JP5303140B2 - Substrate processing process exhaust purification method - Google Patents

Substrate processing process exhaust purification method Download PDF

Info

Publication number
JP5303140B2
JP5303140B2 JP2007304947A JP2007304947A JP5303140B2 JP 5303140 B2 JP5303140 B2 JP 5303140B2 JP 2007304947 A JP2007304947 A JP 2007304947A JP 2007304947 A JP2007304947 A JP 2007304947A JP 5303140 B2 JP5303140 B2 JP 5303140B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
air
adsorbent
regeneration
temperature
substrate processing
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
JP2007304947A
Other languages
Japanese (ja)
Other versions
JP2009130212A (en
Inventor
順義 橋本
真也 北口
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Shinwa Controls Co Ltd
Original Assignee
Shinwa Controls Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Shinwa Controls Co Ltd filed Critical Shinwa Controls Co Ltd
Priority to JP2007304947A priority Critical patent/JP5303140B2/en
Publication of JP2009130212A publication Critical patent/JP2009130212A/en
Application granted granted Critical
Publication of JP5303140B2 publication Critical patent/JP5303140B2/en
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a method for continuously and stably circulating and supplying cleaned and temperature/humidity-controlled air to a clean work space over a long period of time by cleaning the exhaust air containing molecular contaminants exhausted from the clean work space in a substrate treatment process, in manufacturing LCDs, or the like, using an adsorbing material, after performing temperature/humidity control first without stopping the operation of a manufacturing equipment line. <P>SOLUTION: A method for cleaning exhausted air in a substrate treatment process cleans and controls the temperature and humidity of the exhaust air, in a substrate treatment process in manufacturing LCDs to circulate and supply it. The exhaust air is taken into a humidifying/cooling/heating apparatus as process air, to obtain humidified/cooled/heated air; and this is passed through a batch-type temperature swing adsorbing device by using the air taken in from the indoors or the outdoors as regenerated air, and temperature/humidity control and removal of molecular contaminants and particulate contaminants are carried out. <P>COPYRIGHT: (C)2009,JPO&amp;INPIT

Description

本発明は、液晶ディスプレイ(以下、LCDという)製造やカラー液晶ディスプレイのカラーフィルタ製造におけるガラスの基板処理工程、あるいは、半導体製造におけるシリコンの基板処理工程から排出されるアンモニア、シランカップリング剤、シラノール類、シリル化剤、シロキサン類、レジストインク溶媒等を含有する排気を取入れて処理空気として、その処理空気中の分子状汚染物質及び粒子状汚染物質を除去する清浄化と調温・調湿とを行って、当該基板処理工程中に設置されている清浄作業空間に、当該清浄作業空間内の作業を中断させることなく連続して安定に循環供給を可能とする方法に関する。   The present invention relates to ammonia, silane coupling agent, silanol discharged from a glass substrate processing step in manufacturing a liquid crystal display (hereinafter referred to as LCD) or a color filter of a color liquid crystal display, or a silicon substrate processing step in semiconductor manufacturing. Cleaning, temperature control and humidity control to remove molecular pollutants and particulate pollutants in the processing air by taking in exhaust containing alkenyl, silylating agent, siloxane, resist ink solvent, etc. The present invention relates to a method that enables continuous and stable circulation supply to a clean work space installed during the substrate processing step without interrupting work in the clean work space.

LCD製造や半導体製造における基板処理工程はレジストインクを塗布、露光、現像或いはベーキングする工程である。その処理工程で、通常、ガラス基板やシリコン基板にレジストインクを塗布するに先立って、シランカップリング剤が下塗りされる。特に近年のLCD製造等においてはガラス基板の大型化に伴い回路形成過程での歩留まりを一層向上させる必要があるため、ガラス基板とレジスト膜との密着力を一段と強化させる性能を発揮するヘキサメチルジシラザン(以下、HMDSという)が多用されている。   A substrate processing step in LCD manufacturing or semiconductor manufacturing is a step of applying, exposing, developing or baking resist ink. In that processing step, a silane coupling agent is usually primed prior to applying a resist ink to a glass substrate or silicon substrate. Particularly in LCD manufacturing in recent years, it is necessary to further improve the yield in the circuit formation process with the increase in size of the glass substrate, so that hexamethyl dimethyl which exhibits the ability to further enhance the adhesion between the glass substrate and the resist film. Silazane (hereinafter referred to as HMDS) is frequently used.

HMDSをガラス基板上に塗布した後、レジストインクを塗布してベーキングすると、下記式(1)に示す化学式に従って、HMDS、HMDSの分解物であるアンモニア及びトリメチルシラノール(以下、TMSという)並びにレジストインク溶媒等が分子状汚染物質となって、ガラス基板周辺の清浄作業空間に飛散する。この際、式(1)で示すように、飛散するTMSの分子数は飛散するアンモニアのそれの2倍である。   When HMDS is applied on a glass substrate and then resist ink is applied and baked, HMDS, ammonia and trimethylsilanol (hereinafter referred to as TMS), which are decomposition products of HMDS, and resist ink are applied according to the chemical formula shown in the following formula (1). Solvents and the like become molecular contaminants and scatter into the clean work space around the glass substrate. At this time, as shown by the equation (1), the number of molecules of TMS scattered is twice that of ammonia scattered.


(基板の酸化膜)−OH +(1/2)(CH3)3SiNHSi(CH3)3 +(レジスト)−OH→(基板の酸化膜)−O−(レジスト)+(1/2)NH3+(CH33SiOH
・・・・(1)

(Oxide film of substrate) -OH + (1/2) (CH 3 ) 3 SiNHSi (CH 3 ) 3 + (resist) -OH → (substrate oxide film) -O- (resist) + (1/2) NH 3 + (CH 3 ) 3 SiOH
(1)

HMDS以外のシランカップリング剤を使用した場合も、そのシランカップリング剤、その分解物であるシラノール類やシロキサン類やシリル化剤並びにレジストインク溶媒等が分子状汚染物質となってガラス基板やシリコン基板周辺の清浄作業空間に飛散する。   Even when a silane coupling agent other than HMDS is used, the silane coupling agent, its decomposition products, silanols, siloxanes, silylating agents, resist ink solvents, etc. become molecular pollutants and become glass substrates and silicon. Spatters into the clean working space around the substrate.

LCD製造の基板処理工程の清浄作業空間においては、清浄度クラス10000以下、温度は23±0.5℃、湿度は40±1.5%の条件に精密に調温・調湿して、更にアンモニアは0.2ppb以下、有機物は2ppb以下の清浄状態に維持することが必要不可欠であるから、前述した分子状汚染物質が飛散した空気を早急に排気して、前記条件に調温・調湿して清浄化した空気と置換できるように設備されている。   In the clean work space in the substrate processing process of LCD manufacturing, the temperature is precisely controlled and adjusted to the cleanliness class 10000 or less, the temperature is 23 ± 0.5 ° C, and the humidity is 40 ± 1.5%. Since it is indispensable to keep ammonia in a clean state of 0.2 ppb or less for organic substances and 2 ppb or less for organic substances, the air in which the above-mentioned molecular pollutants are scattered is immediately exhausted to adjust the temperature and humidity to the above conditions. It is installed so that it can be replaced with purified air.

清浄作業空間に飛散した分子状汚染物質が、分子運動によって基板上に衝突して沈着すると、その基板が汚染され不良品となる。それゆえ、空気中に含まれるその物質の分子数が多いほど基板上に沈着する確率が高いと想定される。   When molecular contaminants scattered in the clean work space collide and deposit on the substrate due to molecular motion, the substrate is contaminated and becomes a defective product. Therefore, it is assumed that the greater the number of molecules of the substance contained in the air, the higher the probability of deposition on the substrate.

最も分子量が小さく、沸点の低いアンモニアを基準にして0.2ppbまで除去するとした場合、HMDSは2ppb、TMSは1.0ppb、レジストインク溶媒はシンナ類とすると1.2ppbまで除去する必要がある。   When removal is performed up to 0.2 ppb based on ammonia having the lowest molecular weight and the lowest boiling point, it is necessary to remove up to 1.2 ppb when HMDS is 2 ppb, TMS is 1.0 ppb, and the resist ink solvent is thinner.

又、従来は1パス使い捨て方式が採用されているが、当該方式においては、屋内又は屋外の空気を取入れて粒子状及び分子状汚染物質を除去する清浄化と、これに調温・調湿を行った調温調湿清浄化空気を、当該清浄作業空間に供給して、その後、当該清浄作業空間からの排気は、廃ガス処理してから大気に放出する方式であったから、エネルギーを大量に消費していた。しかしながら、近時はガラス基板の大型化に伴い当該清浄作業空間も大容量となるため、当該清浄作業空間内からの排気を回収して、その回収処理空気中の粒子状及び分子状汚染物質の除去と補充分の屋内又は屋外の空気中の粒子状及び分子状汚染物質の除去を行って、さらに温度と湿度をそれぞれ調整した清浄化調温調湿空気にして当該清浄作業空間に循環供給するエネルギー消費量を大幅に節減した方式に転換されつつある。   Conventionally, a one-pass disposable method has been adopted, but in this method, indoor or outdoor air is taken in to remove particulate and molecular contaminants, and temperature and humidity are adjusted. Since the temperature-controlled and humidity-cleaned air was supplied to the clean work space, and then the exhaust from the clean work space was treated as waste gas and then released to the atmosphere, a large amount of energy was consumed. I was consuming. However, recently, as the glass substrate increases in size, the clean work space also has a large capacity. Therefore, the exhaust from the clean work space is recovered, and particulate and molecular contaminants in the recovered processing air are collected. After removing and replenishing particulate and molecular pollutants in indoor or outdoor air for replenishment, the temperature and humidity are adjusted to clean and conditioned air, and circulated and supplied to the clean work space. It is being converted to a method that greatly reduces energy consumption.

(ケミカルフィルタ)
従来技術においては、前述の分子状汚染物質は、当該清浄作業空間への吹出し口付近及び循環空気ダクトに設置したケミカルフィルタに通じて除去することが一般的であった(例えば、非特許文献1を参照)。特に吹出し口付近の天井に設置するケミカルフィルタはファンと粒子状汚染物質を除去する高性能フィルタを一体化したファン・フィルタユニット(FFU)の中に組込まれている。
しかしながら、前記したガラス基板の大型化は、清浄作業空間のフットプリント(床面積)を増大させ、又、循環供給する清浄化調温調湿空気の絶対量も増大させるため、循環空気ダクトや該清浄作業空間への吹出し口に設置するケミカルフィルタも大型となるか或いは清浄化調温調湿空気を分割して供給する必要があるためケミカルフィルタの設置数を増加させている。
(Chemical filter)
In the prior art, the aforementioned molecular contaminants are generally removed through a chemical filter installed in the vicinity of the outlet to the clean working space and in the circulating air duct (for example, Non-Patent Document 1). See). In particular, the chemical filter installed on the ceiling near the outlet is incorporated in a fan filter unit (FFU) in which a fan and a high-performance filter for removing particulate contaminants are integrated.
However, the increase in the size of the glass substrate described above increases the footprint (floor area) of the cleaning work space, and also increases the absolute amount of clean temperature-controlled and humidity-controlled air to be circulated. The number of chemical filters to be installed is increased because the chemical filter installed at the outlet to the cleaning work space is also large or needs to be supplied separately with purified temperature-controlled and humidity-controlled air.

半導体産業新聞主催講演会資料「半導体クリーン化技術はルネサンス時代を迎えた」(2007年2月21日開催)Lecture materials hosted by the Semiconductor Industry Newspaper "Semiconductor clean technology has entered the Renaissance era" (held on February 21, 2007)

このようなケミカルフィルタを使用する汚染物質除去方法においては、前述の分子状汚染物質は、塩基性と有機性であるから、塩基性物質を捕集・除去するケミカルフィルタ(B)と有機性物質を捕集・除去するケミカルフィルタ(C)の2種類を使用している。
このうち、ケミカルフィルタ(B)は布状フィルタ材に酸性薬剤を含浸させたもの、繊維状フィルタ材に陽イオン交換基を付加したもの又は布状フィルタ材にプリーツを付けて袋状に縫製してその袋の中に陽イオン交換樹脂を充填したものが用いられる。
In the pollutant removal method using such a chemical filter, the above-mentioned molecular pollutants are basic and organic. Therefore, the chemical filter (B) for collecting and removing the basic substance and the organic substance are used. Two types of chemical filter (C) that collects and removes water are used.
Among them, the chemical filter (B) is a cloth filter material impregnated with an acidic agent, a fiber filter material added with a cation exchange group, or a cloth filter material sewed into a bag shape with pleats. A bag filled with a cation exchange resin is used.

したがって、捕集・除去の原理は、フィルタ材上で酸と塩基の中和反応を生起させて不揮発性の中和物に転化させることである。それゆえ、フィルタ材に含浸させた酸性物質量と反応する塩基性物質の化学当量以上の塩基性汚染物質は捕集・除去が不可能となるゆえ、必然的に寿命が存在するという問題がある。そのため、寿命となったケミカルフィルタ(B)は新品と取替えるという大懸りな作業が不可避となる。   Therefore, the principle of collection / removal is to cause neutralization reaction of acid and base on the filter material to convert it into a non-volatile neutralized product. Therefore, basic contaminants exceeding the chemical equivalent of the basic substance that reacts with the amount of acidic substances impregnated in the filter material cannot be collected and removed. . For this reason, the chemical filter (B) that has reached the end of its life is unavoidable to replace it with a new one.

取替え作業によって寿命となったケミカルフィルタ(B)は、産業廃棄物となり、又、取替え作業時には、それを取付けていた基板処理工程は操業を停止することになる。そして、近時のガラス基板の大型化は産業廃棄物量を増大させることになり、又、取替え頻度も増加することになる。   The chemical filter (B) which has reached the end of its life by the replacement work becomes industrial waste, and the operation of the substrate processing process to which it has been attached is stopped during the replacement work. And the recent enlargement of the glass substrate increases the amount of industrial waste, and also increases the frequency of replacement.

さらに、又、取替え時には当該清浄作業空間や清浄空気管路やそれの関連機器は、その工程設備の外側にある雰囲気に曝すことになる。そして、その雰囲気は明らかに0.2ppbを越えるアンモニア、2ppbを越える有機物を含有する空気であるから、清浄状態にあった清浄作業空間や清浄空気管路やそれが接続している関連機器、当該設備の内側も確実に汚染される。特にアンモニアと水の分子は金属表面に吸着付着しやすい。   Furthermore, at the time of replacement, the clean work space, the clean air conduit, and related equipment are exposed to the atmosphere outside the process equipment. And since the atmosphere is clearly air containing more than 0.2 ppb of ammonia and more than 2 ppb of organic matter, the clean working space and clean air pipes that were in a clean state and related equipment to which they are connected, The inside of the equipment is also reliably contaminated. In particular, ammonia and water molecules tend to adsorb and adhere to the metal surface.

それゆえ、取替え作業は終了しても、清浄作業空間や清浄空気管路やそれの関連機器を清浄状態に復旧させるのに長時間のクリーンアップ作業を要することになる。この間の操業停止による損失は莫大となる問題を誘起している。   Therefore, even if the replacement work is completed, a long-time cleanup work is required to restore the clean work space, the clean air conduit, and related equipment to a clean state. Loss due to shutdown during this period has caused enormous problems.

又、前記段落〔0016〕に記載したように、取替え作業時に、例えば、3〜5ppbのアンモニアを含有するクリーンルーム空気に曝したとすると、金属表面に吸着付着したアンモニアは、復旧後に清浄空気の流れによって、少しずつ脱離して清浄空気流中に混入する。例えば脱離によりアンモニアの濃度が0.4ppbとなったとすると、清浄作業空間内のガラス基板を汚染する確率が倍増することになると考えられる。又、清浄空気中の水分子が分子運動で金属表面等に凝縮するとき、アンモニア分子がその凝縮熱を奪って気化する精留効果によっても、清浄空気中のアンモニア濃度は0.2ppb以上となる。   Further, as described in the paragraph [0016], when the replacement operation is performed, for example, when exposed to clean room air containing 3 to 5 ppb of ammonia, the ammonia adsorbed and adhered to the metal surface will flow after the recovery. To desorb little by little and mix into the clean air stream. For example, if the ammonia concentration becomes 0.4 ppb due to desorption, it is considered that the probability of contaminating the glass substrate in the clean working space is doubled. Moreover, when water molecules in clean air condense on the metal surface or the like by molecular motion, the ammonia concentration in clean air becomes 0.2 ppb or more due to the rectification effect that ammonia molecules take away the heat of condensation and vaporize. .

一方、有機性物質を捕集・除去するケミカルフィルタ(C)は、布状フィルタ材にプリーツを付けて袋状に縫製して、その袋中に粒状活性炭を充填したもの、又は、活性炭繊維をフィルタ材としたものが用いられている。   On the other hand, the chemical filter (C) that collects and removes organic substances is made by sewing a cloth-like filter material with pleats and sewing it into a bag shape and filling the bag with granular activated carbon, or activated carbon fiber. A filter material is used.

したがって、捕集・除去の原理は有機性物質を選択率良く物理吸着することであるから、充填した活性炭の飽和吸着量以上の有機性汚染物質量は捕集・除去が不可能となるゆえ、これまた寿命が存在するという問題がある。   Therefore, since the principle of collection / removal is to physically adsorb organic substances with high selectivity, the amount of organic pollutants exceeding the saturated adsorption amount of the packed activated carbon cannot be collected / removed. There is also a problem that a lifetime exists.

つまり、前述のケミカルフィルタ(B)の場合と同様に、寿命となったケミカルフィルタ(C)は新品と取替えるという大懸りな作業が不可避となる。そして、前述した段落〔0013〕〜〔0017〕と全く同様の問題が発生している。   That is, as in the case of the above-described chemical filter (B), the chemical filter (C) that has reached the end of its life is inevitable to replace it with a new one. The same problem as in paragraphs [0013] to [0017] described above occurs.

さらに、基板処理工程排気をケミカルフィルタ(B)とケミカルフィルタ(C)に通じて清浄化しようとすると、寿命が存在するという本質的問題以外に、次のような技術的課題が存在する。これについて以下に図5を用いて詳細に説明を加える。図5は従来技術による清浄化装置の説明図である。   Furthermore, when trying to clean the substrate processing process exhaust gas through the chemical filter (B) and the chemical filter (C), there are the following technical problems in addition to the essential problem that the lifetime exists. This will be described in detail below with reference to FIG. FIG. 5 is an explanatory diagram of a conventional cleaning apparatus.

処理空気を調温調湿装置60に通じるに先立って、ケミカルフィルタ(B)81を上流にケミカルフィルタ(C)82を下流に配置したケミカルフィルタユニット80に、基板処理工程の排気を通じた場合、アンモニアとHMDSはケミカルフィルタ(B)81で、TMSとレジストインク溶媒等はケミカルフィルタ(C)82で捕集・除去される。そして、それらの分子状汚染物質が除去され清浄化され、次いで処理空気送風機(2)83で昇圧されて調温調湿装置60に流入して高性能フィルタ(4)61によって粒子状汚染物質の除去と冷却除湿器62、調温器63、加湿器64によって調温調湿が行われた後、清浄化調温調湿空気送風機101で再度昇圧して清浄化調温調湿空気供給口2に送気される。   Prior to passing the processing air to the temperature and humidity control device 60, when exhausting the substrate processing step through the chemical filter unit 80 in which the chemical filter (B) 81 is disposed upstream and the chemical filter (C) 82 is disposed downstream, Ammonia and HMDS are collected and removed by a chemical filter (B) 81, and TMS, a resist ink solvent, and the like are collected and removed by a chemical filter (C) 82. These molecular contaminants are removed and cleaned, and then the pressure is increased by the processing air blower (2) 83 and flows into the temperature and humidity control device 60, and the particulate contaminants are removed by the high performance filter (4) 61. After the temperature and humidity is controlled by the removal and cooling dehumidifier 62, the temperature controller 63, and the humidifier 64, the pressure is again increased by the purified temperature and humidity controlled air blower 101 and the purified temperature and humidity controlled air supply port 2 Is inflated.

本発明者らが確認したところによれば、排気に含まれているHMDSはケミカルフィルタ(B)81で捕集・除去される前後で、加水分解を受けて、次式(2)で示すように、アンモニアとTMSを発生する。このアンモニアは、ケミカルフィルタ(B)81に留まるが、TMSはケミカルフィルタ(C)82で捕集・除去される。   According to the present inventors, the HMDS contained in the exhaust gas is hydrolyzed before and after being collected and removed by the chemical filter (B) 81, as shown by the following formula (2). In addition, ammonia and TMS are generated. The ammonia remains in the chemical filter (B) 81, but TMS is collected and removed by the chemical filter (C) 82.


(CH33SiNHSi(CH33+2H2O→NH3+2(CH33SiOH ・・・・(2)

(CH 3 ) 3 SiNHSi (CH 3 ) 3 + 2H 2 O → NH 3 +2 (CH 3 ) 3 SiOH (2)

一般にアンモニアと比較して有機性ガスの吸着容量は小さいのでケミカルフィルタ(C)は容量を多く使用する必要がある。それでも初期はTMSを高捕集率で除去できるが、徐々に捕集率が低下してしまう。それゆえ、TMSをさらに捕集・除去するために、清浄作業空間100の清浄化調温調湿空気吹出し口115に設置する粒子状汚染物質を除去する高性能フィルタ(3)114とフィルタファン113とを一体化したファンフィルタユニット(FFU)110の中にケミカルフィルタ(C)111とケミカルフィルタ(B)112を配置することになる。ケミカルフィルタ(B)112は、下記の段落〔0029〕で記す現象が発生するために配置せざるを得ない。   Since the adsorption capacity of organic gas is generally smaller than that of ammonia, the chemical filter (C) needs to use a large capacity. Even so, TMS can be removed at a high collection rate in the initial stage, but the collection rate gradually decreases. Therefore, in order to further collect and remove TMS, the high-performance filter (3) 114 and the filter fan 113 for removing the particulate contaminants installed in the clean temperature-controlled and humidity-controlled air outlet 115 of the clean work space 100. The chemical filter (C) 111 and the chemical filter (B) 112 are disposed in the fan filter unit (FFU) 110 in which the two are integrated. The chemical filter (B) 112 must be disposed because the phenomenon described in the following paragraph [0029] occurs.

しかも、ケミカルフィルタ(C)82に捕集・除去されたTMSも、本発明者らが確認したところによれば、次式(3)に示す様に、さらに加水分解され、吸着サイトにシリカを蓄積させるから、以後、その吸着サイトはシリカによって閉塞され、吸着性能を失うことになる。なお、発生するメタン(CH4)はケミカルフィルタ(C)82では捕集・除去できないが汚染物質ではない。このようにシリカの蓄積はTMSだけでなく、他の有機物の捕集・除去率を予想以上に急速に低下させるという問題を惹起せしめている。 Moreover, according to the present inventors, the TMS collected and removed by the chemical filter (C) 82 is further hydrolyzed and silica is adsorbed at the adsorption site as shown in the following formula (3). Since it is accumulated, thereafter, the adsorption site is blocked by silica and loses the adsorption performance. The generated methane (CH 4 ) cannot be collected and removed by the chemical filter (C) 82 but is not a pollutant. Thus, the accumulation of silica raises the problem that the collection / removal rate of not only TMS but also other organic substances is rapidly reduced more than expected.


(CH33SiOH +H2O→3CH4+SiO2 ・・・・ (3)

(CH 3 ) 3 SiOH + H 2 O → 3CH 4 + SiO 2 ... (3)

又、TMSは、イオン性を有しているため、上流側に配置した、ケミカルフィルタ(B)81でも低率で捕集・除去され、加水分解されて、シリカを蓄積させる。このため、シリカが残留した活性サイトは失活するから、アンモニア、HMDSの捕集・除去率は失活したサイト数に見合って低下する。それゆえ、アンモニアを捕集することを前提とした予想寿命を大幅に短縮させるという問題を発生している。又、ケミカルフィルタ(B)81で捕集できなかった残余のアンモニアを捕集するために、さらにケミカルフィルタ(B)112が必要となる。ケミカルフィルタによる汚染物質除去方法には、このような問題があることを本発明者らは見いだした。   Further, since TMS has ionicity, the chemical filter (B) 81 disposed on the upstream side is also collected and removed at a low rate and hydrolyzed to accumulate silica. For this reason, since the active site in which the silica remained is deactivated, the collection / removal rate of ammonia and HMDS is reduced in accordance with the number of deactivated sites. Therefore, there has been a problem of greatly shortening the expected life assuming that ammonia is collected. Further, in order to collect the remaining ammonia that could not be collected by the chemical filter (B) 81, the chemical filter (B) 112 is further required. The present inventors have found that there is such a problem in the pollutant removal method using a chemical filter.

図示していないが、上流にケミカルフィルタ(C)82を、下流にケミカルフィルタ(B)81を配置して、基板処理工程の排気を処理した場合、TMSとレジストインク溶媒等はケミカルフィルタ(C)82で、アンモニアとHMDSはケミカルフィルタ(B)81で捕集・除去される。   Although not shown, when the chemical filter (C) 82 is disposed upstream and the chemical filter (B) 81 is disposed downstream to treat the exhaust of the substrate processing step, the TMS and the resist ink solvent are treated with the chemical filter (C 82), ammonia and HMDS are collected and removed by the chemical filter (B) 81.

TMSは段落〔0026〕で記した様に、式(3)式に基づいて加水分解され、ケミカルフィルタ(C)82の吸着サイトにシリカが蓄積するから、その吸着サイトは閉塞され、失活することになる。つまり、ケミカルフィルタ(C)82はTMSだけでなく、他の有機物の捕集・除去率が予想以上に急速に低下するという予想されざる問題を発生せしめていることを本発明者らは見いだした。なお、HMDSはケミカルフィルタ(C)82でもいくらか捕集・除去されるが、次第に(化2)式に基づいて加水分解される。   As described in paragraph [0026], TMS is hydrolyzed based on the formula (3), and silica accumulates at the adsorption site of the chemical filter (C) 82. Therefore, the adsorption site is blocked and deactivated. It will be. That is, the present inventors have found that the chemical filter (C) 82 causes an unexpected problem that not only the TMS but also the collection / removal rate of other organic substances decreases more rapidly than expected. . HMDS is also collected and removed by the chemical filter (C) 82, but is gradually hydrolyzed based on the formula (2).

ケミカルフィルタ(C)82の吸着サイトの閉塞が進行すると、HMDSとアンモニアはケミカルフィルタ(B)81で捕集・除去される。その後HMDSは加水分解を受けて、式(2)式に基づいて、アンモニアとTMSを発生する。アンモニアはケミカルフィルタ(B)81に留まるが、発生した分子状アンモニアの2倍発生する分子状TMSは捕集・除去されることなく清浄作業空間に流れて空間や基板や管路や機器を汚染することになる。それゆえ、ケミカルフィルタ(B)81の下流に図5に示す様にさらにケミカルフィルタ(C)111を配置することは避けられない。   As the adsorption site of the chemical filter (C) 82 is blocked, HMDS and ammonia are collected and removed by the chemical filter (B) 81. Thereafter, HMDS undergoes hydrolysis to generate ammonia and TMS based on the formula (2). Ammonia stays in the chemical filter (B) 81, but molecular TMS generated twice as much as the generated molecular ammonia flows into the clean work space without being collected and removed, contaminating the space, substrate, pipes and equipment. Will do. Therefore, it is inevitable to further dispose the chemical filter (C) 111 downstream of the chemical filter (B) 81 as shown in FIG.

さらに又、式(2)と式(3)で示されるごとく、加水分解反応により水分が消費されると共に、式(3)式で生成した超微粒子シリカは、多量の水分を吸着するため、ケミカルフィルタ(B)と(C)を調温調湿装置の下流に設置した場合、清浄作業空間には所定の関係湿度以下の空気を供給することになり、調湿能力に不足を来たすという問題が発生する。以上のごとく、ケミカルフィルタには種々の問題を伴うものである。   Furthermore, as shown in the formulas (2) and (3), water is consumed by the hydrolysis reaction, and the ultrafine silica produced by the formula (3) adsorbs a large amount of water. When the filters (B) and (C) are installed downstream of the temperature and humidity control device, air having a predetermined relative humidity or less is supplied to the clean working space, resulting in a shortage of humidity control capability. Occur. As described above, the chemical filter has various problems.

(回分式温度スイング吸着装置)
次に、処理空気を本発明の加湿冷却加温装置に通じた後、従来技術による回分式温度スイング吸着装置(以下、「回分式TSA装置」ということがある。)に通じた際に生起する技術課題について図を用いて説明する。図4は従来技術による回分式TSA装置120の構成図である。図4には吸着モードが(A)系統、したがって、再生モードが(B)系統の場合を示した。
(Batch temperature swing adsorption device)
Next, this occurs when the process air is passed through the humidifying / cooling / warming device of the present invention and then passed through a batch-type temperature swing adsorption device (hereinafter also referred to as “batch-type TSA device”) according to the prior art. The technical problem will be described with reference to the drawings. FIG. 4 is a block diagram of a batch type TSA apparatus 120 according to the prior art. FIG. 4 shows a case where the adsorption mode is the (A) system, and thus the regeneration mode is the (B) system.

処理空気は、処理空気取入れ口41から流入して分岐/合流継手T1から開閉弁V1、分岐/合流継手T2を経て吸着材ユニット(A)43Aに流入する。吸着材ユニット(A)43Aにて塩基性汚染物質や有機性分子状汚染物質等が吸着除去される。   The processing air flows in from the processing air intake 41 and flows into the adsorbent unit (A) 43A from the branch / merging joint T1 through the on-off valve V1 and the branch / merging joint T2. The adsorbent unit (A) 43A adsorbs and removes basic pollutants and organic molecular pollutants.

すなわち、処理空気は吸着材ユニット(A)43Aを通過する間で清浄化され、分岐/合流継手T3、開閉弁V2、分岐/合流継手T4を経て清浄空気送出口50に流入する。このとき、開閉弁V1、V2は開弁状態であるが、開閉弁V4、V5、V3、V6は閉弁状態である。   That is, the processing air is cleaned while passing through the adsorbent unit (A) 43A, and flows into the clean air outlet 50 through the branch / merging joint T3, the on-off valve V2, and the branch / merging joint T4. At this time, the on-off valves V1, V2 are in an open state, but the on-off valves V4, V5, V3, V6 are in a closed state.

一方、再生空気は再生空気導入口51から取入れて、再生空気加熱部57に流入させる。すなわち、再生空気は再生空気フィルタ58を経て再生空気送風機52、再生空気冷却器53、再生空気予熱器54、再生空気加熱器55を流れる。ついで分岐/合流継手T8、開閉弁V7、分岐/合流継手T5を経て吸着材ユニット(B)43Bに流入する。再生モードの加熱時間帯においては再生空気冷却器53に使用する伝熱媒体の冷媒は流通させず、再生空気加熱器55には通電させる。   On the other hand, the regeneration air is taken from the regeneration air introduction port 51 and flows into the regeneration air heating unit 57. That is, the regeneration air passes through the regeneration air filter 58 and flows through the regeneration air blower 52, the regeneration air cooler 53, the regeneration air preheater 54, and the regeneration air heater 55. Subsequently, it flows into the adsorbent unit (B) 43B through the branch / merging joint T8, the on-off valve V7, and the branch / merging joint T5. During the heating time zone in the regeneration mode, the refrigerant of the heat transfer medium used for the regeneration air cooler 53 is not circulated, and the regeneration air heater 55 is energized.

したがって、吸着材ユニット(B)43Bは再生空気によって加熱されるから吸着モード時に吸着したアンモニア、レジストインク溶媒等、微量のHMDS、微量のTMSを脱離する。吸着材ユニット(B)43Bを流出した再生空気は、分岐/合流継手T6、開閉弁V8、分岐/合流継手Т7を経て再生空気予熱器54に流入する。再生空気予熱器54では高温の再生空気のもつ余剰熱で低温の再生空気を予熱する。そして高温の再生空気は冷却されて排出空気となって再生空気排出口56から排出される。   Therefore, since the adsorbent unit (B) 43B is heated by the regeneration air, a small amount of HMDS and a small amount of TMS such as ammonia and resist ink solvent adsorbed in the adsorption mode are desorbed. The regeneration air that has flowed out of the adsorbent unit (B) 43B flows into the regeneration air preheater 54 via the branch / merging joint T6, the on-off valve V8, and the branch / merging joint Т7. In the regeneration air preheater 54, the low temperature regeneration air is preheated by the excess heat of the high temperature regeneration air. The high-temperature regeneration air is cooled and discharged as exhaust air, and is discharged from the regeneration air discharge port 56.

又、再生モードの冷却時間帯においては、再生空気冷却器53には伝熱媒体の冷媒を流通させ、再生空気加熱器55には通電しない。したがって、吸着材ユニット(B)43Bは再生空気によって冷却されて、処理空気の温度に近づけて吸着モードへの切換えに備える。再生モードが(B)系統の時、開閉弁V7、V8は開弁状態である。   Further, during the cooling time zone in the regeneration mode, the refrigerant of the heat transfer medium is circulated through the regeneration air cooler 53 and the regeneration air heater 55 is not energized. Therefore, the adsorbent unit (B) 43B is cooled by the regenerated air and is brought close to the temperature of the processing air to prepare for switching to the adsorption mode. When the regeneration mode is the (B) system, the on-off valves V7 and V8 are in an open state.

このように、吸着材ユニットを2系統備える従来の回分式TSA装置においては、吸着と再生のモードを同時に実行して連続的に清浄空気を供給しようとすると、処理空気、再生空気、清浄空気、排出空気相互の混入を防止して(A)系統吸着材ユニット(A)43A、(B)系統吸着材ユニット(B)43Bのそれぞれと、それら空気の流れるダクトを接続する必要がある。そのため、吸着材ユニットの上流側には処理空気又は排出空気が流れる2系統のダクト並びに処理空気を取入れて(A)系統と(B)系統のそれぞれの吸着材ユニットへ分岐する分岐/合流継手T1、排出空気を(A)系統と(B)系統から再生空気排出口56へ導くダクトに接続するダクトの分岐/合流継手T7及びそれぞれの両側にダクト回路を開閉するための開閉弁V1、V4、V5及びV8を配置する必要がある。   Thus, in a conventional batch-type TSA apparatus having two adsorbent units, if the adsorption and regeneration modes are executed simultaneously to continuously supply clean air, treated air, regenerative air, clean air, It is necessary to prevent the exhaust air from intermingling and connect (A) the system adsorbent unit (A) 43A and (B) the system adsorbent unit (B) 43B to the duct through which the air flows. Therefore, two ducts and processing air into which the processing air or exhaust air flows and the processing air are introduced upstream of the adsorbent unit, and the branch / joint joint T1 branches to the respective adsorbent units in the (A) system and (B) system. , The branch branch / merging joint T7 connected to the duct for guiding the exhaust air from the system (A) and the system (B) to the regeneration air discharge port 56, and the on-off valves V1, V4 for opening and closing the duct circuit on both sides, It is necessary to arrange V5 and V8.

又、吸着材ユニットの下流側には清浄空気又は再生空気が流れる2系統のダクト並びに清浄空気を取出す(A)系統ダクトと(B)系統ダクトから清浄空気送出口50へ導くダクトに接続するダクトの分岐/合流継手T4、再生空気を導き(A)系統と(B)系統のそれぞれの吸着材ユニットへ送出する分岐/合流継手T8及びそれぞれの分岐/合流継手の両側に設置してダクトを開閉するための開閉弁V2、V3、V6及びV7を配置する必要がある。   Further, on the downstream side of the adsorbent unit, two ducts through which clean air or regenerated air flows, and a duct connected to a duct leading to the clean air delivery port 50 from the (A) system duct and (B) the system duct are provided. Branch / joint joint T4, installed on both sides of the branch / joint joint T8 and each branch / joint joint that guides the regenerative air and sends it to the adsorbent units of (A) system and (B) system, and opens and closes the duct It is necessary to arrange the on-off valves V2, V3, V6 and V7 for this purpose.

さらに、(A)系統ダクトから排出空気ダクトへ、又は、(B)系統ダクトから排出空気ダクトへ再生空気が流れるように分岐/合流継手T2、T6が、再生空気ダクトから(A)系統ダクトへ、又は、再生空気ダクトから(B)系統ダクトへ再生空気が流れるように分岐/合流継手T3、T5が必要である。結局、吸着材ユニット(A)43A及び吸着材ユニット(B)43Bの上流側と下流側のそれぞれに2系統、計4系統のダクトと計8基の開閉弁と計8基の分岐/合流継手が必要である。   Further, branch / merging joints T2 and T6 are connected from the regeneration air duct to the (A) system duct so that the regeneration air flows from the (A) system duct to the exhaust air duct or (B) from the system duct to the exhaust air duct. Alternatively, branching / merging joints T3 and T5 are necessary so that the regeneration air flows from the regeneration air duct to the (B) system duct. Eventually, two systems on the upstream and downstream sides of the adsorbent unit (A) 43A and the adsorbent unit (B) 43B, a total of four ducts, a total of eight on-off valves, and a total of eight branch / merging joints is necessary.

このため、極めて複雑で長いダクトの「引きまわし」が必要となる。ここで、本発明が対象としているLCD工場や半導体工場等で使用されるダクトは、径が50mm程度の小配管ではない。例えば、1000mmの正方形断面のダクトである。(処理空気量500m3/minの場合、約8m/sの流速で流すためには正方形断面のダクトの寸法は1000mmとなる。)したがって、仮にこの「引きまわし」が30mであったならば、ダクトのみで30.0m3の占有空間が必要となる。処理空気量が40m3/minの場合は、同じく約8m/sの流速、且つ、30mの引き回しでは、ダクトのみで8.7m3の占有空間が必要となる。 This necessitates a “compulsion” of extremely complex and long ducts. Here, a duct used in an LCD factory, a semiconductor factory, or the like targeted by the present invention is not a small pipe having a diameter of about 50 mm. For example, a duct having a square cross section of 1000 mm. (In the case of a processing air amount of 500 m 3 / min, in order to flow at a flow rate of about 8 m / s, the dimension of the duct having a square cross section is 1000 mm.) Therefore, if this “pulling” is 30 m, An occupying space of 30.0 m 3 is required only with the duct. In the case where the amount of processing air is 40 m 3 / min, an occupying space of 8.7 m 3 is required only with the duct when the flow rate is about 8 m / s and the routing is 30 m.

つまり、常圧下にある空気が流れるダクトの占有空間は、実際は莫大なものであって、これにダクトの分岐/合流継手や、ダクトの重なり、交叉、曲がり、拡大(縮小)、開閉弁、断熱材の装着等のために必要な空間が加わるから、装置全体としての占有空間は極めて大きなものとなる。これが吸着材ユニットを2系列備える回分式TSA装置をコンパクトにするのを困難にしている第1の理由である。   In other words, the space occupied by the duct through which the air under normal pressure flows is actually enormous, including the duct branch / merge joint, duct overlap, crossover, bending, expansion (reduction), open / close valve, heat insulation Since a space necessary for mounting the material is added, the occupied space as the whole apparatus becomes extremely large. This is the first reason why it is difficult to make a batch-type TSA apparatus having two adsorbent units compact.

吸着モードを(A)系統から(B)系統へ、再生モードを(B)系統から(A)系統へ切換える場合は、開弁状態にある開閉弁V1、V2、V7及びV8を閉弁状態へ、閉弁状態にある開閉弁V4、V5、V3及びV6を開弁状態に切換えることになる。逆に、吸着モードを(B)系統から(A)系統へ、再生モードを(A)系統から(B)系統へ切換える際は、開閉弁V1、V2、V7及びV8を閉弁状態から開弁状態へ、開閉弁V4、V5、V3及びV6を開弁状態から閉弁状態に切換えることになる。   When switching the adsorption mode from the (A) system to the (B) system and the regeneration mode from the (B) system to the (A) system, the open / close valves V1, V2, V7 and V8 in the open state are closed. The on-off valves V4, V5, V3 and V6 in the closed state are switched to the opened state. Conversely, when switching the adsorption mode from the (B) system to the (A) system and the regeneration mode from the (A) system to the (B) system, the on-off valves V1, V2, V7 and V8 are opened from the closed state. The on-off valves V4, V5, V3 and V6 are switched from the open state to the closed state.

さらに、吸着モードと再生モードの切換えは、処理空気と清浄空気の流れを停止させることなく、圧力損失が小さくて口径の大きい開閉弁8基を、同時に動作を開始させ、且つ、同時に動作を停止させる必要があり、しかも、動作時間を可能な限り短時間とする必要がある。   Furthermore, switching between the adsorption mode and the regeneration mode allows the eight on-off valves with a small pressure loss and a large diameter to be started simultaneously and stopped simultaneously without stopping the flow of processing air and clean air. In addition, the operation time must be as short as possible.

しかしながら、8基全ての開閉弁を同時に動作を開始させて、同時に動作を停止させ、且つ、短時間で動作させることは極めて困難である。いずれかの開閉弁にわずかな遅れがあると、清浄空気の流量と圧力が変動する大きな問題がある。   However, it is extremely difficult to start all the eight on-off valves at the same time, stop the operation at the same time, and operate them in a short time. If there is a slight delay in any of the on-off valves, there is a big problem that the flow rate and pressure of clean air fluctuate.

もしも、上記したように切換え時において、清浄空気の流量と圧力が変動することになった場合は、LCD製品の歩留まりを著しく低下させる大きな要因となる。   If the flow rate and pressure of clean air fluctuate at the time of switching as described above, this is a major factor that significantly reduces the yield of LCD products.

さらに他の問題は、図4の従来技術による回分式TSA装置において、吸着モードと再生モードの切換えの際には、8基の分岐/合流継手と8基の開閉弁との間にあるダクト内の空気は、その開閉弁を閉弁状態とした場合は流れが停止するから、次の開弁となるまでの間はそのまま滞留する淀み箇所となることである。図4には淀み箇所となるダクトを破線で示した。   Still another problem is that, in the batch-type TSA apparatus according to the prior art shown in FIG. 4, when switching between the adsorption mode and the regeneration mode, the inside of the duct located between the eight branch / junction joints and the eight on-off valves. When the on-off valve is in the closed state, the flow of the air stops, so that it becomes a stagnation place where it remains as it is until the next valve opening. In FIG. 4, a duct that becomes a stagnation portion is indicated by a broken line.

例えば、分岐/合流継手T1と分岐/合流継手T6との間のダクト、特に分岐/合流継手T6と開閉弁V4との間のダクトは、再生開始直後の高濃度の脱離した汚染物質を含む排出空気が滞留する淀み箇所となるから、切換え後の清浄空気中の汚染物質濃度に影響するという問題がある。   For example, the duct between the branch / merging joint T1 and the branch / merging joint T6, particularly the duct between the branch / merging joint T6 and the on-off valve V4 contains a high concentration of desorbed contaminants immediately after the start of regeneration. Since it becomes a stagnation place where the exhaust air stays, there is a problem that it affects the pollutant concentration in the clean air after switching.

すでに前記段落〔0026〕〜〔0031〕に記載したとおり、分子状汚染物質のケミカルフィルタでの捕集・除去率は経時的に低下して、新品と取替える必要がある。新品との取替えは前述した様に、大懸りな作業とその作業を行うために製造設備ライン操業停止という問題が発生し、加えて産業廃棄物という環境問題と清浄状態に復旧するまでの操業停止に伴うストップ損失の問題とその間のエネルギー浪費問題を同時に発生させている。又、シリカの生成に伴い、高価な調湿水量とそれを気化させる調湿用エネルギーを急変動させるため、湿度制御が混乱する問題を発生させている。   As already described in the paragraphs [0026] to [0031], the collection / removal rate of molecular contaminants with a chemical filter decreases with time, and it is necessary to replace them with new ones. As described above, the replacement with a new one causes the problem of the suspension of operation of the production equipment line due to the heavy work and the operation, and also the stoppage of the operation until the environmental problem of industrial waste and the clean state is restored. The problem of stop loss and the energy waste problem between them are generated at the same time. Further, with the generation of silica, the amount of expensive humidity control water and the energy for humidity control that vaporizes the water are suddenly changed, which causes a problem that humidity control is confused.

他方、一定の生産量を維持しようとすると、余備の製造ラインを設置せざるを得ず、設備投資の増大を招いている。加えて、ケミカルフィルタ(B)やケミカルフィルタ(C)によるアンモニア、TMSや他の有機物の捕集・除去率は製品歩留まりに大きな影響を及ぼすため、常時モニタする必要があり、要員の確保とモニタ装置の導入と設置は不可欠となっている。これによる製品のコストアップも看過できない問題である。   On the other hand, if an attempt is made to maintain a certain amount of production, an extra production line must be installed, resulting in an increase in capital investment. In addition, the collection / removal rate of ammonia, TMS, and other organic substances by the chemical filter (B) and chemical filter (C) has a large effect on the product yield. Therefore, it is necessary to constantly monitor and secure and monitor personnel. The installation and installation of equipment is indispensable. This is a problem that cannot be overlooked.

以上の説明から明らかなように、LCD製造における基板処理工程排気をケミカルフィルタを用いて分子状汚染物質を捕集・除去して清浄化空気とする方法は、数々の技術的問題が存在しており、結果として、製品のコストアップと環境問題とエネルギー浪費とを誘発しており、ケミカルフィルタを用いる方法を改変する方法の開発が不可避である。   As is clear from the above description, there are a number of technical problems with the method of collecting and removing molecular contaminants to clean air using a chemical filter in the substrate processing process exhaust in LCD manufacturing. As a result, product cost increases, environmental problems and energy waste are induced, and development of a method for modifying a method using a chemical filter is inevitable.

しかしながら、単に従来技術による回分式TSA装置を用いたのでは、きわめて複雑で長い引きまわしダクトが必要となり、装置をコンパクトにするのを阻むため、莫大な設備投資が避けられない。加えて、4個の開閉弁を開から閉へ、他の4個の開閉弁を閉から開へ同時に動作させる困難性とそれに伴う流量変動と圧力変動は避けられず、さらに吸着モード切換え後には、淀み箇所からの高濃度の分子状汚染物質の清浄空気中への混入問題、すなわち、分子状汚染物質の濃度変動問題も発生する。   However, simply using a batch-type TSA apparatus according to the prior art requires an extremely complicated and long drawing duct and prevents the apparatus from being made compact, so enormous capital investment is inevitable. In addition, the difficulty of operating the four open / close valves from open to close and the other four open / close valves simultaneously from close to open, and the resulting flow and pressure fluctuations are unavoidable. In addition, there is a problem that a high concentration of molecular contaminants from the stagnation site is mixed into clean air, that is, a concentration variation problem of the molecular contaminants.

他方、ケミカルフィルタを用いないで、に再生可能な吸着材を用いて吸着と再生を同時に行えて、半永久的に使用可能な吸着材ロータによる空気清浄化装置が提案されている(特開平7−263172号を参照。)。   On the other hand, there has been proposed an air cleaning device using an adsorbent rotor that can be used semipermanently and can be adsorbed and regenerated simultaneously using an adsorbent that can be regenerated without using a chemical filter. 263172).

この提案に関しては詳述はしないが、次の問題がある。第1に、長いダクトの引きまわしが必要であると同時に吸着材ロータの断面とダクトの断面の形状が全く相違するため複雑な構造形状の継手が多数必要となる。したがってコンパクトな装置とすることが困難である。第2に、それらの継手端面と吸着材ロータ端面の摺動箇所からの処理空気、再生加熱空気、再生冷却空気の漏洩を防止できない。第3に、吸着材ロータは吸着、再生、冷却の3区域に区画する必要があり、それぞれの区域に流速乃至流量、温度、圧力、流れ方向、汚染物質の質と濃度の各々が相違する処理空気、再生加熱空気、再生冷却空気の混入を防止することは極めて困難である。第4に、再生加熱空気、再生冷却空気も連続して流すためにエネルギー消費量が多いことである。   Although this proposal is not described in detail, there are the following problems. First, it is necessary to draw a long duct, and at the same time, since the cross section of the adsorbent rotor and the cross section of the duct are completely different, many joints having a complicated structure are required. Therefore, it is difficult to make a compact device. Second, it is impossible to prevent leakage of treated air, regenerated heated air, and regenerated cooling air from the sliding portion between the joint end surface and the adsorbent rotor end surface. Third, the adsorbent rotor must be divided into three zones: adsorption, regeneration, and cooling, each of which has different flow rates, flow rates, temperatures, pressures, flow directions, and contaminant quality and concentration. It is extremely difficult to prevent air, regenerative heating air, and regenerative cooling air from being mixed. Fourthly, the regenerative heating air and the regenerative cooling air flow continuously so that the energy consumption is large.

本発明は前述の事実に鑑みてなされたもので、LCD製造や半導体製造における基板処理工程の清浄作業空間から排出される分子状汚染物質を含有する排気を清浄化処理して循環供給するに際して、当該工程の製造設備ラインの操業を停止させることなく排気中に含まれるヘキサメチルジシラザン及びトリメチルシラノールを2流体ノズルから噴出させた加湿水により捕集し、冷却器にて凝縮し加水分解して除去し調温・調湿を行った後、吸着材を用いる清浄化を行って、当該清浄作業空間に長期間に亘って連続安定に清浄化調温調湿空気を循環供給する方法を提供して、前述の問題を解決しようとするものである。   The present invention has been made in view of the above-mentioned facts, when cleaning exhaust gas containing molecular contaminants discharged from a cleaning work space in a substrate processing step in LCD manufacturing or semiconductor manufacturing and supplying it in a circulating manner. The hexamethyldisilazane and trimethylsilanol contained in the exhaust gas are collected by the humidified water ejected from the two-fluid nozzle without stopping the operation of the manufacturing equipment line in the process, condensed in the cooler and hydrolyzed. After removing and adjusting temperature / humidity, a method of cleaning with adsorbent is provided, and a method for circulating and supplying purified temperature-controlled air to the cleaning work space continuously and stably over a long period of time is provided. Thus, the above-mentioned problem is to be solved.

〔1〕本発明に従えば、吸着剤ユニット(A)、(B)を2系統並列に配置し、汚染物質を含む空気を当該吸着剤ユニット(A)で吸着して除去する吸着モードを行い、平行して、汚染物質を吸着した吸着材ユニット(B)に加熱した再生空気を通じることにより当該吸着した汚染物質を脱離し、さらに当該吸着剤ユニット(B)を冷却する再生モードを行い、次に、この吸着モードと再生モードの切り換えを行い、汚染物質を含む空気を当該吸着剤ユニット(B)で吸着して除去する吸着モードを行い、平行して、汚染物質を吸着した吸着材ユニット(A)に加熱した再生空気を通じることにより吸着した汚染物質を脱離し、さらに冷却する再生モードを行うことからなる、吸着モードと再生モードを交互に繰り返す回分式温度スイング吸着装置を備え、前記再生空気として屋内又は屋外から取入れた空気を用いるものにおいて、液晶ディスプレイ製造の基板処理工程の汚染物質を含む排気を清浄化調温・調湿して循環供給する基板処理工程排気の清浄化方法であって、当該排気を処理空気として加湿冷却加温装置に取入れ、加湿冷却加温した空気を得、これを、上記屋内又は屋外から取入れた空気を再生空気として用いて再生モードを行った前記回分式温度スイング吸着装置に通じて調温・調湿と分子状汚染物質及び粒子状汚染物質の除去を実施することを特徴とする基板処理工程排気の清浄化方法が提供される。
[1] According to the present invention, two adsorbent units (A) and (B) are arranged in parallel, and an adsorption mode for adsorbing and removing air containing contaminants by the adsorbent unit (A) is performed. In parallel, the adsorbent unit (B) that has adsorbed the pollutants is desorbed by passing the heated regeneration air, and the adsorbent unit (B) is further cooled to perform a regeneration mode. Next, switching between the adsorption mode and the regeneration mode is performed, and an adsorption mode for adsorbing and removing air containing pollutants by the adsorbent unit (B) is performed. In (A), the heated polluted air is used to desorb the adsorbed contaminants, and further the cooling mode is used to perform a regeneration mode in which the adsorption mode and the regeneration mode are repeated alternately. Equipped with a device, said at those using air taken from the indoors or outdoors as regeneration air, a liquid crystal display manufacturing a substrate processing process contaminants substrate circulation supplying dampening cleaning temperature adjustment, adjust the exhaust gas containing a processing step exhaust a cleaning method, incorporated fogging warming device the exhaust as process air, to give a fogging warmed air, play mode which, using the intake air from the indoor or outdoor as regeneration air leading to the batch type temperature swing adsorption apparatus that has performed a method of cleaning a substrate processing process exhaust, characterized in that temperature adjustment, humidity and implementing the removal of molecular contaminants and particulate contaminants is provided The

〔2〕本発明に従えば、〔1〕における前記加湿冷却加温装置は、処理空気導入口における処理空気の流速乃至流量、温度及び関係湿度を計測する計測手段、前記計測手段を用いて得られる計測値を入力して加湿断熱冷却によりその処理空気を水分で飽和させるに必要な加湿水量を演算させる演算手段、その処理空気が流れる管路中に設置してその流れと同方向に加湿水と空気とを噴出させる2流体ノズル、その2流体ノズルの下流に設置した冷却器、その冷却器の下流に設置した加温器並びに該管路外に設置した加湿水槽と空気圧縮機と凝縮水槽と冷凍機ユニット、前記演算手段を用いて得られる演算値を変換した制御信号により作動する加湿水ポンプ及びそれらを接続する配管から構成された装置であって、前記加湿水として液晶ディスプレイ製造に適合する純水乃至超純水を用いたことを特徴とする〔1〕記載の基板処理工程排気の清浄化方法が提供される。
[2] According to the present invention, the humidifying / cooling / heating apparatus according to [1] is obtained by using the measuring unit that measures the flow rate or flow rate, temperature, and related humidity of the processing air at the processing air introduction port. Calculation means to calculate the amount of humidified water required to saturate the treated air with moisture by humidifying and adiabatic cooling, installed in the pipeline through which the treated air flows, and the humidified water in the same direction as the flow Two-fluid nozzle for jetting air and air, a cooler installed downstream of the two-fluid nozzle, a heater installed downstream of the cooler, a humidifying water tank, an air compressor and a condensed water tank installed outside the pipe refrigerator unit, a device composed of piping connecting the humidification water pump and their actuated by the conversion control signal calculated value obtained using the arithmetic means and a liquid crystal disk as the humidification water Characterized by using a pure water or ultrapure water adapted to lay manufacturing (1) method of cleaning a substrate processing process exhaust according is provided.

〔3〕本発明に従えば、〔1〕又は〔2〕における前記加湿冷却加温装置において処理空気に含まれる汚染物質であるヘキサメチルジシラザン及び/又はトリメチルシラノールを2流体ノズルから噴出させた加湿水により捕集し、冷却器にて凝縮し加水分解して除去することを特徴とする〔1〕又は〔2〕記載の基板処理工程排気の清浄化方法が提供される。
なお、加湿冷却加温装置で使用する加湿水の水質は、液晶ディスプレイ又はLCD製造に適合する純水乃至超純水レベルの純度を保有していることが好ましい。
[3] According to the present invention, in the humidifying / cooling / heating apparatus according to [1] or [2], hexamethyldisilazane and / or trimethylsilanol, which are contaminants contained in the processing air, are ejected from a two-fluid nozzle. The substrate processing process exhaust gas cleaning method according to [1] or [2], which is collected by humidified water, condensed by a cooler, hydrolyzed and removed.
In addition, it is preferable that the quality of the humidification water used with a humidification cooling heating apparatus has the purity of the pure water thru | or ultrapure water level suitable for liquid crystal display or LCD manufacture.

〔4〕本発明に従えば、〔2〕−〔3〕における前記冷却器は、その冷却器を流出する処理空気の温度を4〜17℃の範囲で制御する機能を備えたことを特徴とする〔2〕又は〔3〕に記載の基板処理工程排気の清浄化方法が提供される。
[4] According to the present invention, the cooler according to [2] -[3] has a function of controlling the temperature of the processing air flowing out of the cooler in a range of 4 to 17 ° C. The substrate processing process exhaust cleaning method according to [2] or [3] is provided.

〔5〕本発明に従えば、〔2〕−〔4〕における前記加温器は、その加温器を流出する処理空気の温度を15〜30℃の範囲で制御する機能を備えたことを特徴とする請求項〔2〕乃至〔4〕の何れかに記載の基板処理工程排気の清浄化方法が提供される。
[5] According to the present invention, the heater in [2]-[4] has a function of controlling the temperature of the processing air flowing out of the heater in a range of 15 to 30 ° C. A substrate processing process exhaust cleaning method according to any one of claims [2] to [4] is provided.

〔6〕本発明に従えば、〔1〕−〔2〕において、前記屋内又は屋外から取入れた空気を再生空気として用いる回分式温度スイング吸着装置(回分式TSA装置)は、処理空気中の塩基性分子状汚染物質と有機性分子状汚染物質を吸着材で除去する吸着モードにある吸着材ユニット(A)の系統と、前記塩基性の分子状汚染物質、有機性の分子状汚染物質を吸着した吸着材に再生空気を通じることにより冷却・加熱する再生モードにある吸着材ユニット(B)の系統とを、並列に配置した(A)、(B)の2系統を備え、更に当該再生空気を加熱する再生空気加熱部、並びに、吸着モードと再生モードを交互に繰り返す(A)系統と(B)系統の切換え手段である第1バルブ及び第2バルブを備えたことを特徴とする〔1〕又は〔2〕記載の基板処理工程排気の清浄化方法が提供される。
[6] According to the present invention, in [1]-[2], the batch-type temperature swing adsorption device (batch-type TSA device) using the air taken from the indoor or outdoor as regeneration air is a base in the treated air. System of adsorbent unit (A) in adsorption mode to remove organic molecular pollutants and organic molecular pollutants with adsorbent, and adsorb basic molecular pollutants and organic molecular pollutants The adsorbent unit (B) in the regeneration mode in which the adsorbent is cooled and heated by passing regeneration air is provided in parallel with two systems (A) and (B), and the regeneration air And a first air valve and a second valve which are switching means between the system (A) and the system (B) that alternately repeat the adsorption mode and the regeneration mode [1] ] Or [2] Method of cleaning a plate process exhaust gas is provided.

〔7〕本発明に従えば、〔6〕における前記吸着材ユニット(A)、(B)塩基性分子状汚染物質を選択的に吸着する固体酸性物質を含むものを用いた吸着材層aと、及び有機性分子状汚染物質を選択的に吸着する活性炭を含むものを用いた吸着材層bとから構成されることを特徴とする〔6〕記載の基板処理工程排気の清浄化方法が提供される。
According to [7] The present invention, the adsorbent unit in [6] (A), (B), the adsorbent layer using those containing solid acidic material which selectively adsorbs basic molecular contamination and a substrate treatment process exhaust cleaning method according to [6], characterized in that it comprises a and an adsorbent layer b using activated carbon that selectively adsorbs organic molecular pollutants. Is provided.

〔8〕本発明に従えば、〔6〕において、前記第1バルブ及び第2バルブは内部が枠形仕切板により4つの小室に区画されており板状回動弁体の回動によって各小室の開放と閉鎖を繰り返して、前記吸着材ユニット(A)系統と吸着材ユニット(B)系統を切換える4ポート自動切換えバルブであることを特徴とする〔6〕記載の基板処理工程排気の清浄化方法が提供される。
[8] According to the present invention, in [6], the first valve and the second valve are internally partitioned into four small chambers by a frame-shaped partition plate, and each small chamber is rotated by the rotation of the plate-shaped rotating valve body. open and repeat closure, the adsorbent unit system and adsorbent unit (B) system characterized in that it is a 4-port auto-switching valves for switching the [6] of the substrate processing process exhaust description of the (a) A cleaning method is provided.

本発明の基板処理工程排気の清浄化方法によれば、多くの問題があるケミカルフィルタを使用せずに、処理空気中のアンモニア、ヘキサメチルジシラザン(HMDS)、トリメチルシラノール(TMS)、レジストインク溶媒等の分子状汚染物質を、いずれも1ppb以下まで長期に亘り連続安定に除去できるという顕著な作用効果を奏する。したがって、産業廃棄物の大幅削減という環境改善に貢献することができる。   According to the substrate processing process exhaust cleaning method of the present invention, ammonia, hexamethyldisilazane (HMDS), trimethylsilanol (TMS), resist ink in processing air can be used without using a chemical filter having many problems. All of the molecular contaminants such as solvents can be removed stably and continuously for a long period of time to 1 ppb or less. Therefore, it can contribute to the environmental improvement of drastically reducing industrial waste.

又、本発明によれば、ケミカルフィルタを使用しないため、寿命となったケミカルフィルタを新品と取替えるという大懸りな作業が無用となり、それを取付けていた基板処理工程の操業を停止させる必要もなく、汚染された清浄化空間を清浄状態に回復させるために要していたクリーンアップエネルギーも無用となるというLCD製造コストに占める変動費を低減させる大きな経済効果をもたらすことができる。   In addition, according to the present invention, since no chemical filter is used, a serious work of replacing a chemical filter that has reached the end of its life with a new one becomes unnecessary, and there is no need to stop the operation of the substrate processing process to which the chemical filter is attached. In addition, it is possible to bring about a great economic effect of reducing the variable cost in the LCD manufacturing cost that the clean-up energy required for restoring the contaminated cleaning space to the clean state is also unnecessary.

さらに又、本発明によれば、ケミカルフィルタを使用しないため余備の製造ラインは無用となり、アンモニアをはじめとする分子状汚染物質をモニタする必要がなくなり、モニタ装置と要員が不要となるというLCD製造コストに占める固定費を低減させる大きな経済的効果をもたらすことができる。   Furthermore, according to the present invention, since no chemical filter is used, an extra production line becomes unnecessary, and it is not necessary to monitor molecular pollutants such as ammonia, thereby eliminating the need for a monitoring device and personnel. A great economic effect of reducing the fixed cost in the manufacturing cost can be brought about.

さらに、本発明の基板処理工程排気の清浄化方法は、長期間に亘り、安定して且つ連続的に清浄化調温調湿空気を供給できるので操業度の向上と製品の歩留まり向上に寄与することができる。したがって、LCD製造コストの大幅低減に貢献することができる。   Furthermore, the substrate processing process exhaust cleaning method of the present invention can supply clean temperature-controlled air in a stable and continuous manner over a long period of time, thus contributing to an improvement in operation rate and product yield. be able to. Therefore, it can contribute to a significant reduction in the LCD manufacturing cost.

加えて、本発明によれば、基板処理工程からの排気を処理空気として取入れて粒子状汚染物質と分子状汚染物質の除去と調温・調湿を行って基板処理工程内の清浄作業空間に循環供給するから、大容量のクリーンルーム向けの調温調湿に要した莫大なエネルギーに比べ基板処理工程の清浄作業空間向けの調温調湿エネルギーは格段に削減できる。   In addition, according to the present invention, exhaust from the substrate processing process is taken as processing air to remove particulate pollutants and molecular contaminants, and to adjust the temperature and humidity, thereby providing a clean working space in the substrate processing process. Since it is supplied in a circulating manner, the temperature and humidity control energy for the clean work space in the substrate processing process can be significantly reduced compared to the enormous amount of energy required for temperature control and humidity control for large-capacity clean rooms.

又、本発明においては、再生空気は系外の屋内空気又は屋外空気を取入れて用いるから、処理空気として取入れた基板処理工程の排気はほとんど全て清浄空気として清浄作業空間に循環供給できる。したがって、1パス使い捨て方式の清浄化調温調湿装置に比べてエネルギー消費量を大幅に節減できる。   Further, in the present invention, since the regeneration air is used by taking in indoor air or outdoor air outside the system, almost all the exhaust of the substrate processing step taken in as processing air can be circulated and supplied to the clean work space as clean air. Therefore, the energy consumption can be greatly reduced as compared with a one-pass disposable cleaning temperature and humidity control apparatus.

本発明においては、基板処理工程で使用されるヘキサメチルジシラザン(HMDS)とその分解物であるアンモニアとトリメチルシラノール(TMS)に関しては水との反応性及び水への溶解性を利用して、アンモニアやレジストインク溶媒等を吸着除去するに先立って処理空気を水分で飽和させるに必要な水量の1.0〜1.2倍の加湿水と圧縮空気を噴出させる2流体ノズルを用いて20μm以下の多数の霧滴を発生させる加湿断熱冷却によって過飽和状態を実現させ、次いで冷却器に通じて凝縮させる方法により高効率で連続、安定に除去できる。   In the present invention, with respect to hexamethyldisilazane (HMDS) used in the substrate processing step and its decomposition products, ammonia and trimethylsilanol (TMS), utilizing the reactivity with water and the solubility in water, Prior to adsorption and removal of ammonia, resist ink solvent, etc., 20 μm or less using a two-fluid nozzle that ejects humidified water 1.0 to 1.2 times the amount of water necessary to saturate the processing air with moisture and compressed air The supersaturated state can be realized by humidified adiabatic cooling that generates a large number of mist droplets, and then condensed through a cooler, which can be removed efficiently and continuously.

又、本発明においては、循環空気ダクト104(図1)に高性能フィルタ(1)15(図2)を設置したのに加え、基板処理工程からの排気を処理空気としたから、粒子状汚染物質の濃度は既に極めて低減されており一旦取付けた高性能フィルタ(2)106(図1)は長期に亘って連続安定に使用できる。さらに、たとえ高性能フィルタ(1)15や除塵フィルタ(2)102(図1)や除塵フィルタ(1)12(図2)を取替えるとしても、基板処理工程の操業を停止する必要はない。   Further, in the present invention, since the high-performance filter (1) 15 (FIG. 2) is installed in the circulating air duct 104 (FIG. 1) and the exhaust from the substrate processing process is used as the processing air, the particulate contamination The concentration of the substance has already been extremely reduced, and the high-performance filter (2) 106 (FIG. 1) once attached can be used continuously over a long period of time. Further, even if the high-performance filter (1) 15, the dust removal filter (2) 102 (FIG. 1) and the dust removal filter (1) 12 (FIG. 2) are replaced, it is not necessary to stop the operation of the substrate processing step.

本発明における加湿冷却加温装置は、HMDSとTMSを捕集・除去し、さらに加水分解するだけでなく、冷却器は基板処理工程の清浄作業空間で要求される関係湿度に相当する露点温度で制御する機能を有し、且つ、加温器は基板処理工程の清浄作業空間で要求される温度に制御する機能を有しているから、従来はケミカルフィルタ(図5)や吸着材ロータ(特許文献1)で示される空気清浄化装置の下流に設置されていた調温調湿装置60(図5)は無用となり、省エネルギーとシステムの簡略化が実現できる。   The humidifying / cooling / heating apparatus in the present invention not only collects and removes HMDS and TMS, but further hydrolyzes it, and the cooler has a dew point temperature corresponding to the relative humidity required in the clean working space of the substrate processing step. Since it has a function to control and the heater has a function to control to a temperature required in the clean working space of the substrate processing step, conventionally, a chemical filter (FIG. 5) or an adsorbent rotor (patented) The temperature and humidity control device 60 (FIG. 5) installed downstream of the air purification device shown in the literature 1) is unnecessary, and energy saving and simplification of the system can be realized.

本発明においては、繰返し再生使用可能であって、且つ、塩基性分子状汚染物質を高選択率で吸着する固体酸層及び有機性分子状汚染物質を高選択率で吸着する活性炭層からなる吸着材ユニットを用いたから、アンモニアは0.2ppb以下、HMDSが2ppb以下、TMSが1.0ppb以下、レジストインク溶媒等の各種の有機性汚染物質はそれぞれ0.2ppb以下、1.2ppb以下まで、長期に亘って連続して安定に除去でき、基板処理工程作業空間で要求される分子状汚染物質の清浄度条件を満たすことができる。   In the present invention, an adsorption comprising a solid acid layer that can be repeatedly regenerated and adsorbs basic molecular contaminants with high selectivity and an activated carbon layer that adsorbs organic molecular contaminants with high selectivity. Since the material unit was used, ammonia was 0.2 ppb or less, HMDS was 2 ppb or less, TMS was 1.0 ppb or less, and various organic contaminants such as resist ink solvents were 0.2 ppb or less and 1.2 ppb or less, respectively. In addition, the cleanliness of the molecular contaminants required in the substrate processing process working space can be satisfied.

本発明において吸着材ユニットに流入する処理空気中には、固体酸及び活性炭の吸着サイトを失活させるHMDS、TMSは微量であるから、吸着材ユニットは長期に亘って連続して安定に塩基性分子状汚染物質及び有機性分子状汚染物質を吸着・除去する性能を保持する。   In the present invention, the treatment air flowing into the adsorbent unit contains a very small amount of HMDS and TMS that deactivate the adsorption sites of the solid acid and activated carbon. Therefore, the adsorbent unit is continuously basic over a long period of time. Maintains the ability to adsorb and remove molecular contaminants and organic molecular contaminants.

本発明における回分式TSA装置は、吸着材ユニットを並列に(A)、(B)2系統と再生機能を備えているから、(A)系統と(B)系統を交互に吸着モードと再生モードを繰返し切換えることによって長期に亘って連続して安定に基板処理工程排気の清浄化が可能である。   Since the batch type TSA apparatus in the present invention has the regeneration function with two adsorbent units in parallel (A) and (B), the adsorption mode and the regeneration mode are alternately used for the (A) system and the (B) system. By repeatedly switching the above, it is possible to clean the exhaust of the substrate processing process stably over a long period of time.

本発明における回分式TSA装置で用いる再生空気は、系外の屋内空気又は屋外空気であり、しかも加熱時間帯には200〜250℃に加熱しているから、脱離後に吸着材に残留する汚染物質の吸着平衡分圧は極めて低いレベルとなる。   The regeneration air used in the batch-type TSA apparatus of the present invention is indoor air or outdoor air outside the system, and is heated to 200 to 250 ° C. during the heating time period, so that the contamination remaining on the adsorbent after desorption. The adsorption equilibrium partial pressure of the substance is at a very low level.

本発明における回分式TSA装置は4ポート自動切換えバルブである第1バルブと第2バルブを備えているから、吸着モードと再生モードを交互に切換える際、清浄作業空間への流れは断続することがなく、圧力変動は発生しない。   Since the batch type TSA apparatus according to the present invention includes the first valve and the second valve, which are four-port automatic switching valves, the flow to the clean working space may be intermittent when the adsorption mode and the regeneration mode are switched alternately. There is no pressure fluctuation.

又、本発明における回分式TSA装置はダクトの複雑な引きまわしがないから、装置がコンパクトになり、しかも、ダクトとバルブの間に滞留・淀み箇所が生じないから、吸着モードと再生モードの切換え時においても、又、定常時においても清浄空気中の分子状汚染物質濃度の増加・変動はなく安定している。   In addition, since the batch type TSA apparatus in the present invention does not have complicated ducting, the apparatus is compact, and there is no stagnation or stagnation between the duct and the valve. Even at normal and steady times, the concentration of molecular contaminants in clean air does not increase or fluctuate and is stable.

本発明においては、処理空気を飽和させるに必要な加湿水及び清浄空気を調湿するのに必要な調湿水は、いずれもLCD製造に適合する純水乃至超純水を用いている。したがって基板処理工程においてLCDの歩留まりは高く保持される。   In the present invention, both the humidifying water necessary for saturating the processing air and the humidity adjusting water necessary for conditioning the clean air are pure water or ultrapure water suitable for LCD production. Therefore, the yield of the LCD is kept high in the substrate processing process.

以下、本発明を実施するための最良の形態について、添付図面に沿って説明する。図1はLCD製造における基板処理工程からの排気を処理空気として処理空気導入口1から取入れて、その処理空気の調温・調湿と処理空気中の分子状汚染物質及び粒子状汚染物質の除去とを行って、清浄化調温調湿空気とし、基板処理工程内の清浄作業空間100に、この清浄化調温調湿空気を、清浄化調温調湿空気供給口2から供給する本発明の実施形態の構成図である。   The best mode for carrying out the present invention will be described below with reference to the accompanying drawings. FIG. 1 shows that exhaust from a substrate processing step in LCD manufacturing is taken as processing air from a processing air inlet 1 to adjust the temperature and humidity of the processing air and to remove molecular contaminants and particulate contaminants in the processing air. The present invention supplies purified temperature-controlled and conditioned air from the purified temperature-controlled and conditioned air supply port 2 to the cleaning work space 100 in the substrate processing step. It is a block diagram of this embodiment.

この図において処理空気導入口1と清浄化調温調湿空気供給口2の間には、処理空気が流下する順に加湿冷却加温装置10、回分式温度スイング吸着装置40の二つの装置が配置されている。   In this figure, between the processing air introduction port 1 and the purified temperature control and humidity control air supply port 2, two devices, a humidification cooling and heating device 10 and a batch temperature swing adsorption device 40, are arranged in the order in which the processing air flows. Has been.

さらに、加湿冷却加温装置10の構成を図2に示した。当該加湿冷却加温装置10においては、処理空気の加湿冷却加温を行う。図2において、屋内空気流入口11から流入させた屋内空気を、除塵フィルタ(1)12に通じて除塵した後、空気圧縮機13により加圧した空気と、LCD製造に適合する純水乃至超純水を加湿水として加湿水取入れ口14から取入れて、加湿水槽18に貯留させ、加湿水ポンプ17により加圧した加湿水とを、処理空気導入口1から導入して、高性能フィルタ(1)15を通過させた処理空気が流れる管路中に設置した2流体ノズル16から処理空気流と同方向に噴出させ、当該加湿水を微粒化させる。本実施の態様においては、加湿水は、体面積平均径20μm以下の霧滴となる様に操作する。このとき、処理空気導入口1における流速乃至流量と処理空気の温度と関係湿度とを計測手段によって計測して、その計測値を入力して、処理空気を加湿断熱冷却により飽和させるに必要な水量の1.0〜1.2倍量の加湿水量を演算手段によって求め、その演算値を変換した制御信号によって作動させる加湿水ポンプ17を用いて、自動的に送水できるように設備する。かくして2流体ノズル16から霧滴を噴出させて加湿した途端に処理空気は断熱冷却されるから、処理空気導入口1における温度以下に低下して飽和状態の温度になる。そして処理空気中の水分は過飽和状態にあるから、過飽和状態にある霧滴は消滅しないで処理空気流に随伴して、管路中に設置した冷却器21まで到達する。   Furthermore, the structure of the humidification cooling heating apparatus 10 was shown in FIG. In the humidification cooling heating apparatus 10, humidification cooling heating of processing air is performed. In FIG. 2, after the indoor air introduced from the indoor air inlet 11 is removed through the dust removal filter (1) 12, it is pressurized by the air compressor 13, and pure water or ultrapure water suitable for LCD manufacturing. Pure water is supplied as humidified water from the humidified water intake port 14, stored in the humidified water tank 18, and humidified water pressurized by the humidified water pump 17 is introduced from the processing air inlet port 1 to obtain a high performance filter (1 ) The two-fluid nozzle 16 installed in the pipeline through which the processing air that has passed 15 flows flows in the same direction as the processing air flow to atomize the humidified water. In the present embodiment, the humidified water is operated so as to be a mist droplet having an average body area diameter of 20 μm or less. At this time, the flow rate or flow rate at the processing air inlet 1, the temperature of the processing air, and the relative humidity are measured by the measuring means, and the measured values are input, and the amount of water required to saturate the processing air by humidified adiabatic cooling. The amount of humidified water 1.0 to 1.2 times the amount of water is calculated by the calculation means, and the humidified water pump 17 that is operated by the control signal obtained by converting the calculated value is installed so that water can be automatically supplied. Thus, since the processing air is adiabatically cooled as soon as the mist droplets are ejected from the two-fluid nozzle 16 and humidified, the temperature drops below the temperature at the processing air inlet 1 and becomes a saturated temperature. Since the moisture in the process air is in a supersaturated state, the supersaturated mist droplets do not disappear but reach the cooler 21 installed in the pipe along with the process air flow.

本発明の実施にあたっては、最低限純水を用いるが、LCD製造の分野では超純水が必要とされ、不純物含有量がppbオーダ又はそれ以下が必要となる場合もある。水質もその分野に要求される水質を選ぶことになる。LCD製造では、抵抗率に直接関係する電解質以外に微粒子、生菌、有機炭素、シリカ等を十分除去した純水乃至超純水を使用することが好ましい。   In the practice of the present invention, pure water is used at the minimum, but ultrapure water is required in the field of LCD manufacturing, and the impurity content may be in the order of ppb or less. The water quality required for the field will be selected. In LCD production, it is preferable to use pure water or ultrapure water from which fine particles, viable bacteria, organic carbon, silica and the like are sufficiently removed in addition to the electrolyte directly related to the resistivity.

本発明の実施の態様においては、上記したように、加湿断熱冷却により飽和させるに必要な水量の1.0〜1.2倍を用いて霧滴を発生させるから、不飽和条件の水量による霧滴数よりは、はるかに多数の霧滴を発生させ、しかも、霧滴発生時点の不飽和から飽和するまでに霧滴から水が蒸発するから霧滴径は減少する。したがって、個々の霧滴は、不飽和条件の時よりも大きな比表面積を保有することになり、霧滴全数の表面積は莫大となる。このようにして、当該多数の霧滴は、2流体ノズル16と冷却器21までの間で、処理空気中の汚染物質の分子と衝突して、それを当該霧滴の中へ取り込み、効率よく捕集できる状態が実現できる。特に、水に溶解するアンモニア、HMDS、TMSは、衝突と共に霧滴中に溶解し、霧滴に溶解した状態で冷凍機ユニット19と接続されている冷却器21に到達する。   In the embodiment of the present invention, as described above, mist droplets are generated using 1.0 to 1.2 times the amount of water necessary for saturation by humidified adiabatic cooling. Much more mist droplets than the number of droplets are generated, and the mist droplet diameter decreases because water evaporates from the unsaturation to saturation when the mist droplets are generated. Therefore, each mist droplet has a specific surface area larger than that in the unsaturated condition, and the surface area of the total number of mist droplets becomes enormous. In this way, the large number of mist droplets collide with contaminant molecules in the processing air between the two-fluid nozzle 16 and the cooler 21, take it into the mist droplets, and efficiently A state that can be collected can be realized. In particular, ammonia, HMDS, and TMS dissolved in water are dissolved in the mist droplets together with the collision, and reach the cooler 21 connected to the refrigerator unit 19 in a state of being dissolved in the mist droplets.

冷却器21に到達した霧滴と過飽和状態の処理空気は、さらに冷却されて4〜17℃の範囲から選ばれた設定温度となる。このため、冷却器21に到達した霧滴と処理空気中の水分の過飽和分は凝縮して凝縮水となって凝縮水槽22に貯留される。このときアンモニアは水より揮発性が高い(アンモニアの沸点:−33℃、水の沸点:100℃)ため、水が凝縮してアンモニアが気化する精留効果が起こり、アンモニアは処理空気と共に冷却器21を通過して、加温器31に到達する。それゆえ、アンモニアの冷却器21での除去率は、HMDSとTMSのそれと比較すると低率である。又、水に不溶性の有機物は、アンモニアと同様に加温器31に到達する。   The fog droplets reaching the cooler 21 and the supersaturated process air are further cooled to a set temperature selected from the range of 4 to 17 ° C. For this reason, the mist droplets that have reached the cooler 21 and the supersaturated portion of the water in the processing air are condensed to be condensed water and stored in the condensed water tank 22. At this time, ammonia has higher volatility than water (boiling point of ammonia: −33 ° C., boiling point of water: 100 ° C.), so that a rectification effect occurs in which water is condensed and ammonia is vaporized. 21 and reach the heater 31. Therefore, the removal rate of ammonia in the cooler 21 is lower than that of HMDS and TMS. Further, the water-insoluble organic substance reaches the heater 31 in the same manner as ammonia.

水が冷却器21において凝縮する際にも、アンモニア、HMDS、TMSは水に捕集されて凝縮水槽22に貯留される。したがってアンモニア、HMDS、TMSは霧滴によって捕集された分と合わせて凝縮水槽22に貯留される。このうちアンモニアは前述の通り精留効果によって気化(揮発)する。一方、HMDSとTMSは凝縮水中に溶解した状態にある。しかしながら、HMDSは前記した式(2)と式(3)によって加水分解を受けて、アンモニアとメタンとシリカに分解される。他方のTMSも式(3)によって加水分解を受けてメタンとシリカに分解される。式(2)、式(3)式による加水分解は、冷却器21の伝熱表面でも進行する。   Even when water condenses in the cooler 21, ammonia, HMDS, and TMS are collected in the water and stored in the condensed water tank 22. Therefore, ammonia, HMDS, and TMS are stored in the condensed water tank 22 together with the amount collected by the mist. Among these, ammonia is vaporized (volatilized) by the rectification effect as described above. On the other hand, HMDS and TMS are dissolved in condensed water. However, HMDS is hydrolyzed by the above formulas (2) and (3), and is decomposed into ammonia, methane, and silica. The other TMS is also hydrolyzed by formula (3) and decomposed into methane and silica. Hydrolysis according to the equations (2) and (3) also proceeds on the heat transfer surface of the cooler 21.

このようにHMDS、TMSは加水分解によりシリカを生成するから、本発明の清浄化装置を長期に亘って操業させた場合、シリカはスケールとなって冷却器21の表面や凝縮水槽22の内面に付着して、伝熱速度を低下させたり、凝縮水の排出口を閉塞させる。このため、本発明の実施の態様においては、それらの箇所を、例えばフッ素樹脂コーティングすることによりスケール付着を防止することが好ましい。   Thus, since HMDS and TMS produce silica by hydrolysis, when the cleaning device of the present invention is operated for a long period of time, the silica becomes a scale on the surface of the cooler 21 or the inner surface of the condensed water tank 22. It adheres and reduces the heat transfer rate or closes the outlet of condensed water. For this reason, in the embodiment of the present invention, it is preferable to prevent the adhesion of the scale by coating those portions with, for example, a fluororesin.

冷却器21を流出する処理空気は、4〜17℃の範囲から選ばれた設定温度に制御されており、その温度を露点とする水分で飽和されている。それゆえ、清浄作業空間で要求される関係湿度に相当する水分に調整することが好ましい。例えば清浄作業空間100で温度23℃、関係湿度45%の空気が要求される場合、設定温度を10.7℃として制御することにより、温度23℃において関係湿度45%となる水分に調整される。
次に処理空気を加温器31に流入させて昇温する。加温器31を流出する処理空気は15〜30℃の範囲から選ばれた設定温度に制御されているから、前記の例では加温器31の設定温度23℃として制御することにより、回分式TSA装置40に流入前に調温調湿される。
The processing air flowing out of the cooler 21 is controlled to a set temperature selected from the range of 4 to 17 ° C., and is saturated with moisture having the dew point. Therefore, it is preferable to adjust the moisture corresponding to the relative humidity required in the clean work space. For example, when air having a temperature of 23 ° C. and a relative humidity of 45% is required in the clean work space 100, the water is adjusted to a moisture level that provides a relative humidity of 45% at a temperature of 23 ° C. by controlling the set temperature as 10.7 ° C. .
Next, the processing air is flowed into the heater 31 to raise the temperature. Since the processing air flowing out of the heater 31 is controlled to a set temperature selected from the range of 15 to 30 ° C., in the above example, by controlling the set temperature of the heater 31 as 23 ° C., the batch type The temperature is adjusted before flowing into the TSA device 40.

加温器31を流出した処理空気は、処理空気送風機32で回分式TSA装置40を通過するに必要な圧力まで昇圧して、処理空気取入れ口41に流す。次いで、処理空気は図3に示す回分式TSA装置40の第1バルブ42を経て、吸着モードにある(A)系統の吸着材ユニット(A)43Aに流入する。   The processing air that has flowed out of the warmer 31 is boosted to a pressure required to pass through the batch-type TSA device 40 by the processing air blower 32 and flows to the processing air intake 41. Next, the processing air flows into the adsorbent unit (A) 43A of the system (A) in the adsorption mode through the first valve 42 of the batch-type TSA device 40 shown in FIG.

本発明において、吸着材ユニット(A)43A、吸着材ユニット(B)43Bは塩基性物質を選択的に吸着する固体酸性物質であるチタンと珪素からなる複合酸化物又は、さらに酸化バナジウム等も添加した複合酸化物を通気時に圧力損失が僅少となるようにハニカム状、コルゲート状又はプリーツ状に加工して、さらに焼成して調製した成形物を積層した吸着材層aと、有機性物質を選択的に吸着する活性炭、活性コークス、グラファイト、カーボン、活性炭素繊維、ゼオライト等を通気時に圧力損失が僅少となるようにハニカム状、コルゲート状又はプリーツ状に加工して、さらに焼成して調製した成形物を積層した吸着材層bと、が直列に配列されて一体化されている。   In the present invention, the adsorbent unit (A) 43A and the adsorbent unit (B) 43B are also added with a composite oxide composed of titanium and silicon, which is a solid acidic substance that selectively adsorbs a basic substance, or vanadium oxide and the like. The adsorbent layer “a” obtained by laminating a molded product prepared by processing the composite oxide into a honeycomb, corrugate, or pleat so that the pressure loss during ventilation is minimal, and selecting an organic substance Activated carbon, activated coke, graphite, carbon, activated carbon fiber, zeolite, etc., processed into a honeycomb, corrugated or pleated shape so that the pressure loss during ventilation is minimal, and then molded by firing The adsorbent layer b on which the objects are laminated is arranged in series and integrated.

吸着材ユニット(A)43Aに流入した処理空気からは、塩基性物質を選択的に吸着する固体酸性物質を含むものからなる吸着材層aを通過する間において、塩基性分子状汚染物質であるアンモニアと微量の残存HMDSとが除去され、有機性物質を選択的に吸着する活性炭を含むものからなる吸着材層bを通過する間において、有機性分子状汚染物質であるレジストインク溶媒等と微量の残存TMS並びに残存する各種有機物が除去される。   The processing air that has flowed into the adsorbent unit (A) 43A is a basic molecular pollutant while passing through the adsorbent layer a composed of a solid acidic substance that selectively adsorbs the basic substance. Ammonia and trace amounts of residual HMDS are removed, and while passing through the adsorbent layer b composed of activated carbon that selectively adsorbs organic substances, the resist ink solvent and the like that are organic molecular contaminants and trace amounts The remaining TMS and various remaining organic substances are removed.

吸着材ユニット(A)43Aから流出した処理空気は、アンモニアが0.2ppb以下、HMDSが2ppb以下、TMSが1.0ppb以下、レジストインク溶媒が1.2ppb以下まで除去された清浄空気となり、清浄空気ダクト(A)47、第2バルブ45と清浄空気送出ダクト49を通って清浄空気送出口50へ流入する。   The treated air that has flowed out of the adsorbent unit (A) 43A becomes clean air in which ammonia is removed to 0.2 ppb or less, HMDS is 2 ppb or less, TMS is 1.0 ppb or less, and the resist ink solvent is 1.2 ppb or less. The air flows into the clean air outlet 50 through the air duct (A) 47, the second valve 45 and the clean air delivery duct 49.

次に本発明においては、かくして得られた清浄空気を、清浄空気送出口50から図1の清浄化調温調湿空気送風機101に流入させ、昇圧して、清浄化調温調湿空気供給口2を経て清浄作業空間100に供給する。なお、図1に示す様に通常、清浄作業空間100内の清浄化調温調湿空気吹出し口115付近には清浄度クラスを最終調整する高性能フィルタ(2)106が設置されており、又、空気取入れ口付近には除塵フィルタ(2)102、取入れ空気ファン108,さらに、清浄作業空間からの排気を一連の処理装置10、40へ循環させるための循環送風機103、循環空気ダクト104が設置されている。   Next, in the present invention, the clean air thus obtained is introduced from the clean air outlet 50 to the purified temperature-controlled air blower 101 of FIG. 2 is supplied to the clean work space 100. As shown in FIG. 1, a high-performance filter (2) 106 for final adjustment of the cleanliness class is usually installed in the vicinity of the purified temperature-controlled and humidity-controlled air outlet 115 in the clean work space 100. In the vicinity of the air intake port, a dust filter (2) 102, an intake air fan 108, a circulation fan 103 for circulating the exhaust from the clean work space to the series of processing devices 10 and 40, and a circulation air duct 104 are installed. Has been.

本発明における回分式TSA装置で用いられる第1バルブと第2バルブとしては、本発明者らが創出、提案した4ポート自動切換えバルブを使用することが望ましい(特開2006−300394を参照。)。   As the first valve and the second valve used in the batch-type TSA apparatus in the present invention, it is desirable to use a 4-port automatic switching valve created and proposed by the present inventors (see Japanese Patent Application Laid-Open No. 2006-300394). .

なお、詳しくは当該公報の内容を取り込んで本発明を実施することができる。
本発明の実施の態様において、第1バルブ及び第2バルブとして使用する、4ポート自動切換えバルブは、内部に空間を有する筐体部、当該空間部を4つの小室に区画する開口部を有する枠形仕切板、当該枠形仕切板の開口部を開放又は閉鎖する板状回動弁体並びに該4つの小室に区画されて存在する気体を常に流入させる流入ポート、流体の流入と流出を交互に行う流入/出ポート(1)、気体を常に流出させる流出ポート及び気体の流入と流出を交互に行う流入/出ポート(2)並びに前記板状回動弁体を回転軸周りに回動させる駆動手段を備える構成を有するバルブであり、且つ、前記筐体部を構成する部材、及び前記枠形仕切板、前記回転軸、前記板状回動弁体は、好ましくは断熱機能を備えるバルブである。
In detail, the present invention can be implemented by incorporating the contents of the publication.
In the embodiment of the present invention, the 4-port automatic switching valve used as the first valve and the second valve includes a housing portion having a space inside and a frame having an opening portion that divides the space portion into four small chambers. A partition-type partition plate, a plate-like rotary valve body that opens or closes the opening of the frame-type partition plate, an inflow port that constantly inflows gas existing in the four small chambers, and inflow and outflow of fluid alternately Inflow / outlet port (1) to be performed, outflow port to constantly flow out gas, inflow / outlet port (2) to alternately inflow and outflow of gas, and drive to rotate the plate-like rotating valve body around the rotation axis The member having a configuration including means, and the member forming the casing, the frame-shaped partition plate, the rotating shaft, and the plate-like rotating valve body are preferably valves having a heat insulating function. .

本発明の実施の態様においては、いずれも同形状、同サイズ又は同機能を有するこのような4ポート自動切換えバルブを使用するものである。又、(A)系統と(B)系統の吸着モード、再生モードの切換えは、第1バルブと第2バルブを同時に作動させることによって行う。   In the embodiment of the present invention, such a 4-port automatic switching valve having the same shape, the same size, or the same function is used. Further, switching between the adsorption mode and the regeneration mode of the (A) system and the (B) system is performed by simultaneously operating the first valve and the second valve.

ここで本発明の実施例の回分式TSA装置の再生操作について図3を用いて説明する。再生モードは加熱時間帯と冷却時間帯とから構成されるが、再生モードが加熱時間帯にある場合において、図3の再生空気導入口51から取入れた常温の再生空気は、再生空気送風機52で昇圧されて再生空気予熱器54に流入して、すでに吸着材ユニットの再生を行い、当該吸着材ユニットを去る高温の再生空気のもつ廃熱を回収する。それによって、再生空気自身は常温から150〜200℃まで予熱昇温される。次いで再生空気は再生空気加熱器55に流入して200〜250℃に加熱されて流出して第2バルブ45から清浄空気ダクト(B)48を経て、再生モードにある吸着材ユニット(B)43Bに流入する。
なお、念のため、本発明における再生空気とは、吸着モードが終了した吸着材ユニットに送る、加熱した空気であって、当該加熱空気により、吸着材ユニットから吸着した不純物を脱離させる工程(再生モード)に使用する空気である。
Here, the reproduction operation of the batch-type TSA apparatus according to the embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. The regeneration mode is composed of a heating time zone and a cooling time zone. When the regeneration mode is in the heating time zone, the room temperature regeneration air taken from the regeneration air inlet 51 in FIG. The pressure is increased and flows into the regenerative air preheater 54 to regenerate the adsorbent unit, and recover the waste heat of the high-temperature regenerative air that leaves the adsorbent unit. Thereby, the regeneration air itself is preheated from normal temperature to 150 to 200 ° C. Next, the regeneration air flows into the regeneration air heater 55, is heated to 200 to 250 ° C. and flows out, and passes through the clean air duct (B) 48 from the second valve 45, and then the adsorbent unit (B) 43B in the regeneration mode. Flow into.
As a precaution, the regeneration air in the present invention refers to heated air that is sent to the adsorbent unit for which the adsorption mode has ended, and a process of desorbing impurities adsorbed from the adsorbent unit by the heated air ( This is the air used for the regeneration mode.

200〜250℃に加熱された再生空気が吸着材ユニット(B)43Bに流入することによって吸着材は加熱され、前回のサイクルにおいて(B)系統が吸着モードのとき常温状態おいて吸着材に吸着されていたアンモニア、レジストインク溶媒等と微量のHMDS及びTMSが脱離され、高温状態の再生空気の気流中に混入する。この際、アンモニアとHMDSは固体酸性物質を含むものからなる吸着材層aに、レジストインク溶媒等とTMSは活性炭を含むものからなる吸着材層bに、それぞれ吸着されていたものが加熱により脱離される。   The adsorbent is heated by the regeneration air heated to 200 to 250 ° C. flowing into the adsorbent unit (B) 43B, and adsorbed to the adsorbent at room temperature when the system (B) is in the adsorption mode in the previous cycle. Ammonia, resist ink solvent, and the like, and trace amounts of HMDS and TMS are desorbed and mixed in a stream of high-temperature regeneration air. At this time, ammonia and HMDS are adsorbed to the adsorbent layer a made of a solid acidic substance, and the resist ink solvent and TMS are adsorbed to an adsorbent layer b made of activated carbon. Be released.

本発明に用いる再生空気中の分子状汚染物質は大気中のそれと略々同等であるから、アンモニアは3〜5ppb、GC/MS分析法により極めて多数の成分が検出される有機性分子状汚染物質はヘキサデカン換算10〜50ppb、酸性分子状汚染物質はNOxが1〜5ppb、SOxが0.1〜0.5ppb混在している。なお、当然、HMDS、TMS、レジストインク溶媒は検出限界以下である。そして、これを高温に加熱して脱離に用いているから、それぞれの吸着平衡分圧は常温時の吸着平衡分圧より格段に低下させることができる。また、200〜250℃に加熱したから、熱膨張により再生空気の体積流量は常温のそれの1.60倍から1.77倍となり、被吸着物質の脱離に必要な熱エネルギーはもとより吸着材層中を流れる再生空気量として充分な流速を与えることができる。つまり、本発明の脱離条件によって、吸着材層中の分子状汚染物質は徹底的に脱離されて吸着材ユニットから排出される。   Since the molecular pollutants in the regenerated air used in the present invention are almost the same as those in the atmosphere, ammonia is 3 to 5 ppb, and organic molecular pollutants in which a very large number of components are detected by GC / MS analysis. Is 10 to 50 ppb in terms of hexadecane, and acidic molecular pollutants are mixed with 1 to 5 ppb of NOx and 0.1 to 0.5 ppb of SOx. Of course, HMDS, TMS, and resist ink solvents are below the detection limit. Since this is heated to a high temperature and used for desorption, the respective adsorption equilibrium partial pressures can be significantly reduced from the adsorption equilibrium partial pressure at normal temperature. In addition, since it is heated to 200 to 250 ° C., the volume flow rate of the regenerative air is increased from 1.60 times to 1.77 times that at room temperature due to thermal expansion, and the adsorbent as well as the heat energy necessary for desorption of the adsorbed substance A flow rate sufficient as the amount of regenerated air flowing in the bed can be given. That is, due to the desorption conditions of the present invention, the molecular contaminants in the adsorbent layer are thoroughly desorbed and discharged from the adsorbent unit.

吸着材ユニット(B)43Bを流出した再生空気は、第1バルブ42を経て再生空気予熱器54で60〜70℃まで冷却されると同時に常温の再生空気を予熱する熱交換が行われて再生空気排出口56から系外に排出される。通常は、再生空気排出口56は集合排ガス処理装置(図示せず)に接続する。   The regeneration air that has flowed out of the adsorbent unit (B) 43B is cooled to 60 to 70 ° C. by the regeneration air preheater 54 via the first valve 42 and at the same time is subjected to heat exchange to preheat the ambient regeneration air. It is discharged out of the system through the air discharge port 56. Normally, the regeneration air discharge port 56 is connected to a collective exhaust gas treatment device (not shown).

次に、再生モードが冷却時間帯となったとき、再生空気送風機52で昇圧された再生空気は、再生空気予熱器54と再生空気加熱器55を流れて第2バルブ45から清浄空気ダクト(B)48を経由して吸着材ユニット(B)43Bに流入する。再生モードが冷却時間帯にある場合においては、再生空気加熱器55には通電しないから、流入した再生空気は常温のまま吸着材ユニット(B)43B、第1バルブ42、再生空気予熱器54、再生空気排出口56を流れる。当然、加熱時間帯から冷却時間帯に切替わった時点は、常温の再生空気は再生空気予熱器54、再生空気加熱器55、第2バルブ45、清浄空気ダクト48、吸着材ユニット(B)43B、再生空気予熱器54、再生空気排出口56を冷却しながら流れる。なお、吸着モードから再生モードあるいは再生モードから吸着モードへの切換え時、本発明の回分式TSA装置においては再生空気を流さない状態でも操作できる。   Next, when the regeneration mode becomes the cooling time zone, the regeneration air boosted by the regeneration air blower 52 flows through the regeneration air preheater 54 and the regeneration air heater 55 and flows from the second valve 45 to the clean air duct (B ) 48 and flows into the adsorbent unit (B) 43B. When the regeneration mode is in the cooling time zone, the regeneration air heater 55 is not energized, so that the regeneration air that has flowed in remains at room temperature with the adsorbent unit (B) 43B, the first valve 42, the regeneration air preheater 54, It flows through the regeneration air discharge port 56. Naturally, at the time of switching from the heating time zone to the cooling time zone, the regenerated air at normal temperature is regenerated air preheater 54, regenerated air heater 55, second valve 45, clean air duct 48, adsorbent unit (B) 43B. The regeneration air preheater 54 and the regeneration air discharge port 56 flow while cooling. Note that when switching from the adsorption mode to the regeneration mode or from the regeneration mode to the adsorption mode, the batch-type TSA apparatus of the present invention can be operated even when the regeneration air is not supplied.

吸着モードにある(A)系統又は(B)系統が再生モードに切替った時点は、加熱時間帯となり、再生空気加熱器55に通電されるから、再生空気は清浄空気ダクト(A)47、吸着材ユニット(A)43A、再生空気予熱器54、再生空気排出口56を、加熱しながら流れる。   When the (A) system or (B) system in the adsorption mode is switched to the regeneration mode, it becomes a heating time zone, and the regeneration air heater 55 is energized, so the regeneration air is the clean air duct (A) 47, The adsorbent unit (A) 43A, the regeneration air preheater 54, and the regeneration air discharge port 56 flow while being heated.

吸着モードが(B)系統となった時、再生モードは(A)系統となるから、処理空気は第1バルブ42、吸着材ユニット(B)43Bを流れて清浄空気となり、第2バルブ45、清浄空気送出口50の順に流れ、再生空気は再生空気導入口51、再生空気送風機52、再生空気予熱器54、再生空気加熱器55、第2バルブ45、清浄空気ダクト(A)47、吸着材ユニット(A)43A、第1バルブ42、再生空気予熱器54、再生空気排出口56の順に流れる。   When the adsorption mode is the (B) system, the regeneration mode is the (A) system, so that the processing air flows into the first valve 42 and the adsorbent unit (B) 43B to become clean air, and the second valve 45, The purified air flows in the order of the clean air outlet 50, and the regenerated air is a regenerated air inlet 51, a regenerated air blower 52, a regenerated air preheater 54, a regenerated air heater 55, a second valve 45, a clean air duct (A) 47, and an adsorbent. The unit (A) 43A, the first valve 42, the regeneration air preheater 54, and the regeneration air discharge port 56 flow in this order.

図3において、清浄空気が流れる第2バルブ45、清浄空気ダクト(A)47、清浄空気ダクト(B)48、清浄空気送出ダクト49、清浄空気送出口50の内面を、例えばフッ素樹脂コーティングすることが好ましい。但し、清浄空気送出口50として、その内面をフッ素樹脂コーティングした3方弁を取付けることが望ましい。   In FIG. 3, the inner surfaces of the second valve 45 through which the clean air flows, the clean air duct (A) 47, the clean air duct (B) 48, the clean air delivery duct 49, and the clean air delivery port 50 are coated with, for example, fluororesin. Is preferred. However, it is desirable to attach a three-way valve whose inner surface is coated with fluororesin as the clean air outlet 50.

このようなフッ素樹脂コーティングを施すことによって、アンモニアや有機物の金属表面への付着が防止できるから、イニシャルスタート時や操業休止後の再スタート時のクリーンアップ作業を行う際には、第1バルブ42と第2バルブ45の同時作動と処理空気送風機32と再生空気送風機52の作動を定常状態の条件から変更して、加熱した再生空気を第2バルブ45から清浄空気ダクト(A)47に通じることによって、又、第2バルブ45から清浄空気送出ダクト49を経て、清浄空気送出口50に通じることによって、さらに又、第2バルブ45から清浄空気ダクト(B)48に通じることによって、クリーンアップできるから、定常状態に入った時点では、吸着材ユニットを流出した清浄空気にアンモニア及び又は有機物の混入をなくすことができ、かつ、短時間でクリーンアップ作業が終了する。   By applying such a fluororesin coating, it is possible to prevent adhesion of ammonia and organic substances to the metal surface. Therefore, when performing a cleanup operation at the initial start or restart after the operation stop, the first valve 42 is used. And the operation of the processing air blower 32 and the regeneration air blower 52 are changed from the steady state conditions, and the heated regeneration air is passed from the second valve 45 to the clean air duct (A) 47. Can be cleaned up by passing from the second valve 45 through the clean air delivery duct 49 to the clean air delivery port 50 and from the second valve 45 to the clean air duct (B) 48. From when the steady state is entered, clean air that has flowed out of the adsorbent unit is mixed with ammonia and / or organic matter. It can be eliminated, and the clean-up work is completed in a short period of time.

以上は基板処理工程で使用されるシランカップリング剤がHMDSとTMSであるとして詳細に説明してきたが、実際にはHMDSに限らず、各種のシランカップリング剤、乃至シリル化剤、例えば、γ−アミノプロピルエトキシシラン、メタアクリルシラン、ビニルシラン、さらには、シリルクロライド類等の有機珪素化合物が使われている。又、クリーンルームの構築部材や製造設備の構成材料であるシリコーン樹脂、シリコーンゴム材、シリコーンシーリング材、シリコーンオイル、シリコーン接着剤等には様々な有機珪素化合物が使用されている。   Although the above has described in detail that the silane coupling agent used in the substrate processing step is HMDS and TMS, it is not limited to HMDS, but various silane coupling agents or silylating agents such as γ -Organosilicon compounds such as aminopropylethoxysilane, methacrylsilane, vinylsilane, and silyl chlorides are used. In addition, various organosilicon compounds are used for silicone resin, silicone rubber material, silicone sealing material, silicone oil, silicone adhesive, and the like, which are constituent materials for clean room construction and manufacturing equipment.

それらの有機珪素化合物は、いずれかの時点で、それの分解物やモノマーとなってアンモニアや塩酸とともに分子状汚染物質となって処理空気中に混入する。又、露光工程ではSOxが分子状汚染物質となって混入する場合がある。これらの分子状汚染物質を除去する清浄化にも水との反応性或いは水への溶解性という有機珪素化合物共通の特性が利用できるため、本発明の実施の態様においては、処理空気を清浄化空気として清浄作業空間に循環供給可能である。
すなわち、本発明においては、加湿断熱冷却により飽和させるに必要な水量以上の水を用いて多数の微小な霧滴を発生させ、当該多数の霧滴は、処理空気中の汚染物質の分子と衝突し、特に水に溶解する、アンモニア、HMDS、TMSは、衝突と共に霧滴中に溶解せしめることにより、除去可能である。
At any point in time, these organosilicon compounds become decomposition products or monomers thereof and become molecular contaminants together with ammonia and hydrochloric acid and are mixed into the processing air. In the exposure process, SOx may be mixed as a molecular contaminant. In the embodiment of the present invention, the treatment air is purified because the common characteristic of organosilicon compounds such as reactivity with water or solubility in water can be used for cleaning to remove these molecular contaminants. Circulating supply to the clean work space as air is possible.
That is, in the present invention, a large number of fine mist droplets are generated using water in excess of the amount of water necessary for saturation by humidified adiabatic cooling, and the mist droplets collide with contaminant molecules in the processing air. In particular, ammonia, HMDS, and TMS, which are dissolved in water, can be removed by dissolving them in a mist droplet together with the collision.

本発明の基板処理工程排気の清浄化方法によれば、ケミカルフィルタを使用せずに、処理空気中のアンモニア、ヘキサメチルジシラザン(HMDS)、トリメチルシラノール(TMS)等の分子状汚染物質を、いずれも1ppb以下まで長期に亘り連続安定に除去できるので、産業廃棄物の大幅削減という環境改善に貢献することができる。また、ケミカルフィルタを新品と取替えるという大懸りな作業が無用となり、それを取付けていた基板処理工程の操業を停止させる必要もなく、汚染された清浄化空間を清浄状態に回復させるために要していたクリーンアップエネルギーも無用となるため、産業上の利用可能性は極めて大きい。   According to the substrate processing process exhaust cleaning method of the present invention, without using a chemical filter, molecular contaminants such as ammonia, hexamethyldisilazane (HMDS), and trimethylsilanol (TMS) in the processing air are removed. Any of them can be removed continuously and stably up to 1 ppb or less for a long period of time, which can contribute to the environmental improvement of drastically reducing industrial waste. In addition, the laborious work of replacing the chemical filter with a new one becomes unnecessary, and it is not necessary to stop the operation of the substrate processing process to which the chemical filter is attached, and it is necessary to restore the contaminated cleaning space to a clean state. Since the clean-up energy that has been used is no longer needed, industrial applicability is extremely high.

本発明の実施の態様における清浄化装置の構成図である。It is a block diagram of the cleaning apparatus in the embodiment of the present invention. 本発明における加湿冷却加温装置の説明図である。It is explanatory drawing of the humidification cooling heating apparatus in this invention. 本発明における回分式TSA装置の構成図である。It is a block diagram of the batch type TSA apparatus in this invention. 従来技術における回分式温度スイング吸着装置の説明図である。It is explanatory drawing of the batch type temperature swing adsorption | suction apparatus in a prior art. 従来技術による清浄化装置の説明図である。It is explanatory drawing of the cleaning apparatus by a prior art.

符号の説明Explanation of symbols


1:処理空気導入口
2:清浄化調温調湿空気供給口

10:加湿冷却加温装置
11:屋内空気流入口
12:除塵フィルタ(1)
13:空気圧縮機
14:加湿水取入れ口
15:高性能フィルタ(1)
16:2流体ノズル
17:加湿水ポンプ
18:加湿水槽
19:冷凍機ユニット(1)

21:冷却器
22:凝縮水槽

31:加温器
32:処理空気送風機

40:回分式TSA装置
41:処理空気取入れ口
42:第1バルブ
43A:吸着材ユニット(A)
43B:吸着材ユニット(B)

45:第2バルブ

47:清浄空気ダクト(A)
48:清浄空気ダクト(B)
49:清浄空気送出ダクト
50:清浄空気送出口
51:再生空気導入口
52:再生空気送風機
53:再生空気冷却器
54:再生空気予熱器
55:再生空気加熱器
56:再生空気排出口
57:再生空気加熱部
58:再生空気フィルタ

60:調温調湿装置
61:高性能フィルタ(4)
62:冷却除湿器
63:調温器
64:加湿器

80:ケミカルフィルタユニット
81:ケミカルフィルタ(B)
82:ケミカルフィルタ(C)
83:処理空気送風機(2)

100:清浄作業空間
101:清浄化調温調湿空気送風機
102:除塵フィルタ(2)
103:循環空気送風機
104:循環空気ダクト

106:高性能フィルタ(2)
107:空気取入れ口
108:取入れ空気ファン

110:ファンフィルタユニット
111:ケミカルフィルタ(C)
112:ケミカルフィルタ(B)
113:フィルタファン
114:高性能フィルタ(3)
115:清浄化調温調湿空気吹出し口

120:従来技術の回分式TSA装置

T1〜T8:分岐/合流点
V1〜V8:開閉弁

1: Process air introduction port 2: Purified temperature-controlled air supply port

10: Humidification cooling heating apparatus 11: Indoor air inlet 12: Dust removal filter (1)
13: Air compressor 14: Humidification water intake 15: High performance filter (1)
16: 2 fluid nozzle 17: humidification water pump 18: humidification water tank 19: refrigerator unit (1)

21: Cooler 22: Condensate tank

31: Heater 32: Process air blower

40: Batch type TSA device 41: Process air intake 42: First valve 43A: Adsorbent unit (A)
43B: Adsorbent unit (B)

45: Second valve

47: Clean air duct (A)
48: Clean air duct (B)
49: Clean air delivery duct 50: Clean air outlet 51: Regeneration air introduction port 52: Regeneration air blower 53: Regeneration air cooler 54: Regeneration air preheater 55: Regeneration air heater 56: Regeneration air discharge port 57: Regeneration Air heating unit 58: Regenerative air filter

60: Temperature control device 61: High performance filter (4)
62: Cooling dehumidifier 63: Temperature controller 64: Humidifier

80: Chemical filter unit 81: Chemical filter (B)
82: Chemical filter (C)
83: Process air blower (2)

100: Clean work space 101: Clean temperature-controlled humidity air blower 102: Dust removal filter (2)
103: Circulating air blower 104: Circulating air duct

106: High-performance filter (2)
107: Air intake 108: Intake air fan

110: Fan filter unit 111: Chemical filter (C)
112: Chemical filter (B)
113: Filter fan 114: High performance filter (3)
115: Clean temperature control humidity air outlet

120: Batch-type TSA device of the prior art

T1 to T8: branching / merging points V1 to V8: on-off valve

Claims (8)

吸着剤ユニット(A)、(B)を2系統並列に配置し、汚染物質を含む空気を当該吸着剤ユニット(A)で吸着して除去する吸着モードを行い、平行して、汚染物質を吸着した吸着材ユニット(B)に加熱した再生空気を通じることにより当該吸着した汚染物質を脱離し、さらに当該吸着剤ユニット(B)を冷却する再生モードを行い、次に、この吸着モードと再生モードの切り換えを行い、汚染物質を含む空気を当該吸着剤ユニット(B)で吸着して除去する吸着モードを行い、平行して、汚染物質を吸着した吸着材ユニット(A)に加熱した再生空気を通じることにより吸着した汚染物質を脱離し、さらに冷却する再生モードを行うことからなる、吸着モードと再生モードを交互に繰り返す回分式温度スイング吸着装置を備え、前記再生空気として屋内又は屋外から取入れた空気を用いるものにおいて、
液晶ディスプレイ製造の基板処理工程の汚染物質を含む排気を清浄化調温・調湿して循環供給する基板処理工程排気の清浄化方法であって、当該排気を処理空気として加湿冷却加温装置に取入れ、加湿冷却加温した空気を得、これを、上記屋内又は屋外から取入れた空気を再生空気として用いて再生モードを行った前記回分式温度スイング吸着装置に通じて調温・調湿と分子状汚染物質及び粒子状汚染物質の除去を実施することを特徴とする基板処理工程排気の清浄化方法。
Adsorbent units (A) and (B) are arranged in parallel, and an adsorption mode in which air containing contaminants is adsorbed and removed by the adsorbent units (A) is performed, and the contaminants are adsorbed in parallel. A regeneration mode is performed in which the adsorbed contaminants are desorbed by passing heated regeneration air through the adsorbent unit (B) and the adsorbent unit (B) is further cooled. Next, the adsorption mode and the regeneration mode are performed. The adsorbent unit (B) adsorbs and removes the air containing the pollutant, and in parallel, the adsorbent unit (A) that has adsorbed the pollutant is supplied with the regenerated air heated. A regenerative mode in which the adsorbed contaminants are desorbed by passing through and a regenerative mode for cooling is further provided, comprising a batch-type temperature swing adsorber that alternately repeats the adsorption mode and the regenerative mode. In those using air taken from the indoors or outdoors as a gas,
A substrate processing process exhaust purification method that cleans and adjusts and circulates exhaust containing pollutants in a substrate processing process of liquid crystal display manufacturing, and supplies the exhaust to the humidification cooling and heating apparatus as processing air intake, give the fogging warmed air, which, through the batch type temperature swing adsorption apparatus that has performed the playback mode using the intake air from the indoor or outdoor as regeneration air, temperature control, humidity DOO A substrate processing process exhaust cleaning method comprising removing molecular contaminants and particulate contaminants.
前記加湿冷却加温装置は、処理空気導入口における処理空気の流速乃至流量、温度及び関係湿度を計測する計測手段、前記計測手段を用いて得られる計測値を入力して加湿断熱冷却によりその処理空気を水分で飽和させるに必要な加湿水量を演算させる演算手段、その処理空気が流れる管路中に設置してその流れと同方向に加湿水と空気とを噴出させる2流体ノズル、その2流体ノズルの下流に設置した冷却器、その冷却器の下流に設置した加温器並びに該管路外に設置した加湿水槽と空気圧縮機と凝縮水槽と冷凍機ユニット、前記演算手段を用いて得られる演算値を変換した制御信号により作動する加湿水ポンプ及びそれらを接続する配管から構成された装置であって、前記加湿水として液晶ディスプレイ製造に適合する純水乃至超純水を用いたことを特徴とする請求項1記載の基板処理工程排気の清浄化方法。 The humidification cooling / warming device is a measuring means for measuring the flow rate or flow rate of the processing air at the processing air inlet, the temperature and the relative humidity, and the measurement value obtained by using the measuring means is inputted, and the processing is performed by humidification adiabatic cooling. Calculation means for calculating the amount of humidified water necessary to saturate the air with moisture, a two-fluid nozzle that is installed in a pipeline through which the treated air flows, and jets the humidified water and air in the same direction as the flow, the two fluids A cooler installed downstream of the nozzle, a heater installed downstream of the cooler, a humidifying water tank, an air compressor, a condensate water tank, a refrigerator unit installed outside the pipe, and the arithmetic means. a device composed of piping connecting the humidification water pump and their activated by control signals obtained by converting the calculated value, pure water or ultrapure water compatible with the liquid crystal display manufacturing as the humidification water Method of cleaning a substrate processing process exhaust claim 1, wherein be had. 前記加湿冷却加温装置において処理空気に含まれる汚染物質であるヘキサメチルジシラザン及び/又はトリメチルシラノールを2流体ノズルから噴出させた加湿水により捕集し、冷却器にて凝縮し加水分解して除去することを特徴とする請求項1又は2記載の基板処理工程排気の清浄化方法。   In the humidifying / cooling / heating apparatus, hexamethyldisilazane and / or trimethylsilanol, which are contaminants contained in the processing air, are collected by humidified water ejected from a two-fluid nozzle and condensed and hydrolyzed by a cooler. 3. The method for cleaning exhaust of a substrate processing process according to claim 1, wherein the substrate processing process exhaust gas is removed. 前記冷却器は、その冷却器を流出する処理空気の温度を4〜17℃の範囲で制御する機能を備えたことを特徴とする請求項2又は3に記載の基板処理工程排気の清浄化方法。 4. The substrate processing process exhaust cleaning method according to claim 2 , wherein the cooler has a function of controlling the temperature of the processing air flowing out of the cooler within a range of 4 to 17 [deg.] C. . 前記加温器は、その加温器を流出する処理空気の温度を15〜30℃の範囲で制御する機能を備えたことを特徴とする請求項乃至4の何れかに記載の基板処理工程排気の清浄化方法。 5. The substrate processing step according to claim 2 , wherein the heater has a function of controlling the temperature of the processing air flowing out of the heater in a range of 15 to 30 ° C. 6. How to clean exhaust. 前記屋内又は屋外から取入れた空気を再生空気として用いる回分式温度スイング吸着装置は、処理空気中の塩基性分子状汚染物質と有機性分子状汚染物質を吸着材で除去する吸着モードにある吸着材ユニット(A)の系統と、前記塩基性の分子状汚染物質、有機性の分子状汚染物質を吸着した吸着材に再生空気を通じることにより冷却・加熱する再生モードにある吸着材ユニット(B)の系統とを、並列に配置した(A)、(B)の2系統を備え、更に当該再生空気を加熱する再生空気加熱部、並びに、吸着モードと再生モードを交互に繰り返す(A)系統と(B)系統の切換え手段である第1バルブ及び第2バルブを備えたことを特徴とする請求項1又は2記載の基板処理工程排気の清浄化方法。 The batch temperature swing adsorption device using the air taken from the indoor or the outdoor as the regeneration air is an adsorbent in an adsorption mode that removes basic molecular contaminants and organic molecular contaminants in the treated air with an adsorbent. System of unit (A) and adsorbent unit (B) in a regeneration mode in which the adsorbent adsorbing the basic molecular contaminants and organic molecular contaminants is cooled and heated by passing regeneration air through (A) and (B), the regeneration air heating unit for heating the regeneration air, and the adsorption mode and regeneration mode are alternately repeated. (B) The substrate processing process exhaust purification method according to claim 1 or 2, further comprising a first valve and a second valve which are switching means of the system. 前記吸着材ユニット(A)、(B)塩基性分子状汚染物質を選択的に吸着する固体酸性物質を含むものを用いた吸着材層aと、及び有機性分子状汚染物質を選択的に吸着する活性炭を含むものを用いた吸着材層bとから構成されることを特徴とする請求項6記載の基板処理工程排気の清浄化方法。 The adsorbent units (A), (B) selectively and adsorbent layer a, and the organic molecular contamination with those containing solid acidic material which selectively adsorbs basic molecular contamination The substrate processing step exhaust gas cleaning method according to claim 6, comprising: an adsorbent layer b using an activated carbon adsorbed on the substrate. 前記第1バルブ及び第2バルブは内部が枠形仕切板により4つの小室に区画されており板状回動弁体の回動によって各小室の開放と閉鎖を繰り返して、前記吸着材ユニット(A)系統と吸着材ユニット(B)系統を切換える4ポート自動切換えバルブであることを特徴とする請求項6記載の基板処理工程排気の清浄化方法。 The first valve and the second valve are internally divided into four small chambers by a frame-shaped partition plate, and the adsorbent unit (A) is repeatedly opened and closed by rotating the plate-like rotating valve body. 7. A substrate processing process exhaust cleaning method according to claim 6, wherein the system is a four-port automatic switching valve for switching between the system of (1) and the system of the adsorbent unit (B).
JP2007304947A 2007-11-26 2007-11-26 Substrate processing process exhaust purification method Expired - Fee Related JP5303140B2 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2007304947A JP5303140B2 (en) 2007-11-26 2007-11-26 Substrate processing process exhaust purification method

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2007304947A JP5303140B2 (en) 2007-11-26 2007-11-26 Substrate processing process exhaust purification method

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2009130212A JP2009130212A (en) 2009-06-11
JP5303140B2 true JP5303140B2 (en) 2013-10-02

Family

ID=40820810

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2007304947A Expired - Fee Related JP5303140B2 (en) 2007-11-26 2007-11-26 Substrate processing process exhaust purification method

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP5303140B2 (en)

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4885115B2 (en) * 2007-11-26 2012-02-29 伸和コントロールズ株式会社 Resist processing process exhaust cleaning method
JP2016068083A (en) * 2014-09-30 2016-05-09 ニッタ株式会社 Silanol compound removal device
JP6421552B2 (en) * 2014-11-12 2018-11-14 株式会社Sumco Silicon wafer manufacturing method

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3156452B2 (en) * 1993-07-22 2001-04-16 富士通株式会社 Clean air supply device and supply method
JP4644517B2 (en) * 2005-04-19 2011-03-02 伸和コントロールズ株式会社 4-port automatic switching valve

Also Published As

Publication number Publication date
JP2009130212A (en) 2009-06-11

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5202934B2 (en) Preparation method of ultra-high purity air
US11608998B2 (en) Air handling system with integrated air treatment
US20070169628A1 (en) Gas purifier
JP3594463B2 (en) Gas adsorption device
KR101549358B1 (en) Energy efficient air cleaning system
JP5744488B2 (en) Exhaust gas treatment equipment
TWI775026B (en) Apparatus and method for decontamination of a gas stream
WO2006112534A1 (en) Automatic four-port selector valve
JP5303143B2 (en) How to prepare clean room exhaust to ultra high purity air
CN109477649B (en) Air treatment system for managing air conditions in an enclosed environment
JP5303140B2 (en) Substrate processing process exhaust purification method
JP2009090979A (en) Small desiccant air conditioner
JP2012011343A (en) Apparatus for generating low dew point air
JP4885115B2 (en) Resist processing process exhaust cleaning method
JP2004176978A (en) Cleaning/air-conditioning method of air supplied to semiconductor manufacturing device and air cleaning/air-conditioning unit of semiconductor manufacturing device
TWI637779B (en) Air purification system
JP3415730B2 (en) Gaseous impurity treatment system and particle removal filter
JP2009138977A (en) Method of preparing air of high purity
JP2009138975A (en) Cleaning method of clean room exhaust
JP2004512208A (en) Method and apparatus for removing harmful impurities from air
US10808949B2 (en) Humidity management device and method
JP2009083851A (en) Small desiccant air conditioner
JP2001149732A (en) Gas adsorption device
JP2012030163A (en) Air cleaning system
JP4352139B2 (en) Small desiccant air conditioner

Legal Events

Date Code Title Description
A711 Notification of change in applicant

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A711

Effective date: 20100707

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20100709

A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20101119

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20130326

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20130412

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20130528

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20130614

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20130624

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

Ref document number: 5303140

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees