JP5333725B2 - Method for producing and using trichlorosilane - Google Patents

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Description

本発明は、テトラクロロシランと水素を反応させてトリクロロシランに転換するトリクロロシランの製造方法において、トリクロロシランの回収効果に優れたトリクロロシランの製造方法に関する。   The present invention relates to a method for producing trichlorosilane, which is excellent in the effect of recovering trichlorosilane, in a method for producing trichlorosilane in which tetrachlorosilane and hydrogen are reacted to convert to trichlorosilane.

高純度多結晶シリコンは、例えばトリクロロシラン(SiHCl3:TCSと云う)、テトラクロロシラン(SiCl4:STCと云う)、および水素を原料とし、次式[1]に示されるトリクロロシランの水素還元反応、次式[2]に示されるトリクロロシランの熱分解反応によって製造することができる。 High-purity polycrystalline silicon is obtained by using, for example, trichlorosilane (referred to as SiHCl 3 : TCS), tetrachlorosilane (referred to as SiCl 4 : STC), and hydrogen as raw materials, and a hydrogen reduction reaction of trichlorosilane represented by the following formula [1]. It can be produced by a thermal decomposition reaction of trichlorosilane represented by the following formula [2].

SiHCl3+H2 → Si+3HCl ・・・[1]
4SiHCl3 → Si+3SiCl4+2H2 ・・・[2]
SiHCl 3 + H 2 → Si + 3HCl (1)
4SiHCl 3 → Si + 3SiCl 4 + 2H 2 ... [2]

上記製造方法の原料となるトリクロロシランは、金属シリコンに塩化水素を反応させて粗トリクロロシランを製造し、これを蒸留精製して得られる。また、多結晶シリコンの生成反応の排ガスから蒸留分離して回収したテトラクロロシランを原料とし、次式[3]に示す水素付加の転換反応によってトリクロロシランを生成させることができる。   Trichlorosilane, which is a raw material for the above production method, is obtained by reacting metal silicon with hydrogen chloride to produce crude trichlorosilane, which is purified by distillation. Further, trichlorosilane can be produced by a hydrogenation conversion reaction represented by the following formula [3] using tetrachlorosilane recovered by distillation separation from the exhaust gas of the production reaction of polycrystalline silicon as a raw material.

SiCl4+H2 → SiHCl3+HCl ・・・[3] SiCl 4 + H 2 → SiHCl 3 + HCl (3)

このトリクロロシランを製造する装置として、例えば特許文献1に記載されている転換反応装置(転化炉)が知られている。この転換反応装置は、発熱体に囲まれた反応室が同心配置の2つの管によって形成された外室と内室の二重室を有し、この反応室の下部に熱交換器が設けられており、該熱交換器を介して反応室に水素とテトラクロロシランとを供給する原料ガス供給管路と、反応室から反応生成ガスを排出する排出管路とが接続しており、上記熱交換器において、反応室に供給される供給ガスが、反応室から排出される反応生成ガスから熱を伝達されて予熱されると共に、排出される反応生成ガスの冷却が行われるようになっている。   As an apparatus for producing this trichlorosilane, for example, a conversion reaction apparatus (conversion furnace) described in Patent Document 1 is known. This conversion reaction apparatus has a double chamber consisting of an outer chamber and an inner chamber in which a reaction chamber surrounded by a heating element is formed by two concentric tubes, and a heat exchanger is provided at the bottom of the reaction chamber. A raw material gas supply line for supplying hydrogen and tetrachlorosilane to the reaction chamber via the heat exchanger, and a discharge line for discharging the reaction product gas from the reaction chamber, and the heat exchange In the vessel, the supply gas supplied to the reaction chamber is preheated by transferring heat from the reaction product gas discharged from the reaction chamber, and the discharged reaction product gas is cooled.

また、例えば特許文献2には、テトラクロロシランと水素を反応室に導入して600℃〜1200℃の温度で転換反応させることによってトリクロロシランと塩化水素とを含む反応生成ガスを得るとともに、反応室から導出された上記反応生成ガスを、例えば1秒以内に300℃以下にまで達するような冷却速度で急冷する冷却手段を備えたものが提案されている。
特許第3781439号公報 特公昭57−38524公報
For example, Patent Document 2 discloses that a reaction product gas containing trichlorosilane and hydrogen chloride is obtained by introducing tetrachlorosilane and hydrogen into a reaction chamber and performing a conversion reaction at a temperature of 600 ° C. to 1200 ° C. There has been proposed one provided with a cooling means for rapidly cooling the reaction product gas derived from the above at a cooling rate so as to reach, for example, 300 ° C. or less within 1 second.
Japanese Patent No. 3781439 Japanese Patent Publication No.57-38524

ところで、特許文献1に記載のトリクロロシランの製造装置では、反応室下部の熱交換器において、供給された原料ガスと熱交換することによって反応生成ガスの冷却が行われるが、反応生成ガスを冷却する過程で、トリクロロシランが塩化水素と反応して四塩化珪素(STC)と水素に分解する上記反応式[3]の逆反応が生じる。ここで、従来のような熱交換器による冷却では、冷却速度が遅いため上記逆反応の発生を十分に抑えることはできず、トリクロロシランへの転換率が低下すると云う不都合があった。   By the way, in the apparatus for producing trichlorosilane described in Patent Document 1, the reaction product gas is cooled by exchanging heat with the supplied raw material gas in the heat exchanger at the lower part of the reaction chamber. In the process, trichlorosilane reacts with hydrogen chloride, and the reverse reaction of the above reaction formula [3] occurs in which silicon tetrachloride (STC) and hydrogen are decomposed. Here, the conventional cooling by the heat exchanger has a disadvantage that the rate of conversion to trichlorosilane is reduced because the reverse reaction cannot be sufficiently suppressed due to the slow cooling rate.

また、特許文献2に記載されているように、上記逆反応がほとんど生じなくなる300℃以下の温度範囲まで1秒以下の極端に短い時間で急冷することによって上記反応式[3]の逆反応を抑制することが可能である。しかし、このような極端に短い時間で急冷した場合には、冷却過程において、例えば、次式[4]に示すように、反応ガス中に含まれるSiCl2(ジクロロシリレン)がSiCl4と反応してポリマーが副生することが知られている。このSiCl2は、転換反応において高温下で多く生成し、特に1200℃を超える温度下で顕著であり、転換炉から抜き出した反応ガスに含まれている。 Further, as described in Patent Document 2, the reverse reaction of the above reaction formula [3] is performed by quenching in an extremely short time of 1 second or less to a temperature range of 300 ° C. or less where the reverse reaction hardly occurs. It is possible to suppress. However, when quenching in such an extremely short time, in the cooling process, for example, as shown in the following formula [4], SiCl 2 (dichlorosilylene) contained in the reaction gas reacts with SiCl 4. It is known that polymers are by-produced. A large amount of this SiCl 2 is produced at high temperatures in the conversion reaction, and is particularly prominent at temperatures exceeding 1200 ° C., and is contained in the reaction gas extracted from the conversion furnace.

SiCl2+SiCl4 → Si2Cl6 ・・・[4] SiCl 2 + SiCl 4 → Si 2 Cl 6 ... [4]

なお、ポリマーとは、Si2Cl6(クロロジシラン)、Si3Cl8(クロロトリシラン)、Si22Cl4などのように、シリコン2原子以上を含む高次クロロシラン類の総称である。 The polymer is a general term for higher-order chlorosilanes containing two or more silicon atoms such as Si 2 Cl 6 (chlorodisilane), Si 3 Cl 8 (chlorotrisilane), Si 2 H 2 Cl 4 and the like. .

このように、極端に短い時間で急冷した場合には、冷却中のトリクロロシランの分解(式[3]の逆反応)が抑制されて、トリクロロシランの減少量が少なくなるが、ポリマーの生成量が増加し、冷却工程後の配管などにポリマーが堆積するなどの不具合が生じる。一方、冷却速度が遅い場合には、ポリマーの生成量が低減するものの、トリクロロシランの分解が進行してトリクロロシランの回収率が低下する。   Thus, when quenching in an extremely short time, decomposition of trichlorosilane during cooling (reverse reaction of formula [3]) is suppressed, and the decrease in trichlorosilane decreases, but the amount of polymer produced Increases, causing problems such as polymer deposition on the piping after the cooling process. On the other hand, when the cooling rate is slow, the amount of polymer produced decreases, but the decomposition of trichlorosilane proceeds and the recovery rate of trichlorosilane decreases.

このように、転換炉から抜き出した反応ガスは、適切な冷却速度にコントロールする必要がある。しかしながら、転換炉から抜き出した反応ガスは1000℃以上の高温度であり、これを急冷する場合、トリクロロシランが分解しやすい600℃以上の高温度域での冷却速度を適切にコントロールすることは難しい。このため、従来はトリクロロシランの回収率を高めることを優先して、過剰な冷却速度で冷却していた。   Thus, it is necessary to control the reaction gas extracted from the conversion furnace to an appropriate cooling rate. However, the reaction gas extracted from the conversion furnace has a high temperature of 1000 ° C. or higher, and when it is rapidly cooled, it is difficult to appropriately control the cooling rate in a high temperature region of 600 ° C. or higher where trichlorosilane is easily decomposed. . For this reason, conventionally, priority was given to increasing the recovery rate of trichlorosilane, and cooling was performed at an excessive cooling rate.

そのため、トリクロロシランの回収率は高いが、ポリマーの発生を抑制することができず、配管に付着したポリマー除去作業の負担が大きいと云う問題がある。とくに装置の大型化に伴い冷却速度には分布が生じるため、ガス全体の冷却速度を適切にコントロールすることが困難になり、局部的に冷却速度が極端に大きくなる場合がある。このためポリマーの発生を十分抑えることが難しくなる。   Therefore, although the recovery rate of trichlorosilane is high, there is a problem that the generation of the polymer cannot be suppressed and the burden of removing the polymer adhering to the piping is large. Particularly, since the cooling rate is distributed as the apparatus becomes larger, it is difficult to appropriately control the cooling rate of the entire gas, and the cooling rate may be extremely increased locally. For this reason, it becomes difficult to sufficiently suppress the generation of the polymer.

本発明は、従来の上記課題を解決したものであり、転換反応によって生成したガスを冷却する工程において、トリクロロシランの分解とポリマーの生成を効果的に抑制し、ポリマー除去作業の負担が少なく、しかもトリクロロシランの回収率が高いトリクロロシランの製造方法を提供する。   The present invention has solved the above-mentioned conventional problems, and in the process of cooling the gas generated by the conversion reaction, effectively suppresses the decomposition of trichlorosilane and the production of the polymer, and the burden of the polymer removal work is small. In addition, a method for producing trichlorosilane having a high recovery rate of trichlorosilane is provided.

本発明は、以下の構成を有することによって上記課題を解決したトリクロロシランの製造方法に関する。
〔1〕原料のテトラクロロシランと水素とを1000〜1900℃の温度で転換反応させてトリクロロシラン、ジクロロシリレン、塩化水素、および高次シラン化合物を含む反応ガスを生成させ、この反応ガスを冷却してトリクロロシランを回収する方法において、(イ)転換炉から抜き出した反応ガスを0.01秒以内に600℃未満に冷却する第1冷却工程と、(ロ)第1冷却工程後の反応ガスを500℃以上〜950℃以下の温度範囲に0.01秒以上〜5秒以下の時間保持する中間反応工程と、(ハ)中間反応工程後の反応ガスを500℃未満に冷却する第2冷却工程を有することを特徴とするトリクロロシランの製造方法。
〔2〕第1冷却工程において、反応ガスの到達冷却温度が100℃以上〜500℃以下である上記[1]に記載するトリクロロシランの製造方法。
〔3〕中間反応工程において、反応ガスを550℃以上〜800℃以下に保持する上記[1]または上記[2]に記載するトリクロロシランの製造方法。
〔4〕第1冷却工程で反応ガスを到達冷却温度500℃未満に冷却し、冷却した反応ガスを中間反応工程で550℃以上〜800℃以下の温度に保持する上記[1]〜上記[3]の何れかに記載するトリクロロシランの製造方法。
〔5〕上記[1]〜上記[4]の何れかに記載する方法によって回収したトリクロロシランを多結晶シリコンの製造原料の一部に用いるトリクロロシランの利用方法。
This invention relates to the manufacturing method of the trichlorosilane which solved the said subject by having the following structures.
[1] A raw material tetrachlorosilane and hydrogen are converted at a temperature of 1000 to 1900 ° C. to produce a reaction gas containing trichlorosilane, dichlorosilylene, hydrogen chloride, and a higher silane compound, and the reaction gas is cooled. In the method for recovering trichlorosilane, (a) a first cooling step for cooling the reaction gas extracted from the conversion furnace to less than 600 ° C. within 0.01 seconds, and (b) a reaction gas after the first cooling step. An intermediate reaction step of maintaining the temperature in the temperature range of 500 ° C. to 950 ° C. for a time of 0.01 seconds to 5 seconds; A process for producing trichlorosilane, comprising:
[2] The method for producing trichlorosilane according to the above [1], wherein the ultimate cooling temperature of the reaction gas is 100 ° C. or higher and 500 ° C. or lower in the first cooling step.
[3] The method for producing trichlorosilane as described in [1] or [2] above, wherein the reaction gas is maintained at 550 ° C. or higher and 800 ° C. or lower in the intermediate reaction step.
[4] The reaction gas is cooled to an ultimate cooling temperature of less than 500 ° C. in the first cooling step, and the cooled reaction gas is maintained at a temperature of 550 ° C. to 800 ° C. in the intermediate reaction step. ] The manufacturing method of the trichlorosilane described in any one of.
[5] A method for using trichlorosilane, wherein the trichlorosilane recovered by the method described in any one of [1] to [4] above is used as part of a raw material for producing polycrystalline silicon.

本発明の製造方法は、原料のテトラクロロシランと水素とを1000〜1900℃の温度で転換反応させてトリクロロシラン、ジクロロシリレン、塩化水素、および高次シラン化合物を含む反応ガスを生成させた後に、転換炉から抜き出した反応ガスを0.01秒以内の短時間に600℃未満で、好ましくは到達冷却温度が100℃以上〜500℃未満となるように冷却する(第1冷却工程)ので、反応ガスに含まれているトリクロロシランの分解(上記式[3]の逆反応)を効果的に抑制することができる。   In the production method of the present invention, a raw material tetrachlorosilane and hydrogen are converted at a temperature of 1000 to 1900 ° C. to generate a reaction gas containing trichlorosilane, dichlorosilylene, hydrogen chloride, and a higher order silane compound. The reaction gas extracted from the converter is cooled to less than 600 ° C. in a short time within 0.01 seconds, preferably so that the ultimate cooling temperature is 100 ° C. or more to less than 500 ° C. (first cooling step). Decomposition of trichlorosilane contained in the gas (reverse reaction of the above formula [3]) can be effectively suppressed.

上記第1冷却工程では、反応ガスの急冷によってポリマーが生成するが、急冷した反応ガスを、中間反応工程において、500℃以上〜950℃以下、好ましくは、550℃以上〜800℃以下に温度範囲に、0.01秒以上〜5秒間以下の時間、保持するので、反応ガスに含まれるポリマーが十分に分解する。一方、中間反応工程において保持温度の上限を950℃以下、好ましくは800℃以下に制限しているので、保持温度は第1冷却工程の冷却開始温度(概ね1000℃以上)よりも十分に低く、従って、反応ガス中のトリクロロシランの分解も少ない。   In the first cooling step, a polymer is generated by quenching of the reaction gas, but the quenched reaction gas is in the temperature range of 500 ° C. to 950 ° C., preferably 550 ° C. to 800 ° C. in the intermediate reaction step. In addition, since the time is maintained for 0.01 seconds to 5 seconds, the polymer contained in the reaction gas is sufficiently decomposed. On the other hand, since the upper limit of the holding temperature in the intermediate reaction step is limited to 950 ° C. or lower, preferably 800 ° C. or lower, the holding temperature is sufficiently lower than the cooling start temperature (approximately 1000 ° C. or higher) in the first cooling step, Therefore, there is little decomposition of trichlorosilane in the reaction gas.

中間反応工程によってポリマーを分解した反応ガスを、第2冷却工程において最終的に500℃未満に冷却してトリクロロシランを回収する。   The reaction gas obtained by decomposing the polymer in the intermediate reaction step is finally cooled to less than 500 ° C. in the second cooling step to recover trichlorosilane.

本発明の製造方法では、第1冷却工程および中間反応工程を通じて反応ガスに含まれるトリクロロシランの分解とポリマーの生成が抑制されているので、高い回収率でトリクロロシランを回収することができる。また、第2冷却後の反応ガスは実質的にポリマーを含まないので、配管付着などのトラブルを軽減することができ、装置の健全性を維持することができる。   In the production method of the present invention, since the decomposition of the trichlorosilane and the production of the polymer contained in the reaction gas are suppressed through the first cooling step and the intermediate reaction step, the trichlorosilane can be recovered with a high recovery rate. In addition, since the reaction gas after the second cooling does not substantially contain a polymer, troubles such as pipe adhesion can be reduced, and the soundness of the apparatus can be maintained.

以下、本発明に係るトリクロロシランの製造方法について、実施形態に基づいて具体的に説明する。   Hereinafter, the manufacturing method of the trichlorosilane which concerns on this invention is demonstrated concretely based on embodiment.

本発明のトリクロロシランの製造方法は、原料のテトラクロロシランと水素とを1000〜1900℃の温度で転換反応させてトリクロロシラン、ジクロロシリレン、塩化水素、および高次シラン化合物を含む反応ガスを生成させ、この反応ガスを冷却してトリクロロシランを回収する方法において、(イ)転換炉から抜き出した反応ガスを0.01秒以内に600℃未満に冷却する第1冷却工程と、(ロ)第1冷却工程後の反応ガスを500℃以上〜950℃以下の温度範囲に0.01秒以上〜5秒以下の時間保持する中間反応工程と、(ハ)中間反応工程後の反応ガスを500℃未満に冷却する第2冷却工程を有することを特徴とするトリクロロシランの製造方法である。   In the method for producing trichlorosilane of the present invention, a raw material tetrachlorosilane and hydrogen are converted and reacted at a temperature of 1000 to 1900 ° C. to generate a reaction gas containing trichlorosilane, dichlorosilylene, hydrogen chloride, and a higher order silane compound. In the method of recovering trichlorosilane by cooling the reaction gas, (a) a first cooling step of cooling the reaction gas extracted from the conversion furnace to less than 600 ° C. within 0.01 seconds; An intermediate reaction step in which the reaction gas after the cooling step is maintained in a temperature range of 500 ° C. to 950 ° C. for a period of 0.01 seconds to 5 seconds; and (c) the reaction gas after the intermediate reaction step is less than 500 ° C. A method for producing trichlorosilane, comprising a second cooling step of cooling to a low temperature.

〔多結晶シリコン製造工程〕
多結晶シリコンの製造プロセスと転換反応プロセスを図1に示す。図1に示す製造プロセスにおいて、原料のトリクロロシラン(TCS)、水素、テトラクロロシラン(四塩化珪素:STC)が反応炉10に導入される。反応炉10の内部にはシリコン棒が設置されており、赤熱したシリコン棒(約800℃〜1200℃)の表面に接触した上記原料ガスが上記反応[1][2]に従って反応し、生成したシリコンがシリコン棒の表面に析出し、次第に径の太い多結晶シリコン棒に成長する。
[Polycrystalline silicon manufacturing process]
The manufacturing process and conversion reaction process of polycrystalline silicon are shown in FIG. In the manufacturing process shown in FIG. 1, raw material trichlorosilane (TCS), hydrogen, and tetrachlorosilane (silicon tetrachloride: STC) are introduced into the reactor 10. A silicon rod is installed inside the reaction furnace 10, and the source gas in contact with the surface of a red hot silicon rod (about 800 ° C. to 1200 ° C.) reacts and is generated according to the reaction [1] [2]. Silicon precipitates on the surface of the silicon rod and gradually grows into a polycrystalline silicon rod having a large diameter.

〔排ガス処理工程〕
上記反応炉10から排出されるガスには、未反応のトリクロロシラン(TCS)および水素と共に、副生した塩化水素(HCl)、および四塩化珪素(STC)、ジクロロシラン、ヘキサクロロジシランなどのクロロシラン類が含まれる。これらのクロロシラン類を含む排ガスは冷却器11に導かれ、−60℃付近(例えば−65℃〜−55℃)に冷却して凝縮液化される。ここで液化せずにガス状のまま残る水素は分離され、精製工程を経て原料ガスの一部として再び反応炉10に供給され再利用される。
[Exhaust gas treatment process]
The gas discharged from the reactor 10 includes unreacted trichlorosilane (TCS) and hydrogen, as well as by-produced hydrogen chloride (HCl), and chlorosilanes such as silicon tetrachloride (STC), dichlorosilane, and hexachlorodisilane. Is included. The exhaust gas containing these chlorosilanes is led to the cooler 11 and cooled to around −60 ° C. (for example, −65 ° C. to −55 ° C.) to be condensed and liquefied. Here, the hydrogen remaining in a gaseous state without being liquefied is separated, supplied to the reactor 10 again as a part of the raw material gas through a purification process, and reused.

冷却器11で液化されたクロロシラン類を含む凝縮液は蒸留工程12に導入され、トリクロロシラン(TCS)が蒸留分離され、回収したTCSは多結晶シリコンの製造プロセスに戻して再利用される。   The condensate containing chlorosilanes liquefied by the cooler 11 is introduced into the distillation step 12, trichlorosilane (TCS) is distilled and separated, and the recovered TCS is returned to the polycrystalline silicon manufacturing process and reused.

次いで、四塩化珪素(STC)が蒸留分離される。この四塩化珪素は水素と共に転換炉13に導入され、1000〜1900℃の温度下で、上記式[3]に示す転換反応によってトリクロロシラン(TCS)が生成される。このTCSを含む反応ガスは冷却工程14を経て凝縮工程15に導入され、TCSが回収される。回収したTCSは多結晶シリコンの製造プロセスに戻され、多結晶シリコンの製造原料として再利用される。   Next, silicon tetrachloride (STC) is distilled off. This silicon tetrachloride is introduced into the conversion furnace 13 together with hydrogen, and trichlorosilane (TCS) is produced by the conversion reaction represented by the above formula [3] at a temperature of 1000 to 1900 ° C. The reaction gas containing TCS is introduced into the condensation step 15 through the cooling step 14, and TCS is recovered. The recovered TCS is returned to the polycrystalline silicon manufacturing process and reused as a raw material for manufacturing polycrystalline silicon.

〔転換反応工程〕
原料のテトラクロロシランと水素を含む供給ガスは転換炉13に導入される。供給される原料のテトラクロロシランにはジシラン類を含んでも良いし、またジシラン類を取り除いても良い。転換炉13は1000℃〜1900℃に加熱され、供給された原料ガスが反応してトリクロロシラン、ジクロロシリレン、塩化水素および高次シラン化合物を含む反応ガスが生成される。
[Conversion reaction process]
A feed gas containing raw material tetrachlorosilane and hydrogen is introduced into the conversion furnace 13. The raw material tetrachlorosilane to be supplied may contain disilanes, or the disilanes may be removed. The conversion furnace 13 is heated to 1000 ° C. to 1900 ° C., and the supplied raw material gas reacts to generate a reaction gas containing trichlorosilane, dichlorosilylene, hydrogen chloride, and a higher silane compound.

転換炉13の加熱温度が1000℃未満であると、転換率や転換速度が小さくなると共に装置が大型になる不都合がある。また、転換炉13の加熱温度が1900℃を超えると転換率は向上せず、生産設備として不経済である。   When the heating temperature of the conversion furnace 13 is less than 1000 ° C., there are disadvantages that the conversion rate and the conversion speed are reduced and the apparatus is large. Moreover, when the heating temperature of the conversion furnace 13 exceeds 1900 degreeC, a conversion rate will not improve and it is uneconomical as production equipment.

転換反応において、反応温度に対する反応生成ガスの組成の一例(平衡値)を図2に示す。図示するように、転換反応によって生成するガスには、目的物であるトリクロロシランと共に、未反応のH2、SiCl4、およびHCl、SiCl2、ポリマーなどの副生物が含まれている。 FIG. 2 shows an example (equilibrium value) of the composition of the reaction product gas with respect to the reaction temperature in the conversion reaction. As shown in the figure, the gas generated by the conversion reaction contains unreacted H 2 , SiCl 4 , and by-products such as HCl, SiCl 2 , and a polymer together with the target trichlorosilane.

図2のグラフに示すように、転換反応におけるSiCl4の転換量(SiCl4の減少変化量)は温度とともに増加するため、転換反応の反応温度は高い方が好ましく、SiHCl3への転換が最大値付近となり、さらにSiCl2への転換も顕著となる1100℃以上とすることがより好ましい。一方、転換反応の反応温度が高い程、その後に続く第1冷却工程でのトリクロロシランの分解(上記反応式[3]の逆反応)の反応速度も大きくなる。このため、第1冷却工程でのトリクロロシランの分解抑制効果が小さくなり、転換反応工程で高いSiCl4の転換量を得たとしても、第1、第2冷却工程を経て最終的に得られるSiCl4の転換量はそれ程大きくはならない。従って、第1冷却工程での急冷効果を十分に発揮させて冷却後の高いSiCl4転換量を得るためには、最初の転換工程の反応温度は1300℃以下が好ましい。以上のことから、転換反応工程の反応温度は1100〜1300℃が好ましい。 As shown in the graph of FIG. 2, since the conversion amount of SiCl 4 in the conversion reaction (decreasing change amount of SiCl 4 ) increases with temperature, the reaction temperature of the conversion reaction is preferably higher, and the conversion to SiHCl 3 is maximum. It is more preferable to set the temperature to about 1100 ° C. or higher where the value is close to the value and the conversion to SiCl 2 becomes remarkable. On the other hand, the higher the reaction temperature of the conversion reaction, the higher the reaction rate of the decomposition of trichlorosilane (the reverse reaction of the above reaction formula [3]) in the subsequent first cooling step. For this reason, the effect of suppressing decomposition of trichlorosilane in the first cooling step is reduced, and even if a high conversion amount of SiCl 4 is obtained in the conversion reaction step, SiCl finally obtained through the first and second cooling steps. The conversion amount of 4 is not so large. Therefore, in order to sufficiently exhibit the rapid cooling effect in the first cooling step and obtain a high SiCl 4 conversion amount after cooling, the reaction temperature in the first conversion step is preferably 1300 ° C. or lower. From the above, the reaction temperature in the conversion reaction step is preferably 1100 to 1300 ° C.

〔冷却工程〕
冷却工程14の一例を図3に示し、反応ガスの冷却温度の変化を図4に示す。図示するように、転換炉13から抜き出された反応ガスは第1冷却工程の第1冷却器21に導入され、0.01秒以内に600℃未満に冷却される。第1冷却工程後の反応ガスは中間反応工程の中間冷却器22に導入され、500℃以上〜950℃以下の温度範囲に0.01秒以上〜5秒間以下の時間保持される。次いで、中間反応工程後の反応ガスは第2冷却工程の第2冷却器23に導入され、500℃未満に冷却された後にトリクロロシランの蒸留分離工程15に送られる。
[Cooling process]
An example of the cooling step 14 is shown in FIG. 3, and the change in the cooling temperature of the reaction gas is shown in FIG. As shown in the figure, the reaction gas extracted from the conversion furnace 13 is introduced into the first cooler 21 in the first cooling step, and is cooled to below 600 ° C. within 0.01 seconds. The reaction gas after the first cooling step is introduced into the intermediate cooler 22 of the intermediate reaction step, and is held in a temperature range of 500 ° C. to 950 ° C. for a period of 0.01 seconds to 5 seconds. Next, the reaction gas after the intermediate reaction step is introduced into the second cooler 23 of the second cooling step, and after being cooled to below 500 ° C., is sent to the distillation separation step 15 of trichlorosilane.

〔第1冷却〕
第1冷却工程ではトリクロロシランの分解(上記反応式[3]の逆反応)を十分に抑制する冷却速度で冷却する。具体的には、0.01秒以内に600℃未満に冷却する。その際好ましくは、到達冷却温度が100℃以上〜500℃以下となるように冷却する。この条件下で冷却すれば、量産規模においても反応ガスに含まれているトリクロロシランの分解(上記式[3]の逆反応)を十分に抑制することができる。第1冷却工程における反応ガス中のポリマーの生成量は概ね0.5〜3%程度である。
[First cooling]
In the first cooling step, cooling is performed at a cooling rate that sufficiently suppresses decomposition of trichlorosilane (reverse reaction of the above reaction formula [3]). Specifically, it is cooled to less than 600 ° C. within 0.01 seconds. At that time, the cooling is preferably performed so that the ultimate cooling temperature is 100 ° C. or more and 500 ° C. or less. If it cools on these conditions, decomposition | disassembly (reverse reaction of said formula [3]) of the trichlorosilane contained in reaction gas can be fully suppressed also in a mass-production scale. The amount of polymer produced in the reaction gas in the first cooling step is approximately 0.5 to 3%.

第1冷却工程の到達冷却温度は100℃以上が好ましい。100℃未満まで冷却すると、反応ガス中のクロロシラン類が装置内に凝縮したり、析出することがあるので好ましくない。冷却到達温度が100℃以上であれば、この凝縮や析出が生じ難く、反応ガスを気体のままハンドリングできる。なお、第1冷却工程において反応ガスの一部が凝縮した場合には、これを中間反応工程に導入する際には予熱してガス化した後に供給することが好ましい。   The ultimate cooling temperature in the first cooling step is preferably 100 ° C. or higher. Cooling to below 100 ° C. is not preferable because chlorosilanes in the reaction gas may be condensed or precipitated in the apparatus. If the temperature reached by cooling is 100 ° C. or higher, this condensation or precipitation is unlikely to occur, and the reaction gas can be handled as a gas. In addition, when a part of reaction gas condenses in a 1st cooling process, when introduce | transducing this to an intermediate reaction process, it is preferable to supply, after preheating and gasifying.

第1冷却工程において、600℃未満に冷却するのに要する時間が0.01秒より長いと、反応ガスに含まれるトリクロロシランの分解が進むので好ましくない。   If the time required for cooling to below 600 ° C. in the first cooling step is longer than 0.01 seconds, decomposition of trichlorosilane contained in the reaction gas proceeds, which is not preferable.

〔中間反応〕
第1冷却後の反応ガスを中間反応工程の中間冷却器22に導入し、500℃以上〜950℃以下、好ましくは、550℃以上〜800℃以下の温度範囲に0.01秒以上〜5秒以下の時間保持する。第1冷却後の反応ガスを上記温度範囲に保持することによって、トリクロロシランの分解を抑制しつつ、第1冷却において生成したポリマーを分解することができる。
[Intermediate reaction]
The reaction gas after the first cooling is introduced into the intermediate cooler 22 of the intermediate reaction step, and the temperature ranges from 500 ° C. to 950 ° C., preferably from 550 ° C. to 800 ° C., from 0.01 seconds to 5 seconds. Hold for the following time. By maintaining the reaction gas after the first cooling in the above temperature range, the polymer generated in the first cooling can be decomposed while suppressing the decomposition of trichlorosilane.

図4に示すように、例えば、第1冷却において反応ガスを冷却下限温度(到達冷却温度)100℃〜500℃に冷却した後(図4では到達冷却温度300℃)、中間反応工程において、冷却温度をやや高めて550℃以上〜800℃以下の温度範囲(図4では550℃)に保持することによって、第1冷却工程において生成したポリマーの分解反応を進めることができる。また、この温度範囲ではトリクロロシランの分解が抑制されるので、トリクロロシランの含有量が実質的に減少しない。   As shown in FIG. 4, for example, after the reaction gas is cooled to a cooling lower limit temperature (an ultimate cooling temperature) of 100 ° C. to 500 ° C. in the first cooling (an ultimate cooling temperature of 300 ° C. in FIG. 4), the cooling is performed in the intermediate reaction step. By slightly raising the temperature and maintaining it in a temperature range of 550 ° C. or higher and 800 ° C. or lower (550 ° C. in FIG. 4), the decomposition reaction of the polymer generated in the first cooling step can be advanced. Moreover, since decomposition | disassembly of a trichlorosilane is suppressed in this temperature range, content of a trichlorosilane does not reduce substantially.

さらに、第1冷却工程は1000℃以上の転換反応温度からの短時間の急冷工程であるのに対して、中間反応工程は第1冷却工程の厳しい冷却速度とは異なるので、冷却温度のコントロールが容易である。   Furthermore, while the first cooling step is a rapid quenching step from a conversion reaction temperature of 1000 ° C. or higher, the intermediate reaction step is different from the strict cooling rate of the first cooling step, so the cooling temperature can be controlled. Easy.

中間反応工程の保持温度が500℃未満では、ポリマーの分解反応が非常に遅く、生成したポリマーを減少させることができない。一方、この温度が950℃を超えると、トリクロロシランの分解反応速度が大きくなり、反応ガス中のトリクロロシラン含有量が減少し、またポリマーを生成させるジクロロシリレン(SiCl2)の量が増加するため、第2冷却時にポリマーを再び発生させることになるため好ましくない。さらに、中間反応温度が950℃を上回ると、この温度に加熱するための熱量が大きくなり不経済である。 When the holding temperature in the intermediate reaction step is less than 500 ° C., the polymer decomposition reaction is very slow, and the produced polymer cannot be reduced. On the other hand, when this temperature exceeds 950 ° C., the decomposition reaction rate of trichlorosilane increases, the content of trichlorosilane in the reaction gas decreases, and the amount of dichlorosilylene (SiCl 2 ) that forms the polymer increases. This is not preferable because the polymer is generated again during the second cooling. Furthermore, if the intermediate reaction temperature exceeds 950 ° C., the amount of heat for heating to this temperature increases, which is uneconomical.

中間反応工程において、反応ガスを上記温度範囲に保持する時間は0.01秒以上〜5秒以下である。この保持時間が0.01秒未満ではポリマーの分解が十分に行われず、一方、保持時間が5秒を越えてもポリマーの分解量は変化せず、むしろ装置が大型化するため不経済である。   In the intermediate reaction step, the time for maintaining the reaction gas in the above temperature range is 0.01 seconds or more and 5 seconds or less. If the holding time is less than 0.01 seconds, the polymer is not sufficiently decomposed. On the other hand, if the holding time exceeds 5 seconds, the amount of polymer decomposition does not change. .

中間反応工程の好ましい温度範囲は550℃以上〜800℃以下である。この温度範囲ではポリマーの分解反応が約0.02秒〜約3秒で進行するため、中間反応工程の設備が比較的小型化できるとともに温度や反応時間のコントロールも容易になる。   A preferred temperature range for the intermediate reaction step is from 550 ° C to 800 ° C. In this temperature range, the polymer decomposition reaction proceeds in about 0.02 seconds to about 3 seconds, so that the equipment for the intermediate reaction process can be made relatively small and the temperature and reaction time can be easily controlled.

中間反応工程において、第1冷却後の反応ガスを上記温度範囲に上記時間保持することによって、第1冷却工程において生成したポリマーは反応ガス中の塩化水素と反応してトリクロロシランやテトラクロロシランに分解するので、ポリマー量を低減することができる。   In the intermediate reaction step, by maintaining the reaction gas after the first cooling in the above temperature range for the above time, the polymer produced in the first cooling step reacts with hydrogen chloride in the reaction gas and decomposes into trichlorosilane or tetrachlorosilane. As a result, the amount of polymer can be reduced.

〔第2冷却〕
中間反応工程後の反応ガスは第2冷却工程の第2冷却器23に導入され、500℃未満に再び冷却された後にトリクロロシランの蒸留分離工程15に送られる。
[Second cooling]
The reaction gas after the intermediate reaction step is introduced into the second cooler 23 of the second cooling step, cooled again to below 500 ° C., and then sent to the distillation separation step 15 for trichlorosilane.

〔ガスの導入〕
第1冷却工程において、第1冷却器21にテトラクロロシラン(SiCl4)および水素の少なくとも一方を導入するとよい。第1冷却工程で反応ガス中のSiCl4濃度およびH2濃度を高めることによって、冷却初期にトリクロロシランの生成を促し、トリクロロシランの分解を抑制することができる。
[Introduction of gas]
In the first cooling step, at least one of tetrachlorosilane (SiCl 4 ) and hydrogen may be introduced into the first cooler 21. By increasing the SiCl 4 concentration and the H 2 concentration in the reaction gas in the first cooling step, it is possible to promote the generation of trichlorosilane in the early stage of cooling and suppress the decomposition of trichlorosilane.

第1冷却工程に導入するSiCl4およびH2の導入量は、転換工程において供給するSiCl4のモル量を1とした場合、いずれも0.01〜10モル比の範囲が好ましい。この導入量が0.01未満では、導入によるトリクロロシランの増加量が小さく、10を超えて供給してもトリクロロシランの増加量に大きな変化はなく不経済である。 The amount of SiCl 4 and H 2 introduced into the first cooling step is preferably in the range of 0.01 to 10 molar ratios when the molar amount of SiCl 4 supplied in the conversion step is 1. If the introduction amount is less than 0.01, the increase amount of trichlorosilane by introduction is small, and even if it is supplied in excess of 10, the increase amount of trichlorosilane is not greatly changed, which is uneconomical.

中間反応工程において、塩化水素を中間冷却器22に導入することによって、ポリマーの分解によるトリクロロシランの生成をさらに促進することができる。導入する塩化水素量は、転換反応において供給するSiCl4のモル量を1とした場合、0.01〜10モル比の範囲が好ましい。この導入量が0.01未満では、導入によるポリマーの分解反応への効果が小さく、10を超えて供給しても分解反応への効果は大きくならず不経済である。 Introducing hydrogen chloride into the intercooler 22 in the intermediate reaction step can further promote the production of trichlorosilane by polymer decomposition. The amount of hydrogen chloride to be introduced is preferably in the range of 0.01 to 10 molar ratio when the molar amount of SiCl 4 supplied in the conversion reaction is 1. If the introduction amount is less than 0.01, the effect on the decomposition reaction of the polymer due to the introduction is small, and even if it is supplied in excess of 10, the effect on the decomposition reaction is not increased, which is uneconomic.

第2冷却工程において、350℃以上の温度域で、反応ガスに塩化水素を混合することによって、塩化水素とポリマーとの反応を促進させ、わずかに残留するポリマーを消失させると共に分解生成物の一つであるトリクロロシランを生成させ、トリクロロシランの回収率を高めることできる。   In the second cooling step, by mixing hydrogen chloride with the reaction gas in a temperature range of 350 ° C. or higher, the reaction between hydrogen chloride and the polymer is promoted, and the remaining polymer is slightly lost and one of the decomposition products is lost. It is possible to generate trichlorosilane, which is one of them, and increase the recovery rate of trichlorosilane.

以下に本発明の実施例を比較例と共に示す。これらの結果を表1に示した。また、実施例2の冷却温度の変化を図4に示した。なお、表1のSiHCl3転換率(mol%-Si)は原料の四塩化珪素(SiCl4)に対するトリクロロシランの生成割合(SiHCl3/SiCl4)であり、ポリマー生成率(mol%-Si)は原料の四塩化珪素(SiCl4)に対する生成したポリマーに含まれるシリコンの割合(ポリマー中Si/SiCl4)である。 Examples of the present invention are shown below together with comparative examples. These results are shown in Table 1. Moreover, the change of the cooling temperature of Example 2 is shown in FIG. The conversion rate of SiHCl 3 (mol% -Si) in Table 1 is the production rate of trichlorosilane to the raw material silicon tetrachloride (SiCl 4 ) (SiHCl 3 / SiCl 4 ), and the polymer production rate (mol% -Si) Is the ratio of silicon contained in the produced polymer to the raw material silicon tetrachloride (SiCl 4 ) (Si / SiCl 4 in the polymer).

〔実施例1〜5〕
水素と四塩化珪素の混合ガス(H2とSiCl4のモル比2.0、H2/SiCl4=2.0)を原料に使用し、転換炉に原料ガスを導入し、1040℃にて反応させた。反応後の生成ガスを第1冷却器に導入して300℃まで冷却した。冷却開始から0.01秒での反応ガス温度および冷却到達温度を表1に示した。この第1冷却後の反応ガスを中間冷却器に導入して、冷却温度をやや上げて表1に示す温度および時間に保持した。中間冷却後の反応ガスを第2冷却器に導入し、再び冷却温度を下げて200℃まで0.3秒以内に冷却した。第2冷却後の反応ガスに含まれるトリクロロシランおよびポリマーの量を表1に示した。
[Examples 1 to 5]
A mixed gas of hydrogen and silicon tetrachloride (molar ratio of H 2 to SiCl 4 of 2.0, H 2 / SiCl 4 = 2.0) was used as a raw material, and the raw material gas was introduced into the conversion furnace and reacted at 1040 ° C. The product gas after the reaction was introduced into the first cooler and cooled to 300 ° C. Table 1 shows the reaction gas temperature and the cooling arrival temperature at 0.01 seconds after the start of cooling. The reaction gas after the first cooling was introduced into the intercooler, and the cooling temperature was slightly raised and maintained at the temperature and time shown in Table 1. The reaction gas after the intermediate cooling was introduced into the second cooler, and the cooling temperature was lowered again to cool to 200 ° C. within 0.3 seconds. The amounts of trichlorosilane and polymer contained in the reaction gas after the second cooling are shown in Table 1.

〔実施例6〜9〕
転換反応温度を1100℃にした以外は実施例1と同様の条件下で転換反応を行い、反応後の生成ガスを第1冷却器に導入して300℃まで冷却した。冷却開始から0.01秒での反応ガス温度および冷却到達温度を表1に示した。この第1冷却後の反応ガスを中間冷却器に導入して、冷却温度をやや上げて表1に示す温度および時間に保持した。中間冷却後の反応ガスを第2冷却器に導入し、実施例1と同様の条件下で冷却した。第2冷却後の反応ガスに含まれるトリクロロシランおよびポリマーの量を表1に示した。
[Examples 6 to 9]
The conversion reaction was carried out under the same conditions as in Example 1 except that the conversion reaction temperature was 1100 ° C., and the product gas after the reaction was introduced into the first cooler and cooled to 300 ° C. Table 1 shows the reaction gas temperature and the cooling arrival temperature at 0.01 seconds after the start of cooling. The reaction gas after the first cooling was introduced into the intercooler, and the cooling temperature was slightly raised and maintained at the temperature and time shown in Table 1. The reaction gas after the intermediate cooling was introduced into the second cooler and cooled under the same conditions as in Example 1. The amounts of trichlorosilane and polymer contained in the reaction gas after the second cooling are shown in Table 1.

〔実施例10〜12〕
転換反応温度を1100℃にした以外は実施例1と同様の条件下で転換反応を行い、反後の生成ガスを第1冷却器に導入して500℃または100℃まで冷却した。冷却開始から0.01秒での反応ガス温度および冷却到達温度を表1に示した。この第1冷却後の反応ガスを中間冷却器に導入して、冷却温度をやや上げて表1に示す温度および時間に保持した。中間冷却後の反応ガスを第2冷却器に導入し、実施例1と同様の条件下で冷却した。第2冷却後の反応ガスに含まれるトリクロロシランおよびポリマーの量を表1に示した。
[Examples 10 to 12]
The conversion reaction was carried out under the same conditions as in Example 1 except that the conversion reaction temperature was set to 1100 ° C., and the resulting product gas was introduced into the first cooler and cooled to 500 ° C. or 100 ° C. Table 1 shows the reaction gas temperature and the cooling arrival temperature at 0.01 seconds after the start of cooling. The reaction gas after the first cooling was introduced into the intercooler, and the cooling temperature was slightly raised and maintained at the temperature and time shown in Table 1. The reaction gas after the intermediate cooling was introduced into the second cooler and cooled under the same conditions as in Example 1. The amounts of trichlorosilane and polymer contained in the reaction gas after the second cooling are shown in Table 1.

〔比較例1〜2〕
中間反応工程を行わない以外は実施例1と同様の条件下で転換反応および第一冷却を行った(比較例1)。中間反応の保持温度および保持時間を表1に示すようにした以外は実施例1と同様の条件下で転換反応および第1冷却を行った(比較例2)。
[Comparative Examples 1-2]
The conversion reaction and the first cooling were performed under the same conditions as in Example 1 except that the intermediate reaction step was not performed (Comparative Example 1). The conversion reaction and the first cooling were performed under the same conditions as in Example 1 except that the holding temperature and holding time of the intermediate reaction were as shown in Table 1 (Comparative Example 2).

〔比較例3〜5〕
中間反応工程を行わない以外は実施例6と同様の条件下で転換反応および第一冷却を行った(比較例3)。中間反応の保持温度および保持時間を表1に示すようにした以外は実施例6と同様の条件下で転換反応および第1冷却を行った(比較例4)。
中間反応工程を行わない以外は実施例11と同様の条件下で転換反応および第一冷却を行った(比較例5)。
[Comparative Examples 3 to 5]
The conversion reaction and the first cooling were performed under the same conditions as in Example 6 except that the intermediate reaction step was not performed (Comparative Example 3). The conversion reaction and the first cooling were performed under the same conditions as in Example 6 except that the holding temperature and holding time of the intermediate reaction were as shown in Table 1 (Comparative Example 4).
The conversion reaction and the first cooling were performed under the same conditions as in Example 11 except that the intermediate reaction step was not performed (Comparative Example 5).

表1に示すように、実施例1〜12は何れも、トリクロロシランの転換率が21%以上であるが、ポリマーの生成率は0.4%以下であり、トリクロロシランを効率よく回収することができ、しかもポリマー量が大幅に少なく、設備に付着するポリマーを除去する負担が格段に軽減される。   As shown in Table 1, in each of Examples 1 to 12, the conversion rate of trichlorosilane is 21% or more, but the polymer production rate is 0.4% or less, and trichlorosilane is efficiently recovered. In addition, the amount of polymer is greatly reduced, and the burden of removing the polymer adhering to the facility is greatly reduced.

一方、比較例1〜5は、トリクロロシランの転換率は実施例1〜12と同程度であるが、ポリマーの生成率は1.4%以上であり、特に中間反応工程を行わないものは(比較例1、3、5)ポリマーの生成率は1.7〜2.8%であり、実施例1〜12に比べてポリマーの生成率が格段に高い。 On the other hand, in Comparative Examples 1 to 5, the conversion rate of trichlorosilane is about the same as in Examples 1 to 12, but the production rate of the polymer is 1.4% or more, and the intermediate reaction step is not particularly performed ( Comparative Examples 1, 3, 5) The production rate of the polymer is 1.7 to 2.8%, and the production rate of the polymer is much higher than that of Examples 1 to 12.

Figure 0005333725
Figure 0005333725

多結晶シリコンの製造から転換反応に至る製造プロセス図。Production process diagram from the production of polycrystalline silicon to the conversion reaction. 転換反応における反応温度を生成ガスの関係を示すグラフ。The graph which shows the relationship of the product gas with the reaction temperature in a conversion reaction. 冷却工程の概念図。The conceptual diagram of a cooling process. 実施例2の温度変化を示すグラフ。6 is a graph showing a temperature change in Example 2.

符号の説明Explanation of symbols

10−反応炉、11−冷却器、12−蒸留工程、13−転換炉、14−冷却工程、15−TCS蒸留分離工程、21−第1冷却器、22−中間冷却器、23−第2冷却器。 10-reactor, 11-cooler, 12-distillation process, 13-conversion furnace, 14-cooling process, 15-TCS distillation separation process, 21-first cooler, 22-intercooler, 23-second cooler vessel.

Claims (5)

原料のテトラクロロシランと水素とを1000〜1900℃の温度で転換反応させてトリクロロシラン、ジクロロシリレン、塩化水素、および高次シラン化合物を含む反応ガスを生成させ、この反応ガスを冷却してトリクロロシランを回収する方法において、
(イ)転換炉から抜き出した反応ガスを0.01秒以内に600℃未満に冷却する第1冷却工程と、
(ロ)第1冷却工程後の反応ガスを500℃以上〜950℃以下の温度範囲に0.01秒以上〜5秒以下の時間保持する中間反応工程と、
(ハ)中間反応工程後の反応ガスを500℃未満に冷却する第2冷却工程を有することを特徴とするトリクロロシランの製造方法。
The raw material tetrachlorosilane and hydrogen are converted and reacted at a temperature of 1000 to 1900 ° C. to generate a reaction gas containing trichlorosilane, dichlorosilylene, hydrogen chloride, and a higher silane compound, and the reaction gas is cooled to trichlorosilane. In the method of recovering
(A) a first cooling step for cooling the reaction gas extracted from the conversion furnace to less than 600 ° C. within 0.01 seconds;
(B) an intermediate reaction step of holding the reaction gas after the first cooling step in a temperature range of 500 ° C. to 950 ° C. for a period of 0.01 seconds to 5 seconds;
(C) A method for producing trichlorosilane, comprising a second cooling step of cooling the reaction gas after the intermediate reaction step to less than 500 ° C.
第1冷却工程において、反応ガスの到達冷却温度が100℃以上〜500℃以下である請求項1に記載するトリクロロシランの製造方法。
The method for producing trichlorosilane according to claim 1, wherein in the first cooling step, the ultimate cooling temperature of the reaction gas is 100 ° C or higher and 500 ° C or lower.
中間反応工程において、反応ガスを550℃以上〜800℃以下に保持する請求項1または請求項2に記載するトリクロロシランの製造方法。
The method for producing trichlorosilane according to claim 1 or 2, wherein the reaction gas is maintained at 550 ° C to 800 ° C in the intermediate reaction step.
第1冷却工程で反応ガスを到達冷却温度500℃未満に冷却し、冷却した反応ガスを中間反応工程で550℃以上〜800℃以下の温度に保持する請求項1〜請求項3の何れかに記載するトリクロロシランの製造方法。
The reaction gas is cooled to an ultimate cooling temperature of less than 500 ° C in the first cooling step, and the cooled reaction gas is maintained at a temperature of 550 ° C to 800 ° C in the intermediate reaction step. A method for producing the trichlorosilane described.
請求項1〜請求項4の何れかに記載する方法によって回収したトリクロロシランを多結晶シリコンの製造原料の一部に用いるトリクロロシランの利用方法。 The utilization method of the trichlorosilane which uses the trichlorosilane collect | recovered by the method in any one of Claims 1-4 as a part of manufacturing raw material of a polycrystalline silicon.
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