JP5326200B2 - Scintillator plate, scintillator panel, and radiation flat panel detector using them - Google Patents

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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a scintillator plate, a scintillator panel and a radiation slat panel detector using them having excellence in productivity, light extraction efficiency, sharpness and low sharpness deterioration between flat light receiving elements faces. <P>SOLUTION: A scintillator panel 1a consists of: a scintillator plate 101 formed by alternately laminating a reflection layer 101c, a corrosion resistant reflection layer 101d and a scintillator layer 101b; and a first protection film 102a and a second protection film 102b sealed by seal parts 103. A clearance part 108, formed at an entire surface of the scintillator layer 101b, does not substantially bond the scintillator layer to the first protection film 102a. When the scintillator panel 1a is used as a component element of a radiation flat panel detector, the scintillator plate 101 can be used without being physicochemically bonded to the flat panel light receiving element face. <P>COPYRIGHT: (C)2008,JPO&amp;INPIT

Description

本発明は、被写体の放射線画像を形成する際に用いられるシンチレータプレート、シンチレータパネル、及びそれを用いた放射線フラットパネルディテクターに関する。   The present invention relates to a scintillator plate, a scintillator panel, and a radiation flat panel detector using the scintillator plate used when forming a radiographic image of a subject.

従来、X線画像のような放射線画像は医療現場において病状の診断に広く用いられている。特に、増感紙−フィルム系による放射線画像は、長い歴史のなかで高感度化と高画質化が図られた結果、高い信頼性と優れたコストパフォーマンスを併せ持った撮像システムとして、今なお、世界中の医療現場で用いられている。しかしながらこれら画像情報はいわゆるアナログ画像情報であって、近年発展を続けているデジタル画像情報のような、自由な画像処理や瞬時の電送が出来ない。   Conventionally, radiographic images such as X-ray images have been widely used for diagnosis of medical conditions in the medical field. In particular, radiographic images using intensifying screen-film systems are still the world as an imaging system that combines high reliability and excellent cost performance as a result of high sensitivity and high image quality in the long history. Used in the medical field. However, the image information is so-called analog image information, and free image processing and instantaneous electric transmission cannot be performed like the digital image information that has been developed in recent years.

そして、近年ではコンピューテッドラジオグラフィ(computed radiography:CR)やフラットパネル型の放射線ディテクタ(flat panel detector:FPD)等に代表されるデジタル方式の放射線画像検出装置が登場している。これらは、デジタルの放射線画像が直接得られ、陰極管や液晶パネル等の画像表示装置に画像を直接表示することが可能なので、必ずしも写真フィルム上への画像形成が必要なものではない。その結果、これらのデジタル方式のX線画像検出装置は、銀塩写真方式による画像形成の必要性を低減させ、病院や診療所での診断作業の利便性を大幅に向上させている。   In recent years, digital radiological image detection apparatuses represented by computed radiography (CR), flat panel type radiation detectors (FPD), and the like have appeared. In these, since a digital radiographic image is directly obtained and an image can be directly displayed on an image display device such as a cathode tube or a liquid crystal panel, image formation on a photographic film is not necessarily required. As a result, these digital X-ray image detection devices reduce the need for image formation by the silver halide photography method, and greatly improve the convenience of diagnosis work in hospitals and clinics.

X線画像のデジタル技術の一つとしてコンピューテッド・ラジオグラフィ(CR)が現在医療現場で受け入れられている。しかしながら鮮鋭性が十分でなく空間分解能も不十分であり、スクリーン・フィルムシステムの画質レベルには到達していない。そして、更に新たなデジタルX線画像技術として、例えば雑誌Physics Today,1997年11月号24頁のジョン・ローランズ論文“Amorphous Semiconductor Usher in Digital X−ray Imaging”や、雑誌SPIEの1997年32巻2頁のエル・イー・アントヌクの論文”Development of aHigh Resolution,Active Matrix,Flat−Panel Imager with Enhanced Fill Factor”等に記載された、薄膜トランジスタ(TFT)を用いた平板X線検出装置(FPD)が開発されている。   Computed radiography (CR) is currently accepted in the medical field as one of the digital technologies for X-ray images. However, the sharpness is insufficient and the spatial resolution is insufficient, and the image quality level of the screen / film system has not been reached. Further, as new digital X-ray imaging techniques, for example, the magazine Physics Today, November 1997, page 24, John Laurans's paper “Amorphous Semiconductor User in Digital X-ray Imaging”, magazine SPIE Vol. 32, 1997. A flat-plate X-ray detector using a thin film transistor (TFT) developed in a paper by El Antonuk on “Development of a High Resolution, Active Matrix, Flat-Panel Imager with Enhanced Fill Factor”, etc. Has been.

放射線を可視光に変換するために、放射線により発光する特性を有するX線蛍光体で作られたシンチレータパネルが使用されるが、低線量の撮影においてのSN比を向上するためには、発光効率の高いシンチレータパネルを使用することが必要になってくる。一般にシンチレータパネルの発光効率は、シンチレータ層(「蛍光体層」ともいう。)の厚さ、蛍光体のX線吸収係数によって決まるが、シンチレータ層の厚さは厚くすればするほど、シンチレータ層内での発光光の散乱が発生し、鮮鋭性は低下する。そのため、画質に必要な鮮鋭性を決めると、膜厚が決定する。   In order to convert radiation into visible light, a scintillator panel made of an X-ray phosphor having a characteristic of emitting light by radiation is used. In order to improve the S / N ratio in low-dose imaging, luminous efficiency is used. It is necessary to use a high scintillator panel. In general, the luminous efficiency of a scintillator panel is determined by the thickness of the scintillator layer (also referred to as “phosphor layer”) and the X-ray absorption coefficient of the phosphor, but the greater the thickness of the scintillator layer, Scattering of the emitted light occurs at, and sharpness decreases. Therefore, when the sharpness necessary for the image quality is determined, the film thickness is determined.

なかでもヨウ化セシウム(CsI)はX線から可視光に対する変更率が比較的高く、蒸着によって容易に蛍光体を柱状結晶構造に形成出来るため、光ガイド効果により結晶内での発光光の散乱が抑えられ、シンチレータ層の厚さを厚くすることが可能であった。   In particular, cesium iodide (CsI) has a relatively high rate of change from X-rays to visible light, and phosphors can be easily formed into a columnar crystal structure by vapor deposition. Therefore, it was possible to increase the thickness of the scintillator layer.

しかしながらCsIのみでは発光効率が低いために、例えば特公昭54−35060号公報に記載の方法の如く、CsIとヨウ化ナトリウム(NaI)を任意のモル比で混合したものを、蒸着を用いて基板上にナトリウム賦活ヨウ化セシウム(CsI:Na)として堆積、又近年ではCsIとヨウ化タリウム(TlI)を任意のモル比で混合したしたものを、蒸着を用いて基板上にタリリウム賦活ヨウ化セシウム(CsI:Tl)として堆積したものに、後工程としてアニールを行うことで可視変換効率を向上させ、X線蛍光体として使用している。   However, since CsI alone has a low luminous efficiency, a mixture of CsI and sodium iodide (NaI) at an arbitrary molar ratio is used as a substrate by vapor deposition as in the method described in Japanese Patent Publication No. 54-3560. Deposited as sodium-activated cesium iodide (CsI: Na) on the substrate, and recently mixed with any molar ratio of CsI and thallium iodide (TlI) on the substrate using vapor deposition. Visible conversion efficiency is improved by performing annealing as a post-process on those deposited as (CsI: Tl) and used as an X-ray phosphor.

また他の光出力を増大する手段として、シンチレータを形成する基板を反射性とする方法(例えば特許文献1参照。)、基板上に反射層を設ける方法(例えば特許文献2参照。)、基板上に設けられた反射性金属薄膜と、金属薄膜を覆う透明有機膜上にシンチレータを形成する方法(例えば特許文献3参照。)などがが提案されているが、これらの方法は得られる光量は増加するが、鮮鋭性が著しく低下するという欠点がある。   As another means for increasing the light output, a method of making the substrate on which the scintillator is formed reflective (for example, see Patent Document 1), a method of providing a reflective layer on the substrate (for example, see Patent Document 2), and on the substrate. And a method of forming a scintillator on a transparent organic film covering the metal thin film (see, for example, Patent Document 3) has been proposed. However, these methods increase the amount of light obtained. However, there is a drawback that sharpness is remarkably lowered.

またシンチレータパネルを平面受光素子面上に配置するにあたっては、例えば特開平5−312961号、特開平6−331749号公報に記載の方法があるがこれらは生産効率が悪く、シンチレータパネルと平面受光素子面での鮮鋭性の劣化は避けられない。   For arranging the scintillator panel on the plane light receiving element surface, for example, there are methods described in JP-A-5-329661 and JP-A-6-331749. Deterioration of sharpness on the surface is inevitable.

従来、気体層法によるシンチレータの製造方法としては、アルミやアモルファスカーボンなど剛直な基板上にシンチレータ層を形成し、その上にシンチレータの表面全体を保護膜で被覆させることが一般的である(例えば特許文献4参照。)。しかしながら、自由に曲げることのできないこれらの基板上にシンチレータ層を形成した場合、シンチレータパネルと平面受光素子面を貼り合せる際に、基板の変形や蒸着時の反りなどの影響を受け、フラットパネルディテクターの受光面内で均一な画質特性が得られないという欠点がある。また、基板が金属の場合には、X吸収が大きく、特に低被爆を進める点で問題となっていた。一方、近年使用され始めたアモルファスカーボン類は、X線吸収が低い点は有用であるものの、大サイズ化の汎用品が無いことと、非常に高価である等、未だ実用的な生産に適しているとは言い難かった。従って、このような問題は、近年のフラットパネルディテクターの大型化に伴い深刻化してきている。   Conventionally, as a scintillator manufacturing method by a gas layer method, it is common to form a scintillator layer on a rigid substrate such as aluminum or amorphous carbon, and to cover the entire surface of the scintillator with a protective film (for example, (See Patent Document 4). However, when a scintillator layer is formed on these substrates that cannot be bent freely, the flat panel detector is affected by the deformation of the substrate and the warpage during vapor deposition when the scintillator panel and the planar light receiving element surface are bonded together. There is a drawback that uniform image quality characteristics cannot be obtained within the light receiving surface. In addition, when the substrate is a metal, X absorption is large, which is a problem especially in terms of promoting low exposure. On the other hand, amorphous carbons that have begun to be used in recent years are useful in practical production because they have low X-ray absorption, but are not widely used for large-sized products and are very expensive. It was hard to say. Therefore, such a problem has become serious with the recent increase in the size of flat panel detectors.

この問題を回避するために平面受光素子面(撮像素子上)に直接、蒸着でシンチレータを形成する方法や、鮮鋭性の低いが、可とう性を有する医用増感紙などをシンチレータパネルの代用として用いることが一般的に行われている。また、保護層としてポリパラキシリレン等の柔軟な保護層を使用した例が示されている(例えば特許文献5参照。)
しかしながら、平面受光素子に直接蒸着したシンチレータ材料は画像特性が高いものの、蒸着の不良品発生時に高価な受光素子を無駄にするコスト的な欠点と熱処理によりシンチレータ材料の画像特性向上が図れるにも拘わらず受光素子が熱に弱いため処理温度に制約がある。又は、熱処理プロセス上に受光素子の冷却を組み込む必要があるなどの煩雑さが有り問題であった。
In order to avoid this problem, the scintillator panel can be replaced with a method of forming a scintillator by vapor deposition directly on the plane light receiving element surface (on the image sensor) or a medical intensifying screen with low sharpness but flexibility. It is generally used. Moreover, the example which uses flexible protective layers, such as a polyparaxylylene, as a protective layer is shown (for example, refer patent document 5).
However, although the scintillator material deposited directly on the planar light receiving element has high image characteristics, the cost characteristic of wasting the expensive light receiving element when a defective product is deposited and the image characteristics of the scintillator material can be improved by heat treatment. Since the light receiving element is vulnerable to heat, the processing temperature is limited. Alternatively, there is a problem that it is necessary to incorporate cooling of the light receiving element in the heat treatment process.

したがって、上述した様な問題がある状況を改善すべく、生産適正に優れ、シンチレータ(蛍光体)層の経時での特性劣化を防止し、シンチレータ(蛍光体)層を化学的な変質あるいは物理的な衝撃から保護し、シンチレータパネルと平面受光素子面間での鮮鋭性の劣化が少なく、均一な画質特性が得られる放射線フラットパネルディテクターを開発することが強く望まれている。
特公平7−21560号公報 特公平1−240887号公報 特開2000−356679号公報 特許第3566926号公報 特開2002−116258号公報
Therefore, in order to improve the situation with the problems as described above, it is excellent in production, prevents deterioration of the characteristics of the scintillator (phosphor) layer over time, and chemically or physically changes the scintillator (phosphor) layer. Therefore, it is strongly desired to develop a radiation flat panel detector that protects against a strong impact, has little deterioration in sharpness between the scintillator panel and the plane light receiving element surface, and provides uniform image quality characteristics.
Japanese Patent Publication No. 7-21560 Japanese Patent Publication No. 1-240887 JP 2000-356679 A Japanese Patent No. 3669926 JP 2002-116258 A

本発明は、上記問題に鑑み成されたものであり、その解決課題は、生産適正に優れ、シンチレータの発光取り出し効率、鮮鋭性が高く、平面受光素子面間での鮮鋭性の劣化が少ないシンチレータプレート、シンチレータパネル及びそれらを用いた放射線フラットパネルディテクターを提供することである。   SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made in view of the above problems, and the problem to be solved is a scintillator that is excellent in production suitability, has high light emission extraction efficiency and sharpness of the scintillator, and has little deterioration in sharpness between plane light receiving element surfaces. It is to provide a plate, a scintillator panel and a radiation flat panel detector using them.

本発明に係る上記課題は下記の手段により解決される。   The above-mentioned problem according to the present invention is solved by the following means.

1.耐熱性樹脂基板上に反射層及びシンチレータ層を設けて成るシンチレータプレートであって、前記反射層が防蝕性反射層と反射層との2層構成で、該防蝕性反射層がシンチレータ層面側にあり、前記シンチレータ層がヨウ化セシウムを含有する柱状蛍光体層であり、気相法により形成されたこと、かつ放射線フラットパネルディテクターの構成要素として、平面受光素子面と物理化学的に接着させずに用いられることを特徴とするシンチレータプレート。 1. A scintillator plate comprising a reflective layer and a scintillator layer provided on a heat resistant resin substrate, wherein the reflective layer has a two-layer structure of a corrosion resistant reflective layer and a reflective layer, and the corrosion resistant reflective layer is on the scintillator layer surface side. The scintillator layer is a columnar phosphor layer containing cesium iodide, formed by a vapor phase method, and, as a component of a radiation flat panel detector, without being physically and chemically bonded to a planar light receiving element surface A scintillator plate characterized by being used.

.前記耐熱性樹脂基板がエンジニアリングプラスチック又はスーパーエンジニアリングプラスチックで形成されていることを特徴とする前記1に記載のシンチレータプレート。 2 . 2. The scintillator plate according to 1 above, wherein the heat-resistant resin substrate is made of engineering plastic or super engineering plastic.

.前記耐熱性樹脂基板が、ポリイミド又はポリイミドを含有する樹脂で形成されていることを特徴とする前記1又は2に記載のシンチレータプレート。 3 . 3. The scintillator plate according to 1 or 2 , wherein the heat resistant resin substrate is formed of polyimide or a resin containing polyimide.

.前記防蝕性反射層が金属または合金で形成されており、その標準電極電位が+1.0V以上であることを特徴とする前記1〜のいずれか一項に記載のシンチレータプレート。 4 . The scintillator plate according to any one of claims 1 to 3 , wherein the anticorrosive reflective layer is formed of a metal or an alloy, and a standard electrode potential thereof is +1.0 V or more.

.前記防蝕性反射層がクロム、チタン、クロム合金、又はチタン合金であることを特徴とする前記1〜のいずれか一項に記載のシンチレータプレート。 5 . The scintillator plate according to any one of claims 1 to 4 , wherein the corrosion-resistant reflective layer is chromium, titanium, a chromium alloy, or a titanium alloy.

.前記防蝕性反射層の層厚が10〜100nmであることを特徴とする前記1〜のいずれか一項に記載のシンチレータプレート。 6 . The scintillator plate according to any one of 1 to 5 , wherein the corrosion-resistant reflective layer has a thickness of 10 to 100 nm.

.前記2層構成の反射層の内の反射層がアルミニウムで形成されていることを特徴とする前記1〜のいずれか一項に記載のシンチレータプレート。 7 . The scintillator plate according to any one of claims 1 to 6 , wherein a reflective layer of the two-layered reflective layer is formed of aluminum.

.前記防蝕性反射層及び反射層が蒸着又はスパッタにより形成されていることを特徴とする前記1〜のいずれか一項に記載のシンチレータプレート。 8 . The scintillator plate according to any one of 1 to 7 , wherein the corrosion-resistant reflective layer and the reflective layer are formed by vapor deposition or sputtering.

.前記1〜のいずれか一項に記載のシンチレータプレートを用いたシンチレータパネルであって、前記シンチレータ層の側に配置した第1保護フィルムと、前記耐熱性樹脂基板の外側に配置した第2保護フィルムとにより該シンチレータプレートが封止され、かつ該第1保護フィルムは該シンチレータ層に接着されていないことを特徴とするシンチレータパネル。 9 . A scintillator panel using the scintillator plate according to any one of 1 to 8 , wherein a first protection film disposed on the scintillator layer side and a second protection disposed on the outside of the heat resistant resin substrate. The scintillator panel, wherein the scintillator plate is sealed with a film, and the first protective film is not bonded to the scintillator layer.

10.前記に記載のシンチレータパネルを用いた放射線フラットパネルディテクターであって、該シンチレータパネルが平面受光素子面に物理化学的に接着されていないことを特徴とする放射線フラットパネルディテクター。 10 . 10. A radiation flat panel detector using the scintillator panel according to 9 above, wherein the scintillator panel is not physicochemically bonded to the surface of the planar light receiving element.

本発明の上記手段により、生産適正に優れ、シンチレータの発光取り出し効率、鮮鋭性が高く、平面受光素子面間での鮮鋭性の劣化が少ないシンチレータプレート、シンチレータパネル及びそれらを用いた放射線フラットパネルディテクターを提供することができる。   By the above-mentioned means of the present invention, a scintillator plate, a scintillator panel, and a radiation flat panel detector using the scintillator plate, scintillator panel, scintillator panel, scintillator plate, scintillator plate, scintillator plate, scintillator plate, and the like. Can be provided.

本発明のシンチレータプレートは、耐熱性樹脂基板上に反射層及びシンチレータ層を設けて成るシンチレータプレートであって、前記反射層が防蝕性反射層と反射層との2層構成で、該防蝕性反射層がシンチレータ層面側にあり、前記シンチレータ層がヨウ化セシウムを含有する柱状蛍光体層であり、気相法により形成されたこと、かつ放射線フラットパネルディテクターの構成要素として、平面受光素子面と物理化学的に接着させずに用いられることを特徴とする。この特徴は、請求項1〜1に係る発明に共通する技術的特徴である。 Scintillator plate of the present invention is a scintillator plate comprising a reflective layer and the scintillator layer on the heat-resistant resin substrate, the reflective layer is a two-layer structure of the corrosion protection reflective layer and the reflective layer, the corrosion protection reflection The layer is on the scintillator layer surface side, the scintillator layer is a columnar phosphor layer containing cesium iodide, formed by a vapor phase method, and as a constituent element of a radiation flat panel detector, It is characterized by being used without being chemically bonded. This feature is a technical feature common to the inventions according to claims 1 to 10 .

なお、ここで、「シンチレータ層」とは、蛍光体材料を含有する蛍光体層をいう。また、「物理化学的に接着させず」とは、接着剤を用いて物理的相互作用又は化学反応等によって接着させることをしないことをいう。   Here, the “scintillator layer” refers to a phosphor layer containing a phosphor material. Further, “not physicochemically bonded” means that the adhesive is not used for physical interaction or chemical reaction.

以下、本発明と構成要素等について詳細な説明をする。   Hereinafter, the present invention, components, and the like will be described in detail.

(シンチレータプレート及びパネルの構成)
本発明のシンチレータプレートは、耐熱性樹脂基板上に少なくとも反射層及びシンチレータ層をこの順に設けて成る。なお、当該反射層が防蝕性反射層と反射層との2層構成で、該防蝕性反射層がシンチレータ層面側にあることを特徴とする。
(Configuration of scintillator plate and panel)
The scintillator plate of the present invention is formed by providing at least a reflective layer and a scintillator layer in this order on a heat resistant resin substrate. The reflective layer has a two-layer structure of a corrosion-resistant reflective layer and a reflective layer, and the corrosion-resistant reflective layer is on the scintillator layer surface side.

また、本発明に係るシンチレータパネルは、シンチレータプレートに少なくとも保護層を設け成る。なお、本発明においては、保護層とし、後述する保護フィルムを用いる態様が好ましい。   In the scintillator panel according to the present invention, at least a protective layer is provided on the scintillator plate. In addition, in this invention, the aspect using a protective film mentioned later as a protective layer is preferable.

以下、各構成層及び構成要素等について説明する。   Hereinafter, each constituent layer and constituent elements will be described.

(シンチレータ層)
シンチレータ層(「蛍光体層」ともいう。)を形成する材料としては、X線から可視光に対する変更率が比較的高く、蒸着によって容易に蛍光体を柱状結晶構造に形成出来るため、光ガイド効果により結晶内での発光光の散乱が抑えられ、シンチレータ層の厚さを厚くすることが可能であることから、ヨウ化セシウム(CsI)を使用する
(Scintillator layer)
As a material for forming the scintillator layer (also referred to as “phosphor layer”), the rate of change from X- ray to visible light is relatively high, and the phosphor can be easily formed into a columnar crystal structure by vapor deposition. Therefore, scattering of the emitted light in the crystal can be suppressed, and the thickness of the scintillator layer can be increased. Therefore, cesium iodide (CsI) is used .

但し、CsIのみでは発光効率が低いために、各種の賦活剤が添加される。例えば、特公昭54−35060号公報の如く、CsIとヨウ化ナトリウム(NaI)を任意のモル比で混合したものが挙げられる。また、例えば特開2001−59899号公報に開示されているようなCsIを蒸着で、タリウム(Tl)、ユウロピウム(Eu)、インジウム(In)、リチウム(Li)、カリウム(K)、ルビジウム(Rb)、ナトリウム(Na)などの賦活物質を含有するCsIが好ましい。本発明においては、特に、タリウム(Tl)、ユウロピウム(Eu)が好ましい。更に、タリウム(Tl)が好ましい。   However, since only CsI has low luminous efficiency, various activators are added. For example, as shown in Japanese Patent Publication No. 54-35060, a mixture of CsI and sodium iodide (NaI) at an arbitrary molar ratio can be mentioned. Further, for example, CsI as disclosed in Japanese Patent Application Laid-Open No. 2001-59899 is deposited, and thallium (Tl), europium (Eu), indium (In), lithium (Li), potassium (K), rubidium (Rb) ), CsI containing an activating substance such as sodium (Na) is preferred. In the present invention, thallium (Tl) and europium (Eu) are particularly preferable. Furthermore, thallium (Tl) is preferred.

なお、本発明においては、特に、1種類以上のタリウム化合物を含む添加剤とヨウ化セシウムとを原材料とすることが好ましい。すなわち、タリウム賦活ヨウ化セシウム(CsI:Tl)は400nmから750nmまでの広い発光波長をもつことから好ましい。   In the present invention, it is particularly preferable to use an additive containing one or more types of thallium compounds and cesium iodide as raw materials. That is, thallium activated cesium iodide (CsI: Tl) is preferable because it has a wide emission wavelength from 400 nm to 750 nm.

本発明に係る1種類以上のタリウム化合物を含有する添加剤のタリウム化合物としては、種々のタリウム化合物(+Iと+IIIの酸化数の化合物)を使用することができる。   As the thallium compound as an additive containing one or more types of thallium compounds according to the present invention, various thallium compounds (compounds having oxidation numbers of + I and + III) can be used.

本発明において、好ましいタリウム化合物は、臭化タリウム(TlBr)、塩化タリウム(TlCl)、又はフッ化タリウム(TlF,TlF3)等である。 In the present invention, a preferable thallium compound is thallium bromide (TlBr), thallium chloride (TlCl), thallium fluoride (TlF, TlF 3 ), or the like.

また、本発明に係るタリウム化合物の融点は、400〜700℃の範囲内にあることが好ましい。700℃以内を超えると、柱状結晶内での添加剤が不均一に存在してしまい、発光効率が低下する。なお、本発明での融点とは、常温常圧下における融点である。   The melting point of the thallium compound according to the present invention is preferably in the range of 400 to 700 ° C. If the temperature exceeds 700 ° C., the additives in the columnar crystals exist non-uniformly, resulting in a decrease in luminous efficiency. In the present invention, the melting point is a melting point at normal temperature and pressure.

また、タリウム化合物の分子量は206〜300の範囲内にあることが好ましい。   Moreover, it is preferable that the molecular weight of a thallium compound exists in the range of 206-300.

本発明のシンチレータ層において、当該添加剤の含有量は目的性能等に応じて、最適量にすることが望ましいが、ヨウ化セシウムの含有量に対して、0.001mol%〜50mol%、更に0.1〜10.0mol%であることが好ましい。   In the scintillator layer of the present invention, the content of the additive is desirably an optimum amount according to the target performance and the like, but is 0.001 mol% to 50 mol% with respect to the content of cesium iodide, and further 0 It is preferable that it is 1-10.0 mol%.

ここで、ヨウ化セシウムに対し、添加剤が0.001mol%未満であると、ヨウ化セシウム単独使用で得られる発光輝度と大差なく、目的とする発光輝度を得ることができない。また、50mol%を超えるとヨウ化セシウムの性質・機能を保持することができない。   Here, when the additive is less than 0.001 mol% with respect to cesium iodide, the target light emission luminance cannot be obtained without much difference from the light emission luminance obtained by using cesium iodide alone. Moreover, when it exceeds 50 mol%, the property and function of cesium iodide cannot be maintained.

(反射層)
本発明に係る反射層は、シンチレータから発した光を反射して、光の取り出し効率を高めるためのものである。また、本発明に係る反射層は防蝕性を有する防蝕性反射層と反射層との2層構成で、該防蝕性反射層がシンチレータ層面側にあることを特徴とする。
(Reflective layer)
The reflective layer according to the present invention is for reflecting light emitted from the scintillator to enhance light extraction efficiency. In addition, the reflective layer according to the present invention has a two-layer structure of a corrosion-resistant reflective layer having a corrosion resistance and a reflective layer, and the corrosion-resistant reflective layer is on the scintillator layer surface side.

本発明に係る2層構成の反射層の内の反射層は、Al,Ag,Cr,Cu,Ni,Ti,Mg,Rh,Pt及びAuからなる元素群の中から選ばれるいずれかの元素を含む材料により形成されることが好ましい。当該反射層がアルミニウムで形成されていることが好ましい。また、その層厚が20〜200nm(0.02〜0.2μm)であることが好ましく、蒸着またはスパッタにより形成することが好ましい。   The reflective layer of the two-layered reflective layer according to the present invention is made of any element selected from the group consisting of Al, Ag, Cr, Cu, Ni, Ti, Mg, Rh, Pt and Au. It is preferable to form with the material containing. The reflective layer is preferably formed of aluminum. Moreover, it is preferable that the layer thickness is 20-200 nm (0.02-0.2 micrometer), and it is preferable to form by vapor deposition or sputtering.

一方、本発明に係る該防蝕性反射層は、また、これらの元素からなる金属または合金で形成されており、その標準電極電位が+1.0V以上であることが好ましい。   On the other hand, the anticorrosive reflective layer according to the present invention is also formed of a metal or alloy composed of these elements, and its standard electrode potential is preferably +1.0 V or more.

なお、金属が、その金属イオンを一定濃度含んだ電解質と接するときの金属が示す電位を標準電極電位と呼び、電位が低い金属ほど陽極的となりイオンとなって溶出−腐食しやすい。別に「イオン化傾向」という言葉があるがこれは標準電極電位の大きさの順であり、「貴:値として大きい、卑:値として小さい」である。
卑←K,Na,Mg,Al,Zn,Cr,Fe,Ni,Sn,(H),Cu,Ag,Pt,Au→貴
ここで注意せねばいけない点は、上記の順列は純粋な金属単体に関して成り立っているという点である。噛み砕いて言うと、我々の周りに存在している金属は、特に「卑」な金属である程、酸化などの表面変化を受けやすく金属最表面は変化していると考えられ、酸化皮膜で覆われているといえる。
Note that the potential of the metal when the metal is in contact with the electrolyte containing a certain concentration of the metal ion is referred to as a standard electrode potential. There is another term “ionization tendency”, which is in order of the standard electrode potential, “noble: large as value, base: small as value”.
Base ← K, Na, Mg, Al, Zn, Cr, Fe, Ni, Sn, (H), Cu, Ag, Pt, Au → Noble Note that the above permutation is pure metal This is the point that In terms of chewing, the metal present around us is considered to be more susceptible to surface changes such as oxidation, especially the “base” metal, and the outermost metal surface is considered to change. It can be said that

この時、逆にAlなどの「卑」な金属の中には化学変化に安定な酸化不動態膜を最表面に形成すると言われる。不動態とは、金属表面に腐食作用に抵抗する酸化被膜が生じた状態のことであり、この被膜は溶液や酸にさらされても溶け去ることが無いため、内部の金属を腐食から保護するために用いられる。   At this time, it is said that, on the contrary, among the “base” metals such as Al, an oxidation passivating film that is stable to chemical change is formed on the outermost surface. Passivation is a state in which an oxide film that resists corrosive action has formed on the metal surface, and this film does not dissolve away when exposed to a solution or acid, thus protecting the internal metal from corrosion. Used for.

しかし、すべての金属が不動態となるわけではない。不動態になりやすいのは、アルミニウム、ニッケル、鉄、コバルト、クロム、チタン、タンタル、ニオブなどやその合金である。このような不動態膜を形成する金属であれば、防蝕効果が期待できる。   However, not all metals are passive. It is aluminum, nickel, iron, cobalt, chromium, titanium, tantalum, niobium, etc. and their alloys that are easily passivated. If it is a metal which forms such a passive film, a corrosion-proof effect can be expected.

本検討において、シンチレータ層の、恐らくハロゲンに対して防蝕効果としては、中でもクロム、チタンについて確認できた。   In this study, the scintillator layer could have been confirmed to have chromium, titanium, etc. as a corrosion-preventing effect against halogen.

したがって、本発明においては、特に、クロム、チタン、クロム合金、又はチタン合金であることが好ましい。   Therefore, in the present invention, chromium, titanium, a chromium alloy, or a titanium alloy is particularly preferable.

なお、本発明に係る防蝕性反射層の層厚が10〜100nm(0.01〜0.1μm)であることが好ましく、蒸着またはスパッタにより形成することが好ましい。   The thickness of the anticorrosive reflective layer according to the present invention is preferably 10 to 100 nm (0.01 to 0.1 μm), and preferably formed by vapor deposition or sputtering.

(下引層)
本発明においては、下引層を設けても良い。本発明に係る下引層は、反射層の保護の観点から、下引層とシンチレータ層の間に設けることが好ましい。
(Undercoat layer)
In the present invention, an undercoat layer may be provided. The undercoat layer according to the present invention is preferably provided between the undercoat layer and the scintillator layer from the viewpoint of protecting the reflective layer.

また、当該下引層は、高分子結合材(バインダー)、分散剤等を含有することが好ましい。   The undercoat layer preferably contains a polymer binder (binder), a dispersant and the like.

なお、下引層の厚さは、0・5〜2μmが好ましい、3μm以上になると下引層内での光散乱が大きくなり鮮鋭性が悪化する。また下引層の厚さが2μmより大きくなると熱処理より柱状結晶性の乱れが発生する。   The thickness of the undercoat layer is preferably 0.5 to 2 μm. When the thickness is 3 μm or more, light scattering in the undercoat layer increases and sharpness deteriorates. If the thickness of the undercoat layer is larger than 2 μm, columnar crystallinity is disturbed by the heat treatment.

以下、下引層の構成要素について説明する。   Hereinafter, components of the undercoat layer will be described.

〈高分子結合材〉
〈高分子結合材〉
本発明に係る下引層は、溶剤に溶解又は分散した高分子結合材(以下「バインダー」ともいう。)を塗布、乾燥して形成することが好ましい。高分子結合材としては、具体的には、ポリイミドまたはポリイミド含有樹脂、ポリウレタン、塩化ビニル共重合体、塩化ビニル−酢酸ビニル共重合体、塩化ビニル−塩化ビニリデン共重合体、塩化ビニル−アクリロニトリル共重合体、ブタジエン−アクリロニトリル共重合体、ポリアミド樹脂、ポリビニルブチラール、ポリエステル、セルロース誘導体(ニトロセルロース等)、スチレン−ブタジエン共重合体、各種の合成ゴム系樹脂、フェノール樹脂、エポキシ樹脂、尿素樹脂、メラミン樹脂、フェノキシ樹脂、シリコン樹脂、アクリル系樹脂、尿素ホルムアミド樹脂等が挙げられる。なかでもポリウレタン、ポリエステル、塩化ビニル系共重合体、ポリビニールブチラール、ニトロセルロースを使用することが好ましい。
<Polymer binder>
<Polymer binder>
The undercoat layer according to the present invention is preferably formed by applying and drying a polymer binder (hereinafter also referred to as “binder”) dissolved or dispersed in a solvent. Specific examples of the polymer binder include polyimide or polyimide-containing resin, polyurethane, vinyl chloride copolymer, vinyl chloride-vinyl acetate copolymer, vinyl chloride-vinylidene chloride copolymer, vinyl chloride-acrylonitrile copolymer. Polymer, butadiene-acrylonitrile copolymer, polyamide resin, polyvinyl butyral, polyester, cellulose derivative (nitrocellulose, etc.), styrene-butadiene copolymer, various synthetic rubber resins, phenol resin, epoxy resin, urea resin, melamine resin , Phenoxy resin, silicon resin, acrylic resin, urea formamide resin, and the like. Of these, polyurethane, polyester, vinyl chloride copolymer, polyvinyl butyral, and nitrocellulose are preferably used.

本発明に係る高分子結合材としては、特にシンチレータ層との密着の点でポリイミドまたはポリイミド含有樹脂、ポリウレタン、ポリエステル、塩化ビニル系共重合体、ポリビニールブチラール、ニトロセルロースなどが好ましい。また、ガラス転位温度(Tg)が30〜100℃のポリマーであることが、蒸着結晶と基板との膜付の点で好ましい。この観点からは、特にポリエステル樹脂であることが好ましい。但し、輝度などの画像特性向上のために熱処理温度の向上をはかるとTgが30〜100℃のポリマーでは耐熱性が十分に確保できない場合があり、この際はポリイミドまたはポリイミド含有樹脂を用いる。   As the polymer binder according to the present invention, polyimide or polyimide-containing resin, polyurethane, polyester, vinyl chloride copolymer, polyvinyl butyral, nitrocellulose and the like are particularly preferable in terms of close contact with the scintillator layer. Moreover, it is preferable that the glass transition temperature (Tg) is a polymer having a temperature of 30 to 100 ° C. in terms of attaching a film between the deposited crystal and the substrate. From this viewpoint, a polyester resin is particularly preferable. However, if the heat treatment temperature is improved to improve image characteristics such as luminance, a polymer having a Tg of 30 to 100 ° C. may not be able to ensure sufficient heat resistance. In this case, polyimide or a polyimide-containing resin is used.

下引層の調製に用いることができる溶剤としては、N,N−ジメチルアセトアミド、N−メチル−2−ピロリドン、メタノール、エタノール、n−プロパノール、n−ブタノールなどの低級アルコール、メチレンクロライド、エチレンクロライドなどの塩素原子含有炭化水素、アセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトンなどのケトン、トルエン、ベンゼン、シクロヘキサン、シクロヘキサノン、キシレンなどの芳香族化合物、酢酸メチル、酢酸エチル、酢酸ブチルなどの低級脂肪酸と低級アルコールとのエステル、ジオキサン、エチレングリコールモノエチルエステル、エチレングリコールモノメチルエステルなどのエーテル及びそれらの混合物を挙げることができる。   Solvents that can be used to prepare the undercoat layer include N, N-dimethylacetamide, N-methyl-2-pyrrolidone, lower alcohols such as methanol, ethanol, n-propanol, and n-butanol, methylene chloride, and ethylene chloride. Chlorine atom containing hydrocarbons such as, ketones such as acetone, methyl ethyl ketone, methyl isobutyl ketone, aromatic compounds such as toluene, benzene, cyclohexane, cyclohexanone, xylene, lower fatty acids such as methyl acetate, ethyl acetate, butyl acetate and lower alcohol And ethers such as dioxane, ethylene glycol monoethyl ester, ethylene glycol monomethyl ester, and mixtures thereof.

なお、本発明に係る下引層には、シンチレータが発光する光の散乱の防止し、鮮鋭性等を向上させるために顔料や染料を含有させても良い。   The undercoat layer according to the present invention may contain a pigment or a dye in order to prevent scattering of light emitted by the scintillator and improve sharpness and the like.

(保護層)
本発明に係る保護層は、シンチレータ層の保護を主眼とするものである。すなわち、ヨウ化セシウム(CsI)は、吸湿性が高く露出したままにしておくと空気中の水蒸気を吸湿して潮解してしまうため、これを防止することを主眼とする。当該保護層は、種々の材料を用いて形成することができる。
(Protective layer)
The protective layer according to the present invention focuses on protecting the scintillator layer. That is, cesium iodide (CsI) absorbs water vapor in the air and deliquesces when exposed to a high hygroscopic property, and therefore the main purpose is to prevent this. The protective layer can be formed using various materials.

本発明に係るシンチレータパネルにおいては、当該保護層として、先ず、シンチレータプレートのシンチレータ層上に保護フィルムを設けることができる。   In the scintillator panel according to the present invention, as the protective layer, first, a protective film can be provided on the scintillator layer of the scintillator plate.

更に、上記シンチレータ層の側に配置した第1保護フィルムと、基板の外側に配置した第2保護フィルムとにより当該シンチレータパネが封止され、かつ該第1保護フィルムは該シンチレータ層に物理化学的に接着されていない態様とすることが好ましい。   Further, the scintillator panel is sealed by a first protective film disposed on the scintillator layer side and a second protective film disposed on the outside of the substrate, and the first protective film is physicochemically bonded to the scintillator layer. It is preferable that the surface is not adhered to the surface.

ここで、「物理化学的に接着されていない」とは、前述のように、接着剤を用いて物理的相互作用又は化学反応等によって接着されていないことをいう。この接着されていない状態は、微視的にはシンチレータ層面と保護フィルムは点接触してはいたとしても、光学的、力学的にはほとんどシンチレータ層面と保護フィルムは不連続体として扱える状態のことといえるものである。   Here, “not physically bonded” means that it is not bonded by physical interaction or chemical reaction using an adhesive as described above. This non-bonded state is a state in which the scintillator layer surface and the protective film can be treated as a discontinuous optically and mechanically even though the scintillator layer surface and the protective film are point contacted microscopically. It can be said.

次に本発明において使用する保護フィルムについて詳細な説明をする。   Next, the protective film used in the present invention will be described in detail.

本発明に使用する保護フィルムの構成例としては、保護層(最外層)/中間層(防湿性層)/最内層(熱溶着層)の構成を有した多層積層材料が挙げられる。又、更に各層は必要に応じて多層とすることも可能である。   As a structural example of the protective film used for this invention, the multilayer laminated material which has the structure of a protective layer (outermost layer) / intermediate layer (moisture-proof layer) / innermost layer (thermal welding layer) is mentioned. Furthermore, each layer can be a multilayer as required.

〈最内層(熱溶着層)〉
最内層の熱可塑性樹脂フィルムとしてはEVA、PP、LDPE、LLDPE及びメタロセン触媒を使用して製造したLDPE、LLDPE、又、これらフィルムとHDPEフィルムの混合使用したフィルムを使用することが好ましい。
<Innermost layer (thermal welding layer)>
As the innermost thermoplastic resin film, it is preferable to use EVA, PP, LDPE, LLDPE and LDPE, LLDPE produced by using a metallocene catalyst, or a film using a mixture of these films and HDPE films.

〈中間層(防湿性層)〉
中間層(防湿性層)としては、特開平6−95302号及び真空ハンドブック増訂版p132〜p134(ULVAC 日本真空技術K.K)に記載されている如き、無機膜を少なくとも一層有する層が挙げられる。無機膜としては金属蒸着膜及び無機酸化物の蒸着膜が挙げられる。
<Intermediate layer (moisture-proof layer)>
Examples of the intermediate layer (moisture-proof layer) include a layer having at least one inorganic film as described in JP-A-6-95302 and vacuum handbook revised editions p132 to p134 (ULVAC Japan Vacuum Technology KK). It is done. Examples of the inorganic film include a metal vapor-deposited film and an inorganic oxide vapor-deposited film.

金属蒸着膜としては、例えばZrN、SiC、TiC、Si34、単結晶Si、ZrN、PSG、アモルファスSi、W、アルミニウム等が挙げられ、特に好ましい金属蒸着膜としては、例えばアルミニウムが挙げられる。 Examples of the metal vapor deposition film include ZrN, SiC, TiC, Si 3 N 4 , single crystal Si, ZrN, PSG, amorphous Si, W, and aluminum. Particularly preferable metal vapor deposition film includes, for example, aluminum. .

無機物蒸着膜としては薄膜ハンドブックp879〜p901(日本学術振興会)、真空技術ハンドブックp502〜p509、p612、p810(日刊工業新聞社)、真空ハンドブック増訂版p132〜p134(ULVAC 日本真空技術K.K)に記載されている如き無機物蒸着膜が挙げられる。これらの無機物蒸着膜としては、例えば、Cr23、Sixy(x=1、y=1.5〜2.0)、Ta23、ZrN、SiC、TiC、PSG、Si34、単結晶Si、アモルファスSi、W、AI23等が用いられる。 Thin film handbooks p879-p901 (Japan Society for the Promotion of Science), vacuum technology handbooks p502-p509, p612, p810 (Nikkan Kogyo Shimbun), vacuum handbook revised editions p132-p134 (ULVAC Japan Vacuum Technology KK) Inorganic vapor-deposited films as described in (1). As these inorganic vapor deposition films, for example, Cr 2 O 3 , Si x O y (x = 1, y = 1.5 to 2.0), Ta 2 O 3 , ZrN, SiC, TiC, PSG, Si 3 N 4 , single crystal Si, amorphous Si, W, AI 2 O 3 or the like is used.

中間層(防湿性層)の基材として使用する熱可塑性樹脂フィルムとしてはエチレンテトラフルオロエチル共重合体(ETFE)、高密度ポリエチレン(HDPE)、延伸ポリプロピレン(0PP)、ポリスチレン(PS)、ポリメチルメタクリレート(PMMA)、2軸延伸ナイロン6、ポリエチレンテレフタレート(PET)、ポリカーボネート(PC)、ポリイミド、ポリエーテルスチレン(PES)など一般の包装用フィルムに使用されているフィルム材料を使用することが出来る。   The thermoplastic resin film used as the base material of the intermediate layer (moisture-proof layer) is ethylene tetrafluoroethyl copolymer (ETFE), high-density polyethylene (HDPE), expanded polypropylene (0PP), polystyrene (PS), polymethyl Film materials used for general packaging films such as methacrylate (PMMA), biaxially stretched nylon 6, polyethylene terephthalate (PET), polycarbonate (PC), polyimide, and polyether styrene (PES) can be used.

蒸着膜を作る方法としては真空技術ハンドブック及び包装技術Vol29−No.8に記載されている如き一般的な方法、例えば抵抗又は高周波誘導加熱法、エレクトロビーム(EB)法、プラズマ(PCVD)等により作ることが出来る。蒸着膜の厚さとしては40〜200nmの範囲が好ましく、より好ましくは50〜180nmの範囲である。   As a method for forming a deposited film, vacuum technology handbook and packaging technology Vol 29-No. 8, for example, by resistance or high frequency induction heating method, electrobeam (EB) method, plasma (PCVD) or the like. The thickness of the deposited film is preferably in the range of 40 to 200 nm, more preferably in the range of 50 to 180 nm.

〈最外層〉
蒸着フィルムシートを介して用いられる熱可塑性樹脂フィルムとしては一般の包装材料として使用されている高分子フィルム(例えば機能性包装材料の新展開株式会社東レリサーチセンター記載の高分子フィルム)である低密度ポリエチレン(LDPE)、HDPE、線状低密度ポリエチレン(LLDPE)、中密度ポリエチレン、未延伸ポリプロピレン(CPP)、OPP、延伸ナイロン(ONy)、PET、セロハン、ポリビニルアルコール(PVA)、延伸ビニロン(OV)、エチレン−酢酸ビニル共重合体(EVOH)、塩化ビニリデン(PVDC)、フッ素を含むオレフィン(フルオロオレフィン)の重合体又はフッ素を含むオレフィンを共重合体等が使用出来る。
<Outermost layer>
Low density, which is a polymer film (for example, a polymer film described in Toray Research Center, Inc., a new development of functional packaging materials) used as a general packaging material as a thermoplastic resin film used via a vapor-deposited film sheet Polyethylene (LDPE), HDPE, linear low density polyethylene (LLDPE), medium density polyethylene, unstretched polypropylene (CPP), OPP, stretched nylon (ONy), PET, cellophane, polyvinyl alcohol (PVA), stretched vinylon (OV) , Ethylene-vinyl acetate copolymer (EVOH), vinylidene chloride (PVDC), a polymer of fluorine-containing olefin (fluoroolefin), a fluorine-containing olefin copolymer, or the like can be used.

又、これら熱可塑性樹脂フィルムは、必要に応じて異種フィルムと共押し出しで作った多層フィルム、延伸角度を変えて張り合わせて作った多層フィルム等も当然使用出来る。更に必要とする包装材料の物性を得るために使用するフィルムの密度、分子量分布を組み合わせて作ることも当然可能である。最内層の熱可塑性樹脂フィルムとしてはLDPE、LLDPE及びメタロセン触媒を使用して製造したLDPE、LLDPE、又、これらフィルムとHDPEフィルムの混合使用したフィルムが使用されている。   Of these thermoplastic resin films, a multilayer film made by coextrusion with a different film, a multilayer film made by laminating at different stretching angles, etc. can be used as required. Furthermore, it is naturally possible to combine the density and molecular weight distribution of the film used to obtain the required physical properties of the packaging material. As the innermost thermoplastic resin film, LDPE, LLDPE produced using LDPE, LLDPE and a metallocene catalyst, or a film using a mixture of these films and HDPE films are used.

無機物蒸着層を使用しない場合は、保護層に中間層としての機能を持たせる必要がある。この場合、保護層に使用する熱可塑性樹脂フィルムのなかより必要に応じて単体でもよいし又は、2種以上のフィルムを積層させて用いることが出来る。例えばCPP/OPP、PET/OPP/LDPE、Ny/OPP/LDPE、CPP/OPP/EVOH、サランUB/LLDPE(ここでサランUBとは旭化成工業株式会社製の塩化ビニリデン/アクリル酸エステル系共重合樹脂を原料とした2軸延伸フィルムを示す。)K−OP/PP、K−PET/LLDPE、K−Ny/EVA(ここでKは塩化ビニリデン樹脂をコートしたフィルムを示す)等が使用されている。   When the inorganic vapor deposition layer is not used, the protective layer needs to have a function as an intermediate layer. In this case, the thermoplastic resin film used for the protective layer may be a simple substance or may be used by laminating two or more kinds of films as required. For example, CPP / OPP, PET / OPP / LDPE, Ny / OPP / LDPE, CPP / OPP / EVOH, Saran UB / LLDPE (where Saran UB is a vinylidene chloride / acrylic acid ester copolymer resin manufactured by Asahi Kasei Corporation) A biaxially stretched film is used as a raw material.) K-OP / PP, K-PET / LLDPE, K-Ny / EVA (where K is a film coated with vinylidene chloride resin) and the like are used. .

これら保護フィルムの製造方法としては、一般的に知られている各種の方法が用いられ、例えばウェットラミネート法、ドライラミネート法、ホットメルトラミネート法、押し出しラミネート法、熱ラミネート法を利用して作ることが可能である。無機物を蒸着したフィルムを使用しない場合も同様な方法が当然使えるがこれらの他に使用材料によっては多層インフレーション方式、共押し出し成形方式により作ることが出来る。   As a method for producing these protective films, various generally known methods are used. For example, a wet laminate method, a dry laminate method, a hot melt laminate method, an extrusion laminate method, and a thermal laminate method are used. Is possible. Of course, the same method can be used in the case where a film on which an inorganic material is deposited is not used, but in addition to these, depending on the material used, it can be formed by a multilayer inflation method or a coextrusion method.

積層する際に使用される接着剤としては一般的に知られている接着剤が使用可能である。例えば各種ポリエチレン樹脂、各種ポリプロピレン樹脂等のポリオレフィン系熱可塑性樹脂熱溶解接着剤、エチレン−プロピレン共重合体樹脂、エチレン−酢酸ビニル共重合体樹脂、エチレン−エチルアクリレート共重合体樹脂等のエチレン共重合体樹脂、エチレン−アクリル酸共重合体樹脂、アイオノマー樹脂等の熱可塑性樹脂熱溶融接着剤、その他熱溶融型ゴム系接着剤等がある。エマルジョン、ラテックス状の接着剤であるエマルジョン型接着剤の代表例としては、ポリ酢酸ビニル樹脂、酢酸ビニル−エチレン共重合体樹脂、酢酸ビニルとアクリル酸エステル共重合体樹脂、酢酸ビニルとマレイン酸エステル共重合体樹脂、アクリル酸共重合物、エチレン−アクリル酸共重合物等のエマルジョンがある。ラテックス型接着剤の代表例としては、天然ゴム、スチレンブタジエンゴム(SBR)、アクリロニトリルブタジエンゴム(NBR)、クロロプレンゴム(CR)等のゴムラテックスがある。又、ドライラミネート用接着剤としてはイソシアネート系接着剤、ウレタン系接着剤、ポリエステル系接着剤等があり、その他、パラフィンワックス、マイクロクリスタリンワックス、エチレン−酢酸ビニル共重合体樹脂、エチレン−エチルアクリレート共重合体樹脂等をブレンドしたホットメルトラミネート接着剤、感圧接着剤、感熱接着剤等公知の接着剤を用いることも出来る。エクストルージョンラミネート用ポリオレフィン系樹脂接着剤はより具体的に言えば、各種ポリエチレン樹脂、ポリプロピレン樹脂、ポリブチレン樹脂などのポリオレフィン樹脂からなる重合物及びエチレン共重合体(EVA、EEA、等)樹脂の他、L−LDPE樹脂の如く、エチレンと他のモノマー(α−オレフィン)を共重合させたもの、Dupot社のサーリン、三井ポリケミカル社のハイミラン等のアイオノマー樹脂(イオン共重合体樹脂)及び三井石油化学(株)のアドマー(接着性ポリマー)等がある。その他紫外線硬化型接着剤も最近使われはじめた。特にLDPE樹脂とL−LDPE樹脂が安価でラミネート適性に優れているので好ましい。又前記記載樹脂を2種以上ブレンドして各樹脂の欠点をカバーした混合樹脂は特に好ましい。例えばL−LDPE樹脂とLDPE樹脂をブレンドすると延展性が向上し、ネックインが小さくなるのでラミネート速度が向上し、ピンホールが少なくなる。   As the adhesive used for laminating, generally known adhesives can be used. For example, polyethylene thermoplastic resins such as various polyethylene resins, various polypropylene resins, hot melt adhesives, ethylene-propylene copolymer resins, ethylene-vinyl acetate copolymer resins, ethylene-ethyl acrylate copolymer resins, etc. There are thermoplastic resin hot-melt adhesives such as coalescence resins, ethylene-acrylic acid copolymer resins, ionomer resins, and other hot-melt rubber adhesives. Typical examples of emulsion-type adhesives that are emulsion and latex adhesives are polyvinyl acetate resin, vinyl acetate-ethylene copolymer resin, vinyl acetate and acrylate copolymer resin, vinyl acetate and maleate ester. There are emulsions such as copolymer resins, acrylic acid copolymers, and ethylene-acrylic acid copolymers. Typical examples of latex adhesives include rubber latexes such as natural rubber, styrene butadiene rubber (SBR), acrylonitrile butadiene rubber (NBR), and chloroprene rubber (CR). Dry laminate adhesives include isocyanate adhesives, urethane adhesives, polyester adhesives, and others, as well as paraffin wax, microcrystalline wax, ethylene-vinyl acetate copolymer resin, and ethylene-ethyl acrylate. Known adhesives such as hot melt laminate adhesives, pressure sensitive adhesives, heat sensitive adhesives and the like blended with polymer resins can also be used. More specifically, the polyolefin-based resin adhesive for extrusion laminating includes, in addition to polymers and ethylene copolymer (EVA, EEA, etc.) resins made of polyolefin resins such as various polyethylene resins, polypropylene resins and polybutylene resins, Ionomer resin (ionic copolymer resin) such as L-LDPE resin copolymerized with ethylene and other monomers (α-olefin), DuPont Surlyn, Mitsui Polychemical Co., Ltd., and Mitsui Petrochemical Admer (adhesive polymer), etc. Other UV curable adhesives have recently begun to be used. In particular, LDPE resin and L-LDPE resin are preferable because they are inexpensive and have excellent laminating properties. A mixed resin in which two or more of the above-described resins are blended to cover the defects of each resin is particularly preferable. For example, when L-LDPE resin and LDPE resin are blended, spreadability is improved and neck-in is reduced, so that the lamination speed is improved and pinholes are reduced.

上記保護フィルムの厚さは、空隙部の形成性、シンチレータ層(蛍光体層)の保護性、鮮鋭性、防湿性、作業性等を考慮し、12μm以上、60μm以下が好ましく、更には20μm以上、40μm以下が好ましい。また、ヘイズ率が、鮮鋭性、放射線画像ムラ、製造安定性、作業性等を考慮し、3%以上40%以下が好ましく、更には3%以上、10%以下が好ましい。ヘイズ率は、日本電色工業株式会社NDH 5000Wにより測定した値を示す。必要とするヘイズ率は、市販されている高分子フィルムから適宜選択し、容易に入手することが可能である。   The thickness of the protective film is preferably 12 μm or more and 60 μm or less, more preferably 20 μm or more, taking into consideration the formability of voids, the scintillator layer (phosphor layer) protection, sharpness, moisture resistance, workability, etc. 40 μm or less is preferable. The haze ratio is preferably 3% or more and 40% or less, more preferably 3% or more and 10% or less in consideration of sharpness, radiation image unevenness, manufacturing stability, workability, and the like. A haze rate shows the value measured by Nippon Denshoku Industries Co., Ltd. NDH 5000W. The required haze ratio is appropriately selected from commercially available polymer films and can be easily obtained.

保護フィルムの光透過率は、光電変換効率、シンチレータ発光波長等を考慮し、550nmで70%以上あることが好ましいが、99%以上の光透過率のフィルムは工業的に入手が困難であるため実質的に99%〜70%が好ましい。   The light transmittance of the protective film is preferably 70% or more at 550 nm in consideration of photoelectric conversion efficiency, scintillator emission wavelength, etc., but a film having a light transmittance of 99% or more is difficult to obtain industrially. Substantially 99% to 70% is preferable.

保護フィルムの透湿度は、シンチレータ層の保護性、潮解性等を考慮し50g/m2・day(40℃・90%RH)(JIS Z0208に準じて測定)以下が好ましく、更には10g/m2・day(40℃・90%RH)(JIS Z0208に準じて測定)以下が好ましいが、0.01g/m2・day(40℃・90%RH)以下の透湿度のフィルムは工業的に入手が困難であるため実質的に、0.01g/m2・day(40℃・90%RH)以上、50g/m2・day(40℃・90%RH)(JIS Z0208に準じて測定)以下が好ましく、更には0.1g/m2・day(40℃・90%RH)以上、10g/m2・day(40℃・90%RH)(JIS Z0208に準じて測定)以下が好ましい。 The moisture permeability of the protective film is preferably 50 g / m 2 · day (40 ° C., 90% RH) (measured according to JIS Z0208) or less, more preferably 10 g / m, taking into account the protection and deliquescence properties of the scintillator layer. 2 · day (40 ° C./90% RH) (measured according to JIS Z0208) or less is preferable, but a film with a water vapor transmission rate of 0.01 g / m 2 · day (40 ° C./90% RH) or less is industrially used. Substantially 0.01 g / m 2 · day (40 ° C, 90% RH) or more, 50 g / m 2 · day (40 ° C, 90% RH) (measured according to JIS Z0208) The following are preferable, and more preferably 0.1 g / m 2 · day (40 ° C. · 90% RH) or more and 10 g / m 2 · day (40 ° C. · 90% RH) (measured according to JIS Z0208) or less.

なお、別の態様の保護層として、シンチレータ及び基板の表面全体に、CVD法により、有機薄膜、例えば、ポリパラキシリレン膜を形成し、保護層とすることができる。   In addition, as a protective layer of another aspect, an organic thin film, for example, a polyparaxylylene film, can be formed on the entire surface of the scintillator and the substrate by a CVD method to form a protective layer.

(基板)
本発明に係る基板は、耐熱性樹脂基板であることを特徴とする。耐熱性樹脂としては、従来公知の樹脂を使用することができるが、いわゆるエンジニアリングプラスチックを用いることが好ましい。ここで、「エンジニアリングプラスチックス」とは、産業用途(工業用途)に使用される高機能のプラスチックスのことであり、一般的に強度や耐熱温度が高く、耐薬品性に優れている等の利点を有する。
(substrate)
The substrate according to the present invention is a heat-resistant resin substrate. Conventionally known resins can be used as the heat resistant resin, but so-called engineering plastics are preferably used. Here, “engineering plastics” are high-performance plastics used in industrial applications (industrial applications), and generally have high strength, heat-resistant temperature, excellent chemical resistance, etc. Have advantages.

本発明に係るエンジニアリングプラスチックスとしては、特に限定されるものではないが、例えば、ポリサルホン樹脂、ポリエーテルサルホン樹脂、ポリイミド樹脂、ポリエーテルイミド樹脂、ポリアミド樹脂、ポリアセタール樹脂、ポリカーボネート樹脂、ポリエチレンテレフタレート樹脂、ポリブチレンテレフタレート樹脂、芳香族ポリエステル樹脂、変性ポリフェニレンオキサイド樹脂、ポリフェニレンスルフィド樹脂、ポリエーテルケトン樹脂等が好適に用いられる。これらのエンジニアリングプラスチックスは、単独で用いられても良いし、2種類以上が併用されても良い。   The engineering plastics according to the present invention is not particularly limited. For example, polysulfone resin, polyethersulfone resin, polyimide resin, polyetherimide resin, polyamide resin, polyacetal resin, polycarbonate resin, polyethylene terephthalate resin Polybutylene terephthalate resin, aromatic polyester resin, modified polyphenylene oxide resin, polyphenylene sulfide resin, polyether ketone resin and the like are preferably used. These engineering plastics may be used independently and 2 or more types may be used together.

更に、硬化温度によっては、ポリエーテルエーテルケトン(PEEK)やポリテトラフルオロエチレン(PTFE)等に代表されるスーパーエンジニアリングプラスチックを使用することも好ましい。   Furthermore, depending on the curing temperature, it is also preferable to use a super engineering plastic represented by polyether ether ketone (PEEK), polytetrafluoroethylene (PTFE), or the like.

本発明においては、耐熱性、加工性、機械的強度、及びコスト面で優れた、ポリイミド樹脂又はポリエーテルイミド樹脂のようなポリイミドを含有する樹脂で基板を形成することが好ましい。   In this invention, it is preferable to form a board | substrate with resin containing polyimide like the polyimide resin or polyetherimide resin excellent in heat resistance, workability, mechanical strength, and cost.

なお、シンチレータパネルと平面受光素子面を貼り合せる際に、基板の変形や蒸着時の反りなどの影響を受け、フラットパネルディテクターの受光面内で均一な画質特性が得られないという点に関して、該基板を、厚さ50μm以上500μm以下の樹脂基板とすることでシンチレータパネルが平面受光素子面形状に合った形状に変形し、フラットパネルディテクターの受光面全体で均一な鮮鋭性が得られる。   Note that, when the scintillator panel and the planar light receiving element surface are bonded, the image quality is not uniform within the light receiving surface of the flat panel detector due to the influence of deformation of the substrate and warpage during vapor deposition. By making the substrate a resin substrate having a thickness of 50 μm or more and 500 μm or less, the scintillator panel is deformed into a shape that matches the planar light receiving element surface shape, and uniform sharpness is obtained over the entire light receiving surface of the flat panel detector.

(シンチレータプレート及びパネルの作製方法等)
次に、本発明の実施の形態を図1〜図4を参照しながら説明するが、本発明はこれに限定されるものではない。
(Scintillator plate and panel manufacturing method, etc.)
Next, embodiments of the present invention will be described with reference to FIGS. 1 to 4, but the present invention is not limited thereto.

図1はシンチレータパネルの概略平面図である。図1(a)はシンチレータプレートを4方シールで保護フィルムにより封止したシンチレータパネルの概略平面図である。図1(b)はシンチレータプレートを2方シールで保護フィルムにより封止したシンチレータパネルの概略平面図である。図1(c)はシンチレータプレートを3方シールで保護フィルムにより封止したシンチレータパネルの概略平面図である。   FIG. 1 is a schematic plan view of a scintillator panel. FIG. 1A is a schematic plan view of a scintillator panel in which a scintillator plate is sealed with a protective film with a four-way seal. FIG. 1B is a schematic plan view of a scintillator panel in which a scintillator plate is sealed with a protective film with a two-way seal. FIG. 1C is a schematic plan view of a scintillator panel in which a scintillator plate is sealed with a protective film with a three-way seal.

図1(a)のシンチレータパネルに付き説明する。図中、1aはシンチレータパネルを示す。シンチレータパネル1aは、シンチレータプレート101と、シンチレータプレート101のシンチレータ層101b(図2を参照)側に配置された第1保護フィルム102aと、シンチレータプレート101の基板101a側に配置された第2保護フィルム102b(図2を参照)とを有している。103a〜103dは保護フィルム102aと第2保護フィルム102b(図2を参照)との4箇所の封止部を示し、封止部103a〜103dはシンチレータプレート101の周縁部より何れも外側に形成されている。4方シールとは、本図に示す如く、4方に封止部を有する状態を言う。本図に示される、4方シールの形態は第1保護フィルム102aと第2保護フィルム102b(図2を参照)との2枚のプレート状の保護フィルムの間にシンチレータプレートを挟み、4方をシールすることで作製することが出来る。この場合、第1保護フィルム102aと、第2保護フィルム102b(図2を参照)とは、異なっていても、同じてあってもよく、必要に応じて適宜選択することが可能である。   The scintillator panel in FIG. In the figure, reference numeral 1a denotes a scintillator panel. The scintillator panel 1a includes a scintillator plate 101, a first protective film 102a disposed on the scintillator layer 101b (see FIG. 2) side of the scintillator plate 101, and a second protective film disposed on the substrate 101a side of the scintillator plate 101. 102b (see FIG. 2). Reference numerals 103 a to 103 d denote four sealing portions of the protective film 102 a and the second protective film 102 b (see FIG. 2), and the sealing portions 103 a to 103 d are formed outside the peripheral edge portion of the scintillator plate 101. ing. The four-way seal means a state having sealing portions in four directions as shown in the figure. The four-sided seal shown in this figure has a scintillator plate sandwiched between two plate-like protective films of a first protective film 102a and a second protective film 102b (see FIG. 2). It can be produced by sealing. In this case, the 1st protective film 102a and the 2nd protective film 102b (refer FIG. 2) may differ or may be the same, and can be suitably selected as needed.

図1(b)のシンチレータパネルに付き説明する。図中、1bはシンチレータパネルを示す。シンチレータパネル1bは、シンチレータプレート101と、シンチレータプレート101のシンチレータ層101b(図2を参照)側に配置された第1保護フィルム104と、シンチレータプレート101の基板101a側に配置された第2保護フィルム(不図示)とを有している。105a、105bは保護フィルム104と基板側に配置された第2保護フィルム(不図示)との2箇所の封止部を示し、封止部105a、105bはシンチレータプレート101の周縁部より何れも外側に形成されている。2方シールとは、本図に示す如く、2方に封止部を有する状態を言う。本図に示される、2方シールの形態はインフレーション方により筒状に成形された保護フィルムの間にシンチレータプレートを挟み、2方をシールすることで作製することが出来る。この場合、第1保護フィルム104と第2保護フィルム(不図示)とに使用する使用する保護フィルムは同じものとなる。   The scintillator panel in FIG. In the figure, 1b represents a scintillator panel. The scintillator panel 1b includes a scintillator plate 101, a first protective film 104 disposed on the scintillator layer 101b (see FIG. 2) side of the scintillator plate 101, and a second protective film disposed on the substrate 101a side of the scintillator plate 101. (Not shown). Reference numerals 105 a and 105 b denote two sealing portions of the protective film 104 and a second protective film (not shown) arranged on the substrate side, and the sealing portions 105 a and 105 b are both outside the peripheral portion of the scintillator plate 101. Is formed. The two-side seal means a state having a sealing portion in two directions as shown in the figure. The two-way seal shown in this figure can be manufactured by sandwiching a scintillator plate between protective films formed into a cylindrical shape by the inflation method and sealing the two sides. In this case, the protective films used for the first protective film 104 and the second protective film (not shown) are the same.

図1(c)のシンチレータパネルに付き説明する。図中、1cはシンチレータパネルを示す。シンチレータパネル1cは、シンチレータプレート101と、シンチレータプレート101のシンチレータ層101b(図2を参照)側に配置された第1保護フィルム106と、シンチレータプレート101の基板101a側に配置された第2保護フィルム(不図示)とを有している。107a〜107cは第1保護フィルム106と基板側に配置された第2保護フィルム(不図示)との3箇所の封止部を示し、封止部107a〜107cはシンチレータプレート101の周縁部より何れも外側に形成されている。3方シールとは、本図に示す如く、3方に封止部を有する状態を言う。本図に示される、3方シールの形態は一枚の保護フィルムを中心で折りたたみ、成形された2枚の保護フィルムの間にシンチレータプレートを挟み、3方をシールすることで作製することが出来る。この場合、第1保護フィルム106と、第2保護フィルム(不図示)とに使用する保護フィルムは同じものとなる。図1(a)〜図1(c)に示す様に第1保護フィルムと第2保護フィルムとの2枚の保護フィルムの封止部がシンチレータプレートの周縁部の外側にあるため外周部からの水分進入を阻止することが可能となっている。図1(a)〜図1(c)に示すシンチレータプレートのシンチレータ層は、後述する気相堆積法で基板の上に形成することが好ましい。気相堆積法としては、蒸着法、スパッタリング法、CVD法、イオンプレーティング法等を用いることが可能である。   The scintillator panel in FIG. In the figure, 1c shows a scintillator panel. The scintillator panel 1c includes a scintillator plate 101, a first protective film 106 disposed on the scintillator layer 101b (see FIG. 2) side of the scintillator plate 101, and a second protective film disposed on the substrate 101a side of the scintillator plate 101. (Not shown). Reference numerals 107 a to 107 c denote three sealing portions of the first protective film 106 and a second protective film (not shown) disposed on the substrate side. The sealing portions 107 a to 107 c are arranged from the peripheral portion of the scintillator plate 101. Is also formed on the outside. The three-way seal means a state having a sealing portion in three directions as shown in the figure. The three-sided seal shown in this figure can be manufactured by folding a single protective film around the center and sandwiching the scintillator plate between the two protective films that have been molded. . In this case, the protective films used for the first protective film 106 and the second protective film (not shown) are the same. As shown in FIGS. 1 (a) to 1 (c), since the sealing portion of the two protective films of the first protective film and the second protective film is outside the peripheral edge of the scintillator plate, It is possible to prevent moisture from entering. The scintillator layer of the scintillator plate shown in FIGS. 1A to 1C is preferably formed on the substrate by a vapor deposition method to be described later. As the vapor deposition method, an evaporation method, a sputtering method, a CVD method, an ion plating method, or the like can be used.

図1(a)〜図1(c)に示すシンチレータパネルの形態は、シンチレータプレートのシンチレータ層の種類、製造装置等により選択することが可能である。   The form of the scintillator panel shown in FIGS. 1A to 1C can be selected depending on the type of scintillator layer of the scintillator plate, the manufacturing apparatus, and the like.

図2は、図1(a)のA−A′に沿った概略断面及び平面受光素子と接触状態を示した図である。図2(a)は、図1(a)のA−A′に沿った概略拡大断面及び平面受光素子と接触状態を示した図である。図2(b)は、図2(a)のPで示される部分の概略拡大図である。   FIG. 2 is a diagram showing a schematic cross section along AA ′ of FIG. 1A and a contact state with the planar light receiving element. FIG. 2A is a diagram showing a schematic enlarged cross-section along AA ′ of FIG. 1A and a contact state with the planar light receiving element. FIG. 2B is a schematic enlarged view of a portion indicated by P in FIG.

シンチレータプレート101は基板101aと、基板101aの上に形成されたシンチレータ層101bとを有している。102bはシンチレータプレート101の基板101a側に配置された第2保護フィルムを示す。108は第1保護フィルム102aとシンチレータ層101bとの間で部分的に接触している点接触部分E〜Iの間に形成された空隙部(空気層)を示す。空隙部(空気層)108は空気層となっており、空隙部(空気層)108の屈折率と第1保護フィルム102aの屈折率との関係は、保護フィルム102aの屈折率>>空隙部(空気層)108の屈折率となっている。   The scintillator plate 101 has a substrate 101a and a scintillator layer 101b formed on the substrate 101a. Reference numeral 102b denotes a second protective film disposed on the substrate 101a side of the scintillator plate 101. Reference numeral 108 denotes a gap (air layer) formed between the point contact portions E to I that are in partial contact between the first protective film 102a and the scintillator layer 101b. The void portion (air layer) 108 is an air layer, and the relationship between the refractive index of the void portion (air layer) 108 and the refractive index of the first protective film 102a is the refractive index of the protective film 102a >> Air layer) 108 has a refractive index.

また109は第1保護フィルム102aと平面受光素子の間で部分的に接触している点接触部分J〜Oの間に形成された空隙部(空気層)を示す。空隙部(空気層)109は空気層となっており、空隙部(空気層)109の屈折率と第1保護フィルム102aの屈折率との関係は、保護フィルム102aの屈折率>>空隙部(空気層)109の屈折率となっている。 The 109 shows a gap portion formed between the point contact portion J~O that partial contact between the first protective film 102a and a planar light receiving element (air layer). The void portion (air layer) 109 is an air layer, and the relationship between the refractive index of the void portion (air layer) 109 and the refractive index of the first protective film 102a is the refractive index of the protective film 102a >> Air layer) 109 has a refractive index.

尚、図1(b)、図1(c)に示されるシンチレータパネルの場合、空隙部(空気層)108及び109の屈折率と第1保護フィルム102aの屈折率との関係は、本図の場合と同じである。   In the case of the scintillator panels shown in FIGS. 1B and 1C, the relationship between the refractive index of the gaps (air layers) 108 and 109 and the refractive index of the first protective film 102a is shown in FIG. Same as the case.

即ち、シンチレータ層101b側に配置された第1保護フィルム102aはシンチレータ層101bと全面密着の状態とはなっていなく、点接触部分E〜で部分的に接触している状態となっている。シンチレータ層101b側に配置された第1保護フィルム102aでシンチレータ層101b側全面を覆うとき、この点接触部分E〜Hの箇所がシンチレータ層101bの表面積に対して0.1箇所/mm2以上、25箇所/mm2以下とすることが好ましい。本発明では、この様な状態をシンチレータ層側に配置された第1保護フィルムは実質的に接着していない状態と言う。尚、図1(b)、図1(c)に示されるシンチレータパネルの場合も、点接触部分の箇所の数とシンチレータ層の表面積に対する関係は本図の場合と同じである。 That is, the first protective film 102a disposed on the scintillator layer 101b side is not in a state of close contact with the scintillator layer 101b but is in partial contact with the point contact portions E to H. When the entire surface of the scintillator layer 101b is covered with the first protective film 102a disposed on the scintillator layer 101b side, the point contact portions E to H are at least 0.1 site / mm 2 with respect to the surface area of the scintillator layer 101b. It is preferable to set it to 25 places / mm 2 or less. In the present invention, such a state is referred to as a state in which the first protective film disposed on the scintillator layer side is not substantially adhered. In the case of the scintillator panels shown in FIGS. 1B and 1C, the relationship between the number of point contact portions and the surface area of the scintillator layer is the same as that in this figure.

また第1保護フィルム102aは平面受光素子と全面密着の状態とはなっておらず、点接触部分J〜Oで部分的に接触している状態となっている。この点接触部分の箇所が平面受光素子の表面積に対して0.1箇所/mm2以上、25箇所/mm2以下とすることが好ましい。 The first protective film 102a is not turned to the state of the planar light receiving element and the entire surface adhesion, in a state of being partially in contact with point contact portion J~O. The point contact portion component locations of 0.1 points of the surface area of the planar light receiving element / mm 2 or more, preferably 25 points / mm 2 or less.

第1保護フィルム102aとシンチレータ層101bの点接触部分の数、及び第1保護フィルム102aと平面受光素子の点接触部分の数がそれぞれ25箇所/mm2を超える場合は、鮮鋭性が劣化する原因の一つになっている。点接触部分の数が0.1箇所/mm2箇所未満の場合も、輝度や鮮鋭性が劣化する原因の一つになっている。 If the number of point contact portion of the first protective film 102a and the scintillator layer 101b, and the number of point contact portion of the first protective film 102a and a planar light receiving element exceeds a respective 25 points / mm 2, sharpness is degraded It is one of the causes. Even when the number of point contact portions is less than 0.1 / mm 2 , this is one of the causes of deterioration in brightness and sharpness.

点接触部分の数の測定は、次の方法により行うことが可能である。   The number of point contact portions can be measured by the following method.

シンチレータパネルに対し、X線を照射し発光をCMOSやCCDを使用した平面受光素子で読み取り、信号値のデータを得る。このデータをフーリエ変換することより、空間周波数ごとのパワースペクトルデータを得る。このパワースペクトルのピークの位置より点接触部分の数を知ることができる。つまり保護層が接触している点部分と非接触の部分では微細な輝度差が発生し、この周期を測定することで接触点数を知ることが出来る。   The scintillator panel is irradiated with X-rays and the emitted light is read by a planar light receiving element using a CMOS or CCD to obtain signal value data. Power spectrum data for each spatial frequency is obtained by Fourier transforming this data. The number of point contact portions can be known from the position of the peak of the power spectrum. That is, a minute luminance difference occurs between the point portion where the protective layer is in contact and the non-contact portion, and the number of contact points can be known by measuring this period.

但しこの方法では第1保護フィルム102aとシンチレータ層101bの点接触部分の数、及び第1保護フィルム102aと平面受光素子の点接触部分の数の総和が検出されるため、それぞれの点接触数を分離するためには、例えば、第1保護フィルム102aとシンチレータ層101bを接着剤により完全密着し、第1保護フィルム102aと平面受光素子の点接触部分の接触点数のみを測定する方法がある。 Number of contacts for the number of total is detected, each point of the point contact part of the number, and the first protective film 102a and a planar light receiving element of the point contact portions of the first protective film 102a and the scintillator layer 101b in however this method to separate, for example, the first protective film 102a and the scintillator layer 101b is completely in close contact with an adhesive, a method of measuring only the contact points of the point contact portions of the first protective film 102a and a planar light receiving element .

本図に示す様に、シンチレータパネル1aはシンチレータプレート101のシンチレータ層101b側に配置された第1保護フィルム102aと、基板101a側に配置された第2保護フィルム102bとで基板101a及びシンチレータ層101bの全面が第1保護フィルム102aで実質的に接着していない状態で覆われ、第1保護フィルム102aと第2保護フィルム102bの4辺の各端部を封止した形態となっている。   As shown in the figure, the scintillator panel 1a includes a substrate 101a and a scintillator layer 101b, which are a first protective film 102a disposed on the scintillator layer 101b side of the scintillator plate 101 and a second protective film 102b disposed on the substrate 101a side. Is covered with the first protective film 102a in a substantially non-adhered state, and each end of the four sides of the first protective film 102a and the second protective film 102b is sealed.

シンチレータ層101bの全面が第1保護フィルム102aで実質的に接着していない状態で覆う方法として次の方法が挙げられる。   As a method of covering the entire surface of the scintillator layer 101b with the first protective film 102a being not substantially adhered, the following method is exemplified.

1)第1保護フィルムのシンチレータ層と接触する表面の表面粗さを、第1保護フィルムとの密着性、鮮鋭性、平面受光素子との密着性等を考慮し、Raで0.05μm〜0.8μmとする。第1保護フィルムの表面形状は、使用する樹脂フィルムを選択することや樹脂フィルム表面に無機物等を含んだ塗膜を塗設することで容易に調整することが可能である。尚、表面粗さRaは、東京精密社製サーフコム1400Dにより測定した値を示す。   1) The surface roughness of the surface of the first protective film that contacts the scintillator layer is 0.05 μm to 0 in terms of Ra, taking into consideration the adhesiveness to the first protective film, the sharpness, the adhesiveness to the planar light receiving element, and the like. .8 μm. The surface shape of the first protective film can be easily adjusted by selecting a resin film to be used or coating a coating film containing an inorganic substance on the surface of the resin film. In addition, surface roughness Ra shows the value measured by Tokyo Seimitsu Co., Ltd. Surfcom 1400D.

2)シンチレータプレートを第1保護フィルムと、第2保護フィルムとにより封止するとき、5Pa〜8000Paの減圧条件で行う。この場合、高真空側で封止すると保護フィルムとシンチレータ層の点接触部分の数は増加し、逆に低真空側で封止すると点接触部分の数は減少する。又圧力が8000Pa以上になると保護フィルム表面にシワが発生し易くなり現実的ではない。   2) When the scintillator plate is sealed with the first protective film and the second protective film, it is performed under a reduced pressure condition of 5 Pa to 8000 Pa. In this case, the number of point contact portions between the protective film and the scintillator layer increases when sealed on the high vacuum side, whereas the number of point contact portions decreases when sealed on the low vacuum side. On the other hand, when the pressure is 8000 Pa or more, wrinkles are easily generated on the surface of the protective film, which is not realistic.

上記の1)〜2)の方法を単独又は組み合わせることで、シンチレータ層101bの全面が第1保護フィルム102aで実質的に接着していない状態で覆うことが可能となる。   By combining the above methods 1) to 2) singly or in combination, the entire surface of the scintillator layer 101b can be covered with the first protective film 102a substantially not adhered.

第1保護フィルム102aと平面受光素子が実質的に接着していない状態にする方法としては次の方法が挙げられる。
1)シンチレータパネル1aと平面受光素子を重ねて配置したあと、第2保護フィルム側からスポンジ等のフォーム材の弾性を利用して適度な圧力で押し付ける方法
上記の1)で、第1保護フィルム102aと平面受光素子で実質的に接着していない状態にすることができる。
As a method of the state where the first protective film 102a and a planar light receiving element is not substantially bonded include the following method.
1) A method in which the scintillator panel 1a and the planar light-receiving element are arranged so as to overlap each other and then pressed from the second protective film side with an appropriate pressure using the elasticity of a foam material such as a sponge. it can be brought into a state that is not substantially bonded with the planar light receiving element and.

保護フィルムの厚さは、空隙部の形成性、シンチレータ層の保護性、鮮鋭性、防湿性、作業性等を考慮し、12μm以上、200μm以下が好ましく、更には20μm以上、40μm以下が好ましい。厚さは、(株)テクロック製触針式膜厚計(PG−01)により10箇所を測定し平均した値を示す。   The thickness of the protective film is preferably 12 μm or more and 200 μm or less, more preferably 20 μm or more and 40 μm or less, taking into consideration the formability of the voids, the scintillator layer protection, sharpness, moisture resistance, workability and the like. Thickness shows the value which measured and averaged ten places by the stylus type | mold stylus-type film thickness meter (PG-01).

及び、ヘイズ率が、鮮鋭性、放射線画像ムラ、製造安定性、作業性等を考慮し、3%以上40%以下が好ましく、更には3%以上、10%以下が好ましい。ヘイズ率は、日本電色工業株式会社NDH 5000Wにより測定した値を示す。   The haze ratio is preferably 3% or more and 40% or less, and more preferably 3% or more and 10% or less in consideration of sharpness, radiation image unevenness, manufacturing stability, workability, and the like. A haze rate shows the value measured by Nippon Denshoku Industries Co., Ltd. NDH 5000W.

保護フィルムの光透過率は、光電変換効率、シンチレータ発光波長等を考慮し、550nmで70%以上あることが好ましいが、99%以上の光透過率のフィルムは工業的に入手が困難であるため実質的に99%〜70%が好ましい。光透過率は、株式会社日立ハイテクノロジーズ製分光光度計(U−1800)で測定した値を示す。   The light transmittance of the protective film is preferably 70% or more at 550 nm in consideration of photoelectric conversion efficiency, scintillator emission wavelength, etc., but a film having a light transmittance of 99% or more is difficult to obtain industrially. Substantially 99% to 70% is preferable. The light transmittance indicates a value measured with a spectrophotometer (U-1800) manufactured by Hitachi High-Technologies Corporation.

保護フィルムの透湿度は、シンチレータ層の保護性、潮解性等を考慮し50g/m2・day(40℃・90%RH)(JIS Z0208に準じて測定)以下が好ましく、更には10g/m2・day(40℃・90%RH)(JIS Z0208に準じて測定)以下が好ましい。 The moisture permeability of the protective film is preferably 50 g / m 2 · day (40 ° C., 90% RH) (measured according to JIS Z0208) or less, more preferably 10 g / m, taking into account the protection and deliquescence properties of the scintillator layer. 2 · day (40 ° C., 90% RH) (measured according to JIS Z0208) or less is preferable.

本図に示す様にシンチレータプレート101を第1保護フィルム102aと第2保護フィルム102bとで封止する方法は如何なる既知の方法でもかまわないが、例えばインパルスシーラーを使用した熱溶着で効率よく封止するため、保護フィルム102aと保護フィルム102bとの接触する最内層を熱融着性を有する樹脂フィルムとすることが好ましい。   As shown in the figure, the scintillator plate 101 may be sealed with the first protective film 102a and the second protective film 102b by any known method. For example, the scintillator plate 101 can be efficiently sealed by thermal welding using an impulse sealer. For this reason, it is preferable that the innermost layer in contact between the protective film 102a and the protective film 102b is a resin film having heat-fusibility.

図3は図2に示される空隙部108における光の屈折の状態と、従来の保護フィルムとシンチレータ層とが密着した状態における光の屈折の状態を示す模式図である。図3(a)は図2に示される空隙部108における光の屈折の状態を示す模式図である。図3(b)は従来の保護フィルムとシンチレータ層とが密着した状態における光の屈折の状態を示す模式図である。   FIG. 3 is a schematic diagram showing a light refraction state in the gap 108 shown in FIG. 2 and a light refraction state in a state where the conventional protective film and the scintillator layer are in close contact with each other. FIG. 3A is a schematic diagram showing a state of light refraction in the gap 108 shown in FIG. FIG. 3B is a schematic diagram showing a state of light refraction in a state where the conventional protective film and the scintillator layer are in close contact with each other.

図3(a)の場合に付き説明する。   This will be described with reference to FIG.

本図に示される場合は、保護フィルムとシンチレータ層との間に空隙部(空気層)108が存在する状態にあるため、第1保護フィルム102aの屈折率と空隙部(空気層)108の屈折率との関係は、第1保護フィルムの屈折率>>空隙部(空気層)の屈折率となっている。このため、シンチレータ層面での発光した光R〜Tは、第1保護フィルム102aと空隙部(空気層)108の界面で反射されることなく(臨界角を有しない状態)保護フィルム内に入射し、入射した光は、空気層(低屈折率層)/保護フィルム/空気層と言う光学的対照構造により、保護フィルム−空気層界面で再反射することなく外部に放出されるため鮮鋭性の劣化の防止が可能となる。   In the case shown in this figure, since there is a gap (air layer) 108 between the protective film and the scintillator layer, the refractive index of the first protective film 102a and the refraction of the gap (air layer) 108 are present. The relationship with the refractive index is the refractive index of the first protective film >> the refractive index of the gap (air layer). For this reason, the light R to T emitted from the scintillator layer is incident on the protective film without being reflected at the interface between the first protective film 102a and the gap (air layer) 108 (in a state having no critical angle). The incident light is emitted to the outside without being re-reflected at the interface between the protective film and the air layer by the optical control structure of air layer (low refractive index layer) / protective film / air layer. Can be prevented.

図3(b)の場合に付き説明する。   This will be described in the case of FIG.

本図に示される場合は、保護フィルムとシンチレータ層とが密着した状態にあるため、蛍光体面での発光した光X〜Zの内、臨界角θを超える角度の光Zは保護層−空気層と言う光学的非対照構造により、界面で全反射される割合が多くなる。このため、鮮鋭性が劣化する原因の一つになる。   In the case shown in the figure, since the protective film and the scintillator layer are in close contact with each other, the light Z having an angle exceeding the critical angle θ among the light X to Z emitted from the phosphor surface is the protective layer-air layer. This increases the proportion of total reflection at the interface. For this reason, it becomes one of the causes that sharpness deteriorates.

本発明では、シンチレータプレートを第1保護フィルムと第2保護フィルムとにより封止するとき、図3(a)に示すようにシンチレータ層と第1保護フィルムの間を実質的に接着していない状態にすることと保護フィルムと平面受光素子面の間を実質的に接着していない状態にすることで鮮鋭性を劣化させないシンチレータパネルの製造が可能となった。   In the present invention, when the scintillator plate is sealed with the first protective film and the second protective film, the scintillator layer and the first protective film are not substantially adhered as shown in FIG. It becomes possible to manufacture a scintillator panel that does not deteriorate sharpness by making the protective film and the surface of the planar light receiving element substantially unbonded.

また、基板を、厚さ50μm以上500μm以下の高分子フィルムとすること及びシンチレータパネルの総厚を1mm以下にすることでシンチレータパネルが平面受光素子面形状に合った形状に変形し、フラットパネルディテクターの受光面全体で均一な鮮鋭性が得られることが判明し、本発明に至った。   In addition, by making the substrate a polymer film having a thickness of 50 μm or more and 500 μm or less and making the total thickness of the scintillator panel 1 mm or less, the scintillator panel is transformed into a shape that matches the planar light receiving element surface shape, and a flat panel detector It has been found that uniform sharpness can be obtained over the entire light receiving surface, and the present invention has been achieved.

本発明では、図1〜図3に示す様に、シンチレータプレートを第1保護フィルムと第2保護フィルムとにより封止するとき、シンチレータ層を覆う第1保護フィルムを実質的に接着していない状態とすることで(シンチレータ層と第1保護フィルムの間に点接触箇所を設け、点接触箇所の間に空隙部(空気層)を設ける)次の効果が得られた。   In the present invention, as shown in FIGS. 1 to 3, when the scintillator plate is sealed with the first protective film and the second protective film, the first protective film covering the scintillator layer is not substantially adhered. The following effects were obtained (providing a point contact location between the scintillator layer and the first protective film and providing a gap (air layer) between the point contact locations).

1)強さの面で保護フィルムとして優れた物性を有していながら、屈折率が大であるために、鮮鋭性を低下させることから使用することが難しいかったポリプロプレンフィルムやポリエチレンテレフタレートフィルムやポリエチレンナフタレートフィルム等の使用が容易になり、高品質で長期の性能低下を防止したシンチレータパネルの製造が可能となった。   1) Polypropylene film and polyethylene terephthalate film which were difficult to use because of their high refractive index and low sharpness while having excellent physical properties as a protective film in terms of strength The use of polyethylene naphthalate film and the like has become easier, and it has become possible to produce scintillator panels that are of high quality and prevent long-term performance degradation.

2)耐傷性の高い保護フィルムを、画質を劣化させることなく使用出来るようになるため、長期にわたる耐久性に優れたシンチレータパネルの実現が可能となった。   2) Since a highly scratch-resistant protective film can be used without degrading the image quality, a scintillator panel having excellent durability over a long period of time can be realized.

3)蛍光体結晶のライトガイド効果を阻害することなく、耐久性に優れた保護層が実現可能となった。   3) A protective layer having excellent durability can be realized without inhibiting the light guide effect of the phosphor crystal.

図4は基板の上に気相堆積法でシンチレータ層を形成する蒸着装置の模式図である。   FIG. 4 is a schematic view of a vapor deposition apparatus for forming a scintillator layer on a substrate by vapor deposition.

図中、2は蒸着装置を示す。蒸着装置2は、真空容器201と、真空容器201内に設けられて基板3に蒸気を蒸着させる蒸発源202と、基板3を保持する基板ホルダ203と、基板ホルダ203を蒸発源202に対して回転させることによって蒸発源202からの蒸気を蒸着させる基板回転機構204と、真空容器201内の排気及び大気の導入を行う真空ポンプ205等を備えている。   In the figure, 2 indicates a vapor deposition apparatus. The vapor deposition apparatus 2 includes a vacuum vessel 201, an evaporation source 202 that is provided in the vacuum vessel 201 and deposits vapor on the substrate 3, a substrate holder 203 that holds the substrate 3, and the substrate holder 203 with respect to the evaporation source 202. A substrate rotating mechanism 204 for depositing vapor from the evaporation source 202 by rotating, a vacuum pump 205 for exhausting the vacuum container 201 and introducing the atmosphere, and the like are provided.

蒸発源202は、シンチレータ層形成材料を収容して抵抗加熱法で加熱するため、ヒータを巻いたアルミナ製のルツボから構成してもよいし、ボートや、高融点金属からなるヒータから構成してもよい。又、シンチレータ層形成材料を加熱する方法は、抵抗加熱法以外に電子ビームによる加熱や、高周波誘導による加熱等の方法でもよいが、本発明では、比較的簡単な構成で取り扱いが容易、安価、且つ、非常に多くの物質に適用可能である点から抵抗加熱法が好ましい。又、蒸発源202は分子源エピタキシャル法による分子線源でもよい。   Since the evaporation source 202 contains the scintillator layer forming material and is heated by a resistance heating method, the evaporation source 202 may be composed of an alumina crucible wound with a heater, or a boat or a heater made of a refractory metal. Also good. Further, the method of heating the scintillator layer forming material may be a method such as heating by an electron beam or heating by high frequency induction other than the resistance heating method, but in the present invention, it is easy to handle with a relatively simple configuration, inexpensive, In addition, the resistance heating method is preferable because it can be applied to a large number of substances. The evaporation source 202 may be a molecular beam source by a molecular source epitaxial method.

支持体回転機構204は、例えば、基板ホルダ203を支持するとともに基板ホルダ204を回転させる回転軸204aと、真空容器201外に配置されて回転軸204aの駆動源となるモータ(図示しない)等から構成されている。   The support rotating mechanism 204 includes, for example, a rotating shaft 204a that supports the substrate holder 203 and rotates the substrate holder 204, and a motor (not shown) that is disposed outside the vacuum vessel 201 and serves as a driving source for the rotating shaft 204a. It is configured.

又、基板ホルダ203には、基板3を加熱する加熱ヒータ(図示しない)を備えることが好ましい。基板3を加熱することによって、基板3の表面の吸着物を離脱・除去し、基板3の表面とシンチレータ層形成材料との間に不純物層の発生を防いだり、密着性の強化やシンチレータ層の膜質調整を行ったりすることが出来る。   The substrate holder 203 is preferably provided with a heater (not shown) for heating the substrate 3. By heating the substrate 3, the adsorbate on the surface of the substrate 3 is removed and removed, and an impurity layer is prevented from being generated between the surface of the substrate 3 and the scintillator layer forming material, and adhesion enhancement and scintillator layer The film quality can be adjusted.

更に、基板3と蒸発源202との間に、蒸発源202から基板3に至る空間を遮断するシャッタ(図示しない)を備えるようにしてもよい。シャッタによってシンチレータ層形成材料の表面に付着した目的物以外の物質が蒸着の初期段階で蒸発し、基板3に付着するのを防ぐことが出来る。   Further, a shutter (not shown) that blocks a space from the evaporation source 202 to the substrate 3 may be provided between the substrate 3 and the evaporation source 202. It is possible to prevent substances other than the object attached to the surface of the scintillator layer forming material from evaporating at the initial stage of vapor deposition and adhering to the substrate 3 by the shutter.

この様に構成された蒸着装置2を使用して、基板3にシンチレータ層を形成するには、まず、基板ホルダ203に支持体3を取り付ける。次いで、真空容器201内を真空排気する。その後、支持体回転機構204により基板ホルダ203を蒸発源202に対して回転させ、蒸着可能な真空度に真空容器201が達したら、加熱された蒸発源202からシンチレータ層形成材料を蒸発させて、基板3の表面に蛍光体を所望の厚さに成長させる。この場合において、基板3と蒸発源202の間隔は、100mm〜1500mmに設置するのが好ましい。尚、蒸発源として使用するシンチレータ層形成材料は、加圧圧縮によりタブレットの形状に加工しておいてもよいし、粉末状態でもよい。又、シンチレータ層形成材料の代わりにその原料もしくは原料混合物を用いても構わない。   In order to form a scintillator layer on the substrate 3 using the vapor deposition apparatus 2 configured in this way, first, the support 3 is attached to the substrate holder 203. Next, the vacuum vessel 201 is evacuated. Thereafter, the substrate holder 203 is rotated with respect to the evaporation source 202 by the support rotating mechanism 204, and when the vacuum container 201 reaches a vacuum degree capable of vapor deposition, the scintillator layer forming material is evaporated from the heated evaporation source 202, A phosphor is grown on the surface of the substrate 3 to a desired thickness. In this case, the distance between the substrate 3 and the evaporation source 202 is preferably set to 100 mm to 1500 mm. The scintillator layer forming material used as the evaporation source may be processed into a tablet shape by pressure compression or may be in a powder state. Further, instead of the scintillator layer forming material, a raw material or a raw material mixture may be used.

(放射線フラットパネルディテクター)
本発明に係る、放射線フラットパネルディテクターは平面受光素子面がシンチレータパネルからの発光を電荷に変換することで画像をデジタルデータ化することが可能となる。
(Radiation flat panel detector)
In the radiation flat panel detector according to the present invention, the plane light receiving element surface can convert the light emitted from the scintillator panel into electric charges, thereby converting the image into digital data.

直接蒸着型(一体型)では平面受光素子面に直接蒸着を行い平面受光素子とシンチレータ層が一体のシンチレータとなるが、本発明の間接蒸着型(分離独立型)では平面受光素子面上にシンチレータパネルを置く構成となる。この際、シンチレータパネルは平面受光素子面に物理化学的に接着されていないことを特徴とする。   In the direct vapor deposition type (integrated type), the vapor deposition is directly performed on the surface of the planar light receiving element, and the planar light receiving element and the scintillator layer become an integrated scintillator. However, in the indirect vapor deposition type (separate independent type) of the present invention, The panel is placed. In this case, the scintillator panel is characterized in that it is not physicochemically bonded to the plane light receiving element surface.

以下、実施例を挙げて本発明を詳細に説明するが、本発明はこれらに限定されない。   EXAMPLES Hereinafter, although an Example is given and this invention is demonstrated in detail, this invention is not limited to these.

実施例1
(シンチレータプレートの作製)
(基板の準備)
基板として、厚さ0.125mmのポリイミドフィルム(90mm×90mm)と0. 5mmのアルミ基板を準備した。
Example 1
(Preparation of scintillator plate)
(Preparation of substrate)
As a substrate, 0.125 mm thick polyimide film (90 mm × 90 mm) and 0. A 5 mm aluminum substrate was prepared.

(反射層・防蝕性反射層の形成)
表1に示すように、ポリイミド(PI)フィルム基板に関しては、片方の面に金属スパッタ層を設けた。
(Formation of reflective layer and anticorrosive reflective layer)
As shown in Table 1, with respect to the polyimide (PI) film substrate, a metal sputter layer was provided on one surface.

また、接着性確保のために構成上で反射層の最外層となっている防蝕性反射層表面または反射層表面にプラズマ処理を行った。   In order to ensure adhesion, plasma treatment was performed on the surface of the anticorrosive reflective layer or the surface of the reflective layer, which is the outermost layer of the reflective layer in the configuration.

(シンチレータ層の形成)
図4に示す蒸着装置を使用して、準備した基板に蛍光体(CsI:0.003Tl)を蒸着させシンチレータ層を形成し、シンチレータプレートを作製した。
(Formation of scintillator layer)
Using the vapor deposition apparatus shown in FIG. 4, a phosphor (CsI: 0.003Tl) was vapor-deposited on the prepared substrate to form a scintillator layer, and a scintillator plate was produced.

蛍光体原料(CsI:0.003Tl)を抵抗加熱ルツボに充填し、支持体ホルダに基板を設置し、抵抗加熱ルツボと基板との間隔を400mmに調節した。続いて蒸着装置内を一旦排気し、Arガスを導入して0.5Paに真空度を調整した後、10rpmの速度で基板を回転しながら基板の温度を140℃に保持した。次いで、抵抗加熱ルツボを加熱して蛍光体を蒸着しシンチレータ層の膜厚が600μmとなったところで蒸着を終了し、シンチレータプレートを得た。   A phosphor material (CsI: 0.003 Tl) was filled in a resistance heating crucible, a substrate was placed on the support holder, and the distance between the resistance heating crucible and the substrate was adjusted to 400 mm. Subsequently, the inside of the vapor deposition apparatus was once evacuated, Ar gas was introduced and the degree of vacuum was adjusted to 0.5 Pa, and then the substrate temperature was maintained at 140 ° C. while rotating the substrate at a speed of 10 rpm. Next, the resistance heating crucible was heated to deposit a phosphor, and when the scintillator layer had a film thickness of 600 μm, the deposition was terminated to obtain a scintillator plate.

(シンチレータプレートの後加熱処理)
シンチレータプレートについて、窒素雰囲気下のイナートオーブンの中で250℃3時間の後加熱処理を行った。
(Post-heat treatment of scintillator plate)
The scintillator plate was post-heated at 250 ° C. for 3 hours in an inert oven under a nitrogen atmosphere.

(保護フィルムの準備)
シンチレータ層面側の保護フィルムとして、ラミネート層付のバリアフィルムである〔”バリアロックス”(コート有り)〕1011HG−CW(#12) 東レフィルム加工(株)を用いた。
(Preparation of protective film)
As a protective film on the scintillator layer surface side, a barrier film with a laminate layer [“Barrier Rocks” (with coat)] 1011HG-CW (# 12) Toray Film Processing Co., Ltd. was used.

シンチレータシートの基板側の保護フィルムは、シンチレータ層面側の保護フィルムと同じものを使用した。   The protective film on the substrate side of the scintillator sheet was the same as the protective film on the scintillator layer surface side.

(シンチレータパネルの作製)
準備したシンチレータプレートを、準備した保護フィルムを使用し、図1(c)に示す形態に封止しシンチレータパネルを作製した。
(Production of scintillator panel)
The prepared scintillator plate was sealed in the form shown in FIG.1 (c) using the prepared protective film, and the scintillator panel was produced.

尚、封止は、減圧1000Pa条件下で、融着部からシンチレータシートの周縁部までの距離は1mmとなるように融着した。融着に使用したインパルスシーラーのヒータは3mm幅のものを使用した。   The sealing was performed so that the distance from the fused part to the peripheral part of the scintillator sheet was 1 mm under a reduced pressure of 1000 Pa. The impulse sealer used for the fusion was a 3 mm wide heater.

〈評価方法〉
得られた各試料に付き、10cm×10cmの大きさのCMOSフラットパネル(ラドアイコン社製X線CMOSカメラシステムShad−o−Box4KEV)にセットし、12bitの出力データより評価を行った。
<Evaluation method>
It attached to each obtained sample, set to a CMOS flat panel (X-ray CMOS camera system Shad-o-Box 4KEV manufactured by Radicon) having a size of 10 cm × 10 cm, and evaluated from 12-bit output data.

尚、放射線入射窓のカーボン板とシンチレータパネルの放射線入射側(蛍光体のない側)にスポンジシートを配置し、平面受光素子面とシンチレータパネルを軽く押し付けることで両者を固定化した。   A sponge sheet was placed on the radiation incident side (the side without the phosphor) of the carbon plate of the radiation incident window and the scintillator panel, and both were fixed by lightly pressing the plane light receiving element surface and the scintillator panel.

(相対輝度の測定)
管電圧80kVpのX線を各試料の裏面(シンチレータ蛍光体層が形成されていない面)から照射し、瞬時発光量の測定値を「輝度(感度)」とした。測定結果を表2に示す。ただし、表2中、輝度を示す値は、比較例の試料No.1輝度を1.00としたときの相対値である。
(Measurement of relative luminance)
X-rays having a tube voltage of 80 kVp were irradiated from the back surface (surface on which the scintillator phosphor layer was not formed) of each sample, and the measured value of instantaneous light emission amount was set to “luminance (sensitivity)”. The measurement results are shown in Table 2. However, in Table 2, the value indicating luminance is the sample No. of the comparative example. This is a relative value when 1 luminance is 1.00.

(耐湿試験)
20℃5.5時間→昇温0.5時間→30℃80%RH5時間→降温1時間→20℃ の加湿サイクルサーモ7日を行い、このサンプルの鮮鋭性(MTF)の劣化率を測定した。(鮮鋭性評価評価方法は後述)
鮮鋭性の劣化率={1−(試験後の鮮鋭性/初期の鮮鋭性)}×100%
鮮鋭性の劣化率から下記のように評価した。
(Moisture resistance test)
Humidity cycle thermo of 7 days at 20 ° C 5.5 hours → temperature rise 0.5 hours → 30 ° C 80% RH 5 hours → temperature drop 1 hour → 20 ° C, and the deterioration rate of sharpness (MTF) of this sample was measured. . (The sharpness evaluation evaluation method will be described later)
Sharpness degradation rate = {1- (sharpness after test / initial sharpness)} × 100%
The sharpness deterioration rate was evaluated as follows.

◎ 0〜5%
○ 5〜20%
△ 21〜30%
× 31%以上
(鮮鋭性=MTFの評価方法)
鉛製のMTFチャートを通して管電圧80kVpのX線を各試料の裏面(シンチレータ層が形成されていない基板面)から照射し、画像データを、シンチレータを配置したCMOSフラットパネルで検出しハードディスクに記録した。その後、ハードディスク上の記録をコンピュータで分析して当該ハードディスクに記録されたX線像の変調伝達関数MTF(空間周波数1サイクル/mmにおけるMTF値)を鮮鋭性の指標とした。表1中、MTF値が高いほど鮮鋭性に優れていることを示す。MTFはModulation Transfer Functionの略号を示す。
◎ 0-5%
○ 5-20%
△ 21-30%
× 31% or more (Sharpness = MTF evaluation method)
X-rays with a tube voltage of 80 kVp were irradiated from the back of each sample (substrate surface on which the scintillator layer was not formed) through a lead MTF chart, and image data was detected by a CMOS flat panel on which the scintillator was arranged and recorded on a hard disk. . Thereafter, the recording on the hard disk was analyzed by a computer, and the modulation transfer function MTF (MTF value at a spatial frequency of 1 cycle / mm) of the X-ray image recorded on the hard disk was used as an index of sharpness. In Table 1, it shows that it is excellent in sharpness, so that MTF value is high. MTF is an abbreviation for Modulation Transfer Function.

MTFの評価ランク
○:空間周波数1サイクル/mmにおけるMTF値が0.7以上、0.9未満
△:空間周波数1サイクル/mmにおけるMTF値が0.6以上、0.7未満
×:空間周波数1サイクル/mmにおけるMTF値が0.6未満
各試料の内容を表1に示すと伴に上記評価の結果を表2にまとめて示す。
Evaluation rank of MTF ○: MTF value at a spatial frequency of 1 cycle / mm is 0.7 or more and less than 0.9 Δ: MTF value at a spatial frequency of 1 cycle / mm is 0.6 or more and less than 0.7 ×: Spatial frequency The MTF value at 1 cycle / mm is less than 0.6. The contents of each sample are shown in Table 1, and the results of the evaluation are summarized in Table 2.

Figure 0005326200
Figure 0005326200

Figure 0005326200
Figure 0005326200

表2に示した結果から明らかなように、本発明に係る試料は、相対輝度、鮮鋭性、及び耐湿性に優れることが分かる。   As is clear from the results shown in Table 2, it can be seen that the sample according to the present invention is excellent in relative luminance, sharpness, and moisture resistance.

シンチレータパネルの概略平面図Schematic plan view of scintillator panel 図1(a)のA−A′に沿った概略断面図Schematic cross-sectional view along AA 'in FIG. 図2に示される空隙部における光の屈折の状態と、従来の保護フィルムとシンチレータ層(蛍光体層)とが密着した状態における光の屈折の状態を示す模式図Schematic diagram showing the state of light refraction in the gap shown in FIG. 2 and the state of light refraction in a state where the conventional protective film and the scintillator layer (phosphor layer) are in close contact with each other. 基板の上に気相堆積法でシンチレータ層を形成する蒸着装置の模式図Schematic diagram of a vapor deposition device that forms a scintillator layer on a substrate by vapor deposition.

符号の説明Explanation of symbols

1a〜1c シンチレータパネル
101 シンチレータプレート
101a、3 基板
101b シンチレータ層(蛍光体層)
101c 反射層
101d 防蝕反射層
102a、104 第1保護フィルム
102b 第2保護フィルム
103a〜103d、105a、105b、107a〜107c 封止部
108 空隙部(空気層)
E〜H 点接触部分
R〜T、X〜Z 光
2 蒸着装置
201 真空容器
202 蒸発源
203 基板ホルダ
204 基板回転機構
205 真空ポンプ
1a to 1c scintillator panel 101 scintillator plate 101a, 3 substrate 101b scintillator layer (phosphor layer)
101c Reflective layer 101d Corrosion-resistant reflective layer 102a, 104 First protective film 102b Second protective film 103a-103d, 105a, 105b, 107a-107c Sealing part 108 Air gap part (air layer)
E to H Point contact portion R to T, X to Z Light 2 Evaporation apparatus 201 Vacuum container 202 Evaporation source 203 Substrate holder 204 Substrate rotation mechanism 205 Vacuum pump

Claims (11)

耐熱性樹脂基板上に反射層及びシンチレータ層を設けて成るシンチレータプレートであって、前記反射層が防蝕性反射層と反射層との2層構成で、該防蝕性反射層がシンチレータ層面側にあり、前記シンチレータ層がヨウ化セシウムを含有する柱状蛍光体層であり、気相法により形成されたこと、かつ放射線フラットパネルディテクターの構成要素として、平面受光素子面と点接触部分で部分的に接触し、かつ物理的相互作用又は化学反応によって接着されずに用いられることを特徴とするシンチレータプレート。 A scintillator plate comprising a reflective layer and a scintillator layer provided on a heat resistant resin substrate, wherein the reflective layer has a two-layer structure of a corrosion resistant reflective layer and a reflective layer, and the corrosion resistant reflective layer is on the scintillator layer surface side. The scintillator layer is a columnar phosphor layer containing cesium iodide, and is formed by a vapor phase method, and as a component of a radiation flat panel detector, is in partial contact with a plane light receiving element surface at a point contact portion. And a scintillator plate that is used without being bonded by physical interaction or chemical reaction . 前記点接触部分の数が、平面受光素子の表面積に対して、0.1〜25箇所/mmThe number of the point contact portions is 0.1 to 25 places / mm with respect to the surface area of the planar light receiving element. 22 であることを特徴とする請求項1に記載のシンチレータプレート。The scintillator plate according to claim 1, wherein the scintillator plate is a scintillator plate. 前記耐熱性樹脂基板がエンジニアリングプラスチック又はスーパーエンジニアリングプラスチックで形成されていることを特徴とする請求項1または2に記載のシンチレータプレート。 The scintillator plate according to claim 1 or 2 , wherein the heat-resistant resin substrate is formed of engineering plastic or super engineering plastic. 前記耐熱性樹脂基板が、ポリイミド又はポリイミドを含有する樹脂で形成されていることを特徴とする請求項1〜3のいずれか一項に記載のシンチレータプレート。 The scintillator plate according to any one of claims 1 to 3, wherein the heat-resistant resin substrate is formed of polyimide or a resin containing polyimide. 前記防蝕性反射層が金属または合金で形成されており、その標準電極電位が+1.0V以上であることを特徴とする請求項1〜のいずれか一項に記載のシンチレータプレート。 The scintillator plate according to any one of claims 1 to 4 , wherein the corrosion-resistant reflective layer is formed of a metal or an alloy, and a standard electrode potential thereof is +1.0 V or more. 前記防蝕性反射層がクロム、チタン、クロム合金、又はチタン合金であることを特徴とする請求項1〜のいずれか一項に記載のシンチレータプレート。 The scintillator plate according to any one of claims 1 to 5 , wherein the corrosion-resistant reflective layer is made of chromium, titanium, a chromium alloy, or a titanium alloy. 前記防蝕性反射層の層厚が10〜100nmであることを特徴とする請求項1〜のいずれか一項に記載のシンチレータプレート。 The scintillator plate according to any one of claims 1 to 6 , wherein the corrosion-resistant reflective layer has a thickness of 10 to 100 nm. 前記2層構成の反射層の内の反射層がアルミニウムで形成されていることを特徴とする請求項1〜のいずれか一項に記載のシンチレータプレート。 The scintillator plate according to any one of claims 1 to 7 , wherein the reflective layer of the two-layered reflective layer is formed of aluminum. 前記防蝕性反射層及び反射層が蒸着又はスパッタにより形成されていることを特徴とする請求項1〜のいずれか一項に記載のシンチレータプレート。 The scintillator plate according to any one of claims 1 to 8 , wherein the anticorrosive reflective layer and the reflective layer are formed by vapor deposition or sputtering. 請求項1〜のいずれか一項に記載のシンチレータプレートを用いたシンチレータパネルであって、前記シンチレータ層の側に配置した第1保護フィルムと、前記基板の外側に配置した第2保護フィルムとにより該シンチレータプレートが封止され、かつ該第1保護フィルムは該シンチレータ層に接着されていないことを特徴とするシンチレータパネル。 A scintillator panel using a scintillator plate according to any one of claims 1 to 9, the first protective film arranged on a side of the scintillator layer, a second protective film arranged on the outer side of the substrate The scintillator plate, wherein the scintillator plate is sealed, and the first protective film is not bonded to the scintillator layer. 請求項10に記載のシンチレータパネルを用いた放射線フラットパネルディテクターであって、該シンチレータパネルが平面受光素子面に物理的相互作用又は化学反応によって接着されていないことを特徴とする放射線フラットパネルディテクター。 A radiation flat panel detector using the scintillator panel according to claim 10 , wherein the scintillator panel is not bonded to the plane light receiving element surface by physical interaction or chemical reaction .
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