JP5145212B2 - チオラクトンの製造 - Google Patents
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-
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Description
または、例えば以下の一般式I’またはI’’’で表される、ヒドロキシチオラクトンまたはその異性体
または、例えば以下の一般式I’’、I’’’’、I’’’’’で表される、開環されたヒドロキシチオラクトンまたはその異性体
[式中、R1およびR2の各々は、独立して、−NR4R5を意味し、
そして、R4およびR5は、各々独立して、水素、置換または非置換アルキル、置換または非置換アルケニル、置換または非置換シクロアルキル、置換または非置換アリール、任意に芳香族的に置換されたアリールアルキル、任意に芳香族的に置換されたアリールアルケニル、シクロアルキル部分において置換されているかまたは非置換のシクロアルキルアルキル、ヘテロシクリル、置換または非置換アルカノイル、置換または非置換アロイル、置換または非置換アルキルスルホニル、置換または非置換アリールスルホニル、あるいはシリル基、Si(アルキル)3、Si(アリール)3またはSi(アルキル)1もしくは2(アリール)2もしくは1を意味し、
あるいは、2つの記号R4が一緒になってカルボニル基を形成し、そして2つの残りの記号R5が、各々独立して、R4およびR5について述べられた上記の意味の1つを有する]
の製造方法であって、
以下の一般式で表される環状チオ無水物
(式中、R1およびR2は、上記で与えられた意味を有する)
を、第VIII族金属触媒の存在下で水素化することを特徴とする方法に関する。
−OR3 (a)
−NR4R5 (b)
R3は、R4およびR5の意味を有する。
[A1MeYZ] III
[A1MeY]+E1 − IV
式中、A1は、2つの第3級モノホスフィンリガンド、またはジ第3級ジホスフィンリガンドを意味し、これらは、該金属原子(Me)と一緒になって、5〜10員、好ましくは5〜8員、特には5〜7員の環を形成し、
Meは、貴金属、好ましくはRh、RuまたはIrを意味し、
Yは、2つのオレフィン、またはジエンを意味し、
Zは、Cl、BrまたはIを意味し、そして
E1 −は、プロトン酸または錯酸(complex acid)のアニオンを意味する。
式中、R5、R6、R7およびR8は、独立して、一価の、非置換または置換脂肪族、ヘテロ脂肪族、脂環式、ヘテロ脂環式、脂環式−脂肪族、ヘテロ脂環式−脂肪族、芳香族、ヘテロ芳香族、芳香族−脂肪族、あるいはヘテロ芳香族−脂肪族基を意味し、R5およびR6は、一緒になって、二価の、非置換または置換脂肪族、ヘテロ脂肪族、脂環式、ヘテロ脂環式、脂環式−脂肪族、ヘテロ脂環式−脂肪族、芳香族、ヘテロ芳香族、芳香族−脂肪族、あるいはヘテロ芳香族−脂肪族基を形成し、そしてR7およびR8は、窒素原子と一緒になって5または6員環を形成する。
式中、R7およびR8は、上記に与えられる意味を有する。
(a)C2−6−炭素鎖の種々の炭素原子、該鎖は、単環式環の部分または二環式環系の部分である(例えば、フェロセン中のビフェニルまたはビナフチル、あるいはシクロペンタジエニル−フェニル、シクロペンタジエニル−CH2−フェニル、またはシクロペンタジエニル−CH(OCH3)−フェニルとして)、あるいは、
(b)各場合において、置換または非置換フェロセンのシクロペンタジエニル環。
任意に存在する置換基は、ヒドロキシル、C1−8−アルキル、C4−8−シクロアルキル、C1−6−アルコキシ、C1−4−アルコキシ−C1−4−アルキル、フェニル、C1−4−アルキル−またはC1−4−アルコキシフェニル、ベンジルC1−4−アルキル−またはC1−4−アルコキシベンジル、ベンジルオキシ、C1−4−アルキル−またはC1−4−アルコキシベンジルオキシ、およびC1−4−アルキリジエン−ジオキシから選択される1以上の基である。
式中、芳香族環は、C1−4−アルキル、C1−4−アルコキシ、C1−4−アルコキシ−C1−2−アルキル、フェニル、ベンジル、ベンジルオキシ、およびC1−4−アルキリデン−ジオキシおよびC1−4−アルキレン−ジオキシから選択される1以上の置換基を特徴とし得る。このような環状かつキラルなホスホランについての情報は、米国特許出願公開第2003/0073868 A1号明細書および国際公開第02/048161号パンフレットのような刊行物から公知である。
式中、R’あるいはR’およびR’’の各々は、独立して、C1−4−アルキル、例えば、メチル、エチル、n−もしくはイソプロピル;C1−4−アルコキシメチル;ベンジル;あるいはC6−10−アリールオキシメチルを意味する。さらに、R’およびR’’が同一の炭素原子へ結合されているこれらのケースにおいて、それらは、一緒になってC4−またはC5−アルキレンを形成し得る。
これは、各場合において、非置換であるか、あるいはC1−4−アルキル、C1−4−アルコキシ、C1−4−アルコキシ−C1−2−アルキル、フェニル、ベンジル、ベンジルオキシまたはC1−4−アルキリデン−ジオキシで一置換または多置換されている。
(式中、R’およびR’’は、同一の意味を有し、そして各々、メチル、エチル、メトキシ、エトキシ、フェノキシ、ベンジルオキシ、メトキシメチル、エトキシメチルまたはベンジルオキシメチルである)。
X1−R11−X2 (IX)
式中、X1およびX2は、上記で与えられる意味を有し、そしてR11は、以下を意味する。非置換C2−4−アルキレン、あるいはC1−6−アルキル、C1−6−アルコキシ、C5−もしくはC6−シクロアルキル、フェニル、ナフチルまたはベンジルで置換されたC2−4−アルキレン;各々4〜10の炭素原子を有し、そして非置換であるかまたはC1−6−アルキル、フェニルもしくはベンジルで置換されている、1,2−もしくは1,3−シクロアルキレン、1,2−もしくは1,3−シクロアルケニレン、1,2−もしくは1,3−ビシクロアルキレンまたは1,2もしくは1,3−ビシクロアルケニレン;各々4〜10の炭素原子を有し、そしてその1位および/または2位であるいはその3位で結合メチレンまたはC2−4−アルキリデンで強化されている、1,2−もしくは1,3−シクロアルキレン、1,2−もしくは1,3−シクロアルケニレン、1,2−もしくは1,3−ビシクロアルキレンまたは1,2−もしくは1,3−ビシクロアルケニレン;1,4−ブチレン[これは、−O−CRbRc−O−で2位および3位で置換されており、かつ、その1位および/または4位で非置換であるかあるいはこのような位置でC1−6−アルキル、フェニルもしくはベンジルで置換されており、そして式中、RbおよびRcの各々は、独立して、水素、C1−6−アルキル、フェニル、またはベンジルを意味し、この3,4−もしくは2,4−ピロリジニレンまたはメチレン−4−ピロリジン−4−イルは、各場合において、窒素原子が、非置換であるかあるいはC1−12−アルキル、フェニル、ベンジル、C1−12−アルコキシカルボニル、C1−8−アシルまたはC1−12−アルキルアミノカルボニルで置換されている];あるいは、各々が非置換であるかあるいはハロゲン、ヒドロキシル、C1−6−アルキル、C1−6−アルコキシ、フェニル、ベンジル、フェノキシまたはベンジルオキシで置換されている、1,2−フェニレン、2−ベンジレン、1,2−キシリレン、1,8−ナフチレン、1,1’−ジナフチレンまたは1,1’−ジフェニレン;あるいは、以下の式で表される1つの基:
式中、R12は、水素、C1−8−アルキル、C1−4−フルオロアルキル、非置換フェニル、あるいはフッ素、塩素、臭素、C1−4−アルキル、C1−4−アルコキシおよびフルオロメチルから選択される、同一または異なる3個までの置換基を有するフェニルを意味し;
nは、0または1〜4の整数を意味し、そしてR’または各R’は、独立して、C1−4−アルキル、C1−4−フルオロアルキルまたはC1−4−アルコキシを意味し;
Tは、C6−20−アリーレンまたはC3−16−ヘテロアリーレンを意味し;
フリーの結合は、T−シクロペンタジエニルに対してオルト位に配置され;
R’’は、水素、R001R002R003Si−、C1−8−アルコキシ、ヒドロキシル、ハロゲンで置換されたC1−18−アシル;R004R005N−、またはR006−X001C(O)−を意味し;
R001、R002およびR003の各々は、独立して、C1−12−アルキル、非置換C6−10−アリールまたはC7−12−アリールアルキル、あるいはC1−4−アルキルまたはC1−4−アルコキシで置換されたこのような基を意味し;
R004およびR005の各々は、独立して、水素、C1−12−アルキル、C3−8−シクロアルキル、C6−10−アリールまたはC7−12−アラルキルを意味するか、あるいはR004およびR005は、一緒になってトリメチレン、テトラメチレン、ペンタメチレン、または3−オキサペンチレンを形成し;
R006は、C1−18−アルキル;非置換であるかあるいはC1−4−アルキルもしくはC1−4−アルコキシで置換されたC3−8−シクロアルキル;C6−10−アリールまたはC7−12−アラルキルを意味し、そして
X001は、−O−または−NH−を意味する。
式中、R4、T、R’、R’’、X1およびX2は、好ましい意味を含む、上記で与えられる意味を有し、
R13およびR14は、各々独立して、水素、C1−4−アルキル、フェニルまたはベンジルを意味し、後者の2つの基は、非置換であるか、または、1〜3のC1−4−アルキルおよび/またはC1−4−アルコキシ基で(芳香族的に)置換されており、
R15およびR16は、各々独立して、水素、C1−4−アルキル、フェニルまたはベンジルを意味し、
R17およびR18は、各々独立して、水素、C1−4−アルキル、C1−4−アルコキシ、フェニルまたはベンジルを意味し、後者の2つの基は、非置換であるか、または、1〜3のC1−4−アルキルおよび/またはC1−4−アルコキシ基で(芳香族的に)置換されており、
R19は、水素、C1−12−アルキル、フェニル、ベンジルを意味し、後者の2つの基は、非置換であるか、あるいは、1〜3のC1−4−アルキルおよび/またはC1−4−アルコキシ基、C1−12−アルコキシ−C(O)−、フェニル−C(O)−、ベンジル−C(O)−で(芳香族的に)置換されており、後者の2つの基は、非置換であるか、あるいは、1〜3のC1−4−アルキルおよび/またはC1−4−アルコキシ基、C1−12−アルキル−NH−CO、フェニル−NH−C(O)−またはベンジル−NH−C(O)−で置換されており、後者の2つの基は、非置換であるか、あるいは、1〜3のC1−4−アルキルおよび/またはC1−4−アルコキシ基で置換されており、
Xは、0、1または2を意味し、
R20およびR21は、各々独立して、C1−4−アルキルまたはC1−4−アルコキシを意味するか、あるいはR20およびR21は、一緒になって、オキサジメチレンを形成し、
R22、R23、R24、R25、R26およびR27は、各々独立して、水素、C1−4−アルキル、C1−4−アルコキシ、C5−もしくはC6−シクロアルキルまたはシクロアルコキシ、フェニル、ベンジル、フェノキシ、ベンジルオキシ、ハロゲン、ヒドロキシ、−(CH2)3−C(O)−O−C1−4−アルキル、−(CH2)3−C(O)−N(C1−4−アルキル)2または−N(C1−4−アルキル)2を意味し、あるいはR22およびR24、ならびに/あるいはR20およびR24、ならびに/あるいはR23およびR25、ならびに/あるいはR21およびR25、あるいはR24およびR26ならびに/あるいはR25およびR27が、各々一緒になって、融合された5員または6員の単環式または二環式の炭化水素環を形成し、そして
R28は、水素、C1−6−アルキル、シクロヘキシル、またはフェニルを意味する。
式中、Rは、分枝鎖C3−8−アルキル、シクロヘキシル、ノルボルニル、アダマンチル、非置換フェニル、あるいは、1〜3のC1−4−アルキル、C1−4−アルコキシおよび/またはトリフルオロメチル基、あるいはアミノ、(C1−4−アルキル)NH−または(C1−4−アルキル)2N−で置換されたフェニルを意味し、
R4は、水素またはC1−4−アルキルを意味し、
Tは、1,2−フェニレン、R’水素およびR’’C1−4−アルキルを意味し、
R29およびR30は、各々独立して、C1−4−アルキル、フェニルまたはベンジル、最も好ましくは、メチルを意味し、
R31は、C1−8−アルキル、C1−8−アシルまたはC1−8−アルコキシカルボニルを意味し、
R32は、水素、または、独立して、R33の意味を有し、そしてR33は、C1−4−アルキル、フェニルまたはベンジルを意味し、
R34は、メチル、メトキシ、または両方のR34が一緒になってオキサジメチレンを意味し、
R35およびR36は、各々独立して、水素、C1−4−アルキル、C1−4−アルコキシ、または(C1−4−アルキル)2N−意味し、
R37およびR38は、各々独立して、水素、C1−4−アルキル、C1−4−アルコキシ、−(CH2)3−C(O)−O−C1−4−アルキル、または−(CH2)3−C(O)−N(C1−4−アルキル)2を意味し、そして
R39は、C1−4−アルキル、最も好ましくはメチルを意味する。
(式中、各R5は、独立して、R4およびR5について上記で与えられた意味の1つ、好ましくは、水素、置換または非置換アルケニル、置換または非置換アリールアルキル、ヘテロシクリル、−COアルキル、−SO2アルキル、−SO2アリールまたは−Si(アルキル)3、特にはアリル、ベンジル、p−メトキシベンジル、1−フリル、2−フリル、1−チエニルまたは2−チエニルを意味する)
の金属触媒の存在下での水素化に適用され、好ましくは(3aS,6aR形態で)50%eeを超える光学純度でエナンチオ選択的に、以下の一般式で表される好適なチオラクトン:
が得られる。
グローブボックス中において、酸素を排除したアルゴン雰囲気下、室温(20〜22℃)で、ガラス挿入物を備えた15mlのステンレス鋼オートクレーブを、出発材料チオ無水物IIa(0.50g、1.412mmol)で充填した。第2のフラスコ中において、[Ir(cod)Cl]2(2mg、0.00296mmol)および(S)−(−)MeOBIPHEP(3.45mg、0.00592mmol)を、2.5mlのテトラヒドロフラン(ナトリウム/ベンゾフェノンケチル/アルゴンにおいて蒸留)と混合し、そして10分間振盪した。次いで、この溶液(リガンド:イリジウム比=2:1)を、無水物出発材料を含有する前記オートクレーブ中に配置した。基質/Ir比は約500である。該オートクレーブを前記グローブボックス中に閉じた。次いで、オートクレーブを窒素で(5bar、3回)、次いで水素(10bar、3回)でパージし、30barに設定し、温度を150℃に維持し、そしてオートクレーブをその温度で20時間振盪した。次いで、オートクレーブを室温へ冷却し、そして圧力を放出した。有機反応混合物(透明な溶液)を減圧下で蒸発乾固し、0.53gの褐色固体を得た。変換率および化学選択性を1H−NMRおよびHPLCで測定し、得られたチオラクトンのエナンチオマー純度をHPLCで測定した(Chiralpak AS−H,250×4.6mm、溶媒 イソプロパノール:n−ヘキサン:アセトニトリル=62:35:3、210nmで検出、tR(D−チオラクトン)34分、tR(L−チオラクトン)38分)。チオラクトンの収率2.1%、D−チオラクトン:L−チオラクトン比=39.3:60.7(エナンチオマー過剰率21%)。
Claims (19)
- 以下の一般式で表されるチオラクトン
の製造方法であって、
以下の一般式で表される環状チオ無水物
を、第VIII族金属触媒の存在下で水素化し、
前記触媒がキラルであり、前記金属または前記金属錯体触媒の金属成分が、環状チオ無水物出発材料の量に対して、0.0001〜10モル%の範囲の量で使用されることを特徴とする、方法。 - 前記金属または前記金属錯体触媒の金属成分が、環状チオ無水物出発材料の量に対して、0.1〜5モル%の範囲の量で使用される、請求項1に記載の方法。
- 前記金属が、ルテニウム、ロジウムまたはイリジウムである、請求項1に記載の方法。
- 前記金属がイリジウムである、請求項1に記載の方法。
- 前記触媒が、均一系または不均一系である、請求項1〜4のいずれか一項に記載の方法。
- 前記金属触媒が、キラル修飾剤を有する金属、又はキラル修飾剤及びアキラル修飾剤を有する金属、あるいは、金属および錯化分子を含む金属錯体であり、ここで、該金属は、形式的にゼロまたは正の酸化状態を有し、該金属錯体は、遊離しているかまたは支持体上に固定されている、請求項1〜5のいずれか一項に記載の方法。
- 前記キラル修飾剤、又は前記キラル修飾剤及び前記アキラル修飾剤、ならびに/あるいは前記錯化分子が、前記金属原子への連結部位として機能する、1以上のリン、窒素、酸素および/または硫黄原子を有する単座、二座または多座化合物である、請求項6に記載の方法。
- 1以上のリン、窒素および/または硫黄原子ならびに/あるいは前記金属に配位し得る官能基を特徴とし、かつ、金属錯化性を有する、1以上の追加の有機化合物が、前記触媒系の部分である、請求項1〜7のいずれか一項に記載の方法。
- 式IIIまたはIV
[A1MeYZ] III
[A1MeY]+E1 − IV
(式中、A1は、2つの第3級モノホスフィンリガンド、またはジ第3級ジホスフィンリガンドを意味し、これらは、該金属原子(Me)と一緒になって、5〜10員の環を形成し、
Meは、貴金属を意味し、
Yは、2つのオレフィン、またはジエンを意味し、
Zは、Cl、BrまたはIを意味し、そして
E1 −は、プロトン酸または錯酸のアニオンを意味する)
で表されるものである、均一系金属錯体触媒が使用される、請求項1〜8のいずれか一項に記載の方法。 - 前記方法が、不活性溶媒中で行われる、請求項1〜9のいずれか一項に記載の方法。
- 前記不活性溶媒が、脂肪族、脂環式または芳香族炭化水素、フッ素化されたまたはフッ素化されていないアルコール、開環脂肪族または環式脂肪族エーテル、脂肪族ケトン、脂肪族カルボン酸、カルボン酸エステルまたはラクトン、脂肪族カルボン酸アミド、N置換ラクトン、環状尿素、脂肪族または脂環式スルホキシドまたはスルホン、または水、あるいは上記クラスから選択される少なくとも2つの溶媒の混合物である、請求項10に記載の方法。
- 前記使用される金属触媒に加えて、アルカリ金属あるいは置換または非置換ハロゲン化アンモニウムである、共触媒が使用される、請求項1〜11のいずれか一項に記載の方法。
- 前記共触媒が、置換または非置換第4級ハロゲン化アンモニウムである、請求項12に記載の方法。
- 前記方法が、プロトン酸の存在下で行われる、請求項1〜13のいずれか一項に記載の方法。
- 前記プロトン酸が、鉱酸、カルボン酸またはスルホン酸である、請求項14に記載の方法。
- 前記方法が、80℃〜200℃の温度で行われる、請求項1〜15のいずれか一項に記載の方法。
- 前記方法が、120℃〜170℃の温度で行われる、請求項16に記載の方法。
- 前記圧力が、1barの大気圧を超える、請求項1〜17のいずれか一項に記載の方法。
- 前記圧力が50〜80barである、請求項18に記載の方法。
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