JP5340209B2 - 光起電力素子およびその製造方法 - Google Patents
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Description
図1は、本発明の実施の形態1にかかるスーパーストレート型の光起電力素子である薄膜太陽電池の構成を示す断面図である。実施の形態1にかかる薄膜太陽電池は、透光性基板1の上に、乱反射領域3が内部に分布した下部透明電極層(第1電極層)2、半導体光電変換層4、上部透明電極層(第2電極層)5、金属反射層6が順次積層された構成を有する。この薄膜太陽電池においては、基板1側から光を入射させる。
図5は、本発明の実施の形態2にかかるスーパーストレート型の薄膜太陽電池の構成を示す断面図である。図5において、実施の形態1の図1と同様の部材については同じ符号を付し、詳細な説明は省略する。図5に示すように実施の形態2にかかるスーパーストレート型の薄膜太陽電池は、透光性基板1の上に、乱反射領域3が内部に分布した下部透明電極層(第1電極層)2、半導体光電変換層4、乱反射領域8が内部に分布した上部透明電極層(第2電極層)5、金属反射層6が順次積層された構成を有する。この薄膜太陽電池においては、基板1側から光を入射させる。
図6は、本発明の実施の形態3にかかるサブストレート型の薄膜太陽電池の構成を示す断面図である。図6において、実施の形態1の図1と同様の部材については同じ符号を付し、詳細な説明は省略する。図6に示すように実施の形態3にかかるサブストレート型の薄膜太陽電池は、基板9の上に、金属反射層6、下部透明電極層(第1電極層)2、半導体光電変換層4、乱反射領域8が内部に分布した上部透明電極層(第2電極層)5が順次積層された構成を有する。この薄膜太陽電池においては、上部透明電極層5側から光を入射させる。
図7は、本発明の実施の形態4にかかるサブストレート型の薄膜太陽電池の構成を示す断面図である。図7において、実施の形態1の図1と同様の部材については同じ符号を付し、詳細な説明は省略する。図7に示すように実施の形態4にかかるサブストレート型の薄膜太陽電池は、基板9の上に、金属反射層6、乱反射領域3が内部に分布した下部透明電極層2、半導体光電変換層4、乱反射領域8が内部に分布した上部透明電極層5が順次積層された構成を有する。この薄膜太陽電池においては、上部透明電極層5側から光を入射させる。
図8は、本発明の実施の形態5にかかるスーパーストレート型の薄膜太陽電池の構成を示す断面図である。実施の形態5にかかる薄膜太陽電池の基本的な構成は実施の形態1にかかるスーパーストレート型の薄膜太陽電池の構成と同じである。実施の形態5にかかる薄膜太陽電池が実施の形態1にかかる薄膜太陽電池と異なる点は、複数の周期を重ね合わせたレーザ照射位置でのレーザ照射により乱反射領域3が形成されていることである。すなわち、実施の形態5にかかる乱反射領域3は、下部透明電極層2の面内において複数の周期を重ね合わせた位置に形成されている。
2 下部透明電極層
3 乱反射領域
4 半導体光電変換層
5 上部透明電極層
6 金属反射層
7 拡散源層
8 乱反射領域
9 基板
10 レーザ照射位置
11 2つ目の乱反射領域
12a 1つ目の周期配置のレーザ照射位置
12b 2つ目の周期配置のレーザ照射位置
12c 3つ目の周期配置のレーザ照射位置
L レーザ
Claims (14)
- 基板上に第1電極層と光電変換を行う光電変換層と第2電極層とをこの順で有し、
前記第1電極層または前記第2電極層のうち光の入射側の電極層が、前記基板と反対側の表面が平坦であり且つ前記光の入射側の電極層内において局所的に屈折率が他の領域と異なり光を乱反射させる乱反射領域を膜内部に有する透明電極層であり、
前記乱反射領域は、
前記光の入射側の電極層中に不純物が拡散されて形成されて主成分組成が前記光の入射側の電極層における前記乱反射領域以外の領域と同一とされ、
前記基板と反対側の面が、前記光の入射側の電極層の前記基板と反対側の面と同一平面上にある平坦面であり、
前記基板の面方向における面積が前記基板と反対側の面から前記基板側に向かって縮小する形状を有すること、
を特徴とする光起電力素子。 - 前記第1電極層が前記透明電極層であり、
前記基板が透光性を有し、
前記基板側から光が入射されるスーパーストレート型構造を有すること、
を特徴とする請求項1に記載の光起電力素子。 - 前記第2電極層が前記透明電極層であり、
前記基板が透光性を有し、
光を反射する反射層を前記第2電極層上に有し、
前記基板側から光が入射されるスーパーストレート型構造を有すること、
を特徴とする請求項1に記載の光起電力素子。 - 前記第2電極層が前記透明電極層であり、
前記第2電極層側から光が入射されるサブストレート型構造を有すること、
を特徴とする請求項1に記載の光起電力素子。 - 前記第1電極層が前記透明電極層であり、
光を反射する反射層を前記第1電極層の前記基板側に有し、
前記第2電極層側から光が入射されるサブストレート型構造を有すること、
を特徴とする請求項1に記載の光起電力素子。 - 前記乱反射領域が、前記透明電極層の面内において一定周期の間隔で配置されていること、
を特徴とする請求項1に記載の光起電力素子。 - 前記乱反射領域が、前記透明電極層の面内において複数の異なる一定周期が重ね合わされた間隔で配置されていること、
を特徴とする請求項1に記載の光起電力素子。 - 前記一定周期の間隔が、光電変換層の分光感度領域の波長帯に含まれる値であること、
を特徴とする請求項6または7に記載の光起電力素子。 - 前記光電変換層を複数備え、
前記複数の異なる一定周期が、それぞれ異なる前記光電変換層の分光感度領域の波長帯に含まれる値であること、
を特徴とする請求項7に記載の光起電力素子。 - 基板上に第1電極層と光電変換を行う光電変換層と第2電極層とを形成する工程を有する光起電力素子の製造方法において、
前記第1電極層または前記第2電極層のうち光の入射側の電極層を形成する工程が、
透明導電膜を形成する工程と、
前記透明導電膜上に拡散源層を形成する工程と、
前記拡散源層に対してレーザ照射により局所的に加熱を行って前記拡散源層の元素を前記透明導電膜に拡散させることにより、前記透明導電膜と屈折率が異なり光を乱反射させる乱反射領域を前記透明導電膜内に局所的に形成する工程と、
を含むことを特徴とする光起電力素子の製造方法。 - 前記乱反射領域を、前記透明電極層の面内において一定周期の間隔で配置すること、
を特徴とする請求項10に記載の光起電力素子の製造方法。 - 前記乱反射領域を、前記透明電極層の面内において複数の異なる一定周期が重ね合わされた間隔で配置すること、
を特徴とする請求項10に記載の光起電力素子の製造方法。 - 前記一定周期の間隔が、光電変換層の分光感度領域の波長帯に含まれる値であること、
を特徴とする請求項11または12に記載の光起電力素子の製造方法。 - 前記光電変換層を複数形成し、
前記複数の異なる一定周期が、それぞれ異なる前記光電変換層の分光感度領域の波長帯に含まれる値であること、
を特徴とする請求項12に記載の光起電力素子の製造方法。
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