JP5227721B2 - Mosキャパシターの容量測定方法 - Google Patents
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共振周波数を表す式(1)
fr=(1/2πCpRp)[(CpRp2/L)−1]1/2 式(1)
の抵抗Rpに、前記抵抗測定工程で測定した抵抗Rp+抵抗Rsの値を初期値として代入し、さらに前記共振周波数frを求める工程で求めた共振周波数frを代入して容量Cpを求める工程と、前記等価回路より求めた論理的なインピーダンスの周波数特性と、前記インピーダンスの周波数特性の測定結果とがほぼ一致するまで抵抗Rp, 抵抗Rsを調整して、最終的な容量Cpを求める工程とを備えたことを特徴とする。
fr=(1/2πCpRp)[(CpRp2/L)−1]1/2 式(1)
の抵抗Rpに、抵抗測定工程で測定した抵抗Rp+抵抗Rsの値を初期値として代入し、さらに測定されたインピーダンスの周波数特性の共振点Aから求めた共振周波数frを代入して容量Cpを求める(ステップ4)。
Claims (2)
- プローブに接続された測定回路にインダクターを直列に挿入すると共に、インピーダンス計測器から前記プローブを介して半導体ウエハ上に形成された被測定MOSキャパシターに周波数を掃引しながら交流を印加して当該被測定回路の共振周波数を求め、この共振周波数から前記被測定MOSキャパシターの容量を求めることを特徴とするMOSキャパシターの容量測定方法。
- 抵抗Rpと容量Cpとが並列に接続され、これらの抵抗Rp及び容量Cpと直列に接続された抵抗Rsとからなる等価回路で表わされる被測定MOSキャパシターの容量Cpを測定する方法であって、
前記被測定MOSキャパシターの直流における電流・電圧測定により、各電圧における前記被測定MOSキャパシターの等価回路の抵抗Rp+抵抗Rsを測定する抵抗測定工程と、
インピーダンス計測器により、直列にインダクターLを挿入した前記被測定MOSキャパシターのインピーダンスの周波数特性を測定する工程と、
前記インピーダンスの周波数特性の測定結果における共振点から共振周波数frを求める工程と、
共振周波数を表す式(1)
fr=(1/2πCpRp)[(CpRp2/L)−1]1/2 式(1)
の抵抗Rpに、前記抵抗測定工程で測定した抵抗Rp+抵抗Rsの値を初期値として代入し、さらに前記共振周波数frを求める工程で求めた共振周波数frを代入して容量Cpを求める工程と、
前記等価回路より求めた論理的なインピーダンスの周波数特性と、前記インピーダンスの周波数特性の測定結果とがほぼ一致するまで抵抗Rp, 抵抗Rsを調整して、最終的な容量Cpを求める工程と
を備えたことを特徴とするMOSキャパシターの容量測定方法。
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