JP5215934B2 - 光変調装置、光変調装置の制御方法および光送信器 - Google Patents
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Description
の通りである。
図1は本発明の第1の実施形態に係る光送信器の構成を示す図である。光送信器は、所望の発振波長で連続発光するレーザダイオード(LD)1、LD1からのCW(Continuous Wave)光を変調するためのDQPSK用光変調器2、DQPSKのI成分(In-phase component)の駆動信号を供給するI用駆動信号発生回路6、DQPSKのQ成分(Quadrature component)の駆動信号を供給するQ用駆動信号発生回路7、そしてDQPSK用光変調器2からの光信号の一部を取り出すための光分岐部8、光分岐部8から取り出された光信号の一部を光電変換し、帯域制限することによって低周波信号を電気信号に変換する光電変換回路31と、低周波信号発生器32と、I用ランダム信号発生回路33と、Q用ランダム信号発生回路36と、I用復調回路34と、Q用復調回路37と、I用バイアス制御回路35と、Q用バイアス制御回路38とを含んでいる。DQPSK用光変調器2は、出力光信号であるDQPSK信号のI成分を制御するためのI用変調部21と、DQPSK信号のQ成分を制御するためのQ用変調部22と、I成分とQ成分の位相を90度ずらすための位相シフト部23と、I用変調部21を経た光と、Q用変調部22および位相シフト部23を経た光とを合波する合波部24とを有している。I用変調部21およびQ用変調部22のそれぞれは、MZ型光変調器である。以下ではこれらのそれぞれを光変調部と記す。I用駆動信号発生回路6は、I用変調部21へ振幅が2Vπの駆動信号を与え、Q用駆動信号発生回路7は、Q用変調部22へ振幅が2Vπの駆動信号を与える。なお、この光送信器においては、I用ランダム信号発生回路33、I用復調回路34、およびI用バイアス制御回路35、はI用変調部21に対応して設けられており、Q用ランダム信号発生回路36、Q用復調回路37、およびQ用バイアス制御回路38、はQ用変調部22に対応して設けられている。以下では、I用ランダム信号発生回路33およびQ用ランダム信号発生回路36を指す場合はランダム信号発生回路と呼び、I用復調回路34およびQ用復調回路37を指す場合は復調回路と呼び、I用バイアス制御回路35およびQ用バイアス制御回路38を指す場合はバイアス制御回路と呼ぶ。
第2の実施形態においては、各光変調部の入力信号にランダム信号を直接重畳させず、代わりにBPSK変調した信号を重畳させている点に特徴がある。以下では、主に第1の実施形態との相違点について説明する。なお説明において同じ要素については同じ符号を用い、説明が必要な相違が無い場合その説明は省略する。
第3の実施形態においては、第2の実施形態と同じくBPSK変調を用い、かつI用変調部21とQ用変調部22の出力光の絶対値が異なる場合においても最大の効果を得るためのものである。以下では主に第2の実施形態との相違点を説明する。なお説明において同じ要素については同じ符号を用い、特に違いが無い場合その説明は省略する。
Claims (5)
- マッハツェンダ型変調器からなる二つの光変調部と前記二つの光変調部から出力される光を合波する合波部とを含む光変調器と、
疑似乱数に基づいて前記各光変調部に対するランダム信号であって電位がランダムに変化する2値の疑似乱数系列であるランダム信号を発生するランダム信号発生部と、
前記ランダム信号に基づいて、前記各光変調部に対するランダム性を有する信号を該光変調部に対するバイアス電圧に重畳した電圧を該光変調部に向け出力するバイアス制御部と、
前記ランダム信号をBPSK変調して前記ランダム性を有する信号を生成するBPSK信号生成部と、
前記合波部で合波された光の出力強度と前記各光変調部に対する前記ランダム信号とに基づいて、該光変調部の光出力強度を最大にする前記バイアス電圧の生成を前記バイアス制御部に指示する復調部と、
を含み、
前記各光変調部に対するランダム信号は互いに異なり、
前記復調部は前記光の出力強度を示す信号を遅延検波した信号と前記ランダム信号とに基づいて前記バイアス電圧の生成を前記バイアス制御部に指示し、
前記二つの光変調部に対する前記ランダム性を有する信号の搬送波の位相は互いに90度異なる、
ことを特徴とする光送信器。 - 前記合波部で合波された光の出力強度と前記ランダム信号とに基づいて、少なくとも一つの前記変調部に対する前記ランダム性を有する信号の振幅を調整する振幅調整部をさらに含む、
ことを特徴とする請求項1に記載の光送信器。 - 前記バイアス制御部は、前記各光変調部に対する前記ランダム信号を該光変調部に対するバイアス電圧に重畳した電圧を該光変調部に向け出力し、
前記復調部は、前記光の出力強度を示す信号と前記ランダム信号とを同期検波した信号に基づいて、前記バイアス電圧の生成を前記バイアス制御部に指示する、
ことを特徴とする請求項1に記載の光送信器。 - マッハツェンダ型変調器からなる二つの光変調部と前記二つの光変調部から出力される光を合波する合波部とを含む光変調器と、
疑似乱数に基づいて前記各光変調部に対するランダム信号であって電位がランダムに変化する2値の疑似乱数系列であるランダム信号を発生するランダム信号発生部と、
前記ランダム信号に基づいて、前記各光変調部に対するランダム性を有する信号を該光変調部に対するバイアス電圧に重畳した電圧を該光変調部に向け出力するバイアス制御部と、
前記ランダム信号をBPSK変調して前記ランダム性を有する信号を生成するBPSK信号生成部と、
前記合波部で合波された光の出力強度と前記各光変調部に対する前記ランダム信号とに基づいて、該光変調部の光出力強度を最大に近づける前記バイアス電圧の生成を前記バイアス制御部に指示する復調部と、
を含み、
前記各光変調部に対する前記ランダム信号は互いに異なり、
前記復調部は前記光の出力強度を示す信号を遅延検波した信号と前記ランダム信号とに基づいて前記バイアス電圧の生成を前記バイアス制御部に指示し、
前記二つの光変調部に対する前記ランダム性を有する信号の搬送波の位相は互いに90度異なる、
ことを特徴とする光変調装置。 - マッハツェンダ型変調器からなる二つの光変調部と前記二つの光変調部から出力される光を合波する合波部とを含む光変調装置の制御方法であって、
疑似乱数に基づいて前記各光変調部に対するランダム信号であって電位がランダムに変化する2値の疑似乱数系列であるランダム信号を発生するステップと、
前記ランダム信号に基づいて、前記各光変調部に対するランダム性を有する信号を該光変調部に対するバイアス電圧に重畳した電圧を該光変調部に向け出力するステップと、
前記ランダム信号をBPSK変調して前記ランダム性を有する信号を生成するステップと、
前記合波部で合波された光の出力強度と前記各光変調部に対する前記ランダム信号とに基づいて、該光変調部の光出力強度を最大に近づける前記バイアス電圧の生成を指示するステップと、
を含み、
前記各光変調部に対する前記ランダム信号は互いに異なり、
前記バイアス電圧の生成を指示するステップでは、前記光の出力強度を示す信号を遅延検波した信号と前記ランダム信号とに基づいて前記バイアス電圧の生成を前記バイアス制御部に指示し、
前記二つの光変調部に対する前記ランダム性を有する信号の搬送波の位相は互いに90度異なる、
ことを特徴とする光変調装置の制御方法。
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