JP5303189B2 - 半導体界面の品質決定方法および反転電荷の移動度決定装置 - Google Patents
半導体界面の品質決定方法および反転電荷の移動度決定装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP5303189B2 JP5303189B2 JP2008140541A JP2008140541A JP5303189B2 JP 5303189 B2 JP5303189 B2 JP 5303189B2 JP 2008140541 A JP2008140541 A JP 2008140541A JP 2008140541 A JP2008140541 A JP 2008140541A JP 5303189 B2 JP5303189 B2 JP 5303189B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- layer
- charge
- mobility
- corona
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 67
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 13
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 81
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 claims abstract description 26
- 238000005286 illumination Methods 0.000 claims abstract description 8
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims description 21
- 239000002800 charge carrier Substances 0.000 claims description 19
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 12
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 12
- 239000000523 sample Substances 0.000 claims description 11
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims description 6
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims description 4
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 2
- 239000007787 solid Substances 0.000 claims 1
- 238000005507 spraying Methods 0.000 claims 1
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 21
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 20
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 18
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 13
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 12
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 11
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 11
- 239000000463 material Substances 0.000 description 7
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 6
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 4
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 4
- 238000000691 measurement method Methods 0.000 description 4
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 4
- 229910004129 HfSiO Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 3
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 239000003574 free electron Substances 0.000 description 3
- 230000033001 locomotion Effects 0.000 description 3
- 238000013507 mapping Methods 0.000 description 3
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 2
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910021193 La 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- LEVVHYCKPQWKOP-UHFFFAOYSA-N [Si].[Ge] Chemical compound [Si].[Ge] LEVVHYCKPQWKOP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 2
- 238000000231 atomic layer deposition Methods 0.000 description 2
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 2
- 238000012512 characterization method Methods 0.000 description 2
- 238000006731 degradation reaction Methods 0.000 description 2
- 238000013400 design of experiment Methods 0.000 description 2
- 230000009977 dual effect Effects 0.000 description 2
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 2
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 2
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 description 2
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 2
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 238000005457 optimization Methods 0.000 description 2
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 2
- 238000011160 research Methods 0.000 description 2
- 150000004760 silicates Chemical class 0.000 description 2
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- -1 ZrO 2 Chemical class 0.000 description 1
- YTRCVQWXYYPLAA-UHFFFAOYSA-N [GeH3+]=O Chemical compound [GeH3+]=O YTRCVQWXYYPLAA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000009825 accumulation Methods 0.000 description 1
- 239000008186 active pharmaceutical agent Substances 0.000 description 1
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 1
- 238000004364 calculation method Methods 0.000 description 1
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 1
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 1
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000006835 compression Effects 0.000 description 1
- 238000007906 compression Methods 0.000 description 1
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 1
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000007599 discharging Methods 0.000 description 1
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 1
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 1
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 1
- 230000005669 field effect Effects 0.000 description 1
- 239000007943 implant Substances 0.000 description 1
- 230000001939 inductive effect Effects 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 238000002488 metal-organic chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 238000001465 metallisation Methods 0.000 description 1
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 230000001443 photoexcitation Effects 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- 238000004886 process control Methods 0.000 description 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 1
- 239000012925 reference material Substances 0.000 description 1
- 230000035939 shock Effects 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 1
- 238000000391 spectroscopic ellipsometry Methods 0.000 description 1
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 1
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 1
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
- G01R31/00—Arrangements for testing electric properties; Arrangements for locating electric faults; Arrangements for electrical testing characterised by what is being tested not provided for elsewhere
- G01R31/26—Testing of individual semiconductor devices
- G01R31/2648—Characterising semiconductor materials
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
- G01R31/00—Arrangements for testing electric properties; Arrangements for locating electric faults; Arrangements for electrical testing characterised by what is being tested not provided for elsewhere
- G01R31/26—Testing of individual semiconductor devices
- G01R31/265—Contactless testing
- G01R31/2656—Contactless testing using non-ionising electromagnetic radiation, e.g. optical radiation
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Toxicology (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
- Amplifiers (AREA)
Description
・上面に誘電体材料層が堆積して、界面を形成している半導体基板を用意するステップ。前記誘電体材料層の表面は、上面を規定する半導体基板と直接接触し、または接触していない。
・放電手段により、前記上面の所定エリアに電荷を付着させるステップ。
・前記上面での電圧Vsを測定するステップ。
・前記所定エリアに照射手段を適用し、照射スポットを規定するステップ。
・前記エリアの照射時に、測定手段を用いて前記決定した照射スポットの内側および外側での光電圧(photovoltage)を測定するステップ。
・少なくとも1つの成膜した層を含む基板を保持するための基板ホルダ。
・コロナ電荷を基板上に付着させるための手段。コロナ電荷を付着させるための手段は、表面電位Vsを特定エリアにおいて少なくとも局所的に誘起するように設計される。
・表面電位を表すパラメータを決定するための手段。
・成膜した層を含む基板の表面、特に、前記特定エリアを局所的に照射して、照射スポットを作成するための手段。
・少なくとも2つの、好ましくは部分的に同心円状である電極を有し、第1電極は照射スポットの内部に位置し、第2電極は照射スポットの外側に位置するようにした手段。
・第1電極および第2電極の(光)電圧V1,V2をそれぞれ測定して、基板と成膜層との界面における反転電荷の移動度が導出可能であるシート抵抗を表すパラメータを計算する手段。
反転電荷キャリアの移動度の決定方法を開示する。反転電荷キャリアは、堆積または成長した層と、この層が堆積した基板との接触表面に位置している。反転電荷キャリアは、コロナ電荷を、成膜した層の上面に少なくとも局所的に付着させることによって、生成される。好ましくは、成膜した層は、例えば、ゲート誘電体層などの誘電体層であり、該方法は、下にある層または下にある基板での反転電荷キャリアの移動度に対するゲート誘電体層の影響を決定するために用いられる。
好ましい実施形態によれば、測定は、3つのテクニックまたは方法の組合せである。第1のテクニックは、コロナ電荷を(ゲート)誘電体層の上に堆積するために用いられ、好ましくは、図1Bに示すように、ゲート誘電体の表面に渡って10kVの金属製(タングステン)ワイヤを通過させることによって行われる。
一実施形態は、(ゲート)誘電体および下方の基板の界面における反転電荷キャリアの移動度を決定するためのシステムも含む。該システムは、ゲート誘電体(層)を含む基板を保持するための基板ホルダと、コロナ電荷をゲート誘電体上に少なくとも局所的に付着させて、表面電位を少なくとも局所的に誘起するための手段と、表面電位を表すパラメータを決定するための手段と、過剰な電子を少なくとも局所的に生成するための手段と、シート抵抗を少なくとも局所的に測定するための手段とを少なくとも備える。
測定テクニックの評価として、互いに相対比較して、どれがどの移動度の劣化を示すかについてゲート誘電体の測定テストに投入した。300mmのp−Siウエハを(表1)に示したように処理した。ゲート誘電体は、同じ範囲の等価酸化物厚を有するように選ばれる。
Claims (17)
- 誘電体材料層と半導体基板の上面との間の界面の品質の決定方法であって、
・上面に誘電体材料層が堆積して界面を形成しており、前記誘電体材料層の表面は、上面を規定する半導体基板と直接接触または接触していない半導体基板を用意するステップと、
・放電手段により、前記上面の専用エリアに電荷を付着させるステップと、
・前記上面での電圧Vsを測定するステップと、
・前記専用エリアに照射手段を適用し、照射スポットを規定するステップと、
・前記エリアの照射時に、測定手段を用いて前記決定した照射スポットの内側および外側での光電圧を測定するステップと、を含む方法。 - 照射スポットの内側および外側で測定した光電圧は、界面に位置した反転電荷キャリアの移動度に関係した情報を提供するようにした請求項1記載の方法。
- 放電手段により付着した電荷は、前記基板の上面全体に付着したコロナ電荷である請求項1または2記載の方法。
- 基板は、平坦な基板であり、ドープされて、pドープまたはnドープの基板を得るようにした請求項1〜3のいずれかに記載の方法。
- 少なくとも1つの誘電体層は、ゲート誘電体層または、ゲート誘電体層の組合せである請求項1〜4のいずれかに記載の方法。
- 少なくとも1つの誘電体層は、高誘電率(high-k)誘電体である請求項1〜5のいずれかに記載の方法。
- キャップ層が、少なくとも1つの誘電体層上に堆積され、及び/又は、窒化物形成プロセスが該少なくとも1つの誘電体層に適用される請求項1〜6のいずれかに記載の方法。
- コロナ電荷を付着させるステップは、固定電位の金属製ワイヤをウエハの上で通過させることによって基板全体に渡って行われ、専用エリアにコロナ電荷を生成するようにした請求項1〜7のいずれかに記載の方法。
- コロナ電荷を付着させるステップは、コロナジェットを用いることによって、局所的に行われ、コロナジェットは、コロナ電荷を基板表面に局所的に吹き付けて、コロナ電荷を前記専用エリア上に生成するようにした請求項1〜8のいずれかに記載の方法。
- 前記専用エリアで少なくとも局所的に表面電位(Vs)を測定するステップは、ケルビンプローブを用いて非接触で行われる請求項1〜9のいずれかに記載の方法。
- 照射スポットの内側および外側での光電圧を測定するステップは、接合光電圧の原理を用いて、少なくとも部分的に同心円状の2つの電極を用いて行われ、第1電極は、照射スポットの内側に位置し、第2電極は、照射スポットの外側に位置している請求項1〜10のいずれかに記載の方法。
- 2つの電極は、線状の電極である請求項11記載の方法。
- 2つの電極は、少なくとも部分的に同心円状である請求項12記載の方法。
- 少なくとも部分的に同心円状である2つの電極は、リング電極である請求項12記載の方法。
- 半導体基板と、成膜した層との界面における反転電荷の移動度を決定するための装置であって、
・少なくとも1つの成膜した層を含む基板を保持するための基板ホルダと、
・コロナ電荷を基板上に付着させるための手段であって、表面電位Vsを特定エリアにおいて少なくとも局所的に誘起するように設計された手段と、
・表面電位を表すパラメータを決定するための手段と、
・成膜した層を含む基板の表面、特に、前記特定エリアを局所的に照射して、照射スポットを作成するための手段と、
・少なくとも2つの電極を有し、第1電極は照射スポットの内部に位置し、第2電極は照射スポットの外側に位置するようにした手段と、
・第1電極および第2電極の光電圧V1,V2をそれぞれ測定して、基板と成膜層との界面における反転電荷の移動度が導出可能であるシート抵抗を表すパラメータを計算する手段と、を備える装置。 - 移動度を温度の関数として測定する請求項15記載の装置。
- 移動度を機械的応力の関数として測定する請求項15記載の装置。
Applications Claiming Priority (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US94059407P | 2007-05-29 | 2007-05-29 | |
US60/940,594 | 2007-05-29 | ||
EP07118673A EP1998184B1 (en) | 2007-05-29 | 2007-10-17 | Mobility measurements of inversion charge carriers |
EP07118673.8 | 2007-10-17 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2008300837A JP2008300837A (ja) | 2008-12-11 |
JP5303189B2 true JP5303189B2 (ja) | 2013-10-02 |
Family
ID=39327419
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2008140541A Active JP5303189B2 (ja) | 2007-05-29 | 2008-05-29 | 半導体界面の品質決定方法および反転電荷の移動度決定装置 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7663393B2 (ja) |
EP (1) | EP1998184B1 (ja) |
JP (1) | JP5303189B2 (ja) |
AT (1) | ATE457462T1 (ja) |
DE (1) | DE602007004714D1 (ja) |
Families Citing this family (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US8384904B2 (en) * | 2009-03-17 | 2013-02-26 | Imec | Method and apparatus for determining the junction depth of a semiconductor region |
US8415961B1 (en) * | 2010-12-07 | 2013-04-09 | Kla-Tencor Corporation | Measuring sheet resistance and other properties of a semiconductor |
US8803533B2 (en) * | 2011-01-06 | 2014-08-12 | University Of South Florida | Noncontact determination of interface trap density for semiconductor-dielectric interface structures |
EP2757579B1 (en) | 2013-01-17 | 2019-06-19 | IMEC vzw | Method for characterisation of shallow junctions for use in semiconductor devices |
US9880200B2 (en) * | 2013-09-04 | 2018-01-30 | Kla-Tencor Corporation | Method and apparatus for non-contact measurement of forward voltage, saturation current density, ideality factor and I-V curves in P-N junctions |
US9823198B2 (en) * | 2013-09-14 | 2017-11-21 | Kla-Tencor Corporation | Method and apparatus for non-contact measurement of internal quantum efficiency in light emitting diode structures |
US10969370B2 (en) * | 2015-06-05 | 2021-04-06 | Semilab Semiconductor Physics Laboratory Co., Ltd. | Measuring semiconductor doping using constant surface potential corona charging |
CN117233568B (zh) * | 2023-11-10 | 2024-02-13 | 青禾晶元(天津)半导体材料有限公司 | 载流子迁移率的计算方法和装置 |
Family Cites Families (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5442297A (en) | 1994-06-30 | 1995-08-15 | International Business Machines Corporation | Contactless sheet resistance measurement method and apparatus |
US5519334A (en) * | 1994-09-29 | 1996-05-21 | Advanced Micro Devices, Inc. | System and method for measuring charge traps within a dielectric layer formed on a semiconductor wafer |
JP4020810B2 (ja) * | 2002-03-29 | 2007-12-12 | 株式会社神戸製鋼所 | 半導体キャリアの寿命測定装置,その方法 |
US6972582B2 (en) * | 2003-02-10 | 2005-12-06 | Solid State Measurements, Inc. | Apparatus and method for measuring semiconductor wafer electrical properties |
US6911350B2 (en) * | 2003-03-28 | 2005-06-28 | Qc Solutions, Inc. | Real-time in-line testing of semiconductor wafers |
-
2007
- 2007-10-17 AT AT07118673T patent/ATE457462T1/de not_active IP Right Cessation
- 2007-10-17 DE DE602007004714T patent/DE602007004714D1/de active Active
- 2007-10-17 EP EP07118673A patent/EP1998184B1/en active Active
-
2008
- 2008-05-28 US US12/128,510 patent/US7663393B2/en active Active
- 2008-05-29 JP JP2008140541A patent/JP5303189B2/ja active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2008300837A (ja) | 2008-12-11 |
US20080297189A1 (en) | 2008-12-04 |
US7663393B2 (en) | 2010-02-16 |
ATE457462T1 (de) | 2010-02-15 |
EP1998184A1 (en) | 2008-12-03 |
DE602007004714D1 (de) | 2010-03-25 |
EP1998184B1 (en) | 2010-02-10 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5303189B2 (ja) | 半導体界面の品質決定方法および反転電荷の移動度決定装置 | |
US7397254B1 (en) | Methods for imperfect insulating film electrical thickness/capacitance measurement | |
Vogel et al. | Reliability of ultrathin silicon dioxide under combined substrate hot-electron and constant voltage tunneling stress | |
Heh et al. | Spatial Distributions of Trapping Centers in $\hbox {HfO} _ {2}/\hbox {SiO} _ {2} $ Gate Stack | |
Pétry et al. | Effect of N2 anneal on thin HfO2 layers studied by conductive atomic force microscopy | |
Cho et al. | Interface Trap Characterization of a 5.8-$\hbox {\rm {\AA}} $ EOT p-MOSFET Using High-Frequency On-Chip Ring Oscillator Charge Pumping Technique | |
TW452907B (en) | Testing device and method of positive mobile ion contamination | |
Peng et al. | Probing the intrinsic electrical properties of thin organic layers/semiconductor interfaces using an atomic-layer-deposited Al2O3 protective layer | |
Watanabe et al. | Time-domain charge pumping on silicon-on-insulator MOS devices | |
Pushkarev et al. | Optimizing Non-Contact Doping and Electrical Defect Metrology for Production of SiC Epitaxial Wafers | |
Ranjan et al. | Random Telegraph Noise Nano-Spectroscopy in High-κ Dielectrics Using Scanning Probe Microscopy Techniques | |
Gupta et al. | Experimental analysis of I‐V and C‐V characteristics of Ni/SiO2/4H‐SiC system with varying oxide thickness | |
TWI601213B (zh) | 應用於半導體裝置之形成淺接面的方法 | |
Schupp et al. | Quantum interference in silicon one-dimensional junctionless nanowire field-effect transistors | |
Germanicus et al. | Microstructure and electrical characterization based on AFM of very high-doped polysilicon grains | |
Uchida et al. | Heat transport properties of alumina gate insulator films on Ge substrates fabricated by atomic layer deposition | |
Imangholi et al. | Effect of deep-level defects on surface recombination velocity at the interface between silicon and dielectric films | |
Belete et al. | Defects in layered vapor-phase grown MOS 2 | |
Findlay et al. | Recent Advancement in Charge and Photo-Assisted Non-Contact Electrical Characterization of SiC, GaN, and AlGaN/GaN HEMT | |
Daves | Silicon carbide field-effect transistor (FET) transducers for harsh environment Applications | |
Tataridou | Low Frequency Noise in advanced MOSFET technologies: From experimental observations to new extraction and modeling methods | |
Oliver | Fabrication and Evaluation of Different Passivation Layers For the Germanium-Insulator Interface Using Plasma Enhanced ALD | |
Mazza | Defects and traps electrical characterization in 4H-SiC PowerMOSFET | |
Zeru et al. | Implementation of electrochemical methods for metrology and analysis of nano electronic structures of deep trench DRAM | |
Duval et al. | Determination of slow-and fast-state distributions using high-temperature conductance spectroscopy on MOS structures |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20101201 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20130226 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20130521 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20130611 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20130624 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5303189 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |