JP5335717B2 - Resist composition arranging apparatus and pattern forming body manufacturing method - Google Patents

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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To improve an imprint transfer shape and variance in residue thickness after imprinting by stabilizing a discharge when discretely arranging a resist composition using an inkjet method. <P>SOLUTION: A resist composition arrangement device that discretely arranges the resist composition to be used for the imprinting method on a substrate includes: a polymer content storage means of storing a polymer content of the resist composition; a resist discharging means of discharging the resist composition from a nozzle; and a driving waveform-adjusting means of changing a driving waveform for discharging the resist composition from the nozzle according to the polymer content. <P>COPYRIGHT: (C)2011,JPO&amp;INPIT

Description

本発明は、レジスト組成物配置装置及びパターン形成体の製造方法に係り、特に、ナノインプリント用のレジスト組成物をインクジェット法によって離散的に配置するレジスト組成物配置装置及びパターン形成体の製造方法に関する。   The present invention relates to a resist composition arranging device and a pattern forming body manufacturing method, and more particularly to a resist composition arranging device and a pattern forming body manufacturing method in which a nanoimprint resist composition is discretely arranged by an ink jet method.

近年、微細なパターンの形成を行う技術としてナノインプリントが知られている。ナノインプリントの応用展開としては、半導体、電子デバイス、ハードディスク、光学フィルム等の幅広い領域が想定される。特に、半導体やパターンドメディア等の領域では、更なる性能向上のため、パターン幅が100nm以下であり、かつパターンアスペクト比が2以上の領域のパターニングに対するナノインプリントの期待が高い。   In recent years, nanoimprinting has been known as a technique for forming fine patterns. A wide range of applications such as semiconductors, electronic devices, hard disks, and optical films are envisaged for application development of nanoimprints. In particular, in areas such as semiconductors and patterned media, there is a high expectation of nanoimprinting for patterning in areas where the pattern width is 100 nm or less and the pattern aspect ratio is 2 or more for further performance improvement.

従来のインプリント法の概略を、図20(a)〜(c)に示す。   An outline of the conventional imprint method is shown in FIGS.

まず、図20(a)に示すように、任意の材料からなる基板900に対して、レジスト組成物を塗布した後、汎用のスピンコータでスピンコート処理を行ってレジスト層902を形成する。次いで、インプリント用のパターンが形成されているモールド構造体910を、レジスト層902側から押し当てるようにする。   First, as shown in FIG. 20A, after applying a resist composition to a substrate 900 made of an arbitrary material, a resist layer 902 is formed by spin coating with a general-purpose spin coater. Next, the mold structure 910 on which the imprint pattern is formed is pressed from the resist layer 902 side.

次に、図20(b)に示すように、モールド構造体910が押し当てられた状態から加圧して、レジスト層902に対し、モールド構造体910のパターンを鋳型としたパターニングを行った後、硬化処理を行い、モールド構造体910を剥離するようにする。   Next, as shown in FIG. 20B, after applying pressure from the state in which the mold structure 910 is pressed and patterning the resist layer 902 using the pattern of the mold structure 910 as a template, A curing process is performed so that the mold structure 910 is peeled off.

このようにして、図20(c)に示すように、基板900上にレジストパターン(レジスト層902)が形成される。このとき、モールド凸部とレジスト層902が形成された基板900との隙間にレジスト層902の薄膜が残膜904として残る。   In this way, a resist pattern (resist layer 902) is formed on the substrate 900 as shown in FIG. At this time, a thin film of the resist layer 902 remains as a remaining film 904 in a gap between the mold convex portion and the substrate 900 on which the resist layer 902 is formed.

半導体等の分野においては、パターン形成後の工程において、パターンをレジストとして使用し、基板側の表面をエッチングにより加工するため、加工精度をより向上させる目的でナノインプリントパターンの凹部底面と基板との間の厚み分に相当する残膜(残渣)の厚みを小さくする必要がある。また更には、インプリント面の全面にわたって、これらの微細加工における面内均一性を達成する必要がある。   In the field of semiconductors and the like, in the process after pattern formation, the pattern is used as a resist, and the surface on the substrate side is processed by etching. Therefore, in order to further improve processing accuracy, the gap between the bottom surface of the nanoimprint pattern and the substrate is increased. It is necessary to reduce the thickness of the remaining film (residue) corresponding to the thickness of the film. Furthermore, it is necessary to achieve in-plane uniformity in these fine processings over the entire imprint surface.

スピンコートの代わりにインクジェット法を用いてレジスト層を形成することが提案されている。このときスループットの向上、残膜(残渣)厚の均一化のために、NIL(ナノインプリントリソグラフィ)パターンに応じてインクジェット打滴密度や打滴量を変更したり、NILレジスト揮発量に応じてインクジェット打滴密度や打滴量を変更することが知られている。   It has been proposed to form a resist layer using an ink jet method instead of spin coating. At this time, in order to improve the throughput and make the residual film (residue) uniform, the ink jet droplet density and the amount of ink droplets are changed according to the NIL (nanoimprint lithography) pattern, or the ink jet impact according to the NIL resist volatilization amount. It is known to change the droplet density and the droplet ejection amount.

例えば、特許文献1には、各々対応した単位容積を有する複数の互いに相隔たる液滴を基板のある領域上に配置するとき、その領域内の液滴の合計容積がその領域に形成しようとするパターンの容積の関数であるような、ある容積の液体を基板上に分配する方法が開示されている。   For example, in Patent Document 1, when a plurality of spaced droplets each having a corresponding unit volume are arranged on a region of a substrate, the total volume of the droplets in that region is to be formed in that region. A method of dispensing a volume of liquid onto a substrate, such as a function of the pattern volume, is disclosed.

また例えば、特許文献2には、インクジェット法によりインプリント材を塗布するが、塗布したインプリント材は揮発し、その揮発量は使用されるテンプレートのパターン密度によって異なるので、テンプレートの凹凸パターンの位置及び深さを含むテンプレート情報からテンプレートのパターン密度を算出し、このパターン密度に対応する揮発補填分塗布量分布を取り出し、この取り出した揮発補填分塗布量分布と、パターン充填分塗布量分布と、残膜厚分塗布量分布とを足し合わせてインプリント材塗布量分布を算出し、この算出したインプリント材塗布量分布に基づいて基板上にインプリント材を塗布する塗布部を備えたインプリントシステムが開示されている。   Further, for example, in Patent Document 2, an imprint material is applied by an inkjet method, but the applied imprint material is volatilized, and the amount of volatilization varies depending on the pattern density of the template used. And calculating the pattern density of the template from the template information including the depth, taking out the volatile compensation coating amount distribution corresponding to this pattern density, and taking out the volatile compensation coating amount distribution, the pattern filling portion coating amount distribution, An imprint having an application unit that calculates the imprint material application amount distribution by adding the remaining film thickness application amount distribution and applying the imprint material on the substrate based on the calculated imprint material application amount distribution. A system is disclosed.

特表2008−502157号公報Special table 2008-502157 gazette 特開2009−88376号公報JP 2009-88376 A

しかしながら、インプリントレジストのような硬化性のモノマーの場合、保管環境によっては、モノマー同士が重合して、ポリマー化し、粘度が上昇してしまう虞がある。また、粘度が上昇しない程度のポリマーが含まれていても、インクジェットによる吐出では、ノズルから吐出した液体が形成する液柱の長さが長くなり、吐出速度が低下したり、吐出が不安定になり着弾位置がばらつくといった悪影響があることが確認されている。   However, in the case of a curable monomer such as an imprint resist, depending on the storage environment, the monomers may be polymerized and polymerized to increase the viscosity. In addition, even if the polymer does not increase in viscosity, the length of the liquid column formed by the liquid ejected from the nozzle is increased in the ejection by ink jet, and the ejection speed is lowered or the ejection becomes unstable. It has been confirmed that there is an adverse effect that the landing positions vary.

ノズルから吐出した液体が形成する液柱が長くなるとミストが発生しやすくなる。そして、ミストが発生すると、発生したミストがノズル面に付着して吐出が不安定になる。また、ミストが基板にランダムに付着するため、ノズルから吐出した液体が形成する液柱を長くしないための工夫が必要とされる。   When the liquid column formed by the liquid discharged from the nozzle becomes long, mist is likely to be generated. And if mist generate | occur | produces, the generated mist will adhere to a nozzle surface and discharge will become unstable. Moreover, since mist adheres to a board | substrate at random, the device for not lengthening the liquid column which the liquid discharged from the nozzle forms is required.

さらに、着弾位置のばらつきや基板へのミストの付着により吐出した液体の体積がばらつき、インプリント後の残渣厚のばらつきが増大し、さらに悪い場合には、インプリントでモールド内にレジストが完全に充填されず、部分的に転写されないことがあるという問題がある。   In addition, the dispersion of the landing position and the volume of the discharged liquid due to the mist adhering to the substrate will increase, resulting in an increase in the variation of the residual thickness after imprinting. There is a problem that it is not filled and may not be partially transferred.

本発明は、このような事情に鑑みてなされたもので、インクジェット法を用いてレジスト組成物を離散的に配置する際、吐出を安定させ、インプリント転写形状、及びインプリント後の残渣厚ばらつきを向上させることのできるレジスト組成物配置装置及びパターン形成体の製造方法を提供することを目的とする。   The present invention has been made in view of such circumstances, and when disposing a resist composition discretely using an ink jet method, the ejection is stabilized, the imprint transfer shape, and the residue thickness variation after imprinting. It is an object of the present invention to provide a resist composition arranging device and a pattern forming body manufacturing method capable of improving the resistance.

前記目的を達成するために、請求項1に記載の発明は、基板上に配置されたレジスト組成物によって形成されたレジスト層に、凹凸形状に形成されたパターン面を有する鋳型を、該パターン面を前記レジスト層側に向けて押し当て、前記レジスト組成物に対して硬化処理し、前記鋳型のパターン面と前記基板上に形成されたレジスト層との界面を剥離する鋳型のパターンに対応したパターンを形成するインプリント方法で用いるレジスト組成物を基板上に離散的に配置するレジスト組成物配置装置であって、前記レジスト組成物のポリマー含有量を記憶するポリマー含有量記憶手段と、前記レジスト組成物をノズルから吐出するレジスト吐出手段と、前記ノズルから前記レジスト組成物を吐出するための駆動波形をポリマー含有量に応じて変更する駆動波形調整手段と、を有し、前記駆動波形は、前記ノズル内のレジスト組成物のメニスカス面を引き込むように駆動する第1の引き駆動波形要素と、前記第1の引き駆動波形要素の後に、前記ノズルから前記レジスト組成物を吐出させるように駆動する押し駆動波形要素と、前記押し駆動波形要素の後に、再び前記メニスカス面を引き込み、前記ノズルから吐出したレジスト組成物が形成する液柱を切断するように駆動する第2の引き駆動波形とを含んで構成され、前記押し駆動波形要素の後端と前記第2の引き駆動波形要素の先端との間隔T2を、前記ポリマー含有量が多いほど、短くしたことを特徴とするレジスト組成物配置装置を提供する。 In order to achieve the above object, the invention according to claim 1 is characterized in that a mold having a pattern surface formed in a concavo-convex shape is formed on a resist layer formed by a resist composition arranged on a substrate. A pattern corresponding to the pattern of the mold that is pressed toward the resist layer side, is cured with respect to the resist composition, and peels off the interface between the pattern surface of the mold and the resist layer formed on the substrate A resist composition placement apparatus for discretely placing a resist composition used in an imprint method for forming a resist on a substrate, the polymer content storage means for storing the polymer content of the resist composition, and the resist composition A resist discharge means for discharging an object from a nozzle, and a drive waveform for discharging the resist composition from the nozzle according to the polymer content. A drive waveform adjusting means, possess that, the drive waveform includes a first pull drive waveform element for driving to draw the meniscus surface of the resist composition in the nozzle, the first pull drive waveform element Later, a push drive waveform element that is driven to discharge the resist composition from the nozzle, and a liquid column formed by the resist composition that is drawn from the nozzle again after the meniscus surface is drawn after the push drive waveform element. A second pulling drive waveform that is driven to cut a distance T2 between the rear end of the push driving waveform element and the tip of the second pulling drive waveform element, the polymer content being There is provided a resist composition placement device characterized in that the larger the number, the shorter .

これにより、ポリマー含有量に応じて駆動波形を最適化することができ、吐出が安定してインプリント転写形状及び残渣厚ばらつきを向上させることが可能となる。   Accordingly, the drive waveform can be optimized according to the polymer content, and the ejection can be stabilized and the imprint transfer shape and the residue thickness variation can be improved.

これにより、レジスト組成物の吐出における液柱長をレジスト組成物中のポリマー含有量に応じて最適化することができ、吐出が安定し、インプリント転写形状及び残渣厚ばらつきを向上させることができる。   Thereby, the liquid column length in the discharge of the resist composition can be optimized according to the polymer content in the resist composition, the discharge can be stabilized, and the imprint transfer shape and the residue thickness variation can be improved. .

また、請求項に示すように、前記レジスト組成物を吐出するための駆動波形において、前記第1の引き駆動波形要素の大きさが、前記ポリマー含有量が多いほど、小さくしたことを特徴とする。 Further, as shown in claim 2 , in the driving waveform for discharging the resist composition, the size of the first pulling driving waveform element is reduced as the polymer content is increased. To do.

これにより、レジスト組成物の吐出における液柱長をレジスト組成物中のポリマー含有量に応じて最適化することができ、吐出が安定し、インプリント転写形状及び残渣厚ばらつきを向上させることができる。   Thereby, the liquid column length in the discharge of the resist composition can be optimized according to the polymer content in the resist composition, the discharge can be stabilized, and the imprint transfer shape and the residue thickness variation can be improved. .

また、同様に前記目的を達成するために、請求項に記載の発明は、基板上に配置されたレジスト組成物によって形成されたレジスト層に、凹凸形状で形成されたパターン面を有する鋳型を、該パターン面を前記レジスト層側に向けて押し当て、前記レジスト組成物に対して硬化処理し、前記鋳型のパターン面と前記基板上に形成されたレジスト層との界面を剥離する鋳型のパターンに対応したパターンを形成するインプリント方法で用いるレジスト組成物を基板上に離散的に配置するレジスト組成物配置装置であって、前記レジスト組成物のポリマー含有量を記憶するポリマー含有量記憶手段と、前記レジスト組成物をノズルから吐出するレジスト吐出手段と、前記ノズルから吐出する前記レジスト組成物の吐出速度を計測する吐出速度計測手段と、前記ポリマー含有量に応じて前記吐出速度を変更する速度変更手段、及び前記ポリマー含有量に応じて前記基板上に着弾する前記レジスト組成物の着弾間隔を変更する着弾間隔変更手段を有し、さらに、前記ノズルから吐出された前記レジスト組成物が前記基板に着弾するまでの飛翔距離を調整する飛翔距離調整手段を備え、前記ポリマー含有量が多くなるほど、前記飛翔距離を短くするようにしたことを特徴とするレジスト組成物配置装置を提供する。 Similarly, in order to achieve the above-mentioned object, the invention according to claim 3 provides a mold having a pattern surface formed in a concavo-convex shape on a resist layer formed by a resist composition disposed on a substrate. The pattern of the mold which presses the pattern surface toward the resist layer side, cures the resist composition, and peels the interface between the pattern surface of the mold and the resist layer formed on the substrate A resist composition placement device for discretely placing on a substrate a resist composition used in an imprint method for forming a pattern corresponding to the above, a polymer content storage means for storing the polymer content of the resist composition; , A resist discharge means for discharging the resist composition from the nozzle, and a discharge speed meter for measuring the discharge speed of the resist composition discharged from the nozzle Yes means, the speed change means changes the discharge speed in response to the polymer content, and the landing interval changing means for changing the landing interval of the resist composition landed on the substrate depending on the polymer content And a flight distance adjusting means for adjusting a flight distance until the resist composition discharged from the nozzle lands on the substrate, and the flight distance is shortened as the polymer content increases. providing a resist composition disposed apparatus characterized by the.

これにより、レジスト組成物中のポリマー含有量による吐出体積変化を吐出速度により判断して、吐出体積に応じて着弾間隔を最適化することができ、所望の塗布量を塗布でき、インプリント後の残渣厚をポリマー含有量に依存せずに一定にすることができる。また、吐出速度が遅くとも、着弾位置ばらつきが悪化せず、インプリント転写形状、残渣厚ばらつきが向上する。 This makes it possible to determine the change in discharge volume due to the polymer content in the resist composition based on the discharge speed, to optimize the landing interval according to the discharge volume, and to apply a desired application amount. The residue thickness can be made constant without depending on the polymer content. Further, even if the discharge speed is low, landing position variation does not deteriorate, and imprint transfer shape and residue thickness variation are improved.

また、請求項に示すように、前記速度変更手段は、前記ポリマー含有量が多くなるほど、前記吐出速度を遅くするようにしたことを特徴とする。 According to a fourth aspect of the present invention, the speed changing unit is configured to decrease the discharge speed as the polymer content increases.

また、請求項に示すように、前記着弾間隔変更手段は、前記ポリマー含有量が多くなるほど、前記着弾間隔を狭くするようにしたことを特徴とする。 According to a fifth aspect of the present invention, the landing interval changing means narrows the landing interval as the polymer content increases.

これにより、吐出速度を吐出安定性(液柱長)の観点で最適化して、インプリント転写形状、残渣厚ばらつきを向上させることができ、所望の塗布量を塗布でき、インプリント後の残渣厚をポリマー含有量に依存せずに一定にすることができる。   This optimizes the discharge speed from the viewpoint of discharge stability (liquid column length), can improve the imprint transfer shape and residue thickness variation, can apply the desired application amount, and the residue thickness after imprint Can be made constant without depending on the polymer content.

また、同様に前記目的を達成するために、請求項に記載の発明は、基板上に配置されたレジスト組成物によって形成されたレジスト層に、凹凸形状に形成されたパターン面を有する鋳型を、該パターン面を前記レジスト層側に向けて押し当て、前記レジスト組成物に対して硬化処理し、前記鋳型のパターン面と前記基板上に形成されたレジスト層との界面を剥離する鋳型のパターンに対応したパターンを形成するインプリント方法で用いるパターン形成体の製造方法であって、前記レジスト組成物のポリマー含有量を記憶する工程と、前記レジスト組成物をノズルから吐出する工程と、前記ノズルから前記レジスト組成物を吐出するための駆動波形をポリマー含有量に応じて変更する工程と、を含み、前記駆動波形は、前記ノズル内のレジスト組成物のメニスカス面を引き込むように駆動する第1の引き駆動波形要素と、前記第1の引き駆動波形要素の後に、前記ノズルから前記レジスト組成物を吐出させるように駆動する押し駆動波形要素と、前記押し駆動波形要素の後に、再び前記メニスカス面を引き込み、前記ノズルから吐出したレジスト組成物が形成する液柱を切断するように駆動する第2の引き駆動波形とを含んで構成され、前記押し駆動波形要素の後端と前記第2の引き駆動波形要素の先端との間隔T2を、前記ポリマー含有量が多いほど、短くしたことを特徴とするパターン形成体の製造方法を提供する。 Similarly, in order to achieve the above object, the invention according to claim 6 provides a mold having a pattern surface formed in a concavo-convex shape on a resist layer formed by a resist composition disposed on a substrate. The pattern of the mold which presses the pattern surface toward the resist layer side, cures the resist composition, and peels the interface between the pattern surface of the mold and the resist layer formed on the substrate A method of manufacturing a pattern forming body used in an imprint method for forming a pattern corresponding to the above: a step of storing a polymer content of the resist composition, a step of discharging the resist composition from a nozzle, and the nozzle wherein the step of driving waveforms for the resist composition to eject to change depending on the polymer content, only contains the drive waveform, registration in the nozzle from A first pulling drive waveform element that is driven to draw the meniscus surface of the toner composition, and a push drive waveform element that is driven to discharge the resist composition from the nozzle after the first pulling drive waveform element And a second pull drive waveform for driving the meniscus surface again after the push drive waveform element to drive the liquid column formed by the resist composition discharged from the nozzle, There is provided a method for producing a pattern forming body, characterized in that a distance T2 between a rear end of the push drive waveform element and a tip of the second pull drive waveform element is shortened as the polymer content increases .

これにより、ポリマー含有量に応じて駆動波形を最適化することができ、吐出が安定してインプリント転写形状及び残渣厚ばらつきを向上させることが可能となる。また、レジスト組成物の吐出における液柱長をレジスト組成物中のポリマー含有量に応じて最適化することができ、吐出が安定し、インプリント転写形状及び残渣厚ばらつきを向上させることができる。 Accordingly, the drive waveform can be optimized according to the polymer content, and the ejection can be stabilized and the imprint transfer shape and the residue thickness variation can be improved. Further, the length of the liquid column in discharging the resist composition can be optimized according to the polymer content in the resist composition, so that the discharging can be stabilized and the imprint transfer shape and residue thickness variation can be improved.

また、同様に前記目的を達成するために、請求項に記載の発明は、基板上に配置されたレジスト組成物によって形成されたレジスト層に、凹凸形状で形成されたパターン面を有する鋳型を、該パターン面を前記レジスト層側に向けて押し当て、前記レジスト組成物に対して硬化処理し、前記鋳型のパターン面と前記基板上に形成されたレジスト層との界面を剥離する鋳型のパターンに対応したパターンを形成するインプリント方法で用いるパターン形成体の製造方法であって、前記レジスト組成物のポリマー含有量を記憶する工程と、前記レジスト組成物をノズルから吐出する工程と、前記ノズルから吐出する前記レジスト組成物の吐出速度を計測する工程と、前記ポリマー含有量に応じて前記吐出速度を変更するとともに、前記ポリマー含有量に応じて前記基板上に着弾する前記レジスト組成物の着弾間隔を変更する工程と、を含み、さらに、前記ノズルから吐出された前記レジスト組成物が前記基板に着弾するまでの飛翔距離を調整する飛翔距離調整工程を備え、前記ポリマー含有量が多くなるほど、前記飛翔距離を短くするようにしたことを特徴とするパターン形成体の製造方法を提供する。 Similarly, in order to achieve the above object, the invention according to claim 7 provides a mold having a pattern surface formed in a concavo-convex shape on a resist layer formed by a resist composition disposed on a substrate. The pattern of the mold which presses the pattern surface toward the resist layer side, cures the resist composition, and peels the interface between the pattern surface of the mold and the resist layer formed on the substrate A method of manufacturing a pattern forming body used in an imprint method for forming a pattern corresponding to the above: a step of storing a polymer content of the resist composition, a step of discharging the resist composition from a nozzle, and the nozzle A step of measuring a discharge speed of the resist composition discharged from the liquid, and changing the discharge speed according to the polymer content, and the polymer Wherein the step of changing the landing interval of the resist composition, only contains further flying distance to the resist composition discharged from the nozzle land on the substrate to be landed on the substrate in accordance with the chromatic amount And a flight distance adjusting step for adjusting the distance, and the more the polymer content is increased, the shorter the flight distance is .

これにより、レジスト組成物中のポリマー含有量による吐出体積変化を吐出速度により判断して、吐出体積に応じて着弾間隔を最適化することができ、所望の塗布量を塗布でき、インプリント後の残渣厚をポリマー含有量に依存せずに一定にすることができる。また、吐出速度が遅くとも、着弾位置ばらつきが悪化せず、インプリント転写形状、残渣厚ばらつきが向上する。 This makes it possible to determine the change in discharge volume due to the polymer content in the resist composition based on the discharge speed, to optimize the landing interval according to the discharge volume, and to apply a desired application amount. The residue thickness can be made constant without depending on the polymer content. Further, even if the discharge speed is low, landing position variation does not deteriorate, and imprint transfer shape and residue thickness variation are improved.

以上説明したように、本発明によれば、ポリマー含有量に応じて駆動波形を最適化することができ、吐出が安定してインプリント転写形状及び残渣厚ばらつきを向上させることが可能となる。   As described above, according to the present invention, the drive waveform can be optimized according to the polymer content, and the ejection can be stabilized and the imprint transfer shape and the residue thickness variation can be improved.

インクジェット塗布装置の概略構成を示す斜視図である。It is a perspective view which shows schematic structure of an inkjet coating apparatus. ナノインプリントシステムの概略構成を示す構成図である。It is a block diagram which shows schematic structure of a nanoimprint system. レジスト供給系の概略を示す構成図である。It is a block diagram which shows the outline of a resist supply system. ナノインプリントシステムの制御系のシステム構成を示すブロック図である。It is a block diagram which shows the system configuration | structure of the control system of a nanoimprint system. インクジェット塗布装置の動作を示すフローチャートである。It is a flowchart which shows operation | movement of an inkjet coating device. 同じくインクジェット塗布装置の動作を示すフローチャートである。It is a flowchart which similarly shows operation | movement of an inkjet coating device. アクチュエータに印加される駆動信号の駆動波形(電圧波形)を示す線図である。It is a diagram which shows the drive waveform (voltage waveform) of the drive signal applied to an actuator. (a)〜(c)は、駆動波形に対応したノズル内のレジストの状態を示す模式図である。(A)-(c) is a schematic diagram which shows the state of the resist in the nozzle corresponding to a drive waveform. (a)、(b)は波形の例を示す線図である。(A), (b) is a diagram which shows the example of a waveform. 波形の例を示す線図である。It is a diagram which shows the example of a waveform. 波形の例を示す線図である。It is a diagram which shows the example of a waveform. 波形の例を示す線図である。It is a diagram which shows the example of a waveform. アクチュエータに印加される駆動信号の駆動波形(電圧波形)を示す線図である。It is a diagram which shows the drive waveform (voltage waveform) of the drive signal applied to an actuator. (a)、(b)は、駆動波形に対応したノズル内のレジストの状態を示す模式図である。(A), (b) is a schematic diagram which shows the state of the resist in the nozzle corresponding to a drive waveform. 波形の例を示す線図である。It is a diagram which shows the example of a waveform. 波形の例を示す線図である。It is a diagram which shows the example of a waveform. 吐出速度と吐出体積との関係を示す線図である。It is a diagram which shows the relationship between discharge speed and discharge volume. ポリマー量と吐出速度等の関係を示すテーブルである。It is a table which shows the relationship between a polymer amount, discharge speed, etc. 吐出速度、吐出体積及び着弾間隔の関係を示すテーブルである。It is a table which shows the relationship between discharge speed, discharge volume, and landing interval. (a)〜(c)従来のインプリント法を示す説明図である。(A)-(c) It is explanatory drawing which shows the conventional imprint method.

以下、添付図面を参照して、本発明に係るレジスト組成物配置装置及びパターン形成体の製造方法について詳細に説明する。   Hereinafter, with reference to the attached drawings, a resist composition arranging device and a method for producing a pattern forming body according to the present invention will be described in detail.

図1は、インクジェット法を用いてレジスト組成物を離散的に配置するレジスト組成物配置装置としてのインクジェット塗布装置の概略構成を示す斜視図である。   FIG. 1 is a perspective view showing a schematic configuration of an ink jet coating apparatus as a resist composition arranging apparatus for discretely arranging resist compositions using an ink jet method.

図1に示すように、本実施形態のインクジェット塗布装置10は、支持台12上に垂直に立てられた2本の支柱14、14の間に渡した梁16に沿って移動するヘッド保持移動手段18の下部先端に回転可能なステージを介して取り付けられたインクジェットヘッド20、同じくヘッド保持移動手段18に取り付けられたワークアライメント手段22、支持台12上に設けられ、その上に半導体等の基板であるワーク26を載置するワーク保持移動手段24、インクジェットヘッド20のノズル面を観察するノズル面観察手段28、吐出状態観察手段30(30a、30b)、及びインクジェットヘッド20のノズル面をメンテナンスするメンテナンス手段32等を含んで構成されている。   As shown in FIG. 1, the ink jet coating apparatus 10 of this embodiment includes a head holding and moving means that moves along a beam 16 that is passed between two columns 14 and 14 that are vertically set on a support base 12. An ink jet head 20 attached to a lower end of 18 via a rotatable stage, a work alignment means 22 attached to the head holding / moving means 18, and a support base 12 are provided on a substrate such as a semiconductor. Workpiece holding / moving means 24 for placing a work 26, nozzle face observing means 28 for observing the nozzle surface of the inkjet head 20, discharge state observing means 30 (30a, 30b), and maintenance for maintaining the nozzle face of the inkjet head 20 Means 32 and the like are included.

ヘッド保持移動手段18は、その先端部にインクジェットヘッド20を保持し、インクジェットヘッド20を、梁16に沿った方向(図の左右方向)に移動させる移動手段、インクジェットヘッド20からの吐出方向を中心とした回転移動をさせる回転ステージ、吐出方向(上下方向)に移動させる移動手段を備えている。インクジェットヘッド20を吐出方向(上下方向)に移動させることにより、インクジェットヘッド20から吐出されたレジスト組成物(以後、単にレジストという場合もある)がワーク26に着弾するまでの飛翔距離を調整することができる。また、梁16に沿った方向(図の左右方向)に移動させたり、回転移動させることによっても、ワーク26上に着弾するレジスト組成物の着弾間隔を調整することが可能である。   The head holding / moving means 18 holds the ink jet head 20 at the tip, and moves the ink jet head 20 in the direction along the beam 16 (left-right direction in the figure). The head holding / moving means 18 is centered on the ejection direction from the ink jet head 20. A rotating stage for rotating and moving, and a moving means for moving in the discharge direction (vertical direction). Adjusting the flight distance until the resist composition discharged from the inkjet head 20 (hereinafter also referred to simply as “resist”) reaches the workpiece 26 by moving the inkjet head 20 in the discharge direction (vertical direction). Can do. Further, the landing interval of the resist composition landing on the workpiece 26 can also be adjusted by moving it in the direction along the beam 16 (left-right direction in the figure) or rotating it.

梁16に沿った方向への移動手段や吐出方向への移動手段のように直線的な動きをする場合の移動手段としては、リニアモータ等が好適に例示される。また正確な移動制御を行うために位置検出手段としてリニアエンコーダを備えている。また、回転手段としては、ステッピングモータ等を用いることができ、これにも位置検出手段としてエンコーダが設置されている。   A linear motor or the like is preferably exemplified as the moving means in the case of linear movement such as the moving means in the direction along the beam 16 or the moving means in the discharge direction. In order to perform accurate movement control, a linear encoder is provided as position detecting means. Further, a stepping motor or the like can be used as the rotating means, and an encoder is also installed as a position detecting means.

インクジェットヘッド20は、ノズルからレジスト組成物を吐出するものである。インクジェットヘッド20の駆動方式は特に限定されるものではなく、ピエゾ方式、サーマル方式あるいは静電方式など様々な方式を採用することができる。しかし、ナノインプリント用のレジスト組成物を吐出する本実施形態の場合には、液滴量や吐出速度の調整が容易なピエゾ方式が好ましい。本実施形態では、ピエゾ方式を採用する。また、詳しくは後述するが、ピエゾ(圧電素子)アクチュエータを駆動する駆動波形(電圧波形)をレジスト組成物中のポリマー含有量に応じて様々に調整することにより、レジスト組成物の吐出速度、吐出体積及びワーク26上への着弾位置等が調整される。   The ink jet head 20 discharges a resist composition from a nozzle. The driving method of the inkjet head 20 is not particularly limited, and various methods such as a piezo method, a thermal method, and an electrostatic method can be adopted. However, in the case of this embodiment in which a nanoimprint resist composition is discharged, a piezo method in which adjustment of the droplet amount and discharge speed is easy is preferable. In this embodiment, a piezo method is employed. As will be described in detail later, by adjusting the driving waveform (voltage waveform) for driving the piezo (piezoelectric element) actuator according to the polymer content in the resist composition, the resist composition ejection speed and ejection The volume and the landing position on the workpiece 26 are adjusted.

また、インクジェットヘッド20に対してレジスト組成物を供給するレジスト供給系については後述する。   A resist supply system for supplying a resist composition to the inkjet head 20 will be described later.

ワークアライメント手段22は、ワーク(基板)26の位置調整を行うために、その位置検出を行うものである。ワークアライメント手段22は、ワーク26のアライメントを検出するアライメントカメラ、及びダミーワークに対して位置検出のために着弾させたレジストの着弾位置を検出する着弾位置検出カメラ等を備えている。   The workpiece alignment means 22 detects the position of the workpiece (substrate) 26 in order to adjust the position. The workpiece alignment means 22 includes an alignment camera that detects the alignment of the workpiece 26, a landing position detection camera that detects the landing position of the resist landed on the dummy workpiece for position detection, and the like.

ワーク保持移動手段24は、ワーク26を吸着、保持して移動するものであり、ワーク26を吸着する手段を備えている。吸着手段の吸着方法は特に限定されるものではなく、真空吸着でも静電吸着でも良い。また、ワーク保持移動手段24は、ワーク26を保持して第1の方向とそれに直交する第2の方向(x−y方向)に移動するリニアモータ等の移動手段と、位置検出手段としてリニアエンコーダを備えている。また、ワーク保持移動手段24は、ワーク26を保持して、インクジェットヘッド20の吐出方向と平行なワーク法線方向を中心に回転可能なステッピングモータ等の回転手段と、位置検出のためのエンコーダを備えている。   The work holding / moving means 24 moves by sucking and holding the work 26 and includes means for sucking the work 26. The adsorption method of the adsorption means is not particularly limited, and may be vacuum adsorption or electrostatic adsorption. The work holding / moving means 24 includes a moving means such as a linear motor that holds the work 26 and moves in a first direction and a second direction (xy direction) orthogonal thereto, and a linear encoder as a position detecting means. It has. The work holding / moving means 24 includes a rotating means such as a stepping motor that holds the work 26 and can rotate about a work normal direction parallel to the ejection direction of the inkjet head 20, and an encoder for position detection. I have.

ノズル面観察手段28は、インクジェットヘッド20のノズル面を観察することでをメンテナンスが必要かどうか判断やヘッド交換の判断等に利用するものである。ノズル面観察手段28は、ノズル状態を観察するための光源及びレンズ、カメラを備えている。ノズル面を観察する場合には、ヘッド保持移動手段18によりインクジェットヘッド20をノズル面観察手段28の真上に移動させる。   The nozzle surface observing means 28 is used to determine whether maintenance is necessary or to determine whether to replace the head by observing the nozzle surface of the inkjet head 20. The nozzle surface observation means 28 includes a light source, a lens, and a camera for observing the nozzle state. When observing the nozzle surface, the head holding / moving means 18 moves the inkjet head 20 directly above the nozzle surface observing means 28.

吐出状態観察手段30(30a、30b)は、インクジェットヘッド20のノズルから吐出されたレジストの飛翔状態を観察するためのものである。吐出状態観察手段30は、飛翔状態を観察するための光源、レンズ及びカメラを備えている。   The ejection state observation means 30 (30a, 30b) is for observing the flying state of the resist ejected from the nozzles of the inkjet head 20. The discharge state observation means 30 includes a light source, a lens, and a camera for observing the flight state.

すなわち、吐出状態観察手段30は、発光手段(光源)30aが発光した検出光を受光手段(カメラ)30bで受光し、検出光の中を飛翔するレジスト組成物による光の変化を検出して吐出状態を観察し、吐出速度を計測する。吐出状態を観察する場合には、検出光の中をレジストが飛翔するように、吐出状態観察手段30またはインクジェットヘッド20を移動して観察する。   That is, the discharge state observing means 30 receives the detection light emitted by the light emitting means (light source) 30a by the light receiving means (camera) 30b, detects the change in light due to the resist composition flying in the detection light, and discharges it. Observe the condition and measure the discharge speed. When observing the discharge state, the discharge state observation means 30 or the inkjet head 20 is moved and observed so that the resist flies through the detection light.

メンテナンス手段32は、インクジェットヘッド20の状態を良好に保つためのものである。そのため、メンテナンス手段32は、ノズル面に付着したレジスト等のクリーニングのためのワイパーやノズル内のレジストが乾燥するのを防止するためのキャップ等を備えている。また、キャップは、ノズルからレジストを吸引してインクジェットヘッド20内の気泡等の異物を除去するときのキャップとしても利用される。   The maintenance means 32 is for keeping the state of the inkjet head 20 in good condition. Therefore, the maintenance unit 32 includes a wiper for cleaning the resist and the like attached to the nozzle surface, a cap for preventing the resist in the nozzle from drying. The cap is also used as a cap for removing foreign matters such as bubbles in the inkjet head 20 by sucking the resist from the nozzle.

図2に、ナノインプリントシステムの概略構成を示す。   FIG. 2 shows a schematic configuration of the nanoimprint system.

図2に示すように、本実施形態のナノインプリントシステム1は、インクジェット塗布装置10、NIL装置40及び基板保管部42、44、基板載置部46とロードアンロード手段48a、48bを含んで構成される。   As shown in FIG. 2, the nanoimprint system 1 according to the present embodiment includes an inkjet coating apparatus 10, a NIL apparatus 40, substrate storage units 42 and 44, a substrate mounting unit 46, and load / unloading units 48a and 48b. The

基板保管部42は、これからインクジェット塗布装置10でその表面にレジスト組成物が塗布されるワーク(基板)26(ここでは図示省略、図1参照)を保管するものであり、基板載置部46は、インクジェット塗布装置10でレジストが塗布されたワーク26を載置するものであり、基板保管部44は、NIL装置40によりナノインプリント処理が行われたワーク26を載置するものである。   The substrate storage unit 42 stores a workpiece (substrate) 26 (not shown here, see FIG. 1) on which the resist composition is applied to the surface of the substrate by the inkjet coating apparatus 10. The workpiece 26 on which the resist is applied by the inkjet coating apparatus 10 is placed, and the substrate storage unit 44 is for placing the workpiece 26 that has been subjected to nanoimprint processing by the NIL device 40.

ロードアンロード手段48a、48bは、それぞれ基板保管部42、基板載置部46、基板保管部44の間で基板26のやり取りを行うものである。   The load / unload means 48a and 48b exchange the substrate 26 among the substrate storage unit 42, the substrate mounting unit 46, and the substrate storage unit 44, respectively.

本実施形態におけるインプリント法は、インクジェット塗布装置10によりワーク26上に塗布されたレジスト組成物(レジスト層)に対して、その表面領域側からパターン形状を有するインプリント用モールド(図示省略)を押し当てた状態で加圧することにより、モールドのパターン形状を鋳型として転写したレジストパターンを形成するものである。   In the imprint method in the present embodiment, an imprint mold (not shown) having a pattern shape from the surface region side is applied to the resist composition (resist layer) coated on the work 26 by the inkjet coating apparatus 10. By applying pressure in the pressed state, a resist pattern in which the pattern shape of the mold is transferred as a mold is formed.

このインプリント用モールド(モールド構造体)としては、微細なパターン形状を有するものであれば特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができる。   The imprint mold (mold structure) is not particularly limited as long as it has a fine pattern shape, and can be appropriately selected according to the purpose.

レジスト層に形成されるレジストパターンは、このインプリント用モールドを鋳型として転写されたものであり、インプリント用モールド(モールド構造体)の微細なパターン形状と略同様のパターン形状からなる。   The resist pattern formed on the resist layer is transferred using the imprint mold as a mold, and has a pattern shape substantially similar to the fine pattern shape of the imprint mold (mold structure).

モールド構造体の凸部のピッチ間隔としては、30〜200nmが好ましい。また、凸部の幅としては、15〜60nmが好ましい。さらに凹部の幅としては、15〜100nmが好ましい。   The pitch interval between the convex portions of the mold structure is preferably 30 to 200 nm. Moreover, as a width | variety of a convex part, 15-60 nm is preferable. Furthermore, as a width | variety of a recessed part, 15-100 nm is preferable.

凸部は、インプリント後のモールドの離型の容易さの観点から、基端側から尖状の先端側に向けて、テーパが付与されているのが好ましい。また、このテーパ角としては、70〜88°が好ましい。   From the viewpoint of ease of mold release after imprinting, the convex portion is preferably tapered from the base end side toward the pointed tip side. Moreover, as this taper angle, 70-88 degrees is preferable.

なお、インプリント用モールドを押し当てた状態で加圧する装置としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができる。   In addition, there is no restriction | limiting in particular as an apparatus which pressurizes in the state which pressed the mold for imprints, According to the objective, it can select suitably.

インプリント用モールドを押し付け加圧した状態から剥離する際の、剥離時間としては、例えば2.5吋サイズの円盤内のパターンの場合は、一般に10〜15秒程度であるが、レジスト組成物を用いるインプリント方法によれば、1〜10秒で剥離不良を起こすことなく、剥離を行うことができ、生産性が向上する。   When peeling from the state where the imprint mold is pressed and pressed, the peeling time is generally about 10 to 15 seconds in the case of a pattern in a 2.5 mm disk, for example. According to the imprinting method to be used, peeling can be performed in 1 to 10 seconds without causing peeling failure, and productivity is improved.

本実施形態のパターン形成体は、インプリント法によって形成されたレジストパターンをマスクとしてエッチングを行うことにより、パターン形状が形成される。パターン形成体としては、パターン形状が形成されているものであればよく、特に制限されるものではない。   The pattern forming body of this embodiment forms a pattern shape by performing etching using a resist pattern formed by the imprint method as a mask. The pattern forming body is not particularly limited as long as the pattern shape is formed.

また、パターン形成体の構成としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができる。例えば、インプリント法によって形成されてレジストパターンをマスクとしてエッチングを行うことにより、形成されたパターン形状があればよく、エッチング対象層となる層については、種々の層を選択することができる。   Moreover, there is no restriction | limiting in particular as a structure of a pattern formation body, According to the objective, it can select suitably. For example, it suffices to have a pattern shape formed by etching using a resist pattern as a mask formed by an imprint method, and various layers can be selected as a layer to be etched.

また、パターン形成体の用途としては、半導体、デバイス、磁気記録媒体、光学フィルム、及びこれら各用途を目的としたインプリントプロセスに使用するインプリント用モールド等が挙げられる。   Examples of uses of the pattern forming body include semiconductors, devices, magnetic recording media, optical films, and imprint molds used in imprint processes for these purposes.

図3に、レジスト供給系の概略を示す。   FIG. 3 shows an outline of the resist supply system.

図3に示すように、本実施形態のレジスト供給系は、レジスト組成物を貯蔵するレジスト供給タンク50からインクジェットヘッド20にレジスト組成物を供給するためのものであり、各部は管路(チューブ)で繋がれている。   As shown in FIG. 3, the resist supply system of the present embodiment is for supplying a resist composition from a resist supply tank 50 for storing the resist composition to the inkjet head 20, and each part is a conduit (tube). It is connected with.

レジスト供給タンク50は、インクジェットヘッド20にレジストを供給するための基タンクであり、加熱冷却手段(温調手段)52と温度センサ54が設置されている。また、レジスト供給タンク50の下流に、レジスト組成物を汲み上げインクジェットヘッド20に送液するためのポンプ56が設けられている。   The resist supply tank 50 is a base tank for supplying a resist to the inkjet head 20, and is provided with a heating / cooling means (temperature adjusting means) 52 and a temperature sensor 54. In addition, a pump 56 is provided downstream of the resist supply tank 50 for pumping up the resist composition and feeding it to the inkjet head 20.

また、レジスト供給タンク50とインクジェットヘッド20を繋ぐ管路の途中には、ポリマー(不純物)を取り除くフィルタ58及び気泡、溶存気体を除去するための脱気装置60が設けられている。フィルタ58は、特に限定されないが、超高分子量ポリエチレン(UPE)メンブレン、ナイロンメンブレンが利用される。フィルタ58のフィルタメッシュサイズはインクジェットヘッド20のノズル径と同等もしくはノズル径以下とすることが好ましい。また、脱気装置60には、液トラップ部62とポンプ64が接続されている。   Further, a filter 58 for removing polymer (impurities) and a deaeration device 60 for removing bubbles and dissolved gas are provided in the middle of the pipeline connecting the resist supply tank 50 and the inkjet head 20. The filter 58 is not particularly limited, but an ultra high molecular weight polyethylene (UPE) membrane or a nylon membrane is used. The filter mesh size of the filter 58 is preferably equal to or smaller than the nozzle diameter of the inkjet head 20. In addition, a liquid trap unit 62 and a pump 64 are connected to the deaeration device 60.

また、脱気装置60とインクジェットヘッド20とを結ぶ管路Aにはサブタンク66が設けられるとともに、サブタンク66を迂回するもう一つの管路Bが設けられており、管路Bにはポンプ68が設置されている。また、管路A及び管路Bにはそれぞれ弁70及び72が設けられ、弁70及び72を開閉制御することにより管路Aと管路Bを切り換えることができるようになっている。通常の描画時には、弁70を開き弁72を閉じて管路Aからレジスト組成物を供給し、初期充填時やパージ時には、弁70を閉じ弁72を開いて管路Bを通すようにする。   In addition, a sub-tank 66 is provided in the pipe line A connecting the deaeration device 60 and the inkjet head 20, and another pipe B that bypasses the sub-tank 66 is provided, and a pump 68 is provided in the pipe B. is set up. Further, valves 70 and 72 are provided in the pipe A and the pipe B, respectively, and the pipes A and B can be switched by controlling the valves 70 and 72 to open and close. At the time of normal drawing, the valve 70 is opened and the valve 72 is closed and the resist composition is supplied from the pipe A. At the time of initial filling or purging, the valve 70 is closed and the valve 72 is opened to pass the pipe B.

サブタンク66内には膜67があり、膜67の上側の空間に弁74を介してポンプ76でエアーを供給・吸引して膜67上部空間の圧力を制御することにより膜67の下側のレジスト組成物の圧力を制御するようになっている。これにより、ノズル内のレジスト組成物のメニスカス圧力を調整することができる。また、サブタンク66には、レジスト組成物の圧力を検出するための圧力センサ80が設けられている。   There is a membrane 67 in the subtank 66, and air is supplied and sucked by a pump 76 through a valve 74 to the space above the membrane 67 to control the pressure in the upper space of the membrane 67, thereby controlling the resist below the membrane 67. The pressure of the composition is controlled. Thereby, the meniscus pressure of the resist composition in the nozzle can be adjusted. The sub tank 66 is provided with a pressure sensor 80 for detecting the pressure of the resist composition.

このように、膜67を有し、弁74を介してポンプ76が設置されたサブタンク66は、ノズル内のレジスト組成物のメニスカス圧力を調整するメニスカス圧力調整手段の機能を有する。   As described above, the sub tank 66 having the film 67 and provided with the pump 76 via the valve 74 has a function of a meniscus pressure adjusting means for adjusting the meniscus pressure of the resist composition in the nozzle.

さらに、サブタンク66には、加熱冷却手段(温調手段)78及び温度センサ82が設けられており、サブタンク66とレジスト供給タンク50とは、それぞれ独立して温度調整が可能なように構成されている。   Further, the sub-tank 66 is provided with heating / cooling means (temperature adjusting means) 78 and a temperature sensor 82, and the sub-tank 66 and the resist supply tank 50 are configured such that the temperature can be adjusted independently. Yes.

また、インクジェットヘッド20にも、加熱冷却手段(温調手段)84及び温度センサ86が設けられており、ここでもレジストの温度制御が可能になっている。   The ink jet head 20 is also provided with a heating / cooling means (temperature adjusting means) 84 and a temperature sensor 86, and the temperature of the resist can be controlled here.

インクジェットヘッド20に対して、ノズルの乾燥防止またはノズル近傍のレジスト粘度上昇を防止するための手段として、メンテナンス手段32のキャップ88が設けられている。キャップ88は、必要に応じて所定の退避位置からインクジェットヘッド20下方のメンテナンス位置に移動される。   A cap 88 of the maintenance unit 32 is provided for the inkjet head 20 as a unit for preventing the nozzle from drying or preventing the resist viscosity from increasing near the nozzle. The cap 88 is moved from a predetermined retracted position to a maintenance position below the inkjet head 20 as necessary.

キャップ88は、インクジェットヘッド20のノズル面を覆うことができるようになっている。また図示を省略するがメンテナンス手段32は、ノズル面を拭き取り清掃するクリーニングブレードを有している。   The cap 88 can cover the nozzle surface of the inkjet head 20. Although not shown, the maintenance means 32 has a cleaning blade for wiping and cleaning the nozzle surface.

描画中または待機中において、特定のノズルの使用頻度が低くなり、そのノズル近傍のレジスト粘度が上昇した場合、粘度が上昇して劣化したレジストを排出すべく、キャップ88に向かって予備吐出が行われる。   During drawing or standby, when a specific nozzle is used less frequently and the resist viscosity in the vicinity of the nozzle increases, preliminary ejection is performed toward the cap 88 in order to discharge the resist whose viscosity has increased and deteriorated. Is called.

また、万一フィルタ58や脱気装置60によって取り残した気泡がノズル内に混入したり、ノズル内のレジスト粘度の上昇があるレベルを超えたりすると予備吐出ではレジスト組成物を吐出できなくなるため、その場合には、インクジェットヘッド20のノズル面にキャップ88を当て、吸引ポンプ90でインクジェットヘッド20内のレジスト組成物を吸引し、吸引除去したレジスト組成物を回収タンク92に回収する。   In addition, if bubbles left behind by the filter 58 or the deaerator 60 are mixed in the nozzle or if the resist viscosity in the nozzle exceeds a certain level, the resist composition cannot be discharged by preliminary discharge. In this case, the cap 88 is applied to the nozzle surface of the ink jet head 20, the resist composition in the ink jet head 20 is sucked by the suction pump 90, and the resist composition removed by suction is recovered in the recovery tank 92.

また、弁70を閉じ弁72を開いて管路Bを通す状態にして、ポンプ68を稼働させてレジストをインクジェットヘッド20に強制的に送り、ノズルからインクを排出(パージ)することで気泡等を取り除くことも出来る。   In addition, the valve 70 is closed and the valve 72 is opened to allow the pipe B to pass, the pump 68 is operated, the resist is forcibly sent to the ink-jet head 20, and the ink is discharged (purged) from the nozzles to generate bubbles and the like. Can also be removed.

ただし、このような吸引動作やパージ動作は、インクジェットヘッド20内のレジスト全体に対して行われるため、レジスト消費量が大きい。従って、粘度上昇が少ない場合は、なるべく予備吐出を行うことが好ましい。なお、キャップ88は、吸引手段として機能するとともに、予備吐出のレジスト受けとしても機能する。また、キャップ88の内側が仕切り壁によってノズル列に対応した複数の領域に分割され、これら仕切られた各領域を選択的に吸引できる構成とすることが好ましい。   However, since such suction operation and purge operation are performed on the entire resist in the inkjet head 20, the resist consumption is large. Therefore, when the viscosity increase is small, it is preferable to perform preliminary discharge as much as possible. The cap 88 functions as a suction unit and also functions as a resist holder for preliminary ejection. Moreover, it is preferable that the inside of the cap 88 is divided into a plurality of regions corresponding to the nozzle rows by a partition wall, and the partitioned regions can be selectively sucked.

図4に、ナノインプリントシステムの制御系のシステム構成を示す。   FIG. 4 shows a system configuration of a control system of the nanoimprint system.

ナノインプリントシステムの制御系は、通信インターフェース(通信I/F)102、システムコントローラ104、画像メモリ106、プリント制御部108、ヘッドドライバ110、画像バッファメモリ112、レジスト供給制御部116、メンテナンス制御部118、観察制御部122、ロードアンロード制御部124、アライメント制御部126、モータ制御部130等を備えている。   The control system of the nanoimprint system includes a communication interface (communication I / F) 102, a system controller 104, an image memory 106, a print control unit 108, a head driver 110, an image buffer memory 112, a resist supply control unit 116, a maintenance control unit 118, An observation control unit 122, a load / unload control unit 124, an alignment control unit 126, a motor control unit 130, and the like are provided.

通信インターフェース102は、ホストコンピュータ100から送られてくるレジスト情報を受信するインターフェース部である。通信インターフェース102には、USB、IEEE1394、イーサネット、無線ネットワークなどのシリアルインターフェースやセントロニクスなどのパラレルインターフェースを適用することができる。この部分には、通信を高速化するためのバッファメモリを搭載してもよい。   The communication interface 102 is an interface unit that receives registration information sent from the host computer 100. As the communication interface 102, a serial interface such as USB, IEEE1394, Ethernet, and wireless network, and a parallel interface such as Centronics can be applied. In this part, a buffer memory for speeding up communication may be mounted.

ホストコンピュータ100から送出されたレジスト情報は、通信インターフェース102を介してシステムコントローラ104に取り込まれ、一旦画像メモリ106に記憶される。画像メモリ106は、通信インターフェース102を介して入力されたレジスト情報(これにはレジストのポリマー含有量も含む)を一旦格納する記憶手段であり、システムコントローラ104を通じて情報の読み書きが行われる。画像メモリ106は、半導体素子からなるメモリに限らず、ハードディスクなどの磁気媒体を用いてもよい。   The registration information sent from the host computer 100 is taken into the system controller 104 via the communication interface 102 and temporarily stored in the image memory 106. The image memory 106 is storage means for temporarily storing resist information (including the resist polymer content) input via the communication interface 102, and information is read and written through the system controller 104. The image memory 106 is not limited to a memory made of a semiconductor element, and a magnetic medium such as a hard disk may be used.

システムコントローラ104は、通信インターフェース102、画像メモリ106、プリント制御部108、ヘッドドライバ110等の各部を制御する制御部である。システムコントローラ104は、中央演算処理装置(CPU)及びその周辺回路等から構成され、ホストコンピュータ100との間の通信制御、画像メモリ106の読み書き制御等を行うとともに、レジスト供給制御部116、メンテナンス制御部118、観察制御部122、ロードアンロード制御部124、アライメント制御部126、モータ制御部130等の各制御部を制御する制御信号を生成する。   The system controller 104 is a control unit that controls each unit such as the communication interface 102, the image memory 106, the print control unit 108, and the head driver 110. The system controller 104 includes a central processing unit (CPU) and its peripheral circuits, and performs communication control with the host computer 100, read / write control of the image memory 106, etc., and a resist supply control unit 116 and maintenance control. A control signal for controlling each control unit such as the unit 118, the observation control unit 122, the load / unload control unit 124, the alignment control unit 126, and the motor control unit 130 is generated.

プリント制御部108は、システムコントローラ104の制御に従い、画像メモリ106内のポリマー含有量を含むレジスト情報から印字(描画)制御用の信号(駆動波形)を生成するための各種加工、補正などの処理を行う信号処理機能を有し、生成した印字制御信号(駆動波形)をヘッドドライバ110に供給する制御部である。   The print control unit 108 performs various processing and correction processes for generating a print (drawing) control signal (drive waveform) from resist information including the polymer content in the image memory 106 according to the control of the system controller 104. And a control unit that supplies the generated print control signal (drive waveform) to the head driver 110.

プリント制御部108において所要の信号処理が施され、該レジスト情報に基づいてヘッドドライバ110を介してインクジェットヘッド20のレジスト組成物の吐出量や吐出タイミングの制御が行われる。詳しくは後述するが、レジスト組成物を吐出するための駆動波形をポリマー含有量に応じて変更(調整)する。これにより、ワーク26上に着弾するレジスト組成物の所望のドットサイズやドット配置が実現される。   The print control unit 108 performs necessary signal processing, and controls the discharge amount and discharge timing of the resist composition of the inkjet head 20 via the head driver 110 based on the resist information. As will be described in detail later, the driving waveform for discharging the resist composition is changed (adjusted) according to the polymer content. Thereby, a desired dot size and dot arrangement of the resist composition that lands on the work 26 is realized.

プリント制御部108には画像バッファメモリ112が備えられており、プリント制御部108におけるレジスト情報処理時にレジスト情報やパラメータなどのデータが画像バッファメモリ112に一時的に格納される。なお、図4においては画像バッファメモリ112はプリント制御部108に付随する態様で示されているが、画像メモリ106と兼用してもよい。さらに、プリント制御部108とシステムコントローラ104とを統合して一つのプロセッサで構成する態様も可能である。   The print control unit 108 includes an image buffer memory 112, and data such as registration information and parameters is temporarily stored in the image buffer memory 112 during registration information processing in the print control unit 108. In FIG. 4, the image buffer memory 112 is shown in a mode associated with the print control unit 108, but it may also be used as the image memory 106. Furthermore, an aspect in which the print control unit 108 and the system controller 104 are integrated and configured with one processor is also possible.

ヘッドドライバ110は、プリント制御部108から与えられる駆動波形に基づいてインクジェットヘッド20を駆動し、インクジェットヘッド20からレジスト組成物を吐出する。ヘッドドライバ110には、ヘッドの駆動条件を一定に保つためのフィードバック制御系を含んでもよい。   The head driver 110 drives the ink jet head 20 based on the drive waveform given from the print control unit 108, and discharges the resist composition from the ink jet head 20. The head driver 110 may include a feedback control system for keeping the head driving conditions constant.

レジスト供給制御部116は、レジスト供給部114(図3に示すレジスト供給系)の主に各ポンプを駆動してレジスト供給タンク50からレジスト組成物をインクジェットヘッド20に送液する。   The resist supply controller 116 mainly drives each pump of the resist supply unit 114 (resist supply system shown in FIG. 3) to send the resist composition from the resist supply tank 50 to the inkjet head 20.

メンテナンス制御部118は、メンテナンス手段32を制御するものであり、メンテナンスが必要なときには、メンテナンス手段32のキャップをインクジェットヘッド20のノズル面に対向させて予備吐出やパージを行ったり、キャップをノズル面に当てて粘度が高くなったレジストを吸引して、メンテナンス動作を行う。   The maintenance control unit 118 controls the maintenance unit 32. When maintenance is required, the cap of the maintenance unit 32 faces the nozzle surface of the inkjet head 20 to perform preliminary discharge or purge, or the cap is moved to the nozzle surface. The maintenance operation is performed by sucking the resist whose viscosity has been increased by applying the resist.

観察制御部122は、ノズル面観察手段28や吐出状態観察手段30(30a、30b)等の観察部120を制御する。ロードアンロード制御部124は、ロードアンロード部48(48a、48b)を制御する。アライメント制御部126は、アライメント部(ワークアライメント手段)22を制御し、ワークの位置調整を行う。モータ制御部130は、モータ部128を制御して、ヘッド保持移動手段18、ワーク保持移動手段24等を駆動する。   The observation control unit 122 controls the observation unit 120 such as the nozzle surface observation unit 28 and the discharge state observation unit 30 (30a, 30b). The load / unload control unit 124 controls the load / unload unit 48 (48a, 48b). The alignment control unit 126 controls the alignment unit (work alignment unit) 22 to adjust the position of the work. The motor control unit 130 controls the motor unit 128 to drive the head holding / moving unit 18, the workpiece holding / moving unit 24, and the like.

次に、本実施形態で用いるレジスト組成物(ナノインプリント用硬化性組成物)について説明する。   Next, the resist composition (curable composition for nanoimprint) used in the present embodiment will be described.

まずナノインプリント用硬化性組成物の第1の例について説明する。本実施形態のナノインプリント用硬化性組成物は、少なくとも、多環芳香族構造を有する重合性単量体(Ax)と、光重合開始剤(B)と、を含む。通常、光ナノインプリント法に用いられる硬化性組成物は、重合性官能基を有する重合性単量体と、光照射によって前記重合性単量体の重合反応を開始させる光重合開始剤と、を含み、さらに必要に応じて、溶剤、界面活性剤または酸化防止剤等を含んで構成される。本実施形態のナノインプリント用硬化性組成物においては、重合性官能基を有する重合性単量体として少なくとも前記重合性単量体(Ax)を含む。本実施形態のナノインプリント用硬化性組成物は、多環芳香族構造を有する重合性単量体(Ax)を含むことで、ナノインプリント法によってモールド剥離性、エッチング耐性および耐溶剤性に優れたパターンを形成することができる。   First, a first example of the curable composition for nanoimprint will be described. The nanoimprint curable composition of the present embodiment includes at least a polymerizable monomer (Ax) having a polycyclic aromatic structure and a photopolymerization initiator (B). Usually, the curable composition used in the photo-nanoimprint method includes a polymerizable monomer having a polymerizable functional group and a photopolymerization initiator that initiates a polymerization reaction of the polymerizable monomer by light irradiation. If necessary, it further includes a solvent, a surfactant, an antioxidant, or the like. In the curable composition for nanoimprints of this embodiment, at least the polymerizable monomer (Ax) is included as a polymerizable monomer having a polymerizable functional group. The curable composition for nanoimprints of this embodiment contains a polymerizable monomer (Ax) having a polycyclic aromatic structure, so that a pattern excellent in mold releasability, etching resistance and solvent resistance can be obtained by the nanoimprint method. Can be formed.

(重合性単量体)
−重合性単量体(Ax)−
本実施形態における重合性単量体(Ax)は、重合性官能基を含む化合物である。前記重合性官能基としては、カチオン重合性官能基、ラジカル重合性官能基が挙げられ、ラジカル重合性官能基が好ましい。前記カチオン重合性官能基としては、エポキシ基、オキセタン基が好ましい。また、前記ラジカル重合性官能基としては、エチレン性不飽和結合を有する官能基が挙げられ、(メタ)アクリル基、ビニル基、アリル基が好ましい。本実施形態における重合性単量体(Ax)中に含まれる重合性官能基の数は、硬化性、粘度の観点から1〜4が好ましく、1〜2がさらに好ましい。
(Polymerizable monomer)
-Polymerizable monomer (Ax)-
The polymerizable monomer (Ax) in this embodiment is a compound containing a polymerizable functional group. Examples of the polymerizable functional group include a cationic polymerizable functional group and a radical polymerizable functional group, and a radical polymerizable functional group is preferable. The cationic polymerizable functional group is preferably an epoxy group or an oxetane group. Examples of the radical polymerizable functional group include a functional group having an ethylenically unsaturated bond, and a (meth) acryl group, a vinyl group, and an allyl group are preferable. The number of polymerizable functional groups contained in the polymerizable monomer (Ax) in the present embodiment is preferably 1 to 4, and more preferably 1 to 2, from the viewpoints of curability and viscosity.

また、本実施形態における重合性単量体(Ax)は多環芳香族構造、即ち、少なくとも2以上の環構造が縮合している縮合多環式の芳香族構造を有する。したがって、前記多環芳香族構造には、ビスフェノール等の2以上の単独の芳香環が単結合や有機連結基で連結されている環集合構造は含まれない。また、本実施形態において「多環芳香族」とは、ナフタレン等の縮合している環が全て芳香環であるもののみではなく、芳香環と非芳香環とが縮合した、例えば、ベンゼンとシクロヘキサンとが融合した1,2,3,4−テトラヒドロナフタレン構造等なども含まれる。また、本実施形態における多環芳香族構造は、2〜4の縮合環構造であることが好ましく、2〜3の縮合環構造であることがさらに好ましく、2つの縮合環構造であることが特に好ましい。ナノインプリント用硬化性組成物中に、多環芳香族構造を有する重合性単量体が含まれていない、即ち、ナノインプリント用硬化組成物中の全ての重合化合物が、1以下の環芳香族構造を有する化合物であると、ドライエッチング時においてパターンの劣化が大きく(すなわち、ドライエッチング耐性が低い)、また、パターン現像時における溶剤耐性も十分ではなく、さらにモールドとパターンとの剥離性も低くなってしまい、これらの性能を十分に高いレベルで同時に発揮することができない。本実施形態のナノインプリント用硬化性組成物は、特にナノメートルオーダーのパターンを形成する際であっても、モールドとの剥離性が良好である。   The polymerizable monomer (Ax) in the present embodiment has a polycyclic aromatic structure, that is, a condensed polycyclic aromatic structure in which at least two ring structures are condensed. Therefore, the polycyclic aromatic structure does not include a ring assembly structure in which two or more single aromatic rings such as bisphenol are connected by a single bond or an organic connecting group. Further, in the present embodiment, “polycyclic aromatic” means not only those in which condensed rings such as naphthalene are all aromatic rings but also condensed aromatic rings and non-aromatic rings, for example, benzene and cyclohexane. 1,2,3,4-tetrahydronaphthalene structure and the like fused with each other. In addition, the polycyclic aromatic structure in the present embodiment is preferably 2 to 4 condensed ring structures, more preferably 2 to 3 condensed ring structures, and particularly preferably 2 condensed ring structures. preferable. The curable composition for nanoimprints does not contain a polymerizable monomer having a polycyclic aromatic structure, that is, all the polymerized compounds in the curable composition for nanoimprints have 1 or less ring aromatic structure. In the case of the compound, the deterioration of the pattern at the time of dry etching is large (that is, the resistance to dry etching is low), the solvent resistance at the time of pattern development is not sufficient, and the releasability between the mold and the pattern is also low. Therefore, these performances cannot be exhibited at a sufficiently high level at the same time. The curable composition for nanoimprinting of the present embodiment has good releasability from the mold even when a nanometer order pattern is formed.

本実施形態における重合性単量体(Ax)の多環芳香族構造としては、ナフタレン、アントラセン、フェナントレン、ピレン、1,2,3,4−テトラヒドロナフタレンなどの炭化水素系多環芳香族構造のほか、インドール、カルバゾール、キノリン、ベンソイソキノリンなどのヘテロ多環芳香族構造などが挙げられる。本実施形態における多環芳香族構造としては、炭化水素系多環芳香族構造が好ましく、さらに好ましくはナフタレン構造、アントラセン構造であり、特に好ましくはナフタレン構造である。   Examples of the polycyclic aromatic structure of the polymerizable monomer (Ax) in the present embodiment include hydrocarbon-based polycyclic aromatic structures such as naphthalene, anthracene, phenanthrene, pyrene, 1,2,3,4-tetrahydronaphthalene. In addition, examples include heteropolycyclic aromatic structures such as indole, carbazole, quinoline, and benzoisoquinoline. The polycyclic aromatic structure in the present embodiment is preferably a hydrocarbon-based polycyclic aromatic structure, more preferably a naphthalene structure or an anthracene structure, and particularly preferably a naphthalene structure.

本実施形態における重合性単量体(Ax)の炭素数としては、粘度、耐溶剤性の観点から10〜30が好ましく、10〜20がさらに好ましく、11〜16が特に好ましい。また、重合性単量体(Ax)の分子量は、粘度、耐溶剤性の観点から150〜400が好ましく、150〜300がさらに好ましく、190〜300が特に好ましい。   As carbon number of the polymerizable monomer (Ax) in this embodiment, 10-30 are preferable from a viewpoint of a viscosity and solvent resistance, 10-20 are more preferable, and 11-16 are especially preferable. The molecular weight of the polymerizable monomer (Ax) is preferably from 150 to 400, more preferably from 150 to 300, particularly preferably from 190 to 300, from the viewpoints of viscosity and solvent resistance.

多環芳香族構造を有する重合性単量体(Ax)は、下記式(I)で表される化合物であることが好ましい。   The polymerizable monomer (Ax) having a polycyclic aromatic structure is preferably a compound represented by the following formula (I).

Figure 0005335717
Figure 0005335717

(式(I)中、R1は水素原子、置換基を有していてもよいアルキル基またはハロゲン原子を示し、Xは、単結合または有機連結基を示し、Lは、置換基を有していてもよいm価の多環芳香族基を示し、mは1〜3の整数を示す。)
前記式(I)において、R1は水素原子、置換基を有していてもよいアルキル基、ハロゲン原子を示す。前記置換基を有していてもよいアルキル基としては、硬化性の観点から、炭素数1〜4のアルキル基が好ましく、炭素数1〜3のアルキル基がさらに好ましい。前記アルキル基としては、メチル基、エチル基、プロピル基が好ましく、より好ましくはメチル基である。前記アルキル基が有していてもよい置換基としては、好ましくはハロゲン原子、水酸基、アルコキシ基、アシルオキシ基が挙げられる。
(In formula (I), R 1 represents a hydrogen atom, an alkyl group which may have a substituent, or a halogen atom, X represents a single bond or an organic linking group, and L has a substituent. A m-valent polycyclic aromatic group that may be present, and m represents an integer of 1 to 3.)
In the formula (I), R 1 represents a hydrogen atom, an alkyl group which may have a substituent, or a halogen atom. The alkyl group which may have a substituent is preferably an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms, and more preferably an alkyl group having 1 to 3 carbon atoms from the viewpoint of curability. As said alkyl group, a methyl group, an ethyl group, and a propyl group are preferable, More preferably, it is a methyl group. Preferred examples of the substituent that the alkyl group may have include a halogen atom, a hydroxyl group, an alkoxy group, and an acyloxy group.

1および前記アルキル基の置換基としてのハロゲン原子としては、フッ素、塩素、臭
素、ヨウ素原子が挙げられ、好ましくはフッ素原子である。
Examples of the halogen atom as a substituent for R 1 and the alkyl group include fluorine, chlorine, bromine and iodine atoms, and preferably a fluorine atom.

前記式(I)において、Xは単結合または有機連結基を示す。前記有機連結基としては、−O−、−C(=O)O−、−C(=O)NRx−(Rxは、水素原子または有機基を示し、前記有機基としては、アリール基、アルキル基が好ましい)、アルキレン基、およびこれらの複数が組み合わさった連結基が好ましく、−C(=O)O−、−C(=O)O−アルキレン−がさらに好ましい。   In the formula (I), X represents a single bond or an organic linking group. Examples of the organic linking group include —O—, —C (═O) O—, —C (═O) NRx— (Rx represents a hydrogen atom or an organic group, and examples of the organic group include an aryl group and an alkyl group. Group is preferable), an alkylene group, and a linking group in which a plurality of these are combined is preferable, and —C (═O) O— and —C (═O) O-alkylene- are more preferable.

また、式(I)中、mは1〜3の整数を示し、粘度、硬化性の観点から、1または2が好ましい。mが2以上のとき、複数存在するX、R1は同一であってもよいし異なってい
てもよい。
Moreover, in Formula (I), m shows the integer of 1-3, and 1 or 2 is preferable from a viscosity and sclerosing | hardenable viewpoint. When m is 2 or more, a plurality of X and R 1 may be the same or different.

前記式(I)において、Lは、置換基を有していてもよいm価の多環芳香族基を示す。該前記多環芳香族基は、上述の多環芳香族構造を有する基を意味し、ナフタレン構造を有する基であることが好ましい。前記Lの置換基としては、アルキル基、アリール基、ハロゲン原子、アシルオキシ基、アルコキシカルボニル基、ニトロ基、シアノ基等が挙げられる。   In the formula (I), L represents an m-valent polycyclic aromatic group which may have a substituent. The polycyclic aromatic group means a group having the above-mentioned polycyclic aromatic structure, and is preferably a group having a naphthalene structure. Examples of the substituent for L include an alkyl group, an aryl group, a halogen atom, an acyloxy group, an alkoxycarbonyl group, a nitro group, and a cyano group.

本実施形態における多環芳香族構造を有する重合性単量体(Ax)としては、下記式(IA)で表される化合物であることがさらに好ましい。   The polymerizable monomer (Ax) having a polycyclic aromatic structure in the present embodiment is more preferably a compound represented by the following formula (IA).

Figure 0005335717
Figure 0005335717

(式(IA)中、R1は水素原子、置換基を有していてもよいアルキル基またはハロゲン原子を示し、Xは単結合または有機連結基を示し、mは1〜3の整数を示し、R2有機置換基を示し、nは0〜6の整数を示す。)
式(IA)中のR1、X、mは、上述の式(I)におけるものと同義であり、好ましい範囲も同様である。また、mが2以上の時、複数存在するXおよびR1は同一でもよいし、異なっていてもよい。
(In formula (IA), R 1 represents a hydrogen atom, an optionally substituted alkyl group or a halogen atom, X represents a single bond or an organic linking group, and m represents an integer of 1 to 3. And R 2 represents an organic substituent, and n represents an integer of 0 to 6.)
R 1 , X, and m in formula (IA) have the same meanings as those in formula (I) described above, and the preferred ranges are also the same. When m is 2 or more, a plurality of X and R 1 may be the same or different.

式(IA)中、R2は有機置換基を示す。前記有機置換基としては、アルキル基、アリール基、ハロゲン原子、アシルオキシ基、アルコキシカルボニル基、ニトロ基、シアノ基、アルコキシ基が好ましい。 In formula (IA), R 2 represents an organic substituent. As the organic substituent, an alkyl group, an aryl group, a halogen atom, an acyloxy group, an alkoxycarbonyl group, a nitro group, a cyano group, and an alkoxy group are preferable.

式(IA)中、nは0〜6の整数を示し、0〜3が好ましい。nが2以上の時、複数存在するR2は同一でもあってもよいし異なっていてもよい。前記式(IA)で表される化合物として、好ましくは、ナフタレン構造を有する(メタ)アクリル酸エステル類またはナフタレン構造を有するアクリルアミド類であり、特に好ましくは式(IB)で表される化合物である。 In the formula (IA), n represents an integer of 0 to 6, and preferably 0 to 3. When n is 2 or more, a plurality of R 2 may be the same or different. The compound represented by the formula (IA) is preferably a (meth) acrylic acid ester having a naphthalene structure or an acrylamide having a naphthalene structure, and particularly preferably a compound represented by the formula (IB). .

Figure 0005335717
Figure 0005335717

前記式(IB)中、Yは単結合または鎖中にヘテロ原子を含んでいてもよいアルキレン基を示す。該アルキレン基としては、例えば、メチレン基、エチレン基、−(CH2CH2O)−が挙げられ、メチレン基が好ましい。前記Yとしては、エッチング耐性、耐溶剤性の観点から、単結合、メチレン基が好ましい。mが2以上の時、複数存在するYおよびR1は同一でもよいし、異なっていてもよい。 In formula (IB), Y represents a single bond or an alkylene group which may contain a hetero atom in the chain. Examples of the alkylene group include a methylene group, an ethylene group, and — (CH 2 CH 2 O) —, and a methylene group is preferable. Y is preferably a single bond or a methylene group from the viewpoints of etching resistance and solvent resistance. When m is 2 or more, a plurality of Y and R 1 may be the same or different.

前記重合性単量体(Ax)としては、下記式(IC)または(ID)で表される化合物であることが、低粘度で他の成分との相溶性に優れ、且つ、モールド充填性が良好となる観点から、さらに好ましい。なお、モールド充填性が向上すると、ナノインプリント法によるパターン量産時においてモールド圧接圧力を高くしなくても速やかにモールドに硬化性組成物が充填され、モールド耐久性およびスループットの観点からより好ましいこととなる。   The polymerizable monomer (Ax) is a compound represented by the following formula (IC) or (ID), has low viscosity and excellent compatibility with other components, and has mold filling properties. From the viewpoint of improvement, it is more preferable. When the mold filling property is improved, the mold is quickly filled with the curable composition without increasing the mold pressure during the mass production by the nanoimprint method, which is more preferable from the viewpoint of mold durability and throughput. .

Figure 0005335717
Figure 0005335717

前記式(IB)中、R1は、上述の式(IA)におけるものと同義であり、好ましい範囲も同様である。 In the formula (IB), R 1 has the same meaning as in the above formula (IA), and the preferred range is also the same.

以下に本実施形態における重合性単量体(Ax)の具体例(化合物(I−1)〜(I−29)を示す。   Specific examples (compounds (I-1) to (I-29)) of the polymerizable monomer (Ax) in the present embodiment are shown below.

Figure 0005335717
Figure 0005335717

本実施形態の組成物に用いられる重合性単量体(Ax)は常法により合成可能である。例えば式(IB)の化合物は一般的なエステル化合物の合成法により合成可能である。具体的には下記Schme1に示すようなカルボン酸とアルコールを酸条件下反応させる方法、下記Scheme2に示すようなカルボン酸エステルとアルコールのエステル交換法、下記Scheme3に示すようなカルボン酸と脱離基(好ましくはハロゲン原子、アルキルスルホニルオキシ基、アリールスルホニルオキシ基)を有する化合物を塩基性条件下で反応させる方法等により合成することができる。   The polymerizable monomer (Ax) used in the composition of the present embodiment can be synthesized by a conventional method. For example, the compound of formula (IB) can be synthesized by a general synthesis method of ester compounds. Specifically, a method of reacting a carboxylic acid and an alcohol as shown in the following Schme1 under an acid condition, a transesterification method of a carboxylic acid ester and an alcohol as shown in the following Scheme2, a carboxylic acid and a leaving group as shown in the following Scheme3 It can be synthesized by a method of reacting a compound having (preferably a halogen atom, an alkylsulfonyloxy group or an arylsulfonyloxy group) under basic conditions.

Figure 0005335717
Figure 0005335717

本実施形態のナノインプリント用硬化性組成物中における重合性単量体の総含有量は、硬化性の観点から、溶剤を除く全成分中、50〜99.5質量%が好ましく、70〜99質量%がさらに好ましく、90〜99質量%が特に好ましい。本実施形態における重合性単量体(Ax)の含有量は、重合性単量体(Ax)が重合性官能基を1つ有する化合物である場合には、ドライエッチング耐性、耐溶剤性、パターン形成性の観点から、全重合性単量体中5〜100質量%が好ましく、より好ましくは20〜100質量%、さらに好ましくは30〜100質量%である。また、重合性単量体(Ax)が重合性官能基を2つ有する化合物である場合には、本実施形態における重合性単量体(Ax)の含有量は全重合性単量体中1〜70質量%が好ましく、より好ましくは5〜60質量%、さらに好ましくは10〜40質量%である。また、重合性単量体(Ax)が重合性官能基を3つ以上有する化合物である場合には、本実施形態における重合性単量体(Ax)の含有量は、全重合性単量体中1〜70質量%が好ましく、より好ましくは3〜50質量%、さらに好ましくは5〜40質量%である。即ち、組成物粘度、ドライエッチング耐性、インプリント適性、硬化性等の改良の観点から、特に重合性単量体(Ax)が2以上の重合性官能基を有する場合には、重合性単量体(Ax)と、以下に説明する重合性単量体(Ax)とは異なる他の重合性単量体と、を併用することが好ましい。   From the viewpoint of curability, the total content of the polymerizable monomer in the curable composition for nanoimprinting of the present embodiment is preferably 50 to 99.5% by mass, and preferably 70 to 99% by mass in all components excluding the solvent. % Is more preferable, and 90 to 99% by mass is particularly preferable. The content of the polymerizable monomer (Ax) in the present embodiment is such that when the polymerizable monomer (Ax) is a compound having one polymerizable functional group, dry etching resistance, solvent resistance, pattern From the viewpoint of formability, 5 to 100% by mass is preferable among all polymerizable monomers, more preferably 20 to 100% by mass, and still more preferably 30 to 100% by mass. When the polymerizable monomer (Ax) is a compound having two polymerizable functional groups, the content of the polymerizable monomer (Ax) in this embodiment is 1 in all polymerizable monomers. -70 mass% is preferable, More preferably, it is 5-60 mass%, More preferably, it is 10-40 mass%. Further, when the polymerizable monomer (Ax) is a compound having three or more polymerizable functional groups, the content of the polymerizable monomer (Ax) in the present embodiment is the total polymerizable monomer. 1-70 mass% is preferable, More preferably, it is 3-50 mass%, More preferably, it is 5-40 mass%. That is, from the viewpoint of improving the composition viscosity, dry etching resistance, imprintability, curability, etc., particularly when the polymerizable monomer (Ax) has two or more polymerizable functional groups, the polymerizable monomer The body (Ax) and another polymerizable monomer different from the polymerizable monomer (Ax) described below are preferably used in combination.

−他の重合性単量体−
上述のように本実施形態のナノインプリント用硬化性組成物は、さらに、組成物粘度、ドライエッチング耐性、インプリント適性、硬化性等の改良を目的に、重合性単量体として、さらに、重合性単量体(Ax)とは異なる他の重合性単量体を含んでいてもよい。前記他の重合性単量体としては、例えば、エチレン性不飽和結合含有基を1〜6個有する重合性不飽和単量体;オキシラン環を有する化合物(エポキシ化合物);ビニルエーテル化合物;スチレン誘導体;フッ素原子を有する化合物;プロペニルエーテルまたはブテニルエーテル等を挙げることができ、硬化性の観点から、エチレン性不飽和結合含有基を1〜6個有する重合性不飽和単量体が好ましい。
-Other polymerizable monomers-
As described above, the nanoimprint curable composition of the present embodiment is further polymerizable as a polymerizable monomer for the purpose of improving the composition viscosity, dry etching resistance, imprint suitability, curability, and the like. Another polymerizable monomer different from the monomer (Ax) may be included. Examples of the other polymerizable monomer include a polymerizable unsaturated monomer having 1 to 6 ethylenically unsaturated bond-containing groups; a compound having an oxirane ring (epoxy compound); a vinyl ether compound; a styrene derivative; A compound having a fluorine atom; propenyl ether or butenyl ether can be exemplified, and a polymerizable unsaturated monomer having 1 to 6 ethylenically unsaturated bond-containing groups is preferable from the viewpoint of curability.

前記エチレン性不飽和結合含有基を1〜6個有する重合性不飽和単量体(1〜6官能の重合性不飽和単量体)について説明する。   The polymerizable unsaturated monomer having 1 to 6 ethylenically unsaturated bond-containing groups (1 to 6 functional polymerizable unsaturated monomer) will be described.

まず、エチレン性不飽和結合含有基を1個有する重合性不飽和単量体(1官能の重合性不飽和単量体)としては具体的に、2−アクリロイロキシエチルフタレート、2−アクリロイロキシ2−ヒドロキシエチルフタレート、2−アクリロイロキシエチルヘキサヒドロフタレート、2−アクリロイロキシプロピルフタレート、2−エチル−2−ブチルプロパンジオールアクリレート、2−エチルヘキシル(メタ)アクリレート、2−エチルヘキシルカルビトール(メタ)アクリレート、2−ヒドロキシブチル(メタ)アクリレート、2−ヒドロキシエチル(メタ)アクリレート、2−ヒドロキシプロピル(メタ)アクリレート、2−メトキシエチル(メタ)アクリレート、3−メトキシブチル(メタ)アクリレート、4−ヒドロキシブチル(メタ)アクリレート、アクリル酸ダイマー、ベンジル(メタ)アクリレート、ブタンジオールモノ(メタ)アクリレート、ブトキシエチル(メタ)アクリレート、ブチル(メタ)アクリレート、セチル(メタ)アクリレート、エチレンオキシド変性(以下「EO」という。)クレゾール(メタ)アクリレート、ジプロピレングリコール(メタ)アクリレート、エトキシ化フェニル(メタ)アクリレート、エチル(メタ)アクリレート、イソアミル(メタ)アクリレート、イソブチル(メタ)アクリレート、イソオクチル(メタ)アクリレート、シクロヘキシル(メタ)アクリレート、イソボルニル(メタ)アクリレート、ジシクロペンタニル(メタ)アクリレート、ジシクロペンタニルオキシエチル(メタ)アクリレート、イソミリスチル(メタ)アクリレート、ラウリル(メタ)アクリレート、メトキシジプロピレングリコール(メタ)アクリレート、メトキシトリプロピレングリコール(メタ)アクリレート、メトキシポリエチレングリコール(メタ)アクリレート、メトキシトリエチレングリコール(メタ)アクリレート、メチル(メタ)アクリレート、ネオペンチルグリコールベンゾエート(メタ)アクリレート、ノニルフェノキシポリエチレングリコール(メタ)アクリレート、ノニルフェノキシポリプロピレングリコール(メタ)アクリレート、オクチル(メタ)アクリレート、パラクミルフェノキシエチレングリコール(メタ)アクリレート、エピクロロヒドリン(以下「ECH」という)変性フェノキシアクリレート、フェノキシエチル(メタ)アクリレート、フェノキシジエチレングリコール(メタ)アクリレート、フェノキシヘキサエチレングリコール(メタ)アクリレート、フェノキシテトラエチレングリコール(メタ)アクリレート、ポリエチレングリコール(メタ)アクリレート、ポリエチレングリコール−ポリプロピレングリコール(メタ)アクリレート、ポリプロピレングリコール(メタ)アクリレート、ステアリル(メタ)アクリレート、EO変性コハク酸(メタ)アクリレート、tert−ブチル(メタ)アクリレート、トリブロモフェニル(メタ)アクリレート、EO変性トリブロモフェニル(メタ)アクリレート、トリドデシル(メタ)アクリレート、p−イソプロペニルフェノール、スチレン、α−メチルスチレン、アクリロニトリル、が例示される。   First, specific examples of the polymerizable unsaturated monomer having one ethylenically unsaturated bond-containing group (monofunctional polymerizable unsaturated monomer) include 2-acryloyloxyethyl phthalate, 2-acryloyloxy 2 -Hydroxyethyl phthalate, 2-acryloyloxyethyl hexahydrophthalate, 2-acryloyloxypropyl phthalate, 2-ethyl-2-butylpropanediol acrylate, 2-ethylhexyl (meth) acrylate, 2-ethylhexyl carbitol (meth) Acrylate, 2-hydroxybutyl (meth) acrylate, 2-hydroxyethyl (meth) acrylate, 2-hydroxypropyl (meth) acrylate, 2-methoxyethyl (meth) acrylate, 3-methoxybutyl (meth) acrylate, 4-hydroxy Butyl (medium ) Acrylate, acrylic acid dimer, benzyl (meth) acrylate, butanediol mono (meth) acrylate, butoxyethyl (meth) acrylate, butyl (meth) acrylate, cetyl (meth) acrylate, ethylene oxide modified (hereinafter referred to as “EO”) Cresol (meth) acrylate, dipropylene glycol (meth) acrylate, ethoxylated phenyl (meth) acrylate, ethyl (meth) acrylate, isoamyl (meth) acrylate, isobutyl (meth) acrylate, isooctyl (meth) acrylate, cyclohexyl (meth) Acrylate, isobornyl (meth) acrylate, dicyclopentanyl (meth) acrylate, dicyclopentanyloxyethyl (meth) acrylate, isomyristyl (meth) ) Acrylate, lauryl (meth) acrylate, methoxydipropylene glycol (meth) acrylate, methoxytripropylene glycol (meth) acrylate, methoxypolyethylene glycol (meth) acrylate, methoxytriethylene glycol (meth) acrylate, methyl (meth) acrylate, Neopentyl glycol benzoate (meth) acrylate, nonylphenoxypolyethylene glycol (meth) acrylate, nonylphenoxypolypropylene glycol (meth) acrylate, octyl (meth) acrylate, paracumylphenoxyethylene glycol (meth) acrylate, epichlorohydrin (hereinafter “ ECH)) Modified phenoxy acrylate, phenoxyethyl (meth) acrylate, phenoxydiethylene glycol (Meth) acrylate, phenoxyhexaethylene glycol (meth) acrylate, phenoxytetraethylene glycol (meth) acrylate, polyethylene glycol (meth) acrylate, polyethylene glycol-polypropylene glycol (meth) acrylate, polypropylene glycol (meth) acrylate, stearyl (meta ) Acrylate, EO-modified succinic acid (meth) acrylate, tert-butyl (meth) acrylate, tribromophenyl (meth) acrylate, EO-modified tribromophenyl (meth) acrylate, tridodecyl (meth) acrylate, p-isopropenylphenol, Examples include styrene, α-methylstyrene, and acrylonitrile.

これらの中で特に、ベンジル(メタ)アクリレート、ジシクロペンタニル(メタ)アクリレート、ジシクロペンタニルオキシエチル(メタ)アクリレート、イソボロニル(メタ)アクリレート、アダマンチル(メタ)アクリレートが本発明に好適に用いられる。   Among these, benzyl (meth) acrylate, dicyclopentanyl (meth) acrylate, dicyclopentanyloxyethyl (meth) acrylate, isoboronyl (meth) acrylate, and adamantyl (meth) acrylate are preferably used in the present invention. It is done.

他の重合性単量体として、エチレン性不飽和結合含有基を2個有する多官能重合性不飽和単量体を用いることも好ましい。   It is also preferable to use a polyfunctional polymerizable unsaturated monomer having two ethylenically unsaturated bond-containing groups as the other polymerizable monomer.

本実施形態で好ましく用いることのできるエチレン性不飽和結合含有基を2個有する2官能重合性不飽和単量体の例としては、ジエチレングリコールモノエチルエーテル(メタ)アクリレート、ジメチロールジシクロペンタンジ(メタ)アクリレート、ジ(メタ)アクリル化イソシアヌレート、1,3−ブチレングリコールジ(メタ)アクリレート、1,4−ブタンジオールジ(メタ)アクリレート、EO変性1,6−ヘキサンジオールジ(メタ)アクリレート、ECH変性1,6−ヘキサンジオールジ(メタ)アクリレート、アリロキシポリエチレングリコールアクリレート、1,9−ノナンジオールジ(メタ)アクリレート、EO変性ビスフェノールAジ(メタ)アクリレート、PO変性ビスフェノールAジ(メタ)アクリレート、変性ビスフェノールAジ(メタ)アクリレート、EO変性ビスフェノールFジ(メタ)アクリレート、ECH変性ヘキサヒドロフタル酸ジアクリレート、ヒドロキシピバリン酸ネオペンチルグリコールジ(メタ)アクリレート、ネオペンチルグリコールジ(メタ)アクリレート、EO変性ネオペンチルグリコールジアクリレート、プロピレンオキシド(以後「PO」という。)変性ネオペンチルグリコールジアクリレート、カプロラクトン変性ヒドロキシピバリン酸エステルネオペンチルグリコール、ステアリン酸変性ペンタエリスリトールジ(メタ)アクリレート、ECH変性フタル酸ジ(メタ)アクリレート、ポリ(エチレングリコール−テトラメチレングリコール)ジ(メタ)アクリレート、ポリ(プロピレングリコール−テトラメチレングリコール)ジ(メタ)アクリレート、ポリエステル(ジ)アクリレート、ポリエチレングリコールジ(メタ)アクリレート、ポリプロピレングリコールジ(メタ)アクリレート、ECH変性プロピレングリコールジ(メタ)アクリレート、シリコーンジ(メタ)アクリレート、トリエチレングリコールジ(メタ)アクリレート、テトラエチレングリコールジ(メタ)アクリレート、ジメチロールトリシクロデカンジ(メタ)アクリレート、ネオペンチルグリコール変性トリメチロールプロパンジ(メタ)アクリレート、トリプロピレングリコールジ(メタ)アクリレート、EO変性トリプロピレングリコールジ(メタ)アクリレート、トリグリセロールジ(メタ)アクリレート、ジプロピレングリコールジ(メタ)アクリレート、ジビニルエチレン尿素、ジビニルプロピレン尿素が例示される。   Examples of the bifunctional polymerizable unsaturated monomer having two ethylenically unsaturated bond-containing groups that can be preferably used in this embodiment include diethylene glycol monoethyl ether (meth) acrylate, dimethylol dicyclopentane di ( (Meth) acrylate, di (meth) acrylated isocyanurate, 1,3-butylene glycol di (meth) acrylate, 1,4-butanediol di (meth) acrylate, EO-modified 1,6-hexanediol di (meth) acrylate , ECH-modified 1,6-hexanediol di (meth) acrylate, allyloxy polyethylene glycol acrylate, 1,9-nonanediol di (meth) acrylate, EO-modified bisphenol A di (meth) acrylate, PO-modified bisphenol A di (meth) ) Acrylate, modified Sphenol A di (meth) acrylate, EO modified bisphenol F di (meth) acrylate, ECH modified hexahydrophthalic acid diacrylate, hydroxypivalic acid neopentyl glycol di (meth) acrylate, neopentyl glycol di (meth) acrylate, EO Modified neopentyl glycol diacrylate, propylene oxide (hereinafter referred to as “PO”) modified neopentyl glycol diacrylate, caprolactone modified hydroxypivalate ester neopentyl glycol, stearic acid modified pentaerythritol di (meth) acrylate, ECH modified phthalic acid di (Meth) acrylate, poly (ethylene glycol-tetramethylene glycol) di (meth) acrylate, poly (propylene glycol-tetramethylene) Recall) di (meth) acrylate, polyester (di) acrylate, polyethylene glycol di (meth) acrylate, polypropylene glycol di (meth) acrylate, ECH modified propylene glycol di (meth) acrylate, silicone di (meth) acrylate, triethylene glycol Di (meth) acrylate, tetraethylene glycol di (meth) acrylate, dimethylol tricyclodecane di (meth) acrylate, neopentyl glycol modified trimethylolpropane di (meth) acrylate, tripropylene glycol di (meth) acrylate, EO modified Tripropylene glycol di (meth) acrylate, triglycerol di (meth) acrylate, dipropylene glycol di (meth) acrylate, divinyl ester Tylene urea and divinyl propylene urea are exemplified.

これらの中で特に、ネオペンチルグリコールジ(メタ)アクリレート、1,9−ノナンジオールジ(メタ)アクリレート、トリプロピレングリコールジ(メタ)アクリレート、テトラエチレングリコールジ(メタ)アクリレート、ヒドロキシピバリン酸ネオペンチルグリコールジ(メタ)アクリレート、ポリエチレングリコールジ(メタ)アクリレート等が本実施形態に好適に用いられる。   Among these, neopentyl glycol di (meth) acrylate, 1,9-nonanediol di (meth) acrylate, tripropylene glycol di (meth) acrylate, tetraethylene glycol di (meth) acrylate, neopentyl hydroxypivalate Glycol di (meth) acrylate, polyethylene glycol di (meth) acrylate, and the like are preferably used in this embodiment.

エチレン性不飽和結合含有基を3個以上有する多官能重合性不飽和単量体の例としては、ECH変性グリセロールトリ(メタ)アクリレート、EO変性グリセロールトリ(メタ)アクリレート、PO変性グリセロールトリ(メタ)アクリレート、ペンタエリスリトールトリアクリレート、EO変性リン酸トリアクリレート、トリメチロールプロパントリ(メタ)アクリレート、カプロラクトン変性トリメチロールプロパントリ(メタ)アクリレート、EO変性トリメチロールプロパントリ(メタ)アクリレート、PO変性トリメチロールプロパントリ(メタ)アクリレート、トリス(アクリロキシエチル)イソシアヌレート、ジペンタエリスリトールヘキサ(メタ)アクリレート、カプロラクトン変性ジペンタエリスリトールヘキサ(メタ)アクリレート、ジペンタエリスリトールヒドロキシペンタ(メタ)アクリレート、アルキル変性ジペンタエリスリトールペンタ(メタ)アクリレート、ジペンタエリスリトールポリ(メタ)アクリレート、アルキル変性ジペンタエリスリトールトリ(メタ)アクリレート、ジトリメチロールプロパンテトラ(メタ)アクリレート、ペンタエリスリトールエトキシテトラ(メタ)アクリレート、ペンタエリスリトールテトラ(メタ)アクリレート等が挙げられる。   Examples of the polyfunctional polymerizable unsaturated monomer having 3 or more ethylenically unsaturated bond-containing groups include ECH-modified glycerol tri (meth) acrylate, EO-modified glycerol tri (meth) acrylate, PO-modified glycerol tri (meta) ) Acrylate, pentaerythritol triacrylate, EO modified phosphoric acid triacrylate, trimethylolpropane tri (meth) acrylate, caprolactone modified trimethylolpropane tri (meth) acrylate, EO modified trimethylolpropane tri (meth) acrylate, PO modified trimethylol Propane tri (meth) acrylate, tris (acryloxyethyl) isocyanurate, dipentaerythritol hexa (meth) acrylate, caprolactone-modified dipentaerythritol hexa (meth) Acrylate, dipentaerythritol hydroxypenta (meth) acrylate, alkyl-modified dipentaerythritol penta (meth) acrylate, dipentaerythritol poly (meth) acrylate, alkyl-modified dipentaerythritol tri (meth) acrylate, ditrimethylolpropane tetra (meth) Examples include acrylate, pentaerythritol ethoxytetra (meth) acrylate, and pentaerythritol tetra (meth) acrylate.

これらの中で特に、EO変性グリセロールトリ(メタ)アクリレート、PO変性グリセロールトリ(メタ)アクリレート、トリメチロールプロパントリ(メタ)アクリレート、EO変性トリメチロールプロパントリ(メタ)アクリレート、PO変性トリメチロールプロパントリ(メタ)アクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサ(メタ)アクリレート、ペンタエリスリトールエトキシテトラ(メタ)アクリレート、ペンタエリスリトールテトラ(メタ)アクリレート等が本発明に好適に用いられる。   Among these, EO-modified glycerol tri (meth) acrylate, PO-modified glycerol tri (meth) acrylate, trimethylolpropane tri (meth) acrylate, EO-modified trimethylolpropane tri (meth) acrylate, PO-modified trimethylolpropane tri (Meth) acrylate, dipentaerythritol hexa (meth) acrylate, pentaerythritol ethoxytetra (meth) acrylate, pentaerythritol tetra (meth) acrylate and the like are preferably used in the present invention.

前記オキシラン環を有する化合物(エポキシ化合物)としては、例えば、多塩基酸のポリグリシジルエステル類、多価アルコールのポリグリシジルエーテル類、ポリオキシアルキレングリコールのポリグリシジルエーテル類、芳香族ポリオールのポリグリシジルエテーテル類、芳香族ポリオールのポリグリシジルエーテル類の水素添加化合物類、ウレタンポリエポキシ化合物およびエポキシ化ポリブタジエン類等を挙げることができる。これらの化合物は、その一種を単独で使用することもできるし、また、その二種以上を混合して使用することもできる。   Examples of the compound having an oxirane ring (epoxy compound) include polyglycidyl esters of polybasic acids, polyglycidyl ethers of polyhydric alcohols, polyglycidyl ethers of polyoxyalkylene glycol, and polyglycidyl ethers of aromatic polyols. Examples include teters, hydrogenated compounds of polyglycidyl ethers of aromatic polyols, urethane polyepoxy compounds, and epoxidized polybutadienes. These compounds can be used alone or in combination of two or more thereof.

本実施形態に好ましく使用することのできる前記オキシラン環を有する化合物(エポキシ化合物)としては、例えばビスフェノールAジグリシジルエーテル、ビスフェノールFジグリシジルエーテル、ビスフェノールSジグリシジルエーテル、臭素化ビスフェノールAジグリシジルエーテル、臭素化ビスフェノールFジグリシジルエーテル、臭素化ビスフェノールSジグリシジルエーテル、水添ビスフェノールAジグリシジルエーテル、水添ビスフェノールFジグリシジルエーテル、水添ビスフェノールSジグリシジルエーテル、1,4−ブタンジオールジグリシジルエーテル、1,6−ヘキサンジオールジグリシジルエーテル、グリセリントリグリシジルエーテル、トリメチロールプロパントリグリシジルエーテル、ポリエチレングリコールジグリシジルエーテル、ポリプロピレングリコールジグリシジルエーテル類;エチレングリコール、プロピレングリコール、グリセリンなどの脂肪族多価アルコールに1種または2種以上のアルキレンオキサイドを付加することにより得られるポリエーテルポリオールのポリグリシジルエーテル類;脂肪族長鎖二塩基酸のジグリシジルエステル類;脂肪族高級アルコールのモノグリシジルエーテル類;フェノール、クレゾール、ブチルフェノールまたはこれらにアルキレンオキサイドを付加して得られるポリエーテルアルコールのモノグリシジルエーテル類;高級脂肪酸のグリシジルエステル類などを例示することができる。   Examples of the compound having an oxirane ring (epoxy compound) that can be preferably used in this embodiment include bisphenol A diglycidyl ether, bisphenol F diglycidyl ether, bisphenol S diglycidyl ether, brominated bisphenol A diglycidyl ether, Brominated bisphenol F diglycidyl ether, brominated bisphenol S diglycidyl ether, hydrogenated bisphenol A diglycidyl ether, hydrogenated bisphenol F diglycidyl ether, hydrogenated bisphenol S diglycidyl ether, 1,4-butanediol diglycidyl ether, 1,6-hexanediol diglycidyl ether, glycerin triglycidyl ether, trimethylolpropane triglycidyl ether, polyethylene glycol Glycidyl ethers, polypropylene glycol diglycidyl ethers; polyglycidyl ethers of polyether polyols obtained by adding one or more alkylene oxides to aliphatic polyhydric alcohols such as ethylene glycol, propylene glycol and glycerin; Diglycidyl esters of aliphatic long-chain dibasic acids; monoglycidyl ethers of higher aliphatic alcohols; monoglycidyl ethers of polyether alcohols obtained by adding phenol, cresol, butylphenol or alkylene oxide to these; higher fatty acid Examples thereof include glycidyl esters.

これらの中で特に、ビスフェノールAジグリシジルエーテル、ビスフェノールFジグリシジルエーテル、水添ビスフェノールAジグリシジルエーテル、水添ビスフェノールFジグリシジルエーテル、1,4−ブタンジオールジグリシジルエーテル、1,6−ヘキサンジオールジグリシジルエーテル、グリセリントリグリシジルエーテル、トリメチロールプロパントリグリシジルエーテル、ネオペンチルグリコールジグリシジルエーテル、ポリエチレングリコールジグリシジルエーテル、ポリプロピレングリコールジグリシジルエーテルが好ましい。   Among these, bisphenol A diglycidyl ether, bisphenol F diglycidyl ether, hydrogenated bisphenol A diglycidyl ether, hydrogenated bisphenol F diglycidyl ether, 1,4-butanediol diglycidyl ether, 1,6-hexanediol Diglycidyl ether, glycerin triglycidyl ether, trimethylolpropane triglycidyl ether, neopentyl glycol diglycidyl ether, polyethylene glycol diglycidyl ether, and polypropylene glycol diglycidyl ether are preferred.

グリシジル基含有化合物として好適に使用できる市販品としては、UVR−6216(ユニオンカーバイド社製)、グリシドール、AOEX24、サイクロマーA200、(以上、ダイセル化学工業(株)製)、エピコート828、エピコート812、エピコート1031、エピコート872、エピコートCT508(以上、油化シェル(株)製)、KRM−2400、KRM−2410、KRM−2408、KRM−2490、KRM−2720、KRM−2750(以上、旭電化工業(株)製)などを挙げることができる。これらは、1種単独で、または2種以上組み合わせて用いることができる。   Commercially available products that can be suitably used as the glycidyl group-containing compound include UVR-6216 (manufactured by Union Carbide), glycidol, AOEX24, cyclomer A200, (manufactured by Daicel Chemical Industries, Ltd.), Epicoat 828, Epicoat 812, Epicoat 1031, Epicoat 872, Epicoat CT508 (above, manufactured by Yuka Shell Co., Ltd.), KRM-2400, KRM-2410, KRM-2408, KRM-2490, KRM-2720, KRM-2750 (above, Asahi Denka Kogyo ( Product)). These can be used alone or in combination of two or more.

また、これらのオキシラン環を有する化合物はその製法は問わないが、例えば、丸善KK出版、第四版実験化学講座20有機合成II、213〜、平成4年、Ed.by Alfred Hasfner,The chemistry of heterocyclic compounds−Small Ring Heterocycles part3 Oxiranes,John & Wiley and Sons,An Interscience Publication,New York,1985、吉村、接着、29巻12号、32、1985、吉村、接着、30巻5号、42、1986、吉村、接着、30巻7号、42、1986、特開平11−100378号公報、特許第2906245号公報、特許第2926262号公報などの文献を参考にして合成できる。   The production method of these compounds having an oxirane ring is not limited. For example, Maruzen KK Publishing, 4th edition Experimental Chemistry Course 20 Organic Synthesis II, 213, 1992, Ed. By Alfred Hasfner, The chemistry of cyclic compounds-Small Ring Heterocycles part 3 Oxiranes, John & Wiley and Sons, An Interscience Publication, New York, 1985, Yoshimura, Adhesion, Vol. 29, No. 12, 32, 1985, Yoshimura, Adhesion, Vol. 30, No. 5, 42, 1986, Yoshimura, Adhesion, Vol. 30, No. 7, 42, 1986, Japanese Patent Application Laid-Open No. 11-1000037, Japanese Patent No. 2906245, Japanese Patent No. 2926262 and the like can be synthesized.

本実施形態で用いる他の重合性単量体として、ビニルエーテル化合物を併用してもよい。   As another polymerizable monomer used in this embodiment, a vinyl ether compound may be used in combination.

ビニルエーテル化合物は公知のものを適宜選択することができ、例えば、2−エチルヘキシルビニルエーテル、ブタンジオール−1,4−ジビニルエーテル、ジエチレングリコールモノビニルエーテル、ジエチレングリコールモノビニルエーテル、エチレングリコールジビニルエーテル、トリエチレングリコールジビニルエーテル、1,2−プロパンジオールジビニルエーテル、1,3−プロパンジオールジビニルエーテル、1,3−ブタンジオールジビニルエーテル、1,4−ブタンジオールジビニルエーテル、テトラメチレングリコールジビニルエーテル、ネオペンチルグリコールジビニルエーテル、トリメチロールプロパントリビニルエーテル、トリメチロールエタントリビニルエーテル、ヘキサンジオールジビニルエーテル、テトラエチレングリコールジビニルエーテル、ペンタエリスリトールジビニルエーテル、ペンタエリスリトールトリビニルエーテル、ペンタエリスリトールテトラビニルエーテル、ソルビトールテトラビニルエーテル、ソルビトールペンタビニルエーテル、エチレングリコールジエチレンビニルエーテル、トリエチレングリコールジエチレンビニルエーテル、エチレングリコールジプロピレンビニルエーテル、トリエチレングリコールジエチレンビニルエーテル、トリメチロールプロパントリエチレンビニルエーテル、トリメチロールプロパンジエチレンビニルエーテル、ペンタエリスリトールジエチレンビニルエーテル、ペンタエリスリトールトリエチレンビニルエーテル、ペンタエリスリトールテトラエチレンビニルエーテル、1,1,1−トリス〔4−(2−ビニロキシエトキシ)フェニル〕エタン、ビスフェノールAジビニロキシエチルエーテル等が挙げられる。   As the vinyl ether compound, known compounds can be appropriately selected. For example, 2-ethylhexyl vinyl ether, butanediol-1,4-divinyl ether, diethylene glycol monovinyl ether, diethylene glycol monovinyl ether, ethylene glycol divinyl ether, triethylene glycol divinyl ether, 1,2-propanediol divinyl ether, 1,3-propanediol divinyl ether, 1,3-butanediol divinyl ether, 1,4-butanediol divinyl ether, tetramethylene glycol divinyl ether, neopentyl glycol divinyl ether, trimethylol Propane trivinyl ether, trimethylol ethane trivinyl ether, hexanediol divinyl ether, tetra Tylene glycol divinyl ether, pentaerythritol divinyl ether, pentaerythritol trivinyl ether, pentaerythritol tetravinyl ether, sorbitol tetravinyl ether, sorbitol pentavinyl ether, ethylene glycol diethylene vinyl ether, triethylene glycol diethylene vinyl ether, ethylene glycol dipropylene vinyl ether, triethylene glycol diethylene vinyl ether , Trimethylolpropane triethylene vinyl ether, trimethylolpropane diethylene vinyl ether, pentaerythritol diethylene vinyl ether, pentaerythritol triethylene vinyl ether, pentaerythritol tetraethylene vinyl ether, 1,1,1-to Scan [4- (2-vinyloxy ethoxy) phenyl] ethane, bisphenol A divinyloxyethyl carboxyethyl ether.

これらのビニルエーテル化合物は、例えば、Stephen.C.Lapin,Polymers Paint Colour Journal.179(4237)、321(1988)に記載されている方法、即ち多価アルコールもしくは多価フェノールとアセチレンとの反応、または多価アルコールもしくは多価フェノールとハロゲン化アルキルビニルエーテルとの反応により合成することができ、これらは1種単独あるいは2種以上を組み合わせて用いることができる。   These vinyl ether compounds can be obtained, for example, by the method described in Stephen C. Lapin, Polymers Paint Color Journal. 179 (4237), 321 (1988), that is, the reaction of a polyhydric alcohol or polyhydric phenol with acetylene, or They can be synthesized by the reaction of a polyhydric alcohol or polyhydric phenol and a halogenated alkyl vinyl ether, and these can be used singly or in combination of two or more.

また、本実施形態で用いる他の重合性単量体としては、スチレン誘導体も採用できる。スチレン誘導体としては、例えば、スチレン、p−メチルスチレン、p−メトキシスチレン、β−メチルスチレン、p−メチル−β−メチルスチレン、α−メチルスチレン、p−メトキシ−β−メチルスチレン、p−ヒドロキシスチレン、等を挙げることができる。   Moreover, a styrene derivative can also be employ | adopted as another polymerizable monomer used by this embodiment. Examples of styrene derivatives include styrene, p-methylstyrene, p-methoxystyrene, β-methylstyrene, p-methyl-β-methylstyrene, α-methylstyrene, p-methoxy-β-methylstyrene, p-hydroxy. Examples include styrene.

また、モールドとの剥離性や塗布性を向上させる目的で、トリフルオロエチル(メタ)アクリレート、ペンタフルオロエチル(メタ)アクリレート、(パーフルオロブチル)エチル(メタ)アクリレート、パーフルオロブチル−ヒドロキシプロピル(メタ)アクリレート、(パーフルオロヘキシル)エチル(メタ)アクリレート、オクタフルオロペンチル(メタ)アクリレート、パーフルオロオクチルエチル(メタ)アクリレート、テトラフルオロプロピル(メタ)アクリレート等のフッ素原子を有する化合物も併用することができる。   In addition, trifluoroethyl (meth) acrylate, pentafluoroethyl (meth) acrylate, (perfluorobutyl) ethyl (meth) acrylate, perfluorobutyl-hydroxypropyl ( Use compounds containing fluorine atoms such as (meth) acrylate, (perfluorohexyl) ethyl (meth) acrylate, octafluoropentyl (meth) acrylate, perfluorooctylethyl (meth) acrylate, tetrafluoropropyl (meth) acrylate, etc. Can do.

本実施形態で用いる他の重合性単量体としては、プロペニルエーテルおよびブテニルエーテルを用いることもできる。前記プロペニルエーテルまたはブテニルエーテルとしては、例えば1−ドデシル−1−プロペニルエーテル、1−ドデシル−1−ブテニルエーテル、1−ブテノキシメチル−2−ノルボルネン、1−4−ジ(1−ブテノキシ)ブタン、1,10−ジ(1−ブテノキシ)デカン、1,4−ジ(1−ブテノキシメチル)シクロヘキサン、ジエチレングリコールジ(1−ブテニル)エーテル、1,2,3−トリ(1−ブテノキシ)プロパン、プロペニルエーテルプロピレンカーボネート等が好適に適用できる。   As another polymerizable monomer used in this embodiment, propenyl ether and butenyl ether can also be used. Examples of the propenyl ether or butenyl ether include 1-dodecyl-1-propenyl ether, 1-dodecyl-1-butenyl ether, 1-butenoxymethyl-2-norbornene, 1-4-di (1-butenoxy) butane, 1,10-di (1-butenoxy) decane, 1,4-di (1-butenoxymethyl) cyclohexane, diethylene glycol di (1-butenyl) ether, 1,2,3-tri (1-butenoxy) propane, propenyl ether propylene Carbonate or the like can be suitably applied.

上述の他の重合性単量体は、本発明における重合性単量体の含有量によってその好ましい含有量が変わるが、例えば、本発明の組成物中に含まれる全重合性単量体に対して0〜90質量%の範囲で含むことが好ましく、5〜80質量%の範囲で含むことがより好ましく、10〜50質量%の範囲で含むことがさらに好ましい。   The preferred content of the other polymerizable monomers described above varies depending on the content of the polymerizable monomer in the present invention. For example, the total amount of the polymerizable monomers contained in the composition of the present invention is as follows. It is preferably included in the range of 0 to 90% by mass, more preferably in the range of 5 to 80% by mass, and still more preferably in the range of 10 to 50% by mass.

次に、本実施形態における重合性単量体(Ax)および他の重合性単量体(以下、これらを併せて「重合性不飽和単量体」ということがある)の好ましいブレンド形態について説明する。   Next, a preferred blend form of the polymerizable monomer (Ax) and other polymerizable monomers (hereinafter, these may be collectively referred to as “polymerizable unsaturated monomer”) in the present embodiment will be described. To do.

1官能の重合性不飽和単量体は、通常、反応性希釈剤として用いられ、本実施形態のナノインプリント硬化性組成物の粘度を低下させる効果を有し、重合性単量体の総量に対して、15質量%以上添加されることが好ましく、20〜80質量%がさらに好ましく、25〜70質量%がより好ましく、30〜60質量%が特に好ましい。   The monofunctional polymerizable unsaturated monomer is usually used as a reactive diluent and has an effect of reducing the viscosity of the nanoimprint curable composition of the present embodiment, and is based on the total amount of the polymerizable monomer. In addition, 15% by mass or more is preferably added, more preferably 20 to 80% by mass, still more preferably 25 to 70% by mass, and particularly preferably 30 to 60% by mass.

不飽和結合含有基を2個有する単量体(2官能重合性不飽和単量体)は、全重合性不飽和単量体の好ましくは90質量%以下、より好ましくは80質量%以下、特に好ましくは70質量%以下の範囲で添加される。1官能および2官能重合性不飽和単量体の割合は、全重合性不飽和単量体の、好ましくは10〜100質量%、より好ましくは30〜95質量%、特に好ましくは50〜90質量%の範囲で添加される。不飽和結合含有基を3個以上有する多官能重合性不飽和単量体の割合は、全重合性不飽和単量体の、好ましくは80質量%以下、より好ましくは70質量%以下、特に好ましくは、60質量%以下の範囲で添加される。重合性不飽和結合含有基を3個以上有する重合性不飽和単量体の割合を80質量%以下とすることにより、組成物の粘度を下げられるため好ましい。   The monomer having two unsaturated bond-containing groups (bifunctional polymerizable unsaturated monomer) is preferably 90% by mass or less, more preferably 80% by mass or less, and particularly preferably 80% by mass or less of the total polymerizable unsaturated monomer. Preferably, it is added in a range of 70% by mass or less. The ratio of the monofunctional and bifunctional polymerizable unsaturated monomer is preferably 10 to 100% by mass, more preferably 30 to 95% by mass, and particularly preferably 50 to 90% by mass of the total polymerizable unsaturated monomer. % Is added. The ratio of the polyfunctional polymerizable unsaturated monomer having 3 or more unsaturated bond-containing groups is preferably 80% by mass or less, more preferably 70% by mass or less, and particularly preferably the total polymerizable unsaturated monomer. Is added in a range of 60% by mass or less. Since the viscosity of a composition can be lowered | hung by making the ratio of the polymerizable unsaturated monomer which has 3 or more of polymerizable unsaturated bond containing groups into 80 mass% or less, it is preferable.

本実施形態における重合性単量体(Ax)および他の重合性単量体の更に好ましいブレンド形態としては全重合性単量体中、1官能の重合性単量体(Ax)を20〜90質量%、重合性単量体(Ax)以外の1官能の重合性単量体を0〜50質量%、重合性単量体(Ax)以外の2及び/又は3官能の重合性単量体を10〜50質量%、4官能以上の重合性単量体を0〜30質量%含有する形態である。最も好ましいブレンド形態としては、1官能の重合性単量体(Ax)を40〜80質量%、重合性単量体(Ax)以外の1官能の重合性単量体を0〜40質量%、重合性単量体(Ax)以外の2及び/又は3官能の重合性単量体を20〜50質量%、4官能以上の重合性単量体を0〜10質量%含有する形態である。更に、上記ブレンド形態に加えて、重合性官能基としてアクリレート基を有する重合性単量体が全重合性単量体中90〜100質量%である形態である。これにより、光硬化性、モールド充填性、ドライエッチング耐性、モールド剥離性を高いレベルで両立することができる。   As a more preferable blend form of the polymerizable monomer (Ax) and other polymerizable monomers in the present embodiment, the monofunctional polymerizable monomer (Ax) is 20 to 90 in all polymerizable monomers. 0 to 50% by mass of a monofunctional polymerizable monomer other than the polymerizable monomer (Ax), 0 to 50% by mass, and a bifunctional and / or trifunctional polymerizable monomer other than the polymerizable monomer (Ax) 10 to 50% by mass, and a tetrafunctional or higher functional polymerizable monomer in an amount of 0 to 30% by mass. As the most preferable blend form, 40 to 80% by mass of the monofunctional polymerizable monomer (Ax), 0 to 40% by mass of the monofunctional polymerizable monomer other than the polymerizable monomer (Ax), This is a form containing 20 to 50% by mass of a bifunctional and / or trifunctional polymerizable monomer other than the polymerizable monomer (Ax) and 0 to 10% by mass of a tetrafunctional or higher functional monomer. Furthermore, in addition to the above blended form, the polymerizable monomer having an acrylate group as a polymerizable functional group is in the form of 90 to 100% by mass in the total polymerizable monomer. Thereby, photocurability, mold filling property, dry etching resistance, and mold releasability can be achieved at a high level.

(光重合開始剤(B))
本実施形態のナノインプリント硬化性組成物には、光重合開始剤が含まれる。本実施形態に用いられる光重合開始剤は、光照射により上述の重合性単量体を重合する活性種を発生する化合物であればいずれのものでも用いることができる。光重合開始剤としては、光照射によりラジカルを発生するラジカル重合開始剤、光照射により酸を発生するカチオン重合開始剤が好ましく、より好ましくはラジカル重合開始剤であるが、前記重合性単量体の重合性基の種類に応じて適宜決定される。即ち、本実施形態における光重合開始剤は、使用する光源の波長に対して活性を有するものが配合され、反応形式の違い(例えばラジカル重合やカチオン重合など)に応じて適切な活性種を発生させるものを用いる必要がある。また、本実施形態において、光重合開始剤は複数種を併用してもよい。
(Photopolymerization initiator (B))
The nanoimprint curable composition of this embodiment contains a photopolymerization initiator. As the photopolymerization initiator used in the present embodiment, any compound can be used as long as it is a compound that generates an active species that polymerizes the above polymerizable monomer by light irradiation. The photopolymerization initiator is preferably a radical polymerization initiator that generates radicals by light irradiation, or a cationic polymerization initiator that generates acids by light irradiation, more preferably a radical polymerization initiator. It is determined appropriately according to the type of the polymerizable group. That is, the photopolymerization initiator in this embodiment is formulated with an activity with respect to the wavelength of the light source to be used, and generates appropriate active species according to the difference in the reaction format (for example, radical polymerization or cationic polymerization). It is necessary to use what In the present embodiment, a plurality of photopolymerization initiators may be used in combination.

本実施形態に用いられる光重合開始剤の含有量は、組成物に含まれる全重合性単量体に対して、例えば、0.01〜15質量%であり、好ましくは0.1〜12質量%であり、さらに好ましくは0.2〜7質量%である。2種類以上の光重合開始剤を用いる場合は、その合計量が前記範囲となる。   Content of the photoinitiator used for this embodiment is 0.01-15 mass% with respect to all the polymerizable monomers contained in a composition, for example, Preferably it is 0.1-12 mass %, More preferably 0.2 to 7% by mass. When using 2 or more types of photoinitiators, the total amount becomes the said range.

光重合開始剤の含有量が0.01質量%以上であると、感度(速硬化性)、解像性、ラインエッジラフネス性、塗膜強度が向上する傾向にあり好ましい。一方、光重合開始剤の含有量を15質量%以下とすると、光透過性、着色性、取り扱い性などが向上する傾向にあり、好ましい。これまで、染料および/または顔料を含むインクジェット用組成物や液晶ディスプレイカラーフィルタ用組成物においては、好ましい光重合開始剤および/または光酸発生剤の添加量が種々検討されてきたが、ナノインプリント用等の光ナノインプリント用硬化性組成物についての好ましい光重合開始剤および/または光酸発生剤の添加量については報告されていない。すなわち、染料および/または顔料を含む系では、これらがラジカルトラップ剤として働くことがあり、光重合性、感度に影響を及ぼす。その点を考慮して、これらの用途では、光重合開始剤の添加量が最適化される。一方で、本実施形態のナノインプリント硬化性組成物では、染料および/または顔料は必須成分でなく、光重合開始剤の最適範囲がインクジェット用組成物や液晶ディスプレイカラーフィルタ用組成物等の分野のものとは異なる場合がある。   When the content of the photopolymerization initiator is 0.01% by mass or more, the sensitivity (fast curability), resolution, line edge roughness, and coating strength tend to be improved, which is preferable. On the other hand, when the content of the photopolymerization initiator is 15% by mass or less, light transmittance, colorability, handleability and the like tend to be improved, which is preferable. Until now, various addition amounts of preferred photopolymerization initiators and / or photoacid generators have been studied for ink-jet compositions and dye- and / or pigment-containing liquid crystal display color filter compositions. A preferred photopolymerization initiator and / or photoacid generator addition amount for the curable composition for photo-nanoimprints is not reported. That is, in a system containing dyes and / or pigments, these may act as radical trapping agents, affecting the photopolymerizability and sensitivity. In consideration of this point, the amount of the photopolymerization initiator added is optimized in these applications. On the other hand, in the nanoimprint curable composition of the present embodiment, dyes and / or pigments are not essential components, and the optimum range of the photopolymerization initiator is in the fields of inkjet compositions, liquid crystal display color filter compositions, and the like. May be different.

本実施形態で使用されるラジカル光重合開始剤としては、アシルホスフィンオキシド系化合物、オキシムエステル系化合物が硬化感度、吸収特性の観点から好ましい。光重合開始剤は例えば市販されている開始剤を用いることができる。これらの例としてはCiba社から入手可能なIrgacure(登録商標)2959(1−[4−(2−ヒドロキシエトキシ)フェニル]−2−ヒドロキシ−2−メチル−1−プロパン−1−オン、Irgacure(登録商標)184(1−ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトン)、Irgacure(登録商標)500(1−ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトン、ベンゾフェノン)、Irgacure(登録商標)651(2,2−ジメトキシ−1,2−ジフェニルエタン−1−オン)、Irgacure(登録商標)369(2−ベンジル−2−ジメチルアミノ−1−(4−モルフォリノフェニル)ブタノン−1)、Irgacure(登録商標)907(2−メチル−1[4−メチルチオフェニル]−2−モルフォリノプロパン−1−オン、Irgacure(登録商標)819(ビス(2,4,6−トリメチルベンゾイル)−フェニルフォスフィンオキサイド、Irgacure(登録商標)1800(ビス(2,6−ジメトキシベンゾイル)−2,4,4−トリメチル−ペンチルフォスフィンオキサイド,1−ヒドロキシ−シクロヘキシル−フェニル−ケトン)、Irgacure(登録商標)1800(ビス(2,6−ジメトキシベンゾイル)−2,4,4−トリメチル−ペンチルフォスフィンオキサイド,2−ヒドロキシ−2−メチル−1−フェニル−1−プロパン−1−オン)、Irgacure(登録商標)OXE01(1,2−オクタンジオン,1−[4−(フェニルチオ)フェニル]−2−(O−ベンゾイルオキシム)、Darocur(登録商標)1173(2−ヒドロキシ−2−メチル−1−フェニル−1−プロパン−1−オン)、Darocur(登録商標)1116、1398、1174および1020、CGI242(エタノン,1−[9−エチル−6−(2−メチルベンゾイル)−9H−カルバゾール−3−イル]−1−(O−アセチルオキシム)、BASF社から入手可能なLucirin TPO(2,4,6−トリメチルベンゾイルジフェニルホスフィンオキサイド)、Lucirin TPO−L(2,4,6−トリメチルベンゾイルフェニルエトキシホスフィンオキサイド)、ESACUR日本シイベルヘグナー社から入手可能なESACURE 1001M(1−[4−ベンゾイルフェニルスルファニル]フェニル]−2−メチル−2−(4−メチルフェニルスルホニル)プロパン−1−オン、N−1414旭電化社から入手可能なアデカオプトマー(登録商標)N−1414(カルバゾール・フェノン系)、アデカオプトマー(登録商標)N−1717(アクリジン系)、アデカオプトマー(登録商標)N−1606(トリアジン系)、三和ケミカル製のTFE−トリアジン(2−[2−(フラン−2−イル)ビニル]−4,6−ビス(トリクロロメチル)−1,3,5−トリアジン)、三和ケミカル製のTME−トリアジン(2−[2−(5−メチルフラン−2−イル)ビニル]−4,6−ビス(トリクロロメチル)−1,3,5−トリアジン)、三和ケミカル製のMP−トリアジン(2−(4−メトキシフェニル)−4,6−ビス(トリクロロメチル)−1,3,5−トリアジン)、ミドリ化学製TAZ−113(2−[2−(3,4−ジメトキシフェニル)エテニル]−4,6−ビス(トリクロロメチル)−1,3,5−トリアジン)、ミドリ化学製TAZ−108(2−(3,4−ジメトキシフェニル)−4,6−ビス(トリクロロメチル)−1,3,5−トリアジン)、ベンゾフェノン、4,4’−ビスジエチルアミノベンゾフェノン、メチル−2−ベンゾフェノン、4−ベンゾイル−4’−メチルジフェニルスルフィド、4−フェニルベンゾフェノン、エチルミヒラーズケトン、2−クロロチオキサントン、2−メチルチオキサントン、2−イソプロピルチオキサントン、4−イソプロピルチオキサントン、2,4−ジエチルチオキサントン、1−クロロ−4−プロポキシチオキサントン、2−メチルチオキサントン、チオキサントンアンモニウム塩、ベンゾイン、4,4’−ジメトキシベンゾイン、ベンゾインメチルエーテル、ベンゾインエチルエーテル、ベンゾインイソプロピルエーテル、ベンゾインイソブチルエーテル、ベンジルジメチルケタール、1,1,1−トリクロロアセトフェノン、ジエトキシアセトフェノンおよびジベンゾスベロン、o−ベンゾイル安息香酸メチル、2−ベンゾイルナフタレン、4−ベンゾイルビフェニル、4−ベンゾイルジフェニルエーテル、1,4−ベンゾイルベンゼン、ベンジル、10−ブチル−2−クロロアクリドン、[4−(メチルフェニルチオ)フェニル]フェニルメタン)、2−エチルアントラキノン、2,2−ビス(2−クロロフェニル)4,5,4‘,5’−テトラキス(3,4,5−トリメトキシフェニル)1,2‘−ビイミダゾール、2,2−ビス(o−クロロフェニル)4,5,4’,5’−テトラフェニル−1,2’−ビイミダゾール、トリス(4−ジメチルアミノフェニル)メタン、エチル−4−(ジメチルアミノ)ベンゾエート、2−(ジメチルアミノ)エチルベンゾエート、ブトキシエチル−4−(ジメチルアミノ)ベンゾエート、等が挙げられる。   As the radical photopolymerization initiator used in the present embodiment, acylphosphine oxide compounds and oxime ester compounds are preferable from the viewpoints of curing sensitivity and absorption characteristics. As the photopolymerization initiator, for example, a commercially available initiator can be used. Examples of these include Irgacure® 2959 (1- [4- (2-hydroxyethoxy) phenyl] -2-hydroxy-2-methyl-1-propan-1-one, Irgacure (available from Ciba). (Registered trademark) 184 (1-hydroxycyclohexyl phenyl ketone), Irgacure (registered trademark) 500 (1-hydroxycyclohexyl phenyl ketone, benzophenone), Irgacure (registered trademark) 651 (2,2-dimethoxy-1,2-diphenylethane- 1-one), Irgacure® 369 (2-benzyl-2-dimethylamino-1- (4-morpholinophenyl) butanone-1), Irgacure® 907 (2-methyl-1 [4- Methylthiophenyl] -2-morpholinop Pan-1-one, Irgacure® 819 (bis (2,4,6-trimethylbenzoyl) -phenylphosphine oxide, Irgacure® 1800 (bis (2,6-dimethoxybenzoyl) -2,4 , 4-trimethyl-pentylphosphine oxide, 1-hydroxy-cyclohexyl-phenyl-ketone), Irgacure® 1800 (bis (2,6-dimethoxybenzoyl) -2,4,4-trimethyl-pentylphosphine oxide) , 2-hydroxy-2-methyl-1-phenyl-1-propan-1-one), Irgacure® OXE01 (1,2-octanedione, 1- [4- (phenylthio) phenyl] -2- ( O-benzoyloxime), Darocur (registered trader) Standard) 1173 (2-hydroxy-2-methyl-1-phenyl-1-propan-1-one), Darocur (R) 1116, 1398, 1174 and 1020, CGI242 (ethanone, 1- [9-ethyl-6 -(2-Methylbenzoyl) -9H-carbazol-3-yl] -1- (O-acetyloxime), Lucirin TPO (2,4,6-trimethylbenzoyldiphenylphosphine oxide), Lucirin TPO available from BASF -L (2,4,6-trimethylbenzoylphenylethoxyphosphine oxide), ESACURE 1001M (1- [4-benzoylphenylsulfanyl] phenyl] -2-methyl-2- (4-methyl), available from ESACUR Nippon Siebel Hegner Phenylsulfur Honyl) propan-1-one, N-1414 Adeka optomer (registered trademark) N-1414 (carbazole phenone system), Adeka optomer (registered trademark) N-1717 (acridine system) available from Asahi Denka Co., Ltd. Adekaoptomer (registered trademark) N-1606 (triazine type), TFE-triazine (2- [2- (furan-2-yl) vinyl] -4,6-bis (trichloromethyl) -1 manufactured by Sanwa Chemical Co., Ltd.) , 3,5-triazine), TME-triazine (2- [2- (5-methylfuran-2-yl) vinyl] -4,6-bis (trichloromethyl) -1,3,5, manufactured by Sanwa Chemical Co., Ltd.) -Triazine), MP-triazine (2- (4-methoxyphenyl) -4,6-bis (trichloromethyl) -1,3,5-triazine) manufactured by Sanwa Chemical, manufactured by Midori Chemical AZ-113 (2- [2- (3,4-dimethoxyphenyl) ethenyl] -4,6-bis (trichloromethyl) -1,3,5-triazine), TAZ-108 (2- (3 , 4-dimethoxyphenyl) -4,6-bis (trichloromethyl) -1,3,5-triazine), benzophenone, 4,4'-bisdiethylaminobenzophenone, methyl-2-benzophenone, 4-benzoyl-4'- Methyl diphenyl sulfide, 4-phenylbenzophenone, ethyl Michler's ketone, 2-chlorothioxanthone, 2-methylthioxanthone, 2-isopropylthioxanthone, 4-isopropylthioxanthone, 2,4-diethylthioxanthone, 1-chloro-4-propoxythioxanthone, 2-methylthioxanthone, thioxa Ton ammonium salt, benzoin, 4,4'-dimethoxybenzoin, benzoin methyl ether, benzoin ethyl ether, benzoin isopropyl ether, benzoin isobutyl ether, benzyl dimethyl ketal, 1,1,1-trichloroacetophenone, diethoxyacetophenone and dibenzosuberone , Methyl o-benzoylbenzoate, 2-benzoylnaphthalene, 4-benzoylbiphenyl, 4-benzoyldiphenyl ether, 1,4-benzoylbenzene, benzyl, 10-butyl-2-chloroacridone, [4- (methylphenylthio) Phenyl] phenylmethane), 2-ethylanthraquinone, 2,2-bis (2-chlorophenyl) 4,5,4 ′, 5′-tetrakis (3,4,5-trimethoxyphenyl) 1, 2′-biimidazole, 2,2-bis (o-chlorophenyl) 4,5,4 ′, 5′-tetraphenyl-1,2′-biimidazole, tris (4-dimethylaminophenyl) methane, ethyl-4 -(Dimethylamino) benzoate, 2- (dimethylamino) ethyl benzoate, butoxyethyl-4- (dimethylamino) benzoate, and the like.

なお、本実施形態において「光」には、紫外、近紫外、遠紫外、可視、赤外等の領域の波長の光や、電磁波だけでなく、放射線も含まれる。前記放射線には、例えばマイクロ波、電子線、EUV、X線が含まれる。また248nmエキシマレーザー、193nmエキシマレーザー、172nmエキシマレーザーなどのレーザー光も用いることができる。これらの光は、光学フィルターを通したモノクロ光(単一波長光)を用いてもよいし、複数の波長の異なる光(複合光)でもよい。露光は、多重露光も可能であり、膜強度、エッチング耐性を高めるなどの目的でパターン形成した後、全面露光することも可能である。   In the present embodiment, “light” includes not only light in a wavelength region such as ultraviolet, near ultraviolet, far ultraviolet, visible, infrared, and electromagnetic waves, but also radiation. Examples of the radiation include microwaves, electron beams, EUV, and X-rays. Laser light such as a 248 nm excimer laser, a 193 nm excimer laser, and a 172 nm excimer laser can also be used. The light may be monochromatic light (single wavelength light) that has passed through an optical filter, or may be light with a plurality of different wavelengths (composite light). The exposure can be multiple exposure, and the entire surface can be exposed after forming a pattern for the purpose of increasing the film strength and etching resistance.

本実施形態で使用される光重合開始剤は、使用する光源の波長に対して適時に選択する必要があるが、モールド加圧・露光中にガスを発生させないものが好ましい。ガスが発生すると、モールドが汚染されるため、頻繁にモールドを洗浄しなければならなくなったり、光硬化性組成物がモールド内で変形し、転写パターン精度を劣化させるなどの問題を生じる。   The photopolymerization initiator used in this embodiment needs to be selected in a timely manner with respect to the wavelength of the light source to be used, but is preferably one that does not generate gas during mold pressurization and exposure. When the gas is generated, the mold is contaminated, so that the mold has to be frequently washed, and the photocurable composition is deformed in the mold, resulting in deterioration of the transfer pattern accuracy.

本実施形態のナノインプリント硬化性組成物は、重合性単量体(A)がラジカル重合性単量体であり、光重合開始剤(B)が光照射によりラジカルを発生するラジカル重合開始剤であるラジカル重合性組成物であることが好ましい。   In the nanoimprint curable composition of the present embodiment, the polymerizable monomer (A) is a radical polymerizable monomer, and the photopolymerization initiator (B) is a radical polymerization initiator that generates radicals by light irradiation. A radical polymerizable composition is preferred.

(その他成分)
本実施形態のナノインプリント硬化性組成物は、上述の重合性単量体(本実施形態のナノインプリント硬化性組成物に含有される重合性単量体)および光重合開始剤(B)の他に種々の目的に応じて、本発明の効果を損なわない範囲で、界面活性剤、酸化防止剤、溶剤、ポリマー成分等その他の成分を含んでいてもよい。本発明のナノインプリント硬化性組成物としては、フッ素系界面活性剤、シリコーン系界面活性剤、フッ素・シリコーン系界面活性剤、並びに、酸化防止剤から選ばれる少なくとも1種を含有することが好ましい。
(Other ingredients)
The nanoimprint curable composition of the present embodiment is various in addition to the above polymerizable monomer (polymerizable monomer contained in the nanoimprint curable composition of the present embodiment) and the photopolymerization initiator (B). Depending on the purpose, other components such as a surfactant, an antioxidant, a solvent, and a polymer component may be contained within a range not impairing the effects of the present invention. The nanoimprint curable composition of the present invention preferably contains at least one selected from a fluorine surfactant, a silicone surfactant, a fluorine / silicone surfactant, and an antioxidant.

次に、ナノインプリント用硬化性組成物の第2の例について説明する。   Next, a second example of the curable composition for nanoimprint will be described.

本実施形態の第2の例のインプリント用硬化性組成物は、一種以上の重合性単量体と、光重合開始剤とを含有するインプリント用硬化性組成物であって、前記インプリント用硬化性組成物が、前記重合性単量体として、少なくとも一種の下記一般式(I)で表される重合性単量体(Ax)を含有し、かつ、下記(A)および(B)うち少なくとも一方の条件を満たす。
(A)下記一般式(I)で表される重合性単量体(Ax)を全重合性単量体に対し、45質量%以上含有する。
(B)25℃において固体である重合性単量体と25℃における粘度が70mPa・s以上である重合性単量体との合計含有量が、前記インプリント用硬化性組成物に含まれる全重合性単量体の50質量%未満である。
The curable composition for imprints of the second example of this embodiment is a curable composition for imprints containing one or more polymerizable monomers and a photopolymerization initiator, and the imprint The curable composition for use contains at least one polymerizable monomer (Ax) represented by the following general formula (I) as the polymerizable monomer, and the following (A) and (B): Satisfy at least one of the conditions.
(A) The polymerizable monomer (Ax) represented by the following general formula (I) is contained in an amount of 45% by mass or more based on the total polymerizable monomer.
(B) The total content of the polymerizable monomer that is solid at 25 ° C. and the polymerizable monomer having a viscosity at 25 ° C. of 70 mPa · s or more is included in the curable composition for imprints. It is less than 50% by mass of the polymerizable monomer.

本実施形態の組成物は前記(A)または(B)のいずれかの条件を満たしていればよいが、(A)および(B)両方の条件を満たしているとさらに高アスペクトパターン形成性が向上し好ましい。   The composition of the present embodiment only needs to satisfy either of the above conditions (A) or (B). However, when both of the conditions (A) and (B) are satisfied, the high aspect pattern formability is further improved. Improved and preferable.

なお、通常、光インプリント法に用いられる硬化性組成物は、重合性官能基を有する重合性単量体と、光照射によって前記重合性単量体の重合反応を開始させる光重合開始剤とを含み、さらに必要に応じて、溶剤、界面活性剤または酸化防止剤等を含んで構成される。また、重合性単量体として、(メタ)アクリレートを用いる場合、メタアクリレートよりも、アクリレートの方が好ましい。   In addition, the curable composition usually used for the photoimprint method includes a polymerizable monomer having a polymerizable functional group, and a photopolymerization initiator that initiates a polymerization reaction of the polymerizable monomer by light irradiation. And further includes a solvent, a surfactant, an antioxidant, or the like as necessary. Moreover, when (meth) acrylate is used as the polymerizable monomer, acrylate is preferred to methacrylate.

以下、本実施形態の組成物について順に説明する。   Hereinafter, the composition of this embodiment is demonstrated in order.

(重合性単量体)
−重合性単量体(Ax)−
前記重合性単量体(Ax)は、下記一般式(I)で表される。
(Polymerizable monomer)
-Polymerizable monomer (Ax)-
The polymerizable monomer (Ax) is represented by the following general formula (I).

Figure 0005335717
Figure 0005335717

[式中、Arは置換基を有していてもよい2価または3価の芳香族基を表し、Xは単結合または有機連結基を表し、R1は水素原子または置換基を有していてもよいアルキル基を表し、nは2または3を表す。]
一般式(I)中、前記Arとしては、n=2のときは2価の芳香族基(すなわちアリーレン基)を表し、n=3のときは3価の芳香族基を表す。前記アリーレン基としてはフェニレン基、ナフチレン基などの炭化水素系アリーレン基;インドール、カルバゾールなどが連結基となったヘテロアリーレン基などが挙げられ、好ましくは炭化水素系アリーレン基であり、さらに好ましくは粘度、エッチング耐性の観点からフェニレン基である。前記アリーレン基は置換基を有していてもよく、好ましい置換基としては、アルキル基、アルコキシ基、水酸基、シアノ基、アルコキシカルボニル基、アミド基、スルホンアミド基が挙げられる。
[In the formula, Ar represents a divalent or trivalent aromatic group which may have a substituent, X represents a single bond or an organic linking group, and R 1 has a hydrogen atom or a substituent. Represents an optionally substituted alkyl group, and n represents 2 or 3. ]
In the general formula (I), Ar represents a divalent aromatic group (that is, an arylene group) when n = 2, and a trivalent aromatic group when n = 3. Examples of the arylene group include hydrocarbon-based arylene groups such as a phenylene group and a naphthylene group; heteroarylene groups in which indole, carbazole and the like are linked groups, preferably a hydrocarbon-based arylene group, and more preferably a viscosity. From the viewpoint of etching resistance, it is a phenylene group. The arylene group may have a substituent, and preferred examples of the substituent include an alkyl group, an alkoxy group, a hydroxyl group, a cyano group, an alkoxycarbonyl group, an amide group, and a sulfonamide group.

前記Xの有機連結基としては、鎖中にヘテロ原子を含んでいてもよいアルキレン基、アリーレン基、アラルキレン基が挙げられる。その中でも、アルキレン基、オキシアルキレン基が好ましく、アルキレン基がより好ましい。前記Xとしては、単結合またはアルキレン基であることが特に好ましい。   Examples of the organic linking group for X include an alkylene group, an arylene group, and an aralkylene group, which may contain a hetero atom in the chain. Among these, an alkylene group and an oxyalkylene group are preferable, and an alkylene group is more preferable. X is particularly preferably a single bond or an alkylene group.

前記R1は水素原子または置換基を有していてもよいアルキル基であり、好ましくは水素原子又はメチル基であり、より好ましくは水素原子である。前記R1が置換基を有する場合、好ましい置換基としては、特に制限はないが、例えば水酸基、ハロゲン原子、アルコキシ基、アシルオキシ基を挙げることができる。 R 1 is a hydrogen atom or an alkyl group which may have a substituent, preferably a hydrogen atom or a methyl group, more preferably a hydrogen atom. When R 1 has a substituent, preferred substituents are not particularly limited, and examples thereof include a hydroxyl group, a halogen atom, an alkoxy group, and an acyloxy group.

前記nは2または3であり、好ましくは2である。   The n is 2 or 3, preferably 2.

前記重合性単量体(Ax)が下記一般式(I−a)または(I−b)で表される重合性単量体であることが、組成物粘度を低下させる観点から好ましい。   The polymerizable monomer (Ax) is preferably a polymerizable monomer represented by the following general formula (Ia) or (Ib) from the viewpoint of reducing the composition viscosity.

Figure 0005335717
Figure 0005335717

[式中、X1、X2は、それぞれ独立に単結合または炭素数1〜3の置換基を有していてもよいアルキレン基を表し、R1は水素原子または置換基を有していてもよいアルキル基を表す。]
前記一般式(I−a)中、前記X1は、単結合またはメチレン基であることが好ましく、メチレン基であることが粘度低減の観点からより好ましい。
[Wherein, X 1 and X 2 each independently represents a single bond or an alkylene group which may have a substituent of 1 to 3 carbon atoms, and R 1 has a hydrogen atom or a substituent. Represents a good alkyl group. ]
In the general formula (Ia), X 1 is preferably a single bond or a methylene group, and more preferably a methylene group from the viewpoint of viscosity reduction.

前記X2の好ましい範囲は、前記X1の好ましい範囲と同様である。 The preferable range of X 2 is the same as the preferable range of X 1 .

前記R1は一般式(I)におけるとR1と同義であり、好ましい範囲も同様である。 Wherein R 1 is as in formula (I) with R 1 synonymous, and preferred ranges are also the same.

前記重合性単量体(Ax)は25℃において液体であると、添加量を増やした際にも異物の発生が抑制でき好ましい。   When the polymerizable monomer (Ax) is liquid at 25 ° C., it is preferable that the generation of foreign matters can be suppressed even when the addition amount is increased.

前記重合性単量体(Ax)は25℃における粘度が70mPa・s未満であることがパターン形成性の観点から好ましく、50mPa・s以下であることがより好ましく、30mPa・s以下であることが特に好ましい。   The polymerizable monomer (Ax) preferably has a viscosity at 25 ° C. of less than 70 mPa · s from the viewpoint of pattern formability, more preferably 50 mPa · s or less, and 30 mPa · s or less. Particularly preferred.

好ましい重合性単量体(Ax)の具体例を示す。R1は一般式(I)におけるR1と同義であり、水素原子または置換基を有していてもよいアルキル基を表す。R1としては硬化性の観点から、水素原子が好ましい。なお、本発明はこれらの具体例に限定されるものではない。 Specific examples of preferred polymerizable monomers (Ax) are shown. R 1 has the same meaning as R 1 in formula (I) and represents a hydrogen atom or an alkyl group which may have a substituent. R 1 is preferably a hydrogen atom from the viewpoint of curability. The present invention is not limited to these specific examples.

Figure 0005335717
Figure 0005335717

これらの中でも、下記に示す化合物が25℃において液体であり、かつ、低粘度で、さらに良好な硬化性を示し、特に好ましい。   Among these, the compounds shown below are particularly preferable because they are liquid at 25 ° C., have low viscosity, and exhibit better curability.

Figure 0005335717
Figure 0005335717

本実施形態のインプリント用硬化性組成物中は、下記(A)および(B)うち少なくとも一方の条件を満たす。
(A)下記一般式(I)で表される重合性単量体(Ax)を全重合性単量体に対し、45質量%以上含有する。
(B)25℃において固体である重合性単量体と25℃における粘度が70mPa・s以上である重合性単量体との合計含有量が、前記インプリント用硬化性組成物に含まれる全重合性単量体の50質量%未満である。
In the curable composition for imprints of this embodiment, at least one of the following conditions (A) and (B) is satisfied.
(A) The polymerizable monomer (Ax) represented by the following general formula (I) is contained in an amount of 45% by mass or more based on the total polymerizable monomer.
(B) The total content of the polymerizable monomer that is solid at 25 ° C. and the polymerizable monomer having a viscosity at 25 ° C. of 70 mPa · s or more is included in the curable composition for imprints. It is less than 50% by mass of the polymerizable monomer.

本実施形態のインプリント用硬化性組成物が前記(A)の条件を満たす場合における前記重合性単量体(Ax)の含有量は、経時安定性を改善する観点から、全重合性単量体に対し、45質量%以上であり、好ましくは50質量%を超え、より好ましくは55質量%以上、更に好ましくは70質量%以上、最も好ましくは80質量%以上である。前記重合性単量体(Ax)が25℃において液体であり、且つ、前記(A)の条件を満たす含有量であるとき、経時安定性、ドライエッチング耐性に加えて、パターン形成性も良好となり、特に好ましい。   The content of the polymerizable monomer (Ax) in the case where the curable composition for imprints of the present embodiment satisfies the condition (A) is a total polymerizable single amount from the viewpoint of improving the temporal stability. It is 45 mass% or more with respect to a body, Preferably it exceeds 50 mass%, More preferably, it is 55 mass% or more, More preferably, it is 70 mass% or more, Most preferably, it is 80 mass% or more. When the polymerizable monomer (Ax) is liquid at 25 ° C. and has a content satisfying the condition (A), in addition to the stability over time and the dry etching resistance, the pattern formability is also improved. Is particularly preferred.

前記重合性単量体(Ax)が25℃において固体または25℃における粘度が70mPa・s以上であり、且つ、前記(A)の条件を満たす含有量であるとき、前記重合性単量体(Ax)の含有量は保存安定性改良の観点から、全重合性単量体に対して45〜70質量%であることが好ましく、50質量%を超えて70質量%以下であることがより好ましく、55〜65質量%であることが特に好ましい。   When the polymerizable monomer (Ax) is solid at 25 ° C. or has a viscosity at 25 ° C. of 70 mPa · s or more and a content satisfying the condition (A), the polymerizable monomer ( The content of Ax) is preferably 45 to 70% by mass, more preferably more than 50% by mass and 70% by mass or less based on the total polymerizable monomer from the viewpoint of improving storage stability. It is especially preferable that it is 55-65 mass%.

本実施形態のインプリント用硬化性組成物が前記(A)の条件を満たす場合、さらに前記条件(B)を満たすことも好ましい。   When the curable composition for imprints of the present embodiment satisfies the condition (A), it is also preferable to satisfy the condition (B).

本実施形態のインプリント用硬化性組成物が前記(B)の条件を満たす場合における前記重合性単量体(Ax)の含有量は、25℃において固体である重合性単量体と25℃における粘度が70mPa・s以上である重合性単量体との合計含有量が、前記インプリント用硬化性組成物に含まれる全重合性単量体の50質量%未満であれば特に制限はない。硬化性、組成物粘度の観点から、前記重合性単量体(Ax)の含有量は溶剤を除く全成分中、1〜100質量%が好ましく、10〜100質量%がさらに好ましく、20〜100質量%が特に好ましい。   The content of the polymerizable monomer (Ax) in the case where the curable composition for imprints of the present embodiment satisfies the condition (B), the polymerizable monomer that is solid at 25 ° C. and 25 ° C. There is no particular limitation as long as the total content with the polymerizable monomer having a viscosity at 70 mPa · s or less is less than 50% by mass of the total polymerizable monomer contained in the curable composition for imprints. . From the viewpoint of curability and composition viscosity, the content of the polymerizable monomer (Ax) is preferably 1 to 100% by mass, more preferably 10 to 100% by mass, and more preferably 20 to 100% in all components excluding the solvent. Mass% is particularly preferred.

また、本実施形態の組成物が前記(B)の条件を満たす場合、前記重合性単量体(Ax)が重合性官能基を2つ有する化合物であるときには、前記重合性単量体(Ax)の含有量は全重合性単量体中1〜100質量%が好ましく、より好ましくは20〜100質量%、さらに好ましくは50質量%を超えて100質量%以下である。   Further, when the composition of the present embodiment satisfies the condition (B), when the polymerizable monomer (Ax) is a compound having two polymerizable functional groups, the polymerizable monomer (Ax ) In the total polymerizable monomer is preferably 1 to 100% by mass, more preferably 20 to 100% by mass, and even more preferably more than 50% by mass and 100% by mass or less.

また、本実施形態の組成物が前記(B)の条件を満たす場合、前記重合性単量体(Ax)が重合性官能基を3つ有する化合物であるときには、前記重合性単量体(Ax)の含有量は全重合性単量体中1〜80質量%が好ましく、より好ましくは1〜70質量%、さらに好ましくは10〜60質量%である。   When the composition of the present embodiment satisfies the condition (B), when the polymerizable monomer (Ax) is a compound having three polymerizable functional groups, the polymerizable monomer (Ax ) In the total polymerizable monomer is preferably 1 to 80% by mass, more preferably 1 to 70% by mass, and still more preferably 10 to 60% by mass.

本実施形態のインプリント用硬化性組成物においては、組成物粘度、ドライエッチング耐性、インプリント適性、硬化性等の改良の観点から、必要に応じて重合性単量体(Ax)と、重合性単量体(Ax)とは異なる前記第1の例で説明した他の重合性単量体とを併用することが好ましい。   In the curable composition for imprints of this embodiment, from the viewpoint of improving the composition viscosity, dry etching resistance, imprint suitability, curability, and the like, a polymerizable monomer (Ax) and polymerization are performed as necessary. It is preferable to use in combination with another polymerizable monomer described in the first example, which is different from the polymerizable monomer (Ax).

上述のように本実施形態のインプリント用硬化性組成物は、さらに、組成物粘度、ドライエッチング耐性、インプリント適性、硬化性等の改良を目的に、重合性単量体として、さらに、重合性単量体(Ax)とは異なる他の重合性単量体を含んでいてもよい。   As described above, the curable composition for imprints of the present embodiment is further polymerized as a polymerizable monomer for the purpose of improving the composition viscosity, dry etching resistance, imprint suitability, curability, and the like. Another polymerizable monomer different from the polymerizable monomer (Ax) may be included.

なお、他の重合性単量体の含有量としては、25℃において固体である重合性単量体と25℃における粘度が70mPa・s以上である重合性単量体との合計含有量が、前記インプリント用硬化性組成物に含まれる全重合性単量体の50質量%未満であれば特に制限はない。本発明における重合性単量体(Ax)の含有量や条件(A)と(B)のいずれを満たすかによって他の重合性単量体の好ましい含有量も変わるが、例えば、本発明の全重合性単量体中に0〜90質量%含んでいてもよく、好ましくは5〜80質量%、さらに好ましくは20〜80質量%の範囲で含むことがより好ましい。   The content of the other polymerizable monomer is the total content of the polymerizable monomer that is solid at 25 ° C. and the polymerizable monomer that has a viscosity of 70 mPa · s or higher at 25 ° C. If it is less than 50 mass% of all the polymerizable monomers contained in the said curable composition for imprints, there will be no restriction | limiting in particular. The preferred content of the other polymerizable monomer varies depending on whether the content of the polymerizable monomer (Ax) in the present invention and the conditions (A) and (B) are satisfied. The polymerizable monomer may contain 0 to 90% by mass, preferably 5 to 80% by mass, and more preferably 20 to 80% by mass.

次に、ナノインプリント用硬化性組成物の第3の例、特に重合性単量体について説明する。   Next, a third example of the curable composition for nanoimprints, particularly a polymerizable monomer will be described.

(A)重合性単量体
(A)重合性単量体は、フロロアルキル基およびフロロアルキルエーテル基から選ばれる含フッ素基を少なくとも2つ含有し、かつ、該含フッ素基の少なくとも2つは、炭素数2以上の連結基により隔てられている化合物である。
(A) Polymerizable monomer (A) The polymerizable monomer contains at least two fluorine-containing groups selected from a fluoroalkyl group and a fluoroalkyl ether group, and at least two of the fluorine-containing groups are These are compounds separated by a linking group having 2 or more carbon atoms.

フロロアルキル基としては、炭素数が2以上のフロロアルキル基であることが好ましく、4以上のフロロアルキル基であることがより好ましく、上限値としては特に定めるものではないが、20以下が好ましく、8以下がより好ましく、6以下がさらに好ましい。最も好ましくは炭素数4〜6のフロロアルキル基である。また、フロロアルキル基の少なくとも2つは、トリフロロメチル基構造を含有することが好ましい。トリフロロメチル基構造を複数有することで、少ない添加量(例えば、10質量%以下)でも本願発明の効果が発現するため、他の成分との相溶性が向上し、ドライエッチング後のラインエッジラフネスが向上する。   The fluoroalkyl group is preferably a fluoroalkyl group having 2 or more carbon atoms, more preferably a fluoroalkyl group having 4 or more carbon atoms, and the upper limit is not particularly defined, but 20 or less is preferable. 8 or less is more preferable, and 6 or less is more preferable. Most preferably, it is a C4-C6 fluoroalkyl group. In addition, at least two of the fluoroalkyl groups preferably contain a trifluoromethyl group structure. By having a plurality of trifluoromethyl group structures, the effects of the present invention are exhibited even with a small addition amount (for example, 10% by mass or less), so that compatibility with other components is improved, and line edge roughness after dry etching is improved. Will improve.

同様の観点から、(A)重合性単量体中にトリフロロメチル基構造を3つ以上含有する化合物も好ましい。より好ましくはトリフロロメチル基構造を3〜9個、さらに好ましくは4〜6個含有する化合物である。トリフロロメチル基構造を3つ以上含有する化合物としては1つの含フッ素基に2つ以上のトリフロロメチル基を有する分岐のフロロアルキル基、例えば−CH(CF基、−C(CF、−CCH(CF2CH基、などのフロロアルキル基を有する化合物が好ましい。 From the same viewpoint, (A) a compound containing three or more trifluoromethyl group structures in the polymerizable monomer is also preferable. More preferred are compounds containing 3 to 9, more preferably 4 to 6 trifluoromethyl group structures. Examples of the compound containing three or more trifluoromethyl group structures include a branched fluoroalkyl group having two or more trifluoromethyl groups in one fluorine-containing group, such as —CH (CF 3 ) 2 group, —C (CF 3 ) 3 and a compound having a fluoroalkyl group such as —CCH 3 (CF 3 ) 2 CH 3 group are preferred.

フロロアルキルエーテル基としては、トリフロロメチル基を有しているものが好ましく、パーフロロエチレンオキシ基、パーフロロプロピレンオキシ基を含有するものが好ましい。−(CF(CF)CFO)−などのトリフロロメチル基を有するフロロアルキルエーテルユニットおよび/またはフロロアルキルエーテル基の末端にトリフロロメチル基を有するものが好ましい。 As the fluoroalkyl ether group, those having a trifluoromethyl group are preferred, and those containing a perfluoroethyleneoxy group or a perfluoropropyleneoxy group are preferred. A fluoroalkyl ether unit having a trifluoromethyl group such as — (CF (CF 3 ) CF 2 O) — and / or a trifluoromethyl ether group having a trifluoromethyl group at the terminal thereof are preferred.

(A)重合性単量体が有する全フッ素原子の数は6〜60個が好ましく、より好ましくは9〜40個、さらに好ましくは12〜40個である。   (A) As for the number of all the fluorine atoms which a polymerizable monomer has, 6-60 pieces are preferable, More preferably, it is 9-40 pieces, More preferably, it is 12-40 pieces.

(A)重合性単量体は、下記に定義するフッ素含有率で、30〜60%が好ましく、より好ましくは35〜55%であり、さらに好ましくは35〜50%である。フッ素含有率を適性範囲とすることでモールド汚れを低減でき且つ、ドライエッチング後のラインエッジラフネスが向上する。フッ素含有率は下記式で表される。   (A) The polymerizable monomer has a fluorine content defined below, preferably 30 to 60%, more preferably 35 to 55%, and still more preferably 35 to 50%. By making the fluorine content within an appropriate range, mold contamination can be reduced and the line edge roughness after dry etching is improved. The fluorine content is represented by the following formula.

Figure 0005335717
Figure 0005335717

(A)重合性単量体が有する含フッ素基のうち少なくとも2つは炭素数2以上の連結基により隔てられている。すなわち、(A)重合性単量体が含フッ素基を2つ有する場合は、その2つの含フッ素基は炭素数2以上の連結基で隔てられている。(A)重合性単量体が含フッ素基を3つ以上有する場合は、このうち少なくとも2つが炭素数2以上の連結基で隔てられており、残りの含フッ素基はどのような結合形態を有していても良い。炭素数2以上の連結基はフッ素原子で置換されていない炭素原子を少なくとも2つ有する連結基である。   (A) At least two of the fluorine-containing groups of the polymerizable monomer are separated by a linking group having 2 or more carbon atoms. That is, when the polymerizable monomer (A) has two fluorine-containing groups, the two fluorine-containing groups are separated by a linking group having 2 or more carbon atoms. (A) When the polymerizable monomer has three or more fluorine-containing groups, at least two of them are separated by a linking group having 2 or more carbon atoms, and the remaining fluorine-containing group has any bonding form. You may have. The linking group having 2 or more carbon atoms is a linking group having at least two carbon atoms that are not substituted with fluorine atoms.

炭素数2以上の連結基中に含まれる官能基としては、アルキレン基、エステル基、スルフィド基およびアリーレン基が例示され、少なくとも、エステル基および/またはスルフィド基を有することがより好ましい。   Examples of the functional group contained in the linking group having 2 or more carbon atoms include an alkylene group, an ester group, a sulfide group, and an arylene group, and it is more preferable to have at least an ester group and / or a sulfide group.

炭素数2以上の連結基は、アルキレン基、エステル基、スルフィド基、アリーレン基およびこれらの組み合わせが好ましい。   The linking group having 2 or more carbon atoms is preferably an alkylene group, an ester group, a sulfide group, an arylene group, or a combination thereof.

これらの基は、本発明の趣旨を逸脱しない範囲内において置換基を有していても良い。   These groups may have a substituent within a range not departing from the gist of the present invention.

(A)重合性単量体の好ましい一例として、下記一般式(I)で表される部分構造を有する化合物が挙げられる。このような部分構造を有する化合物を採用することにより、パターン形成性に優れ、かつ、組成物の経時安定性が良好となる。   (A) As a preferable example of the polymerizable monomer, a compound having a partial structure represented by the following general formula (I) can be given. By adopting a compound having such a partial structure, the pattern forming property is excellent and the temporal stability of the composition is good.

Figure 0005335717
Figure 0005335717

一般式(I)中、nは1〜8の整数を表し、好ましくは4〜6の整数である。   In general formula (I), n represents an integer of 1 to 8, preferably an integer of 4 to 6.

(A)重合性単量体の好ましい他の一例として、下記一般式(II)で表される部分構造を有する化合物が挙げられる。もちろん、一般式(I)で表される部分構造と、一般式(II)で表される部分構造の両方を有していても良い。   (A) Another preferred example of the polymerizable monomer is a compound having a partial structure represented by the following general formula (II). Of course, you may have both the partial structure represented by general formula (I), and the partial structure represented by general formula (II).

Figure 0005335717
Figure 0005335717

一般式(II)中、RおよびRは、それぞれ炭素数1〜8のアルキレン基を表し、それぞれ、炭素数1〜4のアルキレン基であることが好ましい。アルキレン基は、本発明の趣旨を逸脱しない範囲内において置換基を有していてもよい。 In general formula (II), R 2 and R 3 each represent an alkylene group having 1 to 8 carbon atoms, and each preferably an alkylene group having 1 to 4 carbon atoms. The alkylene group may have a substituent without departing from the spirit of the present invention.

m1およびm2はそれぞれ、0または1を表し、m1およびm2の少なくとも一方は1である。m3は1〜3の整数を表し、好ましくは1または2である。nは1〜8の整数を表し、4〜6の整数が好ましい。m3が2以上のとき、それぞれの、−C2n+1は同一であっても良いし異なっていてもよい。 m1 and m2 each represents 0 or 1, and at least one of m1 and m2 is 1. m3 represents an integer of 1 to 3, and is preferably 1 or 2. n represents an integer of 1 to 8, and an integer of 4 to 6 is preferable. When m3 is 2 or more, respectively, -C n F 2n + 1 may be different may be the same.

(A)重合性単量体として好ましくは下記一般式(III)で表される重合性単量体である。   (A) The polymerizable monomer is preferably a polymerizable monomer represented by the following general formula (III).

Figure 0005335717
Figure 0005335717

(一般式(III)中、Rは水素原子、アルキル基、ハロゲン原子またはシアノ基を表し、Aは(a1+a2)価の連結基を表し、a1は1〜6の整数を表す。a2は2〜6の整数を表し、RおよびRはそれぞれ炭素数1〜8のアルキレン基を表す。m1およびm2はそれぞれ、0または1を表し、m1およびm2の少なくとも一方は1である。m3は1〜3の整数を表す。m4およびm5は、それぞれ、0または1を表し、m4およびm5の少なくとも一方は1であり、m1およびm2の両方が1のとき、m4は1である。nは1〜8の整数を表す。)
は、水素原子、アルキル基、ハロゲン原子またはシアノ基を表し、水素原子またはアルキル基が好ましく、水素原子またはメチル基がより好ましく、水素原子であることがさらに好ましい。
(In the general formula (III), R 1 represents a hydrogen atom, an alkyl group, a halogen atom or a cyano group, A represents an (a1 + a2) -valent linking group, a1 represents an integer of 1 to 6. a2 represents 2. represents 6 integer, R 2 and R 3 is .m1 and m2 each represents an alkylene group having 1 to 8 carbon atoms, 0 or 1, at least one of m1 and m2 is 1 .M3 is Represents an integer of 1 to 3. m4 and m5 each represents 0 or 1, at least one of m4 and m5 is 1, and when both m1 and m2 are 1, m4 is 1. n is Represents an integer of 1 to 8.)
R 1 represents a hydrogen atom, an alkyl group, a halogen atom or a cyano group, preferably a hydrogen atom or an alkyl group, more preferably a hydrogen atom or a methyl group, and still more preferably a hydrogen atom.

Aは(a1+a2)価の連結基であり、好ましくはアルキレン基および/またはアリーレン基を有する連結基であり、さらにヘテロ原子を含む連結基を含有していても良い。ヘテロ原子を有する連結基としては−O−、−C(=O)O−、−S−、−C(=O)−が挙げられる。これらの基は本発明の趣旨を逸脱しない範囲内において置換基を有していても良いが、有していない方が好ましい。Aは、炭素数2〜50であることが好ましく、炭素数4〜15であることがより好ましい。   A is a (a1 + a2) -valent linking group, preferably a linking group having an alkylene group and / or an arylene group, and may further contain a linking group containing a hetero atom. Examples of the linking group having a hetero atom include —O—, —C (═O) O—, —S—, and —C (═O) —. These groups may have a substituent within a range not departing from the gist of the present invention, but preferably do not have a substituent. A preferably has 2 to 50 carbon atoms, and more preferably 4 to 15 carbon atoms.

、R、m1、m2、m3およびnは、一般式(II)と同義であり、好ましい範囲も同義である。 R 2 , R 3 , m 1, m 2 , m 3 and n have the same meanings as in the general formula (II), and preferred ranges are also the same.

a1は1〜6の整数であり、好ましくは1〜3、さらに好ましくは1または2である。   a1 is an integer of 1 to 6, preferably 1 to 3, and more preferably 1 or 2.

a2は2〜6の整数であり、好ましくは2または3、さらに好ましくは2である。   a2 is an integer of 2 to 6, preferably 2 or 3, and more preferably 2.

a1が2以上のとき、それぞれのAは同一であってもよいし、異なっていても良い。   When a1 is 2 or more, each A may be the same or different.

a2が2以上のとき、それぞれのR、R、m1、m2、m3、m4、m5およびnは同一であっても良いし、異なっていても良い。 When a2 is 2 or more, R 2 , R 3 , m1, m2, m3, m4, m5 and n may be the same or different.

本実施形態で用いる(A)重合性単量体の分子量は、好ましくは500〜2000である。また、本実施形態で用いる(A)重合性単量体の粘度は、好ましくは600〜1500であり、より好ましくは600〜1200である。   The molecular weight of the polymerizable monomer (A) used in the present embodiment is preferably 500 to 2000. Moreover, the viscosity of the polymerizable monomer (A) used in the present embodiment is preferably 600 to 1500, and more preferably 600 to 1200.

以下に、本実施形態の硬化性組成物で用いられる(A)重合性単量体の具体例を挙げるが、本発明はこれらに限定されるものではない。下記式中におけるRはそれぞれ、水素原子、アルキル基、ハロゲン原子およびシアノ基のいずれかである。 Specific examples of the polymerizable monomer (A) used in the curable composition of the present embodiment are listed below, but the present invention is not limited to these. R 1 in the following formula is any one of a hydrogen atom, an alkyl group, a halogen atom and a cyano group.

Figure 0005335717
Figure 0005335717

本実施形態の硬化性組成物中における(A)重合性単量体の含有量は、特に制限はないが、硬化性、組成物粘度の観点から、全重合性単量体中、0.1〜100質量%が好ましく、0.2〜50質量%がより好ましく、0.5〜20質量%がさらに好ましく、1〜10質量%が特に好ましい。   The content of the polymerizable monomer (A) in the curable composition of the present embodiment is not particularly limited, but is 0.1% in the total polymerizable monomer from the viewpoints of curability and composition viscosity. -100 mass% is preferable, 0.2-50 mass% is more preferable, 0.5-20 mass% is further more preferable, 1-10 mass% is especially preferable.

本実施形態の硬化性組成物においては、組成物粘度、ドライエッチング耐性、インプリント適性、硬化性等の改良の観点から、必要に応じて(A)重合性単量体と、(A)重合性単量体以外の重合性単量とを併用することが好ましい。他の重合性単量体としては、例えば、エチレン性不飽和結合含有基を1〜6個有する重合性不飽和単量体;オキシラン環を有する化合物(エポキシ化合物);ビニルエーテル化合物;スチレン誘導体;フッ素原子を有する化合物;プロペニルエーテルまたはブテニルエーテル等を挙げることができ、硬化性の観点から、エチレン性不飽和結合含有基を1〜6個有する重合性不飽和単量体が好ましく、前述した第1例において説明したものと同様である。   In the curable composition of this embodiment, from the viewpoint of improving the composition viscosity, dry etching resistance, imprint suitability, curability, and the like, (A) a polymerizable monomer and (A) polymerization as necessary. It is preferable to use in combination with a polymerizable monomer other than the polymerizable monomer. Examples of other polymerizable monomers include polymerizable unsaturated monomers having 1 to 6 ethylenically unsaturated bond-containing groups; compounds having an oxirane ring (epoxy compounds); vinyl ether compounds; styrene derivatives; A compound having an atom; propenyl ether or butenyl ether can be exemplified, and from the viewpoint of curability, a polymerizable unsaturated monomer having 1 to 6 ethylenically unsaturated bond-containing groups is preferable. This is the same as described in one example.

上述の他の重合性単量体の含有量としては、本発明における(A)重合性単量体の含有量によって他の重合性単量体の好ましい含有量も変わるが、例えば、本発明の全重合性単量体中に0〜99.9質量%含んでいてもよく、好ましくは50〜99.8質量%、さらに好ましくは80〜99.5質量%の範囲で含むことがより好ましい。   As the content of the other polymerizable monomer described above, the preferable content of the other polymerizable monomer varies depending on the content of the polymerizable monomer (A) in the present invention. The total polymerizable monomer may contain 0 to 99.9% by mass, preferably 50 to 99.8% by mass, and more preferably 80 to 99.5% by mass.

次に、本実施形態における(A)重合性単量体および他の重合性単量体の好ましいブレンド形態について説明する。   Next, the preferable blend form of (A) polymerizable monomer and other polymerizable monomer in the present embodiment will be described.

1官能の重合性単量体は、通常、反応性希釈剤として用いられ、本発明の硬化性組成物の粘度を低下させる効果を有し、重合性単量体の総量に対して、15質量%以上添加されることが好ましく、20〜90質量%がさらに好ましく、25〜85質量%がより好ましく、30〜80質量%が特に好ましい。   The monofunctional polymerizable monomer is usually used as a reactive diluent and has an effect of lowering the viscosity of the curable composition of the present invention, and is 15 mass based on the total amount of the polymerizable monomer. % Or more, preferably 20 to 90% by mass, more preferably 25 to 85% by mass, and particularly preferably 30 to 80% by mass.

重合性反応基を2個有する単量体(2官能重合性単量体)は、全重合性単量体の好ましくは90質量%以下、より好ましくは80質量%以下、特に好ましくは70質量%以下の範囲で添加される。   The monomer having two polymerizable reactive groups (bifunctional polymerizable monomer) is preferably 90% by mass or less, more preferably 80% by mass or less, and particularly preferably 70% by mass of the total polymerizable monomer. It is added in the following range.

1官能および2官能重合性単量体の割合は、全重合性単量体の、好ましくは10〜100質量%、より好ましくは30〜100質量%、特に好ましくは50〜90質量%の範囲で添加される。   The ratio of the monofunctional and bifunctional polymerizable monomers is preferably in the range of 10 to 100% by mass, more preferably 30 to 100% by mass, and particularly preferably 50 to 90% by mass of the total polymerizable monomer. Added.

不飽和結合含有基を3個以上有する多官能重合性単量体の割合は、全重合性単量体の、好ましくは80質量%以下、より好ましくは60質量%以下、特に好ましくは、40質量%以下の範囲で添加される。重合性反応基を3個以上有する重合性単量体の割合を80質量%以下とすることにより、組成物の粘度を下げられるため好ましい。   The ratio of the polyfunctional polymerizable monomer having 3 or more unsaturated bond-containing groups is preferably 80% by mass or less, more preferably 60% by mass or less, and particularly preferably 40% by mass of the total polymerizable monomer. % Is added in a range of not more than%. Since the viscosity of a composition can be lowered | hung by making the ratio of the polymerizable monomer which has 3 or more polymerizable reactive groups into 80 mass% or less, it is preferable.

以下、本発明に係るレジスト組成物配置装置(インクジェット塗布装置)の作用についてフローチャートに沿って説明する。   Hereinafter, the operation of the resist composition placement device (inkjet coating device) according to the present invention will be described with reference to flowcharts.

図5及び図6は、インクジェット塗布装置10の動作を示すフローチャートである。   5 and 6 are flowcharts showing the operation of the ink jet coating apparatus 10.

まず、図5のステップS100において、レジスト供給タンク50にレジスト組成物を供給する。このとき、予めレジスト中のポリマー含有量は測定されてわかっている。   First, a resist composition is supplied to the resist supply tank 50 in step S100 of FIG. At this time, the polymer content in the resist is previously measured and known.

ポリマー含有量の測定は、ゲル浸透クロマトグラフ法、紫外−可視吸光光度法、液体クロマトグラフ法、蛍光分析法あるいは化学ルミネセンス法等の既知の方法によって行うことができる。また、簡易には、吐出させる前に吐出するレジスト液の一部を取り出してメタノール等の溶媒と混合させ、その際の濁度やレジストのフィルタ透過容易性によって評価することができる。   The polymer content can be measured by a known method such as gel permeation chromatography, ultraviolet-visible absorptiometry, liquid chromatography, fluorescence analysis or chemiluminescence. Further, in a simple manner, a part of the resist solution to be ejected before being ejected can be taken out and mixed with a solvent such as methanol, and evaluation can be made based on the turbidity at that time and the ease of filter permeation of the resist.

ポリマー含有量を含むレジスト情報は、自動的に読み取られて、あるいはオペレータによってホストコンピュータ100に入力される。   The resist information including the polymer content is automatically read or input to the host computer 100 by an operator.

ステップS102において、ホストコンピュータ100に入力されたポリマー含有量を含むレジスト情報は通信インターフェース102、システムコントローラ104を介して画像メモリ106に記憶される。   In step S102, the resist information including the polymer content input to the host computer 100 is stored in the image memory 106 via the communication interface 102 and the system controller 104.

次にステップS104において、インクジェット塗布装置10の各部の温度制御を開始する。すなわち、レジスト供給タンク50の加熱冷却手段52、サブタンク66の加熱冷却手段78及びインクジェットヘッド20の加熱冷却手段84を制御して各部の温調が行われる。   Next, in step S104, temperature control of each part of the inkjet coating apparatus 10 is started. That is, the heating / cooling means 52 of the resist supply tank 50, the heating / cooling means 78 of the sub tank 66, and the heating / cooling means 84 of the inkjet head 20 are controlled to control the temperature of each part.

このとき、温度が上昇するとレジスト組成物中にポリマーのような不純物が発生するので、レジストを溜めているところのレジスト供給タンク50では温度を下げる一方、レジストを吐出する近くになるインクジェットヘッド20においては、温度を上げるように制御を行う。サブタンク66の温度は、塗布量に応じて適宜設定する。時間あたりの塗布量が少ないときはサブタンクにレジストが長く留まるためヘッドと比較して温度を下げることが好ましい。一方時間あたりの塗布量が多いときは、ヘッドにおけるレジスト温度の安定性の観点からヘッドと同じ温度に制御することが好ましい。   At this time, since an impurity such as a polymer is generated in the resist composition when the temperature rises, the temperature is lowered in the resist supply tank 50 where the resist is stored, while the ink jet head 20 close to discharging the resist. Controls to raise the temperature. The temperature of the sub tank 66 is appropriately set according to the application amount. When the coating amount per hour is small, the resist stays in the sub tank for a long time, so it is preferable to lower the temperature compared to the head. On the other hand, when the coating amount per time is large, it is preferable to control the temperature to be the same as the head from the viewpoint of the stability of the resist temperature in the head.

次に、ステップS106において、メンテナンスを行う。特に最初は、初期充填を行ったり、しばらく休止した後に描画を行う場合には、粘度の上昇したレジストの予備吐出などが行われるが、最初は特に必要がなければこのメンテナンス動作は不要である。   Next, in step S106, maintenance is performed. In particular, when initial filling is performed or drawing is performed after a pause, a preliminary discharge of a resist having an increased viscosity is performed. However, this maintenance operation is not necessary unless particularly required.

次にステップS108において、負圧調整を行う。これは、図3に示すように、ポンプ76によりサブタンク66内の膜67より上部の空間の圧力を制御することによってインクジェットヘッド20のノズル内のレジストの負圧が調整される。このように、サブタンク66内の圧力を制御することにより、ノズル内のレジストのメニスカス圧力が調整されることになる。   Next, in step S108, negative pressure adjustment is performed. As shown in FIG. 3, the negative pressure of the resist in the nozzles of the inkjet head 20 is adjusted by controlling the pressure in the space above the film 67 in the sub tank 66 by the pump 76. In this way, by controlling the pressure in the sub tank 66, the meniscus pressure of the resist in the nozzle is adjusted.

次に、ステップS110において、駆動波形の調整(波形調整)が行われる。波形はステップS102で記憶されたポリマー含有量を用いてプリント制御部108において設定されるが、ここではその波形の再調整が行われる。ここでは、ポリマー含有量に応じた適切な速度となるように波形が調整される。   Next, in step S110, drive waveform adjustment (waveform adjustment) is performed. The waveform is set in the print control unit 108 using the polymer content stored in step S102. Here, the waveform is readjusted. Here, the waveform is adjusted so as to obtain an appropriate speed according to the polymer content.

ここで、少しフローチャートを離れて、レジストを吐出する際の駆動信号の波形について説明する。   Here, a little away from the flowchart, the waveform of the drive signal when the resist is discharged will be described.

本実施形態においては、インクジェットヘッド20のレジスト吐出方式は前述したようにピエゾ方式である。すなわち、図示は省略するがノズルに連通する圧力室の内壁の一部を形成する振動板を、圧電素子(アクチュエータ)の変形により変形させて、圧力室の体積を増減させ、圧力室の体積が増加するときにレジストを圧力室内に充填し、圧力室の体積が減少するときに圧力室内のレジストをノズルから吐出させるものである。また圧電素子で圧力室を形成して圧電素子に電圧をかけることで圧電素子の剪断効果を利用して変形させて、圧力室の体積を増減させ、圧力室の体積が増加するときにレジストを圧力室内に充填し、圧力室の体積が減少するときに圧力室内のレジストをノズルから吐出させるものでもよく、このほかピエゾ方式のタイプは何れでもよい。   In the present embodiment, the resist discharge method of the inkjet head 20 is a piezo method as described above. That is, although not shown, the diaphragm that forms a part of the inner wall of the pressure chamber communicating with the nozzle is deformed by deformation of the piezoelectric element (actuator) to increase or decrease the volume of the pressure chamber. When increasing, the resist is filled in the pressure chamber, and when the volume of the pressure chamber decreases, the resist in the pressure chamber is discharged from the nozzle. In addition, by forming a pressure chamber with a piezoelectric element and applying a voltage to the piezoelectric element, the piezoelectric element is deformed using the shearing effect to increase or decrease the volume of the pressure chamber. The pressure chamber may be filled, and when the volume of the pressure chamber decreases, the resist in the pressure chamber may be discharged from the nozzle, and any other piezo type may be used.

図7に、このアクチュエータに印加される駆動信号の駆動波形(電圧波形)を示す。   FIG. 7 shows a drive waveform (voltage waveform) of a drive signal applied to the actuator.

図7に示す波形は、圧力室の体積を増加させるようにアクチュエータを変形させる第1の引き駆動波形要素302と、第1の引き駆動波形要素302によって増加した圧力室の体積を保持する第1の引き保持波形要素304と、圧力室の体積を減少させるようにアクチュエータを駆動する押し駆動波形要素306と、押し駆動波形要素306によって減少した圧力室の体積を保持する押し保持波形要素308と、再び圧力室の体積を増加させるようにアクチュエータを駆動する第2の引き駆動波形要素310とから構成されている。   The waveform shown in FIG. 7 includes a first pulling drive waveform element 302 that deforms the actuator to increase the pressure chamber volume, and a first pressure chamber that retains the volume of the pressure chamber increased by the first pulling drive waveform element 302. A pull-hold waveform element 304, a push-drive waveform element 306 that drives the actuator to reduce the pressure chamber volume, a push-hold waveform element 308 that holds the pressure chamber volume reduced by the push-drive waveform element 306, The second pulling drive waveform element 310 is configured to drive the actuator so as to increase the volume of the pressure chamber again.

この駆動波形は、最初に引いて(第1の引き駆動波形要素302)、その後押して(押し駆動波形要素306)、さらに引く(第2の引き駆動波形要素310)波形要素を含んで構成されており、1回目の引き動作(プル動作)と、これに続く1回の押し動作(プッシュ動作)の後に、さらに2回目の引き動作(プル動作)を組み合わせたプルプッシュプル(pull-push-pull)駆動によって圧力室内のレジストをノズルから吐出するようにしている。   This drive waveform is configured to include a waveform element that is first pulled (first pull drive waveform element 302), then pressed (push drive waveform element 306), and further pulled (second pull drive waveform element 310). Pull pull-pull (pull-push-pull) that combines the first pulling action (pull action) and the subsequent one pushing action (push action) followed by a second pulling action (pull action) ) The resist in the pressure chamber is discharged from the nozzle by driving.

これにノズル内のレジストの状態を対応させて説明する。図8に、プルプッシュプル(pull-push-pull)駆動波形に対応したノズル内のレジストの状態を模式的に示す。   This will be described with reference to the state of the resist in the nozzle. FIG. 8 schematically shows the state of the resist in the nozzle corresponding to the pull-push-pull drive waveform.

図8(a)は、第1の引き駆動波形要素302に対応する状態である。アクチュエータの駆動により圧力室の体積が増加するとノズル200内のレジスト202は内側(圧力室側)に引き戻され、ノズル200内のレジスト202の液面(メニスカス)202aは凹む。そして第1の引き保持波形要素304によってこの状態が保持される。   FIG. 8A shows a state corresponding to the first pulling drive waveform element 302. When the volume of the pressure chamber increases by driving the actuator, the resist 202 in the nozzle 200 is pulled back inward (pressure chamber side), and the liquid level (meniscus) 202a of the resist 202 in the nozzle 200 is recessed. This state is held by the first pull holding waveform element 304.

次に、図8(b)は、押し駆動波形要素306に対応する状態である。アクチュエータの駆動により圧力室の体積が減少しノズル200内のレジスト202が押し出されて液柱202bを形成している。押し保持波形要素308によっても略この状態が続き、液柱202bが伸びていく。このとき、図8(a)におけるレジスト202メニスカスの凹み量が大きいと、この液柱202bは細長くなる。   Next, FIG. 8B shows a state corresponding to the push drive waveform element 306. By driving the actuator, the volume of the pressure chamber is reduced, and the resist 202 in the nozzle 200 is pushed out to form the liquid column 202b. This state continues substantially by the push-hold waveform element 308, and the liquid column 202b extends. At this time, if the dent amount of the resist 202 meniscus in FIG. 8A is large, the liquid column 202b becomes elongated.

次に、図8(c)は、第2の引き駆動波形要素310に対応する状態である。アクチュエータの駆動により再び圧力室の体積が減少し、ノズル200から外へ押し出されていたレジスト202がノズル200側に引き戻され、液柱202bの一部が引きちぎれて液滴204となって飛翔して行き、残りの液柱202bはノズル200内に引き戻される。   Next, FIG. 8C shows a state corresponding to the second pulling drive waveform element 310. When the actuator is driven, the volume of the pressure chamber decreases again, the resist 202 pushed out from the nozzle 200 is pulled back to the nozzle 200 side, and a part of the liquid column 202b is torn off to fly as a droplet 204. The remaining liquid column 202b is pulled back into the nozzle 200.

なお、このとき図7の波形において、第1の引き駆動波形要素302の先端と押し駆動波形要素306の先端との間隔T1の方が、押し駆動波形要素306の後端と第2の引き駆動波形要素310の先端との間隔(押し保持波形要素308の幅)T2よりも大きくないと(すなわち、T2<T1でないと)液柱202bを引きちぎる効果はない。   At this time, in the waveform of FIG. 7, the interval T1 between the front end of the first pull drive waveform element 302 and the front end of the push drive waveform element 306 is greater than the rear end of the push drive waveform element 306 and the second pull drive. There is no effect of tearing off the liquid column 202b unless it is larger than the interval (width of the push-holding waveform element 308) T2 (that is, T2 <T1) from the tip of the waveform element 310.

また、レジスト中のポリマーが多いと液柱が長く伸びてミストが発生しやすくなってしまう。そこでポリマーが多い程、液柱を引き込むタイミングを早くして、液柱を早めに引きちぎる必要がある。そのため、ポリマー含有量が多いほどT2を小さくすることが好ましい。   Moreover, when there are many polymers in a resist, a liquid column will extend long and it will become easy to generate mist. Therefore, the more the polymer is, the faster the liquid column is pulled in, and it is necessary to tear off the liquid column earlier. Therefore, it is preferable to decrease T2 as the polymer content increases.

吐出する液体(レジスト)の粘度が高い場合、通常の引き押し(プルプッシュ)波形では粘度が高いことにより圧力の減衰効果で引きちぎる負圧がほとんどなくなってしまうが、このような波形にすることで引きちぎりの負圧が発生することとなり、粘度が高くても液柱の短い液滴吐出を行うことができる。   If the viscosity of the liquid (resist) to be ejected is high, the normal pull-push waveform has a high viscosity, so there is almost no negative pressure that is torn off due to the pressure attenuation effect. A tearing negative pressure is generated, and a liquid droplet having a short liquid column can be discharged even if the viscosity is high.

図9に波形の例を示す。図9(a)の波形は、最初の引き部分(V1)を小さくした駆動波形の例である。また図9(b)は最初の引き部分を無くした駆動波形の例である。   FIG. 9 shows an example of a waveform. The waveform in FIG. 9A is an example of a drive waveform in which the first pulling portion (V1) is reduced. FIG. 9B shows an example of a driving waveform in which the first pulling portion is eliminated.

駆動波形の最初の引きが大きいと、その波形で液体を吐出させた際の液柱の幅が引いた分だけ細くなる。この傾向は、粘度が大きい程顕著であり、粘度が高い場合には、最初の引き部が大きい波形で吐出させると、液柱がかなり細くなることから、ミストが発生しやすくなる。   If the initial pulling of the drive waveform is large, the width of the liquid column when the liquid is ejected with the waveform is thinned by the amount. This tendency becomes more conspicuous as the viscosity increases. When the viscosity is high, if the first pulling portion is ejected in a large waveform, the liquid column becomes considerably thin and mist is likely to be generated.

このため、ミストを発生し難くするためには液柱の太さをより太くした方が良いため、図9(a)に示す波形の例のように波形の最初の引き部を小さくするか、あるいは図9(b)に示す波形の例のように最初の引き部を全く無くすことがよいと考えられる。   For this reason, since it is better to make the thickness of the liquid column thicker in order to make it difficult to generate mist, the first pulling portion of the waveform is reduced as in the waveform example shown in FIG. Alternatively, it may be preferable to eliminate the first pulling portion as in the waveform example shown in FIG.

また、上述したようにポリマーが多いと液柱が細長く伸びるので、最初の引き込みを少なくするように波形を設定することが好ましい。   Further, as described above, since the liquid column is elongated when the amount of polymer is large, it is preferable to set the waveform so as to reduce the initial pull-in.

図10から図12にその他の波形の例を示す。   Examples of other waveforms are shown in FIGS.

これらの例は、いずれも、第1の引き駆動波形要素302の先端と押し駆動波形要素306の先端との間隔T1よりも、押し駆動波形要素306の後端と第2の引き駆動波形要素310の先端との間隔T2を小さくする(T2<T1)とともに、押し保持波形要素の後、第2の引き駆動波形要素とそれを保持する期間をT1の2倍として、電圧値を様々に変化させたものである。   In any of these examples, the rear end of the push drive waveform element 306 and the second pull drive waveform element 310 are larger than the interval T1 between the tip of the first pull drive waveform element 302 and the tip of the push drive waveform element 306. The distance T2 from the tip of the coil is reduced (T2 <T1), and after the push-hold waveform element, the second pulling drive waveform element and the period for holding it are twice T1, and the voltage value is changed variously. It is a thing.

図13に他の波形の例を示す。これは、第1の引き駆動波形要素302の大きさ(電位差)V1と、押し駆動波形要素306の大きさ(電位差)V2の大きさを、図7に示す例とは大きく変えたものである。   FIG. 13 shows another waveform example. This is obtained by greatly changing the size (potential difference) V1 of the first pulling drive waveform element 302 and the size (potential difference) V2 of the push drive waveform element 306 from the example shown in FIG. .

図7に示す例では、このV1とV2は略同じ大きさであったが、図13に示す例では、V1よりV2の方がかなり大きくなっている。図7に示す波形は、小さな液滴を吐出するのに向いており、それに対して図13に示す波形は、比較的大きな液滴を吐出するのを目的としている。   In the example shown in FIG. 7, V1 and V2 are substantially the same size, but in the example shown in FIG. 13, V2 is considerably larger than V1. The waveform shown in FIG. 7 is suitable for ejecting small droplets, whereas the waveform shown in FIG. 13 is intended to eject relatively large droplets.

図13の波形に対応するノズル内のレジストの状態を図14に示す。図14(a)は、第1の引き駆動波形要素302に対応するノズル200内のレジスト202の状態を示す。図13に示すように、この場合には、第1の引き駆動波形要素302の大きさV1はそれほど大きくないので、図14(a)におけるノズル200内のレジスト202の引き込み量はそれほど大きくなく、レジスト202の液面202aの凹み量はそれほど大きくない。   FIG. 14 shows the state of the resist in the nozzle corresponding to the waveform of FIG. FIG. 14A shows the state of the resist 202 in the nozzle 200 corresponding to the first pulling drive waveform element 302. As shown in FIG. 13, in this case, since the size V1 of the first pulling drive waveform element 302 is not so large, the pulling amount of the resist 202 in the nozzle 200 in FIG. The amount of depression of the liquid surface 202a of the resist 202 is not so large.

また、図14(b)は、押し駆動波形要素306に対応するノズル200内のレジスト202の状態を示すものである。レジスト202が押し出されて液柱202bが形成されている。図7及び図8において説明したように、前記凹み量が大きいと、押し出されたレジスト202が形成する液柱202bは細長くなる。この例では、凹み量が小さいので液柱202bは太く短くなる。従って、図13の波形は比較的大きな液滴の吐出に向いている。このとき、レジストの粘度や吐出したい液滴の大きさにもよるが、図13に示すように、大体V1は、V2の半分以下ぐらいにするのが良い。   FIG. 14B shows the state of the resist 202 in the nozzle 200 corresponding to the push drive waveform element 306. The resist 202 is extruded to form a liquid column 202b. As described with reference to FIGS. 7 and 8, when the dent amount is large, the liquid column 202b formed by the extruded resist 202 is elongated. In this example, since the dent amount is small, the liquid column 202b becomes thick and short. Therefore, the waveform of FIG. 13 is suitable for discharging a relatively large droplet. At this time, although depending on the viscosity of the resist and the size of the droplet to be ejected, as shown in FIG. 13, it is preferable that V1 is about half or less of V2.

図15及び図16に、このようにして設定した波形の例を示す。図15に示す波形は、押し出す前に小さな引き込み波形要素を有しているが、図16に示す波形は、最初の引き込み部を有していない。   15 and 16 show examples of waveforms set in this way. The waveform shown in FIG. 15 has a small pull-in waveform element before extrusion, but the waveform shown in FIG. 16 does not have an initial pull-in portion.

本実施形態においては、ポリマー含有量に応じて吐出速度を変えるようにしているが、そのため、予め実際に実験をして、各ポリマー含有量に対する目標速度等のテーブルが作成されている。   In the present embodiment, the discharge speed is changed according to the polymer content. Therefore, a table such as a target speed for each polymer content is created by actually conducting an experiment in advance.

図17に、吐出速度と吐出体積との関係を示す。これは富士フイルムダイマティックス社製DMP−2831を利用して吐出速度と吐出体積との関係を求めたものである。   FIG. 17 shows the relationship between the discharge speed and the discharge volume. This is a relationship between the discharge speed and the discharge volume obtained using DMP-2831 manufactured by Fujifilm Daimatics.

吐出速度は、飛翔状態をカメラで観察することで算出し、体積は一定量吐出したレジストの重量を測定し、吐出滴数及びレジスト密度から換算したものである。   The ejection speed is calculated by observing the flight state with a camera, and the volume is obtained by measuring the weight of the resist ejected by a certain amount and converting it from the number of ejected droplets and the resist density.

また、図18に、ポリマー含有量、吐出速度等の対応を表すテーブルを示す。図18のテーブルは、ポリマー含有量に対する吐出速度、図7に示す押し駆動波形要素306の後端と第2の引き駆動波形要素310の先端との間隔T2、図9(a)または図13に示す波形の最初の引き部分の大きさ(電圧差)V1の対応関係を示すものであり、実験によって求められた最適な対応関係を示すものである。   FIG. 18 shows a table showing correspondence between polymer content, discharge speed, and the like. The table of FIG. 18 shows the discharge speed with respect to the polymer content, the interval T2 between the rear end of the push drive waveform element 306 and the front end of the second pull drive waveform element 310 shown in FIG. 7, and FIG. 9 (a) or FIG. It shows the correspondence of the magnitude (voltage difference) V1 of the first pulling portion of the waveform shown, and shows the optimum correspondence obtained by experiment.

図18において、ポリマー含有量が、少→中→多、となるのに対して、吐出速度は、v1>v2>v3、となるように、ポリマー含有量が多くなるほど吐出速度は遅くする。また、このとき、押し駆動波形要素306の後端と第2の引き駆動波形要素310の先端との間隔T2については、ポリマー含有量が、少→中→多、となるのに対して、a1>a2>a3、となるように、ポリマー含有量が多い程T2は小さくする。さらに、波形の最初の引き部分の大きさV1についても、b1>b2>b3、のように、ポリマー含有量が多い程、V1も小さくなるようにする。   In FIG. 18, the polymer content decreases from low to medium to high, whereas the discharge rate decreases as the polymer content increases so that v1> v2> v3. At this time, with respect to the interval T2 between the rear end of the push drive waveform element 306 and the front end of the second pull drive waveform element 310, the polymer content becomes small → medium → large, whereas a1 T2 is decreased as the polymer content is increased so that> a2> a3. Further, with respect to the size V1 of the first pulling portion of the waveform, V1 is made smaller as the polymer content is larger, such as b1> b2> b3.

また、吐出速度によって吐出体積が決まり、吐出体積に応じて最適な着弾間隔が決められる。図19に、吐出速度、吐出体積、着弾間隔の対応テーブルを示す。   Further, the discharge volume is determined by the discharge speed, and the optimum landing interval is determined according to the discharge volume. FIG. 19 shows a correspondence table of discharge speed, discharge volume, and landing interval.

図19において、吐出速度、v1>v2>v3、に対して、吐出体積は、c1>c2>c3、また、着弾間隔は、d1>d2>d3、となっている。   In FIG. 19, with respect to the discharge speed, v1> v2> v3, the discharge volume is c1> c2> c3, and the landing interval is d1> d2> d3.

このように、図18及び図19のテーブルを参照して、ポリマー含有量から吐出速度が決まり、吐出速度から吐出体積が決まり、吐出体積から着弾間隔が決まる。   As described above, with reference to the tables of FIGS. 18 and 19, the discharge speed is determined from the polymer content, the discharge volume is determined from the discharge speed, and the landing interval is determined from the discharge volume.

結果として、本実施形態では、ポリマー含有量が多くなるほど、吐出速度は遅く、吐出体積は小さくなるので、着弾間隔は小さくするようにしている。   As a result, in this embodiment, the higher the polymer content, the slower the discharge speed and the smaller the discharge volume, so the landing interval is made smaller.

再び図5のフローチャートに戻り、引き続きインクジェット塗布装置10の動作について説明する。   Returning to the flowchart of FIG. 5 again, the operation of the inkjet coating apparatus 10 will be described.

ステップS112において、キャップあるいはダミーワーク(ダミー基板)に対して吐出を行い吐出状態観察手段30によって吐出状態を観察し、観察結果に応じて吐出調整を行う。   In step S112, discharge is performed on the cap or the dummy work (dummy substrate), the discharge state is observed by the discharge state observation means 30, and discharge adjustment is performed according to the observation result.

すなわち、吐出状態観察手段30によって計測した吐出速度が、前述した図18及び図19のテーブルから求めた、ポリマー含有量に対応する吐出速度及び着弾間隔となるように駆動波形を調整する。   That is, the drive waveform is adjusted so that the discharge speed measured by the discharge state observing means 30 becomes the discharge speed and the landing interval corresponding to the polymer content obtained from the tables of FIG. 18 and FIG.

次のステップS114において、吐出観察で算出した吐出速度がOKか否か判断し、OK(Yes)なら次のステップS116へ進み、Noの場合はステップS106に戻りメンテナンス動作を行う。   In the next step S114, it is determined whether or not the discharge speed calculated by the discharge observation is OK. If OK (Yes), the process proceeds to the next step S116. If No, the process returns to step S106 to perform the maintenance operation.

ステップS116において、上で算出した吐出速度に応じて飛翔距離(TD)を調整する。これは、吐出速度によって着弾位置ずれが変化するためである。すなわち吐出速度が遅い場合には着弾までの飛翔時間が長くなり外乱等による飛翔曲がりの影響を受けやすく着弾ずれが大きくなる。そこで飛翔距離を短くして着弾ずれが小さくなるように調整する。   In step S116, the flight distance (TD) is adjusted according to the ejection speed calculated above. This is because the landing position deviation changes depending on the discharge speed. In other words, when the discharge speed is low, the flight time until landing becomes long, and the landing deviation is likely to be affected by flying bend due to disturbance or the like. Therefore, the flight distance is shortened to adjust the landing deviation to be small.

飛翔距離の調整は、前述したように、ヘッド保持移動手段18によりインクジェットヘッド20を上下に移動して行う。   The flying distance is adjusted by moving the inkjet head 20 up and down by the head holding and moving means 18 as described above.

次に、ステップS118において、基板描画条件を設定し、ステップS120において、ダミーワークに対して打滴し、ステップS122において、ワークアライメント手段22により、ダミーワークへの打滴結果を観察する。   Next, substrate drawing conditions are set in step S118, droplet ejection is performed on the dummy workpiece in step S120, and the droplet ejection result on the dummy workpiece is observed by the workpiece alignment means 22 in step S122.

ステップS124において、観察したワークへの打滴結果の形状及び位置がOKか否か判断する。   In step S124, it is determined whether the shape and position of the droplet ejection result on the observed workpiece are OK.

ステップS124において形状及び位置がNoの場合には、ステップS126でメンテナンスを行い、調整して再度ステップS120においてダミーワークに打滴する。   If the shape and position are No in step S124, maintenance is performed in step S126, adjustment is performed, and droplets are ejected onto the dummy workpiece again in step S120.

一方、ステップS124において形状及び位置がOK(Yes)の場合には、次のステップS128ヘ進み、ワーク(基板)26をロードし、ステップS130でアライメントを行う。   On the other hand, if the shape and position are OK (Yes) in step S124, the process proceeds to the next step S128, the work (substrate) 26 is loaded, and alignment is performed in step S130.

次に図6のステップS132へ進み、ワーク26に対して描画を行い、予め設定されたデータに従って所定の位置にレジストを塗布(配置)する。   Next, the process proceeds to step S132 in FIG. 6, and drawing is performed on the work 26, and a resist is applied (arranged) at a predetermined position in accordance with preset data.

ここで、ワーク26への描画は、インクジェットヘッド20及びワーク26を相対的に走査して行われる。その走査方法は、特に限定されるものではなく、様々な走査パターンが適用可能である。   Here, the drawing on the workpiece 26 is performed by relatively scanning the inkjet head 20 and the workpiece 26. The scanning method is not particularly limited, and various scanning patterns can be applied.

例えば、インクジェットヘッド20がワーク26の幅のラインヘッドの場合には、インクジェットヘッド20を固定し、ワーク26を所定の方向(一軸)に走査してもよいし、またあるいは同じくインクジェットヘッド20を固定して、ワーク26をXY方向に走査しても良い。   For example, when the inkjet head 20 is a line head having a width of the workpiece 26, the inkjet head 20 may be fixed and the workpiece 26 may be scanned in a predetermined direction (uniaxial), or similarly, the inkjet head 20 may be fixed. Then, the workpiece 26 may be scanned in the XY directions.

また、インクジェットヘッド20がワーク26の幅のラインヘッドの場合に、上記とは逆に、ワーク26を固定しておき、これに対してインクジェットヘッド20を所定の方向(一軸)に走査してもよいし、インクジェットヘッド20をXY方向に走査しても良い。   In the case where the inkjet head 20 is a line head having a width of the workpiece 26, the workpiece 26 is fixed and the inkjet head 20 is scanned in a predetermined direction (one axis) in contrast to the above. Alternatively, the inkjet head 20 may be scanned in the XY directions.

また、特にインクジェットヘッド20がワーク26の幅を有していない場合には、ワーク26を固定して、インクジェットヘッド20をXY方向に走査しても良い。またさらには、インクジェットヘッド20及びワーク26の両方を共に走査するようにしても良い。   In particular, when the inkjet head 20 does not have the width of the workpiece 26, the workpiece 26 may be fixed and the inkjet head 20 may be scanned in the XY directions. Furthermore, both the inkjet head 20 and the workpiece 26 may be scanned together.

このように、走査方法としては、ヘッドを走査しても良いし、ワークを走査しても良いし、その両方を走査しても良い。また、インクジェットヘッド20も、ライン型ヘッドでもシリアル型ヘッドでも良い。   As described above, as a scanning method, the head may be scanned, the workpiece may be scanned, or both of them may be scanned. The inkjet head 20 may also be a line type head or a serial type head.

描画が済んだら次のステップS134において、インクジェットヘッド20を待機位置へ移動し、ステップS136でワーク26をアンロードし、次のNIL装置へ搬送する。   When drawing is completed, the ink jet head 20 is moved to the standby position in the next step S134, the work 26 is unloaded in step S136, and is conveyed to the next NIL apparatus.

そして、ステップS138において、ワーク26の処理が最後か否か判断する。ステップS138の判断でNoの場合、すなわちまだ最後でない場合には、ステップS140で次のワーク26に対する描画条件に変更があるか否か判断し、変更がある場合には図5のステップS118に戻り、変更がない場合には図5のステップS120に戻り、それぞれ処理を続ける。   In step S138, it is determined whether or not the processing of the workpiece 26 is the last. If the determination in step S138 is No, that is, if it is not the last time, it is determined in step S140 whether or not there is a change in the drawing conditions for the next workpiece 26. If there is no change, the process returns to step S120 in FIG.

一方、ステップS138の判断でYesの場合、すなわちでワーク26の処理はもう最後であると判断した場合には、次のステップS142でインクジェットヘッド20を保管位置へ移動し、ステップS144において、インクジェットヘッド20のノズル面にキャップを行い、続けてステップS146において温度制御を終了し、インクジェット塗布装置10の全ての動作を終了する。   On the other hand, if the determination in step S138 is Yes, that is, if it is determined that the processing of the workpiece 26 is already the last, the inkjet head 20 is moved to the storage position in the next step S142, and in step S144, the inkjet head Then, the nozzle surface of 20 is capped, and then the temperature control is finished in step S146, and all operations of the inkjet coating apparatus 10 are finished.

以上詳細に説明したように、本実施形態によれば、吐出における液柱長が短くなり、ミストの発生を抑制することができる。また、着弾位置のばらつきを向上させて、インプリント後転写形状を安定させ、さらに残渣厚ばらつきも低減させることができる。   As described above in detail, according to the present embodiment, the length of the liquid column in ejection is shortened, and the generation of mist can be suppressed. In addition, it is possible to improve the variation in landing position, stabilize the transferred shape after imprinting, and further reduce the variation in residue thickness.

また、本実施形態においては、吐出速度が低下しても飛翔距離を短くすることにより、着弾位置ばらつきを向上させることができ、インプリント後の転写形状を安定させることが可能となる。   Further, in the present embodiment, even if the discharge speed is reduced, by shortening the flight distance, it is possible to improve landing position variation and to stabilize the transferred shape after imprinting.

以上、本発明のレジスト組成物配置装置及びパターン形成体の製造方法について詳細に説明したが、本発明は、以上の例には限定されず、本発明の要旨を逸脱しない範囲において、各種の改良や変形を行ってもよいのはもちろんである。   As mentioned above, although the resist composition arrangement | positioning apparatus of this invention and the manufacturing method of the pattern formation body were demonstrated in detail, this invention is not limited to the above example, In the range which does not deviate from the summary of this invention, various improvement is carried out. It goes without saying that or may be modified.

10…インクジェット塗布装置(レジスト組成物配置装置)、12…支持台、20…インクジェットヘッド、22…ワークアライメント手段、24…ワーク保持移動手段、26…ワーク(基板)、28…ノズル面観察手段、30(30a、30b)…吐出状態観察手段、32…メンテナンス手段、40…NIL装置、42、44…基板保管部、46…基板載置部、48a、48b…ロードアンロード手段、50…レジスト供給タンク、52…加熱冷却手段、54…温度センサ、56…ポンプ、58…フィルタ、60…脱気装置、62…液トラップ部、64…ポンプ、66…サブタンク、67…膜、68…ポンプ、70、72、74…弁、78…加熱冷却手段、80…圧力センサ、82…温度センサ、84…加熱冷却手段、86…温度センサ、88…キャップ、90…吸引ポンプ、92…回収タンク、100…ホストコンピュータ、102…通信インターフェース、104…システムコントローラ、106…画像メモリ、108…プリント制御部、110…ヘッドドライバ、112…画像バッファメモリ、114…レジスト供給部、116…レジスト供給制御部、118…メンテナンス制御部、120…観察部、122…観察制御部、124…ロードアンロード制御部、126…アライメント制御部、128…モータ部、130…モータ制御部   DESCRIPTION OF SYMBOLS 10 ... Inkjet coating apparatus (resist composition arrangement | positioning apparatus), 12 ... Support stand, 20 ... Inkjet head, 22 ... Work alignment means, 24 ... Work holding movement means, 26 ... Work (substrate), 28 ... Nozzle surface observation means, 30 (30a, 30b) ... discharge state observation means, 32 ... maintenance means, 40 ... NIL apparatus, 42, 44 ... substrate storage part, 46 ... substrate mounting part, 48a, 48b ... load / unload means, 50 ... resist supply Tank 52, Heating / cooling means 54, Temperature sensor 56, Pump 58, Filter 60, Deaerator 62 62 Liquid trap unit 64 Pump 66 Sub tank 67 67 Membrane 68 Pump 70 72, 74 ... valve, 78 ... heating / cooling means, 80 ... pressure sensor, 82 ... temperature sensor, 84 ... heating / cooling means, 86 ... temperature sensor, DESCRIPTION OF SYMBOLS 8 ... Cap, 90 ... Suction pump, 92 ... Collection tank, 100 ... Host computer, 102 ... Communication interface, 104 ... System controller, 106 ... Image memory, 108 ... Print control part, 110 ... Head driver, 112 ... Image buffer memory , 114 ... resist supply unit, 116 ... resist supply control unit, 118 ... maintenance control unit, 120 ... observation unit, 122 ... observation control unit, 124 ... load unload control unit, 126 ... alignment control unit, 128 ... motor unit, 130: Motor controller

Claims (7)

基板上に配置されたレジスト組成物によって形成されたレジスト層に、凹凸形状に形成されたパターン面を有する鋳型を、該パターン面を前記レジスト層側に向けて押し当て、前記レジスト組成物に対して硬化処理し、前記鋳型のパターン面と前記基板上に形成されたレジスト層との界面を剥離する鋳型のパターンに対応したパターンを形成するインプリント方法で用いるレジスト組成物を基板上に離散的に配置するレジスト組成物配置装置であって、
前記レジスト組成物のポリマー含有量を記憶するポリマー含有量記憶手段と、
前記レジスト組成物をノズルから吐出するレジスト吐出手段と、
前記ノズルから前記レジスト組成物を吐出するための駆動波形をポリマー含有量に応じて変更する駆動波形調整手段と、
を有し、
前記駆動波形は、前記ノズル内のレジスト組成物のメニスカス面を引き込むように駆動する第1の引き駆動波形要素と、
前記第1の引き駆動波形要素の後に、前記ノズルから前記レジスト組成物を吐出させるように駆動する押し駆動波形要素と、
前記押し駆動波形要素の後に、再び前記メニスカス面を引き込み、前記ノズルから吐出したレジスト組成物が形成する液柱を切断するように駆動する第2の引き駆動波形と、
を含んで構成され、
前記押し駆動波形要素の後端と前記第2の引き駆動波形要素の先端との間隔T2を、前記ポリマー含有量が多いほど、短くしたことを特徴とするレジスト組成物配置装置。
A resist layer formed by a resist composition disposed on a substrate is pressed against a mold having a pattern surface formed in a concavo-convex shape with the pattern surface facing the resist layer side, against the resist composition The resist composition used in the imprint method for forming a pattern corresponding to the pattern of the mold that peels off the interface between the pattern surface of the mold and the resist layer formed on the substrate is discretely formed on the substrate. A resist composition placement device to be placed in
Polymer content storage means for storing the polymer content of the resist composition;
Resist discharge means for discharging the resist composition from a nozzle;
Driving waveform adjusting means for changing a driving waveform for discharging the resist composition from the nozzle according to a polymer content;
I have a,
The drive waveform includes a first pull drive waveform element that drives to draw a meniscus surface of the resist composition in the nozzle;
After the first pulling drive waveform element, a push drive waveform element that drives to discharge the resist composition from the nozzle;
A second pull drive waveform for driving the meniscus surface again after the push drive waveform element to drive the liquid column formed by the resist composition discharged from the nozzle;
Comprising
The resist composition arranging device , wherein a distance T2 between a rear end of the push drive waveform element and a front end of the second pull drive waveform element is shortened as the polymer content increases .
前記レジスト組成物を吐出するための駆動波形において、前記第1の引き駆動波形要素の大きさが、前記ポリマー含有量が多いほど、小さくしたことを特徴とする請求項1に記載のレジスト組成物配置装置。 In the drive waveform for discharging the resist composition, the size of the first pull drive waveform element, the resist composition according to claim 1, wherein the higher the polymer content, characterized in that reduced Placement device. 基板上に配置されたレジスト組成物によって形成されたレジスト層に、凹凸形状で形成されたパターン面を有する鋳型を、該パターン面を前記レジスト層側に向けて押し当て、前記レジスト組成物に対して硬化処理し、前記鋳型のパターン面と前記基板上に形成されたレジスト層との界面を剥離する鋳型のパターンに対応したパターンを形成するインプリント方法で用いるレジスト組成物を基板上に離散的に配置するレジスト組成物配置装置であって、
前記レジスト組成物のポリマー含有量を記憶するポリマー含有量記憶手段と、
前記レジスト組成物をノズルから吐出するレジスト吐出手段と、
前記ノズルから吐出する前記レジスト組成物の吐出速度を計測する吐出速度計測手段と、
前記ポリマー含有量に応じて前記吐出速度を変更する速度変更手段、及び前記ポリマー含有量に応じて前記基板上に着弾する前記レジスト組成物の着弾間隔を変更する着弾間隔変更手段を有し、
さらに、前記ノズルから吐出された前記レジスト組成物が前記基板に着弾するまでの飛翔距離を調整する飛翔距離調整手段を備え、前記ポリマー含有量が多くなるほど、前記飛翔距離を短くするようにしたことを特徴とするレジスト組成物配置装置。
A resist layer formed by a resist composition disposed on a substrate is pressed against a resist layer, and a mold having a pattern surface formed in a concavo-convex shape is pressed against the resist layer side. The resist composition used in the imprint method for forming a pattern corresponding to the pattern of the mold that peels off the interface between the pattern surface of the mold and the resist layer formed on the substrate is discretely formed on the substrate. A resist composition placement device to be placed in
Polymer content storage means for storing the polymer content of the resist composition;
Resist discharge means for discharging the resist composition from a nozzle;
A discharge speed measuring means for measuring a discharge speed of the resist composition discharged from the nozzle;
Wherein said speed changing means changing the discharge speed, and have a landing interval changing means for changing the landing interval of the resist composition landed on the substrate depending on the polymer content depending on the polymer content,
Furthermore, it is provided with a flight distance adjusting means for adjusting a flight distance until the resist composition discharged from the nozzle lands on the substrate, and the flight distance is shortened as the polymer content increases. A resist composition placement device characterized by the above.
前記速度変更手段は、前記ポリマー含有量が多くなるほど、前記吐出速度を遅くするようにしたことを特徴とする請求項に記載のレジスト組成物配置装置。 4. The resist composition arranging device according to claim 3 , wherein the speed changing means slows the discharge speed as the polymer content increases. 前記着弾間隔変更手段は、前記ポリマー含有量が多くなるほど、前記着弾間隔を狭くするようにしたことを特徴とする請求項またはに記載のレジスト組成物配置装置。 The resist composition arranging device according to claim 3 or 4 , wherein the landing interval changing means narrows the landing interval as the polymer content increases. 基板上に配置されたレジスト組成物によって形成されたレジスト層に、凹凸形状に形成されたパターン面を有する鋳型を、該パターン面を前記レジスト層側に向けて押し当て、前記レジスト組成物に対して硬化処理し、前記鋳型のパターン面と前記基板上に形成されたレジスト層との界面を剥離する鋳型のパターンに対応したパターンを形成するインプリント方法で用いるパターン形成体の製造方法であって、
前記レジスト組成物のポリマー含有量を記憶する工程と、
前記レジスト組成物をノズルから吐出する工程と、
前記ノズルから前記レジスト組成物を吐出するための駆動波形をポリマー含有量に応じて変更する工程と、
を含み、
前記駆動波形は、前記ノズル内のレジスト組成物のメニスカス面を引き込むように駆動する第1の引き駆動波形要素と、
前記第1の引き駆動波形要素の後に、前記ノズルから前記レジスト組成物を吐出させるように駆動する押し駆動波形要素と、
前記押し駆動波形要素の後に、再び前記メニスカス面を引き込み、前記ノズルから吐出したレジスト組成物が形成する液柱を切断するように駆動する第2の引き駆動波形と、
を含んで構成され、
前記押し駆動波形要素の後端と前記第2の引き駆動波形要素の先端との間隔T2を、前記ポリマー含有量が多いほど、短くしたことを特徴とするパターン形成体の製造方法。
A resist layer formed by a resist composition disposed on a substrate is pressed against a mold having a pattern surface formed in a concavo-convex shape with the pattern surface facing the resist layer side, against the resist composition A pattern forming body used in an imprinting method for forming a pattern corresponding to a pattern of a mold that peels off an interface between a pattern surface of the mold and a resist layer formed on the substrate. ,
Storing the polymer content of the resist composition;
Discharging the resist composition from a nozzle;
Changing the driving waveform for discharging the resist composition from the nozzle according to the polymer content;
Only including,
The drive waveform includes a first pull drive waveform element that drives to draw a meniscus surface of the resist composition in the nozzle;
After the first pulling drive waveform element, a push drive waveform element that drives to discharge the resist composition from the nozzle;
A second pull drive waveform for driving the meniscus surface again after the push drive waveform element to drive the liquid column formed by the resist composition discharged from the nozzle;
Comprising
A method of manufacturing a pattern forming body, characterized in that a distance T2 between a rear end of the push drive waveform element and a front end of the second pull drive waveform element is shortened as the polymer content increases .
基板上に配置されたレジスト組成物によって形成されたレジスト層に、凹凸形状で形成されたパターン面を有する鋳型を、該パターン面を前記レジスト層側に向けて押し当て、前記レジスト組成物に対して硬化処理し、前記鋳型のパターン面と前記基板上に形成されたレジスト層との界面を剥離する鋳型のパターンに対応したパターンを形成するインプリント方法で用いるパターン形成体の製造方法であって、
前記レジスト組成物のポリマー含有量を記憶する工程と、
前記レジスト組成物をノズルから吐出する工程と、
前記ノズルから吐出する前記レジスト組成物の吐出速度を計測する工程と、
前記ポリマー含有量に応じて前記吐出速度を変更するとともに、前記ポリマー含有量に応じて前記基板上に着弾する前記レジスト組成物の着弾間隔を変更する工程と、
を含み、
さらに、前記ノズルから吐出された前記レジスト組成物が前記基板に着弾するまでの飛翔距離を調整する飛翔距離調整工程を備え、前記ポリマー含有量が多くなるほど、前記飛翔距離を短くするようにしたことを特徴とするパターン形成体の製造方法。
A resist layer formed by a resist composition disposed on a substrate is pressed against a resist layer, and a mold having a pattern surface formed in a concavo-convex shape is pressed against the resist layer side. A pattern forming body used in an imprinting method for forming a pattern corresponding to a pattern of a mold that peels off an interface between a pattern surface of the mold and a resist layer formed on the substrate. ,
Storing the polymer content of the resist composition;
Discharging the resist composition from a nozzle;
Measuring the discharge speed of the resist composition discharged from the nozzle;
Changing the ejection speed according to the polymer content, and changing the landing interval of the resist composition landing on the substrate according to the polymer content;
Only including,
Furthermore, a flight distance adjustment step for adjusting a flight distance until the resist composition discharged from the nozzle lands on the substrate is provided, and the flight distance is shortened as the polymer content increases. A process for producing a pattern forming body characterized by the above.
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