JP5159954B2 - ガス絶縁母線 - Google Patents

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Description

本発明は、絶縁ガスが封入された金属容器内で通電導体を絶縁支持物で支持したガス絶縁母線に関するものである。
発電所または変電所等において使用されるガス絶縁母線は、絶縁ガスを封入した金属容器内に通電用の導体を配置し、この導体を絶縁支持物により金属容器から絶縁支持している。
従来のガス絶縁母線では、例えばポスト形の絶縁支持物に通電用の導体を貫通させる形で導体が支持され、導体と絶縁支持物との間には導体を絶縁支持物に固定するための電極が設けられている。また、電極の両端部は絶縁支持物の外部に露出しており、この電極の両端部を覆うように電界緩和を目的とした電界緩和シールドが備え付けられている(例えば特許文献1参照)。
特開昭62−163506号公報
しかしながら、従来のガス絶縁母線では、電極の軸方向の両端部に電界緩和シールドを設けていることから、構造が複雑になり部品点数も増大するという問題点があった。
また、従来のガス絶縁母線では、電界緩和シールドの表面と金属容器の内面との間の距離が電界緩和シールドの分だけ短くなるので、電界緩和シールド付近におけるガス中の電界が大きくなってしまうという問題点があった。そのため、高耐電圧化および機器の縮小化を図ることが困難になるという問題点があった。
本発明は、上記に鑑みてなされたものであって、通電用の導体の支持構造を簡素化し、高耐電圧化および機器の縮小化を図ることが可能なガス絶縁母線を提供することを目的とする。
上述した課題を解決し、目的を達成するために、本発明に係るガス絶縁母線は、絶縁ガスを封入した金属容器内に絶縁支持物が配設され、この絶縁支持物を前記金属容器の軸線方向に貫通する通電用の導体がこの導体の周囲に配置された電極を介して前記絶縁支持物により絶縁支持されたガス絶縁母線において、前記電極の全体が前記絶縁支持物の内部に埋め込まれ、前記軸線を含む面による前記電極の断面形状が、樽形の断面をその中心軸に平行でかつ中心軸とは異なる直線で切断したときに当該直線により中心軸からみて外側に形成される形状であることを特徴とする。

本発明によれば、電極を絶縁支持物の内部に埋め込むようにしたので、従来のように絶縁支持物の外部に露出した電極の端部を覆う電界緩和シールドを設ける必要がなく、導体の支持構造が簡素化され、部品点数も削減されるという効果を奏する。
また、本発明によれば、電界緩和シールドを設けた場合に比べて、同一の内径の金属容器に対しては、導体から金属容器までの距離が電界緩和シールドのない分だけ長くなるので、絶縁ガス中の電界の大きさがより小さくなり、従来と比べて高耐電圧化を図ることが可能となる。さらにまた、本発明によれば、金属容器からの絶縁距離を同一にした場合、従来よりも金属容器の内径を縮小することができ、機器の縮小化を図ることが可能となる。
図1は、実施の形態1にかかるガス絶縁母線の縦断面構成を示す図である。 図2は、図1と同様の構成図である。 図3は、実施の形態1における導体の支持構造を拡大して示した図であり、特にタンクの上側半分を示す図である。 図4は、実施の形態2における導体の支持構造を拡大して示した図であり、特にタンクの上側半分を示す図である。 図5は、実施の形態3における導体の支持構造を拡大して示した図であり、特にタンクの上側半分を示す図である。 図6は、実施の形態4にかかるガス絶縁母線の縦断面構成を示す図である。 図7は、実施の形態4にかかるガス絶縁母線の縦断面構成を示す別の図である。 図8は、実施の形態5にかかるガス絶縁母線の構成を示す縦断面図である。 図9は、実施の形態5にかかるガス絶縁母線の構成を示す別の縦断面図である。 図10は、図9に対応する横断面図である。 図11は、従来のガス絶縁母線の縦断面構成を示す図である。
以下に、本発明に係るガス絶縁母線の実施の形態を図面に基づいて詳細に説明する。なお、この実施の形態によりこの発明が限定されるものではない。
実施の形態1.
図1は、本実施の形態にかかるガス絶縁母線の縦断面構成を示す図である。図1に示すように、本実施の形態にかかるガス絶縁母線は、接地された筒状の金属容器であるタンク1と、このタンク1の軸線に沿って配置され高電圧が印加される通電用の導体2と、この導体2をタンク1から絶縁支持する絶縁支持物3と、この絶縁支持物3内で絶縁支持物3とタンク1との間に介在して導体2の周囲を囲うように配置された電極5と、を備えている。また、タンク1内には絶縁ガス4としての例えばSF6(六フッ化硫黄)ガスが封入されている。
絶縁支持物3は例えばポスト形状である。また、この絶縁支持物3を軸線方向に貫通する形で導体2が絶縁支持物3により支持されている。
電極5は、主に導体2を絶縁支持物3に取り付けるために用いられ、例えばアルミニウム等の金属材からなる。また、本実施の形態では、電極5は絶縁支持物3の内部に配置されている。すなわち、電極5はその大半が絶縁支持物3の内部に埋め込まれた構造であり(以下、「電極埋め込み構造」という。)、特に電極5の軸線方向の端部が絶縁支持物3の外部に露出しない構造である。図示例では、電極5の断面形状(正確には、上下にある断面のいずれか一方の形状)は、例えば樽形の断面をその中心軸に平行でかつ中心軸とは異なる直線で切断したときに当該直線により中心軸からみて外側に形成される形状に概略等しい。
ここで、本実施の形態との比較のために、従来のガス絶縁母線の構成について説明する。図11は、従来のガス絶縁母線の縦断面構成を示す図である。なお、図11では、図1と同一の構成要素には同一の符号を付している。図11に示すように、従来のガス絶縁母線では、電極55の両端部は絶縁支持物53の外部に露出している。そして、電極55の両端部はそれぞれ電界緩和シールド6により覆われている。
一方、本実施の形態では、図2に明示的に示すように、点線で囲まれた領域内に電界緩和シールド6に相当するものが存在しない構成である。すなわち、絶縁支持物3の軸線方向の両側には電界緩和シールドが設けられていない。なお、図2は、図1と同一の構成を示す図であるが、従来のガス絶縁母線との対比のために、点線で囲まれた領域内に電界緩和シールドが存在しないことを明示的に示したものである。
次に、タンク1内の絶縁ガス4中における電界(以下、「ガス中電界」という。)の大きさについて説明する。導体2に高電圧が印加され電流が流れると、これに伴い電界が生成される。ガス中電界の大きさをE1とし、導体2に印加される電圧をVとすると、両者の関係は導体2表面からタンク1の内面までの径方向の長さdに対して反比例の関係にある。また、図1では、φAを導体2の外径(直径)、φDをタンク1の内径(直径)とし、図11では、φBを電界緩和シールド6まで含めた導体2の外径(直径)とし、φCをタンク51の内径(直径)とする。
ここで、図1に示すタンク1の内径と図11に示すタンク51の内径とが等しい場合、すなわち、φC=φDの場合を考える。この場合、図11の電界緩和シールド6の付近では、電界緩和シールド6の径方向の厚さ分だけ導体2からタンク51までの距離が短くなっていることから、図11でのガス中電界E1は図1の場合よりも大きくなる。具体的には、図11では、d=(φC−φB)/2であるのに対し、図1では、d=(φD−φA)/2=(φC−φB+φB−φA)/2となる。したがって、図11では、(φB−φA)/2の分だけdの長さが短いので、ガス中電界E1はより大きくなる。
図2では、ガス中電界E1の大きさを、従来のガス絶縁母線でのガス中電界E1の大きさを100%として、数値計算を行った結果を示している。図2に示すように、ガス中電界E1は従来比で85%になることがわかった。このように、電界埋め込み構造を採用することにより、ガス中電界E1が従来に比べて緩和されることがわかる。したがって、高耐電圧化を図ることができる。
また、図1と図11との対比において、ガス中電界E1を双方に対して同じ大きさとする場合は、d=(φC−φB)/2=(φD−φA)/2となる。したがって、φD=φC−(φB−φA)となり、(φB−φA)>0であることから、φC>φDとなる。つまり、従来のガス絶縁母線のタンク51の内径が本実施の形態にかかるガス絶縁母線のタンク1の内径よりも大きくなる。このように、電界埋め込み構造を採用することにより、タンク径の縮小化につながり、機器の縮小化を図ることができる。
以上説明したように、本実施の形態によれば、電極埋め込み構造を採用することにより、従来のように電界緩和シールド6を設ける必要がなく、導体2の支持構造が簡素化され、部品点数も削減されるという効果を奏する。
また、本実施の形態によれば、ガス中電界E1を従来に比べて緩和できることから、高耐電圧化および機器の縮小化を図ることができるという効果を奏する。
実施の形態2.
実施の形態1では、ガス中電界E1の大きさが、従来のガス絶縁母線と比べて、より小さくなるという効果が得られた。図3は、実施の形態1における導体2の支持構造を拡大して示した図であり、特にタンク1の上側半分を示す図である。なお、図3において、電極5aは図1の電極5と同じものである。また、絶縁支持物3と導体2との間に僅かな隙間が形成されているが、これは公差などから双方の接続面間に不可避的に形成された隙間を表している。
同図中、鉛直上方を向いた矢印は絶縁物内部電界E2を示しており、この電界は絶縁支持物3の内部電界を示すものである。また、水平方向を向いた矢印はTj部電界E3を示しており、この電界は異なる誘電体と金属との三重接合界面であるTj(triple junction)部の電界を示すものである。ここで、三重接合界面は、絶縁ガス4と絶縁支持物3と電極5aとにより形成される。
ところで、絶縁物内部電界E2およびTj部電界E3の数値計算を行い、その結果を、図11に示す従来のガス絶縁母線の計算結果と比較したところ、絶縁物内部電界E2の大きさは従来比で100%、Tj部電界E3の大きさは従来比で126%となった。すなわち、実施の形態1の構成では、ガス中電界E1の大きさは従来の値よりも低減されるものの、Tj部電界E3の大きさは従来よりも大きくなっている。なお、従来のガス絶縁母線におけるTj部は、図11に示すように、絶縁支持物53と電界緩和シールド6との間に形成される。そこで、本実施の形態では、電極5aの形状と異なる形状のものを採用して、Tj部電界E3の大きさの低減を図る。
図4は、本実施の形態における導体2の支持構造を拡大して示した図であり、特にタンク1の上側半分を示す図である。図4に示すように、本実施の形態における電極5bの形状は、茸形状である。すなわち、タンク1の軸線を含む面による電極5bの断面形状は、導体2から外径方向に伸びる軸部17とこの軸部17に接続され軸部17よりも軸線方向に長尺の頭部7とからなる茸形状である。図示例では、頭部7の形状は例えば概略長円であり、その長径が軸方向と平行になっている。なお、茸形状としては、図4に示した例に限定されない。図4に示すように、Tj部は電極5の軸部17にて形成されている。本実施の形態のその他の構成は、実施の形態1と同様である。
電極5bを茸形状とすることで、高電界の部分がTj部から頭部7の方へ移動するため、Tj部電界E3の値は図3と比較して低減される。本実施の形態について、絶縁物内部電界E2およびTj部電界E3の数値計算を行ったところ、絶縁物内部電界E2の大きさは従来比で98%、Tj部電界E3の大きさは従来比で6%となり、いずれの場合も、従来に比べて電界が緩和されることがわかった。特にTj部電界E3の電界抑制効果が高いことがわかる。
本実施の形態によれば、電極5bの形状を茸形状とすることにより、絶縁物内部電界E2およびTj部電界E3を緩和することができ、タンク1、導体2、および絶縁支持物3等の各部品の基本寸法を変更することなく、高耐電圧化を図ることができる。
実施の形態3.
図5は、本実施の形態における導体の支持構造を拡大して示した図であり、特にタンクの上側半分を示す図である。図5に示すように、本実施の形態の電極5cは、実施の形態2と同様に茸形状であるが、電極5cの導体2との接合面に導体2の周方向に沿った環状の溝19が形成されており、この溝19内に導通部品8が配置されている。
導通部品8は、導体2と電極5cとを確実に接触させて導通を図るものであり、電極5cを導体2と同電位にすることで絶縁性能の維持に寄与する。導通部品8としては、例えば板ばねを用いることができる。なお、本実施の形態のその他の構成は、実施の形態2と同様である。また、実施の形態1においても同様にして導通部品8を設けることができる。
本実施の形態によれば、導通部品8を電極3内に配置することにより、絶縁支持部の構造を簡素化できるという効果がある。
実施の形態4.
図6は、本実施の形態にかかるガス絶縁母線の縦断面構成を示す図、図7は、本実施の形態にかかるガス絶縁母線の縦断面構成を示す別の図である。
図6では、実施の形態1で説明した電極埋め込み構造の絶縁支持物3を例えば三個配設しており、絶縁支持物3間の間隔は例えば相互に異なるX1 およびX2である。また、図7では、図6と同様の電極埋め込み構造の絶縁支持物3を例えば二個配設しており、絶縁支持物3間の間隔は前記X1 およびX2とは異なるYとなっている。図6、図7では、それぞれ仕様により導体2の支持間隔を変更した場合に相当する。なお、図6、図7において、図1と同一の構成要素には同一の符号を付している。
このように、本実施の形態では、電極5が内部に埋め込まれた絶縁支持物3を、仕様に応じて軸線方向に距離を隔てて複数個配置している。また、電極埋め込み構造の絶縁支持物3としては、実施の形態2,3で説明したものを用いてもよい。
本実施の形態によれば、電極埋め込み構造の絶縁支持物3を用いることで、仕様による設計変更箇所が絶縁支持物3の配置間隔のみとなるので、配置設計が容易であり標準化が図れる。
実施の形態5.
本実施の形態では、絶縁支持物として絶縁スペーサまたは三脚スペーサを用いる。
図8は、本実施の形態にかかるガス絶縁母線の構成を示す縦断面図である。また、図9は、本実施の形態にかかるガス絶縁母線の構成を示す別の縦断面図、図10は、図9に対応する横断面図である。詳細には、図10におけるX−X矢視図が図9に相当する。
図8では、絶縁支持物として絶縁スペーサ10を用いている。すなわち、タンク1に形成されたフランジ部9間にタンク1内の空間を区分する絶縁スペーサ10が挟持されており、この絶縁スペーサ10の内部には実施の形態3で説明した電極5cが埋め込まれている。また、電極5cに形成された溝には、電極5cと導体2との導通を図る導通部品8も設けられている。
また、図9および図10では、絶縁支持物として三脚スペーサ11を用いている。すなわち、タンク1の内面に三脚スペーサ11が取り付けられ、この三脚スペーサ11を貫通して導体2が絶縁支持されている。また、三脚スペーサ11の内部には実施の形態3で説明した電極5cが埋め込まれている。また、電極5cに形成された溝には、電極5cと導体2との導通を図る導通部品8も設けられている。
本実施の形態は、絶縁支持物として例えば絶縁スペーサまたは三脚スペーサを示したものであり、実施の形態1〜4と同様の効果を奏する。
以上のように、本発明に係るガス絶縁母線は、変電所または発電所等において好適に使用することができる。
1 タンク
2 導体
3 絶縁支持物
4 絶縁ガス
5,5a,5b,5c 電極
6 電界緩和シールド
7 頭部
8 導通部品
9 フランジ部
10 絶縁スペーサ
11 三脚スペーサ
17 軸部
19 溝
51 タンク
53 絶縁支持物
55 電極

Claims (6)

  1. 絶縁ガスを封入した金属容器内に絶縁支持物が配設され、この絶縁支持物を前記金属容器の軸線方向に貫通する通電用の導体がこの導体の周囲に配置された電極を介して前記絶縁支持物により絶縁支持されたガス絶縁母線において、
    前記電極の全体が前記絶縁支持物の内部に埋め込まれ
    前記軸線を含む面による前記電極の断面形状が、樽形の断面をその中心軸に平行でかつ中心軸とは異なる直線で切断したときに当該直線により中心軸からみて外側に形成される形状であることを特徴とするガス絶縁母線。
  2. 前記電極の前記導体との接合面に前記導体の周方向に沿った環状の溝が形成され、この溝に前記導体と前記電極とを導通させる導通部品が配置されていることを特徴とする請求項に記載のガス絶縁母線。
  3. 前記絶縁支持物の前記軸線方向の両側には電界緩和シールドが設けられていないことを特徴とする請求項1または2に記載のガス絶縁母線。
  4. 前記絶縁支持物が、前記軸線方向に沿って複数個配置されていることを特徴とする請求項1〜のいずれか1項に記載のガス絶縁母線。
  5. 前記絶縁支持物は、ポスト形であることを特徴とする請求項1〜のいずれか1項に記載のガス絶縁母線。
  6. 前記絶縁支持物は、絶縁スペーサまたは三脚スペーサであることを特徴とする請求項1〜のいずれか1項に記載のガス絶縁母線。
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