JP5329556B2 - 太陽エネルギー、マイクロ波、およびプラズマを用いて、バイオマス或いは化石炭から液体燃料や水素を製造する方法 - Google Patents

Description

石油資源の枯渇、および石油製品の燃焼により生出される二酸化炭素（ＣＯ_２）汚染（地球温暖化の主な原因の１つ）は、汚染の少ない代替エネルギーの製造プロセスの開発を必要とし、産業化された国々における生活の質を保つこと、および新興の国々における決して増加しないエネルギーの必要性を身に着けさせることを可能にする。現実に、地球上のエネルギー消費は、１９７１年で５５００Ｍｔｏｅ、２００２年で１０３００Ｍｔｏｅであり、２０３０年には１６５００Ｍｔｏｅになると予測されている。

しかしながら、電車や路面電車などの電気輸送車両を除く現行の車両によるエネルギーの貯蔵および運搬を要求する輸送に関するエネルギーの必要性から、多くの解決方法（実質的に、太陽、核、水力、地熱、および風力生産）が浮かび上がる変化のないものとして資格が与えられ得る産業および都市開発のために指向されるエネルギーの必要性を区別する必要がある。

この輸送に関する第２の要求のため、輸送の種々の形態で使用される燃料が多くの制約に従うことから、上記解決方法は、明白ではなくなることが明らかである。

燃料は、汚染バランス（炭化水素の使用下における生産）および最終的には石油製品に関して現実味のある経済性を有する、少なくとも石油製品に現在ある状況に等しい安全な状況の下で、簡単に輸送および貯蔵可能でなければならない。この問題は、空気の輸送を両立できる燃料の制約を考慮に入れることにより、さらに複雑にされる。

バイオ燃料（アルコール、エステル）の生産、燃料セル、或いは熱エンジン内の燃料としての水素の使用、電気自動車における効率の良いバッテリーの使用、燃料製造のためのバイオマス或いは石炭の使用など、種々の方法が、車両のための燃料の生産のために形作られる。

バイオ燃料、アルコール、或いは脂肪酸エステルの生産は、将来有望な第１のねらいであることは明白であり、異なる国々で既に実行されている。しかしながら、これらの解決方法は完全ではなく、自身に頼るエネルギーの提供のために必要な収穫物のエーカー数が桁外れであり、現在ある全ての収穫物のエーカー数より多いことを意味する。それゆえに、これら収穫物は、食物収穫物に匹敵する。これらバイオ燃料を製造するための自然のままの材料は、しばしば、コーン、小麦、およびそれに順ずるもののような食物製品である。このようなバイオ燃料の一心不乱の収穫は、特に、新興国および発展国における地球農食物経済の不均衡を生じることに加えて、飢餓および重大な環境破壊の高い危険を伴う。

それに加えて、これらバイオ燃料の生産の確かな方法は、とても低いエネルギーをもたらし、石油に関する高い汚染バランスを有する。例えば、我々は、火炎菜からエタノールの生産、或いは菜種から脂肪酸或いはエステルの生産を挙げることができる。

燃料としての水素の使用は、使用に適した燃料のためのスマートな解決になることは明らかである。しかしながら、石油製造に等しい製造コストを伴う非汚染水素の生産の問題は、まだ解決されていない。さらに、この燃料の使用は、危険の観点からその貯蔵および流通のための多くの困難の解決を要求する。

電気或いは熱電気ハイブリッド車で使用されるバッテリーへの電気エネルギーの貯蔵は、多くの自動車製造会社によって提案された解決方法のうちの１つである。この解法は、低いコストで効率のよいバッテリーの生産を含み、生産或いは再利用のいずれかにおける汚染物質の発生を少なくする。加えて、車両のための代替燃料の生産の問題は、電気熱ハイブリッド動力車両において存続する。

我々の知るところによると、燃料セル或いは電気バッテリーに基づく現実味のない航空学の推進力解法が、提案されている。

バイオマス、および、特に、植物廃棄物、セルロース、或いは非改良農業生産物の使用は、液体燃料の製造のため、同様に、作用寿命の終わりで再利用不可能なプラスティック材料のための自然のままの材料の重要な資源を意味する。

化石炭の埋蔵量は、数１０年、液体燃料の要求を満足することができる。

しかしながら、バイオマス或いは化石炭のいずれにしても、ガス化方法がこれら自然のままの材料から液体燃料を製造するために利用され、２０から４０％のガスが製造されることを意味する多くのＣＯ_２汚染も製造する。

このＣＯ_２の形成における炭素のロスのため、ガス化によるバイオマスからの燃料の生産は、石油よりわずかに良いだけの汚染バランスを有する。この汚染バランスは、バイオマス製造の間のＣＯ_２排出の制御の問題および物質転換プラントへの移送が管理されなかった場合、すぐに悪くなる。バイオマスから燃料を生産する間のＣＯ_２形成における炭素のロスを減少することにより、このバランスは、生産されたＣＯ_２が首尾よく捕集され或いはより効率良く燃料へ転換された場合、均衡に近付く。現実に、このような状況の下で、バイオマスは、合成燃料を燃焼したとき放出されたのと同等の炭素割合を有する。

化石石炭の場合、この状況は、全体的に異なる。石炭の燃料への物質転換の方法にかかわらず、燃料の燃焼は、大気中への不所望な副産物（硫黄、硫化物）に加え、化石炭素からＣＯ_２を放出する。

ＣＯ_２の放出を伴わないガス化の方法は、石油製品に関して得られる燃料の汚染バランスを改良する。しかしながら、化石燃料の汚染バランスをバイオマスから製造された燃料のバランスと同等にするため、ＣＯ_２捕集或いは物質転換解法が、バイオ燃料が使用される例えば車両などの現場において実行されなければならない。

ＣＯ_２をアップグレード可能な製品へ転換可能な数多くの増加する方法が開発されているが、バイオマス或いは石炭のガス化産業に適した解法を説明したものは極めて少ない。

ＣＯ_２転換方法の主な２タイプを挙げることができる。すなわち、直接的にアップグレード可能なメタノール、ホルムアルデヒド、或いは蟻酸などの複合物内へＣＯ_２減少する触媒を用いた方法、および（一酸化炭素）ＣＯ内へ、および（水素）Ｈ2内へＣＯ_２減少する電気化学気相方法である。

解法のうち電気化学方法がＣＯ_２を蟻酸に物質転換できることに気付くべきである。

一方で産業上アップグレード可能なメタノール、ホルムアルデヒド、および蟻酸は、非常な困難を伴って、フィッシャー−トロプシェ（ＦＴ）法のような方法によって合成される水素を得ることができる。

電気化学気相方法は、ＣＯ_２ガスからＣＯとＨ_２を製造可能である。グライディングアーク（Ｇｌｉｄａｒｃ）法は、多量のエネルギー（数キロボルト／ｍ^３のガスが製造される）を消費するけれども、特に将来有望である。今説明されたグライディングアーク法は、ＣＯ_２を減少するため、硫酸（Ｈ_２Ｓ）或いはメタノール（ＣＨ_４）のようなガス付加剤の使用をしばしば要求する。これらの方法は、木炭および石炭の酸化のため説明されない。上記付加剤が増進する反応は、常にガスである。グライディングアーク法のために説明された幾何学は、異なるガスの流れに従う異なる反応の有効性を最適化することを非常に困難にする。グライディングアーク法は、いわゆる非平衡プラズマを発生する。付随して或いは交替に熱力学のプラズマを伴う非平衡プラズマを含む混合された方法を考慮に入れる説明はない。同様に、光源のプラズマ、非平衡電子プラズマ、および熱力学のプラズマを含む方法を考慮に入れた研究はない。金属、粒子、或いは触媒リッチにすることによってプラズマで起こる適応反応の方法を考慮に入れた研究はなく、プラズマ内の所定の反応を増進する。

ＣＯ_２のＣＯおよびＨ_２への減少は、炭化水素合成産業における主要な技術的挑戦である。現実に、自然のままの材料（石炭、木炭）の多くの部分（３０から４０％）が、ＣＯ_２の形成に費やされ、このことが、この産業を経済的に高価にすることに加えて高い環境汚染がある。

我々は、バイオマスおよび石炭のガス化に適した方法および一連の代替装置を提案し、合成に使用されるバイオマス或いは石炭のエネルギーコストを減少する一方で製造される合成ガス（ＣＯ−Ｈ_２）を得ることができる。現実に、異なる複数の反応に必要とされるエネルギーは、通常、木炭或いは石炭を部分的に燃焼することにより与えられる。ここで説明された方法によると、このエネルギーの多くの部分は、太陽エネルギーおよびプロセスを通して製造された異なる種類のプラズマによって置き換えられる。これら異なる種類のプラズマは、複合された源を有し、継続可能なエネルギー（太陽、風、或いは装置内で熱回収されたエネルギー）からくるその製造に必要とされる電気エネルギーを有する。ＣＯ_２の形をとった炭素のロスは、異なるタイプのプラズマ（電気、電磁波、ＩＣＰ、光）の使用によって減少される。これらのプラズマは、炭素をＣＯへ酸化するとともにＣＯ_２をＣＯへ減少するための追加の手段としてプロセスを通して使用される。これらプラズマの動作は、異なる金属要素（Ｍｇ、Ｍｎ、Ａｌ、Ｆｅ、Ｓｉ、ＳｉＯ_２など）でリッチにすることによって増幅される。

図１は、基体の加熱および熱分解のための機能ユニットを示す。 図２は、ガス化炉およびサイクロン燃焼チャンバーを示す。 図３は、ガス化炉およびその構成要素を示す。 図４は、ガス化炉およびその構成要素を示す。 図５は、ガス化炉およびその構成要素を示す。 図６は、ガス化炉およびその構成要素を示す。 図７は、ガス化炉およびその構成要素を示す。 図８は、ガス化炉およびその構成要素を示す。 図９は、ターボポンプを示す。 図１０は、ターボポンプを示す。 図１１は、基体の燃焼および熱分解のための機能ユニットを示す。 図１２は、ガス化炉を示す。 図１３は、プロペラを示す。 図１４は、この発明によるところのプロセスを図示するイディオグラムを示す。

動作の原理
この発明は、例えば液体燃料の合成を意味する合成ガス（ＣＯ、Ｈ_２）を製造するため、例えばバイオマスや石炭のような炭素リッチな複合物のガス化に含まれる異なるステップを実行するための、太陽熱エネルギーおよび／或いはプラズマエネルギーによって補完された一連の機能的ユニットのマイクロ波エネルギーを統合する方法からなる。

一般に、炭素を含んだいかなる複合物も適している。バイオマスに加えて、生ゴミ、製紙用パルプ、下水浄化からの汚泥或いは圧搾物、およびそれに次ぐものが使用可能である。

この書類を通して、ガス化に使用される材料は、基体として参照される。この基体は、好ましくは１０から３０％の水分含有量で、より多く或いは少なく水分を含んで、好ましくは、粒子或いは小粒をまとめられ或いは塊りにされる。

小粒の合成は、例えば異なる資源（バイオマス、下水浄化汚泥、生ゴミ、製紙用パルプなど）材料の混合によって、好ましくは再現可能である。小粒の製造に必要な異なる材料の割合は、これら材料の混合の間に、小粒の合成で使用される材料の基本的な分析によって、好ましくは自然に決められる。例えば、ＬＩＢＳ（レーザー誘起ブレイクダウン分光法）プロセスが、異なる材料の基本合成を決めるために使用される。これら異なる材料は、基本再現可能合成で小粒を与えるため、分析によって決められた割合に従って混合される。

基体を用意する可能なステップの後、主としてＣＯおよびＨ_２を含む合成ガスを製造するための炭素含有複合物のガス化のプロセスが、次の２つの主要ステップへ分類され得る。

Ａ）太陽マイクロ波反応炉の壁の表面での太陽放射の収束或いは反射による集中に起因した上記太陽マイクロ波反応炉の壁の加熱により、および上記太陽マイクロ波反応炉および上記複合物内へ直接的に注入されたマイクロ波により、共同で与えられた相乗的な熱エネルギーによって、上記太陽マイクロ波反応炉内に収容された上記複合物を加熱することによって、上記太陽マイクロ波反応炉内で引き起こされる、上記複合物の木炭および熱分解ガスへの焙焼熱分解の第１のステップ、および
Ｂ）上記熱分解ガス或いは追加ガスの燃焼、加熱されたガス或いはガス混合物のサイクロン反応炉内への注入、および上記サイクロン反応炉内へ直接的に注入されたマイクロ波による上記サイクロン反応炉内にあるガスの直接的な加熱に起因して、木炭粒子を駆動および酸化するガスの渦を形成できる、上記サイクロン反応炉内で起きる化学的酸化還元反応によって、上記太陽マイクロ波反応炉から来る木炭および熱分解ガスを、主にＣＯおよびＨ_２へ変える第２のステップ。

上記酸化還元反応をひき起こすために使用されるガスは、加圧および加速熱反応炉の壁の表面における太陽放射の収束および／或いは反射による、および上記加圧および加速熱反応炉内へ注入されるマイクロ波による、上記加圧および加速熱反応炉の壁の加熱に基づく熱エネルギーの相乗的な作用の下で、加熱、加速、および加圧される。

上記サイクロン反応炉および／或いは上記加圧および加速熱反応炉は、ガス状のプラズマおよび混合されたガス／粒子プラズマ或いはプラズモンを生じるための手段を含む。

上記マイクロ波は、同時に、好ましくはＣＯ_２分子の非対称の振動のモードの吸収周波数と一致する周波数で、赤外線として使用可能である。

ガス化基体は、炭素を含む複合物の粒子、およびガス化を増進する付加剤粒子を含む異種の粒子を有することができ、炭素含有複合物の粒子とともに随意に塊りにされ或いは混合される。

上記付加剤粒子は、酸化還元反応によってガス化を増進するとともに、粒子内で生出された電流によって製造された電気アークによる帯電された要素および遊離基の製造を増進する還元金属、およびＳｉＣの形をとって複合物内に含まれている炭素の一部を結びつけることができるＳｉＯを製造するシリカおよび／或いはシリコン粒子も含む。

プロセスの実行は、太陽マイクロ波焙焼熱分解反応炉およびサイクロン反応炉を伴う。

太陽マイクロ波焙焼熱分解反応炉は、とりわけ、
例えば耐熱性の材料で形成されたパイプと、
上記太陽マイクロ波焙焼熱分解反応炉の上記パイプの内側で複合物を動かす手段と、
上記反応炉の上記パイプの表面で太陽放射を集中して収束を引き起こす手段と、
外部環境から上記反応炉の上記パイプを隔離する手段と、
上記反応炉の上記パイプの熱イナーシャを改良する手段と、
マイクロ波を製造する手段と、
マイクロ波をガイドする手段と、
を有する。

サイクロン反応炉は、とりわけ、
互いに重ね合わせられ、或いは互いに入れ子状に重ねられ、および互いに連絡する少なくとも２つのサイクロンユニットと、
これらユニット内で燃焼を可能にしてガス渦巻を生出する装置と、
上記ユニット内へガスを横から或いは接線方向から注入してガス渦巻を生出するための装置と、
マイクロ波を製造してガイドする手段と、
を有する。

プロセスの実行は、とりわけ、
酸化ガス加圧および加速熱反応炉と、
ガス状のプラズマおよび／或いは混合ガス／粒子プラズモンを製造するための、誘導或いは非誘導電流、光、およびマイクロ波装置と、
１ＧＨｚと３００ＧＨｚとの間のマイクロ波を製造し上記マイクロ波をガイドするための、少なくとも１つの磁電管（マグネトロン）および少なくとも１つの導波管（ウェーブガイド）と、
を伴う。

上記酸化ガス加圧および加速熱反応炉は、
例えば耐熱性の材料で形成されたパイプと、
上記反応炉の上記パイプの表面で太陽放射を集中して収束を引き起こす手段と、
外部環境から上記反応炉の上記パイプを隔離する手段と、
上記反応炉の上記パイプの熱イナーシャを改良する手段と、
ブレードローター、遠心コンプレッサー、タービン、少なくとも１つの環状チャンバー、および赤外源によって随意に補完された少なくとも１つのマイクロ波源（これらに制限されないが）なとで、ガス、随意に粒子を、圧縮、加熱、および加速によって、上記反応炉の上記パイプに沿って動かす手段と、
を有する。

１．１
１つの実施例において、基体の焙焼および熱分解を可能にする機能ユニットは、１センチメーターと５メーターとの間の直径、および１０センチメーターと１０メーターとの間の長さを有するパイプ（図１．１）からなる太陽／マイクロ波反応炉（Ｆ＿ｓｍｏ）である。このパイプは、例えば、セラミックでカバーされた炭素、セラミック、タングステン鋼、チタニウム、ニッケルおよびそれに順ずるもの（これらに限定されるものではないが）のような耐火性の材料によって形成されている。

このパイプの中心には、パイプの開口を通してバイオマスや石炭を移動できるようにウォーム軸（図１．２）が設けられている。基体は、数ミリメーターから数センチメーターのサイズを有する同種の或いは異種の小粒或いは粒子によってまとめられる。この書類において、小粒および粒子は、小粒として参照される。パイプの長手方向に沿って一定距離ごとに、その外側に、１つ或いはそれ以上のミラー或いは太陽集中器、例えばアルミニウム（図１．３）が設けられ、太陽光をパイプの表面に収束できる。パイプは、太陽放射の光および熱を最大限吸収できるように、好ましくは、マットな黒色にされる。パイプ上の塗装は、紫外放射の吸収を最適化する直径数ミクロンのシリカ（量子或いはＱｄｏｔ）を含む。一般に、パイプの外側コーティングは、太陽熱温水器のために開発されたもののように、熱および光の最大吸収を可能にする材料によってカバーされ或いはこのような材料からなる。ある実施例において、上述したミラーは、ウォーム軸パイプの主軸に関して、例えば、凹状の或いは長円状のミラーであり、その曲率半径が、ウォーム軸パイプの表面からミラーまでの距離と等しくされている。他の実施例において、このミラーは、低い直交する幅を有するミラーであり、パイプの表面から一定距離離れて、ウォーム軸パイプの長さに従って軸と平行に配置される。ミラーとパイプの表面との間の距離は、像の幅或いはウォーム軸パイプの表面へのミラーの反射がパイプの直径より小さくなるように、ミラーで反射された全ての光がパイプの表面に届くように、決められる。ウォーム軸パイプの断面において、連続した複数のミラーが、ミラーの幅が半円形或いは長円形部分をパイプの周りで階段状配置（図１．４）により形成できるように、設けられている。完全に平らなミラーを用いた場合、ウォーム軸パイプの直径より少ない幅の複数のミラーを設けることで満足する。各ミラーは、ミラーの取り付けレベルで円形或いは長円形支持の接線に関して、より多くの或いはより少ない意味のある傾斜を有し、ウォーム軸パイプの表面で光の全ての反射を可能にする。

いかなる中間位置においても、ウォーム軸パイプの断面において、複合矩形凹面ミラーを備えることが考え得る。複数のミラーとウォーム軸の表面との間の距離は、複数のミラーの曲率半径によって決められる。この距離は、ウォーム軸パイプ上のミラーの像の幅が１点（パイプに沿った線）とウォーム軸パイプの直径のサイズとの間になるように、随意に短くされることができる。円形或いは長円形部分における複数のミラーの支持は、パイプ表面上への最も良い光の反射を与えるように、ウォーム軸パイプの周りにピボット上に置く。同様に、各ミラーは、太陽の位置に関する反射の最も良い角度を与えるように、支持の接線に関してピボット上に置くことができる適したピンを随意に有する。ミラー支持具或いはミラー自身の全ての動きは、コンピューター制御された駆動システムによって随意に生じさせられる。ウォーム軸パイプ上に配置された視受容細胞によって、最も良い方向が決められる。

ウォーム軸パイプは、好ましくは、最大太陽光照射が得られる南向きに長く指向される。ウォーム軸パイプに正確に整列して配置されたミラーの領域は、決して照明されない。陰にされた領域にあるミラーは、随意に除去される。陰にされた領域の位置は、ウォーム軸パイプの１つの方向から他の方向へ変化し、その方向に従って調節がなされる。ウォーム軸パイプの上方の陰にされた領域の列において、集光或いはフレネルレンズ（図１．５）が、ウォーム軸パイプの表面から離れてその焦点距離の近くに設けられる。多くのレンズは、ウォーム軸パイプのサイズや直径による。方向の動きがウォーム軸パイプの他の側のミラーホルダーの回転と一体化する支持部材上に複数のレンズが配置される。

ウォーム軸パイプの異なる位置で、周波数が１ＧＨｚと３００ＧＨｚとの間のマイクロ波が導入される。１つおよび数ダースの間の多くのマイクロ波源は、設置を考えた所望するパワーと電気消費による。ある実施例において、これらマイクロ波源は、高周波数電流発生器へ接続されたウォーム軸パイプを囲むソレノイドからなる。交流電流の作用の下、上記ソレノイドは、ウォーム軸パイプ内で無線周波数を発生する。

好適な実施例において、マイクロ波源は、マグネトロン（図１．６）である。マグネトロン或いはウェーブガイドのアンテナに対向するウォーム軸の部分は、マイクロ波に反応しない或いはマイクロ波を透過する材料、一般的にはセラミックによって随意に形成されている。パイプの幅は、好ましくは、使用されるマイクロ波の波長“λ”と一致する。この幅は、壁の反射による位相“Φ”をずらすことによって調節される。マグネトロンアンテナによって製造された波が導入されるパイプの領域は、マイクロ波を反射できる一般的にセラミックコーティングしたアルミニウムシートなどの材料（マイクロ波の反射に適した他の材料であっても良い）で内面が被覆される。反射材のカバーされた領域は、構造の干渉を増進するように、マイクロ波が導入される領域の両側、好ましくはλ／４に等しい長さで延びている。好適な実施例において、ウォーム軸パイプを含むこの材料は、マイクロ波を反射する。

マイクロ波は、小粒に含まれている水分子、或いは双極子モーメントを有する他のいかなる分子の振動によって、ガス化基体の分子の非常に早い加熱を引き起こす。マイクロ波によって製造された熱は、太陽放射の収束による熱に加えられ、基体の焙焼および熱分解を引き起こす。この熱分解の間、他の種々の可燃性のガスと同時にタールを含む揮発性の材料の放出がある。これら異なるガスは、脱ガスパイプ（図２．８）によって収集され、ガス化反応炉内へ注入される。ガス化路内へ注入される前に、これらのガスは、マグネトロン或いは他のマイクロ波源でマイクロ波を与えることにより、過熱（１６０℃と２０００℃との間）されることができる。

１．２
ある実施例において、反応炉パイプ（図１．１ａ）は、外部環境に対する熱のロスを制限できる透明真空閉じ込めチャンバー（図１．１ｃ）内に収容される。

ある実施例において、閉じ込めチャンバーとパイプとの間の空間（図１．１ｂ）は、外部環境に対する熱のロスを制限するガスで満たされる。このガスは、キセノン、クリプトン或いはアルゴン、或いは他のいかなるガス或いは混合ガスであってもよく、反応炉パイプの表面と外部環境との間の熱のロスを制限できる。好適な実施例において、真空チャンバーは、反応炉パイプを収容するガラス或いは他の透明材料で形成されたパイプである。このパイプの壁或いは表面（図１．１ｄ）は、太陽光の紫外成分を可視或いは赤外光に変える蛍光性の量子（石英粒子）を含み、閉じ込めチャンバーの壁を効率よく横切ることを可能にする。

ある実施例において、壁の内面は、反応炉パイプの面で光を反射可能にする反射部分（図１．３ａ）を有する。

１．３
好適な実施例において、反応炉パイプＦ＿ｓｍｏの端部（図１１．１ａ）が、透明閉じ込めチャンバー（図１１．１ｃ）内へ開口し、熱のロスを制限するガスが、反応炉パイプの内部に入り込むことができる。

しかしながら、当該Ｆ＿ｓｍｏ反応炉パイプの端部は、Ｆ＿ｓｍｏ反応炉パイプに入り込むガスと多孔体のメッシュとの間で非常に多くの接触を必要とする多孔体（図１１．８５）によって塞がれる。好ましくはセラミックで形成されたこの多孔体は、大きな交換面を有し、Ｆ＿ｓｍｏ反応炉の熱イナーシャを改良する太陽放射吸収体として作用する。この多孔体は、例えば、キン青石、或いは炭化ケイ素によって形成された多孔セラミック泡で形成された、例えば、ハニカム型マルチチャンネル中空礎石である。この多孔体は、例えば、好ましくはＡｌ、Ｓｉ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｔｉ、或いはＺｒから選ばれた金属の酸化物ＭｘＯｙでカバーされ或いは含んでいる。多孔体の表面或いは中にあるこの酸化物は、ガスの加熱に加えて、随意に、触媒作用によって多孔体を通過するガスの還元を引き起こす。ＣＯ_２或いはＨ_２Ｏを熱のロスを制限するためのガスとして使用した場合、例えば、ＣＯ_２がＣＯに還元され、或いはＨ_２ＯがＯ_２とＨ_２に還元される。この実施例において、ＣＯ_２、ＮＨ_４、或いはＨ_２Ｏのような温室効果ガスが、好ましくは熱のロスを制限するガスとなる。熱のロスを制限するガスは、反応炉パイプの開口の反対側から閉じ込めチャンバー内へ注入される。そして、このガスは、透明閉じ込めチャンバーの壁からＦ＿ｓｍｏ反応炉パイプの壁を隔離する透明閉じ込めチャンバー内を循環する。この方法により、上記ガスは、太陽光放射によりおよび内側からのマイクロ波により加熱されたＦ＿ｓｍｏ反応炉パイプの壁からくる赤外線を捕集し、反応炉パイプの入口へ移動するにつれて自身を加熱する。そして、このガスは、多孔体を勢い良く通って多孔構造に接触することでさらに加熱される。そして、このガス或いは還元された形は、基体およびウォーム軸を含む反応炉パイプの部分を通り、そこで基体の熱分解および焙焼に寄与する。

１．４
特定の実施例において、太陽／マイクロ波反応炉（Ｆ＿ｓｍｏ）は、砂糖を入れた水とサトウキビジュース或いはサトウキビ材料からのアルコール発酵のような、他のタイプの産業の反応に必要なエネルギーを与えることができるばかりか、火炎菜、コーン、バナナ、およびそれに次ぐものから砂糖とアルコールを製造するために必要な酵素の消化反応を与えることができる。

そして、システムは、ウォーム軸の動作の下での反応炉パイプ内における基体の移動の間の酵素の反応が可能な低い温度（３０から４０℃）に届くように調節される。この基体は、初めから、マイクロ波、および反応炉パイプの表面での光の収束によって、加熱される。発酵、消化、および異性化に必要な酵素は、所望する反応の順序に従って、マイクロ波源の後、発酵素入口によって導入される。

一般に、Ｆ＿ｓｍｏ反応炉は、反応を誘発し、および／或いは維持するための熱の入力を必要とする１つ或いはそれ以上の製品または基体の化学或いは物理化学の反応の合成、溶解、位相変化の全てに使用可能であり、特に、加水分解或いはエステル化反応に使用可能である。

２．１
熱分解の後、木炭や石炭は、ガス化炉内へ空にされる。いかなるタイプのガス化炉も適している。好適な実施例は、混合された固定床／流動化されたサイクロン床ガス化炉（ＦＢＣＢ）或いはより一般的にはサイクロン反応炉を使用する。

特定の実施例において、上記ＦＢＣＢは、１０センチメーターと５メーターとの間の平均直径を有するパイプからなるコア（図２．９）で成り立つ。このコアは、８００℃を超える温度に耐え得る耐火性のステンレス鋼、チタニウム、ジルコニウム、ニッケル、セラミック、タングステン鋼、或いは他の材料で形成される。基体は、収集チャンバー（図２．９８）を通して、反応炉のコア上に搭載されたサイクロン燃焼チャンバー（図２．１０）内へ、ウォーム軸（図２．２）によって、空にされる。

上記燃焼チャンバーは、熱分解相からのガスを、燃焼されるメタノールのような追加の燃焼ガスに、随意に結合することを可能にする。これらガスは、例えば、燃焼チャンバーへ接線方向から配置された２つのバーナー（図２．１１）によって燃焼され、炎（図２．１３）が燃焼ガス（実質的にＣＯ_２およびＨ_２Ｏ）の小さな渦（図２．１２）をひき起こし、サイクロン内で下がって行くガス渦巻およびサイクロン内で上昇するガスカラムを形成する。

燃焼チャンバーの入口は、コーン構造（図２．２０）によって部分的に塞がれている。コーンの下面は、燃焼チャンバーのガス渦巻の回転方向と同様の方向を有するチャンネル（或いはブレード）を備えている。従って、上昇カラムのガスにガス渦巻に向かう新しい方向を与えることができる。

コーンの上面は、燃焼チャンバーの上端とともに入口を形成するチャンネルを含み、ウォーム軸から空にされた基体が燃焼チャンバーへ入ることが可能となる。燃焼チャンバーの入口は、燃焼チャンバーの渦巻の回転方向に向けられている。

ピン（図２．９９）は、頂部が回転に出入りできるように、頂部を通って円錐構造へ挿通される。このピンは、上昇ガスによる加熱からピンを守る熱シールド（図２．９７）とともにサイクロン燃焼チャンバーの側部へ備え付けられる。燃焼チャンバー内で、回転翼（図２．９６）がピンに取り付けられ、ピンと回転翼の一体アッセンブリの、上昇ガスカラムの作用に基づく回転をひき起こす。ピンの他端で、基体を受けるチャンバー内で、ブレード（図２．９５）が回転するようにピンに一体化され、このブレードが、収集チャンバーを通してウォーム軸によって空にされた基体の粒を細かく砕いて粉にする。そして、この粉にされた材料は、サイクロンの上昇ガスが降りる回転渦巻に向けて新たに方向付けされたとき、上昇ガスカラムの流れによってコーン構造の下面にひき起こされたベルヌーイ効果のおかげで、コーン構造の上面の導管を通して、燃焼チャンバー内へ吸い込まれる。ある実施例において、サイクロンチャンバーの頂部を閉じる構造は、ブレードを備えた逆さにされたコーンである。このコーンのエッジは、サイクロン燃焼チャンバーに向けてカーブされている。従って、上昇ガスカラムに燃焼チャンバーに向かう新しい方向を与えることができる。

燃焼チャンバー内で燃やされるガス状の混合物（熱分解ガス、空気、追加ガス）は、ノズルバーナーを与える３つの独立したパイプ（図２．１４、２．１５、２．１６）のおかげで、燃焼チャンバー内で直接的に随意に製造されることができる。各パイプが３つのガスの１つを所望する圧力と速度で拡散し、バーナーの点火が、その近くに配置されたスパーク源（或いは電気アーク）によってひき起こされる。各パイプのガス流量によって燃焼動作が制御される。

しかしながら、あらゆるタイプのミキサー、レギュレーター、キャリブレーター、随意に関連するガス流メーターが、バーナーを与えるために使用可能である。異なるタイプのバーナーも適することができる。注入されたガスの加圧は、タービンにポンプを結合したターボチャージャーによって得ることができる。このポンプは、水蒸気によって、或いは他のガスの拡張によって、或いはあらゆる他のガスの加圧プロセスによって動作されるタービンの作用に基づいてガスを圧縮する。

反応炉コアの容積は、連続した複数のスカート（図２．１７および図３．１８−図３．１９）によって分けられる。各スカートは、下方を向いた孔の空いたコーンからなり、反応炉の開口をコアの壁から狭める。これらのスカートは、２つの役割を実行する。これらのスカートは、小粒のカラムの圧縮を制限し、以下の２つの反応のいずれかを増進するための渦領域を生出する。
Ｃ＋Ｈ_２Ｏ⇔ＣＯ＋Ｈ_２…ｒ１
ＣＯ_２＋Ｃ⇔２ＣＯ…ｒ２

焙焼された小粒を動かすガスの環状の循環は、連続したスカートによってＦＢＣＢ内に生出された異なるサイクロン内で、これら小粒の長い捕集を可能にする。砂のような研磨体、積み重ねられた軽石、或いはあらゆる他の研磨材が、複数のサイクロン内へ注入された木炭に混合可能であり、大きな熱イナーシャと同様にガスの渦巻動作のおかげで、木炭粒子の摩滅或いは侵食をはたらかせる。砂或いは研磨材は、また、溶融された材料（木炭の中にある金属）を吸収できるようにして、システムの孔およびチャンネルまたは溝が詰ることを防止する。第１のスカートは、燃焼チャンバー１７の後に置かれる。このスカートの中心開口の数センチメーター下で、コーン構造２０が配置され、スカートによって形成された炉の開口を部分的にふさぐ２１。連続した複数の導管２２は、スカートのオリフィスをパスするため導管の１つを通ることを必要とするように、複数のブレード２４のセットによって、スカート２３のエッジとコーン構造２０との間に生出される。この導管のサイズは、焙焼された小粒が十分に通過できるようにされる。これら複数の導管は、スカートをふさぐコーンの頂点の周りの一定角度の回転に従って規則正しく配置されている。これら複数の導管は、随意に、湾曲或いは傾斜され、小粒およびガスが、その中を通ることによって、回転動作で、同じ方向に、バーナーによって回転が燃焼ガスへ分けられるように、反応炉の壁に向けて接線方向に放出されるように、方向付けされている。コーン２５の下面は、複数の導管と同じ方向で複数のチャンネル（或いは複数のブレード）２６を備えている。燃焼チャンバー内で、８００℃を超える温度で回転運動された燃焼ガスは、ウォーム軸から空にされた焙焼された小粒を攻撃する。小粒のいくらかは、上記の反応ｒ１およびｒ２に従って酸化され、およびスカートのオリフィスの複数の導管を通って環状に動くガスによって動かされる。１０センチメーターと５００センチメーターとの間（好ましくは５０センチメーター）の距離で、第１のスカートの下には、第２のスカート（図３．１８）が、スカートの開口を部分的にふさぐ、上述したものと同じコーンおよび導管装置とともに配置される。そして、８００℃を超える温度で、一般的には１５００℃で加圧されたＣＯ_２或いはＨ_２Ｏ／ＣＯ_２混合物は、２つのスカートによって規定された空間の頂部内へ、反応炉の壁に対して接線方向から（図３．２７）、バーナーによって脈動された回転の方向で、注入される。２つのスカートによって規定された空間は、２軸および接線入口を備えたサイクロン（図３．２８）を意味する。好適な実施例において、Ｈ_２Ｏより５倍以上のＣＯ_２が接線方向に注入されたガス混合物内にある。

ある実施例において、ガス混合物の接線方向の導入の領域の下で、少なくとも１つのマグネトロン６、７（或いは他の無線周波数源）が、マイクロ波を、２つのスカートの間の反応炉内へ拍動で送る。このマイクロ波は、上記反応ｒ１およびｒ２を活性化する注入されたガス混合物が、加熱され、およびガスおよび小粒渦巻を増大できるようにする。小粒が第２のスカートのレベルに達すると、小粒がいくらかのガスとともにスカートのオリフィスの導管を通って動かされ、ほとんどの粒子から分離された残りのガスが、反応コアの中心に従って、上昇流によって、第１のスカートのオリフィスを部分的にふさぐ上部コーンの下面に向けて上昇する。上方のスカートのコーンの下面に向けて流れる上昇ガスをガイドするように、シリンダーが、２つのスカートによって規定された空間の上１／４のところで反応炉の中心に随意に配置されている。コーンの下面上にエッチングで作られた複数のチャンネルは、上昇流上の回転運動を分け与え、回転の方向と同じ渦の下がって行く回転ガスに向けて向けなおす。

ある実施例において、第２のスカートの下で、コーンによって部分的にふさがれた第３のスカートが配置され、新たなサイクロン／マイクロ波ユニットを形成している。８００℃を超える温度で、一般的には１５００℃で加圧された水蒸気は、第２および第３のスカートによって規定された空間の頂部内へ、反応炉の壁に対して接線方向から、バーナーおよび上方のサイクロンによって脈動された回転の方向で、注入される。水蒸気の注入の領域の下で、少なくとも１つのマグネトロン（或いは他の無線周波数源）が、マイクロ波をサイクロンへ拍動で送り、Ｈ_２Ｏの過熱が上述した反応ｒ１（同じ温度で、反応ｒ２より５倍早い）を強く活性化できるようにする。

上記複数のスカートは、１つ或いはそれ以上の超音波源を随意に接続可能であり、それにより、超音波を反応炉内へ注入することができ、小粒を囲んで形成され且つガス化反応を減速するＨ_２ＯおよびＣＯ_２ガスが空にされた包みを壊す。超音波は、ガス化の間に小粒をばらばらにすることができ、より動かすことができる。これら複数のスカートは、複数の導管を通る小粒の通過を促進するように、振動源に随意に接続されることができる。

ある実施例において、１ＫＨｚと２０ＭＨｚとの間の周波数を有する超音波が、スカートと反応炉コアのパイプとの間の接合点で導入される（図１２．９０および図１２．９１）。超音波は、サイクロンの壁にあるタールボールのような液体内で空洞の拡張に起因したしぶきの形成を可能にし、このようなタールボールの減少を助ける。

２つのスカートによって規定されたサイクロン／マイクロ波ユニットは、あらゆる順序でＣＯ_２、ＣＯ_２／Ｈ_２Ｏ、或いはＨ_２Ｏの注入をするＦＢＣＢ内で何回も繰り返し可能である。この構造は、重ね合わされた複数のサイクロンのネットワークを形成する。

メタンのような追加ガスは、サイクロン内へ接線方向から注入可能である。このメタンは、水によって酸化され、以下の反応に従って、Ｈ_２の製造を伴ってＣＯ_２をＣＯへ変える。
ＣＯ_２＋ＣＨ_４⇒２ＣＯ＋２Ｈ_２ ΔＨR（６００Ｋ）＝２０５ＫＪ．ｍｏｌｅ^−１…ｒ３
Ｈ_２Ｏ＋ＣＨ_４⇒ＣＯ＋３Ｈ_２ ΔＨR（６００Ｋ）＝２０５ＫＪ．ｍｏｌｅ^−１…ｒ４

反応炉内におけるＨ_２の放出は、反応ｒ１を遅くして、それにより、反応ｒ２、およびＣＯ_２の消費を増進し、システムの汚染バランスを改良する。

マイクロ波を受けるガス化反応炉のコアの領域は、マイクロ波を反射する材料、一般的にはセラミック基材上のアルミニウムによって随意にカバーされる。好ましくは、反応炉のコアは、マイクロ波を反射する材料によって形成され、使用されたマイクロ波の波長“λ”と完全に等しい直径を有することができる。この幅は、壁の反射のための位相“Φ”をずらすことに従って調節される。

２．２
他の実施例において、反応炉のコアは、ダブルコアＦＢＣＢ（ＦＢＣＢ＿ｄｃ）を形成するように、入れ子状に重ねられた２つのパイプからなる。このコアの内側のパイプは、セクション２．１で説明した複数のサイクロン／マイクロ波ユニットを含む。複数のサイクロンは、スカートの開口を部分的にふさぐコーン、およびサイクロンの中心にある上昇流パイプが、中空のＴ構造（図４．３０）を形成するように結合され、サイクロンの上昇流がコアの外側パイプ内のサイクロンの外側へ排出可能なように、変更される。このＴのベースは、上昇流パイプ（図４．３１）からなる。このＴのベースと水平バーとの間の結合部は、コーンからなる。このＴの水平バーは、ガス出口ノズル（図４．３２）を意味し、中空パイプによって、コーンを、反応炉のコアの内側パイプ（図４．３３）と外側パイプ（図４．３４）との間の空間へ接続する。我々は、このＴのバーとして明らかにされた中空水平構造を“水平ノズル”（図４．３２）と称する。それゆえに、水平ノズルは、サイクロンの上昇流が中央パイプを通って互いに入れ子状に重ねられた２つのパイプの間の空間へ指向可能である。我々は、この２つのパイプの間の空間を“内側パイプ空間”（図４．３５）と称する。このＴ構造は、サイクロンの上昇流パイプと垂直な同じ面内の回転により水平ノズルを２倍にすることにより、より複雑にされることができる。コーンとスカートのエッジとの間に配置された水平ノズルの部分は、ブレードの形で輪郭を描かれ、全てのブレードは、下方に配置されたサイクロンにガスや粒子が入ることを許容するための斜めの導管のシステムを生出するように、同じ方向に指向される。ブレードの向きは、燃焼チャンバー内のバーナーによって引き起こされた回転と同じ方向（好ましくは、コリオリ力によって誘導された方向）の回転を分け与えるように決められる。

ノズルの数を増大することなしに導管のサイズを最適化するように、中間の複数のブレードが“パイプブレード”構造へ追加され得る。複数の水平ノズルが反応炉内のガスの通常の回転の方向にカーブされ、或いは斜めに配置され、ガスが、ＦＢＣＢ＿ｄｃコアの外側パイプの壁に、略接線方向から入ることができる。複数のノズルの出口は、わずかに下方に向けられ、外側パイプの壁近くに到達する。これら複数の水平ノズルの方向のため、内側パイプ空間内のガスの入口が、この空間内で、下方に向かうガス回転移動をひき起こす。このガスの回転は、燃焼チャンバー内で誘導された動きとして、同じ方向の下降的な渦回転を形成する。

ＦＢＣＢ＿ｄｃの低い部分において、外側パイプは、１０センチメーターと５メーターの間の長さ、好ましくは１００センチメーターの長さで、内側パイプより長い。外側パイプは、その端部で、開いたコーンを形成する。このコーンは、例えば、１００センチメーターの端部より５０センチメーターの距離を超えて形成される。これらの距離は、指し示す目的のためだけに設けられ、多くの形態が可能である。コアの開口は、内側パイプ＋３０％の直径と内側パイプのサイクロンのスカートのオリフィスの直径との間の直径を有する。それゆえに、ＦＢＣＢ＿ｄｃのコアの外側パイプは、外側パイプの上昇流のレベルで、内側パイプを含むサイクロンを形成する。コアの内側パイプの下端は、丸い湾曲（図４．３７）および特別な形状を有する部分的にふさがれたオリフィスを有するスカートで終わる。この閉塞は、異なるサイズ或いは同じサイズを有し互いに対向してそれらのベース（バイコーン）によって固定された２つのコーンからなる。サイズが異なる場合、小さい方のコーンは、スカートのオリフィスを部分的にふさぎ、大きい方のコーンが、スカートの丸い湾曲の延長における保護キャップとして与えられる。バイコーン構造は、例えば、スカートのオリフィスを通って配置された支持部材へ、小さいコアの尖らされた端部によって取り付けられる。バイコーンの全体或いは一部は、２つの頂点を通る線によって決められた軸に対して随意に回転する。好ましくは、大きいコーンだけ（丸い湾曲の延長において）この軸の周りに回転する。丸い湾曲の延長におけるコーンの円錐面は、外側パイプの上昇流の作用に基づいて回転することを要求するパターン（複数のブレードおよび／或いは複数のチャンネル）を随意に備えている。コアの外側パイプのサイクロンの中央流は、コーンによって分離され或いは加速される。この分離および加速によって生出された真空は、コアの内側パイプの最後のサイクロンを離れる焙焼された小粒を吸引し、実質的な距離を超えて駆動する。バイコーン構造の可動部分は、小粒をより効果的に追い出すことができる流れの作用に基づいて回転する。バイコーンの存在は、内側パイプの最後のサイクロン内への粒子の逆流を防止する。小粒のガス化は、反応炉コアの外側パイプ内で、絶えず変化する状態では外側パイプのサイクロンの異なる流れの中で、或いは変化の無い状態では外側パイプのベースでの蓄積の後で固定床の中で生じる。

内側パイプ空間を通り抜ける全ての要素：すなわち、ＣＯ_２、Ｈ_２Ｏ、および他のガスを伴って反応炉コアの内側パイプのサイクロンを与える複数のパイプと、複数のサイクロン内へマイクロ波を拍動で送るウェーブガイド（マグネトロンがマイクロ波源として使用された場合）と、内側パイプのサイクロンの複数の出口ノズルの複数の出口と、は、ガスの流れを破壊しないよう空力的に輪郭を描かれる。特定の実施例において、内側パイプ空間内の複数の要素は、固定的に輪郭を描かれた構造でカバーされ、流れの方向を破壊しないように指向される。これらの輪郭或いは輪郭を描かれた構造は、反応炉コアの外側パイプによって形成されたサイクロンの異なる領域の流れと平行にされる。好適な実施例において、輪郭を描かれた構造は、反応炉コアの外側パイプのサイクロンの異なる領域の流れへ単独で最も良く指向された複数の異なる導管の周りを移動可能な複数の小さな部分である。輪郭を描かれた構造は、例えば、小さな矩形或いは台形構造であり、その長さは、飛行機の羽或いは落下する水滴の形の断面を伴って、０．５センチメーターから１メーターの間で変化する。それぞれ輪郭を描かれた構造は、矩形或いは台形の長さと平行な中空枢軸ピンを有し、内側パイプ空間を通り抜ける異なる導管に枢軸ピンを配置できるようにする。この枢軸は、異なる流れの中で素早く且つ適した方向付けができるように、好ましくは、重力の中心に関して偏心されている。一般に、ガス或いは流体の流れを容易にする空力的に輪郭を描かれた全ての形状は、上記輪郭を描かれた構造を形成するために使用可能である。内側パイプ空間を通り抜ける全ての要素は、可動空力要素によって輪郭を描かれる。

内側パイプのサイクロンの水平ガス出口ノズルは、可動或いは固定的な輪郭を描かれた構造を備えた内側パイプ空間へ入る。複数のノズルは、反応炉のコアの外側チューブの壁近くに下方に向かう接線方向に到達する。複数のノズルの出口と外側パイプの壁との間の距離は、反応炉のコアを形成する２つのパイプの間の距離の０から９５％の間の距離である。ノズルの出口を越えて搭載された、輪郭を描かれた構造は、反応炉のコアの外側パイプの壁に取り付けられ、この構造の延出端が、所望する角度でノズルからの流れを下方へ向くように、上方に指向される。それゆえに、複数の水平ノズルを離れるガスの流れは、回転する下降的な流れにおける頂点としてまとめられる。この渦は、中央パイプからきた小粒の床を攻撃し、外側パイプのベースで置かれる。このレベルで、重大なガス化が、ガスの攻撃によって起こる。このガスは、深く床を浸透し、最も軽い小粒を駆動する中央流内で上昇する。

しかしながら、小粒の床がとても広い場合、渦は、床全体を通り抜けできない。早く置かれた小粒の攻撃を可能にするため、複数の孔の口径を測定されたスクリーンが、内側パイプの最後のサイクロンと外側パイプのベース（図５．３９）との間に配置された領域によって決められた外側パイプの壁の全ての部分の上に随意に配置される。内側パイプの全体は、渦の運動エネルギーのいくらかのロスを考慮して覆い隠されることができ；逆に言えば、覆い隠された領域は、渦の運動エネルギーのロスを減少するように減少されることができる。

渦の運動エネルギーのロスを減少するため、上記スクリーンは、規則正しい複数の孔が空けられたスムースな材料のシートで作られることができ、或いは、スクリーンは、反応炉のコアで最も内側のフレーム（例えば、初めに渦に接触する）が渦の回転の方向（渦の回転を方向付けするように与えられた外側パイプへ取り付けられた輪郭を描かれた構造とほぼ平行）に指向されるように形成されることが可能である。

外側パイプのコーンのオリフィスのレベルで、スクリーンが内側パイプに向けて上昇するコーン（図５．４０）としてまとめられる。反応炉のコアで最も内側のコーンのスクリーンのフレーム（最初に渦に接触する）は、外側パイプの主方向（長さ）と平行にされ、或いは反応炉のコアの外側パイプの壁のスクリーンに関して逆さにされる。このスクリーンコーンは、スクリーン自体によって、或いは球形の、卵形の、或いは流体の流れを増進するあらゆる形のバイコーン部分（図５．４１）（同じサイズの複数のコーン）によって、その端部で閉じられる。

焙焼された小粒床のレベルへ到着するにつれ、渦は、細かい粒子（スクリーンの複数の孔より小さいサイズを有する）を伴ってスクリーンを通って床の下方へ浸透し、床の下方の粒子をガス化して、そして、渦は、反応炉コアの外側パイプの中心で上昇するスクリーンコーンの周りおよび内側の上昇流カラムに形を変える。いくらかのガスおよび粒子は、コアの外側パイプのコーンのオリフィスを通って逃げ、引き続く処理のために回収される。

ある実施例において、内側パイプの最後のサイクロンと外側パイプのベースとの間に配置された領域によって決められた外側パイプの部分は、５０ミクロンと５ミリメーターとの間の幅および１００ミクロンと２センチメーターとの間の深さを有する複数の溝が彫られる。好適な実施例において、複数の溝は、５００ミクロンの幅で２ミリメーターの深さである。外側パイプの円筒部分において、複数の溝は、渦の回転の方向（渦の回転を指向するように外側パイプへ取り付けられた輪郭を描かれた構造と略平行）と平行である。外側平行パイプの円錐部分において、これら複数の溝は、２つの方向（渦の回転の方向と平行、およびこの方向と直交する方向）であり、或いはない。スクリーンとして、これら複数の溝は、渦の運動エネルギーを減少可能（複数の溝内の局所的なエネルギーがベンチュリ効果によって増加されるにもかかわらず）である。内側パイプ全体は、エネルギーロスを制限するが、溝を彫られることができ、溝を彫られた表面を制限することが望ましい。ある実施例において、複数の溝の存在は、スクリーンに結合される。スクリーンに設けられた場合、複数の溝は、渦が粒子床の下を通ることができるようにし、しかし、駆動された複数の粒子が一般的により立派である。

２．３
ある実施例において、バスケットからなるローターは、ガス化するものの内側パイプを有し、最後のサイクロンを離れる小粒を受けることができる。好適な実施例において、中心が空洞（開口）の環状バスケット（図５．４２）は、ピン（図５．４４）の上に配置されている。このピンは、内側パイプの最後のサイクロンのコーンで開口の中心、およびＦＢＣＢ＿ｄｃのベースに接合する。このピンは、反応炉の内側パイプの最後のサイクロンを閉じるスカートの開口を通って配置された、例えば、クロス或いはバーによって取り付けられる。このバスケットは、バスケットの開口の壁の間に配置された１つ或いはそれ以上の回転翼（図５．４５）によってピンに取り付けられ、ピンを介して回転可能とする。好ましくは、回転翼の外形は、ＦＢＣＢ＿ｄｃの外側パイプ内を上昇する流れが外側パイプ内のガス渦巻の回転の方向にバスケットを回転するようにデザインされる。このバスケットの開口は、バイコーンの形で覆い隠されたキャップで随意にカバーされ、サイクロンを離れる小粒が、上昇流を妨害することなく、上方ステージからバスケット内へ指向され得る。

ＦＢＣＢ＿ｄｃ内側パイプの最後のサイクロンの出口スカートは、バスケットの上方の内側パイプ空間に向かう複数の導管を形成するブレードシステムを随意に備えている。これら複数の導管は、短い覆い隠されたシリンダー（図５．４６）の周りに集められる。互いに数ミリメーター離れて配置された複数本の垂直金属ロッド（図５．４７）によって形成された覆い隠されたシリンダーは、サイクロン内における上昇流の形成、およびサイクロンの渦によって搬送され且つその方向が環状のバスケットに向かう複数の導管（図５．４８−図５．４９）を通る小粒の濾過を可能にする。この垂直な覆い隠されたシリンダーシステムは、全てのサイクロン出口に取り付けられることができる。マイクロ波の作用の下で、複数本のロッド内で誘導された電流は、それらの近くでＣＯとＨ_２の合成をひき起こす電気アークを生じる。ある実施例において、２本の金属ロッドのうち一方が支持部材から電気的に絶縁され、他方が接地される。覆い隠されたシリンダーは、下方のサイクロンの上昇流シリンダー（図５．５０ａ）とともに延ばされることができる。ある実施例において、上昇流シリンダーは、短いコーン（図５．５０ａ）によって置き換え可能である。

環状のバスケットの外側エッジは、渦を方向付けするように外側パイプの壁上に配置された輪郭を描かれた構造として同じ傾斜を有する複数のブレードを備えている。バスケットの外壁上のこれら複数のブレードおよび開口の複数の回転翼は、バスケットが渦の速度に近い速度で回転できるようにする。結果として生じる遠心力は、木炭或いは石炭床が反応炉のベースで圧縮されることを防止する。ある実施例において、外壁上の複数のブレードは、バスケットの外側エッジ上に配置され且つバスケットの内側に向けて方向付けされた（図５．５１）同じ湾曲を有する複数のブレードによって補完され或いは置き換えられる。これら複数のブレードは、内側パイプの渦の作用の下でバスケットを回転し、より効果的なガス化のため渦の流れの一部をバスケットの内側に向けなおす。バスケットの複数の壁は、例えば、口径を測定された複数の孔を有するスクリーンとして、或いは口径を測定された多くの穴を有する孔の空いた金属或いは他の材料のシートとして製造される。バスケットの外壁は、真っ直ぐにされ、或いは、ローターによって達成される回転の速度、および異なる実施例においてバスケットの内側に向かうガスの向けなおしの力に従って外側に或いは内側に湾曲される。

２．４
２．２で説明したＦＢＣＢ＿ｄｃ反応炉の特定の実施例において、燃焼チャンバーに近いスカート（図６．１７）のレベルで配置されたＴ構造（図６．３０）を除く全てのＴ構造が、スカート（図６．４６）の内側のサイクロン内の複数のスカートのオリフィスに取り付けられた中空パイプによって置き換えられる。随意に、このパイプは、互いに数ミリメーター離れて配置された複数本の垂直ロッド（図５．４７）によって形成されたシリンダーによって、上方サイクロン内を延ばされる。ブレードシステムは、低いサイクロンへ導く複数の導管（図５．４８−図５．４９）を形成する。これら複数の導管は、パイプおよび複数本の垂直ロッドのシリンダーの周りにまとめられる。それゆえに、コアの内側パイプの異なる複数のサイクロンそれぞれの上昇流が、互いに結合されて、燃焼チャンバーを閉じるスカートのＴ構造によって、内側パイプ空間に向けて排出される。この最後の構成において、反応炉コアの内側パイプの最後のスカートを部分的にふさぐバイコーンの除去により、或いはシリンダー或いは中空コーン（覆い隠されたシリンダー構造、図５．４６）への置き換えにより、コアの外側パイプによって形成されたサイクロンの上昇流の全て或いはいくらかが、コアの内側パイプのサイクロンの上昇流と結合する。これらの構成において、内側パイプの異なるサイクロンから出る粒子のいくらかは、これらサイクロン内へ飲み込まれ、それらのレベルでの長いガス化を可能にする。内側パイプを通り抜けない外側パイプの上昇流は、反応炉コアの内側パイプに沿って上昇する。Ｔ構造のいくらかが除去された全ての中間位置は、つながった複数のサイクロンの上昇流をいっしょにするため、可能である。このタイプの構成において、内側パイプの特定のサイクロンの接線のガス供給は、反応炉の外側パイプ内を流通するガスを供給できる。例えば、短いシリンダーによってＴ構造が置き換えられたサイクロンは、少なくとも１つの接線のガス供給パイプを有することができる。このガス供給パイプは、反応炉の外側パイプの壁のレベルで開き、ガスの回転の方向に面し、ガスが上記供給パイプ内へ勢いよく流れ込む。このガス供給パイプは、内側パイプの接線方向で内側パイプのサイクロンへ戻り、サイクロンの壁を打つガスの注入を可能にし、同じ方向で、外側パイプの渦として、サイクロンの内側の同じ方向で回転をガスに分け与える。

一般に、ガス化するものの中で使用される複数のサイクロンは、ガスの接線の荷重、および上方ステージからくる小粒およびガスの長手方向の荷重を有する。それゆえに、反応炉の内側パイプは、連続して重ね合わせられ且つ接続された複数のサイクロンを含み、ガス化に晒された小粒の連続するサイクロンへの搬送を可能にする。

２．５
特定の実施例において、反応炉コアの内側パイプの複数のサイクロンのうちの少なくとも１つは、リング電極へ取り付けられた螺旋バネ電極を備えており、螺旋電極に沿ってすべるように流れる電気アークが確立されることを可能にする（図６．５２）。

特定の実施例において、電極を有するサイクロンは、反応炉コアの内側パイプの最後のサイクロンであり、それを終わらせるスカートがコーン或いは丸い形を有する。このサイクロンの複数の壁は、電気的絶縁材で形成される。粒子およびガスのための複数の入口導管、およびサイクロンの頂部に配置された逆さにされたコーン或いはシリンダーは、金属或いは電気的導電材で形成される。サイクロンの頂部は、接地されおよび／或いは負電位に接続された電極を形成する。バネ電極は、反応炉の壁の近くに配置される。バネのベースは、最後の巻きを自身で閉じるように、リング構造で終わっている。バネの他の端部は、バネの螺旋の中間へ戻るように湾曲され、中央ピン（図６．５４）を形成する。このバネは、リング構造を有するその端部によって、サイクロンの円錐部分内に配置される。落着して、バネは、０．５ミリメーターと２センチメーターとの間の距離でサイクロンの頂部の電極から離れている。バネの軸ロッドは、下のスカートの開口を通ってサイクロンから延びている。この中心ロッドは、反応炉の外側で、手動或いは自動システムへ接続され、バネが短くなるように圧縮することによって、或いはバネが延びるようにストレッチすることによって、バネが動作されることを可能にする。例えば、このロッドは、電気的絶縁材で形成された他の垂直ロッドに接続される。この垂直ロッドは、反応炉から延び、例えば、サーボアクチュエーター或いは電気アクチュエーターへ接続され、バネを圧縮或いは伸長できるようにする。或いは、このバネは、１００ボルトから１０００キロボルトを発生できる、交流、直流、或いは脈流高圧発生器へ接続される。このバネは、与えられた電圧のみならず、サイクロン内を流通するガスの速度や温度に従って、殆ど同じだけ伸長或いは圧縮される。この圧縮および伸長は、バネとサイクロンの頂部にある電極との間の距離を生出し、バネの螺旋の巻き間の距離の変化を生み、ガスおよび粒子の流れに関し、およびサイクロン内の物理化学のパラメーターに関して、得られるグライディングアークのタイプの調節を可能にする。電位の作用によって、接地電極とバネとの間にアークを形成する。そして、これら電気的なアークは、サイクロン内で回転する流れによって、リング電極に向けて押される。これらのアークは、サイクロンを通り抜ける粒子やガスと相互に作用し、反応性の分子（自由基および帯電された分子）を生出する。これら反応性の分子は、メタンの製造を制限する一方でＣＯおよびＨ_２を形成するように、互いに相互に作用し且つ小粒と相互に作用する。電気アークの形成の間、バネ内の電流の変化が、バネのソレノイドによって誘導される磁界の変化を生出する。これら磁界の変化は、磁性の帯電された分子の運動エネルギーを増大し、分子をより反応し易くする。

ある実施例において、上述したｒ３およびｒ４反応を増進するように、メタンおよび水蒸気が、グライディングアークサイクロンのこのステージ内へ注入される。

ある実施例において、マイクロ波がサイクロン内へ注入される。マイクロ波の作用の下で、アークの効果に基づいてチャージされた分子の運動エネルギーが（双極子分子に加えて）ガスの温度を増大し、ガスをより反応し易くし、バネ内で誘導された電流が、螺旋形の電極とサイクロンの頂部の電極との間の電気アークを誘発する。マイクロ波の作用の下で、螺旋の電極を有するサイクロンは、電圧に晒されることなく、グライディングアークモードで動作できる。

２．６
ある実施例において、それぞれ螺旋の電極を備えた少なくとも３つのサイクロン（図６．５５）が、ＦＢＣＢ＿ｄｃの内側パイプを終わる最後のサイクロンのスカートの開口の周りにローズパターン（図６．５７）で配置される（図６．５８）。これら複数のサイクロンの複数の螺旋電極は、上記２．５で説明された電極と同じ原理で構成されるが、製品スケールは減少される。現実に、複数のサイクロンの構成要素となる複数のパイプは、２０ミリメーターと４００ミリメーターとの間の直径を有し、開いたコーンで終わっている。複数の電極の複数のピンは、それぞれ、上記２．５で説明したように、反応炉の外側へ個々に接続され、或いは複数の電極の複数のピン全てが、星型構造（図６．５６）へ接続され、それらが同時に動作可能にされる。ある実施例において、上記星形構造は、その中心が中空であり、上記２．３で説明したバスケットの回転ピンの通過を許容する。星からスタートした中空ピンは、垂直な電気的に絶縁されたピンへ接続される。このピンは、複数のサイクロンの複数のバネの全てが一斉に圧縮或いは伸長できるようにする。複数のグライディングアークサイクロンによって規定されたローズ要素の開口は、外側パイプによって表わされたサイクロンおよび内側パイプの重ねられた複数のサイクロンに共通する上昇流のための通路を形成する。各グライディングアークサイクロンの頂部において、ガス供給パイプが、サイクロンの壁に対して接線方向からはめ込まれ、パイプがその壁に近い外側パイプの渦に対向して内側パイプ空間内へ開く（図６．６４）。このような供給パイプの配置は、外側パイプの渦のガスのいくらかがローズ要素の複数のサイクロン内へ勢い良く流れ込むことを可能にし、それらのそれぞれにおいて渦を生出する。各サイクロンの頂部は、サイクロンの頂部にパイプを形成する中空シリンダー（図６．５９）の通路によって中心に孔の空いた複数のキャップ（図６．５８）によって閉塞される。このシリンダーは、グライディングアークサイクロンの中心で上昇流を回収できるようにし、内側パイプ空間内へ引き込む。内側パイプ空間内に配置されたシリンダーの部分は、湾曲されてＦＢＣＢ＿ｄｃの外側パイプの壁に向かわされ、開口オリフィスが外側パイプの壁に近付く。１つの実施例において、グライディングアークサイクロンの上昇流パイプは、反応炉の外側パイプのガス渦巻の回転の方向にガスを運ぶように、湾曲されている。好適な実施例において、グライディングアークサイクロンの上昇流パイプは、反応炉の外側パイプ内のガス渦巻の回転の方向と直交する方向にガスを運ぶように、湾曲されている。この構成において、上昇流のガスは、ベルヌーイの法則に従う渦巻によって生出された真空によって吸引される。

内側パイプの最後のサイクロンのスカートの側部に配置されたグライディングアークサイクロンのキャップの部分は、複数の斜めのブレード（図６．６１）によって囲まれた、ガスをグライディングアークサイクロンへ入り込ませることのできる複数のスロット（図６．６０）で孔が空けられており、サイクロンの渦巻の回転の方向と同じ方向の回転を上記ガスに与える。これら複数のスロットは、上方ステージからきた小粒の通過を許容するのに十分なサイズを有する。これら複数のスロットは、チャンネル（図６．６３）によって、上方ステージのサイクロンの複数のガスおよび小粒出口導管へ接続される。これら複数の導管は、上方サイクロンのスカートのオリフィスを去るように配置された垂直カラムの短いシリンダーの周りにまとめられる。グライディングアークサイクロンのキャップは、接地され、および／或いは負の電位を有する１つ或いは２つの電極を形成するように、電気的導電材で形成される。

２．７
ガス化のために使用される小粒は、還元剤として作用可能な、アルミニウム或いは酸化アルミニウム粒子、マグネシウム或いは酸化マグネシウム粒子、或いは他の金属を含むことができる。マイクロ波の作用の下、導電性粒子内で誘導された電流は、粒子間で電気アークを発生し、そして、それらの通路を越えて、自由基および帯電された要素を生出する。形成された自由基およびイオンは、ＣＯおよびＨ_２を製造するように、互いに反応し、または反応炉内にある炭素と反応する。電気アークによって還元されたアルミニウム原子およびマグネシウム原子は、水分子を分解してＨ_２を放出し、或いはＣＯ_２分子を分解してＣを放出する。同様の複雑な反応のカスケードは、結果としてＣＯおよびＨ_２を形成する。製造されたアルミニウムおよびマグネシウム酸化物は、アルミニウムおよびマグネシウムへの反応の間、電気アーク、および反応炉内の電気アークおよびマイクロ波によって誘導されたプラズマの紫外放射の作用によって、再生される。

他の実施例において、１ナノメーターと２ミリメーターとの間の均一な或いは不均一なサイズを有する、ＳｉＯ_２（シリコン）粒子、或いはＳｉ（シリカ）およびＳｉＯ_２（シリコン）粒子の混合物が、ガス化する小粒へ加えられる。

これらシリカをベースとした粒子は、熱の作用の下、一酸化炭素および炭化シリコンＳｉＣ、炭素を実質的に閉じ込めることができる不活性の複合物を製造し、ガス化プロセスの汚染バランスを改良する。

以下の反応に従って：
ＳｉＯ_２＋３Ｃ⇒ＳｉＯ＋２ＣＯ…ｒ５
Ｓｉ＋ＣＯ_２⇒ＳｉＣ＋Ｏ_２…ｒ６
Ｓｉ＋Ｏ_２⇒ＳｉＯ_２…ｒ７
Ｓｉ＋２Ｈ_２Ｏ⇒ＳｉＯ_２＋２Ｈ_２…ｒ８
Ｓｉ＋ＳｉＯ_２⇔＋２ＳｉＯ…ｒ９
Ｓｉ＋ＣＨ_４⇔ＳｉＣ＋２Ｈ_２ 少数 …ｒ１０
Ｓｉ＋Ｃ⇒ＳｉＣ 少数 …ｒ１１
ＳｉＯ_２＋３ＣＨ_４⇒ＳｉＣ＋２ＣＯ＋６Ｈ_２…ｒ１２
或いは反応ｒ５からｒ１９のあらゆる組み合わせ

シリコン或いはシリカをベースとしたこれら複数の粒子は、ガス化において注入されたガス内に、細かい粒子（５００ミクロンより小さい）の形をとって、加えられることができる。

ガス化の後に得られたＳｉＣは、フィッシャー−トロプシュ合成のための触媒として供給する。

これらの反応の結果によるＳｉＯ_２、ＳｉＯ、およびＳｉＣは、室温で不活性であり、ＳｉＣの形では、ＣＯ_２からきた炭素を閉じ込めるとともに蓄える手段を意味する。

２．８
ＦＢＣＢ＿ｄｃの外側パイプの頂部において、パイプ（図４．６５）が、反応炉の内側パイプと外側パイプとの間に入れ子状に重ねられる。このパイプは、移動の過程の終わりで、コアの内側パイプに沿って、上昇流をガイドするパイプ（流れガイド）である。この流れガイドは、コアの２つの内側（図４．３３）および外側（図４．３４）パイプから僅かに後退して配置される。サイクロンの出口ノズルの上で、内側パイプの壁に配置された輪郭を描かれた構造と同様の傾斜で、複数のブレード（図４．６６）が、外側パイプと流れガイドとの間に配置される。内側パイプ内へ導く燃焼チャンバーは、反応炉のコアの上に置かれ、このチャンバーのベース（図４．６７）が、反応炉の外側パイプと内側パイプの頂部へ取り付けられる。この反応炉のベースは、内側パイプとともに、外側パイプとともに形成された第２のハウジングの傾斜された複数のブレードのカーテンによって分離された、環状のハウジングを形成する。内側パイプと流れガイドとの間を昇る、上昇流のガスは、内側パイプおよび燃焼チャンバーのベースとともに形成されたチャンバー内で加熱される。この加熱されたガスは、複数のブレードのカーテンを通り抜ける。このブレードのカーテンでは、燃焼チャンバー内へ流されるガスの方向と同じ方向に回転する下降的な動きがガスに伝えられる。そして、ガスは、タンクの外側パイプの壁に沿って回転する下降的な渦を形成するように、外側パイプと流れガイドによって形成された領域に入る。

２．９
特定の実施例において、反応炉コアの外側パイプ内へマイクロ波が拍動で送られる。これらのマイクロ波は、外側パイプの円筒領域内へ、少なくとも１つのマイクロ波源、好ましくはマグネトロンから、例えば、内側パイプを打つように注入される。

２．１０
ある実施例において、全ての可能な割合からなるガス混合物（ＣＯ_２、Ｈ_２Ｏ、ＣＨ_４）が、外側パイプの壁に対して接線方向から内側パイプ空間内へ注入される。

２．１１
特定の実施例において、太陽放射が、反応炉コアの表面で像に収束し或いは反射される。この反射された像は、反射されたエネルギーの全てが、反応炉によって吸収されるように、反応炉コアの直径より少ない或いは等しいサイズを有する。また、放射を受ける領域は黒色であり、コーティングは紫外線の反射を防止するため量子粒子を随意に含む。収束或いは反射は、例えば、平らな、球形の、或いは卵形のミラーによって、或いは、平らな、卵形の、或いは球形の構造に搭載された複数の平らな或いは球形のミラーを組み合わせることによって、達成される。単一の集光レンズ、或いはフレネルレンズが、収束する光線を生出するように随意に使用される。一般的には、反応炉に対する太陽光線の反射或いは収束は、反応炉の表面で太陽光を反射するため、多くのタイプの太陽炉、或いは光反射手段を使う。太陽放射を受ける複数の領域は、金属或いは金属合金で形成され、金属或いは金属合金でコーティングされ、１０００℃を超える高い温度、好ましくは２０００℃を超える温度に耐えることができる。

２．１２
他の実施例において、ＦＢＣＢ＿ｄｃの外側パイプは、１５００℃の温度に耐える、少なくとも１つの石英窓、或いは他のあらゆる透明材料を備えている。太陽放射は、上述した２．１１で説明したプロセスの１つによって、反応炉コアの内側の像内に収束或いは反射（窓を通って）される。複数の像は、太陽エネルギーの全てが反応炉の内部へ浸透するように、窓の直径より小さい或いは等しいサイズを有する。ある実施例において、太陽光は、単一チューブコアを伴う複数の反応炉、或いは二重チューブコアを伴う複数の反応炉のため、燃焼チャンバー内へ直接的に注入される。

他の実施例において、太陽放射は、大きな直径（５０センチメーターと１０メーターとの間）を有するフレネルレンズを用いることにより、燃焼チャンバー内へ直接的に注入される。このレンズは、太陽放射が、燃焼チャンバーの中心に収束することをひき起こす。

２．１３
最後のサイクロン内へ通った後、小粒は、ガス化を完了するように、反応炉のベース或いはバスケットに置かれる。反応炉のベースは、ＦＢＣＢタイプコアを形成するパイプの最後の部分、或いはＦＢＣＢ＿ｄｃタイプ反応炉の外側パイプと一致する。反応炉のベースの開口は、スクリーン（図７．６８）によってふさがれる。このスクリーンの多数の孔は、灰およびとても小さい石炭粒子の通過を許容するに十分な大きさ（およそ数ミリメーター）を有する。複数の孔のサイズは、５００マイクロメーターと０．５ミリメーターとの間である。このスクリーンは、可動であり、手動或いは自動スクリューシステム、或いは水圧或いは気圧アクチュエーターシステムのいずれかによって、或いはスクリューおよびバネシステムによって、或いは実施される３つの動作の組み合わせが可能なあらゆる他のシステムによって、下降或いは上昇され且つ回転される。ある実施例において、このスクリーンを動かすことのできるシステムは、灰を除去して小粒床の圧縮をさけるように、急な上方に向かう振動の動きを一斉に伝達する。このベーススクリーンは、灰を落とすとともに前述の理由のためガス化を増進するように、超音波源にも接続されている。一般的には、複数の溝、複数のスクリーン、或いは小粒床における流れの通過を促進するとともに、ガス化を増進するように、連続した或いは交互の（パルス）超音波源へ反応炉全体が接続される。スクリーンの後、半円錐構造（図７．６９）が、灰が灰タンク（図７．７０）内へ指向できるようにする。このタンクおよび半円錐構造は、分離システム、例えば灰タンクを円錐構造から分離できる気圧バルブ或いはあらゆる他のシステムによって、分離される。パイプは、半円錐構造を、ガス／粒子分離サイクロン（図７．７１）の入口へ接続する。ポンプ或いはターボポンプが、半円錐構造と分離サイクロンとの間に随意に挿入可能であり、反応炉のガス出口が調節可能となる。ある実施例において、分離サイクロンは、接線方向のチャージおよび軸方向の排出を伴うサイクロンであり、しかし、あらゆる他のタイプのサイクロンが適しており、遠心、或いはフィルターをベースにしたシステムを含む。

分離サイクロンの灰出口が第２の灰タンク内へ導く。灰の排出および回収が可能なように、２つのタンクが、ウォーム軸によって接続される。ある実施例において、分離サイクロンの灰出口は、ガス化するものとして同じ灰タンク内へ導く。

バイオマスが木炭の製造に使用された場合、得られた灰は、エステルおよびグリセロールを製造するため、植物ベースのオイルを鹸化するために使用される灰汁の中でリッチである（石鹸製造の原理）。これらの反応は、上記１．３で説明した太陽／マイクロ波反応炉（Ｆ＿ｓｍｏ）内で製造可能である。

エステル化反応は、例えば、以下の４つのステップに分解できる：
１）脂肪および油の加水分解；
２）加水分解された脂肪酸およびグリセロールの分解；
３）例えば、燐のハロゲナイド（Ｘ_３Ｐ）（Ｘ＝Ｉ、Ｂｒ、Ｃｌ、Ｆ、ｅｔｃ．）を伴うＲＣＯＯＰＸ_２或いはＲＣＯＸ（燐酸ジエステル或いはアルカロイドハロゲナイド）を形成する反応による、加水分解された脂肪酸の活性化；
４）アルコールエステルを形成するアルコールと活性化されたエステルとの間の反応。

活性化反応は、ＨＸのような強酸を伴って、アルコールハロゲナイドを形成することによって、随意に得られることができる。

２．１４
特定の実施例において、サイクロン反応炉の内側コア（内側パイプ）の最後のサイクロンは、閉塞された逆さにされたコーン（図１２．８９）で終わる。コーンの壁で始まる複数のチューブは、サイクロンの主軸と垂直な方向に延び（図１２．８８）、この書類では、吸引ウェルと称する。好ましくは、３つの吸引ウェルが互いに１２０°の関係で配置される。各吸引ウェルに対向して、ウェルの方向と垂直に、バーナー（図１２．８７）が配置され、燃焼ガスがウェルの開口と垂直な方向を有するように、熱分解ガス或いは追加のガスを燃やすことができるようにする。従って、最後のサイクロンのベースに到達した粒子が、ベルヌーイ効果によって、バーナーの炎に向けて吸引される。さらに、渦の方向と略平行な複数のバーナーの炎の方向は、二重コア反応炉の外側パイプ内で生出されたガス渦巻を持続する。従って、この吸引ウェル−バーナーシステムは、内側パイプの最後のサイクロンのベースに落ちる灰が引き出されることを可能にし、未だに反応されていない最後の炭素粒子がガス化できるようにする。

２．１５
特定の実施例において、ガス化の中で形成可能なＨ_２ＳやＮＯ_３のような種々の不所望な化学の形を減少するために使用される電気グライディングアーク（ＧｌｉｄＡｒｃ）プロセスは、回転する複数のブレードを備えた回転翼（図１３．９３）或いはローター、およびクロスして或いは複数の枝を有する星形に配置された固定スクリーン（図１３．９２）で成り立つ、サイクロン反応炉或いはＴｂ＿ｓｍｏ内の種々の場所に導入された電極システムを含む。スクリーンの各アームは、１００ボルトと１０００キロボルトとの間の連続した或いは交互の電位にされ、一方、回転翼或いはブレードローターは、グランドに接続される。反応炉内におけるガス流通の作用に基づく回転によって、回転翼或いはローターの各ブレードは、クロス或いは星形のバーの向かい側を通る。ローター或いは回転翼とクロス或いは星形との間の距離は、上記ブレードとクロス或いは星形のバーとの間に１つ或いはそれ以上の電気アークを形成するようにされる。バーから離れて動くことにより、ブレードが電気アークを伸長し、それにより電気アークにグライディングアークの性質を与え、非平衡プラズマを発生する。電気アークの形成および伸長の筋書きは、星形或いはクロスのバーの向かい側の回転翼或いはローターブレードの各通過によって再び起こる。ある実施例において、グランドへの接続と電位への接続が、ローター或いは回転翼と星形或いはクロスとの間で逆さにされることができる。

ある実施例において、ローター或いは回転翼のレベルで配置された複数のディスク（図１３．９４）および／或いはクロス或いは星形は、ひき起こされた反応の有効性を改良できるようにする。

回転翼／ローターおよびクロス／星形グライディングアーク装置は、プロセスの種々の場所に配置可能であり、特に、サイクロン反応炉の内側パイプのサイクロン内における上昇ガスを追い出すためのＴ導管のレベルで、或いはガス化反応炉の後でガスと灰との間の分離サイクロンの出口で、配置可能である。

３．１
サイクロンガス化反応炉へ供給するガス（ＣＯ_２、Ｈ_２Ｏ、ＣＨ_４、Ｏ_２）は、複数のポンプや複数の通常の炉を用いる異なるプロセスによって、圧縮され、加速され、および加熱されることができる。しかし、特定のプロセスにおいて、サイクロンガス化反応炉へ供給するガスの全てが、太陽／マイクロ波炉ターボポンプによって、加熱されおよび加圧される。

太陽／マイクロ波ターボポンプ（Ｔｂ＿ｓｍｏ）は、１センチメーターと５メーターとの間の直径、および１０センチメーターと５メーターとの間の長さを伴うパイプ（図８．７２）からなる。Ｔｂ＿ｓｍｏの大きさは、加圧および加熱されたガスの本質および使用に基づく。好ましくは、Ｔｂ＿ｓｍｏは、複数のサイクロンで使うガスを圧縮および加熱するため、およそ２０センチメーターの直径、およびおよそ１．５メーターの長さを有する。燃焼チャンバーの複数のバーナーで使うガスを加熱および圧縮するため、およそ１０センチメーターの直径とおよそ７０センチメーターの長さを有する。Ｔｂ＿ｓｍｏを構成するパイプは、真空下で、或いはＴｂ＿ｓｍｏの閉じ込めチャンバーの性質と同じ性質を有するガスを収容して、透明なチャンバー内に閉じ込められる。

好適な実施例において、Ｔｂ＿ｓｍｏのパイプの入口は、熱のロスを制限するガスがＴｂ＿ｓｍｏ反応炉のパイプを浸透可能なように、透明な閉じ込めチャンバー内へ開口する。

しかしながら、Ｔｂ＿ｓｍｏ反応炉のパイプの入口は、Ｔｂ＿ｓｍｏ反応炉のパイプを浸透するガスと多孔体のメッシュとの間の非常に多くの接触を要求する多孔体によって閉じられる。好ましくはセラミックで形成された多孔体は、広い交換面を有し、太陽光線の吸収体として作用し、Ｔｂ＿ｓｍｏ反応炉の熱イナーシャを改良する。この多孔体は、例えば、ハニカムタイプのマルチチャンネルモノリスであり、例えば、キン青石、或いは炭化ケイ素ＳｉＣで形成された多孔性のセラミック泡で形成される。この実施例において、ＣＯ_２、ＮＨ_４、或いはＨ_２Ｏのような温室効果ガスは、熱のロスを制限するガスとして好適である。熱のロスを制限するガスは、反応炉パイプの開口に対向する閉じ込めチャンバー内へ注入される。そして、ガスは、透明な閉じ込めチャンバー内を流れ、Ｔｂ＿ｓｍｏ反応炉パイプの壁を透明な閉じ込めチャンバーの壁から絶縁する。この方法において、このガスは、太陽光線によって加熱され、内側からマイクロ波によって加熱された、反応炉Ｔｂ＿ｓｍｏパイプの壁からくる赤外線を捕集し、反応炉パイプの入口へ移動するにつれて自身を加熱する。そして、このガスは、多孔構造に接触してガスがさらに加熱される多孔体を通って、Ｔｂ＿ｓｍｏ反応炉のパイプ内へ勢い良く流れる。そして、このガスは、ガスが加速されるローターへ、反応炉のパイプの部分を浸透し、圧縮されて加熱される。

パイプの中心で、少なくとも１つのピンが配置される。このピンは、ピンの初めの１／３（図８．７３）および最後の１／３（図８．７４）に配置されたローターを伴って２つの領域に取り付けられる。これらローターの各領域は、例えば、ピンについての回転における各６°に配置された６０個のブレードからなる３つのローターからなる。これら複数のブレードは、ほとんど同じだけ傾斜され；しかしながら、タービンステージに一致するピンの最後の１／３の複数のローターブレードの傾斜は、コンプレッサーステージに一致する最初の１／３の複数のブレードの傾斜より大きい。複数のローターの列の数は、指し示すためだけに与えられており、ポンプのパワー或いはサイズに従って減少或いは増大されることができる。複数のブレードのサイズおよび傾斜は、タービンが受ける圧力に基づく。ローター毎のブレードの数は、指し示すだけであり、Ｔｂ＿ｓｍｏのサイズおよびパワーに従って変化する。ローターピンは、随意に卵形の形（図８．７５）を有し、反応炉の内側の容積が第１のローター領域のレベルへ段々に減少できるようにする。この同じ領域において、パイプの壁のふくらみ、或いは湾曲は、第１のローター領域の全ての部分を越えてパイプの断面を段々に減少する。第１のローター領域に隠れて配置された部分において、ピンの第２の１／３のレベルで、環状のマイクロ波チャンバー（図８．７６）が複数のローターの回転ピンを囲む。ある実施例において、この環状のチャンバーは、ピンと一体にされ、ピンと一緒に回転する。ピンを囲む環状チャンバーの壁は、ピンに対向する環状チャンバーの壁より長い。ピンに対向する環状チャンバーの壁は、Ｔｂ＿ｓｍｏのパイプの壁を伴って、通路を通るガスが環状チャンバーに隠れた領域を浸透できる通路を形成する。環状チャンバーの複数の壁は、マイクロ波を反射でき、且つおよそ２０００℃の高温に耐えることができる材料、一般的には、アルミニウムとチタニウムの合金、ニッケルとタングステンの合金、ステンレス鋼、ガラス質のセラミックで被覆された炭素、セラミック、或いはあらゆる他の十分に耐火性の複合物で形成される。マイクロ波は、環状チャンバーの内側に向けて跳ね返すのに十分な角度で回転ピンを囲む壁でマイクロ波が反射されるように、環状チャンバー内へ注入される。これらマイクロ波は、環状チャンバーの壁がピンに対向した直ぐうしろに注入される。これらマイクロ波は、少なくともマグネトロンによって生出される。好ましくは、４つのマグネトロン（図８．６）が、交差する配置で、マイクロ波を、環状マイクロ波チャンバー内へ注入する。これらの波は、ウェーブガイドの手段（図８．７）によって、環状チャンバー内へ注入される。一般的には、あらゆる効果的な無線周波数源が、例えば使用可能なウェーブガイドによって、方向付けされることができる。マイクロ波の作用の下、環状チャンバーに収容されたガスは、ガスを膨張させてピンの最後の１／３のローターを通ってガスを放出する重大な加熱を経験する。最後の１／３のローター内におけるガスの通過の作用の下、ピンが回転し、ピンの最初の１／３のローターの複数のブレードが、ガスを環状チャンバーに向けて推進し、一方で、断面の減少のためガスを圧縮する。環状チャンバー内でマイクロ波によって圧縮および加熱されたガスは、ピンの最後の１／３のローターの複数のブレードを通るガスの排除によって動きを維持する。複数のミラーおよび複数のレンズがＴｂ＿ｓｍｏのパイプに沿って規則正しく分配された構成において、太陽熱エネルギーは、熱の蓄積によってひき起こされた均一な膨張（ＰＶ＝ＮＲＴ）のみによって、ガス圧縮に含まれる。しかしながら、運動圧縮エネルギーに変えられた太陽熱加熱のため、ミラーの表面およびレンズのサイズは、ピンの最後の１／３のローターの領域で、局所的に増大されることができる。このレベルで与えられた追加の太陽エネルギーは、ガスをさらに加熱し、ピンの速度を加速して、圧縮を加速する。

ある実施例において、ピンの最初の１／３のローターは、遠心コンプレッサーによって置き換えられることができる。この構成において、Ｔｂ＿ｓｍｏのパイプの直径は、圧縮ステージで、それを受けることができるように、増大される。

このＴｂ＿ｓｍｏは、車両（空、陸、海、など）の推進のために使用されるターボジェットエンジンの新しい世代の設計のための基礎として供給することができる。反応炉のステージ或いは圧縮ステージとタービンステージとの間に、マグネトロンからマイクロ波を注入するウェーブガイドを収容した環状マイクロ波チャンバーを追加することによって、反応炉のパワーを増大することができ、ガスのより多くの拡張を導く。この拡張は、マイクロ波によって気化される水を追加することによって増大され、推進力に関係する。このプロセスは、燃料内にある水がマイクロ波によって気化されて推進力として供給されることから、燃料内に水があることの成り行きを制限することができる。

複数のマグネトロンの電力消費は、回転ピンと垂直に、１つ或いはそれ以上の“テスラ”バーマグネット（例えば、長手方向に磁化された２．５テスラのバー）を導入するにとによって、補償される。これら複数のマグネットバーは、例えば、直接的に、圧縮ステージの複数のローターブレードであることができる。複数のマグネットの回転の平面と垂直に、銅線或いは他の金属線で形成された１つ或いはそれ以上のコイル、および超伝導体線（例えば、カーボンナノチューブブレード、ｅｔｃ．）が、Ｔｂ＿ｓｍｏ或いはターボジェットのパイプ内に或いはパイプに配置される。ピンの回転は、コイルの平面と垂直に回転する磁界の製造をひき起こし、多くの量の電流を製造できるようにする。

Ｈ_２Ｏが高い双極子モーメント（１．８５）を有する場合、Ｔｂ＿ｓｍｏによるこのガスの加熱および圧縮が、非常に効果的になる。Ｔｂ＿ｓｍｏの出口で、加熱されたガスが、サイクロンガス化反応炉の異なるサイクロン内へ直接的に注入される。しかしながら、メタン、ＣＯ_２、および空気が、平均で、低い双極子モーメントを有する場合、これらのガスは、燃焼チャンバーの複数のバーナー内へ注入される前に、Ｔｂ＿ｓｍｏによって加熱および加圧されるように、好ましくは水蒸気と混合されるべきである。

水の中で自然にリッチなこれらの熱分解ガスは、燃焼チャンバー内へ注入される前に、Ｔｂ＿ｓｍｏによって、効果的に、加熱および加圧される。

ガスへの水の追加を避けるための代替は、ガスがマイクロ波に接触する間の放電でガスをイオン化することからなる。

複数のサイクロンガス化反応炉内で使用される水蒸気の一部は、太陽／マイクロ波炉（Ｆ＿ｓｍｏ）内で蒸発させられた水から製造される。水蒸気の残りは、バイオマスに含まれた水、或いは燃焼チャンバー内における燃焼の間に製造された水から来る。注入されたガスの圧力は、１と２０００ａｔｍとの間で変化する。

３．２
ある実施例において、Ｔｂ＿ｓｍｏは、砂、或いは重ねられた軽石、炭化シリコン、或いはあらゆる他の研磨材のような他の研磨材のサイクロン（図３．２７）が、サイクロンの接線方向の入口内へ放出できるようにする。この研磨材の放出は、木炭粒子の非常に早い侵食を可能にし、ガス化の能率の良さを増大する。

ある実施例において、研磨材は、複数のサイクロン内へ接線方向から放出される前に、Ｆ＿ｓｍｏによって、２００℃と６００℃との間で予め加熱され、或いは焙焼或いは熱分解相の間、焙焼や熱分解を加速するように、自然のままの材料に随意に混合される。

３．３
ある実施例において、Ｆ＿ｓｍｏは、太陽光部分およびマイクロ波部分に分けられる。太陽光部分は、加熱の有効性を増大するように、櫛（図８．８３）として配置される。この櫛の歯のアッセンブリは、マイクロ波源を収容する単一パイプに接続される。より好適な実施例において、この櫛の歯は、閉じ込めチャンバー内へ開く多孔体によって満たされる。

ある実施例において、櫛の端部は、大気に導かれ、空気を吸引および加熱できるようにする。焙焼或いは熱分解の前に、自然のままの材料を乾燥させるため、暖かい空気が使用可能である。

同様のアッセンブリが、Ｔｂ＿ｓｍｏのため、考えられることができる。

ある実施例において、マイクロ波が、赤外線源に結合可能である。無線周波数の第２の源は、分子の中の非対称の動きを含む。現実に、赤外のエネルギーは、分子の化学ボンドの振動によって、実質的に吸収される。このことは、分子の温度における増大に加えて、一時の双極子モーメントを発生する時折の非対称の振動モードを生出する。多孔分子は、それゆえに、マイクロ波に対して一時的に敏感になる。

ある実施例において、マイクロ波と赤外の周波数との組み合わせが、考えられる種々の構成のため、ＣＯ_２のようなガスを加熱するために使用される。

４．１
ある実施例において、サイクロンガス化反応炉は、このサイクロン反応炉を出た後のガスと灰を分離するサイクロンを含んで、全体的に断熱される。この断熱は、例えば、周囲の空気に触れる全ての部分を断熱材（ロックウール、セラミック、ｅｔｃ．）でカバーすることによって、得ることができる。

特定の実施例において、サイクロン反応炉全体が、測熱チャンバー或いは魔法瓶の中に収容される。測熱チャンバー或いは魔法瓶は、サイクロン反応炉の複数の壁と閉じ込めチャンバーとの間で高い真空を維持する。この真空は、測熱チャンバーを密閉することによって変化することがなく、測熱チャンバー内に収容された空気をポンプで送ることによって絶えず変化する。このポンピングは、例えば、Ｔｂ＿ｓｍｏ或いはＦ＿ｓｍｏで実施され、ガスのイオン化が可能である。

４．２
サイクロンガス化反応炉の出口で、ゴミとガスの分離サイクロンを通り抜けた後、ＣＯおよびＨ_２を主に含むガス混合物は、殆ど減少されないＣＯ_２を含む。ガス化の調節に従って、出口ガスの組成は、（水蒸気を含まず）３７％のＣＯ、２７％のＨ_２、７％のＣＯ_２、６％のＯ_２、および１．５％のＣＨ_４である。これらの割合は、単なる一例であり、装置の適応に従って意味をもって変わることができる。しかしながら、これらの値は、ＣＯとＨ_２の割合がフィッシャー−トロプシュ合成に必要とされる割合と一致しないことを示している。不均衡をなおすため、ＣＯ_２が他のガスから分離されることができる。他のガスからＣＯ_２を分離するためのあらゆる方法、特に極低温を要する方法が使用可能である。

しかしながら、これらのプロセスは、多くのエネルギーを消費する。

特定の実施例において、我々は、ＣＯ_２が、ＣＯの水可溶化率（０℃、および１．０１３バールで、１．５×１０^−３モル／リッター）、ＣＨ_４の水可溶化率（０℃、および１．０１３バールで、２．４×１０^−３モル／リッター）、およびＨ_２の水可溶化率（０℃、および１．０１３バールで、０．９×１０^−３モル／リッター）より高い水可溶化率（０℃、および１．０１３バールで、７６．６１０^−３モル／リッター）を有する事実を利用する。

ガスおよび灰の分離サイクロンの出口で、ガスは、１つ或いはそれ以上の熱交換器を通り抜け、そこで、これらのガスは、その熱を、
−水、
−水蒸気、
−ＣＯ_２
−フィッシャー−トロプシュ反応炉内で反応するように仕向けられた合成ガス混合物、
−精製されるように仕向けられた生産物、および
−一般的に、その転換サイクルの間、熱を必要とするあらゆる生産物、へ移す。

室温にされた後、ガス状の混合物は、水を収容した分離タンク内に泡にされて入れられる。タンクの水容量は、差し示す目的のため、１０リッターと１０００リッターとの間である。非常に多量のガスを処理するため、タンクの容量は、１０００リッターを超えても良い。このタンクは、密封されて、上方位置（水の上）のバルブが、溶解されなかったガスを放出できる。この分離タンクは、随意に、サーモスタットで、０℃と３５℃との間の温度にコントロールされる。このタンク内へのガスの注入は、１バールと１００バールとの間の圧力で実施される。水が不凍剤或いは塩分を含んだ製品を含む場合、タンクの温度を０℃未満にすることができ、より良い溶解を可能にする（温度は−２０℃から＋３５℃へ変化する）。

水は、脱ガスの後、再注入される前に、タンクからポンプで送られる。ポンピングは、泡が浮遊していない、ガスの泡立つポイントから大きく離れた場所で行われる。ポンプで送られる水の流量は、タンク内でガスを泡にする割合と比例させることができる。この割合は、ガス状の混合物中のＣＯ_２の割合およびＣＯ_２の可溶化の割合に従って、ＣＯ_２の溶解を最適化し且つ他のガスの溶解を制限するように調節される。水に溶かされるＣＯ_２の割合は、水の物理化学特性により、特に、ｐＨおよび塩分濃度による。ＣＯ_２の溶解率を増大するため、好ましくはｐＨが基本となる。このｐＨは、特に、木炭のガス化から得られる一般に灰汁内でリッチな灰に基づいて調節されることができる。ＣＯ_２は水中に素早く溶け、一方で、他のガスは主にタンクの空気部分内を通る。熱分解のために使用される自然のままの材料の原因に基づいて、サイクロンガス化反応炉を離れるガスは、ＮＯ_Ｘ、ＨＳ_Ｘ、重金属、およびそれに順ずるものにより、殆ど同じだけ汚染される。

これらの複合物は、一般に、水中（或いは確かな溶解力がある混合物の中）でとても高い可溶化率を有し、それゆえに、適した溶媒の中で泡を立てる間に溶かされる。ある実施例において、タンクからポンプで送られた水（或いは他のあらゆる溶媒）は、泡立て中に溶かされた異なる溶質を、Ｈ_２ＣＯ_３の形で溶かされたＣＯ_２を含む塩水内に集中するように、逆浸透のプロセス或いは濾過によって処理される。多くの水処理プロセス（脱塩、水の浄化、蒸留、およびそれに順ずるもの）が既にあり、使用可能である。

濾過の後、直接的に或いは随意に、層流としてポンプで送られた水は、超音波、高真空、或いは急な加熱によって、ガス抜きされる。これら３つの処理の組み合わせは、同時に或いは連続して与えられることができる。好ましくは、水は、真空および超音波の作用によってガス抜きされる。このガス抜きによって得られたガスは、主にＣＯ_２からなり、随意にＮＯ_ＸおよびＨＳ_Ｘを含む。このＣＯ_２は、十分に純粋である場合、加熱の後、サイクロンガス化反応炉内へ再び導入されることによって、ガス化サイクル内へ再び導入される。得られたガス混合物は、２つの中空或いは多孔性炭素電極の間の電気アークによって生出されたプラズマの境界で、随意に、液／ガスの段階的な還元に晒される。この還元段階の間、ＮＯ_ＸおよびＨＳ_Ｘは、硫黄或いはＮ_２へ還元され、或いは中間酸化数を有する複合物へ還元される（この還元は、電気的グライディングアークタイプの処理によって完了される）。

これらの還元のために使用される２つの炭素電極は、アルミニウム、マグネシウム、或いは他のあらゆる還元金属のような付加剤を、例えば、炭素粒子と塊りにされた粉の形で、含む。これらの金属は、水、ＣＯ_２、或いは電極の炭素との間の反応による、ＣＯおよびＨ_２の製造を増進する。酸化還元反応によって発生された金属酸化物は、電流およびプラズマの強い光によって再生され、特に、ＭｇＯがプラズマによってＭｇと酸素（この酸素は炭素と反応する）に還元される。炭素電極は、水、ＣＯ_２、および炭素と反応して、ＣＯ、２個の水素、およびＳｉＣを製造する、ＳｉおよびＳｉＯ_２付加剤を随意に含むことができる。これら付加剤は、プラズマ反応炉の水の中に存在することもできる。電極内における付加剤の粉の分布は、例えば炭素だけを含む層によって分割された一連の層内で、均一或いは不均一である。電極の炭素は、例えば、サイクロンガス化反応炉の灰タンクおよびガスおよび灰分離サイクロン内を通るウォーム軸によって回収された灰から来る。

冷却の後、１つ或いはそれ以上の熱交換器は、ウォーム軸のレベルで、転換サイクルの間に熱を必要とする熱生産物のため回収し、冷たい灰が液圧サイクロン内で洗浄される。そして、１マイクロメーターと１ミリメーターとの間のサイズを有する、とても細かい、均一、或いは不均一な粒子へ挽かれる。これらの粒子は、ＣＯ_２の還元および炭素の酸化を増進する異なる複合物（金属、燐を含む、Ｓｉ、ＳｉＯ_２粒子、ｅｔｃ．）と随意に混合される。これらの粒子からペーストが製造され、炭素複合物に基づく糊、或いは耐水性の樹脂、例えばあらゆるセメントのような結合剤の随意の追加の後、電極として、モールドされ、或いは引き延ばされ、および圧縮される。

電気アークのプラズマにおける還元の後、回収されたガスは、他の分離ステップを受けさせられる。

それを含む灰汁のためとても基本的な灰の洗浄のための水は、ガス分離のための水のタンクのｐＨを増大するために、或いはこの目的（１．３および２．１３に示す）を指すＦ＿ｓｍｏ内の脂肪および油の加水分解のための塩水として使用される。一般的に、水の泡立ておよび洗浄の全ては、逆浸透によって再処理され、濾過されて、中空炭素電極を用いた電気的還元に晒される。蒸留方法も考えられることができる。

４．４
分離タンクの空気部分内に回収されたガスは、主にＣＯおよびＨ_２を含む合成ガスを形成する。これらのガスは、予め決められた圧力で開かれるように口径を測定されたバルブを通して回収される。それにもかかわらず、僅かな割合のＣＯ_２、ＣＨ_４、およびＯ_２、およそ１から３％が、各複合物のために残る。

反応（Ｆｔ）のための順序
（一般のＦＴ）：ｎＣＯ＋２ｎＨ_２⇒−（ＣＨ_２）−＋ｎＨ_２ＯΔＨ_２９８＝−１６５ＫＪ．ｍｏｌｅ
アルカンの形成：ｎＣＯ＋２（ｎ＋１）Ｈ_２⇒ＣＨ_２ｎ＋２＋ｎＨ_２Ｏ
２ｎＣＯ＋（ｎ＋１）Ｈ_２⇒ＣＨ_２ｎ＋２＋ｎＣＯ_２
アルケンの形成：ｎＣＯ＋２ｎＨ_２⇒ＣＨ_２ｎ＋ｎＨ_２Ｏ
２ｎＣＯ＋Ｈ_２⇒ＣＨ_２ｎ＋ｎＣＯ_２
アルコールの形成：ｎＣＯ＋２ｎＨ_２⇒ＣＨ_２ｎ＋１ＯＨ＋（ｎ−１）Ｈ_２Ｏ
２（ｎ−１）ＣＯ＋（ｎ−１）Ｈ_２⇒ＣＨ_２ｎ＋１ＯＨ＋（ｎ−１）ＣＯ_２

効率よくするため、使用された合成ガス混合物に敬意を払うことが、反応式の化学量のため必要である。現実に、ＣＯ／Ｈ_２比は、ＦＴ合成における支配的な反応に適応させる。さらに、種々の現存する反応炉内におけるＣＯとＨ_２との間の異なる拡散のため、合成ガスの構成は、使用されたＦＴ反応炉に従ってしばしば調節されなければならない。最後に、ガス化の間に製造される２次的なＣＨ_４およびＣＯ_２ガスを減少することが重要である。

第１のステップにおいて、合成ガス内に含まれた水は、例えば、冷却タワー内で、或いは合成ガスの温度を０℃に近付けることができるあらゆる手段による、水蒸気の液化によって、除去される。冷却ガスの圧縮は、Ｔｂ＿ｓｍｏによって随意に実施される。製造された液体の水は、合成ガスに含まれるＣＯ_２のいくらかを駆動する。液化水のＣＯ_２は、脱ガスによって回収され、合成サーキット内へ再び導入される。

乾いた合成ガスは、水蒸気によって、所望される最終的なＣＯ／Ｈ_２比によって決められた割合に加湿される。

そして、加湿された合成ガスは、例えば、Ｔｂ＿ｓｍｏ内で、或いは単純な中空太陽／マイクロ波炉（タービン或いはウォーム軸を含まない）内で、或いは他のあらゆる手段内で、２００℃と１２００℃との間の温度へ再び加熱される。

このことは、以下の反応に従って、Ｈ_２がＣＯから製造されることを可能にし、不所望なＣＯ_２の製造を防止する。
ＣＯ＋Ｈ_２Ｏ⇒Ｈ_２＋ＣＯ_２ΔＨ_ｒ（６００Ｋ）＝−３９ＫＪ．ｍｏｌｅ
製造されたＣＯ_２は、上述した複数のプロセスのうちの１つに従って除去可能であるが、これらのプロセスは、合成ガス方式における不均衡を生出する危険性がある。

プラズマを伴う電気化学のＣＯ_２減少方法が好適である。

５．１
特定の実施例において、電気化学反応炉が、太陽／マイクロ波ターボポンプの根本原理に基づいて製造される。太陽／マイクロ波ターボポンプにおいて、太陽／マイクロ波反応炉或いはマイクロ波反応炉（Ｒ＿ｓｍｏ）を得るように、“太陽”部分（複数のミラーおよび複数のレンズ）が、除去、或いはローターの第２の領域および環状チャンバーのレベルで配置された部分のみへ減少される。Ｒ＿ｓｍｏを形成するパイプは、好ましくは、１０センチメーターと２０センチメーターとの間の直径を有し、パイレックス（登録商標）、石英、およびそれに順ずるものなど、例えば、電気的絶縁材で形成される。誘導された流れの通過を制御する状況下では、導電性材料が適している。マイクロ波を透過する材料が使用された場合、Ｒ＿ｓｍｏは、少なくともマイクロ波に晒されるＲ＿ｓｍｏの領域（第１のローター領域に隠れた領域に一致する）でマイクロ波を反射する、例えばアルミニウムチューブや他のあらゆる材料などのマイクロ波を反射する構造内に閉じ込められる。第１のローター領域の少なくとも１つのローターは、電気的絶縁材で形成され或いはローターピンから絶縁された複数のブレードからなる。上記ローターは、それ自身が電気的に導電性を有するとともに接地されたローターピンに接触した少なくとも１つの電気的導電ブレードを有する。Ｒ＿ｓｍｏの壁の上で、ローターの回転の平面内において、１００ボルトと１０００キロボルトとの間の電流に晒される少なくとも１つの電極が設けられる。

特定の実施例において、ローターは、ローターピンに接触した４つの電気的に導電性のブレード、およびローターピンから電気的に絶縁され、或いは絶縁材料（例えば絶縁性のセラミック）で形成された残りのブレードからなる（図９．７７）。これら複数の導電性のブレードは、ピンに関してクロス状態で配置される。これらブレードの長さは、それらが、Ｒ＿ｓｍｏのチューブの壁から１ミクロンと５ミリメーターとの間の距離で配置されるように、決められている。ローターの回転の平面において、４つの電極が、（例えば、５０ミクロンと１センチメーターとの間のサイズを有し）互いに９０°の関係で配置されている。ある実施例において、これらの電極は、複数の回転翼部分（図９．７８）である。これら複数の導電ブレードの端部は、好ましくは、電極とブレードとの間の電気アークの形成を増進するように突出している。回転ピンが接地される（直流が使用され、ローターのピンおよび複数の電極が発生器の端子へ接続される）一方で、各電極は、高圧電流発生器の位相へ導かれる。

ローターの回転の間、複数の導電性のブレードは、複数の電極近く（５０ミクロンと１センチメーターとの間）へ導かれ、複数のブレードと複数の電極との間に電気アークを形成する。そして、複数のブレードが複数の電極から離れて移動し、電気的に絶縁された或いは中立の複数のブレードと交差することによる最も短い通路に従って、電気アークが、複数の電極と複数の導電性のブレードとの間で引き延ばされる。螺旋の電極が使用された場合、複数の電気アークは、電極に沿ってすべる。ある実施例において、複数のローターおよび電極ステージが、システムに追加可能であり、Ｒ＿ｓｍｏのパイプの可能な限り大きな断面をカバーするように、各ローターの複数の導電性の電極を千鳥状に配置する。

そして、所望された割合のメタン（ＣＨ_４）が加えられた好ましくないＣＯ_２を含む釣り合わされた合成ガスは、Ｒ＿ｓｍｏ内へ導入される。このＲ＿ｓｍｏでは、合成ガスが、複数の電気アークおよびメタンＣＨ_４の作用の下で、Ｒ＿ｓｍｏの第１の圧縮ステージによって吸引され、合成ガス内に存在するＣＯ_２の多くの部分が以下の反応によって還元される。
ＣＯ_２＋ＣＨ_４⇒２ＣＯ＋２Ｈ_２ΔＨ_Ｒ（６００Ｋ）＝２０５ＫＪ．ｍｏｌｅ^−１
同様に、合成ガス内に存在するＨ_２Ｏの多くの部分が、以下の反応によって還元される。
Ｈ_２Ｏ＋ＣＨ_４⇒ＣＯ＋３Ｈ_２ΔＨＲ（６００Ｋ）＝２０５ＫＪ．ｍｏｌｅ^−１
５．２−１
Ｒ＿ｓｍｏの電力消費は、少なくとも１つの固定マグネットおよび導電性或いは超伝導体ワイヤーコイルを反応炉パイプの壁のレベルで含む少なくとも１つのローターステージを第１のローター領域において導入することによって、減少されることができる。この固定マグネットは、複数の導電性ブレードを含む複数のローターの複数の電気的に絶縁されたブレードであることができる。好適な実施例において、これら複数のマグネットは、複数の導電性ブレードを含む複数のローターと異なる複数のローターに一体にされる。これら２つのタイプのローターは、第１のローター領域の２つの異なる部分において挟まれ或いは分離されることができる。あらゆる数のマグネティックブレードがあり得るが、複数のマグネティックブレードの形および配置、および複数の電気的コイルの形および配置のため、複数の導電性ブレードの数および配置を調節する必要がある。

特定の実施例において、マグネティックブレードの数は、ｎを偶数とした場合、２ｎブレードに等しい。

ｎ＝２である特定の実施例において、複数のマグネティックブレードは、クロスで配置される（図１０．７９）。この方向において、２つの対称なブレードが反対の極性“Ｎ／Ｓ”を有するように４つのブレードは対称である。それゆえに、これら複数のマグネティックブレードは、互いに９０°の角度差を有する。複数のソレノイド（図１０．８０）、例えば４つのソレノイドが、複数のマグネティックブレードを含むローターの回転の平面と垂直に配置される。回転により、ローターは、複数のソレノイド中に変化する磁界を生じ、ローターの回転周波数と同じ回転周波数で交流電流を発生する。ソレノイドの端子をＲ＿ｓｍｏのパイプの複数の電極のうちの１つに接続し且つ他方を複数の電極の平面内で回転する電気的導電ローターへ接続することにより、“マグネティック”ローターの回転が、電気的導電ローターとパイプの複数の電極との間の電気アークの製造に必要な電流を発生する。特定の実施例において、４つのソレノイドが、それらの端子のうちの１つによって、単一のローターへ接続される。このローターは、ピンから電気的に絶縁され、しかし、ローターの複数の導電ブレードは、互いに接続される。各ソレノイドの第２の端子は、導電ローターの回転の平面内にある複数の電極の１つに接続される。複数のマグネティックブレードを含むローターの回転の平面に関する複数のソレノイドの向きは、複数のソレノイドで誘導された電流が、電気的導電ローターに関して複数のソレノイド内でいつも同じ方向を有するように決められる。同じローターに接続された全てのソレノイドの電流は、複数のコイルからローターへ、或いはローターから複数のコイルへ一斉に流れる。

５．２−２
特定の実施例において、上記５．２−１で説明した複数の対称なブレードの配置の１つにおいて、複数のソレノイドが、交流発生器の複数の端子へ接続される。２つの対向するソレノイドは、誘導される磁界が軸に関して対称（反対方向）となるように、発生器へ逆に接続される。そして、ソレノイド−ローターシステムは、圧縮ステージで動作する電気的星形エンジンとして作用する。そして、タービンステージは、ガス圧縮を実施する電気的エンジンとして、除去されることができる。

ある実施例において、圧縮ステージは、外部の電気エンジンによって駆動可能である。

５．３
特定の実施例において、ｎが奇数として、ローターの２ｎ個のマグネティックブレードがある。これら複数のマグネティックブレードは、３６０／２ｎの角度ピッチに従って、ローター上に規則正しく配置される。これら複数のマグネティックブレードは、回転の軸に従って、２×２で対称であり、２つの対称なブレードは、反対の極性“Ｎ／Ｓ”を有する。ローター上の複数のマグネティックブレードの分布に従って形成された輪を通過することによって、軸の方向に対称なＮ磁極およびＳ磁極の規則正しい交替が得られる。この対象性は、回転の軸に関してＳ極に一致するＮ極を生じる。磁気的に中立の複数のブレードは、ローター内で所望する数のブレードを得るように、複数のマグネティックブレードの間に挿入されることができる。これら中立の複数のブレードは、複数のマグネティックブレードの複数の磁界の間のスクリーンとして供給する。ローターの回転は、ローターの回転の速度のおよそ２ｎ倍のとても速い磁界の変化を発生する。これらの磁界は、高周波電流（回転の速度の２ｎ倍）の製造に加えてとても速く変化し、Ｈ_２Ｏ、ＳｉＯ、或いはＩＣＰとして同じ原理に従うヘリウムのようなガスのような双極子モーメントを有する分子のとても速い加熱を可能にする。

しかしながら、マグネティックブレードローターの回転の平面に垂直な複数のソレノイドの配置において、複数のソレノイド内で誘導された複数の磁界は、固定的な磁界に対抗する。複数のローターの回転の平面と垂直に変化する、Ｒ＿ｓｍｏを通り抜けるガスが晒される、複数の磁界の強さは、とても低い。

５．４
特定のプロセスにおいて、Ｒ＿ｓｍｏの複数のソレノイドは、Ｚ形を有する。このソレノイドは、より高い平面内で半円を形成し、そして垂直な突起に従って低い平面内へ落ちる、ワイヤーからなる。この低い平面内で、このワイヤーは、他の補完する半円を形成し、そして、直交する突起に従って上方平面内へ上昇する。それゆえに、ソレノイド回転は、２つの垂直材によって接続された２つの重ねられた平行な平面内の２つの半円からなる。上方から見ると、ソレノイド回転はあきらかに円形である。ソレノイドを得るために動作が何回も繰り返される。この円形は、正方形、卵形、矩形、およびそれに順ずるいかなる外形によっても置き換えられることができる。

ｚ−ソレノイドは、２つの半円がマグネティックブレードローターの回転の平面に垂直（上方および下方）になり、且つ２つの半円を接続する２つのポストがローターの回転の平面と平行になるように、Ｒ＿ｓｍｏのパイプの周りに置かれる。これら２つのポストは、ローターの回転の平面内にあり、或いはこの平面に関してずれた位置にあることができる。回転の平面内の回転によって、マグネティックブレードローターは、ソレノイドの２つの垂直な半円を通る種々の磁界を製造する。この種々の磁界は、電流、および複数のブレードの固定磁界に対抗して誘導される逆の磁界を誘導する。垂直部分内への通過によってソレノイドのサーキットを通り抜ける電流は、他の磁界と垂直で且つ複数のローターの平面と垂直な磁界を生じる。この磁界は、補償されず、Ｒ＿ｓｍｏを通るガスへ与えられる。

ｎを奇数とし且つ交互になる極性を有するローターを使用することにより、数千ヘルツ（ローターの速度の２ｎ倍）の周波数で磁界を変化させることができる。この急な磁界の変化は、ガスを反応させるように十分に加熱できるローターの軸に平行な磁界を誘導する。高い周波数（２ＭＨｚより高い）で、誘導された磁界は、ＮＨ_３、Ｈ_２Ｏ、ＳｉＯ、およびそれに順ずるような極性のガスにおいて熱プラズマを発生することができる。

しかしながら、電気アークシステムに結合された磁界変化において、ＣＯ_２のように中立の極性の無い分子が、磁界変化或いはマイクロ波の作用の下で加熱されることができる双極子になる。このタイプの装置は、乾いたＣＯ_２の加熱に使用される。

５．６
特定の実施例において、ローターは、２ｎのマグネティックブレードからなる。ローター上に所望する数のブレードを得られるように、複数のマグネティックブレードの間に中立の複数のブレードが挿入されることができる。これら複数のマグネティックブレードは、３６０／（２ｎ）の角度ピッチに従って、ローター上に規則正しく配置される。これら複数のマグネティックブレードは、回転の軸に従って、２×２で対称である。これら２つの対称なブレードは、その端部で、同じ極性“Ｎ／Ｎ”或いは“Ｓ／Ｓ”を有する（図１０．８１）。複数のブレードの中央部分は、磁界に対するスクリーンを形成する材料によってカバーされることができる。代案は、端部だけが磁石の合成材料で形成された複数のブレードを製造することからなる。そして、ローターの周りに形成された、偶数個のソレノイドは、ローターの軸の周りに中心対称になるように配置される。好ましくは、ソレノイドの数は４つである（図１０．８０）。他のソレノイドは、Ｒ＿ｓｍｏのパイプの周りで、マグネティックローターの回転の平面に平行な面内で、好ましくは第１のローター領域と環状チャンバーとの間に配置される（図１０．８２）。ローターに垂直な各ソレノイドの複数の端子の１つは、ローターの平面と平行なソレノイドの同じ端子へ接続される。平行なソレノイドの第２の端子は、電気的導電ローターへ接続される。垂直な複数のソレノイドの第２の端子は、導電流ローターの回転の平面内に配置された壁の複数の電極のうちの１つへ接続される。ある実施例において、Ｒ＿ｓｍｏを形成するパイプは、導電性であり、電極の役割に置き換えて直接的に役割を実行する。複数の垂直コイルからきた全ての電流が、同時に、且つ同じ方向に、平行コイルに向かうように、電気回路が製造される。回転により、マグネティックローターは、複数の対抗するコイルの複数の磁界が対称に変化することをひき起こす。複数の垂直なコイルによって誘導された複数の磁界は、２×２で反対であり、それにより、コイルのねじれ力を減少する。４つの垂直なソレノイド内で誘導された電流は、平行コイル内を通り、マグネティックローターの回転の速度の２ｎ倍で変化する磁界を発生する。平行コイルが第１のローター領域と環状チャンバーとの間に置かれた事実は、ローターの過度の加熱を防止する。複数のローターのピンは、過度の加熱を防止するデフレクターによって保護される。

５．７
特定の実施例において、ＣＯ_２を減少するとともに、ガス化およびＦＴ合成位相の間に製造された過剰ＣＨ_４をＣＯとＨ_２に酸化するため、Ｒ＿ｓｍｏが使用される。ＣＯ_２／ＣＨ_４或いは随意にＣＯ_２／ＣＨ_４／Ｈ_２Ｏ混合物が、Ｒ＿ｓｍｏの複数のローターの第１の領域によって吸引される。この混合物は、１から５００マイクロメーターの炭素粒子（木炭、石炭）で濃縮される。マンガン、酸化マンガン、アルミニウム、マグネシウム、インジウム、チタニウム、鉄、銅、およびそれに順ずるもののような金属粒子、或いはガス混合物から製造されるＣＯおよびＨ_２の量を増大することのできるあらゆる他の金属が、混合物へ加えられる。

第１ステージの電気アークの作用の下、ガス分子が、上述したｒ１３からｒ１９への反応に従って、互いに相互作用し且つ炭素粒子と相互作用する反応性剤になるように、イオン化される。

粒子の形で注入された金属は、形成された異なる反応性剤によって酸化され、複数のプラズマ（光および電流）および環状チャンバー内でマイクロ波によって誘導された電流の作用の下で減少される。

一例として、我々は、マグネシウムの反応を挙げることができる：
Ｍｇ＋Ｈ_２Ｏ⇒ＭｇＯ＋Ｈ_２…ｒ１３
Ｍｇ＋ＣＯ_２⇒ＭｇＯ＋ＣＯ…ｒ１４
２Ｍｇ＋ＣＯ_２⇒２ＭｇＯ＋Ｃ…ｒ１５
２Ｍｇ⇒Ｍｇ＋Ｏ_２
２Ｃ＋Ｏ_２⇒ＣＯ…ｒ１６
或いは、アルミニウム：
３Ｈ_２Ｏ＋２ＡＬ＋⇒ＡＬ_２Ｏ_３−＋３Ｈ_２…ｒ１７
３ＣＯ_２＋ＡＬ＋⇒ＡＬ_２Ｏ_３−＋３ＣＯ…ｒ１８
３ＣＯ_２＋２ＡＬ＋⇒２ＡＬ_２Ｏ_３−＋２Ｃ…ｒ１９
２ＡＬ_２Ｏ_３−（ｅ−）＞４ＡＬ_３Ｏ_２

製造された炭素は、ＣＯ_２或いは水によって、或いは反応炉内で製造された酸素基によって、ＣＯへ酸化されることができる。

５．８
アルミニウムの粉がとても燃え易く、マグネシウムの粉がさらに燃え易く、これらを手で扱うのは非常に困難である。

金属の粉を手で取り扱うことなくガスおよびプラズマを金属に濃縮できるようにするため、所望する金属或いは合金、一般に所望されるあらゆる材料の小さなブロックが、第１のローター領域の上流或いは下流に導入される。このブロックは、Ｒ＿ｍｏｓのパイプの壁と反対、或いはローターピンのレベルで熱デフレクター上に置かれる。石英或いは使用波長を透過する他のあらゆる透明な材料で形成された窓は、ブロックの向かい側に配置される。この窓を通して、顕微鏡対物レンズ或いはレンズでブロック上にレーザービームが集束させられる。このビームは、ブロックの表面を除去する。レーザーの周波数は、およそ１フェムト秒から１００ナノ秒のパルスを伴う１ヘルツと１０^６ヘルツとの間である。金属ブロックのレーザーアブレーションは、反応炉の入口で、ブロックから放出されたガスを霧状にし、Ｒ＿ｓｍｏを通り抜けて、５．７で説明したように、ガス分子と反応する。十分なレーザーパワー（８マイクロジュール／スクエアミクロンで始まる）および１０ナノ秒より十分に短いパルスのため、光プラズマを形成する。これらのプラズマは、上記ガスおよび放出された材料の原子をさらにイオン化し、帯電物および／或いは自由基の生出によって、全ての要素を反応し易くする。波長の全てがアブレーションに適していることができる。しかしながら、例えば２６６ナノメーターのＵＶ波長が好ましい。ガスの運動エネルギーは、第１のローター領域と環状チャンバーとの間に配置された空間内における急な磁界変化のおかげで高く維持されている。第１のローター領域の作用によって圧縮されて温度を増大したガスは、マグネトロンからきたマイクロ波が温度を高める環状チャンバーに入る。

５．９
特定の実施例において、ガスを豊かにするために使用される金属および粒子は電流を流すものである。環状チャンバー内におけるマイクロ波の作用の下、電流が、ガス中に浮遊している粒子内に誘導される。これら誘導された電流は、粒子間に電気アークをひき起こし、或いはＲ＿ｓｍｏ反応炉の複数の壁との間に電気アークをひき起こし、それにより、ガス中で電気に起因したプラズマを製造する。これらのプラズマは、互いの反応により、ガスとの反応により、または炭素や金属粒子との反応によって、活性化された複数の要素を発生する。これらの活性化された複数の要素は、上述した反応によって、ＣＯおよびＨ_２を製造する。誘導された電流アークによって発生されたプラズマは、生来、非平衡プラズマである。

５．１０
特定の実施例において、環状チャンバーのベースと第２のローター領域（タービン領域）の第１のローターとの間の距離は、ｎを自然数とし、λをマイクロ波の波長とし、壁或いはローターの反射により誘導された位相のずれをΦとした場合、ｎ*λ＋Φに等しい。この第１のローターは、電流を流すとともにマイクロ波を反射する材料で形成される。ローターの直径は、例えば、０．５λに等しい。複数のローターを通り抜けるピンは、最も大きな部分が電気的絶縁材料で形成された複合材料で形成される。しかしながら、ピンの第２の領域は、第１のローターから始まって環状チャンバーに向けてλ／４の長さを超えて、電気的導電材料、或いは導電剤でコーティングされた材料で形成される。マグネトロンのウェーブガイドは、マイクロ波を環状チャンバー内へ向け、第２のローター領域の第１のローターへ向けて分けて反射される。ある実施例において、マイクロ波は、ウェーブガイドの出口で、第１のローターに向けて方向付けされる。ローターおよびピンの導電性部分は、マイクロ波アンテナとして動作する。このことは、ローター内でおよび導電流ピンの部分内で誘導された電流を製造することの効果を有する。これらの電流は、アンテナと：
−アンテナローターの近くに配置された複数の電極、
−ガスの中に含まれた粒子、およびガス自身、
−随意に接地された他のローター、
−Ｒ＿ｓｍｏの複数の壁、
との間に電気アークを生じる。

さらに、環状チャンバーとアンテナとの間の距離のため、マイクロ波は、プラズモイド（或いはプラズマ）を形成するように、ガス内へ導入された炭素および随意に金属粒子を十分に励起する。そして、ＣＯおよびＨ_２を製造するように、ＣＯ_２の還元および炭素およびＣＨ_４の酸化がある。反応炉Ｒ＿ｓｍｏが作動中であるとき、炭素粒子で（および随意に他の要素で）随意に豊かにされたガスは、第１のローターステージによって吸引される。このレベルで、複数の導電性のブレードと反応炉の壁に埋め込まれた複数の電極との間で製造された電気アークの効果の下、ガスの活性化が始まる。そして、ガスは、環状チャンバーの上流で圧縮され、ローターピンと平行に変化する磁界によって随意に加熱され、複数のマグネティックブレードと複数のソレノイドの回転をひき起こす。そして、これらのガスは、環状チャンバー内へ通過し、そこでこれらのガスは、誘導された電流アークのため非平衡プラズマを含む熱力学のプラズマを形成するように、マイクロ波の作用の下で十分に加熱される。加熱されてイオン化されたガスは、ローターピンを駆動する４つの第２のローター領域の複数のローターを動かして、Ｒ＿ｓｍｏ反応炉の動作を維持する。

５．１１
１つの実施例において、Ｒ＿ｓｍｏは、２つのステージにおいてタービンおよびコンプレッサーシステムからなる。低圧圧縮ステージを形成するローターシステムは、タービンステージを形成するローターシステムへ回転ピンによって接続される。これら２つのローター領域は、反応炉の最も外側のローターシステムを形成する。複数の外側ローターステージの間に、高圧圧縮ステージが挿入され、第２のタービンステージへ中空ピンによって接続される。これら最後の２つのステージは、反応炉の最も内側のローターシステムを形成する。外側システムの回転ピンは、内側システムのピンの中に入れ子状に重ねられる。中空回転ピンは、ピンと一体に環状のマイクロ波チャンバーを形成するため、反応炉の中心で、じょうご状に開かれて折り曲げられる。内側ピンは、複数のローターと同様に、電気的導電材料で形成され、接地された最も外側のローターシステムから絶縁される。環状チャンバー内へ注入されたマイクロ波の動作の下、誘導された電流は、最も内側のローターシステムの中で製造される。これらの電流は、２つのローターシステムの間で、および最も内側のローターシステムと接地された反応炉のパイプとの間で、電気アークを発生する。これらの電気アークは、前のセクションで説明したように、反応炉を通り抜けるガスおよび粒子を活性化する。Ｒ＿ｓｍｏについて説明された種々の実施例は、非常に多くの変形を組み合わせられる。ある実施例において、２つのローターの間に配置された空間は、油或いは２つのシステムの間の双曲面結合が可能な液体で満たされる。複数のピンは、この結合を増幅するように、例えば、複数のブレード（最も内側のシステムの中空ピンの内側、および最も外側のシステムのピンの表面に）を備えている。ある実施例において、最も外側のシステムのタービンステージは除去される。低圧圧縮システムは、複数のピンを入れ子状に重ねることにより、残りのローターシステム（内側ローターシステムに一致する）に結合される。

ある実施例において、最も内側のシステムのコンプレッサーは、リブが設けられた部分（複数のブレード或いは複数の溝を備えたコーン：回転翼）の後ろが環状チャンバーへ連結された遠心コンプレッサーからなる。

５．１２
一般に、Ｒ＿ｓｍｏは、炭素をＣＯに酸化してＨ_２を製造する、炭素のガス化のための補完用の或いは主たる反応炉として使用される。これらの状況下で、フィルタリング、泡立て、複数の膜を通る差動の拡散、サイクロン分離、極低温の分離、或いはあらゆる他の分離および浄化プロセスの複数のステップが、得られた合成ガスを浄化して合成ガスに含まれる粒子および金属を除去するように、実施可能である。

５．１３−１
特定の実施例において、Ｒ＿ｓｍｏ（随意にＴｂ＿ｓｍｏ）内で実施されたガス化は、ＳｉＯ蒸気とともに実施される。

ＣＯ_２ガスは、例えば、Ｒ＿ｓｍｏ反応炉内で、５００℃と２０００℃との間の温度へ加熱される。ＣＯ_２が多孔質ではないため、Ｈ_２Ｏが、より効果的なガス混合物の加熱を得るため、随意にＣＯ_２へ加えられる。

ガス或いはガス混合物は、Ｓｉ（シリカ）とＳｉＯ_２（シリコン）粒子の混合物に接触して置かれる。ＳｉおよびＳｉＯ_２粒子は、１ナノメーターと５ミリメーターとの間のサイズを有する。この粒子サイズは、プロセスの実施例に従って均一或いは不均一である。

熱およびガスの作用の下、以下の反応が変化された割合で起こる：
Ｓｉ＋ＳｉＯ_２⇔２ＳｉＯガス
ＣＯ_２＋Ｓｉ⇔ＳｉＯガス＋ＣＯ
ＣＯ_２＋Ｓｉ⇔ＳｉＯ＋Ｏ_２少量
Ｓｉ＋Ｏ_２⇒ＳｉＯ_２

得られたガス混合物は、第２のＲ＿ｓｍｏ内で、５００℃と２０００℃との間の温度で、随意に過熱される。ＳｉＯが１．５４Ｄに近い双極子モーメントを有する場合、ＳｉＯはマイクロ波によってかなり加熱される。

そして、ガス混合物は、プロセスの実施例に従って、１ナノメートルと２センチメートルとの間の均一或いは不均一なサイズを有する炭素粒子に接触して置かれる。

ガス混合物の作用の下、以下の反応が起こる：
２Ｃ＋ＳｉＯガス⇔ＳｉＯ固体＋ＣＯガス…ｒ２０

この最後の反応は、得られたＣＯ_２／ＣＯガス混合物の粒子を分離できるサイクロンと組み合わされて、Ｔｂ＿ｓｍｏ或いはＲ＿ｓｍｏ内で実施されることができる。

５．１３−２
代わりのプロセスにおいて、使用される加熱ガスは、ＣＯ_２の代わりにメタンＣＨ_４である。このガスは、例えば、Ｒ＿ｓｍｏ（随意にＴｂ＿ｓｍｏ）内で５００℃と２０００℃との間の温度で加熱される。ＣＨ_４がとても低い多孔性を有する場合、少量のＨ_２Ｏと随意に混ぜられる。

以下の反応が変化された割合で起こる：
ＣＨ_４⇒Ｃ固体＋２Ｈ_２
２ＣＨ_４⇒Ｃ_２Ｈ_２＋Ｈ_２
Ｈ_２Ｏ＋ＣＨ_４⇒ＣＯ＋３Ｈ_２

ガス混合物は、Ｒ＿ｓｍｏの出口で、５．１３−１で説明されたプロセスに従ってＳｉ（シリカ）およびＳｉＯ_２（シリコン）粒子の混合物に接触して置かれる。以下の反応が起こる：
Ｓｉ＋ＳｉＯ_２⇔２ＳｉＯガス
２Ｈ_２Ｏ＋２Ｓｉ⇒２ＳｉＯ_２＋２Ｈ_２
Ｓｉ＋ＣＨ_４⇔ＳｉＣ＋２Ｈ_２少量
Ｓｉ＋Ｃ⇒ＳｉＣ少量
ＳｉＯ_２＋３Ｃ⇒ＳｉＣ＋２ＣＯ
ＳｉＯ_２＋３ＣＨ_４⇒ＳｉＣ＋２ＣＯ＋６Ｈ_２

そして、ガス混合物は、５．１３−１で説明したプロセスに従って炭素粒子に接触して置かれ、反応ｒ２０が起こる。

５．１３−３
代わりのプロセスにおいて、使用された加熱ガスは、Ｒ＿ｓｍｏ（随意にＴｂ＿ｓｍｏ）内で５００℃と２０００℃との間の温度で加熱されるＨ_２Ｏである。そして、ガス混合物は、５．１３−１で説明したプロセスに従ってＳｉおよびＳｉＯ_２粒子の混合物に接触して置かれる。

熱およびガスの作用の下で、以下の反応が起こる：
Ｓｉ＋ＳｉＯ_２⇔２ＳｉＯガス
２Ｈ_２Ｏ＋２Ｓｉ⇒２ＳｉＯ_２＋２Ｈ_２

確かな状況の下で、ＳｉＯ_２は、シリカＳｉ単体からの反応の間に製造される。

そして、ガス混合物は、５．１３−１で説明されたプロセスに従って炭素粒子に接触して置かれ、反応ｒ２０が起こる。

得られた合成ガス（Ｈ_２、ＣＯ、Ｃ_２Ｈ_２、ＣＯ_２）或いは（ＣＯ、ＣＯ_２）は、浄化されて、水蒸気を加えることで釣り合わされる。

Ｃ_２Ｈ_２は、ＣＯ_２の水可溶化率に近い水可溶化率（０℃および１．０１３バールで、７６．６×１０^−３モル／リッター）を有し、それゆえに、４．２で説明されたプロセスに従って、分子の残りから分離可能である。

種々のガス化反応の間に製造されたＳｉＣは、ＦＴ反応触媒として使用される。

６．１
Ｒ＿ｓｍｏの出口で、ガスが、熱交換器内で冷却され、粒子および残りのＣＯ_２を除去するように浄化される。合成ガスは、釣り合わされて、ＦＴ反応炉内へ注入される前に、Ｔｂ＿ｓｍｏ或いは他の手段によって所望する温度にされる。

ＦＴ反応炉の出口で、炭化水素とアルコールの混合物がＦ＿ｓｍｏ内で加熱される。

好適な実施例において、より良いマイクロ波の作用を得るため、正確な量の水蒸気が、ＦＴ反応炉を出る炭化水素とアルコールの混合物内へ導入される。この混合物は、複数の熱交換器からくる熱によって加熱されることもできる。炭化水素とアルコールの混合物は、Ｆ＿ｓｍｏの出口で、蒸留カラムにおける蒸留に十分な２００℃と６００℃（好ましくは３７０℃）との間の温度に到達する。

ある実施例において、平らな或いは球形のミラー、或いはフレネル機構を伴うミラーは、太陽放射を蒸留カラム上へ反射する。

ある実施例において、複数の光学レンズは、炭化水素とアルコールの混合物を加熱するように、太陽放射を、Ｆ＿ｓｍｏのパイプの表面上に収束させ、或いは透明窓を通してＦ＿ｓｍｏ内へ収束させる。

６．２
蒸留の終わりで得られるメタンは、サイクロンガス化反応炉内で、および異なる反応炉内でおよび上述した反応において、燃料として使用されることができる。

しかしながら、ＦＴ合成によって製造されたメタンのいくらかは、使用された電流のいくらかを製造するための交流発電機を動かす複数の内部燃焼エンジンのための燃料として供給する。これらエンジンによって製造されたＣＯ_２は、合成ガス製造システムのＣＯ_２サーキット内へ注入される。これらエンジンによって製造された熱も、製造システムの利益のため回収される。

６．３
ある実施例において、加圧されたＣＯ_２は、電流発生器或いはターボジェネレーターに組み合わされたガスタービン内におけるメタンの燃焼によって製造される。タービンの出口で、或いはＴｂ＿ｓｍｏ内へ通過されて過熱された後、ＣＯ_２は、ガス化するもの、プラズマ反応炉、Ｒ＿ｍｏｓ、或いは製造システムのあらゆる他の反応炉のサイクロンを供給する。

６．４
電気エネルギーのいくらかは、複数のソーラーパネルによって与えられる。これら複数のソーラーパネルは、その表面で、石英粒子或いは量子粒子（量子或いはＱｄｏｔ）を有する。これらの粒子は、紫外線の作用の下で、赤外および可視における蛍光を伝達する能力を有する。このような紫外光の可視および赤外スペクトラムへの転換は、標準的なパネルによって、使用に適したものにされる。

一般的には、Ｑｄｏｔｓは、その光吸収能力を増大するため、複数の反応炉パイプのブラックコーティング内に一体にされることができる。

装置の動作に必要な電気エネルギーの他の部分は風力エネルギーからくる。

一般的には、あらゆるタイプの電流製造源が、プロセス（図１４）の電気エネルギーに対する要求を満足するのに適することができる。しかしながら、システムの汚染バランスをじゃましないように、燃料セルシステムを有する汚染の無い電流製造装置が好ましい。
以下、本願の出願当初の特許請求の範囲に記載された発明を付記する。
［１］
主にＣＯおよびＨ _２ を含む合成ガスを製造するための炭素含有複合物のガス化のプロセスであって、
Ａ）太陽マイクロ波反応炉の壁の表面での太陽放射の収束或いは反射による集中に起因した上記太陽マイクロ波反応炉の壁の加熱により、および上記太陽マイクロ波反応炉および上記複合物内へ直接的に注入されたマイクロ波により、共同で与えられた相乗的な熱エネルギーによって、上記太陽マイクロ波反応炉内に収容された上記複合物を加熱することによって、上記太陽マイクロ波反応炉内で引き起こされる、上記複合物の木炭および熱分解ガスへの焙焼熱分解の第１のステップと、
Ｂ）上記熱分解ガス或いは追加ガスの燃焼、加熱されたガス或いはガス混合物のサイクロン反応炉内への注入、および上記サイクロン反応炉内へ直接的に注入されたマイクロ波による上記サイクロン反応炉内にあるガスの直接的な加熱に起因して、木炭粒子を駆動および酸化するガスの渦を形成できる、上記サイクロン反応炉内で起きる化学的酸化還元反応によって、上記太陽マイクロ波反応炉から来る木炭および熱分解ガスを、主にＣＯおよびＨ _２ へ変える第２のステップと、
を含むことを特徴とするプロセス。
［２］
上記酸化還元反応をひき起こすために使用されるガスは、加圧および加速熱反応炉の壁の表面における太陽放射の収束および／或いは反射による、および上記加圧および加速熱反応炉内へ注入されるマイクロ波による、上記加圧および加速熱反応炉の壁の加熱に基づく熱エネルギーの相乗的な作用の下で、加熱、加速、および加圧されることを特徴とする［１］のプロセス。
［３］
上記サイクロン反応炉および／或いは上記加圧および加速熱反応炉は、ガス状のプラズマおよび混合されたガス／粒子プラズマ或いはプラズモンを生じるための手段を含むことを特徴とする［１］または［２］のプロセス。
［４］
上記マイクロ波は、同時に、好ましくはＣＯ _２ 分子の非対称の振動のモードの吸収周波数と一致する周波数で、赤外線として使用されることを特徴とする［１］乃至［３］のいずれかのプロセス。
［５］
ガス化基体は、炭素を含む複合物の粒子、およびガス化を増進する付加剤粒子を含む異種の粒子を有し、上記炭素含有複合物の粒子とともに随意に塊りにされ或いは混合されることを特徴とする［１］乃至［４］のいずれかのプロセス。
［６］
上記付加剤粒子は、酸化還元反応によってガス化を増進するとともに、粒子内で生出された電流によって製造された電気アークによる帯電された要素および遊離基の製造を増進する還元金属、およびＳｉＣの形をとって複合物内に含まれている炭素の一部を結びつけることができるＳｉＯを製造するシリカおよび／或いはシリコン粒子も含むことを特徴とする［５］のプロセス。
［７］
太陽マイクロ波焙焼熱分解反応炉およびサイクロン反応炉を含み、
上記太陽マイクロ波焙焼熱分解反応炉は、
例えば耐熱性の材料で形成されたパイプ（１）と、
上記太陽マイクロ波焙焼熱分解反応炉（２）の上記パイプの内側で上記複合物を動かす手段と、
上記反応炉（３−３ａ−４−５）の上記パイプの上記表面で太陽放射を集中して収束を引き起こす手段と、
外部環境（図１．１ｃ）から上記反応炉の上記パイプを隔離する手段と、
上記反応炉の上記パイプの熱イナーシャを改良する手段と、
マイクロ波を製造する手段と、
マイクロ波をガイドする手段と、
を有し、
上記サイクロン反応炉は、
互いに重ね合わせられ、或いは互いに入れ子状にされ、および互いに連絡する少なくとも２つのサイクロンユニットと、
これらユニット内で燃焼を可能にしてガス渦巻を生出する装置と、
上記ユニット内へガスを横から或いは接線方向から注入してガス渦巻を生出するための装置と、
マイクロ波を製造する手段およびマイクロ波をガイドする手段と、
を有することを特徴とする［１］乃至［６］のいずれかのプロセスを実行するための装置。
［８］
例えば耐熱性の材料で形成されたパイプと、
上記反応炉の上記パイプの表面で太陽放射を集中して収束を引き起こす手段と、
上記外部環境から上記反応炉の上記パイプを隔離する手段と、
上記反応炉の上記パイプの上記熱イナーシャを改良する手段と、
圧縮、加熱、加速によって、上記反応炉の上記パイプに沿って随意に粒子としてガスを動かす手段と、
を有する酸化ガス加圧および加速熱反応炉を有することを特徴とする［７］の装置。
［９］
上記酸化ガス加圧および加速熱反応炉は、
ブレードローターと、
遠心および／或いはブレードコンプレッサーと、
タービンと、
少なくとも１つの環状チャンバーと、
ガスを移動、圧縮、加熱、および加速するように、赤外源によって随意に補完された少なくとも１つのマイクロ波源と、
を有することを特徴とする［８］の装置。
［１０］
ガス状のプラズマおよび／或いは混合ガス／粒子プラズモンを製造するための、誘導或いは非誘導電流、光、およびマイクロ波装置を含むことを特徴とする［６］乃至［９］のいずれかの装置。
［１１］
１ＧＨｚと３００ＧＨｚとの間のマイクロ波を製造し上記マイクロ波をガイドするための、少なくとも１つのマグネトロンおよび少なくとも１つのウェーブガイドを含むことを特徴とする［６］乃至［１０］のいずれかの装置。

全ての図面の符号の説明
１） 太陽／マイクロ波炉パイプ
１ａ） 太陽炉の壁
１ｂ） 真空或いは絶縁ガス（例えば、アルゴン）
１ｃ） 閉じ込めチャンバー透明な壁
１ｄ） 壁を通り抜けることができる可視および赤外線へＵＶ太陽光線を変換する、閉じ込めチャンバーの壁上の量子粒子
２） ウォーム軸
３） ミラーシステム
３ａ） 閉じ込めチャンバーの内側のミラー
４） 楕円セクションにおいて階段状に配置された複数のミラー
５） 集光或いはフレネルレンズ
６） マグネトロン
７） ウェーブガイド
８） 複数の脱ガスパイプ
９） 反応炉コア（ＦＢＣＢ）
１０） 燃焼チャンバー
１１） 燃焼チャンバーの壁の接線方向に向けられたバーナー
１２） 燃焼の炎の作用の下で小さな渦を巻かせる燃焼ガス
１３） 燃焼の炎
１４） 空気の入口
１５） 小粒を熱分解するガスのための入口
１６） ＣＨ_４のような追加のガスのための入口
１７） 下方を向いた孔の空いたコーンを形成するスカート：小粒およびガスのための燃焼チャンバーの軸の出口、および第１のサイクロン内への軸の入口
１８） 下方を向いた孔の空いたコーンを形成するスカート：第１のサイクロンの小粒およびガスのための軸の出口、および第２のサイクロン内への軸の入口
１９） 下方を向いた孔の空いたコーンを形成するスカート：第２のサイクロンの小粒のための軸の出口
２０） スカート炉開口を閉じるためのコーン。このコーンは、サイクロンの渦の回転の方向に回転するガスを生じるように、下方のサイクロンへ向かう複数の斜めの通路を生出するための複数のブレードを備えている。

２１） スカート炉開口の部分的な閉塞物。スカートのエッジとコーン構造との間に配置された連続した複数の導管は、２つの区画の間に複数の通路を形成する。

２２） スカートのエッジとスカート炉開口を部分的に閉塞するためのコーンとの間の斜めの導管
２３） スカート炉開口のエッジ
２４） 下方のサイクロンに向かう複数の斜めの通路を生じる複数のブレード
２５） スカートの開口を閉じるコーンの図：断面および底面図
２６） スカートの開口を閉じるためのコーンの下面の複数のブレード
２７） 複数のサイクロン内へのガスの接線方向の注入のためのパイプ
２７ａ） 複数のサイクロン内へのガスの接線方向の注入のためのパイプ内への研磨材のための入口
２８） ２軸および接線方向の入口を備えたサイクロン
２９） 上昇ガス流ガイド
３０） 中空Ｔ構造
３１） 中空Ｔ構造のベース:上昇流パイプ
３２） ガス出口ノズル（水平ノズル）：内側パイプ空間内における上昇流出口
３３） 反応炉コアの内側パイプ
３４） 反応炉コアの外側パイプ
３５） 内側パイプ空間
３６） サイクロンにおける軸の入口の斜めの導管
３７） コアの内側パイプの下端：丸い湾曲を有するスカート
３８） 内側パイプの下端の部分閉塞物：２重コーン
３９） 口径を測定された孔を有するスクリーン
４０） 内側パイプに向けて上昇するコーンとしてまとめられたスクリーン
４１） 覆い隠されたコーンを閉じる２重コーン
４２） 中心が中空（開口）な環状バスケット
４３） 環状バスケットの開口
４４） 環状バスケットの回転ピン
４５） バスケットの回転ピンへの取り付けのための回転翼
４６） 複数の垂直金属ロッドによって形成された短い覆い隠されたシリンダーの周りにまとめられた複数の導管
４７） サイクロン内に上昇流を形成でき、小粒を濾過でき、誘導された電流アークを発生できる複数の垂直金属ロッド
４８） 複数の斜めの導管を形成するブレード
４９） 粒子が帯電されたガスの回転移動を分け与える斜めの導管
５０） Ａ：上昇流シリンダー、およびＢ）上昇流のための孔の空いたコーン
５１） 環状バスケットの外側エッジ上に配置されてバスケットの内側に面したブレード
５２） リング電極に取り付けられたらせんバネ電極
５３） 最後の巻きを閉じるリング構造で終わるバネ電極のベース
５４） 中央ピンを形成するように、バネの螺旋の中間へ戻すように硬化させたバネ電極の端部
５５） 螺旋電極を伴うサイクロン：グライディングアーク
５６） 複数のバネが同時に作動できるようにグライディングアークサイクロンの複数のピンを接続した星形構造
５７） ＦＢＣＢ＿ｄｃの内側パイプが終わる最後のサイクロンのスカートの開口の周りにローズ形に配置されたグライディングアークサイクロン
５８） 複数のサイクロンを閉じるためのキャップ。Ａ：側面図、Ｂ：底面図
５９） グライディングアークサイクロンにおける上昇流出口シリンダー
６０） グライディングアークサイクロンの軸の供給のための斜めのスロット
６１） 複数のサイクロンの複数の軸供給スロットを囲む斜めのブレード
６３） 上方ステージサイクロンの複数の出口導管からグライディングアークサイクロンを軸方向に供給するための導管
６４） グライディングアークサイクロンの接線方向の供給のためのパイプ；このパイプは、その壁に近い外側パイプの渦と反対の内側パイプ空間内に開く
６５） 上昇流をガイドするためのパイプ
６６） 外側パイプと流れガイドとの間に配置された複数のブレード
６７） 燃焼チャンバーのベース
６８） ガス化反応炉のベースをふさぐためのスクリーン
６９） 半円錐構造
７０） ガス化するものの灰タンク
７１） ガス／粒子分離サイクロン
７２） Ｔｂ＿ｓｍｏの複数の壁
７３） コンプレッサーピンの最初の１／３に配置されたローター領域
７４） ピンの最後の１／３に配置されたローター領域
７５） 卵形のローターピン
７６） マイクロ波の閉じ込めのための環状チャンバー
７７） ピンに接触した４つの電気的に導電性のブレードからなる、残りのブレードがピンから電気的に絶縁された、ローター
７８） ローターの回転の平面に垂直で、互いに９０°の関係にされた４つの電極
７９） ２つの対称なブレードが反対の極性“Ｎ／Ｓ”を有する、クロスに配置されたマグネティックブレード
８０） 複数のマグネティックブレードを有するローターの回転の平面と垂直に配置された４つのソレノイド
８１） ２つの対称なブレードがその端部で同じ極性“Ｎ／Ｎ”或いは“Ｓ／Ｓ”を有する中心対象な複数のマグネティックブレードを伴うローター
８２） 複数のマグネティックブレードを有するローターの回転の平面と平行に配置されたソレノイド
８３） 櫛パターンを伴う太陽炉
８４） 複数の太陽炉を接続したマイクロ波ユニット
８５） 多孔体
８６） 基体の装填
８７） 燃焼チャンバーの壁に対して接線方向に向けられた複数のバーナー
８８） 吸引ウェル
８９） 内部のパイプの最後のサイクロンを閉じる逆さにされたコーン
９０） 超音波源
９１） 超音波ガイド
９２） 接地された回転翼
９３） 電流発生器へ接続された４つの電極のセット
９４） 複数の電極９３から回転翼の複数のブレードを絶縁する電気的絶縁材
９５） 複数のブレード
９６） 回転翼
９７） 熱シールド
９８） 収集チャンバー
９９） 回転翼ブレードピン

Claims (11)

1. 主にＣＯおよびＨ２を含む合成ガスを製造するための炭素含有複合物のガス化のプロセスであって、
   Ａ）太陽マイクロ波反応炉の壁の表面での太陽放射の収束或いは反射による集中に起因した上記太陽マイクロ波反応炉の壁の加熱により、および上記太陽マイクロ波反応炉および上記複合物内へ直接的に注入されたマイクロ波により、共同で与えられた相乗的な熱エネルギーによって、上記太陽マイクロ波反応炉内に収容された上記複合物を加熱することによって、上記太陽マイクロ波反応炉内で引き起こされる、上記複合物の木炭および熱分解ガスへの焙焼熱分解の第１のステップと、
   Ｂ）上記熱分解ガス或いは追加ガスの燃焼、加熱されたガス或いはガス混合物のサイクロン反応炉内への注入、および上記サイクロン反応炉内へ直接的に注入されたマイクロ波による上記サイクロン反応炉内にあるガスの直接的な加熱に起因して、木炭粒子を駆動および酸化するガスの渦を形成できる、上記サイクロン反応炉内で起きる化学的酸化還元反応によって、上記太陽マイクロ波反応炉から来る木炭および熱分解ガスを、主にＣＯおよびＨ２へ変える第２のステップと、
   を含むことを特徴とするプロセス。
2. 上記酸化還元反応をひき起こすために使用されるガスは、加圧および加速熱反応炉の壁の表面における太陽放射の収束および／或いは反射による、および上記加圧および加速熱反応炉内へ注入されるマイクロ波による、上記加圧および加速熱反応炉の壁の加熱に基づく熱エネルギーの相乗的な作用の下で、加熱、加速、および加圧されることを特徴とする請求項１のプロセス。
3. 上記サイクロン反応炉および／或いは上記加圧および加速熱反応炉は、ガス状のプラズマおよび混合されたガス／粒子プラズマ或いはプラズモンを生じるための手段を含むことを特徴とする請求項１または請求項２のプロセス。
4. 上記マイクロ波は、同時に、好ましくはＣＯ２分子の非対称の振動のモードの吸収周波数と一致する周波数で、赤外線として使用されることを特徴とする請求項１乃至請求項３のいずれかのプロセス。
5. ガス化基体は、炭素を含む複合物の粒子、およびガス化を増進する付加剤粒子を含む異種の粒子を有し、上記炭素含有複合物の粒子とともに随意に塊りにされ或いは混合されることを特徴とする請求項１乃至請求項４のいずれかのプロセス。
6. 上記付加剤粒子は、酸化還元反応によってガス化を増進するとともに、粒子内で生出された電流によって製造された電気アークによる帯電された要素および遊離基の製造を増進する還元金属、およびＳｉＣの形をとって複合物内に含まれている炭素の一部を結びつけることができるＳｉＯを製造するシリカおよび／或いはシリコン粒子も含むことを特徴とする請求項５のプロセス。
7. 太陽マイクロ波焙焼熱分解反応炉およびサイクロン反応炉を含み、
   上記太陽マイクロ波焙焼熱分解反応炉は、
   耐熱性の材料で形成されたパイプ（１）と、
   上記太陽マイクロ波焙焼熱分解反応炉（２）の上記パイプの内側で上記複合物を動かす手段と、
   上記反応炉（３−３ａ−４−５）の上記パイプの上記表面で太陽放射を集中して収束を引き起こす手段と、
   外部環境（図１．１ｃ）から上記反応炉の上記パイプを隔離する手段と、
   上記反応炉の上記パイプの熱イナーシャを改良する手段と、
   マイクロ波を製造する手段と、
   マイクロ波をガイドする手段と、
   を有し、
   上記サイクロン反応炉は、
   互いに重ね合わせられ、或いは互いに入れ子状にされ、および互いに連絡する少なくとも２つのサイクロンユニットと、
   これらユニット内で燃焼を可能にしてガス渦巻を生出する装置と、
   上記ユニット内へガスを横から或いは接線方向から注入してガス渦巻を生出するための装置と、
   マイクロ波を製造する手段およびマイクロ波をガイドする手段と、
   を有することを特徴とする請求項１乃至請求項６のいずれかのプロセスを実行するための装置。
8. 耐熱性の材料で形成されたパイプと、
   上記太陽マイクロ波焙焼熱分解反応炉の上記パイプの表面で太陽放射を集中して収束を引き起こす手段と、
   上記外部環境から上記太陽マイクロ波焙焼熱分解反応炉の上記パイプを隔離する手段と、
   上記太陽マイクロ波焙焼熱分解反応炉の上記パイプの上記熱イナーシャを改良する手段と、
   圧縮、加熱、加速によって、上記太陽マイクロ波焙焼熱分解反応炉の上記パイプに沿って随意に粒子としてガスを動かす手段と、
   を有する酸化ガス加圧および加速熱反応炉を有することを特徴とする請求項７の装置。
9. 上記酸化ガス加圧および加速熱反応炉は、
   ブレードローターと、
   遠心および／或いはブレードコンプレッサーと、
   タービンと、
   少なくとも１つの環状チャンバーと、
   ガスを移動、圧縮、加熱、および加速するように、赤外源によって随意に補完された少なくとも１つのマイクロ波源と、
   を有することを特徴とする請求項８の装置。
10. ガス状のプラズマおよび／或いは混合ガス／粒子プラズモンを製造するための、誘導或いは非誘導電流、光、およびマイクロ波装置を含むことを特徴とする請求項７乃至請求項９のいずれかの装置。
11. １ＧＨｚと３００ＧＨｚとの間のマイクロ波を製造し上記マイクロ波をガイドするための、少なくとも１つのマグネトロンおよび少なくとも１つのウェーブガイドを含むことを特徴とする請求項７乃至請求項１０のいずれかの装置。

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