JP5181876B2 - Flat cable manufacturing method - Google Patents
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Description
本発明は、電子機器などに用いられるフラットケーブル及びその製造方法に関する。 The present invention relates to a flat cable used for an electronic device or the like and a manufacturing method thereof.
電子機器の小形化、軽量化に伴い、これらに搭載される電子部品、配線用部品等の小形化が進んでいる。特に、電気配線のための配線部材は、限られたスペースで高密度の配線が可能なものが要望されている。このような配線部材として、複数本の平角導体を一平面上に配列し、その配列面の両側からそれぞれ絶縁フィルムをラミネートしたフラットケーブルが知られている。 As electronic devices become smaller and lighter, electronic components and wiring components mounted on these devices are becoming smaller. In particular, wiring members for electrical wiring are required to be capable of high-density wiring in a limited space. As such a wiring member, a flat cable is known in which a plurality of rectangular conductors are arranged on a single plane and an insulating film is laminated from both sides of the arrangement surface.
このフラットケーブルでは、半田付け性を向上させるための皮膜として導体に錫(Sn)メッキを施すことが行われている。
しかし、錫メッキを施した導体では、コネクタの端子との電気接触のための圧縮応力を受けることに起因して導体の表面に針状結晶体(ウィスカ)が発生することが知られている。特に、導体同士の間隔が極めて狭いフラットケーブルでは、このウィスカが短絡の原因となる場合がある。
In this flat cable, tin (Sn) plating is applied to a conductor as a film for improving solderability.
However, it is known that a tin-plated conductor generates acicular crystals (whiskers) on the surface of the conductor due to receiving compressive stress for electrical contact with the connector terminals. In particular, in a flat cable in which the distance between conductors is extremely narrow, this whisker may cause a short circuit.
このようなウィスカによる短絡を防止するため、導電基体上に、ビスマス(Bi)、銅(Cu)、銀(Ag)、亜鉛(Zn)のうち少なくとも1種を0.1〜15重量%含有する錫合金メッキを形成し、その上層に、亜鉛メッキ、銀メッキ、錫−亜鉛合金メッキ、錫−銀合金メッキ又は錫−ビスマス合金メッキを形成し、通電アニール処理などの熱処理をすることが知られている(例えば、特許文献1参照)。 In order to prevent such a short circuit due to whiskers, the conductive substrate contains 0.1 to 15% by weight of at least one of bismuth (Bi), copper (Cu), silver (Ag), and zinc (Zn). It is known that a tin alloy plating is formed, and a zinc plating, silver plating, tin-zinc alloy plating, tin-silver alloy plating or tin-bismuth alloy plating is formed on the upper layer, and heat treatment such as energization annealing is performed. (For example, refer to Patent Document 1).
ところが、上記の処理条件では、ウィスカの発生を十分に抑えることが難しく、特に、熱処理温度が適正でないと、ウィスカの発生が抑えられたとしても接触抵抗が増加し、コネクタとの導通不良の要因となってしまう。 However, under the above processing conditions, it is difficult to sufficiently suppress the generation of whiskers. In particular, if the heat treatment temperature is not appropriate, even if whisker generation is suppressed, the contact resistance increases and the cause of poor conduction with the connector. End up.
本発明は、ウィスカの発生が十分に抑えられ、接触抵抗の増加も抑制されたフラットケーブルを提供すること及びそのフラットケーブルを製造する製造方法を提供することを目的としている。 An object of the present invention is to provide a flat cable in which generation of whiskers is sufficiently suppressed and an increase in contact resistance is also suppressed, and a manufacturing method for manufacturing the flat cable.
上記課題を解決することのできる本発明に係るフラットケーブルは、並列に配列された複数の導体が絶縁体で被覆されたフラットケーブルであって、
前記導体は、銅または銅合金からなる基材の表面に、錫にビスマス及び亜鉛が含まれた合金からなる合金層が形成されてなり、
前記合金層は、錫に対して1.0重量%以上4.0重量%以下のビスマス及び0.2重量%以上2.0重量%以下の亜鉛が含まれ、厚さが0.3μm以上0.9μm以下であることを特徴とする。
The flat cable according to the present invention that can solve the above problems is a flat cable in which a plurality of conductors arranged in parallel are covered with an insulator,
The conductor is formed by forming an alloy layer made of an alloy containing bismuth and zinc in tin on the surface of a base material made of copper or a copper alloy,
The alloy layer contains 1.0% by weight to 4.0% by weight of bismuth and 0.2% by weight to 2.0% by weight of zinc with respect to tin, and has a thickness of 0.3 μm to 0%. .9 μm or less.
また、本発明に係るフラットケーブルの製造方法は、並列に配列された複数の導体が絶縁体で被覆されたフラットケーブルの製造方法であって、
前記導体を構成する銅または銅合金からなる基材の表面に、1.0重量%以上4.0重量%以下のビスマスが錫に含まれた第1メッキ層と、0.2重量%以上2.0重量%以下の亜鉛が錫に含まれた第2メッキ層とを、厚さの合計が0.3μm以上0.9μm以下となるように形成する表面処理工程と、
前記導体を270℃以上290℃以下の温度で加熱する加熱処理工程と、
複数の前記導体を並列に配列させて絶縁体で覆うケーブル化工程とを行うことを特徴とする。
The flat cable manufacturing method according to the present invention is a flat cable manufacturing method in which a plurality of conductors arranged in parallel are covered with an insulator,
A first plating layer in which 1.0 wt% or more and 4.0 wt% or less of bismuth is contained in tin on the surface of a base material made of copper or a copper alloy constituting the conductor; A surface treatment step of forming a second plating layer containing 0.0 wt% or less of zinc in tin so that the total thickness is 0.3 μm or more and 0.9 μm or less;
A heat treatment step of heating the conductor at a temperature of 270 ° C. or higher and 290 ° C. or lower;
A cable forming step of arranging a plurality of the conductors in parallel and covering them with an insulator is performed.
また、前記加熱処理工程は、270℃以上290℃以下の高温雰囲気中に前記導体を通過させて加熱することが好ましい。 Moreover, it is preferable that the said heat processing process passes the said conductor in a high temperature atmosphere (270 degreeC or more and 290 degrees C or less), and heats it.
本発明のフラットケーブルによれば、錫にビスマス及び亜鉛が前述の量だけ含まれた合金からなる合金層が、銅または銅合金からなる基材の表面に形成された導体を有し、合金層の材質と厚さを上記のように設定したので、ウィスカの発生を十分に抑え、しかも、接触抵抗の増加も確実に抑制することができる。 According to the flat cable of the present invention, the alloy layer made of an alloy in which bismuth and zinc are contained in the aforementioned amounts in tin has a conductor formed on the surface of the base material made of copper or a copper alloy, and the alloy layer Since the material and thickness are set as described above, the generation of whiskers can be sufficiently suppressed, and the increase in contact resistance can be reliably suppressed.
また、本発明のフラットケーブルの製造方法によれば、銅または銅合金からなる基材の表面に、1.0重量%以上4.0重量%以下のビスマスが錫に含まれた第1メッキ層と、0.2重量%以上2.0重量%以下の亜鉛が錫に含まれた第2メッキ層とを、厚さの合計が0.3μm以上0.9μm以下となるように形成した導体を、270℃以上290℃以下で加熱することにより、第1メッキ層と第2メッキ層とを一体化し、錫と銅との合金量が適正な量とされた合金層とすることができる。これにより、ウィスカの発生を十分に抑えることができ、しかも、接触抵抗の増加も確実に抑制することができ、さらには、良好な半田付け性の改善効果も得ることができる。 Moreover, according to the flat cable manufacturing method of the present invention, the first plating layer in which 1.0 wt% or more and 4.0 wt% or less of bismuth is contained in tin on the surface of the base material made of copper or copper alloy. And a second plating layer in which 0.2 wt% or more and 2.0 wt% or less of zinc is contained in tin, a conductor formed so that the total thickness becomes 0.3 μm or more and 0.9 μm or less By heating at 270 ° C. or more and 290 ° C. or less, the first plating layer and the second plating layer can be integrated to form an alloy layer in which the alloy amount of tin and copper is an appropriate amount. Thereby, generation | occurrence | production of a whisker can fully be suppressed, and also the increase in contact resistance can be suppressed reliably, and also the improvement effect of favorable solderability can be acquired.
以下、本発明に係るフラットケーブル及びその製造方法の実施形態の例について、図面を参照して説明する。
図1は本発明に係るフラットケーブルを示す平面図、図2は図1の矢視A−A断面図、図3はフラットケーブルの端部における導体露出部の側面図、図4は平角導体の断面図である。
図1及び図2に示すように、フラットケーブル1は、複数本(本実施形態では10本)の平角導体(導体)2が所定の並列ピッチで平面上に配列され、平角導体2の配列面の両面にそれぞれ絶縁フィルム(絶縁体)3が貼着(ラミネート)されている。なお、平角導体2を覆う絶縁体は、フィルムの代わりに絶縁樹脂を押し出し被覆したものであっても良い。
Hereinafter, an example of an embodiment of a flat cable and a method for manufacturing the same according to the present invention will be described with reference to the drawings.
1 is a plan view showing a flat cable according to the present invention, FIG. 2 is a cross-sectional view taken along line AA in FIG. 1, FIG. 3 is a side view of a conductor exposed portion at the end of the flat cable, and FIG. It is sectional drawing.
As shown in FIGS. 1 and 2, the flat cable 1 includes a plurality of (10 in the present embodiment) flat conductors (conductors) 2 arranged on a plane at a predetermined parallel pitch. An insulating film (insulator) 3 is stuck (laminated) on each of the two surfaces. Note that the insulator covering the
絶縁フィルム3は、絶縁樹脂層4と絶縁性接着層5とからなり、例えば、絶縁樹脂層4はポリエステルまたはポリイミドあるいはPPS等の樹脂であり、絶縁性接着層5はポリエステル系接着剤もしくは難燃PVCである。平角導体2に対して、絶縁性接着層5の面を対向させて2枚の絶縁フィルム3が貼り合わされている。これにより、平角導体2同士の電気的絶縁を図っている。
The
フラットケーブル1の長手方向の両端部は、一方の面にのみ絶縁フィルム3が貼着され、他方の面で複数本の全ての平角導体2が露出した導体露出部6とされており、電気コネクタの弾性コンタクト片等に接続可能な接続端末として機能する。
図3に示すように、導体露出部6の平角導体2が露出していない側の面には、ポリエステル等の絶縁樹脂からなる端末補強テープ7が貼着されており、露出した平角導体2を支持して変形を防止している。
The both ends in the longitudinal direction of the flat cable 1 are conductor exposed
As shown in FIG. 3, a
本実施形態において、平角導体2の厚さは35μm以上50μm以下、幅寸法は約0.3mmであり、10本の平角導体2の並列ピッチは約0.5mmである。図4に示すように、平角導体2は、断面長方形に形成された基材11上に合金層12が積層された構造である。本実施形態では、基材11の外周全域に合金層12が形成されている。基材11としては、銅(Cu)、銀(Ag)−銅(Cu)合金、錫(Sn)−銅(Cu)合金などが用いられる。
In this embodiment, the thickness of the
この基材11の周囲の合金層12は、錫(Sn)にビスマス(Bi)及び亜鉛(Zn)が含まれた合金からなるものである。
合金層12の材質は、錫に対して1.0重量%以上4.0重量%以下のビスマス及び0.2重量%以上2.0重量%以下の亜鉛が含まれたものである。合金層12の厚さは、0.3μm以上0.9μm以下である。
The
The material of the
合金層12の厚さは平角導体2の並列ピッチと関連する。上記の例では平角導体2の並列ピッチが0.5mmであり、平角導体2の幅が0.3mmであるので、平角導体2同士の間隔は0.2mmである。この場合に錫のウィスカによる導体間の短絡を十分に抑えるためには錫を含む合金層12を0.9μm以下としなければならない。一方で、錫を含む合金層12を0.3μm以上としないと錫メッキの効果が発揮されない。
平角導体2の並列ピッチを0.3mmとすると平角導体2同士の間隔が短くなるので錫のウィスカによる短絡が生じないためには、許容されるウィスカの長さがさらに短くなる。一方、平角導体2の幅が細くなるので平角導体2の周囲の合金層12に含まれる錫の量は少なくなる。その分ウィスカの伸長が少なくなるので、平角導体2の並列ピッチを0.3mmとした場合も合金層12の厚さを0.3μmから0.9μmの範囲として錫メッキの効果を発揮しつつ錫のウィスカによる平角導体2間の短絡を十分に抑えることができる。
The thickness of the
When the parallel pitch of the
次に、上記のフラットケーブル1を製造する場合について説明する。
図5は表面処理工程で処理された平角導体の断面図、図6は熱処理工程を示す斜視図、図7はケーブル化工程を示す斜視図である。
図5に示すように、まず、平角導体2を構成する基材11の周囲にメッキ処理を施す(表面処理工程)。
具体的には、基材11の表面に、錫−ビスマス合金をメッキ処理することにより第1メッキ層21を形成し、さらに、その表面に、錫−亜鉛合金をメッキ処理することにより第2メッキ層22を形成する。
Next, the case where the above flat cable 1 is manufactured will be described.
FIG. 5 is a cross-sectional view of a rectangular conductor treated in the surface treatment process, FIG. 6 is a perspective view showing a heat treatment process, and FIG. 7 is a perspective view showing a cable forming process.
As shown in FIG. 5, first, a plating process is performed around the
Specifically, the
第1メッキ層21は、錫に対してビスマスを1.0重量%以上4.0重量%以下とし、第2メッキ層22は、錫に対して亜鉛を0.2重量%以上2.0重量%以下とする。
また、第1メッキ層21及び第2メッキ層22は、その厚さの合計を0.3μm以上0.9μm以下とする。なお、本実施形態では、第1メッキ層21及び第2メッキ層22の厚さをそれぞれ0.3μmとし、厚さの合計を0.6μmとする。
The
The total thickness of the
次に、上記基材11の表面に第1メッキ層21及び第2メッキ層22を形成した平角導体2に熱処理を施す(熱処理工程)。
図6に示すように、平角導体2に熱処理を施すには、加熱装置31を用いる。加熱装置31は、筒状に形成したステンレス材からなる長さ約8mの加熱パイプ32の周囲に、カンタル線33を巻回させたもので、カンタル線33に電力を供給することにより、加熱パイプ32内に高温雰囲気を生じさせる。この加熱パイプ32内の高温雰囲気の温度は、270℃以上290℃以下とする。
Next, heat treatment is performed on the
As shown in FIG. 6, a
そして、この加熱装置31の加熱パイプ32内に、第1メッキ層21及び第2メッキ層22を形成した平角導体2を、約160m/分の線速で通過させる。このようにすると、平角導体2は、加熱装置31の高温雰囲気によって約3秒間加熱される。これにより、第1メッキ層21及び第2メッキ層22は、加熱処理によって錫が拡散することにより一体化し、錫にビスマス及び亜鉛が含まれた合金からなる合金層12となる。
なお、高温雰囲気を円筒状の加熱パイプ32により生じさせ、その中心に平角導体2を通過させることにより、平角導体2に対する加熱温度を横断面の周方向に均一化することができる。
Then, the
In addition, the heating temperature with respect to the
ここで、熱処理の温度が高すぎると(290℃を越えると)、合金層12における錫と銅との合金量が増加し、接触抵抗が大きくなってしまう(例えば、接触抵抗が50mΩ以上となる)。また、熱処理温度が低すぎると(270℃より低いと)、錫と銅との合金量が少なくなり、ウィスカの発生が十分に抑えられなくなり、また、半田付け性の改善効果が低くなり、導体露出部6での半田付けに影響してしまう。
Here, if the temperature of the heat treatment is too high (over 290 ° C.), the alloy amount of tin and copper in the
これに対して、本実施形態では、熱処理工程にて、平角導体2を通過させる高温雰囲気の温度を270℃以上290℃以下としていることにより、合金層12における錫と銅との合金量を適正な量とすることができる。これにより、ウィスカの発生が十分に抑えられ、接触抵抗の増加も抑制された平角導体2とすることができ、良好な半田付け性の改善効果も得られる。平角導体2が加熱パイプ32を通過する時間すなわち加熱時間は数秒とする。本発明では加熱温度が加熱時間よりもウィスカの抑制および接触抵抗増加の抑制に影響する。
On the other hand, in this embodiment, in the heat treatment step, the temperature of the high-temperature atmosphere through which the
次に、図7に示すように、熱処理を施した平角導体2が巻き取られている複数のリール41から平角導体2を送り出して所定の並列ピッチで同一平面上に配列し、配列した平角導体2の上下に、リール42から長尺の絶縁フィルム3を送り出してヒータローラ43間に通し、巻き取りローラ44に巻き取る(ケーブル化工程)。
Next, as shown in FIG. 7, the
なお、絶縁フィルム3は、その絶縁性接着層5側を平角導体2側に向ける。これにより、ヒータローラ43の間を通過することにより、絶縁フィルム3の絶縁性接着層5が溶融し、平面上に配列された複数本の平角導体2には、配列面の上下から絶縁フィルム3が絶縁性接着層5によって貼り合わされ、平角導体2が平面上に配列されて絶縁体(絶縁樹脂層4と絶縁性接着層5)で被覆された一連長の長尺のフラットケーブル1が形成される。ヒータローラ43は絶縁フィルム3を加熱するヒータ部と絶縁フィルム3を圧着するローラ部とが別々の機構であるものでもよい。
The insulating
なお、ケーブル化工程において、絶縁フィルム3を貼り合わせる代わりに、平角導体2の周囲に絶縁樹脂を押し出し被覆しても良い。
In the cable forming process, instead of attaching the insulating
一方の絶縁フィルム3には、図1に示した導体露出部6を設けるために、長手方向の一部に開口した窓部を形成しておくと良い。窓部はフラットケーブル1の長手方向の端部となる箇所に設けられる。また、絶縁フィルム3の幅方向の余剰部分(耳と呼ばれる部分)は、切断されて除去される。これにより、窓部の幅方向両端部で絶縁フィルム3が長手方向に繋がった箇所が除去される。その後、長尺のフラットケーブルは、窓部の箇所で切断され、所定の長さ毎のフラットケーブル1とされる。
In order to provide the conductor exposed
このようにして製造されたフラットケーブル1では、その導体露出部6にコネクタを嵌合して1000時間後に50μmより長いウィスカの発生の有無を観察した結果、不良となる50μmより長いウィスカの発生がないことが確認された。
In the flat cable 1 manufactured in this manner, a connector is fitted to the conductor exposed
以上説明したように、本実施形態のフラットケーブル1によれば、平角導体2が銅または銅合金からなる基材11の表面に合金層12を有するものであり、その合金層12は、錫に対して1.0重量%以上4.0重量%以下のビスマス及び0.2重量%以上2.0重量%以下の亜鉛が含まれたものである。
平角導体2の厚さを35μmから50μm、平角導体2の幅を0.15mmから0.3mmとし、かつ合金層12の厚さを0.3μmから0.9μmとした場合に、錫のウィスカが発生することを抑制するには、錫のメッキ層にビスマスと亜鉛とをそれぞれ1.0重量%以上、0.2重量%以上添加することが必要である。一方のみの添加では錫のウィスカの発生を十分抑えることができず、いずれか一方の添加量が上記の量より少なくても錫のウィスカの発生を十分抑えることができなかった。
As described above, according to the flat cable 1 of the present embodiment, the
When the thickness of the
前述したように、270℃以上290℃以下の温度で熱処理されることによって基材11中の銅がメッキ層へ移行してきて、錫、銅、ビスマス、亜鉛の四元合金が形成される。ビスマスと亜鉛がそれぞれ上記の濃度で組み合わされて含まれ、錫のウィスカの発生が十分に抑制される合金構造となると考えられる。ここで、合金層に含まれるビスマスまたは亜鉛がそれぞれ4.0重量%、2.0重量%を超えると、平角導体2の熱処理温度を270℃以上290℃以下としても、接触抵抗が大きくなり50mΩ以下の接触抵抗としにくかった。したがって、接触抵抗の問題を生じないためには、ビスマスと亜鉛の添加量はそれぞれ4.0重量%以下、2.0重量%以下としなければならない。
As described above, by performing heat treatment at a temperature of 270 ° C. or more and 290 ° C. or less, the copper in the
平角導体2の表面の錫が多くなると、ウィスカが発生しやすくなるが、錫の層(合金層12)の厚さを薄くしすぎると、半田付け性が悪くなる。フラットケーブル1の平角導体2は、合金層12の厚さが0.3μm以上0.9μm以下であるので、ウィスカの発生を十分に抑えることができ、なおかつ半田付け性も良好である。
When the tin on the surface of the
また、上記のフラットケーブルの製造方法によれば、銅または銅合金からなる基材11の表面に、1.0重量%以上4.0重量%以下のビスマスが錫に含まれた第1メッキ層21と、0.2重量%以上2.0重量%以下の亜鉛が錫に含まれた第2メッキ層22とを、厚さの合計が0.3μm以上0.9μm以下となるように形成した平角導体2を270℃以上290℃以下の温度で加熱することにより、第1メッキ層21と第2メッキ層22とを一体化した合金層12とすることができる。そして、この合金層12では、錫と銅との合金量が適正な量とされ、これにより、ウィスカの発生を十分に抑え、半田付け性の改善効果も得ることができ、なおかつ接触抵抗を50mΩ以下とすることができる。したがって、ウィスカの発生が十分に抑えられ、接触抵抗も良好に抑制されたフラットケーブル1を製造することができる。
Further, according to the above flat cable manufacturing method, the first plating layer in which 1.0 wt% or more and 4.0 wt% or less of bismuth is contained in tin on the surface of the
また、加熱装置31の加熱パイプ32内に形成した270℃以上290℃以下の高温雰囲気中に、平角導体2を所定の線速で通過させて加熱することにより加熱処理を行うので、生産性を向上させることができる。
In addition, since the
1:フラットケーブル、2:平角導体(導体)、3:絶縁フィルム(絶縁体)、11:基材、12:合金層、21:第1メッキ層、22:第2メッキ層 1: flat cable, 2: flat conductor (conductor), 3: insulating film (insulator), 11: base material, 12: alloy layer, 21: first plating layer, 22: second plating layer
Claims (2)
前記導体は、厚さが35μm以上50μm以下で、幅が0.15mm以上0.3mm以下の平角導体であり、
前記導体を構成する銅または銅合金からなる基材の表面に、1.0重量%以上4.0重量%以下のビスマスが錫に含まれた第1メッキ層と、0.2重量%以上2.0重量%以下の亜鉛が錫に含まれた第2メッキ層とを、厚さの合計が0.3μm以上0.9μm以下となるように形成する表面処理工程と、
前記導体を270℃以上290℃以下の温度で加熱する加熱処理工程と、
複数の前記導体を並列に配列させて絶縁体で覆うケーブル化工程とを行うことを特徴とするフラットケーブルの製造方法。 A method of manufacturing a flat cable in which a plurality of conductors arranged in parallel are covered with an insulator,
The conductor is a rectangular conductor having a thickness of 35 μm or more and 50 μm or less and a width of 0.15 mm or more and 0.3 mm or less,
A first plating layer in which 1.0 wt% or more and 4.0 wt% or less of bismuth is contained in tin on the surface of a base material made of copper or a copper alloy constituting the conductor; A surface treatment step of forming a second plating layer containing 0.0 wt% or less of zinc in tin so that the total thickness is 0.3 μm or more and 0.9 μm or less;
A heat treatment step of heating the conductor at a temperature of 270 ° C. or higher and 290 ° C. or lower;
A flat cable manufacturing method comprising: performing a cable forming step in which a plurality of conductors are arranged in parallel and covered with an insulator.
前記加熱処理工程は、270℃以上290℃以下の高温雰囲気中に前記導体を通過させて加熱することを特徴とするフラットケーブルの製造方法。
It is a manufacturing method of the flat cable according to claim 1 ,
The said heat processing process passes the said conductor in the high temperature atmosphere of 270 degreeC or more and 290 degrees C or less, and heats it, The manufacturing method of the flat cable characterized by the above-mentioned.
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