JP5173026B2 - 液晶表示装置 - Google Patents

Description

本発明は液晶表示装置に関し、特に、ＭＶＡ型液晶表示装置に関する。

ＭＶＡ（Ｍｕｌｔｉｄｏｍａｉｎ Ｖｅｒｔｉｃａｌ Ａｌｉｇｎｍｅｎｔ）型液晶表示装置は、ＴＮ型液晶表示装置に比べて広い視野角特性を有するので、ＴＶ用途等の液晶表示装置に広く利用されている（例えば、特許文献１および２参照）。特許文献１および２の開示内容の全てを参考のために本明細書に援用する。

ＭＶＡ型液晶表示装置では、垂直配向型液晶層を挟んで対向する一対の基板の液晶層側に、ドメイン規制構造（配向規制構造ともいわれる。）を設けることによって、ディレクタの配向方向（チルト方向）が異なる複数の液晶ドメインを形成する。ドメイン規制構造としては、電極に設けたスリット（開口部）あるいは電極の液晶層側に形成された誘電体突起（リブ）が用いられている。

典型的には、一対の基板のそれぞれに、互いに直交する２つの方向に延びる直線状のドメイン規制構造が配置され、基板に垂直な方向からみたとき、一方の基板に形成されたドメイン規制構造と他方の基板に配置されたドメイン規制構造は、平行かつ交互に配置される。その結果、任意の画素の液晶層に電圧が印加されたときに、直線状のドメイン規制構造の間に、液晶分子が倒れる方位（液晶ドメインのディレクタの方位ともいう。）が互いに約９０°異なる４種類のドメインを形成する。典型的には、クロスニコルに配置された一対の偏光板の偏光軸（透過軸）に対して、液晶ドメインのディレクタの方位角が４５°をなす４つの液晶ドメインが形成される。方位角の０°を一方の偏光板の偏光軸の方向（例えば表示面の水平方向（時計の文字盤の３時方向））とし、反時計回りを正の方位とすると、４つの液晶ドメインのディレクタの方位角は、４５°、１３５°、２２５°、３１５°となる。以下、方位角の定義は、特に断らない限り、この定義による。

なお、本明細書における「画素」は、液晶表示装置が表示を行う最小単位を指し、カラー表示装置の場合は、個々の原色（典型的にはＲ、ＧまたはＢ）を表示する最小単位をいい、「ドット」と呼ばれることがある。

一般に、画素は、行および列を有するマトリクス状に配列されている。ここで、行方向は表示面の水平方向（方位角が０°または１８０°）をいい、列方向は表示面の垂直方向（方位角が９０°または２７０°）をいう。画素は、画素電極と、液晶層と、液晶層を介して画素電極に対向する対向電極（共通電極）とを有する。画素電極は、行方向に延びるエッジ（辺）と列方向に延びるエッジとを有している。ＭＶＡ型液晶表示装置が有する互いに直交する２つの方向に延びる直線状のドメイン規制構造は、上記の４つの液晶ドメインを形成するために、例えば方位角４５°（２２５°）と１３５°（３１５°）に延びるように設けられる。すなわち、対向電極側に設けられた互いに直交する２つの方向に延びる直線状のドメイン規制構造（またその延長線）は、画素電極の行方向に延びるエッジまたは列方向に延びるエッジと交差することになる。

画素電極と対向電極との間に電位差が形成されると、画素電極のエッジの近傍には、斜め電界（フリンジフィールド）が形成される。画素電極のエッジに沿って形成される斜め電界は、液晶分子を画素電極のエッジに直交する方向に倒すように作用する。従って、対向電極側に設けられたドメイン規制構造（またその延長線）と、画素電極の行方向または列方向に延びるエッジとが交差する付近では、画素電極のエッジの近傍に形成される斜め電界が、ドメイン規制構造によって規制される液晶分子の配向を乱すように作用することになる。液晶分子の配向が乱れると、当然のことながら、表示品位が低下する。

そこで、特許文献１には、対向電極側に設けられたドメイン規制構造（またその延長線）と、画素電極の行方向または列方向に延びるエッジとが交差する付近における液晶分子の配向乱れを抑制するために、上記配向乱れが発生する、画素電極のエッジ部分に対向する位置に、当該エッジ部分に平行に延びる直線状の補助構造を設けた構成が開示されている。補助構造は、画素内に設けられることもあれば、画素外に設けられることもある。補助構造は、例えば、対向電極に形成されたスリットまたは対向電極の液晶層側に形成された誘電体突起であり、対向電極側に設けられるドメイン規制構造と同じものが用いられる。すなわち、ドメイン規制構造が対向電極に形成されたスリットの場合には、補助構造としてもスリットが採用され、ドメイン規制構造が対向電極の液晶層側に形成された誘電体突起の場合には、補助構造としても誘電体突起が採用される。

しかしながら、補助構造（スリットまたは誘電体突起）が形成された部分は表示に寄与しないので、補助構造の少なくとも一部が画素内に存在すると、透過率が低下するという問題がある。また、補助構造によって画素電極のエッジ付近の液晶分子の配向乱れは抑制されるものの、エッジ付近の液晶分子の配向方向は、ドメイン規制構造によって規定されるドメインのディレクタの方向とは異なるので、透過率のロスは避けられない。さらに、補助構造として誘電体突起を用いると、液晶層の厚さ（セルギャップ）を規定する柱状スペーサ（フォトスペーサとも呼ばれる。）の配置が制限され、設計の自由度が低下するという問題もある。

最近、ＭＶＡ型液晶表示装置のγ特性の視角依存性を改善するために、本出願人は、特許文献３に、１つの画素を明るさの異なる複数の副画素に分割することによりγ特性の視角依存性を改善することができる液晶表示装置および駆動方法を開示している。特に、低階調の表示輝度が所定の輝度よりも高くなる（白っぽくなる）というγ特性の視角依存性を改善することができる。本明細書においてこのような表示あるいは駆動を、面積階調表示、面積階調駆動、マルチ画素表示またはマルチ画素駆動などと呼ぶことがある。特許文献３の開示内容の全てを参考のために本明細書に援用する。

特許文献３には、１つの画素内の複数の副画素ごとに補助容量を設け、補助容量を構成する補助容量対向電極（ＣＳバスラインに接続されている）を副画素ごとに電気的に独立とし、補助容量対向電極に供給する電圧（補助容量対向電圧という。）を変化させることによって、容量分割を利用して、複数の副画素の液晶層に印加される実効電圧を異ならせる液晶表示装置が開示されている。なお、現在、ＴＶ用をはじめ広視野角特性が要求される用途では、ＭＶＡ型液晶表示装置は、種々の方式でマルチ画素表示が行われている。

マルチ画素構造を有する液晶表示装置においては、画素電極は、複数の副画素に対応して複数の副画素電極に分割されている。すなわち、複数の副画素電極によって１つの画素電極が構成されている。

また、マルチ画素構造とは別に、各画素に、複数の副画素電極が設けられる場合がある。例えば、画素電極と対向電極との短絡不良を修復しやすくする、あるいは、短絡不良を目立ち難くするために、画素電極を複数の副画素電極で構成することがある。この場合、各画素に含まれる複数の副画素電極には同じ電圧が供給される。

特開平１１−２４２２２５号公報（米国特許第６７２４４５２号明細書） 特開２０００−１５５３１７号公報（米国特許第６８７９３６４号明細書） 特開２００４−６２１４６号公報（米国特許第６９５８７９１号明細書）

上述したように、ＭＶＡ型液晶表示装置において、画素電極（または副画素電極）のエッジ付近の液晶分子の配向乱れを抑制するために上述の補助構造を形成すると、例えば透過率をロスするという問題がある。

本発明は、上記の問題を解決するためになされたものであり、その目的は、上述の補助構造を設けなくとも画素電極のエッジの近傍における液晶分子の配向乱れに起因する表示品位の低下を抑制することが可能な、ＭＶＡ型液晶表示装置を提供することにある。

第１の発明の液晶表示装置は、行および列を有するマトリクス状に配列された複数の画素を有し、前記複数の画素のそれぞれは、第１基板と、第２基板と、前記第１基板と前記第２基板との間に設けられた垂直配向型の液晶層と、前記第１基板に形成された少なくとも１つの第１電極と、前記少なくとも１つの第１電極に前記液晶層を介して対向する第２電極と、前記第１基板に形成された第１ドメイン規制構造と、前記第２基板に形成された第２ドメイン規制構造とを有し、前記第１ドメイン規制構造は前記少なくとも１つの第１電極に形成されたスリットを含み、前記第２ドメイン規制構造は前記第２電極に形成されたスリットまたは前記第２電極の前記液晶層側に形成された誘電体突起であって、前記第１ドメイン規制構造は、前記第１基板に垂直な方向から見たときに第１の方向に延びる第１直線成分と、前記第１の方向と略９０°異なる第２の方向に延びる第２直線成分とを有し、前記第２ドメイン規制構造は、前記第１の方向に延びる第３直線成分と、前記第２の方向に延びる第４直線成分とを有し、前記第１および第２直線成分または前記第３および第４直線成分の少なくとも一方は複数存在し、前記第１基板に垂直な方向から見たときに、前記第１直線成分と前記第３直線成分とは交互に配置されており、且つ、前記第２直線成分と前記第４直線成分とは交互に配置されており、前記複数の画素の内の任意の画素の前記液晶層に電圧が印加されたときに、前記第１直線成分と前記第３直線成分との間および前記第２直線成分と前記第４直線成分との間に、液晶分子が倒れる方位が互いに約９０°異なる４種類のドメインを形成するＭＶＡ型の液晶表示装置であって、前記第１の方向および前記第２の方向は、前記行および前記列方向と交差する方向であって、前記少なくとも１つの第１電極は、前記第１基板に垂直な方向から見たとき、前記少なくとも１つの第１電極のエッジと前記スリットとが交差する部分、または前記少なくとも１つの第１電極のエッジとそのエッジに最も近接する前記スリットの延長線とが交差する部分である第１部分と、前記少なくとも１つの第１電極の前記第１部分に隣接し、前記少なくとも１つの第１電極のエッジと前記第２ドメイン規制構造とが交差する部分、または前記少なくとも１つの第１電極とそのエッジに最も近接する前記第２ドメイン規制構造の延長線とが交差する部分である第２部分とによって挟まれる部分が、行方向に突き出た延設部を有する。

ここで、第１電極は、基本的にはその電極を構成する導電層の外縁で規定されるものとし、電位とは関係がない（第１電極に、外縁から連続したスリット（細長い短冊状の切欠き）が形成されている場合には、スリットは第１電極内に含まれると考える。）。例えば、液晶層側から見たときに、２つの導電層（例えばＩＴＯ層）の外縁が互いに独立であるとき、これら２つの導電層が１つのＴＦＴのドレインを介して実質的に同じ電圧が供給される場合であっても、２つの導電層は２つの第１電極を構成する。もちろん、導電層に接続されるＴＦＴの数は、第１電極の数とは無関係である。例えば、第１電極は、画素電極であり、マルチ画素構造を有する液晶表示装置など、各画素が複数の副画素電極を有する場合には、各副画素電極が第１電極に対応する。

ある実施形態において、前記第２基板はブラックマトリクスを更に有し、前記第１基板に垂直な方向から見たとき、前記延設部の行方向の先端は、前記ブラックマトリクスと重なっている。

ある実施形態において、前記少なくとも１つの第１電極が有する前記延設部は、前記第１部分の前記エッジに交差する前記スリットまたは前記第１部分の前記エッジに前記延長線が交差する前記スリットの延びる方向に平行なエッジを有している。

ある実施形態において、前記少なくとも１つの第１電極が有する前記延設部の前記エッジは、前記スリットのエッジと連続している。

ある実施形態において、前記延設部は、行方向または列方向に平行なエッジを有する。

ある実施形態において、前記少なくとも１つの第１電極は、行方向に隣接する画素の前記少なくとも１つの画素電極の前記延設部に対向するエッジに切欠き部を有する。

ある実施形態において、前記延設部は、画素の角部の近傍にある。

ある実施形態において、前記延設部は、画素の列方向の中央近傍にあり、前記少なくとも１つの第１電極は、列方向の中央の行方向に平行な線を対称軸とする２等辺三角形の切欠き部を有する。

ある実施形態において、前記切欠き部は、前記第１の方向または第２の方向に平行なエッジを有する。

ある実施形態において、前記少なくとも１つの第１電極は、前記第１の方向または前記第２の方向に平行なエッジを有する。

ある実施形態において、前記少なくとも１つの第１電極は、前記第１の方向に一列に配列された複数のスリットまたは前記第２の方向に一列に配列された複数のスリットを有する。

ある実施形態において、一列に配列された前記複数のスリットの間隔は８μｍ未満である。

ある実施形態において、前記少なくとも１つの第１電極は、行方向に平行な第１のエッジと、列方向に平行な第２のエッジとを含む第１の角部を有し、前記第１基板は、前記第１の角部の前記第１のエッジの少なくとも一部および前記第２のエッジの少なくとも一部と重なる電極層を更に有する。すなわち、第１の発明と、後述の第２の発明とを組み合わせても良い。

ある実施形態において、前記複数の画素のそれぞれに対応する補助容量を更に有し、前記補助容量は、前記少なくとも１つの第１電極に電気的に接続された補助容量電極と、絶縁層を介して前記補助容量電極に対向する補助容量対向電極を有し、前記電極層は、前記補助容量対向電極または補助容量電極である。

ある実施形態において、前記補助容量電極上に形成された層間絶縁層をさらに有し、前記少なくとも１つの第１電極は前記補助容量電極上の前記層間絶縁層に形成されたコンタクトホール内で、前記補助容量電極と接続されている。

ある実施形態において、前記電極層は、前記第１ドメイン規制構造または前記第２ドメイン規制構造の一部と重なっている。

ある実施形態において、前記第１基板は、行ごとにＣＳバスラインを有し、前記少なくとも１つの第１電極は、前記ＣＳバスライン上に境界を有し、列方向に沿って上下に配列された２つの第１電極を含み、前記２つの第１電極の少なくとも一方が、前記第１の角部を有する。

ある実施形態において、前記複数の画素のそれぞれに対応する２つの補助容量を有し、前記２つの補助容量は、それぞれ前記２つの第１電極の内の対応する１つに電気的に接続された補助容量電極と、絶縁層を介して前記補助容量電極に対向する補助容量対向電極を有し、前記電極層は、前記補助容量対向電極または補助容量電極であって、前記２つの第１電極の内の上側の第１電極の下端のエッジは下側に突き出た第１凸部を有し、前記２つの第１電極の内の下側の第１電極の上端のエッジは上側に突き出た第２凸部を有し、前記第１凸部の下端のエッジおよび前記第２凸部の上端のエッジは、前記ＣＳバスラインまたは前記補助容量対向電極と重なっている。

ある実施形態において、前記２つの第１電極の一方は、前記第１の方向に一列に配列された複数のスリットまたは前記第２の方向に一列に配列された複数のスリットの一方だけを有し、前記２つの第１電極の他方は、前記第１の方向に一列に配列された複数のスリットまたは前記第２の方向に一列に配列された複数のスリットの他方だけを有する。

ある実施形態において、前記第２ドメイン規制構造は、前記ＣＳバスラインまたは前記補助容量対向電極の上において、それぞれの行方向に平行なエッジを互いに対向させて配置された前記第３直線成分と前記第４直線成分とを有し、前記第３直線成分の前記エッジと前記第４直線成分の前記エッジとの間隙は８μｍ未満である。

ある実施形態において、前記少なくとも１つの第１電極は、３つまたは４つの第１電極であって、前記３つまたは４つの第１電極は、前記２つの第１電極を含む。

ある実施形態において、前記複数の画素のそれぞれに対応する３つまたは４つの補助容量を有し、前記３つまたは４つの補助容量は、それぞれ前記３つまたは４つの第１電極の内の対応する１つに電気的に接続された補助容量電極と、絶縁層を介して前記補助容量電極に対向する補助容量対向電極を有し、前記電極層は、前記２つの第１電極の内の対応する１つに電気的に接続された前記補助容量電極または前記絶縁層を介して前記補助容量電極に対向する前記補助容量対向電極である。

ある実施形態において、前記２つの第１電極の一方は、前記第１の方向に一列に配列された複数のスリットまたは前記第２の方向に一列に配列された複数のスリットの一方だけを有し、前記２つの第１電極の他方は、前記第１の方向に一列に配列された複数のスリットまたは前記第２の方向に一列に配列された複数のスリットの他方だけを有する。

ある実施形態において、前記第１基板に垂直な方向から見たとき、前記補助容量電極は上下方向または左右方向にくぼみを有するＵ字形状を有している。ここで、第１基板に垂直な方向から見たときの「上下方向」は、表示面の垂直方向を意味し、「上方向」は方位角が９０°（時計の文字盤の１２時方向）、「下方向」は方位角が２７０°（時計の文字盤の６時方向）を意味し、「左右方向」は表示面の水平方向を意味し、「右方向」は方位角が０°（時計の文字盤の３時方向）、「左方向」は方位角が１８０°（時計の文字盤の９時方向）を意味する。

ある実施形態において、前記少なくとも１つの第１電極の前記第１の角部の前記第１のエッジおよび前記第２のエッジに対応する、前記第２の基板上の位置には、前記第２電極に形成されたスリットまたは前記第２電極の前記液晶層側に形成された誘電体突起は形成されていない。

第２の発明の液晶表示装置は、行および列を有するマトリクス状に配列された複数の画素を有し、前記複数の画素のそれぞれは、第１基板と、第２基板と、前記第１基板と前記第２基板との間に設けられた垂直配向型の液晶層と、前記第１基板に形成された少なくとも１つの第１電極と、前記少なくとも１つの第１電極に前記液晶層を介して対向する第２電極と、前記第１基板に形成された第１ドメイン規制構造と、前記第２基板に形成された第２ドメイン規制構造とを有し、前記第１ドメイン規制構造は前記少なくとも１つの第１電極に形成されたスリットであり、前記第２ドメイン規制構造は前記第２電極に形成されたスリットまたは前記第２電極の前記液晶層側に形成された誘電体突起であって、前記第１ドメイン規制構造は、前記第１基板に垂直な方向から見たときに第１の方向に延びる第１直線成分と、前記第１の方向と略９０°異なる第２の方向に延びる第２直線成分とを有し、前記第２ドメイン規制構造は、前記第１の方向に延びる第３直線成分と、前記第２の方向に延びる第４直線成分とを有し、前記第１および第２直線成分または前記第３および第４直線成分の少なくとも一方は複数存在し、前記第１基板の法線方向から見たときに、前記第１直線成分と前記第３直線成分とは交互に配置されており、且つ、前記第２直線成分と前記第４直線成分とは交互に配置されており、前記複数の画素の内の任意の画素の前記液晶層に電圧が印加されたときに、前記第１直線成分と前記第３直線成分との間および前記第２直線成分と前記第４直線成分との間に、液晶分子が倒れる方位が互いに約９０°異なる４種類のドメインを形成するＭＶＡ型の液晶表示装置であって、前記第１の方向および前記第２の方向は、前記行および前記列方向と交差する方向であって、前記少なくとも１つの第１電極は、行方向に平行な第１のエッジと、列方向に平行な第２のエッジとを含む第１の角部を有し、前記第１基板は、前記第１の角部の前記第１のエッジの少なくとも一部および前記第２のエッジの少なくとも一部と重なる電極層を更に有する。

ある実施形態において、前記複数の画素のそれぞれに対応する補助容量を更に有し、前記補助容量は、前記少なくとも１つの第１電極に電気的に接続された補助容量電極と、絶縁層を介して前記補助容量電極に対向する補助容量対向電極を有し、前記電極層は、前記補助容量対向電極または前記補助容量電極である。

ある実施形態において、前記補助容量電極上に形成された層間絶縁層をさらに有し、前記少なくとも１つの第１電極は前記補助容量電極上の前記層間絶縁層に形成されたコンタクトホール内で、前記補助容量電極と接続されている。

ある実施形態において、前記電極層は、前記第１ドメイン規制構造または前記第２ドメイン規制構造の一部と重なっている。

ある実施形態において、前記少なくとも１つの第１電極は、前記第１の方向または前記第２の方向に平行なエッジを有する。

ある実施形態において、前記少なくとも１つの第１電極は、前記第１の方向に一列に配列された複数のスリットまたは前記第２の方向に一列に配列された複数のスリットを有する。

ある実施形態において、一列に配列された前記複数のスリットの間隔は８μｍ未満である。

ある実施形態において、前記第１基板は、行ごとにＣＳバスラインを有し、前記少なくとも１つの第１電極は、前記ＣＳバスライン上に境界を有し、列方向に沿って上下に配列された２つの第１電極を含み、前記２つの第１電極の少なくとも一方が、前記第１の角部を有する。

ある実施形態において、前記複数の画素のそれぞれに対応する２つの補助容量を有し、前記２つの補助容量は、それぞれ前記２つの第１電極の１つに電気的に接続された補助容量電極と、絶縁層を介して前記補助容量電極に対向する補助容量対向電極を有し、前記電極層は、前記補助容量対向電極または前記補助容量電極であって、前記２つの第１電極の内の上側の第１電極の下端のエッジは下側に突き出た第１凸部を有し、前記２つの第１電極の内の下側の第１電極の上端のエッジは上側に突き出た第２凸部を有し、前記第１凸部の下端のエッジおよび前記第２凸部の上端のエッジは、前記ＣＳバスラインまたは前記補助容量対向電極と重なっている。

ある実施形態において、前記２つの第１電極の一方は、前記第１の方向に一列に配列された複数のスリットまたは前記第２の方向に一列に配列された複数のスリットの一方だけを有し、前記２つの第１電極の他方は、前記第１の方向に一列に配列された複数のスリットまたは前記第２の方向に一列に配列された複数のスリットの一方だけを有する。

ある実施形態において、前記第２ドメイン規制構造は、前記ＣＳバスラインまたは前記補助容量対向電極の上において、それぞれの行方向に平行なエッジを互いに対向させて配置された前記第３直線成分と前記第４直線成分とを有し、前記第３直線成分の前記エッジと前記第４直線成分の前記エッジとの間隙は８μｍ未満である。

ある実施形態において、前記第１基板の法線方向から見たとき、前記補助容量電極は上下方向または左右方向にくぼみを有するＵ字形状を有している。

ある実施形態において、前記少なくとも１つの第１電極の前記第１の角部の前記第１のエッジおよび前記第２のエッジに対応する、前記第２の基板上の位置には、前記第２電極に形成されたスリットまたは前記第２電極の前記液晶層側に形成された誘電体突起は形成されていない。

第１の発明または第２の発明によると、上述の補助構造を設けなくとも画素電極のエッジの近傍における液晶分子の配向乱れに起因する表示品位の低下を抑制することが可能なＭＶＡ型液晶表示装置が提供される。第１の発明および第２の発明の両方を適宜組み合わせることによって、上記効果を高めることができる。

本発明による実施形態のＬＣＤ１００Ａの構成を示す平面図である。 本発明による実施形態のＬＣＤ１００Ｂの構成を示す平面図である。 ＬＣＤ１００Ｂの画素の液晶層に白表示電圧を印加した状態の透過率分布をシミュレーションによって求めた結果を示す図である。 （ａ）および（ｂ）は、本発明による実施形態のＬＣＤ１００Ｃの構成を示す平面図であり、（ａ）は誘電体突起および柱状スペーサにハッチングを付した図であり、（ｂ）はゲートメタル層にハッチングを付した図である。 ＬＣＤ１００Ｃの画素の液晶層に白表示電圧を印加した状態の透過率分布をシミュレーションによって求めた結果を示す図である。 ＬＣＤ１００Ｃのコンタクトホール１７ｂが形成されている部分の断面構造を示す図であり、図４（ｂ）中のＶＩ−ＶＩ’線に沿った断面図である。 コンタクトホールが形成されている部分の他の断面構造を示す図であり、図４（ｂ）中のＶＩ−ＶＩ’線に相当する断面図である。 本発明による実施形態のＬＣＤ１００Ｄの構成を示す平面図である。 ＬＣＤ１００Ｄの画素の液晶層に白表示電圧を印加した状態の透過率分布をシミュレーションによって求めた結果を示す図である。 本発明による実施形態のＬＣＤ１００Ｅの構成を示す平面図である。 ＬＣＤ１００Ｅの画素の液晶層に白表示電圧を印加した状態の透過率分布をシミュレーションによって求めた結果を示す図である。 （ａ）はＬＣＤ１００Ｅの画素の液晶層に白表示電圧を印加した状態の透過率分布をシミュレーションによって求めた結果を示す図（画素の上半分）であり、（ｂ）はＬＣＤ１００Ｅの第１電極２１ａ（Ｅ）の右下部の平面図であり、（ｃ）はＬＣＤ１００Ｃの画素の液晶層に白表示電圧を印加した状態の透過率分布をシミュレーションによって求めた結果を示す図（画素の上半分右下部）であり、（ｄ）はＬＣＤ１００Ｃの第１電極２１ａ（Ｃ）の右下部の平面図である。 本発明による実施形態のＬＣＤ１００Ｆの構成を示す平面図である。 ＬＣＤ１００Ｆのコンタクトホール１７（Ｆ）が形成されている部分の断面構造を示す図である。 ＬＣＤ１００Ｆのコンタクトホール１７（Ｆ）が形成されている部分の平面構造を示す図である。 （ａ）〜（ｄ）は、本発明による実施形態のＬＣＤ１００Ｇ、１００Ｈ、１００Ｉおよび１００Ｊの第１電極のパターンを示す平面図である。 （ａ）〜（ｄ）は、本発明による実施形態のＬＣＤ１００Ｋの構成を示す平面図である。 （ａ）〜（ｄ）は、本発明による実施形態のＬＣＤ１００Ｌの構成を示す平面図である。

以下、図面を参照して、本発明による実施形態のＭＶＡ型液晶表示装置（以下、ＬＣＤと略す。）の構成を説明する。なお、本発明は、例示する実施形態に限定されるものではない。

以下に例示する実施形態のＭＶＡ型ＬＣＤは、第１基板がＴＦＴおよび第１電極（画素電極または副画素電極）を有し、第２基板が第２電極（対向電極）を有する。また、第１基板に形成された第１ドメイン規制構造は、第１電極に形成されたスリットを含み、第２基板に形成された第２ドメイン規制構造は第２電極の液晶層側に形成された誘電体突起である。第２ドメイン規制構造としては、第２電極に形成されたスリットを用いてもよい。

まず、図１を参照して、第１の発明による実施形態のＭＶＡ型ＬＣＤ１００Ａの構成を説明する。図１は、第１の発明による実施形態のＬＣＤ１００Ａの基本的な構成例を模式的に示す平面図であり、ＬＣＤ１００Ａが有するマトリスク状に配列された複数の画素の内の、１つの画素と、行方向（水平方向）に隣接する２つの画素の一部を示している。

ＬＣＤ１００Ａは、第１基板に形成された第１電極（副画素電極）２１ａおよび２１ｂと、第１電極２１ａおよび２１ｂに対向する、第２基板に形成された第２電極（対向電極、不図示）と、第１電極２１ａおよび２１ｂと第２電極との間に設けられた垂直配向型液晶層（不図示）とを有する複数の画素を備える。第２電極は、複数の画素に共通に設けられており、図１中の全面に形成されている。

ここで、垂直配向型液晶層は、電圧無印加時に、誘電異方性が負の液晶分子を第１電極２１ａ、２１ｂおよび第２電極の面に略垂直（例えば８７°以上９０°以下）に配向させたものである。典型的には、第１電極２１ａ、２１ｂおよび第２電極（および誘電体突起）のそれぞれの液晶層側の表面に垂直配向膜（不図示）を設けることによって得られる。

ＬＣＤ１００Ａの各画素に設けられている２つの第１電極２１ａおよび２１ｂは、１つのＴＦＴ１４を介してソースバスライン１３に接続されている。ＴＦＴ１４は、ゲートバスライン１２からゲートに供給されるゲート信号によって、ＯＮ／ＯＦＦ制御される。第１電極２１ａおよび２１ｂは、ＴＦＴ１４のドレインとドレイン引出し配線１６の延設部である補助容量電極１６ｃとコンタクトホール１７ａおよび１７ｂ内でそれぞれ接続されている。ＴＦＴ１４がＯＮ状態にされると、ソースバスライン１３から供給されるソース信号電圧が、第１電極２１ａおよび２１ｂに供給される。ＬＣＤ１００Ａの画素構造は、マルチ画素構造ではない。

画素の列方向に沿って上下に配置されている第１電極２１ａと第１電極２１ｂとの間に、ＣＳバスライン（補助容量配線）１５が設けられている。第１電極２１ａの下端のエッジおよび第１電極２１ｂの上端のエッジ（いずれも行方向に平行）はＣＳバスライン１５と重なるように配置されている。すなわち、第１電極２１ａと第１電極２１ｂとの間隙はＣＳバスライン１５上に配置されている。このような配置を採用すると、液晶分子の配向が乱れる領域はＣＳバスライン１５で遮光されるので、表示品位を向上させることができる。なお、第１電極２１ａと第１電極２１ｂとの間隙はＣＳバスライン１５上に配置しなくてもよい。このような配置を採用すると、透過率を向上させることができる。ＣＳバスライン１５の延設部である補助容量対向電極１８ａおよび１８ｂ（一体に形成されている）は、絶縁層を介して対向する補助容量電極１６ｃと、補助容量（ＣＳ）を形成している。コンタクトホール１７ａおよび１７ｂは、補助容量の上に形成されている。

ＣＳバスライン１５から列方向の上側に延設されている補助容量対向電極１８ａは、誘電体突起４４ａ２と重なる様に延設された部分を有しており、ＣＳバスライン１５から列方向の下側に延設されている補助容量対向電極１８ｂは、誘電体突起４４ｂ２と重なる様に延設された部分を有している。補助容量を構成する上記電極は、光を透過しないので、画素内に配置すると、有効開口率（表示領域の面積の内で実際に表示に用いる光が透過する面積の割合）が減少する。また、誘電体突起４４が形成された部分も光の透過率が低下する。これらを重ねて配置することによって、画素内の透過領域のロスを抑制することができる。当然のことながら、補助容量を構成する電極の面積は、電気的に設計される容量値に応じて適宜設定される。

なお、ソースバスライン１３の下層（基板側）に半導体層３３が残されている。この半導体層３３は、画素が、例えばＲ、Ｇ、Ｂの三原色の内の何色を表示する画素であるかを示すための標識として設けられている。

第１電極２１ａ、２１ｂには第１ドメイン規制構造としてスリット２２が形成されており、第２電極の液晶層側には第２ドメイン規制構造として、誘電体突起４４が形成されている。図１においては、誘電体突起４４および柱状スペーサ６２にハッチングを付して示している。これらは、例えば、感光性樹脂を用いて第２基板の第２電極（対向電極）上に形成される。

第１ドメイン規制構造である、第１電極２１ａ、２１ｂが有するスリット２２は、第１基板に垂直な方向から見たときに第１方向に延びる第１直線成分２２ａと、第１方向と略９０°異なる第２方向に延びる第２直線成分２２ｂとを有している。第１電極２１ａは第１直線成分２２ａだけを有し、第２電極２１ｂは第２直線成分２２ｂだけを有している。ここで、第１方向の方位角は１３５°（または３１５°）であり、第２方向の方位角は２２５°（または４５°）である。

第２ドメイン規制構造である、第２電極の液晶層側に形成された誘電体突起４４は、第１方向に延びる第３直線成分４４ａ１および４４ａ２（４４ａ）と、第２方向に延びる第４直線成分４４ｂ１および４４ｂ２（４４ｂ）とを有している。第１基板に垂直な方向から見たときに、第１直線成分２２ａと２つの第３直線成分４４ａ１および４４ａ２とは交互に配置されており、且つ、第２直線成分２２ｂと２つの第４直線成分４４ｂ１および４４ｂ２とは交互に配置されている。従って、画素の液晶層に電圧が印加されたときに、第１直線成分２２ａと第３直線成分４４ａ１および４４ａ２との間、および第２直線成分２２ｂと第４直線成分４４ｂ１および４４ｂ２との間に、液晶分子が倒れる方位が互いに約９０°異なる４種類のドメインが形成される。直線状の第１および第２ドメイン規制構造は、それぞれの直線成分の延設方向に直交する方向に液晶分子が倒れるように配向規制力を発現するので、一定の間隔を空けて平行に配置された直線成分の間の液晶分子は、ほぼ一様に同じ方向に倒れる。

ここで例示する本発明による実施形態の液晶表示装置が有するドメイン規制構造は、ＬＣＤ１００Ａが有するドメイン規制構造と基本的に同じであり、以下の説明において省略することがある。但し、本発明による実施形態の液晶表示装置が有するドメイン規制構造はこれに限られない。例えば、第２ドメイン規制構造はスリットであってもよい。また、ここでは、第１および第２直線成分が１つで、第３および第４直線成分が２つの場合を例示しているが、第１および第２直線成分または第３および第４直線成分の少なくとも一方が複数存在し、第１基板に垂直な方向から見たときに、第１直線成分と第３直線成分とが交互に配置されており、且つ、第２直線成分と第４直線成分とが交互に配置されていればよい。なお、第１電極２１ａの第１方向に平行なエッジ２１ｅａ１および２１ｅａ２を含む切欠き部（導電層がない部分）は第１ドメイン規制構造として機能し、第２電極２１ｂの第２方向に平行なエッジ２１ｅｂ１および２１ｅｂ２を含む切欠き部は第２ドメイン規制構造として機能するので、第１および第２直線成分が３つで、第３および第４直線成分が２つとみなすこともできる。

ドメイン規制構造が延設されている第１方向および第２方向は、行（表示面の水平方向）および列方向（表示面の垂直方向）と交差する方向である。第１電極２１ａ、２１ｂは、第１基板に垂直な方向から見たとき、第１電極２１ａ、２１ｂのエッジとスリット２２とが交差する部分、または第１電極２１ａ、２１ｂのエッジとそのエッジに最も近接するスリット２２の延長線とが交差する部分である第１部分と、第１電極２１ａ、２１ｂの第１部分に隣接し、第１電極２１ａ、２１ｂのエッジと誘電体突起４４とが交差する部分、または第１電極２１ａ、２１ｂのエッジとそのエッジに最も近接する誘電体突起４４の延長線とが交差する部分である第２部分とによって挟まれる部分が、行方向に突き出た延設部を有している。

図１に示すように、第１電極２１ａは、第１電極２１ａの左側エッジとスリット２２ａの延長線とが交差する第１部分と、第１電極２１ａの左側エッジと誘電体突起４４ａ１とが交差する部分である第２部分とで挟まれる部分が、行方向（図１中左側）に突き出た延設部２１ａＥ１を有している。

また、第１電極２１ａは、第１電極２１ａの右側エッジとスリット２２ａとが交差する第１部分と、第１電極２１ａの下側エッジと誘電体突起４４ａ２とが交差する部分である第２部分とで挟まれる部分が、行方向（図１中右側）に突き出た延設部２１ａＥ２を有している。

同様に、第１電極２１ｂは、第１電極２１ｂの左側エッジとスリット２２ｂの延長線とが交差する第１部分と、第１電極２１ｂの左側エッジと誘電体突起４４ｂ１とが交差する部分である第２部分とで挟まれる部分が、行方向（図１中左側）に突き出た延設部２１ｂＥ１を有している。

また、第１電極２１ｂは、第１電極２１ｂの右側エッジとスリット２２ｂとが交差する第１部分と、第１電極２１ｂの上側エッジと誘電体突起４４ｂ２とが交差する部分である第２部分とで挟まれる部分が、行方向（図１中右側）に突き出た延設部２１ｂＥ２を有している。

延設部２１ａＥ１は、第１部分のエッジに延長線が交差するスリット２２ａの延びる方向（第１方向）に平行なエッジを有している。延設部２１ａＥ１はまた列方向に平行なエッジを有している。

同様に、延設部２１ｂＥ１は、第１部分のエッジに延長線が交差するスリット２２ｂの延びる方向（第２方向）に平行なエッジを有している。延設部２１ｂＥ１はまた列方向に平行なエッジを有している。

また、延設部２１ａＥ２は、第１部分のエッジに交差するスリット２２ａの延びる方向（第１方向）に平行なエッジを有しており、そのエッジはスリット２２ａのエッジと連続している。延設部２１ａＥ２はまた行方向に平行なエッジを有している。

同様に、延設部２１ｂＥ２は、第１部分のエッジに交差するスリット２２ｂの延びる方向（第２方向）に平行なエッジを有しており、そのエッジは、スリット２２ｂのエッジと連続している。延設部２１ｂＥ２はまた行方向に平行なエッジを有している。

上述したように、延設部２１ａＥ１、２１ａＥ２、２１ｂＥ１および２１ｂＥ２はそれぞれ対応するスリット２２ａまたは２２ｂの延びる方向と平行なエッジを有しており、そのようなエッジは対応するスリットと同様の配向規制力を発揮する。一方、延設部２１ａＥ１、２１ａＥ２、２１ｂＥ１および２１ｂＥ２は行方向または列方向に平行なエッジも有している。従って、延設部２１ａＥ１、２１ａＥ２、２１ｂＥ１および２１ｂＥ２においてこれらのエッジが交差する行方向の先端部分では、液晶分子の配向の乱れが生じる。

そこで、第１基板に垂直な方向から見たとき、延設部２１ａＥ１、２１ａＥ２、２１ｂＥ１および２１ｂＥ２の行方向の先端は、ブラックマトリクス５２（図１中に破線で示す。）と重なるように配置されている。従って、延設部２１ａＥ１、２１ａＥ２、２１ｂＥ１および２１ｂＥ２の行方向の先端部において液晶分子の配向が乱れても、その部分はブラックマトリクス５２によって遮光されるので、表示に悪影響を及ぼさない。なお、ブラックマトリクス５２は、一般に、第２基板の液晶層側の表面に、金属層または黒色樹脂層を用いて形成されている。

すなわち、第１の発明による実施形態の液晶表示装置においては、第１電極に行方向に突き出た延設部を形成し、且つ、延設部の行方向の先端をブラックマトリクスと重ねるように配置し、第１電極のエッジ付近に形成される液晶分子の配向が乱れる領域をブラックマトリクスで遮光される領域に押し込めることによって、第１電極のエッジの近傍における液晶分子の配向乱れに起因する表示品位の低下を抑制している。

上述したように、ＬＣＤ１００Ａは、各画素に、４つの延設部２１ａＥ１、２１ａＥ２、２１ｂＥ１および２１ｂＥ２を有している。この内、延設部２１ａＥ１および２１ｂＥ１は、画素の角部の近傍に設けられている。ここでは、いずれも画素の左側の角部に設けられている。延設部２１ａＥ２および２１ｂＥ２は、画素の右側の列方向の中央付近に設けられており、いずれも、第１電極２１ａまたは２１ｂの角部の近傍に設けられている。

第１電極２１ａの４つの角部の内、スリット２２ａが延びる第１方向を対角線方向とする２つの角部の近傍には、延設部２１ａＥ１、２１ａＥ２が設けられている。これと交差する対角線方向に位置する、第１電極２１ａの２つの角部は、第１方向に平行なエッジ２１ｅａ１および２１ｅａ２を有している。また、第１電極２１ａの右上の角部のエッジ２１ｅａ１と誘電体突起４４ａ１との間の距離は、スリット２２ａと誘電体突起４４ａ１との間の距離とほぼ等しく、第１電極２１ａの左下の角部のエッジ２１ｅａ２と誘電体突起４４ａ２との間の距離は、スリット２２ａと誘電体突起４４ａ２との間の距離とほぼ等しい。第１電極２１ａの第１方向に平行なエッジ２１ｅａ１および２１ｅａ２は、スリット２２ａと同様の配向規制力を発揮するので、誘電体突起４４ａ１または４４ａ２との間に液晶ドメインを安定に形成するように作用する。

また、第１電極２１ｂも同様に、第１電極２１ｂが有するスリット２２ｂが延びる第２方向の対角線方向に交差する対角線方向に位置する２つの角部が、第２方向に平行なエッジ２１ｅｂ１および２１ｅｂ２を有している。第１電極２１ｂの第２方向に平行なエッジ２１ｅｂ１および２１ｅｂ２は、スリット２２ｂと同様の配向規制力を発揮するので、誘電体突起４４ｂ１または４４ｂ２との間に液晶ドメインを安定に形成するように作用する。

ここで、第１電極２１ａ、２１ｂの左側のエッジにある、エッジ２１ｅａ２および２１ｅｂ２は、当該画素の左側に隣接する画素が有する第１電極２１ａ、２１ｂの右側のエッジに設けられている延設部２１ａＥ２および２１ｂＥ２に対向する切欠き部を形成している。左側に隣接する画素が有する第１電極２１ａ、２１ｂの延設部２１ａＥ２および２１ｂＥ２の先端部分は、この切欠き部内に配置されている。このように、切欠き部を設けることによって、延設部２１ａＥ２および２１ｂＥ２の行方向への突き出し量を大きくすることができる。

なお、柱状スペーサ６２は、第１電極２１ｂの右下のエッジ２１ｅｂ１と、１行下の画素の第１電極２１ａの右上のエッジ２１ｅａ１との間に形成される領域に配置されている。第１電極２１ａおよび２１ｂの角部の内、延設部を設けなかった角部に、それぞれが有するスリット２２ａまたは２２ｂに平行なエッジ２１ｅａ１または２１ｅｂ１を形成することによって、柱状スペーサ６２を配置するスペースを形成することができる。例えば柱状スペーサ６２を第１電極２１ａまたは２１ｂと重なるように配置すると、柱状スペーサ６２の配向規制を受けた液晶分子が、画素内の液晶分子の配向を乱し、表示品位が低下する場合がある。例えば、柱状スペーサ６２は対向基板（第２基板）上に形成され、その太さが対向基板上からＴＦＴ基板（第１基板）に向かって小さくなっているとする。そうすると、図１中の右下の柱状スペーサ６２からみて上方向（１２時方向）にある液晶分子は、柱状スペーサ６２に向かって傾斜する（６時方向を向く）ことになる。すなわち、柱状スペーサ６２の側面による配向規制力は、ドメイン規制構造４４ｂ１や第１電極２１ｂの右下のエッジ２１ｅｂ１による配向規制力と異なる方向に液晶分子を配向させるように作用するので、透過率の低下、あるいは、表示のざらつき（不均一さ）の原因となる。ＬＣＤ１００Ａにおいては、第１電極２１ａ、２１ｂが形成されていない領域に柱状スペーサ６２が配置されているので、このような表示品位の低下を避けることができる。

次に、図２を参照して、第１の発明による実施形態のＬＣＤ１００Ｂの構成を説明する。以下の説明において、ＬＣＤ１００Ａと共通の構成要素に共通の参照符号を付し、説明を省略することがある。

ＬＣＤ１００Ｂは、ＬＣＤ１００Ａと同様に、２つの第１電極２１ａおよび２１ｂを有しており、且つ、画素内に、４つの延設部２１ａＥ１（Ｂ）、２１ａＥ２（Ｂ）、２１ｂＥ１（Ｂ）および２１ｂＥ２（Ｂ）を有している。

第１電極２１ａの左側エッジに設けられている延設部２１ａＥ１（Ｂ）および第１電極２１ｂの左側エッジに設けられている延設部２１ｂＥ１（Ｂ）は、それぞれ、ＬＣＤ１００Ａにおける延設部２１ａＥ１および２１ｂＥ１と同じである。

ＬＣＤ１００Ｂは、第１電極２１ａの右側エッジおよび第１電極２１ｂの右側エッジに形成されている延設部および第１電極２１ａ、２１ｂが有するスリットの構成において、ＬＣＤ１００Ａと異なる。

ＬＣＤ１００Ｂの第１電極２１ａは、第１電極２１ａの右側エッジとスリット２２ａ（Ｂ）の延長線とが交差する第１部分と、第１電極２１ａの下側エッジと誘電体突起４４ａ２とが交差する部分である第２部分とで挟まれる部分が、行方向（図２中右側）に突き出た延設部２１ａＥ２（Ｂ）を有している。延設部２１ａＥ２（Ｂ）は、第１部分のエッジに延長線が交差するスリット２２ａ（Ｂ）の延びる方向（第１方向）に平行なエッジと行方向に平行なエッジとを有している。スリット２２ａ（Ｂ）は、第１電極２１ａ内に形成されており、ＬＣＤ１００Ａのスリット２２ａと異なり、第１電極２１ａのエッジと連続していない。

ＬＣＤ１００Ｂの第１電極２１ｂは、第１電極２１ｂの右側エッジとスリット２２ｂ（Ｂ）の延長線とが交差する第１部分と、第１電極２１ｂの上側エッジと誘電体突起４４ｂ２とが交差する部分である第２部分とで挟まれる部分が、行方向（図２中右側）に突き出た延設部２１ｂＥ２（Ｂ）を有している。延設部２１ｂＥ２（Ｂ）は、第１部分のエッジに延長線が交差するスリット２２ｂ（Ｂ）の延びる方向（第２方向）に平行なエッジと、行方向に平行なエッジとを有している。スリット２２ｂ（Ｂ）は、第１電極２１ｂ内に形成されており、ＬＣＤ１００Ａのスリット２２ｂと異なり、第１電極２１ｂのエッジと連続していない。

ＬＣＤ１００Ｂにおいても、ＬＣＤ１００Ａと同様に、第１基板に垂直な方向から見たとき、延設部２１ａＥ１（Ｂ）、２１ａＥ２（Ｂ）、２１ｂＥ１（Ｂ）および２１ｂＥ２（Ｂ）の行方向の先端がブラックマトリクス５２（図１中に破線で示す。）と重なるように配置されている。従って、ＬＣＤ１００Ａと同様に、上述の補助構造を設けなくとも第１電極のエッジの近傍における液晶分子の配向乱れに起因する表示品位の低下を抑制することができる。

図３に、ＬＣＤ１００Ｂの画素の液晶層に白表示電圧（７．０Ｖ）を印加した状態の透過率分布をシミュレーションによって求めた結果を示す。シミュレーションにはＥｘｐｅｒｔＬＣＤ（ＤＡＯＵ ＸＩＬＩＣＯＮ社製）を用いた。以下のシミュレーションも同じである。

ＬＣＤ１００Ｂにおいては、延設部２１ａＥ１（Ｂ）、２１ａＥ２（Ｂ）、２１ｂＥ１（Ｂ）および２１ｂＥ２（Ｂ）を設けたことによって、第１電極２１ａ、２１ｂのエッジ付近に生じる、液晶分子の配向が乱れた領域がブラックマトリクス５２によって隠されており、その結果、画素内に存在する、液晶分子の配向が乱れた領域の面積が低減されている。このことは、後に、図９、図１１および図１２にシミュレーション結果を示して説明する。

しかしながら、ＬＣＤ１００Ｂにおいては、図３から分かるように、画素の列方向の中央の右側、すなわち、第１電極２１ａの右下の角部および第１電極２１ｂの右上の角部の付近に、環状の暗線が発生している。第１電極２１ａの右下の角部および第１電極２１ｂの右上の角部はいずれも、行方向に平行なエッジと列方向に平行なエッジとを含んでいる。また、第１電極２１ａの右下の角部の近傍にはスリット２２ａと誘電体突起４４ａ２とが存在し、第１電極２１ｂの右上の角部の近傍にはスリット２２ｂと誘電体突起４４ｂ２とが存在している。したがって、このような角部の近傍の液晶分子には種々の方向からの配向規制力が働くので、液晶分子の配向は乱れ、且つ、不安定となる。暗線が発生する位置や暗線の大きさ、形は、第１電極２１ａ、２１ｂの角部の最終的な形状に応じて変化する。暗線によって、透過率が低下する、あるいは、表示のざらつき（不均一さ）が発生するなど、表示品位が低下する。

そこで、図４（ａ）および（ｂ）に示すＬＣＤ１００Ｃでは、補助容量対向電極１８ａを形成する位置をＬＣＤ１００Ｂにおける位置から変更することによって、図３に示した環状の暗線を隠すように構成している。ＬＣＤ１００Ｃは、第１の発明による実施形態であるとともに、第２の発明による実施形態でもある。

図４（ａ）および（ｂ）はＬＣＤ１００Ｃの構成を示す平面図であり、図４（ａ）は誘電体突起および柱状スペーサにハッチングを付した図であり、図４（ｂ）はゲートメタル層にハッチングを付した図である。図５に、ＬＣＤ１００Ｃの画素の液晶層に白表示電圧を印加した状態の透過率分布をシミュレーションによって求めた結果を示す。

まず、図５を参照する。図５を図３と比較すると明らかなように、図３に見られていた右側エッジの中央付近の環状の暗線が、図５においては隠れている。このように、ＬＣＤ１００Ｃの構造を採用することによって、環状の暗線に起因する上記の問題を解決することができることが分かる。すなわち、上述の補助構造を設けなくとも第１電極のエッジの近傍における液晶分子の配向乱れに起因する表示品位の低下を抑制することができる。

図４（ａ）および（ｂ）に示すように、ＬＣＤ１００Ｃにおいて、補助容量対向電極１８ａ（Ｃ）は、行方向に平行なエッジと列方向に平行なエッジとを含む、第１電極２１ａの右下の角部と重なるように形成されている。すなわち、補助容量対向電極１８ａ（Ｃ）が、上記角部の行方向に平行なエッジの少なくとも一部と、上記角部の列方向に平行なエッジの少なくとも一部と重なっている。ゲートメタル層として形成される補助容量対向電極１８ａ（Ｃ）や、ソースメタル層として形成される補助容量電極１６ｃ（Ｃ）は、一般に遮光性を有する膜から形成されているので、これらの電極層を遮光層として利用することができる。なお、ここでは、補助容量対向電極１８ａ（Ｃ）を遮光層に用いた例を示したが、補助容量電極１６ｃ（Ｃ）を遮光層として用いてもよいし、他の電極層を用いてもよい。補助容量対向電極１８ａ（Ｃ）や補助容量電極１６ｃ（Ｃ）など、ＴＦＴ基板に形成される電極層を用いると、別途遮光層を形成する必要がなく、且つ、本来、表示に利用できない領域を遮光層として積極的に利用できるので、画素の有効開口率の低下を抑制することが出来る。

ここで、ゲートメタル層とは、ゲートバスラインおよびゲート電極を形成するためのメタル膜（積層膜を含む）を用いて形成される構成要素を含む層を指し、同様に、ソースメタル層とはソースバスラインおよびソース電極を形成するためのメタル膜（積層膜を含む）を用いて形成される構成要素を含む層を指す。

第１電極２１ａの下端のエッジは下側に突き出た第１凸部を有し、第１電極２１ｂの上端のエッジは上側に突き出た第２凸部を有している。第１電極２１ａの第１凸部の下端のエッジは、ＣＳバスライン１５または補助容量対向電極１８ａ（Ｃ）と重なっており、第１電極２１ｂの第２凸部の上端のエッジは、ＣＳバスライン１５または補助容量対向電極１８ｂ（Ｃ）と重なっている。第１電極２１ａの第１凸部が補助容量対向電極１８ａ（Ｃ）と重なる領域にコンタクトホール１７ａ（Ｃ）が形成されており、コンタクトホール１７ａ（Ｃ）内で、第１電極２１ａが補助容量電極１６ｃ（Ｃ）に接続されている。また、第１電極２１ｂの第２凸部が補助容量対向電極１８ｂ（Ｃ）と重なる領域にコンタクトホール１７ｂ（Ｃ）が形成されており、コンタクトホール１７ｂ（Ｃ）内で、第１電極２１ｂが補助容量電極１６ｃ（Ｃ）に接続されている。

図４（ａ）および（ｂ）に示すように、第１電極２１ａの第１凸部と、第１電極２１ｂの第２凸部とが、列方向において噛み合うように配置すると、図３と図５とを比較すると分かるように、補助容量によって遮光される領域の面積を小さくできるので、有効開口率を増大させることができる。

また、補助容量対向電極１８ａ（Ｃ）は、スリット２２ａの端部、誘電体突起４４ａ２および４４ｂ２の端部と重なっている。したがって、これらドメイン規制構造の端部において液晶分子の配向が乱れても、補助容量対向電極１８ａ（Ｃ）によって遮光されるので、表示品位に影響しない。図１に示したＬＣＤ１００Ａにおいては、誘電体突起４４ａ２と誘電体突起４４ｂ２とは連結されていたのに対し、ＬＣＤ１００Ｃにおいては、誘電体突起４４ａ２と誘電体突起４４ｂ２とは、補助容量対向電極１８ａ（Ｃ）上で分離されている。このような構成を採用すると、液晶材料を注入する際に、誘電体突起４４ａ２と誘電体突起４４ｂ２との間隙を液晶材料が流れて拡がることできるので、液晶材料の注入を安定に行うことが出来る。また、配向膜の塗布を均一に行い易いという利点も得られる。ここで、誘電体突起４４ａ２および誘電体突起４４ｂ２は、それぞれ行方向に平行なエッジを互いに対向させて配置させることが好ましく、これらのエッジの間隙は８μｍ未満であることが好ましい。誘電体突起４４ａ２および誘電体突起４４ｂ２の上記エッジ間の間隙が８μｍ以上となると、液晶分子の配向が乱れる領域が不必要に大きくなる。

ＬＣＤ１００Ｃは、ＬＣＤ１００Ｂと同様に、２つの第１電極２１ａおよび２１ｂを有しており、且つ、画素内に、４つの延設部２１ａＥ１（Ｃ）、２１ａＥ２（Ｃ）、２１ｂＥ１（Ｃ）および２１ｂＥ２（Ｃ）を有している。

第１電極２１ａの左側エッジに設けられている延設部２１ａＥ１（Ｃ）および第１電極２１ｂの左側エッジに設けられている延設部２１ｂＥ１（Ｃ）は、それぞれ、ＬＣＤ１００Ｂにおける延設部２１ａＥ１（Ｂ）および２１ｂＥ１（Ｂ）と同じである。また、第１電極２１ｂの右側エッジに設けられている延設部２１ｂＥ２（Ｃ）は、ＬＣＤ１００Ｂにおける延設部２１ｂＥ２（Ｂ）と同じである。したがって、ＬＣＤ１００Ｃも、ＬＣＤ１００Ｂについて説明したように、上述の補助構造を設けなくとも第１電極のエッジの近傍における液晶分子の配向乱れに起因する表示品位の低下を抑制することができる。

なお、第１電極２１ａの右側のエッジに設けられている延設部２１ａＥ２（Ｃ）は、ＬＣＤ１００Ｂの延設部２１ａＥ２（Ｂ）よりも、行方向への突き出し量が小さい。これは、当該エッジは上述したように、補助容量対向電極１８ａ（Ｃ）によって遮光されるからである。この延設部２１ａＥ２（Ｃ）を省略することも出来る。

もちろん、他の延設部を全て省略し、補助容量対向電極１８ａ（Ｃ）などの電極層を用いて、液晶分子の配向が乱れる領域を遮光しても良い。但し、ＬＣＤ１００Ａおよび１００Ｂについて上述したように、延設部を設ける構成は、有効開口率の観点から有利である。

次に、図６を参照して、コンタクトホール１７ｂが形成されている部分の断面構造を説明する。図６は、図４（ｂ）中のＶＩ−ＶＩ’線に沿った断面図である。

第１基板（例えばガラス基板）１１上に、補助容量対向電極（ゲートメタル層）１８ｂ（Ｃ）が形成されている。補助容量対向電極１８ｂ（Ｃ）の上には、ゲート絶縁層３１が形成されており、ゲート絶縁層３１上に半導体層３３が形成されている。半導体層３３は、ｉ層３３ｂとｎ⁺層３３ａとの２層構造をとっている。第１基板１１に垂直な方向から見たときの半導体層３３の２次元的な形状は、図４（ａ）に示したように、下側にくぼみを有するＵ字形状である。半導体層３３の上に補助容量電極１６ｃ（ソース・ドレイン層）が形成されている。補助容量電極１６ｃはＴｉ層１６ｃ１とＡｌ層１６ｃ２とで構成されている。補助容量電極１６ｃも、図４（ａ）に示したように、下側にくぼみを有するＵ字形状を有している。

補助容量電極１６ｃを覆うように、パッシベーション層３５および層間絶縁層３７が形成されている。パッシベーション層３５および層間絶縁層３７にコンタクトホール１７ｂが形成されている。層間絶縁層３７上には、第１電極２１ｂが形成されており、第１電極２１ｂはコンタクトホール１７ｂ内で補助容量電極１６ｃと接続されている。

補助容量ＣＳは、第１電極２１ｂと、補助容量対向電極１８ｂ（Ｃ）とが、ゲート絶縁層３１を介して互いに対向する部分（ＣＳ１という。）、および、補助容量電極１６ｃと、補助容量対向電極１８ｂ（Ｃ）とが、ゲート絶縁層３１を介して互いに対向する部分（ＣＳ２という。）に形成される。さらに、補助容量電極１６ｃの下層に半導体層３３が配置された部分（ＣＳ３という。）も、補助容量ＣＳに寄与する。この部分（ＣＳ３）は、半導体層３３が配置されているため、補助容量電極１６ｃと、補助容量対向電極１８ｂ（Ｃ）との電位の関係によって、その容量の大きさは変動する。交流駆動する液晶表示装置において、補助容量対向電極１８ｂ（Ｃ）にも共通電極と同じ交流信号を入力する場合や、補助容量対向電極１８ｂ（Ｃ）に対して極性の異なる映像信号を、ソースバスラインに入力する場合などにおいては、ＣＳ２とＣＳ３の面積が平面視上同じであっても、補助容量としてのその大きさは異なる。

半導体層３３は、５枚マスク（４枚マスク）のプロセスなどで、ゲート絶縁層３１、パッシベーション層３５および層間絶縁層３７を、同一マスクを用いてパターニングする際に、ゲート絶縁層３１のエッチング保護膜として用いられる。

図４（ａ）および（ｂ）に示すように、第１電極２１ａおよび第１電極２１ｂに対して、それぞれコンタクトホール１７ａ（Ｃ）および１７ｂ（Ｃ）を設ける場合、半導体層３３もそれぞれのコンタクトホールに対応して設けられる。コンタクトホール１７ｂ（Ｃ）では、上述したように、半導体層３３および補助容量電極１６ｃ（Ｃ）は下側にくぼみを有するＵ字形状を有している。一方、コンタクトホール１７ａ（Ｃ）では、半導体層３３および補助容量電極１６ｃ（Ｃ）は上側にくぼみを有するＵ字形状を有している。このように、補助容量電極１６ｃ（Ｃ）の２つのくぼみ（コンタクトホール１７ｂ（Ｃ）および１７ａ（Ｃ）に対応する部分）を、上下対称にすると、補助容量電極１６ｃ（Ｃ）に対する半導体層３３の上下方向の位置ズレが互いに補償される（面積が一定に保たれる）。左右方向の位置ズレに対しては、コンタクトホール１７ａ（Ｃ）および１７ｂ（Ｃ）のそれぞれにおいて補償するように構成されている。従って、ここで例示した構成を採用すると、上下左右４方向の位置ズレに対して、補助容量ＣＳの容量値が変動しにくい構造になっている。この効果は、半導体層３３および補助容量電極１６ｃ（Ｃ）のくぼみを左右方向に設けた場合も同様に得られる。

また、ここで例示した構成は、コンタクトホール１７ａ（Ｃ）および１７ｂ（Ｃ）の上下方向の位置ズレに対しても、容量変動を抑制する効果を有する。

図６に示したように、補助容量ＣＳを形成する部分は、コンタクトホール１７ｂの位置によって決まる。この部分は、図４（ａ）中のＵ字状の半導体層３３のくぼみ内の矩形の領域である。例えば、上側にくぼみを有するＵ字形状のコンタクトホール１７ｂの位置が大きく下方向にずれると、半導体層３３および補助容量電極１６ｃ（Ｃ）が補助容量ＣＳを形成する矩形部分の面積は小さくなる。これに対し、コンタクトホール１７ａ（Ｃ）では、半導体層３３および補助容量電極１６ｃ（Ｃ）は下側にくぼみを有するＵ字形状を有しているので、コンタクトホール１７ａ（Ｃ）の位置が下方にずれても補助容量ＣＳを形成する矩形部分の面積は変化しない。従って、コンタクトホール１７ａ（Ｃ）および１７ｂ（Ｃ）に対応する２つの半導体層３３および補助容量電極１６ｃ（Ｃ）のくぼみを上下対称（または左右対称）にすると、コンタクトホール１７ａ（Ｃ）および１７ｂ（Ｃ）の上下方向（左右方向）の位置ズレに対しても、容量変動を抑制する効果を得ることができる。

上述の効果は、コンタクトホールが形成されている部分の構造として、図７に示すように、半導体層３３を有しない構成についても得ることができる。なお、図７も図４（ｂ）中のＶＩ−ＶＩ’線に相当する断面図である。

次に、図８を参照して、第１および第２の発明による実施形態のＬＣＤ１００Ｄの構成を説明する。図８は、ＬＣＤ１００Ｄの構成を示す平面図である。

ＬＣＤ１００Ｄは、第１電極２１ａおよび２１ｂの左側エッジに延設部（ＬＣＤ１００Ｃにおける２１ａＥ１（Ｃ）および２１ｂＥ１（Ｃ））を有しない点において、図４（ａ）および（ｂ）に示したＬＣＤ１００Ｃと異なっている。なお、第１電極２１ｂの右側エッジの延設部２１ｂＥ２（Ｄ）は、ＬＣＤ１００Ｃの延設部２１ｂＥ２（Ｃ）と同じである。

ＬＣＤ１００Ｄは、第１電極２１ａおよび２１ｂの左側エッジに延設部を有しないので、第１電極２１ａおよび２１ｂの左側エッジの対応する部分に液晶分子の配向が乱れる領域が形成される。これが表示に影響するのを防止するために、ブラックマトリクス５２（Ｄ）は、ＬＣＤ１００Ｃのブラックマトリクス５２（図４参照）よりも、画素の内側まで延設されている。

ＬＣＤ１００Ｄは、また、スリット２２ａ（Ｄ）および２２ｂ（Ｄ）が、所定の方向にそって一列に配列された２つのスリットとして構成されている点において、ＬＣＤ１００Ｃと異なっている。スリット２２ａ（Ｄ）および２２ｂ（Ｄ）のように、スリットを一列に配列された複数のスリットとして構成すると、（言い換えると、スリットの間に導電層が存在する部分を設けると）、スリット内の液晶分子の配向を安定化させる効果を得ることができる。スリットはそのエッジに沿って斜め電界を形成するが、スリットの直上に位置する液晶分子には配向規制力を及ぼさない、あるいは配向規制力が弱い。例えばスリットが長いと、スリットの直上に位置する液晶分子の配向が不安定になり、例えば、応答速度が遅いなどの問題が発生することがある。従って、スリットを分断する、すなわち、複数のスリットを一列に配列することによって、液晶分子の配向を安定にすることができる（図９参照）。一列に配列されたスリットとスリットとの間隙は８μｍ未満であることが好ましい。間隙が８μｍ以上になると、スリットとスリットとの間隙を構成する導電層が存在する部分における液晶分子の配向が表示に与える影響が大きくなり過ぎる結果、表示輝度が低下することがある。

なお、スリットは、ＬＣＤ１００Ｄに示すように、一列のスリットに沿った線上において、導電層が存在する部分を２箇所以上設けることが好ましい。第１電極２１ａまたは２１ｂが、スリットが形成されている部分で、切断される危険を低減するためである。例えば、図１に示したＬＣＤ１００Ａのように、第１電極２１ａのエッジと連続する１つのスリット（細長い）２２ａを形成すると、スリット２２ａに沿った線上には１箇所しか導電層が存在しない。従って、当該箇所で断線が生じると、第１電極２１ａの約半分は電極として機能しなくなる。

図９に、ＬＣＤ１００Ｄの画素の液晶層に白表示電圧を印加した状態の透過率分布をシミュレーションによって求めた結果を示す。

図９を図５と比較すると分かるように、画素の左上角部において、ブラックマトリクス５２（Ｄ）によって遮光されている面積がＬＣＤ１００Ｃよりも大きい。また、画素の左下角部において、延設部２１ｂＥ１（Ｃ）を設けていない分だけ、黒い領域が広がっている。また、図９には、スリット２２ａ（Ｄ）および２２ｂ（Ｄ）に対応する部分に、十字状の黒いパターンが形成されている。これは、一列に配列された２つのスリットの間隙において液晶分子の配向が安定化されている結果生じている。

次に、図１０を参照して、第１および第２の発明による実施形態のＬＣＤ１００Ｅの構成を説明する。図１０は、ＬＣＤ１００Ｅの構成を示す平面図である。

ＬＣＤ１００Ｅは、第１電極２１ａ（Ｅ）および２１ｂ（Ｅ）の左側エッジに延設部２１ａＥ１（Ｅ）および２１ｂＥ１（Ｅ）を有する点において、ＬＣＤ１００Ｄと異なっている。なお、この延設部２１ａＥ１（Ｅ）および２１ｂＥ１（Ｅ）の形状は、ＬＣＤ１００Ｃの延設部２１ａＥ１（Ｃ）および２１ｂＥ１（Ｃ）と異なっている。これは、延設部の形状のバリエーションを示しているに過ぎない。ＬＣＤ１００Ｅが有するブラックマトリクス５２（Ｅ）は、ＬＣＤ１００Ｃのブラックマトリクス５２と同様のパターンを有しており、ＬＣＤ１００Ｄのブラックマトリクス５２（Ｄ）よりも、画素の左上角部の開口が大きい。また、第１電極２１ｂ（Ｅ）の延設部２１ｂＥ２（Ｅ）の形状がＬＣＤ１００Ｄの延設部２１ｂＥ２（Ｄ）と僅かに異なっているが、液晶分子の配向に対する影響はほとんどない。

図１１に、ＬＣＤ１００Ｅの画素の液晶層に白表示電圧を印加した状態の透過率分布をシミュレーションによって求めた結果を示す。

図１１を図９と比較すると分かるように、画素の左上角部において、ブラックマトリクス５２（Ｅ）によって遮光されている面積がＬＣＤ１００Ｄよりも小さい。また、画素の左下角部において、延設部２１ｂＥ１（Ｅ）を設けている分だけ、黒い領域が小さくなっている。

次に、図１２（ａ）〜（ｄ）を参照して、ＬＣＤ１００ＥとＬＣＤ１００Ｃとについて、画素の右側エッジの列方向の中央部の構成について説明する。図１２（ａ）はＬＣＤ１００Ｅの画素の液晶層に白表示電圧を印加した状態の透過率分布をシミュレーションによって求めた結果を示す図（画素の上半分）であり、図１２（ｂ）はＬＣＤ１００Ｅの第１電極２１ａ（Ｅ）の右下部の平面図であり、図１２（ｃ）はＬＣＤ１００Ｃの画素の液晶層に白表示電圧を印加した状態の透過率分布をシミュレーションによって求めた結果を示す図（画素の上半分右下部）であり、図１２（ｄ）はＬＣＤ１００Ｃの第１電極２１ａ（Ｃ）の右下部の平面図である。

ＬＣＤ１００Ｅは、図１２（ｂ）に示すように、第１電極２１ａ（Ｅ）の右側に延設部を有しないのに対し、ＬＣＤ１００Ｃは、図１２（ｄ）に示すように、第１電極２１ａ（Ｃ）の右側に延設部２１ａＥ２（Ｃ）を有している。

図１２（ａ）と図１２（ｃ）とを比べると分かるように、わずかではあるが、ＬＣＤ１００Ｃの方が黒い領域が減少している。このように、延設部２１ａＥ２（Ｃ）を設けることによって、上述の補助構造を設けなくとも第１電極のエッジの近傍における液晶分子の配向乱れに起因する表示品位の低下を抑制することができる。

上記で例示した液晶表示装置１００Ａ〜１００Ｅは何れも画素に２つの第１電極２１ａおよび２１ｂを有していたが、これに限られない。１つの画素に形成される第１電極の数は３以上でもよいし、１つでもよい。また、１つの画素に複数の第１電極を設ける場合、マルチ画素構造としても良い。マルチ画素構造として、例えば特許文献３に記載の構成を採用することが出来る。

次に、図１３〜１５を参照して、第１および第２の発明による実施形態のＬＣＤ１００Ｆの構成を説明する。図１３は、ＬＣＤ１００Ｆの構成を示す平面図であり、図１４はコンタクトホール１７（Ｆ）が形成されている部分の断面構造を示す図であり、図１５はコンタクトホール１７（Ｆ）が形成されている部分の平面構造を示す図である。

図１３に示すように、ＬＣＤ１００Ｆは、画素に１つの第１電極２１（画素電極）を有する。第１電極２１は、第１および第２方向に延びるスリット２２ａ（Ｆ）を有している。１つの画素におけるドメイン規制構造の配置は先の実施形態の液晶表示装置と同じである。

第１電極２１は、左側のエッジに、延設部２１Ｅ１ａおよび２１Ｅ１ｂを有し、右側のエッジに延設部２１Ｅ２を有している。延設部２１Ｅ１ａおよび２１Ｅ１ｂは、画素の角部に形成されており、延設部２１Ｅ２は画素の列方向の中央近傍に形成されている。

また、第１電極２１の左側のエッジは、当該画素の左側に隣接する画素が有する第１電極２１の右側のエッジに設けられている延設部２１Ｅ２に対向するエッジに切欠き部２１ｅ２（Ｆ）を有している。左側に隣接する画素が有する第１電極２１の延設部２１Ｅ２の先端部分は、切欠き部２１ｅ２（Ｆ）内に配置されている。切欠き部２１ｅ２（Ｆ）を設けることによって、延設部の突き出し量を大きくすることができる。

この切欠き部２１ｅ２（Ｆ）は、画素の列方向の中央の行方向に平行な線を対称軸とする２等辺三角形の切欠き部であり、切欠き部２１ｅ２（Ｆ）は第１方向に平行なエッジと第２方向に平行なエッジとを有している。第１方向に平行なエッジおよび第２方向に平行なエッジは、それぞれ、隣接する誘電体突起４４ａおよび４４ｂとの間に液晶ドメインを安定に形成するように作用する。

図１４に、ＬＣＤ１００Ｆのコンタクトホール１７（Ｆ）が形成されている部分の断面構造を示す。第１基板１１上に、補助容量対向電極（ゲートメタル層）１８が形成されており、その上に、ゲート絶縁層３１、補助容量電極（ソースメタル層）１６ｃ（Ｆ）が形成されている。これらを覆って形成されているパッシベーション層３５および層間絶縁層３７に、コンタクトホール１７（Ｆ）が形成されている。層間絶縁層３７上には第１電極２１が例えば、ＩＴＯやＩＺＯなどの透明導電層で形成されており、コンタクトホール１７（Ｆ）内において、第１電極２１が補助容量電極１６ｃ（Ｆ）と接続されている。

図１５に、ＬＣＤ１００Ｆのコンタクトホール１７（Ｆ）が形成されている部分の平面構造を示す。第１電極２１の延設部２１Ｅ１ｂのエッジは図１５に示すように、補助容量電極（ソースメタル層）１６ｃ（Ｆ）によって遮光されている。先の実施形態の液晶表示装置においては、補助容量対向電極（ゲートメタル層）１８ａ、１８ｂを用いて遮光していたが、ここで例示したように、補助容量電極（ソースメタル層）１６ｃ（Ｆ）によって遮光してもよい。

第１の発明による延設部を設ける構成、および第２の発明による電極層（例えば、ゲートメタル層またはソースメタル層）を用いる構成は、上記の例に限られず、それぞれ単独で採用してもよいし、種々組み合わせて用いることもできる。

例えば、図１６（ａ）〜（ｄ）に示すＬＣＤ１００Ｇ、１００Ｈ、１００Ｉおよび１００Ｊのような第１電極のパターンを例示することができる。

ＬＣＤ１００Ｇは、ＬＣＤ１００Ｃ、１００Ｄの変形例であり、図１６（ａ）に示すパターンの第１電極２１ａ（Ｇ）および２１ｂ（Ｇ）を有している。なお、スリットに沿った線上に１箇所しか導電層が存在しないので、製造歩留まりを考慮すると、スリットのパターンはＬＣＤ１００Ｄのスリット２２ａ（Ｄ）のように改変することが好ましい。

ＬＣＤ１００Ｈが有する第１電極２１（Ｈ）は、ＬＣＤ１００Ｇの第１電極２１ａ（Ｇ）および２１ｂ（Ｇ）を一体化したパターンを有している。

ＬＣＤ１００Ｉは、ＬＣＤ１００Ｃ、１００Ｄの変形例であり、図１６（ｃ）に示すパターンの第１電極２１ａ（Ｉ）および２１ｂ（Ｉ）を有している。スリットに沿った線上の２箇所において導電層が存在する点において、ＬＣＤ１００Ｇよりも好ましい。

ＬＣＤ１００Ｊが有する第１電極２１（Ｊ）は、ＬＣＤ１００Ｉの第１電極２１ａ（Ｉ）および２１ｂ（Ｉ）を一体化したパターンを有している。

次に、図１７および図１８を参照して、１つの画素に形成される第１電極の数が３以上の液晶表示装置の例を説明する。図１７に示す液晶表示装置１００Ｋおよび図１８に示す液晶表示装置１００Ｌは、いずれも第１の発明の実施形態でもあり、第２の発明の実施形態でもある。

図１７（ａ）〜（ｄ）に示す液晶表示装置１００Ｋは、１つの画素に３つの第１電極２１ａ（Ｋ）、２１ｂ（Ｋ）および２１ｃ（Ｋ）を有している。図１７（ａ）および（ｂ）はＴＦＴ基板（第１基板）およびＣＦ基板（第２基板）の平面図であり、図１７（ａ）は第１基板のゲートメタル層およびソースメタル層にハッチングを付した図であり、図１７（ｂ）は第２基板の誘電体突起および柱状スペーサにハッチングを付した図である。図１７（ｃ）および（ｄ）は、ＴＦＴ基板（第１基板）の平面図であり、図１７（ｃ）はＴＦＴ基板のゲートメタル層およびソースメタル層を示す図であり、図１７（ｄ）はＴＦＴ基板の第１電極を示す図である。

ＬＣＤ１００Ｋの各画素に設けられている３つの第１電極２１ａ（Ｋ）、２１ｂ（Ｋ）および２１ｃ（Ｋ）は、１つのＴＦＴ１４を介してソースバスライン１３に接続されている。ＴＦＴ１４は、ゲートバスライン１２からゲートに供給されるゲート信号によって、ＯＮ／ＯＦＦ制御される。第１電極２１ａ（Ｋ）、２１ｂ（Ｋ）および２１ｃ（Ｋ）は、ＴＦＴ１４のドレインとドレイン引出し配線１６の延設部である補助容量電極１６ｃとコンタクトホール１７ａ、１７ｂおよび１７ｃ内でそれぞれ接続されている。ＴＦＴ１４がＯＮ状態にされると、ソースバスライン１３から供給されるソース信号電圧が、第１電極２１ａ（Ｋ）、２１ｂ（Ｋ）および２１ｃ（Ｋ）に供給される。ＬＣＤ１００Ｋの画素構造は、マルチ画素構造ではない。

第１電極２１ａ（Ｋ）および第１電極２１ｂ（Ｋ）は、図２に示した液晶表示装置１００Ｂの第１電極２１ａおよび２１ｂと同様に、画素の列方向に沿って上下に配置されており、且つ、第１電極２１ａ（Ｋ）と第１電極２１ｂ（Ｋ）との間に、ＣＳバスライン（補助容量配線）１５が設けられている。第１電極２１ａ（Ｋ）の下端のエッジおよび第１電極２１ｂ（Ｋ）の上端のエッジ（いずれも行方向に平行）はＣＳバスライン１５と重なるように配置されている。すなわち、第１電極２１ａ（Ｋ）と第１電極２１ｂ（Ｋ）との間隙はＣＳバスライン１５上に配置されている。このような配置を採用すると、液晶分子の配向が乱れる領域はＣＳバスライン１５で遮光されるので、表示品位を向上させることができる。なお、第１電極２１ａ（Ｋ）と第１電極２１ｂ（Ｋ）との間隙はＣＳバスライン１５上に配置しなくてもよい。このような配置を採用すると、透過率を向上させることができる。

第１電極２１ａ（Ｋ）は、第１基板に垂直な方向から見たときに第１方向に延びるスリット（第１直線成分）２２ａ（Ｋ）を有するとともに、第１方向に平行な一対のエッジを有している。第１電極２１ｂ（Ｋ）は、第１方向と略９０°異なる第２方向に延びるスリット（第２直線成分）２２ｂ（Ｋ）と、第２方向に平行な一対のエッジを有している。第１方向の方位角は１３５°（または３１５°）であり、第２方向の方位角は２２５°（または４５°）である。

液晶表示装置１００Ｋは、さらに第１電極２１ｃ（Ｋ）を有し、第１電極２１ｃ（Ｋ）は、第１方向に平行なエッジと、第２方向に平行なエッジとを有している。第１電極２１ｃ（Ｋ）の第１方向に平行なエッジは、第１電極２１ａ（Ｋ）の第１方向に平行な一対のエッジの内の一方と一定の間隙を開けて配置されており、同様に、第１電極２１ｃ（Ｋ）の第２方向に平行なエッジは第１電極２１ｂ（Ｋ）の第２方向に平行な一対のエッジの一方と一定の間隙を開けて配置されている。これらの間隙は、それぞれ、スリット２２ａ（Ｋ）および２２ｂ（Ｋ）と同様に、第１ドメイン規制構造として機能する。第１電極２１ａ（Ｋ）の第１方向に平行な一対のエッジの内の他方を含む切欠き部（導電層がない部分）および第１電極２１ｂ（Ｋ）の第２方向に平行な一対のエッジの内の他方を含む切欠き部も、それぞれ、第１電極２１ａ（Ｋ）と２１ｃ（Ｋ）との間隙および第１電極２１ｂ（Ｋ）と２１ｃ（Ｋ）との間隙と同様に、第１ドメイン規制構造として機能する。すなわち、液晶表示装置１００Ｋの画素が有する第１ドメイン規制構造は、ＣＳバスライン１５よりも上側に、第１方向に平行な３本の第１直線成分を有し、ＣＳバスライン１５よりも下側に、第２方向に平行な３本の第２直線成分を有することになる。

液晶表示装置１００Ｋは、図１７（ｂ）に示すように、第２電極の液晶層側には第２ドメイン規制構造として、誘電体突起４４を有している。図１７（ｂ）においては、誘電体突起４４および柱状スペーサ６２にハッチングを付して示している。

誘電体突起４４は、第１方向に延びる３本の第３直線成分４４ａ１、４４ａ２、４４ａ３（４４ａ）と、第２方向に延びる３本の第４直線成分４４ｂ１、４４ｂ２、４４ｂ３（４４ｂ）とを有している。第１基板に垂直な方向から見たときに、３本の第３直線成分は３本の第１直線成分と交互に配置されており、３本の第４直線成分は、３本の第２直線成分と交互に配置されている。このように配置された第１ドメイン規制構造および第２ドメイン規制構造によって、液晶分子が倒れる方位が互いに約９０°異なる４種類のドメインが形成される。

ＣＳバスライン１５から列方向の上側に延設されている補助容量対向電極１８ａは、誘電体突起４４ａ２と重なる様に延設された部分を有しており、ＣＳバスライン１５から列方向の下側に延設されている補助容量対向電極１８ｂは、誘電体突起４４ｂ２と重なる様に延設された部分を有している。補助容量を構成する上記電極は、光を透過しないので、画素内に配置すると、有効開口率（表示領域の面積の内で実際に表示に用いる光が透過する面積の割合）が減少する。また、誘電体突起４４が形成された部分も光の透過率が低下する。これらを重ねて配置することによって、画素内の透過領域のロスを抑制することができる。当然のことながら、補助容量を構成する電極の面積は、電気的に設計される容量値に応じて適宜設定される。

ＣＳバスライン１５の延設部である補助容量対向電極１８ａ、１８ｂおよび１８ｃは、絶縁層を介して対向する補助容量電極１６ｃと、補助容量（ＣＳ）を形成している。コンタクトホール１７ａ、１７ｂおよび１７ｃは、補助容量の上に形成されている。コンタクトホール１７ａ、１７ｂおよび１７ｃは、図４および図６を参照して説明したコンタクトホール１７ａ（Ｃ）または１７ｂ（Ｃ）と同様の構造を有している。

液晶表示装置１００Ｋでは、上述した液晶表示装置１００Ｃと同様に、液晶表示装置１００Ｂにおいて第１電極２１ａ、２１ｂの右側エッジ付近に見られた環状の暗線（図３参照）を隠すように、補助容量対向電極１８ａおよび１８ｂが配置されている。ここでは、補助容量対向電極１８ａ、１８ｂを遮光層に用いた例を示すが、補助容量電極１６ｃを遮光層として用いてもよいし、他の電極層を用いてもよい。

ＬＣＤ１００Ｋにおいて、補助容量対向電極１８ａは、行方向に平行なエッジと列方向に平行なエッジとを含む、第１電極２１ａの右下の角部（延設部２１ａＥ２（Ｋ））と重なるように形成されている。また、補助容量対向電極１８ｂは、行方向に平行なエッジと列方向に平行なエッジとを含む、第１電極２１ｂ（Ｋ）の右上の角部（延設部２１ｂＥ２（Ｋ））と重なるように形成されている。すなわち、補助容量対向電極１８ａ、１８ｂはそれぞれ対応する角部の行方向に平行なエッジの少なくとも一部および列方向に平行なエッジの少なくとも一部と重なっている。従って、ＬＣＤ１００Ｋにおいては、図３に示した環状の暗線が、補助容量対向電極１８ａ、１８ｂによって隠される。

また、補助容量対向電極１８ａは誘電体突起４４ａ２の端部と重なり、補助容量対向電極１８ｂは誘電体突起４４ｂ２の端部と重なっている。したがって、これらドメイン規制構造の端部において液晶分子の配向が乱れても、補助容量対向電極１８ａ、１８ｂによって遮光されるので、表示品位に影響しない。なお、他のドメイン規制構造（スリット２２ａ（Ｋ）、２２ｂ（Ｋ）、誘電体突起４４ａ１、４４ａ３、４４ｂ１、４４ｂ３）の端部は、ブラックマトリクス５２（Ｋ）またはＣＳバスライン１５などによって遮光されている。

さらに、ＬＣＤ１００Ｋは、ＬＣＤ１００Ｂおよび１００Ｃと同様に、第１電極２１ａおよび２１ｂが４つの延設部２１ａＥ１（Ｋ）、２１ａＥ２（Ｋ）、２１ｂＥ１（Ｋ）および２１ｂＥ２（Ｋ）を有している。

行方向（図１７中左側）に突き出た延設部２１ａＥ１（Ｋ）は、第１電極２１ａの左側エッジとスリット２２ａ（Ｋ）の延長線とが交差する第１部分と、第１電極２１ａ（Ｋ）の左側エッジと誘電体突起４４ａ２とが交差する部分である第２部分とで挟まれる部分に形成されている。

また、行方向（図１７中右側）に突き出た延設部２１ａＥ２（Ｋ）は、第１電極２１ａ（Ｋ）の右側エッジとスリット２２ａ（Ｋ）とが交差する第１部分と、第１電極２１ａ（Ｋ）の下側エッジと誘電体突起４４ａ２の延長線とが交差する部分である第２部分とで挟まれる部分に形成されている。

同様に、第１電極２１ｂ（Ｋ）は、第１電極２１ｂ（Ｋ）の左側エッジとスリット２２ｂ（Ｋ）の延長線とが交差する第１部分と、第１電極２１ｂ（Ｋ）の左側エッジと誘電体突起４４ｂ２とが交差する部分である第２部分とで挟まれる部分に、行方向（図１７中左側）に突き出た延設部２１ｂＥ１（Ｋ）を有している。また、第１電極２１ｂ（Ｋ）は、第１電極２１ｂ（Ｋ）の右側エッジとスリット２２ｂ（Ｋ）とが交差する第１部分と、第１電極２１ｂ（Ｋ）の上側エッジと誘電体突起４４ｂ２とが交差する部分である第２部分とで挟まれる部分に、行方向（図１７中右側）に突き出た延設部２１ｂＥ２（Ｋ）を有している。

延設部２１ａＥ１（Ｋ）は、第１部分のエッジに延長線が交差するスリット２２ａ（Ｋ）の延びる方向（第１方向）に平行なエッジを有している。延設部２１ａＥ１（Ｋ）はまた列方向に平行なエッジを有している。同様に、延設部２１ｂＥ１（Ｋ）は、第１部分のエッジに延長線が交差するスリット２２ｂ（Ｋ）の延びる方向（第２方向）に平行なエッジを有している。延設部２１ｂＥ１（Ｋ）はまた列方向に平行なエッジを有している。

また、延設部２１ａＥ２（Ｋ）は、第１部分のエッジに交差するスリット２２ａ（Ｋ）の延びる方向（第１方向）に平行なエッジを有しており、そのエッジはスリット２２ａ（Ｋ）のエッジと連続している。延設部２１ａＥ２（Ｋ）はまた行方向に平行なエッジを有している。同様に、延設部２１ｂＥ２（Ｋ）は、第１部分のエッジに交差するスリット２２ｂ（Ｋ）の延びる方向（第２方向）に平行なエッジを有しており、そのエッジは、スリット２２ｂ（Ｋ）のエッジと連続している。延設部２１ｂＥ２（Ｋ）はまた行方向に平行なエッジを有している。

これらの延設部２１ａＥ１（Ｋ）、２１ａＥ２（Ｋ）、２１ｂＥ１（Ｋ）および２１ｂＥ２（Ｋ）の行方向の先端は、第１基板に垂直な方向から見たとき、ブラックマトリクス５２（Ｋ）と重なるように配置されている。従って、延設部２１ａＥ１（Ｋ）、２１ａＥ２（Ｋ）、２１ｂＥ１（Ｋ）および２１ｂＥ２（Ｋ）の行方向の先端部において液晶分子の配向が乱れても、その部分はブラックマトリクス５２によって遮光されるので、表示に悪影響を及ぼさない。したがって、ＬＣＤ１００Ｋも、ＬＣＤ１００Ｂおよび１００Ｃについて説明したように、上述の補助構造を設けなくとも第１電極のエッジの近傍における液晶分子の配向乱れに起因する表示品位の低下を抑制することができる。

もちろん、上述したように、延設部を全て省略し、補助容量対向電極１８ａ（Ｃ）などの電極層を用いて、液晶分子の配向が乱れる領域を遮光してもよいが、上述したように、延設部を設けることによって、有効開口率を増大させることができる。

次に、図１８（ａ）〜（ｄ）を参照して、液晶表示装置１００Ｌの構成を説明する。液晶表示装置１００Ｌは、１つの画素に４つの第１電極２１ａ１（Ｌ）、２１ａ２（Ｌ）、２１ｂ１（Ｌ）および２１ｂ２（Ｌ）を有している。図１８（ａ）および（ｂ）はＴＦＴ基板（第１基板）およびＣＦ基板（第２基板）の平面図であり、図１８（ａ）は第１基板のゲートメタル層およびソースメタル層にハッチングを付した図であり、図１８（ｂ）は第２基板の誘電体突起および柱状スペーサにハッチングを付した図である。図１８（ｃ）および（ｄ）は、ＴＦＴ基板（第１基板）の平面図であり、図１８（ｃ）はＴＦＴ基板のゲートメタル層およびソースメタル層を示す図であり、図１８（ｄ）はＴＦＴ基板の第１電極を示す図である。

ＬＣＤ１００Ｌの各画素に設けられている４つの第１電極２１ａ１（Ｌ）、２１ａ２（Ｌ）、２１ｂ１（Ｌ）および２１ｂ２（Ｌ）は、１つのＴＦＴ１４を介してソースバスライン１３に接続されている。ＴＦＴ１４は、ゲートバスライン１２からゲートに供給されるゲート信号によって、ＯＮ／ＯＦＦ制御される。第１電極２１ａ１（Ｌ）、２１ａ２（Ｌ）、２１ｂ１（Ｌ）および２１ｂ２（Ｌ）は、ＴＦＴ１４のドレインとドレイン引出し配線１６の延設部である補助容量電極１６ｃとコンタクトホール１７ａ１、１７ａ２、１７ｂ１、１７ｂ２内でそれぞれ接続されている。ＴＦＴ１４がＯＮ状態にされると、ソースバスライン１３から供給されるソース信号電圧が、第１電極２１ａ１（Ｌ）、２１ａ２（Ｌ）、２１ｂ１（Ｌ）および２１ｂ２（Ｌ）に供給される。ＬＣＤ１００Ｌの画素構造は、マルチ画素構造ではない。

第１電極２１ａ２（Ｌ）および第１電極２１ｂ２（Ｌ）は、図２に示した液晶表示装置１００Ｂの第１電極２１ａおよび２１ｂと同様に、画素の列方向に沿って上下に配置されており、且つ、第１電極２１ａ２（Ｌ）と第１電極２１ｂ２（Ｌ）との間に、ＣＳバスライン（補助容量配線）１５が設けられている。第１電極２１ａ２（Ｌ）の下端のエッジおよび第１電極２１ｂ２（Ｌ）の上端のエッジ（いずれも行方向に平行）はＣＳバスライン１５と重なるように配置されている。すなわち、第１電極２１ａ２（Ｌ）と第１電極２１ｂ２（Ｌ）との間隙はＣＳバスライン１５上に配置されている。このような配置を採用すると、液晶分子の配向が乱れる領域はＣＳバスライン１５で遮光されるので、表示品位を向上させることができる。なお、第１電極２１ａ２（Ｌ）と第１電極２１ｂ２（Ｌ）との間隙はＣＳバスライン１５上に配置しなくてもよい。このような配置を採用すると、透過率を向上させることができる。

第１電極２１ａ１（Ｌ）および２１ａ２（Ｌ）は、それぞれ、第１基板に垂直な方向から見たときに第１方向に延びるスリット（第１直線成分）２２ａ（Ｌ）を有するとともに、第１方向に平行な一対のエッジを有している。第１電極２１ｂ１（Ｌ）および２１ｂ２（Ｌ）は、それぞれ、第１方向と略９０°異なる第２方向に延びるスリット（第２直線成分）２２ｂ（Ｌ）と、第２方向に平行な一対のエッジを有している。第１方向の方位角は１３５°（または３１５°）であり、第２方向の方位角は２２５°（または４５°）である。

第１電極２１ａ１（Ｌ）の第１方向に平行な一対のエッジの内の一方は第１電極２１ａ２（Ｌ）の第１方向に平行な一対のエッジの一方と一定の間隙を開けて配置されており、同様に、第１電極２１ｂ１（Ｌ）の第２方向に平行な一対のエッジの一方は第１電極２１ｂ２（Ｌ）の第２方向に平行な一対のエッジの一方と一定の間隙を開けて配置されている。これらの間隙は、それぞれ、スリット２２ａ（Ｌ）および２２ｂ（Ｌ）と同様に、第１ドメイン規制構造として機能する。第１電極２１ａ１（Ｌ）の第１方向に平行な一対のエッジの内の他方を含む切欠き部（導電層がない部分）、第１電極２１ａ２（Ｌ）の第１方向に平行な一対のエッジの内の他方を含む切欠き部、第１電極２１ｂ１（Ｌ）の第２方向に平行な一対のエッジの内の他方を含む切欠き部、および第１電極２１ｂ２（Ｌ）の第２方向に平行な一対のエッジの内の他方を含む切欠き部も、それぞれ、第１電極２１ａ１（Ｌ）と２１ａ２（Ｌ）との間隙および第１電極２１ｂ１（Ｌ）と２１ｂ２（Ｌ）との間隙と同様に、第１ドメイン規制構造として機能する。すなわち、液晶表示装置１００Ｌの画素が有する第１ドメイン規制構造は、ＣＳバスライン１５よりも上側に、第１方向に平行な５本の第１直線成分を有し、ＣＳバスライン１５よりも下側に、第２方向に平行な５本の第２直線成分を有することになる。

液晶表示装置１００Ｌは、図１８（ｂ）に示すように、第２電極の液晶層側には第２ドメイン規制構造として、誘電体突起４４を有している。図１８（ｂ）においては、誘電体突起４４および柱状スペーサ６２にハッチングを付して示している。

誘電体突起４４は、第１方向に延びる４本の第３直線成分４４ａ１、４４ａ２、４４ａ３、４４ａ４（４４ａ）と、第２方向に延びる４本の第４直線成分４４ｂ１、４４ｂ２、４４ｂ３、４４ｂ４（４４ｂ）とを有している。第１基板に垂直な方向から見たときに、４本の第３直線成分は５本の第１直線成分と交互に配置されており、４本の第４直線成分は、５本の第２直線成分と交互に配置されている。このように配置された第１ドメイン規制構造および第２ドメイン規制構造によって、液晶分子が倒れる方位が互いに約９０°異なる４種類のドメインが形成される。

ＣＳバスライン１５から列方向の上側に延設されている補助容量対向電極１８ａは、誘電体突起４４ａ２と重なる様に延設された部分と誘電体突起４４ａ３と重なる様に延設された部分とを有しており、ＣＳバスライン１５から列方向の下側に延設されている補助容量対向電極１８ｂは、誘電体突起４４ｂ２と重なる様に延設された部分と誘電体突起４４ｂ３と重なる様に延設された部分を有している。

また、ＣＳバスライン１５の延設部である補助容量対向電極１８ａおよび１８ｂは、絶縁層を介して対向する補助容量電極１６ｃと、補助容量（ＣＳ）を形成している。コンタクトホール１７ａ１、１７ａ２、１７ｂ１および１７ｂ２は、補助容量の上に形成されている。コンタクトホール１７ａ１、１７ａ２、１７ｂ１および１７ｂ２は、図４および図６を参照して説明したコンタクトホール１７ａ（Ｃ）または１７ｂ（Ｃ）と同様の構造を有している。

液晶表示装置１００Ｌでは、上述した液晶表示装置１００Ｋと同様に、液晶表示装置１００Ｂにおいて第１電極の右側エッジ付近に見られた環状の暗線（図３参照）を隠すように、補助容量対向電極１８ａおよび１８ｂが配置されている。ここでは、補助容量対向電極１８ａ、１８ｂを遮光層に用いた例を示すが、補助容量電極１６ｃを遮光層として用いてもよいし、他の電極層を用いてもよい。

ＬＣＤ１００Ｌにおいて、補助容量対向電極１８ａは、行方向に平行なエッジと列方向に平行なエッジとを含む、第１電極２１ａの右下の角部（延設部２１ａ２Ｅ２（Ｌ））と重なるように形成されている。また、補助容量対向電極１８ｂは、行方向に平行なエッジと列方向に平行なエッジとを含む、第１電極２１ｂ（Ｌ）の右上の角部（延設部２１ｂ２Ｅ２（Ｌ））と重なるように形成されている。すなわち、補助容量対向電極１８ａ、１８ｂはそれぞれ対応する角部の行方向に平行なエッジの少なくとも一部および列方向に平行なエッジの少なくとも一部と重なっている。従って、ＬＣＤ１００Ｌにおいても、図３に示した環状の暗線が、補助容量対向電極１８ａ、１８ｂによって隠される。

また、補助容量対向電極１８ａは誘電体突起４４ａ２、４４ａ３の端部と重なり、補助容量対向電極１８ｂは誘電体突起４４ｂ２、４４ｂ３の端部と重なっている。したがって、これらドメイン規制構造の端部において液晶分子の配向が乱れても、補助容量対向電極１８ａ、１８ｂによって遮光されるので、表示品位に影響しない。なお、他のドメイン規制構造（スリット２２ａ（Ｌ）、２２ｂ（Ｌ）、誘電体突起４４ａ１、４４ａ４、４４ｂ１、４４ｂ４）の端部は、ブラックマトリクス５２（Ｌ）またはＣＳバスライン１５などによって遮光されている。

さらに、ＬＣＤ１００Ｌは、ＬＣＤ１００Ｋと同様に、第１電極２１ａ１（Ｌ）、２１ａ２（Ｌ）、２１ｂ１（Ｌ）および２１ｂ２（Ｌ）が４つの延設部２１ａ１Ｅ１（Ｌ）、２１ａ２Ｅ２（Ｌ）、２１ｂ１Ｅ１（Ｌ）および２１ｂ２Ｅ２（Ｌ）を有している。

行方向（図１８中左側）に突き出た延設部２１ａ１Ｅ１（Ｌ）は、第１電極２１ａ１（Ｌ）の左側エッジとスリット２２ａ（Ｌ）の延長線とが交差する第１部分と、第１電極２１ａの左側エッジと誘電体突起４４ａ２とが交差する部分である第２部分とで挟まれる部分に形成されている。

また、行方向（図１８中右側）に突き出た延設部２１ａ２Ｅ２（Ｌ）は、第１電極２１ａ２（Ｌ）の右側エッジとスリット２２ａ（Ｌ）とが交差する第１部分と、第１電極２１ａ２（Ｌ）の下側エッジと誘電体突起４４ａ３とが交差する部分である第２部分とで挟まれる部分に形成されている。

同様に、第１電極２１ｂ１（Ｌ）は、第１電極２１ｂ（Ｌ）の左側エッジとスリット２２ｂ（Ｌ）の延長線とが交差する第１部分と、第１電極２１ｂ１（Ｌ）の左側エッジと誘電体突起４４ｂ２とが交差する部分である第２部分とで挟まれる部分に、行方向（図１８中左側）に突き出た延設部２１ｂ１Ｅ１（Ｌ）を有している。また、第１電極２１ｂ２（Ｌ）は、第１電極２１ｂ２（Ｌ）の右側エッジとスリット２２ｂ（Ｌ）とが交差する第１部分と、第１電極２１ｂ２（Ｌ）の上側エッジと誘電体突起４４ｂ３とが交差する部分である第２部分とで挟まれる部分に、行方向（図１８中右側）に突き出た延設部２１ｂ２Ｅ２（Ｌ）を有している。

延設部２１ａ１Ｅ１（Ｌ）は、第１部分のエッジに延長線が交差するスリット２２ａ（Ｌ）の延びる方向（第１方向）に平行なエッジを有している。延設部２１ａ１Ｅ１（Ｌ）はまた列方向に平行なエッジを有している。同様に、延設部２１ｂ１Ｅ１（Ｌ）は、第１部分のエッジに延長線が交差するスリット２２ｂ（Ｌ）の延びる方向（第２方向）に平行なエッジを有している。延設部２１ｂ１Ｅ１（Ｌ）はまた列方向に平行なエッジを有している。

また、延設部２１ａ２Ｅ２（Ｌ）は、第１部分のエッジに交差するスリット２２ａ（Ｌ）の延びる方向（第１方向）に平行なエッジを有しており、そのエッジはスリット２２ａ（Ｌ）のエッジと連続している。延設部２１ａ２Ｅ２（Ｌ）はまた行方向に平行なエッジを有している。同様に、延設部２１ｂ２Ｅ２（Ｌ）は、第１部分のエッジに交差するスリット２２ｂ（Ｌ）の延びる方向（第２方向）に平行なエッジを有しており、そのエッジは、スリット２２ｂ（Ｌ）のエッジと連続している。延設部２１ｂ２Ｅ２（Ｌ）はまた行方向に平行なエッジを有している。

これらの延設部２１ａ１Ｅ１（Ｌ）、２１ａ２Ｅ２（Ｌ）、２１ｂ１Ｅ１（Ｌ）および２１ｂ２Ｅ２（Ｌ）の行方向の先端は、第１基板に垂直な方向から見たとき、ブラックマトリクス５２（Ｌ）と重なるように配置されている。従って、延設部２１ａ１Ｅ１（Ｌ）、２１ａ２Ｅ２（Ｌ）、２１ｂ１Ｅ１（Ｌ）および２１ｂ２Ｅ２（Ｌ）の行方向の先端部において液晶分子の配向が乱れても、その部分はブラックマトリクス５２（Ｌ）によって遮光されるので、表示に悪影響を及ぼさない。したがって、ＬＣＤ１００Ｌも、ＬＣＤ１００Ｋについて説明したように、上述の補助構造を設けなくとも第１電極のエッジの近傍における液晶分子の配向乱れに起因する表示品位の低下を抑制することができる。

もちろん、上述したように、延設部を全て省略し、補助容量対向電極１８ａ（Ｃ）などの電極層を用いて、液晶分子の配向が乱れる領域を遮光しても良いが、上述したように、延設部を設けることによって、有効開口率を増大させることができる。

上述したように、第１の発明および／または第２の発明によると、特許文献１に記載されている上述の補助構造を設けなくとも画素電極のエッジの近傍における液晶分子の配向乱れに起因する表示品位の低下を抑制することが可能なＭＶＡ型液晶表示装置が提供される。

本発明は、ＭＶＡ型液晶表示装置に広く適用される。

１２ ゲートバスライン
１３ ソースバスライン
１４ ＴＦＴ
１５ ＣＳバスライン
１６ ドレイン引き出し配線
１６ｃ 補助容量電極
１７ａ、１７ｂ コンタクトホール
１８ａ、１８ｂ 補助容量対向電極
２１ 第１電極（画素電極）
２１ａ、２１ｂ 第１電極（副画素電極）
２１ａＥ１、２１ａＥ２、２１ｂＥ１、２１ｂＥ２ 延設部
２２ スリット（開口部）、第１ドメイン規制構造
２２ａ 第１直線成分（スリット）
２２ｂ 第２直線成分（スリット）
３３ 半導体層
４４ 誘電体突起（リブ）、第２ドメイン規制構造
４４ａ、４４ａ１、４４ａ２ 第３直線成分（誘電体突起）
４４ｂ、４４ｂ１、４４ｂ２ 第４直線成分（誘電体突起）
５２ ブラックマトリクス
６２ 柱状スペーサ
１００Ａ〜１００Ｌ 液晶表示装置

Claims (12)

1. 行および列を有するマトリクス状に配列された複数の画素を有し、
   前記複数の画素のそれぞれは、第１基板と、第２基板と、前記第１基板と前記第２基板との間に設けられた垂直配向型の液晶層と、前記第１基板に形成された少なくとも１つの第１電極と、前記少なくとも１つの第１電極に前記液晶層を介して対向する第２電極と、前記第１基板に形成された第１ドメイン規制構造と、前記第２基板に形成された第２ドメイン規制構造とを有し、前記第１ドメイン規制構造は前記少なくとも１つの第１電極に形成されたスリットを含み、前記第２ドメイン規制構造は前記第２電極に形成されたスリットまたは前記第２電極の前記液晶層側に形成された誘電体突起であって、
   前記第１ドメイン規制構造は、前記第１基板に垂直な方向から見たときに第１の方向に延びる第１直線成分と、前記第１の方向と略９０°異なる第２の方向に延びる第２直線成分とを有し、前記第２ドメイン規制構造は、前記第１の方向に延びる第３直線成分と、前記第２の方向に延びる第４直線成分とを有し、前記第１および第２直線成分または前記第３および第４直線成分の少なくとも一方は複数存在し、前記第１基板の法線方向から見たときに、前記第１直線成分と前記第３直線成分とは交互に配置されており、且つ、前記第２直線成分と前記第４直線成分とは交互に配置されており、
   前記複数の画素の内の任意の画素の前記液晶層に電圧が印加されたときに、前記第１直線成分と前記第３直線成分との間および前記第２直線成分と前記第４直線成分との間に、液晶分子が倒れる方位が互いに約９０°異なる４種類のドメインを形成するＭＶＡ型の液晶表示装置であって、
   前記第１の方向および前記第２の方向は、前記行および前記列方向と交差する方向であって、
   前記少なくとも１つの第１電極は、行方向に平行な第１のエッジと、列方向に平行な第２のエッジとを含む第１の角部を有し、
   前記第１基板は、前記第１の角部の前記第１のエッジの少なくとも一部および前記第２のエッジの少なくとも一部と重なる電極層を更に有し、
   前記第１基板は、行ごとにＣＳバスラインを有し、
   前記少なくとも１つの第１電極は、前記ＣＳバスライン上に境界を有し、列方向に沿って上下に配列された２つの第１電極を含み、前記２つの第１電極の少なくとも一方が、前記第１の角部を有し、
   前記複数の画素のそれぞれに対応する２つの補助容量を有し、前記２つの補助容量は、それぞれ前記２つの第１電極の内の対応する１つに電気的に接続された補助容量電極と、絶縁層を介して前記補助容量電極に対向する補助容量対向電極を有し、前記電極層は、前記補助容量対向電極または前記補助容量電極であって、
   前記２つの第１電極の内の上側の第１電極の下端のエッジは下側に突き出た第１凸部を有し、前記２つの第１電極の内の下側の第１電極の上端のエッジは上側に突き出た第２凸部を有し、前記第１凸部の下端のエッジおよび前記第２凸部の上端のエッジは、前記ＣＳバスラインまたは前記補助容量対向電極と重なっている、液晶表示装置。
2. 行および列を有するマトリクス状に配列された複数の画素を有し、
   前記複数の画素のそれぞれは、第１基板と、第２基板と、前記第１基板と前記第２基板との間に設けられた垂直配向型の液晶層と、前記第１基板に形成された少なくとも１つの第１電極と、前記少なくとも１つの第１電極に前記液晶層を介して対向する第２電極と、前記第１基板に形成された第１ドメイン規制構造と、前記第２基板に形成された第２ドメイン規制構造とを有し、前記第１ドメイン規制構造は前記少なくとも１つの第１電極に形成されたスリットを含み、前記第２ドメイン規制構造は前記第２電極に形成されたスリットまたは前記第２電極の前記液晶層側に形成された誘電体突起であって、
   前記第１ドメイン規制構造は、前記第１基板に垂直な方向から見たときに第１の方向に延びる第１直線成分と、前記第１の方向と略９０°異なる第２の方向に延びる第２直線成分とを有し、前記第２ドメイン規制構造は、前記第１の方向に延びる第３直線成分と、前記第２の方向に延びる第４直線成分とを有し、前記第１および第２直線成分または前記第３および第４直線成分の少なくとも一方は複数存在し、前記第１基板の法線方向から見たときに、前記第１直線成分と前記第３直線成分とは交互に配置されており、且つ、前記第２直線成分と前記第４直線成分とは交互に配置されており、
   前記複数の画素の内の任意の画素の前記液晶層に電圧が印加されたときに、前記第１直線成分と前記第３直線成分との間および前記第２直線成分と前記第４直線成分との間に、液晶分子が倒れる方位が互いに約９０°異なる４種類のドメインを形成するＭＶＡ型の液晶表示装置であって、
   前記第１の方向および前記第２の方向は、前記行および前記列方向と交差する方向であって、
   前記少なくとも１つの第１電極は、行方向に平行な第１のエッジと、列方向に平行な第２のエッジとを含む第１の角部を有し、
   前記第１基板は、前記第１の角部の前記第１のエッジの少なくとも一部および前記第２のエッジの少なくとも一部と重なる電極層を更に有し、
   前記第１基板は、行ごとにＣＳバスラインを有し、
   前記少なくとも１つの第１電極は、前記ＣＳバスライン上に境界を有し、列方向に沿って上下に配列された２つの第１電極を含み、前記２つの第１電極の少なくとも一方が、前記第１の角部を有し、
   前記少なくとも１つの第１電極は、３つまたは４つの第１電極であって、前記３つまたは４つの第１電極は、前記２つの第１電極を含み、
   前記複数の画素のそれぞれに対応する３つまたは４つの補助容量を有し、前記３つまたは４つの補助容量は、それぞれ前記３つまたは４つの第１電極の内の対応する１つに電気的に接続された補助容量電極と、絶縁層を介して前記補助容量電極に対向する補助容量対向電極を有し、
   前記電極層は、前記２つの第１電極の内の対応する１つに電気的に接続された前記補助容量電極または前記絶縁層を介して前記補助容量電極に対向する前記補助容量対向電極である、液晶表示装置。
3. 前記補助容量電極上に形成された層間絶縁層をさらに有し、前記少なくとも１つの第１電極は前記補助容量電極上の前記層間絶縁層に形成されたコンタクトホール内で、前記補助容量電極と接続されている、請求項１または２に記載の液晶表示装置。
4. 前記電極層は、前記第１ドメイン規制構造または前記第２ドメイン規制構造の一部と重なっている、請求項１から３のいずれかに記載の液晶表示装置。
5. 前記少なくとも１つの第１電極は、前記第１の方向または前記第２の方向に平行なエッジを有する、請求項１から４のいずれかに記載の液晶表示装置。
6. 前記少なくとも１つの第１電極は、前記第１の方向に一列に配列された複数のスリットまたは前記第２の方向に一列に配列された複数のスリットを有する、請求項１から５のいずれかに記載の液晶表示装置。
7. 一列に配列された前記複数のスリットの間隔は８μｍ未満である、請求項６に記載の液晶表示装置。
8. 前記２つの第１電極の一方は、前記第１の方向に一列に配列された複数のスリットまたは前記第２の方向に一列に配列された複数のスリットの一方だけを有し、前記２つの第１電極の他方は、前記第１の方向に一列に配列された複数のスリットまたは前記第２の方向に一列に配列された複数のスリットの他方だけを有する、請求項１に記載の液晶表示装置。
9. 前記第２ドメイン規制構造は、前記ＣＳバスラインまたは前記補助容量対向電極の上において、それぞれの行方向に平行なエッジを互いに対向させて配置された前記第３直線成分と前記第４直線成分とを有し、前記第３直線成分の前記エッジと前記第４直線成分の前記エッジとの間隙は８μｍ未満である、請求項８に記載の液晶表示装置。
10. 前記２つの第１電極の一方は、前記第１の方向に一列に配列された複数のスリットまたは前記第２の方向に一列に配列された複数のスリットの一方だけを有し、前記２つの第１電極の他方は、前記第１の方向に一列に配列された複数のスリットまたは前記第２の方向に一列に配列された複数のスリットの他方だけを有する、請求項２に記載の液晶表示装置。
11. 前記第１基板の法線方向から見たとき、前記補助容量電極は上下方向または左右方向にくぼみを有するＵ字形状をしている、請求項１から１０のいずれかに記載の液晶表示装置。
12. 前記少なくとも１つの第１電極の前記第１の角部の前記第１のエッジおよび前記第２のエッジに対応する、前記第２の基板上の位置には、前記第２電極に形成されたスリットまたは前記第２電極の前記液晶層側に形成された誘電体突起は形成されていない、請求項１から１１のいずれかに記載の液晶表示装置。

Images