JP5147391B2 - Method and apparatus for designing an integrated circuit layout - Google Patents

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Abstract

A method for modifying an upper layout for an upper layer of an IC using information of a lower layout for a lower layer of the IC, the method including (2205) receiving the upper layout containing features and modifications to features, (2215) producing a density map of the lower layout having geometry coverages of sub-regions of the lower layout, (2220) selecting a feature in the upper layout, (2225) retrieving, from the density map, the geometry coverage of a sub-region below the feature, (2230) determining a vertical deviation of the feature using the geometry coverage, (2235) determining an alteration to the modification using the vertical deviation, (2240) applying the alteration to the modification and (2245) repeating for all features.

Description

本発明は、集積回路レイアウトを設計する方法及び機器に関する。   The present invention relates to a method and apparatus for designing an integrated circuit layout.

集積回路(IC)は、トランジスタ、レジスタ、ダイオードなどのような多くの電子構成要素を含む装置(例えば、半導体素子)である。これらの構成要素を相互接続してゲート、セル、メモリ装置、算術演算装置、コントローラ、復号器などのような複数の回路構成要素を形成することが多い。ICは、その電子及び回路構成要素を相互接続する配線の複数の層を含む。従来的に、ICは、その配線層の各々について優先配線方向を指定する優先方向(PD)配線モデルを使用する。優先方向配線モデルでは、優先方向は、一般的に連続する配線層間で交替する。   An integrated circuit (IC) is a device (eg, a semiconductor device) that includes many electronic components such as transistors, resistors, diodes, and the like. These components are often interconnected to form a plurality of circuit components such as gates, cells, memory devices, arithmetic units, controllers, decoders, and the like. An IC includes multiple layers of wiring that interconnect its electronic and circuit components. Traditionally, ICs use a preferred direction (PD) wiring model that specifies a preferred wiring direction for each of its wiring layers. In the priority direction wiring model, the priority direction is generally alternated between successive wiring layers.

PD配線モデルの一例は、優先方向水平及び垂直配線の交替する層を指定するPDマンハッタン配線モデルである。PD配線モデルの別の例は、優先方向斜め配線の交替する層を指定するPD斜め配線モデルである。PD斜め配線モデルは、PDマンハッタン配線モデルよりも短い配線距離を考慮することができ、ICの電子及び回路構成要素の相互接続に必要とされる総ワイヤ長を短縮することができる。   An example of the PD wiring model is a PD Manhattan wiring model that designates layers in which the priority direction horizontal and vertical wirings alternate. Another example of the PD wiring model is a PD diagonal wiring model that designates a layer in which the priority direction diagonal wiring is replaced. The PD diagonal wiring model can take into account a shorter wiring distance than the PD Manhattan wiring model, and can reduce the total wire length required for the interconnection of IC electronics and circuit components.

設計技師は、ICの論理又は回路記述をレイアウトと呼ぶ幾何学的記述に変形することによりICを設計する。レイアウトを作成するために、設計技師は、一般的に電子設計自動化(EDA)アプリケーションを使用する。これらのアプリケーションは、IC設計レイアウトの作成、編集、及び分析のためのコンピュータベースツールの組を提供する。ICレイアウトは、IC構成要素、相互接続線、バイアパッドなどのようなウェーハ上で製作されることになるIC要素の幾何学的表現を含む。従って、ICレイアウトは、一般的に、(1)ピンを有する回路モジュール(すなわち、電子又は回路IC構成要素の幾何学的表現)、(2)同じ層上に回路モジュールのピンを接続する相互接続線(すなわち、配線の幾何学的表現)、及び(3)異なる層にわたって回路モジュールのピンを接続するバイア(すなわち、非平面配線の幾何学的表現)のようないくつかの幾何学形状を含む。   A design engineer designs an IC by transforming the logic or circuit description of the IC into a geometric description called a layout. To create a layout, a design engineer typically uses an electronic design automation (EDA) application. These applications provide a set of computer-based tools for creating, editing, and analyzing IC design layouts. The IC layout includes a geometric representation of the IC elements that will be fabricated on the wafer, such as IC components, interconnect lines, via pads, and the like. Thus, an IC layout generally includes (1) a circuit module having pins (ie, a geometrical representation of an electronic or circuit IC component), and (2) an interconnect that connects the pins of a circuit module on the same layer. Includes several geometric shapes such as lines (ie, a geometric representation of the wiring) and (3) vias that connect the pins of the circuit module across different layers (ie, a geometric representation of the non-planar wiring) .

ICレイアウト設計が完了した後にICを製作するために、刷版(フォトマスク)がICレイアウトに基づいて作成され、そのためにフォトマスクは、ICレイアウトの様々な幾何学形状を含む。フォトマスク上に含まれた様々な幾何学形状は、特定の回路パターンでウェーハ上に作成されるIC要素(IC構成要素、相互接続線、バイアパッドなどのような)を表し、ウェーハは、集積回路の基部を形成する。ウェーハの上に置かれるのは、一般的に、保護絶縁層と光感応フォトレジスト層であることになる。フォトレジスト層の選択区域が修正されるように(一般的に弱化又は強化)、光源及びレンズを使用して、フォトマスクを通して光をウェーハのフォトレジスト層上に集束させる。これを行う際に、フォトマスク上に表された回路パターンが、ウェーハのフォトレジスト層上に「刻み込まれる」。次に、フォトレジスト層の修正区域(並びに下にある絶縁層)をエッチングで除去し、望ましい回路パターンのIC要素を生成する。設計、フォトマスク処理(照明)、及びエッチングという複数の段階を通して、ICの複数の層が作成される。   In order to produce an IC after the IC layout design is completed, a printing plate (photomask) is created based on the IC layout, for which purpose the photomask includes various geometric shapes of the IC layout. The various geometries contained on the photomask represent IC elements (such as IC components, interconnect lines, via pads, etc.) created on the wafer with a specific circuit pattern, and the wafer is an integrated circuit Forming the base of Overlying the wafer will typically be a protective insulating layer and a light sensitive photoresist layer. A light source and lens are used to focus the light through the photomask onto the photoresist layer of the wafer so that selected areas of the photoresist layer are modified (typically weakened or enhanced). In doing this, the circuit pattern represented on the photomask is “engraved” on the photoresist layer of the wafer. The modified area of the photoresist layer (as well as the underlying insulating layer) is then etched away to produce the desired circuit pattern of IC elements. Through multiple stages of design, photomasking (illumination), and etching, multiple layers of the IC are created.

しかし、一般的に、ICレイアウトに最初に設計された(そしてフォトマスク上に複製された)幾何学形状と、フォトマスク処理及びエッチング処理を通じてウェーハ上に実際に生成される得られた作製幾何学形状にはかなりの不一致がある。レイアウトに設計された幾何学形状と得られた作製幾何学形状の間の不一致は、主として、最近、幾何学形状寸法がフォトマスク処理で使用される光の波長よりも小さくなり、従って幾何学形状寸法の正確な再生が問題になっていることによるものである。これに呼応して、「分解能向上技術(RET)」のような様々な光学的方法が開発されており、フォトマスク処理で使用される光の波長よりも小さいサイズでの幾何学形状寸法のより正確な再生を可能にしている。しかし、IC製作に「分解能向上技術」を用いても、ウェーハ上に実際に作製された幾何学形状が、ICレイアウトに最初に設計された幾何学形状に似ることになる(所定の許容閾値内で)という保証はない。   However, in general, the geometry originally designed in the IC layout (and replicated on the photomask) and the resulting fabrication geometry actually generated on the wafer through photomasking and etching processes There is considerable discrepancy in shape. The discrepancy between the geometry designed in the layout and the resulting fabricated geometry is mainly due to the fact that recently the geometry dimensions are smaller than the wavelength of light used in photomask processing, so the geometry This is due to the problem of accurate reproduction of dimensions. In response, various optical methods, such as “Resolution Enhancement Technology (RET)”, have been developed to reduce the geometric dimensions at a size smaller than the wavelength of light used in photomask processing. Accurate playback is possible. However, even if “resolution enhancement technology” is used for IC fabrication, the geometry actually fabricated on the wafer will resemble the geometry initially designed for the IC layout (within a predetermined tolerance threshold). There is no guarantee.

レイアウトに設計された幾何学形状と得られた作製幾何学形状の不一致はまた、周囲の幾何学形状からその幾何学形状に当たる回折光によっても引き起こされ、この光は、周囲の幾何学形状のフォトマスク処理時に周囲の幾何学形状から回折されたものである。この回折光は、この光が接触する幾何学形状の外観に歪み又は不正確さを引き起こす可能性がある。従って、RET使用の有無を問わず、ウェーハ上の幾何学形状の作製にはある程度の予測不能性がある。   The discrepancy between the geometry designed for the layout and the resulting fabrication geometry is also caused by diffracted light that strikes the geometry from the surrounding geometry, which is a photo of the surrounding geometry. It is diffracted from the surrounding geometric shape at the time of mask processing. This diffracted light can cause distortions or inaccuracies in the appearance of the geometry with which it comes into contact. Therefore, there is some degree of unpredictability in the production of geometric shapes on the wafer, regardless of whether RET is used.

図1は、ICレイアウトに設計された(及び、フォトマスク上に複製された)時の最初の幾何学形状105と、ウェーハ上に実際に生成された作製幾何学形状120との間で生じる場合がある変化の例を示している。図1の例では、最初の幾何学形状105は、点で示す関連の5つの形態、すなわち、4つのコーナ形態と1つの線−点の形態112を有する。図1に示すように、作製幾何学形状120は、4つの丸いコーナ125と曲線セグメント127を有する。一般的に、IC作製では、ウェーハ上に生成された幾何学形状120コーナ125は、かなりの誤差を有することになる(すなわち、最初の幾何学形状105のコーナ110と実質的に異なることになる)。また、作製幾何学形状120の線セグメントもかなりの誤差を有し、図1の例に示すように、直線ではなく曲線状である可能性がある。   FIG. 1 shows the case where it occurs between the initial geometry 105 when designed in an IC layout (and replicated on a photomask) and the fabrication geometry 120 actually generated on the wafer. There are examples of changes. In the example of FIG. 1, the initial geometric shape 105 has five related forms indicated by points: four corner forms and one line-point form 112. As shown in FIG. 1, the fabrication geometry 120 has four rounded corners 125 and curved segments 127. In general, for IC fabrication, the geometry 120 corner 125 generated on the wafer will have significant errors (ie, it will be substantially different from the corner 110 of the original geometry 105). ). In addition, the line segments of the fabricated geometric shape 120 also have a considerable error, and as shown in the example of FIG.

従来、ICレイアウト内の幾何学形状に修正を行って(及び、フォトマスク上に複製)、ウェーハ上に作製された得られた幾何学形状の誤差を調節する。図2は、最初の幾何学形状105上に置かれた修正(補正形状)230とウェーハ上に実際に生成された作製幾何学形状235の例を示している。図2に示すように、修正230は、最初の幾何学形状105のコーナ形態110に置かれ、これは、作製幾何学形状235に丸みの少ないコーナ240を生成する。修正230はまた、最初の幾何学形状105の線−点の形態112にも置かれ、これは、作製幾何学形状235に曲線の少ない線セグメント242を生成する。修正230を使用して生成した作製幾何学形状235の方が外見上は最初の幾何学形状105に近いが、それでも、作製幾何学形状235と最初の幾何学形状105の間にはある程度の不一致があることに注意されたい。一般的に、修正を最初の幾何学形状に行い、最初の幾何学形状からの分散の許容閾値内にある満足できる得られる幾何学形状のみを生成する。   Conventionally, the geometry in the IC layout is modified (and replicated on a photomask) to adjust the error in the resulting geometry created on the wafer. FIG. 2 shows an example of a correction (corrected shape) 230 placed on the initial geometric shape 105 and a production geometric shape 235 actually generated on the wafer. As shown in FIG. 2, the modification 230 is placed on the corner configuration 110 of the initial geometry 105, which produces a less rounded corner 240 on the fabricated geometry 235. The correction 230 is also placed in the line-point form 112 of the initial geometry 105, which produces a line segment 242 with less curves in the created geometry 235. The generated geometry 235 generated using the modification 230 is more similar in appearance to the initial geometry 105, but still there is some discrepancy between the generated geometry 235 and the initial geometry 105. Please note that there is. In general, modifications are made to the initial geometry, producing only satisfactory resulting geometric shapes that are within an acceptable threshold of variance from the initial geometry.

現在、レイアウトの最初の幾何学形状に修正を作成するには、2つの方法がある。その1つは、レイアウトの最初の幾何学形状に初期修正を行い、計算シミュレーションを最初の幾何学形状に行って模擬幾何学形状を生成するシミュレーションベースの手法である。模擬幾何学形状を使用して、最初の幾何学形状の修正が満足なものか否かを判断する。最初の幾何学形状の修正で満足な模擬幾何学形状が得られなかった場合、修正を調節して(例えば、拡大又は縮小)、別の模擬幾何学形状を生成する。この処理を満足な模擬幾何学形状が生成されるまで繰り返す。しかし、シミュレーションベースの手法では、満足な幾何学形状が生成されるまでレイアウト内の全ての幾何学形状のシミュレーションを繰返し行うことが要求される。1つのレイアウト上に数十億ものそのような幾何学形状がある場合があることを考慮すると、この手法は、非常に時間を要する可能性がある。   Currently, there are two ways to create a modification to the first geometric shape of a layout. One of them is a simulation-based method in which an initial correction is made to the first geometric shape of the layout and a simulation simulation is performed on the first geometric shape to generate a simulated geometric shape. The simulated geometry is used to determine if the initial geometry modification is satisfactory. If the initial geometric shape modification does not yield a satisfactory simulated geometric shape, the correction is adjusted (eg, scaled up or down) to generate another simulated geometric shape. This process is repeated until a satisfactory simulated geometric shape is generated. However, simulation-based techniques require that all geometric shapes in the layout be repeatedly simulated until a satisfactory geometric shape is generated. Considering that there can be billions of such geometries on a layout, this approach can be very time consuming.

第2の手法は、修正規則が一般的にIC設計担当者自身の手で作られる規則ベースの手法である。そのような規則では、異なる状況でどのような修正を幾何学形状に行うべきかが定められる。規則ベースの手法は、シミュレーションベースの手法ほど時間は掛からないが、ICレイアウトで生じると考えられる様々な状況を網羅するように多数の規則を作らなければならない。また、各修正規則は、複雑である上に、作成して適用することが厄介である場合がある。
従って、ウェーハ上に作製された時に満足な幾何学形状を生成するように計算されたレイアウト内の幾何学形状に対する修正を判断する簡単かつ効率的な方法に対する必要性が存在する。
The second method is a rule-based method in which correction rules are generally created by IC designers themselves. Such rules define what modifications should be made to the geometry in different situations. The rule-based approach takes less time than the simulation-based approach, but a number of rules must be created to cover the various situations that are likely to occur in the IC layout. Also, each modification rule can be complex and cumbersome to create and apply.
Thus, there is a need for a simple and efficient method of determining modifications to a geometry in a layout that is calculated to produce a satisfactory geometry when fabricated on a wafer.

本発明の一部の実施形態は、各モデルがウェーハ上に満足な形態を生成するように計算された形態に対する修正を含む事前作表モデルのライブラリを使用してICレイアウト内の形態を修正する方法を提供する。また、各モデルは、形態が位置する幾何学形状と、ゼロ又はそれよりも多くの隣接する幾何学形状とを含む形態の環境を含む。一部の実施形態では、ICレイアウト内の形態を修正する方法は、1)修正のためにレイアウト内の形態を選択する段階、2)形態を含む環境を識別する段階、3)適合する環境を含む事前作表ライブラリ内のモデルを識別する段階、4)適合モデルから形態に対する修正を検索する段階、及び5)修正をレイアウト内の形態に適用する段階を含む。一部の実施形態では、適合モデルはまた、模擬環境データ、再模擬環境データ、電気特性データ、及び/又は調節方程式又は関数データのような他のデータも含む。これらの実施形態では、本方法は、適合モデルに含まれた他の形式のデータのいずれか又は全てを検索する(段階4で)。   Some embodiments of the present invention modify a form in an IC layout using a library of pre-tabulated models that includes modifications to the form that each model calculates to produce a satisfactory form on the wafer. Provide a method. Each model also includes a morphological environment that includes the geometric shape in which the morphology is located and zero or more adjacent geometric shapes. In some embodiments, a method for modifying a form in an IC layout includes 1) selecting a form in the layout for modification, 2) identifying an environment that includes the form, and 3) matching the environment. Identifying a model in a pre-tabulated library to include, 4) retrieving a modification to the form from the conforming model, and 5) applying the modification to the form in the layout. In some embodiments, the fitting model also includes simulated environment data, re-simulated environment data, electrical property data, and / or other data such as accommodation equations or function data. In these embodiments, the method retrieves (at stage 4) any or all of the other types of data included in the fit model.

一部の実施形態では、事前作表モデルのライブラリを構築する方法は、1)各環境が形態と1つ又はそれよりも多くの幾何学形状とを含む1組の例示的な事前作表環境を作成する段階、2)組における現在の環境を選択する段階、3)現在の環境内の現在の形態に対する修正を作成して適用する段階、4)現在の環境を修正で模擬する段階、5)現在の環境と現在の形態の満足なシミュレーションが達成されるまで段階3と段階4を繰り返す段階、6)モデルに現在の環境(最後の修正が行われた)のデータを格納することにより現在の環境のモデルを作成する段階、及び7)組内の全ての環境が処理されるまで段階2から段階6を繰り返す段階を含む。一部の実施形態では、ライブラリ内の1組の環境は、マンハッタン又は斜め優先方向配線のような特定の優先方向配線を有するレイアウトになるように調整される。一部の実施形態では、ライブラリ内の1組の環境は、アナログに設計されたレイアウトのような特定の優先方向配線を有していないレイアウトになるように調整される。   In some embodiments, the method of building a library of pre-tabulated models is 1) a set of exemplary pre-tabulated environments where each environment includes a form and one or more geometric shapes. 2) selecting the current environment in the set, 3) creating and applying a modification to the current form in the current environment, 4) simulating the current environment with the modification, 5 ) Repeat steps 3 and 4 until a satisfactory simulation of the current environment and current form is achieved, 6) Current by storing data of the current environment (last modified) in the model And 7) repeating steps 2 through 6 until all environments in the set have been processed. In some embodiments, the set of environments in the library is tailored to have a layout with specific preferred direction wiring, such as Manhattan or diagonal preferred direction wiring. In some embodiments, the set of environments in the library is tailored to be a layout that does not have a specific preferred direction wiring, such as an analog designed layout.

本発明の一部の実施形態は、事前作表モデルのライブラリを使用してICレイアウト内の形態を修正する代替的な方法を提供し、この代替的な方法は、1)修正のためにレイアウト内の形態を選択する段階、2)形態を含むレイアウト環境を識別する段階、3)ライブラリ内のモデルが適合する環境を含むかを判断する段階、4)含む場合には、適合モデルから形態に対する修正を検索して適用する段階、5)含まない場合には、ライブラリ内のモデルが、レイアウト環境から所定の分散内の環境を含むかを判断する段階、6)含む場合には、「適合」モデルから形態に対する修正を検索して適用する段階、及び7)含まない場合には、レイアウト環境のためにライブラリ内に新しい適合モデルを作成して格納する段階を含む。一部の実施形態では、段階5から段階7を実行するのではなく、本方法は、適合モデルがライブラリ内に見つからない時には、従来の規則ベース手法を用いてレイアウト内の形態に対する修正を判断する。一部の実施形態では、本方法は、事前の予め作表されたライブラリを作成せずに、むしろ、レイアウト内の形態を修正しながら同時にライブラリを作成する、すなわち、レイアウトを修正するために使用する時に実行時間中に「オンザフライ」で事前作表ライブラリを作成して実行される。   Some embodiments of the present invention provide an alternative method of modifying a shape in an IC layout using a library of pre-tabulated models, which includes 1) layout for modification Selecting a form within, 2) identifying a layout environment containing the form, 3) determining whether a model in the library contains a matching environment, 4) if included, from the conforming model to the form Searching for and applying corrections, 5) if not, determining if the model in the library includes an environment within a given distribution from the layout environment, 6) if included, “fit” Searching for and applying modifications to the form from the model, and 7) if not, creating and storing a new fit model in the library for the layout environment. In some embodiments, rather than performing steps 5-7, the method uses conventional rule-based techniques to determine modifications to features in the layout when no matching model is found in the library. . In some embodiments, the method does not create a pre-prepared library, but rather creates a library at the same time while modifying the form in the layout, i.e., used to modify the layout. When creating a pre-tabulated library "on the fly" during execution time is executed.

一部の実施形態では、事前作表ライブラリ内のモデルは、形態と、1つ又はそれよりも多くの幾何学形状と、形態に対する修正とを含む事前作表環境を説明する事前作表環境データを収容する。一部の実施形態では、モデルはまた、処理変動がないと仮定してウェーハ上に作製された状態で事前作表環境が現れることになる方法の予測である模擬環境を説明する模擬環境データを収容する。一部の実施形態では、モデルはまた、1つ又は複数の処理変動を仮定してウェーハ上に作製された状態で事前作表環境が現れることになる方法の予測である再模擬環境を説明する再模擬環境データを収容する。   In some embodiments, the model in the pre-tabulation library is pre-tabulation environment data describing a pre-tabulation environment that includes morphology, one or more geometric shapes, and modifications to the morphology. To accommodate. In some embodiments, the model also provides simulated environment data that describes the simulated environment, which is a prediction of how the pre-tabulated environment will appear when fabricated on the wafer assuming there are no process variations. Accommodate. In some embodiments, the model also describes a re-simulation environment that is a prediction of how the pre-tabulation environment will appear when fabricated on the wafer assuming one or more process variations. Accommodates resimulated environment data.

一部の実施形態は、各モデルが模擬環境データ及び/又は再模擬環境データを収容するモデルの事前作表ライブラリを構築するための代替的なライブラリ構築方法を提供する。これらの実施形態では、ライブラリ構築方法は、1)各々が形態を含む1組の例示的な事前作表環境を作成する段階、2)組内の現在の環境を選択する段階、3)満足な模擬環境を生成する現在の環境内の形態に対する修正を判断する段階、4)モデルに現在の環境のデータを格納することにより現在の環境のモデルを作成する段階、5)モデルに満足な模擬環境を説明する模擬環境データを格納する段階、6)1つ又はそれよりも多くの処理変動を反映する現在の環境の再模擬環境を生成する段階、7)モデルに再模擬環境を説明する再模擬環境データを格納する段階、及び8)組内の全ての環境が処理されるまで段階2から段階7を繰り返す段階を含む。   Some embodiments provide an alternative library construction method for building a pre-tabulated library of models where each model contains simulated environment data and / or re-simulated environment data. In these embodiments, the library construction method includes 1) creating a set of exemplary pre-tabulated environments, each containing a form, 2) selecting a current environment within the set, and 3) satisfactory. The stage of determining the modification to the form in the current environment that generates the simulated environment 4) The stage of creating the model of the current environment by storing the data of the current environment in the model 5) The simulated environment satisfying the model 6) storing simulated environment data that describes, 6) generating a re-simulated environment of the current environment that reflects one or more process variations, 7) re-simulating the model to re-simulate the environment Storing environment data, and 8) repeating steps 2 through 7 until all environments in the set have been processed.

一部の実施形態では、モデルはまた、事前作表環境の電気特性(キャパシタンス、インダクタンス、又は抵抗など)を説明する電気特性データを収容する。一部の実施形態では、各モデルは、事前作表環境内の1つ又はそれよりも多くの幾何学形状の寸法及び配置の関数として及び/又は1つ又はそれよりも多くの処理変動の関数として事前作表環境の電気特性を表す特性方程式を収容する。
一部の実施形態は、キャパシタンス方程式を収容するライブラリを構築する代替的なライブラリ構築方法を提供し、本方法は、1)各々が1対の隣接幾何学形状を含む1組の例示的な事前作表環境を作成する段階、2)組内の現在の環境を選択する段階、3)現在の環境を模擬して初期環境を生成する段階、4)3次元(3D)電磁シミュレーションを初期環境に行って隣接幾何学形状の対の間の初期キャパシタンス(C0)を見つける段階、5)1つ又はそれよりも多くの処理変動の例示的な値を考慮する再シミュレーションを現在の環境に行って変更された環境を生成する段階、6)変更された環境と初期環境における隣接幾何学形状の対の距離の間の距離差(ΔW)を判断する段階、7)3Dシミュレーションを変更された環境に行って隣接幾何学形状の対の間のキャパシタンス値(C)を見つける段階、8)キャパシタンス値(C)、距離差(ΔW)、及び1つ又はそれよりも多くの処理変動の例示的な値とを例示的結果として格納する段階、9)段階5から段階8を所定の回数で繰返し、1組の例示的な結果を生成する段階、10)組内の全ての例示的な結果を考慮するキャパシタンス方程式を判断する段階、11)現在の環境に対するモデルにキャパシタンス方程式を格納する段階、及び12)組内の全ての環境が処理されるまで段階2から段階11を繰り返す段階を含む。
In some embodiments, the model also contains electrical property data that describes electrical properties (such as capacitance, inductance, or resistance) of the pre-tabulation environment. In some embodiments, each model is a function of the size and placement of one or more geometric shapes in the pre-tabulation environment and / or a function of one or more process variations. As a characteristic equation representing the electrical characteristics of the pre-tabulation environment.
Some embodiments provide an alternative library construction method for constructing a library containing capacitance equations, the method comprising: 1) a set of exemplary pre-forms each including a pair of adjacent geometric shapes The stage of creating a tabulation environment, 2) the stage of selecting the current environment in the set, 3) the stage of generating the initial environment by simulating the current environment, 4) the 3D (3D) electromagnetic simulation as the initial environment To find the initial capacitance (C 0 ) between pairs of adjacent geometries, 5) re-simulate the current environment to take into account exemplary values of one or more process variations Generating a modified environment, 6) determining a distance difference (ΔW) between a pair of adjacent geometric shapes in the modified environment and the initial environment, and 7) converting the 3D simulation to the modified environment. Go Finding a capacitance value (C) between a pair of adjacent geometric shapes; 8) a capacitance value (C), a distance difference (ΔW), and an exemplary value of one or more process variations. Storing as an example result, 9) repeating steps 5 to 8 a predetermined number of times to generate a set of example results, 10) a capacitance equation that considers all example results in the set 11) storing the capacitance equation in a model for the current environment, and 12) repeating steps 2 through 11 until all environments in the set have been processed.

一部の実施形態では、モデルはまた、モデル内の事前作表修正に対する調節を判断するために設計レイアウトの特定区域の少なくとも1つの幾何学形状範囲百分率を使用する調節方程式又は関数を説明する調節方程式又は関数データを収容する。一部の実施形態は、所定の調節方程式又は関数と共に事前作表モデルのライブラリを使用してICレイアウト内の幾何学形状を修正する調節方法を提供する。レイアウトの各形態に対して、本方法は、1)形態を収容する現在の環境を識別する段階、2)適合する環境を収容するライブラリ内のモデルを識別する段階、3)形態に対する修正と、1つ又はそれよりも多くの所定の係数及びレイアウト内の特定区域の幾何学形状範囲百分率である1つ又はそれよりも多くの変数を含む、修正を調節するのに使用される所定の調節方程式とを適合モデルから検索する段階、4)調節方程式に指定された区域の幾何学形状範囲百分率を判断する段階、5)調節方程式を使用して修正に対して行われる調節を判断する段階、6)調節を修正に適用する段階、及び7)調節された修正を形態に適用する段階を含む。   In some embodiments, the model also adjusts to describe an adjustment equation or function that uses at least one geometric range percentage of a particular area of the design layout to determine adjustments to pre-tabulation modifications in the model. Contains equation or function data. Some embodiments provide an adjustment method that uses a library of pre-tabulated models with a predetermined adjustment equation or function to modify the geometry in the IC layout. For each form of layout, the method includes 1) identifying the current environment containing the form, 2) identifying the model in the library containing the conforming environment, 3) modifying the form; A predetermined adjustment equation used to adjust the correction, including one or more predetermined coefficients and one or more variables that are the geometric range percentage of a particular area in the layout 4) determining the geometric range percentage of the area specified in the adjustment equation, 5) determining adjustments to be made to the correction using the adjustment equation, 6) And) 7) applying the adjusted correction to the form.

一部の実施形態は、所定の調節方程式又は関数を収容するライブラリを生成するライブラリ構築方法を提供する。1組の事前作表環境内の各事前作表環境(形態に対する初期修正を含む)に対して、本方法は、1)形態を取り囲む特定領域の1つ又はそれよりも多くの例示的な幾何学形状範囲値を考慮するシミュレーションを環境に対して実行する段階、2)初期修正を調節する段階、3)満足なシミュレーションが生成されるまで段階1と段階2を繰り返す段階、4)初期修正に対して行われた合計調節を判断する段階、5)合計調節値と1つ又はそれよりも多くの幾何学形状範囲値とを例示的な結果として格納する段階、6)1組の例示的な結果を生成するために段階1から段階5を所定の回数で繰り返す段階、7)組内の全ての例示的な結果を考慮し、かつ合計調節値が1つ又はそれよりも多くの幾何学形状範囲値から導出される方法を説明する調節方程式を判断する段階、及び8)環境に対するモデルに調節方程式を格納する段階を含む。   Some embodiments provide a library construction method for generating a library containing a predetermined adjustment equation or function. For each pre-tabulation environment within a set of pre-tabulation environments (including initial modifications to the form), the method 1) one or more exemplary geometries of a particular region surrounding the form A stage in which a simulation considering the geometric shape range values is performed on the environment, 2) a stage in which the initial correction is adjusted, 3) a stage in which steps 1 and 2 are repeated until a satisfactory simulation is generated, and 4) the initial correction Determining the total adjustment made to the 5) storing the total adjustment value and one or more geometric range values as exemplary results, 6) a set of exemplary Repeat steps 1 to 5 a predetermined number of times to generate results, 7) consider all exemplary results in the set and have a total adjustment value of one or more geometric shapes A key to explain how the value is derived from the range value Step determines equations, and 8) includes the step of storing the adjusted equation model for the environment.

一部の実施形態では、ICの上部層に対する上部レイアウト内の幾何学形状は、ICの下部層に対する下部レイアウトに関連する情報を使用して修正される。一部の実施形態では、上部レイアウト内の幾何学形状は、下部レイアウトの密度マップを使用して修正される。一部の実施形態では、ICの層に対するレイアウト内の幾何学形状は、レイアウト/層の起伏データ(垂直偏差データ)に基づいて修正される。   In some embodiments, the geometry in the top layout for the top layer of the IC is modified using information related to the bottom layout for the bottom layer of the IC. In some embodiments, the geometry in the top layout is modified using the density map of the bottom layout. In some embodiments, the geometry in the layout for an IC layer is modified based on layout / layer relief data (vertical deviation data).

一部の実施形態は、ICの下部層に対するレイアウトに関連する情報を使用してICの上部層に対するレイアウトを修正する方法を提供する。本方法は、1)形態と形態に対する修正とを含む、ICの上部層に対する上部レイアウトを受け取る段階、2)ICの下部層に対する下部レイアウトのデータを検索する段階、3)下部レイアウトのサブ領域における幾何学形状範囲の百分率を示す下部レイアウトの密度マップを生成する段階、4)上部レイアウト内の現在の形態(修正を有する)を選択する段階、5)現在の形態よりも下の下部レイアウトのサブ領域の幾何学形状範囲の百分率を密度マップから検索する段階、6)幾何学形状範囲百分率に基づいて現在の形態の垂直偏差の推定値を判断する段階、7)垂直偏差に基づいて現在の形態の修正に対する変更を判断する段階、8)変更を現在の形態の修正に適用する段階、及び9)上部層の全ての形態が処理されるまで段階4から段階8を繰り返す段階を含む。
本発明の新しい特徴は、特許請求の範囲に示されている。しかし、説明のために、本発明のいくつかの実施形態を添付の図面に示す。
Some embodiments provide a method for modifying a layout for an upper layer of an IC using information related to the layout for the lower layer of the IC. The method includes 1) receiving an upper layout for the upper layer of the IC, including features and modifications to the feature, 2) retrieving data for the lower layout for the lower layer of the IC, 3) in a sub-region of the lower layout Generating a density map of the lower layout showing the percentage of the geometric range, 4) selecting a current form (with modifications) in the upper layout, 5) a sub-layout of the lower layout below the current form Retrieving a percentage of the geometric shape range of the region from the density map, 6) determining an estimate of the vertical deviation of the current form based on the percentage of the geometric form range, and 7) present form based on the vertical deviation. Determining the change to the modification of the current, 8) applying the change to the modification of the current form, and 9) stage 4 until all forms of the upper layer have been processed. Including the step of repeating steps 8.
The novel features of the invention are set forth in the appended claims. However, for purposes of explanation, some embodiments of the invention are shown in the accompanying drawings.

以下に説明を目的として多くの詳細事項を示している。しかし、当業者は、本発明は、これらの特定の詳細事項がなくても実施することができることを認識するであろう。他の事例では、不必要に詳しいがために本発明の説明が曖昧とならないように、公知の構造及び装置をブロック図で示している。
以下の説明を6つの節に分ける。一般的な集積回路レイアウト設計方法及び一般的な用語及び概念を節Iで以下に説明する。次に、節IIでは、各モデルが環境(ICレイアウトのサブ領域)と環境の幾何学形状又は形態に適用する修正とを説明する事前作表モデルのライブラリを使用してICレイアウト内の幾何学形状を修正する方法について説明する。節IIIでは、事前作表モデルのライブラリを使用してICレイアウト内の幾何学形状を修正する代替的な方法について説明する。節IVでは、シミュレーションデータ又はモデルに説明される環境の電気データのようなライブラリ内のモデルに含めることができる他のデータについて説明する。節Vでは、方程式又は関数を基本として方法と共に事前作表モデルのライブラリを使用してICレイアウト内の幾何学形状を修正する方法について説明する。節VIでは、別のICの層に対するレイアウトに関連する情報を使用してICの層に対するレイアウト内の幾何学形状修正する方法について説明する。
Many details are set forth below for purposes of explanation. However, those skilled in the art will recognize that the invention may be practiced without these specific details. In other instances, well-known structures and devices are shown in block diagram form in order not to obscure the description of the present invention with unnecessary detail.
The following description is divided into six sections. General integrated circuit layout design methods and general terms and concepts are described below in Section I. Next, Section II uses a library of pre-tabulated models that describe the environment (a sub-region of the IC layout) and the modifications that apply to the geometry or form of the environment, and then the geometry in the IC layout. A method of correcting the shape will be described. Section III describes an alternative method of modifying geometry in an IC layout using a library of pre-tabulated models. Section IV describes other data that can be included in the model in the library, such as simulation data or electrical data of the environment described in the model. Section V describes how to modify a geometric shape in an IC layout using a library of pre-tabulated models along with methods based on equations or functions. Section VI describes how to modify the geometry in a layout for an IC layer using information related to the layout for another IC layer.

節I:一般的な設計方法、用語、概念
図3は、集積回路レイアウトを設計する一般的に設計方法300の流れ図である。方法300は、例えば、集積回路設計レイアウトを作成、編集、又は分析する電子設計自動化(EDA)アプリケーションによって実施することができる。一般的な設計方法300は、各々がゼロ又はそれよりも多くの形態を有する複数の幾何学形状を含む最初の設計レイアウトを受け取った時に始まる(305で)。最初の設計レイアウトは、一般的に設計技師によって設計される。
Section I: General Design Methods, Terminology, Concepts FIG. 3 is a flow diagram of a general design method 300 for designing an integrated circuit layout. The method 300 can be implemented, for example, by an electronic design automation (EDA) application that creates, edits, or analyzes an integrated circuit design layout. The general design method 300 begins (at 305) when an initial design layout is received that includes a plurality of geometries each having zero or more features. The initial design layout is typically designed by a design engineer.

次に、レイアウト内の幾何学形状及び形態に対する修正を判断して設計レイアウトに適用し、修正レイアウトを生成する(310で)。一部の実施形態では、各々がレイアウト内の幾何学形状又は形態に適用される修正を含む事前作表モデルのライブラリを使用してレイアウトの修正を判断する(節IIで説明するように)。結果的に満足なレイアウト、すなわち、外見的に最初のレイアウト(305で受け取り)から所定の分散閾値の範囲内にある模擬レイアウトになる修正レイアウトを生成するためにモデルのライブラリを事前作表する。   Next, modifications to the geometric shapes and forms in the layout are determined and applied to the design layout to generate a modified layout (at 310). In some embodiments, layout corrections are determined using a library of pre-tabulated models, each containing corrections applied to the geometry or form in the layout (as described in Section II). The library of models is pre-tabulated to generate a layout that results in a satisfactory layout, i.e., a modified layout that looks from the first layout (received at 305) to a simulated layout that is within a predetermined variance threshold.

方法300の以下の段階315から段階330は、完全に任意的なものであることに注意されたい。次に、シミュレータプログラムを使用して修正レイアウトの模擬レイアウトを生成する(315で)。模擬レイアウトの使用目的は、修正レイアウトによって満足な模擬レイアウトが生成されることを確認することにある。模擬レイアウトは、ウェーハ上に作製された状態で修正レイアウトがどのような外見になるかを予測するものであり、処理変動なしと仮定する(すなわち、「正常な」処理状態と仮定する)シミュレータプログラムによって生成される。一部の実施形態では、模擬レイアウトを生成する際に、シミュレータプログラムは、フォトレジスト層の特性、露光機の光学器械の影響、光源の特性、フォトマスク処理で使用されるエッチング機の特性のような様々な因子を考慮する。   Note that the following steps 315 to 330 of method 300 are completely optional. Next, a simulated layout of the modified layout is generated using the simulator program (at 315). The purpose of using the simulated layout is to confirm that a satisfactory simulated layout is generated by the modified layout. The simulated layout predicts what the modified layout will look like when it is fabricated on a wafer, and assumes that there is no process variation (ie, assumes a “normal” process state). Generated by. In some embodiments, when generating the simulated layout, the simulator program may be able to use the characteristics of the photoresist layer, the effects of the optics of the exposure machine, the characteristics of the light source, and the characteristics of the etcher used in the photomask process. Consider various factors.

次に、本方法では、模擬レイアウトが満足なものであるか否か、すなわち、外見的に最初のレイアウト(305で受け取り)から所定の分散閾値の範囲内にあるか否かを判断する。範囲内でなければ、満足な模擬レイアウトを生成するように設計されたモデルの事前作表ライブラリを使用して修正レイアウトを生成した時にエラーが発生している。修正レイアウトによって満足な模擬レイアウトが生成された場合、本方法は、段階330に進む。次に、満足な模擬レイアウトを生成した修正レイアウトを使用して、修正レイアウトの様々な幾何学形状及び修正を含むフォトマスクを構築することができる。   Next, in this method, it is determined whether or not the simulated layout is satisfactory, that is, whether or not it is within a predetermined dispersion threshold range from the first layout (received at 305). If it is not within range, an error has occurred when the modified layout is generated using a pre-tabulated library of models designed to generate a satisfactory simulated layout. If a satisfactory simulated layout is generated by the modified layout, the method proceeds to step 330. The modified layout that produced a satisfactory simulated layout can then be used to construct a photomask that includes various geometric shapes and modifications of the modified layout.

段階330で、本方法では、1つ又はそれよりも多くの処理変動(すなわち、IC作製時に発生する変動)を考慮するシミュレータプログラムを使用して修正レイアウトの再模擬レイアウトを生成する。一部の実施形態では、再模擬レイアウトを生成する際に、シミュレータプログラムは、1つ又はそれよりも多くの特定の処理変動に加えて、段階315の場合と同じ因子(すなわち、フォトレジスト層の特性、フォトマスク処理で使用される露光機の光学器械の影響、光源の特性、フォトマスク処理で使用されるエッチング機の特性など)を考慮する。   At step 330, the method generates a re-simulated layout of the modified layout using a simulator program that takes into account one or more process variations (ie, variations that occur during IC fabrication). In some embodiments, in generating the re-simulation layout, the simulator program may add the same factors (ie, photoresist layer) as in step 315, in addition to one or more specific process variations. Characteristics, influence of optical equipment of the exposure machine used in photomask processing, characteristics of light source, characteristics of etching machine used in photomask processing, etc.).

また、再模擬レイアウトは、ウェーハ上に作製された状態で修正レイアウトがどのように現れるかを予測するものであるが、フォトマスク処理時のレンズ焦点又は露光(光線量)の変動のような1つ又はそれよりも多くの処理上の変動を仮定するシミュレータプログラムによって生成される。従って、模擬レイアウト(315で生成)と比較すると、再模擬レイアウトは、1つ又はそれよりも多くの処理上の変動を反映し、外見的には模擬レイアウトと著しく変わると考えられる。例えば、再模擬レイアウト内の幾何学形状は、模擬レイアウト内の幾何学形状よりも薄い、厚い、又は異なる形状であると考えられる。   In addition, the re-simulation layout predicts how the corrected layout will appear in the state of being produced on the wafer. It is generated by a simulator program that assumes one or more processing variations. Thus, compared to the simulated layout (generated at 315), the re-simulated layout reflects one or more processing variations and appears to be significantly different from the simulated layout. For example, the geometric shape in the re-simulated layout may be thinner, thicker, or a different shape than the geometric shape in the simulated layout.

一部の実施形態では、再模擬レイアウトは、特定の値(例えば、+10nmの焦点外れ値を有するレンズ焦点変動)を有する特定の処理変動を考慮して作製された状態で修正レイアウトがどのように現れるかについて予測を行う。一部の実施形態では、1つ又はそれよりも多くの再模擬レイアウトが生成される(330で)。そこで、一般的な設計方法300が終了する。
再模擬レイアウト(330で生成)は、一般的に、作製された状態で修正レイアウトが実際にどのように現れるかについて非常に正確に予測を行うことに注意されたい。従って、設計技師は、再模擬レイアウトを使用して修正レイアウトに更に別の修正を作るべきか否かを判断することができる。更に、再模擬レイアウトを様々なレイアウト分析プログラムに入力すると、例えば、修正レイアウトの電気特性を計算することができる。しかし、そのようなプログラムでは、段階330で行われる再シミュレーションを再現するのにかなりの時間が必要と考えられる。
In some embodiments, how a re-simulated layout is created with a specific value (e.g., lens focus variation with a defocus value of +10 nm) taken into account for a modified layout. Predict whether it will appear. In some embodiments, one or more re-simulated layouts are generated (at 330). Thus, the general design method 300 ends.
Note that the re-simulated layout (generated at 330) generally makes a very accurate prediction as to how the modified layout will actually appear when made. Thus, the design engineer can use the re-simulated layout to determine whether another correction should be made to the corrected layout. Furthermore, when the resimulated layout is input to various layout analysis programs, for example, the electrical characteristics of the modified layout can be calculated. However, such a program may require a significant amount of time to reproduce the re-simulation performed at step 330.

一部の実施形態では、節IVで説明するように、事前作表ライブラリ内のモデルは、段階315の模擬結果及び/又は段階330の再模擬結果(特定の処理変動の特定の値を含む)を説明するデータを含む。段階315の模擬結果及び/又は段階330の再模擬結果を格納することにより、これらの模擬結果は再生する必要がなく、その結果、処理時間の節約になる。それによって、処理時間が以前は実際的ではなかった用途(設計担当者による反復的な閲覧)について実際的なものになる可能性がある。   In some embodiments, as described in Section IV, the models in the pre-tabulated library are the simulated results of stage 315 and / or the re-simulated results of stage 330 (including specific values for specific process variations). Contains data describing By storing the simulation results of step 315 and / or the re-simulation results of step 330, these simulation results do not need to be replayed, thus saving processing time. This can make the processing time practical for applications that were not practical before (repeated viewing by the designer).

IC設計レイアウト(305で受け取り)には、一般的に、(1)ピンを有する回路モジュール(すなわち、電子又は回路IC構成要素の幾何学的表現)、(2)同じ層で回路モジュールのピンを接続する相互接続線(すなわち、配線の幾何学的表現)、及び(3)異なる層にわたって回路モジュールのピンを接続するバイア(すなわち、非平面配線の幾何学的表現)のようないくつかの幾何学形状が含まれることになる。バイアは、(1)配線が横切る2つの層の各々にある1つのパッド、及び(2)2つの層の間の3次元の穴である切れ目を含む。バイアパッドは、上から見ると特定の形状を有し、ICの層上に幾何学形状を含むことができる。   An IC design layout (received at 305) generally includes (1) a circuit module having pins (ie, a geometrical representation of an electronic or circuit IC component), and (2) a circuit module pin on the same layer. Several geometries, such as interconnect lines to connect (ie, a geometric representation of wiring), and (3) vias that connect the pins of circuit modules across different layers (ie, a geometric representation of non-planar wiring) The academic shape will be included. Vias include (1) one pad in each of the two layers traversed by the wiring, and (2) a cut that is a three-dimensional hole between the two layers. Via pads have a specific shape when viewed from above and can include geometric shapes on the layers of the IC.

図4は、ウェーハ上に作製されることになる回路モジュール、相互接続線、又はバイアパッドのような様々なIC要素を表すことができる幾何学形状を含むレイアウトのサブ領域405の上面図を示している。幾何学形状410は、コーナ(すなわち、幾何学形状の2辺が交わり、90度の角度を成す点)、曲げ部(すなわち、幾何学形状の2辺が交わり、90度以外の角度を成す点)、又は幾何学形状410の辺上の点(すなわち、線−点形態)のような形態415(点で示す)を含むことができる。本明細書で使用される時、本発明の方法によって現在処理されている形態を含む幾何学形状を主要幾何学形状と呼ぶ。主要幾何学形状に隣接する幾何学形状を隣接幾何学形状と呼ぶ。   FIG. 4 shows a top view of a sub-region 405 of a layout that includes a geometry that can represent various IC elements such as circuit modules, interconnect lines, or via pads that will be fabricated on the wafer. Yes. The geometric shape 410 includes a corner (that is, a point where two sides of the geometric shape intersect and form an angle of 90 degrees), and a bent portion (that is, a point where the two sides of the geometric shape intersect and form an angle other than 90 degrees). ), Or a form 415 (indicated by a point) such as a point on the side of the geometric shape 410 (ie, a line-point form). As used herein, a geometric shape including the shape currently being processed by the method of the present invention is referred to as the primary geometric shape. A geometric shape adjacent to the main geometric shape is called an adjacent geometric shape.

図5は、現在の形態515と形態515を取り囲む環境520とを含む主要幾何学形状512のレイアウトのサブ領域505の上面図を示している。また、様々な隣接幾何学形状510が現在の形態515周りに示されている。環境520は、所定のサイズを有するレイアウトのサブ領域であり、現在の形態515と、現在の形態が位置する主要幾何学形状512の一部又は全てと、ゼロ又はそれよりも多くの隣接幾何学形状510の一部又は全てとを含む。図5に示す例においては、環境520の形状は、4辺の多角形である。しかし、他の実施形態では、環境520は、円又は八角形のような別の幾何学形状を有する。一部の実施形態では、環境520は、現在の形態515が中心部に配置された正方形である。   FIG. 5 shows a top view of a sub-region 505 of the layout of the main geometry 512 that includes the current form 515 and the environment 520 surrounding form 515. Also, various adjacent geometric shapes 510 are shown around the current form 515. The environment 520 is a sub-region of the layout having a predetermined size, including the current form 515, some or all of the primary geometric shape 512 in which the current form is located, and zero or more adjacent geometries. Including part or all of the shape 510. In the example shown in FIG. 5, the shape of the environment 520 is a four-sided polygon. However, in other embodiments, the environment 520 has another geometric shape, such as a circle or an octagon. In some embodiments, the environment 520 is a square with the current form 515 centered.

図6は、図5のレイアウト環境520に適合する事前作表環境605の記述的データを含む、モデルの事前作表ライブラリに格納されるモデル600の概念図である。事前作表環境605は、所定のサイズを有する。一部の実施形態では、モデルは、形態を取り囲む環境と、形態に対する修正と、形態が位置する主要幾何学形状と、環境に含まれるゼロ又はそれよりも多くの幾何学形状とを説明する寸法及び配置データを含む。一部の実施形態では、記述的データは、形態と、修正と、主要幾何学形状と、ゼロ又はそれよりも多くの隣接幾何学形状との座標値を含み、座標値は、環境における形態の位置(例えば、形態が環境の中心部に位置し、0,0のx、y座標値を有する)に関連するものである。図6に示す例においては、モデル600で説明する環境605は、現在の形態610と、現在の形態610に対する修正615と、主要幾何学形状612と、1つの隣接幾何学形状614とを含む。   FIG. 6 is a conceptual diagram of a model 600 stored in a model pre-tabulation library that includes descriptive data of a pre-tabulation environment 605 that is compatible with the layout environment 520 of FIG. The pre-tabulation environment 605 has a predetermined size. In some embodiments, the model has dimensions that describe the environment surrounding the form, modifications to the form, the primary geometric shape in which the form is located, and zero or more geometric shapes that are included in the environment. And placement data. In some embodiments, the descriptive data includes coordinate values of morphology, modification, primary geometric shape, and zero or more neighboring geometric shapes, where the coordinate value is of the shape in the environment. The position (eg, the form is located in the center of the environment and has x, y coordinate values of 0, 0). In the example shown in FIG. 6, the environment 605 described by the model 600 includes a current form 610, a modification 615 to the current form 610, a main geometric shape 612, and one adjacent geometric shape 614.

一部の実施形態では、ICレイアウト内の形態の処理は、形態を取り囲むレイアウト環境を判断し、適合事前作表環境を有するモデルを事前作表ライブラリで見つけ、モデルに含まれた修正をレイアウト環境内の形態に適用して行う。例えば、図5の形態515の処理は、形態515を取り囲むレイアウト環境520を判断し、レイアウト環境520に適合する事前作表環境605を有するモデル600(図6の)を見つけ、モデル600に含まれた修正615をレイアウト環境520の形態515に適用して行う。   In some embodiments, the processing of the form in the IC layout determines the layout environment surrounding the form, finds a model with a conforming pre-tabulation environment in the pre-tabulation library, and identifies the modifications contained in the model in the layout environment. It is applied to the form in For example, the processing of form 515 in FIG. 5 determines the layout environment 520 surrounding form 515, finds model 600 (of FIG. 6) with pre-tabulation environment 605 that matches layout environment 520, and is included in model 600. The modified 615 is applied to the form 515 of the layout environment 520.

一部の実施形態では、レイアウト内の形態515を処理した後に、処理領域530の中心部に位置する形態515の周りにある処理領域530を識別する。処理領域530は、形態515に行われた修正が処理領域530に十分なものであり、かつ処理領域530の他の形態の処理は不要であることを示している。処理領域530は、形態515を取り囲む環境520よりも大きい場合があり、又は小さい場合もある。処理領域530を使用して、処理のために他の形態を選択しやすくすることができる(図7に関連して以下に説明するように)。   In some embodiments, after processing the form 515 in the layout, the processing area 530 around the form 515 located in the center of the processing area 530 is identified. Processing area 530 indicates that the modification made to form 515 is sufficient for processing area 530 and that other forms of processing in processing area 530 are not required. The processing area 530 may be larger or smaller than the environment 520 surrounding the form 515. The processing area 530 can be used to facilitate selection of other forms for processing (as described below in connection with FIG. 7).

ウェーハ上に満足な形態を生成する修正の寸法及び配置の判断は、主に、主要幾何学形状及び隣接幾何学形状の寸法及び配置のような形態を取り囲む環境に基づいていることに注意されたい。すなわち、形態を取り囲む環境は、ウェーハ上に満足な形態を生成するために形態に行う必要がある修正に影響を与える。これは、周囲の幾何学形状から形態に当たる回折光によるものであり、この光は、周囲の幾何学形状のフォトマスク処理時に周囲の幾何学形状から回折されるものである。しかし、レイアウト上で周囲の幾何学形状が形態から離れているほど、形態に行われた修正に与える影響が小さくなる(形態に到達する回折光の量が少なくなることから)。これらの因子は、環境のサイズを予め決める時に考慮すべきである。   Note that the determination of the dimensions and placement of modifications that produce a satisfactory shape on the wafer is primarily based on the environment surrounding the shape, such as the dimensions and placement of the primary and adjacent geometric shapes. . That is, the environment surrounding the feature affects the modifications that must be made to the feature to produce a satisfactory feature on the wafer. This is due to diffracted light striking the form from the surrounding geometric shape, and this light is diffracted from the surrounding geometric shape during photomask processing of the surrounding geometric shape. However, the farther away the geometrical shape on the layout is from the form, the smaller the effect on the modification made to the form (because the amount of diffracted light that reaches the form decreases). These factors should be considered when predetermining the size of the environment.

以下は、本明細書で使用する用語及び定義の一覧である。
「レイアウト」形態、幾何学形状、環境、又は修正は、レイアウトに見つけられる形態、幾何学形状、環境、又は修正を意味する。
「事前作表」形態、幾何学形状、環境、又は修正は、事前作表モデルのライブラリに格納されている事前作表モデルに説明されている形態、幾何学形状、環境、又は修正である。
「模擬」形態、幾何学形状、環境、又はレイアウトは、ウェーハ上に作製された状態で形態、幾何学形状、環境、又はレイアウトがどのように現れることになるかを予測するものであり、処理変動なしと仮定する(すなわち、「正常な」処理状態を仮定する)シミュレータプログラムによって生成される。
The following is a list of terms and definitions used in this specification.
“Layout” form, geometry, environment, or modification means a form, geometry, environment, or modification found in the layout.
A “pre-tabulation” form, geometry, environment, or modification is a form, geometry, environment, or modification described in a pre-tabulation model stored in a library of pre-tabulation models.
A “mock” form, geometry, environment, or layout is a prediction of how the form, geometry, environment, or layout will appear when fabricated on a wafer, and processing Generated by a simulator program that assumes no variation (ie, assumes a “normal” processing state).

「再模擬」形態、幾何学形状、環境、又はレイアウトは、ウェーハ上に作製された状態で形態、幾何学形状、環境、又はレイアウトがどのように現れることになるかを予測するものであり、1つ又はそれよりも多くの処理変動を仮定するシミュレータプログラムによって生成される。再模擬形態、幾何学形状、環境、又はレイアウトは、必ずしも形態、幾何学形状、環境、又はレイアウトが以前に模擬されていたことを意味するわけではないが、1つ又はそれよりも多くの処理変動を反映するシミュレーションを示す用語として使用する。
作製形態、幾何学形状、環境、又はレイアウトは、ウェーハ上に実際に生成された形態、幾何学形状、環境、又はレイアウトである。
モデルは、形態、幾何学形状、環境、修正、方程式などを説明するデータを含む時に形態、幾何学形状、環境、修正、方程式などを含むと呼ばれる。環境は、幾何学形状の全て又は一部分のみを含む時に幾何学形状を含むと呼ばれる。
A “re-simulated” form, geometry, environment, or layout is a prediction of how the form, geometry, environment, or layout will appear when fabricated on a wafer; Generated by a simulator program that assumes one or more process variations. A re-simulated form, geometry, environment, or layout does not necessarily imply that a form, geometry, environment, or layout has been previously simulated, but one or more processes It is used as a term indicating a simulation that reflects fluctuations.
The fabrication form, geometry, environment, or layout is the form, geometry, environment, or layout that was actually generated on the wafer.
A model is said to contain morphologies, geometries, environments, modifications, equations, etc. when it includes data describing morphologies, geometries, environments, modifications, equations, etc. An environment is said to contain a geometric shape when it includes all or only a portion of the geometric shape.

節II:事前作表ライブラリを使用した幾何学形状の修正
事前作表モデルのライブラリを使用したレイアウト修正方法
図7は、各々がICレイアウト内の幾何学形状又は形態に適用される修正を含む事前作表モデルのライブラリを使用してICレイアウト内の幾何学形状を修正するレイアウト修正方法700の流れ図である。レイアウト修正方法700は、一般的な設計方法300(図3の)の段階310を含む。従って、方法700では、設計レイアウトを受け取って修正レイアウトを生成する。方法700の実行は、例えば、IC設計レイアウトを作成、編集、又は分析する電子設計自動化(EDA)アプリケーションによって行うことができる。
Section II: Geometric correction using pre-tabulation library
Layout Modification Method Using Library of Pre-tabulated Models FIG. 7 illustrates the geometry in an IC layout using a library of pre-tabulated models , each including modifications applied to geometric shapes or forms in the IC layout. 5 is a flowchart of a layout correction method 700 for correcting a shape. Layout modification method 700 includes stage 310 of general design method 300 (FIG. 3). Accordingly, the method 700 receives a design layout and generates a modified layout. Method 700 may be performed, for example, by an electronic design automation (EDA) application that creates, edits, or analyzes IC design layouts.

方法700は、各々が修正すべきゼロ又はそれよりも多くの形態を含む1つ又はそれよりも多くの幾何学形状を有するIC設計レイアウトを受け取った時に始まる(705で)。本方法は、次に、修正のためにレイアウト内の現在の形態を選択する(710で)。一部の実施形態では、方法700は、最初に、処理のためにコーナ及び曲げ部を選択し、次に、方法700は、全てのコーナ及び曲げ部が処理された後に、処理のために線−点形態のような他の形態を選択する。次に、方法700は、現在の形態が処理領域内に位置するか否かを判断する(712で)。処理領域内に位置する場合、方法700は、段階710に進み、そこで別の形態を選択する。処理領域内に位置しない場合、方法700は、段階715で続行される。   Method 700 begins (at 705) when an IC design layout is received having one or more geometries that each include zero or more features to be modified. The method then selects (at 710) the current form in the layout for modification. In some embodiments, method 700 first selects corners and bends for processing, and then method 700 uses lines for processing after all corners and bends have been processed. -Select another form, such as a point form. Next, the method 700 determines (at 712) whether the current form is located within the processing region. If so, the method 700 proceeds to step 710 where another form is selected. If not, the method 700 continues at step 715.

次に、本方法は、現在の形態を含む、所定のサイズを有する現在の環境をレイアウトで識別する(715で)。現在の環境の識別は、例えば、現在の環境の形状を所定のサイズを有する四角形と設定して現在の形態が中心部にあるように四角形を位置決めして行うことができる。現在の環境は、現在の形態と1つ又はそれよりも多くのレイアウト幾何学形状とを含む。他の実施形態では、現在の環境の識別は、別の方法で、例えば異なる形状を使用して行う。現在の形態515を取り囲む環境520が識別される段階715の例を図5に示している。   Next, the method identifies (at 715) the current environment with a predetermined size, including the current form, in the layout. The current environment can be identified by, for example, setting the shape of the current environment as a rectangle having a predetermined size and positioning the rectangle so that the current form is at the center. The current environment includes the current form and one or more layout geometries. In other embodiments, the identification of the current environment is done in another way, for example using different shapes. An example of stage 715 in which the environment 520 surrounding the current form 515 is identified is shown in FIG.

次に、本方法は、事前作表モデルのライブラリに含まれた、現在レイアウト環境と適合する事前作表環境を収容するモデルを識別する(720で)。事前作表環境は、現在レイアウト環境の所定のサイズに等しい所定のサイズを有する。ライブラリの各モデルは、特定の環境(事前作表環境)の特定の形態(事前作表形態)について作成され、特定の環境は、形態と、1つ又はそれよりも多くの幾何学形状と、形態に対する修正とを含む。事前作表モデルのライブラリを構築する方法は、図8に関連して以下で説明する。   Next, the method identifies (at 720) a model that contains a pre-tabulation environment that is included in the library of pre-tabulation models and that matches the current layout environment. The pre-tabulation environment has a predetermined size equal to the predetermined size of the current layout environment. Each model in the library is created for a specific form (pre-populated form) of a specific environment (pre-populated environment), where the specific environment includes a form, one or more geometric shapes, Including modifications to the form. A method of building a pre-tabulated model library will be described below in connection with FIG.

現在の環境の1つ又はそれよりも多くの幾何学形状の寸法及び配置をモデルの事前作表環境の1つ又はそれよりも多くの幾何学形状と比較して、レイアウト環境に適合する事前作表環境を収容するモデルを見つける。適合モデル(すなわち、現在レイアウト環境に定める事前作表環境を有するモデル)を識別する方法は、図12に関連して以下で説明する。この実施形態では、適合モデルがライブラリで見つけられると仮定されている。節IIIで以下に説明する他の実施形態では、適合モデルがライブラリで見つからない場合を考察する。   Compare the dimensions and placement of one or more geometric shapes in the current environment with one or more geometric shapes in the model's pre-tabulation environment to match the pre-creation to the layout environment Find a model that houses a table environment. A method for identifying a conforming model (ie, a model having a pre-tabulated environment defined in the current layout environment) is described below in connection with FIG. In this embodiment, it is assumed that a fit model is found in the library. In another embodiment described below in Section III, consider the case where no matching model is found in the library.

次に、本方法は、適合モデルから、事前作表形態に対する事前作表修正を説明するデータを検索し(725で)、事前作表修正は、現在レイアウト形態と事前作表形態が所定の分散内にある作製形態をウェーハ上に生成するように設計される。また、以下で説明するように、事前作表修正は、事前作表形態から所定の分散内にある模擬形態を生成する。一部の実施形態では、適合モデルは、模擬環境データ、再模擬環境データ、電気特性データ、及び/又は調節方程式又は関数データのような事前作表環境の他のデータも含む(節IVで説明するように)。これらの実施形態では、本方法は、適合モデルに含まれた他の形式のデータのいずれか又は全てを検索する(725で)。これらの他の形式のデータは、例えば設計技師によって使用され、作製された状態で事前作表環境がどのように現れると予想されるか、事前作表環境の電気特性などを判断することができる。   Next, the method retrieves (at 725) data describing the pre-tabulation correction for the pre-tabulation form from the fit model, and the pre-tabulation correction is performed with a predetermined distribution of the current layout form and the pre-tabulation form Designed to produce the underlying fabrication on the wafer. In addition, as will be described below, the pre-tabulation correction generates a simulated form within a predetermined distribution from the pre-tabulation form. In some embodiments, the adaptation model also includes simulated environment data, re-simulated environment data, electrical property data, and / or other data in a pre-tabulated environment, such as accommodation equations or function data (described in Section IV). Like). In these embodiments, the method retrieves (at 725) any or all of the other types of data included in the fit model. These other types of data can be used by, for example, design engineers to determine how the pre-tabulation environment is expected to appear in the produced state, the electrical characteristics of the pre-tabulation environment, etc. .

次に、事前作表修正を設計レイアウト内の現在の形態に適用する(730で)。事前作表修正は、満足な作製形態をウェーハ上に生成するために事前作表形態と環境とに基づいて既に作成されている(図8に関連して以下で説明するように)。事前作表形態と環境は、レイアウト内の現在の形態と環境とに適合すると既に判断されているので、事前作表修正を現在の形態に適用すると、ここでもまた、形態がウェーハ上に作製された状態で満足な形態が生成されるはずである。   Next, pre-tabulation correction is applied to the current form in the design layout (at 730). Pre-tabulation modifications have already been created based on the pre-tabulation form and the environment (as described below in connection with FIG. 8) to produce a satisfactory production form on the wafer. Since the pre-tabulation form and environment have already been determined to match the current form and environment in the layout, applying the pre-tabulation correction to the current form will again produce the form on the wafer. Satisfactory forms should be generated in this state.

次に、本方法は、現在の形態の周りにある処理領域を識別する(732で)。処理領域は、現在の形態に行われた修正が処理領域には十分であり、処理領域内の他の形態の処理は不要であることを示している。現在の形態515の周りにある処理領域530が識別される段階732の例を図5に示している。
次に、本方法は、現在の形態が設計レイアウト上の最終形態であるか否かを判断する(735で)。最終形態であれば、本方法は終了する。最終形態でなければ、本方法は、段階710に進み、そこで、処理のためにレイアウトの次の現在の形態を選択する。
Next, the method identifies (at 732) processing regions that are around the current form. The processing area indicates that the modification made to the current form is sufficient for the processing area and that other forms of processing in the processing area are not required. An example of a stage 732 in which processing regions 530 around the current form 515 are identified is shown in FIG.
Next, the method determines (at 735) whether the current form is the final form on the design layout. If so, the method ends. If not, the method proceeds to step 710 where the next current form of the layout is selected for processing.

事前作表モデルのライブラリの構築
上述のように、レイアウト修正方法700は、事前作表モデルのライブラリに含まれている、現在レイアウト環境に適合する事前作表環境を収容するモデルを識別する(720で)。図8は、事前作表モデルのライブラリを構築する方法800の流れ図である。図8は、図5、図6、図9Aから図9F、図10Aから図10C、図11Aから図11Bに関連して説明する。
方法800は、各々が形態(コーナ又は曲げ部など)と、形態が位置する主要幾何学形状と、ゼロ又はそれよりも多くの隣接幾何学形状とを含むライブラリのための1組の事前作表環境を作成することによって始まる。一般的に、ライブラリに対して作成された事前作表環境の組は、ICレイアウト上で見つけることができる広範囲の環境を網羅することになる。環境の組は、一般的に、ICレイアウト上で遭遇する可能性がある多くの様々な形態と幾何学形状構成とを網羅することになる。
Building a Pre-tabulated Model Library As described above, the layout modification method 700 identifies models that contain a pre-tabulated environment that is included in the pre-tabulated model library and that matches the current layout environment (720). so). FIG. 8 is a flow diagram of a method 800 for building a library of pre-tabulation models. FIG. 8 is described in relation to FIGS. 5, 6, 9A to 9F, 10A to 10C, and 11A to 11B.
The method 800 is a set of pre-tabulations for a library that each includes a feature (such as a corner or bend), the primary geometry in which the feature is located, and zero or more adjacent geometric shapes. Start by creating an environment. In general, the set of pre-tabulated environments created for a library will cover a wide range of environments that can be found on the IC layout. The set of environments will typically cover many different forms and geometric configurations that may be encountered on an IC layout.

一部の実施形態では、環境のライブラリ又は組は、特定の優先方向配線を有するレイアウトになるように調整される。上述のように、ICは、配線層の各々について優先配線方向を指定するPD配線モデルを使用する。例えば、層は、マンハッタン又は斜め優先方向配線を有すると考えられる。あるいは、アナログで設計されるICの場合、層は、優先方向配線を有していないと考えられる。
マンハッタン優先配線を有する層に対するレイアウトは、恐らく、配向が水平方向又は垂直方向である(すなわち、一般的にレイアウトの境界及び/又はレイアウトの予想ICの境界に平行であるレイアウト座標軸の1つに対して0°又は90°の角を成す)辺を有する幾何学形状を有することになる。従って、マンハッタン優先配線レイアウトになるように調整された環境のライブラリ又は組は、水平方向又は垂直方向の辺を有する幾何学形状を有する環境を含むことになる。図9Aから図9Fは、マンハッタン優先配線レイアウトに対して作成することができる環境905の例を示している。図9Aから図9Fに示すように、各環境905は、形態910と、形態910が位置する主要幾何学形状915と、ゼロ又はそれよりも多くの隣接幾何学形状920とを含む。幾何学形状915及び920は、配向が水平方向又は垂直方向であることに注意されたい。
In some embodiments, the library or set of environments is tailored to a layout with specific preferred direction wiring. As described above, the IC uses a PD wiring model that specifies the priority wiring direction for each of the wiring layers. For example, the layers are considered to have Manhattan or diagonal preferred direction wiring. Alternatively, in the case of an analog designed IC, the layer is considered not to have priority direction wiring.
The layout for a layer with Manhattan preferred wiring is probably for one of the layout coordinate axes whose orientation is horizontal or vertical (ie, generally parallel to the boundary of the layout and / or the expected IC of the layout). And have a geometric shape with sides that form an angle of 0 ° or 90 °. Thus, a library or set of environments that have been tuned to a Manhattan preferred wiring layout will include environments that have geometric shapes with horizontal or vertical edges. FIGS. 9A through 9F show an example of an environment 905 that can be created for a Manhattan priority wiring layout. As shown in FIGS. 9A-9F, each environment 905 includes a form 910, a main geometric shape 915 in which form 910 is located, and zero or more adjacent geometric shapes 920. Note that the geometric shapes 915 and 920 are oriented horizontally or vertically.

これとは対照的に、斜め優先方向配線を有する層に対するレイアウトは、恐らく、配向が斜めである(すなわち、レイアウト座標軸の1つに対して45°又は135°の角を成す)辺を有する幾何学形状を有することになる。従って、斜め優先配線レイアウトになるように調整された環境のライブラリ又は組は、斜めの辺を有する幾何学形状を有する環境を含むことになる。図10Aから図10Cは、斜め優先配線レイアウトに対して作成することができる環境1005の例を示している。図10Aから図10Cに示すように、各環境1005は、形態1010と、形態1010が位置する主要幾何学形状1015と、ゼロ又はそれよりも多くの隣接幾何学形状1020とを含む。幾何学形状1015と1020の辺は、配向が斜めである。   In contrast, a layout for a layer with diagonal preferred direction wiring will probably have a geometry with sides that are diagonally oriented (ie, at an angle of 45 ° or 135 ° to one of the layout coordinate axes). It will have an academic shape. Accordingly, a library or set of environments adjusted to have a diagonal priority wiring layout will include environments having geometric shapes with diagonal sides. 10A to 10C show an example of an environment 1005 that can be created for a diagonal priority wiring layout. As shown in FIGS. 10A-10C, each environment 1005 includes a form 1010, a primary geometry 1015 in which form 1010 is located, and zero or more adjacent geometric shapes 1020. The sides of the geometric shapes 1015 and 1020 are diagonally oriented.

あるいは、アナログで設計されるICの場合、層は、優先方向配線を有していないと考えられる。従って、アナログ設計ICのために調整された環境のライブラリ又は組は、あらゆる形状又は配向の幾何学形状を有する環境を含むことになる。図11Aから図11Cは、アナログ設計レイアウトに対して作成することができる環境1105の例を示している。図11Aから図11Cに示すように、各環境1105は、形態1110と、形態1110が位置する主要幾何学形状1115と、ゼロ又はそれよりも多くの幾何学形状1120とを含む。   Alternatively, in the case of an analog designed IC, the layer is considered not to have priority direction wiring. Thus, a library or set of environments tailored for analog design ICs will include environments having any shape or orientation geometry. 11A-11C illustrate an example environment 1105 that can be created for an analog design layout. As shown in FIGS. 11A-11C, each environment 1105 includes a feature 1110, a primary geometry 1115 in which the feature 1110 is located, and zero or more geometric shapes 1120.

環境の組を作成した後(805で)、次に、方法800は、形態がウェーハ上に作製された状態で満足な形態を生成すると予測される各事前作表環境内の形態に適用されることになる修正を判断する(段階810から段階835で)。環境内の形態に対する修正は、環境に含まれた主要幾何学形状とあらゆる隣接幾何学形状とに基づいている。すなわち、形態を取り囲む幾何学形状は、形態について計算される修正に影響を与える。   After creating the set of environments (at 805), the method 800 is then applied to the form in each pre-tabulated environment that is predicted to produce a satisfactory form with the form created on the wafer. The fix that will be determined is determined (from step 810 to step 835). Modifications to the form in the environment are based on the main geometric shape included in the environment and any adjacent geometric shapes. That is, the geometric shape surrounding the form affects the corrections calculated for the form.

段階810で、方法800は、事前作表環境の組内の環境を現在の事前作表環境として選択する。次に、本方法は、修正を作成して現在の事前作表環境内の形態に適用する。一部の実施形態では、本方法は、当業技術で公知の技術を用いて修正を作成して適用する。
次に、形態に対する修正を含む現在事前作表環境に対してシミュレーションを実行する(820で)。このシミュレーションは、例えば、入力として現在事前作表環境を受け取って現在模擬環境を生成するシミュレータによって行うことができる。現在模擬環境は、ウェーハ上に作製された状態で現在事前作表環境(形態に対する修正を含む)が現れることになる方法を予測するものである。一部の実施形態では、シミュレータは、処理変動なし(すなわち、「正常な」処理状態)を仮定する。
At step 810, the method 800 selects an environment in the set of pre-tabulation environments as the current pre-tabulation environment. The method then creates a modification and applies it to the form in the current pre-tabulation environment. In some embodiments, the method creates and applies the modifications using techniques known in the art.
Next, a simulation is performed (at 820) for the current pre-tabulation environment that includes modifications to the form. This simulation can be performed, for example, by a simulator that receives a current pre-tabulation environment as an input and generates a current simulated environment. The current simulated environment predicts the way in which the current pre-tabulation environment (including modifications to the form) will appear when fabricated on the wafer. In some embodiments, the simulator assumes no processing variation (ie, “normal” processing conditions).

次に、本方法は、シミュレーションの結果が満足なものであるか、すなわち、現在模擬環境が外見的に現在事前作表環境に含まれた事前作表形態から所定の分散閾値の範囲内である模擬形態を含むかを判断する(825で)。模擬形態を含まない場合、本方法は、段階815に進み、そこで、本方法は、別の形態を作成して現在事前作表環境内の形態に適用し、別のシミュレーションを現在事前作表環境(次の形態修正を含む)に対して実行する。本方法は、満足な模擬環境が生成されるまで、段階815から段階825を繰り返す。   Next, the method is satisfactory in the result of the simulation, that is, the current simulated environment is apparently within the predetermined dispersion threshold from the pre-tabulation form included in the current pre-tabulation environment. It is determined whether the simulation form is included (at 825). If not, the method proceeds to step 815 where the method creates another form and applies it to the form in the current pre-tabulation environment, and another simulation is applied to the current pre-tabulation environment. (Including the following modification). The method repeats steps 815 to 825 until a satisfactory simulated environment is created.

本方法でシミュレーションの結果が満足なものであると判断した場合(825でイエス)、次に、本方法は、現在事前作表環境に対するモデルを作成して(830で)、モデルに対して現在事前作表環境のデータを格納する。一部の実施形態では、現在事前作表環境に対するモデルは、現在事前作表環境内の形態に行われた最終修正(すなわち、満足な模擬結果を生成した修正)を含む現在事前作表環境を説明するデータを格納するデータ構造である。   If the method determines that the simulation results are satisfactory (yes at 825), then the method creates a model for the current pre-tabulation environment (at 830) and Stores pre-tabulated environment data. In some embodiments, the model for the current pre-tabulation environment includes a current pre-tabulation environment that includes the last modification made to the form within the current pre-tabulation environment (ie, the modification that produced a satisfactory simulated result). A data structure for storing data to be described.

図9Aから図9F、図10Aから図10C、図11Aから図11Cは、事前作表環境905、1005、1105に含まれた形態910、1010、1110の修正925、1025、1125の例を示している。簡潔さを期すために、これらに示す修正925、1025、1125は、4辺の多角形であるが、他の実施形態では、事前作表環境に含まれた修正は別の形状であることに注意されたい。
次に、本方法は、現在事前作表環境が事前作表環境の組内の最終事前作表環境であるか否かを判断する(835で)。最終事前作表環境でなければ、本方法は、段階810に進み、そこで、本方法は、事前作表環境の組内の次の環境を次の現在事前作表環境として選択する。最終事前作表環境であれば、本方法は終了する。
9A to 9F, FIG. 10A to FIG. 10C, and FIG. 11A to FIG. 11C show examples of the modifications 925, 1025, and 1125 of the forms 910, 1010, and 1110 included in the pre-tabulation environment 905, 1005, and 1105. Yes. For the sake of brevity, the modifications 925, 1025, 1125 shown are four-sided polygons, but in other embodiments, the modifications included in the pre-tabulation environment are different shapes. Please be careful.
Next, the method determines (at 835) whether the current pre-tabulation environment is the final pre-tabulation environment in the set of pre-tabulation environments. If it is not the final pre-tabulation environment, the method proceeds to step 810, where the method selects the next environment in the set of pre-tabulation environments as the next current pre-tabulation environment. If the final pre-tabulation environment, the method ends.

適合する事前作表環境を見つける方法
上述のように、レイアウト修正方法700では、事前作表モデルのライブラリに含まれた、現在レイアウト環境と適合する事前作表環境を収容するモデルを識別する(720で)。図12は、事前作表モデルのライブラリに含まれた、レイアウト環境に適合する事前作表環境を収容するモデルを識別する適合化方法1200の流れ図である。図12は、レイアウト修正方法700の段階720を含む。図12を図13Aから図13Hに関連して説明する。
It fits pre tabulated environment finding methods, as described above, and the layout modification method 700, pre-tabulated were included in the library model, now identifies the model to accommodate the layout environment compatible pre tabulation environment (720 so). FIG. 12 is a flow diagram of an adaptation method 1200 for identifying models contained in a library of pre-tabulation models that contain a pre-tabulation environment that conforms to the layout environment. FIG. 12 includes step 720 of the layout modification method 700. FIG. 12 is described with reference to FIGS. 13A to 13H.

方法1200は、レイアウトの環境を識別した時に始まり(図7の段階715)、レイアウト環境は、形態と、特定の形態が位置する主要幾何学形状と、ゼロ又はそれよりも多くの隣接幾何学形状とを含む。単一のレイアウトは、8つの異なる配向(外見)を有することができ、8つの配向は、各配向の形態に同じ修正が適用されれば、形態が、模擬又は作製された時と同様な影響を受けるという点で同等であることに注意されたい。従って、本明細書で説明するように、モデルの事前作表環境は、レイアウト環境の8つの配向のいずれかに適合した時にレイアウト環境に「適合する」と判断される。これは、各配向で形態に適用される適合モデルで説明した修正が、模擬又は作製された時には同じ形態を生成するということに基づいている。   Method 1200 begins when the environment of the layout is identified (step 715 of FIG. 7), where the layout environment includes the form, the primary geometry in which the particular form is located, and zero or more adjacent geometric shapes. Including. A single layout can have eight different orientations (appearances), and the eight orientations have the same effect as when the morphology is simulated or created if the same modification is applied to the morphology of each orientation. Note that they are equivalent in that they receive Thus, as described herein, a model's pre-tabulation environment is determined to be “fit” to the layout environment when it matches any of the eight orientations of the layout environment. This is based on the fact that the modifications described in the fit model applied to the form at each orientation produce the same form when simulated or created.

レイアウト環境の8つの異なる配向は、レイアウト環境の単一の配向を回転及び反射させることによって生成することができる。図13Aから図13Hは、各々が同等であるレイアウト環境1305の8つの異なる配向を示している。図13Bから図13Dは、図13Aに示すレイアウト環境1305の回転後の配向を示すものである(図13Bは、90°右回りの回転を示し、図13Cは、180°右回りの回転を示し、図13Dは、図13Aに示すレイアウト環境1305の270°右回りの回転を示す)。図13Eは、図13Aに示すレイアウト環境1305の反射後の配向、すなわち、レイアウト環境の45°の軸線を横切って反射される配向(レイアウト環境のx及びyの座標の交差)であるレイアウト環境の反射後の配向を示している。図13Fから図13Hは、図13Eに示すレイアウト環境1305の回転後の配向を示すものである(図13Fは、90°右回りの回転を示し、図13Gは、180°右回りの回転を示し、図13Fは、図13Eに示すレイアウト環境1305の270°右回りの回転を示す)。   Eight different orientations of the layout environment can be generated by rotating and reflecting a single orientation of the layout environment. Figures 13A through 13H show eight different orientations of the layout environment 1305, each of which is equivalent. FIGS. 13B-13D show the rotated orientation of the layout environment 1305 shown in FIG. 13A (FIG. 13B shows 90 ° clockwise rotation, and FIG. 13C shows 180 ° clockwise rotation. FIG. 13D shows a 270 ° clockwise rotation of the layout environment 1305 shown in FIG. 13A). FIG. 13E shows a layout environment that is the reflected orientation of the layout environment 1305 shown in FIG. 13A, ie, the orientation reflected across the 45 ° axis of the layout environment (the intersection of the x and y coordinates of the layout environment). The orientation after reflection is shown. 13F to 13H show the orientation after rotation of the layout environment 1305 shown in FIG. 13E (FIG. 13F shows 90 ° clockwise rotation and FIG. 13G shows 180 ° clockwise rotation. FIG. 13F shows a 270 ° clockwise rotation of the layout environment 1305 shown in FIG. 13E).

レイアウトの環境を識別した後に、本方法は、次に、レイアウト環境を第1の基準配向に変形する(1205で)。一部の実施形態では、レイアウト環境の基準配向は、レイアウト環境の左下部に位置する主要幾何学形状(レイアウト環境内の形態が位置する)を有する。他の実施形態では、基準配向の異なる定義が用いられる。各レイアウト環境は、主要幾何学形状がレイアウト環境の左下部に位置する各レイアウト環境の2つの配向があることから2つの基準配向を有することに注意されたい。例えば、図13Aと図13Eは、共に、レイアウト環境1305の基準配向を示している。一部の実施形態では、レイアウト環境の第1の基準配向は、主要幾何学形状がレイアウト環境の左下部に位置するまでレイアウト環境を回転させて達成される。   After identifying the layout environment, the method then transforms the layout environment to the first reference orientation (at 1205). In some embodiments, the reference orientation of the layout environment has a main geometric shape (a form in the layout environment is located) located at the lower left of the layout environment. In other embodiments, a different definition of the reference orientation is used. Note that each layout environment has two reference orientations since there are two orientations of each layout environment in which the main geometry is located in the lower left corner of the layout environment. For example, FIGS. 13A and 13E both illustrate the reference orientation of the layout environment 1305. In some embodiments, the first reference orientation of the layout environment is achieved by rotating the layout environment until the primary geometry is located in the lower left corner of the layout environment.

次に、本方法は、第1の基準配向のレイアウト環境を事前作表ライブラリ内のモデルの事前作表環境と比較する(1210で)。一部の実施形態では、第1の基準配向のレイアウト環境と事前作表環境との比較は、例えば、レイアウトと事前作表環境に含まれた主要幾何学形状とあらゆる隣接幾何学形状を比較することによって行うことができる。
他の実施形態では、2段階比較処理を用いて、第1の基準配向のレイアウト環境を事前作表環境と比較する。第1の段階で、レイアウト環境と事前作表環境をサブ領域に分ける。一部の実施形態では、レイアウト環境と事前作表環境を16個のサブ領域に分ける。次に、各サブ領域における幾何学形状範囲の百分率を両方の環境の各サブ領域について判断する。サブ領域における幾何学形状範囲百分率は、サブ領域の主要幾何学形状と隣接幾何学形状によって覆われた面積をサブ領域の総面積で割り算し、100を乗じたものである。
Next, the method compares (at 1210) the layout environment of the first reference orientation with the pre-tabulation environment of the model in the pre-tabulation library. In some embodiments, the comparison of the layout environment of the first reference orientation and the pre-tabulation environment compares, for example, the main geometric shape included in the layout and the pre-tabulation environment with any adjacent geometric shapes. Can be done.
In other embodiments, a two-stage comparison process is used to compare the layout environment of the first reference orientation with the pre-tabulation environment. In the first stage, the layout environment and the pre-tabulation environment are divided into sub-regions. In some embodiments, the layout environment and the pre-tabulation environment are divided into 16 sub-regions. Next, the percentage of the geometric shape range in each sub-region is determined for each sub-region in both environments. The geometric shape range percentage in the sub-region is obtained by dividing the area covered by the main geometric shape of the sub-region and the adjacent geometric shape by the total area of the sub-region and multiplying by 100.

各サブ領域については、サブ領域における幾何学形状範囲百分率を反映する2ビット数を判断する。一部の実施形態では、2ビット数の設定は、幾何学形状範囲百分率が0%から25%の時は00、幾何学形状範囲百分率が25%から50%の時は01、幾何学形状範囲百分率が50%から75%の時は10、幾何学形状範囲百分率が75%から100%の時は11である。次に、レイアウト環境と事前作表環境の2ビット数を組み合わせて各環境について複合ビット数を生成する。一部の実施形態では、レイアウト環境と事前作表環境の16個のサブ領域2ビット数を組み合わせて、各環境について32個のビット数を生成する。2つの複合ビット数が同じである場合、第2の段階で、レイアウト環境と事前作表環境に含まれた主要幾何学形状とあらゆる隣接幾何学形状の寸法と配置を比較する。
他の実施形態では、ハッシュ関数を計算する他の方法を使用することができる。他の実施形態では、レイアウト環境と事前作表環境を16個のサブ領域以外のいくつかのサブ領域に分ける。一部の実施形態では、各環境の複合ビット数は、32ビット数以外の数である。
For each sub-region, a 2-bit number reflecting the geometric shape range percentage in the sub-region is determined. In some embodiments, the 2-bit number setting is 00 when the geometric shape range percentage is 0% to 25%, 01 when the geometric shape range percentage is 25% to 50%, and the geometric shape range. 10 when the percentage is between 50% and 75%, and 11 when the percentage of the geometric range is between 75% and 100%. Next, a composite bit number is generated for each environment by combining the two bits of the layout environment and the pre-tabulation environment. In some embodiments, the 16 bits of the 16 sub-regions of the layout environment and the pre-tabulation environment are combined to generate 32 bits for each environment. If the two composite bit numbers are the same, the second stage compares the dimensions and placement of the main geometric shape and any adjacent geometric shapes included in the layout environment and the pre-tabulation environment.
In other embodiments, other methods of calculating a hash function can be used. In another embodiment, the layout environment and the pre-tabulation environment are divided into several sub-regions other than 16 sub-regions. In some embodiments, the number of composite bits for each environment is a number other than a 32-bit number.

次に、本方法は、レイアウト環境に適合する事前作表環境を有するモデルが事前作表ライブラリで見つかったか否かを判断する(1215で)。見つかった場合には、本方法は終了し、それによって、次に、レイアウト修正方法700では、適合モデルから事前作表修正を説明するデータを検索する(725で)。見つからなかった場合、本方法は、レイアウト環境を第2の基準配向に変形する(1220で)。一部の実施形態では、レイアウト環境の第2の基準配向は、第1の基準配向の45°軸線を横切って第1の基準配向を反射させて(すなわち、第1の基準配向のx及びyの座標を交差させて)達成される。   Next, the method determines (at 1215) whether a model having a pre-tabulation environment that matches the layout environment has been found in the pre-tabulation library. If found, the method ends, whereby the layout correction method 700 then retrieves data describing the pre-tabulation correction (at 725) from the fit model. If not found, the method transforms the layout environment to the second reference orientation (at 1220). In some embodiments, the second reference orientation of the layout environment reflects the first reference orientation across the 45 ° axis of the first reference orientation (ie, x and y of the first reference orientation). Achieved by crossing the coordinates of

次に、本方法は、第2の基準配向でレイアウト環境に適合する事前作表環境を有するモデルを事前作表ライブラリで見つける(1225で)。一部の実施形態では、適合事前作表環境を見つける方法として、レイアウト環境と事前作表環境に含まれた主要幾何学形状とあらゆる隣接幾何学形状の寸法と配置を比較する。他の実施形態では、適合事前作表環境を見つける方法は、上述の2段階比較処理を用いてレイアウト環境と事前作表環境を比較するというものである。次に、本方法は終了し、それによってレイアウト修正方法700では、適合モデルから事前作表修正を説明するデータを検索する(725で)。   Next, the method finds (at 1225) a model in the pre-tabulation library that has a pre-tabulation environment that matches the layout environment in the second reference orientation. In some embodiments, the method of finding a suitable pre-tabulation environment is to compare the dimensions and placement of the primary geometry included in the layout environment and the pre-tabulation environment with any adjacent geometric shapes. In another embodiment, the method for finding a suitable pre-tabulation environment is to compare the layout environment and the pre-tabulation environment using the two-stage comparison process described above. The method then ends, whereby the layout correction method 700 retrieves (at 725) data describing the pre-tabulation correction from the fit model.

上述の適合化方法1200では、ライブラリの各モデルは、適合化方法1200の回転及び反射の処理を通じて事前作表環境に適合させる、レイアウトで遭遇する可能性がある8個の同等の配向のいずれかに適合させることができる事前作表環境を含むことに注意されたい。従って、適合化方法1200の回転及び反射処理が考慮するのは、レイアウトで遭遇する8つの同等の配向のいずれかについて事前作表ライブラリの事前作表環境1つだけであり、その結果、事前作表ライブラリの格納に必要な格納スペースが小さくなる。   In the adaptation method 1200 described above, each model in the library is one of eight equivalent orientations that may be encountered in the layout, adapting to the pre-tabulation environment through the rotation and reflection process of the adaptation method 1200. Note that it includes a pre-tabulation environment that can be adapted to. Thus, the rotation and reflection process of the adaptation method 1200 considers only one pre-tabulation environment of the pre-tabulation library for any of the eight equivalent orientations encountered in the layout, so that The storage space required to store the table library is reduced.

上述の実施形態では、単一のレイアウト環境は、8つの異なる配向(外見)を有することができる。他の実施形態では、単一のレイアウト環境は、フォトマスク処理で使用される光源の対称性及び45°ライブラリと0°ライブラリを組み合わせることができるか否かにより、2個、4個、又は16個の異なる配向を有することができる。例えば、光源が完全に左右対称であれば、単一のレイアウト環境は、16個の異なる配向を有することができる。
節IIで説明した実施形態では、レイアウト環境に適合する事前作表環境を有するモデルを見つけることが仮定されている。節IIIで説明する他の実施形態では、ライブラリで適合モデルが見つからない場合を考察する。
In the embodiments described above, a single layout environment can have eight different orientations (appearances). In other embodiments, a single layout environment can be two, four, or 16 depending on the symmetry of the light source used in photomask processing and whether the 45 ° and 0 ° libraries can be combined. Can have different orientations. For example, if the light source is perfectly symmetrical, a single layout environment can have 16 different orientations.
In the embodiment described in Section II, it is assumed to find a model with a pre-tabulation environment that matches the layout environment. In another embodiment described in Section III, consider the case where no matching model is found in the library.

節III:事前作表モデルのライブラリを使用してICレイアウト内の幾何学形状を修正する代替的な方法
図14は、事前作表モデルのライブラリを使用してICレイアウト内の幾何学形状を修正する代替的なレイアウト修正方法1400の流れ図である。代替的な方法1400は、一般的な設計方法300(図3)の段階310を含む。従って、方法1400では、設計レイアウトを受け取って修正レイアウトを生成する。方法1400は、例えば、集積回路設計レイアウトを作成、編集、又は分析する電子設計自動化(EDA)アプリケーションによって実施することができる。代替的な方法1400は、図7のレイアウト修正方法700で実行される段階と類似のいくつかの段階を含む。レイアウト修正方法700と異なる段階のみをここで詳細に説明する。
Section III: Alternative Method of Modifying Geometry in IC Layout Using Library of Pre-tabulated Model Figure 14 Modifying Geometry in IC Layout Using Library of Pre-tabulated Model 5 is a flowchart of an alternative layout modification method 1400. Alternative method 1400 includes stage 310 of general design method 300 (FIG. 3). Accordingly, the method 1400 receives a design layout and generates a modified layout. The method 1400 can be implemented, for example, by an electronic design automation (EDA) application that creates, edits, or analyzes an integrated circuit design layout. The alternative method 1400 includes several steps similar to those performed in the layout modification method 700 of FIG. Only the steps different from the layout correction method 700 will be described in detail here.

方法1400は、各々が修正すべきゼロ又はそれよりも多くの形態を含む1つ又はそれよりも多くの幾何学形状を有するIC設計レイアウトを受け取った時に始まる(705で)。次に、本方法は、修正のためにレイアウト内の現在の形態を選択する(710で)。次に、本方法は、現在の形態を含むレイアウト内の現在の環境を識別する(715で)。次に、本方法は、現在レイアウト環境に適合する事前作表環境を有するモデルが事前作表モデルのライブラリに含まれているか否かを判断する(1420で)。これは、例えば、適合モデルを識別する適合化方法1200(図12に関連して上述)を使用して判断することができる。   The method 1400 begins (at 705) when an IC design layout is received having one or more geometries that each include zero or more features to be modified. Next, the method selects (at 710) the current form in the layout for modification. Next, the method identifies (at 715) the current environment in the layout including the current form. Next, the method determines (at 1420) whether a model having a pre-tabulation environment that matches the current layout environment is included in the library of pre-tabulation models. This can be determined, for example, using an adaptation method 1200 (described above in connection with FIG. 12) that identifies an adaptation model.

適合モデルが見つかった場合、方法1400は、事前作表修正を説明するデータを適合モデルから検索し(725で)、事前作表修正を現在の形態に適用する(730で)。一部の実施形態では、適合モデルは、模擬環境データ、再模擬環境データ、電気特性データ、及び/又は調節方程式又は関数データ(節IVで説明)のような事前作表環境の他のデータも含む。これらの実施形態では、本方法は、適合モデルに含まれた他の形式のデータのいずれか又は全てを検索する(725で)。   If a matching model is found, the method 1400 retrieves data describing the pre-tabulation correction from the matching model (at 725) and applies the pre-tabulation correction to the current configuration (at 730). In some embodiments, the adaptation model can also be simulated environment data, re-simulated environment data, electrical property data, and / or other data in a pre-tabulated environment such as accommodation equation or function data (described in Section IV). Including. In these embodiments, the method retrieves (at 725) any or all of the other types of data included in the fit model.

適合モデルから見つからなかった場合(1420でノー)、方法1400は、現在レイアウト環境から所定の分散閾値の範囲内にある事前作表環境が事前作表モデルのライブラリに含まれているか否かを判断する(1422で)。この判断を行うために、本方法は、例えば、現在レイアウト環境の幾何学形状の寸法及び配置が、ライブラリの事前作表環境の幾何学形状の寸法及び配置から所定の分散内にあるか否かを判断する。範囲内にある場合、所定の分散閾値の範囲内にある事前作表環境を有するモデルは「適合」モデルと考えられ、方法1400は、段階725で続行され、そこで、事前作表修正を説明するデータを「適合」モデルから検索し、事前作表修正を現在の形態に適用する(730で)。   If no match model is found (No at 1420), the method 1400 determines whether the pre-tabulation model library includes a pre-tabulation environment that is within a predetermined variance threshold from the current layout environment. (At 1422). To make this determination, the method, for example, determines whether the geometry size and placement of the current layout environment is within a predetermined variance from the geometry size and placement of the pre-tabulated environment of the library. Judging. If so, a model with a pre-tabulation environment that is within a predetermined variance threshold is considered a “fit” model, and the method 1400 continues at step 725, where the pre-tabulation correction is accounted for. Data is retrieved from the “fit” model and pre-tabulation correction is applied to the current form (at 730).

方法1400で、現在レイアウト環境から所定の分散閾値の範囲内にある事前作表環境を有するモデルがライブラリに含まれていないと判断した場合(1422でノー)、現在レイアウト環境は、「新しい」環境と考えられ、本方法は、段階1425に進む。段階1425で、本方法は、例えば、図8のライブラリ構築方法800の段階815から段階830を実行し、「新しい」環境と現在の形態とのためにモデルを作成する。「新しい」環境を複製する事前作表環境と、現在の形態を複製する事前作表形態に対する事前作表修正とを収容するライブラリに新しいモデルを格納する。次に、本方法は、事前作表修正を設計レイアウト内の現在の形態に適用する(1430で)。
次に、本方法は、現在の形態が設計レイアウトの最終形態であるか否かを判断する(735で)。最終形態である場合、本方法は終了する。最終形態ではなかった場合、本方法は、段階710に進み、そこで、レイアウト内の次の現在の形態を処理のために選択する。
If the method 1400 determines that the library does not include a model with a pre-tabulated environment that is within a predetermined variance threshold from the current layout environment (No at 1422), the current layout environment is the “new” environment. The method proceeds to step 1425. At step 1425, the method performs, for example, steps 815 to 830 of the library construction method 800 of FIG. 8 to create a model for the “new” environment and the current configuration. The new model is stored in a library that contains a pre-tabulation environment that duplicates the “new” environment and a pre-tabulation modification to the pre-tabulation form that duplicates the current form. The method then applies the pre-tabulation correction to the current form in the design layout (at 1430).
Next, the method determines (at 735) whether the current form is the final form of the design layout. If so, the method ends. If not, the method proceeds to step 710 where the next current form in the layout is selected for processing.

代替的な実施形態では、適合モデルがライブラリに含まれていないと判断した後に(1420でノー)、方法1400は、段階1422を実行するのではなく、この判断の直後に「新しい」環境のためにモデルを作成する(1425で)。他の実施形態では、適合モデルがライブラリに含まれていないと判断した後に(1420でノー)、方法1400は、段階1422、1425、1430を実行するのではなく、従来の規則ベース手法を用いて、レイアウト内の現在の形態に対する修正を判断する。他の実施形態では、「適合」モデルがライブラリに含まれていないと判断した後に(1422でノー)、方法1400は、段階1425及び1430を実行するのではなく、従来の規則ベース手法を用いて、レイアウト内の現在の形態に対する修正を判断する。   In an alternative embodiment, after determining that the fit model is not included in the library (no at 1420), the method 1400 does not perform step 1422, but immediately after this determination for the “new” environment. A model is created (at 1425). In other embodiments, after determining that the fit model is not included in the library (No at 1420), the method 1400 uses a conventional rule-based approach rather than performing steps 1422, 1425, 1430. Determine the modifications to the current form in the layout. In other embodiments, after determining that the “fit” model is not included in the library (NO at 1422), the method 1400 uses conventional rule-based techniques rather than performing steps 1425 and 1430. Determine the modifications to the current form in the layout.

更に別の実施形態では、従来の事前作表ライブラリが作成されずに方法1400が実行される。この実施形態では、方法1400は、レイアウト内の形態を修正すると同時に、事前作表ライブラリを作成する(段階1425で事前作表ライブラリのためにモデルを作成することにより)。従って、方法1400は、レイアウトの修正に使用される時に、実行時間中に「オンザフライ」で事前作表ライブラリを作成する。実行時間中に事前作表ライブラリのためのモデルが作成された場合、一般的には、比較的より速い読取り及び書込み時間を有するキャッシュに格納されることになる。この実施形態では、本方法は、適合性又は「適合」モデルが、レイアウト修正処理中にレイアウト内で以前に遭遇/識別された環境を複製する事前作表環境を有するモデルのみを収容するライブラリに含まれているか否かを判断するであろう(1420及び1422で)。適合性又は「適合」モデルが見つからなかった場合、新しい環境のための新しいモデルを作成することになる(1425で)。   In yet another embodiment, the method 1400 is performed without creating a conventional pre-tabulated library. In this embodiment, the method 1400 creates a pre-tabulated library (by creating a model for the pre-tabulated library in step 1425) while modifying the form in the layout. Thus, the method 1400 creates a pre-tabulated library “on the fly” during run time when used to modify the layout. If a model for a pre-tabulated library is created during runtime, it will typically be stored in a cache with relatively faster read and write times. In this embodiment, the method is in a library that contains only models that have a pre-populated environment where the relevance or “fit” model duplicates the environment previously encountered / identified in the layout during the layout modification process. It will be determined whether it is included (at 1420 and 1422). If no suitability or “fit” model is found, a new model for the new environment will be created (at 1425).

節IV:ライブラリのモデルに格納された代替的データ
節IIで説明したように、ライブラリ内のモデルは、形態を含む事前作表環境と、形態に対する修正と、形態が位置する主要幾何学形状と、ゼロ又はそれよりも多くの隣接幾何学形状とを説明するデータ含む。一部の実施形態では、ライブラリ内のモデルは、事前作表環境を説明するデータを格納するデータ構造である(例えば、事前作表環境内のオブジェクトの寸法及び配置による)。一部の実施形態では、模擬結果及び/又は再模擬結果を説明するデータのような更に別のデータがモデルに含まれる。
Section IV: Alternative Data Stored in the Library Model As described in Section II, the model in the library includes a pre-tabulation environment that includes the form, modifications to the form, and the primary geometric shape in which the form is located. Data describing zero or more adjacent geometric shapes. In some embodiments, the model in the library is a data structure that stores data describing the pre-tabulation environment (eg, by the dimensions and placement of objects in the pre-tabulation environment). In some embodiments, additional data is included in the model, such as data describing simulated results and / or re-simulated results.

図15は、事前作表ライブラリ内のモデル1500に格納されたデータの概念図を示している。図15に示すように、モデル1500は、形態と、形態に対する修正と、主要幾何学形状と、ゼロ又はそれよりも多くの隣接幾何学形状とを説明する事前作表環境データ1505を含む。
一部の実施形態では、モデル1500はまた、処理変動なしと仮定してウェーハ上に作製された状態でどのように事前作表環境が現れることになるかの予測である模擬環境を説明する模擬環境データ1510を収容する。一部の実施形態では、モデル1500は、1つ又は複数の処理変動を仮定して、ウェーハ上に作製された状態で事前作表環境が現れることになる方法の予測である再模擬環境を説明する再模擬環境データ1515も含む。一部の実施形態では、モデル1500は、事前作表環境の電気特性を説明する電気特性データ1520も含む。一部の実施形態では、モデル1500は、モデルの事前作表修正に対する調節を判断するために設計レイアウト内の特定区域の幾何学形状範囲百分率を使用する調節方程式又は関数1525も含む(節Vで説明するように)。一部の実施形態では、モデル1500は、様々な形式のデータ1505、1510、1515、1520、1525のいずれか又は全てを含む。そのようなデータを各モデルに格納することにより、様々な形式のデータを導出するために更に別の時間を費やす演算を行う必要もなく、様々な形式のデータ1505、1510、1515、1520、1525は、設計担当者によって使用されるように容易に利用可能である(例えば、作製された状態でどのように事前作表環境が現れると予測されるか、事前作表環境の電気特性などを判断するために)。
FIG. 15 shows a conceptual diagram of data stored in the model 1500 in the pre-tabulation library. As shown in FIG. 15, the model 1500 includes pre-tabulated environment data 1505 that describes the morphology, modifications to the morphology, major geometric shapes, and zero or more neighboring geometric shapes.
In some embodiments, the model 1500 also simulates a simulated environment that is a prediction of how a pre-tabulated environment will appear when fabricated on a wafer assuming no process variation. Contains environmental data 1510. In some embodiments, the model 1500 describes a re-simulation environment that is a prediction of how the pre-tabulation environment will appear as it is fabricated on the wafer, assuming one or more process variations. Resimulation environment data 1515 to be included. In some embodiments, the model 1500 also includes electrical property data 1520 that describes electrical properties of the pre-tabulated environment. In some embodiments, the model 1500 also includes an adjustment equation or function 1525 that uses the geometric range percentage of a particular area in the design layout to determine adjustments to the pre-tabulation correction of the model (in Section V). As explained). In some embodiments, the model 1500 includes any or all of various types of data 1505, 1510, 1515, 1520, 1525. By storing such data in each model, there is no need to perform additional time-consuming operations to derive various types of data, and various types of data 1505, 1510, 1515, 1520, 1525. Are readily available to be used by designers (e.g., how pre-tabulated environments are expected to appear in the fabricated state, electrical characteristics of pre-tabulated environments, etc.) To do).

模擬環境及び再模擬環境データ
最初の3つの形式のデータがどのように異なるかの例として、事前作表環境データ1505は、環境の修正を説明するデータを含み、一方、模擬環境データ1510及び再模擬環境データ1515は、修正が適用された後に作製された時にどのように環境が恐らく現れることになるかを説明するデータを含むと考えられ、再模擬環境データ1515は、1つ又はそれよりも多くの処理変動を反映し、模擬環境データ1510は、それを反映しないであろう。従って、模擬環境データ1510及び/又は再模擬環境データ1515を収容するモデルは、環境に適用される修正の説明ばかりでなく、作製された時に環境(修正が適用された状態で)が実際にどのように現れることになるかの予測を説明するデータも与えることができる。従って、このシミュレーションデータは、更に別の時間を費やす模擬又は再模擬をモデル環境に実行する必要がなく、容易に利用可能にすることができる。
Simulated environment and re-simulated environment data As an example of how the first three types of data differ, pre-tabulated environment data 1505 includes data describing the modification of the environment, while simulated environment data 1510 and re-simulated environment data Simulated environment data 1515 is considered to include data describing how the environment will likely appear when it is created after the modifications are applied, and the re-simulated environment data 1515 is one or more Reflecting many process variations, the simulated environment data 1510 will not. Thus, the model containing simulated environment data 1510 and / or re-simulated environment data 1515 is not only a description of the modifications applied to the environment, but also the actual environment (with the modifications applied) when created. Data explaining the prediction of how it will appear can also be given. Therefore, the simulation data can be easily made available without having to perform another time-consuming simulation or re-simulation on the model environment.

モデル1500の模擬環境データ1510と再模擬環境データ1515は、図8のライブラリ構築処理800の修正を通じて生成及び格納することができる。図16は、各々が模擬環境データ及び/又は再模擬環境データを収容するモデルの事前作表ライブラリを構築する代替的なライブラリ構築方法1600の流れ図である。図16の方法1600は、処理800の段階830までのライブラリ構築処理800と同一である。   The simulated environment data 1510 and re-simulated environment data 1515 of the model 1500 can be generated and stored through modification of the library construction process 800 of FIG. FIG. 16 is a flow diagram of an alternative library construction method 1600 for building a pre-tabulated library of models each containing simulated environment data and / or re-simulated environment data. The method 1600 of FIG. 16 is identical to the library construction process 800 up to stage 830 of the process 800.

処理800の段階830で、修正及び模擬の繰返しによって満足な模擬環境が生成された後に(段階815から段階825で)、事前作表環境データをモデルに格納する。シミュレーションは、処理変動なしと仮定する(すなわち、「正常な」処理状態)を仮定する)シミュレータにより、現在事前作表環境(形態に対する修正を含む)に対して行われる(820で)。
段階830で、次に、方法1600は、満足な模擬環境を説明するデータ(模擬環境データ)をモデルに格納する(1605で)。満足な模擬環境は、事前作表環境内の形態に行われた最終修正を含む事前作表環境の模擬結果であることを思い出されたい。
At step 830 of process 800, after a satisfactory simulated environment is generated by repeated corrections and simulations (from step 815 to step 825), pre-tabulated environment data is stored in the model. The simulation is performed (at 820) against the current pre-tabulated environment (including modifications to the configuration) by the simulator assuming no processing variation (ie, assuming “normal” processing state).
At step 830, the method 1600 then stores (at 1605) data describing the satisfactory simulated environment (simulated environment data) in the model. Recall that a satisfactory simulated environment is a simulated result of a pre-tabulated environment that includes final modifications made to the form within the pre-tabulated environment.

次に、本方法は、1つ又はそれよりも多くの処理変動を考慮するシミュレータプログラムを使用して、現在事前作表環境(形態の最終修正を含み、かつ満足な模擬環境を生成した)の再模擬環境を生成する(1615で)。一部の実施形態では、再模擬環境を生成する際に、シミュレータプログラムは、特定の値を有する特定の処理変動(例えば、レンズ焦点外れ又は光線量)を考慮する。
他の実施形態では、特定の処理変動に関する1組の値を反映する1組の2つ又はそれよりも多くの再模擬環境を単一の事前作表環境に対して生成する(1610で)。これらの実施形態では、単一の事前作表環境に対して複数の模擬環境を生成し、各再模擬環境の生成は、特定の処理変動について異なる値の範囲を考慮するシミュレータによって行う。例えば、再模擬環境を生成して、各焦点外れ値、−6、−3、+3、+6を反映させることができ、その結果、単一の事前作表環境について合計4つの再模擬環境ができる。
The method then uses a simulator program that takes into account one or more processing variations of the current pre-tabulation environment (including final modification of the form and produced a satisfactory simulated environment). A re-simulation environment is generated (at 1615). In some embodiments, when generating the re-simulation environment, the simulator program considers certain process variations (eg, lens defocus or light dose) that have certain values.
In other embodiments, a set of two or more re-simulation environments reflecting a set of values for a particular process variation is generated (at 1610) for a single pre-tabulated environment. In these embodiments, a plurality of simulated environments are generated for a single pre-tabulated environment, and each re-simulated environment is generated by a simulator that considers a range of different values for specific processing variations. For example, a re-simulation environment can be generated to reflect each out-of-focus value, −6, −3, +3, +6, resulting in a total of four re-simulation environments for a single pre-tabulated environment. .

再模擬環境は、ウェーハ上に作製された状態でどのように修正環境が現れることになるかの予測であるが、フォトマスク処理時のレンズ焦点又は露光(光線量)の変動のような1つ又はそれよりも多くの処理上の変動を仮定するシミュレータプログラムによって生成される。従って、模擬環境(820で生成)と比較して、再模擬環境は、1つ又はそれよりも多くの処理変動を反映し、外見的には模擬環境と若干異なると考えられる。例えば、再模擬環境の幾何学形状は、模擬環境の対応する幾何学形状よりも薄い、厚い、又は異なる形状であると考えられる。
次に、本方法は、再模擬環境(再模擬環境データ)をモデルに格納する(1615で)。一部の実施形態では、再模擬環境によって反映された(すなわち、再模擬環境を生成するシミュレータによって考慮された)あらゆる特定の処理変動及び処理変動のあらゆる特定の値に関連するデータもモデルに格納する。
The re-simulation environment is a prediction of how the correction environment will appear in the state of being fabricated on the wafer, but it is one such as a change in lens focus or exposure (light amount) during photomask processing. Alternatively, it is generated by a simulator program that assumes more processing variation. Thus, compared to the simulated environment (generated at 820), the re-simulated environment reflects one or more process variations and is apparently slightly different from the simulated environment. For example, the geometric shape of the re-simulated environment may be thinner, thicker, or a different shape than the corresponding geometric shape of the simulated environment.
Next, the method stores the re-simulation environment (re-simulation environment data) in the model (at 1615). In some embodiments, the model also stores data associated with any particular process variation reflected by the re-simulation environment (ie, considered by the simulator that generates the re-simulation environment) and any particular value of the process variation. To do.

複数の再模擬環境を単一の事前作表環境について生成する実施形態では、複数の再模擬環境をモデルに格納する。複数の再模擬環境の各再模擬環境に対して、再模擬環境によって反映されたあらゆる特定の処理変動及び処理変動のあらゆる特定の値に関連するデータを再模擬環境と関連付けてモデルに格納する。例えば、特定の再模擬環境が+6の焦点外れを反映する場合、+6の焦点外れ値を特定の再模擬環境と関連付けてモデルに格納する。他の実施形態では、複数の再模擬環境の各再模擬環境について別々のモデルを作成し、モデルは、再模擬環境を説明するデータと、再模擬環境によって反映されたあらゆる特定の処理変動及び処理変動のあらゆる特定の値に関連するデータとを格納する。
一部の実施形態では、方法1600は、模擬環境データのみがモデルに格納されるように、段階165だけを実行して段階1610及び段階1615は実行しない。他の実施形態では、方法1600は、再模擬環境データのみがモデルに格納されるように、段階1610と段階1615のみを実行して段階1605は実行しない。
In an embodiment where multiple re-simulation environments are generated for a single pre-tabulation environment, multiple re-simulation environments are stored in the model. For each re-simulation environment of the plurality of re-simulation environments, any specific process variation reflected by the re-simulation environment and data related to any specific value of the process variation are stored in the model in association with the re-simulation environment. For example, if a particular re-simulation environment reflects +6 out of focus, a +6 out-of-focus value is associated with the specific re-simulation environment and stored in the model. In other embodiments, a separate model is created for each re-simulation environment of the plurality of re-simulation environments, and the model includes data describing the re-simulation environment and any specific process variations and processes reflected by the re-simulation environment. Stores data associated with any particular value of variation.
In some embodiments, the method 1600 performs only step 165 and not steps 1610 and 1615 so that only simulated environment data is stored in the model. In other embodiments, the method 1600 performs only steps 1610 and 1615 and not step 1605 so that only re-simulated environment data is stored in the model.

電気特性データの導入
一部の実施形態では、モデル1500は、事前作表環境の1つ又はそれよりも多くの電気特性を説明する電気特性データも含む。一部の実施形態では、モデル1500は、事前作表環境の識別の電気特性に関連する方程式(特性方程式)を含む。一部の実施形態では、特性方程式は、事前作表環境の識別の電気特性を事前作表環境の1つ又はそれよりも多くの幾何学形状の寸法及び配置の関数として及び/又は1つ又はそれよりも多くの処理変動の関数として表す。
以下で説明する実施形態では、特性方程式は、環境のキャパシタンス特性に関連するものであるが、他の実施形態では、特性方程式は、インダクタンス又は抵抗のような別の環境の電気特性に関連する。また、以下で説明する実施形態では、レンズ焦点外れ及び光線量の処理変動が考慮されるが、他の実施形態では、他の処理変動が考慮される。
Introducing Electrical Property Data In some embodiments, the model 1500 also includes electrical property data that describes one or more electrical properties of the pre-tabulation environment. In some embodiments, the model 1500 includes equations (characteristic equations) related to the electrical characteristics of the identification of the pre-tabulated environment. In some embodiments, the characteristic equation may determine the electrical properties of the identification of the pre-tabulation environment as a function of the size and placement of one or more geometric shapes of the pre-tabulation environment and / or It is expressed as a function of more process variation.
In the embodiments described below, the characteristic equation is related to the capacitance characteristic of the environment, but in other embodiments, the characteristic equation is related to the electrical characteristics of another environment, such as inductance or resistance. In the embodiment described below, lens defocus and light amount processing variation are considered, but in other embodiments, other processing variation is considered.

一部の実施形態では、事前作表環境は、2つ又はそれよりも多くの幾何学形状を含み、特性方程式(キャパシタンス方程式)は、環境の2つの幾何学形状の間のキャパシタンスに関連する。一部の実施形態では、キャパシタンス方程式は、2つの幾何学形状と1つ又はそれよりも多くの処理変動(レンズ焦点外れ又は光線量など)の間の距離の関数として事前作表環境の2つの幾何学形状の間のキャパシタンスを説明する。図3及び図16に関連して説明したように、1つ又はそれよりも多くの処理変動を反映する再模擬環境は、外見的には処理変動を考慮しない模擬環境と若干異なると考えられる。例えば、再模擬環境の幾何学形状は、模擬環境の幾何学形状よりも薄い、厚い、又は異なる形状であると考えられる。環境の隣接幾何学形状が薄いか又は厚くなった時、隣接幾何学形状間の距離が変動し、従って、隣接幾何学形状間のキャパシタンスが変動する。   In some embodiments, the pre-tabulation environment includes two or more geometric shapes, and the characteristic equation (capacitance equation) relates to the capacitance between the two geometric shapes of the environment. In some embodiments, the capacitance equation is calculated as two functions of the pre-tabulation environment as a function of distance between two geometries and one or more process variations (such as lens defocus or ray dose). Describe the capacitance between geometric shapes. As described with reference to FIGS. 3 and 16, a re-simulation environment that reflects one or more process variations is apparently slightly different from a simulated environment that does not take process variations into account. For example, the geometric shape of the re-simulated environment may be thinner, thicker or different than the geometric shape of the simulated environment. As the adjacent geometric shape of the environment becomes thinner or thicker, the distance between adjacent geometric shapes varies, and thus the capacitance between adjacent geometric shapes varies.

図17A及び図17Bは、隣接幾何学形状1715の第1の対と隣接幾何学形状1720の第2の対とを含む同じ事前作表環境の模擬結果を示している。環境の隣接幾何学形状は、幾何学形状間の相互作用(キャパシタンス)を生成することができ、相互作のための量は、隣接幾何学形状間の距離によって影響される。図17Aは、処理変動を反映しない事前作表環境の模擬結果1705を示している。図17Aに示すように、隣接幾何学形状1715の第1の対の間に第1の距離があり、隣接幾何学形状1720の第2の対の間に第2の距離がある。接幾何学形状1715の第1の対の間のキャパシタンスは、主として隣接幾何学形状1715の間の第1の距離1717で決まり、隣接幾何学形状1720の第2の対の間のキャパシタンスは、隣接幾何学形状1720の間の第2の距離1722で決まる。   FIGS. 17A and 17B show simulated results for the same pre-tabulation environment that includes a first pair of adjacent geometric shapes 1715 and a second pair of adjacent geometric shapes 1720. Adjacent geometries of the environment can create interactions (capacitance) between the geometric shapes, and the amount for the interaction is affected by the distance between adjacent geometric shapes. FIG. 17A shows a simulation result 1705 of the pre-tabulation environment that does not reflect the process variation. As shown in FIG. 17A, there is a first distance between a first pair of adjacent geometric shapes 1715 and a second distance between a second pair of adjacent geometric shapes 1720. The capacitance between the first pair of tangent geometry 1715 is determined primarily by a first distance 1717 between adjacent geometry 1715 and the capacitance between the second pair of adjacent geometry 1720 is adjacent. Determined by a second distance 1722 between geometric shapes 1720.

図17Bは、1つ又はそれよりも多くの処理変動(レンズ焦点外れ又はレンズ焦点外れなど)を考慮する図17Aと同じ事前作表環境の模擬結果1735を示している。図17Bは、図17Aに示す模擬環境1705から変動した模擬環境1735を示している。具体的には、図17Bに示すように、図17Aに示す第1の距離1717と異なる、隣接幾何学形状1715の第1の対の間の第3の距離1747がある。また、図17Aに示す第2の距離1722と異なる、隣接幾何学形状1720の第2の対の間の第4の距離1742がある。隣接幾何学形状の第1の対と第2の対の間のこれらの距離変動は、図17Bの模擬結果1735によって反映された1つ又はそれよりも多くの処理変動から生じたものである。   FIG. 17B shows a simulated result 1735 of the same pre-tabulation environment as FIG. 17A that takes into account one or more processing variations (such as lens defocus or lens defocus). FIG. 17B shows a simulated environment 1735 that varies from the simulated environment 1705 shown in FIG. 17A. Specifically, as shown in FIG. 17B, there is a third distance 1747 between the first pair of adjacent geometric shapes 1715 that is different from the first distance 1717 shown in FIG. 17A. There is also a fourth distance 1742 between the second pair of adjacent geometric shapes 1720 that is different from the second distance 1722 shown in FIG. 17A. These distance variations between the first and second pairs of adjacent geometries result from one or more process variations reflected by the simulation result 1735 of FIG. 17B.

一部の実施形態では、初期環境から変動した変化後の環境にある2つの幾何学形状の間のキャパシタンス(C)は、第1のキャパシタンス方程式によって表される:
C=C0+k1ΔW
第1のキャパシタンス方程式を使用して、環境の2つの幾何学形状の間のキャパシタンスは、2つの幾何学形状の間の距離の変化(ΔW)を考慮して計算することができる。しかし、第1のキャパシタンス方程式は、処理変動(距離の変化(ΔW)の原因である)の関数としてキャパシタンスを表すものではない。
In some embodiments, the capacitance (C) between two geometries in a changed environment that varies from the initial environment is represented by a first capacitance equation:
C = C 0 + k 1 ΔW
Using the first capacitance equation, the capacitance between the two geometries of the environment can be calculated taking into account the change in distance (ΔW) between the two geometries. However, the first capacitance equation does not represent capacitance as a function of process variation (which is a cause of distance change (ΔW)).

隣接幾何学形状の間のキャパシタンスは、幾何学形状の間の距離によって影響され、1つ又はそれよりも多くの処理変動は、幾何学形状の間の距離に影響を与えるので(処理変動は、幾何学形状が薄いか又は厚くなる原因になる可能性があるので)、隣接幾何学形状の間のキャパシタンスは、幾何学形状の間の距離と1つ又はそれよりも多くの処理変動との関数であることが分る。一部の実施形態では、1つ又はそれよりも多くの処理変動(PV)によって初期環境から変動した変化後の環境の2つの幾何学形状の間のキャパシタンスは、第2のキャパシタンス方程式によって表される:
C=C0+k1ΔW+k2ΔPV1+...
ここで、C0は、処理変動なし(すなわち、ΔW、ΔPV1など全て0に等しい)を反映する初期環境のキャパシタンス(初期キャパシタンス)であり、k1、k2などは、所定の感度係数であり、ΔWは、初期環境から変化後の環境までの2つの幾何学形状間の距離の差であり、ΔPV1は、初期環境と変化後の環境で反映される特定の処理変動の値の差である。例えば、ΔWは、変化後の環境の2つの幾何学形状の間の距離から初期環境の2つの幾何学形状の間の距離を減算したものに等しいとすることができる。また、ΔPV1は、変化後の環境で反映される特定の処理変動の値から初期環境で反映される特定の処理変動の値を減算したものに等しいとすることができる(一部の実施形態では、常に0に等しい)。一部の実施形態では、C0(初期キャパシタンス)の値は、キャパシタンス方程式で誤差を補正又は最小限に抑えるように調節/シフトされるか、又は所定の値に設定される。
The capacitance between adjacent geometric shapes is affected by the distance between the geometric shapes, and one or more process variations affect the distance between the geometric shapes (the process variations are Capacitance between adjacent geometric shapes is a function of the distance between the geometric shapes and one or more processing variations (since the geometric shapes can cause thinning or thickening). It turns out that it is. In some embodiments, the capacitance between the two geometries of the changed environment that has changed from the initial environment by one or more process variations (PV) is represented by the second capacitance equation. R:
C = C 0 + k 1 ΔW + k 2 ΔPV 1 +. . .
Here, C 0 is the capacitance (initial capacitance) of the initial environment reflecting no processing variation (that is, ΔW, ΔPV 1 etc. are all equal to 0), and k 1 , k 2, etc. are predetermined sensitivity coefficients. Yes, ΔW is the difference in distance between the two geometric shapes from the initial environment to the changed environment, and ΔPV 1 is the difference in the value of the specific process variation reflected in the initial environment and the changed environment It is. For example, ΔW may be equal to the distance between the two geometric shapes of the changed environment minus the distance between the two geometric shapes of the initial environment. ΔPV 1 can also be equal to the value of the specific process variation reflected in the environment after the change minus the value of the specific process variation reflected in the initial environment (some embodiments). Is always equal to 0). In some embodiments, the value of C 0 (initial capacitance) is adjusted / shifted to correct or minimize errors in the capacitance equation, or set to a predetermined value.

一部の実施形態では、レンズ焦点外れ及び光線量の処理変動によって初期環境から変動した変化後の環境の2つの幾何学形状の間のキャパシタンス(C)は、以下の形態の第2のキャパシタンス方程式の例によって表される:
C=C0+k1ΔW+k2ΔDF+k3Δ線量
ここで、k1、k2、k3は、所定の感度係数であり、ΔDFは、初期環境と変化後の環境に反映される焦点外れ値の差であり、Δ線量は、初期環境と変化後の環境に反映される光線量の差である。
In some embodiments, the capacitance (C) between the two geometries of the changed environment that has changed from the initial environment due to lens defocusing and light dose processing variation is a second capacitance equation of the form Represented by an example:
C = C 0 + k 1 ΔW + k 2 ΔDF + k 3 ΔDose where k 1 , k 2 , and k 3 are predetermined sensitivity coefficients, and ΔDF is an out-of-focus value reflected in the initial environment and the changed environment. The Δ dose is a difference in the amount of light reflected in the initial environment and the changed environment.

電気特性データをモデルに格納する方法
環境の幾何学形状の間の相互作用(キャパシタンス)は、ICレイアウトの設計時に考慮すべき環境の重要な電気特性である。従って、更に別の計算の必要がなく、容易に利用可能な環境の電気特性を説明するデータを有することは、非常に有利であると考えられる。一部の実施形態では、環境のキャパシタンス特性を説明するキャパシタンス方程式は、環境を収容するモデルに格納され、そのモデルは、モデルの事前作表ライブラリに含まれている。一部の実施形態では、キャパシタンス方程式は、環境の2つの幾何学形状の間のキャパシタンスを2つの幾何学形状の間の距離の関数として表すものである。一部の実施形態では、キャパシタンス方程式は、キャパシタンスを2つの幾何学形状の間の距離の変動と1つ又はそれよりも多くの処理変動との関数として表すものである。
Method of storing electrical property data in a model The interaction (capacitance) between the geometry of the environment is an important electrical property of the environment to be considered when designing an IC layout. Therefore, it would be highly advantageous to have data describing the electrical characteristics of an environment that is readily available without the need for further calculations. In some embodiments, the capacitance equation describing the capacitance characteristics of the environment is stored in a model that contains the environment, and the model is included in the pre-tabulated library of models. In some embodiments, the capacitance equation represents the capacitance between two geometries of the environment as a function of the distance between the two geometries. In some embodiments, the capacitance equation represents capacitance as a function of distance variation between two geometries and one or more process variations.

各モデルが事前作表環境と事前作表環境のキャパシタンス特性を説明する所定のキャパシタンス方程式とを含む事前作表モデルのライブラリを構築するように図8のライブラリ構築方法800を修正することができる。一部の実施形態では、キャパシタンス方程式は、C=C0+k1ΔWの形であり、ここで、C0の値と係数k1は、所定のものである。一部の実施形態では、キャパシタンス方程式は、C=C0+k1ΔW+k2ΔDF+k3Δ線量の形であり、ここで、C0の値と係数k1、k2、及びk3は、所定のものである。 The library construction method 800 of FIG. 8 can be modified so that each model builds a library of pre-tabulation models that includes a pre-tabulation environment and a predetermined capacitance equation that describes the capacitance characteristics of the pre-tabulation environment. In some embodiments, the capacitance equation is of the form C = C 0 + k 1 ΔW, where the value of C 0 and the coefficient k 1 are predetermined. In some embodiments, the capacitance equation is in the form C = C 0 + k 1 ΔW + k 2 ΔDF + k 3 Δdose, where the value of C 0 and the coefficients k 1 , k 2 , and k 3 are given by Is.

具体的には、ライブラリ構築方法800の段階830の後に、代替的なライブラリ構築方法1800(図18の流れ図として図示)を実行して、所定のキャパシタンス方程式を含むライブラリを生成することができる。ライブラリ構築方法800の段階825の後に、満足な模擬環境を生成する現在の環境が達成され、この満足な模擬環境は初期環境と呼ばれる。次に、現在の環境を説明するデータを格納するモデルを作成する(ライブラリ構築方法800の段階830で)。
代替的なライブラリ構築方法1800は、この初期環境を受け取った時に始まる(1805で)。初期環境の例を図17Aに示している。一部の実施形態では、初期環境は、特定の距離を間に有する隣接幾何学形状の少なくとも1つの対を含む。一部の実施形態では、初期環境は、各々が特定の距離を間に有する隣接幾何学形状の2つ又はそれよりも多くの対を含む。
Specifically, after stage 830 of library construction method 800, an alternative library construction method 1800 (shown as a flow diagram in FIG. 18) can be performed to generate a library that includes a predetermined capacitance equation. After step 825 of the library construction method 800, a current environment is created that generates a satisfactory simulated environment, which is referred to as an initial environment. Next, a model for storing data describing the current environment is created (at stage 830 of the library construction method 800).
An alternative library construction method 1800 begins (at 1805) when this initial environment is received. An example of the initial environment is shown in FIG. 17A. In some embodiments, the initial environment includes at least one pair of adjacent geometric shapes with a particular distance in between. In some embodiments, the initial environment includes two or more pairs of adjacent geometric shapes, each having a specific distance in between.

次に、本方法は、3次元電磁シミュレーション(3Dシミュレーション)を初期環境に実行して、初期環境内の1対の隣接幾何学形状の間のキャパシタンス(C0)を見つける(1807で)。一部の実施形態では、本方法は、3Dシミュレーションを初期環境に実行して、初期環境の隣接幾何学形状の2つ又はそれよりも多くの対の間の初期キャパシタンスを見つける。一部の実施形態では、3Dシミュレーションは、当業技術で公知であるマックスウェル方程式を解く3次元電磁シミュレータプログラムによって実行される。一部の実施形態では、別の形式のシミュレーションを実行して初期キャパシタンス(C0)を見つける。 The method then performs a 3D electromagnetic simulation (3D simulation) on the initial environment to find the capacitance (C 0 ) between a pair of adjacent geometric shapes in the initial environment (at 1807). In some embodiments, the method performs a 3D simulation on the initial environment to find an initial capacitance between two or more pairs of adjacent geometries in the initial environment. In some embodiments, the 3D simulation is performed by a three-dimensional electromagnetic simulator program that solves the Maxwell equations known in the art. In some embodiments, another type of simulation is performed to find the initial capacitance (C 0 ).

次に、本方法の反復回数を計数し、かつX回の所定の反復回数が完了すると繰返しを停止するのに使用されるカウンタを0に設定する(1810)。
次に、再シミュレーションを現在の環境に実行して、変化後の環境を生成するが(1815で)、この再シミュレーションは、焦点外れ及び線量の例示的な処理変動を考慮する。変化後の初期環境の例を図17Bに示している。一部の実施形態では、再シミュレーションは、レンズ焦点外れ及び光線量の特定の例示的な値を考慮するシミュレータによって実行される。
Next, the number of iterations of the method is counted, and a counter used to stop the iteration is set to 0 when X predetermined iterations are completed (1810).
A re-simulation is then performed on the current environment to generate a changed environment (at 1815), which takes into account exemplary processing variations in defocus and dose. An example of the initial environment after the change is shown in FIG. 17B. In some embodiments, the re-simulation is performed by a simulator that takes into account specific exemplary values of lens defocus and light dose.

変化後の環境においては、1対の隣接幾何学形状は、初期環境と外見が異なっている(例えば、それらは、薄い、厚い、又は異なる形状で現れることになる)。従って、変化後の環境の隣接幾何学形状の対の間の距離は、恐らく、初期環境の隣接幾何学形状の対の間の距離と異なることになる。一部の実施形態では、初期環境と変化後の環境は、隣接幾何学形状の2つ又はそれよりも多くの対を含み、幾何学形状の2つ又はそれよりも多くの対の間の距離は、初期環境から変化後の環境に変わる。   In the changed environment, a pair of adjacent geometric shapes are different in appearance from the initial environment (eg, they will appear thin, thick, or different shapes). Thus, the distance between adjacent geometric pairs in the changed environment will likely be different from the distance between adjacent geometric pairs in the initial environment. In some embodiments, the initial environment and the changed environment include two or more pairs of adjacent geometric shapes, and the distance between the two or more pairs of geometric shapes. Changes from the initial environment to the changed environment.

次に、本方法は、変化後の環境と初期環境における隣接幾何学形状の対の距離の間の差(ΔW)を判断する(1820で)。差(ΔW)を見つける方法は、変化後の環境と初期環境の隣接幾何学形状の対の比較である。例えば、ΔWは、変化後の環境の幾何学形状の対の間の距離から初期環境の幾何学形状の対の間の距離を減算したものに等しいとすることができる。一部の実施形態では、本方法は、変化後の環境と初期環境の隣接幾何学形状の2つ又はそれよりも多くの対の距離の間の差(ΔW)を判断する。   Next, the method determines (at 1820) the difference (at 1820) between the distance between the pair of adjacent geometric shapes in the changed environment and the initial environment. The method of finding the difference (ΔW) is a comparison of pairs of adjacent geometric shapes in the changed environment and the initial environment. For example, ΔW may be equal to the distance between the changed environment geometry pair minus the distance between the initial environment geometry pair. In some embodiments, the method determines the difference (ΔW) between two or more pairs of distances in the changed environment and the adjacent geometry of the initial environment.

次に、本方法は、3D又は他のシミュレーションを変化後の環境に実行して、変化後の環境の隣接幾何学形状の対の間のキャパシタンス値(C)を見つける(1825で)。一部の実施形態では、本方法は、3D又は他のシミュレーションを変化後の環境に実行して、変化後の環境の隣接幾何学形状の2つ又はそれよりも多くの対の各々についてキャパシタンスを見つける。
次に、本方法は、隣接幾何学形状の対に対する例示的な結果として、キャパシタンス値(C)(1825で判断)、距離の差(ΔW)(1820で判断)、及びレンズ焦点外れと光線量の特定の値(段階1815で再シミュレーションで使用)を格納する(1835で)。一部の実施形態では、本方法は、隣接幾何学形状の2つ又はそれよりも多くの対に対して、キャパシタンス値(C)とレンズ焦点外れ及び光線量の特定の値を格納する。
The method then performs a 3D or other simulation on the changed environment to find the capacitance value (C) between the pair of adjacent geometric shapes of the changed environment (at 1825). In some embodiments, the method performs a 3D or other simulation on the changed environment to determine the capacitance for each of two or more pairs of adjacent geometric shapes of the changed environment. locate.
Next, the method includes, as exemplary results for adjacent geometry pairs, capacitance value (C) (determined at 1825), distance difference (ΔW) (determined at 1820), and lens defocus and ray dose. Of a particular value (used in re-simulation in step 1815). In some embodiments, the method stores capacitance values (C) and specific values of lens defocus and ray dose for two or more pairs of adjacent geometries.

次に、本方法は、カウンタがXに等しいか否かを判断する(1840で)。等しくない場合、本方法は、カウンタを増分して(1845で)、新しい例示的な焦点外れ及び線量値を判断する(1847で)。次に、新しい例示的な焦点外れ及び線量値を考慮する再シミュレーションを初期環境に実行する(1815で)。本方法でカウンタがXに等しいと判断した場合(1840でイエス)、本方法は、段階1850に進む。   Next, the method determines (at 1840) whether the counter is equal to X. If not, the method increments the counter (at 1845) to determine new example defocus and dose values (at 1847). Next, a re-simulation taking into account the new exemplary defocus and dose values is performed in the initial environment (at 1815). If the method determines that the counter is equal to X (yes at 1840), the method proceeds to step 1850.

この時点で、本方法は、各々がキャパシタンス(C)と、距離の差(ΔW)と、焦点外れと、線量値とを有する1組の例示的な結果(Xに等しい)を既に格納している(1835で)。例示的結果の組は、キャパシタンス(C)、距離の差(ΔW)、焦点外れ、及び線量値のある一定の範囲を網羅する。このデータを使用して、本方法は、全てのXの例示的結果を考慮して幾何学形状の対の間のキャパシタンスを距離の差(ΔW)、焦点外れ、線量の関数として表すキャパシタンス方程式を判断する(1850で)。一部の実施形態では、本方法は、幾何学形状の2つ又はそれよりも多くの対についてキャパシタンス方程式を判断する。一部の実施形態では、キャパシタンス方程式は、人間の介入の必要がなく、自動的に判断される。一部の実施形態では、本方法は、数学的モデル化方法又はコンピュータ学習方法(節Vで説明する)を用いてキャパシタンス方程式を判断する。   At this point, the method has already stored a set of exemplary results (equal to X) each having capacitance (C), distance difference (ΔW), defocus, and dose value. Yes (at 1835). An exemplary set of results covers a certain range of capacitance (C), distance difference (ΔW), defocus, and dose values. Using this data, the method considers all the exemplary results of X and represents a capacitance equation that represents the capacitance between a geometric pair as a function of distance difference (ΔW), defocus, and dose. Judge (at 1850). In some embodiments, the method determines a capacitance equation for two or more pairs of geometric shapes. In some embodiments, the capacitance equation is automatically determined without the need for human intervention. In some embodiments, the method determines the capacitance equation using a mathematical modeling method or a computer learning method (described in Section V).

一部の実施形態では、キャパシタンス方程式は以下の形である:
C=C0+k1ΔW+k2ΔDF+k3Δ線量
ここで、C0は、所定のキャパシタンス値であり、k1、k2、k3は、所定の感度係数であり、ΔDFは、初期環境と変化後の環境で反映される焦点外れ値の差であり、Δ線量は、初期環境と変化後の環境で反映される光線量値の差である。初期環境は、一般的に処理変動を反映しない模擬環境であるので、初期環境は、一般的に、0の焦点外れ値及び線量値を反映することに注意されたい。従って、ΔDFは、変化後の環境で反映された焦点外れ値に等しく、Δ線量は、変化後の環境に反映された線量値に等しい。
次に、本方法は、判断されたキャパシタンス方程式を図8の段階830で作成されたモデルに格納する(1855で)。一部の実施形態では、それは、2つ又はそれよりも多くの判断されたキャパシタンス方程式をモデルに格納する。次に、本方法は終了する。
In some embodiments, the capacitance equation is of the form:
C = C 0 + k 1 ΔW + k 2 ΔDF + k 3 ΔDose Here, C 0 is a predetermined capacitance value, k 1 , k 2 , and k 3 are predetermined sensitivity coefficients, and ΔDF changes with the initial environment. The difference between the defocus values reflected in the later environment, and the Δ dose is the difference between the light amount values reflected in the initial environment and the changed environment. Note that since the initial environment is typically a simulated environment that does not reflect process variations, the initial environment generally reflects zero out-of-focus and dose values. Therefore, ΔDF is equal to the out-of-focus value reflected in the changed environment, and Δdose is equal to the dose value reflected in the changed environment.
The method then stores (at 1855) the determined capacitance equation in the model created at step 830 of FIG. In some embodiments, it stores two or more determined capacitance equations in the model. Next, the method ends.

代替的な実施形態では、代替的なライブラリ構築方法1800は、図14のライブラリ構築方法800とは別々に実行される。この実施形態では、方法1800は、従来のレイアウト設計方法のような他の方法によって生成された模擬環境である初期環境を受け取る(1085で)。方法1800は、1組のそのような模擬環境を受け取って、各々が所定のキャパシタンス方程式を収容する1組のモデルをライブラリに生成する。
事前作表ライブラリの環境に対するキャパシタンス方程式を格納することにより、これは、その環境についてキャパシタンス方程式を後で判断するのに必要な終了時間を短縮する。キャパシタンス方程式を使用して、レンズ焦点外れと光線量の特定の値があれば、環境内の1対の隣接幾何学形状の間のキャパシタンスを判断することができる。
In an alternative embodiment, the alternative library construction method 1800 is performed separately from the library construction method 800 of FIG. In this embodiment, the method 1800 receives (at 1085) an initial environment that is a simulated environment generated by another method, such as a conventional layout design method. The method 1800 receives a set of such simulated environments and generates a set of models in the library, each containing a predetermined capacitance equation.
By storing the capacitance equation for a pre-tabulated library environment, this reduces the end time required to later determine the capacitance equation for that environment. The capacitance equation can be used to determine the capacitance between a pair of adjacent geometric shapes in the environment given a specific value of lens defocus and ray dose.

電気特性データ:代替的な実施形態
代替的な実施形態では、方法1800は、レンズ焦点外れ及び光線量以外の1つ又はそれよりも多くの異なる処理変動を考慮する。これらの実施形態では、方法1800は、再シミュレーションを実行した時(1815で)、1つ又はそれよりも多くの異なる処理変動を考慮し、1つ又はそれよりも多くの異なる処理変動について特定の値を格納し(1835)、1つ又はそれよりも多くの異なる処理変動を考慮するキャパシタンス方程式を判断する(1850で)。
Electrical Property Data: Alternative Embodiment In an alternative embodiment, the method 1800 considers one or more different process variations other than lens defocus and light dose. In these embodiments, the method 1800 takes into account one or more different process variations when performing re-simulation (at 1815) and is specific for one or more different process variations. The value is stored (1835) and a capacitance equation is determined (at 1850) that takes into account one or more different process variations.

代替的な実施形態では、方法1800は、キャパシタンス方程式を判断する(1850)のではなく、各々がキャパシタンス(C)と、距離の差(ΔW)と、焦点外れ値及び線量値とを有する、段階1815から段階1847で判断して格納した例示的結果の組を格納する(1855で)。
代替的な実施形態では、方法1800は、例示的結果としてキャパシタンスと距離の差(ΔW)の値のみを格納し(1835で)、C=C0+k1ΔWの形のキャパシタンス方程式を判断し(1850で)、このキャパシタンス方程式をモデルに格納する(1855で)。一部の実施形態では、キャパシタンス方程式は、C=C0+k1ΔW、又はC=C0+k1ΔW+k2ΔDF+k3Δ線量という形以外の形である。
In an alternative embodiment, the method 1800 does not determine (1850) the capacitance equation, but each has a capacitance (C), a distance difference (ΔW), an out-of-focus value, and a dose value. The example result set determined and stored at step 1847 from 1815 is stored (at 1855).
In an alternative embodiment, the method 1800 stores only the capacitance-distance difference (ΔW) value as an exemplary result (at 1835) and determines a capacitance equation of the form C = C 0 + k 1 ΔW ( 1850) and store this capacitance equation in the model (at 1855). In some embodiments, the capacitance equation is in a form other than C = C 0 + k 1 ΔW or C = C 0 + k 1 ΔW + k 2 ΔDF + k 3 Δdose.

代替的な実施形態では、方法1800は、初期環境のシミュレーションを実行するのではなく(1815で)、初期環境とキャパシタンス方程式の隣接幾何学形状の対の間の距離の差(ΔW)が所定の差に等しいように、隣接幾何学形状の対が特定の距離を間に有する変化後の環境を作成する。従って、複数の繰返しを通じて、方法1800は、距離の差(ΔW)の組を生成する変化後の環境の組を作成する。距離の差(ΔW)の組は、設計技師が予め決めることができる。また、本方法は、例示的結果としてキャパシタンスと距離の差(ΔW)の値のみを格納し(1835で)、C=C0+k1ΔWの形のキャパシタンス方程式を判断して(1850で)、キャパシタンス方程式をモデルに格納する(1855で)。
代替的な実施形態では、方法1800は、キャパシタンス以外の環境の電気特性を説明する方程式を判断して格納する。例えば、方法1800は、環境のインダクタンスを説明するインダクタンス方程式を判断して格納するか、又は環境の抵抗を説明する抵抗方程式を判断して格納する場合がある。
In an alternative embodiment, the method 1800 does not perform a simulation of the initial environment (at 1815), but the distance difference (ΔW) between the initial environment and a pair of adjacent geometric shapes of the capacitance equation is predetermined. Create a changed environment with adjacent geometric pairs having a certain distance between them to be equal to the difference. Thus, through multiple iterations, the method 1800 creates a set of changed environments that produces a set of distance differences (ΔW). A set of distance differences (ΔW) can be determined in advance by a design engineer. The method also stores only the value of the difference between capacitance and distance (ΔW) as an exemplary result (at 1835) and determines a capacitance equation of the form C = C 0 + k 1 ΔW (at 1850), Store the capacitance equation in the model (at 1855).
In an alternative embodiment, the method 1800 determines and stores an equation describing the electrical characteristics of the environment other than capacitance. For example, the method 1800 may determine and store an inductance equation that describes the inductance of the environment, or may determine and store a resistance equation that describes the resistance of the environment.

節V:方程式又は関数ベースの方法と共に事前作表モデルのライブラリを使用したレイアウトの修正
上述のように、モデルの事前作表ライブラリ内のモデルは、所定のサイズの事前作表環境の説明を含む。ライブラリの事前作表環境の数を管理可能な数に保つために、事前作表環境の所定のサイズは、合理的なサイズに保たれる(事前作表環境の所定のサイズが大きいほど、発生の可能性がある幾何学形状の寸法及び配置のより多くの変動を網羅するのにライブラリで必要とされる事前作表環境の数が大きくなるので)。
Section V: Modifying the layout using a library of pre-tabulated models with equations or function-based methods As described above, the model in the model's pre-tabulated library contains a description of a pre-tabulated environment of a given size. . To keep the number of pre-tabulated environments in the library manageable, the predetermined size of the pre-tabulated environment is kept at a reasonable size (the larger the predetermined size of the pre-tabulated environment, the more Because the number of pre-tabulation environments required by the library to cover more variation in the dimensions and placement of possible geometries is large).

事前作表モデルのライブラリを使用してICレイアウト内の幾何学形状を修正するレイアウト修正方法700(図7に関連して上述)においては、ライブラリの事前作表環境の所定のサイズにより、設計レイアウト上で識別される環境のサイズが決まり、レイアウト環境は、修正すべき形態を含む。しかし、レイアウト環境の外側にある幾何学形状も、作製された状態でどのように形態が現れることになるかに影響を与えるが、その程度は、レイアウト環境の内側にある幾何学形状よりも小さい。   In a layout correction method 700 (described above with reference to FIG. 7) that uses a library of pre-tabulation models to correct geometric shapes in an IC layout, the design layout depends on the predetermined size of the library's pre-tabulation environment. The size of the environment identified above is determined and the layout environment includes the form to be modified. However, geometric shapes outside the layout environment also affect how the shape will appear in the fabricated state, but to a lesser extent than geometric shapes inside the layout environment .

一部の実施形態では、レイアウト環境の外側にある幾何学形状(外側幾何学形状)に関連する情報を使用して、レイアウト環境内の形態に適用すべきモデル(レイアウト環境と適合する事前作表環境を有する)に含まれた修正を調節する。他の実施形態では、レイアウト環境から第1の半径距離と第2の半径距離の間にある幾何学形状に関連する情報を使用して、モデルに含まれた修正を調節する。更に別の実施形態では、モデルに含まれた修正は、設計レイアウト内の特定区域の幾何学形状範囲百分率を使用するモデルに含まれた所定の調節方程式又は関数に従って調節される。   In some embodiments, information related to the geometry outside the layout environment (outer geometry) is used to apply the model to be applied to the form in the layout environment (pre-tabulation that is compatible with the layout environment). Adjust modifications included in the environment). In other embodiments, information related to the geometry between the first radial distance and the second radial distance from the layout environment is used to adjust the modifications included in the model. In yet another embodiment, the modifications included in the model are adjusted according to a predetermined adjustment equation or function included in the model that uses the geometric range percentage of a particular area in the design layout.

図19は、所定の調節方程式又は関数と共に事前作表モデルのライブラリを使用してICレイアウト内の幾何学形状を修正する調節方法1900の流れ図である。ライブラリの各モデルは、ICレイアウト内の幾何学形状又は形態に適用すべき修正と、修正に対する調節に使用される所定の調節方程式又は関数とを含む。方法1900は、例えば、IC設計レイアウトを作成、編集、又は分析する電子設計自動化(EDA)アプリケーションによって実施することができる。図19の調節方法1900の多くの段階は、図7のレイアウト修正方法700と類似のものであるから、異なる段階のみをここで詳細に説明する。図19を図20に関連して説明する。   FIG. 19 is a flow diagram of an adjustment method 1900 that uses a library of pre-tabulated models with predetermined adjustment equations or functions to modify the geometry in the IC layout. Each model in the library includes a modification to be applied to the geometry or form in the IC layout and a predetermined adjustment equation or function used to adjust for the modification. The method 1900 can be implemented, for example, by an electronic design automation (EDA) application that creates, edits, or analyzes IC design layouts. Many of the steps of the adjustment method 1900 of FIG. 19 are similar to the layout modification method 700 of FIG. 7, so only the different steps will be described in detail here. FIG. 19 will be described with reference to FIG.

調節方法1900は、一般的な設計方法300(図3)の段階310を含む。従って、方法1900は、設計レイアウトを受け取って修正レイアウトを生成する。方法1900は、各々がゼロ又はそれよりも多くの修正すべき形態を含む1つ又はそれよりも多くの幾何学形状を有するIC設計レイアウトを受け取った時に始まる(1905で)。次に、本方法は、修正のためにレイアウト内の現在の形態を選択する(1910で)。次に、本方法は、現在の形態を収容した所定のサイズを有するレイアウト内の現在の環境を識別する(1915で)。   The adjustment method 1900 includes stage 310 of the general design method 300 (FIG. 3). Accordingly, the method 1900 receives a design layout and generates a modified layout. Method 1900 begins (at 1905) when an IC design layout is received having one or more geometries, each containing zero or more features to be modified. Next, the method selects (at 1910) the current form in the layout for modification. Next, the method identifies (at 1915) the current environment in a layout having a predetermined size that contains the current form.

次に、本方法は、事前作表モデルのライブラリに含まれた、現在レイアウト環境に適合する事前作表環境を収容するモデルを識別する(1920で)。ライブラリの各モデルは、形態と、特定の形態が位置する主要幾何学形状と、ゼロ又はそれよりも多くの隣接幾何学形状とを含む事前作表環境を説明するデータを含む。ライブラリの各モデルはまた、事前作表形態に対する事前作表修正を説明するデータと、事前作表修正に対する調節に使用される所定の調節方程式又は関数とを含む。各々が所定の調節方程式又は関数を含む事前作表モデルのライブラリを構築する方法に対して、図21に関連して以下で説明する。   Next, the method identifies (at 1920) a model containing a pre-tabulation environment that is included in the library of pre-tabulation models and that matches the current layout environment. Each model in the library includes data describing a pre-tabulation environment that includes morphologies, the primary geometry in which a particular morphology is located, and zero or more neighboring geometric shapes. Each model of the library also includes data describing the pre-tabulation correction for the pre-tabulation form and a predetermined adjustment equation or function used to adjust for the pre-tabulation correction. A method for building a library of pre-tabulated models, each containing a predetermined adjustment equation or function, is described below in connection with FIG.

次に、本方法は、事前作表修正を説明するデータと、事前作表修正を調節するための所定の調節方程式又は関数とを適合モデルから検索する(1915で)。一部の実施形態では、適合モデルは、模擬環境データ、再模擬環境データ、及び/又は電気特性データ(節IVで説明するように)のような事前作表環境の他のデータも含む。これらの実施形態では、本方法は、適合モデルに含まれた他の形式のデータのいずれか又は全てを検索する(1925で)。   The method then retrieves (at 1915) from the fit model data describing the pre-tabulation correction and a predetermined adjustment equation or function for adjusting the pre-tabulation correction. In some embodiments, the adaptation model also includes other data in the pre-tabulated environment, such as simulated environment data, re-simulated environment data, and / or electrical property data (as described in Section IV). In these embodiments, the method retrieves (at 1925) any or all of the other types of data included in the fit model.

一部の実施形態では、調節方程式又は関数は、1つ又はそれよりも多くの所定の係数と、設計レイアウト内の特定区域の幾何学形状範囲百分率である1つ又はそれよりも多くの変数とを含む。一部の実施形態では、調節方程式又は関数は、以下の形である:
A=k11+k22+...
ここで、Aは、事前作表修正に対して行われる調節であり、k1、k2などは、所定の係数であり、F1、F2などは、設計レイアウト内の特定区域の幾何学形状範囲百分率である。他の実施形態では、調節方程式又は関数は、異なる形である。
In some embodiments, the adjustment equation or function includes one or more predetermined coefficients and one or more variables that are a geometric range percentage of a particular area in the design layout. including. In some embodiments, the accommodation equation or function is of the form:
A = k 1 F 1 + k 2 F 2 +. . .
Here, A is an adjustment made to the pre-tabulation correction, k 1 , k 2, etc. are predetermined coefficients, and F 1 , F 2, etc. are the geometry of a specific area in the design layout. The percentage of the shape range. In other embodiments, the adjustment equation or function is in a different form.

次に、本方法は、調節方程式又は関数で指定された設計レイアウト内の特定区域の幾何学形状範囲百分率を判断する(1930で)。一部の実施形態では、調節方程式又は関数で指定された幾何学形状範囲百分率は、現在の形態から内側所定半径距離と外側所定半径距離の間の設計レイアウトの領域のものであり、これらの領域は、放射状領域と呼ばれる。放射状領域における幾何学形状範囲百分率は、放射状領域における幾何学形状によって覆われた面積を放射状領域の総面積で割り算し、100を乗じたものに等しい。   The method then determines (at 1930) the geometric range percentage of the particular area within the design layout specified by the adjustment equation or function. In some embodiments, the geometric range percentage specified in the adjustment equation or function is for areas of the design layout between the inner predetermined radial distance and the outer predetermined radial distance from the current configuration, and these areas Are called radial regions. The geometric range percentage in the radial region is equal to the area covered by the geometric shape in the radial region divided by the total area of the radial region and multiplied by 100.

図20は、様々な幾何学形状2007と、現在の形態2015と、現在の形態2015を取り囲む3つの放射状領域2020、2025、2030とを含むレイアウトのサブ領域2005の上面図を示している。第1の放射状領域2020は、第1の半径距離2035から、現在の形態2015からの第2の半径距離2040まで及び、第2の放射状領域2025は、第2の半径距離2040から、現在の形態2015からの第3の半径距離2045まで及び、第3の放射状領域2030は、第3の半径距離2045から、現在の形態2015からの第4の半径距離2050まで及ぶ。各放射状領域2020、2025、2030に対して幾何学形状範囲百分率を判断することができる。   FIG. 20 shows a top view of a sub-region 2005 in a layout that includes various geometric shapes 2007, a current form 2015, and three radial regions 2020, 2025, 2030 surrounding the current form 2015. FIG. The first radial region 2020 extends from the first radial distance 2035 to the second radial distance 2040 from the current configuration 2015, and the second radial region 2025 from the second radial distance 2040 to the current configuration. The third radial distance 2045 from 2015 and the third radial region 2030 range from the third radial distance 2045 to the fourth radial distance 2050 from the current configuration 2015. A geometric range percentage can be determined for each radial region 2020, 2025, 2030.

次に、本方法は、調節方程式又は関数と、調節方程式又は関数で指定された幾何学形状範囲百分率を使用して事前作表修正に行われる調節とを判断する(1935で)。図20に示す例においては、所定の方程式は、以下の形であると仮定する:
A=k11+k22+k33
ここで、Aは、事前作表修正に行われる調節であり、k1、k2、k3は、所定の係数であり、F1、F2、F3は、それぞれ、第1、第2、及び第3の放射状領域2020、2025、及び2030の幾何学形状範囲百分率である。幾何学形状範囲百分率F1、F2、F3の値を判断した後、これらの値を方程式に入力し、事前作表修正に行われる調節(A)を判断する。調節は、例えば、修正が増加又は低減される百分率量、又は修正の各辺が増加又は低減される距離として表すことができる。
Next, the method determines (at 1935) the adjustment equation or function and the adjustment to be made to the pre-tabulation using the geometric range percentage specified in the adjustment equation or function. In the example shown in FIG. 20, it is assumed that the predetermined equation is of the form:
A = k 1 F 1 + k 2 F 2 + k 3 F 3
Here, A is an adjustment performed for pre-tabulation correction, k 1 , k 2 , and k 3 are predetermined coefficients, and F 1 , F 2 , and F 3 are the first and second, respectively. , And the third radial region 2020, 2025, and 2030 in the geometric range percentage. After determining the values of the geometric shape range percentages F 1 , F 2 , F 3 , these values are entered into the equation to determine the adjustment (A) to be made for pre-tabulation correction. The adjustment can be expressed, for example, as a percentage amount that the correction is increased or decreased, or a distance that each side of the correction is increased or decreased.

次に、本方法は、計算された調節を事前作表修正に適用して(1940で)(例えば、修正を計算量だけ増加又は低減することにより)、調節された修正を生成する。次に、調節された修正を設計レイアウト内の現在の形態に適用する(1945で)。次に、本方法は、現在の形態が設計レイアウトの最終形態であるか否かを判断する(1950)。最終形態であれば、本方法は終了する。最終形態でなければ、本方法は、段階1910に進み、そこで、処理のためにレイアウト内の次の現在の形態を選択する。   The method then applies the calculated adjustment to the pre-tabulation correction (at 1940) (eg, by increasing or decreasing the correction by a computational amount) to produce an adjusted correction. The adjusted correction is then applied to the current form in the design layout (at 1945). Next, the method determines whether the current form is the final form of the design layout (1950). If so, the method ends. If not, the method proceeds to step 1910 where the next current form in the layout is selected for processing.

上述のように、方法1900は、事前作表モデルのライブラリに含まれた、現在レイアウト環境と適合する事前作表環境を収容するモデルを識別する(1920で)。ライブラリの各モデルは、事前作表修正と、事前作表修正に対する調節に使用される所定の調節方程式又は関数とを有する事前作表環境を含む。一部の実施形態では、調節方程式又は関数は、1つ又はそれよりも多くの所定の係数と、設計レイアウト内の特定区域の幾何学形状範囲百分率である1つ又はそれよりも多くの変数とを含む。   As described above, the method 1900 identifies (at 1920) a model containing a pre-tabulation environment that is included in the library of pre-tabulation models and that matches the current layout environment. Each model of the library includes a pre-tabulation environment having pre-tabulation corrections and predetermined adjustment equations or functions used to adjust for the pre-tabulation corrections. In some embodiments, the adjustment equation or function includes one or more predetermined coefficients and one or more variables that are a geometric range percentage of a particular area in the design layout. including.

各モデルが事前作表修正と、事前作表修正に対する調節に使用される所定の調節方程式又は関数とを有する事前作表環境を含む事前作表モデルのライブラリを構築するように、図8のライブラリ構築方法800を修正することができる。具体的には、ライブラリ構築方法800の段階830の後に、代替的なライブラリ構築方法2100(図21の流れ図として図示)を実行して、所定の調節方程式又は関数を含むライブラリを生成することができる。   The library of FIG. 8 so that each model builds a library of pre-tabulation models including a pre-tabulation environment having pre-tabulation corrections and a predetermined adjustment equation or function used to adjust for the pre-tabulation corrections. The construction method 800 can be modified. Specifically, after stage 830 of library construction method 800, an alternative library construction method 2100 (shown as a flow diagram in FIG. 21) can be performed to generate a library that includes predetermined adjustment equations or functions. .

ライブラリ構築方法800の段階825の後に、満足な模擬環境を生成する形態修正を有する現在事前作表環境が達成され、この修正は初期修正と呼ばれる。次に、現在事前作表環境を格納するモデルを作成する(ライブラリ構築方法800の段階830で)。代替的なライブラリ構築方法2100は、初期修正を有する現在事前作表環境を受け取った時に始まる(2105で)。次に、カウンタを0に設定し(2110で)、カウンタを使用して本方法の反復回数を計数し、所定のX回の反復回数が完了すると繰返しを停止する。   After step 825 of the library construction method 800, a current pre-tabulation environment with a form modification that produces a satisfactory simulated environment is achieved, and this modification is referred to as an initial modification. Next, a model for storing the current pre-tabulation environment is created (at stage 830 of the library construction method 800). The alternative library construction method 2100 begins (at 2105) when a current pre-tabulation environment with initial modifications is received. The counter is then set to 0 (at 2110), and the counter is used to count the number of iterations of the method, and the iteration is stopped when a predetermined number of X iterations are completed.

次に、シミュレーションを形態修正を含む現在事前作表環境に実行する(2115で)が、このシミュレーションは、形態を取り囲む特定領域の1つ又はそれよりも多くの例示的な幾何学形状範囲値を考慮する。一部の実施形態では、例示的な幾何学形状範囲は、形態から内側所定半径距離と外側所定半径距離の間にある領域のものである。例えば、3つの放射状領域の3つの例示的な幾何学形状範囲をシミュレーションで考慮することができる(図20を参照されたい)。方法2100の複数回の繰返し(所定の反復回数Xで判断される)を通じて、例示的な幾何学形状範囲は、広範囲にわたる値を通じて変化することになる。例えば、3つの放射状領域の3つの例示的な幾何学形状範囲を考慮した場合、幾何学形状範囲は、1回目の繰返しで5%、5%、5%、2回目の繰返しで5%、5%、10%、3回目の繰返しで5%、5%、15%になると考えられる。   Next, a simulation is performed (at 2115) in the current pre-tabulation environment that includes the morphological modification, which simulates one or more exemplary geometric range values for a particular region surrounding the morphologies. Consider. In some embodiments, the exemplary geometric range is in a region between the inner predetermined outer radial distance and the outer predetermined radial distance from the configuration. For example, three exemplary geometric ranges of three radial regions can be considered in the simulation (see FIG. 20). Through multiple iterations of method 2100 (determined by a predetermined number of iterations X), the exemplary geometric range will vary through a wide range of values. For example, when considering three exemplary geometric ranges of three radial regions, the geometric range is 5%, 5%, 5% for the first iteration, 5%, 5% for the second iteration, 5% %, 10%, 5%, 5%, 15% after the third repetition.

シミュレーションは、例えば、入力として現在事前作表環境及び1つ又はそれよりも多くの幾何学形状範囲値を受け取って現在模擬環境を生成するシミュレータによって実行することができる。現在模擬環境は、現在事前作表環境内の形態に適用された修正及び1つ又はそれよりも多くの例示的な幾何学形状範囲値を考慮して、ウェーハ上に作製された状態でどのように現在事前作表環境が現れることになるかを予測するものである。   The simulation can be performed, for example, by a simulator that receives a current pre-tabulation environment and one or more geometric shape range values as input and generates a current simulated environment. How the current simulated environment is as fabricated on the wafer, taking into account the modifications applied to the features currently in the pre-tabulation environment and one or more exemplary geometric range values This predicts whether a pre-tabulation environment will appear at this time.

次に、本方法は、シミュレーションの結果が満足なものであるか否か、すなわち、模擬環境が、現在事前作表環境に含まれた事前作表形態から外見的に所定の分散閾値の範囲内にある模擬形態を含むか否かを判断する(2120で)。満足なものでなければ、本方法は、段階2125に進み、そこで、本方法は、現在事前作表環境内の形態に対する修正を調節して別のシミュレーションを現在事前作表環境に実行する。本方法は、満足な模擬環境が生成されるまで段階2115から段階2125を繰返し、満足な模擬環境は、最終修正によって生成される。   Next, the present method determines whether the simulation result is satisfactory, that is, the simulated environment is within the range of the predetermined dispersion threshold from the pre-tabulation form currently included in the pre-tabulation environment. (2120). If not, the method proceeds to step 2125 where the method adjusts the modifications to the features in the current pre-tabulation environment and performs another simulation on the current pre-tabulation environment. The method repeats steps 2115 through 2125 until a satisfactory simulated environment is created, which is created by final modification.

本方法が、シミュレーションの結果が満足なものであると判断した場合(2120でイエス)、本方法は、初期修正に対して行われた合計調節(段階2105で受け取り)を判断するが(2130で)、この合計調節と初期修正の組合せは、事前作表形態に適用されると共に、満足な模擬形態を生成したものである。合計調節の判断は、例えば、満足なシミュレーションを生成した最終修正の面積と初期修正の面積を比較することによって行うことができ、2つの修正の差が、初期修正に対して行われた合計調節である。一部の実施形態では、合計調節は、数値として、例えば百分率量として表される。   If the method determines that the simulation results are satisfactory (yes at 2120), the method determines the total adjustment (received at step 2105) made to the initial correction (at 2130). ), This combination of total adjustment and initial correction is applied to the pre-tabulation form and produces a satisfactory simulated form. The determination of the total adjustment can be made, for example, by comparing the area of the final correction that produced a satisfactory simulation with the area of the initial correction, and the difference between the two corrections is the total adjustment made to the initial correction. It is. In some embodiments, the total adjustment is expressed as a numerical value, for example as a percentage amount.

次に、本方法は、合計調節と1つ又はそれよりも多くの幾何学形状範囲値とを例示的結果として格納する(2135で)。次に、本方法は、カウンタがXに等しいか否かを判断する(2140で)。等しくなければ、本方法は、カウンタを増分し(2145で)、新しい幾何学形状範囲値を判断する(2147で)。次に、1つ又はそれよりも多くの新しい幾何学形状範囲値を考慮するシミュレーションを現在事前作表環境に実行する(2115で)。本方法が、カウンタがXに等しいと判断した場合(2140でイエス)、本方法は、段階2150に進む。   The method then stores (at 2135) the total adjustment and one or more geometric range values as exemplary results. Next, the method determines (at 2140) whether the counter is equal to X. If not, the method increments the counter (at 2145) and determines a new geometry range value (at 2147). Next, a simulation that considers one or more new geometry range values is performed in the current pre-tabulation environment (at 2115). If the method determines that the counter is equal to X (yes at 2140), the method proceeds to step 2150.

この時点で、本方法は、各々が合計調節値と1つ又はそれよりも多くの幾何学形状範囲値とを有するXに等しいいくつかの例示的結果を既に格納している(2135で)。次に、本方法は、全てのX個の例示的結果を考慮して、1つ又はそれよりも多くの幾何学形状範囲値から合計調節値がどのように導出されるかを説明する調節方程式又は関数を判断する(2150で)。他の実施形態では、形態を取り囲む領域の他の測定値を本方法で使用して、合計調節がどのように導出されるかを説明する調節方程式又は関数を判断する。一部の実施形態では、調節方程式又は関数は、人間の介入の必要がなく、自動的に判断される。   At this point, the method has already stored (at 2135) several example results equal to X, each with a total adjustment value and one or more geometric range values. The method then considers all X exemplary results and an adjustment equation describing how the total adjustment value is derived from one or more geometric range values. Alternatively, the function is determined (at 2150). In other embodiments, other measurements of the area surrounding the feature are used in the method to determine an adjustment equation or function that explains how the total adjustment is derived. In some embodiments, the adjustment equation or function is automatically determined without the need for human intervention.

一部の実施形態では、本方法は、数学的なモデル化法を用いて調節方程式又は関数を判断する。例えば、X個の数の例示的結果の各々は、以下の方程式の形にすることができる:
A=k11+k22+...
ここで、Aは、合計調節であり、k1、k2などは、係数であり、F1、F2などは、幾何学形状範囲値である。次に、従来のデータ当て嵌め方法(最小2乗当て嵌め方法など)を得られるX個の数の方程式に適用して、係数k1、k2などに対する最良の値を判断することができる。
In some embodiments, the method uses a mathematical modeling method to determine the adjustment equation or function. For example, each of the X number of exemplary results can be in the form of the following equation:
A = k 1 F 1 + k 2 F 2 +. . .
Here, A is total adjustment, k 1 , k 2, etc. are coefficients, and F 1 , F 2, etc. are geometric shape range values. Next, conventional data fitting methods (such as least squares fitting methods) can be applied to X number of equations to determine the best values for the coefficients k 1 , k 2, etc.

他の実施形態では、本方法は、コンピュータ学習法を用いて調節方程式又は関数を判断する。例えば、X個の例示的結果の各々は、1つ又はそれよりも多くの幾何学形状範囲値から合計調節値がどのように導出されるかを説明する調節関数を生成するコンピュータ学習プログラム(神経ネットワークなど)に入力することができる。コンピュータ学習法においては、仮定する単一の数学的モデル(例えば、線形、最小自乗当て嵌めなど)はなく、調節関数に含まれる係数(k1、k2など)の個数は所定のものではない(数学的モデル法におけるように)。従って、コンピュータ学習プログラムは、例示的結果を説明する調節関数を作成する際に、あらゆる数学的モデル及びあらゆる数の係数を考慮する。得られる調節関数は、あらゆる方程式の形を有することができ、又は流れ図又は内部モデルの形とすることができる。また、得られる調節関数は、調節関数のあらゆる係数について最良の値を含む。 In other embodiments, the method uses computer learning methods to determine the adjustment equation or function. For example, each of the X exemplary results is a computer learning program (a neural network) that generates an adjustment function that explains how the total adjustment value is derived from one or more geometric range values. Network). In computer learning, there is no single mathematical model to assume (eg, linear, least squares fit, etc.), and the number of coefficients (k 1 , k 2, etc.) included in the adjustment function is not predetermined. (As in the mathematical model method). Thus, the computer learning program considers any mathematical model and any number of coefficients in creating the adjustment function that describes the exemplary results. The resulting adjustment function can have the form of any equation, or it can be in the form of a flow diagram or internal model. Also, the resulting adjustment function includes the best value for every coefficient of the adjustment function.

調節方程式又は関数の係数の値を判断した状態で、調節方程式又は関数を判断する。次に、調節方程式又は関数は、例えば、調節方法1900によって使用されて事前作表モデルに行われる調節を判断することができる(1935で)。調節方程式又は関数の係数は所定のものであるので、調節の計算は、調節方程式又は関数で指定された幾何学形状範囲百分率を入力して行うことができる。
次に、本方法は、現在事前作表環境を説明するデータを含む図8の段階830で作成されたモデルに対して調節方程式又は関数を判断する(2155で)。次に、本方法は終了する。
With the value of the coefficient of the adjustment equation or function determined, the adjustment equation or function is determined. The adjustment equation or function can then be used, for example, by the adjustment method 1900 to determine adjustments made to the pre-tabulation model (at 1935). Since the coefficients of the adjustment equation or function are predetermined, the calculation of the adjustment can be performed by inputting the geometric shape range percentage specified by the adjustment equation or function.
Next, the method determines (at 2155) an adjustment equation or function for the model created in step 830 of FIG. 8 that includes data that currently describes the pre-tabulation environment. Next, the method ends.

節VI:IC上の別の層に関連する情報を使用したIC上の層のレイアウトの修正
従来的に、各レイアウトの設計が主として他の層の他のレイアウトの設計から独立して進む場合、レイアウトは、一度に一層でICの層について作成される。しかし、ICの下部層の金属範囲は、その上方の層(上部層)の垂直方向のレベルに影響を与えるが、層の金属範囲は、層の総面積に対する層上のIC要素(IC構成要素、相互接続線、バイアパッドなどのような)によって占有される面積の比率である。層の垂直方向のレベルは、次に、層上のIC要素の作製処理に影響を与える。
Section VI: Modifying the layout of a layer on an IC using information related to another layer on the IC Traditionally, when the design of each layout proceeds primarily independently of the design of other layouts on other layers, Layouts are created for IC layers one layer at a time. However, the metal area of the lower layer of the IC affects the vertical level of the upper layer (upper layer), but the metal area of the layer depends on the IC element on the layer relative to the total area of the layer (IC component , The ratio of the area occupied by interconnect lines, via pads, etc.). The vertical level of the layer in turn affects the fabrication process of the IC elements on the layer.

説明のために、下部層の金属範囲が「平均」と見なされる場合に、上部層は、「正常」と見なされる垂直レベルで下部層の上に位置すると仮定する。しかし、下部層の金属範囲が「平均」よりも上方にある場合、上部層は、「正常」よりも下である垂直レベルで下部層の上に位置する。また、下部層の金属範囲が「平均」よりも下の場合、上部層は、「正常」より上にある垂直レベルで下部層の上にある。これは、下部層上の金属を取り囲むフォトレジスト材料よりも柔らかいIC要素を含む金属のためである。IC作製処理においては、IC要素が下部層上に作成された後に、下部層は、研磨処理を通過し、そこで、金属と金属を取り囲むフォトレジスト材料が摩滅する。金属は、フォトレジスト材料よりも柔らかいので、比較的高い金属範囲を有する層は、比較的低い金属範囲を有する層よりも低い高さまで摩滅することになる。   For purposes of explanation, assume that the upper layer is located above the lower layer at a vertical level that is considered “normal” when the metal coverage of the lower layer is considered “average”. However, if the metal coverage of the lower layer is above “average”, the upper layer is located above the lower layer at a vertical level that is below “normal”. Also, if the metal coverage of the lower layer is below “average”, the upper layer is above the lower layer at a vertical level above “normal”. This is due to the metal containing IC elements that are softer than the photoresist material surrounding the metal on the lower layer. In the IC fabrication process, after the IC elements are created on the lower layer, the lower layer passes through a polishing process where the metal and the photoresist material surrounding the metal are worn away. Since the metal is softer than the photoresist material, a layer with a relatively high metal area will wear to a lower height than a layer with a relatively low metal area.

従って、「平均」よりも上の金属範囲を有する下部層のサブ領域のすぐ上に位置する上部層のサブ領域は、「正常」よりも下の垂直レベルにあり、「平均」よりも下の金属範囲を有する下部層のサブ領域のすぐ上に位置する上部層のサブ領域は、「正常」よりも上の垂直レベルにある。従って、下部層の金属範囲の変動によっては、層にわたる上部層の垂直レベルの変動(すなわち、平坦さ又は「正常」レベルからの垂直偏差)がある可能性がある。   Thus, the upper layer sub-region located immediately above the lower layer sub-region having a metal range above the “average” is at a vertical level below “normal” and below the “average”. The upper layer sub-region located immediately above the lower layer sub-region with the metal extent is at a vertical level above "normal". Thus, depending on variations in the metal coverage of the lower layer, there may be variations in the vertical level of the upper layer across the layer (ie, vertical deviation from flatness or “normal” level).

上部層が位置する垂直レベルの変動は、作製された状態で上部層上のIC要素がどのように現れるかに影響を与える。IC作製処理においては、光源及びレンズを使用してフォトマスクを通過する光をフォトレジスト層上に集束してIC要素をフォトレジスト層に刻印し、次に、フォトレジスト層の弱化区域をエッチング除去してIC要素を生成することを思い出されたい。層が位置する垂直レベルの変動がある場合、フォトマスク処理時に層に当たる光を層にわたって集束することができない(集束時のレンズまでの距離が変わることから)。むしろ、光は、層にわたって様々なレベルの焦点外れを有することになる。フォトマスク処理時の光の焦点外れの変動は、レイアウト上に設計されてフォトマスク上に作成される幾何学形状と、ウェーハ上に実際に作製される(IC要素として)幾何学形状とに実質的な不一致を引き起こす。   Variation in the vertical level at which the upper layer is located affects how the IC elements on the upper layer appear in the fabricated state. In the IC fabrication process, a light source and lens are used to focus the light passing through the photomask onto the photoresist layer and imprint the IC element onto the photoresist layer, and then etch away the weakened areas of the photoresist layer. Recall that an IC element is generated. If there is a variation in the vertical level at which the layer is located, light striking the layer during photomasking cannot be focused across the layer (since the distance to the lens at the time of focusing changes). Rather, the light will have varying levels of defocus across the layers. The defocus variation of light during photomask processing is substantial between the geometry designed on the layout and created on the photomask and the geometry actually created on the wafer (as an IC element). Cause inconsistencies.

光の焦点外れの概念を説明するために、「正常な」(平坦な)垂直レベルを有する層のサブ領域に当たる光は、0の焦点外れ値を有すると仮定する(サブ領域がレンズまでの「正しい」距離と見なされるように)。従って、「正常」よりも上の垂直レベルを有する層のサブ領域に当たる光は、DFを実数として+DFの焦点外れ値を有すると言うことができる。また、「正常」よりも下の垂直レベルを有する層のサブ領域に当たる光は、−DFの焦点外れ値を有すると言うことができる。   To illustrate the concept of light defocus, assume that light falling on a sub-region of a layer having a “normal” (flat) vertical level has a defocus value of zero (the sub-region is “ To be considered the “right” distance). Accordingly, it can be said that light falling on a sub-region of a layer having a vertical level above “normal” has an out-of-focus value of + DF, where DF is a real number. It can also be said that light falling on a sub-region of a layer having a vertical level below “normal” has an out-of-focus value of −DF.

要約すると、ICの下部層の金属範囲の変動は、ICの上部層が位置する垂直レベルの変動を引き起こし、これは、次に、上部層のフォトマスク処理時の光の焦点外れのレベルの変動を引き起こし、これは、次に、上部層に対してレイアウト上に設計される幾何学形状と、ウェーハ上に実際に作製される(IC要素として)幾何学形状との間の大きな不一致を引き起こす。しかし、下部層の金属範囲の変動及び上部層の垂直偏差データ(起伏データ)を考慮して上部層についてレイアウト内の幾何学形状を設計及び修正すれば、上部層についてレイアウトに設計された幾何学形状と上部層に実際に作製された幾何学形状との間の不一致を低減することができる。
本発明の一部の実施形態では、ICの層に対するレイアウト内の幾何学形状は、層の起伏データ(垂直偏差データ)に基づいて修正される。一部の実施形態では、IC上部層に作製されるように設計されたレイアウトは、ICの別の層に作製されるように設計されたレイアウトに関連する情報で修正される。
In summary, fluctuations in the metal coverage of the IC bottom layer cause fluctuations in the vertical level where the IC top layer is located, which in turn causes fluctuations in the defocus level of light during photomask processing of the top layer. This in turn causes a large discrepancy between the geometry designed on the layout for the top layer and the geometry actually created on the wafer (as an IC element). However, if the geometry in the layout for the upper layer is designed and modified in consideration of the variation in the metal range of the lower layer and the vertical deviation data (undulation data) of the upper layer, the geometry designed in the layout for the upper layer The discrepancy between the shape and the geometry actually created in the upper layer can be reduced.
In some embodiments of the present invention, the geometry in the layout for a layer of the IC is modified based on the layer relief data (vertical deviation data). In some embodiments, a layout designed to be created on the top layer of the IC is modified with information related to the layout designed to be created on another layer of the IC.

図22は、IC下部層レイアウトに関連する情報を使用してICの上部層に対するレイアウト内の幾何学形状の修正を変更する変更方法2200の流れ図である。方法2200は、例えば、IC設計レイアウトを作成、編集、又は分析する電子設計自動化(EDA)アプリケーションによって実行することができる。図22について図23に関連して説明する。方法2200は、IC上部層(すなわち、最下部層以外のIC上に作製されることになる層)レイアウト(上部レイアウト)を受け取った時に始まり(2205で)、レイアウトは、幾何学形状、形態、及び形態に対する修正を含む。一部の実施形態では、上部レイアウトの生成は、モデルの事前作表ライブラリ(節IIで上述)を使用して行われる。他の実施形態では、上部レイアウトの生成は、従来のレイアウト設計方法のような異なる方法を用いて行われる。   FIG. 22 is a flow diagram of a change method 2200 that uses information related to the IC lower layer layout to change the modification of the geometry in the layout for the upper layer of the IC. The method 2200 may be performed, for example, by an electronic design automation (EDA) application that creates, edits, or analyzes IC design layouts. 22 will be described with reference to FIG. Method 2200 begins when an IC top layer (ie, a layer to be fabricated on an IC other than the bottom layer) layout (top layout) is received (at 2205), where the layout is geometric, shape, And modifications to the form. In some embodiments, top layout generation is performed using a pre-tabulated library of models (described above in Section II). In other embodiments, the top layout is generated using a different method, such as a conventional layout design method.

次に、方法2200は、IC下部層(すなわち、上部層よりも位置が低いIC上に作製されることになる層)レイアウト(下部レイアウト)のデータを検索する(2210で)。下部層のデータは、下部レイアウト内の幾何学形状を説明するものであると共に、幾何学形状の寸法及び配置データを含む。下部レイアウトのデータを使用して、次に、本方法は、下部レイアウトの各サブ領域における幾何学形状範囲の百分率を示す下部レイアウト密度マップを生成する(2215で)。サブ領域における幾何学形状範囲の百分率は、サブ領域における幾何学形状によって覆われた面積をサブ領域における幾何学形状範囲で割り算し、100で乗算したものである。サブ領域における幾何学形状範囲の百分率は、サブ領域における幾何学形状が後でウェーハ上のIC要素として作製される時のサブ領域の金属範囲を反映するものである。他の実施形態では、本方法は、関数、ウェーブレットなどのような下部レイアウトの特性の別の記述(密度マップ以外)を生成する(2215で)。   Next, the method 2200 retrieves (at 2210) data for the IC lower layer (ie, the layer to be fabricated on the IC that is lower in position than the upper layer) layout (lower layout). The lower layer data describes the geometric shape in the lower layout, and includes the size and arrangement data of the geometric shape. Using the lower layout data, the method then generates (at 2215) a lower layout density map that indicates the percentage of the geometric range in each subregion of the lower layout. The percentage of the geometric shape range in the sub-region is the area covered by the geometric shape in the sub-region divided by the geometric shape range in the sub-region and multiplied by 100. The percentage of the geometric range in the sub-region reflects the metal range of the sub-region when the geometric shape in the sub-region is later fabricated as an IC element on the wafer. In other embodiments, the method generates (at 2215) another description (other than the density map) of the properties of the underlying layout, such as functions, wavelets, etc.

一部の実施形態では、本方法は、1)下部レイアウトをサブ領域に分割し、2)各サブ領域に対してサブ領域における幾何学形状範囲の百分率を判断することにより、下部レイアウトの密度マップを生成する(2215で)。図23は、ウェーハ上に作製されることになる回路モジュール、相互接続線、又はバイアパッドのような様々なIC要素を表すことができる幾何学形状2305を含む下部レイアウトの一部2300の上面図を示している。図23に示すように、下部レイアウトのその部分2300は、サブ領域2310に分割されている。一部の実施形態では、各サブ領域2310に対して、幾何学形状範囲百分率を判断する。   In some embodiments, the method includes: 1) dividing the lower layout into sub-regions; and 2) determining the percentage of the geometric shape range in the sub-region for each sub-region, thereby determining the density map of the lower layout. (At 2215). FIG. 23 shows a top view of a portion 2300 of a lower layout that includes a geometry 2305 that can represent various IC elements such as circuit modules, interconnect lines, or via pads to be fabricated on a wafer. Show. As shown in FIG. 23, the portion 2300 of the lower layout is divided into sub-regions 2310. In some embodiments, a geometric range percentage is determined for each sub-region 2310.

下部レイアウトの密度マップを生成した後に、本方法は、処理のために上部レイアウト内の現在の形態(修正を有する)を選択する(2220で)。本方法は、密度マップから、現在の形態の下に作製されるように設計された下部レイアウトのサブ領域における幾何学形状範囲百分率を検索する(2225で)。一般的に、ICの第2の異なる層の第2の区域と同じx及びyの座標を有するICの第1の層の第1の区域は、第2の区域のすぐ上又はすぐ下に作製されることになり、これらの第1及び第2の区域を対応区域と呼ぶ。従って、本方法は、1)現在の形態のx及びyの座標を判断し、2)現在の形態のx及びyの座標を包含するx及びyの座標のスパンを有する下部レイアウトの対応するサブ領域を判断し、3)対応するサブ領域における幾何学形状範囲百分率を検索することにより、段階2225を実行することができる。   After generating the density map of the lower layout, the method selects (at 2220) the current form (with modifications) in the upper layout for processing. The method retrieves (at 2225) the geometric range percentage in the sub-region of the lower layout designed to be created under the current form from the density map. Generally, the first area of the first layer of the IC having the same x and y coordinates as the second area of the second different layer of the IC is created immediately above or immediately below the second area. These first and second areas will be referred to as corresponding areas. Thus, the method 1) determines the x and y coordinates of the current form, and 2) the corresponding sub-layout of the lower layout having a span of x and y coordinates that encompasses the x and y coordinates of the current form. Step 2225 can be performed by determining the region and 3) retrieving the geometric shape range percentage in the corresponding sub-region.

下部レイアウトの対応するサブ領域における幾何学形状範囲百分率を使用して、次に、本方法は、上部レイアウト上の現在の形態の「正常性」又は平坦さからの垂直偏差、すなわち、現在の形態が、ウェーハ上に作製された状態で「正常」垂直レベルから離れて垂直レベルに位置すると推定される距離の推定値を判断する(2230で)。「正常」垂直レベルは、例えば、下部レイアウトの対応するサブ領域が所定の「平均」幾何学形状範囲百分率、例えば、25%、50%などを有する時に上部層の形態が位置する(作製された状態で)と推定される垂直レベルに「正常」垂直レベルを設定することにより予め決められる。   Using the geometric range percentage in the corresponding subregion of the lower layout, the method then uses the vertical deviation from the “normality” or flatness of the current form on the upper layout, ie the current form. Determines the estimated distance (at 2230) that is estimated to be at the vertical level away from the “normal” vertical level as fabricated on the wafer. The “normal” vertical level is located, for example, when the corresponding sub-region of the lower layout has a predetermined “average” geometric range percentage, eg, 25%, 50%, etc. (created Predetermined) by setting the “normal” vertical level to the estimated vertical level.

一部の実施形態では、本方法は、所定のルックアップテーブルの1組の規則を使用して上部レイアウト現在の形態の垂直偏差推定値を判断する。ルックアップテーブルは、下部レイアウトのサブ領域における幾何学形状範囲百分率を示し、かつ各幾何学形状範囲百分率を上部レイアウトの対応する形態に関する特定の垂直偏差推定値と相関付けるものである。例えば、ルックアップテーブルは、下部レイアウトのサブ領域の5%の幾何学形状範囲を上部レイアウトの対応する形態に関する垂直偏差内の+10nmの推定値に、下部レイアウトのサブ領域の20%の幾何学形状範囲を上部レイアウトの対応する形態に関する垂直偏差内の+2nmの推定値に、下部レイアウトのサブ領域の75%の幾何学形状範囲を上部レイアウトの対応する形態に関する垂直偏差内の−7nmの推定値に、及びその他のように相関付けることができる。   In some embodiments, the method determines a vertical deviation estimate for the top layout current form using a set of rules in a predetermined look-up table. The look-up table shows the geometric range percentages in the sub-regions of the lower layout and correlates each geometric range percentage with a specific vertical deviation estimate for the corresponding form of the upper layout. For example, the look-up table may estimate 5% of the geometric range of the lower layout sub-region to an estimate of +10 nm within the vertical deviation for the corresponding configuration of the upper layout, and 20% of the geometric shape of the lower layout sub-region Range to an estimate of +2 nm within the vertical deviation for the corresponding form of the upper layout, and 75% geometric range of the sub-region of the lower layout to an estimate of −7 nm within the vertical deviation for the corresponding form of the upper layout , And the like.

上部レイアウト現在の形態の垂直偏差推定値を判断した後、方法2200は、現在の形態の垂直偏差推定値に基づいて現在の形態修正の変更を判断する(2235で)。一部の実施形態では、本方法は、所定のルックアップテーブル内の1組の規則を用いて現在形態の修正に対する変更を判断する。ルックアップテーブルは、形態に対する垂直偏差の様々な推定値を列挙し、かつ各推定値を形態の修正に適用される特定の変更に相関付ける。変更は、例えば、現在形態の修正を加減すべき百分率量又は現在形態の修正の各辺を加減すべき距離として表すことができる。例えば、ルックアップテーブルは、形態に対する+10nmの垂直偏差推定値を形態の修正に対する5%の増加に、形態に対する+5nmの垂直偏差推定値を形態の修正の各辺に対する2%の増加に、及びその他のように相関付けることができる。   After determining the vertical deviation estimate for the top layout current form, the method 2200 determines (at 2235) a change in the current form modification based on the vertical deviation estimate for the current form. In some embodiments, the method uses a set of rules in a predetermined look-up table to determine changes to the current form modification. The look-up table enumerates various estimates of the vertical deviation for the form and correlates each estimate with a particular change applied to the form modification. The change can be expressed, for example, as a percentage amount to which the current form correction should be adjusted or as a distance to which each side of the current form correction should be adjusted. For example, the look-up table may include a +10 nm vertical deviation estimate for the feature to a 5% increase for the feature correction, a +5 nm vertical deviation estimate for the feature to a 2% increase for each side of the feature correction, and others. Can be correlated.

段階2235で使用するルックアップテーブルは、例えば、シミュレーションを様々な垂直偏差で様々な形態(修正を有する)に対して実行し、形態に及ぼす垂直偏差の影響と行うべき形態の修正のあらゆる変更とを判断することによって作成することができる。例えば、シミュレーションにより、形態が+10nm垂直方向にずれると形態は5nm内方に押され、従って、形態の修正の特定の辺に5nmが必要であると判断することができる。従って、これらの判断結果は、ルックアップテーブルで反映されることになる。上述の形態のシミュレーションは、レンズ焦点外れの処理変動を考慮するシミュレータプログラムによって実行することができ、レンズ焦点外れのレベルは、形態の垂直偏差のレベルに関連するものである(上述のように)。   The look-up table used in step 2235 can, for example, run simulations on various forms (with corrections) with various vertical deviations, and any changes in the effects of vertical deviation on the forms and form modifications to be made. Can be created by judging. For example, by simulation, it can be determined that if the feature deviates in the +10 nm vertical direction, the feature is pushed inward by 5 nm, and therefore 5 nm is required for a particular side of the feature correction. Therefore, these determination results are reflected in the lookup table. The above-described form of simulation can be performed by a simulator program that takes into account lens out-of-focus processing variations, where the level of lens out-of-focus is related to the level of form vertical deviation (as described above). .

一部の実施形態では、本方法は、垂直偏差の推定値を判断する(2230で)のではなく、現在の形態に対する修正の変更を直接に下部レイアウトの対応するサブ領域における幾何学形状範囲百分率から判断する。これは、例えば、下部レイアウトの様々な幾何学形状範囲百分率を列挙し、かつ各幾何学形状範囲百分率を形態修正に適用すべき特定の変更に相関付ける所定のルックアップテーブルの1組の規則を使用して行うことができる。例えば、ルックアップテーブルは、30%の幾何学形状範囲を2nmの修正増加に相関付けることができる。   In some embodiments, the method does not determine an estimate of the vertical deviation (at 2230), but instead makes a modification change to the current form directly to the geometric range percentage in the corresponding subregion of the underlying layout. Judging from. This may, for example, enumerate a set of rules for a given lookup table that enumerate the various geometric range percentages of the underlying layout and correlate each geometric range percentage to a particular change to be applied to the shape modification. Can be done using. For example, a look-up table can correlate a 30% geometry range with a 2 nm correction increase.

方法2200が現在形態の修正に対する変更を判断した後に(2235で)、方法2200は、次に、その変更を現在形態の修正に適用する(2240で)。次に、本方法は、現在の形態が上部レイアウトの最終形態であるか否かを判断する(2245で)。最終形態でなければ、本方法は、段階2220に進んで、処理のために上部レイアウト内の次の現在の形態(修正を有する)を選択する。最終形態であれば、本方法は終了する。   After the method 2200 determines a change to the current form modification (at 2235), the method 2200 then applies the change to the current form modification (at 2240). Next, the method determines (at 2245) whether the current form is the final form of the top layout. If not, the method proceeds to step 2220 and selects the next current form (with modifications) in the top layout for processing. If so, the method ends.

本発明のいくつかの方法は、図22の変更方法2200の処理上の特徴の一部を組み込むように適応させることができる。例えば、集積回路レイアウトを設計する一般的な設計方法300(図3に関連して上述)をそのように適応させることができる。例えば、一般的な設計方法300の段階325の後に、満足な模擬レイアウトを生成する満足なレイアウトが達成され、満足なレイアウトは、修正を有する形態を有する。満足なものがIC上部レイアウトに対して設計されていると仮定して、次に、図22の変更方法2200を用いて満足なレイアウト内の形態修正を変更することができ、変更内容は、IC下部層に対して設計されたレイアウトに関連する情報に基づいている。   Some methods of the present invention can be adapted to incorporate some of the processing features of the modified method 2200 of FIG. For example, a general design method 300 for designing an integrated circuit layout (described above in connection with FIG. 3) can be so adapted. For example, after step 325 of the general design method 300, a satisfactory layout that produces a satisfactory simulated layout is achieved, and the satisfactory layout has a form with modifications. Assuming that a satisfactory one is designed for the IC top layout, then the modification method 2200 of FIG. 22 can be used to change the form modification in the satisfactory layout, the change being Based on information related to the layout designed for the lower layer.

事前作表モデルのライブラリを使用してICレイアウト内の幾何学形状を修正するレイアウト修正方法700(図7に関連して上述)もそのように適応させることができる。例えば、レイアウト修正方法700の段階735の後に、設計レイアウト内の形態に適用された事前作表修正を有する設計レイアウトが生成される。次に、設計レイアウトがIC上部レイアウトに対して設計されていると仮定して、図22の変更方法2200を用いて設計レイアウト内の形態に対する事前作表修正を変更することができ、変更内容は、ICの下部層に関連する情報に基づいている。   A layout modification method 700 (described above in connection with FIG. 7) that uses a library of pre-tabulation models to modify the geometry in the IC layout can be adapted as such. For example, after step 735 of layout modification method 700, a design layout is generated having pre-tabulation modifications applied to features in the design layout. Next, assuming that the design layout is designed with respect to the IC upper layout, the pre-tabulation correction for the form in the design layout can be changed using the change method 2200 of FIG. , Based on information related to the lower layer of the IC.

事前作表モデルのライブラリを構築するライブラリ構築方法800(図8に関連して上述)も、事前作表モデルの事前作表修正を変更するように適応させることができる。この実施形態の場合、ライブラリの事前作表モデルは、IC上部層に対するレイアウトに対して設計された形態を含むと仮定することができる。ライブラリ構築方法800の段階825の後、満足な模擬形態を生成する形態に対する修正が達成され、この修正をモデルに格納される(830で)事前作表修正と呼ぶ。   A library construction method 800 for constructing a library of pre-tabulation models (described above in connection with FIG. 8) can also be adapted to change the pre-tabulation modification of the pre-tabulation model. For this embodiment, it can be assumed that the pre-tabulation model of the library includes a form designed for the layout for the IC upper layer. After step 825 of the library construction method 800, a modification to the form that produces a satisfactory simulated form is achieved, and this modification is referred to as a pre-tabulation modification (at 830) stored in the model.

一部の実施形態では、ライブラリ構築方法800は、段階825の後に、IC下部層に対して設計されたレイアウトに存在することができる幾何学形状範囲百分率の様々な例(例えば、5%、10%、15%など)を判断するようになっている。幾何学形状範囲の各例に対して、事前作表修正の変更を判断する。これは、各幾何学形状範囲から生じる垂直偏差を判断して行うことができ(例えば、図22に関連して上述したように、ルックアップテーブルを使用して)、次に、垂直偏差に基づいて変更を判断する(例えば、図22に関連して上述したように、ルックアップテーブルを使用して)。次に、その変更が適用される幾何学形状範囲百分率と共に、事前作表修正の各変更を別々のモデルに格納する。   In some embodiments, the library construction method 800 may include various examples of geometric range percentages (eg, 5%, 10%, etc.) that may exist in the layout designed for the IC bottom layer after step 825. %, 15%, etc.). For each example of the geometric shape range, a change in pre-tabulation correction is determined. This can be done by determining the vertical deviation resulting from each geometric shape range (eg, using a look-up table as described above in connection with FIG. 22) and then based on the vertical deviation. To determine the change (eg, using a look-up table as described above in connection with FIG. 22). Each pre-tabulation change is then stored in a separate model, along with the geometric range percentage to which the change applies.

このようにすることにより、一部又は全てのモデルが、IC下部層(すなわち、形態よりも低い層に作製されることになる層)に対して設計されたレイアウトに関連する情報に部分的に基づく形態の修正を含むモデルの事前作表ライブラリを作成することができる。一部の実施形態では、下部レイアウトに関連する情報は、下部レイアウト内の幾何学形状範囲百分率である。一部の実施形態では、一部又は全てのモデルが、形態の起伏データ(垂直偏差データ)に部分的に基づく形態に対する修正を含むモデルの事前作表ライブラリが作成される。   In this way, some or all of the model is partly related to the information related to the layout designed for the IC lower layer (ie, the layer that will be created in a lower layer than the form). A pre-tabulated library of models can be created that includes morphological modifications based on it. In some embodiments, the information related to the bottom layout is a geometric range percentage in the bottom layout. In some embodiments, a pre-tabulated library of models is created in which some or all models contain modifications to the morphology based in part on the morphology relief data (vertical deviation data).

図24は、本発明の一部の実施形態が実施されるコンピュータシステムを概念的に示している。コンピュータシステム2400は、バス2405、プロセッサ2410、システムメモリ2415、読み出し専用メモリ2420、永久記憶装置2425、入力装置2430、及び出力装置2435を含む。
バス2405は、コンピュータシステム2400の内部装置間の通信を支える全てのシステムバス、周辺バス、及びチップセットバスを集合的に表している。例えば、バス2405は、通信のためにプロセッサ2410を読み出し専用メモリ2420、システムメモリ2415、及び永久記憶装置2425に接続する。
FIG. 24 conceptually illustrates a computer system with which some embodiments of the invention are implemented. The computer system 2400 includes a bus 2405, a processor 2410, a system memory 2415, a read only memory 2420, a permanent storage device 2425, an input device 2430, and an output device 2435.
Bus 2405 collectively represents all system buses, peripheral buses, and chipset buses that support communication between internal devices of computer system 2400. For example, bus 2405 connects processor 2410 to read-only memory 2420, system memory 2415, and permanent storage 2425 for communication.

これらの様々なメモリ装置から、プロセッサ2410は、本発明の処理を実行するために、実行する命令及び処理するデータを検索する。読み出し専用メモリ(ROM)2420は、コンピュータシステムのプロセッサ2410及び他のモジュールによって必要とされる静的データ及び命令を記憶する。一方、永久記憶装置2425は、読み書きメモリ装置である。この装置は、コンピュータシステム2400がオフの時でさえも命令及びデータを記憶する不揮発性メモリ装置である。本発明の一部の実施形態では、永久記憶装置2425として大容量記憶装置(磁気ディスク又は光ディスク及び対応するディスクドライブなど)が使用される。他の実施形態では、永久記憶装置として取外し可能記憶装置(フロッピー(登録商標)ディスク又は「zip(登録商標)」ディスク、及びその対応するディスクドライブのような)が使用される。   From these various memory devices, the processor 2410 retrieves instructions to execute and data to process in order to perform the processing of the present invention. Read only memory (ROM) 2420 stores static data and instructions required by processor 2410 and other modules of the computer system. On the other hand, the permanent storage device 2425 is a read / write memory device. This device is a non-volatile memory device that stores instructions and data even when the computer system 2400 is off. In some embodiments of the present invention, a mass storage device (such as a magnetic disk or optical disk and a corresponding disk drive) is used as the permanent storage device 2425. In other embodiments, a removable storage device (such as a floppy or “zip” disk and its corresponding disk drive) is used as the permanent storage device.

永久記憶装置2425と同様に、システムメモリ2415は、読み書きメモリ装置である。しかし、永久記憶装置2425と異なり、システムメモリは、ランダムアクセスメモリのような揮発性読み書きメモリである。システムメモリは、実行時にプロセッサが必要とする命令及びデータの一部を記憶する。一部の実施形態では、本発明の処理は、システムメモリ2415、永久記憶装置2425、及び/又は読み出し専用メモリ2420に記憶される。   Similar to the permanent storage device 2425, the system memory 2415 is a read / write memory device. However, unlike the permanent storage device 2425, the system memory is a volatile read / write memory such as a random access memory. The system memory stores some of the instructions and data required by the processor during execution. In some embodiments, the processing of the present invention is stored in system memory 2415, permanent storage 2425, and / or read only memory 2420.

バス2405はまた、入力装置2430と出力装置2435に接続される。入力装置により、ユーザは、情報をコンピュータシステムに伝達したり、コンピュータシステムに対する命令を選択することができる。入力装置2430としては、英数字キーボードとカーソルコントローラがある。出力装置2435は、コンピュータシステムによって生成された画像を表示する。例えば、これらの装置は、IC設計レイアウトを表示する。出力装置としては、プリンタ、及びブラウン管(CRT)又は液晶ディスプレイ(LCD)のような表示装置がある。   Bus 2405 is also connected to input device 2430 and output device 2435. The input device allows a user to communicate information to the computer system or select instructions for the computer system. The input device 2430 includes an alphanumeric keyboard and a cursor controller. The output device 2435 displays an image generated by the computer system. For example, these devices display an IC design layout. Output devices include printers and display devices such as cathode ray tubes (CRT) or liquid crystal displays (LCD).

最後に、図24に示すように、バス2405はまた、ネットワークアダプタ(図示せず)を通じて、コンピュータ2400をネットワーク2465に結合する。このようにして、コンピュータは、コンピュータのネットワークの一部(ローカルエリアネットワーク(LAN)、ワイドエリアネットワーク(WAN)、又は「イントラネット」など)、又はネットワークのネットワーク(インターネットなど)とすることができる。コンピュータシステム2400の構成要素のいずれか又は全てを本発明と共に使用することができる。しかし、当業者は、他のあらゆるシステム構成も本発明と共に使用することができることを認めるであろう。
本発明を多くの特定の詳細を参照して説明したが、当業者は、本発明の精神から逸脱することなく、本発明を他の特定の形態で具現化することができることを認識するであろう。すなわち、当業者は、本発明が上述の例示的な詳細によって限定されず、むしろ特許請求の範囲によって規定されるものであることを理解すると考えられる。
Finally, as shown in FIG. 24, bus 2405 also couples computer 2400 to network 2465 through a network adapter (not shown). In this way, the computer can be part of a network of computers (such as a local area network (LAN), a wide area network (WAN), or an “intranet”), or a network of networks (such as the Internet). Any or all of the components of computer system 2400 may be used with the present invention. However, those skilled in the art will appreciate that any other system configuration can be used with the present invention.
Although the invention has been described with reference to numerous specific details, those skilled in the art will recognize that the invention can be embodied in other specific forms without departing from the spirit of the invention. Let's go. That is, one of ordinary skill in the art appreciates that the invention is not limited by the illustrative details described above, but rather is defined by the claims.

ICレイアウトに設計された最初の幾何学形状とウェーハ上に実際に生成された作製幾何学形状との間で生じる場合がある変動の例を示す図である。FIG. 6 illustrates an example of variations that may occur between the initial geometry designed in the IC layout and the fabrication geometry actually generated on the wafer. 最初の幾何学形状に配置された修正とウェーハ上に実際に生成された作製幾何学形状の例を示す図である。FIG. 4 is a diagram illustrating an example of a correction geometry placed on an initial geometry and a fabrication geometry actually generated on a wafer. 集積回路レイアウトを設計するための一般的な設計方法の流れ図である。2 is a flowchart of a general design method for designing an integrated circuit layout. ウェーハ上に作製されることになる回路モジュール、相互接続線、又はバイアパッドのような様々なIC要素を表す幾何学形状を含むレイアウトのサブ領域の上面図である。FIG. 2 is a top view of a sub-region of a layout that includes geometric shapes representing various IC elements such as circuit modules, interconnect lines, or via pads that are to be fabricated on a wafer. 現在の形態と現在の形態を取り囲む環境とを含む主要幾何学形状を含むレイアウトのサブ領域の上面図である。FIG. 5 is a top view of a sub-region of a layout that includes a main geometry including a current form and an environment surrounding the current form. 図5のレイアウト環境に適合する事前作表環境の記述的データを含み、モデルの事前作表ライブラリに格納されたモデルの概念図である。FIG. 6 is a conceptual diagram of a model that includes descriptive data of a pre-tabulation environment that conforms to the layout environment of FIG. 5 and is stored in a model pre-tabulation library. 事前作表モデルのライブラリを使用してICレイアウト内の幾何学形状を修正するレイアウト修正方法の流れ図である。6 is a flowchart of a layout correction method for correcting a geometric shape in an IC layout using a library of pre-tabulation models. 事前作表モデルのライブラリを構築する方法の流れ図である。It is a flowchart of the method of building the library of a pre-tabulation model. マンハッタン優先配線レイアウトに対して作成することができる環境の例を示す図である。It is a figure which shows the example of the environment which can be produced with respect to a Manhattan priority wiring layout. マンハッタン優先配線レイアウトに対して作成することができる環境の例を示す図である。It is a figure which shows the example of the environment which can be produced with respect to a Manhattan priority wiring layout. マンハッタン優先配線レイアウトに対して作成することができる環境の例を示す図である。It is a figure which shows the example of the environment which can be produced with respect to a Manhattan priority wiring layout. マンハッタン優先配線レイアウトに対して作成することができる環境の例を示す図である。It is a figure which shows the example of the environment which can be produced with respect to a Manhattan priority wiring layout. マンハッタン優先配線レイアウトに対して作成することができる環境の例を示す図である。It is a figure which shows the example of the environment which can be produced with respect to a Manhattan priority wiring layout. マンハッタン優先配線レイアウのために作成することができる環境の例を示す図である。It is a figure which shows the example of the environment which can be created for Manhattan priority wiring layout. 斜め優先配線レイアウトに対して作成することができる環境の例を示す図である。It is a figure which shows the example of the environment which can be produced with respect to a diagonal priority wiring layout. 斜め優先配線レイアウトに対して作成することができる環境の例を示す図である。It is a figure which shows the example of the environment which can be produced with respect to a diagonal priority wiring layout. 斜め優先配線レイアウトに対して作成することができる環境の例を示す図である。It is a figure which shows the example of the environment which can be produced with respect to a diagonal priority wiring layout. アナログ設計レイアウトに対して作成することができる環境の例を示す図である。It is a figure which shows the example of the environment which can be produced with respect to an analog design layout. アナログ設計レイアウトに対して作成することができる環境の例を示す図である。It is a figure which shows the example of the environment which can be produced with respect to an analog design layout. アナログ設計レイアウトに対して作成することができる環境の例を示す図である。It is a figure which shows the example of the environment which can be produced with respect to an analog design layout. レイアウト環境に適合する事前作表環境を収容するモデルを識別する適合化方法の流れ図である。FIG. 5 is a flow diagram of an adaptation method for identifying a model that accommodates a pre-tabulated environment that conforms to a layout environment. 各配向が同等であるレイアウト環境1305の8つの異なる配向の1つを示す図である。FIG. 6 illustrates one of eight different orientations of a layout environment 1305 where each orientation is equivalent. 各配向が同等であるレイアウト環境1305の8つの異なる配向の1つを示す図である。FIG. 6 illustrates one of eight different orientations of a layout environment 1305 where each orientation is equivalent. 各配向が同等であるレイアウト環境1305の8つの異なる配向の1つを示す図である。FIG. 6 illustrates one of eight different orientations of a layout environment 1305 where each orientation is equivalent. 各配向が同等であるレイアウト環境1305の8つの異なる配向の1つを示す図である。FIG. 6 illustrates one of eight different orientations of a layout environment 1305 where each orientation is equivalent. 各配向が同等であるレイアウト環境1305の8つの異なる配向の1つを示す図である。FIG. 6 illustrates one of eight different orientations of a layout environment 1305 where each orientation is equivalent. 各配向が同等であるレイアウト環境1305の8つの異なる配向の1つを示す図である。FIG. 6 illustrates one of eight different orientations of a layout environment 1305 where each orientation is equivalent. 各配向が同等であるレイアウト環境1305の8つの異なる配向の1つを示す図である。FIG. 6 illustrates one of eight different orientations of a layout environment 1305 where each orientation is equivalent. 各配向が同等であるレイアウト環境1305の8つの異なる配向の1つを示す図である。FIG. 6 illustrates one of eight different orientations of a layout environment 1305 where each orientation is equivalent. 事前作表モデルのライブラリを使用してICレイアウト内の幾何学形状を修正する代替的なレイアウト修正方法の流れ図である。FIG. 6 is a flow diagram of an alternative layout modification method that uses a library of pre-tabulation models to modify geometric shapes in an IC layout. 事前作表ライブラリのモデルに格納されるデータの概念図である。It is a conceptual diagram of the data stored in the model of a pre-tabulation library. 各モデルが模擬環境データ及び/又は再模擬環境データを収容するモデルの事前作表ライブラリを構築する代替的なライブラリ構築方法の流れ図である。FIG. 10 is a flow chart of an alternative library construction method for constructing a pre-tabulated library of models in which each model accommodates simulated environment data and / or re-simulated environment data. どの処理変動も反映しない事前作表環境の模擬結果を示す図である。It is a figure which shows the simulation result of the prior tabulation environment which does not reflect any process fluctuations. 1つ又はそれよりも多くの処理変動を考慮した図17Aと同じ事前作表環境の模擬結果を示す図である。It is a figure which shows the simulation result of the same pre-tabulation environment as FIG. 17A which considered one or more processing fluctuations. 所定のキャパシタンス方程式を含むライブラリを生成する代替的なライブラリ構築方法の流れ図である。3 is a flowchart of an alternative library construction method for generating a library including a predetermined capacitance equation. 所定の調節方程式又は関数と共に事前作表モデルのライブラリを使用してICレイアウト内の幾何学形状を修正する調節方法の流れ図である。5 is a flow diagram of an adjustment method for modifying a geometry in an IC layout using a library of pre-tabulated models with predetermined adjustment equations or functions. 様々な幾何学形状と現在の形態と現在の形態を取り囲む3つの放射状領域とを含むレイアウトのサブ領域の上面図である。FIG. 4 is a top view of a sub-region of a layout that includes various geometric shapes and a current form and three radial regions surrounding the current form. 所定の調節方程式又は関数を含むライブラリを生成するのに使用される代替的なライブラリ構築方法の流れ図である。Fig. 5 is a flow diagram of an alternative library construction method used to generate a library that includes predetermined adjustment equations or functions. ICの下部層に対するレイアウトに関連する情報を使用してICの上部層に対するレイアウト内の幾何学形状に対する修正を変更する変更方法の流れ図である。FIG. 5 is a flow diagram of a change method for changing a modification to a geometry in a layout for an upper layer of an IC using information related to the layout for the lower layer of the IC. サブ領域に分割された下部レイアウトの一部分の上面図である。It is a top view of a part of the lower layout divided into sub-regions. 本発明の一部の実施形態が実行されるコンピュータシステムの概念図である。FIG. 6 is a conceptual diagram of a computer system in which some embodiments of the present invention are implemented.

符号の説明Explanation of symbols

405 レイアウトのサブ領域
410 幾何学形状
415 形態
405 Layout sub-region 410 Geometric shape 415 Form

Claims (38)

事前作表形態、該事前作表形態に対する事前作表修正、及び1つ又はそれよりも多くの事前作表幾何学形状から成る事前作表環境をライブラリ内の各モデルが含むモデルのライブラリを使用して、レイアウトの修正のための1組の形態をレイアウト内の各々が有する複数の幾何学形状を含むレイアウトを修正する方法であって、
a)レイアウト内の現在の形態を選択する段階と、
b)前記現在の形態を収容する前記レイアウト内の現在の環境を識別する段階と、
c)前記現在の環境に適合する事前作表環境を有する前記ライブラリ内のモデルを識別する段階と、
d)前記適合するモデルから事前作表修正を検索する段階と、
e)前記事前作表修正を前記現在の形態に適用する段階と、
を含み、前記各モデルは、事前作表環境の特定の電気特性を、1つ又はそれよりも多くの処理変動の関数として表す特性方程式を含んでおり、
さらに、前記適合するモデルから特性方程式を検索する段階を含むことを特徴とする方法。
Use a library of models where each model in the library contains a pre-tabulation environment, a pre-tabulation modification to the pre-tabulation form, and a pre-tabulation environment consisting of one or more pre-tabulation geometries A method for modifying a layout including a plurality of geometric shapes each having a set of forms for modifying the layout,
a) selecting a current form in the layout;
b) identifying a current environment in the layout containing the current form;
c) identifying a model in the library having a pre-tabulated environment that matches the current environment;
d) retrieving a pre-tabulation correction from said conforming model;
e) applying the pre-tabulation correction to the current form;
Only contains the models in advance certain electrical characteristics of the tabulated environment includes a characteristic equation expressed as one or a function of many process variations than,
Further, wherein the free Mukoto the step of searching the characteristic equation from the correct model.
前記レイアウト内の各形態に対して段階a)からe)を繰り返す段階、
を更に含むことを特徴とする請求項1に記載の方法。
Repeating steps a) to e) for each form in the layout;
The method of claim 1 further comprising:
前記事前作表修正は、前記現在の形態から所定の分散内にある作製形態を生成するように設計されていることを特徴とする請求項1に記載の方法。  The method of claim 1, wherein the pre-tabulation correction is designed to generate a production form that is within a predetermined variance from the current form. 前記事前作表修正は、前記事前作表形態から所定の分散内にある模擬形態を生成することを特徴とする請求項1に記載の方法。  The method according to claim 1, wherein the pre-tabulation modification generates a simulated form that is within a predetermined distribution from the pre-tabulation form. 前記現在の形態を選択した後に、該現在の形態が処理領域内に位置するか否かを判断する段階と、
前記現在の形態が処理領域内に位置すると判断された場合に、前記レイアウト内の別の現在の形態を選択する段階と、
前記事前作表修正を前記現在の形態に適用した後に、該現在の形態に関して処理領域を識別する段階と、
を更に含むことを特徴とする請求項1に記載の方法。
After selecting the current form, determining whether the current form is located within a processing region;
Selecting another current form in the layout when it is determined that the current form is located within a processing region;
Identifying a processing region with respect to the current form after applying the pre-tabulation correction to the current form;
The method of claim 1 further comprising:
前記現在の形態は、前記レイアウト内の幾何学形状上のコーナ、曲げ部、又は線−点であることを特徴とする請求項1に記載の方法。  The method of claim 1, wherein the current form is a geometric corner, bend, or line-point in the layout. 前記レイアウト内の前記幾何学形状は、ウェーハ上に作製されることになる要素を表していることを特徴とする請求項1に記載の方法。  The method of claim 1, wherein the geometry in the layout represents an element to be created on a wafer. 前記現在の環境は、1つ又はそれよりも多くの幾何学形状を収容し、
前記現在の環境に適合する事前作表環境を有する前記ライブラリ内の前記モデルを識別する段階は、
前記現在の環境内の1つ又はそれよりも多くの幾何学形状の寸法及び配置に適合する寸法及び配置を有する1つ又はそれよりも多くの幾何学形状を収容する事前作表環境を識別する段階、
を含む、
ことを特徴とする請求項1に記載の方法。
The current environment contains one or more geometric shapes;
Identifying the model in the library having a pre-tabulated environment that matches the current environment comprises:
Identifies a pre-tabulated environment containing one or more geometric shapes having dimensions and arrangements that match the dimensions and arrangements of one or more geometric shapes within the current environment Stage,
including,
The method according to claim 1.
前記適合するモデルは、前記現在の環境から所定の分散内にある事前作表環境を含むことを特徴とする請求項1に記載の方法。  The method of claim 1, wherein the adapted model includes a pre-tabulated environment that is within a predetermined distribution from the current environment. 前記レイアウト内の前記現在の環境を識別した後に、前記ライブラリ内のいずれかのモデルが該現在の環境に適合する事前作表環境を有するか否かを判断する段階と、
前記ライブラリ内のどのモデルも前記現在の環境に適合する事前作表環境を有していないと判断された場合に、規則ベースの手法を用いて前記現在の形態に対する修正を判断する段階と、
を更に含むことを特徴とする請求項1に記載の方法。
After identifying the current environment in the layout, determining whether any model in the library has a pre-tabulated environment that matches the current environment;
If any model in the library is determined not to have a pre-tabulated environment that is compatible with the current environment, using a rule-based approach to determine modifications to the current form;
The method of claim 1 further comprising:
前記レイアウト内の前記現在の環境を識別した後に、前記ライブラリ内のいずれかのモデルが該現在の環境に適合する事前作表環境を有するか否かを判断する段階と、
前記ライブラリ内のどのモデルも前記現在の環境に適合する事前作表環境を有していないと判断された場合に、該現在の環境を複製する事前作表環境と前記現在の形態を複製する事前作表形態に対する事前作表修正とを有する新しいモデルを該ライブラリに作成する段階と、
を更に含むことを特徴とする請求項1に記載の方法。
After identifying the current environment in the layout, determining whether any model in the library has a pre-tabulated environment that matches the current environment;
If it is determined that none of the models in the library has a pre-tabulated environment that matches the current environment, a pre-tabulated environment that duplicates the current environment and a prior that duplicates the current form Creating a new model in the library with pre-tabulation corrections to the tabulation form;
The method of claim 1 further comprising:
前記モデルのライブラリが作成されて、前記レイアウトは、同時に修正され、
前記ライブラリは、前記レイアウトの修正中に該レイアウトにおいて以前に識別された環境を複製する事前作表環境を有するモデルのみを含む、
ことを特徴とする請求項11に記載の方法。
The library of models is created and the layout is modified at the same time,
The library includes only models that have a pre-tabulated environment that duplicates the environment previously identified in the layout during modification of the layout;
The method according to claim 11.
各モデルは、1つ又はそれよりも多くの処理変動を反映する前記事前作表環境のシミュレーションである模擬環境を更に含み、
前記適合するモデルから前記模擬環境を検索する段階、
を更に含むことを特徴とする請求項1に記載の方法。
Each model further includes a simulated environment that is a simulation of the pre-tabulated environment reflecting one or more process variations;
Retrieving the simulated environment from the adapted model;
The method of claim 1 further comprising:
各モデルは、前記事前作表環境の電気特性の記述を更に含み、
前記適合するモデルから前記電気特性を検索する段階、
を更に含むことを特徴とする請求項1に記載の方法。
Each model further includes a description of the electrical characteristics of the pre-tabulated environment,
Retrieving the electrical characteristics from the fitted model;
The method of claim 1 further comprising:
各モデルは、前記事前作表環境の特定の電気特性を1つ又はそれよりも多くの処理変動の関数として表す特性方程式を更に含み、
前記適合するモデルから前記特性方程式を検索する段階、
を更に含むことを特徴とする請求項1に記載の方法。
Each model further includes a characteristic equation that represents a particular electrical characteristic of the pre-tabulated environment as a function of one or more process variations;
Retrieving the characteristic equation from the fitted model;
The method of claim 1 further comprising:
各モデルは、前記事前作表環境の特定の電気特性を該事前作表環境内の前記1つ又はそれよりも多くの幾何学形状の寸法及び配置の関数として表す特性方程式を更に含み、
前記適合するモデルから前記特性方程式を検索する段階、
を更に含むことを特徴とする請求項1に記載の方法。
Each model further includes a characteristic equation that represents specific electrical characteristics of the pre-tabulation environment as a function of the size and placement of the one or more geometric shapes within the pre-tabulation environment;
Retrieving the characteristic equation from the fitted model;
The method of claim 1 further comprising:
各モデルは、前記モデル内の前記事前作表修正に対する調節を判断するのに使用される調節方程式又は関数を更に含み、
前記適合するモデルから前記調節方程式又は関数を検索する段階、
を更に含むことを特徴とする請求項1に記載の方法。
Each model further includes an adjustment equation or function used to determine adjustments to the pre-tabulation correction in the model;
Retrieving the accommodation equation or function from the fitted model;
The method of claim 1 further comprising:
前記調節方程式又は関数は、前記レイアウト内の特定区域の少なくとも1つの幾何学形状範囲百分率を使用し、
前記事前作表修正と前記調節方程式又は関数とを検索した後に、該調節方程式又は関数に指定された前記レイアウト内の区域の少なくとも1つの幾何学形状範囲百分率を判断する段階と、
前記調節方程式と前記少なくとも1つの幾何学形状範囲百分率とを使用して調節を判断する段階と、
前記調節を前記事前作表修正に適用し、該事前作表修正を前記現在の形態に適用する段階が、該調節された事前作表修正を該現在の形態に適用する段階を含むようにする段階と、
を更に含むことを特徴とする請求項17に記載の方法。
The adjustment equation or function uses at least one geometric range percentage of a specific area in the layout;
Determining at least one geometric range percentage of an area in the layout specified by the adjustment equation or function after retrieving the pre-tabulation correction and the adjustment equation or function;
Determining an adjustment using the adjustment equation and the at least one geometric range extent;
Applying the adjustment to the pre-tabulation correction and applying the pre-tabulation correction to the current form includes applying the adjusted pre-tabulation correction to the current form. Stages,
The method of claim 17, further comprising:
前記調節方程式又は関数に指定された前記レイアウト内の前記区域は、前記現在の形態からの内側所定半径距離と外側所定半径距離の間の領域であることを特徴とする請求項18に記載の方法。  The method of claim 18, wherein the area in the layout specified in the adjustment equation or function is a region between an inner predetermined radial distance and an outer predetermined radial distance from the current configuration. . 前記レイアウト内の各形態に対して段階a)からe)を繰り返した後に、複数の形態と形態に対する複数の修正とを有し、かつ集積回路の第1の層上に作製されるように設計された修正レイアウトが生成され、
前記集積回路の第2の層上に作製されるように設計された第2のレイアウトに関連するデータを使用して前記修正レイアウトを変更する段階、
を更に含むことを特徴とする請求項2に記載の方法。
Designed to have multiple forms and multiple modifications to the form and be fabricated on the first layer of the integrated circuit after repeating steps a) to e) for each form in the layout Modified layout is generated,
Changing the modified layout using data associated with a second layout designed to be fabricated on a second layer of the integrated circuit;
The method of claim 2, further comprising:
前記第2の層は、前記集積回路内の前記第1の層よりも低く、
前記変更する段階は、
前記第2のレイアウトに関連する前記データを使用して、該第2のレイアウトのサブ領域における幾何学形状範囲百分率を示す該第2のレイアウトの密度マップを生成する段階と、
前記修正レイアウト内の現在の修正を有する現在の形態を選択する段階と、
前記現在の形態の下に作製されるように設計された前記第2のレイアウトのサブ領域の前記幾何学形状範囲百分率を前記密度マップから検索する段階と、
前記幾何学形状範囲百分率に基づいて前記現在の形態の前記現在の修正に対する変更を判断する段階と、
前記変更を前記現在の形態の前記現在の修正に適用する段階と、
を含む、
ことを特徴とする請求項20に記載の方法。
The second layer is lower than the first layer in the integrated circuit;
The step of changing includes
Using the data associated with the second layout to generate a density map of the second layout indicating a geometric range percentage in a sub-region of the second layout;
Selecting a current form having a current modification in the modified layout;
Retrieving the geometric range percentage of the sub-region of the second layout designed to be created under the current form from the density map;
Determining a change to the current modification of the current form based on the geometric shape range percentage;
Applying the change to the current modification of the current form;
including,
21. The method of claim 20, wherein:
前記現在の修正に対する前記変更を判断する段階は、
前記幾何学形状範囲百分率に基づいて前記現在の形態の垂直偏差の推定値を判断する段階と、
前記垂直偏差に基づいて前記現在の修正に対する前記変更を判断する段階と、
を含む、
ことを特徴とする請求項21に記載の方法。
Determining the change to the current modification includes
Determining an estimate of a vertical deviation of the current form based on the geometric shape range percentage;
Determining the change to the current correction based on the vertical deviation;
including,
The method according to claim 21, wherein:
レイアウトを修正するのに使用されるモデルのライブラリを作成する方法であって、
各々が事前作表形態と1つ又はそれよりも多くの事前作表幾何学形状とを収容する1組の事前作表環境を作成する段階、及び
前記組内の各事前作表環境に対して、
前記事前作表環境の満足なシミュレーションを生成する該事前作表環境内の事前作表形態に対する事前作表修正を作成する段階、及び
前記事前作表形態、前記事前作表修正、及び前記1つ又はそれよりも多くの事前作表幾何学形状から成る前記事前作表環境のモデルを作成する段階、そして、
前記組内の各事前作表環境に対して、前記事前作表環境内の事前作表された1つ又はそれ以上の幾何学形状の寸法及び配置の関数としての、前記事前作表環境の電気特性を表す特性方程式を、前記事前作表環境のために作成された前記モデルに格納する段階
を含むことを特徴とする方法。
A method of creating a library of models used to modify a layout,
Creating a set of pre-tabulation environments each containing a pre-tabulation form and one or more pre-tabulation geometries, and for each pre-tabulation environment in the set ,
Creating a pre-tabulation correction for a pre-tabulation form in the pre-tabulation environment that generates a satisfactory simulation of the pre-tabulation environment; and the pre-tabulation form, the pre-tabulation correction, and the one Creating a model of said pre-tabulation environment consisting of or more pre-tabulation geometries; and
For each pre-tabulation environment in the set, the electricity of the pre-tabulation environment as a function of the size and placement of one or more pre-tabulated geometric shapes in the pre-tabulation environment A method comprising storing a characteristic equation representing a characteristic in the model created for the pre-tabulation environment .
前記事前作表環境の組は、特定の優先方向配線を有するレイアウトになるように調整されることを特徴とする請求項23に記載の方法。  24. The method of claim 23, wherein the set of pre-tabulation environments is adjusted to a layout having a specific preferred direction wiring. 前記優先方向配線は、マンハッタン又は斜め優先方向配線であることを特徴とする請求項24に記載の方法。  25. The method of claim 24, wherein the priority direction wiring is Manhattan or oblique priority direction wiring. 前記事前作表環境の組は、特定の優先方向配線を有していないレイアウトになるように調整されることを特徴とする請求項23に記載の方法。  24. The method of claim 23, wherein the set of pre-tabulation environments is adjusted to a layout that does not have a specific preferred direction wiring. 前記組内の各事前作表環境に対して、該事前作表環境の前記満足なシミュレーションを該事前作表環境に対して作成された前記モデルに格納する段階、
を更に含むことを特徴とする請求項23に記載の方法。
Storing, for each pre-tabulated environment in the set, the satisfactory simulation of the pre-tabulated environment in the model created for the pre-tabulated environment;
24. The method of claim 23, further comprising:
前記組内の各事前作表環境に対して、
前記事前作表環境に対して作成された前記事前作表修正を有し、かつ1つ又はそれよりも多くの処理変動を反映する該事前作表環境の再シミュレーションを生成する段階と、
前記事前作表環境の前記再シミュレーションを該事前作表環境に対して作成された前記モデルに格納する段階と、
を更に含むことを特徴とする請求項23に記載の方法。
For each pre-tabulated environment in the set,
Generating a re-simulation of the pre-tabulation environment having the pre-tabulation modifications created for the pre-tabulation environment and reflecting one or more process variations;
Storing the re-simulation of the pre-tabulation environment in the model created for the pre-tabulation environment;
24. The method of claim 23, further comprising:
前記1つ又はそれよりも多くの処理変動は、レンズ焦点外れ又は光線量であることを特徴とする請求項23に記載の方法。  24. The method of claim 23, wherein the one or more process variations are lens defocus or light dose. 前記組内の各事前作表環境に対して、該事前作表環境の電気特性データを該事前作表環境に対して作成された前記モデルに格納する段階、
を更に含むことを特徴とする請求項23に記載の方法。
For each pre-tabulated environment in the set, storing electrical property data of the pre-tabulated environment in the model created for the pre-tabulated environment;
24. The method of claim 23, further comprising:
前記電気特性データは、キャパシタンス、インダクタンス、又は抵抗に関連していることを特徴とする請求項30に記載の方法。  The method of claim 30, wherein the electrical property data is related to capacitance, inductance, or resistance. 前記電気特性は、キャパシタンスであり、前記特性方程式は、
C=C0+k1ΔW
の形であり、ここで、Cは、1つ又はそれよりも多くの処理変動を反映する前記事前作表環境の再シミュレーションにおける2つの幾何学形状の間の該キャパシタンスであり、C0は、処理変動を反映しない該事前作表環境のシミュレーションの該2つの幾何学形状の間の初期キャパシタンスであり、k1は、所定の係数であり、ΔWは、該再シミュレーションから該シミュレーションまでの該2つの幾何学形状の間の距離の差であることを特徴とする請求項23に記載の方法。
The electrical characteristic is capacitance, and the characteristic equation is
C = C 0 + k 1 ΔW
Where C is the capacitance between two geometries in the re-simulation of the pre-tabulated environment that reflects one or more process variations, and C 0 is The initial capacitance between the two geometries of the simulation of the pre-tabulated environment that does not reflect process variations, k 1 is a predetermined factor, and ΔW is the 2 from the re-simulation to the simulation The method of claim 23, wherein the method is a difference in distance between two geometric shapes.
前記組内の各事前作表環境に対して、1つ又はそれよりも多くの処理変動の関数として該事前作表環境の電気特性を表す特性方程式を該事前作表環境に対して作成された前記モデルに格納する段階、
を更に含むことを特徴とする請求項23に記載の方法。
For each pre-tabulation environment in the set, a characteristic equation was created for the pre-tabulation environment that represents the electrical properties of the pre-tabulation environment as a function of one or more process variations. Storing in the model;
24. The method of claim 23, further comprising:
前記電気特性は、キャパシタンスであり、前記特性方程式は、
C=C0+k1ΔW+k2ΔPV1+...
の形であり、ここで、Cは、1つ又はそれよりも多くの処理変動を反映する前記事前作表環境の再シミュレーションにおける2つの幾何学形状の間の該キャパシタンスであり、C0は、処理変動を反映しない該事前作表環境のシミュレーションの該2つの幾何学形状の間の初期キャパシタンスであり、k1及びk2は、所定の係数であり、ΔWは、該再シミュレーションから該シミュレーションまでの該2つの幾何学形状の間の距離の差であり、ΔPV1は、該再シミュレーション及び該シミュレーションにおいて反映された処理変動の値の差であることを特徴とする請求項33に記載の方法。
The electrical characteristic is capacitance, and the characteristic equation is
C = C 0 + k 1 ΔW + k 2 ΔPV 1 +. . .
Where C is the capacitance between two geometries in the re-simulation of the pre-tabulated environment that reflects one or more process variations, and C 0 is The initial capacitance between the two geometries of the pre-tabulation environment simulation that does not reflect process variations, k 1 and k 2 are predetermined coefficients, and ΔW is from the re-simulation to the simulation 34. The method of claim 33, wherein the difference in distance between the two geometries is ΔPV 1 is the difference in the values of process variations reflected in the re-simulation and the simulation. .
前記特性方程式は、
C=C0+k1ΔW+k2ΔDF+k3Δ線量
の形であり、ここで、Cは、1つ又はそれよりも多くの処理変動を反映する前記事前作表環境の再シミュレーションにおける2つの幾何学形状の間の該キャパシタンスであり、C0は、処理変動を反映しない該事前作表環境のシミュレーションの該2つの幾何学形状の間の初期キャパシタンスであり、k1、k2、及びk3は、所定の係数であり、ΔWは、該再シミュレーションから該シミュレーションまでの該2つの幾何学形状の間の距離の差であり、ΔDFは、該再シミュレーション及び該シミュレーションにおいて反映された焦点外れ値の差であり、Δ線量は、該再シミュレーション及び該シミュレーションにおいて反映された光線量値の差であることを特徴とする請求項33に記載の方法。
The characteristic equation is
C = C 0 + k 1 ΔW + k 2 ΔDF + k 3 ΔDose form, where C is the two geometries in the re-simulation of the pre-tabulated environment reflecting one or more process variations C 0 is the initial capacitance between the two geometries of the simulation of the pre-tabulated environment that does not reflect process variation, and k 1 , k 2 , and k 3 are A predetermined coefficient, ΔW is the difference in distance between the two geometries from the re-simulation to the simulation, and ΔDF is the difference in defocus values reflected in the re-simulation and the simulation 34. The method of claim 33, wherein the [Delta] dose is a difference in light dose values reflected in the re-simulation and the simulation.
前記組内の各事前作表環境に対して、該事前作表環境に対して作成された前記事前作表修正に対する調節を判断するのに使用される調節方程式又は関数を該事前作表環境に対して作成された前記モデルに格納する段階、
を更に含むことを特徴とする請求項23に記載の方法。
For each pre-tabulation environment in the set, an adjustment equation or function used to determine adjustments to the pre-tabulation modification created for the pre-tabulation environment is stored in the pre-tabulation environment. Storing in the model created for,
24. The method of claim 23, further comprising:
前記調節方程式又は関数は、前記レイアウト内の特定区域の少なくとも1つの幾何学形状範囲百分率を使用して前記事前作表修正に対する前記調節を判断することを特徴とする請求項36に記載の方法。  The method of claim 36, wherein the adjustment equation or function determines the adjustment to the pre-tabulation correction using at least one geometric range percentage of a particular area in the layout. 前記組内の各事前作表環境に対して、
前記事前作表環境に対して作成された前記事前作表修正を有し、かつ該事前作表環境内の前記事前作表形態を取り囲む特定区域の1つ又はそれよりも多くの幾何学形状範囲百分率を反映する該事前作表環境の再シミュレーションを生成する段階と、
前記事前作表環境の満足な再シミュレーションを生成する該事前作表環境に対して作成された前記事前作表修正に適用される合計調節を判断する段階と、
例示的な結果として前記合計調節及び前記1つ又はそれよりも多くの幾何学形状範囲百分率を格納する段階と、
全ての例示的な結果を考慮し、かつ前記合計調節が前記1つ又はそれよりも多くの幾何学形状範囲値から導出される方法を表す調節方程式又は関数を判断する段階と、
前記調節方程式又は関数を前記事前作表環境に対して作成された前記モデルに格納する段階と、
を更に含むことを特徴とする請求項23に記載の方法。
For each pre-tabulated environment in the set,
One or more geometric shape ranges of a specific area having the pre-tabulation modification created for the pre-tabulation environment and surrounding the pre-tabulation form in the pre-tabulation environment Generating a re-simulation of the pre-tabulated environment reflecting the percentage;
Determining a total adjustment applied to the pre-tabulation modification created for the pre-tabulation environment that generates a satisfactory re-simulation of the pre-tabulation environment;
Storing the total adjustment and the one or more geometric range percentages as exemplary results;
Determining all of the exemplary results and determining an adjustment equation or function that represents how the total adjustment is derived from the one or more geometric range values;
Storing the accommodation equation or function in the model created for the pre-tabulation environment;
24. The method of claim 23, further comprising:
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