JP5292863B2 - Organic electroluminescent display device and manufacturing method thereof - Google Patents

Organic electroluminescent display device and manufacturing method thereof Download PDF

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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an organic electroluminescent display device capable of efficiently performing hole injection by using an inorganic compound having a composition ratio gradient in the film thickness direction of a hole transport layer, capable of simplifying a process and having highly efficient performance, and to provide a manufacturing method thereof. <P>SOLUTION: The organic electroluminescent display device includes: a substrate; a first electrode formed on the substrate; an organic electroluminescent layer having a plurality of layers including a hole transport layer, which is an inorganic compound formed on the first electrode, and an organic light-emitting layer; and a second electrode formed on the organic light-emitting medium layer. The hole transport layer has the composition ratio gradient in the film thickness direction. <P>COPYRIGHT: (C)2009,JPO&amp;INPIT

Description

本発明は、有機電界発光表示装置及びその製造方法に関し、特に正孔輸送層を膜厚方向に対して組成比勾配を有する無機化合物にすることにより、高効率な特性が得ることができる有機電界発光表示装置及びその製造方法に関するものである。   The present invention relates to an organic light emitting display device and a method for manufacturing the same, and in particular, by using an inorganic compound having a composition ratio gradient in a film thickness direction as a hole transport layer, an organic electric field capable of obtaining highly efficient characteristics. The present invention relates to a light emitting display device and a manufacturing method thereof.

有機電界発光素子(以下、「有機EL素子」という)は、二つの対向する電極の間に有機発光材料からなる有機発光層が形成され、電流を流すことで有機発光層を発光させるものであるが、効率よくかつ信頼性ある素子を作製するには有機発光層の膜厚制御が重要である。また、有機EL素子を用いてカラーディスプレイを製造するには高精細にパターニングする必要がある。   An organic electroluminescent element (hereinafter referred to as an “organic EL element”) is an element in which an organic light emitting layer made of an organic light emitting material is formed between two opposing electrodes, and the organic light emitting layer emits light by passing a current. However, it is important to control the thickness of the organic light emitting layer in order to produce an efficient and reliable device. Moreover, in order to manufacture a color display using an organic EL element, it is necessary to pattern with high definition.

有機発光層を形成する有機発光材料には低分子材料と高分子材料とがある。一般に低分子材料は、真空蒸着法などのドライコーティング法により薄膜形成し、このときに微細パターンのマスクを用いてパターニングする。しかし、この方法では基板が大型化すればするほどパターニング精度が出にくいという問題がある。また真空中で成膜するためにスループットが悪いという問題がある。   Organic light-emitting materials forming the organic light-emitting layer include low-molecular materials and polymer materials. In general, a low molecular material is formed into a thin film by a dry coating method such as a vacuum deposition method, and at this time, patterning is performed using a fine pattern mask. However, this method has a problem that patterning accuracy is less likely to increase as the substrate becomes larger. In addition, since the film is formed in a vacuum, there is a problem that the throughput is poor.

そこで、最近では高分子材料を溶剤に溶かして塗工液にし、これをウェットコーティング法で薄膜形成する方法が試みられるようになってきている。高分子材料の塗液を用いてウェットコーティング法で有機発光層を含む有機発光媒体層を形成する場合の層構成は、陽極側から正孔輸送層、有機発光層と積層する2層構成が一般的である。一方、低分子材料の層構成は、陽極側から正孔輸送層、有機発光層、電子輸送層と積層する3層または各輸送層と電極間に注入層を積層する4層以上の構成が一般的である。これらの試みとして、特許文献1には、塗布型正孔輸送層を形成した高分子材料の例が開示されてあり、特許文献2には、電子輸送層を形成した低分子材料の例が開示されている。   Therefore, recently, a method in which a polymer material is dissolved in a solvent to form a coating solution and a thin film is formed by a wet coating method has been tried. In the case of forming an organic light emitting medium layer including an organic light emitting layer by a wet coating method using a coating material of a polymer material, the layer structure is generally a two-layer structure in which a hole transport layer and an organic light emitting layer are laminated from the anode side. Is. On the other hand, the layer structure of the low molecular weight material is generally composed of three layers laminated from the anode side to the hole transport layer, the organic light emitting layer, and the electron transport layer, or four layers or more laminated the injection layer between each transport layer and the electrode. Is. As these attempts, Patent Document 1 discloses an example of a polymer material in which a coating type hole transport layer is formed, and Patent Document 2 discloses an example of a low molecular material in which an electron transport layer is formed. Has been.

層構成を多層にするのは、各層の機能分離を行うことで効率よく有機発光層へ正孔及び電子の注入を行い、有機発光層を効率よく発光させるためである。例えば、正孔輸送材料の選定基準の一つとして仕事関数が用いられる。陽極の仕事関数から層毎に有機発光層の仕事関数まで順次仕事関数が高くなるように層構成を設計することで、障壁を軽減し正孔注入を効率的に行うことができる。低分子材料の場合には、積層の上限に制限はないが、材料毎に真空チャンバを準備する必要があり設備が大きくなってしまう。高分子材料の場合には、下層が上層を形成するための塗布液に侵食されるため、積層が困難となってしまう。
特許第2916098号 特許第3562652号
The reason why the layer structure is multi-layered is that holes and electrons are efficiently injected into the organic light emitting layer by separating the functions of the respective layers, so that the organic light emitting layer emits light efficiently. For example, the work function is used as one of selection criteria for the hole transport material. By designing the layer structure so that the work function sequentially increases from the work function of the anode to the work function of the organic light emitting layer for each layer, the barrier can be reduced and hole injection can be performed efficiently. In the case of a low molecular material, there is no limit on the upper limit of stacking, but it is necessary to prepare a vacuum chamber for each material, resulting in an increase in equipment. In the case of a polymer material, since the lower layer is eroded by the coating solution for forming the upper layer, stacking becomes difficult.
Japanese Patent No. 2916098 Japanese Patent No. 3556252

本発明は、正孔輸送層の膜厚方向に対して組成比勾配を有する無機化合物を用いることにより、正孔注入を効率的に行うことができ、プロセスの簡略化及び高効率な有機電界発光表示装置及びその製造方法を提供することである。   The present invention can efficiently inject holes by using an inorganic compound having a composition ratio gradient with respect to the film thickness direction of the hole transport layer, simplifying the process and highly efficient organic electroluminescence. A display device and a manufacturing method thereof are provided.

本発明の請求項1に係る発明は、基板と、基板上に形成された第一電極と、第一電極上に形成された、遷移金属及びその酸化物を有する正孔輸送層と正孔輸送層上に形成された有機発光層とを含む複数の層を有する有機発光媒体層と、有機発光媒体層上に形成された第二電極と、を備え、正孔輸送層は、膜厚方向に対して組成比勾配を有し、第一電極側が遷移金属であり、かつ有機発光層側が遷移金属の酸化物であり、正孔輸送層は、第一電極側から有機発光層側にかけて仕事関数が高くなることを特徴とする有機電界発光表示装置としたものである。 The invention according to claim 1 of the present invention includes a substrate, a first electrode formed on the substrate, a hole transport layer having a transition metal and its oxide formed on the first electrode, and a hole transport. An organic light emitting medium layer having a plurality of layers including an organic light emitting layer formed on the layer, and a second electrode formed on the organic light emitting medium layer, wherein the hole transport layer is in the film thickness direction. The first electrode side is a transition metal, the organic light emitting layer side is an oxide of a transition metal, and the hole transport layer has a work function from the first electrode side to the organic light emitting layer side. The organic electroluminescent display device is characterized in that it becomes high .

本発明の請求項2に係る発明は、基板を準備し、基板上に第一電極を形成し、第一電極上に遷移金属及びその酸化物を有して膜厚方向に対して組成比勾配を有する正孔輸送層と正孔輸送層上に形成された有機発光層とを含む複数の層を有する有機発光媒体層を形成し、有機発光媒体層上に第二電極を形成し、正孔輸送層を形成することは、成膜開始時において不活性ガスにより遷移金属を形成し、時間とともに反応性ガスを導入して遷移金属の酸化物を形成することを含み、正孔輸送層は、第一電極側から有機発光層側にかけて仕事関数が高くなることを特徴とする有機電界発光表示装置製造方法としたものである。
The invention according to claim 2 of the present invention provides a substrate, forms a first electrode on the substrate, has a transition metal and its oxide on the first electrode, and has a composition ratio gradient with respect to the film thickness direction. Forming an organic light emitting medium layer having a plurality of layers including a hole transport layer having an organic light emitting layer formed on the hole transport layer, forming a second electrode on the organic light emitting medium layer, and forming holes; Forming the transport layer includes forming a transition metal with an inert gas at the start of film formation, and introducing a reactive gas over time to form an oxide of the transition metal. The organic electroluminescent display device manufacturing method is characterized in that the work function increases from the first electrode side to the organic light emitting layer side .

本発明の請求項に係る発明は、正孔輸送層は物理気相成長法を用いて形成することを特徴とする請求項に記載の有機電界発光表示装置の製造方法としたものである。
The invention according to claim 3 of the present invention is the method of manufacturing an organic light emitting display device according to claim 2 , wherein the hole transport layer is formed by physical vapor deposition. .

本発明によれば、正孔輸送層の膜厚方向に対して組成比勾配を有する無機化合物を用いることにより、正孔注入を効率的に行うことができ、プロセスの簡略化及び高効率な有機電界発光表示装置及びその製造方法を提供することができる。   According to the present invention, by using an inorganic compound having a composition ratio gradient with respect to the film thickness direction of the hole transport layer, hole injection can be efficiently performed, process simplification and high efficiency organic An electroluminescent display device and a method for manufacturing the same can be provided.

以下、本発明の実施の形態を、図面を用いて説明する。なお、以下の実施形態の説明において参照する図面は、本発明の構成を説明するためのものであり、図示される各部の大きさや厚さ、寸法等は、実際のものとは異なる。また、本発明はこれらに限定されるものではない。   Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings. Note that the drawings referred to in the following description of the embodiments are for explaining the configuration of the present invention, and the size, thickness, dimensions, and the like of each part illustrated are different from the actual ones. The present invention is not limited to these.

図1に示すように、本発明の実施の形態に係る有機電界発光表示装置100は、基板101と、基板101上に形成された画素毎に具備された画素電極102と、画素電極102間を区画するために形成された隔壁103と、画素電極102の上方に形成された正孔輸送層104と、正孔輸送層104上に形成されたインターレイヤ層105と、インターレイヤ層105上に形成された有機発光層106と、有機発光層106上に全面を被覆するように形成された対向電極107と、画素電極102、隔壁103、有機発光媒体層110、対向電極107を覆うように基板101と封止樹脂109により接着された封止材108とを備えている。ここで正孔輸送層104とインターレイヤ層105と有機発光層106とを有機発光媒体層110という。封止樹脂109と封止材108とを封止体111という。   As shown in FIG. 1, an organic light emitting display 100 according to an embodiment of the present invention includes a substrate 101, a pixel electrode 102 provided for each pixel formed on the substrate 101, and a pixel electrode 102. A partition wall 103 formed for partitioning, a hole transport layer 104 formed above the pixel electrode 102, an interlayer layer 105 formed on the hole transport layer 104, and formed on the interlayer layer 105 The organic light emitting layer 106, the counter electrode 107 formed so as to cover the entire surface of the organic light emitting layer 106, the pixel electrode 102, the partition wall 103, the organic light emitting medium layer 110, and the counter electrode 107 so as to cover the counter electrode 107. And a sealing material 108 bonded by a sealing resin 109. Here, the hole transport layer 104, the interlayer layer 105, and the organic light emitting layer 106 are referred to as an organic light emitting medium layer 110. The sealing resin 109 and the sealing material 108 are referred to as a sealing body 111.

有機電界発光表示装置100は基板101で支持される。基板101としては機械強度、絶縁性を有し寸法安定性に優れた基板101であればいかなる材料も使用することができる。   The organic light emitting display device 100 is supported by a substrate 101. Any material can be used as the substrate 101 as long as the substrate 101 has mechanical strength and insulation and is excellent in dimensional stability.

基板101の材料には、例えばガラスや石英、ポリプロピレン、ポリエーテルサルフォン、ポリカーボネート、シクロオレフィンポリマー、ポリアリレート、ポリアミド、ポリメチルメタクリレート、ポリエチレンテレフタレート及びポリエチレンナフタレート等のプラスチックフィルムやシート、または、これらプラスチックフィルムやシートに酸化珪素、酸化アルミニウム等の金属酸化物や、弗化アルミニウム、弗化マグネシウム等の金属弗化物、窒化珪素、窒化アルミニウムなどの金属窒化物、酸窒化珪素などの金属酸窒化物、アクリル樹脂やエポキシ樹脂、シリコーン樹脂、ポリエステル樹脂などの高分子樹脂膜を単層もしくは積層させた透光性基材や、アルミニウムやステンレスなどの金属箔、シート、板、プラスチックフィルムやシートにアルミニウム、銅、ニッケル、ステンレスなどの金属膜を積層させた非透光性基材などを用いることができるが本発明ではこれらに限定されるわけではない。   Examples of the material of the substrate 101 include plastic films and sheets such as glass, quartz, polypropylene, polyethersulfone, polycarbonate, cycloolefin polymer, polyarylate, polyamide, polymethyl methacrylate, polyethylene terephthalate, and polyethylene naphthalate, or these Metal oxides such as silicon oxide and aluminum oxide on plastic films and sheets, metal fluorides such as aluminum fluoride and magnesium fluoride, metal nitrides such as silicon nitride and aluminum nitride, metal oxynitrides such as silicon oxynitride , Translucent substrates with single or laminated polymer resin films such as acrylic resin, epoxy resin, silicone resin, polyester resin, metal foils such as aluminum and stainless steel, sheets, plates, plastic films Aluminum sheet, copper, nickel, a metal film such as stainless steel or the like can be used non-translucent substrate as a laminate but are not limited to these.

有機電界発光表示装置100の光取出しをどちらの面から行うかに応じて基板101の透光性を選択すればよい。これらの材料からなる基板101は、有機電界発光表示装置100内への水分の浸入を避けるために、無機膜を形成したり、フッ素樹脂を塗布したりして、防湿処理や疎水性処理を施してあることが好ましい。特に、有機発光媒体層110への水分の浸入を避けるために、基板101における含水率及びガス透過係数を小さくすることが好ましい。   What is necessary is just to select the translucency of the board | substrate 101 according to which surface light extraction of the organic electroluminescent display apparatus 100 is performed from. The substrate 101 made of these materials is subjected to moisture-proof treatment or hydrophobic treatment by forming an inorganic film or applying a fluororesin in order to prevent moisture from entering the organic light-emitting display device 100. It is preferable. In particular, in order to avoid the intrusion of moisture into the organic light emitting medium layer 110, it is preferable to reduce the moisture content and gas permeability coefficient in the substrate 101.

本発明の実施の形態に係る第一電極である画素電極102は、基板101上に成膜し、必要に応じてパターニングを行う。画素電極102は隔壁103によって区画され、各画素に対応した画素電極102となる。   The pixel electrode 102, which is the first electrode according to the embodiment of the present invention, is formed on the substrate 101 and patterned as necessary. The pixel electrode 102 is partitioned by a partition wall 103 and becomes a pixel electrode 102 corresponding to each pixel.

画素電極102の材料としては、ITO(インジウムスズ複合酸化物)やインジウム亜鉛複合酸化物、亜鉛アルミニウム複合酸化物などの金属複合酸化物や、金、白金などの金属材料や、これら金属酸化物や金属材料の微粒子をエポキシ樹脂やアクリル樹脂などに分散した微粒子分散膜を、単層もしくは積層したものをいずれも使用することができるが本発明ではこれらに限定されるわけではない。   Examples of the material of the pixel electrode 102 include metal composite oxides such as ITO (indium tin composite oxide), indium zinc composite oxide, and zinc aluminum composite oxide, metal materials such as gold and platinum, these metal oxides, Either a single layer or a laminate of fine particle dispersion films in which fine particles of a metal material are dispersed in an epoxy resin or an acrylic resin can be used, but the present invention is not limited to these.

画素電極102を陽極とする場合にはITOなど仕事関数の高い材料を選択することが好ましい。下方(基板101側)から光を取り出す、いわゆるボトムエミッション構造の場合は透光性のある材料を選択する必要がある。必要に応じて、画素電極102の配線抵抗を低くするために、銅やアルミニウムなどの金属材料を補助電極として併設してもよい。ここで、上方(基板101側とは反対方向)から光を取り出す、いわゆるトップエミッション構造の場合は、基板101上に対向電極107から積層することができる。   When the pixel electrode 102 is used as an anode, it is preferable to select a material having a high work function such as ITO. In the case of a so-called bottom emission structure in which light is extracted from below (substrate 101 side), it is necessary to select a light-transmitting material. If necessary, in order to reduce the wiring resistance of the pixel electrode 102, a metal material such as copper or aluminum may be provided as an auxiliary electrode. Here, in the case of a so-called top emission structure in which light is extracted from above (a direction opposite to the substrate 101 side), the counter electrode 107 can be stacked on the substrate 101.

画素電極102の形成方法としては、材料に応じて、抵抗加熱蒸着法、電子ビーム蒸着法、反応性蒸着法、イオンプレーティング法、スパッタリング法などの乾式成膜法や、グラビア印刷法、スクリーン印刷法などの湿式成膜法などを用いることができるが本発明ではこれらに限定されるわけではない。   As a formation method of the pixel electrode 102, depending on the material, dry film formation methods such as resistance heating evaporation method, electron beam evaporation method, reactive evaporation method, ion plating method, sputtering method, gravure printing method, screen printing A wet film forming method such as a method can be used, but the present invention is not limited thereto.

画素電極102のパターニング方法としては、材料や成膜方法に応じて、マスク蒸着法、フォトリソグラフィ法、ウェットエッチング法、ドライエッチング法などのパターニング法を用いることができる。   As a patterning method of the pixel electrode 102, a patterning method such as a mask vapor deposition method, a photolithography method, a wet etching method, or a dry etching method can be used depending on a material and a film forming method.

本発明の実施の形態に係る隔壁103は、各画素に対応した発光領域を区画するように形成することができる。図1に示すように、画素電極102の端部を覆うように形成するのが好ましい。一般的にアクティブマトリクス駆動型有機電界発光表示装置100は、各画素に対して画素電極102が形成され、それぞれの画素ができるだけ広い面積を占有しようとするため、画素電極102の端部を覆うように形成される隔壁103の最も好ましい形状は各画素電極102を最短距離で区切る格子状を基本とする。   The partition wall 103 according to the embodiment of the present invention can be formed so as to partition a light emitting region corresponding to each pixel. As shown in FIG. 1, it is preferable to form the pixel electrode 102 so as to cover the end portion. In general, the active matrix driving type organic light emitting display device 100 has a pixel electrode 102 formed for each pixel, and each pixel tries to occupy as large an area as possible. The most preferable shape of the partition wall 103 formed in the above is basically a lattice shape that divides the pixel electrodes 102 by the shortest distance.

隔壁103の形成方法としては、基体(基板1及び画素電極102)上に無機膜を全面に形成し、レジストでマスキングした後、ドライエッチングを行う方法や、基体上に感光性樹脂を積層し、フォトリソグラフィ法により所定のパターンとする方法が挙げられるが本発明ではこれらに限定されるわけではない。必要に応じてレジスト及び感光性樹脂に撥水剤を添加したり、プラズマやUVを照射したりして形成後にインクに対する撥液性を付与することもできる。   As a method for forming the partition wall 103, an inorganic film is formed on the entire surface of the substrate (the substrate 1 and the pixel electrode 102), masked with a resist, and then dry-etched, or a photosensitive resin is laminated on the substrate, Although the method of setting it as a predetermined pattern by the photolithographic method is mentioned, in this invention, it is not necessarily limited to these. If necessary, a water repellent can be added to the resist and the photosensitive resin, or plasma or UV can be irradiated to impart liquid repellency to the ink after formation.

隔壁103の好ましい高さは0.1μm以上10μm以下であり、より好ましくは0.5μm以上2.0μm以下である。隔壁103の高さが10μmより高すぎると対向電極107の形成及び封止を妨げ、隔壁103の高さが0.1μmより低すぎると画素電極102の端部を覆い切れない、あるいは有機発光媒体層110形成時に隣接する画素とショートしたり混色したりしてしまう。   A preferable height of the partition wall 103 is 0.1 μm or more and 10 μm or less, and more preferably 0.5 μm or more and 2.0 μm or less. If the height of the partition wall 103 is higher than 10 μm, the formation and sealing of the counter electrode 107 is hindered. If the height of the partition wall 103 is lower than 0.1 μm, the end of the pixel electrode 102 cannot be covered, or an organic light emitting medium When the layer 110 is formed, the adjacent pixels are short-circuited or mixed in color.

本発明の実施の形態の係る有機発光媒体層110は、正孔輸送層104、インターレイヤ層105及び有機発光層106を備えている。また、有機発光媒体層110の機能層としては、正孔輸送層104及びインターレイヤ層105の他に、正孔注入層、電子輸送層、電子注入層等の層を好適に用いることができる。   The organic light emitting medium layer 110 according to the embodiment of the present invention includes a hole transport layer 104, an interlayer layer 105, and an organic light emitting layer 106. In addition to the hole transport layer 104 and the interlayer layer 105, layers such as a hole injection layer, an electron transport layer, and an electron injection layer can be suitably used as the functional layer of the organic light emitting medium layer 110.

隔壁103形成後、正孔輸送層104を形成することができる。本発明の実施の形態に係る正孔輸送層104の正孔輸送材料として無機化合物を用いる場合、無機化合物としてはCuO、Cr、Mn、FeOx(x〜0.1)、NiO、CoO、Pr、AgO、MoO、ZnO、TiO、V、Nb、Ta、MoO、WO、MnO等の遷移金属酸化物を用いることができる。 After the partition wall 103 is formed, the hole transport layer 104 can be formed. In the case where an inorganic compound is used as the hole transport material of the hole transport layer 104 according to the embodiment of the present invention, Cu 2 O, Cr 2 O 3 , Mn 2 O 3 , FeOx (x to 0.1) are used as the inorganic compound. ), Transition metals such as NiO, CoO, Pr 2 O 3 , Ag 2 O, MoO 2 , ZnO, TiO 2 , V 2 O 5 , Nb 2 O 5 , Ta 2 O 5 , MoO 3 , WO 3 , MnO 2 An oxide can be used.

正孔輸送層104の形成方法としては、材料に応じて、物理気相成長法(PVD法(Physical Vapor Deposition))である抵抗加熱蒸着法、電子ビーム蒸着法、イオンプレーティング法、スパッタリング法などを用いることができ、前記方法の成膜時に反応性ガスまたは反応性イオンを導入することにより、好適に形成することができる。これらの導入方法としては、例えばスパッタリング法の場合、通常スパッタリング時には不活性ガス配管に反応性ガスの配管が繋がるようにしてガスを混合し同時にチャンバに導入するか、別配管によりそれぞれ単体でチャンバに導入を行う。抵抗加熱蒸着法の場合は、チャンバ内にイオンビーム銃を設置し、イオンビーム銃で反応性ガスを反応性イオンにして導入する方法もあるが本発明ではこれらに限定されるわけではない。以下、説明においては不活性ガスと反応性ガスまたは反応性イオンはともに一種類で示すが、二種類以上でも好適に用いることができる。   As a method for forming the hole transport layer 104, a resistance vapor deposition method such as a physical vapor deposition (PVD method), an electron beam deposition method, an ion plating method, a sputtering method, or the like is used depending on the material. And can be suitably formed by introducing a reactive gas or a reactive ion during the film formation of the method. As the introduction method, for example, in the case of sputtering, the gas is mixed and introduced into the chamber at the same time so that the reactive gas pipe is connected to the inert gas pipe at the time of sputtering, or separately into the chamber by separate pipes. Make an introduction. In the case of the resistance heating vapor deposition method, there is a method in which an ion beam gun is installed in a chamber and a reactive gas is introduced as reactive ions with the ion beam gun, but the present invention is not limited to these. Hereinafter, in the description, both the inert gas and the reactive gas or reactive ion are shown as one type, but two or more types can be suitably used.

図2に示すように、本発明の実施の形態に係るスパッタリング法を例とした場合の不活性ガス及び反応性ガスの導入比のグラフである。金属単体での仕事関数が画素電極102の仕事関数に近く、酸化物の仕事関数がインターレイヤ層105の仕事関数に近い場合、成膜開始時は不活性ガスにより金属膜を形成し、時間とともに反応性ガスを導入することで、画素電極102界面からのキャリア注入を行いやすく、インターレイヤ層105への輸送を効率的に行うことができる。画素電極102側から光を取り出す場合には、必要な透過率に応じて金属膜及び酸化膜の厚みを変えてもよく、また、正孔輸送層104の材料の仕事関数に応じて、酸化の方向を変え画素電極102側を金属酸化物としても好適に用いることができる。さらに、正孔注入層及び正孔輸送層104を多層化することによるコスト、別途の酸化室を設けて別プロセスで酸化させるためのコストを省くことができる。   As shown in FIG. 2, it is a graph of the introduction ratio of the inert gas and the reactive gas when the sputtering method according to the embodiment of the present invention is taken as an example. When the work function of a single metal is close to the work function of the pixel electrode 102 and the work function of the oxide is close to the work function of the interlayer layer 105, a metal film is formed with an inert gas at the start of film formation. By introducing the reactive gas, it is easy to inject carriers from the interface of the pixel electrode 102 and the transport to the interlayer layer 105 can be efficiently performed. In the case of extracting light from the pixel electrode 102 side, the thickness of the metal film and the oxide film may be changed according to the required transmittance, and the oxidation function may be changed according to the work function of the material of the hole transport layer 104. The pixel electrode 102 side can be suitably used as the metal oxide by changing the direction. Further, it is possible to save the cost due to multilayering of the hole injection layer and the hole transport layer 104 and the cost for providing a separate oxidation chamber and oxidizing it in a separate process.

正孔輸送層104形成後、インターレイヤ層105を形成することができる。本発明の実施の形態に係るインターレイヤ層105に用いる材料として、ポリビニルカルバゾール若しくはその誘導体、側鎖若しくは主鎖に芳香族アミンを有するポリアリーレン誘導体、アリールアミン誘導体、トリフェニルジアミン誘導体などの、芳香族アミンを含むポリマーなどが挙げられるが本発明ではこれらに限定されるわけではない。これらの材料は溶媒に溶解または分散させ、スピンコーター等を用いた各種塗布方法や凸版印刷方法を用いて形成される。またインターレイヤ層105の材料として無機材料を用いる場合、金属酸化物を真空蒸着法やスパッタリング法やCVD(Chemical Vapor Deposition)法を用いて形成することができる。インターレイヤ層105の無機材料は、遷移元素および典型元素を1種類以上含んだ無機化合物を用いることができる。   After the hole transport layer 104 is formed, the interlayer layer 105 can be formed. Examples of the material used for the interlayer 105 according to the embodiment of the present invention include polyvinyl carbazole or a derivative thereof, a polyarylene derivative having an aromatic amine in a side chain or a main chain, an arylamine derivative, a triphenyldiamine derivative, and the like. Examples thereof include polymers containing a group amine, but the present invention is not limited thereto. These materials are dissolved or dispersed in a solvent, and are formed using various coating methods using a spin coater or the like and letterpress printing methods. In the case where an inorganic material is used as the material of the interlayer layer 105, the metal oxide can be formed using a vacuum evaporation method, a sputtering method, or a CVD (Chemical Vapor Deposition) method. As the inorganic material of the interlayer layer 105, an inorganic compound containing at least one kind of transition element and typical element can be used.

インターレイヤ層105形成後、有機発光層106を形成することができる。本発明の実施の形態に係る有機発光層106は電流を流すことにより発光する層である。有機発光層106を形成する有機発光材料は、例えばクマリン系、ペリレン系、ピラン系、アンスロン系、ポルフィレン系、キナクリドン系、N,N’−ジアルキル置換キナクリドン系、ナフタルイミド系、N,N’−ジアリール置換ピロロピロール系、イリジウム錯体系などの発光性色素をポリスチレン、ポリメチルメタクリレート、ポリビニルカルバゾール等の高分子中に分散させたものや、ポリアリーレン系、ポリアリーレンビニレン系やポリフルオレン系の高分子材料が挙げられるが本発明ではこれらに限定されるわけではない。   After the formation of the interlayer layer 105, the organic light emitting layer 106 can be formed. The organic light emitting layer 106 according to the embodiment of the present invention is a layer that emits light when a current is passed. Examples of the organic light-emitting material forming the organic light-emitting layer 106 include coumarin-based, perylene-based, pyran-based, anthrone-based, porphyrin-based, quinacridone-based, N, N′-dialkyl-substituted quinacridone-based, naphthalimide-based, N, N′-. Diaryl-substituted pyrrolopyrrole, iridium complex, and other luminescent dyes dispersed in polymers such as polystyrene, polymethylmethacrylate, and polyvinylcarbazole, and polyarylene, polyarylene vinylene, and polyfluorene polymers Examples of the material include, but are not limited to, the present invention.

これらの有機発光材料は溶媒に溶解または安定に分散させ有機発光インキとなる。有機発光材料を溶解または分散する溶媒としては、トルエン、キシレン、アセトン、アニソール、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、シクロヘキサノンなどの単独またはこれらの混合溶媒が上げられる。中でもトルエン、キシレン、アニソールといった芳香族有機溶媒が有機発光材料の溶解性の面から好適である。また、有機発光インキには必要に応じて、界面活性剤、酸化防止剤、粘度調整剤、紫外線吸収剤等が添加されてもよい。   These organic light emitting materials are dissolved or stably dispersed in a solvent to form an organic light emitting ink. Examples of the solvent for dissolving or dispersing the organic light emitting material include toluene, xylene, acetone, anisole, methyl ethyl ketone, methyl isobutyl ketone, cyclohexanone, or a mixed solvent thereof. Among them, aromatic organic solvents such as toluene, xylene, and anisole are preferable from the viewpoint of the solubility of the organic light emitting material. Moreover, surfactant, antioxidant, a viscosity modifier, a ultraviolet absorber, etc. may be added to organic luminescent ink as needed.

図3には、ステージ301上に画素電極102、隔壁103、正孔輸送層104及びインターレイヤ層105を有する被印刷基板302を配置して、被印刷基板302上に有機発光材料からなる有機発光インキをパターン印刷する際の凸版印刷装置300の概略図を示す。本発明の実施の形態に係る凸版印刷装置300は、インクタンク303と、インキチャンバ304と、アニロックスロール305と、凸版が設けられた版307がマウントされた版銅308と、ドクタ306とを有している。インクタンク303には、溶剤で希釈された有機発光インキが収容されており、インキチャンバ304にはインクタンク303より有機発光インキが送り込まれるようになっている。アニロックスロール305はインキチャンバ304のインキ供給部に接して回転可能に指示されている。   In FIG. 3, a printing substrate 302 having a pixel electrode 102, a partition wall 103, a hole transport layer 104, and an interlayer layer 105 is disposed on a stage 301, and organic light emission made of an organic light emitting material is formed on the printing substrate 302. The schematic of the relief printing apparatus 300 at the time of carrying out pattern printing of ink is shown. The relief printing apparatus 300 according to the embodiment of the present invention includes an ink tank 303, an ink chamber 304, an anilox roll 305, a plate copper 308 on which a plate 307 provided with a relief plate is mounted, and a doctor 306. doing. The ink tank 303 contains organic luminescent ink diluted with a solvent, and the organic luminescent ink is fed into the ink chamber 304 from the ink tank 303. The anilox roll 305 is instructed to rotate in contact with the ink supply unit of the ink chamber 304.

アニロックスロール305の回転に伴い、アニロックスロール305表面に供給された有機発光インキのインキ層309はドクタ306により均一な膜厚に形成される。このインキ層309のインキはアニロックスロール305に近接して回転駆動される版胴308にマウントされた凸版307の凸部に転移する。ステージ301には、画素電極102、正孔輸送層104及びインターレイヤ層105が形成された被印刷基板302が設置されており、版307の凸部にあるインキは被印刷基板302に対して印刷され、必要に応じて乾燥工程を経て被印刷基板302上に有機発光媒体層110が形成される。   As the anilox roll 305 rotates, the ink layer 309 of the organic light emitting ink supplied to the surface of the anilox roll 305 is formed with a uniform film thickness by the doctor 306. The ink of the ink layer 309 is transferred to the convex portion of the relief plate 307 mounted on the plate cylinder 308 that is driven to rotate in the vicinity of the anilox roll 305. The stage 301 is provided with a printing substrate 302 on which the pixel electrode 102, the hole transport layer 104, and the interlayer layer 105 are formed. The ink on the convex portion of the plate 307 is printed on the printing substrate 302. Then, if necessary, the organic light emitting medium layer 110 is formed on the substrate to be printed 302 through a drying process.

本発明の実施の形態に係る第二電極である対向電極107を形成することができる。対向電極107を陰極とする場合には有機発光媒体層110への電子注入効率の高い、仕事関数の低い物質を用いることができる。   The counter electrode 107 which is the second electrode according to the embodiment of the present invention can be formed. When the counter electrode 107 is used as a cathode, a substance having a high electron injection efficiency into the organic light emitting medium layer 110 and a low work function can be used.

対向電極107の具体的な材料にはMg、Al、Yb等の金属単体を用いたり、有機発光媒体層110と接する界面にLiや酸化Li、LiF等の化合物を1nm程度挟んで、安定性・導電性の高いAlやCuを積層して用いたりしてもよい。または電子注入効率と安定性とを両立させるため、仕事関数が低いLi、Mg、Ca、Sr、La、Ce、Er、Eu、Sc、Y、Yb等の金属1種以上と、安定なAg、Al、Cu等の金属元素との合金系を用いてもよい。具体的にはMgAg、AlLi、CuLi等の合金を使用することができる。   As a specific material of the counter electrode 107, a single metal such as Mg, Al, Yb is used, or a compound such as Li, Li oxide, LiF or the like is sandwiched about 1 nm at the interface in contact with the organic light emitting medium layer 110. Al or Cu having high conductivity may be laminated and used. Alternatively, in order to achieve both electron injection efficiency and stability, one or more metals such as Li, Mg, Ca, Sr, La, Ce, Er, Eu, Sc, Y, and Yb having a low work function and stable Ag, An alloy system with a metal element such as Al or Cu may be used. Specifically, alloys such as MgAg, AlLi, and CuLi can be used.

対向電極107の形成方法は、材料に応じて、抵抗加熱蒸着法、電子ビーム蒸着法、反応性蒸着法、イオンプレーティング法、スパッタリング法を用いることができるが本発明ではこれらに限定されるわけではない。   The method of forming the counter electrode 107 can be a resistance heating vapor deposition method, an electron beam vapor deposition method, a reactive vapor deposition method, an ion plating method, or a sputtering method depending on the material, but is not limited to these in the present invention. is not.

有機電界発光表示装置100としては電極間(画素電極102と対向電極107との間)に発光材料を挟み、電流を流すことで発光させることができるが、有機発光材料は大気中の水分や酸素によって容易に劣化してしまうため通常は外部と遮断するための封止体111を設けることができる。封止体111は例えば封止材108上に封止樹脂109を設けて作製することができる。なお、図1には封止材108端部に封止樹脂109を形成したが、必要に応じて封止材108の片側全面に封止樹脂109を形成することができる。   The organic light emitting display device 100 can emit light by sandwiching a light emitting material between electrodes (between the pixel electrode 102 and the counter electrode 107) and passing an electric current. In general, a sealing body 111 for shielding from the outside can be provided. The sealing body 111 can be manufactured, for example, by providing a sealing resin 109 on a sealing material 108. In FIG. 1, the sealing resin 109 is formed at the end of the sealing material 108, but the sealing resin 109 can be formed on the entire surface of one side of the sealing material 108 as needed.

封止材108としては、水分や酸素の透過性が低い基材である必要がある。また、封止材108の材料の一例として、アルミナ(酸化アルミニウム)、窒化ケイ素、窒化ホウ素等のセラミックス、無アルカリガラス、アルカリガラス等のガラス、石英、耐湿性フィルムなどを挙げることができるが本発明ではこれらに限定されるわけではない。耐湿性フィルムの例として、プラスチック基材の両面にSiOxをCVD法で形成したフィルムや、透過性の小さいフィルムと吸水性のあるフィルムまたは吸水剤を塗布した重合体フィルムなどがあり、耐湿性フィルムの水蒸気透過率は、10−6g/m/day以下であることが好ましい。 The sealing material 108 needs to be a base material having low moisture and oxygen permeability. Examples of the material of the sealing material 108 include ceramics such as alumina (aluminum oxide), silicon nitride, and boron nitride, glass such as alkali-free glass and alkali glass, quartz, and moisture-resistant film. The invention is not limited to these. Examples of moisture-resistant films include films formed by CVD of SiOx on both sides of plastic substrates, films with low permeability and water-absorbing films, or polymer films coated with a water-absorbing agent. The water vapor transmission rate is preferably 10 −6 g / m 2 / day or less.

封止樹脂109の材料の一例として、エポキシ系樹脂、アクリル系樹脂、シリコーン樹脂などからなる光硬化型接着性樹脂、熱硬化型接着性樹脂、2液硬化型接着性樹脂や、エチレンエチルアクリレート(EEA)ポリマー等のアクリル系樹脂、エチレンビニルアセテート(EVA)等のビニル系樹脂、ポリアミド、合成ゴム等の熱可塑性樹脂や、ポリエチレンやポリプロピレンの酸変性物などの熱可塑性接着性樹脂を挙げることができる。   As an example of the material of the sealing resin 109, a photocurable adhesive resin, a thermosetting adhesive resin, a two-component curable adhesive resin made of epoxy resin, acrylic resin, silicone resin, or the like, or ethylene ethyl acrylate ( EEA) Acrylic resins such as polymers, vinyl resins such as ethylene vinyl acetate (EVA), thermoplastic resins such as polyamide and synthetic rubber, and thermoplastic adhesive resins such as acid-modified products of polyethylene and polypropylene. it can.

封止樹脂109を封止材108上に形成する方法の一例として、溶剤溶液法、押出ラミ法、溶融・ホットメルト法、カレンダー法、ノズル塗布法、スクリーン印刷法、真空ラミネート法、熱ロールラミネート法などを挙げることができるが本発明ではこれらに限定されるわけではない。必要に応じて吸湿性や吸酸素性を有する材料を含有させることもできる。封止材108上に形成する樹脂層の厚みは、封止する有機電界発光表示装置100の大きさや形状により任意に決定されるが、5μm〜500μm程度が望ましい。なお、ここでは封止材108上に封止樹脂109として形成したが直接有機電界発光表示装置100側に形成することができる。   As an example of a method for forming the sealing resin 109 on the sealing material 108, a solvent solution method, an extrusion lamination method, a melting / hot melt method, a calendar method, a nozzle coating method, a screen printing method, a vacuum laminating method, a hot roll laminating. However, the present invention is not limited to these. A material having a hygroscopic property or an oxygen absorbing property may be contained as necessary. The thickness of the resin layer formed on the sealing material 108 is arbitrarily determined depending on the size and shape of the organic electroluminescent display device 100 to be sealed, but is preferably about 5 μm to 500 μm. Although the sealing resin 109 is formed on the sealing material 108 here, it can be formed directly on the organic electroluminescent display device 100 side.

最後に、有機電界発光表示装置100と封止体111との貼り合わせを封止室で行う。封止体111を、封止材108と封止樹脂109との2層構造とし、封止樹脂109に熱可塑性樹脂を使用した場合は、加熱したロールで圧着のみ行うことが好ましい。   Finally, the organic electroluminescent display device 100 and the sealing body 111 are bonded together in a sealing chamber. In the case where the sealing body 111 has a two-layer structure of the sealing material 108 and the sealing resin 109 and a thermoplastic resin is used as the sealing resin 109, it is preferable to perform only pressure bonding with a heated roll.

封止樹脂109に熱硬化型接着樹脂を使用した場合は、加熱したロールで圧着した後、さらに硬化温度で加熱硬化を行うことが好ましい。光硬化性接着樹脂を使用した場合は、ロールで圧着した後、さらに光を照射することで硬化を行うことができる。   In the case where a thermosetting adhesive resin is used for the sealing resin 109, it is preferable to perform heat-curing at a curing temperature after pressure bonding with a heated roll. In the case where a photocurable adhesive resin is used, curing can be performed by further irradiating light after pressure bonding with a roll.

基板101上に設けられた画素電極102を備えたアクティブマトリクス基板101を用いた。基板101のサイズは対角5インチ(127mm)、画素数は320×240である。   An active matrix substrate 101 provided with a pixel electrode 102 provided on the substrate 101 was used. The size of the substrate 101 is 5 inches (127 mm) diagonal, and the number of pixels is 320 × 240.

基板101上に設けられている画素電極102の端部を被覆し画素を区画するような形状で隔壁103を形成した。隔壁103の形成は、日本ゼオン社製、商品名「ZWD6216−6」で表示される、ポジレジストを用いて、スピンコーター法にて基板101全面に膜厚2μmで形成した後、フォトリソグラフィ法を用いて幅40μmにパターニングして隔壁103を形成した。これによりサブピクセル数960×240ドット、0.12mm×0.36mmピッチ画素領域が区画された。   A partition wall 103 was formed so as to cover an end portion of the pixel electrode 102 provided on the substrate 101 and partition the pixel. The partition wall 103 is formed by forming a 2 μm-thick film on the entire surface of the substrate 101 by a spin coater method using a positive resist represented by a trade name “ZWD6216-6” manufactured by ZEON Corporation. A partition wall 103 was formed by patterning to a width of 40 μm. As a result, a pixel area of 960 × 240 dots and a pitch of 0.12 mm × 0.36 mm was defined.

画素電極102上に正孔輸送層104として、膜厚50nmの酸化モリブデンを、反応性スパッタリング法によりシャドーマスク法でパターン成膜した。ボトムエミッション構造のため、正孔輸送層104の透過率を考慮し、画素電極102界面から金属膜10nmと酸化膜40nmとなるように形成した。パターン領域は表示領域全面に成膜されるように120mm×100mmの開口のあるメタルマスクを用いて成膜を行った。   On the pixel electrode 102, molybdenum oxide having a film thickness of 50 nm was formed as a hole transport layer 104 by a reactive masking method using a shadow mask method. Due to the bottom emission structure, the metal film 10 nm and the oxide film 40 nm were formed from the interface of the pixel electrode 102 in consideration of the transmittance of the hole transport layer 104. The pattern region was formed using a metal mask having an opening of 120 mm × 100 mm so as to be formed on the entire display region.

その後、インターレイヤ層105の材料であるポリビニルカルバゾール誘導体を濃度0.5%になるようにトルエンに溶解させたインキを用いて、基板101上に形成された画素電極102、隔壁103及び正孔輸送層104を凸版印刷装置300の被印刷基板302としてセッティングし、隔壁103に挟まれた画素電極102上の正孔輸送層104の真上にそのラインパターンに合わせてインターレイヤ層105を凸版印刷法で印刷を行った。このとき300線/インチのアニロックスロール305及び感光性樹脂による凸版307を使用した。印刷、乾燥後のインターレイヤ層105の膜厚は10nmとなった。   After that, the pixel electrode 102, the partition wall 103, and the hole transport formed on the substrate 101 using an ink in which a polyvinyl carbazole derivative, which is a material of the interlayer layer 105, is dissolved in toluene so as to have a concentration of 0.5%. The layer 104 is set as the printing substrate 302 of the relief printing apparatus 300, and the interlayer 105 is formed by relief printing in accordance with the line pattern just above the hole transport layer 104 on the pixel electrode 102 sandwiched between the partition walls 103. The printing was done. At this time, an anilox roll 305 of 300 lines / inch and a relief printing plate 307 made of a photosensitive resin were used. The thickness of the interlayer layer 105 after printing and drying was 10 nm.

有機発光層106の有機発光材料であるポリフェニレンビニレン誘導体を濃度1%になるようにトルエンに溶解させた有機発光インキを用い、基板101上に形成された画素電極102、隔壁103、正孔輸送層104及びインターレイヤ層105を凸版印刷装置300の被印刷基板302としてセッティングし、隔壁103に挟まれたインターレイヤ層105の真上にそのラインパターンに合わせて有機発光層106を凸版印刷法で印刷を行った。このとき150線/インチのアニロックスロール305及び感光性樹脂による凸版307を使用した。印刷、乾燥後の有機発光媒体層110の膜厚は80nmとなった。   A pixel electrode 102, a partition wall 103, and a hole transport layer formed on the substrate 101 using an organic light emitting ink in which a polyphenylene vinylene derivative, which is an organic light emitting material of the organic light emitting layer 106, is dissolved in toluene so as to have a concentration of 1%. 104 and the interlayer layer 105 are set as the printing substrate 302 of the relief printing apparatus 300, and the organic light emitting layer 106 is printed by the relief printing method in accordance with the line pattern just above the interlayer layer 105 sandwiched between the partition walls 103. Went. At this time, an anilox roll 305 of 150 lines / inch and a relief printing plate 307 made of a photosensitive resin were used. The film thickness of the organic light emitting medium layer 110 after printing and drying was 80 nm.

その後、対向電極107として真空蒸着法でカルシウム膜を120mm×100mmの開口のあるメタルマスクを用いて膜厚10nmで成膜し、その後124mm×104mmの開口のあるメタルマスクを用いてアルミニウム膜を用いて膜厚150nmで成膜した。   Thereafter, a calcium film is formed as a counter electrode 107 with a film thickness of 10 nm by a vacuum evaporation method using a metal mask having an opening of 120 mm × 100 mm, and then an aluminum film is used using a metal mask having an opening of 124 mm × 104 mm. The film was formed with a film thickness of 150 nm.

その後、封止材108としてガラス板を用いて、発光領域全てをカバーするように載せ、約90℃で1時間接着剤を熱硬化して封止を行った。こうして得られた有機電界発光表示装置100を駆動したところ、輝度が7Vで100cd/m、発光効率が20mA/cmで11cd/Aの表示特性を得られ、輝度ムラもなく均一な発光状態であった。 Thereafter, a glass plate was used as the sealing material 108 so as to cover the entire light emitting region, and the adhesive was thermally cured at about 90 ° C. for 1 hour for sealing. When the organic electroluminescent display device 100 thus obtained was driven, display characteristics of 100 cd / m 2 at a luminance of 7 V, 11 cd / A at a luminous efficiency of 20 mA / cm 2 were obtained, and a uniform light emission state without luminance unevenness Met.

正孔輸送層104を成膜する前までは実施例1と同様の手順で作製し、正孔輸送層104として、膜厚50nmの酸化バナジウムを、反応性スパッタリング法によりシャドーマスク法でパターン成膜した。ボトムエミッション構造のため、正孔輸送層104の透過率を考慮し、画素電極102界面から金属膜15nmと酸化膜35nmとなるように形成した。その後インターレイヤ層105と有機発光層106と対向電極107と封止材108とは実施例1と同様の手順で作製した。   Before the formation of the hole transport layer 104, the same procedure as in Example 1 was performed. As the hole transport layer 104, vanadium oxide having a film thickness of 50 nm was formed into a pattern by a shadow mask method using a reactive sputtering method. did. Due to the bottom emission structure, the metal film 15 nm and the oxide film 35 nm are formed from the interface of the pixel electrode 102 in consideration of the transmittance of the hole transport layer 104. Thereafter, the interlayer layer 105, the organic light emitting layer 106, the counter electrode 107, and the sealing material 108 were produced in the same procedure as in Example 1.

こうして得られた有機電界発光表示装置100を駆動したところ、輝度が7Vで100cd/m、また、発光効率が20mA/cmで10cd/Aの表示特性を得られ輝度ムラもなく均一な発光状態であった。 When the organic electroluminescence display device 100 thus obtained was driven, the display characteristics of 100 cd / m 2 at a luminance of 7 V and 10 cd / A at a luminous efficiency of 20 mA / cm 2 were obtained, and uniform light emission was achieved. It was in a state.

[比較例1]
正孔輸送層104を成膜する前までは実施例1と同様の手順で作製し、正孔輸送層104としてPEDOT/PSS(ポリエチレンジオキシチオフェン/ポリスチレンスルフォン酸)をスピンコート法により50nmの厚さで成膜した。その後インターレイヤ層105と有機発光層110と対向電極107と封止材108とは実施例1と同様の手順で作製した。
[Comparative Example 1]
Before the formation of the hole transport layer 104, it was prepared in the same procedure as in Example 1, and PEDOT / PSS (polyethylenedioxythiophene / polystyrene sulfonic acid) was used as the hole transport layer 104 to a thickness of 50 nm by spin coating. A film was formed. Thereafter, the interlayer layer 105, the organic light emitting layer 110, the counter electrode 107, and the sealing material 108 were produced in the same procedure as in Example 1.

こうして得られた有機電界発光表示装置100を駆動したところ、輝度が8Vで100cd/m、発光効率が20mA/cmで8cd/Aの表示特性を得られ、輝度ムラもなく均一な発光状態であった。 When the organic electroluminescent display device 100 thus obtained was driven, a display characteristic of 100 cd / m 2 at a luminance of 8 V, a display characteristic of 8 cd / A at a luminous efficiency of 20 mA / cm 2 was obtained, and a uniform light emission state without luminance unevenness Met.

正孔輸送層104を無機化合物とし膜厚方向に対して組成比勾配を有することで、正孔注入を効率的に行い、高効率な有機電界発光表示装置100を得ることができた。   By using the hole transport layer 104 as an inorganic compound and having a composition ratio gradient in the film thickness direction, hole injection was efficiently performed, and a highly efficient organic electroluminescent display device 100 could be obtained.

作製した実施例1、実施例2及び比較例1を温度50℃、湿度90%の恒温高湿環境で加速試験を行った結果、1400時間経過で比較例1の発光面にダークスポットが発見されたが、実施例1及び実施例2については2000時間経過後もダークスポットが発生せず、表示不良のない有機電界発光表示装置100を得ることができた。   As a result of an accelerated test of the manufactured Example 1, Example 2 and Comparative Example 1 in a constant temperature and high humidity environment with a temperature of 50 ° C. and a humidity of 90%, dark spots were found on the light emitting surface of Comparative Example 1 after 1400 hours. However, in Example 1 and Example 2, the dark spot did not occur even after 2000 hours, and the organic electroluminescence display device 100 having no display defect could be obtained.

本発明の実施の形態に係る有機電界発光表示装置を示す概略断面図である。1 is a schematic cross-sectional view showing an organic light emitting display device according to an embodiment of the present invention. 本発明の実施の形態に係る正孔輸送層の形成条件の一例である。It is an example of the formation conditions of the positive hole transport layer which concerns on embodiment of this invention. 本発明の実施の形態に係る凸版印刷装置を示す概略断面図である。It is a schematic sectional drawing which shows the relief printing apparatus which concerns on embodiment of this invention.

符号の説明Explanation of symbols

100 有機電界発光表示装置
101 基板
102 画素電極
103 隔壁
104 正孔輸送層
105 インターレイヤ層
106 有機発光層
107 対向電極
108 封止材
109 封止樹脂
110 有機発光媒体層
111 封止体
300 凸版印刷装置
301 ステージ
302 被印刷基板
303 インキタンク
304 インキチャンバ
305 アニロックスロール
306 ドクタ
307 凸版
308 版胴
309 インキ層
DESCRIPTION OF SYMBOLS 100 Organic electroluminescent display apparatus 101 Substrate 102 Pixel electrode 103 Partition 104 Hole transport layer 105 Interlayer layer 106 Organic light emitting layer 107 Counter electrode 108 Sealing material 109 Sealing resin 110 Organic light emitting medium layer 111 Sealing body 300 Letterpress printing apparatus 301 Stage 302 Printed Substrate 303 Ink Tank 304 Ink Chamber 305 Anilox Roll 306 Doctor 307 Letterpress 308 Plate Cylinder 309 Ink Layer

Claims (3)

基板と、
前記基板上に形成された第一電極と、
前記第一電極上に形成された、遷移金属びその酸化物を有する正孔輸送層と前記正孔輸送層上に形成された有機発光層とを含む複数の層を有する有機発光媒体層と、
前記有機発光媒体層上に形成された第二電極と、を備え、
前記正孔輸送層は、膜厚方向に対して組成比勾配を有し、前記第一電極側が前記遷移金属であり、かつ前記有機発光層側が前記遷移金属の酸化物であり、
前記正孔輸送層は、前記第一電極側から前記有機発光層側にかけて仕事関数が高くなることを特徴とする有機電界発光表示装置。
A substrate,
A first electrode formed on the substrate;
Wherein formed on the first electrode, an organic light emitting medium layer having a plurality of layers including a hole transport layer and the hole to be formed transport layer organic light-emitting layer including an oxide of a transition metal benefactor,
A second electrode formed on the organic light emitting medium layer,
The hole transport layer has a composition ratio gradient with respect to the film thickness direction, the first electrode side is the transition metal , and the organic light emitting layer side is an oxide of the transition metal ,
The organic electroluminescent display device, wherein the hole transport layer has a work function that increases from the first electrode side to the organic light emitting layer side.
基板を準備し、
前記基板上に第一電極を形成し、
前記第一電極上に遷移金属びその酸化物を有して膜厚方向に対して組成比勾配を有する正孔輸送層と前記正孔輸送層上に形成された有機発光層とを含む複数の層を有する有機発光媒体層を形成し、
前記有機発光媒体層上に第二電極を形成し、
前記正孔輸送層を形成することは、成膜開始時において不活性ガスにより前記遷移金属を形成し、時間とともに反応性ガスを導入して前記遷移金属の酸化物を形成することを含み、
前記正孔輸送層は、前記第一電極側から前記有機発光層側にかけて仕事関数が高くなることを特徴とする有機電界発光表示装置の製造方法。
Prepare the board
Forming a first electrode on the substrate;
A plurality including a hole transport layer and the hole transport layer organic light-emitting layer formed on having a composition ratio gradient in the film thickness direction have a transition metal oxide patron on the first electrode Forming an organic light emitting medium layer having a layer;
Forming a second electrode on the organic light emitting medium layer;
Forming the hole transport layer includes forming the transition metal with an inert gas at the start of film formation, and introducing a reactive gas with time to form an oxide of the transition metal ,
The method for manufacturing an organic light emitting display device, wherein the hole transport layer has a work function that increases from the first electrode side to the organic light emitting layer side.
前記正孔輸送層は物理気相成長法を用いて形成することを特徴とする請求項2に記載の有機電界発光表示装置の製造方法。 3. The method of manufacturing an organic light emitting display device according to claim 2, wherein the hole transport layer is formed by physical vapor deposition.
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