JP5169737B2 - Electro-optical device and electronic apparatus - Google Patents
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本発明は、電気光学装置及び電子機器に係り、特に有機エレクトロルミネッセンス材料を備えた電気光学装置及び当該電気光学装置を備える電子機器に関する。 The present invention relates to an electro-optical device and an electronic apparatus, and more particularly, to an electro-optical device including an organic electroluminescence material and an electronic apparatus including the electro-optical device.
近年、画素電極（陽極）及び陰極の間に、有機蛍光材料等の発光材料からなる発光素子が挟持された構造のカラー電気光学装置、特に発光材料として有機エレクトロルミネッセンス（有機ＥＬ）材料を用いた有機ＥＬ表示装置の開発が行われている。以下、従来の電気光学装置（有機ＥＬ表示装置）について簡単に説明する。 In recent years, a color electro-optical device having a structure in which a light emitting element made of a light emitting material such as an organic fluorescent material is sandwiched between a pixel electrode (anode) and a cathode, in particular, an organic electroluminescence (organic EL) material is used as the light emitting material. An organic EL display device has been developed. A conventional electro-optical device (organic EL display device) will be briefly described below.
図１３は、従来の電気光学装置の配線構造を示す図である。図１３に示すように、従来の電気光学装置は、複数の走査線９０１と、走査線９０１に対して交差する方向に延びる複数の信号線９０２と、信号線９０２に並行して延びる複数の発光用電源配線９０３とがそれぞれ配線され、走査線９０１と信号線９０２との各交点毎に、画素領域Ａが設けられている。各信号線９０２は、シフトレジスタ、レベルシフタ、ビデオライン、及びアナログスイッチを備えるデータ側駆動回路９０４に接続されており、各走査線９０１は、シフトレジスタ及びレベルシフタを備える走査側駆動回路９０５に接続されている。
FIG. 13 is a diagram illustrating a wiring structure of a conventional electro-optical device. As shown in FIG. 13, the conventional electro-optical device includes a plurality of
また、画素領域Ａの各々には、走査線９０１を介して走査信号がゲート電極に供給されるスイッチング薄膜トランジスタ９１３と、このスイッチング薄膜トランジスタ９１３を介して信号線９０２から供給される画像信号を保持する保持容量Ｃａｐと、保持容量Ｃａｐによって保持された画像信号がゲート電極に供給されるカレント薄膜トランジスタ９１４と、このカレント薄膜トランジスタ９１４を介して発光用電源配線９０３に電気的に接続されたときに発光用電源配線９０３から駆動電流が流れ込む画素電極９１１と、この画素電極９１１と陰極９１２との間に挟み込まれる発光層９１０とが設けられている。陰極９１２は、陰極用電源回路９３１に接続されている。
Each pixel region A has a switching thin film transistor 913 to which a scanning signal is supplied to the gate electrode via the
上記の発光層９１０には、赤色に発光する発光層９１０Ｒ、緑色に発光する発光層９１０Ｇ、青色に発光する発光層９１０Ｂの３種の発光素子が含まれ、各発光層９１０Ｒ，９１０Ｇ，９１０Ｂがストライプ配置されている。そして、カレント薄膜トランジスタ９１４を介して各発光層９１０Ｒ，９１０Ｇ，９１０Ｂに接続される発光用電源配線９０３Ｒ，９０３Ｇ，９０３Ｂは、それぞれ発光用電源回路９３２に接続されている。各色毎に発光用電源配線が配線されているのは、発光層９１０の駆動電位が各色毎に異なるためである。
The light emitting layer 910 includes three types of light emitting elements, a
以上の構成において、走査線９０１に走査信号が供給されてスイッチング薄膜トランジスタ９１３がオン状態になると、そのときに信号線９０２に供給されている画像信号に応じた電荷が保持容量Ｃａｐに保持される。この保持容量Ｃａｐに保持された電荷の量に応じて、カレント薄膜トランジスタ９１４のオン・オフ状態が決まる。そして、カレント薄膜トランジスタ９１４を介して発光用電源配線９０３Ｒ，９０３Ｇ，９０３Ｂから画素電極９１１に電流が流れ、更に発光層９１０を介して陰極９１２に駆動電流が流れる。このとき、発光層９１０を流れた電流量に応じた量の発光が発光層９１０から得られる。
In the above configuration, when a scanning signal is supplied to the
ところで、図１３に示した電気光学装置は、走査線９０１、信号線９０２、陰極９１２、発光用電源配線９０３（９０３Ｒ，９０３Ｇ，９０３Ｂ）、走査側駆動回路９０５、及び画素領域Ａがガラス等の透明基板（表示基板）上に形成され、陰極用電源回路９３１、発光用電源回路９３２、及びデータ側駆動回路９０４等の回路が可撓性のあるフレキシブル基板（中継基板）上に配置された構成とされることがある。
By the way, in the electro-optical device shown in FIG. 13, the
かかる構成の場合には、基板に対してフレキシブル基板を固着させ、走査線９０１、信号線９０２、陰極９１２、及び発光用電源配線９０３とフレキシブル基板上に形成された回路とを電気的に導通させる必要がある。基板とフレキシブル基板との固着及び電気的な接続は、基板とフレキシブル基板との間に導電粒子を含む異方性導電膜を配置し、フレキシブル基板を基板に対して圧着させることにより行われる。
In such a configuration, the flexible substrate is fixed to the substrate, and the
上述した電気光学装置に設けられる発光層９１０を安定して発光させるためには、発光用電源配線９０３から画素電極９１１に印加する駆動電流の電位変動をできるだけ少なくすることが要求される。特に、図１３に示した電気光学装置は電流駆動型の電気光学装置であり、表示ムラ及びコントラスト低下等の表示上の不具合を防止するためには、陰極９１２及び発光用電源配線９０３の配線抵抗等による電圧降下を極力抑える必要がある。このため、陰極９１２及び発光用電源配線９０３は、走査線９０１及び信号線９０２よりも幅広に形成されている。
In order to stably emit light from the light emitting layer 910 provided in the above-described electro-optical device, it is required to reduce the potential fluctuation of the driving current applied from the light emitting
基板とフレキシブル基板と固着させる際には、主として圧着部において生ずる電気的抵抗の均一化を図るために、固着部の全面に亘って圧着条件を同一にしたいという要求がある。この要求を満たすためには、固着部に設けられ、上述した種々の配線が接続される端子の形状を同一にする必要がある。 When the substrate and the flexible substrate are fixed, there is a demand to make the pressure bonding conditions the same over the entire surface of the fixing portion in order to make the electrical resistance generated mainly in the pressing portion uniform. In order to satisfy this requirement, it is necessary to make the shape of the terminal provided in the fixing portion to which the above-described various wirings are connected the same.
しかしながら、上述したように、図１３に示した電気光学装置は電流駆動型の電気光学装置であるため、陰極９１２及び発光用電源配線９０３の配線幅を狭くすることは配線抵抗等による電圧降下を考慮すると困難である。また、走査線９０１及び信号線９０２は数が多く、これら全てを配置するためには細線化及び狭ピッチ化する必要があるため、走査線９０１及び信号線９０２の線幅を陰極９１２及び発光用電源配線９０３の線幅と同程度にすることも困難である。
However, as described above, since the electro-optical device shown in FIG. 13 is a current-driven electro-optical device, reducing the wiring width of the
本発明は、上記事情に鑑みてなされたものであり、表示基板と中継基板との圧着条件を固着部全体に亘って同一にすることにより、固着部における電気的抵抗の不均一性を解消することができるとともに、コントラストの低下等の表示上の不具合を生ずることがない電気光学装置、及び当該電気光学装置を備える電子機器を提供することを目的とする。 The present invention has been made in view of the above circumstances, and eliminates the non-uniformity of electrical resistance in the fixed portion by making the pressure bonding conditions of the display substrate and the relay substrate the same throughout the fixed portion. It is an object of the present invention to provide an electro-optical device that does not cause display problems such as a decrease in contrast and an electronic apparatus including the electro-optical device.
上記課題を解決するために、本発明の電気光学装置は、基板上の有効領域に設けられた、第１の電極と、第２の電極と、前記第１の電極および前記第２の電極との間に設けられた発光層と、を有する電気光学素子と、前記有効領域の外側で前記第２の電極に接続された電極用配線と、を備え、前記電極用配線は前記基板の外周をなす第１の辺、第２の辺および第３の辺に沿って形成されており、前記電極用配線は、第１配線層に設けられた第１電極用配線と、第２配線層に設けられた第２電極用配線と、を有し、前記第１電極用配線と前記第２電極用配線とは、電気的に接続されており、前記第１の辺、前記第２の辺および前記第３の辺に沿って平面的に重なることを特徴とする。
上記課題を解決するために、本発明の電気光学装置は、基板上の有効領域に設けられた、第１の電極と第２の電極との間に挟まれた機能層を有する電気光学素子を備えた、複数の画素と、前記有効領域の外側で前記第２の電極に接続された電極用配線と、を含み、前記電極用配線は、前記基板の外周をなす複数の辺のうち少なくとも３辺に沿って形成され、かつ第１配線層に設けられた第１電極用配線と、第２配線層に設けられた第２電極用配線と、を有し、前記第１電極用配線と前記第２電極用配線とは、電気的に接続されており、かつ少なくとも１部分は平面的に重なっていることを特徴とする。
上記課題を解決するために、本発明の電気光学装置の製造方法は、外部接続用端子が形成された電気光学装置の製造方法であって、前記外部接続用端子を、導電材料を含有した液体材料を塗布することにより形成する工程を有することを特徴とする。
In order to solve the above problems, an electro-optical device according to the present invention includes a first electrode, a second electrode, the first electrode, and the second electrode provided in an effective region on a substrate. An electro-optic element having a light emitting layer provided between, and an electrode wiring connected to the second electrode outside the effective region, the electrode wiring extending around the outer periphery of the substrate Formed along the first side, the second side, and the third side, and the electrode wiring is provided in the first wiring layer provided in the first wiring layer and the second wiring layer. a wiring and a second electrode which is a, wherein the first electrode wire and the second electrode wiring lines, are electrically connected, the first side, said second side and said It is characterized by overlapping in a plane along the third side.
In order to solve the above problems, an electro-optical device according to the present invention includes an electro-optical element having a functional layer sandwiched between a first electrode and a second electrode provided in an effective region on a substrate. A plurality of pixels, and an electrode wiring connected to the second electrode outside the effective region, wherein the electrode wiring is at least 3 of a plurality of sides forming an outer periphery of the substrate A first electrode wiring provided along the side and provided in the first wiring layer; and a second electrode wiring provided in the second wiring layer, wherein the first electrode wiring and the The second electrode wiring is electrically connected, and at least one portion overlaps in a plane.
In order to solve the above problems, an electro-optical device manufacturing method of the present invention is an electro-optical device manufacturing method in which an external connection terminal is formed, and the external connection terminal is a liquid containing a conductive material. It has the process of forming by apply | coating material, It is characterized by the above-mentioned.
また、少なくとも前記第１電極用配線と前記第２電極用配線のどちらか一方は、前記第１の辺、前記第２の辺および前記第３の辺に沿って前記第２の電極と電気的に接続されていることを特徴とする。
また、前記第１電極用配線および前記第２電極用配線は、前記基板の外周をなす複数の辺のうち３辺に沿って平面的に重なっていることを特徴とする。
また、前記第１の電極に接続されたトランジスタを有し、前記トランジスタのゲート電極は、前記第１配線層に設けられ、前記トランジスタのソース又はドレイン電極は、前記第２配線層に設けられていることを特徴とする。
また、前記機能層は、有機エレクトロルミネッセンス材料から構成されていることを特徴とする。
また、前記外部接続用端子には凸状の絶縁膜が形成されてなり、前記凸部によって形成された領域に前記液体材料を塗布することを特徴とする。
Further, at least one of the first electrode wiring and the second electrode wiring is electrically connected to the second electrode along the first side, the second side, and the third side. It is characterized by being connected to.
Further, the first electrode wiring and the second electrode wiring overlap in a plane along three sides among a plurality of sides forming the outer periphery of the substrate.
A transistor connected to the first electrode; a gate electrode of the transistor is provided in the first wiring layer; and a source or drain electrode of the transistor is provided in the second wiring layer. It is characterized by being.
The functional layer is made of an organic electroluminescent material.
Further, a convex insulating film is formed on the external connection terminal, and the liquid material is applied to a region formed by the convex portion.
また、前記液体液体材料をインクジェット法により塗布することを特徴とする。 Further, the liquid liquid material is applied by an ink jet method.
また、上記製造方法を用いて製造されたことを特徴とする電気光学装置。 An electro-optical device manufactured using the above manufacturing method.
さらには上記に記載の電気光学装置を備えることを特徴とする電子機器。 Furthermore, an electronic apparatus comprising the electro-optical device described above.
以下、図面を参照して本発明の一実施形態による電気光学装置及び電子機器について詳細に説明する。尚、以下の説明で参照する各図は、各層や各部材を図面上で認識可能な程度の大きさとするため、各層や各部材毎に縮尺を異ならせてある。 Hereinafter, an electro-optical device and an electronic apparatus according to an embodiment of the invention will be described in detail with reference to the drawings. Each drawing referred to in the following description has a different scale for each layer and each member so that each layer and each member can be recognized on the drawing.
図１は、本発明の一実施形態による電気光学装置を模式的に示す分解斜視図である。図１に示すように、本実施形態の電気光学装置１０は、大別すると表示基板２０と、表示基板２０に接続される中継基板３０とから構成される。表示基板２０は、スイッチング素子として薄膜トランジスタ（Thin Film Transistor）を用いたアクティブマトリクス方式の有機ＥＬ装置である。
FIG. 1 is an exploded perspective view schematically showing an electro-optical device according to an embodiment of the present invention. As shown in FIG. 1, the electro-
この表示基板２０には、複数の走査線２１が形成されており、この走査線２１に交差する方向に延びる複数の信号線２２が形成されている。また、表示基板２０には、発光素子が複数形成された表示素子２０ａが設けられている。更に、図１においては図示を省略しているが、表示基板２０には電源線及び陰極が形成されている。また、表示基板２０の一端には、走査線２１、信号線２２、並びに不図示の電源線及び陰極各々に対する外部接続端子２７が形成されている。
A plurality of
尚、図１に示した電気光学装置１０は、あくまでも主要な構成を模式的に示したものであり、実際の走査線２１、信号線２２、及び外部接続端子２７は、極めて狭い間隔をもって多数が表示基板２０上にそれぞれ形成されている点に注意されたい。また、外部接続端子２７と走査線２１との接続状態との接続状態も図１においては図示を省略している。
The electro-
中継基板３０は、可撓性を有するベース基板３１上に複数の配線３２が形成されており、更に中継基板３０の所定位置に半導体チップ３３を搭載した構成である。配線３２の一端には、表示基板２０に形成された走査線２１及び信号線２２等の配線と電気的に接続するための外部接続端子３４が形成されている。尚、図１では、中継基板３０上に半導体チップ３３のみが実装された構成であるが、半導体チップ３３が実装される部位以外の部位の所定位置に抵抗、コンデンサ、その他のチップ部品を実装しても良い。また、中継基板３０に形成される配線３２及び外部接続端子３４も、その構造の理解を容易にするために、間隔を拡大して模式的に示すとともに、構造を簡略化して図示してある。
The
図１に示すように、中継基板３０は、異方性導電膜４０を介して表示基板２０に固着される。このとき、中継基板３０の外部接続端子３４は異方性導電膜４０を介して表示基板２０の外部接続端子２７と電気的に接続される。この異方性導電膜４０は、一対の端子間を異方性を持たせて電気的に一括接続するために用いられる導電性のある高分子フィルムであって、例えば、図２に示すように、熱可塑性又は熱硬化性の接着用樹脂４１ａの中に多数の導電粒子４１ｂを分散させることによって形成される。
As shown in FIG. 1, the
図２は、異方性導電膜４０により中継基板３０と表示基板２０とが固着される様子を示す断面図である。図２に示すように、表示基板２０に形成された外部接続端子２７と中継基板３０に形成された外部接続端子３４との間に導電粒子４１ｂが挟持されるため、外部接続端子２７と中継配線である外部接続端子３４との間が電気的に接続されることになる。一方、外部接続端子２７及び外部接続端子３４が形成されている部位以外の部位においては、導電粒子４１ｂが挟持されていても、接続端子が存在しないため、導通は取れていない。このようにして、外部接続端子２７及び外部接続端子３４との間のみで導通をとることができる。
FIG. 2 is a cross-sectional view showing how the
異方性導電膜４０を用いて表示基板２０と中継基板３０とを固着させるには、表示基板２０を表面が粗面とされた案内板を有する載置台（何れも図示省略）上に配置し、表示基板２０を真空吸着する。このとき、少なくとも表示基板２０に対して中継基板３０が固着される部位が案内板の上方に位置するように表示基板２０を載置台上に載置する。ここで、表面が粗面とされた案内板を用いるのは、案内板と表示基板２０の接触面積を低減して案内板からの熱放散を抑えることで、表示基板２０に加える温度を低下させるためである。
In order to fix the
表示基板２０の載置台上への載置が完了すると、中継基板３０が固着される表示基板２０の部位に異方性導電膜４０を貼付し、更に、半導体チップ３３が搭載された面を下側にして、外部接続端子３４が異方性導電膜４０の上方に位置するように中継基板３０の位置合わせを行う。以上の工程が終了すると、図示しない加熱加圧ヘッドを用いて外部接続端子３４が形成されている面の裏面を加熱・加圧して、外部接続端子３４と表示基板２０に形成されている外部接続端子２７との導通をとるとともに、中継基板３０を表示基板２０に固着させる。このとき、加熱加圧ヘッドから中継基板３０及び表示基板２０に加える温度は百数十〜数百°程度であり、加える圧力は数メガパスカルである。以上の工程を経ることにより、中継基板３０を表示基板２０に固着させることができる。
When the mounting of the
次に、本実施形態の電気光学装置１０の配線構造の詳細について説明する。図３は、本発明の一実施形態による電気光学装置の配線構造を模式的に示す図である。図３に示したように電気光学装置１０は、複数の走査線２１と、走査線２１に対して交差する方向に延びる複数の信号線２２と、信号線２２に並行して延びる複数の発光用電源配線２３とがそれぞれ配線されており、走査線２１及び信号線２２の各交点付近に、画素領域Ａが設けられている。
Next, details of the wiring structure of the electro-
各信号線２２には、シフトレジスタ、レベルシフタ、ビデオライン、及びアナログスイッチを備えるデータ側駆動回路３３ａが接続されている。また、各信号線２２には、薄膜トランジスタを備える検査回路２５が接続されている。更に、各走査線２１には、シフトレジスタ及びレベルシフタを備える走査線駆動回路２４が接続されている。
Each
また、画素領域Ａの各々には、スイッチング薄膜トランジスタ５２、保持容量Ｃａｐ、カレント薄膜トランジスタ５３、画素電極５１、発光層５０、及び陰極２６が設けられる。スイッチング薄膜トランジスタ５２は、そのゲート電極に走査線２１が接続されており、走査線２１から供給される走査信号に応じて駆動されてオン状態又はオフ状態となる。保持容量Ｃａｐは、スイッチング薄膜トランジスタ５２を介して信号線２２から供給される画像信号を保持する。
In each of the pixel regions A, a switching
カレント薄膜トランジスタ５３は、そのゲート電極がスイッチング薄膜トランジスタ５２及び保持容量Ｃａｐに接続されており、保持容量Ｃａｐによって保持された画像信号がゲート電極に供給される。画素電極５１は、カレント薄膜トランジスタ５３に接続されており、カレント薄膜トランジスタ５３を介して発光用電源配線２３に電気的に接続したときに発光用電源配線２３から駆動電流が流れ込む。発光層５０は画素電極５１と陰極２６との間に挟み込まれている。
The gate electrode of the current
上記、発光層５０には、赤色に発光する発光層５０Ｒ、緑色に発光する発光層５０Ｇ、及び青色に発光する発光層５０Ｂの３種の発光素子が含まれ、各発光層５０Ｒ，５０Ｇ，５０Ｂがストライプ配置されている。そして、カレント薄膜トランジスタ５３を介して各発光層５０Ｒ，５０Ｇ，５０Ｂに接続される発光用電源配線２３Ｒ，２３Ｇ，２３Ｂがそれぞれ、発光用電源回路３３ｃに接続されている。各色毎に発光用電源配線２３Ｒ，２３Ｇ，２３Ｂが配線されているのは、発光層５０Ｒ，５０Ｇ，５０Ｂの駆動電位が各色毎に異なるためである。
The
また、本実施形態の電気光学装置においては、陰極２６と発光用電源配線２３Ｒ，２３Ｇ，２３Ｂとの間に静電容量Ｃ1が形成されている。電気光学装置１０が駆動するとこの静電容量Ｃ1に電荷が蓄積される。電気光学装置１０の駆動中に各発光用電源配線２３を流れる駆動電流の電位が変動した場合には、蓄積された電荷が各発光用電源配線２３に放電されて駆動電流の電位変動を抑制する。これにより、電気光学装置１０の画像表示を正常に保つことができる。
In the electro-optical device of this embodiment, a capacitance C 1 is formed between the
尚、この電気光学装置１０においては、走査線２１から走査信号が供給されてスイッチング薄膜トランジスタ５２がオン状態になると、そのときの信号線２２の電位が保持容量Ｃａｐに保持され、保持容量Ｃａｐに保持された電位に応じてカレント薄膜トランジスタ５３のオン・オフ状態が決まる。そして、カレント薄膜トランジスタ５３のチャネルを介して、発光用電源配線２３Ｒ，２３Ｇ，２３Ｂから画素電極５１に駆動電流が流れ、更に発光層５０Ｒ，５０Ｇ，５０Ｂを介して陰極２６に電流が流れる。このとき、発光層５０を流れた電流量に応じた量の発光が発光層５０から得られる。
In the electro-
次に、本実施形態の電気光学装置１０の具体的な構成について、図４及び図５を参照して説明する。図４は、本実施形態の電気光学装置の平面模式図であり、図５は、図４のＡ−Ａ’線に沿う断面図である。図４に示すように、本実施形態の電気光学装置１０は、基板６０、不図示の画素電極群領域、発光用電源配線２３（２３Ｒ，２３Ｇ，２３Ｂ）、及び表示画素部６１（図中一点鎖線の枠内）とから概略構成される。
Next, a specific configuration of the electro-
基板６０は、例えばガラス等からなる透明な基板である。画素電極群領域は、図３に示したカレント薄膜トランジスタ５３に接続された画素電極（図示省略）を基板６０上にマトリックス状に配置した領域である。発光用電源配線２３（２３Ｒ，２３Ｇ，２３Ｂ）は、図４に示したように、画素電極群領域の周囲に配置され、各画素電極に接続されている。表示画素部６１は、少なくとも画素電極群領域上に位置し、平面視略矩形形状である。この表示画素部６１は、中央部分の実表示領域（又は、有効表示領域ともいう）６２（図中二点鎖線の枠内）と、実表示領域６２の外側に配置されたダミー領域６３（一点鎖線及び二点鎖線の間の領域）とに区画されている。
The
また、実表示領域６２の図中両側には、走査線駆動回路２４が配置されている。この走査線駆動回路２４はダミー領域６３の下層側（基板６０側）に位置して設けられている。更に、ダミー領域６３の下層側には、走査線駆動回路２４に接続される走査線駆動回路用制御信号配線２４ａと走査線駆動回路用電源配線２４ｂとが設けられている。また更に、実表示領域６２の図中上側には、前述の検査回路２５が配置されている。この検査回路２５はダミー領域６３の下層側（基板側２）に位置して設けられており、この検査回路２５により、製造途中や出荷時の電気光学装置の品質、欠陥の検査を行うことができる。
Further, the scanning
図４に示すように、発光用電源配線２３Ｒ，２３Ｇ，２３Ｂは、ダミー領域６３の周囲に配設されている。各発光用電源配線２３Ｒ，２３Ｇ，２３Ｂは、基板６０の図２中下側から走査線駆動回路用制御信号配線２４ａに沿って図４中上方に延在し、走査線駆動回路用制御信号配線２４ａが途切れた位置から折曲してダミー領域６３の外側に沿って延在し、実表示領域６２内にある図示略の画素電極に接続されている。また、基板６０には、陰極２６に接続される陰極用配線２６ａが形成されている。この陰極用配線２６ａは、発光用電源配線２３Ｒ，２３Ｇ，２３Ｂを囲むように平面視略コ字状に形成されている。
As shown in FIG. 4, the light-emitting
次に、図５に示すように、基板６０上には回路部１１が形成され、この回路部１１上に表示画素部６１が形成されている。また、基板６０には、表示画素部６１を環状に囲む封止材１３が形成されており、更に表示画素部６１上に封止基板１４が備えられている。封止基板１４は、封止材１３を介して基板６０に接合されており、ガラス、金属、又は樹脂等からなるものである。この封止基板１４の裏側には、吸着剤１５が貼付され、表示画素部６１と封止基板１４との間の空間に混入した水又は酸素を吸収できるようになっている。尚、吸着剤１５に代えてゲッター剤を用いても良い。また、封止材１３は、例えば熱硬化樹脂又は紫外線硬化樹脂からなるものであり、特に熱硬化樹脂の一種であるエポキシ樹脂よりなることが好ましい。
Next, as shown in FIG. 5, the
回路部１１の中央部分には、画素電極群領域１１ａが設けられている。この画素電極群領域１１ａには、カレント薄膜トランジスタ５３と、カレント薄膜トランジスタ５３に接続された画素電極５１が備えられている。カレント薄膜トランジスタ５３は、基板６０上に積層された下地保護層２８１、第２層間絶縁層２８３、及び第１層間絶縁層２８４に埋め込まれて形成され、画素電極５１は、第１層間絶縁層２８４上に形成されている。カレント薄膜トランジスタ５３に接続され、第２層間絶縁層２８３上に形成された電極の一方（ソース電極）には、発光用電源配線２３（２３Ｒ，２３Ｇ，２３Ｂ）が接続されている。尚、回路部１１には、前述した保持容量Ｃａｐ及びスイッチング薄膜トランジスタ５２も形成されているが、図５ではこれらの図示を省略している。更に、図５においては、信号線２２の図示を省略している。
A pixel
次に、図５において、画素電極群領域１１ａの図中両側には、前述の走査線駆動回路２４が設けられている。図４に示した走査線駆動回路２４には、シフトレジスタに含まれるインバータを構成するＮチャネル型又はＰチャネル型の薄膜トランジスタ２４ｃが備えられ、この薄膜トランジスタ２４ｃは、画素電極５１に接続されていない点を除いて上記のカレント薄膜トランジスタ５３と同様の構造とされている。尚、図５においては、検査回路２５の図示を省略しているが、この検査回路２５にも同様に薄膜トランジスタが備えられている。検査回路２５に備えられている薄膜トランジスタは、後述するダミー画素電極５１’に接続されていない点を除いてカレント薄膜トランジスタ５３と同様の構造とされている。
Next, in FIG. 5, the above-described scanning
図５に示すように、走査線駆動回路２４の図中外側の下地保護層２８１上には、走査線駆動回路用制御信号配線２４ａが形成されている。また、走査線駆動回路用制御信号配線２４ａの外側の第２層間絶縁層２８３上には、走査線駆動回路用電源配線２４ｂが形成されている。また、走査線駆動回路用電源配線２４ｂの外側には、発光用電源配線２３が形成されている。この発光用電源配線２３は、２つの配線からなる二重配線構造を採用しており、前述したように表示画素部６１の外側に配置されている。二重配線構造を採用することで配線抵抗を軽減できる。
As shown in FIG. 5, a scanning line driving circuit
例えば、図５中左側にある赤色用の発光用電源配線２３Ｒは、下地保護層２８１上に形成された第１配線２３Ｒ1と、第２層間絶縁層２８３を介して第１配線２３Ｒ1上に形成された第２配線２３Ｒ2とから構成されている。第１配線２３Ｒ1及び第２配線２３Ｒ2は、図４および５に示すように第２層間絶縁層２８３を貫通するコンタクトホール２３Ｒ3により接続されている。このように、第１配線２３Ｒ1は、陰極用配線２６ａと同じ階層位置に形成されており、第１配線２３Ｒ1と陰極用配線２６ａとの間は第２層間絶縁層２８３が配置されている。また、図５に示す通り、陰極用配線２６ａはコンタクトホールを介して第２層間絶縁層２８３上に形成された陰極用配線２６ｂと電気的に接続されおり、いわば陰極用配線２６ａも二重配線構造になっている。よって、第２配線２３Ｒ2は、陰極用配線２６ｂと同じ階層位置に形成されており、第２配線２３Ｒ2と陰極用配線２６ｂとの間は第１層間絶縁層２８４が配置されている。このような構造をとることで、第１配線２３Ｒ1と陰極用配線２６ａとの間、及び、第２配線２３Ｒ2と陰極用配線２６ｂとの間に第２の静電容量Ｃ2が形成されている。
For example, the red light-emitting
同様に、図５の右側にある青色及び緑色用の発光用電源配線２３Ｇ，２３Ｂも二重配線構造を採用しており、それぞれ下地保護層２８１上に形成された第１配線２３Ｇ1，２３Ｂ1と、第２層間絶縁層２８３上に形成された第２配線２３Ｇ2，２３Ｂ2とから構成され、第１配線２３Ｇ1，２３Ｂ1及び第２配線２３Ｇ2，２３Ｂ2は、図４に示すように第２層間絶縁層２８３を貫通するコンタクトホール２３Ｇ3，２３Ｂ3により接続されている。そして、青色の第１配線２３Ｂ1と陰極用配線２６ａの間、及び、青色の第２配線２３Ｂ2と陰極用配線２６ｂとの間に第２の静電容量Ｃ2が形成されている。
Similarly, the blue and green light-emitting
第１配線２３Ｒ1と第２配線２３Ｒ2との間隔は、例えば、０．６〜１．０μｍの範囲が好ましい。間隔が０．６μｍ未満であると、信号線２２及び走査線２１のような異なる電位を有するソースメタルとゲートメタルとの間の寄生容量が増えるため好ましくない。例えば、実表示領域６２内においては、ソースメタルとゲートメタルとが交差する箇所が多く存在し、かかる箇所の寄生容量が多いと画像信号の時間遅延を引き起こす虞がある。その結果として、定められた期間内に画像信号を画素電極５１に書き込むことができないため、コントラストの低下を引き起こす。第１配線２３Ｒ1及び第２配線２３Ｒ2に挟まれる第２層間絶縁層２８３の材質は、例えばＳｉＯ2等が好ましいが、１．０μｍ以上形成するとＳｉＯ2の応力により基板６０が割れる恐れが生じる。
The distance between the
また、各発光用電源配線２３Ｒの上側には、表示画素部６１から延出した陰極２６が形成されている。これにより、各発光用電源配線２３Ｒの第２配線２３Ｒ2が、第１層間絶縁層２８４を挟んで陰極２６と対向配置され、これにより第２配線２３Ｒ2と陰極２６との間に前述の第１の静電容量Ｃ1が形成される。ここで、第２配線２３Ｒ2と陰極２６との間隔は、例えば、０．６〜１．０μｍの範囲が好ましい。間隔が０．６μｍ未満だと、画素電極及びソースメタルのような異なる電位を有する画素電極とソースメタルとの間の寄生容量が増える為、ソースメタルを用いている信号線の配線遅延が生じる。その結果、定められた期間内に画像信号を書き込むことができない為、コントラストの低下を引き起こす。第２配線２３Ｒ2と陰極２６に挟まれる第１層間絶縁層２８４の材質は、例えばＳｉＯ2やアクリル樹脂等が好ましい。しかしながら、ＳｉＯ2を１．０μｍ以上形成すると応力により基板６０が割れる恐れが生じる。また、アクリル樹脂の場合は、２．０μｍ程度まで形成することができるが、水を含むと膨張する性質があるため、その上に形成する画素電極を割る恐れがある。
Further, a
このように、表示基板２０には、発光用電源配線２３と陰極２６との間に第１の静電容量Ｃ1が設けられるので、発光用電源配線２３を流れる駆動電流の電位が変動した場合に第１の静電容量Ｃ1に蓄積された電荷が発光用電源配線２３に供給され、駆動電流の電位不足分がこの電荷により補われて電位変動を抑制することができ、発光装置１の画像表示を正常に保つことができる。特に、発光用電源配線２３と陰極２６とが表示画素部６１の外側で対向しているので、発光用電源配線２３と陰極２６との間隔を小さくして第１の静電容量Ｃ1に蓄積される電荷量を増大させることができ、駆動電流の電位変動をより小さくして画像表示を安定に行うことができる。更に、発光用電源配線２３が第１配線及び第２配線からなる二重配線構造を有し、第１配線と陰極用配線との間に第２の静電容量Ｃ2が設けられているので、第２の静電容量Ｃ2に蓄積された電荷も発光用電源配線２３に供給されるため、電位変動をより抑制することができ、発光装置１の画像表示をより正常に保つことができる。
As described above, the
次に、表示画素部６１の実画素領域６２には、発光層５０及びバンク部（絶縁部）１２２が形成されている。発光層５０は図５に示すように、画素電極５１上の各々に積層されている。また、バンク部１２２は、各画素電極５１及び各発光層５０の間に備えられており、各発光層５０を区画している。バンク部１２２は、基板６０側に位置する無機物バンク層１２２ａと基板６０から離れて位置する有機物バンク層１２２ｂとが積層されて構成されている。尚、無機物バンク層１２２ａと有機物バンク層１２２ｂとの間に遮光層を配置してもよい。
Next, the
無機物、有機物バンク層１２２ａ，１２２ｂは、画素電極５１の周縁部上に乗上げるまで延出形成されており、また無機物バンク層１２２ａは、有機物バンク層１２２ｂよりも画素電極５１の中央側に延出形成されている。また、無機物バンク層１２２ａは、例えば、ＳｉＯ2、ＴｉＯ2、ＳｉＮ等の無機材料からなることが好ましい。また無機物バンク層１２２ａの膜厚は、５０〜２００ｎｍの範囲が好ましく、特に１５０ｎｍがよい。膜厚が５０ｎｍ未満では、無機物バンク層１２２ａが後述する正孔注入／輸送層より薄くなり、正孔注入／輸送層の平坦性を確保できなくなるので好ましくない。また膜厚が２００ｎｍを越えると、無機物バンク層１２２ａによる段差が大きくなって、正孔注入／輸送層上に積層する後述の発光層の平坦性を確保できなくなるので好ましくない。
The inorganic and
更に、有機物バンク層１２２ｂは、アクリル樹脂、ポリイミド樹脂等の通常のレジストから形成されている。この有機物バンク層１２２ｂの厚さは、０．１〜３．５μｍの範囲が好ましく、特に２μｍ程度がよい。厚さが０．１μｍ未満では、後述する正孔注入／輸送層及び発光層の合計厚より有機物バンク層１２２ｂが薄くなり、発光層が上部開口部から溢れるおそれがあるので好ましくない。また、厚さが３．５μｍを越えると、上部開口部による段差が大きくなり、有機物バンク層１２２ｂ上に形成する陰極２６のステップカバレッジを確保できなくなるので好ましくない。また、有機物バンク層１２２ｂの厚さを２μｍ以上にすれば、陰極２６と画素電極５１との絶縁を高めることができる点でより好ましい。
このようにして、発光層５０は、バンク部１２２より薄く形成されている。
Furthermore, the
In this way, the
また、バンク部１２２の周辺には、親液性を示す領域と、撥液性を示す領域が形成されている。親液性を示す領域は、無機物バンク層１２２ａ及び画素電極５１であり、これらの領域には、酸素を反応ガスとするプラズマ処理によって水酸基等の親液基が導入されている。また、撥液性を示す領域は、有機物バンク層１２２ｂであり、４フッ化メタンを反応ガスとするプラズマ処理によってフッ素等の撥液基が導入されている。
Further, an area showing lyophilicity and an area showing liquid repellency are formed around the
発光層５０は、画素電極５１上に積層された図示せぬ正孔注入／輸送層上に積層されている。尚、本明細書では、発光層５０及び正孔注入／輸送層を含む構成を機能層といい、画素電極５１、機能層、及び陰極２６含む構成を発光素子という。正孔注入／輸送層は、正孔を発光層５０に注入する機能を有するとともに、正孔を正孔注入／輸送層内部において輸送する機能を有する。このような正孔注入／輸送層を画素電極５１と発光層５０の間に設けることにより、発光層５０の発光効率、寿命等の素子特性が向上する。また、発光層５０では、正孔注入／輸送層から注入された正孔と、陰極２６からの電子とが結合して蛍光を発生させる。発光層５０は、赤色（Ｒ）に発光する赤色発光層、緑色（Ｇ）に発光する緑色発光層、及び青色（Ｂ）に発光する青色発光層の３種類を有し、図３及び図４に示すように、各発光層がストライプ配置されている。
The
次に、図５に示したように、表示画素部６１のダミー領域６３には、ダミー発光層２１０及びダミーバンク部２１２が形成されている。ダミーバンク部２１２は、基板６０側に位置するダミー無機物バンク層２１２ａと基板６０から離れて位置するダミー有機物バンク層２１２ｂとが積層されて構成されている。ダミー無機物バンク層２１２ａは、ダミー画素電極５１’の全面に形成されている。またダミー有機物バンク層２１２ｂは、有機物バンク層１２２ｂと同様に画素電極５１の間に形成されている。そして、ダミー発光層２１０は、ダミー無機物バンク２１２ａを介してダミー画素電極５１’上に形成されている。
Next, as shown in FIG. 5, the dummy
ダミー無機物バンク層２１２ａ及びダミー有機物バンク層２１１ｂは、先に説明した無機物、有機物バンク層１２２ａ，１２２ｂと同様の材質、同様の膜厚を有するものである。また、ダミー発光層２１０は、図示略のダミー正孔注入／輸送層上に積層されており、ダミー正孔注入／輸送層及びダミー発光層の材質や膜厚は、前述の正孔注入／輸送層及び発光層５０と同様である。従って、上記の発光層５０と同様に、ダミー発光層２１０はダミーバンク部２１２より薄く形成されている。
The dummy
ダミー領域６３を実表示領域６２の周囲に配置することにより、実表示領域６２の発光層５０の厚さを均一にすることができ、表示ムラを抑制することができる。即ち、ダミー領域６３を配置することで、表示素子をインクジェット法によって形成する場合における吐出した組成物インクの乾燥条件を実表示領域６２内で一定にすることができ、実表示領域６２の周縁部で発光層５０の厚さに偏りが生じる虞がない。
By disposing the
次に、陰極２６は、実表示領域６２とダミー領域６３の全面に形成されるとともにダミー領域６３の外側にある基板６０上まで延出され、ダミー領域６３の外側、即ち表示画素部６１の外側で発光用電源配線２３と対向配置されている。また陰極２６の端部が、回路部１１に形成された陰極用配線２６ａに接続されている。陰極２６は、画素電極５１の対向電極として発光層５０に電流を流す役割を果たす。この陰極２６は、例えば、フッ化リチウムとカルシウムの積層体からなる陰極層２６ｂと反射層２６ｃとが積層されて構成されている。陰極２６のうち、反射層２６ｃのみが表示画素部６１の外側まで延出されている。反射層２６ｃは、発光層５０から発した光を基板６０側に反射させるもので、例えば、Ａｌ、Ａｇ、Ｍｇ／Ａｇ積層体等からなることが好ましい。更に、反射層２６ｃ上にＳｉＯ2、ＳｉＮ等からなる酸化防止用の保護層を設けても良い。
Next, the
また、図４に示すように、基板６０の一端には前述した異方性導電膜４０を用いて中継基板３０が固着されている。尚、中継基板３０上に搭載された半導体チップ３３には、図３に示したデータ側駆動回路３３ａ、陰極用電源回路３３ｂ、及び発光用電源回路３３ｃが内蔵されている。図４中の破線で囲った部分は、表示基板２０と中継基板３０との固着部を示している。図６は、図４に示した固着部６５付近の上面図である。尚、図６においては、異方性導電膜４０及び中継基板３０の図示を省略している。
As shown in FIG. 4, the
図６に示したように、固着部６５においては、外部接続端子が形成されている。外部接続端子には、線幅の細い配線各々に対して配線の幅と同程度の幅を有する第１外部接続端子が設けられ、幅広の配線に対しては線幅よりも幅の狭い複数の第２外部接続端子が設けられる。例えば、線幅の細い走査線駆動回路用制御信号配線２４ａの各々に対しては、走査線駆動回路用制御信号配線２４ａの線幅と同程度の幅を有する第１外部接続端子６７，６８，６９が設けられる。一方、幅が広い発光用電源配線２３Ｒに対しては、発光用電源配線２３Ｒの線幅よりも幅の狭い第２外部接続端子６６ａ，６６ｂ，６６ｃが設けられる。また、走査線駆動回路用制御信号配線２４ａよりも幅が狭い信号線２２に対しては、信号線２２と同程度の線幅を有する第２外部接続端子７０がそれぞれ設けられる。尚、第１外部接続端子及び第２外部接続端子の数は、基板６０に形成される配線の線幅に応じて適宜設定される。
As shown in FIG. 6, an external connection terminal is formed in the fixing
このように、基板６０に形成された配線の線幅に応じて第１外部接続端子及び第２外部接続端子の数を変えるのは、固着部６５の全面に亘って圧着条件を極力同一にするためである。つまり、図１及び図２を用いて説明したように、表示基板１０と中継基板２０とは異方性導電膜４０により固着されるが、固着条件（例えば、端子の幅、接着面積、圧力の掛かり具合等）が異なると固着部６５内部における電気的抵抗がその位置に応じて異なる。固着部６５における電気的抵抗が位置に応じて異なると、表示ムラ及びコントラスト低下等の表示上の不具合を生ずる。このために、固着部６５において、基板６０に形成された配線の線幅に応じて外部接続端子の数を変えることにより圧着条件を極力同一にしている。更に、複数の外部接続端子を設けることにより、接着面積を増大させることができる。即ち、複数の外部接続端子間に異方性導電膜を配置することができるので、強固な接着が可能となる。
As described above, the number of the first external connection terminals and the second external connection terminals is changed in accordance with the line width of the wiring formed on the
次に、固着部６５に形成される外部接続端子の構造について詳細に説明する。
図７は、図６中のＢ−Ｂ’線に沿う第２外部接続端子６６ｃ及び第２外部接続端子７０の断面図であり、図８は、図７中の外部接続端子７０の拡大図である。図７及び図８に示すように、基板６０上には下地保護層２８１が形成されており、この下地保護層２８１上にＳｉＯ2及び／又はＳｉＮを主体とするゲート絶縁層７１が形成されている。このゲート絶縁層７１は、図示しない薄膜トランジスタのチャネル領域とゲート電極とを電気的に絶縁するために形成されるものである。尚、本明細書において、「主体」とする成分とは最も含有率の高い成分のことをいうものとする。
Next, the structure of the external connection terminal formed on the fixing
7 is a cross-sectional view of the second
ゲート絶縁層７１上には信号線２２及び発光用電源配線２３Ｒが形成されており、更に信号線２２及び発光用電源配線２３Ｒ上に第２層間絶縁層２８３が形成されている。また、発光用電源配線２３、走査線駆動回路用制御信号配線２４ａは、図３に記載の走査線２１と同時に形成される。
A
上記第２層間絶縁層２８３には、信号線２２及び発光用電源配線２３Ｒの上部位置にコンタクトホールＨが複数形成されている。また、発光用電源配線２３Ｒの上方の第２層間絶縁層２８３上には電極７３が形成され、信号線２２の上方の第２層間絶縁層２８３上には電極７４，７５が形成されている。
A plurality of contact holes H are formed in the second
これらの電極７３，７４，７５は、コンタクトホールＨを形成した後でスパッタリング法等により形成されるため、コンタクトホールＨの上部にはコンタクトホールＨ内に堆積した金属材料の分だけ表面に凹部Ｂが形成される。このようにして、コンタクトホールＨを介して、第２層間絶縁層２８３に覆われた発光用電源配線２３Ｒと第２層間絶縁層２８３上に形成された電極７４との導通、及び、第２層間絶縁層２８３に覆われた信号線２２と第２層間絶縁層２８３上に形成された電極７４，７５の導通がとられる。
Since these
また、第２層間絶縁層２８３上に形成された電極７３，７４，７５の端部、側部、及びこれらの電極７３，７４，７５間には、電気的な絶縁を目的としたＳｉＮ等の無機材料からなる第１層間絶縁層２８４が形成されている。電極７３，７４，７５の上部、側部、及び周辺部には、ＩＴＯ等からなる透明電極７７が形成され、更に電極７３，７４，７５の周辺部に形成された透明電極７７及び第２外部接続端子６６ｃ，７０，７０間にはＳｉＯ2からなる保護層７８が形成されている。尚、電極７３，７４，７５は、図３に記載されているゲート線と同時に形成され、又、透明電極７７は、ＩＴＯにより形成され、画素電極（陽極）と同時に形成される。このとき、ＩＴＯなどの材料をスパッタ等の方法により形成している。
Further, the ends and sides of the
この方法とは別に、インクジェット法により導電材料を含む液体材料を塗布することにより、外部接続端子の最上面に金属層を形成することができる。なお、図９等に示されているように、外部接続端子は複数層の導電層から形成されているため、前述の例の如く最上面に限ることなく、複数層の導電層のうち少なくとも一層にこの手法を適用することができ、また全ての層をインクジェット法により形成することも可能である。 Apart from this method, a metal layer can be formed on the uppermost surface of the external connection terminal by applying a liquid material containing a conductive material by an inkjet method. As shown in FIG. 9 and the like, since the external connection terminal is formed of a plurality of conductive layers, it is not limited to the uppermost surface as in the above example, and at least one of the plurality of conductive layers. It is also possible to apply this method to all the layers, and it is also possible to form all the layers by the ink jet method.
導電膜配線用の液体材料として、本例では導電性微粒子を分散媒に分散させた分散液（液状体）が用いられ、これは水性であると油性であるとを問わない。ここで用いられる導電性微粒子は、金、銀、銅、パラジウム、及びニッケルのうち少なくとも１種類を含有する金属微粒子の他、導電性ポリマーや超電導体の微粒子などが用いられる。これらの導電性微粒子は、分散性を向上させるために表面に有機物などをコーティングして使うこともできる。導電性微粒子の表面にコーティングするコーティング材としては、例えばキシレン、トルエン等の有機溶剤やクエン酸等が挙げられる。 As the liquid material for the conductive film wiring, a dispersion liquid (liquid material) in which conductive fine particles are dispersed in a dispersion medium is used in this example, and it does not matter whether it is aqueous or oily. As the conductive fine particles used here, fine particles of conductive polymer, superconductor, and the like are used in addition to metal fine particles containing at least one of gold, silver, copper, palladium, and nickel. These conductive fine particles can be used by coating the surface with an organic substance or the like in order to improve dispersibility. Examples of the coating material that coats the surface of the conductive fine particles include organic solvents such as xylene and toluene, citric acid, and the like.
導電性微粒子の粒径は１ｎｍ以上０．１μｍ以下であることが好ましい。特に、５ｎｍ以上０．１μｍであることが好ましい。０．１μｍより大きいと、上記液滴吐出ヘッドのノズルに目詰まりが生じるおそれがある。また、５ｎｍより小さいと、導電性微粒子に対するコーテイング剤の体積比が大きくなり、得られる膜中の有機物の割合が過多となる。 The particle diameter of the conductive fine particles is preferably 1 nm or more and 0.1 μm or less. In particular, the thickness is preferably 5 nm or more and 0.1 μm. If it is larger than 0.1 μm, the nozzle of the droplet discharge head may be clogged. On the other hand, if it is smaller than 5 nm, the volume ratio of the coating agent to the conductive fine particles becomes large, and the ratio of the organic matter in the obtained film becomes excessive.
導電性微粒子を含有する液体の分散媒としては、室温での蒸気圧が０．００１ｍｍＨｇ以上２００ｍｍＨｇ以下（約０．１３３Ｐａ以上２６６００Ｐａ以下）であるものが好ましい。蒸気圧が２００ｍｍＨｇより高い場合には、吐出後に分散媒が急激に蒸発し、良好な膜を形成することが困難となる。また、分散媒の蒸気圧は０．００１ｍｍＨｇ以上５０ｍｍＨｇ以下（約０．１３３Ｐａ以上６６５０Ｐａ以下）であることがより好ましい。蒸気圧が５０ｍｍＨｇより高い場合には、インクジェット法で液滴を吐出する際に乾燥によるノズル詰まりが起こりやすい。一方、室温での蒸気圧が０．００１ｍｍＨｇより低い分散媒の場合、乾燥が遅くて膜中に分散媒が残留しやすくなり、後工程の熱・光処理後に良質の導電膜が得られにくい。 The liquid dispersion medium containing conductive fine particles preferably has a vapor pressure at room temperature of 0.001 mmHg to 200 mmHg (about 0.133 Pa to 26600 Pa). When the vapor pressure is higher than 200 mmHg, the dispersion medium rapidly evaporates after discharge, making it difficult to form a good film. The vapor pressure of the dispersion medium is more preferably 0.001 mmHg to 50 mmHg (about 0.133 Pa to 6650 Pa). When the vapor pressure is higher than 50 mmHg, nozzle clogging due to drying tends to occur when droplets are ejected by the inkjet method. On the other hand, in the case of a dispersion medium having a vapor pressure lower than 0.001 mmHg at room temperature, drying is slow and the dispersion medium tends to remain in the film, and it is difficult to obtain a high-quality conductive film after the subsequent heat / light treatment.
上記分散媒としては、上記の導電性微粒子を分散できるものであって凝集を起こさないものであれば特に限定されない。例えば、水の他に、メタノール、エタノール、プロパノール、ブタノールなどのアルコール類、ｎ−ヘプタン、ｎ−オクタン、デカン、トルエン、キシレン、シメン、デュレン、インデン、ジペンテン、テトラヒドロナフタレン、デカヒドロナフタレン、シクロヘキシルベンゼンなどの炭化水素系化合物、またエチレングリコールジメチルエーテル、エチレングリコールジエチルエーテル、エチレングリコールメチルエチルエーテル、ジエチレングリコールジメチルエーテル、ジエチレングリコールジエチルエーテル、ジエチレングリコールメチルエチルエーテル、１，２−ジメトキシエタン、ビス（２−メトキシエチル）エーテル、ｐ−ジオキサンなどのエーテル系化合物、さらにプロピレンカーボネート、γ−ブチロラクトン、Ｎ−メチル−２−ピロリドン、ジメチルホルムアミド、ジメチルスルホキシド、シクロヘキサノンなどの極性化合物を例示できる。これらのうち、微粒子の分散性と分散液の安定性、またインクジェット法への適用の容易さの点で、水、アルコール類、炭化水素系化合物、エーテル系化合物が好ましく、より好ましい分散媒としては、水、炭化水素系化合物を挙げることができる。これらの分散媒は、単独で使用してもよく、２種以上の混合物として使用してもよい。 The dispersion medium is not particularly limited as long as it can disperse the conductive fine particles and does not cause aggregation. For example, in addition to water, alcohols such as methanol, ethanol, propanol, butanol, n-heptane, n-octane, decane, toluene, xylene, cymene, durene, indene, dipentene, tetrahydronaphthalene, decahydronaphthalene, cyclohexylbenzene Hydrocarbon compounds such as ethylene glycol dimethyl ether, ethylene glycol diethyl ether, ethylene glycol methyl ethyl ether, diethylene glycol dimethyl ether, diethylene glycol diethyl ether, diethylene glycol methyl ethyl ether, 1,2-dimethoxyethane, bis (2-methoxyethyl) ether , Ether compounds such as p-dioxane, propylene carbonate, γ-butyrolactone, N-methyl 2-pyrrolidone, dimethylformamide, dimethyl sulfoxide, and cyclohexanone. Of these, water, alcohols, hydrocarbon compounds, and ether compounds are preferred from the viewpoints of fine particle dispersibility, dispersion stability, and ease of application to the inkjet method, and more preferred dispersion media , Water, and hydrocarbon compounds. These dispersion media may be used alone or as a mixture of two or more.
上記導電性微粒子を分散媒に分散する場合の分散質濃度は１質量％以上８０質量％以下であり、所望の導電膜の膜厚に応じて調整するとよい。なお、８０質量％を超えると凝集をおこしやすく、均一な膜が得にくい。 The dispersoid concentration when the conductive fine particles are dispersed in the dispersion medium is 1% by mass or more and 80% by mass or less, and may be adjusted according to the desired film thickness of the conductive film. In addition, when it exceeds 80 mass%, it will be easy to aggregate and it will be difficult to obtain a uniform film | membrane.
上記導電性微粒子の分散液の表面張力は０．０２Ｎ／ｍ以上０．０７Ｎ／ｍ以下の範囲内であることが好ましい。インクジェット法にて液体を吐出する際、表面張力が０．０２Ｎ／ｍ未満であると、インク組成物のノズル面に対する濡れ性が増大するため飛行曲りが生じやすくなり、０．０７Ｎ／ｍを超えるとノズル先端でのメニスカスの形状が安定しないため吐出量や、吐出タイミングの制御が困難になる。 The surface tension of the conductive fine particle dispersion is preferably in the range of 0.02 N / m to 0.07 N / m. When the liquid is ejected by the ink jet method, if the surface tension is less than 0.02 N / m, the wettability of the ink composition to the nozzle surface increases, and thus flight bending tends to occur, exceeding 0.07 N / m. Since the meniscus shape at the nozzle tip is not stable, it becomes difficult to control the discharge amount and the discharge timing.
表面張力を調整するため、上記分散液には、基板との接触角を大きく低下させない範囲で、フッ素系、シリコーン系、ノニオン系などの表面張力調節剤を微量添加するとよい。ノニオン系表面張力調節剤は、液体の基板への濡れ性を向上させ、膜のレベリング性を改良し、膜の微細な凹凸の発生などの防止に役立つものである。上記分散液は、必要に応じて、アルコール、エーテル、エステル、ケトン等の有機化合物を含んでもよい。 In order to adjust the surface tension, a small amount of a surface tension regulator such as a fluorine-based, silicone-based, or nonionic-based material may be added to the dispersion within a range that does not significantly reduce the contact angle with the substrate. The nonionic surface tension modifier improves the wettability of the liquid to the substrate, improves the leveling property of the film, and helps prevent the occurrence of fine irregularities in the film. The dispersion may contain an organic compound such as alcohol, ether, ester, or ketone as necessary.
上記分散液の粘度は１ｍＰａ・ｓ以上５０ｍＰａ・ｓ以下であることが好ましい。インクジェット法を用いて液体材料を液滴として吐出する際、粘度が１ｍＰａ・ｓより小さい場合にはノズル周辺部がインクの流出により汚染されやすく、また粘度が５０ｍＰａ・ｓより大きい場合は、ノズル孔での目詰まり頻度が高くなり円滑な液滴の吐出が困難となる。 The viscosity of the dispersion is preferably 1 mPa · s to 50 mPa · s. When a liquid material is ejected as droplets using the inkjet method, if the viscosity is less than 1 mPa · s, the nozzle periphery is easily contaminated by the outflow of the ink, and if the viscosity is greater than 50 mPa · s, the nozzle hole The clogging frequency of the liquid becomes high, and it becomes difficult to smoothly discharge the droplets.
以下に、金微粒子を用いた例を示す。 An example using gold fine particles is shown below.
直径１０ｎｍの金微粒子がトルエン中に分散した金微粒子分散液（真空冶金社製、商品名「パーフェクトゴールド」）にキシレンを添加し、その粘度を３ｃｐとした液体を用いた。その際、凸部の間に形成された領域（端子の平坦な部分）にインクジェット法を用いて前述の液体を塗布した。その際、端子部の平坦部上、及び凸部の表面の少なくとも平坦な領域側に金からなる金属薄膜が形成される。 Xylene was added to a gold fine particle dispersion (trade name “Perfect Gold” manufactured by Vacuum Metallurgical Co., Ltd.) in which gold fine particles having a diameter of 10 nm were dispersed in toluene, and a liquid having a viscosity of 3 cp was used. At that time, the above-described liquid was applied to a region (a flat portion of the terminal) formed between the convex portions by using an inkjet method. At that time, a metal thin film made of gold is formed on the flat portion of the terminal portion and at least on the flat region side of the surface of the convex portion.
インクジェット法として用いるインクジェット装置（液体塗布装置ともいう）は、例えば図１４に示した装置を用いることができる。 For example, the apparatus illustrated in FIG. 14 can be used as an inkjet apparatus (also referred to as a liquid coating apparatus) used as an inkjet method.
インクジェット装置は、インクジェットヘッド群１、Ｘ軸方向駆動軸４、Ｙ方向ガイド軸５、制御装置６、載置台７、クリーニング機構部８、基台９及びヒーター１５を備えている。
The ink jet device includes an ink jet head group 1, an X-axis direction drive shaft 4, a Y-
インクジェットヘッド群は所定の導電性微粒子を含有する液体をノズル（吐出口）から吐出して所定間隔で基板に付与するインクジェット塗布手段としてのヘッドを備えている。ヘッド群は、複数のノズルが形成されたヘッドが複数個配列されて形成している。この複数個配列しているヘッド群は、図１５のようなレイアウトで構成されている。すなわち、ヘッドの走査方向に対して各ヘッドを傾けて配置された構造となっている。 The ink jet head group includes a head as an ink jet application unit that discharges a liquid containing predetermined conductive fine particles from a nozzle (discharge port) and applies the liquid to a substrate at predetermined intervals. The head group is formed by arranging a plurality of heads each having a plurality of nozzles. The plurality of head groups arranged has a layout as shown in FIG. That is, each head is inclined and arranged with respect to the scanning direction of the head.
図示されているように、インクジェット装置に設けられているインクジェットヘッドは複数個配置されている。複数個のインクジェットヘッドを走査方向に対して交差する方向に傾けて配置し、インクジェットによる描画を行うことができる。例えば、走査方向に対して３０度傾けることによってインクジェット装置による描画が可能となる。インクジェットヘッドを走査方向に対して交差する方向に傾けることにより以下の効果が得られる。すなわち、形成するパターンの間隔が狭いときに、ヘッドを傾けることにより見かけ上、ノズル間隔が狭くなる。このようにすることによって、挟ピッチのパターンの描画が可能になり、しかも傾ける角度を変化させることにより、どのようなパターンでも形成することができる。なお、その場合には、インクジェットヘッドを所望の角度に変更、調整できる機能をインクジェット装置に設ける。 As shown in the drawing, a plurality of inkjet heads provided in the inkjet apparatus are arranged. A plurality of ink jet heads can be arranged to be inclined in a direction intersecting the scanning direction, and ink jet drawing can be performed. For example, it is possible to draw with an ink jet apparatus by tilting 30 degrees with respect to the scanning direction. The following effects can be obtained by tilting the inkjet head in the direction intersecting the scanning direction. That is, when the interval between patterns to be formed is narrow, the nozzle interval is apparently narrowed by tilting the head. By doing so, it becomes possible to draw a pattern with a narrow pitch, and any pattern can be formed by changing the angle of inclination. In that case, the ink jet apparatus is provided with a function capable of changing and adjusting the ink jet head to a desired angle.
以下にインクジェットヘッド、及びユニットについて詳細に説明する。 The inkjet head and unit will be described in detail below.
〔ヘッドユニットの構成〕
次に、ヘッドユニット４２０の構成について説明する。図１５は、液滴吐出処理装置に設けられたヘッドユニットを示す平面図である。図２６は、ヘッドユニットを示す側面図である。図２７は、ヘッドユニットを示す正面図である。図２８は、ヘッドユニットを示す断面図である。
[Configuration of head unit]
Next, the configuration of the
ヘッドユニット４２０は、図１５ないし図２８に示すように、ヘッド本体部４３０と、インク供給部４３１とを有している。また、ヘッド本体部４３０は、平板状のキャリッジ４２６と、このキャリッジ４２６に複数取り付けられた実質的に略同一形状のヘッド装置４３３とを有している。
The
（ヘッド装置の構成）
図２９はヘッドユニット４２０に配設されたヘッド装置４３３を示す分解斜視図である。
(Configuration of head device)
FIG. 29 is an exploded perspective view showing the
ヘッド装置４３３は、図２９に示すように、短冊状のプリント基板４３５を有している。このプリント基板４３５には、各種電気部品４３６が実装され図示しない電気配線が設けられている。また、プリント基板４３５には、長手方向の一端側（図６中右側）に位置して窓部４３７が貫通形成されている。さらに、プリント基板４３５には、インクであるフィルタエレメント材料１３が流通可能な流通路４３８が窓部４３７の両側に位置して設けられている。
As shown in FIG. 29, the
そして、このプリント基板４３５の一面側（図２９中下面側）には、長手方向の略一端側（図２９中右側）に位置してインクジェットヘッド４２１が取付部材４４０により一体的に取り付けられている。このインクジェットヘッド４２１は、長手矩形状に形成され、長手方向がプリント基板４３５の長手方向に沿う状態で取り付けられる。
The
なお、各ヘッド装置４３３における各インクジェットヘッド４２１は、実質的に略同一形状、すなわち例えば所定の規格の製品であって、所定の品質に選別されたものなどであればよい。具体的には、これらインクジェットヘッド４２１が同一個数の後述するノズルを有し、ノズルの形成位置が互いに同一であることが、キャリッジ４２６に対してインクジェットヘッド４２１を組み立てる際に効率的となり、また組み立て精度も高まるので、好ましい。さらに、同一の製造・組立工程を経て作られた製品を用いれば、特別な製品を作る必要が無くなり、低コストとすることができる。
In addition, each
また、プリント基板４３５の他面側（図２９中上面側）には、長手方向の略他端側（図２９中左側）に位置してインクジェットヘッド４２１に電気配線４４２にて電気的に接続されるコネクタ４４１が一体的に取り付けられている。これらコネクタ４４１には、ヘッドユニット４２０の移動に影響しないように副走査駆動装置４２７に配線された電気配線４４２（電源配線、信号配線を含む）が接続される。この電気配線４４２は図示しない制御装置とヘッドユニット４２０を接続するものとなる。すなわち、これら電気配線４４２は、図１５および図２８に二点鎖線の矢印で模式的に示すように、副走査駆動装置４２７からヘッドユニット４２０の２列のヘッド装置４３３の配列方向の両側であるヘッドユニット４２０の外周側に配線されてコネクタ４４１に接続され、電気ノイズが生じないようになっている。
Further, on the other surface side (upper surface side in FIG. 29) of the printed
さらに、プリント基板４３５の他面側（図２９中上面側）には、長手方向の略一端側（図２９中右側）でインクジェットヘッド４２１に対応してインク導入部４４３が取り付けられている。このインク導入部４４３は、取付部材４４０に設けられプリント基板４３５を貫通する位置決めピン部４４４を嵌合する略円筒状の位置決め筒部４４５と、プリント基板４３５に係止する係止爪部４４６とを有している。
Furthermore, an
また、インク導入部４４３には、先端先細り形状の略円筒状の連結部４４８が一対突設されている。これら連結部４４８は、プリント基板４３５側となる基端部にプリント基板４３５の流通路４３８に略液密に連通する図示しない開口を有し、先端部にフィルタエレメント材料１３が流通可能な図示しない孔を有している。
The
さらに、これら連結部４４８には、図２６ないし図２９に示すように、先端側に位置してシール連結部４５０がそれぞれ取り付けられている。これらシール連結部４５０は、内周側に連結部４４８を略液密に嵌着する略円筒状に形成され、先端部にシール部材４４９が設けられている。
Further, as shown in FIGS. 26 to 29,
次に、本体の構造の説明をする。 Next, the structure of the main body will be described.
載置台７は、この塗布装置によって液滴（液体）を付与される基板１０１を載置させるもので、この基板１０１を基準位置に固定する機構を備える。
The mounting table 7 is for mounting the
Ｘ方向駆動軸４には、Ｘ方向駆動モータ２が接続されている。Ｘ方向駆動モータ２は、ステッピングモータ等であり、制御装置６からＸ軸方向の駆動信号が供給されると、Ｘ方向駆動軸４を回転させる。Ｘ方向駆動軸４が回転させられると、インクジェットヘッド群１がＸ軸方向に移動する。
An
Ｙ方向ガイド軸５は、基台９に対して動かないように固定されている。載置台７は、Ｙ方向駆動モータ３を備えている。Ｙ方向駆動モータ３は、ステッピングモータ等であり、制御装置６からＹ軸方向の駆動信号が供給されると、載置台７をＹ軸方向に移動させる。
The Y-
制御回路６は、インクジェットヘッド群１の各ヘッドに液滴の吐出制御用の電圧を供給する。また、Ｘ方向駆動モータ２にインクジェットヘッド群１のＸ軸方向の移動を制御する駆動パルス信号を、Ｙ方向駆動モータ３に載置台７のＹ軸方向の移動を制御する駆動パルス信号を供給する。
The
クリーニング機構部８は、インクジェットヘッド群１をクリーニングする機構を備えている。クリーニング機構部８には、図示しないＹ方向の駆動モータが備えられる。このＹ方向の駆動モータの駆動により、クリーニング機構８は、Ｙ方向ガイド軸５に沿って移動する。クリーニング機構８の移動も、制御装置６によって制御される。
The cleaning mechanism unit 8 includes a mechanism for cleaning the inkjet head group 1. The cleaning mechanism unit 8 includes a Y-direction drive motor (not shown). The cleaning mechanism 8 moves along the Y-
ヒータ１５は、ここではランプアニールにより基板１０１を熱処理する手段であり、基板上に塗布された液体の蒸発・乾燥を行うとともに導電膜に変換させる。このヒータの電源の投入及び遮断も制御回路６によって制御される。なお、ヒーターの代わりにホットプレートを用いた熱処理、乾燥炉を用いた熱処理であってもかまわない。
Here, the
このようなインクジェット装置において、インクジェット装置による描画には、予備吐出、フラッシングが必要となる。 In such an ink jet apparatus, preliminary ejection and flushing are required for drawing by the ink jet apparatus.
配線パターンとしての外部接続用端子を形成する際、予め基板の外に予備吐出を行う。これは、ノズルの目詰まりを防止し、所定の量の液滴を吐出させるためのものである。予備吐出する液滴の量は約２００〜５０００発であり、インクジェットヘッドに形成されている全ノズルから吐出を行うものである。また、フラッシングも同様であり、全ノズルから液滴を吐出し、吐出安定性を確保する。吐出量は適宜設定されるが、予備吐出と同様の量が吐出される。 When forming an external connection terminal as a wiring pattern, preliminary discharge is performed in advance outside the substrate. This is for preventing clogging of the nozzle and discharging a predetermined amount of droplets. The amount of liquid droplets to be preliminarily ejected is about 200 to 5000 and is ejected from all nozzles formed on the ink jet head. The flushing is the same, and droplets are ejected from all nozzles to ensure ejection stability. The discharge amount is set as appropriate, but the same amount as the preliminary discharge is discharged.
このようなインクジェットヘッドにより吐出される液滴は、例えば図１６〜２３のような順番で吐出される。以下、本発明の外部接続用端子を形成する形成方法について図面を参照しながら説明する。図１６は本発明のパターンの形成方法の一実施形態を示すフローチャート図である。 The droplets ejected by such an ink jet head are ejected in the order as shown in FIGS. Hereinafter, a forming method for forming an external connection terminal of the present invention will be described with reference to the drawings. FIG. 16 is a flowchart showing an embodiment of the pattern forming method of the present invention.
ここで、本実施形態では基板上に導電膜配線パターンを形成する場合を例にして説明する。 Here, in this embodiment, a case where a conductive film wiring pattern is formed on a substrate will be described as an example.
図１６において、本実施形態に係るパターンの形成方法は、液体材料の液滴が配置される基板を所定の溶媒等を用いて洗浄する工程（ステップＳ１）と、基板の表面処理工程の一部を構成する撥液化処理工程（ステップＳ２）と、撥液化処理された基板表面の撥液性を調整する表面処理工程の一部を構成する撥液性低下処理工程（ステップＳ３）と、表面処理された基板上に液滴吐出法に基づいて導電膜配線形成用材料を含む液体材料の液滴を配置して膜パターンを描画（形成）する材料配置工程（ステップＳ４）と、基板上に配置された液体材料の溶媒成分の少なくとも一部を除去する熱・光処理を含む中間乾燥処理工程（ステップＳ５）と、所定の膜パターンが描画された基板を焼成する焼成工程（ステップＳ７）とを有している。なお、中間乾燥処理工程の後、所定のパターン描画が終了したかどうかが判断され（ステップＳ６）、パターン描画が終了したら焼成工程が行われ、一方、パターン描画が終了していなかったら材料配置工程が行われる。 In FIG. 16, the pattern forming method according to the present embodiment includes a step (step S1) of cleaning a substrate on which liquid material droplets are arranged using a predetermined solvent and a part of the substrate surface treatment step. A liquid repellency treatment process (step S2), a liquid repellency reduction treatment process (step S3) constituting a part of the surface treatment process for adjusting the liquid repellency of the liquid-repellent substrate surface, and a surface treatment. A material placement step (step S4) for placing (forming) a film pattern by placing droplets of a liquid material containing a conductive film wiring forming material on the substrate, based on a droplet discharge method; An intermediate drying treatment step (step S5) including heat / light treatment for removing at least a part of the solvent component of the liquid material, and a firing step (step S7) for firing the substrate on which a predetermined film pattern is drawn. Have. After the intermediate drying process, it is determined whether or not the predetermined pattern drawing is completed (step S6). When the pattern drawing is completed, the baking process is performed. On the other hand, when the pattern drawing is not completed, the material arranging process is performed. Is done.
次に、図１７〜図２３を参照しながら本発明の特徴部分である液滴吐出法に基づく材料配置工程（ステップＳ４）について説明する。 Next, the material placement step (step S4) based on the droplet discharge method, which is a characteristic part of the present invention, will be described with reference to FIGS.
本実施形態の材料配置工程は、導電膜配線形成用材料を含む液体材料の液滴を液滴吐出装置の液滴吐出ヘッドより基板上に吐出することにより基板上に線状の膜パターン（配線パターン）Ｗである外部接続用端子を形成する工程である。液体材料は導電膜配線形成用材料である金属等の導電性微粒子を分散媒に分散した液状体である。 In the material placement process of the present embodiment, a liquid film containing a conductive film wiring forming material is ejected onto a substrate from a droplet ejection head of a droplet ejection apparatus, thereby forming a linear film pattern (wiring) on the substrate. Pattern) is a step of forming an external connection terminal W. The liquid material is a liquid material in which conductive fine particles such as metal, which are conductive film wiring forming materials, are dispersed in a dispersion medium.
図１６において、材料配置工程（ステップＳ４）は、液滴吐出装置の液滴吐出ヘッド１０（前述のヘッド群）の吐出ノズル１０Ａより液体材料の液滴を吐出して基板１１に配置することで、この基板１１上に膜パターンＷの線幅方向中央部（中央パターン）Ｗ１を形成する第１工程（図１６（ａ）参照）と、基板１１に形成された中央パターンＷ１に対して一方の側部（第１側部パターン）Ｗ２を形成する第２工程（図１７（ｂ）参照）と、基板１１に形成された中央パターンＷ１に対して他方の側部（第２側部パターン）Ｗ３を形成する第３工程（図１７（ｃ）参照）とを有している。これら第１、第２、及び第３工程により、図１７（ｃ）に示すような線状の膜パターンＷが形成される。
In FIG. 16, the material placement step (step S4) is performed by ejecting liquid material droplets from the
第１工程では、図１７（ａ）に示すように、液滴吐出ヘッド１０から液体材料の液滴が吐出され、基板１１上に一定の距離間隔（ピッチ）で配置される。そして、この液滴の配置動作を繰り返すことにより基板１１上における膜パターンＷの形成予定領域Ｗ４の中央部に、この膜パターンＷの一部を構成する線状の中央パターンＷ１が形成される。なお、基板１１の表面はステップＳ２及びＳ３により所望の撥液性に予め加工されているので、基板１１上に配置した液滴の拡がりが抑制される。そのためパターン形状を良好な状態に確実に制御できるとともに厚膜化も容易である。
In the first step, as shown in FIG. 17A, droplets of the liquid material are ejected from the
ここで、基板１１上に中央パターンＷ１を形成するための液滴を配置した後、分散媒の除去を行うために必要に応じて中間乾燥処理（ステップＳ５）が行われる。中間乾燥処理は、例えばホットプレート、電気炉、及び熱風発生機等の加熱装置を用いた一般的な熱処理の他にランプアニールを用いた光処理であってもよい。
Here, after disposing the droplets for forming the central pattern W1 on the
次に、第２工程では、図１７（ｂ）に示すように、液滴吐出ヘッド１０から液体材料の液滴が吐出され、これにより中央パターンＷ１の一方の側に隣接する線状の第１側部パターンＷ２が形成される。ここで、液滴吐出ヘッド１０は第１側部パターンＷ２を形成するに際し、吐出した液滴と基板１１上に形成された中央パターンＷ１との少なくとも一部が重なるように、液滴を吐出する。これにより中央パターンＷ１と第１側部パターンＷ２を形成する液滴とは確実に接続され、形成された膜パターンＷに導電膜配線形成用材料の不連続部が生じることがない。
Next, in the second step, as shown in FIG. 17B, the liquid material droplets are ejected from the
そして、第２工程においても液滴は基板１１上に一定のピッチで配置され、この配置動作を繰り返すことにより、膜パターンＷの形成予定領域Ｗ４の一方の側部にこの膜パターンＷの一部を構成する第１側部パターンＷ２が形成され、中央パターンＷ１と第１側部パターンＷ２とが一体化される。
Also in the second step, the droplets are arranged on the
ここでも、基板１１上に第１側部パターンＷ２を形成するための液滴を配置した後、分散媒の除去を行うために必要に応じて中間乾燥処理（ステップＳ５）が行われる。
Also here, after the droplets for forming the first side pattern W2 are arranged on the
次に、第３工程では、図１７（ｃ）に示すように、液滴吐出ヘッド１０から液体材料の液滴が吐出され、これにより中央パターンＷ１の他方の側に隣接する線状の第２側部パターンＷ３が形成される。ここでも、液滴吐出ヘッド１０は第２側部パターンＷ３を形成するに際し、吐出した液滴と基板１１上に形成された中央パターンＷ１との少なくとも一部が重なるように、液滴を吐出する。これにより中央パターンＷ１と第２側部パターンＷ３を形成する液滴とは確実に接続され、形成された膜パターンＷに導電膜配線形成用材料の不連続部が生じることがない。こうして、中央パターンＷ１と第２側部パターンＷ３とが一体化され、３つの線状のパターンＷ１、Ｗ２、及びＷ３が一体化されて幅広の膜パターンＷが形成される。そして、第３工程においても液滴は基板上に一定のピッチで配置され、この配置動作を繰り返すことにより、膜パターンＷの形成予定領域Ｗ４の他方の側部にこの膜パターンＷの一部を構成する第２側部パターンＷ３が形成される。
Next, in the third step, as shown in FIG. 17C, liquid droplets of the liquid material are discharged from the liquid
このとき、第２、第３工程で吐出する液滴の吐出位置（中央パターンＷとの距離）を調整することで最終的な線状の膜パターンＷの線幅を制御することができる。また、第１、第２、及び第３の各工程で形成する複数のパターンＷ１、Ｗ２、及びＷ３の基板１１の表面からの高さ（厚み）を変化させることにより、一体化後の膜パターンＷの膜厚を制御できる。
At this time, the line width of the final linear film pattern W can be controlled by adjusting the discharge position (distance from the central pattern W) of the droplets discharged in the second and third steps. Further, by changing the height (thickness) of the plurality of patterns W1, W2, and W3 formed in each of the first, second, and third steps from the surface of the
なお、パターンの輪郭において凹凸形状が形成された場合には、必要に応じて凹凸部を埋めるように微小液滴を塗布することが好ましい。この微小液滴は、通常塗布する液滴（Ｗ１、Ｗ２、Ｗ３で塗布する液滴を指す）よりも小さい液滴であり、吐出量も通常の液滴よりも少なく設定されている。このように微小液滴を塗布することにより、パターンの輪郭に凹凸がなく、直線的なパターンを形成することができる。 In addition, when uneven | corrugated shape is formed in the outline of a pattern, it is preferable to apply | coat a microdroplet so that an uneven | corrugated part may be filled as needed. These micro droplets are droplets smaller than the droplets to be applied normally (referring to the droplets applied by W1, W2, and W3), and the ejection amount is set to be smaller than that of the normal droplets. By applying the fine liquid droplets in this way, the pattern outline has no irregularities and a linear pattern can be formed.
次に、図１８（ａ）〜（ｃ）を参照しながら、線状の中央パターンＷ１、及び側部パターンＷ２、Ｗ３を形成する手順について説明する。 Next, a procedure for forming the linear center pattern W1 and the side patterns W2 and W3 will be described with reference to FIGS.
まず、図１８（ａ）に示すように、液滴吐出ヘッド１０から吐出した液滴Ｌ１が所定の間隔をあけて基板１１上に順次配置される。すなわち、液滴吐出ヘッド１０は基板１１上で液滴Ｌ１どうしが重ならないように配置する（第１配置工程）。本例では、液滴Ｌ１の配置ピッチＰ１は基板１１上に配置した直後の液滴Ｌ１の直径よりも大きくなるように設定されている。これにより基板１１上に配置された直後の液滴Ｌ１どうしは重ならずに（接触せずに）、液滴Ｌ１どうしが合体して基板１１上で濡れ拡がることが防止される。また、液滴Ｌ１の配置ピッチＰ１は基板１１上に配置した直後の液滴Ｌ１の直径の２倍以下となるように設定されている。
First, as shown in FIG. 18A, the droplets L1 ejected from the
ここで、基板１１上に液滴Ｌ１を配置した後、分散媒の除去を行うために必要に応じて中間乾燥処理（ステップＳ５）を行うことができる。中間乾燥処理は、上述したように、例えばホットプレート、電気炉、及び熱風発生機等の加熱装置を用いた一般的な熱処理の他に、ランプアニールを用いた光処理であってもよい。この場合、分散媒の除去だけでなく、分散液を導電膜に変換するまで、加熱や光照射の度合いを高めても差し支えないが、分散媒をある程度除去できれば十分である。
Here, after disposing the droplet L1 on the
次に、図１８（ｂ）に示すように、上述した液滴の配置動作が繰り返される。
すなわち図１８（ａ）に示した前回と同様に、液滴吐出ヘッド１０から液体材料が液滴Ｌ２として吐出され、その液滴Ｌ２が一定距離ごとに基板１１に配置される。
Next, as shown in FIG. 18B, the above-described droplet placement operation is repeated.
That is, as in the previous time shown in FIG. 18A, the liquid material is ejected from the
このとき、液滴Ｌ２の体積（１つの液滴あたりの液体材料の量）、及びその配置ピッチＰ２は前回の液滴Ｌ１と同じである。そして、液滴Ｌ２の配置位置は前回の液滴Ｌ１から１／２ピッチだけシフトされ、基板１１上に配置されている前回の液滴Ｌ１どうしの中間位置に今回の液滴Ｌ２が配置される（第２配置工程）。図示されているように、最初に塗布された第１の液滴Ｌ１の間を補完するように第２の液滴Ｌ２を塗布することにより、平坦性に優れた配線パターン（ここでは外部接続用端子）が形成できる。
At this time, the volume of the droplet L2 (the amount of the liquid material per droplet) and the arrangement pitch P2 thereof are the same as the previous droplet L1. The arrangement position of the droplet L2 is shifted by 1/2 pitch from the previous droplet L1, and the current droplet L2 is arranged at an intermediate position between the previous droplets L1 disposed on the
前述したように、基板１１上の液滴Ｌ１の配置ピッチＰ１は、基板１１上に配置した直後の液滴Ｌ１の直径よりも大きく且つ、その直径の２倍以下である。そのため、液滴Ｌ１の中間位置に液滴Ｌ２が配置されることにより、液滴Ｌ１に液滴Ｌ２が一部重なり、液滴Ｌ１どうしの間の隙間が埋まる。このとき、今回の液滴Ｌ２と前回の液滴Ｌ１とが接するが、前回の液滴Ｌ１はすでに分散媒が完全に又はある程度除去されているので、両者が合体して基板１１上で拡がることは少ない。
As described above, the arrangement pitch P1 of the droplets L1 on the
なお、図１８（ｂ）では、液滴Ｌ２の配置を開始する位置を前回と同じ側（図１８（ａ）に示す左側）としているが逆側（右側）としてもよい。往復動作の各方向への移動時に液滴の吐出を行うことにより、液滴吐出ヘッド１０と基板１１との相対移動の距離を少なくできる。
In FIG. 18B, the position where the droplet L2 starts to be arranged is on the same side as the previous time (left side shown in FIG. 18A), but may be on the opposite side (right side). By ejecting droplets during reciprocating movement in each direction, the distance of relative movement between the
液滴Ｌ２を基板１１上に配置した後、分散媒の除去を行うために前回と同様に必要に応じて中間乾燥処理を行うことが可能である。
After placing the droplet L2 on the
こうした一連の液滴の配置動作を複数回繰り返すことにより、基板１１上に配置される液滴どうしの隙間が埋まり、図１８（ｃ）に示すように、線状の連続したパターンである中央パターンＷ１、及び側部パターンＷ２、Ｗ３が基板１１上に形成される。この場合、液滴の配置動作の繰り返し回数を増やすことにより基板１１上に液滴が順次重なり、パターンＷ１、Ｗ２、Ｗ３の膜厚、すなわち基板１１の表面からの高さ（厚み）が増す。線状パターンＷ１、Ｗ２、Ｗ３の高さ（厚み）は最終的な膜パターンに必要とされる所望の膜厚に応じて設定され、この設定した膜厚に応じて上記液滴の配置動作の繰り返し回数が設定される。
By repeating such a series of droplet placement operations a plurality of times, the gaps between the droplets placed on the
なお、線状パターンの形成方法は図１８（ａ）〜（ｃ）に示したものに限定されない。例えば、液滴の配置ピッチや繰り返しの際のシフト量等を任意に設定可能であり、パターンＷ１、Ｗ２、Ｗ３を形成する際の液滴の基板Ｐ上での配置ピッチをそれぞれ異なる値に設定してもよい。例えば、中央パターンＷ１を形成する際の液滴ピッチがＰ１である場合、側部パターンＷ２、Ｗ３を形成する際の液滴ピッチをＰ１より広いピッチ（例えばＰ１×２）としてもよい。もちろん、Ｐ１より狭いピッチ（例えばＰ１×０．５）としてもよい。また、パターンＷ１、Ｗ２、Ｗ３を形成する際の液滴の体積をそれぞれ異なる値に設定してもよい。あるいは、第１、第２、及び第３の各工程において基板１１や液滴吐出ヘッド１０が配置される雰囲気である液滴配置雰囲気（温度や湿度等）、すなわち材料配置環境条件を互いに異なる条件に設定してもよい。
In addition, the formation method of a linear pattern is not limited to what was shown to Fig.18 (a)-(c). For example, it is possible to arbitrarily set the arrangement pitch of the droplets and the shift amount at the time of repetition, and the arrangement pitches of the droplets on the substrate P when forming the patterns W1, W2, and W3 are set to different values. May be. For example, when the droplet pitch when forming the central pattern W1 is P1, the droplet pitch when forming the side patterns W2 and W3 may be wider than P1 (for example, P1 × 2). Of course, the pitch may be narrower than P1 (for example, P1 × 0.5). Further, the volume of the droplets when forming the patterns W1, W2, and W3 may be set to different values. Alternatively, in each of the first, second, and third steps, the droplet placement atmosphere (temperature, humidity, etc.) that is the atmosphere in which the
なお、本実施形態では複数の側部パターンＷ２、Ｗ３は１本ずつ形成されるが２本同時に形成されてもよい。ここで、１本ずつ複数のパターンＷ２、Ｗ３を形成する場合と２本同時に形成する場合とでは、乾燥処理の回数の合計が異なる可能性があるため、基板１１の撥液性が損なわれないように乾燥条件を定めるとよい。
In the present embodiment, the plurality of side patterns W2 and W3 are formed one by one, but two may be formed simultaneously. Here, there is a possibility that the total number of drying processes may be different between the case where a plurality of patterns W2 and W3 are formed one by one and the case where two patterns are simultaneously formed, so that the liquid repellency of the
なお、本実施形態では、第１工程で１本の中央パターンＷ１を形成したが、中央パターンＷ１を２本以上の複数形成してもよい。そして、この複数本の中央パターンＷ１の両側部に対して液滴を吐出し、これらを連続させることにより、より広い線幅の膜パターンを容易に形成できる。 In the present embodiment, one central pattern W1 is formed in the first step, but two or more central patterns W1 may be formed. A film pattern having a wider line width can be easily formed by discharging droplets to both sides of the plurality of central patterns W1 and continuing them.
更に、ある１つのノズルから液滴を塗布することも可能であるが、ノズル間における液滴の吐出量のばらつきをできるだけ抑えるために、異なるノズルによって液滴を塗布することも可能である。例えば、液滴Ｌ１の塗布には第１のノズルにより塗布を行い、液滴Ｌ１の間を保管する液滴Ｌ２は第１のノズルとは異なる第２のノズルにより塗布することが好ましい。更に、第１のノズルと第２のノズルは同じヘッドに形成されていても良いが、前述のとおり複数個のヘッドが形成されているので、別のヘッドに形成されていても良い。すなわち、第１のノズルは第１のヘッドに形成され、第２のノズルは第２のヘッドに形成され、所望のパターンを形成する際は、第１のノズル、第２のノズルにより塗布を行う、ことも可能である。 Furthermore, it is possible to apply droplets from one nozzle, but it is also possible to apply droplets by using different nozzles in order to suppress variations in the discharge amount of droplets between nozzles as much as possible. For example, it is preferable to apply the droplet L1 by using a first nozzle, and apply the droplet L2 stored between the droplets L1 by using a second nozzle different from the first nozzle. Further, the first nozzle and the second nozzle may be formed in the same head, but since a plurality of heads are formed as described above, they may be formed in different heads. That is, the first nozzle is formed in the first head, the second nozzle is formed in the second head, and when forming a desired pattern, the first nozzle and the second nozzle are used for coating. It is also possible.
次に、図１９〜図２２を参照しながら基板上に液滴を吐出する順序の一例について説明する。これらの図に示すように、基板１１上には液体材料の液滴が吐出される格子状の複数の単位領域であるピクセルを有するビットマップが設定されている。液滴吐出ヘッド１０は液滴をビットマップで設定されたピクセル位置に対して吐出する。ここで、１つのピクセルは正方形に設定されている。また、液滴吐出ヘッド１０は基板１１に対してＹ軸方向に走査しながら吐出ノズル１０Ａより液滴を吐出するものとする。そして、図１９〜図２２を用いた説明において、１回目の走査時に吐出された液滴には「１」を付し、２回目、３回目、…、ｎ回目の走査時に吐出された液滴には「２」、「３」…、「ｎ」を付す。また、以下の説明では、図１９のグレーで示す領域（パターン形成予定領域）のそれぞれに液滴を吐出して膜パターンＷを形成するものとする。
Next, an example of the order in which droplets are ejected onto the substrate will be described with reference to FIGS. As shown in these drawings, a bitmap having pixels, which are a plurality of grid-like unit regions, on which liquid material droplets are ejected is set on the
図１９（ａ）に示すように、１回目の走査時において、中央パターンＷ１を形成するために中央パターン形成予定領域に１つ分のピクセルをあけつつ液滴が吐出される。ここで、基板１１に対して吐出された液滴は基板１１に着弾することにより基板１１上で濡れ拡がる。つまり、図１９（ａ）に円で示すように、基板１１に着弾した液滴は１つのピクセルの大きさより大きい直径ｃを有するように濡れ拡がる。ここで、液滴はＹ軸方向において所定間隔（１つ分のピクセル）をあけて吐出されているので、基板１１上に配置された液滴どうしは重ならないように設定されている。こうすることによりＹ軸方向において基板１１上に液体材料が過剰に設けられることを防ぎ、バルジの発生を防止することができる。
As shown in FIG. 19A, at the time of the first scanning, a droplet is ejected while forming one pixel in the central pattern formation scheduled region in order to form the central pattern W1. Here, the droplets ejected to the
なお、図１９（ａ）では基板１１に配置された際の液滴どうしは重ならないように配置されているが、僅かに重なるように液滴が配置されてもよい。また、ここでは１つ分のピクセルをあけて液滴が吐出されているが、２つ以上の任意の数のピクセル分だけ間隔をあけて液滴を吐出してもよい。この場合、基板１１に対する液滴吐出ヘッド１０の走査動作及び吐出動作を増やして基板上の液滴どうしの間を補間すればよい。
In FIG. 19A, the liquid droplets arranged on the
図１９（ｂ）は２回目の走査により液滴吐出ヘッド１０の吐出ノズル１０Ａから基板１１に液滴を吐出した際の模式図である。なお、図１９（ｂ）において、２回目の走査時で吐出された液滴には「２」を付している。２回目の走査時では、１回目の走査時で吐出された液滴「１」の間を補間するように液滴が吐出される。
FIG. 19B is a schematic diagram when droplets are ejected from the
そして、１回目及び２回目の走査及び吐出動作で液滴どうしが連続し、中央パターンＷ１が形成される。 Then, droplets are continuous in the first and second scanning and discharging operations, and a central pattern W1 is formed.
次に、液滴吐出ヘッド１０と基板１１とが１つのピクセルの大きさ分だけＸ軸方向に相対移動する。ここでは液滴吐出ヘッド１０が基板１１に対して−Ｘ方向に１つのピクセル分だけステップ移動する。そして、液滴吐出ヘッド１０は３回目の走査を行う。これにより、図２０（ａ）に示すように、中央パターンＷ１の−Ｘ側に隣接するように、第１側部パターンＷ２を形成するための液滴「３」が基板１１上に配置される。ここでも、液滴「３」はＹ軸方向に１つ分のピクセルをあけて配置される。ここで、液滴吐出ヘッド１０のＸ軸方向へのステップ移動後における１回目の走査時（すなわち全体における３回目の走査時）における液滴「３」は、ステップ移動前の１回目の走査時における液滴「１」に対してＸ軸について隣接する位置に配置される。
Next, the
図２０（ｂ）は４回目の走査により液滴吐出ヘッド１０から基板１１に液滴を吐出した際の模式図である。なお、図２０（ｂ）において、４回目の走査時で吐出された液滴には「４」を付している。４回目の走査時では、３回目の走査時で吐出された液滴「３」の間を補間するように液滴が吐出される。そして、３回目及び４回目の走査及び吐出動作で液滴どうしが連続し、第１側部パターンＷ２が形成される。ここで、ステップ移動後の２回目の走査時（すなわち全体における４回目の走査時）における液滴「４」は、ステップ移動前の２回目の走査時における液滴「２」に対してＸ軸について隣接する位置に配置される。
FIG. 20B is a schematic diagram when droplets are ejected from the
次に、液滴吐出ヘッド１０と基板１１とが２つのピクセル分だけＸ軸方向に相対移動する。ここでは液滴吐出ヘッド１０が基板に対して＋Ｘ方向に２つのピクセル分だけステップ移動する。そして、液滴吐出ヘッド１０は５回目の走査を行う。これにより、図２１（ａ）に示すように、中央パターンＷ１の＋Ｘ側に隣接するように、第２側部パターンＷ３を形成するための液滴「５」が基板上に配置される。ここでも、液滴「５」はＹ軸方向に１つ分のピクセルをあけて配置される。ここで、液滴吐出ヘッド１０のＸ軸方向へのステップ移動後である５回目の走査時における液滴「５」は、液滴「１」に対してＸ軸について隣接する位置に配置される。
Next, the
図２１（ｂ）は６回目の走査により液滴吐出ヘッド１０から基板１１に液滴を吐出した際の模式図である。なお、図２１（ｂ）において、６回目の走査時で吐出された液滴には「６」を付している。６回目の走査時では、５回目の走査時で吐出された液滴「５」の間を補間するように液滴が吐出される。そして、５回目及び６回目の走査及び吐出動作で液滴どうしが連続し、第２側部パターンＷ３が形成される。ここで、６回目の走査時における液滴「６」は、液滴「２」に対してＸ軸について隣接する位置に配置される。
FIG. 21B is a schematic diagram when droplets are ejected from the
このように、１つのパターンに対し、同じノズルにより液滴を吐出することが可能であるが、前述の通り異なるノズルにより液滴を吐出することも可能である。異なるノズルで液滴を吐出する場合の吐出方法は前述の通りである。また、ノズルの活用に関しては、以下に記載の例においても、同様に実施可能である。 As described above, it is possible to eject droplets to one pattern by the same nozzle, but it is also possible to eject droplets by different nozzles as described above. The ejection method when ejecting liquid droplets with different nozzles is as described above. Further, the use of nozzles can be similarly implemented in the examples described below.
図２２は液滴の吐出位置の配置順序を変えた例を示す図である。図２２において、中央パターンＷ１を形成する液滴「１」のＸ軸について−Ｘ側に隣接する位置には、液滴吐出ヘッド１０のＸ軸方向へのステップ移動後において２回目の走査時（全体で４回目の走査時）で吐出された液滴「４」が配置され、一方、中央パターンＷ１を形成する液滴「２」のＸ軸について−Ｘ側に隣接する位置には、液滴吐出ヘッド１０のＸ軸方向へのステップ移動後において１回目の走査時（全体で３回目の走査時）で吐出された液滴「３」が配置されている。同様に、液滴「１」のＸ軸について＋Ｘ側に隣接する位置には、全体で６回目の走査時において吐出された液滴「６」が配置され、一方、中央パターンＷ１を形成する液滴「２」の＋Ｘ側に隣接する位置には、全体で５回目の走査時において吐出された液滴「５」が配置されている。このように、各ラインＷ１、Ｗ２、Ｗ３を形成するに際し、液滴の吐出位置の順序のそれぞれを各ライン毎に異なるように設定してもよい。
FIG. 22 is a diagram showing an example in which the arrangement order of droplet discharge positions is changed. In FIG. 22, the position adjacent to the −X side with respect to the X axis of the droplet “1” forming the central pattern W <b> 1 is the second scan after the step movement of the
更に、図２３に示す例のように、中央パターンＷ１を形成するための液滴「１」を配置した後、液滴吐出ヘッド１０をステップ移動し、第１側部パターンＷ２を形成するための液滴「２」を配置し、次いで、液滴吐出ヘッド１０をステップ移動して第２側部パターンＷ２を形成するための液滴「３」を配置するといった順序も可能である。そして、これらを補間するように液滴「４」、「５」、「６」が順次吐出される。このように、中央パターンＷ１を形成した後に側部パターンＷ２、Ｗ３を形成するに際し、例えば中央パターンＷ１を完全に形成してから側部パターンＷ２、Ｗ３を形成せずに、中央パターンＷ１が未完成の状態で側部パターンＷ２、Ｗ３の形成動作を開始してもよい。
Further, as in the example shown in FIG. 23, after the droplet “1” for forming the central pattern W1 is arranged, the
図２４（ａ）、（ｂ）は、上記第２、第３工程において、中央パターンＷ１の両側部に第１、第２側部パターンＷ２、Ｗ３を形成するための液滴の配置例を示す図である。図２４（ａ）の例では、図１８を参照して説明した吐出条件（配置条件）と同じ条件で中央パターンＷ１が形成される。一方、第２、第３工程の吐出条件（配置条件）は中央パターンＷ１を形成するための吐出条件と異なっている。具体的には、第１工程に比べて液滴Ｌｎの体積が大きく設定されている。すなわち、一度に吐出される液体材料の量が増加されている。なお、本例では、液滴Ｌｎの配置ピッチは第１工程と同じである。液滴Ｌｎの体積を大きくすることにより膜パターンＷ全体の形成時間を短縮でき、スループット向上を図ることができる。なお、液滴の体積が大きくなるとバルジが発生しやすくなるため、液体材料の材料特性に応じてバルジが生じない液滴体積条件を予め求めておき、この求めた条件に基づいて吐出液滴の最大可能体積を設定すればよい。 24A and 24B show examples of the arrangement of droplets for forming the first and second side patterns W2 and W3 on both sides of the central pattern W1 in the second and third steps. FIG. In the example of FIG. 24A, the central pattern W1 is formed under the same conditions as the ejection conditions (arrangement conditions) described with reference to FIG. On the other hand, the discharge conditions (arrangement conditions) in the second and third steps are different from the discharge conditions for forming the central pattern W1. Specifically, the volume of the droplet Ln is set larger than that in the first step. That is, the amount of liquid material discharged at a time is increased. In this example, the arrangement pitch of the droplets Ln is the same as that in the first step. By increasing the volume of the droplet Ln, the formation time of the entire film pattern W can be shortened, and the throughput can be improved. In addition, since the bulge is likely to be generated when the volume of the droplet is increased, a droplet volume condition in which no bulge is generated according to the material characteristics of the liquid material is obtained in advance, and based on the obtained condition, What is necessary is just to set the maximum possible volume.
図２４（ｂ）の例では、第２、第３工程の吐出条件は第１工程に比べて液滴Ｌｎの配置ピッチを狭くしている。なお、液滴Ｌｎの体積は第１工程と同じでもよく、図２４（ａ）に示したように第１工程に比べて大きくしてもよい。液滴の配置ピッチを狭くすることにより単位面積あたりの液滴の配置量が増え、短時間でパターン形成が可能となる。 In the example of FIG. 24B, the discharge conditions of the second and third steps are such that the arrangement pitch of the droplets Ln is narrower than that of the first step. Note that the volume of the droplet Ln may be the same as that in the first step, or may be larger than that in the first step as shown in FIG. By narrowing the arrangement pitch of the liquid droplets, the amount of liquid droplets arranged per unit area increases, and a pattern can be formed in a short time.
以上のように、各種吐出方法を説明したが、異なるノズルにより液滴を吐出する方法について以下に補足する。 As described above, various ejection methods have been described. A method for ejecting liquid droplets using different nozzles will be supplemented below.
１つのパターン（ここでは１ライン）を形成する際、複数のノズルを用いて形成することが可能である。例えば、１番目の液滴を第１のノズルにより塗布し、２番目の液滴を第１のノズルとは異なる第２のノズルにより塗布することが可能である。さらには、３番目の液滴を第３のノズルから塗布し、４番目の液滴を第４のノズルから塗布することができる。このような塗布方法とすることにより、ノズルによって吐出量のばらつきがある場合、その差を最小限に抑えることができる。すなわち、同じノズルによって塗布した場合、吐出された液滴の総量に差が生じる。その結果、膜厚の差、更には電極としての抵抗値の差にも影響が出る。そこで、このような問題を改善するために、１つの電極（または１つのパターン）に対し異なるノズルにより液滴を塗布することにより、膜厚の差を最小限に抑えることができ、電極の抵抗もほぼ均一にすることが可能となる。 When forming one pattern (here, one line), it is possible to use a plurality of nozzles. For example, the first droplet can be applied by a first nozzle, and the second droplet can be applied by a second nozzle different from the first nozzle. Furthermore, the third droplet can be applied from the third nozzle, and the fourth droplet can be applied from the fourth nozzle. By adopting such a coating method, when there is a variation in the discharge amount depending on the nozzle, the difference can be minimized. That is, when applied by the same nozzle, a difference occurs in the total amount of ejected droplets. As a result, the difference in film thickness and the difference in resistance value as an electrode are also affected. Therefore, in order to improve such a problem, by applying droplets to one electrode (or one pattern) with different nozzles, the difference in film thickness can be minimized, and the resistance of the electrode Can be made substantially uniform.
＜表面処理工程＞
次に、図１６で示した表面処理工程Ｓ２、Ｓ３について説明する。表面処理工程では、導電膜配線（外部接続用端子）を形成する基板の表面を液体材料に対して撥液性に加工する（ステップＳ２）。
<Surface treatment process>
Next, the surface treatment steps S2 and S3 shown in FIG. 16 will be described. In the surface treatment process, the surface of the substrate on which the conductive film wiring (external connection terminal) is formed is processed to be liquid repellent with respect to the liquid material (step S2).
具体的には、導電性微粒子を含有した液体材料に対する所定の接触角が、６０℃以上、好ましくは９０℃以上１１０℃以下となるように基板に対して表面処理を施す。表面の撥液性（濡れ性）を制御する方法としては、例えば、基板の表面に自己組織化膜を形成する方法、プラズマ処理法、ＵＶ照射をする方法等を採用できる。 Specifically, the substrate is subjected to surface treatment so that a predetermined contact angle with respect to the liquid material containing conductive fine particles is 60 ° C. or higher, preferably 90 ° C. or higher and 110 ° C. or lower. As a method for controlling the liquid repellency (wetting property) of the surface, for example, a method of forming a self-assembled film on the surface of the substrate, a plasma treatment method, a method of performing UV irradiation, or the like can be employed.
自己組織膜形成法では、導電膜配線を形成すべき基板の表面に、有機分子膜などからなる自己組織化膜を形成する。基板表面を処理するための有機分子膜は、基板に結合可能な官能基と、その反対側に親液基あるいは撥液基といった基板の表面性を改質する（表面エネルギーを制御する）官能基と、これらの官能基を結ぶ炭素の直鎖あるいは一部分岐した炭素鎖とを備えており、基板に結合して自己組織化して分子膜、例えば単分子膜を形成する。 In the self-assembled film forming method, a self-assembled film made of an organic molecular film or the like is formed on the surface of a substrate on which conductive film wiring is to be formed. The organic molecular film for treating the substrate surface has a functional group that can bind to the substrate and a functional group that modifies the surface properties of the substrate, such as a lyophilic group or a liquid repellent group, on the opposite side (controls the surface energy). And a carbon straight chain or a partially branched carbon chain connecting these functional groups, and is bonded to a substrate and self-assembles to form a molecular film, for example, a monomolecular film.
ここで、自己組織化膜とは、基板の下地層等の構成原子と反応可能な結合性官能基とそれ以外の直鎖分子とからなり、直鎖分子の相互作用により極めて高い配向性を有する化合物を、配向させて形成された膜である。この自己組織化膜は、単分子を配向させて形成されているので、極めて膜厚を薄くすることができ、しかも、分子レベルで均一な膜となる。すなわち、膜の表面に同じ分子が位置するため、膜の表面に均一でしかも優れた撥液性や親液性を付与することができる。 Here, the self-assembled film is composed of a binding functional group capable of reacting with constituent atoms such as an underlayer of the substrate and other linear molecules, and has extremely high orientation due to the interaction of the linear molecules. It is a film formed by orienting a compound. Since this self-assembled film is formed by orienting single molecules, the film thickness can be extremely reduced, and the film is uniform at the molecular level. That is, since the same molecule is located on the surface of the film, uniform and excellent liquid repellency and lyophilicity can be imparted to the surface of the film.
上記の高い配向性を有する化合物として、例えばフルオロアルキルシランを用いることにより、膜の表面にフルオロアルキル基が位置するように各化合物が配向されて自己組織化膜が形成され、膜の表面に均一な撥液性が付与される。 By using, for example, fluoroalkylsilane as the compound having high orientation, each compound is oriented so that the fluoroalkyl group is located on the surface of the film, and a self-assembled film is formed. Liquid repellency is imparted.
自己組織化膜を形成する化合物としては、ヘプタデカフルオロ−１，１，２，２テトラヒドロデシルトリエトキシシラン、ヘプタデカフルオロ−１，１，２，２テトラヒドロデシルトリメトキシシラン、ヘプタデカフルオロ−１，１，２，２テトラヒドロデシルトリクロロシラン、トリデカフルオロ−１，１，２，２テトラヒドロオクチルトリエトキシシラン、トリデカフルオロ−１，１，２，２テトラヒドロオクチルトリメトキシシラン、トリデカフルオロ−１，１，２，２テトラヒドロオクチルトリクロロシラン、トリフルオロプロピルトリメトキシシラン等のフルオロアルキルシラン（以下「ＦＡＳ」という）を例示できる。これらの化合物は、単独で使用してもよく、２種以上を組み合わせて使用してもよい。 Examples of compounds that form a self-assembled film include heptadecafluoro-1,1,2,2 tetrahydrodecyltriethoxysilane, heptadecafluoro-1,1,2,2 tetrahydrodecyltrimethoxysilane, heptadecafluoro-1 , 1,2,2 tetrahydrodecyltrichlorosilane, tridecafluoro-1,1,2,2 tetrahydrooctyltriethoxysilane, tridecafluoro-1,1,2,2 tetrahydrooctyltrimethoxysilane, tridecafluoro-1 , 1,2,2 tetrahydrooctyltrichlorosilane, trifluoropropyltrimethoxysilane, and other fluoroalkylsilanes (hereinafter referred to as “FAS”). These compounds may be used alone or in combination of two or more.
なお、ＦＡＳを用いることにより、基板との密着性と良好な撥液性とを得ることができる。 Note that by using FAS, adhesion to the substrate and good liquid repellency can be obtained.
ＦＡＳは、一般的に構造式ＲnＳｉＸ(4-n)で表される。ここでｎは１以上３以下の整数を表し、Ｘはメトキシ基、エトキシ基、ハロゲン原子などの加水分解基である。またＲはフルオロアルキル基であり、（ＣＦ3）（ＣＦ2）x（ＣＨ2）yの（ここでｘは０以上１０以下の整数を、ｙは０以上４以下の整数を表す）構造を持ち、複数個のＲ又はＸがＳｉに結合している場合には、Ｒ又はＸはそれぞれすべて同じでもよく、異なっていてもよい。Ｘで表される加水分解基は加水分解によりシラノールを形成して、基板（ガラス、シリコン）の下地のヒドロキシル基と反応してシロキサン結合で基板と結合する。一方、Ｒは表面に（ＣＦ3）等のフルオロ基を有するため、基板の下地表面を濡れない（表面エネルギーが低い）表面に改質する。 FAS is generally represented by the structural formula R n SiX (4-n) . Here, n represents an integer of 1 to 3, and X is a hydrolyzable group such as a methoxy group, an ethoxy group, or a halogen atom. R is a fluoroalkyl group, and has a structure of (CF 3 ) (CF 2 ) x (CH 2 ) y (where x represents an integer of 0 to 10 and y represents an integer of 0 to 4). And when a plurality of R or X are bonded to Si, each R or X may be the same or different. The hydrolyzable group represented by X forms silanol by hydrolysis, reacts with the hydroxyl group of the base of the substrate (glass, silicon), and bonds to the substrate with a siloxane bond. On the other hand, since R has a fluoro group such as (CF 3 ) on the surface, the base surface of the substrate is modified to a surface that does not get wet (surface energy is low).
有機分子膜などからなる自己組織化膜は、上記の原料化合物と基板とを同一の密閉容器中に入れておき、室温で２〜３日程度の間放置することにより基板上に形成される。また、密閉容器全体を１００℃に保持することにより、３時間程度で基板上に形成される。これらは気相からの形成法であるが、液相からも自己組織化膜を形成できる。例えば、原料化合物を含む溶液中に基板を浸積し、洗浄、乾燥することで基板上に自己組織化膜が形成される。なお、自己組織化膜を形成する前に、基板表面に紫外光を照射したり、溶媒により洗浄したりして、基板表面の前処理を施すことが望ましい。 A self-assembled film made of an organic molecular film or the like is formed on a substrate by placing the above raw material compound and the substrate in the same sealed container and leaving them at room temperature for about 2 to 3 days. Further, by holding the entire sealed container at 100 ° C., it is formed on the substrate in about 3 hours. These are formation methods from the gas phase, but a self-assembled film can also be formed from the liquid phase. For example, the self-assembled film is formed on the substrate by immersing the substrate in a solution containing the raw material compound, washing, and drying. Note that before the self-assembled film is formed, it is desirable to pre-treat the substrate surface by irradiating the substrate surface with ultraviolet light or washing with a solvent.
ＦＡＳ処理を施した後、所望の撥液性に処理する撥液性低下処理が必要に応じて行われる（ステップＳ３）。すなわち、撥液化処理としてＦＡＳ処理を施した際に、撥液性の作用が強すぎて基板とこの基板上に形成した膜パターンＷとが剥離しやすくなる場合がある。そこで、撥液性を低下（調整）する処理が行われる。撥液性を低下する処理としては波長１７０〜４００ｎｍ程度の紫外線（ＵＶ）照射処理が挙げられる。所定のパワーの紫外線を所定時間だけ基板に照射することで、ＦＡＳ処理された基板の撥液性が低下され、基板は所望の撥液性を有するようになる。あるいは、基板をオゾン雰囲気に曝すことにより基板の撥液性を制御することもできる。 After performing the FAS process, a liquid repellency reduction process for processing to a desired liquid repellency is performed as necessary (step S3). That is, when the FAS treatment is performed as the lyophobic treatment, the lyophobic action is too strong and the substrate and the film pattern W formed on the substrate may be easily peeled off. Therefore, a process for reducing (adjusting) the liquid repellency is performed. Examples of the treatment for reducing the liquid repellency include ultraviolet (UV) irradiation treatment having a wavelength of about 170 to 400 nm. By irradiating the substrate with ultraviolet rays having a predetermined power for a predetermined time, the liquid repellency of the FAS-treated substrate is lowered, and the substrate has a desired liquid repellency. Alternatively, the liquid repellency of the substrate can be controlled by exposing the substrate to an ozone atmosphere.
一方、プラズマ処理法では、常圧又は真空中で基板に対してプラズマ照射を行う。プラズマ処理に用いるガス種は、導電膜配線を形成すべき基板の表面材質等を考慮して種々選択できる。処理ガスとしては、例えば、４フッ化メタン、パーフルオロヘキサン、パーフルオロデカン等が例示できる。 On the other hand, in the plasma processing method, plasma irradiation is performed on the substrate under normal pressure or vacuum. Various types of gas used for the plasma treatment can be selected in consideration of the surface material of the substrate on which the conductive film wiring is to be formed. Examples of the processing gas include tetrafluoromethane, perfluorohexane, perfluorodecane, and the like.
なお、基板表面を撥液性に加工する処理は、所望の撥液性を有するフィルム、例えば４フッ化エチレン加工されたポリイミドフィルム等を基板表面に貼着することによっても行ってもよい。また、撥液性の高いポリイミドフィルムをそのまま基板として用いてもよい。 The processing for processing the substrate surface to be liquid repellent may also be performed by sticking a film having a desired liquid repellent property, such as a polyimide film processed with ethylene tetrafluoride, to the substrate surface. Moreover, you may use a polyimide film with high liquid repellency as a board | substrate as it is.
このような表面処理を、外部接続用端子を形成する表面に行うことにより、液滴を吐布した際、平坦性に優れ、輪郭に凹凸が少ない配線パターンを形成することができる。なお、電極７３，７４，７５を形成する場合であれば、第２層間絶縁層２８３に上記のような表面処理を施す。また、透明電極７７に相当する位置にインクジェットにより電極を形成する場合には、この下層にあたる電極７３、７４、７５に表面処理を行うことにより最上層にインクジェット方による電極（外部接続用端子）を形成することができる。
By performing such surface treatment on the surface on which the external connection terminals are formed, it is possible to form a wiring pattern that has excellent flatness and less irregularities in the outline when droplets are spouted. If the
＜中間乾燥工程＞
次に、図１６で示した中間乾燥工程Ｓ５について説明する。中間乾燥工程（熱・光処理工程）では、基板上に配置された液滴に含まれる分散媒あるいはコーティング材を除去する。すなわち、基板上に配置された導電膜形成用の液体材料は、微粒子間の電気的接触をよくするために分散媒を完全に除去する必要がある。
また、導電性微粒子の表面に分散性を向上させるために有機物などのコーティング材がコーティングされている場合には、このコーティング材も除去する必要がある。
<Intermediate drying process>
Next, the intermediate drying step S5 shown in FIG. 16 will be described. In the intermediate drying process (heat / light treatment process), the dispersion medium or the coating material contained in the droplets arranged on the substrate is removed. That is, the liquid material for forming a conductive film disposed on the substrate needs to completely remove the dispersion medium in order to improve the electrical contact between the fine particles.
Further, when a coating material such as an organic material is coated on the surface of the conductive fine particles in order to improve dispersibility, it is also necessary to remove this coating material.
熱・光処理は通常大気中で行われるが、必要に応じて、窒素、アルゴン、ヘリウムなどの不活性ガス雰囲気中で行ってもよい。熱／光処理の処理温度は、分散媒の沸点（蒸気圧）、雰囲気ガスの種類や圧力、微粒子の分散性や酸化性等の熱的挙動、コーティング材の有無や量、基材の耐熱温度などを考慮して適宜決定される。例えば有機物からなるコーティング材を除去するためには、約３００℃で焼成することが必要である。また、プラスチックなどの基板を使用する場合には、室温以上１００℃以下で行うことが好ましい。 The heat / light treatment is usually performed in the air, but may be performed in an inert gas atmosphere such as nitrogen, argon, or helium as necessary. The heat / light treatment temperature includes the boiling point (vapor pressure) of the dispersion medium, the type and pressure of the atmospheric gas, the thermal behavior such as the dispersibility and oxidation of fine particles, the presence and amount of coating material, and the heat resistance temperature of the substrate. It is determined appropriately in consideration of the above. For example, in order to remove a coating material made of an organic material, it is necessary to bake at about 300 ° C. In the case where a substrate such as plastic is used, it is preferably performed at a temperature between room temperature and 100 ° C.
熱処理には、例えばホットプレート、電気炉等の加熱装置を用いることができる。光処理にはランプアニールを用いることができる。ランプアニールに使用する光の光源としては、特に限定されないが、赤外線ランプ、キセノンランプ、ＹＡＧレーザ、アルゴンレーザ、炭酸ガスレーザ、ＸｅＦ、ＸｅＣｌ、ＸｅＢｒ、ＫｒＦ、ＫｒＣｌ、ＡｒＦ、ＡｒＣｌなどのエキシマレーザーなどを使用することができる。これらの光源は一般には、出力１０Ｗ以上５０００Ｗ以下の範囲のものが用いられるが、本実施形態例では１００Ｗ以上１０００Ｗ以下の範囲で十分である。上記熱・光処理により微粒子間の電気的接触が確保され、導電膜に変換される。 For the heat treatment, for example, a heating device such as a hot plate or an electric furnace can be used. Lamp annealing can be used for the light treatment. The light source used for lamp annealing is not particularly limited, but excimer lasers such as infrared lamps, xenon lamps, YAG lasers, argon lasers, carbon dioxide lasers, XeF, XeCl, XeBr, KrF, KrCl, ArF, ArCl, etc. Can be used. These light sources generally have a power output in the range of 10 W to 5000 W, but in the present embodiment, a range of 100 W to 1000 W is sufficient. By the heat and light treatment, electrical contact between the fine particles is ensured and converted into a conductive film.
なお、この際、分散媒の除去だけでなく、分散液を導電膜に変換するまで、加熱や光照射の度合いを高めても差し支えない。ただし、導電膜の変換は、すべての液体材料の配置が終了してから、熱処理・光処理工程においてまとめて行えばよいので、ここでは、分散媒をある程度除去できれば十分である。例えば、熱処理の場合は、通常１００℃程度の加熱を数分行えばよい。また、乾燥処理は液体材料の吐出と並行して同時に進行させることも可能である。例えば、基板を予め加熱しておいたり、液滴吐出ヘッドの冷却とともに沸点の低い分散媒を使用したりすることにより、基板に液滴を配置した直後から、その液滴の乾燥を進行させることができる。 At this time, not only the removal of the dispersion medium but also the degree of heating and light irradiation may be increased until the dispersion is converted into a conductive film. However, since the conversion of the conductive film may be performed collectively in the heat treatment / light treatment process after the arrangement of all the liquid materials is completed, it is sufficient here that the dispersion medium can be removed to some extent. For example, in the case of heat treatment, heating at about 100 ° C. is usually performed for several minutes. Also, the drying process can proceed simultaneously with the discharge of the liquid material. For example, by drying the droplets immediately after placing the droplets on the substrate by heating the substrate in advance or using a dispersion medium having a low boiling point along with cooling of the droplet discharge head. Can do.
前述の通り、塗布後、過熱処理を加えることもある。すなわち、微粒子分散液２１が所定パターンに塗布された基板１０１は、溶媒を除去し、微粒子間の電気的接触をよくするために、熱処理に供される。熱処理は通常大気中で行われるが、必要に応じて、窒素、アルゴン、ヘリウムなどの不活性ガス雰囲気中で行うこともできる。上記の熱処理の処理温度は溶媒の沸点（蒸気圧）、圧力および微粒子の熱的挙動により適宜定めればよく、特に限定されるものではないが室温以上３００℃以下で行うことが望ましい。プラスチックなどの基板を使用する場合には、室温以上１００℃以下で行うことが好ましい。
As described above, an overheat treatment may be applied after coating. That is, the
熱処理は通常のホットプレート、電気炉などによる処理の他、ランプアニールによって行うこともできる。ランプアニールに使用する光の光源としては、特に限定されないが、赤外線ランプ、キセノンランプ、ＹＡＧレーザー、アルゴンレーザー、炭酸ガスレーザー、ＸｅＦ、ＸｅＣｌ、ＸｅＢｒ、ＫｒＦ、ＫｒＣｌ、ＡｒＦ、ＡｒＣｌなどのエキシマレーザーなどを光源として使用することができる。これらの光源は一般には、出力１０Ｗ以上５０００Ｗ以下の範囲のものが用いられるが、本実施形態では１００Ｗ以上１０００Ｗ以下の範囲で十分である。 The heat treatment can be performed by lamp annealing in addition to the treatment by a normal hot plate, electric furnace or the like. The light source used for lamp annealing is not particularly limited, but excimer laser such as infrared lamp, xenon lamp, YAG laser, argon laser, carbon dioxide laser, XeF, XeCl, XeBr, KrF, KrCl, ArF, ArCl, etc. Can be used as a light source. In general, these light sources have an output in the range of 10 W to 5000 W, but in the present embodiment, a range of 100 W to 1000 W is sufficient.
図７及び図８に示すように、本実施形態の電気光学装置に設けられる第２外部接続端子６６ｃ，７０，７０の表面には複数の凹部Ｂが形成されされており、この凹部Ｂにより、第２外部接続端子６６ｃ，７０，７０を複数の電極として分割した構成となっている。図６に示したように、発光用電源配線２３Ｒ及び信号線２２の線幅に応じて外部接続端子の数を変えることにより、固着部６５における固着条件の均一化を図っているが、第２外部接続端子６６ｃ，７０，７０の表面に複数の凹部Ｂが形成されているため、第２外部接続端子６６ｃ，７０，７０は更に複数の電極に分割されたものとなり、固着条件の均一化を図る上で極めて好適である。
As shown in FIGS. 7 and 8, a plurality of recesses B are formed on the surfaces of the second
また、電極７３，７４，７５の端部に第１層間絶縁層２８４を形成することにより、第２外部接続端子６６ｃ，７０，７０の端部に凸部７９が形成される。この凸部７９は、異方性導電膜４０を用いて表示基板１０と中継基板２０とを固着する際に、異方性導電膜４０に含まれる導電粒子４１ｂが第２外部接続端子６６ｃ，７０，７０の側部にはみ出るのを防止するように作用する。その結果、より多くの導電粒子４１ｂが第２外部接続端子６６ｃ，７０，７０上に配置されることになるため、固着部６５における電気的抵抗を低減する極めて優れた構造である。
Further, by forming the first
以上説明した本実施形態の表示基板２０は、固着部６５において圧着条件を均一化するための構成が設けられているため、固着部６５に固着される中継基板３０に形成される外部接続端子３４は、図６に示す発光用電源配線２３Ｒ及び走査線駆動回路用制御信号配線２４ａ等と同様の線幅で形成されていても良い。しかしながら、より均一な圧着条件下で中継基板３０と表示基板２０とを固着するには、固着部６５に形成された第２外部接続端子６６ｃ，７０，７０等と同様のパターンであることが好適である。
Since the
ところで、図５に示した第２層間絶縁層２８３上に形成された各種配線と、実表示領域６２及びダミー領域６３の上部（基板６０側に対する反対側）を覆うように形成されている陰極２６との間の寄生容量を低減して表示ムラ及びコントラスト低下等の表示上の不具合を極力低減するために、第１層間絶縁層２８４の厚みを厚くする傾向がある。
By the way, the
図９は、第１層間絶縁層２８４の厚みが厚く形成された第２外部接続端子７０，７０の拡大図である。図９に示すように、電極７４，７５間の第１層間絶縁層２８４の厚みが厚くなると、第１外部接続端子７０，７０の端部に形成されている凸部７９の高さが、図８に示した凸部７９の高さよりも高く形成される。尚、図７及び図８においては、第１層間絶縁層２８４がＳｉＮから形成されていたが、図９では、第１層間絶縁層２８４をＳｉＯ2を用いて形成している。
FIG. 9 is an enlarged view of the second
図９に示すように、第１層間絶縁層２８４の厚みを増すことにより、電極７４，７５の端部に形成される凸部７９の高さが高くなって、電極７４，７５と透明電極７７との間の厚みが共に薄くなる。また、第２層間絶縁層２８３及び電極７４，７５上に直接第１層間絶縁層２８４を形成すると、電極７４，７５の端部に形成された凸部７９は、電極７４，７５に対してのみならず第１外部接続端子７０，７０間における第１層間絶縁層２８４の表面に対しても突出した形状になって平坦性が損なわれ、異方性導電膜４０を用いて中継基板３０を固着するときに不具合が生ずる虞がある。
As shown in FIG. 9, by increasing the thickness of the first
かかる不具合を防止すべく、本実施形態では電極７４，７５により形成される凹凸を平坦化するための平坦化膜を設けている。図１０は、第１層間絶縁層２８４の厚みが厚く形成され、且つ電極７４，７５間に平坦化膜が設けられた第１外部接続端子７０，７０の拡大図である。この平坦化膜８０は第１層間絶縁層２８４を形成する前に、電極７４及び電極７５等の電極が形成された部位以外の部位に形成される。
In order to prevent such a problem, in this embodiment, a flattening film for flattening the unevenness formed by the
図１０を参照すると、平坦化膜８０を形成した後で第１層間絶縁層２８４を形成することにより、第１外部接続端子７０，７０間における第１層間絶縁層２８４の表面と凸部７９との高低差（段差）が小さくなることが分かる。よって、異方性導電膜４０を用いて中継基板３０を固着する際も不具合が生じない。
Referring to FIG. 10, by forming the first
以上、本発明の一実施形態による電気光学装置について説明したが、前述に示した有機ＥＬ（エレクトロルミネッセンス）装置以外にも、この端子構造は液晶表示装置、図２５に示すようなプラズマディスプレイ装置、無機ＥＬ装置、電気泳動装置、等のディスプレイに適用できる。 The electro-optical device according to the embodiment of the present invention has been described above. In addition to the organic EL (electroluminescence) device described above, this terminal structure is a liquid crystal display device, a plasma display device as shown in FIG. The present invention can be applied to displays such as inorganic EL devices and electrophoresis devices.
更に、ディスプレイに形成される実装端子を例にとって示したが、実装端子に実装されるテープ側を本発明のようなプロセスにすることも可能である。すなわち、ディスプレイの外部接続端子は従来通りの構造とし、テープ（明細書では中継基板）を前述のようなプロセスとすることも可能である。 Furthermore, although the mounting terminals formed on the display have been shown as an example, the tape side mounted on the mounting terminals can be a process as in the present invention. That is, the external connection terminals of the display can have a conventional structure, and the tape (relay board in the specification) can be processed as described above.
また、以上に説明した電気光学装置、ＣＰＵ（中央処理装置）等を備えたマザーボード、キーボード、ハードディスク等の電子部品を筐体内に組み込むことで、例えば図１１に示すノート型のパーソナルコンピュータ６００（電子機器）が製造される。図１１は、本発明の一実施形態による電気光学装置を備える電子機器の一例を示す図である。尚、図９において６０１は筐体であり、６０２は液晶表示装置であり、６０３はキーボードである。図１２は、他の電子機器としての携帯電話機を示す斜視図である。図１２に示した携帯電話機７００は、アンテナ７０１、受話器７０２、送話器７０３、液晶表示装置７０４、及び操作釦部７０５等を備えて構成されている。
In addition, by incorporating electronic components such as an electro-optical device, a mother board having a CPU (central processing unit), a keyboard, and a hard disk described above into a housing, for example, a notebook personal computer 600 (electronic) shown in FIG. Equipment). FIG. 11 is a diagram illustrating an example of an electronic apparatus including the electro-optical device according to the embodiment of the invention. In FIG. 9, 601 is a casing, 602 is a liquid crystal display device, and 603 is a keyboard. FIG. 12 is a perspective view showing a mobile phone as another electronic apparatus. A
また、上記実施形態では、電子機器としてノート型コンピュータ及び携帯電話機を例に挙げて説明したが、これらに限らず、液晶プロジェクタ、マルチメディア対応のパーソナルコンピュータ（ＰＣ）及びエンジニアリング・ワークステーション（ＥＷＳ）、ページャ、ワードプロセッサ、テレビ、ビューファインダ型又はモニタ直視型のビデオテープレコーダ、電子手帳、電子卓上計算機、カーナビゲーション装置、ＰＯＳ端末、タッチパネルを備えた装置等の電子機器に適用することが可能である。 In the above-described embodiment, a notebook computer and a mobile phone have been described as examples of electronic devices. However, the present invention is not limited to these, and a liquid crystal projector, a multimedia-compatible personal computer (PC), and an engineering workstation (EWS). It can be applied to electronic devices such as pagers, word processors, televisions, viewfinder type or monitor direct-view type video tape recorders, electronic notebooks, electronic desk calculators, car navigation devices, POS terminals, and devices equipped with touch panels. .
以上説明したように、本発明によれば、第１端子間、第２端子間、及び第１端子と第２端子との間に平坦化膜が設けられ、この平坦化膜上、第１端子の端部、及び第２端子の端部に絶縁膜を形成した構成であるため、絶縁層の厚みを厚くしたとしても第１端子の端部及び第２端子の端部に形成される絶縁層の高さが、平坦化膜上に形成される絶縁層の表面に対してさほど高くならずに平坦性を確保することができるという効果がある。その結果として、第１端子及び第２端子と接続される配線の接続不良を生ずることがないという効果がある。 As described above, according to the present invention, the planarization film is provided between the first terminals, between the second terminals, and between the first terminal and the second terminal, and the first terminal is formed on the planarization film. Since the insulating film is formed on the end of the first terminal and the end of the second terminal, the insulating layer is formed on the end of the first terminal and the end of the second terminal even if the thickness of the insulating layer is increased. There is an effect that the flatness can be ensured without the height of the insulating layer being so high as to the surface of the insulating layer formed on the planarizing film. As a result, there is an effect that the connection failure of the wiring connected to the first terminal and the second terminal does not occur.
１０…電気光学装置、２２…信号線（第１配線）、２３，２３Ｒ…発光用電源配線（第２配線、電源線）、２４ａ…走査線駆動回路用制御信号配線（第１配線）、３０…中継基板、４０…異方性導電膜、５０…発光素子、５３…スイッチング素子、６６ａ，６６ｂ，６６ｃ…電極（第２端子）、６７，６８，６９，７０…電極（第１端子）、２８４…第１層間絶縁層（絶縁層）、７９…凸部、８０…平坦化膜、Ｂ…凹部。
DESCRIPTION OF
Claims (5)
前記有効領域の外側で前記第２の電極に接続された電極用配線と、を備え、
前記電極用配線は前記基板の外周をなす第１の辺、第２の辺および第３の辺に沿って形成されており、
前記電極用配線は、第１配線層に設けられた第１電極用配線と、第２配線層に設けられた第２電極用配線と、を有し、
前記第１電極用配線と前記第２電極用配線とは、電気的に接続されており、
前記第１の辺、前記第２の辺および前記第３の辺に沿って平面的に重なることを特徴とする電気光学装置。 An electro-optic element having a first electrode, a second electrode, and a light-emitting layer provided between the first electrode and the second electrode, provided in an effective region on the substrate; ,
An electrode wiring connected to the second electrode outside the effective area, and
The electrode wiring is formed along the first side, the second side, and the third side forming the outer periphery of the substrate,
The electrode wiring has a first electrode wiring provided in the first wiring layer and a second electrode wiring provided in the second wiring layer,
The first electrode wiring and the second electrode wiring are electrically connected,
The first side, an electro-optical device characterized by planarly overlapping along the second side and the third side.
少なくとも前記第１電極用配線と前記第２電極用配線のどちらか一方は、前記第１の辺、前記第２の辺および前記第３の辺に沿って前記第２の電極と電気的に接続されていることを特徴とする電気光学装置。 The electro-optical device according to claim 1.
At least one of the first electrode wiring and the second electrode wiring is electrically connected to the second electrode along the first side, the second side, and the third side. An electro-optical device.
前記第１の電極に電気的に接続されたトランジスタを有し、
前記トランジスタのゲート電極は、前記第１配線層に設けられ、
前記トランジスタのソース又はドレイン電極は、前記第２配線層に設けられていることを特徴とする電気光学装置。 The electro-optical device according to claim 1 or 2,
A transistor electrically connected to the first electrode;
A gate electrode of the transistor is provided in the first wiring layer;
An electro-optical device, wherein a source or drain electrode of the transistor is provided in the second wiring layer.
前記発光層は、有機エレクトロルミネッセンス材料から構成されていることを特徴とする電気光学装置。 The electro-optical device according to any one of claims 1 to 3,
The electro-optical device is characterized in that the light emitting layer is made of an organic electroluminescent material.
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