JP5279345B2 - Power conversion device storage structure - Google Patents
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Description
この発明は、民生機器や産業用機器等で用いられる電力変換装置の例えば樹脂ケースへの収納構造に関するものである。 The present invention relates to a storage structure of, for example, a resin case of a power conversion device used in consumer equipment, industrial equipment, and the like.
近年、電力変換装置は、家庭用エアコンや冷蔵庫など民生機器だけでなく、インバータやサーボコントローラなどの産業機器、さらに電気自動車など、広範囲の分野で使用されている。 In recent years, power conversion devices have been used in a wide range of fields such as household appliances such as air conditioners and refrigerators, industrial equipment such as inverters and servo controllers, and electric vehicles.
このような電力変換装置の収納構造としては、例えば、特許文献1に示されたものがある。すなわち、従来の収納構造は、金属ベース、主端子、制御端子、入出力端子がインサート成形された樹脂ケースに、底部の金属ベース上に主回路基板を配置し、制御回路基板をこの主回路基板の一側端側に立設した配線部材に片側を保持させて主回路基板の直上に配置し、制御回路基板の表裏面を絶縁樹脂で樹脂封止すると、底部側の主回路基板の表面も樹脂封止される構造である。そして、前記主回路基板を冷却するための放熱板(ヒートシンク)が、前記金属ベースの外面に露出して取り付けられる構造である。なお、主回路基板には主回路を構成するパワー素子が金属ワイヤにて配線した状態で搭載されている。また、制御回路基板には、前記パワー素子を駆動する制御回路が搭載されている。
As a storage structure for such a power conversion device, for example, there is one disclosed in
しかし、従来の収納構造では、制御回路基板は主回路基板の表面側に配線された金属ワイヤとの絶縁距離を大きくする必要があることから離間距離が大きくなるので、樹脂量が多くなり、また、制御回路基板を支持する配線部材も長くなる。樹脂量が多くなるということは、装置の重量化を意味する他に、樹脂の加熱硬化時間が長くなる結果、生産性を圧迫するので、コストの増加を意味する。 However, in the conventional storage structure, since the control circuit board needs to increase the insulation distance from the metal wire wired on the surface side of the main circuit board, the separation distance increases, so the amount of resin increases, and The wiring member that supports the control circuit board also becomes longer. An increase in the amount of resin means an increase in cost because it increases the weight of the apparatus and, as a result, the heat-curing time of the resin becomes longer, resulting in pressure on productivity.
また、充填した絶縁樹脂は、樹脂ケースの振動に伴って揺動するので、制御回路基板を支持する配線部材が長くなると、配線部材は振動時に起こる樹脂の揺れと共振しやすくなり、制御回路基板の揺れが大きくなる。この場合に、配線部材に掛かる負荷が大きくなって配線部材が折れ曲がると、主回路基板上の金属ワイヤと制御回路基板との間で短絡不良が発生する可能性がある。そして、このような振動共振によって樹脂ケースや主回路基板が撓むと、主回路基板上の金属ワイヤが断線する可能性がある。 Also, since the filled insulating resin swings with the vibration of the resin case, if the wiring member that supports the control circuit board becomes long, the wiring member tends to resonate with the resin shaking that occurs during vibration, and the control circuit board The shaking becomes larger. In this case, if the load applied to the wiring member is increased and the wiring member is bent, a short circuit failure may occur between the metal wire on the main circuit board and the control circuit board. When the resin case or the main circuit board is bent by such vibration resonance, the metal wire on the main circuit board may be disconnected.
さらに、樹脂封止時に発生する気泡は、絶縁樹脂の加熱硬化時に、気泡体積膨張とともに大気中に放出されるが、従来の収納構造では、充填樹脂層が厚いために、大気放出までの距離が長くなるので、気泡が絶縁樹脂層内に残存して加熱硬化時にボイドとなる可能性が高いと言える。つまり、制御回路基板と主回路基板間の絶縁性能が低下する可能性があり、問題である。 Furthermore, the bubbles generated during resin sealing are released into the atmosphere along with the expansion of the bubbles when the insulating resin is heat-cured. However, in the conventional storage structure, since the filled resin layer is thick, the distance to the atmosphere release is small. Since it becomes long, it can be said that there is a high possibility that bubbles remain in the insulating resin layer and become voids during heat curing. That is, there is a possibility that the insulation performance between the control circuit board and the main circuit board may deteriorate, which is a problem.
なお、別構造として、制御回路基板を縦置きにする場合があるが、ボイドが抜けやすくなる反面、樹脂量が多いことによる上記の重量化等の問題がある。 As another structure, there is a case where the control circuit board is placed vertically, but the void is easily removed, but there is a problem such as the above-mentioned weight increase due to a large amount of resin.
加えて、制御回路基板は発熱部品を有する主回路基板の直上に配置されるため、主回路基板での発熱が樹脂を介して制御回路基板に伝導される。これによって、制御回路基板の熱に弱い部品(コンデンサ等)が損傷する可能性があり、問題である。 In addition, since the control circuit board is disposed immediately above the main circuit board having the heat generating component, heat generated in the main circuit board is conducted to the control circuit board through the resin. This can cause damage to heat-sensitive components (such as capacitors) on the control circuit board, which is a problem.
この発明は、上記に鑑みてなされたものであり、必要絶縁材量を少なくして、装置の軽量化、耐振動性の向上、生産性の向上、低コスト化を実現可能な電力変換装置の収納構造を得ることを目的とする。 The present invention has been made in view of the above, and is a power conversion device that can reduce the amount of necessary insulating material and realize weight reduction, vibration resistance improvement, productivity improvement, and cost reduction of the device. The purpose is to obtain a storage structure.
上述した目的を達成するために、この発明にかかる電力変換装置の収納構造は、ケースの底部に、電力変換装置の主回路を搭載する主回路基板及び制御回路を搭載する制御回路基板を横並びに固定配置する電力変換装置の収納構造であって、前記制御回路基板は、裏面が前記ケースの底部に突設した台座に接着固定され、前記主回路基板は、表面を前記ケースの底部面と略同一の位置に位置させて固定され、前記ケースに充填した絶縁材によって、前記制御回路基板の表裏面と前記主回路基板の表面とがそれぞれ絶縁材による封止がなされており、前記制御回路基板の前記主回路基板と対面しない側端側と前記ケースとの間に、注入された絶縁材を当該制御回路基板の裏面側に流入させるための流入口が設けられていることを特徴とする。 In order to achieve the above-described object, the storage structure for a power converter according to the present invention has a main circuit board on which a main circuit of the power converter is mounted and a control circuit board on which a control circuit is mounted side by side at the bottom of the case. The control circuit board is fixedly disposed on a pedestal whose rear surface protrudes from the bottom of the case, and the main circuit board has a surface substantially the same as the bottom surface of the case. is fixed by positioning the same position, by an insulating material filled in the casing, the front and back surfaces and the main circuit board of the surface of the control circuit board have been made sealing with each insulating material, said control circuit board An inflow port for allowing the injected insulating material to flow into the back side of the control circuit board is provided between the side end side that does not face the main circuit board and the case .
この発明によれば、主回路基板及び制御回路基板を、必要樹脂量を少なくする横並びに固定配置としたので、装置の軽量化、耐振動性の向上、生産性の向上、低コスト化を実現可能な電力変換装置の収納構造が得られるという効果を奏する。 According to the present invention, the main circuit board and the control circuit board are arranged side by side and fixedly arranged so as to reduce the amount of resin required, thereby realizing lighter equipment, improved vibration resistance, improved productivity, and lower cost. There is an effect that a storage structure of a possible power converter is obtained.
以下に図面を参照して、この発明にかかる電力変換装置の収納構造の好適な実施の形態を詳細に説明する。 Exemplary embodiments of a storage structure for a power converter according to the present invention will be described below in detail with reference to the drawings.
実施の形態1.
図1は、電力変換装置の一般的な電気的構成を示す回路図である。図2及び図3は、この発明の実施の形態1による電力変換装置の収納構造を示す平面図及び断面図である。
FIG. 1 is a circuit diagram showing a general electrical configuration of a power converter. 2 and 3 are a plan view and a cross-sectional view showing the storage structure of the power conversion device according to
(電力変換装置の電気的構成と動作)
まず、電力変換装置の電気的構成と動作について簡単に説明する。図1に示すように、電力変換装置は、三相交流電源27が接続される入力端子5aと、三相モータ(M)28が接続される出力端子5bと、入力端子5aと出力端子5bの間に配置される主回路22と、主回路22を制御等する制御回路23と、制御回路23の動作電源を生成する電源回路24とを備えている。制御回路23には、マイクロコンピュータを主要素として構成される主回路駆動回路及び保護回路が含まれている。
(Electric configuration and operation of power converter)
First, the electrical configuration and operation of the power converter will be briefly described. As shown in FIG. 1, the power converter includes an
主回路22は、入力端子5aが接続されるコンバータ部22aと、出力端子5bが接続されるインバータ部22cと、それらの間に配置される平滑コンデンサ22bとで構成される。
The
コンバータ部22aは、ダイオードなどの整流素子(パワー素子)9のブリッジで構成され、入力端子5aからの三相交流電圧を全波整流して出力する。平滑コンデンサ22bは、コンバータ部22aの直流出力端間の整流電圧を平滑化して保持する。インバータ部22cは、平滑コンデンサ22bの端子間に直列に接続された2個のスイッチング素子(パワー素子)10の3組が、制御回路23における主回路駆動回路からのPWM信号に従って平滑コンデンサ22bの端子間電圧をスイッチングして所定周波数の交流電圧に変換し、出力端子5bを介して三相モータ28に供給する。
The
(電力変換装置の回路基板構成)
電力変換装置の回路基板は、大きく分けて、主回路22のコンバータ部22a及びインバータ部22cを搭載する主回路基板と、制御回路23を搭載する制御回路基板と、電源回路24を搭載する電源回路基板とで構成される。主回路22の平滑コンデンサ22bは電源回路基板に搭載されるが、図2、図3では、電源回路基板の図示を省略してある。なお、主回路基板は、例えばセラミックス基板や金属基板を用いて形成されている。また、多層構成の制御回路基板は、例えばガラエポ基板を用いて形成されている。
(Circuit board configuration of power converter)
The circuit board of the power converter is roughly divided into a main circuit board on which the
(この実施の形態1による電力変換装置の収納構造)
図2及び図3において、符号1は、この実施の形態では、例えば樹脂ケースであり、例えばPPS樹脂やPBT樹脂などを用いて、図1に示した構成の電力変換装置を基板単位で収納できる形状に形成された樹脂成型品である。樹脂ケース1は、その外周囲に、配線部材である主回路端子台5、主端子6及び制御端子7がインサート成形されている。但し、図3に示すように樹脂ケース1の底部には、従来例のような金属ベースはインサート成形されていない。
(Storage structure of power conversion device according to Embodiment 1)
2 and 3,
この樹脂ケース1の底部側に、主回路基板2と制御回路基板3とが水平横方向に並んで固定配置されている。具体的には、図3に示すように、制御回路基板3は、その裏面が樹脂ケース1の底部に突設した台座11に接着固定されている。つまり、制御回路基板3の裏面と樹脂ケース1の底部面との間には、台座11の高さだけの隙間が形成される構造になっている。なお、台座11の高さは、制御回路基板3の裏面に載置される電子部品(図示せず)の高さよりも高くなっている。
On the bottom side of the
また、主回路基板2は、樹脂ケース1の底部に開けた開口部に嵌め込まれ、その外周囲が当該開口部の内周縁に接着固定されている。つまり、主回路基板2の表面位置は、制御回路基板3の裏面位置よりも低い樹脂ケース1の底部面と略同一面上にあり、主回路基板2の裏面は、外部に露出している。この配置態様で樹脂ケース1に絶縁材としての絶縁樹脂4が充填され、制御回路基板3の表裏面と主回路基板2の表面とが樹脂封止される構造になっている。なお、絶縁樹脂4は、例えばシリコーン樹脂やエポキシ樹脂などである。
The
主回路端子台5には、図1に示した入力端子5aと出力端子5bとが割り当てられている。主端子6と主回路基板2との間、制御端子7と制御回路基板3との間、主回路基板2と制御回路基板3との間は、それぞれ、金属ワイヤ(例えばアルミワイヤ)で電気的に接続されている。また、主端子6と制御端子7は、平滑コンデンサ22bが搭載される図示しない電源回路基板に接続されている。
The main
主回路基板2の表面には、コンバータ部22aのパワー素子9とインバータ部22cのパワー素子10とが配置され、また金属パターン21が形成されている。パワー素子9,10は、金属パターン21に半田接合されているとともに、金属パターン21との間が金属ワイヤ8で電気的に接続され、また主回路端子台5との間が金属ワイヤ8で電気的に接続されている。また、主回路基板2と制御回路基板3との間も金属ワイヤ8で電気的に接続されている。これらの金属ワイヤ8による配線長は、いずれも短いものになっている。なお、主回路基板2の外部に露出している裏面には、ヒートシンク(図示せず)が取り付けられ、パワー素子9,10の発熱を放散できるようになっている。
On the surface of the
制御回路基板3の表面には、制御回路23の主回路駆動回路及び保護回路を実現するマイクロコンピュータ12が載置され、また、背の低い部品の他に、背の高いフォトカプラ18が載置されている。制御回路基板3の表面上に充填される絶縁樹脂4の層厚は、フォトカプラ18の高さを少し超えた程度になっている。
On the surface of the
そして、樹脂封止に関わる構成として、制御回路基板3の主回路基板2と対面しない側端側と樹脂ケース1との間に、流入口13が設けられ、注入樹脂を制御回路基板3の裏面側に流入させ得るようになっている。具体的には、図3に示すように、制御回路基板3の主回路基板2と対面しない側端側における樹脂ケース1の底部は、制御回路基板3が配置される底部よりも1段高くなっていて、その段差部と制御回路基板3の主回路基板2と対面しない側端側との間に流入口13となる隙間を設けてある。
In addition, as a configuration related to resin sealing, an
そして、流入口13が設けられている側の樹脂ケース1の外周には、注入樹脂を一時滞留する樹脂だまり26が設けられ、流入口13への定期的な樹脂注入が行えるようになっている。また、制御回路基板3の主回路基板2と対面する側端側に、排出口14a,14b,14cが設けられ、制御回路基板3の裏面側から出る樹脂を主回路基板2の表面上へ押し出せるようになっている。排出口14a,14b,14cは、台座11の配置態様を工夫して作られている。さらに、制御回路基板3の表面の制御端子7側に、流入穴17が設けられ、表面を流れる樹脂を裏面側へ流入させ得るようになっている。
A
(絶縁樹脂4の充填方法)
絶縁樹脂4を主回路基板2側から注入すると、注入樹脂は、主回路基板2の表面を覆いつつ制御回路基板3に向かって流れる。この場合、制御回路基板3の表面は主回路基板2の表面と同様に問題なく樹脂封止できるが、制御回路基板3の裏面側は流動抵抗が高く、樹脂の流れが悪くなり、ボイドが発生する。
(Filling method of insulating resin 4)
When the insulating resin 4 is injected from the
そこで、絶縁樹脂4を樹脂だまり26に滞留させて、矢印25で示すように、流入口13から制御回路基板3の主回路基板2と対面しない側端側に向けて樹脂が定期的に流れ込むように樹脂注入を行う。これを、樹脂だまり26に絶縁樹脂4を補充しながら行う。
Therefore, the insulating resin 4 is retained in the
これによって、制御回路基板3の裏面側には流入口13から樹脂注入が定期的に行われるので、制御回路基板3の裏面樹脂流れは、一定圧で制御されることになる。これによって、制御回路基板3の裏面側は、流動抵抗の高い狭い空間であるが、その高い流動抵抗に打ち勝って狭い空間を安定的に充填できるようになる。
As a result, resin injection is periodically performed from the
そして、制御回路基板3の表面樹脂流れは、裏面樹脂流れよりも早いので、主回路基板2の表面は、制御回路基板3の表面を流れる樹脂によって充填されていき、その間に、制御回路基板3の裏面側でも樹脂を排出口14a,14b,14cから主回路基板2の表面側へ押し出しつつ充填されていくことになる。
Since the front surface resin flow of the
制御回路基板3の表面と主回路基板2の表面とが充填されると、その後は、制御回路基板3の表面に搭載されるフォトカプラ18が絶縁樹脂4に埋まるまで樹脂注入を継続し、フォトカプラ18が絶縁樹脂4に埋まったタイミングで、樹脂注入作業は終了となる。
After the surface of the
このとき、制御回路基板3の裏面充填時間は、制御回路基板3の裏面樹脂流れは遅いので、制御回路基板3の表面と主回路基板3の表面との両体積分の充填時間となる。つまり制御回路基板3の裏面側では、充填時間を長く保つことができるので、ボイドの発生を無くして充填することができる。
At this time, the back surface filling time of the
ここで、制御回路基板3の裏面充填時間を短縮して生産性を向上させるには、制御回路基板3の裏面側での樹脂流量を増加させるようにすればよい。この実施の形態1では、つぎのような裏面充填時間短縮措置を講じている。
Here, in order to shorten the back surface filling time of the
(1)流入口13は、制御回路基板3の周囲間隙面積の30%を占有するようにし、樹脂充填距離を短くして樹脂充填の高速化を図り、樹脂流量を増加させている。なお、流入口13に代えて、流入ノズルを単数または複数設けてもよい。(2)絶縁樹脂4に低粘度(例えば100Pa・s以下)のものを用いて流路抵抗を小さくすることで、樹脂充填の高速化を図り、樹脂流量を増加させている。(3)図2に示すように流入穴17を設け、制御回路基板3の表面を流れる樹脂が流入穴17から裏面側に入り込める措置を講ずることで、樹脂流量を増加させている。
(1) The
なお、流入穴17に関しては、図2では、円形状の穴を示してあるが、スリット状の穴でもよい。そして、制御回路基板3の表面上に実装された電子部品の下側にスリット状穴を設けるようにすれば、制御回路基板3の実装面積を損なうことなく流入穴17を形成できる。これによって、制御回路基板3の小型化、低コスト化が図れるようになる。また、電子部品の下側にスリット状穴を設けることで、部品間の絶縁強度を大きくすることもできる。
In addition, regarding the
また、この実施の形態1では、制御回路基板3の裏面側でのボイドが発生するのを抑制するために、樹脂の注入方向を矢印25の方向と定め、台座11の配置を工夫することで制御回路基板3の裏面側から樹脂を押し出す排出口を14a,14b,14cの3箇所に設けてある。各排出口は、制御回路基板3の周囲間隙面積の約8%であり、空気抜きを行うとともに、制御回路基板3の表面を流れる樹脂が裏面側に入り込むのを低減している。
Further, in the first embodiment, in order to suppress the occurrence of voids on the back surface side of the
このボイド発生の抑制に関しては、樹脂充填を真空条件下で行えば、初期の巻き込み気泡を排出することができ、ボイド発生の抑制の相乗効果が得られる。 Regarding the suppression of the void generation, if the resin filling is performed under a vacuum condition, the initial entrained bubbles can be discharged, and a synergistic effect of suppressing the void generation can be obtained.
以上のように、この実施の形態1によれば、樹脂ケースの底部に、制御回路基板を台座で浮かして固定配置し、その横に主回路基板を底部面とほぼ同一の位置に固定配置したので、制御回路基板の裏面の充填樹脂量を大幅に少なくすることができる。 As described above, according to the first embodiment, the control circuit board is floated and fixed on the bottom of the resin case on the pedestal, and the main circuit board is fixedly disposed on the side of the control circuit board at substantially the same position as the bottom surface. Therefore, the amount of filled resin on the back surface of the control circuit board can be greatly reduced.
したがって、装置の軽量化、絶縁樹脂費用の低コスト化が図れるとともに、樹脂ケースの振動時に樹脂が揺動しても、金属ワイヤの揺れを低減できるので、金属ワイヤ切れによるリークや金属ワイヤ間の絶縁不良を低減でき、対振動性の向上が図れる。 Therefore, the weight of the device can be reduced and the cost of the insulating resin can be reduced, and even if the resin oscillates when the resin case vibrates, the metal wire can be prevented from swaying. Insulation defects can be reduced and vibration resistance can be improved.
また、発熱部品を搭載する主回路基板から熱に弱い部品を搭載する制御回路基板への絶縁樹脂を媒介とした熱伝導ルートを無くすことができるので、制御回路基板上に配置される熱に弱い部品の熱的信頼性を向上させることができる。 In addition, the heat conduction route through the insulating resin from the main circuit board on which the heat generating component is mounted to the control circuit board on which the heat-sensitive component is mounted can be eliminated, so that the heat circuit is weak against the heat disposed on the control circuit board. The thermal reliability of the parts can be improved.
そして、絶縁樹脂の注入工程では、制御回路基板の裏面側を充填しつつ制御回路基板の表面と主回路基板の表面とを充填することができるので、ボイド発生の抑制と生産性の向上とを両立させることができる。 In the process of injecting the insulating resin, the surface of the control circuit board and the surface of the main circuit board can be filled while filling the back side of the control circuit board. Both can be achieved.
実施の形態2.
図4は、この発明の実施の形態2による電力変換装置の収納構造を示す平面図である。なお、図4では、図2(実施の形態1)に示した構成要素と同一ないしは同等である構成要素には同一の符号が付されている。ここでは、この実施の形態2に関わる部分を中心に説明する。
FIG. 4 is a plan view showing a storage structure for a power conversion device according to
図4に示すように、この実施の形態2による電力変換装置の収納構造では、図2(実施の形態1)に示した構成において、制御回路基板3の主回路基板2と対面しない側端側に切り欠き部15が設けられている。図4では、図2に示した流入口13と流入穴17は示してないが、それらも同様に設けてもよい。
As shown in FIG. 4, in the power converter housing structure according to the second embodiment, the side end side of the
この実施の形態2によれば、切り欠き部15は、絶縁樹脂4の制御回路基板3の裏面側への流入面積を拡大することができるので、樹脂だまり26に注入した樹脂を矢印25の方向から切り欠き部15に定期的に流し込むことで、制御回路基板3の裏面側に実施の形態1よりも積極的に流入させることができる。これによって、制御回路基板3の裏面樹脂流れを一層高速化することができ、絶縁樹脂の充填工程の短縮化が図れ、生産性の向上が図れる。
According to the second embodiment, the
なお、図4では、制御回路基板3に、フォトカプラ18の他に、トランス19、コイル20が配置される場合が示されている。用途によっては、このように、高さが4mm以上の部品が配置される可能性がある。これらの部品は、樹脂流を妨げる壁として作用し、制御回路基板3の表面側の樹脂流れを偏った流れにする。これは、制御回路基板3の表面にボイドを発生させる一因となるので、このような背の高い部品は、分散配置することが望ましい。
FIG. 4 shows a case where a
実施の形態3.
図5は、この発明の実施の形態3による電力変換装置の収納構造を示す断面図である。なお、図5では、図3(実施の形態1)に示した構成要素と同一ないしは同等である構成要素には同一の符号が付されている。ここでは、この実施の形態3に関わる部分を中心に説明する。
FIG. 5 is a sectional view showing a storage structure for a power conversion device according to
図5に示すように、この実施の形態3による電力変換装置の収納構造では、図3(実施の形態1)に示した構成において、流入口13の樹脂ケース1側段差部がテーパ部16で構成されている。
As shown in FIG. 5, in the power converter housing structure according to the third embodiment, the stepped portion on the
テーパ部16は、斜面角度が45°以下の鈍角で形成されている。この構成によれば、流入口13に注入された絶縁樹脂4を、テーパ部16に沿って、効率よく、かつ、勢いよく制御回路基板3の裏面側に流れ込ませることができる。
The
この実施の形態3によれば、テーパ部16は、流入口13の流入口面積の拡大に寄与するとともに、制御回路基板3の裏面樹脂流れを高速化する作用を営むので、絶縁樹脂の充填工程の短縮化が図れ、生産性の向上が図れる。
According to the third embodiment, the tapered
なお、図5では、制御回路基板3上に、トランス19も搭載されているが、これは、実施の形態2にて説明したように、制御回路基板3上に、フォトカプラ18の他に背の高い部品が搭載される場合があることの一例を示したものである。
In FIG. 5, the
以上のように、この発明にかかる電力変換装置の収納構造は、必要樹脂量を少なくして、装置の軽量化、耐振動性の向上、生産性の向上、低コスト化を実現する電力変換装置の収納構造として有用である。 As described above, the storage structure of the power conversion device according to the present invention reduces the required resin amount, and realizes power reduction of the device, improvement of vibration resistance, improvement of productivity, and cost reduction. It is useful as a storage structure.
1 樹脂ケース
2 主回路基板
3 制御回路基板
4 絶縁樹脂
5 主回路端子台
5a 入力端子
5b 出力端子
6 主端子
7 制御端子
8 金属ワイヤ
9 コンバータ部のパワー素子
10 インバータ部のパワー素子
11 台座
12 マイクロコンピュータ
13 流入口
14a,14b,14c 排出口
15 制御回路基板の切り欠き部
16 樹脂ケースのテーパ部
17 流入穴
18 フォトカプラ
19 トランス
20 コイル
21 金属パターン
22 主回路
22a コンバータ部
22b 平滑コンデンサ
22c インバータ部
23 制御回路
24 電源回路
25 制御回路基板の裏面側への樹脂流入方向
26 樹脂ケースに設けた樹脂だまり
27 三相交流電源
28 三相モータ(M)
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Claims (5)
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008138541A JP5279345B2 (en) | 2008-05-27 | 2008-05-27 | Power conversion device storage structure |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008138541A JP5279345B2 (en) | 2008-05-27 | 2008-05-27 | Power conversion device storage structure |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2009289831A JP2009289831A (en) | 2009-12-10 |
JP5279345B2 true JP5279345B2 (en) | 2013-09-04 |
Family
ID=41458792
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2008138541A Expired - Fee Related JP5279345B2 (en) | 2008-05-27 | 2008-05-27 | Power conversion device storage structure |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5279345B2 (en) |
Families Citing this family (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2012231616A (en) * | 2011-04-27 | 2012-11-22 | Diamond Electric Mfg Co Ltd | On-vehicle power conversion device |
JP5518000B2 (en) * | 2011-06-10 | 2014-06-11 | 三菱電機株式会社 | Power module and manufacturing method thereof |
JP5787072B2 (en) * | 2011-07-04 | 2015-09-30 | セイコーエプソン株式会社 | Robot controller |
JP2014082233A (en) * | 2012-10-12 | 2014-05-08 | Sumitomo Electric Ind Ltd | Semiconductor device and method of manufacturing the same |
JP6981033B2 (en) * | 2017-04-19 | 2021-12-15 | 富士電機株式会社 | Semiconductor devices and methods for manufacturing semiconductor devices |
JP7238330B2 (en) | 2018-10-18 | 2023-03-14 | 富士電機株式会社 | Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device |
JP2022053848A (en) | 2020-09-25 | 2022-04-06 | 富士電機株式会社 | Semiconductor device |
Family Cites Families (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4219448B2 (en) * | 1998-08-28 | 2009-02-04 | 富士電機デバイステクノロジー株式会社 | Semiconductor device |
-
2008
- 2008-05-27 JP JP2008138541A patent/JP5279345B2/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2009289831A (en) | 2009-12-10 |
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