JP5180040B2 - Metal complexes of tridentate beta ketoiminates - Google Patents

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Description

この出願は、2007年11月27日付けで出願された米国特許出願第11/945,678号の優先権を主張するものである。   This application claims priority from US patent application Ser. No. 11 / 945,678, filed Nov. 27, 2007.

半導体製造産業は、金属含有前駆体を用いて、例えばシリコン、金属窒化物、金属酸化物、及びその他の金属含有層のような基板上に形状整合(コンホーマル)の金属含有膜を作成するための、原子層蒸着を含む化学蒸着プロセスのための新規な金属源含有前駆体を依然として必要としている。   The semiconductor manufacturing industry uses metal-containing precursors to create conformal metal-containing films on substrates such as silicon, metal nitrides, metal oxides, and other metal-containing layers. There remains a need for new metal source containing precursors for chemical vapor deposition processes, including atomic layer deposition.

本発明は、金属を含有する三座β-ケトイミネート及び溶液であって、三座β-ケトイミネートがイミノ基に窒素又は酸素官能基を組み込んでいるものに向けられている。三座β-ケトイミネートは、次の構造式(A)及び(B)によって表される群から選択される。   The present invention is directed to metal-containing tridentate β-ketoiminates and solutions wherein the tridentate β-ketoiminates incorporate a nitrogen or oxygen functional group in the imino group. The tridentate β-ketoiminate is selected from the group represented by the following structural formulas (A) and (B).

Figure 0005180040
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ここで、Mは2価から5価までの金属である。金属の例としては、カルシウム、マグネシウム、ストロンチウム、バリウム、スカンジウム、イットリウム、ランタン、チタン、ジルコニウム、バナジウム、タングステン、マンガン、コバルト、鉄、ニッケル、ルテニウム、亜鉛、銅、パラジウム、イリジウム、レニウム、及びオスミウムがあげられる。いろいろな有機の基を用いることができる。例えば、R1は、1〜10個の炭素原子の、好ましくは1〜6個の炭素原子を含む、アルキル、アルコキシアルキル、フルオロアルキル、脂環式基、及びアリールから成る群から選択される。R2は、水素、アルキル、アルコキシ、脂環式基、及びアリールから成る群から選択される。R3は、アルキル、フルオロアルキル、アルコキシアルキル、脂環式基、及びアリールから成る群から選択される。R4は、少なくともひとつのキラル炭素原子を有するC3-10枝分かれアルキル又はアルキレンブリッジ、好ましくは3又は4個の炭素原子を含み、したがって金属センターに対して5-又は6-員の配位リングを形成する基である。R5及びR6は、個別に、アルキル、フルオロアルキル、脂環式基、アリールから成る群から選択され、これらの基を結合して炭素、酸素、及び窒素原子を含むリングを形成することができる。下つき添字nは、整数であり、金属Mの価数に等しい。 Here, M is a metal from divalent to pentavalent. Examples of metals include calcium, magnesium, strontium, barium, scandium, yttrium, lanthanum, titanium, zirconium, vanadium, tungsten, manganese, cobalt, iron, nickel, ruthenium, zinc, copper, palladium, iridium, rhenium, and osmium. Can be given. Various organic groups can be used. For example, R 1 is selected from the group consisting of alkyl, alkoxyalkyl, fluoroalkyl, alicyclic group, and aryl containing 1 to 10 carbon atoms, preferably 1 to 6 carbon atoms. R 2 is selected from the group consisting of hydrogen, alkyl, alkoxy, alicyclic group, and aryl. R 3 is selected from the group consisting of alkyl, fluoroalkyl, alkoxyalkyl, alicyclic group, and aryl. R 4 comprises a C 3-10 branched alkyl or alkylene bridge having at least one chiral carbon atom, preferably 3 or 4 carbon atoms, and thus a 5- or 6-membered coordination ring to the metal center Is a group that forms R 5 and R 6 are individually selected from the group consisting of alkyl, fluoroalkyl, alicyclic group, and aryl, and these groups can be combined to form a ring containing carbon, oxygen, and nitrogen atoms. it can. The subscript n is an integer and is equal to the valence of the metal M.

Figure 0005180040
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ここで、Mは、チタン、ジルコニウム、及びハフニウムを含む第4、第5族金属から選択される金属イオンであり;R1は、アルキル、アルコキシアルキル、フルオロアルキル、脂環式基、及びアリール、好ましくは1〜6個の炭素原子を含む基、から成る群から選択され;R2は、水素、アルキル、アルコキシ、脂環式基、及びアリールから成る群から選択され;R3は、アルキル、アルコキシアルキル、フルオロアルキル、脂環式基、及びアリールから成る群から選択され;R4は、少なくともひとつのキラル炭素原子を有するC3-10枝分かれアルキル又はアルキレンブリッジ、好ましくは3又は4個の炭素原子を含み、金属センターに対して5-又は6-員の配位リングを形成する基であり;R5 及びR6は、個別に、アルキル、フルオロアルキル、脂環式基、アリールから成る群から選択され、それらを結合して炭素、酸素、及び窒素原子を含むリングを形成することができ;R7は、アルキル、フルオロアルキル、脂環式基、及びアリールから成る群から選択され;m及びnはそれぞれ少なくとも1であり、m + nの和は金属の価数に等しい。 Where M is a metal ion selected from Group 4, Group 5 metals including titanium, zirconium, and hafnium; R 1 is alkyl, alkoxyalkyl, fluoroalkyl, alicyclic group, and aryl; Preferably selected from the group consisting of groups containing 1 to 6 carbon atoms; R 2 is selected from the group consisting of hydrogen, alkyl, alkoxy, alicyclic groups, and aryl; R 3 is alkyl, Selected from the group consisting of alkoxyalkyl, fluoroalkyl, alicyclic group, and aryl; R 4 is a C 3-10 branched alkyl or alkylene bridge having at least one chiral carbon atom, preferably 3 or 4 carbons include atom, a group forming a coordination ring 5- or 6-membered to the metal center; R 5 and R 6 are, independently, alkyl, fluoroalkyl, cycloaliphatic, a Is selected from the group consisting Lumpur, they together can form a ring containing carbon, oxygen, and nitrogen atom; R 7 is alkyl, fluoroalkyl, cycloaliphatic, and the group consisting of aryl M and n are each at least 1, and the sum of m + n is equal to the valence of the metal.

これらの金属含有三座β-ケトイミネートを化学蒸着又は原子層蒸着のための前駆体として使用することによって、いくつかの利点を達成することができる。これらの利点には次のようなものがある:
反応性錯体を良好な収率で形成できること;
一種類の配位子が配位された単量体錯体、特にカルシウム及びストロンチウム錯体を形成でき、それにより高い蒸気圧を達成できること;
二つの窒素原子の間に少なくともひとつのキラル炭素原子を有する枝分かれアルキル又はアルキレンブリッジを導入することによって、二つの窒素原子の間にキラル中心がないものに比べて、得られる金属錯体の熱的安定性を著しく高めることができること;
広範な種類の電気用途で使用するのに適した、形状整合度が高い金属薄膜を生成できること;
マイクロエレクトロニクスデバイスで使用するのに適した、形状整合度が高い金属酸化物薄膜を生成できること;
錯体の高い化学反応性によって金属含有三座β-ケトイミネートと基板表面の間の表面反応を増強できること。
Several advantages can be achieved by using these metal-containing tridentate β-ketoiminates as precursors for chemical vapor deposition or atomic layer deposition. These benefits include the following:
Being able to form reactive complexes in good yields;
The ability to form monomeric complexes coordinated with a single ligand, especially calcium and strontium complexes, thereby achieving high vapor pressures;
By introducing a branched alkyl or alkylene bridge having at least one chiral carbon atom between two nitrogen atoms, the thermal stability of the resulting metal complex compared to those without a chiral center between the two nitrogen atoms. Ability to significantly increase
The ability to produce highly conformable metal films suitable for use in a wide variety of electrical applications;
The ability to produce highly conformable metal oxide thin films suitable for use in microelectronic devices;
The high chemical reactivity of the complex can enhance the surface reaction between the metal-containing tridentate β-ketoiminate and the substrate surface.

本発明は、例えばシリコン、金属窒化物、金属酸化物、及びその他の金属含有層のような基板上に蒸着プロセス、例えば化学的気相成長法(CVD)及び原子層成長法(ALD)によって形状整合性のある金属含有膜を作成するために有用な、金属含有三座β-ケトイミネート前駆体及びそれらの溶液に関する。このような形状整合性の金属含有薄膜は、コンピュータチップ、光学デバイス、磁気情報貯蔵媒体から支持物質上にコーティングされた金属触媒までにわたるいろいろな用途を有する。従来の三座β-ケトイミネート前駆体と異なり、この三座β-ケトイミネート配位子は、少なくともひとつのアミノ有機イミノ官能基を組み込んでおり、また、これは、供与配位子として文献で報告されているアルコキシ基と対照的であり、最も重要な点は、それが二つの窒素原子の間に少なくともひとつのキラル炭素原子を有する枝分かれのアルキル又はアルキレンブリッジを含むことである。   The present invention is formed by deposition processes such as chemical vapor deposition (CVD) and atomic layer deposition (ALD) on substrates such as silicon, metal nitrides, metal oxides, and other metal-containing layers. The present invention relates to metal-containing tridentate β-ketoiminate precursors and their solutions useful for making consistent metal-containing films. Such shape-matching metal-containing thin films have a variety of uses ranging from computer chips, optical devices, magnetic information storage media to metal catalysts coated on support materials. Unlike traditional tridentate β-ketoiminate precursors, this tridentate β-ketoiminate ligand incorporates at least one amino-organoimino functional group, and this has been reported in the literature as a donor ligand. In contrast, the most important point is that it contains a branched alkyl or alkylene bridge having at least one chiral carbon atom between two nitrogen atoms.

蒸着プロセスのための酸化剤としては、酸素、過酸化水素、オゾンがあり、また、蒸着プロセスのための還元剤としては、水素、ヒドラジン、モノアルキルヒドラジン、ジアルキルヒドラジン、及びアンモニアがある。   Oxidizing agents for the vapor deposition process include oxygen, hydrogen peroxide, and ozone, and reducing agents for the vapor deposition process include hydrogen, hydrazine, monoalkyl hydrazine, dialkyl hydrazine, and ammonia.

この金属前駆体のひとつのタイプの構造は、金属Mが2価である下記の構造式(1A)により示される。   One type of structure of this metal precursor is represented by the following structural formula (1A) in which the metal M is divalent.

Figure 0005180040
Figure 0005180040

ここで、Mは第2、第8、第9、第10族の金属原子から選択される。この前駆体で、好ましくは、R1はC4-6アルキル基であり、好ましくは金属がストロンチウム及びバリウムであるときはt-ブチル又はt-ペンチル基であり、コバルト又はニッケルであるときはC1-6である;R2は水素、C1-6アルキル、及びC6-10アリールから成る群から選択され;R3はC1-6アルキル、C1-6フルオロアルキル、及びC6-10アリールから成る群から選択され;R5及びR6は、個別に、低級C1-3アルキル、好ましくはメチル基であり;R4は少なくともひとつのキラル炭素原子を有するC3-10枝分かれアルキル又はアルキレンブリッジ、好ましくは3又は4個の炭素原子を含む基である。好ましい金属は、カルシウム、ストロンチウム、バリウム、鉄、コバルト及びニッケルである。 Here, M is selected from the metal atoms of the second, eighth, ninth, and tenth groups. In this precursor, preferably R 1 is a C 4-6 alkyl group, preferably a t-butyl or t-pentyl group when the metal is strontium and barium, and a C when the metal is cobalt or nickel. It is 1-6; R 2 is hydrogen, C 1-6 alkyl, and C 6-10 is selected from the group consisting of aryl; R 3 is C 1-6 alkyl, C 1-6 fluoroalkyl, and C 6- Selected from the group consisting of 10 aryl; R 5 and R 6 are independently lower C 1-3 alkyl, preferably a methyl group; R 4 is a C 3-10 branched alkyl having at least one chiral carbon atom Or an alkylene bridge, preferably a group containing 3 or 4 carbon atoms. Preferred metals are calcium, strontium, barium, iron, cobalt and nickel.

三座ベータケトイミネート配位子を含む金属錯体の第一のクラスにある別のタイプの構造は、金属Mが三価である下記の構造式(2A)より示される。   Another type of structure in the first class of metal complexes containing a tridentate beta-ketoiminate ligand is shown by the following structural formula (2A) where the metal M is trivalent.

Figure 0005180040
Figure 0005180040

ここで、Mは第3族の金属原子から選択される。この前駆体では、好ましくは、R1はC4-6アルキル基であり、好ましくはt-ブチル及びt-ペンチル基であり;R2は水素、C1-6アルキル、及びC6-10アリールから成る群から選択され;R3はC1-6アルキル、C1-6フルオロアルキル、及びC6-10アリールから成る群から選択され;R5 及びR6は、個別に、低級C1-3アルキル、好ましくはメチル基であり;R4は少なくともひとつのキラル炭素原子を有するC3-10枝分かれアルキル又はアルキレンブリッジ、好ましくは3又は4個の炭素原子を含む基である。好ましい金属は、スカンジウム、イットリウム、及びランタンである。 Here, M is selected from Group 3 metal atoms. In this precursor, preferably R 1 is a C 4-6 alkyl group, preferably t-butyl and t-pentyl groups; R 2 is hydrogen, C 1-6 alkyl, and C 6-10 aryl. R 3 is selected from the group consisting of C 1-6 alkyl, C 1-6 fluoroalkyl, and C 6-10 aryl; R 5 and R 6 are independently lower C 1- 3 alkyl, preferably a methyl group; R 4 is a C 3-10 branched alkyl or alkylene bridge having at least one chiral carbon atom, preferably a group containing 3 or 4 carbon atoms. Preferred metals are scandium, yttrium, and lanthanum.

金属含有前駆体の第二のクラスは、下記の構造式(B)に示されるような三座ベータケトイミネート配位子から成る。   The second class of metal-containing precursors consists of tridentate beta ketoiinate ligands as shown in structural formula (B) below.

Figure 0005180040
Figure 0005180040

ここで、Mは例えばチタン、ジルコニウム、又はハフニウムのような第4又は第5族の金属である。図示されているように、この錯体は、少なくともひとつのアルコキシ配位子と、少なくともひとつのアミノ有機イミノ官能基を有する三座ベータケトイミネート配位子とから成る。好ましいR1-6基は、構造式(A)におけるものと同じである。好ましいR7基は、線状又は枝分かれアルキル、例えばイソプロピル、n-ブチル、sec-ブチル、イソブチル、及びtert-ブチルであり、mとnは少なくとも1であり、m + nの和は金属Mの価数と等しい。 Here, M is a Group 4 or Group 5 metal such as titanium, zirconium, or hafnium. As shown, the complex consists of at least one alkoxy ligand and a tridentate beta-ketoiminate ligand having at least one aminoorganoimino functional group. Preferred R 1-6 groups are the same as those in the structural formula (A). Preferred R 7 groups are linear or branched alkyls such as isopropyl, n-butyl, sec-butyl, isobutyl, and tert-butyl, m and n are at least 1, and the sum of m + n is the metal M Equal to valence.

三座ベータケトイミネート配位子は、周知の手順で、例えば、ナトリウムアミド又は水素化ナトリウムなどの強い塩基の存在下での嵩高のケトンとエチルエステルのクライゼン縮合と、それに続く例えばアルキルアミノアルキルアミンとのシッフ塩基縮合のような別の公知の手順によって調製できる。配位子は、液体の場合は真空蒸留、固体の場合は結晶化によって精製することができる。   Tridentate beta-ketoiminate ligands are prepared by well-known procedures, for example, Claisen condensation of bulky ketones and ethyl esters in the presence of strong bases such as sodium amide or sodium hydride, followed by, for example, alkylaminoalkylamines. And can be prepared by other known procedures such as Schiff base condensation. The ligand can be purified by vacuum distillation for liquids and crystallization for solids.

熱的に安定な三座配位子の高収率の形成に好ましい方法として、嵩高のR1基、例えば、ケトン官能基に結合した炭素に付着する水素をもたないC4-6アルキル基を選ぶことが好ましい。最も好ましいR1基は、tert-ブチル又はtert-ペンチルである。R1基は、次のシッフ縮合で副反応が起こることを防止し、後に金属中心を分子間相互作用から保護する。競合する問題があり、それは、得られる金属含有錯体の分子量を減らし、高い蒸気圧を有する錯体を実現できるようにするためには、三座配位子におけるR1-7基はできるだけ小さくなければならないということである。好ましいR4は、少なくともひとつのキラル炭素原子を有する枝分かれアルキル又はアルキレンブリッジであり、最も好ましくは、得られる金属錯体が金属中心に対して5員又は6員の配位リングを形成して安定になるように3又は4個の炭素原子を含む基である。配位子におけるキラル中心は、融点を下げ、熱的安定性を高めるという点で決定的な役割を奏することができる。 Preferred methods for high yield formation of thermally stable tridentate ligands include bulky R 1 groups, such as C 4-6 alkyl groups without hydrogen attached to carbon bonded to ketone functional groups Is preferred. The most preferred R 1 group is tert-butyl or tert-pentyl. The R 1 group prevents side reactions from occurring in subsequent Schiff condensations and later protects the metal center from intermolecular interactions. There is a competing problem that the R 1-7 group in the tridentate ligand must be as small as possible in order to reduce the molecular weight of the resulting metal-containing complex and allow the realization of complexes with high vapor pressures. That is not to be. Preferred R 4 is a branched alkyl or alkylene bridge having at least one chiral carbon atom, most preferably the resulting metal complex forms a 5- or 6-membered coordination ring with respect to the metal center and is stable. Is a group containing 3 or 4 carbon atoms. The chiral center in the ligand can play a decisive role in reducing the melting point and increasing the thermal stability.

次に、得られた三座配位子と純金属、金属アミド、金属水素化物、及び金属アルコキシドとの反応によって金属を含有する錯体を調製できる。金属含有錯体は、また、三座配位子をアルキルリチウム又は水素化カリウムと反応させて配位子のリチウム塩又はカリウム塩を生成し、その後金属ハロゲン化物、MXn(X = Cl, Br, I; n = 2, 3)と反応させることによっても調製できる。金属アルコキシドの三座配位子に対する比を変えることによって第4族と第5族の混合配位子錯体を作ることができる。   Next, a complex containing a metal can be prepared by a reaction of the obtained tridentate ligand with a pure metal, a metal amide, a metal hydride, and a metal alkoxide. The metal-containing complex also reacts the tridentate ligand with alkyl lithium or potassium hydride to produce the lithium or potassium salt of the ligand, followed by the metal halide, MXn (X = Cl, Br, I can also be prepared by reacting with n = 2, 3). Group 4 and 5 mixed ligand complexes can be made by changing the ratio of metal alkoxide to tridentate ligand.

三座ベータケトイミネート配位子との金属含有錯体は、化学蒸着(CVD)法又は原子層蒸着(ALD)法のいずれかによる500℃より低い温度での金属又は金属酸化物薄膜を作るための前駆体として用いることができる。CVDプロセスは還元剤又は酸化剤を用いて又は用いずに行うことができるが、ALDプロセスは通常、例えば還元剤又は酸化剤のような別の反応体を用いて行われる。   Metal-containing complexes with tridentate beta-ketoiminate ligands for making metal or metal oxide thin films at temperatures below 500 ° C by either chemical vapor deposition (CVD) or atomic layer deposition (ALD) methods It can be used as a precursor. While the CVD process can be performed with or without a reducing or oxidizing agent, the ALD process is usually performed with another reactant, such as a reducing or oxidizing agent.

多成分金属酸化物の場合、これらの錯体が同じ三座ベータケトイミネート配位子を有するならば、それらを予め混合することができる。これらの三座ベータケトイミネート配位子による金属含有錯体は、周知のバブリング法又はベーパードロー法によって蒸気相でCVD又はALD反応器に供給することができる。錯体を適当な溶媒又は溶媒混合物に溶解して、用いる溶媒又は溶媒混合物に応じて0.001〜2Mのモル濃度の溶液を調製することによって直接液体供給(デリベリー)方法を用いることもできる。   In the case of multi-component metal oxides, if these complexes have the same tridentate beta-ketoiminate ligand, they can be premixed. Metal-containing complexes with these tridentate beta-ketoiminate ligands can be fed to the CVD or ALD reactor in the vapor phase by well-known bubbling or vapor draw methods. The direct liquid delivery (delivery) method can also be used by dissolving the complex in a suitable solvent or solvent mixture and preparing a 0.001 to 2M molar solution depending on the solvent or solvent mixture used.

蒸着プロセスで用いるために前駆体を可溶化するために用いる溶媒は、脂肪族炭化水素、芳香族炭化水素、エーテル類、エステル類、亜硝酸塩、及びアルコールである。溶液の溶媒成分は、好ましくは、1〜20エトキシ-(C2H4O)-繰り返しユニットを有するグリム溶媒; C2-C12アルカノール類、C1-C6アルキル部分を含むジアルキルエーテル類、C4-C8環式エーテル類;C12-C60クラウンO4-O20エーテル類(ここで、前置されたCiの範囲は該エーテル化合物における炭素原子の数iであり、後置されたOiの範囲は該エーテル化合物における酸素原子の数iである)から成る群から選択される有機エーテル類; C6-C12脂肪族炭化水素;C6-C18芳香族炭化水素;有機エステル類;有機アミン類;ポリアミン類及び有機アミド類から成る群から選択される溶媒を含む。 Solvents used to solubilize precursors for use in the vapor deposition process are aliphatic hydrocarbons, aromatic hydrocarbons, ethers, esters, nitrites, and alcohols. The solvent component of the solution is preferably a glyme solvent having 1-20 ethoxy- (C 2 H 4 O) -repeating units; C 2 -C 12 alkanols, dialkyl ethers containing C 1 -C 6 alkyl moieties, C 4 -C 8 cyclic ethers; C 12 -C 60 crown O 4 -O 20 ethers (wherein the range of the pre been C i is the number i of carbon atoms in the ether compound, a post The range of O i is the number i of oxygen atoms in the ether compound); C 6 -C 12 aliphatic hydrocarbons; C 6 -C 18 aromatic hydrocarbons; An organic ester; an organic amine; a solvent selected from the group consisting of polyamines and organic amides.

利点を奏する別のクラスの溶媒は、RCONR’R”の形の有機アミドの部類であり、ここでRとR’は1-10個の炭素原子を有するアルキルであり、それらを結合して環式基(CH2)n(式中のnは4-6、好ましくは5である)を構成することができ、R”は1〜4個の炭素原子を有するアルキル及びシクロアルキルから選択される。例としては、N-メチル及びN-シクロヘキシル-2-ピロリジノン、N,N-ジエチルアセタミド、及びN,N-ジエチルホルムアミドがある。 Another class of solvents that offers advantages is a class of organic amides of the form RCONR'R ", where R and R 'are alkyls having 1-10 carbon atoms that are joined to form a ring. Can form the formula group (CH 2 ) n , where n is 4-6, preferably 5 and R ″ is selected from alkyl and cycloalkyl having 1 to 4 carbon atoms . Examples are N-methyl and N-cyclohexyl-2-pyrrolidinone, N, N-diethylacetamide, and N, N-diethylformamide.

下記の実施例は、三座ベータケトイミネート配位子の金属含有錯体の調製、並びに金属含有薄膜蒸着プロセスにおける前駆体としてのその利用を例示するものである。   The following examples illustrate the preparation of metal-containing complexes of tridentate beta-ketoiminate ligands and their use as precursors in metal-containing thin film deposition processes.

実施例1
2,2-ジメチル-5-(1-ジメチルアミノ-2-プロピルイミノ)-3-ヘキサノンの合成
Example 1
Synthesis of 2,2-dimethyl-5- (1-dimethylamino-2-propylimino) -3-hexanone

20 g (140.81 mmol)の硫酸ナトリウムを含む150 mlのテトラヒドロフラン(THF)中の13.55 g(95.29 mmol)の2,2-ジメチル-3,5-ヘキサンジオンの溶液に11.68 g(114.34 mmol)の1-ジメチルアミノ-2-プロピルアミンを加えた。反応混合物を65℃に72時間加熱した。終了後、THFを真空下で蒸発させ、混合物を80℃で1時間140 mTorrの真空下で加熱して過剰の1-ジメチルアミノ-2-プロピルアミンを蒸留した。残留オイルの真空移動加熱を110℃で100 mTorrの真空下で行った。18.75 gのライムグリーンイエロー色のオイルが得られ、GC分析は99%の純度を示した。収率は87%であった。   11.68 g (114.34 mmol) of 1 in a solution of 13.55 g (95.29 mmol) of 2,2-dimethyl-3,5-hexanedione in 150 ml of tetrahydrofuran (THF) containing 20 g (140.81 mmol) of sodium sulfate. -Dimethylamino-2-propylamine was added. The reaction mixture was heated to 65 ° C. for 72 hours. Upon completion, the THF was evaporated under vacuum and the mixture was heated at 80 ° C. for 1 hour under a vacuum of 140 mTorr to distill off excess 1-dimethylamino-2-propylamine. Vacuum transfer heating of the residual oil was performed at 110 ° C. under a vacuum of 100 mTorr. 18.75 g of lime green yellow oil was obtained and GC analysis showed 99% purity. The yield was 87%.

1H NMR (500MHz, C6D6): δ= 11.51 (s, 1H), 5.20 (s, 1H), 3.24 (m, 1H), 1.91 (m, 2H), 1.91 (s, 6H), 1.60 (s, 3H), 1.32 (s, 9H), 0.94 (d, 3H). 1 H NMR (500MHz, C 6 D 6 ): δ = 11.51 (s, 1H), 5.20 (s, 1H), 3.24 (m, 1H), 1.91 (m, 2H), 1.91 (s, 6H), 1.60 (s, 3H), 1.32 (s, 9H), 0.94 (d, 3H).

実施例2
ビス(2,2-ジメチル-5-(1-ジエチルアミノ-2-プロピルイミノ)-3-ヘキサノナト-N,O,N’)ストロンチウムの合成
Example 2
Synthesis of bis (2,2-dimethyl-5- (1-diethylamino-2-propylimino) -3-hexanonato-N, O, N ') strontium

10 mLのTHF中の1g (1.81 mmol)のSr(N(SiMe3)2)2(THF)2の溶液に、10 mLのTHF中の0.82 g (3.62 mmol)の2,2-ジメチル-5-(1-ジエチルアミノ-2-プロピルイミノ)-3-ヘキサノンを室温で一滴ずつ加えた。室温で16 時間にわたって攪拌した後、THFを真空下で蒸発させて、灰色の固体を得、これをヘキサン中に溶液として取り出した。ヘキサンを蒸発させ、乾燥した固体をペンタン中で室温で再結晶させた。0.48 gの透明な針状の結晶が得られた(Srベースで収率50%)。 To a solution of 1 g (1.81 mmol) Sr (N (SiMe 3 ) 2 ) 2 (THF) 2 in 10 mL THF was added 0.82 g (3.62 mmol) 2,2-dimethyl-5 in 10 mL THF. -(1-Diethylamino-2-propylimino) -3-hexanone was added dropwise at room temperature. After stirring at room temperature for 16 hours, THF was evaporated under vacuum to give a gray solid that was taken up as a solution in hexane. Hexane was evaporated and the dried solid was recrystallized in pentane at room temperature. 0.48 g of transparent needle-like crystals were obtained (50% yield based on Sr).

元素分析:C26H50N4O2Srの計算値:C, 58.01; N, 10.40; H, 9.36. 実測値:C, 56.07; N, 10.10; H, 8.86. 1H NMR (500MHz, C6D6): δ= 5.12 (s, 1H), 3.42 (m, 1H), 3.32 (t, 1H), 1.96 (b, 2H), 1.83 (s, 6H), 1.72 (b, 2H), 1.41 (s, 9H), 0.94 (d, 3H). Elemental analysis: Calculated for C26H50N4O2Sr: C, 58.01; N, 10.40; H, 9.36. Found: C, 56.07; N, 10.10; H, 8.86. 1 H NMR (500 MHz, C 6 D 6 ): δ = 5.12 (s, 1H), 3.42 (m, 1H), 3.32 (t, 1H), 1.96 (b, 2H), 1.83 (s, 6H), 1.72 (b, 2H), 1.41 (s, 9H), 0.94 ( d, 3H).

無色の結晶について、単結晶分析によって構造を明らかにした。構造は、歪んだ八面体環境における二つの三座ベータケトイミネート配位子からの二つの酸素と四つの窒素にストロンチウムが配位結合していることを示す。   The structure of colorless crystals was revealed by single crystal analysis. The structure shows that strontium is coordinated to two oxygens and four nitrogens from two tridentate beta-ketoiminate ligands in a distorted octahedral environment.

これは図1に示されており、C4, C5及びC18, C17として示されるR4のイミノ官能基の二つの窒素原子の間に2-プロピルブリッジが存在する。C4とC17は4つの異なる置換基に結合されているのでキラル原子である、すなわち、C4の場合、H, N1, C11, 及びC5であり、C17の場合、H, N3, C18, 及びC24である。 This is illustrated in Figure 1, 2-propyl bridge between the two nitrogen atoms of the imino functionality for R 4 are present, shown as C4, C5 and C18, C17. C4 and C17 are chiral atoms because they are bonded to four different substituents, ie, for C4, H, N1, C11, and C5, and for C17, H, N3, C18, and C24 is there.

図2は、R4のイミノ官能基の二つの窒素原子の間にキラル中心を有する2-プロピルブリッジがある実施例2の化合物のTGAを示している;これは、R4がキラル中心をもたないエチルブリッジである類似化合物と対照的である。実施例2の化合物は実線で示されており、R4がエチルブリッジである類似化合物は点線で示されている。TGA分析における大きな残渣は安定性の低い化合物に典型的なものである。すなわち、キラル中心を持たない類似化合物は残渣が14%を超えているのに対して、実施例2の化合物は残渣が1%未満であり、半導体製造における蒸着で金属含有薄膜を蒸着するための前駆体として用いるために必要な熱的安定性が大きく増強されたことを示している。 Figure 2 shows a TGA of the compound of Example 2 with 2-propyl bridges with chiral centers between the two nitrogen atoms of the imino functionality for R 4; which, R 4 is also a chiral center In contrast to similar compounds that are not ethyl bridges. The compound of Example 2 is indicated by a solid line, and the analogous compound in which R 4 is an ethyl bridge is indicated by a dotted line. Large residues in TGA analysis are typical of less stable compounds. That is, the similar compound having no chiral center has a residue exceeding 14%, whereas the compound of Example 2 has a residue of less than 1%, which is used for depositing a metal-containing thin film by vapor deposition in semiconductor manufacturing. It shows that the thermal stability required for use as a precursor is greatly enhanced.

実施例3
ビス(2,2-ジメチル-5-(1-メチルエチルアミノ-2-プロピルイミノ)-3-ヘキサノナト-N,O,N’)ニッケルの合成
Example 3
Synthesis of bis (2,2-dimethyl-5- (1-methylethylamino-2-propylimino) -3-hexanonato-N, O, N ') nickel

ドライアイス/アセトン浴に入れた-78℃の10 mLのヘキサン中の3.49 g (15.43 mmol)の2,2-ジメチル-5-(1-ジメチルアミノ-2-プロピルイミノ)-3-ヘキサノンの溶液に、ヘキサン中の6.17 mL (15.43 mmol)の2.5Mのn-ブチルリチウムを一滴ずつ加えた。溶液を室温まで温め、1時間攪拌した。ヘキサンを真空下で溶液から蒸発させ、残渣としてべとつく黄色のオイル状物を得た。この残渣に20 mLのTHFを加え、得られた溶液を室温で10 mLのTHF中の1.00 g (7.72 mmol)のNiCl2に加えた。アルゴンの下で60℃で加熱しながら96時間攪拌した。真空下でTHFを蒸発させ、残留した暗緑色の固体をヘキサンに取って、加熱し、濾過した。真空下でヘキサンを蒸発させ、3.5 gのべとつく暗緑色の固体を得て、それを100℃で65mTorrの真空下で48時間昇華させ、2.8 gの緑色固体を得た(収率70%)。昇華させた物質を室温でペンタンのゆっくりとした蒸発で再結晶させた。 A solution of 3.49 g (15.43 mmol) 2,2-dimethyl-5- (1-dimethylamino-2-propylimino) -3-hexanone in 10 mL hexane at -78 ° C. in a dry ice / acetone bath To this was added 6.17 mL (15.43 mmol) of 2.5M n-butyllithium in hexane dropwise. The solution was warmed to room temperature and stirred for 1 hour. Hexane was evaporated from the solution under vacuum to give a yellow oil that was sticky as a residue. To this residue was added 20 mL of THF and the resulting solution was added to 1.00 g (7.72 mmol) of NiCl 2 in 10 mL of THF at room temperature. It stirred for 96 hours, heating at 60 degreeC under argon. The THF was evaporated under vacuum and the remaining dark green solid was taken up in hexane, heated and filtered. Hexane was evaporated under vacuum to give 3.5 g of a sticky dark green solid that was sublimed at 100 ° C. under a vacuum of 65 mTorr for 48 hours to give 2.8 g of a green solid (70% yield). The sublimated material was recrystallized by slow evaporation of pentane at room temperature.

元素分析:C26H50N4NiO2の計算値:C, 61.30; H, 9.89; N, 11.00. 実測値:C, 59.18; H, 9.09; N, 10.84.   Elemental analysis: Calculated for C26H50N4NiO2: C, 61.30; H, 9.89; N, 11.00. Found: C, 59.18; H, 9.09; N, 10.84.

暗緑色の結晶について、単結晶分析によって構造を明らかにした。構造は、歪んだ八面体環境における二つの三座ベータケトイミネート配位子からの二つの酸素と四つの窒素にニッケルが配位結合していることを示す。これは図3に示されており、C9, C11及びC22, C24として示されるR4のイミノ官能基の二つの窒素原子の間に2-プロピルブリッジが存在する。C9とC22は4つの異なる置換基、すなわち、C9の場合、H, N1, C10, 及びC11、C22の場合、H, N3, C23, 及びC24に結合されているのでキラル原子である。 The structure of the dark green crystal was revealed by single crystal analysis. The structure shows that nickel is coordinated to two oxygens and four nitrogens from two tridentate beta-ketoiminate ligands in a distorted octahedral environment. This is illustrated in Figure 3, C9, 2-propyl bridge between the two nitrogen atoms of the imino functionality for R 4 is present, it indicated as C11 and C22, C24. C9 and C22 are chiral atoms because they are bonded to four different substituents, namely C, 9 for H, N1, C10, and C11, and C22 for H, N3, C23, and C24.

図4は、R4のイミノ官能基の二つの窒素原子の間にキラル中心を有する2-プロピルブリッジがある実施例3の化合物のTGAを示している;これは、R4がキラル中心をもたないエチルブリッジである類似化合物と対照的である。実施例3の化合物は実線で示されており、R4がキラル中心をもたないエチルブリッジである類似化合物は点線で示されている。TGA分析における大きな残渣は安定性の低い化合物に典型的なものである。すなわち、キラル中心を持たない類似化合物は残渣が13%を超えているのに対して、実施例3の化合物は残渣がほぼ3%未満であり、半導体製造における蒸着で金属含有薄膜を蒸着するための前駆体として用いるために必要な熱的安定性が大きく増強されたことを示している。 Figure 4 shows a TGA of the compound of Example 3 with 2-propyl bridges with chiral centers between the two nitrogen atoms of the imino functionality for R 4; which, R 4 is also a chiral center In contrast to similar compounds that are not ethyl bridges. The compound of Example 3 is shown as a solid line and the analogous compound where R 4 is an ethyl bridge without a chiral center is shown as a dotted line. Large residues in TGA analysis are typical of less stable compounds. That is, a similar compound having no chiral center has a residue of more than 13%, whereas the compound of Example 3 has a residue of less than about 3%, so that a metal-containing thin film is deposited by vapor deposition in semiconductor manufacturing. It shows that the thermal stability required for use as a precursor of is greatly enhanced.

実施例4
Ti(O-iPr)3(2,2-ジメチル-5-(1-ジメチルアミノ-2-プロピルイミノ)-3-ヘキサノナトの合成
Example 4
Synthesis of Ti (O- i Pr) 3 (2,2-dimethyl-5- (1-dimethylamino-2-propylimino) -3-hexanonato

15 mLのヘキサン中の1 g (3.52 mmol)のチタン(IV)イソプロポキシドの溶液に、0.80 g (3.52 mmol)の2,2-ジメチル-5-(1-ジメチルアミノ-2-プロピルイミノ)-3-ヘキサノンを加え、反応混合物を60℃で16時間加熱した。真空下ですべての揮発成分を蒸発させて、1.59 gの粗粒状オイル状物を得た。   To a solution of 1 g (3.52 mmol) titanium (IV) isopropoxide in 15 mL hexane, 0.80 g (3.52 mmol) 2,2-dimethyl-5- (1-dimethylamino-2-propylimino) -3-Hexanone was added and the reaction mixture was heated at 60 ° C. for 16 hours. All volatile components were evaporated under vacuum to give 1.59 g of coarse granular oil.

1H NMR (500MHz, C6D6): δ= 5.32 (s, 1H), 5.10 (b, 3H), 3.20 (m, 1H), 2.40 (b, 2H), 2.40 (b, 6H), 1.64 (s, 3H), 1.39 (d, 18H), 1.36 (s, 9H), 1.27 (b, 3H). 1 H NMR (500MHz, C 6 D 6 ): δ = 5.32 (s, 1H), 5.10 (b, 3H), 3.20 (m, 1H), 2.40 (b, 2H), 2.40 (b, 6H), 1.64 (s, 3H), 1.39 (d, 18H), 1.36 (s, 9H), 1.27 (b, 3H).

実施例5
4-(1-ジメチルアミノ-2-プロピルイミノ)-2-ペンタノンの合成
Example 5
Synthesis of 4- (1-dimethylamino-2-propylimino) -2-pentanone

20 gのNa2SO4を加えた室温におけるTHF中の10 g (199.76 mmol)のアセチルアセトンの溶液に、24.49 g (239.1 mmol)の1-ジメチルアミノ-2-プロピルアミンを加えた。このスラリーを室温で16 時間攪拌し、GC/MSによって反応の完了を確認した。すべての揮発成分を真空下で蒸発させ、未反応のアセチルアセトンとジアミンを100 mTorrの真空下で2時間60℃で加熱することで除去した。黄色の残留オイル状物を100 mTorrの真空下で130℃で真空トランスファー加熱して精製した。13.5 gの淡黄色のオイル状物が純粋な生成物として収率74%で得られた。 To a solution of 10 g (199.76 mmol) acetylacetone in THF at room temperature with 20 g Na 2 SO 4 added, 24.49 g (239.1 mmol) 1-dimethylamino-2-propylamine was added. The slurry was stirred at room temperature for 16 hours, and the completion of the reaction was confirmed by GC / MS. All volatile components were evaporated under vacuum and unreacted acetylacetone and diamine were removed by heating at 60 ° C. for 2 hours under 100 mTorr vacuum. The yellow residual oil was purified by vacuum transfer heating at 130 ° C. under 100 mTorr vacuum. 13.5 g of a pale yellow oil was obtained as a pure product in a yield of 74%.

1H NMR (500MHz, C6D6): δ= 11.25 (s, 1H), 4.90 (s, 1H), 3.22 (m, 1H), 2.06 (s, 3H),1.96 (m, 2H), 1.93 (s, 6H), 1.54 (s, 3H), 0.92 (d, 3H). 1 H NMR (500MHz, C 6 D 6 ): δ = 11.25 (s, 1H), 4.90 (s, 1H), 3.22 (m, 1H), 2.06 (s, 3H), 1.96 (m, 2H), 1.93 (s, 6H), 1.54 (s, 3H), 0.92 (d, 3H).

実施例6
ビス(4-(1-ジメチルアミノ-2-プロピルイミノ)-2-ペンタノナト)ストロンチウムの合成
Example 6
Synthesis of bis (4- (1-dimethylamino-2-propylimino) -2-pentanonato) strontium

室温における15 mlのTHF中の1.0 g (1.81 mmol)のSr(N(SiMe3)2)2(THF)2の溶液に、0.66 g (3.62 mmol)の4-(1-ジメチルアミノ-2-プロピルイミノ)-2-ペンタノンを加えた。反応混合物を16時間攪拌した。すべての揮発成分を真空下で蒸発させると、発泡体状の固体が生じ、それをヘキサンに溶解し、再び蒸発させて0.76 gの重さの灰色の固体を得た。揮発成分は、反応がトリメチルシリルジアミンの存在によって起こったことを示していた。粗製の固体を熱ヘキサンに溶解し、濾過して淡黄色の溶液を得て、ヘキサンを室温でゆっくりと蒸発させて透明な結晶を生成した。 To a solution of 1.0 g (1.81 mmol) Sr (N (SiMe 3 ) 2 ) 2 (THF) 2 in 15 ml THF at room temperature, 0.66 g (3.62 mmol) 4- (1-dimethylamino-2- Propylimino) -2-pentanone was added. The reaction mixture was stirred for 16 hours. Evaporation of all volatile components under vacuum yielded a foamy solid that was dissolved in hexane and evaporated again to give a gray solid weighing 0.76 g. The volatile component indicated that the reaction occurred in the presence of trimethylsilyldiamine. The crude solid was dissolved in hot hexane and filtered to give a pale yellow solution, which was slowly evaporated at room temperature to produce clear crystals.

無色の結晶について、単結晶分析によって構造を明らかにした。構造は、二つのストロンチウム原子と四つの三座ベータケトミネート配位子から成り、各ストロンチウム原子が四つの窒素原子及び三つの酸素原子と配位結合している。   The structure of colorless crystals was revealed by single crystal analysis. The structure consists of two strontium atoms and four tridentate beta-ketomate ligands, each strontium atom coordinated with four nitrogen atoms and three oxygen atoms.

実施例7
ビス(4-(1-ジメチルアミノ-2-プロピルイミノ)-2-ペンタノナト)ニッケル
Example 7
Bis (4- (1-dimethylamino-2-propylimino) -2-pentanonato) nickel

-78℃における15 mLのヘキサン中の1.41 g (7.72 mmol)の4-(1-ジメチルアミノ-2-プロピルイミノ)-2-ペンタノンの溶液に、3.09 mL (7.72 mmol)のnBu-Liを一滴ずつ加えた。溶液を室温まで温め、30分間攪拌した。すべての揮発成分を蒸発させて、べとつく黄色のオイル状物にし、それを10 mLのTHFに取り出した。得られた溶液に10 mLのTHF中の0.5 g (3.86 mmol)のNiCl2をカニューレによって加えた。約20分後、ベージュ色のNiCl2懸濁液が黒く変色した。懸濁液を50℃で48時間加熱した。すべての揮発成分を真空下で蒸発させて1.7 gの灰色の固体を得、この固体を100℃で65 mTorrの真空下で一週間加熱して昇華させた。緑色の固体を集め、ペンタン中でゆっくりした蒸発で再結晶化させて、緑色の結晶を得た。 A solution of 1.41 g (7.72 mmol) of 4- (1-dimethylamino-2-propylimino) -2-pentanone in 15 mL of hexane at -78 ° C with a drop of 3.09 mL (7.72 mmol) of nBu-Li. Added one by one. The solution was warmed to room temperature and stirred for 30 minutes. All volatiles were evaporated to a sticky yellow oil that was taken up in 10 mL of THF. To the resulting solution 0.5 g (3.86 mmol) NiCl 2 in 10 mL THF was added via cannula. After about 20 minutes, the beige NiCl 2 suspension turned black. The suspension was heated at 50 ° C. for 48 hours. All volatiles were evaporated under vacuum to give 1.7 g of a gray solid which was sublimed by heating at 100 ° C. under a vacuum of 65 mTorr for a week. The green solid was collected and recrystallized by slow evaporation in pentane to give green crystals.

元素分析:C20H38N4NiO2の計算値:C, 56.49; N, 13.18; H, 9.01. 実測値:C, 56.62; N, 13.19; H, 9.13.   Elemental analysis: Calculated for C20H38N4NiO2: C, 56.49; N, 13.18; H, 9.01. Found: C, 56.62; N, 13.19; H, 9.13.

X線による単結晶解析で、それが八面体環境でNi原子が二つの三座ケトミネート配位子と配位結合していることを確認した。これは図5に示されており、ニッケル原子が、4個の窒素原子(N1, N2, N3, N4)及び2個の酸素原子(01, 02)と配位結合している。この実施例において、R1=Me, R2=H, R3=Me, R5=R6=Me、そしてR4は、ある配位子ではC3, C4として、別の配位子ではC13, C14としてラベルが付与されている2-プロピルブリッジである。C4及びC14は、4個の異なる置換基、すなわち、C4の場合ではH(図では省略)、N2, C3及びC5, C14の場合ではH(図では省略)、N4, C13及びC15、に結合しているので、キラル原子である。 Single crystal analysis by X-ray confirmed that Ni atoms are coordinated with two tridentate keto ligands in an octahedral environment. This is shown in FIG. 5, where the nickel atom is coordinated with four nitrogen atoms (N1, N2, N3, N4) and two oxygen atoms (01, 02). In this example, R 1 = Me, R 2 = H, R 3 = Me, R 5 = R 6 = Me, and R 4 is C3, C4 for one ligand and C13 for another ligand. , 2-propyl bridge labeled C14. C4 and C14 bind to four different substituents: H for C4 (not shown), H for N2, C3 and C5, C14 (not shown), N4, C13 and C15 It is a chiral atom.

図6は、実施例7の化合物の熱重量分析(TGA)及び示差走査熱量測定(DSC)のダイアグラムであり、キラル中心を有する錯体が揮発性であって残渣が少なく、また低い融点(〜100℃)を有すること、そしてこの錯体をCVD又はALDプロセスにおいてニッケル含有薄膜を堆積させるための前駆物質として使用し得ることを示している。   FIG. 6 is a thermogravimetric analysis (TGA) and differential scanning calorimetry (DSC) diagram of the compound of Example 7, in which the complex with chiral centers is volatile, has less residue, and has a low melting point (˜100 C.) and that this complex can be used as a precursor for depositing nickel-containing thin films in a CVD or ALD process.

実施例8
ビス(4-(1-ジメチルアミノ-2-プロピルイミノ)-2-ペンタノナト)コバルト
Example 8
Bis (4- (1-dimethylamino-2-propylimino) -2-pentanonato) cobalt

-78℃におけるTHF中の1.41 g (7.70 mmol)の4-(1-ジメチルアミノ-2-プロピルイミノ)-2-ペンタノンの溶液に、ヘキサン中の3.08 mL (7.70 mmol)の2.5MnBu-Liを一滴ずつ加えた。得られたスラリーを室温まで温め、2時間攪拌し、次にTHF中の0.50 g (3.85 mmol)のCoCl2を入れたフラスコにカニューレによって加えた。反応混合物はただちにコーヒー色に変わり、それを2日間50℃に保った。すべての揮発成分を除去して暗褐色の発泡体を得、それをヘキサンに取り出し、蒸発させて、2.2 gの暗褐色の固体を得た。 To a solution of 1.41 g (7.70 mmol) 4- (1-dimethylamino-2-propylimino) -2-pentanone in THF at −78 ° C., 3.08 mL (7.70 mmol) 2.5 MnBu-Li in hexane. One drop was added. The resulting slurry was warmed to room temperature and stirred for 2 hours, then added via cannula to a flask containing 0.50 g (3.85 mmol) CoCl 2 in THF. The reaction mixture immediately turned coffee colored and was kept at 50 ° C. for 2 days. All volatile components were removed to give a dark brown foam that was taken up in hexane and evaporated to give 2.2 g of a dark brown solid.

実施例9
トリ(イソプロポキシ)( 4-(1-ジメチルアミノ-2-プロピルイミノ)-2-ペンタノナト)チタン
Example 9
Tri (isopropoxy) (4- (1-dimethylamino-2-propylimino) -2-pentanonato) titanium

15 mLのTHF中の1.00 g (3.52 mmol)のチタン(IV)イソプロポキシドの溶液に0.65 g (3.52 mmol)の4-(1-ジメチルアミノ-2-プロピルイミノ)-2-ペンタノンを加えた。反応混合物を室温で16時間攪拌し、次いでTHFを真空下で蒸発させた。処理が終わると、1.42 gの粒状オイル状物が収率99%で得られた。   To a solution of 1.00 g (3.52 mmol) titanium (IV) isopropoxide in 15 mL THF was added 0.65 g (3.52 mmol) 4- (1-dimethylamino-2-propylimino) -2-pentanone. . The reaction mixture was stirred at room temperature for 16 hours and then the THF was evaporated under vacuum. At the end of the treatment, 1.42 g of a granular oil was obtained with a yield of 99%.

実施例10
2,2-ジメチル-5-(1-ジメチルアミノ-2-プロピルイミノ)-3-ヘキサノンの合成
Example 10
Synthesis of 2,2-dimethyl-5- (1-dimethylamino-2-propylimino) -3-hexanone

100 mLのTHF中の8.54 g (60.06 mmol)の2,2-ジメチル-3,5-ヘキサンジオンの溶液に、8.60 g (60.06 mmol)の1-ジエチルアミノ-2-プロピルアミンと12 g (84.48 mmol)の硫酸ナトリウムを加えた。反応混合物を一週間60℃に加熱した。すべての固体を除去し、未反応の出発物質を100 mTorrの真空下で数時間75℃に加熱することにより留去した。短い経路の蒸留で13.16 gのライムグリーン色のオイル状物が収率86%で得られた。GC測定から、純度は>99%であることが示された。   To a solution of 8.54 g (60.06 mmol) 2,2-dimethyl-3,5-hexanedione in 100 mL THF, 8.60 g (60.06 mmol) 1-diethylamino-2-propylamine and 12 g (84.48 mmol). ) Sodium sulfate was added. The reaction mixture was heated to 60 ° C. for a week. All solids were removed and unreacted starting material was distilled off by heating to 75 ° C. under vacuum of 100 mTorr for several hours. Short path distillation yielded 13.16 g of lime green oil in 86% yield. GC measurements showed that the purity was> 99%.

1H NMR (500MHz, C6D6): δ= 11.51 (s, 1H), 5.20 (s, 1H), 3.24 (m, 1H), 2.24 (m, 4H), 2.15 (dd, 1H), 2.01 (dd, 1H), 1.64 (s, 3H), 1.33 (s, 9H), 0.95 (d, 3H), 0.82 (t, 6H). 1 H NMR (500MHz, C 6 D 6 ): δ = 11.51 (s, 1H), 5.20 (s, 1H), 3.24 (m, 1H), 2.24 (m, 4H), 2.15 (dd, 1H), 2.01 (dd, 1H), 1.64 (s, 3H), 1.33 (s, 9H), 0.95 (d, 3H), 0.82 (t, 6H).

実施例11
ビス(2,2-ジメチル-5-(1-ジメチルアミノ-2-プロピルイミノ)-3-ヘキサノナト-N,O,N’)ストロンチウムの合成
Example 11
Synthesis of bis (2,2-dimethyl-5- (1-dimethylamino-2-propylimino) -3-hexanonato-N, O, N ') strontium

室温における15 mLのTHF中の1.00 g (4.86 mmol)のストロンチウムイソプロポキシドの懸濁液に15 mLのTHF中の2.60 g (10.20 mmol)のリガンドPを加えた。懸濁液は、10分の攪拌後に溶液状になった。室温で16時間の攪拌後、緑黄色の溶液を真空下に置き、THFを蒸発させてオイル状物にした。オイル状物をヘキサン中に溶液として取り出し、再び蒸発させて3.03 gのオイル状物を得た。少し加熱すると、オイル状物から固体が生成しはじめた。ヘキサンに入れて加熱し、シリンジフィルタで濾過した。1.20 gの透明な結晶が集められ、収率は42%であった。   To a suspension of 1.00 g (4.86 mmol) strontium isopropoxide in 15 mL THF at room temperature was added 2.60 g (10.20 mmol) ligand P in 15 mL THF. The suspension became a solution after 10 minutes of stirring. After stirring for 16 hours at room temperature, the greenish yellow solution was placed under vacuum and the THF was evaporated to an oil. The oil was taken out as a solution in hexane and evaporated again to give 3.03 g of oil. When heated slightly, solids began to form from the oil. The mixture was heated in hexane and filtered through a syringe filter. 1.20 g of clear crystals were collected and the yield was 42%.

元素分析:Sr(Me3CCOCHCNMeCHCH2NEt2)2の計算値:C, 60.62; N, 9.42; H, 9.83. 実測値:C, 60.26; N, 9.47; H, 9.28. Elemental analysis: Calculated value of Sr (Me 3 CCOCHCNMeCHCH 2 NEt 2 ) 2 : C, 60.62; N, 9.42; H, 9.83. Found: C, 60.26; N, 9.47; H, 9.28.

1H NMR (500MHz, C6D6): δ= 5.14 (s, 1H), 3.61 (m, 1H), 3.26 (t, 1H), 2.52 (m, 2H), 2.39 (b, 2H), 2.23 (dd, 1H), 1.87 (s, 3H), 1.41 (s, 9H), 1.02 (d, 3H), 0.76 (b, 6H). 1 H NMR (500MHz, C 6 D 6 ): δ = 5.14 (s, 1H), 3.61 (m, 1H), 3.26 (t, 1H), 2.52 (m, 2H), 2.39 (b, 2H), 2.23 (dd, 1H), 1.87 (s, 3H), 1.41 (s, 9H), 1.02 (d, 3H), 0.76 (b, 6H).

無色結晶の構造を単結晶解析によって明らかにした。構造は、歪んだ八面体環境においてストロンチウム原子が二つの2,2-ジメチル-5-(1-ジメチルアミノ-2-プロピルイミノ)-3-ヘキサノネート配位子と配位結合していることを示している。これは、図7に示されており、ストロンチウム原子が、4個の窒素原子(N1, N2, N3, N4)及び2個の酸素原子(01, 02)と配位結合している。この実施例において、R1=But, R2=H, R3=Me, R5=R6=Et、そしてR4は、ある配位子に関してC1, C2として、別の配位子に関してC16, C17としてラベルが付与されている2-プロピルブリッジである。C2及びC17は、4個の異なる置換基、すなわち、C2の場合ではH(図では省略)、N2, C1及びC10, C17の場合ではH(図では省略)、N4, C16及びC25、に結合しているのでキラル原子である。 The structure of colorless crystals was clarified by single crystal analysis. The structure shows that the strontium atom is coordinated with two 2,2-dimethyl-5- (1-dimethylamino-2-propylimino) -3-hexanonate ligands in a distorted octahedral environment. ing. This is illustrated in FIG. 7, where the strontium atom is coordinated with four nitrogen atoms (N1, N2, N3, N4) and two oxygen atoms (01, 02). In this example, R 1 = Bu t , R 2 = H, R 3 = Me, R 5 = R 6 = Et, and R 4 is C1, C2 for one ligand and for another ligand 2-propyl bridges labeled C16 and C17. C2 and C17 are attached to four different substituents: H in the case of C2 (not shown), N2, C1 and C10, H in the case of C17 (not shown), N4, C16 and C25 It is a chiral atom.

実施例12
2,2-ジメチル-5-(1-メチルエチルアミノ-2-プロピルイミノ)-3-ヘキサノンの合成
Example 12
Synthesis of 2,2-dimethyl-5- (1-methylethylamino-2-propylimino) -3-hexanone

75 mLのTHF中の6.00 g (42.19 mmol)の2,2-ジメチル-3,5-ヘキサンジオンの溶液に5.88 g (50.63 mmol)の1-メチルエチルアミノ-2-を加え、続いて10.00 gの硫酸ナトリウムを加えた。反応混合物を72℃に48時間で加熱した。GCは反応の完了を示した。THFを真空下で蒸発させた。未反応のジアミンを150 mTorrの真空下で75℃で1時間加熱して、蒸留除去した。残渣を、100 mTorrの真空下での120℃での真空移動加熱によって精製した。ライムグリーン色のオイル状物が9.21 gの量で単離された。GCは純粋な化合物であることを示した。収率91%.   To a solution of 6.00 g (42.19 mmol) 2,2-dimethyl-3,5-hexanedione in 75 mL THF was added 5.88 g (50.63 mmol) 1-methylethylamino-2-, followed by 10.00 g Of sodium sulfate was added. The reaction mixture was heated to 72 ° C. for 48 hours. GC showed the reaction was complete. THF was evaporated under vacuum. Unreacted diamine was distilled off by heating at 75 ° C. under a vacuum of 150 mTorr for 1 hour. The residue was purified by vacuum transfer heating at 120 ° C. under 100 mTorr vacuum. A lime green oil was isolated in an amount of 9.21 g. GC was shown to be a pure compound. Yield 91%.

1H NMR (500MHz, C6D6): δ= 11.51 (s, 1H), 5.20 (m, 1H), 3.26 (m, 1H), 2.10 (m, 2H), 2.04 (dd, 1H), 1.97 (dd, 1H), 1.95 (s, 3H), 1.62 (s, 3H), 1.32 (s, 9H), 0.95 (d, 3H), 0.84 (t, 3H). 1 H NMR (500MHz, C 6 D 6 ): δ = 11.51 (s, 1H), 5.20 (m, 1H), 3.26 (m, 1H), 2.10 (m, 2H), 2.04 (dd, 1H), 1.97 (dd, 1H), 1.95 (s, 3H), 1.62 (s, 3H), 1.32 (s, 9H), 0.95 (d, 3H), 0.84 (t, 3H).

実施例13
ビス(2,2-ジメチル-5-(1-メチルエチルアミノ-2-プロピルイミノ)-3-ヘキサノナト-N,O,N’)ストロンチウムの合成
Example 13
Synthesis of bis (2,2-dimethyl-5- (1-methylethylamino-2-propylimino) -3-hexanonato-N, O, N ') strontium

45 mLのTHF中の1.00 g (4.86 mmol)のストロンチウムイソプロポキシドの懸濁液に5 mLのTHF中の2.45 g (10.20 mmol)のリガンドQを加えた。懸濁液は、約20分後に溶液になった。室温で16時間の攪拌後、THFを真空下で蒸発させて2.87 gの黄色のオイル状物を得た。粗製のオイル状物を100 mTorrの真空下で2時間140℃で真空移動加熱して遊離リガンドを除去した。氷状の残渣をヘキサンに取り出し、-40℃で粉砕して固体を回収した。固体をドデカンで加熱して再結晶化させ、収率40%で1.10 gの無色の結晶を得た。   To a suspension of 1.00 g (4.86 mmol) of strontium isopropoxide in 45 mL of THF was added 2.45 g (10.20 mmol) of ligand Q in 5 mL of THF. The suspension went into solution after about 20 minutes. After stirring for 16 hours at room temperature, the THF was evaporated under vacuum to give 2.87 g of a yellow oil. The crude oil was heated at 140 ° C. under vacuum at 100 mTorr for 2 hours to remove free ligand. The icy residue was taken up in hexane and ground at -40 ° C to recover the solid. The solid was recrystallized by heating with dodecane to obtain 1.10 g of colorless crystals in a yield of 40%.

1H NMR (500MHz, C6D6): δ= 5.14 (s, 1H), 3.51 (m, 1H), 3.31 (b, 1H), 2.49 (b, 1H), 2.15 (b, 1H), 1.85 (s, 3H), 1.79 (b, 1H), 1.41 (s, 9H), 1.30 (s, 3H), 0.98 (d, 3H), 0.80 (b, 3H). 1 H NMR (500MHz, C 6 D 6 ): δ = 5.14 (s, 1H), 3.51 (m, 1H), 3.31 (b, 1H), 2.49 (b, 1H), 2.15 (b, 1H), 1.85 (s, 3H), 1.79 (b, 1H), 1.41 (s, 9H), 1.30 (s, 3H), 0.98 (d, 3H), 0.80 (b, 3H).

無色結晶の構造を単結晶解析によって明らかにした。構造は、歪んだ八面体環境においてストロンチウム原子が二つの2,2-ジメチル-5-(1-メチルエチルアミノ-2-プロピルイミノ)-3-ヘキサノネート配位子と配位結合していることを示している。これは、図8に示されており、ストロンチウム原子が、4個の窒素原子(N1, N2, N3, N4)及び2個の酸素原子(01, 02)と配位結合している。この実施例において、R1=But, R2=H, R3=Me, R5=Me, R6=Et、そしてR4は、ある配位子に関してC5, C6として、別の配位子に関してC19, C20としてラベルが付与された2-プロピルブリッジである。C5及びC19は、4個の異なる置換基、すなわち、C5の場合ではH(図では省略)、N1, C6及びC11, C19の場合ではH(図では省略)、N3, C20及びC25、に結合しているのでキラル原子である。 The structure of colorless crystals was clarified by single crystal analysis. The structure shows that in a distorted octahedral environment, the strontium atom is coordinated to two 2,2-dimethyl-5- (1-methylethylamino-2-propylimino) -3-hexanonate ligands. Show. This is illustrated in FIG. 8, where the strontium atom is coordinated with four nitrogen atoms (N1, N2, N3, N4) and two oxygen atoms (01, 02). In this example, R 1 = Bu t , R 2 = H, R 3 = Me, R 5 = Me, R 6 = Et, and R 4 is another coordination as C5, C6 for one ligand. A 2-propyl bridge labeled as C19, C20 for the child. C5 and C19 bind to four different substituents: H in the case of C5 (not shown), N1, C6 and C11, H in the case of C19 (not shown), N3, C20 and C25 It is a chiral atom.

図9は、実施例13の化合物の熱重量分析(TGA)及び示差走査熱量測定(DSC)のダイアグラムを示す。新しいSr錯体は、キラル中心とアミノ官能基上の非対称置換基を有している。TGA分析における多量の残渣は、化合物の熱安定性が乏しいことを象徴している。したがって、実施例13の化合物は、ほぼ5%未満であり、半導体加工の堆積で金属含有薄膜を堆積させる前駆物質として使用するときには、熱安定性の実質的な向上が必要であることを示している。DSCは、従来合成されてきた三座ベータケトイミネートストロンチウム錯体のなかでは融点が最低(〜133℃)であることを示している。高められた熱安定性と最低の融点は、キラル中心ならびにアミノ官能基上の非対称置換基に原因しているものと考察される。   FIG. 9 shows a thermogravimetric analysis (TGA) and differential scanning calorimetry (DSC) diagram of the compound of Example 13. The new Sr complex has a chiral center and an asymmetric substituent on the amino function. The large amount of residue in the TGA analysis symbolizes the poor thermal stability of the compound. Thus, the compound of Example 13 is less than approximately 5%, indicating that substantial improvement in thermal stability is required when used as a precursor to deposit metal-containing thin films in semiconductor processing deposition. Yes. DSC shows the lowest melting point (˜133 ° C.) among the conventionally synthesized tridentate beta-ketoiminate strontium complexes. The increased thermal stability and the lowest melting point are believed to be due to chiral centers as well as asymmetric substituents on the amino function.

実施例14
トリス(4-(1-ジメチルアミノ-2-プロピルイミノ)-2-ペンタノナト)ランタンの合成
Example 14
Synthesis of tris (4- (1-dimethylamino-2-propylimino) -2-pentanonato) lanthanum

15 mLのTHF中の0.52 g (1.64 mmol)のランタン(III)イソプロポキシドの溶液に5 mLのTHF中の0.90g (4.93 mmol)の4-(1-ジメチルアミノ-2-プロピルイミノ)-2-ペンタノンを加えた。得られた少し黄色の溶液を室温で1時間攪拌した。すべての揮発成分を真空下で除去して、約1.00 gの黄色の固体が収率88%で得られた。   A solution of 0.52 g (1.64 mmol) lanthanum (III) isopropoxide in 15 mL THF was added to 0.90 g (4.93 mmol) 4- (1-dimethylamino-2-propylimino)-in 5 mL THF. 2-Pentanone was added. The resulting slightly yellow solution was stirred at room temperature for 1 hour. All volatile components were removed in vacuo to give approximately 1.00 g of a yellow solid in 88% yield.

実施例15
トリス(2,2-ジメチル-5-(1-ジメチルアミノ-2-プロピルイミノ)-3-ヘキサノナト)
ランタンの合成
Example 15
Tris (2,2-dimethyl-5- (1-dimethylamino-2-propylimino) -3-hexanonato)
Synthesis of lanthanum

15 mLのTHF中の0.52 g (1.64 mmol)のランタン(III)イソプロポキシドの溶液に5 mLのTHF中の1.12g (4.93 mmol)の2,2-ジメチル-5-(1-ジメチルアミノ-2-プロピルイミノ)-3-ヘキサノンを加えた。少し黄色の溶液を室温で3日間攪拌した。すべての揮発成分を真空下で除去して、約1.20 gの黄色の固体が収率90%で得られた。   A solution of 0.52 g (1.64 mmol) lanthanum (III) isopropoxide in 15 mL THF was added to 1.12 g (4.93 mmol) 2,2-dimethyl-5- (1-dimethylamino- in 5 mL THF. 2-propylimino) -3-hexanone was added. The slightly yellow solution was stirred at room temperature for 3 days. All volatile components were removed in vacuo to give approximately 1.20 g of a yellow solid in 90% yield.

実施例16
トリス(2,2-ジメチル-5-(1-ジメチルアミノ-2-プロピルイミノ)-3-ヘキサノナト)
イットリウムの合成
Example 16
Tris (2,2-dimethyl-5- (1-dimethylamino-2-propylimino) -3-hexanonato)
Yttrium synthesis

20 mLのTHF中の1.00 g (3.76 mmol)のY-イソプロポキシドの濁った懸濁液に5 mLのTHF中の2.55g (11.27 mmol)の2,2-ジメチル-5-(1-ジメチルアミノ-2-プロピルイミノ)-3-ヘキサノンを加えた。得られた濁った黄色の溶液を3時間還流させた。すべての揮発成分を真空下で除去して、約2.50 gの黄色の固体が収率87%で得られた。   A cloudy suspension of 1.00 g (3.76 mmol) Y-isopropoxide in 20 mL THF was added to 2.55 g (11.27 mmol) 2,2-dimethyl-5- (1-dimethyl) in 5 mL THF. Amino-2-propylimino) -3-hexanone was added. The resulting cloudy yellow solution was refluxed for 3 hours. All volatile components were removed in vacuo to give approximately 2.50 g of a yellow solid in 87% yield.

化学蒸着及び原子層蒸着で用いられる前駆体に決定的に必要な条件のひとつは、その前駆体が送給温度で、一般に40〜150℃の範囲の温度で安定でなければならないということである。熱重量分析(TGA)が化合物をスクリーニングするための道具として広く用いられている。測定は、10〜20 mgというドライボックス内のサンプルサイズで、開放アルミニウムるつぼで行われた。温度上昇速度は、通常、10℃/minである。温度が上昇すると、化合物は蒸発、又は分解、又はその両方を起こし始める。純粋な蒸発はほとんど何も残渣を生じないが、蒸発プラス分解はある程度の残渣を生ずる。一般に、TGAダイアグラムにおける残渣が少ないことは、その化合物が熱的により安定であることを、したがって、薄膜を製造するための前駆体としてより適当であることを示す。図2及び図4に示されているように、本発明で明らかにされた化合物は、従来の類似化合物に比べて残渣がずっと少なく、熱的により安定で、前駆体としてより良好に機能し得ることを示している。   One of the critical requirements for a precursor used in chemical vapor deposition and atomic layer deposition is that the precursor must be stable at the feed temperature, generally in the range of 40-150 ° C. . Thermogravimetric analysis (TGA) is widely used as a tool for screening compounds. Measurements were made in an open aluminum crucible with a sample size in the dry box of 10-20 mg. The temperature increase rate is usually 10 ° C./min. As the temperature increases, the compound begins to evaporate, decompose, or both. Pure evaporation produces almost no residue, but evaporation plus decomposition produces some residue. In general, less residue in the TGA diagram indicates that the compound is more thermally stable and is therefore more suitable as a precursor for making thin films. As shown in FIGS. 2 and 4, the compounds disclosed in the present invention have much less residue, are thermally more stable, and can function better as precursors than conventional similar compounds. It is shown that.

キラル中心の導入が、熱的な安定性を高め、同時に得られる金属化合物の融点を低くするためのひとつのアプローチである。分子は、その鏡像と重ねることができない場合にキラルであり、そのような分子の二つの鏡像は鏡像異性体と呼ばれる。炭素原子に4つの異なる置換基が結合しているとき、それはキラルである。実施例2及び3の化合物では、二つのキラル炭素原子があり、それは固体状態で三つの鏡像異性体が共存して混じり合っており、分子間相互作用を弱め、したがって、化合物の揮発性を増大させる。例えば、図10に示されるように、ビス(2,2-ジメチル-5-(ジメチルアミノエチル-イミノ)-3-ヘキサノナト-N,O,N’)ストロンチウムは、ビス(2,2-ジメチル-5-(1-ジメチルアミノ-2-プロピルイミノ)-3-ヘキサノナト-N,O,N’)ストロンチウムよりも揮発性に乏しい。なお、ビス(2,2-ジメチル-5-(1-ジメチルアミノ-2-プロピルイミノ)-3-ヘキサノナト-N,O,N’)ストロンチウムは、ビス(2,2-ジメチル-5-(ジメチルアミノエチル-イミノ)-3-ヘキサノナト-N,O,N’)ストロンチウムよりも大きく、したがって、揮発性が低いものとして予想されている。   The introduction of chiral centers is one approach to increase thermal stability and simultaneously lower the melting point of the resulting metal compound. A molecule is chiral when it cannot be superimposed on its mirror image, and the two mirror images of such a molecule are called enantiomers. When four different substituents are attached to a carbon atom, it is chiral. In the compounds of Examples 2 and 3, there are two chiral carbon atoms that coexist in the solid state with three enantiomers and weaken the intermolecular interaction, thus increasing the volatility of the compound. Let For example, as shown in FIG. 10, bis (2,2-dimethyl-5- (dimethylaminoethyl-imino) -3-hexanonato-N, O, N ′) strontium is bis (2,2-dimethyl- It is less volatile than 5- (1-dimethylamino-2-propylimino) -3-hexanonato-N, O, N ′) strontium. Note that bis (2,2-dimethyl-5- (1-dimethylamino-2-propylimino) -3-hexanonato-N, O, N ') strontium is bis (2,2-dimethyl-5- (dimethyl Aminoethyl-imino) -3-hexanonato-N, O, N ′) is larger than strontium and is therefore expected to be less volatile.

ビス(2,2-ジメチル-5-(1-ジエチルアミノ-2-プロピルイミノ)-3-ヘキサノナト-N,O,N’)ストロンチウムの結晶構造を示す模式図である。FIG. 2 is a schematic diagram showing the crystal structure of bis (2,2-dimethyl-5- (1-diethylamino-2-propylimino) -3-hexanonato-N, O, N ′) strontium. ビス(2,2-ジメチル-5-(1-ジメチルアミノ-2-プロピルイミノ)-3-ヘキサノナト-N,O,N')ストロンチウム(実線)vs.ビス(2,2-ジメチル-5-(ジメチルアミノエチルイミノ)-3-ヘキサノナト-N,O,N')ストロンチウム(点線)の熱重量分析(TGA)のダイアグラムであり、キラル中心を有する新しいSr錯体(実線)が、2つの窒素原子の間にキラル中心を有しないもの(点線)よりも安定性がかなり大であり、したがって残渣を殆んど残さないことを示している。Bis (2,2-dimethyl-5- (1-dimethylamino-2-propylimino) -3-hexanonato-N, O, N ') strontium (solid line) vs. bis (2,2-dimethyl-5- ( Dimethylaminoethylimino) -3-hexanonato-N, O, N ') thermogravimetric analysis (TGA) diagram of strontium (dotted line), a new Sr complex with a chiral center (solid line) of two nitrogen atoms It is much more stable than one without a chiral center in between (dotted line), thus indicating little residue. ビス(2,2-ジメチル-5-(1-ジメチルアミノ-2'-プロピルイミノ)-3-ヘキサノナト-N,O,N')ニッケルの結晶構造を示す摸式図である。FIG. 3 is a schematic diagram showing a crystal structure of bis (2,2-dimethyl-5- (1-dimethylamino-2′-propylimino) -3-hexanonato-N, O, N ′) nickel. ビス(2,2-ジメチル-5-(1-ジメチルアミノ-2-プロピルイミノ)-3-ヘキサノナト-N,O,N')ニッケル(実線)vs.ビス(2,2-ジメチル-5-(ジメチルアミノエチルイミノ)-3-ヘキサノナト-N,O,N')ニッケル(点線)の熱重量分析(TGA)のダイアグラムであり、キラル中心を有する新しいNi錯体(実線)が、2つの窒素原子の間にキラル中心を有しないもの(点線)よりも安定性がかなり大であり、したがって残す残渣は3%未満であることを示している。Bis (2,2-dimethyl-5- (1-dimethylamino-2-propylimino) -3-hexanonato-N, O, N ') nickel (solid line) vs. bis (2,2-dimethyl-5- ( (Dimethylaminoethylimino) -3-hexanonato-N, O, N ') Nickel (dotted line) thermogravimetric analysis (TGA) diagram showing the new Ni complex with a chiral center (solid line) of two nitrogen atoms The stability is much greater than that without a chiral center in between (dotted line), thus indicating that the residue remaining is less than 3%. ビス(4-(1-ジメチルアミノ-2-プロピルイミノ)-2-ペンタノナト)ニッケルの結晶構造を示す摸式図である。FIG. 4 is a schematic diagram showing a crystal structure of bis (4- (1-dimethylamino-2-propylimino) -2-pentanonato) nickel. ビス(4-1-ジメチルアミノ-2-プロピルイミノ)-2-ペンタノナト)ニッケルの熱重量分析(TGA)及び示差走査熱量測定(DSC)のダイアグラムであり、キラル中心を有する新しいNi錯体が揮発性であって残渣が少なく、融点も低くなっている(〜100℃)ことを示している。Thermogravimetric analysis (TGA) and differential scanning calorimetry (DSC) diagrams of bis (4-1-dimethylamino-2-propylimino) -2-pentanonato) nickel, a new Ni complex with a chiral center is volatile It shows that the residue is small and the melting point is low (˜100 ° C.). ビス(2,2-ジメチル-5-(1-ジエチルアミノ-2-プロピルイミノ)-3-ヘキサノナト-N,O,N’)ストロンチウムの結晶構造を示す模式図である。FIG. 2 is a schematic diagram showing the crystal structure of bis (2,2-dimethyl-5- (1-diethylamino-2-propylimino) -3-hexanonato-N, O, N ′) strontium. ビス(2,2-ジメチル-5-(1-メチルエチルアミノ-2-プロピルイミノ)-3-ヘキサノナト)ストロンチウムの結晶構造を示す模式図である。FIG. 2 is a schematic diagram showing the crystal structure of bis (2,2-dimethyl-5- (1-methylethylamino-2-propylimino) -3-hexanonato) strontium. ビス(2,2-ジメチル-5-(1-メチルエチルアミノ-2-プロピルイミノ)-3-ヘキサノナト-N,O,N’)ストロンチウムの熱重量分析(TGA)及び示差走査熱量測定(DSC)のダイアグラムであり、キラル中心を有しかつアミノ官能基上に非対称置換基をもった新しいSr錯体は、残渣が5%未満であり、融点も低くなっている(〜133℃)ことを示している。Thermogravimetric analysis (TGA) and differential scanning calorimetry (DSC) of bis (2,2-dimethyl-5- (1-methylethylamino-2-propylimino) -3-hexanonato-N, O, N ') strontium The new Sr complex with a chiral center and an asymmetric substituent on the amino function shows that the residue is less than 5% and the melting point is low (˜133 ° C.) Yes. ビス(2,2-ジメチル-5-(1-ジメチルアミノ-2-プロピルイミノ)-3-ヘキサノナト-N,O,N')ストロンチウム(実線)とビス(2,2-ジメチル-5-(ジメチルアミノエチルイミノ)-3-ヘキサノナト-N,O,N')ストロンチウム(点線)の蒸気圧を比較したグラフであり、キラル中心を有する新しいSr錯体(実線)が、2つの窒素原子の間にキラル中心を有しないもの(点線)よりも揮発性が大である(但し、ビス(2,2-ジメチル-5-(ジメチルアミノエチルイミノ)-3-ヘキサノナト-N,O,N')ストロンチウムの分子量はビス(2,2-ジメチル-5-(1-ジメチルアミノ)-2-プロピルイミノ)-3-ヘキサノナト-N,O,N')ストロンチウムよりも小さい)ことを示している。Bis (2,2-dimethyl-5- (1-dimethylamino-2-propylimino) -3-hexanonato-N, O, N ') strontium (solid line) and bis (2,2-dimethyl-5- (dimethyl) Aminoethylimino) -3-hexanonato-N, O, N ') is a graph comparing the vapor pressures of strontium (dotted line), where a new Sr complex with a chiral center (solid line) is chiral between two nitrogen atoms More volatile than those without center (dotted line) (however, the molecular weight of bis (2,2-dimethyl-5- (dimethylaminoethylimino) -3-hexanonato-N, O, N ') strontium Is smaller than bis (2,2-dimethyl-5- (1-dimethylamino) -2-propylimino) -3-hexanonato-N, O, N ′) strontium).

Claims (24)

下記の構造式(A)及び(B)から成る群から選択される構造式によって表される金属含有錯体:
Figure 0005180040
(式中、Mは2価〜5価の金属基であり、R1は1〜10個の炭素原子を含む、アルキル、アルコキシアルキル、フルオロアルキル、脂環式基、及びアリールから成る群から選択され、R2は水素、アルキル、アルコキシ、脂環式基、及びアリールから成る群から選択され、R3はアルキル、アルコキシアルキル、フルオロアルキル、脂環式基、及びアリールから成る群から選択され、R4は少なくともひとつのキラル炭素原子を有するC3-10枝分かれアルキレンブリッジであり、R5 及びR6は、個別に、アルキル、フルオロアルキル、脂環式基、アリール、及び酸素又は窒素原子のいずれかを含む複素環式基から成る群から選択され、 nは金属Mの価数に等しい整数である);及び
Figure 0005180040
(式中、Mは第4族及び第5族金属から選択される金属イオンであり、R1は1〜10個の炭素原子を含む、アルキル、アルコキシアルキル、フルオロアルキル、脂環式基、及びアリールから成る群から選択され、R2は水素、アルキル、アルコキシ、脂環式基、及びアリールから成る群から選択され、R3はアルキル、アルコキシアルキル、フルオロアルキル、脂環式基、及びアリールから成る群から選択され、R4は少なくともひとつのキラル炭素原子を有するC3-10枝分かれアルキレンブリッジであり、R5 及びR6は、個別に、アルキル、フルオロアルキル、脂環式基、アリール、又は酸素又は窒素原子を含む複素環式基から成る群から選択され、R7はアルキル、フルオロアルキル、脂環式基、及びアリールから成る群から選択され、m及びnは少なくとも1であり、m + nの和は金属Mの価数に等しい)。
A metal-containing complex represented by a structural formula selected from the group consisting of the following structural formulas (A) and (B):
Figure 0005180040
Wherein M is a divalent to pentavalent metal group and R 1 is selected from the group consisting of alkyl, alkoxyalkyl, fluoroalkyl, alicyclic group, and aryl containing 1 to 10 carbon atoms. R 2 is selected from the group consisting of hydrogen, alkyl, alkoxy, alicyclic group, and aryl; R 3 is selected from the group consisting of alkyl, alkoxyalkyl, fluoroalkyl, alicyclic group, and aryl; R 4 is a C 3-10 branched alkylene bridge having at least one chiral carbon atom, and R 5 and R 6 are each independently an alkyl, fluoroalkyl, alicyclic group, aryl, and any oxygen or nitrogen atom And n is an integer equal to the valence of the metal M); and
Figure 0005180040
Wherein M is a metal ion selected from Group 4 and Group 5 metals, R 1 is an alkyl, alkoxyalkyl, fluoroalkyl, alicyclic group containing 1 to 10 carbon atoms, and R 2 is selected from the group consisting of aryl, R 2 is selected from the group consisting of hydrogen, alkyl, alkoxy, alicyclic group, and aryl, and R 3 is selected from alkyl, alkoxyalkyl, fluoroalkyl, alicyclic group, and aryl. R 4 is a C 3-10 branched alkylene bridge having at least one chiral carbon atom, and R 5 and R 6 are independently alkyl, fluoroalkyl, alicyclic group, aryl, or is selected from the group consisting of heterocyclic group containing an oxygen or nitrogen atom, R 7 is selected from alkyl, fluoroalkyl, cycloaliphatic, and from the group consisting of aryl, m and n is at least , And the sum of m + n is equal to the valence of the metal M).
Mが、カルシウム、ストロンチウム、バリウム、スカンジウム、イットリウム、ランタン、チタン、ジルコニウム、バナジウム、タングステン、マンガン、コバルト、鉄、ニッケル、ルテニウム、亜鉛、銅、パラジウム、白金、イリジウム、レニウム、及びオスミウムから成る群から選択される構造式(A)により表されることを特徴とする請求項1に記載の金属含有錯体。   M is a group consisting of calcium, strontium, barium, scandium, yttrium, lanthanum, titanium, zirconium, vanadium, tungsten, manganese, cobalt, iron, nickel, ruthenium, zinc, copper, palladium, platinum, iridium, rhenium, and osmium. The metal-containing complex according to claim 1, which is represented by a structural formula (A) selected from: R1はt-ブチル及びt-ペンチルから選択され、R2は水素、メチル及びエチルから成る群から選択され、R3はメチル及びエチルから成る群から選択され、R4はキラル中心を有するC3アルキレンブリッジであり、R5及びR6は、個別に、メチル及びエチルから成る群から選択されることを特徴とする請求項2に記載の金属含有錯体。 R 1 is selected from t-butyl and t-pentyl, R 2 is selected from the group consisting of hydrogen, methyl and ethyl, R 3 is selected from the group consisting of methyl and ethyl, and R 4 is C having a chiral center. 3. A metal-containing complex according to claim 2, wherein the metal-containing complex is a 3 alkylene bridge, wherein R 5 and R 6 are independently selected from the group consisting of methyl and ethyl. Mがストロンチウムであり、R1がt-ブチルであり、R2が水素であり、R3がメチルであり、R4メチルエチレンであり、R5及びR6がエチルであることを特徴とする請求項3に記載の金属含有錯体。 M is strontium, R 1 is t-butyl, R 2 is hydrogen, R 3 is methyl, R 4 is methyl ethylene , and R 5 and R 6 are ethyl The metal-containing complex according to claim 3. Mがストロンチウムであり、R1がt-ブチルであり、R2が水素であり、R3がメチルであり、R4メチルエチレンであり、R5がメチルであり、R6がエチルであることを特徴とする請求項3に記載の金属含有錯体。 M is strontium, R 1 is t-butyl, R 2 is hydrogen, R 3 is methyl, R 4 is methyl ethylene , R 5 is methyl, and R 6 is ethyl The metal-containing complex according to claim 3. Mがコバルトであり、R1がt-ブチルであり、R2が水素であり、R3がメチルであり、R4メチルエチレンであり、R5及びR6がメチルであることを特徴とする請求項1に記載の金属含有錯体。 M is cobalt, R 1 is t-butyl, R 2 is hydrogen, R 3 is methyl, R 4 is methyl ethylene , and R 5 and R 6 are methyl. The metal-containing complex according to claim 1. Mがニッケルであり、R1がt-ブチルであり、R2が水素であり、R3がメチルであり、R4メチルエチレンであり、R5及びR6がメチルであることを特徴とする請求項1に記載の金属含有錯体。 M is nickel, R 1 is t-butyl, R 2 is hydrogen, R 3 is methyl, R 4 is methyl ethylene , and R 5 and R 6 are methyl. The metal-containing complex according to claim 1. Mがチタン、ジルコニウム、ハフニウム、バナジウム、ニオブ、及びタンタルから成る群から選択される構造式(B)によって表されることを特徴とする請求項1に記載の金属含有錯体。   The metal-containing complex according to claim 1, wherein M is represented by a structural formula (B) selected from the group consisting of titanium, zirconium, hafnium, vanadium, niobium, and tantalum. R1がC1-5アルキルから成る群から選択され、R2が水素、メチル、及びエチルから成る群から選択され、R3がメチル及びエチルから成る群から選択され、R4が少なくともひとつのキラル中心を有するC3-4アルキレンブリッジであり、R5 及びR6が、個別に、メチル及びエチルから成る群から選択され、R7がメチル、エチル、プロピル、イソプロピル、n-ブチル、sec-ブチル、イソブチル、及びtert-ブチルから成る群から選択されることを特徴とする請求項8に記載の金属含有錯体。 R 1 is selected from the group consisting of C 1-5 alkyl, R 2 is selected from the group consisting of hydrogen, methyl, and ethyl, R 3 is selected from the group consisting of methyl and ethyl, and R 4 is at least one A C 3-4 alkylene bridge having a chiral center, wherein R 5 and R 6 are independently selected from the group consisting of methyl and ethyl, and R 7 is methyl, ethyl, propyl, isopropyl, n-butyl, sec- 9. The metal-containing complex according to claim 8, which is selected from the group consisting of butyl, isobutyl, and tert-butyl. MがTiであり、R1がメチルであり、R2が水素であり、R3がメチルであり、R4がひとつのキラル中心を有するC3アルキレンブリッジであり、R5及びR6がメチルであることを特徴とする請求項8に記載の金属含有錯体。 M is Ti, R 1 is methyl, R 2 is hydrogen, R 3 is methyl, R 4 is a C 3 alkylene bridge with one chiral center, and R 5 and R 6 are methyl The metal-containing complex according to claim 8, wherein MがHfであり、R1がメチルであり、R2が水素であり、R3がメチルであり、R4がひとつのキラル中心を有するC3アルキレンブリッジであり、R5及びR6がメチルであることを特徴とする請求項8に記載の金属含有錯体。 M is Hf, R 1 is methyl, R 2 is hydrogen, R 3 is methyl, R 4 is a C 3 alkylene bridge with one chiral center, and R 5 and R 6 are methyl The metal-containing complex according to claim 8, wherein MがZrであり、R1がメチルであり、R2が水素であり、R3がメチルであり、R4がひとつのキラル中心を有するC3アルキレンブリッジであり、R5及びR6がメチルであることを特徴とする請求項8に記載の金属含有錯体。 M is Zr, R 1 is methyl, R 2 is hydrogen, R 3 is methyl, R 4 is a C 3 alkylene bridge with one chiral center, R 5 and R 6 are methyl The metal-containing complex according to claim 8, wherein MがTiであり、R1がt-ブチルであり、R2が水素であり、R3がメチルであり、R4がC3アルキレンブリッジであり、R5及びR6がメチルであることを特徴とする請求項8に記載の金属含有錯体。 M is Ti, R 1 is t-butyl, R 2 is hydrogen, R 3 is methyl, R 4 is a C 3 alkylene bridge, and R 5 and R 6 are methyl. The metal-containing complex according to claim 8, characterized in that: MがHfであり、R1がt-ブチルであり、R2が水素であり、R3がメチルであり、R4がひとつのキラル中心を有するC3アルキレンブリッジであり、R5及びR6がメチルであることを特徴とする請求項8に記載の金属含有錯体。 M is Hf, R 1 is t-butyl, R 2 is hydrogen, R 3 is methyl, R 4 is a C 3 alkylene bridge with one chiral center, R 5 and R 6 9. The metal-containing complex according to claim 8, wherein is a methyl. MがZrであり、R1がt-ブチルであり、R2が水素であり、R3がメチルであり、R4がひとつのキラル中心を有するC3アルキレンブリッジであり、R5及びR6がメチルであることを特徴とする請求項8に記載の金属含有錯体。 M is Zr, R 1 is t-butyl, R 2 is hydrogen, R 3 is methyl, R 4 is a C 3 alkylene bridge with one chiral center, R 5 and R 6 9. The metal-containing complex according to claim 8, wherein is a methyl. 請求項1に記載の金属含有錯体、グリム溶媒、C2-C12アルカノール類、C1-C6アルキル部分を含むジアルキルエーテル類、C4-C8環式エーテル類、C12-C60クラウンO4-O20エーテル類(ここで、前置されたCiの範囲は該エーテル化合物における炭素原子の数iであり、後置されたOiの範囲は該エーテル化合物における酸素原子の数iである)から成る群から選択される有機エーテル類、 C6-C12脂肪族炭化水素、C6-C18芳香族炭化水素、有機エステル類、有機アミン類、ポリアミン類及び有機アミド類から成る群から選択される溶媒に溶解されたものである、金属含有錯体の溶液The metal-containing complex according to claim 1, glyme solvents, C 2 -C 12 alkanols, dialkyl ethers comprising C 1 -C 6 alkyl moiety, C 4 -C 8 cyclic ethers, C 12 -C 60 Crown O 4 —O 20 ethers (where the prefix C i range is the number i of carbon atoms in the ether compound, and the post O i range is the number of oxygen atoms in the ether compound) i) organic ethers selected from the group consisting of C 6 -C 12 aliphatic hydrocarbons, C 6 -C 18 aromatic hydrocarbons, organic esters, organic amines, polyamines and organic amides those dissolved in solvent selected from the group consisting of a solution of metals-containing complex. 該溶媒が、N-メチル-2-ピロリジノン、N-エチル-2-ピロリジノン、N-シクロヘキシル-2-ピロリジノン、N,N-ジエチルアセタミド、及びN,N-ジエチルホルムアミドから成る群から選択される有機アミドであることを特徴とする請求項16に記載の金属含有錯体の溶液The solvent is selected from the group consisting of N-methyl-2-pyrrolidinone, N-ethyl-2-pyrrolidinone, N-cyclohexyl-2-pyrrolidinone, N, N-diethylacetamide, and N, N-diethylformamide. The metal-containing complex solution according to claim 16, which is an organic amide. 前駆体源と酸素含有剤を蒸着チャンバに導入して金属酸化物膜を基板に蒸着する、基板上に形状整合の金属酸化物薄膜を形成する蒸着プロセスにおいて、
前記前駆体源が、下記の構造式(A)及び(B)から成る群から選択される構造式により表される金属含有錯体であることを特徴とする蒸着プロセス:
Figure 0005180040
(式中、Mは2価〜5価の金属基であり、R1は1〜10個の炭素原子を含む、アルキル、アルコキシアルキル、フルオロアルキル、脂環式基、及びアリールから成る群から選択され、R2は水素、アルキル、アルコキシ、脂環式基、及びアリールから成る群から選択され、R3はアルキル、アルコキシアルキル、フルオロアルキル、脂環式基、及びアリールから成る群から選択され、R4は少なくともひとつのキラル炭素原子を有するC3-10枝分かれアルキレンブリッジであり、R5 及びR6は、個別に、アルキル、フルオロアルキル、脂環式基、アリール、及び酸素又は窒素原子のいずれかを含む複素環式基から成る群から選択され、 nは金属Mの価数に等しい整数である);及び
Figure 0005180040
(式中、Mは第4族及び第5族金属から選択される金属イオンであり、R1は1〜10個の炭素原子を含む、アルキル、アルコキシアルキル、フルオロアルキル、脂環式基、及びアリールから成る群から選択され、R2は水素、アルキル、アルコキシ、脂環式基、及びアリールから成る群から選択され、R3はアルキル、アルコキシアルキル、フルオロアルキル、脂環式基、及びアリールから成る群から選択され、R4は少なくともひとつのキラル炭素原子を有するC3-10枝分かれアルキレンブリッジであり、R5 及びR6は、個別に、アルキル、フルオロアルキル、脂環式基、アリール、又は酸素又は窒素原子を含む複素環式基から成る群から選択され、R7はアルキル、フルオロアルキル、脂環式基、及びアリールから成る群から選択され、m 及びnは少なくとも1であり、m + nの和は金属Mの価数に等しい)。
In a deposition process of introducing a precursor source and an oxygen-containing agent into a deposition chamber to deposit a metal oxide film on a substrate, forming a shape-matched metal oxide thin film on the substrate,
Vapor deposition process, wherein the precursor source is a metal-containing complex represented by a structural formula selected from the group consisting of the following structural formulas (A) and (B):
Figure 0005180040
Wherein M is a divalent to pentavalent metal group and R 1 is selected from the group consisting of alkyl, alkoxyalkyl, fluoroalkyl, alicyclic group, and aryl containing 1 to 10 carbon atoms. R 2 is selected from the group consisting of hydrogen, alkyl, alkoxy, alicyclic group, and aryl; R 3 is selected from the group consisting of alkyl, alkoxyalkyl, fluoroalkyl, alicyclic group, and aryl; R 4 is a C 3-10 branched alkylene bridge having at least one chiral carbon atom, and R 5 and R 6 are each independently an alkyl, fluoroalkyl, alicyclic group, aryl, and any oxygen or nitrogen atom And n is an integer equal to the valence of the metal M); and
Figure 0005180040
Wherein M is a metal ion selected from Group 4 and Group 5 metals, R 1 is an alkyl, alkoxyalkyl, fluoroalkyl, alicyclic group containing 1 to 10 carbon atoms, and R 2 is selected from the group consisting of aryl, R 2 is selected from the group consisting of hydrogen, alkyl, alkoxy, alicyclic group, and aryl, and R 3 is selected from alkyl, alkoxyalkyl, fluoroalkyl, alicyclic group, and aryl. R 4 is a C 3-10 branched alkylene bridge having at least one chiral carbon atom, and R 5 and R 6 are independently alkyl, fluoroalkyl, alicyclic group, aryl, or Selected from the group consisting of heterocyclic groups containing oxygen or nitrogen atoms, R 7 is selected from the group consisting of alkyl, fluoroalkyl, alicyclic groups, and aryl, and m and n are at least 1 and the sum of m + n is equal to the valence of metal M).
該蒸着プロセスが、化学気相堆積法、プラズマ強化化学気相堆積法、原子層堆積法、プラズマ強化原子層堆積法から成る群から選択されることを特徴とする請求項18に記載の蒸着プロセス。   19. The vapor deposition process of claim 18, wherein the vapor deposition process is selected from the group consisting of chemical vapor deposition, plasma enhanced chemical vapor deposition, atomic layer deposition, and plasma enhanced atomic layer deposition. . 該酸素含有剤が、水、O2、H2O2、オゾン、O2プラズマ、H2Oプラズマ、及びそれらの混合物から成る群から選択されることを特徴とする請求項18に記載の蒸着プロセス。 Oxygen-containing agent, water, vapor deposition according to O 2, H 2 O 2, ozone, O 2 plasma, H 2 O plasma, and claim 18, characterized in that it is selected from the group consisting of mixtures thereof process. 前駆体源と還元剤を蒸着チャンバに導入して金属膜を基板に蒸着する、基板上に形状整合の金属薄膜を形成する蒸着プロセスにおいて、
前記前駆体源が、下記の構造式(A)及び(B)から成る群から選択される構造式により表される金属含有錯体であることを特徴とする蒸着プロセス:
Figure 0005180040
(式中、Mは2価〜5価の金属基であり、R1は1〜10個の炭素原子を含む、アルキル、アルコキシアルキル、フルオロアルキル、脂環式基、及びアリールから成る群から選択され、R2は水素、アルキル、アルコキシ、脂環式基、及びアリールから成る群から選択され、R3はアルキル、アルコキシアルキル、フルオロアルキル、脂環式基、及びアリールから成る群から選択され、R4は少なくともひとつのキラル炭素原子を有するC3-10枝分かれアルキレンブリッジであり、R5 及びR6は、個別に、アルキル、フルオロアルキル、脂環式基、アリール、及び酸素又は窒素原子のいずれかを含む複素環式基から成る群から選択され、 nは金属Mの価数に等しい整数である);及び
Figure 0005180040
(式中、Mは第4族及び第5族金属から選択される金属イオンであり、R1は1〜10個の炭素原子を含む、アルキル、アルコキシアルキル、フルオロアルキル、脂環式基、及びアリールから成る群から選択され、R2は水素、アルキル、アルコキシ、脂環式基、及びアリールから成る群から選択され、R3はアルキル、アルコキシアルキル、フルオロアルキル、脂環式基、及びアリールから成る群から選択され、R4は少なくともひとつのキラル炭素原子を有するC3-10枝分かれアルキレンブリッジであり、R5 及びR6は、個別に、アルキル、フルオロアルキル、脂環式基、アリール、又は酸素又は窒素原子を含む複素環式基から成る群から選択され、R7はアルキル、フルオロアルキル、脂環式基、及びアリールから成る群から選択され、m及びnは少なくとも1であり、m + nの和は金属Mの価数に等しい)。
In a deposition process of introducing a precursor source and a reducing agent into a deposition chamber to deposit a metal film on a substrate, forming a shape-matched metal thin film on the substrate,
Vapor deposition process, wherein the precursor source is a metal-containing complex represented by a structural formula selected from the group consisting of the following structural formulas (A) and (B):
Figure 0005180040
Wherein M is a divalent to pentavalent metal group and R 1 is selected from the group consisting of alkyl, alkoxyalkyl, fluoroalkyl, alicyclic group, and aryl containing 1 to 10 carbon atoms. R 2 is selected from the group consisting of hydrogen, alkyl, alkoxy, alicyclic group, and aryl; R 3 is selected from the group consisting of alkyl, alkoxyalkyl, fluoroalkyl, alicyclic group, and aryl; R 4 is a C 3-10 branched alkylene bridge having at least one chiral carbon atom, and R 5 and R 6 are each independently an alkyl, fluoroalkyl, alicyclic group, aryl, and any oxygen or nitrogen atom And n is an integer equal to the valence of the metal M); and
Figure 0005180040
Wherein M is a metal ion selected from Group 4 and Group 5 metals and R 1 is an alkyl, alkoxyalkyl, fluoroalkyl, alicyclic group containing 1 to 10 carbon atoms, and R 2 is selected from the group consisting of aryl, R 2 is selected from the group consisting of hydrogen, alkyl, alkoxy, alicyclic group, and aryl, and R 3 is selected from alkyl, alkoxyalkyl, fluoroalkyl, alicyclic group, and aryl. R 4 is a C 3-10 branched alkylene bridge having at least one chiral carbon atom, and R 5 and R 6 are independently alkyl, fluoroalkyl, alicyclic group, aryl, or R 7 is selected from the group consisting of heterocyclic groups containing oxygen or nitrogen atoms, R 7 is selected from the group consisting of alkyl, fluoroalkyl, alicyclic groups, and aryl, and m and n are at least 1 And the sum of m + n is equal to the valence of metal M).
該還元剤が、水素、ヒドラジン、モノアルキルヒドラジン、ジアルキルヒドラジン、アンモニア、及びそれらの混合物から成る群から選択されることを特徴とする請求項21に記載の蒸着プロセス。   The vapor deposition process of claim 21, wherein the reducing agent is selected from the group consisting of hydrogen, hydrazine, monoalkyl hydrazine, dialkyl hydrazine, ammonia, and mixtures thereof. 前駆体源の溶液と酸素含有剤を蒸着チャンバに導入して金属酸化物膜を基板に蒸着する、基板上に形状整合の金属酸化物薄膜を形成する蒸着プロセスにおいて、
該蒸着プロセスが、グリム溶媒、C2-C12アルカノール類、C1-C6アルキル部分を含むジアルキルエーテル類、C4-C8環式エーテル類、C12-C60クラウンO4-O20エーテル類(ここで、前置されたCiの範囲は該エーテル化合物における炭素原子の数iであり、後置されたOiの範囲は該エーテル化合物における酸素原子の数iである)から成る群から選択される有機エーテル類、 C6-C12脂肪族炭化水素、C6-C18芳香族炭化水素、有機エステル類、有機アミン類、ポリアミン類及び有機アミド類から成る群から選択される溶媒に溶解された請求項18に記載の金属含有錯体を含む溶液を用いることを特徴とする蒸着プロセス。
In a deposition process of forming a metal oxide thin film on a substrate by introducing a precursor source solution and an oxygen-containing agent into a deposition chamber to deposit a metal oxide film on the substrate,
The deposition process includes glyme solvent, C 2 -C 12 alkanols, dialkyl ethers containing C 1 -C 6 alkyl moieties, C 4 -C 8 cyclic ethers, C 12 -C 60 crown O 4 -O 20 Ethers, where the prefix C i range is the number of carbon atoms i in the ether compound and the postfix O i range is the number of oxygen atoms i in the ether compound Organic ethers selected from the group, selected from the group consisting of C 6 -C 12 aliphatic hydrocarbons, C 6 -C 18 aromatic hydrocarbons, organic esters, organic amines, polyamines and organic amides A vapor deposition process using a solution containing the metal-containing complex according to claim 18 dissolved in a solvent.
前駆体源の溶液と還元剤を蒸着チャンバに導入して金属膜を基板に蒸着する、基板上に形状整合の金属薄膜を形成する蒸着プロセスにおいて、
該蒸着プロセスが、グリム溶媒、C2-C12アルカノール類、C1-C6アルキル部分を含むジアルキルエーテル類、C4-C8環式エーテル類、C12-C60クラウンO4-O20エーテル類(ここで、前置されたCiの範囲は該エーテル化合物における炭素原子の数iであり、後置されたOiの範囲は該エーテル化合物における酸素原子の数iである)から成る群から選択される有機エーテル類、 C6-C12脂肪族炭化水素、C6-C18芳香族炭化水素、有機エステル類、有機アミン類、ポリアミン類及び有機アミド類から成る群から選択される溶媒に溶解された請求項21に記載の金属含有錯体を含む溶液を用いることを特徴とする蒸着プロセス。
In a deposition process of introducing a precursor source solution and a reducing agent into a deposition chamber to deposit a metal film on the substrate, forming a shape-matched metal thin film on the substrate,
The deposition process includes glyme solvent, C 2 -C 12 alkanols, dialkyl ethers containing C 1 -C 6 alkyl moieties, C 4 -C 8 cyclic ethers, C 12 -C 60 crown O 4 -O 20 Ethers, where the prefix C i range is the number of carbon atoms i in the ether compound and the postfix O i range is the number of oxygen atoms i in the ether compound Organic ethers selected from the group, selected from the group consisting of C 6 -C 12 aliphatic hydrocarbons, C 6 -C 18 aromatic hydrocarbons, organic esters, organic amines, polyamines and organic amides The vapor deposition process characterized by using the solution containing the metal containing complex of Claim 21 melt | dissolved in the solvent.
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