown), and is heated to 50 to 100 ° C., preferably 80 to 100 ° C., similarly to the backup roll 12. The temperature to be heated is higher than the precipitation temperature of the solution used. As this heating method, warmed water is allowed to flow between the jacket and the liquid tank 14.

液槽14の底面には、図2に示すように、基材Wの両側よりもやや広い位置に、隔壁28を設けている。この一対の隔壁28,28を設ける理由は、基材Wの部分だけ溶液が流れるようにして出来るだけ濃度の高い溶液が基材Wに接触するようにするためである。   As shown in FIG. 2, a partition wall 28 is provided on the bottom surface of the liquid tank 14 at a position slightly wider than both sides of the base material W. The reason for providing the pair of partition walls 28, 28 is to allow the solution to flow only through the portion of the substrate W so that a solution having a concentration as high as possible contacts the substrate W.

液槽14の前部には、溶液を溜めるための排出槽20が液槽14とは独立して設けられている。液槽14の後方には、液槽14の後部から溶液を供給する供給管22が設けられている。   A discharge tank 20 for storing the solution is provided in front of the liquid tank 14 independently of the liquid tank 14. A supply pipe 22 for supplying the solution from the rear part of the liquid tank 14 is provided behind the liquid tank 14.

液槽14と排出槽20とは一体となって、図1に示すように上下動可能となっている。すなわち、基材処理装置10を駆動させない場合には、液槽14と排出槽20とを下方に移動させて待機させておく。   The liquid tank 14 and the discharge tank 20 are integrated and can be moved up and down as shown in FIG. That is, when the substrate processing apparatus 10 is not driven, the liquid tank 14 and the discharge tank 20 are moved downward to be on standby.

第1案内ロール16と第2案内ロール18の下方には、不要な溶液を受けるための受け皿24,26が設けられている。   Under the first guide roll 16 and the second guide roll 18, trays 24 and 26 for receiving unnecessary solutions are provided.

(2)基材処理装置10の動作状態
次に、基材処理装置10の動作状態について説明する。
(2) Operation State of Substrate Processing Apparatus 10 Next, an operation state of the substrate processing apparatus 10 will be described.

基材Wを第1案内ロール16からバックアップロール12の下半分を経て第2案内ロール18に案内されるように掛け渡し、バックアップロール12を図1において反時計回りに搬送速度Vで回転させる。   The substrate W is passed from the first guide roll 16 through the lower half of the backup roll 12 to be guided to the second guide roll 18, and the backup roll 12 is rotated counterclockwise in FIG.

また、供給管22から、溶液を液槽14の後部から流し、バックアップロール12の下半分が浸漬されるようにした後、余った溶液は排出槽20に流れるようにする。この場合に、図1に示すように、供給管22から供給された溶液はバックアップロール12の回転方向とは反対側である後部から前部に流れて溶液と基材Wが接触させる。このバックアップロール12によって基材Wが液槽14の溶液に浸漬されている時間は化合物が析出するのに必要な時間に対応し、バックアップロール12の直径と基材Wが、接液している時間長さに対応し、具体的には接液時間=接液長さ/搬送速度となる。例えば、前記のようなバックアップロール12の直径と搬送速度Vによると、この接液時間としては1〜10分となる。   In addition, the solution is allowed to flow from the rear of the liquid tank 14 through the supply pipe 22 so that the lower half of the backup roll 12 is immersed, and then the excess solution is allowed to flow into the discharge tank 20. In this case, as shown in FIG. 1, the solution supplied from the supply pipe 22 flows from the rear portion on the opposite side to the rotation direction of the backup roll 12 to the front portion, and the solution and the substrate W are brought into contact with each other. The time during which the substrate W is immersed in the solution in the liquid tank 14 by the backup roll 12 corresponds to the time required for the compound to precipitate, and the diameter of the backup roll 12 and the substrate W are in contact with each other. Corresponding to the time length, specifically, liquid contact time = liquid contact length / conveying speed. For example, according to the diameter of the backup roll 12 and the conveying speed V as described above, the liquid contact time is 1 to 10 minutes.

液槽14には、基材Wの移動方向とは反対方向に溶液が流れているため、溶液中の化合物濃度が上流側、すなわち液槽14の後部側ほど高くなっている。そのため、基材Wが液槽14内部を通過しても、上流から下流に渡って常に高い濃度の溶液に接液し、均一に化合物が析出できる。その上、液槽14の縦断面形状が半円形であり、バックアップロール12の直径よりやや大きい程度に設計されているために、バックアップロール12に搬送される基材Wの外側周囲を常に溶液が反対方向に流れる。   Since the solution flows in the liquid tank 14 in the direction opposite to the moving direction of the substrate W, the concentration of the compound in the solution is higher on the upstream side, that is, on the rear side of the liquid tank 14. Therefore, even if the base material W passes through the inside of the liquid tank 14, it can always come into contact with a solution having a high concentration from upstream to downstream, and the compound can be deposited uniformly. In addition, since the vertical cross-sectional shape of the liquid tank 14 is semicircular and is designed to be slightly larger than the diameter of the backup roll 12, the solution is always around the outside of the substrate W conveyed to the backup roll 12. It flows in the opposite direction.

また、化学反応及び析出に適した温度にバックアップロール12と液槽14とが加温されているため、その化学反応及び析出を促進させることができる。   Moreover, since the backup roll 12 and the liquid tank 14 are heated to a temperature suitable for chemical reaction and precipitation, the chemical reaction and precipitation can be promoted.

さらに、図2に示しように、基材Wにのみ溶液ができるだけ流れるようにするために、一対の隔壁28,28を設けているため、より析出を促進させることができる。   Furthermore, as shown in FIG. 2, since the pair of partition walls 28 and 28 are provided in order to make the solution flow only on the substrate W as much as possible, precipitation can be further promoted.

(3)変更例1
本発明は上記各実施形態に限らず、その主旨を逸脱しない限り種々に変更することができる。
(3) Modification 1
The present invention is not limited to the above-described embodiments, and various modifications can be made without departing from the gist thereof.

上記実施形態においては、バックアップロール12と液槽14とを備えた一台の基材処理装置のみ用いたが、接液時間がこの1台の基材処理装置10だけでは十分に取れない場合には、同様の基材処理装置10を複数直列に並べて、接液時間の合計時間を増やすようにしてもよい。すなわち、第2案内ロール18の後にさらに基材処理装置10とを設ける。   In the above-described embodiment, only one substrate processing apparatus including the backup roll 12 and the liquid tank 14 is used. However, when the liquid contact time cannot be sufficiently obtained by the single substrate processing apparatus 10 alone. The same base material processing apparatus 10 may be arranged in series to increase the total time of the liquid contact time. That is, the substrate processing apparatus 10 is further provided after the second guide roll 18.

この変更例1によっても、連続して基材Wに化合物を析出させることができる。   Also according to the first modification, the compound can be continuously deposited on the substrate W.

(5)変更例2
上記実施形態では液槽14の後部に排出槽20を設けたが、この排出槽20を設けず、液槽14の後端部から溶液を缶などを用いて外部に排出させてもよい。
(5) Modification 2
In the above embodiment, the discharge tank 20 is provided at the rear part of the liquid tank 14, but the discharge tank 20 may not be provided, and the solution may be discharged to the outside from the rear end part of the liquid tank 14 using a can or the like.

本発明の一実施形態を示す基材処理装置10の側方から見た縦断面図である。It is the longitudinal cross-sectional view seen from the side of the substrate processing apparatus 10 which shows one Embodiment of this invention. 基材処理装置の後方から見た縦断面図である。It is the longitudinal cross-sectional view seen from the back of a base-material processing apparatus.

符号の説明Explanation of symbols

10 基材処理装置
12 バックアップロール
14 液槽
16 第1案内ロール
18 第2案内ロール
20 排出槽
22 供給管
DESCRIPTION OF SYMBOLS 10 Base material processing apparatus 12 Backup roll 14 Liquid tank 16 1st guide roll 18 2nd guide roll 20 Discharge tank 22 Supply pipe

Claims (3)

塗工対象である基材を下半分で前後方向に搬送するバックアップロールと、
前記バックアップロールの前記下半分を溶液で浸漬するための液槽と、
前記液槽の前部に設けられた前記溶液の排出槽と、
前記バックアップロールと前記液槽との間であって、前記バックアップロールの幅より狭く前記基材より広い位置に設けられた一対の隔壁と、
前記液槽の後部から前記液槽内部の一対の隔壁の間に溶液を供給する供給部と、
を有した基材処理装置。
A backup roll that conveys the substrate to be coated in the front-rear direction in the lower half;
A liquid bath for immersing the lower half of the backup roll with a solution;
A discharge tank for the solution provided at the front of the liquid tank;
A pair of partition walls provided between the backup roll and the liquid tank, which are narrower than the width of the backup roll and wider than the base material,
A supply unit for supplying a solution between a pair of partition walls inside the liquid tank from a rear part of the liquid tank;
A substrate processing apparatus having
前記バックアップロールと前記液槽とが、任意の温度に加温されている、
請求項1記載の基材処理装置。
The backup roll and the liquid tank are heated to an arbitrary temperature,
The substrate processing apparatus according to claim 1.
前記基材を、請求項1記載の複数の基材処理装置によって連続して処理する、
連続基材処理装置。
The substrate is continuously processed by a plurality of substrate processing apparatuses according to claim 1,
Continuous substrate processing equipment.
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