JP5218234B2 - Tape carrier for semiconductor device and manufacturing method thereof - Google Patents

Tape carrier for semiconductor device and manufacturing method thereof Download PDF

Info

Publication number
JP5218234B2
JP5218234B2 JP2009094833A JP2009094833A JP5218234B2 JP 5218234 B2 JP5218234 B2 JP 5218234B2 JP 2009094833 A JP2009094833 A JP 2009094833A JP 2009094833 A JP2009094833 A JP 2009094833A JP 5218234 B2 JP5218234 B2 JP 5218234B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
plating film
plating
nickel
film
palladium
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
JP2009094833A
Other languages
Japanese (ja)
Other versions
JP2010245428A (en
Inventor
裕介 荒川
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hitachi Cable Ltd
Original Assignee
Hitachi Cable Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Hitachi Cable Ltd filed Critical Hitachi Cable Ltd
Priority to JP2009094833A priority Critical patent/JP5218234B2/en
Publication of JP2010245428A publication Critical patent/JP2010245428A/en
Application granted granted Critical
Publication of JP5218234B2 publication Critical patent/JP5218234B2/en
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/50—Tape automated bonding [TAB] connectors, i.e. film carriers; Manufacturing methods related thereto

Landscapes

  • Wire Bonding (AREA)

Description

本発明は、例えばμＢＧＡ用ＴＡＢテープのような、薄くて微細なフライングリード部（インナーリード部）の折曲げを伴う半導体装置用テープキャリア、およびその製造方法に関する。   The present invention relates to a tape carrier for a semiconductor device that involves bending of a thin and fine flying lead portion (inner lead portion) such as a TAB tape for μBGA, and a method for manufacturing the same.

半導体装置用テープキャリアの一種類であるμＢＧＡ（micro Ball Grid Array）用Ｔ
ＡＢ（Tape Automated Bonding）テープは、例えばポリイミドフィルムに接着剤を介して銅箔を貼り合わせた後、フォトエッチング法等によって銅箔にパターン加工を施すことで、配線パターンやフライングリード部などの各種導体パターンを形成し、さらにその導体パターンの表面上に、実装用の最終表面処理として、金（Ａｕ）めっきを施す。この金（Ａｕ）めっきは、実装工程においてＩＣチップ上のアルミパッドや外部接続端子となるはんだボール等との接合面に、それらとの合金を生成することで確実な接合を行うようにするものであることから、フライングリード部やインナーリード部等の良好なボンディング特性を確保するためには不可欠な構成要素である。
近年、金（Ａｕ）は、その鉱業的希少価値性や経済上の価格変動等の理由から価格高騰が著しく、材料コストとして製品価格に占める割合が益々高いものとなってきている。このため、半導体装置用テープキャリアにおける金（Ａｕ）の使用量を減らすことで、その材料コストの低減を図るようにすることが、益々強く要請されるようになってきた。このような要請に対応するためには、上記の金（Ａｕ）めっき皮膜の厚さを、できるだけ薄くすることが必要となる。 ΜBGA (micro Ball Grid Array) T, a type of tape carrier for semiconductor devices
AB (Tape Automated Bonding) tape, for example, after bonding copper foil to a polyimide film via an adhesive, and patterning the copper foil by a photo-etching method, etc., various wiring patterns, flying lead parts, etc. A conductor pattern is formed, and gold (Au) plating is performed on the surface of the conductor pattern as a final surface treatment for mounting. This gold (Au) plating is used to ensure reliable bonding by producing an alloy with the aluminum pad on the IC chip and the solder ball that will be the external connection terminal in the mounting process. Therefore, it is an indispensable component for ensuring good bonding characteristics such as the flying lead portion and the inner lead portion.
In recent years, the price of gold (Au) has risen remarkably due to its mining scarcity and economic price fluctuations, and the ratio of the material cost to the product price has become increasingly high. For this reason, there has been an increasing demand for reducing the material cost by reducing the amount of gold (Au) used in the tape carrier for semiconductor devices. In order to meet such a demand, it is necessary to reduce the thickness of the gold (Au) plating film as much as possible.

ところが、銅（Ｃｕ）と金（Ａｕ）とは同族金属であるため、化学的親和性が高いので、熱が加わったり、長期間に亘って高温・湿潤な雰囲気中に曝され続けると、下地の銅（Ｃｕ）めっき皮膜からその銅（Ｃｕ）の原子が金（Ａｕ）めっき皮膜中へと拡散して、その金（Ａｕ）めっき皮膜の純度が下がり、ＩＣチップ上のアルミパット等との接合性が低下してしまう虞がある。この傾向は、金（Ａｕ）めっき皮膜の厚さが薄くなる程、益々顕著になる。   However, since copper (Cu) and gold (Au) are homologous metals, their chemical affinity is high, so if they are heated or exposed to a high-temperature / humid atmosphere for a long time, The copper (Cu) atom diffuses from the copper (Cu) plating film into the gold (Au) plating film, and the purity of the gold (Au) plating film is lowered. There is a possibility that the bondability is lowered. This tendency becomes more prominent as the gold (Au) plating film becomes thinner.

そこで、このような不都合に対処するため、より低価格なパラジウム（Ｐｄ）を中間層として挟んで、金（Ａｕ）／パラジウム（Ｐｄ）／銅（Ｃｕ）の３層積層構造とすることにより、金（Ａｕ）めっきの厚さを薄くして材料コストの低減を図る、といった手法が提案されている。すなわち、この提案では、銅（Ｃｕ）の拡散を抑止する特性を有するパラジウム（Ｐｄ）の皮膜を中間層として介在させることにより、銅（Ｃｕ）の原子が金（Ａｕ）めっき皮膜へと拡散して行くことを阻止することができる、という仕組みとなっている。
また、これは上記の３層積層構造とは目的が異なるが、銅（Ｃｕ）からなるインナーリード部や接続パッド部の機械的な硬さを確保するために、パラジウム（Ｐｄ）以外に、例えば錫（Ｓｎ）やニッケル（Ｎｉ）からなるめっき皮膜を金（Ａｕ）めっき皮膜と銅（Ｃｕ）めっき皮膜との間に介材させる、という手法なども提案されている。このようなニッケル（Ｎｉ）からなるめっき皮膜を、上記の３層積層構造の中間層として用いることで、金（Ａｕ）めっき皮膜の厚さを低減することが可能であるように考えられる（特許文献１）。 Therefore, in order to cope with such inconvenience, a three-layer structure of gold (Au) / palladium (Pd) / copper (Cu) is formed by sandwiching lower priced palladium (Pd) as an intermediate layer, A technique has been proposed in which the gold (Au) plating thickness is reduced to reduce the material cost. That is, in this proposal, by interposing a palladium (Pd) film having a property of suppressing the diffusion of copper (Cu) as an intermediate layer, copper (Cu) atoms diffuse into the gold (Au) plating film. It is a mechanism that can prevent you from going.
In addition, although the purpose is different from the above three-layer laminated structure, in order to ensure the mechanical hardness of the inner lead portion and the connection pad portion made of copper (Cu), in addition to palladium (Pd), for example, There has also been proposed a technique in which a plating film made of tin (Sn) or nickel (Ni) is interposed between a gold (Au) plating film and a copper (Cu) plating film. It is considered that the thickness of the gold (Au) plating film can be reduced by using such a plating film made of nickel (Ni) as an intermediate layer of the above three-layer structure (patent) Reference 1).

特開２００７−６７０２２号公報JP 2007-67022 A

しかしながら、パラジウム（Ｐｄ）めっき皮膜を形成するために用いられるパラジウム（Ｐｄ）めっき液は、銅（Ｃｕ）イオンの混入に対して極めて敏感に反応し、その混入に起因した特性劣化が顕著に表われる。例えば、約２０ｐｐｍ程度の銅（Ｃｕ）イオンが混入しただけでも、得られたパラジウム（Ｐｄ）めっき皮膜には、外観不良やボンディング特性の低下などの悪影響が出るという問題がある。
特に、めっき液中に含まれるアンモニウム（ＮＨ４）イオンは、銅（Ｃｕ）との反応性が極めて高いので、導体パターンの形成材料である銅（Ｃｕ）の表面上に直接にパラジウム（Ｐｄ）めっきを施そうとすると、その銅（Ｃｕ）を溶解してしまう虞が極めて高い。
このような、被めっき材の金属表面を溶解するようなめっき浴を行う場合には、一般に、被めっき材を通電した状態でめっき浴へ浸漬させて、その直後から直ちにめっきを析出させることで、金属の溶解よりもめっきの析出を主反応にして、その被めっき材の金属表面の溶解を抑えるという、いわゆるホットコンタクトの手法が用いられる。
ところが、そのような手法を採用してもなお、被めっき材の金属表面の溶解を完全に抑えることは難しく、そのめっき液に銅（Ｃｕ）イオンが混入してしまった場合には、再建浴を行う、もしくはキレート樹脂で銅（Ｃｕ）イオンを除去するといった対応処置を施す必要があるが、そのいずれの処置も、作業性の低下や運用コスト等の増加という、別の新たな不都合を招いてしまう。 However, the palladium (Pd) plating solution used for forming the palladium (Pd) plating film reacts extremely sensitively to the mixing of copper (Cu) ions, and the characteristic deterioration due to the mixing is remarkably exhibited. Is called. For example, even when about 20 ppm of copper (Cu) ions are mixed, there is a problem that the obtained palladium (Pd) plating film has adverse effects such as poor appearance and deterioration of bonding characteristics.
In particular, since ammonium (NH 4 ) ions contained in the plating solution have extremely high reactivity with copper (Cu), palladium (Pd) is directly formed on the surface of copper (Cu), which is a conductor pattern forming material. When plating is performed, there is a high possibility that the copper (Cu) will be dissolved.
When performing such a plating bath that dissolves the metal surface of the material to be plated, in general, the plating material is immersed in the plating bath in a state of being energized, and the plating is immediately deposited immediately after that. A so-called hot contact method is used in which the deposition of the plating is the main reaction rather than the dissolution of the metal to suppress the dissolution of the metal surface of the material to be plated.
However, even if such a method is adopted, it is difficult to completely suppress the dissolution of the metal surface of the material to be plated. If copper (Cu) ions are mixed in the plating solution, the reconstruction bath is used. Or to remove copper (Cu) ions with a chelate resin, each of these measures introduces another new inconvenience such as reduced workability and increased operational costs. I will.

また、パラジウム（Ｐｄ）の代りに、特許文献１にて提案されたニッケル（Ｎｉ）を用いることは、例えばμＢＧＡ実装パッケージ用の半導体装置用テープキャリアのような、ボンディングの際に切断および折り曲げ加工が施される薄くて微細なフライングリード部を有する半導体装置用テープキャリアの場合、極めて高い困難性が予想される。
すなわち、例えば上記の特許文献１にて提案された技術でめっき膜の機械的な硬さを補強するための一要素としてニッケル（Ｎｉ）めっきが使用されていることからも分かるように、ニッケル（Ｎｉ）からなるめっき皮膜は一般に、硬くて機械的強度が高いものとなる傾向が強い。このため、特に、ボンディングの際に折り曲げ加工および切断を伴うフライングリードのような、極めて薄くて微細な部位を有するμＢＧＡ用の半導体装置用テープキャリアにおける導体パターンの表面上に形成されるめっき皮膜として、ニッケル（Ｎｉ）めっき皮膜を用いることは、その曲げ加工性や切断加工性を確保することが困難なものとなるという点で、技術的困難性が極めて高いものとなることが想定される。この点が、ニッケル（Ｎｉ）を用いることの最大の問題点であり、この点で、従来、ニッケル（Ｎｉ）は、フライングリードの表面上に形成するめっき皮膜としては全く適さないものと考えられていた。 Further, using nickel (Ni) proposed in Patent Document 1 instead of palladium (Pd) is a cutting and bending process during bonding, such as a tape carrier for a semiconductor device for a μBGA mounting package. In the case of a tape carrier for a semiconductor device having a thin and fine flying lead portion to which is applied, extremely high difficulty is expected.
That is, for example, as can be seen from the fact that nickel (Ni) plating is used as one element for reinforcing the mechanical hardness of the plating film by the technique proposed in Patent Document 1 above, nickel (Ni In general, a plating film made of Ni) has a strong tendency to be hard and have high mechanical strength. For this reason, in particular, as a plating film formed on the surface of a conductor pattern in a tape carrier for a semiconductor device for μBGA having a very thin and fine portion such as a flying lead accompanied by bending and cutting at the time of bonding. It is assumed that the use of a nickel (Ni) plating film is extremely technically difficult in that it is difficult to ensure the bending workability and cutting workability. This is the biggest problem of using nickel (Ni), and in this respect, nickel (Ni) is conventionally considered to be completely unsuitable as a plating film formed on the surface of a flying lead. It was.

本発明は、このような問題に鑑みて成されたもので、その目的は、ボンディングの際に切断および折り曲げ加工が施される薄くて微細なフライングリードを有する半導体装置用テープキャリアにおいて、そのフライングリードのボンディング特性（ボンディングの簡易さや信頼性・耐久性の高さ）を低下させることなく、かつ導体パターン表面の溶解や作業性の低下や運用コストの増加のような新たな不都合を招くことなしに、金（Ａｕ）めっき皮膜の厚さの低減化を可能とした半導体装置用テープキャリアおよびその製造方法を提供することにある。   The present invention has been made in view of such problems, and an object thereof is to provide a flying tape carrier for a semiconductor device having a thin and fine flying lead that is cut and bent during bonding. Without deteriorating the bonding characteristics of the lead (simplification of bonding, high reliability and durability), and without incurring new inconveniences such as dissolution of the conductor pattern surface, reduced workability, and increased operating costs Another object of the present invention is to provide a tape carrier for a semiconductor device and a method for manufacturing the same that can reduce the thickness of a gold (Au) plating film.

本発明の半導体装置用テープキャリアは、銅（Ｃｕ）箔をパターン加工してなるフライングリード部を含む導体パターンを有する半導体装置用テープキャリアであって、少なくとも前記フライングリード部の表面を含む前記導体パターンの表面上に、ニッケル（Ｎｉ）めっき皮膜と、パラジウム（Ｐｄ）めっき皮膜と、金（Ａｕ）めっき皮膜とを、この順で積層してなるめっき積層膜を備え、前記ニッケル（Ｎｉ）めっき皮膜の厚さが、０．０１μｍ以上０．０５μｍ以下であるとともに、前記ニッケル（Ｎｉ）めっき皮膜と前記パラジウム（Ｐｄ）めっき皮膜との合計の膜厚が０．２μｍ程度未満であり、前記金（Ａｕ）めっき皮膜の厚さが、０．１μｍ程度以下であることを特徴としている。
本発明の半導体装置用テープキャリアの製造方法は、銅（Ｃｕ）箔をパターン加工してフライングリード部を含む導体パターンを形成する工程と、少なくとも前記フライングリード部の表面を含む前記導体パターンの表面上に、ニッケル（Ｎｉ）めっき皮膜を形成する工程と、前記ニッケル（Ｎｉ）めっき皮膜の上に、パラジウム（Ｐｄ）めっき皮膜を形成する工程と、前記パラジウム（Ｐｄ）めっき皮膜の上に、金（Ａｕ）めっき皮膜を形成する工程とを、この順で行い、前記ニッケル（Ｎｉ）めっき皮膜を形成する工程では、前記ニッケル（Ｎｉ）めっき皮膜の厚さが、０．０１μｍ以上０．０５μｍ以下の膜厚に形成し、前記ニッケル（Ｎｉ）めっき皮膜と前記パラジウム（Ｐｄ）めっき皮膜との合計の膜厚が０．２μｍ程度未満となるように形成し、前記金（Ａｕ）めっき皮膜を形成する工程では、前記金（Ａｕ）めっき皮膜の厚さが、０．１μｍ程度以下の膜厚に形成することを特徴としている。
The tape carrier for a semiconductor device according to the present invention is a tape carrier for a semiconductor device having a conductor pattern including a flying lead portion formed by patterning a copper (Cu) foil, and includes at least the surface of the flying lead portion. A nickel (Ni) plating film, a palladium (Pd) plating film, and a gold (Au) plating film are provided on the surface of the pattern in this order, and the nickel (Ni) plating is provided . The film thickness is 0.01 μm or more and 0.05 μm or less, and the total film thickness of the nickel (Ni) plating film and the palladium (Pd) plating film is less than about 0.2 μm, and the gold The thickness of the (Au) plating film is about 0.1 μm or less .
The method for manufacturing a tape carrier for a semiconductor device according to the present invention includes a step of patterning a copper (Cu) foil to form a conductor pattern including a flying lead portion, and a surface of the conductor pattern including at least the surface of the flying lead portion. A step of forming a nickel (Ni) plating film, a step of forming a palladium (Pd) plating film on the nickel (Ni) plating film, and a gold on the palladium (Pd) plating film (Au) and forming a plating film, in the step of this order have rows, forming the nickel (Ni) plating film, the thickness of the nickel (Ni) plating film, 0.05 .mu.m or 0.01μm The total film thickness of the nickel (Ni) plating film and the palladium (Pd) plating film is less than about 0.2 μm. And sea urchin formed, in the step of forming the gold (Au) plating film, the thickness of the gold (Au) plating film is characterized by forming the film thickness of not more than about 0.1 [mu] m.

本発明によれば、フライングリード部の表面を含む導体パターンの表面上に、ニッケル（Ｎｉ）めっき皮膜と、パラジウム（Ｐｄ）めっき皮膜と、金（Ａｕ）めっき皮膜とを、この順で積層してなるめっき積層膜を備えるようにしたので、導体パターン表面の溶解や作業性の低下や運用コストの増加のような不都合を招くことなしに、金（Ａｕ）めっき皮膜を含むめっき積層膜を４層積層構造にして金（Ａｕ）めっき皮膜の厚さを低減することができ、その結果、材料コストの低廉化を達成することが可能となる。
また、特に、上記のニッケル（Ｎｉ）めっき皮膜の膜厚を、０．０１μｍ以上０．０５μｍ以下とすることにより、導体パターン表面の溶解や作業性の低下や運用コストの増加のような不都合を招くことなく、かつ、さらに確実に、μＢＧＡ用などの半導体装置用テープキャリアにおけるフライングリード部のボンディング特性の低下を回避して、極めて良好なボンディング性を確保しつつ金（Ａｕ）の使用量の低減化を達成した半導体装置用テープキャリアを実現することが可能となる。 According to the present invention, a nickel (Ni) plating film, a palladium (Pd) plating film, and a gold (Au) plating film are laminated in this order on the surface of the conductor pattern including the surface of the flying lead portion. Therefore, the plating laminated film including the gold (Au) plating film can be used without causing inconveniences such as dissolution of the conductor pattern surface, deterioration of workability, and increase of operation cost. The thickness of the gold (Au) plating film can be reduced by using a layered structure, and as a result, the material cost can be reduced.
In particular, by setting the film thickness of the nickel (Ni) plating film to 0.01 μm or more and 0.05 μm or less, there are disadvantages such as dissolution of the conductor pattern surface, a decrease in workability, and an increase in operation cost. Without incurring and more surely avoiding the deterioration of the bonding characteristics of the flying lead portion in the tape carrier for semiconductor devices such as for μBGA, while ensuring extremely good bonding properties, the usage amount of gold (Au) It is possible to realize a tape carrier for a semiconductor device that achieves a reduction.

本発明の実施の形態に係る半導体装置用テープキャリアを用いて構成されたμＢＧＡ構造の実装パッケージの主要部を示す図である。It is a figure which shows the principal part of the mounting package of the (micro | micron | mu) BGA structure comprised using the tape carrier for semiconductor devices which concerns on embodiment of this invention. 本発明の実施の形態に係る半導体装置用テープキャリアにおける、めっき積層膜の積層構造を示す図である。It is a figure which shows the laminated structure of the plating laminated film in the tape carrier for semiconductor devices which concerns on embodiment of this invention. 本発明の実施の形態に係る半導体装置用テープキャリアの全体的な外観を示す、配線面側の平面図（図３（ａ））、およびＢＧＡ面側の平面図（図３（ｂ））、ならびにそのＡ−Ｂ断面図（図３（ｃ））である。FIG. 3A is a plan view on the wiring surface side and FIG. 3B is a plan view on the BGA surface side showing the overall appearance of the tape carrier for a semiconductor device according to the embodiment of the present invention; And it is the AB sectional drawing (FIG.3 (c)). ボンディングが行われる以前の段階における、本発明の実施の形態に係る半導体装置用テープキャリアを示す図である。It is a figure which shows the tape carrier for semiconductor devices which concerns on embodiment of this invention in the step before bonding is performed. ボンディングが行われた後の、本発明の実施の形態に係る半導体装置用テープキャリアを示す図である。It is a figure which shows the tape carrier for semiconductor devices which concerns on embodiment of this invention after bonding was performed. 従来技術に係る銅（Ｃｕ）／金（Ａｕ）めっきの構成（図６（ａ））、および従来技術に係る銅（Ｃｕ）／パラジウム（Ｐｄ）／金（Ａｕ）の３層積層構造（図６（ｂ））を示す図である。Configuration of copper (Cu) / gold (Au) plating according to the prior art (FIG. 6A), and a three-layer laminated structure of copper (Cu) / palladium (Pd) / gold (Au) according to the prior art (FIG. 6) 6 (b)). 従来技術に係る半導体装置用テープキャリアの製造方法における、パラジウム（Ｐｄ）めっき工程での銅（Ｃｕ）イオンおよびパラジウム（Ｐｄ）イオンの挙動を模式的に示す図である。It is a figure which shows typically the behavior of the copper (Cu) ion and palladium (Pd) ion in a palladium (Pd) plating process in the manufacturing method of the tape carrier for semiconductor devices which concerns on a prior art. 実施例および比較例ならびに従来例に係る半導体装置用テープキャリアの各試料を作製した製造ラインの主要な構成を模式的に示す図である。It is a figure which shows typically the main structures of the manufacturing line which produced each sample of the tape carrier for semiconductor devices which concerns on an Example, a comparative example, and a prior art example. 実施例および比較例ならびに従来例に係る各試料についての、パラジウム（Ｐｄ）めっき浴中における銅（Ｃｕ）イオンの混入量の推移を、流動量に対応させて示す図である。It is a figure which shows transition of the mixing amount of the copper (Cu) ion in a palladium (Pd) plating bath about each sample which concerns on an Example, a comparative example, and a prior art example according to a flow amount. 実施例および比較例ならびに従来例に係る各試料についての、パラジウム（Ｐｄ）めっき浴中におけるニッケル（Ｎｉ）イオンの混入量の推移を、流動量に対応させて示す図である。It is a figure which shows transition of the mixing amount of the nickel (Ni) ion in a palladium (Pd) plating bath about each sample which concerns on an Example, a comparative example, and a prior art example according to a flow amount. 実施例および比較例ならびに従来例に係る各試料についての、流動前後でのリードプル試験結果を示す図である。It is a figure which shows the lead pull test result before and behind a flow about each sample which concerns on an Example, a comparative example, and a prior art example.

以下、本実施の形態に係る半導体装置用テープキャリアおよびその製造方法について、図面を参照して詳細に説明する。
この半導体装置用テープキャリアは、図１、図２、図３に示したように、例えばポリイミド樹脂フィルムのような絶縁性フィルム基材１の表面上に張り合わされた、例えばμＢＧＡ構造の実装パッケージに適用される半導体装置用テープキャリアで好適に用いられるような、厚さ１５μｍ程度の薄い銅箔をパターン加工してなる導体パターン２を有している。その導体パターン２は、少なくともフライングリード部３を含んでいる。
その導体パターン２の表面には、ニッケル（Ｎｉ）めっき皮膜４と、パラジウム（Ｐｄ）めっき皮膜５と、金（Ａｕ）めっき皮膜６とを、この順で積層してなるめっき積層膜７が設けられている。
このめっき積層膜７における、ニッケル（Ｎｉ）めっき皮膜４の厚さは、０．０１μｍ以上０．０５μｍ以下に設定されている。 Hereinafter, a tape carrier for a semiconductor device and a manufacturing method thereof according to the present embodiment will be described in detail with reference to the drawings.
As shown in FIGS. 1, 2, and 3, this tape carrier for a semiconductor device is mounted on a surface of an insulating film substrate 1 such as a polyimide resin film, for example, in a mounting package having a μBGA structure. It has a conductor pattern 2 formed by patterning a thin copper foil having a thickness of about 15 μm, which is preferably used in a tape carrier for a semiconductor device to be applied. The conductor pattern 2 includes at least the flying lead portion 3.
On the surface of the conductor pattern 2, there is provided a plated laminated film 7 in which a nickel (Ni) plating film 4, a palladium (Pd) plating film 5, and a gold (Au) plating film 6 are laminated in this order. It has been.
The thickness of the nickel (Ni) plating film 4 in the plating laminated film 7 is set to 0.01 μm or more and 0.05 μm or less.

ニッケル（Ｎｉ）めっき皮膜４の厚さを０．０５μｍ以下に設定することが望ましい理由は、この膜厚が０．０５μｍ超であると、ニッケル（Ｎｉ）めっき皮膜４の有する機械的強度が強過ぎるものとなることに起因して、特にフライングリード部３のボンディングの際の折り曲げ加工性および切断加工性が著しく阻害されてしまう虞が高くなるからである。また、０．０１μｍ以上に設定することが望ましい理由は、このニッケル（Ｎｉ）めっき皮膜４の厚さが０．０１μｍ未満であると、後述するように、そのような極めて薄いニッケル（Ｎｉ）めっき皮膜４を形成すること自体が極めて困難なものとなるからである。   The reason why it is desirable to set the thickness of the nickel (Ni) plating film 4 to 0.05 μm or less is that when this film thickness exceeds 0.05 μm, the mechanical strength of the nickel (Ni) plating film 4 is strong. This is because the bending workability and the cutting workability particularly during bonding of the flying lead portion 3 are significantly hindered due to being too much. The reason why it is desirable to set the thickness to 0.01 μm or more is that if the thickness of the nickel (Ni) plating film 4 is less than 0.01 μm, as described later, such an extremely thin nickel (Ni) plating is used. This is because it is extremely difficult to form the film 4 itself.

フライングリード部３は、図４、図５に示したようなボンディング工程を経て、アルミパッド８を介してＩＣチップ９に接続されるように設定されている。
ＩＣチップ９は、エラストマ１０のような絶縁性を有する弾性体を介して、この半導体装置用テープキャリアの片面（配線面）上に支持されている。
そして、配線面ほぼ全面を覆うように、モールド樹脂１１が設けられて、その配線面全面が封止されている。 The flying lead portion 3 is set so as to be connected to the IC chip 9 via the aluminum pad 8 through a bonding process as shown in FIGS.
The IC chip 9 is supported on one surface (wiring surface) of the tape carrier for a semiconductor device via an elastic body having an insulating property such as an elastomer 10.
A mold resin 11 is provided so as to cover almost the entire wiring surface, and the entire wiring surface is sealed.

この半導体装置用テープキャリアにおける、配線面側とは反対側の面であるＢＧＡ面側には、はんだボール１２が、所定位置ごとに配置されるように設定されている。また、絶縁性フィルム基材１のほほ中央部には、開口部１３が設けられており、この開口部１３を通してボンディングツール２０（後述）を用いたフライングリード３のボンディングが行われるように設定されている。   In this tape carrier for a semiconductor device, the solder balls 12 are set so as to be arranged at predetermined positions on the BGA surface side which is the surface opposite to the wiring surface side. In addition, an opening 13 is provided at a substantially central portion of the insulating film substrate 1, and the flying lead 3 is set to be bonded using a bonding tool 20 (described later) through the opening 13. ing.

配線パターン１４は、端子パターン１５ａ、１５ｂやフライングリード部３に接続されたパターンとして設けられたもので、導体パターン２の大部分を占めるものである。換言すれば、導体パターン２は、主に配線パターン１４からなり、それに連なる端子パターン１５およびフライングリード部３等を含んだものとなっている。
この半導体装置用テープキャリアは、図１に示したようなμＢＧＡ（micro Ball Grid Array）構造の実装パッケージ用に好適な半導体装置用テープキャリアとして設定されて
いる。 The wiring pattern 14 is provided as a pattern connected to the terminal patterns 15 a and 15 b and the flying lead portion 3, and occupies most of the conductor pattern 2. In other words, the conductor pattern 2 is mainly composed of the wiring pattern 14 and includes the terminal pattern 15 and the flying lead portion 3 etc. that are continuous with the wiring pattern 14.
This tape carrier for a semiconductor device is set as a tape carrier for a semiconductor device suitable for a mounting package having a μBGA (micro Ball Grid Array) structure as shown in FIG.

この半導体装置用テープキャリアの主要な製造工程は、まず、絶縁性フィルム基材１の配線面側の表面全面に銅箔を張り合わせてなる銅張基板を用意し、それにフォトリソグラフィ法およびエッチング法によるパターン加工を施して、フライングリード部３および配
線パターン１４ならびに端子パターン１５等を有する導体パターン２を形成する。 The main manufacturing process of this semiconductor device tape carrier is as follows. First, a copper-clad substrate is prepared by bonding a copper foil to the entire surface of the insulating film substrate 1 on the wiring surface side, and then by photolithography and etching. The conductor pattern 2 having the flying lead portion 3, the wiring pattern 14, the terminal pattern 15 and the like is formed by patterning.

その後、フライングリード部３を含む導体パターン２の表面全面に、まずニッケル（Ｎｉ）めっき皮膜４を、０．０１μｍ以上０．０５μｍ以下の範囲内の所望の厚さに形成する。
このとき、ニッケル（Ｎｉ）めっき皮膜４の厚さを０．０５μｍ以下にする理由は、既述のように、このニッケル（Ｎｉ）めっき皮膜４の膜厚が０．０５μｍ超であると、フライングリード部３のボンディングの際の折り曲げ加工性および切断加工性が著しく阻害されてしまうからである。
また、０．０１μｍ以上にする理由は、このニッケル（Ｎｉ）めっき皮膜４を設ける本来の目的である、次工程のパラジウム（Ｐｄ）めっき浴中への銅（Ｃｕ）のイオンの混入を防止するという点では、厚さ０．０１μｍ以上もあれば十分であり、それよりも薄いと（０．０１μｍ未満であると）、めっき時間が極めて短くなること、およびそれに起因してそのめっきプロセスの管理が極めて煩雑なものとなることなどにより、そのような極めて薄いニッケル（Ｎｉ）めっき皮膜４を形成すること自体が、極めて困難ないしは実質的に不可能なものとなるからである。 Thereafter, a nickel (Ni) plating film 4 is first formed on the entire surface of the conductor pattern 2 including the flying lead portion 3 to a desired thickness within a range of 0.01 μm to 0.05 μm.
At this time, the reason for setting the thickness of the nickel (Ni) plating film 4 to 0.05 μm or less is that the thickness of the nickel (Ni) plating film 4 exceeds 0.05 μm as described above. This is because the bending workability and the cutting workability during bonding of the lead part 3 are significantly hindered.
The reason why the thickness is 0.01 μm or more is to prevent the mixing of copper (Cu) ions into the palladium (Pd) plating bath in the next step, which is the original purpose of providing the nickel (Ni) plating film 4. In that respect, a thickness of 0.01 μm or more is sufficient, and if it is thinner (less than 0.01 μm), the plating time becomes extremely short, and the plating process is controlled accordingly. This is because it becomes extremely difficult or substantially impossible to form such an extremely thin nickel (Ni) plating film 4 due to the extremely complicated process.

続いて、ニッケル（Ｎｉ）めっき皮膜４の上に、パラジウム（Ｐｄ）めっき皮膜５を形成する。
このパラジウム（Ｐｄ）めっき皮膜５を形成するめっき工程では、それに先立って、上記のように下地としてニッケル（Ｎｉ）めっき皮膜４が、銅箔（銅（Ｃｕ））からなる導体パターン２の表面上に形成されているので、めっき浴中への銅（Ｃｕ）イオンの混入が抑止される。よって、めっき浴中の銅（Ｃｕ）イオンの混入量（析出量）は、２０ｐｐｍ未満のような、このめっき工程によって形成されるパラジウム（Ｐｄ）めっき皮膜５に品質低下やめっき不良等の悪影響を及ぼす虞の全くない、極めて微少な量に保たれる。
このように銅（Ｃｕ）イオンの混入量を２０ｐｐｍ未満に保つようにしているので、このめっき工程で形成されるパラジウム（Ｐｄ）めっき皮膜５における品質低下やめっき不良の発生が確実に回避される。 Subsequently, a palladium (Pd) plating film 5 is formed on the nickel (Ni) plating film 4.
In the plating step for forming the palladium (Pd) plating film 5, prior to that, the nickel (Ni) plating film 4 is formed on the surface of the conductor pattern 2 made of copper foil (copper (Cu)) as a base as described above. Therefore, mixing of copper (Cu) ions into the plating bath is suppressed. Therefore, the amount of copper (Cu) ions in the plating bath (precipitation amount) is less than 20 ppm, and the palladium (Pd) plating film 5 formed by this plating process has adverse effects such as quality deterioration and plating defects. It is kept in a very small amount with no risk of influence.
Since the amount of copper (Cu) ions mixed is kept below 20 ppm in this way, quality deterioration and plating defects are reliably avoided in the palladium (Pd) plating film 5 formed in this plating step. .

続いて、パラジウム（Ｐｄ）めっき皮膜５の上に、金（Ａｕ）めっき皮膜６を形成する。この金（Ａｕ）めっき皮膜６の膜厚は、例えば後述するように本発明に係る実施例では０．１μｍ程度の極めて薄のものとすることが可能である。但し、この金（Ａｕ）めっき皮膜６の膜厚の好適な数値的態様については、この金（Ａｕ）めっき皮膜６を備えた半導体装置用テープキャリアが用いられる実装パッケージに対して要求されるボンディング特性や信頼性・耐久性、さらにはフライングリード部３の厚さなど、種々のファクタに対応して変動することが予想されるので、ここで一概に（理論的に）規定することは実際上できないが、この金（Ａｕ）めっき皮膜６自体の膜厚と、その下に形成されたニッケル（Ｎｉ）めっき皮膜４の膜厚とパラジウム（Ｐｄ）めっき皮膜５の膜厚との、総合計の膜厚（つまりめっき積層膜７全体の膜厚）が所望の膜厚となるように、予め計算して設定することなどが可能である。
このようにして、導体パターン２の表面には、ニッケル（Ｎｉ）めっき皮膜４と、パラジウム（Ｐｄ）めっき皮膜５と、金（Ａｕ）めっき皮膜６とを、この順で積層してなるめっき積層膜７を形成することができる。 Subsequently, a gold (Au) plating film 6 is formed on the palladium (Pd) plating film 5. The thickness of the gold (Au) plating film 6 can be made extremely thin, for example, about 0.1 μm in the embodiment according to the present invention as will be described later. However, as for a suitable numerical aspect of the film thickness of the gold (Au) plating film 6, bonding required for a mounting package in which the tape carrier for a semiconductor device provided with the gold (Au) plating film 6 is used. Since it is expected to fluctuate according to various factors such as characteristics, reliability and durability, and the thickness of the flying lead 3, it is practically specified here (theoretical). Although it is impossible, the total of the film thickness of the gold (Au) plating film 6 itself, the film thickness of the nickel (Ni) plating film 4 formed thereunder, and the film thickness of the palladium (Pd) plating film 5 It is possible to calculate and set in advance so that the film thickness (that is, the film thickness of the entire plated laminated film 7) becomes a desired film thickness.
In this way, the plating layer formed by laminating the nickel (Ni) plating film 4, the palladium (Pd) plating film 5, and the gold (Au) plating film 6 in this order on the surface of the conductor pattern 2. A film 7 can be formed.

次に、本発明の実施の形態に係る半導体装置用テープキャリアおよびその製造方法における作用について説明する。
図７（ａ）に模式的に示したような、めっき浴中への銅（Ｃｕ）のような金属イオンの混入は、一般に、そのめっき浴（めっき液）が金属を溶解する物質（イオン化傾向が小さい金属など）を含有しているために起こることが多い。斯様な金属イオンの混入を回避するための手法として、一般に、ホットコンタクトでめっき処理を行う手法が用いられてい
る。ホットコンタクトとは、めっき浴中に被めっき材を通電状態で浸漬する手法であり、浸漬直後からめっきを析出させることによって、金属の溶解量（混入量）を低減する、というものである。
しかし、図７（ｂ）に模式的に示したように、浸漬直後は溶解反応とめっき析出反応とが同時に起っている（但し、めっき析出反応の方が主反応）と考えられるため、ホットコンタクトを採用した場合でも、銅（Ｃｕ）イオンの混入を防いでその混入量を２０ｐｐｍ未満のような微量に抑えることは、実際上極めて困難である。
そして、めっき処理後、被めっき材（製品）に付着した薬剤を完全に取り除くことが難しく、作業量に応じた薬液の持ち出しが起こる。このため、めっき浴中の銅（Ｃｕ）イオンは常に増加していくというわけではなく、ある量に達したところで、銅（Ｃｕ）イオンの混入量と持ち出し量とが平衡状態のようになって、それ以降は銅（Ｃｕ）イオンの増加は止り、ほぼ一定量で推移することとなる。 Next, the operation of the semiconductor device tape carrier and the manufacturing method thereof according to the embodiment of the present invention will be described.
Mixing of metal ions such as copper (Cu) into the plating bath as schematically shown in FIG. 7A is generally a substance (ionization tendency) in which the plating bath (plating solution) dissolves the metal. Often occurs due to the presence of small metals). As a technique for avoiding such metal ions from being mixed, a technique of performing a plating process by hot contact is generally used. Hot contact is a technique in which a material to be plated is immersed in a plating bath in an energized state, and the amount of metal dissolution (mixing amount) is reduced by depositing plating immediately after immersion.
However, as schematically shown in FIG. 7B, it is considered that the dissolution reaction and the plating deposition reaction occur simultaneously immediately after immersion (however, the plating deposition reaction is the main reaction). Even when a contact is employed, it is practically very difficult to prevent copper (Cu) ions from being mixed and to suppress the mixed amount to a very small amount of less than 20 ppm.
After the plating treatment, it is difficult to completely remove the chemical adhering to the material to be plated (product), and the chemical solution is taken out according to the work amount. For this reason, the copper (Cu) ions in the plating bath do not always increase. When a certain amount is reached, the amount of copper (Cu) ions mixed in and the amount taken out are in an equilibrium state. After that, the increase of copper (Cu) ions stops, and it changes at a substantially constant amount.

このように、めっき工程では一般に、めっき浴中に様々な不純物が混入して、浴中の成分バランスが崩れやすい。
特に、パラジウム（Ｐｄ）めっき浴は、シアン化物（ＣＮ）イオンや銅（Ｃｕ）イオンの混入に弱く、それらの混入量が基準値を超えると、図６（ｂ）に模式的に示したようなパラジウム（Ｐｄ）めっき皮膜５の直上に金めっき皮膜６を形成するめっき積層膜構造の半導体装置用テープキャリアの場合には、フライングリード部３のボンディング性の低下、めっき面の変色、析出効率の低下等を引き起こす。これを回避するためには、一般に、銅（Ｃｕ）イオンは２０ｐｐｍ以下、シアン化物（ＣＮ）イオンは１０ｐｐｍ以下を推奨管理値とすることが提唱されている。 Thus, in the plating process, generally, various impurities are mixed in the plating bath, and the component balance in the bath tends to be lost.
In particular, the palladium (Pd) plating bath is vulnerable to the mixing of cyanide (CN) ions and copper (Cu) ions, and when the mixing amount exceeds the reference value, as schematically shown in FIG. In the case of a tape carrier for a semiconductor device having a plated laminated film structure in which a gold plated film 6 is formed directly on a palladium (Pd) plated film 5, the bonding property of the flying lead portion 3 is deteriorated, the plating surface is discolored, and the deposition efficiency is increased. Cause a decrease in In order to avoid this, it is generally proposed that the recommended management value is 20 ppm or less for copper (Cu) ions and 10 ppm or less for cyanide (CN) ions.

それとは対照的に、ニッケル（Ｎｉ）は、例えば１００ｐｐｍ程度混入しても、めっき皮膜には悪影響はなく、銅（Ｃｕ）やシアン化物（ＣＮ）イオンに比べて耐性が高い。そこで、このようなニッケル（Ｎｉ）めっき皮膜４を、パラジウム（Ｐｄ）めっき皮膜５の下地として用いて、その上に、品質低下等を引き起こすことなくパラジウム（Ｐｄ）めっき皮膜５をめっき浴によって形成することが有効であると、本発明者は考えた。
また、金（Ａｕ）めっき皮膜６の部分的な膜厚の代替として、金（Ａｕ）やパラジウム（Ｐｄ）と比較して材料コストの安価なニッケル（Ｎｉ）からなるニッケル（Ｎｉ）めっき皮膜４を用いることは、材料コスト低減をさらに進めることができる、というメリットも期待されるものと考えた。
ところが、機械的硬度が高いニッケル（Ｎｉ）めっき皮膜４を、従来技術の手法で導体パターン２の表面に形成すると、特にフライングリード部３における曲げ加工性や切断加工性が阻害され、延いてはそのフライングリード部３におけるボンディング特性が著しく低下する虞が高くなってしまう。 In contrast, even if nickel (Ni) is mixed in, for example, about 100 ppm, the plating film is not adversely affected and has higher resistance than copper (Cu) or cyanide (CN) ions. Therefore, such a nickel (Ni) plating film 4 is used as a base of a palladium (Pd) plating film 5, and a palladium (Pd) plating film 5 is formed thereon by a plating bath without causing quality degradation. The present inventor thought that it was effective.
Further, as an alternative to a partial film thickness of the gold (Au) plating film 6, a nickel (Ni) plating film 4 made of nickel (Ni), which is less expensive than gold (Au) or palladium (Pd). We thought that the merit of using the material could further reduce the material cost.
However, when the nickel (Ni) plating film 4 having a high mechanical hardness is formed on the surface of the conductor pattern 2 by the conventional technique, the bending workability and the cutting workability in the flying lead portion 3 are particularly hindered. There is a high possibility that the bonding characteristics in the flying lead portion 3 will be significantly lowered.

すなわち、図４に示したように、例えばμＢＧＡ用の半導体装置用テープキャリアのほぼ中央部には、開口部１３が設けられていて、その上を跨ぐようにして（架橋されるようにして）フライングリード部３が設けられている。そして、ＩＣチップ９との接合の際には、図５に示したように、ボンディングツール２０でフライングリード３をＩＣチップ９へと押下することで、フライングリード３を略Ｓ字状に曲げると共にその一端を押し切るようにして、ＩＣチップ９上のアルミパッド８に押し当てて加熱する。このようにして、フライングリード部３の表面に設けられている金（Ａｕ）めっき皮膜６の金（Ａｕ）とアルミパッド８の表面のアルミニウム（Ａｌ）との合金を、それら両者の接合面（界面）付近に生成して、より確実な接合を得るようにしている。このため、フライングリード部３には、ボンディング時の曲げや切断にスムーズに追随して変形できるように、適度な機械的柔軟性を持たせることが必要とされている。しかし、機械的硬度が高いニッケル（Ｎｉ）めっき皮膜４を導体パターン２の表面に形成するということは、その導体パターン２の一部分であるフライングリード部３の適度な柔らかさを犠牲にする（阻害する）ことに繋
がりやすいことが想定される。このため、従来は、そのようなフライングリード部３の表面にニッケル（Ｎｉ）めっき皮膜４を形成することは技術的に困難性が極めて高く、左様な使用には適さないと考えられていた。 That is, as shown in FIG. 4, for example, an opening 13 is provided at almost the center of a tape carrier for a semiconductor device for μBGA so as to straddle (be bridged). A flying lead portion 3 is provided. When joining to the IC chip 9, as shown in FIG. 5, the flying lead 3 is bent into a substantially S shape by pressing the flying lead 3 toward the IC chip 9 with the bonding tool 20. One end of the chip is pressed against the aluminum pad 8 on the IC chip 9 and heated. In this way, an alloy of gold (Au) of the gold (Au) plating film 6 provided on the surface of the flying lead portion 3 and aluminum (Al) on the surface of the aluminum pad 8 is bonded to both surfaces ( It is generated in the vicinity of the interface) so as to obtain a more reliable bond. For this reason, the flying lead portion 3 is required to have an appropriate mechanical flexibility so that it can be deformed by smoothly following bending and cutting during bonding. However, forming the nickel (Ni) plating film 4 having high mechanical hardness on the surface of the conductor pattern 2 sacrifices moderate softness of the flying lead portion 3 which is a part of the conductor pattern 2 (inhibition). It is assumed that it is easy to connect. For this reason, conventionally, it has been considered that it is technically very difficult to form the nickel (Ni) plating film 4 on the surface of the flying lead portion 3 and is not suitable for use on the left.

そこで、本発明者は、種々の実験およびそれによって得られた知見ならびにそれらに対する考察等を鋭意行って、上記のようなフライングリード部３の良好なボンディング特性を確保できる程度の柔軟性を損なうことなしに、フライングリード部３を含む導体パターン２の表面上にニッケル（Ｎｉ）めっき皮膜４を形成することの可能性、およびそれを可能とする具体的な態様について調べた。
その結果、さらに詳細な内容については下記の実施例で述べるが、フライングリード部３の適度な機械的柔軟性を損なうことなくニッケル（Ｎｉ）めっき皮膜４を形成することは十分可能である、ということを確認したのであった。そしてまた、そのようなニッケル（Ｎｉ）めっき皮膜４をパラジウム（Ｐｄ）めっき皮膜５の下地として形成することで、そのパラジウム（Ｐｄ）めっき皮膜５を形成するためのめっき浴中に銅（Ｃｕ）イオンが混入することを、極めて効果的に抑止することが可能となり、延いてはそのパラジウム（Ｐｄ）めっき皮膜５の上に、例えば０．１μｍ程度のような極薄でも十分に良好なボンディング特性を確保できる金（Ａｕ）めっき皮膜６を形成することが可能となる、ということを確認したのであった。 Therefore, the present inventor shall diligently carry out various experiments, knowledge obtained thereby, and considerations thereof, and impair flexibility to such an extent that the above-described good bonding characteristics of the flying lead portion 3 can be ensured. Without being investigated, the possibility of forming the nickel (Ni) plating film 4 on the surface of the conductor pattern 2 including the flying lead portion 3 and the specific mode enabling it were investigated.
As a result, more detailed contents will be described in the following example, but it is sufficiently possible to form the nickel (Ni) plating film 4 without impairing the appropriate mechanical flexibility of the flying lead portion 3. It was confirmed. Further, by forming such a nickel (Ni) plating film 4 as a base of a palladium (Pd) plating film 5, copper (Cu) is formed in a plating bath for forming the palladium (Pd) plating film 5. It becomes possible to very effectively suppress the mixing of ions, and as a result, sufficiently good bonding characteristics can be obtained even on the palladium (Pd) plating film 5 even if it is extremely thin, for example, about 0.1 μm. It was confirmed that it was possible to form a gold (Au) plating film 6 capable of ensuring the above.

また、特に、μＢＧＡ構造の実装パッケージに組み込まれて用いられるようなフライングリード部３を有する半導体装置用テープキャリアの場合には、上記のニッケル（Ｎｉ）めっき皮膜４の膜厚を０．０１μｍ以上０．０５μｍ以下とすることが望ましい数値的態様である、という知見を得た。
すなわち、ニッケル（Ｎｉ）めっき皮膜４の膜厚を０．０５μｍ超のように厚くすると、フライングリード部３のボンディングの際の折り曲げ加工性および切断加工性が阻害される虞が顕著に高くなることを、下記の実施例で説明するような実験等から確認したのであった。
また逆に、ニッケル（Ｎｉ）めっき皮膜４の膜厚を０．０１μｍ未満にすると、そのニッケル（Ｎｉ）めっき皮膜４を形成するためのめっき時間が極めて短くなって、そのプロセス管理等が極めて煩雑なものとなり、そのような薄過ぎるニッケル（Ｎｉ）めっき皮膜４を形成すること自体が、極めて困難ないしは実質的に不可能なものとなる。そしてまた、このニッケル（Ｎｉ）めっき皮膜４を形成することの本来の目的である、パラジウム（Ｐｄ）めっき皮膜５の品質低下の要因となる銅（Ｃｕ）イオンの溶解量を、悪影響のない２０ｐｐｍ以下にまで抑制するという、パラジウム（Ｐｄ）めっき皮膜５の下地としての機能については、厚さ０．０１μｍ程度もあれば、十分に果たすことができる。従って、ニッケル（Ｎｉ）めっき皮膜４の膜厚は０．０１μｍ以上とすることが望ましい、ということを、下記の実施例で説明するような実験等から確認したのであった。 In particular, in the case of a tape carrier for a semiconductor device having a flying lead portion 3 that is used by being incorporated in a mounting package having a μBGA structure, the thickness of the nickel (Ni) plating film 4 is 0.01 μm or more. It was found that a desirable numerical aspect is 0.05 μm or less.
That is, if the thickness of the nickel (Ni) plating film 4 is increased to more than 0.05 μm, the possibility that the bending workability and the cutting workability at the time of bonding of the flying lead portion 3 will be significantly increased. This was confirmed by experiments and the like described in the following examples.
Conversely, if the thickness of the nickel (Ni) plating film 4 is less than 0.01 μm, the plating time for forming the nickel (Ni) plating film 4 becomes extremely short, and the process management is extremely complicated. Therefore, it is very difficult or substantially impossible to form such a nickel (Ni) plating film 4 that is too thin. In addition, the amount of copper (Cu) ions dissolved, which is the original purpose of forming the nickel (Ni) plating film 4 and causes the deterioration of the quality of the palladium (Pd) plating film 5, is 20 ppm with no adverse effect. The function as a base of the palladium (Pd) plating film 5 to suppress to the following can be sufficiently achieved if the thickness is about 0.01 μm. Therefore, it was confirmed from experiments and the like described in the following examples that the thickness of the nickel (Ni) plating film 4 is desirably 0.01 μm or more.

以上のように、本発明の実施の形態に係る半導体装置用テープキャリアおよびその製造方法によれば、フライングリード部３の表面を含む導体パターン２の表面上に、ニッケル（Ｎｉ）めっき皮膜４と、パラジウム（Ｐｄ）めっき皮膜５と、金（Ａｕ）めっき皮膜６とを、この順で積層してなるめっき積層膜７を備えるようにし、特にμＢＧＡ構造の実装パッケージに組み込まれて用いられる半導体装置用テープキャリアのようなフライングリード部３を有するものの場合には、ニッケル（Ｎｉ）めっき皮膜４の膜厚を０．０１μｍ以上０．０５μｍ以下の範囲内の厚さに設定するようにしたので、導体パターン２の表面の溶解や作業性の低下や運用コストの増加のような不都合を招くことなく、かつ、特にフライングリード部３のボンディング特性の低下を引き起こすことなしに、金（Ａｕ）めっき皮膜６を含むめっき積層膜を４層積層構造にして、金（Ａｕ）めっき皮膜６の厚さを低減することができる。その結果、フライングリード部３の良好なボンディング特性を確保しつつ、金（Ａｕ）の使用量を低減して材料コストの低廉化を達成することが可能となる
。 As described above, according to the tape carrier for a semiconductor device and the manufacturing method thereof according to the embodiment of the present invention, the nickel (Ni) plating film 4 is formed on the surface of the conductor pattern 2 including the surface of the flying lead portion 3. , A palladium (Pd) plating film 5 and a gold (Au) plating film 6 are provided with a plating laminated film 7 which is laminated in this order, and in particular, a semiconductor device used by being incorporated in a mounting package having a μBGA structure In the case of the one having the flying lead portion 3 such as a tape carrier, the thickness of the nickel (Ni) plating film 4 is set to a thickness within the range of 0.01 μm or more and 0.05 μm or less. There is no inconvenience such as melting of the surface of the conductor pattern 2, deterioration of workability and increase of operation cost, and in particular, bonding of the flying lead portion 3. Without causing deterioration of the characteristics can be gold (Au) and a plated laminate film including a plating film 6 a four-layer laminated structure, reducing the gold (Au) thickness of the plating film 6. As a result, it is possible to achieve a reduction in material cost by reducing the amount of gold (Au) used while ensuring good bonding characteristics of the flying lead portion 3.

上記の実施の形態で説明したような半導体装置用テープキャリアを、本発明の実施例に係る試料として作製した（実施例１、２、３）。
また、それとの比較対照のために、ニッケル（Ｎｉ）めっき皮膜４もパラジウム（Ｐｄ）めっき皮膜５も全く備えておらず、図６（ａ）に模式的に示したような、銅（Ｃｕ）箔の上に直接に金（Ａｕ）めっき皮膜６を形成した層構成の半導体装置用テープキャリアを、従来例に係る試料として作製した（従来例）。
また、同様に実施例との比較対照のために、ニッケル（Ｎｉ）めっき皮膜４の膜厚を実施例に係る試料の数値範囲から逸脱した値とした半導体装置用テープキャリアを、比較例に係る試料として作製した（比較例１、２、３）。
それらの各試料の膜構成（材質および膜厚の組合せ；なお、表１では「サンプル水準」と表記）を、纏めて表１に示す。 The tape carrier for a semiconductor device as described in the above embodiment was manufactured as a sample according to an example of the present invention (Examples 1, 2, and 3).
For comparison with the above, neither nickel (Ni) plating film 4 nor palladium (Pd) plating film 5 is provided, and copper (Cu) as schematically shown in FIG. A tape carrier for a semiconductor device having a layer structure in which a gold (Au) plating film 6 was directly formed on a foil was produced as a sample according to a conventional example (conventional example).
Similarly, for comparison with the example, a tape carrier for a semiconductor device in which the film thickness of the nickel (Ni) plating film 4 deviates from the numerical range of the sample according to the example is related to the comparative example. It produced as a sample (Comparative Examples 1, 2, and 3).
Table 1 summarizes the film configuration of each of these samples (combination of materials and film thickness; in Table 1, “sample level”).

Figure 0005218234
Figure 0005218234

図８は、実施例および比較例ならびに従来例に係る半導体装置用テープキャリアの試料を作製した製造ラインの主要な構成を模式的に示す図である。
この製造ラインには、試料の半導体装置用テープキャリア３０が掛け渡される巻出ロール３１と巻取ロール３２との間に、脱脂槽３３、酸洗槽３４、ニッケル（Ｎｉ）めっき浴槽３５、パラジウム（Ｐｄ）めっき浴槽３６、金（Ａｕ）めっき浴槽３７、洗浄槽３８、乾燥槽３９が、この順で配線されており、半導体装置用テープキャリア３０は、巻出ロール３１から巻き出されると、まず脱脂槽３３に入り、続いて酸洗槽３４に入り…というように、インラインに各処理が施されて行き、最終的に巻取ロール３２に巻き取られていくように設定されている。 FIG. 8 is a diagram schematically showing the main configuration of a production line for producing samples of tape carriers for semiconductor devices according to examples, comparative examples, and conventional examples.
In this production line, a degreasing tank 33, a pickling tank 34, a nickel (Ni) plating bath 35, palladium, between a winding roll 31 and a winding roll 32 over which a sample semiconductor device tape carrier 30 is stretched. When the (Pd) plating bath 36, the gold (Au) plating bath 37, the cleaning bath 38, and the drying bath 39 are wired in this order, the tape carrier 30 for a semiconductor device is unwound from the unwinding roll 31. First, it enters the degreasing tank 33, then enters the pickling tank 34, etc., so that each process is performed in-line, and finally, it is set to be taken up by the take-up roll 32.

各試料の作製は、まず、絶縁性フィルム基材１のポリイミドテープとして、ユーピレックスＳ（厚さ５０μｍ、宇部興産製）を用い、銅（Ｃｕ）箔としてＦＱ−ＶＬＰ箔（厚さ１５μｍ、三井金属製）を用い、その銅箔を絶縁性フィルム基板の表面に貼り付けるための接着剤として、巴川Ｘ−ｔｙｐｅ（厚さ１２μｍ、巴川製）を用いてなる、幅１０５ｍｍの２条テープキャリア用銅張フィルム基板材料を用意し、これを巻出ロール３１から巻き出して搬送を開始し、所定の前処理槽（脱脂槽３３による脱脂処理、酸洗槽３４による酸洗処理）を施した。   For the preparation of each sample, first, Upilex S (thickness 50 μm, manufactured by Ube Industries) was used as the polyimide tape of the insulating film substrate 1, and FQ-VLP foil (thickness 15 μm, Mitsui Metals) was used as the copper (Cu) foil. Made of Yodogawa X-type (thickness 12 μm, made by Yodogawa) as an adhesive for attaching the copper foil to the surface of the insulating film substrate. A stretched film substrate material was prepared, unwound from the unwinding roll 31 and started to be conveyed, and subjected to a predetermined pretreatment tank (degreasing treatment by the degreasing tank 33 and pickling treatment by the pickling tank 34).

そして、ニッケル（Ｎｉ）めっき浴槽３５にて、各実験水準（各試料の仕様）に対応したニッケル（Ｎｉ）めっきを施した。このニッケル（Ｎｉ）めっき工程におけるプロセス条件は、液温５０℃、電流密度０．８Ａ／ｄｍ２と設定した。処理時間については、膜厚
に対応して適宜に調整した。 Then, in the nickel (Ni) plating bath 35, nickel (Ni) plating corresponding to each experimental level (specification of each sample) was applied. The process conditions in this nickel (Ni) plating step were set at a liquid temperature of 50 ° C. and a current density of 0.8 A / dm 2 . About processing time, it adjusted suitably according to the film thickness.

続いて、パラジウム（Ｐｄ）めっき浴槽３６にて、０．７５Ａ／ｄｍ２、３０秒、５０℃のプロセス条件設定で、パラジウム（Ｐｄ）めっきを施した。この工程で形成したパラジウム（Ｐｄ）めっき皮膜５の厚さは、全ての試料について０．１μｍに統一した。 Subsequently, palladium (Pd) plating was performed in a palladium (Pd) plating bath 36 under the process condition settings of 0.75 A / dm 2 , 30 seconds, and 50 ° C. The thickness of the palladium (Pd) plating film 5 formed in this step was unified to 0.1 μm for all samples.

そしてさらに、金（Ａｕ）めっき浴槽３７にて、液温７０℃、電流密度０．４Ａ／ｄｍ２のプロセス条件設定で、金（Ａｕ）めっきを施した。この工程で形成した金（Ａｕ）めっき皮膜６の厚さは、全ての試料について０．１μｍに統一した。
その後、洗浄槽３８にてめっき液の残渣等を取り除き、引き続いて、乾燥槽３９にて水分を除去し、最終的に所定の搬送速度で巻取ロール３２に巻き取り収容した。 Further, gold (Au) plating was performed in a gold (Au) plating bath 37 under process condition settings of a liquid temperature of 70 ° C. and a current density of 0.4 A / dm 2 . The thickness of the gold (Au) plating film 6 formed in this step was unified to 0.1 μm for all samples.
Thereafter, the plating solution residue and the like were removed in the cleaning tank 38, and subsequently, the moisture was removed in the drying tank 39, and finally wound up and accommodated in the winding roll 32 at a predetermined conveying speed.

このようにして、ニッケル（Ｎｉ）めっき皮膜４の有無や、その膜厚を種々に変化させて作製した、合計７種類の試料（サンプル水準）を、まず第１の実験として、パラジウム（Ｐｄ）めっき液中に潜らせるように通して５０００ｍ程度の長さに亘って移動（流動）させた後、そのパラジウム（Ｐｄ）めっき液中に混入した銅（Ｃｕ）イオンの濃度を分析し、めっき浴中への銅（Ｃｕ）の混入が効果的に抑止されているか否かを評価した。その結果を図９に示す。   In this way, a total of seven types of samples (sample levels) prepared by variously changing the presence or absence of the nickel (Ni) plating film 4 and the film thickness thereof were first used as palladium (Pd). After moving (flowing) over a length of about 5000 m through the plating solution, the concentration of copper (Cu) ions mixed in the palladium (Pd) plating solution is analyzed, and the plating bath It was evaluated whether mixing of copper (Cu) into the inside was effectively suppressed. The result is shown in FIG.

従来例に係る試料は、ニッケル（Ｎｉ）めっき皮膜４を全く備えていないため、流動長の増加と共にパラジウム（Ｐｄ）めっき液中の銅（Ｃｕ）イオンの濃度が増加し、約３０００ｍ程度流動した段階で増加傾向は止まった。これは、銅（Ｃｕ）の溶解量とめっき液の持ち出し量とが平衡に達したためと考えられる。その平衡状態での銅（Ｃｕ）の混入量は、約４０ｐｐｍであった。これは、得られるパラジウム（Ｐｄ）めっき皮膜５の品質に悪影響を及ぼさない推奨管理値として提唱されている２０ｐｐｍの約２倍の多さであった。   Since the sample according to the conventional example does not include the nickel (Ni) plating film 4 at all, the concentration of copper (Cu) ions in the palladium (Pd) plating solution increases as the flow length increases, and the sample flows about 3000 m. The increasing trend stopped at the stage. This is presumably because the amount of copper (Cu) dissolved and the amount of plating solution brought out reached equilibrium. The amount of copper (Cu) mixed in the equilibrium state was about 40 ppm. This was about twice as much as 20 ppm proposed as a recommended control value that does not adversely affect the quality of the obtained palladium (Pd) plating film 5.

それとは対照的に、ニッケル（Ｎｉ）めっき皮膜４を備えた実施例１、２、３に係る試料および比較例に係る試料１、２、３は、いずれも、従来例に係る試料の約半分以下、つまり推奨管理値として提唱されている２０ｐｐｍ以下となった。そして、そのいずれもが、約３０００ｍ程度の流動長の段階で、銅（Ｃｕ）イオンは２０ｐｐｍ以下の低濃度な平衡状態で推移した。このことからすると、仮に５０００ｍ以上流動させたとしても、これ以上、銅（Ｃｕ）イオンの濃度が増大するとは考えられない。   In contrast, the samples according to Examples 1, 2, and 3 provided with the nickel (Ni) plating film 4 and the samples 1, 2, and 3 according to the comparative examples are both about half of the samples according to the conventional example. In other words, it was 20 ppm or less, which is proposed as a recommended management value. And all of them transitioned in a low concentration equilibrium state of copper (Cu) ions of 20 ppm or less at a flow length of about 3000 m. From this, even if it is made to flow 5000 m or more, it is not considered that the concentration of copper (Cu) ions will increase any more.

より詳細には、特に比較例１に係る試料に関しては、ニッケル（Ｎｉ）めっき皮膜４の膜厚が０．００５μｍと極めて薄いものであったことに起因して、銅（Ｃｕ）イオンの溶解量は推奨管理値の許容限界である２０ｐｐｍ付近を推移する結果となった。これは、ニッケル（Ｎｉ）めっき皮膜４からニッケル（Ｎｉ）が溶解し、またその下地である導体パターン２の表面の銅（Ｃｕ）も溶解したためであると考えられる。
その他の、実施例１、２、３に係る試料および比較例２、３に係る試料では、銅（Ｃｕ）イオンの混入量は、１０ｐｐｍ程度以下に抑えられており、パラジウム（Ｐｄ）めっき皮膜５の品質に悪影響を与えることが想定されるレベルである２０ｐｐｍよりも遥かに低く、さらにその約半分程度以下のレベルにまで抑制することができることが確認された。 More specifically, particularly with respect to the sample according to Comparative Example 1, the dissolution amount of copper (Cu) ions is attributed to the fact that the nickel (Ni) plating film 4 has a very thin film thickness of 0.005 μm. Resulted in a transition around 20 ppm, which is the allowable limit of the recommended management value. This is presumably because nickel (Ni) was dissolved from the nickel (Ni) plating film 4 and copper (Cu) on the surface of the conductor pattern 2 as the base was also dissolved.
In other samples according to Examples 1, 2, and 3 and samples according to Comparative Examples 2 and 3, the amount of copper (Cu) ions mixed was suppressed to about 10 ppm or less, and the palladium (Pd) plating film 5 It was confirmed that it can be suppressed to a level much lower than 20 ppm, which is a level that is expected to adversely affect the quality, and about half or less.

また、めっき浴中のニッケル（Ｎｉ）イオンについては、図１０に示された結果から、全ての試料で３０ｐｐｍ以下となっていることが確認された。よって、めっき浴中に混入されるニッケル（Ｎｉ）イオンは、各めっき皮膜の品質に悪影響を与えることはなく、従ってニッケル（Ｎｉ）めっき皮膜４を０．０５μｍ超の、例えば０．１μｍや０．５μｍのように厚めに形成しても、それに起因しためっき浴に関しての副次的な不都合や問題については、発生しないことが確認された。   Moreover, about the nickel (Ni) ion in a plating bath, from the result shown by FIG. 10, it was confirmed that it is 30 ppm or less with all the samples. Therefore, the nickel (Ni) ion mixed in the plating bath does not adversely affect the quality of each plating film, and therefore the nickel (Ni) plating film 4 exceeds 0.05 μm, for example, 0.1 μm or 0 It was confirmed that even if it was formed as thick as .5 μm, secondary inconveniences and problems related to the plating bath due to the formation were not generated.

このような結果から、膜厚０．０１μｍ以上のニッケル（Ｎｉ）めっき皮膜４をパラジウム（Ｐｄ）めっき皮膜５の下地として形成し、そのパラジウム（Ｐｄ）めっき皮膜５の上に金（Ａｕ）めっき皮膜６を形成することにより、めっき浴中への銅（Ｃｕ）イオンの混入を抑止して、良好な品質のパラジウム（Ｐｄ）めっき皮膜５および金（Ａｕ）めっき皮膜６を得ることが可能となることが確認された。   From these results, a nickel (Ni) plating film 4 having a thickness of 0.01 μm or more is formed as a base of a palladium (Pd) plating film 5, and gold (Au) plating is formed on the palladium (Pd) plating film 5. By forming the film 6, it is possible to obtain a good quality palladium (Pd) plating film 5 and gold (Au) plating film 6 by suppressing the mixing of copper (Cu) ions into the plating bath. It was confirmed that

次に、上記のような仕様で作製した各試料について、流動の前と後とで、それぞれ実装性（特にフライングリード部３のボンディング特性）の評価を行った。
その具体的な手法としては、ボンディング装置としてＫＡＩＪＯ製のＦＳＰ−３３００ＭＸを用いると共に、ボンディングツールとしてＳＰＴ製のＭＢＧＡ−３．５ｘ３．５−ＡＺＯ−１５１５−Ｓを用いて、フライングリード部３とアルミパッド８とのボンディングを行った。そして、そのボンディングされたフライングリード部３とアルミパッド８との接合に関してのプル強度試験を実施し、その結果に得られたプル強度の測定値に基づいて、フライングリード部３のボンディング特性を評価した。
ここで、プル強度試験とは、アルミパット８にボンディングされたフライングリード部３にプル試験専用のフック（図示省略）を用いて０．５ｍｍ／秒の速さで引張力を掛けたときの、破断強度を測定するというものである。その破断強度が高いほど、より強固なボンディングが行われているということを意味しているのであるから、より良好なボンディング特性が実現されていると評価できることになる。このプル強度試験の結果を、図１１に纏めて示す。 Next, the mountability (particularly the bonding characteristics of the flying lead portion 3) was evaluated before and after the flow for each sample produced with the above specifications.
As a specific method, an FSP-3300MX manufactured by KAIJO is used as a bonding apparatus, and MBGA-3.5x3.5-AZO-1515-S manufactured by SPT is used as a bonding tool. Bonding with the pad 8 was performed. Then, a pull strength test on the bonding between the bonded flying lead portion 3 and the aluminum pad 8 is performed, and the bonding characteristics of the flying lead portion 3 are evaluated based on the measured value of the pull strength obtained as a result. did.
Here, the pull strength test is a case where a tensile force is applied to the flying lead portion 3 bonded to the aluminum pad 8 at a speed of 0.5 mm / second using a hook (not shown) dedicated to the pull test. It is to measure the breaking strength. A higher breaking strength means that stronger bonding is performed, and therefore, it can be evaluated that better bonding characteristics are realized. The results of this pull strength test are summarized in FIG.

図１１に示された結果から、５０００ｍ流動の前と後とでの破断強度を比較すると、ニッケル（Ｎｉ）めっき皮膜４を全く備えていない従来例に係る試料、および僅か０．００５μｍの極めて薄い膜厚のニッケル（Ｎｉ）めっき皮膜４しか備えていない比較例１に係る試料では、破断強度が流動後に著しく低下することが確認された。
これは、銅（Ｃｕ）イオンがパラジウム（Ｐｄ）めっき液中に多量に混入して、パラジウム（Ｐｄ）めっき皮膜５の品質が低下したため、フライングリード部３のボンディング特性が不十分なものとなってしまったことに因るものと考えられる。 From the results shown in FIG. 11, when comparing the breaking strength before and after the flow of 5000 m, the sample according to the conventional example that does not have the nickel (Ni) plating film 4 at all and the extremely thin of only 0.005 μm In the sample according to Comparative Example 1 having only the nickel (Ni) plating film 4 having a film thickness, it was confirmed that the breaking strength was significantly lowered after flowing.
This is because copper (Cu) ions are mixed in a large amount in the palladium (Pd) plating solution and the quality of the palladium (Pd) plating film 5 is lowered, so that the bonding characteristics of the flying lead portion 3 are insufficient. It is thought that this is due to the fact that

他方、それとは対照的に、実施例１、２、３に係る各試料、および比較例２、３に係る各試料では、破断強度は流動前後ではほとんど変らなかった。
但し、膜厚がそれぞれ０．１μｍ、０．５μｍの厚いニッケル（Ｎｉ）めっき皮膜４を有する比較例２、３に係る各試料では、破断強度が、流動の前と後とを問わず一様に、実施例１、２、３に係る各試料よりも明らかに低いものとなった。特に、膜厚が０．５μｍで最も厚いニッケル（Ｎｉ）めっき皮膜４を有する比較例３に係る試料の場合には、破断強度が最も低いものとなった。
これは、ニッケル（Ｎｉ）やパラジウム（Ｐｄ）のめっき皮膜は硬い金属からなるものであるため、一定以上の膜厚、つまり今回の実験の場合に則して言えば、ニッケル（Ｎｉ）めっき皮膜４とパラジウム（Ｐｄ）めっき皮膜５との合計の膜厚が０．２μｍ程度以上になると、ボンディング時にフライングリード部３がスムーズに変形できなくなって、その接合の強度が著しく低下したことによるものと考えられる。 On the other hand, in each sample according to Examples 1, 2, and 3 and each sample according to Comparative Examples 2 and 3, the breaking strength was hardly changed before and after the flow.
However, in each sample according to Comparative Examples 2 and 3 having a thick nickel (Ni) plating film 4 having a thickness of 0.1 μm and 0.5 μm, the breaking strength is uniform regardless of before and after flow. Furthermore, it was clearly lower than the samples according to Examples 1, 2, and 3. In particular, in the case of the sample according to Comparative Example 3 having a thickness of 0.5 μm and the thickest nickel (Ni) plating film 4, the breaking strength was the lowest.
This is because the nickel (Ni) or palladium (Pd) plating film is made of a hard metal, so that the film thickness exceeds a certain level, that is, the nickel (Ni) plating film in the case of this experiment. When the total film thickness of 4 and palladium (Pd) plating film 5 is about 0.2 μm or more, the flying lead portion 3 cannot be smoothly deformed during bonding, and the strength of the bonding is significantly reduced. Conceivable.

このような結果から、ニッケル（Ｎｉ）めっき皮膜４の膜厚を０．０５μｍ以下に設定することにより、フライングリード部３のボンディング特性の低下を回避して、良好なボンディング特性を確保することができることが確認された。
以上の結果を総合すると、ニッケル（Ｎｉ）めっき皮膜４の膜厚を０．０１μｍ以上０．０５μｍ以下の範囲内の厚さに設定することにより、導体パターン２の表面の溶解や作業性の低下や運用コストの増加のような副次的な不都合を招くことなく、特にフライングリード部３のボンディング特性を良好なものに保ちつつ、金（Ａｕ）めっき皮膜６を含む
めっき積層膜を４層積層構造にして、金（Ａｕ）めっき皮膜６の厚さを低減することが可能であることが確認できた。 From such a result, by setting the film thickness of the nickel (Ni) plating film 4 to 0.05 μm or less, it is possible to avoid deterioration of the bonding characteristics of the flying lead portion 3 and ensure good bonding characteristics. It was confirmed that it was possible.
To summarize the above results, by setting the thickness of the nickel (Ni) plating film 4 to a thickness within the range of 0.01 μm or more and 0.05 μm or less, dissolution of the surface of the conductor pattern 2 and deterioration of workability are achieved. 4 layers of plated laminated films including a gold (Au) plated film 6 while maintaining good bonding characteristics of the flying lead part 3 without incurring secondary inconveniences such as increased operating costs It was confirmed that the structure can reduce the thickness of the gold (Au) plating film 6.

なお、上記の実施の形態および実施例では、主にμＢＧＡ構造の実装パッケージに用いられるような半導体装置用テープキャリアを本発明の適用対象に想定して説明したが、本発明に係る半導体装置用テープキャリアおよびその製造方法の適用は、そのようなμＢＧＡ構造の実装パッケージに用いられるもののみには限定されないことは勿論である。その他にも、フライングリード部のような良好な曲げ加工性が要求される部位を備えた各種構造の実装パッケージ用の半導体装置用テープキャリアにも適用可能である。
また、上記の実施の形態および実施例では、導体パターン２を形成するための銅箔を、絶縁性フィルム基材１の表面にラミネートしてなるものとした場合について説明したが、この導体パターン２を形成するための銅箔は、ラミネートして張り合わされたもの以外にも、例えば電解めっき法や無電解めっき法などによって、絶縁性フィルム基材１の表面に、上記の実施の形態および実施例で説明したものと同様の厚さや材質等を有する銅箔として形成してなるものであってもよいことは勿論である。 In the above-described embodiments and examples, the tape carrier for a semiconductor device that is mainly used for a mounting package having a μBGA structure has been described as an application target of the present invention. However, for the semiconductor device according to the present invention. Needless to say, the application of the tape carrier and the manufacturing method thereof is not limited to the one used for the mounting package having such a μBGA structure. In addition, the present invention can also be applied to a tape carrier for a semiconductor device for a mounting package having various structures including a part that requires good bending workability such as a flying lead portion.
In the above-described embodiment and examples, the case where the copper foil for forming the conductor pattern 2 is laminated on the surface of the insulating film substrate 1 has been described. In addition to the laminated copper foil, the copper foil for forming the above-mentioned embodiment and examples on the surface of the insulating film substrate 1 by, for example, electrolytic plating or electroless plating Of course, it may be formed as a copper foil having the same thickness, material, etc. as described above.

１ 絶縁性フィルム基材
２ 導体パターン
３ フライングリード部
４ ニッケル（Ｎｉ）めっき皮膜
５ パラジウム（Ｐｄ）めっき皮膜
６ 金（Ａｕ）めっき皮膜
７ めっき積層膜
８ アルミパッド
９ ＩＣチップ
１０ エラストマ
１１ モールド樹脂
１２ はんだボール
１３ 開口部
１４ 配線パターン
１５ 端子パターン
３０ 半導体装置用テープキャリア
３１ 巻出ロール
３２ 巻取ロール
３３ 脱脂槽
３４ 酸洗槽
３５ ニッケル（Ｎｉ）めっき浴槽
３６ パラジウム（Ｐｄ）めっき浴槽
３７ 金（Ａｕ）めっき浴槽
３８ 洗浄槽
３９ 乾燥槽 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Insulating film base material 2 Conductor pattern 3 Flying lead part 4 Nickel (Ni) plating film 5 Palladium (Pd) plating film 6 Gold (Au) plating film 7 Plating laminated film 8 Aluminum pad 9 IC chip 10 Elastomer 11 Mold resin 12 Solder ball 13 Opening 14 Wiring pattern 15 Terminal pattern 30 Semiconductor device tape carrier 31 Unwinding roll 32 Winding roll 33 Degreasing tank 34 Pickling tank 35 Nickel (Ni) plating bath 36 Palladium (Pd) plating bath 37 Gold (Au ) Plating bath 38 Washing tank 39 Drying tank

Claims (4)

銅（Ｃｕ）箔をパターン加工してなるフライングリード部を含む導体パターンを有する半導体装置用テープキャリアであって、
少なくとも前記フライングリード部の表面を含む前記導体パターンの表面上に、ニッケル（Ｎｉ）めっき皮膜と、パラジウム（Ｐｄ）めっき皮膜と、金（Ａｕ）めっき皮膜とを、この順で積層してなるめっき積層膜を備え、
前記ニッケル（Ｎｉ）めっき皮膜の厚さが、０．０１μｍ以上０．０５μｍ以下であるとともに、
前記ニッケル（Ｎｉ）めっき皮膜と前記パラジウム（Ｐｄ）めっき皮膜との合計の膜厚が０．２μｍ程度未満であり、
前記金（Ａｕ）めっき皮膜の厚さが、０．１μｍ程度以下である
ことを特徴とする半導体装置用テープキャリア。 A tape carrier for a semiconductor device having a conductor pattern including a flying lead portion formed by patterning a copper (Cu) foil,
A plating formed by laminating a nickel (Ni) plating film, a palladium (Pd) plating film, and a gold (Au) plating film in this order on the surface of the conductor pattern including at least the surface of the flying lead portion. With a laminated film ,
The thickness of the nickel (Ni) plating film is 0.01 μm or more and 0.05 μm or less,
The total film thickness of the nickel (Ni) plating film and the palladium (Pd) plating film is less than about 0.2 μm,
A tape carrier for a semiconductor device, wherein the gold (Au) plating film has a thickness of about 0.1 m or less . 請求項１記載の半導体装置用テープキャリアにおいて、
当該半導体装置用テープキャリアが、μＢＧＡ（Micro Ball Grid Array）実装用に設定されたものである
ことを特徴とする半導体装置用テープキャリア。 In the tape carrier semiconductor device according to claim 1 Symbol placement,
A tape carrier for semiconductor device, wherein the tape carrier for semiconductor device is set for μBGA (Micro Ball Grid Array) mounting. 銅（Ｃｕ）箔をパターン加工してフライングリード部を含む導体パターンを形成する工程と、
少なくとも前記フライングリード部の表面を含む前記導体パターンの表面上に、ニッケル（Ｎｉ）めっき皮膜を形成する工程と、
前記ニッケル（Ｎｉ）めっき皮膜の上に、パラジウム（Ｐｄ）めっき皮膜を形成する工程と、
前記パラジウム（Ｐｄ）めっき皮膜の上に、金（Ａｕ）めっき皮膜を形成する工程とを、この順で行い、
前記ニッケル（Ｎｉ）めっき皮膜を形成する工程では、前記ニッケル（Ｎｉ）めっき皮膜の厚さが、０．０１μｍ以上０．０５μｍ以下の膜厚に形成し、
前記ニッケル（Ｎｉ）めっき皮膜と前記パラジウム（Ｐｄ）めっき皮膜との合計の膜厚が０．２μｍ程度未満となるように形成し、
前記金（Ａｕ）めっき皮膜を形成する工程では、前記金（Ａｕ）めっき皮膜の厚さが、０．１μｍ程度以下の膜厚に形成する
ことを特徴とする半導体装置用テープキャリアの製造方法。 Forming a conductor pattern including a flying lead portion by patterning copper (Cu) foil;
Forming a nickel (Ni) plating film on the surface of the conductor pattern including at least the surface of the flying lead portion; and
Forming a palladium (Pd) plating film on the nickel (Ni) plating film;
On the palladium (Pd) plating film, and forming a gold (Au) plating film, you have rows in this order,
In the step of forming the nickel (Ni) plating film, the nickel (Ni) plating film has a thickness of 0.01 μm or more and 0.05 μm or less,
The total film thickness of the nickel (Ni) plating film and the palladium (Pd) plating film is formed to be less than about 0.2 μm,
The tape carrier for a semiconductor device , wherein in the step of forming the gold (Au) plating film, the thickness of the gold (Au) plating film is formed to a thickness of about 0.1 µm or less. Manufacturing method. 請求項３記載の半導体装置用テープキャリアの製造方法において、
前記パラジウム（Ｐｄ）めっき皮膜を形成する工程を、銅（Ｃｕ）イオンの混入量が２０ｐｐｍ未満のパラジウム（Ｐｄ）めっき浴にて行う
ことを特徴とする半導体装置用テープキャリアの製造方法。 In the manufacturing method of the tape carrier for semiconductor devices according to claim 3 ,
A method of manufacturing a tape carrier for a semiconductor device, wherein the step of forming the palladium (Pd) plating film is performed in a palladium (Pd) plating bath in which the amount of copper (Cu) ions mixed is less than 20 ppm.
JP2009094833A 2009-04-09 2009-04-09 Tape carrier for semiconductor device and manufacturing method thereof Expired - Fee Related JP5218234B2 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2009094833A JP5218234B2 (en) 2009-04-09 2009-04-09 Tape carrier for semiconductor device and manufacturing method thereof

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2009094833A JP5218234B2 (en) 2009-04-09 2009-04-09 Tape carrier for semiconductor device and manufacturing method thereof

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2010245428A JP2010245428A (en) 2010-10-28
JP5218234B2 true JP5218234B2 (en) 2013-06-26

Family

ID=43098085

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2009094833A Expired - Fee Related JP5218234B2 (en) 2009-04-09 2009-04-09 Tape carrier for semiconductor device and manufacturing method thereof

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP5218234B2 (en)

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH09306945A (en) * 1996-05-16 1997-11-28 Shinko Electric Ind Co Ltd Semiconductor device and package therefor
JPH11102939A (en) * 1997-09-26 1999-04-13 Hitachi Cable Ltd Tape carrier for mounting semiconductor element, and semiconductor device using it

Also Published As

Publication number Publication date
JP2010245428A (en) 2010-10-28

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR100688833B1 (en) Method for plating on printed circuit board and printed circuit board produced therefrom
KR101137751B1 (en) A COVERED Cu WIRE FOR BALL BONDING
US7285845B2 (en) Lead frame for semiconductor package
US7064008B2 (en) Semiconductor leadframes plated with thick nickel, minimum palladium, and pure tin
US7800240B2 (en) Under bump metallurgy structure and wafer structure using the same and method of manufacturing wafer structure
TWI323031B (en) Leadframe comprising tin plating or an intermetallic layer formed therefrom
US6583500B1 (en) Thin tin preplated semiconductor leadframes
US20060001132A1 (en) Palladium-spot leadframes for high adhesion semiconductor devices and method of fabrication
JP2009526381A (en) Aluminum lead frame for semiconductor QFN / SON devices
KR100712033B1 (en) Palladium-gold plating process to solve a large thickness distribution on high density printed circuit board and printed circuit board produced therefrom
KR20100028791A (en) Lead frame and method for manufacturing the same
US8759986B2 (en) Substrate structure and method of manufacturing the same
US6706561B2 (en) Method for fabricating preplated nickel/palladium and tin leadframes
WO2017179447A1 (en) Lead frame material and method for producing same
KR101646094B1 (en) lead frame and semiconductor package manufactured by using the same
US20100059257A1 (en) Method of nickel-gold plating and printed circuit board
JPH1022434A (en) Lead frame for integrated circuit and manufacture thereof
JP5218234B2 (en) Tape carrier for semiconductor device and manufacturing method thereof
KR101663695B1 (en) Leadframe and semiconductor package thereof and manufacture method thereof
US8816213B2 (en) Terminal structure, printed wiring board, module substrate, and electronic device
KR100203333B1 (en) Lead frame of multi layer plating
KR100708299B1 (en) Multi-layer Metallic Substrate for fabricating Electronic Device
KR100450091B1 (en) Multiplated lead frame for semiconductor device
JPH11186483A (en) Lead frame for semiconductor device
KR101128974B1 (en) Lead frame and method for preparing the same

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20110826

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20120824

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20120828

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20121026

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20130205

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20130218

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20160315

Year of fee payment: 3

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20160315

Year of fee payment: 3

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees