JP5277963B2 - 半導体素子の冷却に用いる熱交換器およびその製造方法 - Google Patents
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- 238000001816 cooling Methods 0.000 title claims description 16
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 16
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 15
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 13
- 239000003507 refrigerant Substances 0.000 claims description 81
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 claims description 4
- 239000002826 coolant Substances 0.000 claims description 3
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 22
- 238000009835 boiling Methods 0.000 description 18
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 16
- 238000005192 partition Methods 0.000 description 10
- 230000001965 increasing effect Effects 0.000 description 7
- 239000012071 phase Substances 0.000 description 7
- 239000013013 elastic material Substances 0.000 description 6
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 6
- 239000012530 fluid Substances 0.000 description 5
- 239000000463 material Substances 0.000 description 5
- 230000008859 change Effects 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 239000011148 porous material Substances 0.000 description 4
- 239000011555 saturated liquid Substances 0.000 description 4
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 3
- 230000014759 maintenance of location Effects 0.000 description 3
- 238000009834 vaporization Methods 0.000 description 3
- 230000008016 vaporization Effects 0.000 description 3
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- 230000008030 elimination Effects 0.000 description 2
- 238000003379 elimination reaction Methods 0.000 description 2
- 230000001939 inductive effect Effects 0.000 description 2
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 2
- 239000007791 liquid phase Substances 0.000 description 2
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 2
- 238000000638 solvent extraction Methods 0.000 description 2
- 229920000800 acrylic rubber Polymers 0.000 description 1
- 229920001971 elastomer Polymers 0.000 description 1
- 239000002360 explosive Substances 0.000 description 1
- 239000006260 foam Substances 0.000 description 1
- 230000020169 heat generation Effects 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- 229920000058 polyacrylate Polymers 0.000 description 1
- 230000001737 promoting effect Effects 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- 229920002379 silicone rubber Polymers 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 238000004381 surface treatment Methods 0.000 description 1
- 238000011144 upstream manufacturing Methods 0.000 description 1
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- H01L23/42—Fillings or auxiliary members in containers or encapsulations selected or arranged to facilitate heating or cooling
- H01L23/427—Cooling by change of state, e.g. use of heat pipes
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
- H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
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Description
本発明の第一の実施の形態を図1および図2を参照して説明する。図1は二階層間の圧力をもとに弾性変形する仕切り材料を用いた二層式熱交換器を示す図である。この熱交換器は、上部に滞留層7、下部に微小流路1を配した受熱層16を持つ。
弾性材料としては、例えばシリコーンやアクリル系のゴム材が挙げられる。また、仕切り板自体は弾性が低い金属材料を用い、その上部を上記のようなゴム材にて保持する構造も有効である。いずれによっても、受熱層の圧力上昇に応じて、仕切り部が上下することにより、隣接する流路との圧力差を緩和させる効果が得られる。
本発明の第二の実施の形態を図3を参照して説明する。図3に本発明の第二の実施の形態として、滞留層7から受熱層16に冷媒をリークさせ、受熱層16に二次流れを誘発する機構を持つ二層式熱交換器を示す。本実施の形態においては仕切り面に非弾性仕切面12を用いる。特徴となる二次流れ誘発用のノズル13は、微小流路1内の冷媒の流れに対して角度を持たせ、冷媒の流れに対して順方向の流れを作ることにより、効果的に二次流れを誘発することができる。
本発明の第三の実施の形態を図4を参照して説明する。図4に本発明の第三の実施の形態として、飽和液出口15と蒸気出口8とを分けた機構を持つ二層式熱交換器を示す。本実施の形態では、流体入口4を入口マニホルド部5に設けたので、入口マニホルド部5を従来と比べて小型化するという効果は損なわれるが、熱交換器ブロック2が気液分離の機構も併せ持つ効果を生じるので、これにより、熱交換器の設置面積を従来型より小さくできる。
以下、参考形態の例を付記する。
1.
半導体素子の冷却に用いる熱交換器において、
冷媒が流れる微小流路を複数有する第一の層と、
前記第一の層に隣接して設けられ、前記微小流路に供給される冷媒を供給する供給路を有する第二の層と、
前記供給路から前記微小流路に流れ込む冷媒の流れに対する抵抗手段と、
を備え、
前記第一の層と前記第二の層との隣接部分は弾性体によって形成されたことを特徴とする熱交換器。
2.
1.に記載の熱交換器であって、
前記抵抗手段は、
前記供給路と前記微小流路との接続部に形成された障壁であり、
冷媒が前記第二の層から前記接続部を通って前記第一の層へ導入されるように構成されたことを特徴とする熱交換器。
3.
1.または2.に記載の熱交換器であって、
下部を前記第一の層、上部を前記第二の層とすることを特徴とする熱交換器。
4.
1.乃至3.いずれかに記載の熱交換器であって、
前記微小流路は、前記第一の層の底部から厚み方向に形成された内壁と、前記弾性体とによって囲われた空間であって、冷媒が前記微小流路を一定方向に流れることを特徴とする熱交換器。
5.
半導体素子の冷却に用いる熱交換器において、
冷媒が流れる微小流路を複数有する第三の層と、
前記第三の層に隣接して設けられ、前記微小流路に供給される冷媒を供給する供給路を有する第四の層と、
前記微小流路を流れる冷媒の流速を速める方向に、前記供給路を流れる冷媒のリーク流を発生させるノズルと、
を備えたことを特徴とする熱交換器。
6.
5.に記載の熱交換器であって、
前記ノズルは、前記第三の層と前記第四の層との隣接部分に形成され、前記微小流路を流れる冷媒の流れる方向を向くように傾斜しており、
冷媒は、前記第四の層から、前記供給路と前記微小流路との接続部および前記ノズルを通って、前記第三の層へ導入されるように構成されたことを特徴とする熱交換器。
7.
5.または6.に記載の熱交換器であって、
下部を前記第三の層、上部を前記第四の層とすることを特徴とする熱交換器。
8.
5.乃至7.いずれかに記載の熱交換器であって、
前記微小流路は、前記第三の層の底部から厚み方向に形成された内壁と、前記第三の層と前記第四の層との隣接部分とによって囲われた空間であって、前記冷媒が前記微小流路内部を一定方向に流れることを特徴とする熱交換器。
9.
半導体素子の冷却に用いる熱交換器において、
冷媒が流れる微小流路を複数有する第五の層と、
前記第五の層に隣接して設けられ、前記微小流路に供給される冷媒の一部が流出する第六の層と、
前記微小流路に供給される冷媒の一部を前記第六の層に流出させる孔と、
を備えたことを特徴とする熱交換器。
10.
9.に記載の熱交換器であって、
前記冷媒は、前記第五の層から、前記孔を通って、前記第六の層へ導入されるように構成されたことを特徴とする熱交換器。
11.
9.または10.に記載の熱交換器であって、
下部を前記第五の層、上部を前記第六の層とすることを特徴とする熱交換器。
12.
9.乃至11.いずれかに記載の熱交換器であって、
前記微小流路は、前記第五の層の底部から厚み方向に形成された内壁と、前記第五の層と前記第六の層との隣接部分とによって囲われた空間であって、前記冷媒が前記微小流路内部を一定方向に流れることを特徴とする熱交換器。
13.
1.乃至12.いずれかに記載の熱交換器であって、
前記供給路の上部に前記冷媒が導入される入口を有することを特徴とする熱交換器。
14.
半導体素子の冷却に用いる熱交換器の製造方法において、
冷媒が流れる微小流路を複数有する第一の層を形成するステップと、
この第一の層に隣接して設けられ、前記微小流路に供給される冷媒を供給する供給路を有する第二の層を形成するステップと、
前記供給路から前記微小流路に流れ込む冷媒の流れに対する抵抗手段を形成するステップと、
前記第一の層と前記第二の層との隣接部分を弾性体によって形成するステップと、
を有することを特徴とする熱交換器の製造方法。
15.
半導体素子の冷却に用いる熱交換器の製造方法において、
冷媒が流れる微小流路を複数有する第三の層を形成するステップと、
この第三の層に隣接して設けられ、前記微小流路に供給される冷媒を供給する供給路を有する第四の層を形成するステップと、
前記微小流路を流れる冷媒の流速を速める方向に、前記供給路を流れる冷媒のリーク流を発生させるノズルを形成するステップと、
を有することを特徴とする熱交換器の製造方法。
16.
半導体素子の冷却に用いる熱交換器の製造方法において、
冷媒が流れる微小流路を複数有する第五の層を形成するステップと、
この第五の層に隣接して設けられ、前記微小流路に供給される冷媒の一部が流出する第六の層を形成するステップと、
前記微小流路に供給される冷媒の一部を前記第六の層に流出させる孔を形成するステップと、
を有することを特徴とする熱交換器の製造方法。
Claims (6)
- 半導体素子の冷却に用いる熱交換器において、
冷媒が流れる微小流路を複数有する第一の層と、
前記第一の層に隣接して設けられ、前記微小流路に供給される冷媒を供給する供給路を有する第二の層と、
前記供給路から前記微小流路に流れ込む冷媒の流れに対する抵抗手段と、
を備え、
前記第一の層と前記第二の層との隣接部分は弾性体によって形成されたことを特徴とする熱交換器。 - 請求項1に記載の熱交換器であって、
前記抵抗手段は、
前記供給路と前記微小流路との接続部に形成された障壁であり、
冷媒が前記第二の層から前記接続部を通って前記第一の層へ導入されるように構成されたことを特徴とする熱交換器。 - 請求項1または2に記載の熱交換器であって、
下部を前記第一の層、上部を前記第二の層とすることを特徴とする熱交換器。 - 請求項1乃至3いずれかに記載の熱交換器であって、
前記微小流路は、前記第一の層の底部から厚み方向に形成された内壁と、前記弾性体とによって囲われた空間であって、冷媒が前記微小流路を一定方向に流れることを特徴とする熱交換器。 - 請求項1乃至4いずれかに記載の熱交換器であって、
前記供給路の上部に前記冷媒が導入される入口を有することを特徴とする熱交換器。 - 半導体素子の冷却に用いる熱交換器の製造方法において、
冷媒が流れる微小流路を複数有する第一の層を形成するステップと、
この第一の層に隣接して設けられ、前記微小流路に供給される冷媒を供給する供給路を有する第二の層を形成するステップと、
前記供給路から前記微小流路に流れ込む冷媒の流れに対する抵抗手段を形成するステップと、
前記第一の層と前記第二の層との隣接部分を弾性体によって形成するステップと、
を有することを特徴とする熱交換器の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008550036A JP5277963B2 (ja) | 2006-12-18 | 2007-12-03 | 半導体素子の冷却に用いる熱交換器およびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006340007 | 2006-12-18 | ||
JP2006340007 | 2006-12-18 | ||
JP2008550036A JP5277963B2 (ja) | 2006-12-18 | 2007-12-03 | 半導体素子の冷却に用いる熱交換器およびその製造方法 |
PCT/JP2007/001339 WO2008075452A1 (ja) | 2006-12-18 | 2007-12-03 | 半導体素子の冷却に用いる熱交換器およびその製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPWO2008075452A1 JPWO2008075452A1 (ja) | 2010-04-08 |
JP5277963B2 true JP5277963B2 (ja) | 2013-08-28 |
Family
ID=39536091
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2008550036A Active JP5277963B2 (ja) | 2006-12-18 | 2007-12-03 | 半導体素子の冷却に用いる熱交換器およびその製造方法 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20100025019A1 (ja) |
JP (1) | JP5277963B2 (ja) |
CN (1) | CN101563775B (ja) |
WO (1) | WO2008075452A1 (ja) |
Families Citing this family (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5412815B2 (ja) * | 2008-12-04 | 2014-02-12 | 富士通株式会社 | 冷却ジャケット、冷却ユニット、冷却システム及び電子機器 |
CN101865864B (zh) * | 2010-06-08 | 2012-07-04 | 华东理工大学 | 电子元器件相变冷却效果的测试系统 |
ES2652030T3 (es) | 2011-06-27 | 2018-01-31 | Carrier Corporation | Intercambiador de calor de carcasa y tubos con microcanales |
CN108878388B (zh) * | 2018-06-21 | 2019-08-23 | 西安交通大学 | 一种强化沸腾表面气泡快速脱离的装置及其制造方法 |
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Family Cites Families (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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-
2007
- 2007-12-03 WO PCT/JP2007/001339 patent/WO2008075452A1/ja active Application Filing
- 2007-12-03 US US12/518,357 patent/US20100025019A1/en not_active Abandoned
- 2007-12-03 CN CN200780046650.8A patent/CN101563775B/zh not_active Expired - Fee Related
- 2007-12-03 JP JP2008550036A patent/JP5277963B2/ja active Active
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN101563775A (zh) | 2009-10-21 |
CN101563775B (zh) | 2011-10-05 |
US20100025019A1 (en) | 2010-02-04 |
WO2008075452A1 (ja) | 2008-06-26 |
JPWO2008075452A1 (ja) | 2010-04-08 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20101105 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
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|
A521 | Request for written amendment filed |
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|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20130506 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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