JP2013211102A - Organic electroluminescent display panel and method of manufacturing the same - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は有機エレクトロルミネセンスディスプレイパネルおよびその製造方法に関するものである。 The present invention relates to an organic electroluminescent display panel and a method for manufacturing the same.
有機エレクトロルミネッセンス素子(以下、有機EL素子)は、二つの対向する電極の間に有機発光材料からなる有機発光層が形成され、両電極間に電圧を印加すると陽極から正孔、陰極から電子が注入され、有機発光層に電流が流れ、その正孔と電子が有機発光層で再結合することで発光させるものである。 In an organic electroluminescence element (hereinafter referred to as an organic EL element), an organic light emitting layer made of an organic light emitting material is formed between two opposing electrodes, and when voltage is applied between both electrodes, holes are transferred from the anode and electrons are transferred from the cathode. When injected, a current flows through the organic light emitting layer, and the holes and electrons recombine in the organic light emitting layer to emit light.
一般的に、ディスプレイパネル用の基板としては、パターニングされた感光性ポリイミドが発光画素を区画するように隔壁状に形成されているものを用いる。その際、隔壁パターンは陽極として成膜されている透明電極のエッジ部を覆うように形成される。 Generally, as a substrate for a display panel, a substrate in which a patterned photosensitive polyimide is formed in a partition shape so as to partition a light emitting pixel is used. At that time, the partition pattern is formed so as to cover the edge portion of the transparent electrode formed as an anode.
電極の間には、有機発光層以外にもキャリア注入層(キャリア輸送層とも呼ばれる)が形成される。キャリア注入層とは、電極から有機発光層へ電子を注入させる際に電子の注入量を制御、あるいは、もう一方の電極から有機発光層へ正孔が注入される際に正孔の注入量を制御するのに用いられる層で、電極と有機発光層の間に挿入される層を指す。電子注入層としては、キノリノール誘導体の金属錯体などの電子輸送性の有機物や、Ca、Baなどの仕事関数の比較的小さい例えばアルカリ金属などが用いられ、あるいはこれらの機能を持つ層を複数積層する場合もある。正孔注入層としては、TPD(トリフェニレンアミン系誘導体:特許文献1参照)、PEDOT:PSS(ポリチオフェンとポリスチレンスルホン酸の混合物:特許文献2参照)、あるいは無機材料の正孔輸送材料(特許文献3参照)が知られている。いずれにしても電極と発光層の間に挿入することにより、電子と正孔の注入量を制御することによって発光効率を上げる目的で挿入され、高性能な有機ELディスプレイパネルを得るためには必須である。 In addition to the organic light emitting layer, a carrier injection layer (also referred to as a carrier transport layer) is formed between the electrodes. The carrier injection layer controls the amount of injected electrons when electrons are injected from the electrode into the organic light emitting layer, or the amount of injected holes when holes are injected from the other electrode into the organic light emitting layer. A layer used to control and refers to a layer inserted between an electrode and an organic light emitting layer. As the electron injection layer, an electron transporting organic substance such as a metal complex of a quinolinol derivative or a relatively small work function such as Ca or Ba such as an alkali metal is used, or a plurality of layers having these functions are stacked. In some cases. As the hole injection layer, TPD (triphenyleneamine derivative: see Patent Document 1), PEDOT: PSS (mixture of polythiophene and polystyrenesulfonic acid: see Patent Document 2), or an inorganic hole transport material (Patent Document 3) See). In any case, it is necessary to obtain a high-performance organic EL display panel by inserting it between the electrode and the light-emitting layer in order to increase the luminous efficiency by controlling the injection amount of electrons and holes. It is.
次に、正孔キャリアを注入するための正孔注入層を成膜する方法として、ドライ成膜とウェット成膜法の2種類がある。ウェット成膜法を用いる場合、一般的に水に分散されたポリチオフェンの誘導体が用いられるが、水系インキは下地の影響を受けやすく均一にコーティングすることが非常に困難である。それに対してドライ成膜は、簡便に均一に全面コーティングが可能である。 Next, as a method for forming a hole injection layer for injecting hole carriers, there are two types of methods, dry film formation and wet film formation. When the wet film forming method is used, a polythiophene derivative dispersed in water is generally used. However, water-based inks are easily affected by the base and are extremely difficult to coat uniformly. In contrast, dry film formation enables simple and uniform coating of the entire surface.
有機発光層を形成する方法も同様に、ドライ成膜とウェット成膜法の2種類がある。均一な成膜が容易なドライ成膜である真空蒸着法を用いる場合、微細パターンのマスクを用いてパターニングする必要があり、大型基板や微細パターニングが非常に困難である。 Similarly, there are two methods for forming the organic light emitting layer: dry film formation and wet film formation. In the case of using a vacuum deposition method, which is a dry film formation that facilitates uniform film formation, it is necessary to perform patterning using a fine pattern mask, which makes it very difficult to use a large substrate or fine patterning.
そこで、最近では高分子材料を溶剤に溶かして塗工液にし、これをウェット成膜法で薄膜形成する方法が試みられるようになってきている。高分子材料の塗液を用いてウェット成膜法で有機発光層を含む発光媒体層を形成する場合の層構成は、陽極側から正孔注入層、インターレイヤーまたは正孔輸送層、有機発光層と積層する3層構成が一般的である。このとき、有機発光層をカラーパネル化するために赤(R)、緑(G)、青(B)のそれぞれの発光色をもつ有機発光材料を溶剤中に溶解または安定して分散してなる有機発光インキを用いて塗り分けることができる(特許文献4、5参照)。ウェット成膜を用いることで、微細パターンのマスクは必要なく、大型基板や微細パターンが容易に可能である。 Therefore, recently, a method of forming a thin film using a wet film forming method by dissolving a polymer material in a solvent to form a coating liquid has been tried. When a light emitting medium layer including an organic light emitting layer is formed by a wet film forming method using a coating material of a polymer material, the layer structure is a hole injection layer, an interlayer or a hole transport layer, an organic light emitting layer from the anode side. A three-layer structure is generally laminated. At this time, organic light emitting materials having respective emission colors of red (R), green (G), and blue (B) are dissolved or stably dispersed in a solvent to form an organic light emitting layer as a color panel. It can be applied separately using organic light emitting ink (see Patent Documents 4 and 5). By using wet film formation, a mask with a fine pattern is not necessary, and a large substrate or a fine pattern can be easily formed.
理想的にはRGBのそれぞれの発光層に対して異なるキャリア注入層を用いることで性能を引き出すことが可能であるが、量産プロセスにおいて工程が増えることと、高精細パターニングが困難であることから、キャリア注入層はRGB共通のベタ状の膜が形成されることが一般的である。 Ideally, it is possible to draw out performance by using different carrier injection layers for each of the RGB light emitting layers, but because the number of steps in the mass production process and high-definition patterning are difficult, The carrier injection layer is generally formed of a solid film common to RGB.
ところで、前述の有機EL素子においては、素子の厚さが非常に薄いという特徴を有しており、この特徴を活かして、いわゆる両面発光型の透明有機EL素子とすることが検討されている。これを応用したディスプレイは、非発光時は透明で、電流を流した際に発光するような特徴を持ち、車載用モニターや、広告、時計、照明、テレビ、など透明性を特徴としたディスプレイパネルとして注目されている。例えば特許文献6ではRGB3色の透明EL素子が重ねられたカラー表示装置が紹介されている。 By the way, the above-mentioned organic EL element has a feature that the thickness of the element is very thin. Taking advantage of this feature, a so-called double-sided light emitting type transparent organic EL element has been studied. A display that uses this is transparent when it is not emitting light, and emits light when an electric current is passed. It is a display panel featuring in-car monitors, transparency such as advertisements, watches, lighting, and televisions. It is attracting attention as. For example, Patent Document 6 introduces a color display device in which transparent EL elements of three RGB colors are superimposed.
前述したように透明有機EL素子では、発光性能も重要であるが、非発光時の透明性、即ち透過率が大きく、パターン、キャラクタが視認されないこと、即ち透過率が一定であることが表示領域b全面で求められる。特に、スイッチング素子であるTFTや、有機EL素子に用いられる陽極や陽極用の取り出し配線である、ITO(インジウムスズ複合酸化物)やインジウム亜鉛複合酸化物、亜鉛アルミニウム複合酸化物などの金属複合酸化物などは屈折率が大きく、ガラスや有機層界面で反射が生じるため干渉を起こし、配線部と非配線部での透過率の差を引き起こすことで、透明性に大きな影響を与える。 As described above, in the transparent organic EL element, the light emission performance is also important, but the non-light-emitting transparency, that is, the transmittance is large, the pattern and the character are not visually recognized, that is, the transmittance is constant. b Required on the entire surface. In particular, metal composite oxidation such as ITO (indium tin composite oxide), indium zinc composite oxide, and zinc aluminum composite oxide, which are TFTs that are switching elements, anodes used in organic EL elements, and lead-out wirings for anodes Objects and the like have a large refractive index and are reflected at the glass or organic layer interface, causing interference and causing a difference in transmittance between the wiring part and the non-wiring part, thereby greatly affecting the transparency.
特許文献7では、ガラス/透明電極界面での反射光が干渉することで特定の波長の光を変調する効果を用いているが、逆に言えば、これは透明電極がない領域と、透明電極を有する領域で透過率の波長分散に差が生じていることになり、非発光時の配線が目立ってしまい、透明性が悪いということを意味する。 In Patent Document 7, the effect of modulating light of a specific wavelength by interference of reflected light at the glass / transparent electrode interface is used. Conversely speaking, this is a region having no transparent electrode, and a transparent electrode. This means that there is a difference in the wavelength dispersion of the transmittance in the region having, and the wiring at the time of non-light emission becomes conspicuous, which means that the transparency is poor.
また、特許文献8では陽極の膜厚や屈折率、有機層の屈折率や膜厚を調整することで、白色光を有効に取り出す方法が開示されているが、同様に、非発光時の透過率の波長分散の差は大きくなってしまう。 Patent Document 8 discloses a method for effectively extracting white light by adjusting the film thickness and refractive index of the anode and the refractive index and film thickness of the organic layer. The difference in the chromatic dispersion of the rate becomes large.
このように、従来のいずれの技術でも、非発光時に陽極配線が目立ってしまい、透明性が悪いという課題があった。 As described above, any of the conventional techniques has a problem that the anode wiring is conspicuous at the time of non-light emission and the transparency is poor.
また、一般的に、陽極や陽極の取り出し配線など基板配線レイアウトの自由度向上を図るため、または、二重丸のように閉じたパターン内に別のパターンを発光させる場合に多層配線構造を用いるが、この場合も上記同様に従来の技術のみでは、透明性が悪いという課題があった。 In general, a multilayer wiring structure is used in order to improve the degree of freedom of substrate wiring layout such as anode and anode lead-out wiring, or when another pattern emits light within a closed pattern such as a double circle. However, in this case as well, the conventional technique alone has a problem of poor transparency.
本発明は、上述した従来技術の問題点を鑑みてなされたものであり、非発光時でも透明性を損なうことのない透明有機ELディスプレイパネルを提供することを目的とする。 The present invention has been made in view of the above-described problems of the prior art, and an object thereof is to provide a transparent organic EL display panel that does not impair the transparency even when light is not emitted.
上記課題を解決するためになされた第1の発明は、透明基板の上面に設けられた透明電極と、前記透明基板の上面で前記透明電極と隔てて設けられた透過率調整層と、前記透明基板の上面で前記透明電極の一部と前記透過率調整層を覆う層間絶縁層と、前記透明電極と前記透過率調整層と前記層間絶縁層の繰り返しよりなる多層配線構造と、前記多層配線構造の上面に設けられ、前記透明電極のいずれかと電気的に接触する透明画素電極と、前記多層配線構造の上面に前記透明画素電極と隔てて設けられた画素電極透過率調整層と、前記多層配線構造の上面で前記透明画素電極を区画する隔壁と、前記透明画素電極の上面に設けられ少なくとも有機発光層を含む発光媒体層と、前記発光媒体層の上面に設けられた透明対向電極と、を具備することを特徴とする。
また、第2の発明は、透明基板の上面に設けられた透明電極と、前記透明基板の上面で前記透明電極と隔たてて設けられた透過率調整層と、前記透明基板の上面で前記透明電極の一部と前記透過率調整層を覆う層間絶縁層と、前記層間絶縁層の上面に設けられ、前記透明電極と電気的に接触する透明画素電極と、前記層間絶縁層の上面で前記透明画素電極と隔たてて設けられた画素電極透過率調整層と、前記層間絶縁層の上面で前記透明画素電極を区画する隔壁と、前記透明画素電極の上面に設けられ少なくとも有機発光層を含む発光媒体層と、前記発光媒体層の上面に設けられた透明対向電極と、を具備することを特徴とする。
また、第3の発明は、前記透過率調整層と前記透明電極が同じ物質、または波長380nmから780nmの可視光領域で屈折率が前記透明電極の±10%以内、であることを特徴とする。
また、第4の発明は、前記透明電極と前記透過率調整層の間隔が、50μm以下であることを特徴とする。
また、第5の発明は、透明基板の上面に、透明電極と、前記透明電極と隔てられた透過率調整層と、を形成する工程と、前記透明基板の上面に、前記透明電極の一部と前記透過率調整層とを覆う層間絶縁層を形成する工程と、前記透明電極と前記透過率調整層と前記層間絶縁層との繰り返しよりなる多層配線構造を形成する工程と、前記多層配線構造の上面に、前記透明電極のいずれかと電気的に接触する透明画素電極と、前記透明画素電極と隔てられた画素電極透過率調整層と、を形成する工程と、前記多層配線構造の上面で前記透明画素電極を区画する隔壁を形成する工程と、前記透明画素電極の上面に、少なくとも有機発光層を含む発光媒体層を形成する工程と、前記発光媒体層の上面に透明対向電極を形成する工程と、を具備することを特徴とする。
また、第6の発明は、透明基板の上面に、透明電極と、前記透明電極と隔てられた透過率調整層と、を形成する工程と、前記透明基板の上面に、前記透明電極の一部と前記透過率調整層とを覆う層間絶縁層を形成する工程と、前記層間絶縁層の上面に、前記透明電極と電気的に接触する透明画素電極と、前記透明画素電極と隔てられた画素電極透過率調整層と、を形成する工程と、前記層間絶縁層の上面で前記透明画素電極を区画する隔壁を形成する工程と、前記透明画素電極の上面に、少なくとも有機発光層を含む発光媒体層を形成する工程と、前記発光媒体層の上面に透明対向電極を形成する工程と、を具備することを特徴とする。
A first invention made to solve the above problems includes a transparent electrode provided on an upper surface of a transparent substrate, a transmittance adjusting layer provided on the upper surface of the transparent substrate and separated from the transparent electrode, and the transparent An interlayer insulating layer covering a part of the transparent electrode and the transmittance adjusting layer on an upper surface of the substrate; a multilayer wiring structure including a repetition of the transparent electrode, the transmittance adjusting layer, and the interlayer insulating layer; and the multilayer wiring structure. A transparent pixel electrode that is in electrical contact with any one of the transparent electrodes, a pixel electrode transmittance adjustment layer that is provided on the upper surface of the multilayer wiring structure and spaced from the transparent pixel electrode, and the multilayer wiring A partition partitioning the transparent pixel electrode on the upper surface of the structure, a light emitting medium layer including at least an organic light emitting layer provided on the upper surface of the transparent pixel electrode, and a transparent counter electrode provided on the upper surface of the light emitting medium layer. Have And wherein the door.
According to a second aspect of the present invention, the transparent electrode provided on the upper surface of the transparent substrate, the transmittance adjusting layer provided on the upper surface of the transparent substrate and separated from the transparent electrode, and the upper surface of the transparent substrate An interlayer insulating layer covering a part of the transparent electrode and the transmittance adjusting layer, a transparent pixel electrode provided on the upper surface of the interlayer insulating layer and in electrical contact with the transparent electrode, and the upper surface of the interlayer insulating layer A pixel electrode transmittance adjusting layer provided at a distance from the transparent pixel electrode; a partition partitioning the transparent pixel electrode on an upper surface of the interlayer insulating layer; and at least an organic light emitting layer provided on the upper surface of the transparent pixel electrode. And a transparent counter electrode provided on the upper surface of the light emitting medium layer.
Further, the third invention is characterized in that the transmittance adjusting layer and the transparent electrode are the same substance, or the refractive index is within ± 10% of the transparent electrode in a visible light region having a wavelength of 380 nm to 780 nm. .
The fourth invention is characterized in that an interval between the transparent electrode and the transmittance adjusting layer is 50 μm or less.
According to a fifth aspect of the present invention, there is provided a step of forming a transparent electrode and a transmittance adjusting layer separated from the transparent electrode on the upper surface of the transparent substrate, and a part of the transparent electrode on the upper surface of the transparent substrate. Forming an interlayer insulating layer that covers the transmittance adjusting layer, forming a multilayer wiring structure including the transparent electrode, the transmittance adjusting layer, and the interlayer insulating layer, and the multilayer wiring structure Forming a transparent pixel electrode in electrical contact with any one of the transparent electrodes and a pixel electrode transmittance adjusting layer separated from the transparent pixel electrode on the upper surface of the multilayer wiring structure; Forming a partition wall for partitioning the transparent pixel electrode, forming a light emitting medium layer including at least an organic light emitting layer on the upper surface of the transparent pixel electrode, and forming a transparent counter electrode on the upper surface of the light emitting medium layer And The features.
According to a sixth aspect of the invention, there is provided a step of forming a transparent electrode and a transmittance adjusting layer separated from the transparent electrode on the upper surface of the transparent substrate, and a part of the transparent electrode on the upper surface of the transparent substrate. Forming an interlayer insulating layer that covers the transmittance adjusting layer, a transparent pixel electrode in electrical contact with the transparent electrode on the upper surface of the interlayer insulating layer, and a pixel electrode separated from the transparent pixel electrode A step of forming a transmittance adjusting layer, a step of forming a partition partitioning the transparent pixel electrode on the upper surface of the interlayer insulating layer, and a light emitting medium layer including at least an organic light emitting layer on the upper surface of the transparent pixel electrode And a step of forming a transparent counter electrode on the upper surface of the light emitting medium layer.
本発明によれば、非発光時でも透明性を損なうことのない透明有機ELディスプレイパネルを提供することができる。 According to the present invention, it is possible to provide a transparent organic EL display panel that does not impair the transparency even when no light is emitted.
図1は、本発明にかかる透明有機ELディスプレイパネルの平面模式図である。また、図2は、図1における画素Oの拡大図、図3は、図2におけるA―A’の断面模式図、図4は、図2におけるB―B’の断面模式図である。 FIG. 1 is a schematic plan view of a transparent organic EL display panel according to the present invention. 2 is an enlarged view of the pixel O in FIG. 1, FIG. 3 is a schematic cross-sectional view of A-A ′ in FIG. 2, and FIG. 4 is a schematic cross-sectional view of B-B ′ in FIG.
図1〜図4に示すように、本発明にかかる透明有機エレクトロルミネセンス(EL)ディスプレイパネルは、透明基板100の上面に設けられた透明電極(第一透明電極111、第二透明電極114)と、透明基板100の上面で透明電極と隔たてて設けられた透過率調整層(第一透過率調整層112、第二透過率調整層115)と、透明基板100の上面で透明電極の一部と透過率調整層を覆う層間絶縁層(第一層間絶縁層113、第二層間絶縁層116)と、透明電極と透過率調整層と層間絶縁層の繰り返しよりなる多層配線構造と、多層配線構造の上面に設けられ、透明電極のいずれかと電気的に接触する透明画素電極101と、多層配線構造の上面で透明画素電極101と隔たてて設けられる画素電極透過率調整層102と、多層配線構造の上面で透明画素電極を区画する隔壁103と、透明画素電極101の上面に設けられ少なくとも有機発光層123を含む発光媒体層120と、発光媒体層120の上面に設けられた透明対向電極104と、を具備する。なお、透明電極と透過率調整層と層間絶縁層の繰り返しよりなる多層配線構造を設けずに、透明電極と透過率調整層と層間絶縁層とを1組ずつ設けた構成としてもよい。
As shown in FIGS. 1 to 4, the transparent organic electroluminescence (EL) display panel according to the present invention includes transparent electrodes (first
図1〜図4に示す有機ELディスプレイパネルは、パッシブマトリックス駆動型の透明有機ELディスプレイパネルである。図1〜図4では、透明基板100上に形成された多層配線構造110と、透明画素電極101を陽極、これと対向するように形成された透明対向電極104を陰極とし、これに挟持された層を発光媒体層120としたが、透明画素電極101を陰極、透明対向電極104を陽極としてもよい。
The organic EL display panel shown in FIGS. 1 to 4 is a passive matrix drive type transparent organic EL display panel. 1 to 4, the
多層配線構造110は、透明基板100上に透明電極と、透明電極と隔たる透過率調整層と、透明電極上の一部と透過率調整層上に層間絶縁層とを基本とし、それら繰り返しの積層構造よりなる。多層配線構造とすることで、あるパターン内に別のパターンがあり、それらを独立に点灯させることが可能となり、パターンが多く複雑な場合でも配線レイアウトの自由度が増え単純化することができる。
The
本実施の形態では、多層配線構造の1形態として、第一透明電極111、第二透明電極114、透明画素電極101よりなる3層配線構造としたが、発光パターンやそれらの数に従い、適宜多層配線数を選択することが好ましい。
In the present embodiment, as one form of the multilayer wiring structure, a three-layer wiring structure including the first
3層配線構造では、透明基板100上に、第一透明電極111と、第一透明電極111と隔たり少なくとも表示領域bの略全面で第一透明電極111以外の領域に第一透過率調整層112が形成され、第一透明電極111上の一部を除く領域と第一透過率調整層112上とに形成される第一層間絶縁層113と、第一透明電極111と電気的に接触しないよう第一層間絶縁層113上の一部に形成された第二透明電極114と、第二透明電極114と隔たり少なくとも表示領域bの略全面で第二透明電極114以外の領域に第二透過率調整層115が形成され、第一層間絶縁層113上のうち第二透明電極114上の一部を除く領域と第二透過率調整層115上に第二層間絶縁層116が形成されている。
In the three-layer wiring structure, on the
さらに、第二層間絶縁層116上に透明画素電極101が形成され、透明画素電極101と隔たり、少なくとも表示領域b略全面で透明画素電極101以外の領域に画素電極透過率調整層102が形成されている。
Further, the
なお、第一透過率調整層112と、第二透過率調整層115と、画素電極透過率調整層102と、の形成箇所が、表示領域bの略全面である、とは、各透明電極と各透過率調整層とを隔てる領域を除く、という意味である。
The first transmittance adjusting layer 112, the second transmittance adjusting layer 115, and the pixel electrode
透明画素電極101はT、O、L、E、D、更にそれら文字発光パターンを囲む画素ごとに点灯、消灯を独立に制御するため、1画素ごとに区画されており、更にT、O、L、E、Dの透明画素電極101は、コンタクトホール107を介し第二透明電極114上に形成され電気的に接触し、文字を囲む画素の透明画素電極101は別のコンタクトホール107を介し第一透明電極111上に形成され電気的に接触している。透明画素電極101は、複数の画素を同時点灯させる場合など、複数の画素をまたがるよう形成されていてもよい。
The
隔壁103は、各画素の発光パターンに従って区画される。隔壁103は、表示領域b中、発光パターン以外の全面に形成されている。
The
透明対向電極104は、各画素の共通した電極として画素領域a上に形成される。
The
発光媒体層120は、発光に寄与する有機発光層123と、正孔を注入するキャリア注入層として正孔注入層121と、正孔を輸送するキャリア輸送層として正孔輸送層122、電子を注入するキャリア注入層として電子注入層124と、を少なくとも含んでいる。
The light emitting
なお、発光媒体層120としては、陰極と発光層の間に電子輸送層や正孔ブロック層(インターレイヤー)、陽極と発光層の間に電子ブロック層(インターレイヤー)等のキャリア注入層を必要に応じて適宜積層することができる。
The light emitting
外部駆動回路と接続するために、第一透明電極111と第二透明電極114とは表示領域bの外側にも取り出されているが、表示領域bの外側でコンタクト部を設けて、例えば抵抗の低い金属などの外部取り出し電極で中継しても良い。
In order to connect to the external drive circuit, the first
第一透明電極111、第二透明電極114、透明画素電極101などの透明電極と、第一透過率調整層112、第二透過率調整層115、画素電極透過率調整層102などの透過率調整層との間隔は小さい方が好ましいが、隣接画素間と独立に発光させるためには陽極同士は電気的に絶縁されていなければならず、陽極の膜厚以上、50μm以下であることが好ましい。より詳しくは、透明電極と透過率調整層との間隔は、3μmであると配線間隔はほとんど視認されることなく、好ましい。本発明では、透過率調整層を設けたことによって、表示領域bは全面均一の透過率となり良好な透明性を得ることができる。
Transparent electrodes such as the first
図1〜図4において、正孔注入層121は、画素領域aにパターン形成されているが表示領域bの全面を覆っても良い。表示領域bの全面を覆うことで、表示領域bでパターンが形成されている部分と、形成されていない部分の透過率差が小さくなり、パターンが視認されず高い透明性が得られる。また、図1〜図4において、正孔輸送層122は、正孔注入層121上の画素領域aにのみパターン形成されているが、正孔注入層121と同様に、表示領域bの全面を覆っても良い。
1 to 4, the
有機発光層123は、隔壁103の形状によって画素領域aに混色することなく形成することができる。また、パターン視認を避け、高い透明性を得るため混色しない程度、隣接画素間に形成されていても良い。その際、発光層パターン間隔は、50μm以下であることが好ましい。
The organic
さらには、有機EL素子を画素(サブピクセル)として配列することで、有機ELディスプレイパネルとすることができる。即ち、各画素を構成する有機発光層123を混色することなく、例えばRGBの3色に塗り分けることで、フルカラーの有機ELディスプレイパネルを作製することができる。
Furthermore, it can be set as an organic EL display panel by arranging an organic EL element as a pixel (sub pixel). That is, a full-color organic EL display panel can be produced by coating the organic
電子注入層124は、有機発光層123上の画素領域aに形成されているが、表示領域b全面を覆っていてもよく、さらには第二透明電極114と同様のパターンでもよい。
The
つづいて、本発明の有機ELディスプレイパネルの各構成部の形成方法および材料について説明する。
<透明基板>
透明基板100としては、透明性、機械的強度、絶縁性を有し、寸法安定性に優れていれば如何なる材料も使用することができる。例えば、ガラスや石英、ポリプロピレン、ポリエーテルサルフォン、ポリカーボネート、シクロオレフィンポリマー、ポリアリレート、ポリアミド、ポリメチルメタクリレート、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート等のプラスチックフィルムやシート、または、これらプラスチックフィルムやシートに酸化珪素、酸化アルミニウム等の金属酸化物や、弗化アルミニウム、弗化マグネシウム等の金属弗化物、窒化珪素、窒化アルミニウムなどの金属窒化物、酸窒化珪素などの金属酸窒化物、アクリル樹脂やエポキシ樹脂、シリコーン樹脂、ポリエステル樹脂などの高分子樹脂膜を単層もしくは積層させた透明基材、などを用いることができる。
It continues and the formation method and material of each structure part of the organic electroluminescent display panel of this invention are demonstrated.
<Transparent substrate>
Any material can be used as the
また、透明基板100には、有機ELディスプレイパネル内への水分の侵入を避けるために、無機膜を形成したり、フッ素樹脂を塗布したりして、防湿処理や疎水性処理を施してあることが好ましい。特に、発光媒体層120への水分の侵入を避けるために、透明基板100における含水率およびガス透過係数を小さくすることが好ましい。
In addition, the
<透明電極>
第一透明電極111、第二透明電極114、透明画素電極101など透明電極は、共通の材料、製造方法で適宜形成可能である。即ち、透明電極を成膜し、必要に応じてパターニングをおこなう。なお、透明画素電極101は、第一透明電極111、第二透明電極114等からなる多層配線構造の形成後に形成する。
<Transparent electrode>
Transparent electrodes such as the first
透明電極の材料としては、ITO(インジウムスズ複合酸化物)やインジウム亜鉛複合酸化物、亜鉛アルミニウム複合酸化物などの金属複合酸化物や、金、白金などの金属酸化物や金属材料の微粒子をエポキシ樹脂やアクリル樹脂などに分散した微粒子分散膜を、単層もしくは積層したものをいずれも使用することができる。 Transparent electrode materials include metal composite oxides such as ITO (indium tin composite oxide), indium zinc composite oxide, and zinc aluminum composite oxide, as well as metal oxides such as gold and platinum, and fine particles of metal materials. Either a single layer or a laminate of fine particle dispersed films dispersed in a resin or an acrylic resin can be used.
透明電極を陽極とする場合には、ITOなど仕事関数の高い材料を選択することが好ましい。透明電極の形成方法としては、材料に応じて、抵抗加熱蒸着法、電子ビーム蒸着法、反応性蒸着法、イオンプレーティング法、スパッタリング法などの乾式成膜法や、グラビア印刷法、スクリーン印刷法などの湿式成膜法などを用いることができる。画素電極のパターニング方法としては、材料や成膜方法に応じて、マスク蒸着法、フォトリソグラフィー法、ウェットエッチング法、ドライエッチング法などの既存のパターニング法を用いることができる。 When the transparent electrode is used as an anode, it is preferable to select a material having a high work function such as ITO. Depending on the material, the transparent electrode can be formed by a resistance heating vapor deposition method, an electron beam vapor deposition method, a reactive vapor deposition method, an ion plating method, a dry film formation method such as a sputtering method, a gravure printing method, or a screen printing method. A wet film forming method such as can be used. As a patterning method of the pixel electrode, an existing patterning method such as a mask vapor deposition method, a photolithography method, a wet etching method, or a dry etching method can be used depending on a material and a film forming method.
<透過率調整層>
第一透過率調整層112、第二透過率調整層115、画素電極透過率調整層102など透過率調整層は、対応する透明電極の形成後に形成する。透過率調整層の形成後は、層間絶縁層を形成する。透過率調整層の材料としては、透明電極と同じ物質、または波長350nmから780nmの可視光領域で屈折率が透明電極の±10%以内を満たす物質から適宜選択されることが好ましい。
<Transmittance adjustment layer>
The transmittance adjusting layers such as the first transmittance adjusting layer 112, the second transmittance adjusting layer 115, and the pixel electrode
例えば、第一透明電極111が屈折率2.0、消衰係数0のITO(インジウムスズ複合酸化物)の場合には、同物質であるITO(インジウムスズ複合酸化物)や、SiN、SiON、AlN、インジウム亜鉛複合酸化物、亜鉛アルミニウム複合酸化物などの金属複合酸化物などの無機化合物のうち、屈折率が1.8〜2.2である材料が好ましい。
For example, when the first
透過率調整層の形成方法としては、材料に応じて、抵抗加熱蒸着法、電子ビーム蒸着法、反応性蒸着法、イオンプレーティング法、スパッタリング法などの乾式成膜法や、グラビア印刷法、スクリーン印刷法などの湿式成膜法などを用いることができる。パターニング方法としては、材料や成膜方法に応じて、マスク蒸着法、フォトリソグラフィー法、ウェットエッチング法、ドライエッチング法などの既存のパターニング法を用いることができる。 As a method of forming the transmittance adjusting layer, depending on the material, dry film forming methods such as resistance heating evaporation method, electron beam evaporation method, reactive evaporation method, ion plating method, sputtering method, gravure printing method, screen A wet film forming method such as a printing method can be used. As a patterning method, an existing patterning method such as a mask vapor deposition method, a photolithography method, a wet etching method, or a dry etching method can be used depending on a material and a film forming method.
これら、第一透明電極111および陽極取出し用基板配線が透過率調整層と同一材料である場合は、簡便に、かつ良好な透明性を得ることができる。即ち、材料や成膜方法に応じて、マスク蒸着法、フォトリソグラフィー法、ウェットエッチング法、ドライエッチング法などの既存のパターニング法を用いて同時に形成することが好ましい。
When the first
特に、複数の画素領域aがある場合、第一透明電極111と透過率調整層は互いに電気的に絶縁されている必要があるが、均一な透過率を得るためには第一透明電極111と透過率調整層の間隔は小さい方が好ましい。特に、上記間隔が50μm以下だと目視では殆ど認識できないため、全面均一で良好な透明性を得ることができる。更に好ましくは、上記間隔が3μmから10μmの範囲だと、隙間の視認は不可能である。
In particular, when there are a plurality of pixel regions a, the first
マスク蒸着法は、マスクサイズや、スパッタなどの成膜方法、成膜条件によってはパターンボケが生じるため、上記のような高精細パターニングとしては、フォトリソグラフィー法、ウェットエッチング法、ドライエッチング法がより好ましい。 The mask vapor deposition method causes pattern blurring depending on the mask size, the film formation method such as sputtering, and the film formation conditions. Therefore, the photolithography method, the wet etching method, and the dry etching method are more suitable for the above high-definition patterning. preferable.
<隔壁>
隔壁103は、画素に対応した画素領域aを区画するように形成する。隔壁103は、透明画素電極101の端部を覆うように形成するのが好ましい。隔壁103の形成は、透明画素電極101および画素電極透過率調整層102の形成後におこなう。また、隔壁103の形成後は、少なくとも有機発光層123を含む発光媒体層120を形成する。
<Partition wall>
The
隔壁103の材料成分およびその組成について説明する。本発明の隔壁103に用いる感光性組成物(以下、単に「感光性組成物」という場合がある)は、少なくとも、(A)成分;エチレン性不飽和化合物、(B)成分;光重合開始剤、および(C)成分;アルカリ可溶性バインダー、を含有する。通常は、さらに界面活性剤などを含有することが好ましく、溶剤も含有する。
The material component of the
隔壁103の形成方法としては、従来と同様、基体上に無機膜を一様に形成し、レジストでマスキングした後、ドライエッチングをおこなう方法や、基体上に感光性樹脂を積層し、フォトリソ法により所定のパターンとする方法が挙げられる。
As in the conventional method, the
隔壁103の好ましい高さは0.1μm〜10μmであり、より好ましくは0.5μm〜2μm程度である。高すぎると第二透明電極114の形成および封止を妨げ、透明性を低下させ、低すぎると画素電極の端部を覆い切れない、あるいは発光媒体層120形成時に隣接する画素と混色してしまうからである。
A preferable height of the
<正孔注入層>
正孔注入層121の材料は任意であるが、画素間の短絡を妨げるために抵抗率は104Ω・cm以上であることが好ましい。また、隔壁103の形状に段差を設けることで正孔注入層121の膜厚に変化をつけて画素間の短絡を抑制しても良い。正孔注入層121の材料としては、例えば、Cu2O,Cr2O3,Mn2O3,FeOx,NiO,CoO,Pr2O3,Ag2O,MoO2,Bi2O3、ZnO,TiO2,SnO2,ThO2,V2O5,Nb2O5,Ta2O5,MoO3,WO3,MnO2等の遷移金属酸化物およびこれらの窒化物、硫化物を一種以上含んだ無機化合物や、ポリアニリン誘導体、オリゴアニリン誘導体、キノンジイミン誘導体、ポリチオフェン誘導体、ポリビニルカルバゾール(PVK)誘導体、ポリ(3,4−エチレンジオキシチオフェン)(PEDOT)、ピロール誘導体、芳香族アミン、(トリフェニルアミン)ダイマー誘導体(TPD)、(α−ナフチルジフェニルアミン)ダイマー(α−NPD)、[(トリフェニルアミン)ダイマー]スピロダイマー(Spiro−TAD)等のトリアリールアミン類、4,4',4''−トリス[3−メチルフェニル(フェニル)アミノ]トリフェニルアミン(m−MTDATA)、4,4',4''−トリス[1−ナフチル(フェニル)アミノ]トリフェニルアミン(1−TNATA)等のスターバーストアミン類および5,5'−α−ビス−{4−[ビス(4−メチルフェニル)アミノ]フェニル}−2,2':5',2'−α−ターチオフェン(BMA−3T)等のオリゴチオフェン類、芳香族アミン含有高分子、芳香族ジアミン含有高分子、フルオレン含有芳香族アミン高分子、トリアゾール系、オキサゾール系、オキサジアゾール系、シロール系、ボロン系、などの有機材料が挙げられる。また、無機材料は、耐熱性および電気化学的安定性に優れている材料が多いため好ましい。これらは単層もしくは複数の層の積層構造、または混合層として形成することができる。
<Hole injection layer>
The material of the
正孔注入層121の形成法としては、材料に応じて、抵抗加熱蒸着法、電子ビーム蒸着法、反応性蒸着法、イオンプレーティング法、スパッタリング法などのドライ成膜法や、スピンコート法、ゾルゲル法、インクジェット法、ノズルプリント法、凸版印刷法、スリットコート法、バーコート法などのウェット成膜法など既存の成膜法を用いることができるが本発明ではこれらに限定されず、一般的な成膜法を用いることができる。
As a method for forming the
正孔注入層121の膜厚は、20nm以上、100nm以下であることが好ましい。20nmより小さくなると、ショート欠陥が生じやすくなり、100nm以上になると高抵抗化により低電流化してしまう。
The thickness of the
<インターレイヤー>
インターレイヤーを形成する場合は、正孔注入層121を形成後に形成する。本実施の形態では、全面に形成した正孔注入層121上にライン状に正孔輸送層122をパターン形成したが、正孔注入層121上にインターレイヤーを全面形成してもよい。
<Interlayer>
In the case of forming an interlayer, it is formed after the
インターレイヤーに用いられる材料としては、ポリアニリン誘導体、オリゴアニリン誘導体、キノンジイミン誘導体、ポリチオフェン誘導体、ポリビニルカルバゾール(PVK)誘導体、ポリ(3,4−エチレンジオキシチオフェン)(PEDOT)、ピロール誘導体、芳香族アミン、(トリフェニルアミン)ダイマー誘導体(TPD)、(α−ナフチルジフェニルアミン)ダイマー(α−NPD)、[(トリフェニルアミン)ダイマー]スピロダイマー(Spiro−TAD)等のトリアリールアミン類、4,4',4''−トリス[3−メチルフェニル(フェニル)アミノ]トリフェニルアミン(m−MTDATA)、4,4',4''−トリス[1−ナフチル(フェニル)アミノ]トリフェニルアミン(1−TNATA)等のスターバーストアミン類および5,5'−α−ビス−{4−[ビス(4−メチルフェニル)アミノ]フェニル}−2,2':5',2'−α−ターチオフェン(BMA−3T)等のオリゴチオフェン類、芳香族アミン含有高分子、芳香族ジアミン含有高分子、フルオレン含有芳香族アミン高分子、トリアゾール系、オキサゾール系、オキサジアゾール系、シロール系、ボロン系、などの有機材料が挙げられる。 Materials used for the interlayer include polyaniline derivatives, oligoaniline derivatives, quinonediimine derivatives, polythiophene derivatives, polyvinylcarbazole (PVK) derivatives, poly (3,4-ethylenedioxythiophene) (PEDOT), pyrrole derivatives, aromatic amines Triarylamines such as (triphenylamine) dimer derivative (TPD), (α-naphthyldiphenylamine) dimer (α-NPD), [(triphenylamine) dimer] spirodimer (Spiro-TAD), 4,4 ', 4 ″ -tris [3-methylphenyl (phenyl) amino] triphenylamine (m-MTDATA), 4,4 ′, 4 ″ -tris [1-naphthyl (phenyl) amino] triphenylamine (1 -Starburst amino such as -TNATA) And 5,5′-α-bis- {4- [bis (4-methylphenyl) amino] phenyl} -2,2 ′: 5 ′, 2′-α-terthiophene (BMA-3T), etc. Examples include oligothiophenes, aromatic amine-containing polymers, aromatic diamine-containing polymers, fluorene-containing aromatic amine polymers, triazole-based, oxazole-based, oxadiazole-based, silole-based, and boron-based organic materials. .
インターレイヤーの形成法としては、材料に応じて、抵抗加熱蒸着法、電子ビーム蒸着法、反応性蒸着法、イオンプレーティング法、スパッタリング法などのドライ成膜法や、スピンコート法、ゾルゲル法、インクジェット法、ノズルプリント法、凸版印刷法、スリットコート法、バーコート法などのウェット成膜法など既存の成膜法を用いることができるが本発明ではこれらに限定されず、一般的な成膜法を用いることができる。 As a method for forming an interlayer, depending on the material, a resistance heating vapor deposition method, an electron beam vapor deposition method, a reactive vapor deposition method, an ion plating method, a dry film formation method such as a sputtering method, a spin coating method, a sol-gel method, Existing film forming methods such as an ink jet method, a nozzle printing method, a relief printing method, a slit coating method, and a wet film forming method such as a bar coating method can be used. Can be used.
<有機発光層>
有機発光層123は、正孔輸送層122を形成後に形成する。有機発光層123は、正孔と電子を再結合させることで発光する層であり、有機発光層123から放出される表示光が単色の場合、インターレイヤーを被覆するように形成するが、多色の表示光を得るには必要に応じてパターニングをおこなうことにより好適に用いることができる。
<Organic light emitting layer>
The organic
有機発光層123を形成する有機発光材料としては、例えばクマリン系、ペリレン系、ピラン系、アンスロン系、ポルフィレン系、キナクリドン系、N,N’−ジアルキル置換キナクリドン系、ナフタルイミド系、N,N’−ジアリール置換ピロロピロール系、イリジウム錯体系などの発光性色素をポリスチレン、ポリメチルメタクリレート、ポリビニルカルバゾール等の高分子中に分散させたものや、ポリアリーレン系、ポリアリーレンビニレン系やポリフルオレン系の高分子材料などが挙げられるが、本発明ではこれらに限定されるわけではない。
Examples of the organic light emitting material for forming the organic
これらの有機発光材料は、溶媒に溶解または安定に分散させ有機発光インキとなる。有機発光材料を溶解または分散する溶媒としては、トルエン、キシレン、アセトン、アニソール、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、シクロヘキサノンなどの単独またはこれらの混合溶媒が上げられる。中でもトルエン、キシレン、アニソールといった芳香族有機溶媒が有機発光材料の溶解性の面から好適である。また、有機発光インキには必要に応じて、界面活性剤、酸化防止剤、粘度調整剤、紫外線吸収剤等が添加されてもよい。 These organic light emitting materials are dissolved or stably dispersed in a solvent to form an organic light emitting ink. Examples of the solvent for dissolving or dispersing the organic light emitting material include toluene, xylene, acetone, anisole, methyl ethyl ketone, methyl isobutyl ketone, cyclohexanone, or a mixed solvent thereof. Among them, aromatic organic solvents such as toluene, xylene, and anisole are preferable from the viewpoint of the solubility of the organic light emitting material. Moreover, surfactant, antioxidant, a viscosity modifier, a ultraviolet absorber, etc. may be added to organic luminescent ink as needed.
上述した高分子材料に加え、9,10−ジアリールアントラセン誘導体、ピレン、コロネン、ペリレン、ルブレン、1,1,4,4−テトラフェニルブタジエン、トリス(8−キノラート)アルミニウム錯体、トリス(4−メチル−8−キノラート)アルミニウム錯体、ビス(8−キノラート)亜鉛錯体、トリス(4−メチル−5−トリフルオロメチル−8−キノラート)アルミニウム錯体、トリス(4−メチル−5−シアノ−8−キノラート)アルミニウム錯体、ビス(2−メチル−5−トリフルオロメチル−8−キノリノラート)[4−(4−シアノフェニル)フェノラート]アルミニウム錯体、ビス(2−メチル−5−シアノ−8−キノリノラート)[4−(4−シアノフェニル)フェノラート]アルミニウム錯体、トリス(8−キノリノラート)スカンジウム錯体、ビス[8−(パラ−トシル)アミノキノリン]亜鉛錯体およびカドミウム錯体、1,2,3,4−テトラフェニルシクロペンタジエン、ポリ−2,5−ジヘプチルオキシ−パラ−フェニレンビニレンなどの低分子系発光材料が使用できる。 In addition to the polymer materials described above, 9,10-diarylanthracene derivatives, pyrene, coronene, perylene, rubrene, 1,1,4,4-tetraphenylbutadiene, tris (8-quinolato) aluminum complex, tris (4-methyl) -8-quinolate) aluminum complex, bis (8-quinolate) zinc complex, tris (4-methyl-5-trifluoromethyl-8-quinolate) aluminum complex, tris (4-methyl-5-cyano-8-quinolate) Aluminum complex, bis (2-methyl-5-trifluoromethyl-8-quinolinolato) [4- (4-cyanophenyl) phenolate] aluminum complex, bis (2-methyl-5-cyano-8-quinolinolato) [4- (4-Cyanophenyl) phenolate] aluminum complex, tris (8-quino) Norato) scandium complex, bis [8- (para-tosyl) aminoquinoline] zinc complex and cadmium complex, 1,2,3,4-tetraphenylcyclopentadiene, poly-2,5-diheptyloxy-para-phenylene vinylene A low molecular weight light emitting material such as can be used.
有機発光層123の形成法としては、材料に応じて、インクジェット印刷法、ノズルプリント印刷法、凸版印刷法、グラビア印刷法、スクリーン印刷法などのウェット成膜法など既存の成膜法を用いることができ、本発明ではこれらに限定されるわけではないが、特に有機発光材料を溶媒に溶解または安定に分散させた有機発光インキを用いて発光層を各発光色に塗り分ける場合には、隔壁103間にインキを転写してパターニングできるインクジェット法、ノズルプリント法、凸版印刷法が好適である。
As a method for forming the organic
<発光媒体層120の形成方法>
発光媒体層120を凸版印刷法で形成する場合を下記に示す。
図5は、発光媒体層120を形成するための凸版印刷装置600の概略図である。凸版印刷装置600は、有機発光材料からなる有機発光インキを、透明画素電極101、正孔注入層121、正孔輸送層122が形成された被印刷基板602上にパターン印刷する。凸版印刷装置600は、インクタンク603と、インキチャンバー604と、アニロックスロール605と、凸版が設けられた版607がマウントされた版胴608と、を有している。インクタンク603には、溶剤で希釈された有機発光インキが収容されており、インキチャンバー604にはインクタンクより有機発光インキが送り込まれるようになっている。アニロックスロール605はインキチャンバー604のインキ供給部に接して回転可能に指示されている。
<Method for Forming Light-Emitting
A case where the light emitting
FIG. 5 is a schematic diagram of a
アニロックスロール605の回転に伴い、アニロックスロール表面に供給された有機発光インキのインキ層609は均一な膜厚に形成される。このインキ層のインキはアニロックスロールに近接して回転駆動される版胴608にマウントされた版607の凸部に転移する。ステージ601には、被印刷基板602が設置され、版607の凸部にあるインキが被印刷基板602に対して印刷され、必要に応じて乾燥工程を経て被印刷基板上に有機発光層123が形成される。他の発光媒体層120をインキ化して塗工する場合についても同様に上記形成法を用いて形成することができる。
As the
<電子注入層>
電子注入層124は、有機発光層123を形成後に形成する。電子注入層124に用いる材料としては、トリアゾール系、オキサゾール系、オキサジアゾール系、シロール系、ボロン系等の低分子系材料、フッ化リチウムや酸化リチウム、フッ化ナトリウム等のアルカリ金属やアルカリ土類金属の塩や酸化物等を用いて真空蒸着法による成膜が可能である。
<Electron injection layer>
The
<透明対向電極>
透明対向電極104は、電子注入層124(発光媒体層120)の形成後に形成する。透明対向電極104の材料、形成法方法は透明電極と同様であるが、透明対向電極104を陰極とする場合には、有機発光層123への電子注入効率の高い、仕事関数の低い物質を併用する。具体的にはMg,Al,Yb等の金属単体を用いたり、発光媒体層120と接する界面にLiや酸化Li,LiF等の化合物を1nm程度挟んで、安定性・導電性の高いAlやCuを積層して用いてもよい。または電子注入効率と安定性を両立させるため、仕事関数が低いLi,Mg,Ca,Sr,La,Ce,Er,Eu,Sc,Y,Yb等の金属1種以上と、安定なAg,Al,Cu等の金属元素との合金系を用いてもよい。具体的にはMgAg,AlLi,CuLi等の合金が使用できるが、いずれも透明性を得るためには10nm以下の極薄膜である必要がある。
<Transparent counter electrode>
The
有機ELディスプレイパネルとしては、電極間に発光材料を挟み、電流を流すことで発光させることが可能であるが、有機発光材料は大気中の水分や酸素によって容易に劣化してしまうため通常は外部と遮断するための保護層105や封止体106を設ける。
As an organic EL display panel, it is possible to emit light by sandwiching a light emitting material between electrodes and passing an electric current. However, since an organic light emitting material is easily deteriorated by moisture and oxygen in the atmosphere, it is usually external. A
<保護層>
保護層105としては、大気中の水分や酸素に対する浸透率が低いなどバリア性が高く、透過率が大きく透明性の高い材料であれば任意であるが、炭素含有窒化シリコン(SiNxCy)が好ましい。特に、保護層105中の炭素量は連続的に変化している膜を用いる。炭素量を変化させることにより、炭素含有量の多い膜は柔らかく、カバレッジおよび密着性に優れた膜となり、炭素含有量の少ない膜は密度が高くバリア性の高い膜となる。炭素の量はSiを1としたときに炭素の量の比が1.0未満であることが望ましい。これは炭素量が1.0以上となると膜が着色したり、脆くなることがあるためである。好ましくは、この組成が変化する層が複数回繰り返すほうがよい。複数回繰り返すことによって1層のみでは覆うことのできなかった突起をカバーすることができ、また、1層目で発生したクラックを緩和する効果が期待され、よりバリア性の高い膜となる。
<Protective layer>
The
本発明の好適な形態においては、保護層105を構成する炭素含有窒化シリコン(SiNxCy)に含まれる窒素および炭素の量が、1.0≦x≦1.4、0.2≦y≦0.4の範囲である層と0.4≦x<1.0、0.4<y<1.0の範囲である層とを備えていることが好ましい。この形態によって、応力緩和性、基板表面への付着性、および良好なガスバリア特性を両立することができるとともに、素子の保護特性を向上させることができる。
In a preferred embodiment of the present invention, the amounts of nitrogen and carbon contained in the carbon-containing silicon nitride (SiNxCy) constituting the
この炭素含有窒化シリコン(SiNxCy)を製膜する際には、プラズマCVD法を用いる。プラズマCVD法においては製膜種が発生する反応はすべて気相中で行われるため、基板表面で反応を起こす必要がなく、低温製膜に最も適している製膜法である。 When the carbon-containing silicon nitride (SiNxCy) is formed, a plasma CVD method is used. In the plasma CVD method, all reactions that generate film forming species are carried out in the gas phase, so that it is not necessary to cause a reaction on the substrate surface, and is the most suitable film forming method for low temperature film forming.
保護層105中の炭素量を連続的に変化させる方法の一例としては、有機シリコン化合物と、アンモニア、窒素のいずれか一方または両方と、水素とを原料ガスとし、プラズマCVD法をおこなう方法が挙げられる。例えば印加する電力を強くすることにより膜中の炭素量を減らすことができる。
As an example of a method for continuously changing the amount of carbon in the
また、シランと、アンモニア、窒素のいずれか一方または両方と、水素と炭素含有ガスとを原料ガスとし、当該炭素含有ガスの濃度を変化させながらプラズマCVD法をおこなう方法が挙げられる。この場合、炭素含有ガスの流量を製膜中に変化させることにより組成を制御することができる。その他、製膜基板温度、ガス圧力などのパラメータにより適宜調整することが望ましい。 In addition, a method of performing plasma CVD using silane, one or both of ammonia and nitrogen, hydrogen, and a carbon-containing gas as source gases and changing the concentration of the carbon-containing gas can be used. In this case, the composition can be controlled by changing the flow rate of the carbon-containing gas during film formation. In addition, it is desirable to adjust appropriately according to parameters such as the film forming substrate temperature and gas pressure.
上述の有機シリコン化合物としては例えば、トリスジメチルアミノシラン(TDMAS)、ヘキサメチルジシラザン(HMDS)、ヘキサメチルジシロキサン(HMDSO)、テトラメチルジシラザン(TMDS)などが挙げられる。また、上述の炭素含有ガスとしては、メタン、エチレン、プロペンなどが挙げられる。 Examples of the organic silicon compound include trisdimethylaminosilane (TDMAS), hexamethyldisilazane (HMDS), hexamethyldisiloxane (HMDSO), and tetramethyldisilazane (TMDS). Examples of the carbon-containing gas include methane, ethylene, propene and the like.
保護層105のそれぞれの層の厚さは特に限定するものではないが、100-500nm程度であることが望ましく、全体では1000nm程度に収まるほうがよい。この範囲であれば、膜自身のピンホールなどの欠陥を補填することが可能と酸素や水分の浸入に対するバリア性が大きく向上する。さらには短時間で製膜でき、かつ有機発光層123からの光取り出しを妨げなくなる。また、炭素含有量は陰極側で多く、陰極から離れるに従って少なく変化させるようにすると、より密着性、被覆性の向上が期待される。
The thickness of each layer of the
<封止体>
次に、上述した保護層105の上に封止体106を貼り合わせる。封止体106を貼り合わせることによって、さらにバリア性が向上するだけでなく、上述した保護層105のみでは持ち得ない機械的なダメージに対する耐性を持つことができる。また、例えば封止体106上に樹脂層を設けることもできる。
<Sealing body>
Next, the sealing
封止体106としては、水分や酸素の透過性が低い基材である必要がある。また、材料の一例として、アルミナ、窒化ケイ素、窒化ホウ素等のセラミックス、無アルカリガラス、アルカリガラス等のガラス、石英、耐湿性フィルムなどを挙げることができる。耐湿性フィルムの例として、プラスチック基材の両面にSiOxをCVD法で形成したフィルムや、透過性の小さいフィルムと吸水性のあるフィルムまたは吸水剤を塗布した重合体フィルムなどがあり、耐湿性フィルムの水蒸気透過率は、10−6g/m2/day以下であることが好ましい。
The sealing
封止体106を貼り合わせる際には、封止体106側に一様に接着剤を塗布してもよいし、周囲を囲むようにして塗布してもよい。またシート状に形成した接着層を熱転写する方法をとってもよい。接着層の材料としてはエポキシ系樹脂、アクリル系樹脂、シリコーン樹脂などからなる光硬化型接着性樹脂、熱硬化型接着性樹脂、2液硬化型接着性樹脂や、ポリエチレン、ポリプロピレンなどの酸変性物からなる熱可塑性接着性樹脂などを単層もしくは積層して用いることができる。特に、耐湿性、耐水性に優れ、硬化時の収縮が少ないエポキシ系熱硬化型接着性樹脂を用いることが望ましい。また、接着層の光透過を妨げない程度に接着層内部の含有水分を除去するために、酸化バリウムや酸化カルシウムなどの乾燥剤を混入したり、接着層の厚みをコントロールするために数%程度の無機フィラーを混入してもよい。
When the sealing
こうして作製した接着剤付の封止体106を貼り合わせ、それぞれ硬化の処理をおこなう。この一連の保護層105形成プロセスは窒素雰囲気下でおこなうことが望ましいが、保護層105が作製された後であれば短時間ならば大気下においても大きな影響はない。
The thus-sealed
封止体106上の樹脂層の材料の一例として、エポキシ系樹脂、アクリル系樹脂、シリコーン樹脂などからなる光硬化型接着性樹脂、熱硬化型接着性樹脂、2液硬化型接着性樹脂や、エチレンエチルアクリレート(EEA)ポリマー等のアクリル系樹脂、エチレンビニルアセテート(EVA)等のビニル系樹脂、ポリアミド、合成ゴム等の熱可塑性樹脂や、ポリエチレンやポリプロピレンの酸変性物などの熱可塑性接着性樹脂を挙げることができる。
As an example of the material of the resin layer on the sealing
樹脂層を封止体106の上に形成する方法の一例として、溶剤溶液法、押出ラミ法、溶融・ホットメルト法、カレンダー法、ノズル塗布法、スクリーン印刷法、真空ラミネート法、熱ロールラミネート法などを挙げることができる。必要に応じて吸湿性や吸酸素性を有する材料を含有させることもできる。封止体106上に形成する樹脂層の厚みは、封止する有機ELディスプレイパネルの大きさや形状により任意に決定されるが、5〜500μm程度が望ましい。なお、ここでは封止材上に樹脂層として形成したが直接有機ELディスプレイパネル側に形成することもできる。
As an example of a method for forming a resin layer on the sealing
[実施例1]
以下、本発明の実施例について説明する。
透明基板100として、日本電気硝子社製無アルカリガラスOA−10を用意した。基板のサイズは200mm×200mmでその中に対角5インチ、中央にディスプレイ表示部が配置される。
[Example 1]
Examples of the present invention will be described below.
As the
この基板を、ITO(インジウム錫酸化物)が設置されているスパッタリング成膜装置に設置し、厚み50nmになるよう全面に形成する。 This substrate is installed in a sputtering film forming apparatus in which ITO (indium tin oxide) is installed, and is formed over the entire surface so as to have a thickness of 50 nm.
次に、日本応化製TFR790PLポジ型レジストをスピンコーターにて基板全面に厚み2μmで形成した後、フォトリソグラフィーによって第一透明電極111、第一透過率調整層112を残し、塩化第二鉄水溶液にてウェットエッチングし、第一透明電極111、第一透過率調整層112を形成した。
Next, after a TFR790PL positive resist made by Nippon Ohka Co., Ltd. is formed on the entire surface of the substrate with a spin coater to a thickness of 2 μm, the first
次に、プラズマCVD法により、原料ガスとしてはモノシラン、窒素ガス、水素ガスを用いて窒化シリコン膜を作製した。具体的には、素子を窒素下にて搬送した後プラズマCVD装置に移し、真空槽を10^−2 P a以下まで減圧した後、原料ガスとしてシラン、窒素、水素を導入し、高周波(13.56MHz)でプラズマを発生させた。膜厚は300nmで全面に形成した。それを、フォトリソグラフィー法とドライエッチング法を用いてパターンニングし第一層間絶縁層113を形成した。
Next, a silicon nitride film was formed by plasma CVD using monosilane, nitrogen gas, and hydrogen gas as source gases. Specifically, after the device was transferred under nitrogen, it was transferred to a plasma CVD apparatus, the vacuum chamber was depressurized to 10 ^ -2 Pa or less, silane, nitrogen and hydrogen were introduced as source gases, and high frequency (13 Plasma was generated at .56 MHz). The film thickness was 300 nm and formed on the entire surface. The first
上記、成膜とパターニングを繰り返し、第二透明電極114、第二透過率調整層115、第二層間絶縁層116を形成した。
The film formation and patterning were repeated to form the second
次に、日本ゼオン社製アクリル系透明ポジ型レジストスピンコーターにて基板全面に厚み1μmで形成した後、フォトリソグラフィーによって発光パターンを区画した隔壁103を形成した。
Next, after forming 1 μm in thickness on the entire surface of the substrate with an acrylic transparent positive resist spin coater manufactured by Nippon Zeon Co., Ltd., a
その後、正孔注入材料であるポリフルオレン誘導体を濃度1.0%になるようにアニソールに溶解させたインキを用い、この基板を印刷機にセッティングし、隔壁103に挟まれた画素部の真上にそのラインパターンに合わせて凸版印刷法で印刷を行った。このとき300線/インチのアニロックスロールおよび感光性樹脂版を使用した。印刷、乾燥後の正孔注入層121の膜厚は40nmとなった。
Thereafter, using an ink in which a polyfluorene derivative, which is a hole injection material, is dissolved in anisole so as to have a concentration of 1.0%, this substrate is set in a printing machine and directly above a pixel portion sandwiched between
その後、インターレイヤー材料であるポリビニルカルバゾール誘導体を濃度0.5%になるようにトルエンに溶解させたインキを用いこの基板を印刷機にセッティングし、絶縁層に挟まれた画素電極の真上にそのラインパターンに合わせて凸版印刷法で印刷を行った。このとき300線/インチのアニロックスロールおよび感光性樹脂版を使用した。印刷、乾燥後のインターレイヤーの膜厚は20nmとなった。 After that, this substrate was set in a printing machine using an ink in which polyvinylcarbazole derivative as an interlayer material was dissolved in toluene so as to have a concentration of 0.5%, and the substrate was directly above the pixel electrode sandwiched between insulating layers. Printing was performed by letterpress printing according to the line pattern. At this time, an anilox roll of 300 lines / inch and a photosensitive resin plate were used. The film thickness of the interlayer after printing and drying was 20 nm.
次に、有機発光材料であるポリフェニレンビニレン誘導体を濃度1%になるようにトルエンに溶解させた有機発光インキを用い、この基板を印刷機にセッティングし、絶縁層に挟まれた画素電極の真上にそのラインパターンに合わせて有機発光層123を凸版印刷法で印刷を行った。このとき150線/インチのアニロックスロールおよびピクセルのピッチに対応する感光性樹脂版を使用した。印刷、乾燥後の有機発光層123の膜厚は80nmとなった。この工程を計3回繰り返し、R(赤)、Y(黄)、G(緑)、B(青)、W(白)の発光色に対応する有機発光層123を各画素に形成した。
Next, using organic light-emitting ink in which polyphenylene vinylene derivative, which is an organic light-emitting material, is dissolved in toluene to a concentration of 1%, this substrate is set in a printing machine and directly above the pixel electrode sandwiched between insulating layers. The organic
その後、表示部全体を覆うように電子注入層124として真空蒸着法とシャドウマスクを用いてBaを厚み4nm成膜した。
Thereafter, a 4 nm thick Ba film was formed as an
その後、陰極として対向ターゲットスパッタ(FTS)でメタルマスクを用いて、ITOを100nm、パターン成膜した。 Thereafter, ITO was patterned to a thickness of 100 nm using a metal mask by facing target sputtering (FTS) as a cathode.
その後、保護層105としてSiNxCyを形成した。保護層105はプラズマCVD法により、原料ガスとしてはメタン、モノシラン、窒素ガス、水素ガスを用いて組成傾斜のある炭素含有窒化シリコン膜を作製した。具体的には、素子を窒素下にて搬送した後プラズマCVD装置に移し、真空槽を10−2Pa以下まで減圧した後、原料ガスとしてシラン、窒素、メタン、水素を導入し、高周波(13.56MHz)でプラズマを発生させた。堆積時間の変化とともにメタンガスの流量を減らし組成に傾斜を設け、一度メタンガスの流量をゼロとした後また初期の量を導入し層構造を形成した。膜厚は上記の層一層当たり300nmであり、これを3回繰り返したので保護層105の厚さは900nmとなった。
Thereafter, SiNxCy was formed as the
その後、上記保護膜の上に封止体106としてダイコーターによって熱硬化性樹脂を全面に塗布した封止ガラス基板を、100℃の温度をかけながら熱ロールラミネーターを用いて素子基板と貼り合わせた。貼り合わせた後に、さらに100℃で1時間硬化した。
Thereafter, a sealing glass substrate in which a thermosetting resin was applied to the entire surface by a die coater as a sealing
こうして得られた有機ELディスプレイパネルは良好な発光特性が得られ、駆動も正常であった。 The organic EL display panel thus obtained had good light emission characteristics and was driven normally.
また、非発光時の表示領域bのうち各ポイントを大塚電子社製、顕微分光透過率測定装置にて測定した結果、画素領域aにおける波長550nmの透過率は78%、画素外部即ち透過率調整層上の透過率は78%であり、全面均一な透過率が得られており透明性は良好であった。 In addition, as a result of measuring each point in the non-light-emitting display area b with a microscopic transmittance measuring apparatus manufactured by Otsuka Electronics Co., Ltd. The transmittance on the layer was 78%, a uniform transmittance was obtained on the entire surface, and the transparency was good.
[比較例1]
実施例1において、透過率調整層を形成せずに、他は実施例1と同様にして有機ELディスプレイパネルを作製した。
[Comparative Example 1]
In Example 1, an organic EL display panel was produced in the same manner as in Example 1 except that the transmittance adjusting layer was not formed.
こうして得られた有機ELディスプレイパネルは良好な発光特性が得られ、駆動も正常であった。 The organic EL display panel thus obtained had good light emission characteristics and was driven normally.
しかし、実施例1と同様の方法で非発光時の透過率を測定した結果、画素領域aにおける550nmの透過率は78%、画素外部の透過率は85%であり、陽極のパターンが認識でき不均一で、透明性が悪かった。 However, as a result of measuring the transmittance when not emitting light in the same manner as in Example 1, the transmittance at 550 nm in the pixel region a is 78% and the transmittance outside the pixel is 85%, and the pattern of the anode can be recognized. It was uneven and the transparency was poor.
以上の結果を表1にまとめる。 The results are summarized in Table 1.
以上説明したように、本発明によれば、非発光時でも透明性を損なうことのない透明有機ELディスプレイパネルを得ることができる。 As described above, according to the present invention, it is possible to obtain a transparent organic EL display panel that does not impair transparency even when light is not emitted.
100:透明基板
101:透明画素電極(陽極)
102:画素電極透過率調整層
103:隔壁
104:透明対向電極(陰極)
105:保護層
106:封止体
107:コンタクトホール
110:多層配線構造
111:第一透明電極
112:第一透過率調整層
113:第一層間絶縁層
114:第二透明電極
115:第二透過率調整層
116:第二層間絶縁層
120:発光媒体層
121:正孔注入層
122:正孔輸送層
123:有機発光層
124:電子注入層
600:凸版印刷装置
601:ステージ
602:被印刷基板
603:インキタンク
604:インキチャンバー
605:アニロックスロール
606:ドクタ
607:凸版
608:版胴
609:インキ層
a:画素領域
b:表示領域
o:画素
100: Transparent substrate 101: Transparent pixel electrode (anode)
102: Pixel electrode transmittance adjustment layer 103: Partition 104: Transparent counter electrode (cathode)
105: protective layer 106: sealing body 107: contact hole 110: multilayer wiring structure 111: first transparent electrode 112: first transmittance adjusting layer 113: first interlayer insulating layer 114: second transparent electrode 115: second Transmittance adjusting layer 116: second interlayer insulating layer 120: light emitting medium layer 121: hole injection layer 122: hole transport layer 123: organic light emitting layer 124: electron injection layer 600: relief printing apparatus 601: stage 602: printing Substrate 603: Ink tank 604: Ink chamber 605: Anilox roll 606: Doctor 607: Letter plate 608: Plate cylinder 609: Ink layer a: Pixel area b: Display area o: Pixel
Claims (6)
前記多層配線構造の上面に設けられ、前記透明電極のいずれかと電気的に接触する透明画素電極と、
前記多層配線構造の上面に前記透明画素電極と隔てて設けられた画素電極透過率調整層と、
前記多層配線構造の上面で前記透明画素電極を区画する隔壁と、
前記透明画素電極の上面に設けられ少なくとも有機発光層を含む発光媒体層と、
前記発光媒体層の上面に設けられた透明対向電極と、
を具備することを特徴とする透明有機エレクトロルミネセンスディスプレイパネル。 A transparent electrode provided on the upper surface of the transparent substrate, a transmittance adjusting layer provided on the upper surface of the transparent substrate and separated from the transparent electrode, and a part of the transparent electrode and the transmittance adjustment on the upper surface of the transparent substrate. An interlayer insulating layer covering the layer, a multilayer wiring structure formed by repeating the transparent electrode, the transmittance adjusting layer, and the interlayer insulating layer;
A transparent pixel electrode provided on the upper surface of the multilayer wiring structure and in electrical contact with any of the transparent electrodes;
A pixel electrode transmittance adjustment layer provided on the upper surface of the multilayer wiring structure and separated from the transparent pixel electrode;
A partition partitioning the transparent pixel electrode on an upper surface of the multilayer wiring structure;
A light emitting medium layer provided on the upper surface of the transparent pixel electrode and including at least an organic light emitting layer;
A transparent counter electrode provided on the upper surface of the light emitting medium layer;
A transparent organic electroluminescence display panel comprising:
前記透明基板の上面で前記透明電極と隔たてて設けられた透過率調整層と、
前記透明基板の上面で前記透明電極の一部と前記透過率調整層を覆う層間絶縁層と、
前記層間絶縁層の上面に設けられ、前記透明電極と電気的に接触する透明画素電極と、
前記層間絶縁層の上面で前記透明画素電極と隔たてて設けられた画素電極透過率調整層と、
前記層間絶縁層の上面で前記透明画素電極を区画する隔壁と、
前記透明画素電極の上面に設けられ少なくとも有機発光層を含む発光媒体層と、
前記発光媒体層の上面に設けられた透明対向電極と、
を具備することを特徴とする透明有機エレクトロルミネセンスディスプレイパネル。 A transparent electrode provided on the upper surface of the transparent substrate;
A transmittance adjusting layer provided on the upper surface of the transparent substrate and separated from the transparent electrode;
An interlayer insulating layer covering a part of the transparent electrode and the transmittance adjusting layer on the upper surface of the transparent substrate;
A transparent pixel electrode provided on an upper surface of the interlayer insulating layer and in electrical contact with the transparent electrode;
A pixel electrode transmittance adjusting layer provided on the upper surface of the interlayer insulating layer and spaced apart from the transparent pixel electrode;
A partition partitioning the transparent pixel electrode on an upper surface of the interlayer insulating layer;
A light emitting medium layer provided on the upper surface of the transparent pixel electrode and including at least an organic light emitting layer;
A transparent counter electrode provided on the upper surface of the light emitting medium layer;
A transparent organic electroluminescence display panel comprising:
請求項1または請求項2に記載の有機エレクトロルミネセンスディスプレイパネル。 The transmittance adjusting layer and the transparent electrode are the same substance, or the refractive index is within ± 10% of the transparent electrode in a visible light region having a wavelength of 380 nm to 780 nm,
The organic electroluminescent display panel according to claim 1 or 2.
前記透明基板の上面に、前記透明電極の一部と前記透過率調整層とを覆う層間絶縁層を形成する工程と、
前記透明電極と前記透過率調整層と前記層間絶縁層との繰り返しよりなる多層配線構造を形成する工程と、
前記多層配線構造の上面に、前記透明電極のいずれかと電気的に接触する透明画素電極と、前記透明画素電極と隔てられた画素電極透過率調整層と、を形成する工程と、
前記多層配線構造の上面で前記透明画素電極を区画する隔壁を形成する工程と、
前記透明画素電極の上面に、少なくとも有機発光層を含む発光媒体層を形成する工程と、
前記発光媒体層の上面に透明対向電極を形成する工程と、
を具備することを特徴とする透明有機エレクトロルミネセンスディスプレイパネルの製造方法。 Forming a transparent electrode and a transmittance adjusting layer separated from the transparent electrode on the upper surface of the transparent substrate;
Forming an interlayer insulating layer covering a part of the transparent electrode and the transmittance adjusting layer on the upper surface of the transparent substrate;
Forming a multilayer wiring structure composed of repetition of the transparent electrode, the transmittance adjusting layer and the interlayer insulating layer;
Forming a transparent pixel electrode in electrical contact with any of the transparent electrodes on the upper surface of the multilayer wiring structure, and a pixel electrode transmittance adjusting layer separated from the transparent pixel electrode;
Forming a partition partitioning the transparent pixel electrode on the upper surface of the multilayer wiring structure;
Forming a light emitting medium layer including at least an organic light emitting layer on an upper surface of the transparent pixel electrode;
Forming a transparent counter electrode on an upper surface of the light emitting medium layer;
The manufacturing method of the transparent organic electroluminescent display panel characterized by comprising.
前記透明基板の上面に、前記透明電極の一部と前記透過率調整層とを覆う層間絶縁層を形成する工程と、
前記層間絶縁層の上面に、前記透明電極と電気的に接触する透明画素電極と、前記透明画素電極と隔てられた画素電極透過率調整層と、を形成する工程と、
前記層間絶縁層の上面で前記透明画素電極を区画する隔壁を形成する工程と、
前記透明画素電極の上面に、少なくとも有機発光層を含む発光媒体層を形成する工程と、
前記発光媒体層の上面に透明対向電極を形成する工程と、
を具備することを特徴とする透明有機エレクトロルミネセンスディスプレイパネルの製造方法。 Forming a transparent electrode and a transmittance adjusting layer separated from the transparent electrode on the upper surface of the transparent substrate;
Forming an interlayer insulating layer covering a part of the transparent electrode and the transmittance adjusting layer on the upper surface of the transparent substrate;
Forming a transparent pixel electrode in electrical contact with the transparent electrode on the upper surface of the interlayer insulating layer, and a pixel electrode transmittance adjustment layer separated from the transparent pixel electrode;
Forming a partition partitioning the transparent pixel electrode on the upper surface of the interlayer insulating layer;
Forming a light emitting medium layer including at least an organic light emitting layer on an upper surface of the transparent pixel electrode;
Forming a transparent counter electrode on an upper surface of the light emitting medium layer;
The manufacturing method of the transparent organic electroluminescent display panel characterized by comprising.
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Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2016184474A (en) * | 2015-03-25 | 2016-10-20 | パイオニア株式会社 | Light emitting device |
CN106054475A (en) * | 2016-06-16 | 2016-10-26 | 深圳市华星光电技术有限公司 | Display panel having perspective function and array substrate |
JP2019165026A (en) * | 2019-07-09 | 2019-09-26 | パイオニア株式会社 | Light-emitting device |
JP2020053153A (en) * | 2018-09-25 | 2020-04-02 | 双葉電子工業株式会社 | Organic el display device |
Citations (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0652990A (en) * | 1992-07-28 | 1994-02-25 | Nippondenso Co Ltd | Electroluminescence element |
JP2000182779A (en) * | 1998-12-15 | 2000-06-30 | Futaba Corp | Organic el element |
WO2001078461A1 (en) * | 2000-04-06 | 2001-10-18 | Seiko Epson Corporation | Organic el device and display panel |
JP2002270377A (en) * | 2001-03-08 | 2002-09-20 | Seiko Epson Corp | Luminescent panel and electric device |
JP2005230180A (en) * | 2004-02-18 | 2005-09-02 | Denso Corp | Pinball machine |
JP2010287319A (en) * | 2009-06-09 | 2010-12-24 | Toppan Printing Co Ltd | Structure and its manufacturing method of organic el display |
JP2011034996A (en) * | 2009-07-29 | 2011-02-17 | Tdk Corp | Transmission type organic el display device |
WO2011040237A1 (en) * | 2009-09-30 | 2011-04-07 | 凸版印刷株式会社 | Organic electroluminescent element, organic electroluminescent display panel, and organic electroluminescent display panel manufacturing method |
JP2012022787A (en) * | 2010-07-12 | 2012-02-02 | Seiko Epson Corp | Organic el device, method for manufacturing organic el device, and electronic apparatus |
-
2012
- 2012-03-30 JP JP2012078684A patent/JP2013211102A/en active Pending
Patent Citations (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0652990A (en) * | 1992-07-28 | 1994-02-25 | Nippondenso Co Ltd | Electroluminescence element |
JP2000182779A (en) * | 1998-12-15 | 2000-06-30 | Futaba Corp | Organic el element |
WO2001078461A1 (en) * | 2000-04-06 | 2001-10-18 | Seiko Epson Corporation | Organic el device and display panel |
JP2002270377A (en) * | 2001-03-08 | 2002-09-20 | Seiko Epson Corp | Luminescent panel and electric device |
JP2005230180A (en) * | 2004-02-18 | 2005-09-02 | Denso Corp | Pinball machine |
JP2010287319A (en) * | 2009-06-09 | 2010-12-24 | Toppan Printing Co Ltd | Structure and its manufacturing method of organic el display |
JP2011034996A (en) * | 2009-07-29 | 2011-02-17 | Tdk Corp | Transmission type organic el display device |
WO2011040237A1 (en) * | 2009-09-30 | 2011-04-07 | 凸版印刷株式会社 | Organic electroluminescent element, organic electroluminescent display panel, and organic electroluminescent display panel manufacturing method |
JP2012022787A (en) * | 2010-07-12 | 2012-02-02 | Seiko Epson Corp | Organic el device, method for manufacturing organic el device, and electronic apparatus |
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2016184474A (en) * | 2015-03-25 | 2016-10-20 | パイオニア株式会社 | Light emitting device |
CN106054475A (en) * | 2016-06-16 | 2016-10-26 | 深圳市华星光电技术有限公司 | Display panel having perspective function and array substrate |
WO2017215057A1 (en) * | 2016-06-16 | 2017-12-21 | 深圳市华星光电技术有限公司 | Display panel and array substrate having perspective function |
US10261376B2 (en) | 2016-06-16 | 2019-04-16 | Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co., Ltd | Display panel having perspective function and array substrate |
JP2020053153A (en) * | 2018-09-25 | 2020-04-02 | 双葉電子工業株式会社 | Organic el display device |
JP2019165026A (en) * | 2019-07-09 | 2019-09-26 | パイオニア株式会社 | Light-emitting device |
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