JP5273025B2 - Wavelength variable interference filter, manufacturing method thereof, colorimetric sensor, and colorimetric module - Google Patents

Wavelength variable interference filter, manufacturing method thereof, colorimetric sensor, and colorimetric module Download PDF

Info

Publication number
JP5273025B2
JP5273025B2 JP2009271235A JP2009271235A JP5273025B2 JP 5273025 B2 JP5273025 B2 JP 5273025B2 JP 2009271235 A JP2009271235 A JP 2009271235A JP 2009271235 A JP2009271235 A JP 2009271235A JP 5273025 B2 JP5273025 B2 JP 5273025B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
substrate
groove
interference filter
adhesive
forming
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
JP2009271235A
Other languages
Japanese (ja)
Other versions
JP2011113000A (en
Inventor
晃幸 西村
朗 佐野
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Seiko Epson Corp
Original Assignee
Seiko Epson Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Seiko Epson Corp filed Critical Seiko Epson Corp
Priority to JP2009271235A priority Critical patent/JP5273025B2/en
Publication of JP2011113000A publication Critical patent/JP2011113000A/en
Application granted granted Critical
Publication of JP5273025B2 publication Critical patent/JP5273025B2/en
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Landscapes

  • Spectrometry And Color Measurement (AREA)
  • Mechanical Light Control Or Optical Switches (AREA)

Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a tunable interference filter, a method of manufacturing the filter, a colorimetric sensor, and a colorimetric module, capable of improving the joint strength of counter substrates and preventing damaging to a mirror. <P>SOLUTION: An electrode forming groove 511, a mirror fixing part 512 and an adhesive groove 513 as a groove part are formed on a first substrate 51 by etching. The adhesive groove 513 is formed in a recess at four corners of the first substrate 51. The adhesive groove 513 is formed in a flat and substantially triangular shape. Two adjacent sides (first forming side 513A, second forming side 513B) are formed in substantially right angle along two adjacent sides of the first substrate 51, and an inner circumferential part 513C facing these two sides is formed in an arc in parallel with the outer edge of a gap forming part 55. An adhesive 53 is disposed inside the adhesive groove 513. <P>COPYRIGHT: (C)2011,JPO&amp;INPIT

Description

本発明は、入射光から所望の目的波長の光を選択して射出する波長可変干渉フィルター、その製造方法、波長可変干渉フィルターを備えた測色センサー、およびこの測色センサーを備えた測色モジュールに関する。   The present invention relates to a wavelength tunable interference filter that selects and emits light having a desired target wavelength from incident light, a method for manufacturing the same, a colorimetric sensor including the wavelength tunable interference filter, and a colorimetric module including the colorimetric sensor. About.

従来、一対の基板の互いに対向する面に、それぞれ高反射ミラーを対向配置する波長可変干渉フィルターが知られている。このような波長可変干渉フィルターでは、一対のミラー間で光を反射させ、特定波長の光のみを透過させて、その他の波長の光を干渉により打ち消し合わせることで、入射光から特定波長の光のみを透過させる。この時、ミラー間のギャップを変更することで、所望の波長の光のみを透過させるため、波長可変干渉フィルターには高いギャップ精度が要求されている。
なお、ギャップ精度を向上させるためには、対向する基板面内において均一な接合強度を確保することが重要となる。
2. Description of the Related Art Conventionally, there is known a variable wavelength interference filter in which high reflection mirrors are arranged to face each other on a pair of substrates. In such a tunable interference filter, only light of a specific wavelength from incident light is reflected by reflecting light between a pair of mirrors, transmitting only light of a specific wavelength, and canceling light of other wavelengths by interference. Permeate. At this time, since only the light of a desired wavelength is transmitted by changing the gap between the mirrors, the wavelength variable interference filter is required to have high gap accuracy.
In order to improve the gap accuracy, it is important to ensure uniform bonding strength in the opposing substrate surfaces.

ここで、一対の基板間のギャップを形成するために、両基板の接合面に接着剤や接着膜を介在させて接合する構成が知られている(例えば、特許文献1および2参照)。
特許文献1に記載の波長可変干渉フィルターは、2枚の透明基板を所定の空隙を隔てて平行に対向させ、その中央部に光を入出射させる使用領域と使用領域の周縁に沿った枠領域を有し、対向する枠領域の上面同士を接着剤で接合して一体化した構成となっている。
また、特許文献2に記載の波長可変干渉フィルターは、対向する2つの基板が、シロキサン結合を含む接合膜を介して接合された構成となっており、この接合膜に紫外線、レーザー光等のエネルギーを付与することで接着性を発現させている。
また、対向する基板間にスペーサーを介在させることで一定間隔のギャップを維持する構成が知られており、(例えば、特許文献3、4および5参照)特許文献3では、対向する基板とスペーサーとを、陽極接合により接合している。
Here, in order to form a gap between a pair of substrates, a configuration is known in which bonding is performed with an adhesive or an adhesive film interposed between bonding surfaces of both substrates (see, for example, Patent Documents 1 and 2).
The wavelength tunable interference filter described in Patent Document 1 has a use region in which two transparent substrates are opposed to each other in parallel with a predetermined gap therebetween, and a frame region along the periphery of the use region where light enters and exits at the center. And the upper surfaces of the opposed frame regions are joined together by an adhesive and integrated.
The wavelength variable interference filter described in Patent Document 2 has a configuration in which two opposing substrates are bonded via a bonding film containing a siloxane bond, and energy such as ultraviolet light and laser light is bonded to the bonding film. Adhesiveness is expressed by imparting.
In addition, a configuration is known in which a gap is maintained by interposing a spacer between opposing substrates (see, for example, Patent Documents 3, 4 and 5). Are joined by anodic bonding.

特開2001−281443号公報JP 2001-281443 A 特開2009−134027号公報JP 2009-134027 A 特開2006−350124号公報JP 2006-350124 A 特開2005−66727号公報JP 2005-66727 A 特開2003−195031号公報JP 2003-195031 A

しかしながら、特許文献1および2のように、対向する基板を接着剤または接着膜を介在させて接合すると、接合強度は向上するものの、ギャップ形成部付近に撓みが発生し、精度の良いギャップを形成することが困難となる。また、ギャップが形成される空間に隣接して接着剤または接着膜が配置されると、接着剤の硬化に伴う揮発ガスが対向基板のギャップに侵入する可能性が高く、ミラー膜にダメージを与えるおそれがある。特に、特許文献1においては、接着膜に接着性を付与するために紫外線やレーザー光等が用いられており、これらを照射することで、ミラー膜にダメージを与えるおそれがある。   However, as in Patent Documents 1 and 2, when the opposing substrates are bonded with an adhesive or an adhesive film interposed therebetween, the bonding strength is improved, but bending occurs in the vicinity of the gap forming portion, thereby forming an accurate gap. Difficult to do. In addition, when an adhesive or an adhesive film is disposed adjacent to the space where the gap is formed, the volatile gas accompanying the curing of the adhesive is likely to enter the gap of the counter substrate and damages the mirror film. There is a fear. In particular, in Patent Document 1, ultraviolet light, laser light, or the like is used to impart adhesiveness to the adhesive film, and irradiating these may cause damage to the mirror film.

また、特許文献3、4および5のように、ギャップを形成するためにスペーサーを用いると、部品点数が多くなり、構造および工程が複雑化し、コスト高になるという問題がある。
さらに、特許文献3のように、対向する基板を陽極接合のみで接合した場合、接合強度が不十分となり、基板が剥離するおそれがある。
Further, as in Patent Documents 3, 4 and 5, when a spacer is used to form a gap, there are problems that the number of parts increases, the structure and process become complicated, and the cost increases.
Further, as in Patent Document 3, when the opposing substrates are bonded only by anodic bonding, the bonding strength becomes insufficient and the substrate may be peeled off.

本発明は、上述のような問題に鑑みて、対向する基板の接合強度を向上するとともにミラーに対するダメージを防止することができる波長可変フィルター、その製造方法、測色センサーおよび測色モジュールを提供することである。   In view of the above-described problems, the present invention provides a wavelength tunable filter capable of improving the bonding strength of opposing substrates and preventing damage to a mirror, a manufacturing method thereof, a colorimetric sensor, and a colorimetric module. That is.

本発明の波長可変干渉フィルターは、平面多角形状の第一基板と、前記第一基板の一面側に対向して配置された平面多角形状の第二基板と、前記第一基板および第二基板の互いに対向する面にそれぞれ設けられ、ギャップを隔てて互いに対向配置される一対のミラーと、前記第一基板および前記第二基板の互いに対向する面にそれぞれ設けられた接合面と、前記第一基板および前記第二基板のうち少なくともいずれか一方の角部に設けられた凹状の溝部と、前記溝部に配置された接着部材と、を具備したことを特徴とする。   The wavelength tunable interference filter of the present invention includes a planar polygonal first substrate, a planar polygonal second substrate disposed to face one surface of the first substrate, and the first substrate and the second substrate. A pair of mirrors which are respectively provided on surfaces facing each other and arranged to face each other with a gap; a joint surface provided on each surface facing the first substrate and the second substrate; and the first substrate. And a concave groove provided in at least one corner of the second substrate, and an adhesive member disposed in the groove.

ここで、接着部材は、接着性および弾力性を有するものであることが好ましく、例えば、常温で形状を維持可能な程度の粘性を有する接着剤等が用いられる。
この発明では、波長可変干渉フィルターは、第一基板と第二基板のいずれか一方の角部に凹状の溝部が形成され、この溝部に接着部材が配置されている。このため、第一基板と第二基板の接合面を接合した状態では、同時に、溝部に配置された接着部材を介して、両基板が接合される。このように、接着部材を利用することにより、第一基板と第二基板とをより確実に接合することができ、第一基板と第二基板の剥離を防止することができる。
特に、第一基板と第二基板との剥離は角部から最も起こりやすいが、本発明のように、基板の角部に溝部を形成して接着部材を配置するため、少ない量の接着部材で第一基板と第二基板との剥離を効率よく防止することができる。
また、溝部は凹状に形成され、この溝部の内部に接着部材が配置されるため、第一基板と第二基板の接合面の間に接着部材が挟まれる状態とはならない。したがって、接合面で接合している第一基板と第二基板は互いに接合面で支持されるため、一対のミラーを平行に維持することができる。
Here, the adhesive member preferably has adhesiveness and elasticity, and for example, an adhesive having a viscosity that can maintain the shape at room temperature is used.
In this invention, the wavelength variable interference filter has a concave groove formed at one of the corners of the first substrate and the second substrate, and an adhesive member is disposed in the groove. For this reason, in the state which joined the joint surface of the 1st board | substrate and the 2nd board | substrate, both board | substrates are joined simultaneously via the adhesive member arrange | positioned at a groove part. As described above, by using the adhesive member, the first substrate and the second substrate can be more reliably bonded, and the first substrate and the second substrate can be prevented from being peeled off.
In particular, the separation between the first substrate and the second substrate is most likely to occur from the corner, but as in the present invention, a groove is formed in the corner of the substrate and the adhesive member is disposed, so a small amount of adhesive member is used. Separation of the first substrate and the second substrate can be efficiently prevented.
Further, since the groove is formed in a concave shape and the adhesive member is disposed inside the groove, the adhesive member is not sandwiched between the bonding surfaces of the first substrate and the second substrate. Therefore, since the first substrate and the second substrate bonded at the bonding surface are supported by the bonding surface, the pair of mirrors can be maintained in parallel.

本発明の波長可変干渉フィルターにおいて、前記ギャップと前記ギャップの外周縁に沿って設けられる電極とを含んで構成される円形状のギャップ形成部を備え、前記溝部の内周縁は、該内周縁に最も近い位置で対向する前記ギャップ形成部の外周縁と同じ曲率で形成されていることが好ましい。   The tunable interference filter according to the aspect of the invention includes a circular gap forming portion configured to include the gap and an electrode provided along the outer peripheral edge of the gap, and the inner peripheral edge of the groove portion is formed on the inner peripheral edge. It is preferable that the gap is formed with the same curvature as the outer peripheral edge of the gap forming portion facing at the nearest position.

ここで、ギャップ形成部は、一対のミラー間に形成されるギャップと、この一対のミラーの外周に沿って設けられる電極とを含んでいる。ギャップ形成部の外周縁は、基板の角部に設けられた溝部の内周縁とそれぞれ対向している。溝部の内周縁は円弧状に形成されており、その曲率は、溝部の内周縁から最も近い位置で対向するギャップ形成部の外周縁と同じである。
波長可変干渉フィルターの製造時に、第一基板および第二基板が接着剤により接合された際、接着剤の硬化による力で基板が撓むことがある。本発明では、溝部の内周縁は、対向する円形状のギャップ形成部の外周縁と同じ曲率で形成されるため、接着剤の硬化により生じた撓みがギャップ形成部に達したときにその力を均一に発散することができる。したがって、基板に撓みが発生するのを防止することができる。
Here, the gap forming portion includes a gap formed between the pair of mirrors and an electrode provided along the outer periphery of the pair of mirrors. The outer peripheral edge of the gap forming portion is opposed to the inner peripheral edge of the groove provided at the corner of the substrate. The inner peripheral edge of the groove part is formed in an arc shape, and the curvature thereof is the same as the outer peripheral edge of the gap forming part that is opposed to the groove part at the closest position.
When the wavelength tunable interference filter is manufactured, when the first substrate and the second substrate are bonded with an adhesive, the substrate may be bent by a force due to curing of the adhesive. In the present invention, the inner peripheral edge of the groove portion is formed with the same curvature as the outer peripheral edge of the opposing circular gap forming portion, so that the force generated when the adhesive is hardened reaches the gap forming portion. It can diverge uniformly. Therefore, it is possible to prevent the substrate from being bent.

本発明の波長可変干渉フィルターにおいて、前記溝部は、前記溝部の内部と該波長可変干渉フィルターの外部とを連通する逃げ溝を備えたことが好ましい。   In the wavelength tunable interference filter according to the aspect of the invention, it is preferable that the groove includes an escape groove that communicates the inside of the groove with the outside of the wavelength tunable interference filter.

第一基板と第二基板とを接合することにより溝部が密閉された状態となると、接合時に基板に圧力を加える方法では、内圧により基板が撓み、一対のミラーを平行に維持できない場合がある。また、接着剤の硬化による力で基板が撓み、溝部の内圧が大きくなることで第一基板と第二基板との接合面による接合が剥離しやすくなる場合がある。本発明では、溝部の内部と波長可変干渉フィルターの外部とを連通する逃げ溝を備えているため、溝部に発生した内圧を波長可変干渉フィルターの外部に逃がすことができる。したがって、第一基板および第二基板の撓みを防止することができ、対向する一対のミラーを平行に維持することができる。   When the groove portion is sealed by bonding the first substrate and the second substrate, the method of applying pressure to the substrate at the time of bonding may cause the substrate to be bent by internal pressure, and the pair of mirrors may not be maintained in parallel. In addition, the substrate is bent by the force of curing of the adhesive, and the internal pressure of the groove is increased, so that the bonding by the bonding surface between the first substrate and the second substrate may be easily peeled off. In the present invention, since the escape groove that communicates the inside of the groove and the outside of the variable wavelength interference filter is provided, the internal pressure generated in the groove can be released to the outside of the variable wavelength interference filter. Therefore, bending of the first substrate and the second substrate can be prevented, and the pair of opposing mirrors can be maintained in parallel.

本発明の波長可変干渉フィルターにおいて、前記第一基板および前記第二基板は方形状であり、この方形状の四隅に前記溝部および前記接着部材が設けられていることが好ましい。   In the wavelength tunable interference filter according to the aspect of the invention, it is preferable that the first substrate and the second substrate have a rectangular shape, and the groove portion and the adhesive member are provided at four corners of the rectangular shape.

この発明では、波長可変干渉フィルターは方形状に成形される。すなわち、方形状の第一基板および第二基板のいずれか一方の四つの角部に凹状の溝部がそれぞれ形成され、各溝部の内部に接着部材が配置されている。このように、基板の角部が接着部材を介して接合されるので接合強度が向上し、基板が角部から剥離することを防止することができる。   In the present invention, the variable wavelength interference filter is formed in a square shape. That is, a concave groove is formed at each of the four corners of the square first substrate and the second substrate, and an adhesive member is disposed inside each groove. Thus, since the corner | angular part of a board | substrate is joined via an adhesive member, joining strength improves and it can prevent that a board | substrate peels from a corner | angular part.

本発明の波長可変干渉フィルターにおいて、前記接着部材は、前記溝部の内壁から離れて配置されることが好ましい。   In the wavelength tunable interference filter according to the aspect of the invention, it is preferable that the adhesive member is disposed away from the inner wall of the groove portion.

この発明では、接着部材は、溝部の内壁に付着せず離れた状態に配置される。接着部材が溝部の内壁に付着した状態であると、接合時に加圧すると溝部から接着部材がはみ出してしまう場合があり、一対のミラー間のギャップを平行に維持できなくなり、光学的特性を損なうおそれがある。本発明では、接着部材が溝部の内壁から離れて配置されるため、接着部材のはみ出しを防止することができる。   In the present invention, the adhesive member is arranged in a separated state without adhering to the inner wall of the groove portion. If the adhesive member is attached to the inner wall of the groove part, the adhesive member may protrude from the groove part when pressed during bonding, and the gap between the pair of mirrors cannot be maintained in parallel, which may impair the optical characteristics. There is. In the present invention, since the adhesive member is disposed away from the inner wall of the groove portion, it is possible to prevent the adhesive member from protruding.

本発明の波長可変干渉フィルターの製造方法は、透明基板を加工して第一基板を成形する第一基板成形工程と、透明基板を加工して第二基板を成形する第二基板成形工程と、前記第一基板成形工程と前記第二基板成形工程のうちいずれか一方の工程と同時に前記第一基板および前記第二基板のいずれか一方の角部に凹状の溝部を形成する溝部形成工程と、前記溝部に接着部材を塗布する接着部材塗布工程と、前記第一基板と前記第二基板とを重ね合わせ、加圧荷重により接合する接合工程と、を具備することを特徴とする。   The method for manufacturing a wavelength tunable interference filter of the present invention includes a first substrate molding step of processing a transparent substrate to mold a first substrate, a second substrate molding step of processing the transparent substrate to mold a second substrate, A groove forming step of forming a concave groove at one corner of the first substrate and the second substrate simultaneously with any one of the first substrate forming step and the second substrate forming step; An adhesive member applying step of applying an adhesive member to the groove; and a joining step of superimposing the first substrate and the second substrate and joining them with a pressure load.

この発明では、第一基板成形工程、第二基板成形工程、溝部形成工程、接着部材塗布工程、接合工程により波長可変干渉フィルターを製造する。溝部は、第一基板または第二基板のいずれか一方に形成されるため、溝部形成工程は、第一基板成形工程と第二基板成形工程のいずれか一方と同時に行われる。そして、溝部に接着部材が塗布された後、第一基板と第二基板とを重ね合わせて加圧荷重により接合する。これによれば、接着部材を塗布することにより、前述と同様の作用効果を奏することができる。   In this invention, the variable wavelength interference filter is manufactured by the first substrate forming step, the second substrate forming step, the groove forming step, the adhesive member applying step, and the joining step. Since the groove portion is formed on either the first substrate or the second substrate, the groove portion forming step is performed simultaneously with either the first substrate forming step or the second substrate forming step. And after apply | coating an adhesive member to a groove part, a 1st board | substrate and a 2nd board | substrate are piled up and it joins by a pressurization load. According to this, by applying the adhesive member, the same effects as described above can be achieved.

本発明の波長可変干渉フィルターの製造方法において、前記接着部材塗布工程では、前記接着部材を前記溝部の高さより高くなる状態に塗布することが好ましい。   In the wavelength tunable interference filter manufacturing method of the present invention, it is preferable that in the adhesive member application step, the adhesive member is applied so as to be higher than the height of the groove.

この発明では、接着部材を塗布する際、接着部材を塗布したときの高さが溝部の高さより高くなる状態に塗布する。これにより、第一基板と第二基板とを重ね合わせた際、接着部材が確実に両方の基板に接着するため、第一基板と第二基板を確実に接合することができる。   In this invention, when apply | coating an adhesive member, it applies so that the height when apply | coating an adhesive member may become higher than the height of a groove part. Thereby, when the first substrate and the second substrate are overlaid, the adhesive member reliably adheres to both the substrates, so that the first substrate and the second substrate can be reliably bonded.

本発明の波長可変干渉フィルターの製造方法において、前記接着部材塗布工程では、前記溝部の内壁から離れた位置に前記接着部材を塗布することが好ましい。   In the wavelength tunable interference filter manufacturing method of the present invention, it is preferable that in the adhesive member application step, the adhesive member is applied at a position away from the inner wall of the groove.

この発明では、接着部材を塗布する際、接着部材が溝部の内壁に付着しない位置に塗布する。特に、第一基板と第二基板とを重ね合わせたときでも接着部材が溝部の内壁に付着しない位置に、接着部材を塗布することが好ましい。これによれば、接着部材が溝部からはみ出すおそれがないので、光学特性を維持したまま、接合強度を向上させることができる。   In this invention, when apply | coating an adhesive member, it applies to the position where an adhesive member does not adhere to the inner wall of a groove part. In particular, it is preferable to apply the adhesive member at a position where the adhesive member does not adhere to the inner wall of the groove even when the first substrate and the second substrate are overlapped. According to this, since there is no possibility that the adhesive member protrudes from the groove portion, it is possible to improve the bonding strength while maintaining the optical characteristics.

本発明の測色センサーは、前述の波長可変干渉フィルターと、前記波長可変干渉フィルターを透過した検査対象光を受光する受光手段と、を備えることを特徴とする。   A colorimetric sensor according to the present invention includes the above-described wavelength tunable interference filter and light receiving means for receiving inspection target light transmitted through the wavelength tunable interference filter.

この発明では、上述した発明と同様に、波長可変干渉フィルターの一対のミラー間のギャップを一定に保持しながら第一基板と第二基板との接合強度を向上させることができる。このような波長可変干渉フィルターから射出される射出光を受光手段により受光することで、測色センサーは、検査対象光に含まれる所望波長の光成分の正確な光量を測定することができる。   In the present invention, as in the above-described invention, the bonding strength between the first substrate and the second substrate can be improved while keeping the gap between the pair of mirrors of the wavelength variable interference filter constant. By receiving the emitted light emitted from such a wavelength variable interference filter by the light receiving means, the colorimetric sensor can measure the exact light quantity of the light component of the desired wavelength contained in the inspection target light.

本発明の測色モジュールは、前述の測色センサーと、前記測色センサーの前記受光手段により受光された光に基づいて、測色処理を実施する測色処理部と、を具備したことを特徴とする。   The color measurement module of the present invention includes the color measurement sensor described above and a color measurement processing unit that performs color measurement processing based on the light received by the light receiving unit of the color measurement sensor. And

この発明では、上述した発明と同様に、波長可変干渉フィルターの一対のミラー間のギャップを一定に保持しながら第一基板と第二基板との接合強度を向上させることができるため、測色センサーの受光手段において、検査対象光に含まれる所望波長光の光量を正確に検出することができる。したがって、処理手段においても、検査対象光に含まれる所望波長の光の正確な光量に基づいて、検査対象光の各色成分の強度を精度よく分析できる。   In the present invention, as in the above-described invention, since the bonding strength between the first substrate and the second substrate can be improved while keeping the gap between the pair of mirrors of the wavelength variable interference filter constant, the colorimetric sensor In this light receiving means, it is possible to accurately detect the light amount of the desired wavelength light included in the inspection target light. Therefore, the processing means can also accurately analyze the intensity of each color component of the inspection target light based on the exact light amount of the light having the desired wavelength included in the inspection target light.

本発明に係る一実施形態の測色モジュールの概略構成を示す図。The figure which shows schematic structure of the color measurement module of one Embodiment which concerns on this invention. 前記実施形態の波長可変干渉フィルターを構成するエタロンの概略構成を示す平面図。The top view which shows schematic structure of the etalon which comprises the wavelength variable interference filter of the said embodiment. 図2においてエタロンをIII-III線で断面した際の断面図。FIG. 3 is a cross-sectional view of the etalon taken along line III-III in FIG. 2. 前記実施形態の第一基板の概略構成を示す平面図。The top view which shows schematic structure of the 1st board | substrate of the said embodiment. 前記実施形態のエタロン5の第一基板の製造工程を示す図であり、(A)は、第一基板51に電極形成用溝を形成するためのレジストを形成するレジスト形成工程の概略図、(B)は、電極形成用溝形成工程の概略図、(C)は、接着剤用溝形成工程の概略図、(D)は、第一電極形成工程の概略図、(E)は、固定ミラー形成工程の概略図、(F)は、接着部材塗布工程の概略図。It is a figure which shows the manufacturing process of the 1st board | substrate of the etalon 5 of the said embodiment, (A) is the schematic of the resist formation process which forms the resist for forming the groove | channel for electrode formation in the 1st board | substrate 51, ( B) is a schematic view of the electrode forming groove forming step, (C) is a schematic view of the adhesive groove forming step, (D) is a schematic view of the first electrode forming step, and (E) is a fixed mirror. The schematic of a formation process, (F) is the schematic of an adhesive member application | coating process. 図5(F)において溝部に設けられた接着剤を示す要部拡大図。The principal part enlarged view which shows the adhesive agent provided in the groove part in FIG.5 (F). 前記実施形態のエタロン5の第二基板の製造工程の概略を示す図であり、(A)は、基板にCr/Au膜を性膜する成膜工程の概略図、(B)は、第二電極形成工程の概略図、(C)は、ダイヤフラム形成工程の概略図、(D)は、ミラー形成工程を示す概略図。It is a figure which shows the outline of the manufacturing process of the 2nd board | substrate of the etalon 5 of the said embodiment, (A) is the schematic of the film-forming process which forms a Cr / Au film on a board | substrate, (B) is the 2nd The schematic of an electrode formation process, (C) is the schematic of a diaphragm formation process, (D) is the schematic which shows a mirror formation process.

以下、本発明に係る一実施形態の測色モジュールについて、図面を参照して説明する。
〔1.測色モジュールの全体構成〕
図1は、本発明に係る第一実施形態の測色モジュールの概略構成を示す図である。
この測色モジュール1は、図1に示すように、被検査対象Aに光を射出する光源装置2と、本発明の測色センサー3と、測色モジュール1の全体動作を制御する制御装置4とを備えている。そして、この測色モジュール1は、光源装置2から射出される光を被検査対象Aにて反射させ、反射された検査対象光を測色センサーにて受光し、測色センサー3から出力される検出信号に基づいて、検査対象光の色度、すなわち被検査対象Aの色を分析して測定するモジュールである。
Hereinafter, a color measurement module according to an embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings.
[1. Overall configuration of the color measurement module)
FIG. 1 is a diagram showing a schematic configuration of a color measurement module according to the first embodiment of the present invention.
As shown in FIG. 1, the color measurement module 1 includes a light source device 2 that emits light to an inspection target A, a color measurement sensor 3 according to the present invention, and a control device 4 that controls the overall operation of the color measurement module 1. And. The color measurement module 1 reflects the light emitted from the light source device 2 by the inspection target A, receives the reflected inspection target light by the color measurement sensor, and outputs the light from the color measurement sensor 3. This module analyzes and measures the chromaticity of the inspection target light, that is, the color of the inspection target A based on the detection signal.

〔2.光源装置の構成〕
光源装置2は、光源21、複数のレンズ22(図1には1つのみ記載)を備え、被検査対象Aに対して白色光を射出する。また、複数のレンズ22には、コリメーターレンズが含まれており、光源装置2は、光源21から射出された白色光をコリメーターレンズにより平行光とし、図示しない投射レンズから被検査対象Aに向かって射出する。
[2. Configuration of light source device]
The light source device 2 includes a light source 21 and a plurality of lenses 22 (only one is shown in FIG. 1), and emits white light to the inspection target A. The plurality of lenses 22 include a collimator lens, and the light source device 2 converts the white light emitted from the light source 21 into parallel light by the collimator lens, and passes from the projection lens (not shown) to the object A to be inspected. Ejected towards.

〔3.測色センサーの構成〕
測色センサー3は、図1に示すように、本発明の波長可変干渉フィルターを構成するエタロン5と、エタロン5を透過する光を受光する受光手段としての受光素子31と、エタロン5で透過させる光の波長を可変する電圧制御手段6と、を備えている。また、測色センサー3は、エタロン5に対向する位置に、被検査対象Aで反射された反射光(検査対象光)を、内部に導光する図示しない入射光学レンズを備えている。そして、この測色センサー3は、エタロン5により、入射光学レンズから入射した検査対象光のうち、所定波長の光のみを分光し、分光した光を受光素子31にて受光する。
受光素子31は、複数の光電交換素子により構成されており、受光量に応じた電気信号を生成する。そして、受光素子31は、制御装置4に接続されており、生成した電気信号を受光信号として制御装置4に出力する。
[3. (Configuration of colorimetric sensor)
As shown in FIG. 1, the colorimetric sensor 3 transmits the etalon 5 constituting the wavelength tunable interference filter of the present invention, a light receiving element 31 as a light receiving means for receiving light transmitted through the etalon 5, and the etalon 5. Voltage control means 6 for changing the wavelength of light. Further, the colorimetric sensor 3 includes an incident optical lens (not shown) that guides reflected light (inspection target light) reflected by the inspection target A at a position facing the etalon 5. The colorimetric sensor 3 uses the etalon 5 to split only the light having a predetermined wavelength out of the inspection target light incident from the incident optical lens, and the light receiving element 31 receives the split light.
The light receiving element 31 includes a plurality of photoelectric exchange elements, and generates an electrical signal corresponding to the amount of received light. The light receiving element 31 is connected to the control device 4 and outputs the generated electrical signal to the control device 4 as a light reception signal.

(3−1.エタロンの構成)
図2は、本発明の波長可変干渉フィルターを構成するエタロン5の概略構成を示す平面図であり、図3は、エタロン5の概略構成を示す断面図である。なお、図1では、エタロン5に検査対象光が図中下側から入射しているが、図3では、検査対象光が図中上側から入射するものとする。
エタロン5は、図2に示すように、平面正方形状の板状の光学部材であり、一辺が例えば20mmに形成されている。このエタロン5は、図3に示すように、第一基板51、および第二基板52を備えている。これらの2枚の基板51,52は、それぞれ例えば、ソーダガラス、結晶性ガラス、石英ガラス、鉛ガラス、カリウムガラス、ホウケイ酸ガラス、無アルカリガラスなどの各種ガラスや、水晶などにより形成されている。これらの中でも、各基板51,52の構成材料としては、例えばナトリウム(Na)やカリウム(K)などのアルカリ金属を含有したガラスが好ましく、このようなガラスにより各基板51,52を形成することで、後述するミラー56,57や、各電極の密着性や、基板同士の接合強度を向上させることが可能となる。そして、これらの2つの基板51,52は、外周部近傍に形成される接合面51A,52Aが、例えば常温活性化接合などの加圧接合、および角部に形成される接着剤用溝513に配置された接着部材としての接着剤53により接合されることで、一体的に構成されている。
(3-1. Composition of etalon)
FIG. 2 is a plan view showing a schematic configuration of the etalon 5 constituting the tunable interference filter of the present invention, and FIG. 3 is a cross-sectional view showing a schematic configuration of the etalon 5. In FIG. 1, the inspection target light is incident on the etalon 5 from the lower side in the figure, but in FIG. 3, the inspection target light is incident from the upper side in the figure.
As shown in FIG. 2, the etalon 5 is a planar square plate-shaped optical member, and one side is formed, for example, at 20 mm. The etalon 5 includes a first substrate 51 and a second substrate 52 as shown in FIG. These two substrates 51 and 52 are each formed of, for example, various glasses such as soda glass, crystalline glass, quartz glass, lead glass, potassium glass, borosilicate glass, and alkali-free glass, or crystal. . Among these, as a constituent material of each board | substrate 51,52, the glass containing alkali metals, such as sodium (Na) and potassium (K), for example is preferable, and each board | substrate 51,52 is formed with such glass. Thus, it becomes possible to improve the adhesion between the mirrors 56 and 57, which will be described later, and the electrodes, and the bonding strength between the substrates. These two substrates 51 and 52 have bonding surfaces 51A and 52A formed in the vicinity of the outer peripheral portion in pressure bonding such as room temperature activation bonding and adhesive grooves 513 formed in corners, for example. By being joined by an adhesive 53 as an arranged adhesive member, it is configured integrally.

また、第一基板51と、第二基板52との間には、本発明の一対のミラーを構成する固定ミラー56および可動ミラー57が設けられる。ここで、固定ミラー56は、第一基板51の第二基板52に対向する面に固定され、可動ミラー57は、第二基板52の第一基板51に対向する面に固定されている。また、これらの固定ミラー56および可動ミラー57は、ミラー間ギャップGを介して対向配置されている。
さらに、第一基板51と第二基板52との間には、固定ミラー56および可動ミラー57の間のミラー間ギャップGの寸法を調整するための静電アクチュエーター54が設けられている。
ここで、固定ミラー56および可動ミラー57によって形成されるミラー間ギャップGおよび静電アクチュエーター54を含んで形成される円形状の領域をギャップ形成部55とする。
Further, between the first substrate 51 and the second substrate 52, a fixed mirror 56 and a movable mirror 57 constituting a pair of mirrors of the present invention are provided. Here, the fixed mirror 56 is fixed to the surface of the first substrate 51 facing the second substrate 52, and the movable mirror 57 is fixed to the surface of the second substrate 52 facing the first substrate 51. Further, the fixed mirror 56 and the movable mirror 57 are disposed to face each other with a gap G between the mirrors.
Furthermore, an electrostatic actuator 54 for adjusting the dimension of the inter-mirror gap G between the fixed mirror 56 and the movable mirror 57 is provided between the first substrate 51 and the second substrate 52.
Here, a circular region including the inter-mirror gap G formed by the fixed mirror 56 and the movable mirror 57 and the electrostatic actuator 54 is defined as a gap forming portion 55.

(3−1−1.第一基板の構成)
第一基板51は、厚みが例えば500μmに形成されるガラス基材をエッチングにより加工することで形成される。具体的には、図3に示すように、第一基板51には、エッチングにより電極形成用溝511、ミラー固定部512および溝部としての接着剤用溝513が形成される。
電極形成用溝511は、図4に示すようなエタロン5を厚み方向から見た平面視(以降、エタロン平面視と称す)において、平面中心点を中心とした円形に形成されている。ミラー固定部512は、前記平面視において、電極形成用溝511の中心部から第二基板52側に突出して形成される。
(3-1-1. Configuration of the first substrate)
The first substrate 51 is formed by processing a glass substrate having a thickness of, for example, 500 μm by etching. Specifically, as shown in FIG. 3, an electrode forming groove 511, a mirror fixing portion 512, and an adhesive groove 513 as a groove portion are formed on the first substrate 51 by etching.
The electrode forming groove 511 is formed in a circular shape centered on the plane center point in a plan view (hereinafter referred to as etalon plan view) of the etalon 5 as shown in FIG. The mirror fixing portion 512 is formed so as to protrude from the center portion of the electrode forming groove 511 toward the second substrate 52 in the plan view.

電極形成用溝511は、ミラー固定部512の外周縁から、当該電極形成用溝511の内周壁面までの間に、リング状の電極固定面511Aが形成され、この電極固定面511Aに第一変位用電極541が形成される。また、第一変位用電極541の外周縁の一部からは、図2に示すようなエタロン平面視において、エタロン5の左方向および右方向に向かって、第一変位用電極引出部541Aがそれぞれ延出して形成されている。さらに、これらの第一変位用電極引出部541Aの先端には、それぞれ第一変位用電極パッド541Bが形成され、これらの第一変位用電極パッド541Bが電圧制御手段6に接続される。
ここで、静電アクチュエーター54を駆動させる際には、電圧制御手段6により、一対の第一変位用電極パッド541Bのうちのいずれか一方にのみに電圧が印加される。そして、他方の第一変位用電極パッド541Bは、第一変位用電極541の電荷保持量を検出するための検出端子として用いられる。
The electrode forming groove 511 has a ring-shaped electrode fixing surface 511A formed between the outer peripheral edge of the mirror fixing portion 512 and the inner peripheral wall surface of the electrode forming groove 511, and the electrode fixing surface 511A has a first A displacement electrode 541 is formed. Further, from a part of the outer peripheral edge of the first displacement electrode 541, the first displacement electrode lead-out portion 541A is directed to the left direction and the right direction of the etalon 5 in the plan view of the etalon as shown in FIG. It is formed to extend. Further, first displacement electrode pads 541B are respectively formed at the tips of the first displacement electrode lead portions 541A, and these first displacement electrode pads 541B are connected to the voltage control means 6.
Here, when the electrostatic actuator 54 is driven, a voltage is applied to only one of the pair of first displacement electrode pads 541B by the voltage control means 6. The other first displacement electrode pad 541B is used as a detection terminal for detecting the charge retention amount of the first displacement electrode 541.

ミラー固定部512は、上述したように、電極形成用溝511と同軸上で、電極形成用溝511よりも小さい径寸法となる円柱状に形成されている。なお、本実施形態では、図3に示すように、ミラー固定部512の第二基板52に対向するミラー固定面512Aが、電極固定面511Aよりも第二基板52に近接して形成される例を示すが、これに限らない。電極固定面511Aおよびミラー固定面512Aの高さ位置は、ミラー固定面512Aに固定される固定ミラー56、および第二基板52に形成される可動ミラー57の間のミラー間ギャップGの寸法、第一変位用電極541および第二基板52に形成される後述の第二変位用電極542の間の寸法、固定ミラー56や可動ミラー57の厚み寸法により適宜設定されるものであり、上記のような構成に限られない。例えばミラー56,57として、誘電体多層膜ミラーを用い、その厚み寸法が増大する場合、電極固定面511Aとミラー固定面512Aとが同一面に形成される構成や、電極固定面511Aの中心部に、円柱凹溝上のミラー固定溝が形成され、このミラー固定溝の底面にミラー固定面512Aが形成される構成などとしてもよい。   As described above, the mirror fixing portion 512 is formed in a columnar shape that is coaxial with the electrode forming groove 511 and has a smaller diameter than the electrode forming groove 511. In the present embodiment, as shown in FIG. 3, the mirror fixing surface 512A facing the second substrate 52 of the mirror fixing portion 512 is formed closer to the second substrate 52 than the electrode fixing surface 511A. However, the present invention is not limited to this. The height positions of the electrode fixing surface 511A and the mirror fixing surface 512A are the dimensions of the inter-mirror gap G between the fixed mirror 56 fixed to the mirror fixing surface 512A and the movable mirror 57 formed on the second substrate 52. It is appropriately set according to the dimension between the first displacement electrode 541 and the second displacement electrode 542 described later formed on the second substrate 52 and the thickness dimension of the fixed mirror 56 and the movable mirror 57. It is not limited to the configuration. For example, when dielectric multilayer mirrors are used as the mirrors 56 and 57 and the thickness dimension thereof increases, a configuration in which the electrode fixing surface 511A and the mirror fixing surface 512A are formed on the same surface, or the central portion of the electrode fixing surface 511A Alternatively, a mirror fixing groove on the cylindrical concave groove may be formed, and a mirror fixing surface 512A may be formed on the bottom surface of the mirror fixing groove.

また、ミラー固定部512のミラー固定面512Aは、エタロン5を透過させる波長域をも考慮して、溝深さが設計されることが好ましい。例えば、本実施形態では、固定ミラー56および可動ミラー57の間のミラー間ギャップGの初期値(第一変位用電極541および第二変位用電極542間に電圧が印加されていない状態のミラー間ギャップGの寸法)が450nmに設定され、第一変位用電極541および第二変位用電極542間に電圧を印加することにより、ミラー間ギャップGが例えば250nmになるまで可動ミラー57を変位させることが可能となっており、これにより、第一変位用電極541および第二変位用電極542間の電圧を可変することで、可視光全域の波長の光を選択的に分光させて透過させることが可能となる。この場合、固定ミラー56および可動ミラー57の膜厚およびミラー固定面512Aや電極固定面511Aの高さ寸法は、ミラー間ギャップGを250nm〜450nmの間で変位可能な値に設定されていればよい。   In addition, the mirror fixing surface 512A of the mirror fixing portion 512 is preferably designed with a groove depth in consideration of the wavelength range through which the etalon 5 is transmitted. For example, in this embodiment, the initial value of the inter-mirror gap G between the fixed mirror 56 and the movable mirror 57 (between the mirrors in a state where no voltage is applied between the first displacement electrode 541 and the second displacement electrode 542). The dimension of the gap G) is set to 450 nm, and by applying a voltage between the first displacement electrode 541 and the second displacement electrode 542, the movable mirror 57 is displaced until the inter-mirror gap G becomes, for example, 250 nm. As a result, by changing the voltage between the first displacement electrode 541 and the second displacement electrode 542, light having a wavelength in the entire visible light range can be selectively dispersed and transmitted. It becomes possible. In this case, if the film thickness of the fixed mirror 56 and the movable mirror 57 and the height dimension of the mirror fixing surface 512A and the electrode fixing surface 511A are set to values that allow the gap G between the mirrors to be displaced between 250 nm and 450 nm. Good.

そして、ミラー固定面512Aには、直径が約3mmの円形状に形成される固定ミラー56が固定されている。この固定ミラー56は、AgC単層により形成されるミラーであり、スパッタリングなどの手法によりミラー固定面512Aに形成される。
なお、本実施形態では、固定ミラー56として、エタロン5で分光可能な波長域として可視光全域をカバーできるAgC単層のミラーを用いる例を示すが、これに限定されず、例えば、エタロン5で分光可能な波長域が狭いが、AgC単層ミラーよりも、分光された光の透過率が大きく、透過率の半値幅も狭く分解能が良好な、例えばTiO−SiO系誘電体多層膜ミラーを用いる構成としてもよい。ただし、この場合、上述したように、第一基板51のミラー固定面512Aや電極固定面511Aの高さ位置を、固定ミラー56や可動ミラー57、分光させる光の波長選択域などにより、適宜設定する必要がある。
A fixed mirror 56 formed in a circular shape having a diameter of about 3 mm is fixed to the mirror fixing surface 512A. The fixed mirror 56 is a mirror formed of an AgC single layer, and is formed on the mirror fixed surface 512A by a technique such as sputtering.
In the present embodiment, an example in which an AgC single layer mirror that can cover the entire visible light region as a wavelength region that can be dispersed by the etalon 5 is used as the fixed mirror 56 is not limited to this. Although the spectral wavelength range is narrow, the transmittance of the dispersed light is larger than that of the AgC single layer mirror, the half width of the transmittance is narrow, and the resolution is good. For example, a TiO 2 —SiO 2 dielectric multilayer mirror It is good also as a structure using. However, in this case, as described above, the height positions of the mirror fixing surface 512A and the electrode fixing surface 511A of the first substrate 51 are appropriately set by the fixed mirror 56, the movable mirror 57, the wavelength selection range of the light to be dispersed, and the like. There is a need to.

接着剤用溝513は、図4に示す第一基板51の平面視において、第一基板51の四隅にそれぞれ凹状に形成される。接着剤用溝513は、平面略三角形状に形成され、隣接する2辺(第一形成辺513A、第二形成辺513B)が第一基板51の隣接する2辺に沿って略直角に形成されるとともに、これら2辺に対向する内周縁部513Cは、該内周縁部513Cに最も近い位置で対向するギャップ形成部55の外周縁と同じ曲率を有する円弧状に形成される。また、接着剤用溝513は、内周縁部513Cと第一形成辺513Aとを連結する第四形成辺513Dと、内周縁部513Cと第二形成辺513Bとを連結する第五形成辺513Eと、を有している。
接着剤用溝513は、その溝底面513Fがミラー固定面512Aの同一面内に位置する。このような構成であることにより、製造工程において、ミラー固定部512と接着剤用溝513とを、エッチングにより同時に形成することができる。
The adhesive grooves 513 are formed in concave shapes at the four corners of the first substrate 51 in a plan view of the first substrate 51 shown in FIG. The adhesive groove 513 is formed in a substantially triangular shape on the plane, and two adjacent sides (first forming side 513A and second forming side 513B) are formed at substantially right angles along the two adjacent sides of the first substrate 51. In addition, the inner peripheral edge portion 513C facing these two sides is formed in an arc shape having the same curvature as the outer peripheral edge of the gap forming portion 55 facing the inner peripheral edge portion 513C at the closest position. The adhesive groove 513 includes a fourth forming side 513D that connects the inner peripheral edge 513C and the first forming side 513A, and a fifth forming side 513E that connects the inner peripheral edge 513C and the second forming side 513B. ,have.
The groove 513 for adhesive has a groove bottom surface 513F located in the same plane of the mirror fixing surface 512A. With such a configuration, in the manufacturing process, the mirror fixing portion 512 and the adhesive groove 513 can be simultaneously formed by etching.

接着剤用溝513の内部には接着剤53が配置される。接着剤用溝513の容積は、塗布される接着剤53の体積よりも大きく、接着剤53は、接着剤用溝513の内壁から離れた状態に配置される。このような状態となる具体例として、例えば、接着剤用溝513の第一形成辺513Aおよび第二形成辺513Bの長さを3mm、接着剤用溝513の深さを120nmとした容積1.25×10−13の接着剤用溝513に、体積が0.63×10−13の接着剤53を配置する。このように、接着剤53は接着剤用溝513の容積に対して体積が十分に小さいので、接着剤用溝513の内壁から離れた位置に接着剤53を配置することができる。
また、接着剤用溝513は、第一形成辺513Aからエタロン5の外部に連通する逃げ溝514と、第二形成辺513Bからエタロン5の外部に連通する逃げ溝515と、を備えている。逃げ溝514および515は、接着剤用溝513と同じ深さを有し、第一基板51と第二基板52とが重ね合わされた際には、接着剤用溝513の内部とエタロン5の外部を連通させて接着剤用溝513内部の内圧をエタロン5の外部に逃がす機能を有する。
An adhesive 53 is disposed inside the adhesive groove 513. The volume of the adhesive groove 513 is larger than the volume of the applied adhesive 53, and the adhesive 53 is disposed in a state of being separated from the inner wall of the adhesive groove 513. As a specific example of such a state, for example, a volume of 1.1 in which the length of the first forming side 513A and the second forming side 513B of the adhesive groove 513 is 3 mm and the depth of the adhesive groove 513 is 120 nm. An adhesive 53 having a volume of 0.63 × 10 −13 m 3 is disposed in the adhesive groove 513 having a size of 25 × 10 −13 m 3 . As described above, since the volume of the adhesive 53 is sufficiently small with respect to the volume of the adhesive groove 513, the adhesive 53 can be disposed at a position away from the inner wall of the adhesive groove 513.
The adhesive groove 513 includes a relief groove 514 that communicates from the first formation side 513A to the outside of the etalon 5 and a relief groove 515 that communicates from the second formation side 513B to the outside of the etalon 5. The escape grooves 514 and 515 have the same depth as the adhesive groove 513, and when the first substrate 51 and the second substrate 52 are overlapped, the inside of the adhesive groove 513 and the outside of the etalon 5. And the internal pressure in the adhesive groove 513 is released to the outside of the etalon 5.

さらに、第一基板51は、第二基板52に対向する上面とは反対側の下面において、固定ミラー56に対応する位置に図示略の反射防止膜(AR)が形成されている。この反射防止膜は、低屈折率膜および高屈折率膜を交互に積層することで形成され、第一基板51の表面での可視光の反射率を低下させ、透過率を増大させる。   Furthermore, the first substrate 51 is provided with an antireflection film (AR) (not shown) at a position corresponding to the fixed mirror 56 on the lower surface opposite to the upper surface facing the second substrate 52. This antireflection film is formed by alternately laminating low refractive index films and high refractive index films, and reduces the reflectance of visible light on the surface of the first substrate 51 and increases the transmittance.

(3−1−2.第二基板の構成)
第二基板52は、厚みが例えば200μmに形成されるガラス基材をエッチングにより加工することで形成される。
具体的には、第二基板52には、図2に示すような平面視において、基板中心点を中心とした円形の可動部521と、可動部521と同軸であり可動部521を保持する連結保持部522と、を備えている。
(3-1-2. Configuration of Second Substrate)
The second substrate 52 is formed by processing a glass substrate having a thickness of, for example, 200 μm by etching.
Specifically, the second substrate 52 has a circular movable portion 521 centered on the substrate center point and a connection that is coaxial with the movable portion 521 and holds the movable portion 521 in a plan view as shown in FIG. Holding part 522.

可動部521は、連結保持部522よりも厚み寸法が大きく形成され、例えば、本実施形態では、第二基板52の厚み寸法と同一寸法である200μmに形成されている。また、可動部521は、ミラー固定部512に平行な可動面521Aを備え、この可動面521Aに可動ミラー57が固定されている。ここで、この可動ミラー57と、上記した固定ミラー56とにより、本発明の一対のミラーが構成される。また、本実施形態では、可動ミラー57と固定ミラー56との間のミラー間ギャップGは、初期状態において、450nmに設定されている。
ここで、この可動ミラー57は、上述した固定ミラー56と同一の構成のミラーが用いられ、本実施形態では、AgC単層ミラーが用いられる。また、AgC単層ミラーの膜厚寸法は、例えば0.03μmに形成されている。
The movable portion 521 is formed to have a thickness dimension larger than that of the connection holding portion 522. For example, in the present embodiment, the movable portion 521 is formed to be 200 μm, which is the same dimension as the thickness dimension of the second substrate 52. The movable portion 521 includes a movable surface 521A parallel to the mirror fixing portion 512, and the movable mirror 57 is fixed to the movable surface 521A. Here, the movable mirror 57 and the fixed mirror 56 described above constitute a pair of mirrors of the present invention. In the present embodiment, the inter-mirror gap G between the movable mirror 57 and the fixed mirror 56 is set to 450 nm in the initial state.
Here, the movable mirror 57 is a mirror having the same configuration as the fixed mirror 56 described above, and in this embodiment, an AgC single layer mirror is used. The film thickness dimension of the AgC single layer mirror is, for example, 0.03 μm.

エタロン5は、静電アクチュエーター54に所定の電圧を印加することで、可動部521を基板厚み方向に沿って移動させてミラー間ギャップGを調整し、検査対象光から分光させる光を選択することが可能となる。
可動部521は、可動面521Aとは反対側の上面において、可動ミラー57に対応する位置に図示略の反射防止膜(AR)が形成されている。この反射防止膜は、第一基板51に形成される反射防止膜と同様の構成を有し、低屈折率膜および高屈折率膜を交互に積層することで形成される。
The etalon 5 applies a predetermined voltage to the electrostatic actuator 54, thereby moving the movable portion 521 along the substrate thickness direction to adjust the gap G between the mirrors, and to select light to be split from the inspection target light. Is possible.
The movable portion 521 has an antireflection film (AR) (not shown) formed at a position corresponding to the movable mirror 57 on the upper surface opposite to the movable surface 521A. This antireflection film has the same configuration as the antireflection film formed on the first substrate 51, and is formed by alternately laminating a low refractive index film and a high refractive index film.

連結保持部522は、可動部521の周囲を囲うダイヤフラムであり、例えば厚み寸法が50μmに形成されている。この連結保持部522の第一基板51に対向する面には、第一変位用電極541と、約1μmの電磁ギャップを介して対向する、リング状の第二変位用電極542が形成されている。ここで、この第二変位用電極542および前述した第一変位用電極541により、本発明の可変手段である静電アクチュエーター54が構成される。
また、第二変位用電極542の外周縁の一部からは、一対の第二変位用電極引出部542Aが外周方向に向かって形成され、これらの第二変位用電極引出部542Aの先端には第二変位用電極パッド542Bが形成されている。より具体的には、第二変位用電極引出部542Aおよび第二変位用電極パッド542Bは、図2に示すように、第一基板51のギャップ形成部55からエタロン5の上方向および下方向に向かって延出する位置に、平面中心に対して点対称に形成される。
また、第二変位用電極パッド542Bも、第一変位用電極パッド541Bと同様に、電圧制御手段6に接続され、静電アクチュエーター54の駆動時には、一対の第二変位用電極パッド542Bのうちのいずれか一方にのみに電圧が印加される。そして、他方の第二変位用電極パッド542Bは、第二変位用電極542の電荷保持量を検出するための検出端子として用いられる。
The connection holding part 522 is a diaphragm surrounding the periphery of the movable part 521, and has a thickness dimension of, for example, 50 μm. A ring-shaped second displacement electrode 542 facing the first displacement electrode 541 with an electromagnetic gap of about 1 μm is formed on the surface of the connection holding portion 522 facing the first substrate 51. . Here, the second displacement electrode 542 and the first displacement electrode 541 described above constitute an electrostatic actuator 54 which is a variable means of the present invention.
Also, a pair of second displacement electrode lead portions 542A are formed from the part of the outer peripheral edge of the second displacement electrode 542 toward the outer peripheral direction, and at the tip of these second displacement electrode lead portions 542A A second displacement electrode pad 542B is formed. More specifically, the second displacement electrode lead-out portion 542A and the second displacement electrode pad 542B are disposed upward and downward from the gap forming portion 55 of the first substrate 51 as shown in FIG. It is formed point-symmetrically with respect to the plane center at a position extending toward the center.
Similarly to the first displacement electrode pad 541B, the second displacement electrode pad 542B is connected to the voltage control means 6, and when the electrostatic actuator 54 is driven, of the pair of second displacement electrode pads 542B. A voltage is applied to only one of them. The other second displacement electrode pad 542B is used as a detection terminal for detecting the charge retention amount of the second displacement electrode 542.

(3−2.電圧制御手段の構成)
電圧制御手段6は、上記エタロン5とともに、本発明の波長可変干渉フィルターを構成する。この電圧制御手段6は、制御装置4から入力される制御信号に基づいて、静電アクチュエーター54の第一変位用電極541および第二変位用電極542に印加する電圧を制御する。
(3-2. Configuration of voltage control means)
The voltage control means 6 constitutes the variable wavelength interference filter of the present invention together with the etalon 5. The voltage control means 6 controls the voltage applied to the first displacement electrode 541 and the second displacement electrode 542 of the electrostatic actuator 54 based on a control signal input from the control device 4.

〔4.制御装置の構成〕
制御装置4は、測色モジュール1の全体動作を制御する。
この制御装置4としては、例えば汎用パーソナルコンピューターや、携帯情報端末、その他、測色専用コンピューターなどを用いることができる。
そして、制御装置4は、図1に示すように、光源制御部41、測色センサー制御部42、および測色処理部43などを備えて構成されている。
光源制御部41は、光源装置2に接続されている。そして、光源制御部41は、例えば利用者の設定入力に基づいて、光源装置2に所定の制御信号を出力し、光源装置2から所定の明るさの白色光を射出させる。
測色センサー制御部42は、測色センサー3に接続されている。そして、測色センサー制御部42は、例えば利用者の設定入力に基づいて、測色センサー3にて受光させる光の波長を設定し、この波長の光の受光量を検出する旨の制御信号を測色センサー3に出力する。これにより、測色センサー3の電圧制御手段6は、制御信号に基づいて、利用者が所望する光の波長のみを透過させるよう、静電アクチュエーター54への印加電圧を設定する。
[4. Configuration of control device]
The control device 4 controls the overall operation of the color measurement module 1.
As this control device 4, for example, a general-purpose personal computer, a portable information terminal, or a color measurement computer can be used.
As shown in FIG. 1, the control device 4 includes a light source control unit 41, a colorimetric sensor control unit 42, a colorimetric processing unit 43, and the like.
The light source control unit 41 is connected to the light source device 2. Then, the light source control unit 41 outputs a predetermined control signal to the light source device 2 based on, for example, a user setting input, and causes the light source device 2 to emit white light with a predetermined brightness.
The colorimetric sensor control unit 42 is connected to the colorimetric sensor 3. The colorimetric sensor control unit 42 sets a wavelength of light received by the colorimetric sensor 3 based on, for example, a user's setting input, and outputs a control signal for detecting the amount of light received at this wavelength. Output to the colorimetric sensor 3. Thereby, the voltage control means 6 of the colorimetric sensor 3 sets the voltage applied to the electrostatic actuator 54 so as to transmit only the wavelength of light desired by the user based on the control signal.

〔5.エタロンの製造方法〕
上記エタロン5の製造は、第一基板成形工程、第二基板成形工程、溝部形成工程、接着剤塗布工程、および接合工程により行われる。以下、図面に基づいて説明する。
(5−1.第一基板成形工程および溝部形成工程)
本実施形態では、第一基板51に接着剤用溝513が形成されるため、第一基板成形工程と同時に溝部形成工程が実施される。
[5. Etalon Manufacturing Method)
The etalon 5 is manufactured by a first substrate forming process, a second substrate forming process, a groove forming process, an adhesive applying process, and a joining process. Hereinafter, description will be given based on the drawings.
(5-1. First substrate forming step and groove forming step)
In the present embodiment, since the adhesive groove 513 is formed on the first substrate 51, the groove forming step is performed simultaneously with the first substrate forming step.

第一基板51を製造するためには、まず、図5(A)に示すように、第一基板51の製造素材である石英ガラス基板50(表面粗さRa=1nm以下、厚み500μm)に所望のパターンのレジスト61を形成し(レジスト形成工程)、図5(B)に示すように、深さ1μmの電極形成用溝511を形成する(電極形成用溝形成工程)。
具体的には、レジスト形成工程では、第一基板51となった際には接合面51Aとなる石英ガラス基板50の一方の面50Aにレジスト61を形成する。そして、電極形成用溝形成工程では、レジスト61が形成されない部分を異方性エッチングし、電極形成用溝511を形成する。
In order to manufacture the first substrate 51, first, as shown in FIG. 5A, a quartz glass substrate 50 (surface roughness Ra = 1 nm or less, thickness 500 μm) which is a manufacturing material of the first substrate 51 is desired. Then, a resist 61 having the above pattern is formed (resist forming step), and as shown in FIG. 5B, an electrode forming groove 511 having a depth of 1 μm is formed (electrode forming groove forming step).
Specifically, in the resist formation step, a resist 61 is formed on one surface 50A of the quartz glass substrate 50 that becomes the bonding surface 51A when the first substrate 51 is formed. In the electrode forming groove forming step, the portion where the resist 61 is not formed is anisotropically etched to form the electrode forming groove 511.

また、電極形成用溝511の形成後、ミラー固定部512、および接合面51Aの接着剤用溝513のパターンのレジスト61を形成し、さらに異方性エッチングを実施する(接着剤用溝形成工程)。これにより、120nmの深さの接着剤用溝513およびミラー固定部512が形成される(図5(C)参照)。ここで、ミラー固定面512Aと接着剤用溝513の溝底面513Fとは同一面内に位置している。
なお、接着剤用溝513の平面視における面積は接着強度を保持可能な範囲で可能な限り小さくすることが好ましい。
In addition, after the formation of the electrode forming groove 511, a resist 61 having a pattern of the mirror fixing portion 512 and the adhesive groove 513 on the bonding surface 51A is formed, and anisotropic etching is performed (adhesive groove forming step). ). Thus, an adhesive groove 513 and a mirror fixing portion 512 having a depth of 120 nm are formed (see FIG. 5C). Here, the mirror fixing surface 512A and the groove bottom surface 513F of the adhesive groove 513 are located in the same plane.
Note that the area of the adhesive groove 513 in plan view is preferably as small as possible within a range in which the adhesive strength can be maintained.

この後、石英ガラス基板50のレジスト61を除去し、石英ガラス基板50の全面に、電極を形成するためのCr/Au膜をスパッタリングにより成膜する(図示しない)。このときの各膜の厚みは、Cr膜10nm、Au膜200nmである。そして、所望の電極パターンとなるレジストを形成し、エッチングを行い、図5(D)に示す第一変位用電極541を形成する(第一電極形成工程)。
次に、石英ガラス基板50の全面にAgC膜をスパッタリングにより成膜する(図示しない)。膜の厚みは、所望の光学特性に応じて適宜調整すればよいが、本実施形態では、厚み寸法が30nmとなるように形成する(固定ミラー形成工程)。また、固定ミラー形成工程では、形成されたAgC膜上の、固定ミラー56の形成部分にそれぞれレジストを形成する。そして、レジストが設けられていない部分のAgC薄膜を除去することで、図5(E)に示すように、固定ミラー56が形成される。
Thereafter, the resist 61 on the quartz glass substrate 50 is removed, and a Cr / Au film for forming electrodes is formed on the entire surface of the quartz glass substrate 50 by sputtering (not shown). The thickness of each film at this time is a Cr film of 10 nm and an Au film of 200 nm. Then, a resist serving as a desired electrode pattern is formed and etched to form a first displacement electrode 541 shown in FIG. 5D (first electrode formation step).
Next, an AgC film is formed on the entire surface of the quartz glass substrate 50 by sputtering (not shown). The thickness of the film may be appropriately adjusted according to the desired optical characteristics, but in this embodiment, the thickness is formed to be 30 nm (fixed mirror forming step). In the fixed mirror forming step, a resist is formed on each of the formed portions of the fixed mirror 56 on the formed AgC film. And the fixed mirror 56 is formed as shown in FIG.5 (E) by removing the AgC thin film of the part in which the resist is not provided.

次に、石英ガラス基板50の接着剤用溝513に接着剤53を塗布する(接着剤塗布工程)。塗布方法は特に限定されないが、例えば、フィルム転写、スキージ、ディスペンス等の方法を用いることができる。
接着剤53は、接着剤用溝513の内壁に接触しない位置に塗布されるが、特に、第一基板51と第二基板52とが重ね合わされて接着剤53が変形した場合でも接着剤53が接着剤用溝513の内壁に接触しない位置に塗布される。また、接着剤53の塗布量は、接着剤用溝513の容積よりも小さい量とされ、接着剤用溝513の内壁に接触しない適度の量であることが好ましい。具体的な塗布量を図6に示す。図6において、接着剤53は、接着剤用溝513の第二形成辺513B(内壁)から0.25mmの位置に塗布されている。接着剤53は、縦0.5mm×横0.5mm×高さ250nmの形状に塗布される。ここで、接着剤用溝513の深さは120nmである。このような寸法および量で塗布された接着剤53は、第一基板51と第二基板52とが重ね合わされて接着剤53が変形したとしても、接着剤53が接着剤用溝513の内壁に付着することはない。
以上により、第一基板51が形成される。
Next, the adhesive 53 is applied to the adhesive groove 513 of the quartz glass substrate 50 (adhesive application step). The application method is not particularly limited, and for example, methods such as film transfer, squeegee, and dispensing can be used.
The adhesive 53 is applied at a position where it does not contact the inner wall of the adhesive groove 513. In particular, even when the first substrate 51 and the second substrate 52 are overlapped and the adhesive 53 is deformed, the adhesive 53 is not applied. It is applied to a position that does not contact the inner wall of the adhesive groove 513. Also, the amount of the adhesive 53 applied is preferably smaller than the volume of the adhesive groove 513 and is an appropriate amount that does not contact the inner wall of the adhesive groove 513. Specific coating amounts are shown in FIG. In FIG. 6, the adhesive 53 is applied at a position of 0.25 mm from the second forming side 513B (inner wall) of the adhesive groove 513. The adhesive 53 is applied in a shape of 0.5 mm long × 0.5 mm wide × 250 nm high. Here, the depth of the adhesive groove 513 is 120 nm. Even when the first substrate 51 and the second substrate 52 are overlapped with each other and the adhesive 53 is deformed, the adhesive 53 applied in such dimensions and amount is adhered to the inner wall of the adhesive groove 513. It will not adhere.
Thus, the first substrate 51 is formed.

(5−2.第二基板成形工程)
次に、第二基板52の製造方法について説明する。
第二基板52を製造するためには、まず、図7(A)に示すように、第二基板52の製造素材である石英ガラス基板50(表面粗さRa=1nm以下、厚み200μm)の両面に、Cr/Au膜62および63をスパッタリングにより成膜する。このときの各膜の厚みは、Cr膜10nm、Au膜200nmである(成膜工程)。
そして、ダイヤフラムを形成する側の面50Aでは、Cr/Au膜62をエッチングマスクとして使用するため、連結保持部522(ダイヤフラム)に対応する部分のCr/Au膜を除去する(図7(B)参照)。
一方、電極を形成する側の面50Bでは、Cr/Au膜62に対して所望の電極パターンに沿ってフォトリソグラフィおよびエッチングを実施して、第二変位用電極542を形成する(図7(B)参照、第二電極形成工程)。
(5-2. Second substrate forming step)
Next, a method for manufacturing the second substrate 52 will be described.
In order to manufacture the second substrate 52, first, as shown in FIG. 7A, both surfaces of a quartz glass substrate 50 (surface roughness Ra = 1 nm or less, thickness 200 μm) which is a manufacturing material of the second substrate 52 are used. Then, Cr / Au films 62 and 63 are formed by sputtering. The thickness of each film at this time is a Cr film of 10 nm and an Au film of 200 nm (film formation process).
Then, on the surface 50A on the side where the diaphragm is formed, the Cr / Au film 62 is used as an etching mask, so that the portion of the Cr / Au film corresponding to the connection holding portion 522 (diaphragm) is removed (FIG. 7B). reference).
On the other hand, on the surface 50B on the electrode forming side, the second displacement electrode 542 is formed by performing photolithography and etching along the desired electrode pattern on the Cr / Au film 62 (FIG. 7B). ) Reference, second electrode formation step).

次に、ダイヤフラムを形成する側の面50Aにエッチングを施して連結保持部522(ダイヤフラム)を形成し(ダイヤフラム形成工程)、ダイヤフラムを形成する側の面50AのCr/Au膜62を除去する(図7(C)参照)。
この後、石英ガラス基板50の電極を形成する側の面50Bの全面にAgC膜をスパッタリングにより成膜する。膜の厚みは、所望の光学特性に応じて適宜調整すればよいが、本実施形態では、厚み寸法が30nmとなるように形成する。また、AgC形成工程では、形成されたAgC膜上の、可動ミラー57の形成部分にそれぞれレジストを形成する。そして、レジストが設けられていない部分のAgC薄膜を除去することで、図7(D)に示すように、可動ミラー57が形成される(ミラー形成工程)。
Next, etching is performed on the surface 50A on the diaphragm forming side to form a connection holding portion 522 (diaphragm) (diaphragm forming step), and the Cr / Au film 62 on the surface 50A on the diaphragm forming side is removed ( (See FIG. 7C).
Thereafter, an AgC film is formed on the entire surface 50B of the quartz glass substrate 50 on which the electrodes are to be formed by sputtering. The thickness of the film may be adjusted as appropriate according to desired optical characteristics, but in this embodiment, the thickness is formed to be 30 nm. In the AgC formation step, a resist is formed on each of the formed portions of the movable mirror 57 on the formed AgC film. And the movable mirror 57 is formed as shown in FIG.7 (D) by removing the AgC thin film of the part in which the resist is not provided (mirror formation process).

(5−3.エタロンの製造)
次に、上述のように製造された第一基板51および第二基板52を用いたエタロン5の製造について説明する。
まず、第一基板51および第二基板52を接合する接合工程を実施する。
この接合工程では、例えば常温活性化接合(オプティカルコンタクト)を用いる。すなわち、接合工程では、各基板51,52を真空チャンバーに入れ、真空状態下で、イオンビームの照射やプラズマ処理を実施することで、接合面51A,52Aを活性化させる。そして、活性化された接合面51A、52A同士を重ね合わせて、第一基板51および第二基板52の厚み方向に対して均等の加重(例えば、100kgf)を印加することで、第一基板51および第二基板52を接合する。
なお、加重をかける場合には、加圧荷重によるギャップ形成部55の撓みを防止するために、ギャップ形成部55以外の部分に荷重がかかるように、第二基板52上にスペーサー材(例えば、テフロンシート)を挟み込んだ状態で行うことが好ましい。
(5-3. Production of etalon)
Next, the manufacture of the etalon 5 using the first substrate 51 and the second substrate 52 manufactured as described above will be described.
First, a bonding process for bonding the first substrate 51 and the second substrate 52 is performed.
In this bonding step, for example, room temperature activated bonding (optical contact) is used. That is, in the bonding process, the substrates 51 and 52A are activated by putting each of the substrates 51 and 52 in a vacuum chamber and performing irradiation with an ion beam or plasma treatment in a vacuum state. Then, the activated bonding surfaces 51A and 52A are overlapped with each other, and an equal weight (for example, 100 kgf) is applied to the thickness direction of the first substrate 51 and the second substrate 52, whereby the first substrate 51 And the 2nd board | substrate 52 is joined.
In addition, when applying a load, in order to prevent bending of the gap forming part 55 due to a pressurized load, a spacer material (for example, on the second substrate 52 is applied so that a load is applied to a part other than the gap forming part 55. It is preferable to carry out in a state where a Teflon sheet) is sandwiched.

〔6.実施形態の作用効果〕
上述したように、上記実施形態のエタロン5では、第一基板51および第二基板52の平面視における四隅にそれぞれ接着剤用溝513を形成し、この接着剤用溝513の内部に接着剤53を配置している。
このため、第一基板51と第二基板52とを重ね合わせた際、接着剤53を介して第一基板51と第二基板52とが接合するので、接着強度が向上する。特に、接着剤用溝513は基板の四隅に形成されるため、基板の角部からの剥離を効率よく防止することができる。
[6. (Effects of Embodiment)
As described above, in the etalon 5 of the above embodiment, the adhesive grooves 513 are formed at the four corners in the plan view of the first substrate 51 and the second substrate 52, respectively, and the adhesive 53 is formed inside the adhesive groove 513. Is arranged.
For this reason, when the 1st board | substrate 51 and the 2nd board | substrate 52 are piled up, since the 1st board | substrate 51 and the 2nd board | substrate 52 join via the adhesive agent 53, adhesive strength improves. In particular, since the adhesive grooves 513 are formed at the four corners of the substrate, peeling from the corners of the substrate can be efficiently prevented.

また、接着剤用溝513は、第一基板51の接合面51Aに凹状に形成され、この内部に接着剤53が配置される。このため、第一基板51と第二基板52とを重ね合わせた際、接合面51Aと接合面52Aとの間に接着剤が介在しない。すなわち、第一基板51および第二基板52は、常温活性化接合(オプティカルコンタクト)により接合されており、それぞれの接合面51Aおよび52Aによって互いに支持されるため、一対のミラー(固定ミラー56、可動ミラー57)間のギャップを一定に維持することができる。   The adhesive groove 513 is formed in a concave shape on the bonding surface 51A of the first substrate 51, and the adhesive 53 is disposed inside the groove. For this reason, when the 1st board | substrate 51 and the 2nd board | substrate 52 are piled up, an adhesive agent does not intervene between the joint surface 51A and the joint surface 52A. That is, the first substrate 51 and the second substrate 52 are bonded by room temperature activation bonding (optical contact) and are supported by the bonding surfaces 51A and 52A. The gap between the mirrors 57) can be kept constant.

さらに、上記実施形態のエタロン5では、接着剤用溝513は、基板の四隅に形成される。すなわち、一対のミラーが配置されるギャップ形成部55から離れた全く別の空間である接着剤用溝513に接着剤53が塗布されるので、接着剤53の硬化に伴う揮発ガスがギャップ形成部55に侵入することがない。したがって、従来問題となっていた固定ミラー56および可動ミラー57へのダメージを防止することができる。   Furthermore, in the etalon 5 of the above embodiment, the adhesive grooves 513 are formed at the four corners of the substrate. That is, since the adhesive 53 is applied to the adhesive groove 513, which is a completely different space away from the gap forming portion 55 where the pair of mirrors are disposed, the volatile gas accompanying the curing of the adhesive 53 is caused to flow into the gap forming portion. 55 does not enter. Therefore, it is possible to prevent damage to the fixed mirror 56 and the movable mirror 57, which has been a problem in the past.

そして、接着剤用溝513の内周側の内周縁部513Cは、ギャップ形成部55の外縁に平行な円弧状に形成されている。
第一基板51と第二基板52とを重ね合わせて加圧により接合する際、ギャップ形成部55付近では径方向外側に向かって撓みが発生する。本実施形態では、ギャップ形成部55の外縁に平行に接着剤用溝513が形成されているので、撓みが接着剤用溝513まで伝わると一斉に放出される。すなわち、同時に力を逃がすことができるので、撓みによる影響を最小限にすることができる。このように撓みを極力防止することにより、一対のミラー間のギャップを平行に維持することができ、精度を向上させることができる。
The inner peripheral edge 513 </ b> C on the inner peripheral side of the adhesive groove 513 is formed in an arc shape parallel to the outer edge of the gap forming portion 55.
When the first substrate 51 and the second substrate 52 are overlapped and bonded by pressure, bending occurs in the radial direction near the gap forming portion 55. In the present embodiment, since the adhesive groove 513 is formed in parallel to the outer edge of the gap forming portion 55, when the deflection is transmitted to the adhesive groove 513, the adhesive is released all at once. That is, since the force can be released at the same time, the influence of the deflection can be minimized. Thus, by preventing bending as much as possible, the gap between the pair of mirrors can be maintained in parallel, and the accuracy can be improved.

また、上記実施形態では、接着剤用溝513の内部と外部とを連通する逃げ溝514および515を設けている。第一基板51と第二基板52とを重ね合わせて加圧により接合する際、接着剤用溝513には内圧が生じるが、逃げ溝514および515により、内部の空気を外部に逃がすことができる。したがって、接着剤用溝513に過剰の内圧がかからないので、基板に撓みが発生することを防止することができる。   In the above embodiment, the escape grooves 514 and 515 that communicate the inside and the outside of the adhesive groove 513 are provided. When the first substrate 51 and the second substrate 52 are overlapped and joined by pressure, an internal pressure is generated in the adhesive groove 513, but the internal air can be released to the outside by the escape grooves 514 and 515. . Accordingly, since no excessive internal pressure is applied to the adhesive groove 513, it is possible to prevent the substrate from being bent.

なお、本発明は前述の実施形態に限定されるものではなく、本発明の目的を達成できる範囲での変形、改良等は本発明に含まれるものである。
例えば、上記実施形態では、第一基板51の角部に平面視略三角形状の接着剤用溝513を形成したが、接着剤用溝513の形状はこれに限られない。接着剤53が内壁に接触しない形状であればよい。また、上記実施形態では、接着剤用溝513の内周側の内周縁部513Cを、ギャップ形成部55の外縁に平行な円弧状に形成したが、これに限られない。例えば、接着剤用溝513を、平面視円形状、平面視多角形状に形成してもよい。
It should be noted that the present invention is not limited to the above-described embodiments, and modifications, improvements, and the like within the scope that can achieve the object of the present invention are included in the present invention.
For example, in the above embodiment, the adhesive groove 513 having a substantially triangular shape in plan view is formed at the corner of the first substrate 51, but the shape of the adhesive groove 513 is not limited thereto. Any shape may be used as long as the adhesive 53 does not contact the inner wall. In the above embodiment, the inner peripheral edge portion 513C on the inner peripheral side of the adhesive groove 513 is formed in an arc shape parallel to the outer edge of the gap forming portion 55. However, the present invention is not limited to this. For example, the adhesive groove 513 may be formed in a circular shape in plan view or a polygonal shape in plan view.

また、上記実施形態では、エタロン5を方形状に形成したが、平面多角形状であればこれに限られない。平面多角形状に形成されたエタロンは、第一基板および第二基板のいずれか一方の角部に接着剤用溝が形成され、この接着剤用溝に接着剤が配置される。このため、基板の角部からの剥離を防止することができる。
さらに、上記実施形態では、第一基板51に接着剤用溝513を形成したが、第二基板52の角部に接着剤用溝を形成してもよい。これによれば、前述の第一基板51の接着剤用溝513を形成した場合と同様の作用効果を奏することができる。
Moreover, in the said embodiment, although the etalon 5 was formed in square shape, if it is planar polygonal shape, it will not be restricted to this. In the etalon formed in a planar polygonal shape, an adhesive groove is formed at one of the corners of the first substrate and the second substrate, and the adhesive is disposed in the adhesive groove. For this reason, peeling from the corner | angular part of a board | substrate can be prevented.
Furthermore, in the above embodiment, the adhesive groove 513 is formed in the first substrate 51, but the adhesive groove may be formed in the corner of the second substrate 52. According to this, the same effect as the case where the groove | channel 513 for adhesives of the above-mentioned 1st board | substrate 51 is formed can be show | played.

1…測色モジュール、3…測色センサー、4…制御装置、5…波長可変干渉フィルターを構成するエタロン、6…波長可変干渉フィルターを構成する電圧制御手段、31…受光手段である受光素子、43…測色処理部、51…第一基板、513…溝部である接着剤用溝、52…第二基板、53…接着部材である接着剤、54…静電アクチュエーター、56…固定ミラー、57…可動ミラー。   DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Color measuring module, 3 ... Color measuring sensor, 4 ... Control apparatus, 5 ... Etalon which comprises a wavelength variable interference filter, 6 ... Voltage control means which comprises a wavelength variable interference filter, 31 ... Light receiving element which is a light receiving means, DESCRIPTION OF SYMBOLS 43 ... Colorimetric process part, 51 ... 1st board | substrate, 513 ... Groove for adhesive agents which are groove parts, 52 ... 2nd board | substrate, 53 ... Adhesive agent which is an adhesive member, 54 ... Electrostatic actuator, 56 ... Fixed mirror, 57 ... movable mirror.

Claims (10)

平面多角形状の第一基板と、
前記第一基板の一面側に対向して配置された平面多角形状の第二基板と、
前記第一基板および第二基板の互いに対向する面にそれぞれ設けられ、ギャップを隔てて互いに対向配置される一対のミラーと、
前記第一基板および第二基板の互いに対向する面にそれぞれ設けられ、前記ギャップの寸法を変動可能な一対の変位用電極と、
前記第一基板および前記第二基板の互いに対向する面にそれぞれ設けられた接合面と、
前記第一基板および前記第二基板のうち少なくともいずれか一方の角部に設けられた凹状の溝部と、
前記溝部に配置された接着部材と、
を具備したことを特徴とする波長可変干渉フィルター。
A planar polygonal first substrate;
A planar polygonal second substrate disposed to face one surface of the first substrate;
A pair of mirrors provided on the mutually opposing surfaces of the first substrate and the second substrate, respectively, and arranged to face each other across a gap;
A pair of displacement electrodes provided on opposite surfaces of the first substrate and the second substrate, respectively, and capable of varying the size of the gap;
A bonding surface provided on each of the first substrate and the second substrate facing each other;
A concave groove provided in at least one corner of the first substrate and the second substrate;
An adhesive member disposed in the groove;
A wavelength tunable interference filter comprising:
請求項1に記載の波長可変干渉フィルターにおいて、
前記ギャップと前記ギャップの外周縁に沿って設けられる電極とを含んで構成される円形状のギャップ形成部を備え、
前記溝部の内周縁は、該内周縁に最も近い位置で対向する前記ギャップ形成部の外周縁と同じ曲率で形成されている
ことを特徴とする波長可変干渉フィルター。
The tunable interference filter according to claim 1,
A circular gap forming portion configured to include the gap and an electrode provided along an outer peripheral edge of the gap;
The wavelength tunable interference filter, wherein the inner peripheral edge of the groove is formed with the same curvature as the outer peripheral edge of the gap forming portion facing at a position closest to the inner peripheral edge.
請求項1または請求項2に記載の波長可変干渉フィルターにおいて、
前記溝部は、前記溝部の内部と該波長可変干渉フィルターの外部とを連通する逃げ溝を備えた
ことを特徴とする波長可変干渉フィルター。
In the wavelength tunable interference filter according to claim 1 or 2,
The wavelength tunable interference filter, wherein the groove includes an escape groove that communicates the inside of the groove with the outside of the wavelength tunable interference filter.
請求項1から請求項3のいずれかに記載の波長可変干渉フィルターにおいて、
前記第一基板および前記第二基板は方形状であり、
この方形状の四隅に前記溝部および前記接着部材が設けられている
ことを特徴とする波長可変干渉フィルター。
In the wavelength variable interference filter according to any one of claims 1 to 3,
The first substrate and the second substrate are rectangular.
The wavelength variable interference filter, wherein the groove and the adhesive member are provided at four corners of the square shape.
請求項1から請求項4のいずれかに記載の波長可変干渉フィルターにおいて、
前記接着部材は、前記溝部の内壁から離れて配置される
ことを特徴とする波長可変干渉フィルター。
In the wavelength variable interference filter according to any one of claims 1 to 4,
The wavelength variable interference filter, wherein the adhesive member is disposed away from the inner wall of the groove.
透明基板に第一ミラー及び第一変位用電極を形成して第一基板を成形する第一基板成形工程と、
透明基板に第二ミラー及び第二変位用電極を形成して第二基板を成形する第二基板成形工程と、
前記第一基板成形工程と前記第二基板成形工程のうちいずれか一方の工程と同時に前記第一基板および前記第二基板のいずれか一方の角部に凹状の溝部を形成する溝部形成工程と、
前記溝部に接着部材を塗布する接着部材塗布工程と、
前記第一基板と前記第二基板とを重ね合わせ、加圧荷重により接合する接合工程と、
を具備することを特徴とする波長可変干渉フィルターの製造方法。
Forming a first substrate by forming a first mirror and a first displacement electrode on a transparent substrate;
A second substrate forming step of forming the second substrate by forming the second mirror and the second displacement electrode on the transparent substrate;
A groove forming step of forming a concave groove at one corner of the first substrate and the second substrate simultaneously with any one of the first substrate forming step and the second substrate forming step;
An adhesive member application step of applying an adhesive member to the groove,
A joining step of superimposing the first substrate and the second substrate and joining them by a pressure load;
A tunable interference filter manufacturing method comprising:
請求項6に記載の波長可変干渉フィルターの製造方法において、
前記接着部材塗布工程では、前記接着部材を前記溝部の高さより高くなる状態に塗布する
ことを特徴とする波長可変干渉フィルターの製造方法。
In the manufacturing method of the wavelength variable interference filter according to claim 6,
In the adhesive member application step, the adhesive member is applied in a state of being higher than the height of the groove portion.
請求項6または請求項7に記載の波長可変干渉フィルターの製造方法において、
前記接着部材塗布工程では、前記溝部の内壁から離れた位置に前記接着部材を塗布する
ことを特徴とする波長可変干渉フィルターの製造方法。
In the manufacturing method of the wavelength tunable interference filter according to claim 6 or 7,
In the adhesive member application step, the adhesive member is applied at a position away from the inner wall of the groove.
請求項1から請求項5のいずれかに記載の波長可変干渉フィルターと、
前記波長可変干渉フィルターを透過した検査対象光を受光する受光手段と、
を備えることを特徴とする測色センサー。
The wavelength variable interference filter according to any one of claims 1 to 5,
A light receiving means for receiving the inspection object light transmitted through the wavelength variable interference filter;
A colorimetric sensor comprising:
請求項9に記載の測色センサーと、
前記測色センサーの前記受光手段により受光された光に基づいて、測色処理を実施する測色処理部と、
を具備したことを特徴とする測色モジュール。
A colorimetric sensor according to claim 9;
A colorimetric processing unit that performs colorimetric processing based on the light received by the light receiving means of the colorimetric sensor;
A colorimetry module comprising:
JP2009271235A 2009-11-30 2009-11-30 Wavelength variable interference filter, manufacturing method thereof, colorimetric sensor, and colorimetric module Expired - Fee Related JP5273025B2 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2009271235A JP5273025B2 (en) 2009-11-30 2009-11-30 Wavelength variable interference filter, manufacturing method thereof, colorimetric sensor, and colorimetric module

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2009271235A JP5273025B2 (en) 2009-11-30 2009-11-30 Wavelength variable interference filter, manufacturing method thereof, colorimetric sensor, and colorimetric module

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2011113000A JP2011113000A (en) 2011-06-09
JP5273025B2 true JP5273025B2 (en) 2013-08-28

Family

ID=44235350

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2009271235A Expired - Fee Related JP5273025B2 (en) 2009-11-30 2009-11-30 Wavelength variable interference filter, manufacturing method thereof, colorimetric sensor, and colorimetric module

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP5273025B2 (en)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10406819B2 (en) 2016-09-26 2019-09-10 Seiko Epson Corporation Liquid ejecting apparatus, color measuring method, and driving method for liquid ejecting apparatus

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5786518B2 (en) * 2011-07-26 2015-09-30 セイコーエプソン株式会社 Wavelength variable interference filter, optical filter module, and optical analyzer
JP6548476B2 (en) * 2015-06-17 2019-07-24 パイオニア株式会社 Wavelength selective element and method of manufacturing wavelength selective element
JP2019197214A (en) * 2019-06-25 2019-11-14 パイオニア株式会社 Wavelength selective element and manufacturing method of the same

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4603489B2 (en) * 2005-01-28 2010-12-22 セイコーエプソン株式会社 Tunable filter
JP4561728B2 (en) * 2006-11-02 2010-10-13 セイコーエプソン株式会社 Optical device, optical device manufacturing method, tunable filter, tunable filter module, and optical spectrum analyzer

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10406819B2 (en) 2016-09-26 2019-09-10 Seiko Epson Corporation Liquid ejecting apparatus, color measuring method, and driving method for liquid ejecting apparatus

Also Published As

Publication number Publication date
JP2011113000A (en) 2011-06-09

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5779852B2 (en) Tunable interference filter, optical module, and optical analyzer
JP5428805B2 (en) Interference filter, optical sensor, and optical module
JP5641220B2 (en) Wavelength variable interference filter, optical module, and optical analyzer
JP5707780B2 (en) Wavelength variable interference filter, optical module, and optical analyzer
US9170418B2 (en) Variable wavelength interference filter, optical module, optical analysis device, and method for manufacturing variable wavelength interference filter
JP5909850B2 (en) Wavelength variable interference filter, optical module, and optical analyzer
US8593723B2 (en) Method of manufacturing variable wavelength interference filter and variable wavelength interference filter
JP5724557B2 (en) Tunable interference filter, optical module, and optical analyzer
JP2011169943A (en) Tunable interference filter, optical sensor, and analytical instrument
US20110194118A1 (en) Wavelength variable interference filter, optical sensor, analyzer and process for producing wavelength variable interference filter
JP2011053510A (en) Wavelength variable interference filter, colorimetry sensor, colorimetry module and method of controlling wavelength variable interference filter
JP5273025B2 (en) Wavelength variable interference filter, manufacturing method thereof, colorimetric sensor, and colorimetric module
JP2011170137A (en) Variable wavelength interference filter, optical sensor and analyzer
JP5471369B2 (en) Interference filter, colorimetric sensor, colorimetric module, and interference filter manufacturing method
JP5445303B2 (en) Optical filter element, optical filter module, and analytical instrument
JP2012150353A (en) Wavelength variable interference filter, optical module, and optical analysis device
JP2012150263A (en) Optical filter, optical module, and analyzer
JP5593671B2 (en) Wavelength variable interference filter, colorimetric sensor, colorimetric module
JP5999213B2 (en) Wavelength variable interference filter, optical module, and optical analyzer
JP5617621B2 (en) Wavelength variable interference filter, optical module, and optical analyzer
JP2012128136A (en) Optical sensor
JP2012047858A (en) Wavelength variable interference filter, optical module, optical analyzer, and manufacturing method of wavelength variable interference filter
JP2015043103A (en) Wavelength variable interference filter, optical module, and photometric analyzer
JP2012150193A (en) Wavelength variable interference filter, optical module and optical analysis device
JP2012008173A (en) Interference filter, optical module and analyzer

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20121016

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20130205

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20130329

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20130416

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20130429

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

S531 Written request for registration of change of domicile

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees