JP5149997B2 - ナノワイヤボロメータ光検出器 - Google Patents
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Description
本出願は、Alexandre M. Bratkovski他の名前において2008年10月20日にファイリングされた米国暫定特許出願シリアル番号第61/106,961号からの優先権を主張して特許請求するものである。
ボロメータは、電磁放射線を吸収する材料の物理特性における測定可能な変化に従って、該電磁放射線を検出することが可能な装置である。該吸収する材料は、例えば、電磁エネルギーにさらされた時には、温度が増加することとなる可能性があり、該電磁エネルギーは該材料の抵抗に影響を及ぼす。従って、幾つかのボロメータは、制御された条件の下で、既知の寸法を有した吸収材料のある部分の抵抗を測定して、該材料によって吸収されている電磁放射線(電磁放射エネルギー)における決定された量の推定を行い、ひいては(その延長線上において)、該吸収材料の付近に存在する電磁放射線(電磁放射エネルギー)の量の推定を行う。
上述のように、電子機器の光検出器内においてボロメータは使用され得る。しかしながら、現在利用可能なボロメータは、比較的狭い帯域の波長からだけしか、それらが放射線(放射エネルギー)を検知することができないように制限されている。
次に、図1A、図1B、及び図1Cを参照すると、例示的なボロメータナノワイヤ(100)が示されている(必ずしも一定の縮尺に従っているとは限らない)。図1Aは、ボロメータナノワイヤ(100)の外部の斜視図を示しており、図1B及び図1Cは、図1Aのナノワイヤ(100)についての異なる実現可能な実施形態の断面図である。
次に図2を参照すると、ある例示的な光検出器(200)が示されている。該光検出器は、光子トラップ(205)内に配置された図1A〜図1Cのナノワイヤに一致する、複数の黒く染められたナノワイヤ(100)を含む。光子トラップ(205)には、半導体基板(210)上に形成された開放型反射性キャビティ(open reflective cavity)を含めることができる。光子トラップ(205)の壁(215、220)は、ドープされた半導体材料から形成され得り、電気的に及び物理的にナノワイヤ(100)に対して結合され得る。該ナノワイヤ(100)は、第1の壁(215)から第2の壁(220)まで水平に延在することが可能である。酸化物(225)の1つか又は複数の層は、第1及び第2の壁(215、220)を、互いに絶縁させることが可能であり、且つ、半導体基板(210)から絶縁させることが可能である。
次に図8を参照すると、光を検出する例示的な一方法(800)の流れ図が示されている。該方法(800)を、例えば、1つか又は複数の電子機器によって実施することができる。該1つか又は複数の電子機器は、光子トラップ内において配置された1つか又は複数の黒く染められたナノワイヤを含んでいる少なくとも1つの光検出器を含む。
Claims (15)
- 光子トラップ(205、305、405、605)内において少なくとも部分的に配置された少なくとも1つのボロメータナノワイヤ(100)を備える光検出器(200、300、400、500、600、700)であって、
遠赤外線から可視光までを吸収するよう構成された黒く染められた表面(110)を前記ナノワイヤ(100)が含み、
前記光子トラップ(205、305、405、605)が、
開放型反射性キャビティと、
前記開放型反射性キャビティの上に配置された上部反射器(445、645)であって、該開放型反射性キャビティ内へと光を反射させるよう構成された上部反射器
とを含むことからなる、光検出器。 - 前記少なくとも1つのナノワイヤ(100)に対して傾斜した側部反射器を前記開放型反射性キャビティが含む、請求項1に記載の光検出器。
- 前記上部反射器の反射面の形状が円錐形である、請求項1又は2に記載の光検出器。
- 前記開放型反射性キャビティの底面反射面と、前記上部反射器の反射面とがそれぞれ、少なくとも1つのV型溝を含むことからなる、請求項1乃至3の何れかに記載の光検出器。
- シリコン、ゲルマニウム、及びシリコンとゲルマニウムの合金、のうちの少なくとも1つを、前記ナノワイヤ(100)が含むことからなる、請求項1乃至4の何れかに記載の光検出器。
- 前記少なくとも1つのナノワイヤ(100)が、前記開放型反射性キャビティ上に水平につるされていることからなる、請求項1乃至5のいずれかに記載の光検出器。
- 前記少なくとも1つのナノワイヤ(100)は、前記少なくとも1つのナノワイヤ(100)の第1の端部に配置された第1の電極と、前記少なくとも1つのナノワイヤ(100)の第2の端部に配置された第2の電極とに電気的に結合されていることからなる、請求項1乃至6のいずれかに記載の光検出器。
- カーボンブラック層と、遠赤外線から可視光までを吸収するよう構成された光を吸収する類のものが組み込まれた状態のポリマー層と、のうちの少なくとも1つの層を、前記黒く染められた表面(110)が含むことからなる、請求項1乃至7のいずれかに記載の光検出器。
- 光検出器(300)であって、
反射性キャビティの対向する両側部上に配置された第1及び第2の電極(315、320)と、
前記反射性キャビティ内において少なくとも部分的に配置された複数のナノワイヤ(100)であって、前記第1の電極(315)に電気的に結合された第1の端部と、前記第2の電極(320)に電気的に結合された第2の端部と、遠赤外線から可視光までを吸収するよう構成された黒く染められた表面(110)とを、前記ナノワイヤ(100)の各々が含むことからなる、複数のナノワイヤと、
前記第1の電極(315)と前記第2の電極(320)との間の電圧差を印加するよう構成された電圧源(350)と、
前記第1の電極(315)と前記第2の電極(320)との間を流れる電流の少なくとも1つの電気的特性を監視して、前記少なくとも1つの電気的特性から、前記ナノワイヤ(100)によって吸収された光の量を決定するよう構成された計測器(355)と、
前記反射性キャビティの上に配置された上部反射器(445、645)
とを備える、光検出器。 - シリコン、ゲルマニウム、及びシリコンとゲルマニウムの合金、のうちの少なくとも1つを、前記ナノワイヤ(100)が含むことからなる、請求項9に記載の光検出器。
- 前記電気的特性は、前記電流の、測定された大きさであることからなる、請求項9又は10に記載の光検出器。
- 放射エネルギーを検出する方法であって、
光子トラップ(205、305、405、605)内において少なくとも部分的に配置された少なくとも1つのナノワイヤ(100)を含む前記光子トラップ(205、305、405、605)内へと前記放射エネルギーを受け取り、ここで、前記ナノワイヤ(100)は、遠赤外線から可視光までを吸収するよう構成された黒く染められた表面(110)を有しており、
前記少なくとも1つのナノワイヤ(100)の抵抗を測定し、及び、
前記測定した抵抗から、前記少なくとも1つのナノワイヤ(100)によって吸収された光の量を決定する
ことを前記方法が含み、
前記光子(205、305、405、605)トラップが、
反射性キャビティと、
前記反射性キャビティの上に配置された上部反射器(445、645)であって、放射電磁エネルギーを前記反射性キャビティ内へと向けるよう構成された上部反射器
とを含むことからなる、方法。 - 前記少なくとも1つのナノワイヤ(100)に対して傾斜した側部反射器を前記反射性キャビティが含む、請求項12に記載の方法。
- 前記上部反射器の反射面の形状が円錐形である、請求項12又は13に記載の方法。
- 前記反射性キャビティの底面反射面と、前記上部反射器の反射面とがそれぞれ、少なくとも1つのV型溝を含む、請求項12乃至14の何れかに記載の方法。
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Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US11626484B2 (en) * | 2017-09-20 | 2023-04-11 | Wisconsin Alumni Research Foundation | High efficiency room temperature infrared sensor |
Families Citing this family (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US9275857B1 (en) * | 2008-12-19 | 2016-03-01 | Stc.Unm | Nanowires, nanowire networks and methods for their formation and use |
JP5631981B2 (ja) * | 2009-05-19 | 2014-11-26 | ハワード ユニバーシティ | 熱電ナノワイヤに基づくナノ熱電対検出器 |
US9800805B2 (en) * | 2011-02-02 | 2017-10-24 | The Boeing Company | Frequency selective imaging system |
US8664583B2 (en) | 2011-07-01 | 2014-03-04 | The Boeing Company | Nonlinear optical surface sensing with a single thermo-electric detector |
JP6320768B2 (ja) * | 2014-01-30 | 2018-05-09 | 国立大学法人 東京大学 | 光学素子 |
KR101581559B1 (ko) * | 2014-05-30 | 2015-12-31 | 경희대학교 산학협력단 | 광 검출 소자 및 제조 방법과 이를 이용한 광 검출 장치 |
US9250388B1 (en) * | 2014-07-17 | 2016-02-02 | Intel Corporation | Optical device using echelle grating that provides total internal reflection of light |
US9945719B2 (en) * | 2014-12-15 | 2018-04-17 | The Boeing Company | High resolution thermo-electric nanowire and graphene coupled detector system |
AT517438B1 (de) | 2015-07-07 | 2018-10-15 | Alfred Dipl Ing Fuchs | Vorrichtung und verfahren zur detektion von strahlung |
US10197737B2 (en) | 2017-06-19 | 2019-02-05 | Intel Corporation | Low back reflection echelle grating |
WO2021153831A1 (ko) * | 2020-01-31 | 2021-08-05 | 주식회사 크레파스테크놀러지스 | 마이크로 스트럭쳐를 이용한 광센서 |
CN111439722B (zh) * | 2020-04-02 | 2021-06-15 | 南京大学 | 一种微测辐射热计及其制备方法 |
KR102554657B1 (ko) * | 2020-10-22 | 2023-07-13 | 한국과학기술원 | 볼로미터 및 이의 제조 방법 |
Family Cites Families (17)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5450053A (en) * | 1985-09-30 | 1995-09-12 | Honeywell Inc. | Use of vanadium oxide in microbolometer sensors |
JP2840735B2 (ja) * | 1989-05-26 | 1998-12-24 | 日本カーボン株式会社 | 赤外線検出素子 |
JP3309957B2 (ja) * | 1997-11-26 | 2002-07-29 | 横河電機株式会社 | 赤外線検出素子 |
AU2002229046B2 (en) * | 2000-12-11 | 2006-05-18 | President And Fellows Of Harvard College | Nanosensors |
MXPA03008935A (es) * | 2001-03-30 | 2004-06-30 | Univ California | Metodos de fabricacion de nanoestructuras y nanocables y dispositivos fabricados a partir de ellos. |
JP4006727B2 (ja) * | 2002-03-25 | 2007-11-14 | 富士通株式会社 | 光検知器及びその製造方法 |
CN1224111C (zh) * | 2003-07-04 | 2005-10-19 | 清华大学 | 硅纳米线阵列太阳能转换装置 |
KR100584188B1 (ko) * | 2004-03-08 | 2006-05-29 | 한국과학기술연구원 | 나노선 광센서 및 이를 포함하는 키트 |
JP2006226891A (ja) * | 2005-02-18 | 2006-08-31 | Nec Corp | 熱型赤外線検出素子 |
US20060210279A1 (en) * | 2005-02-28 | 2006-09-21 | Hillis W D | Optical Antenna Assembly |
KR20060117671A (ko) * | 2005-05-13 | 2006-11-17 | 삼성전자주식회사 | 표시 장치 |
ATE392013T1 (de) * | 2005-07-29 | 2008-04-15 | Imec Inter Uni Micro Electr | Wellenlängenempfindlicher photondetektor mit länglichen nanostrukturen |
JP2007043150A (ja) * | 2005-07-29 | 2007-02-15 | Interuniv Micro Electronica Centrum Vzw | 細長いナノ構造体を有する波長センシティブ検出器 |
US7741647B2 (en) * | 2006-05-22 | 2010-06-22 | Hewlett-Packard Development Company | Utilizing nanowire for different applications |
US20080081326A1 (en) * | 2006-10-03 | 2008-04-03 | Jun Amano | Methods and devices for diagnostic testing |
WO2008073261A2 (en) * | 2006-12-08 | 2008-06-19 | Regents Of The University Of Minnesota | Detection beyond the standard radiation noise limit using reduced emissivity and optical cavity coupling |
US8110883B2 (en) * | 2007-03-12 | 2012-02-07 | Nantero Inc. | Electromagnetic and thermal sensors using carbon nanotubes and methods of making same |
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Cited By (1)
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