JP5139769B2

JP5139769B2 - Grinding equipment

Info

Publication number: JP5139769B2
Application number: JP2007281908A
Authority: JP
Inventors: 壮祐熊谷
Original assignee: Disco Corp
Current assignee: Disco Corp
Priority date: 2007-10-30
Filing date: 2007-10-30
Publication date: 2013-02-06
Anticipated expiration: 2027-10-30
Also published as: JP2009107069A

Description

本発明は、半導体ウエーハ等の被加工物を所定の厚さに研削する研削装置に関する。 The present invention relates to a grinding apparatus for grinding a workpiece such as a semiconductor wafer to a predetermined thickness.

例えば、半導体デバイス製造工程においては、略円板形状であるウエーハの表面に格子状に形成されたストリート（分割予定ライン）によって区画された複数の領域にＩＣ、ＬＳＩ等のデバイスを形成し、該デバイスが形成された各領域を分割予定ラインに沿って分割することにより個々のデバイスを製造している。なお、ウエーハは、一般に個々のチップに分割する前にその裏面を研削装置によって研削して所定の厚さに形成されている。 For example, in a semiconductor device manufacturing process, devices such as ICs and LSIs are formed in a plurality of regions partitioned by streets (division lines) formed in a lattice shape on the surface of a wafer having a substantially disk shape, Individual devices are manufactured by dividing each region in which devices are formed along a predetermined division line. The wafer is generally formed to have a predetermined thickness by grinding the back surface of the wafer with a grinding device before dividing into individual chips.

ウエーハの厚みを検出する方法としては、表面高さを検出する計測用の接触針をウエーハを保持するチャックテーブルの保持面に接触させてチャックテーブルの保持面の高さ位置HIを求め、次にチャックテーブルの保持面に保持されたウエーハの研削面(上面)に接触針を接触させてウエーハの上面の高さ位置H2を検出しつつ、H2−HIを演算してウエーハの厚みTを求めている。(例えば、特許文献１参照)。
特許第２９９３８２１号公報 As a method of detecting the thickness of the wafer, the height contact position HI of the chuck table holding surface is obtained by bringing a measuring contact needle for detecting the surface height into contact with the holding surface of the chuck table holding the wafer. While contacting the contact surface with the grinding surface (upper surface) of the wafer held on the holding surface of the chuck table and detecting the height position H2 of the upper surface of the wafer, H2-HI is calculated to obtain the thickness T of the wafer. Yes. (For example, refer to Patent Document 1).
Japanese Patent No. 2993821

而して、上述したウエーハの厚みを検出する方法においては、計測用の接触針をウエーハの被研削面に接触させるために、被研削面にリング状の傷がつきウエーハの品質を低下させるという問題がある。特に、ウエーハを形成するインゴットから切り出されたウエーハの表面および裏面を研削して、表面にデバイスを形成する基素ウエーハを研削する場合には、上記リング状の傷がその後に実施する鏡面加工に悪影響を及ぼす原因となる。 Thus, in the above-described method for detecting the thickness of the wafer, the contact needle for measurement is brought into contact with the surface to be ground of the wafer, so that the surface to be ground is ring-shaped and the quality of the wafer is reduced. There's a problem. In particular, when the substrate wafer that forms the device on the front surface is ground by grinding the front and back surfaces of the wafer cut out from the ingot forming the wafer, the ring-shaped scratches are used for the subsequent mirror surface processing. Causes adverse effects.

本発明は上記事実に鑑みてなされたものであり、その主たる技術課題は、被加工物の被研削面に傷を付けることなく所定の厚さに研削することができる研削装置を提供することにある。 This invention is made | formed in view of the said fact, The main technical subject is to provide the grinding apparatus which can grind to predetermined thickness, without scratching the grinding surface of a workpiece. is there.

上記主たる技術課題を解決するため、本発明によれば、被加工物を保持する保持面を有するチャックテーブルと、該チャックテーブルに保持された被加工物の上面を研削する研削手段と、該チャックテーブルに保持された被加工物の厚みを計測する接触式の厚み計測器と、該チャックテーブルに保持された被加工物の厚みを計測する非接触式の厚み計測器と、該接触式の厚み計測器と該非接触式の厚み計測器からの検出信号に基づいて該研削手段を制御する制御手段と、を具備する研削装置において、
制御手段は、該接触式の厚み計測器によって該チャックテーブルに保持された被加工物の加工前の厚み(T1)を計測する第１の加工前の厚み計測工程と、該非接触式の厚み計測器によって該チャックテーブルに保持された被加工物の加工前の厚み(T2)を計測する第２の加工前の厚み計測工程と、該第１の加工前の厚み計測工程によって計測された被加工物の加工前の厚み(T1)と該第２の加工前の厚み計測工程によって計測された被加工物の加工前の厚み(T2)に基づいて該非接触式の厚み計測器による計測値を補正する補正値（T1／T2）を求める補正値演算工程と、該非接触式の厚み計測器を作動してチャックテーブルの保持面に保持された被加工物の厚みを計測しつつ該研削手段を作動して該チャックテーブルの保持面に保持された被加工物を研削する研削工程と、該非接触式の厚み計測器によって計測された被加工物の厚み(T0)に該補正値（T1／T2）を乗算した値が所定値に達したら該研削手段による研削を終了する研削終了工程を実行する、
ことを特徴とする研削装置が提供される。 In order to solve the above main technical problem, according to the present invention, a chuck table having a holding surface for holding a workpiece, a grinding means for grinding an upper surface of the workpiece held on the chuck table, and the chuck A contact-type thickness measuring instrument for measuring the thickness of the workpiece held on the table, a non-contact type thickness measuring instrument for measuring the thickness of the workpiece held on the chuck table, and the contact-type thickness In a grinding apparatus comprising a measuring instrument and a control means for controlling the grinding means based on a detection signal from the non-contact type thickness measuring instrument,
The control means includes a first thickness measuring step before processing for measuring a thickness (T1) before processing of the workpiece held on the chuck table by the contact type thickness measuring instrument, and the non-contact type thickness measurement. A thickness measurement step before the processing of the workpiece held on the chuck table by the instrument, a thickness measurement step before the second processing, and a workpiece measured by the thickness measurement step before the first processing The measured value by the non-contact type thickness meter is corrected based on the thickness (T1) before processing the workpiece and the thickness (T2) before processing of the workpiece measured by the thickness measurement process before the second processing. A correction value calculation step for obtaining a correction value (T1 / T2) to be operated, and the grinding means is operated while measuring the thickness of the workpiece held on the holding surface of the chuck table by operating the non-contact type thickness measuring instrument. To grind the work piece held on the holding surface of the chuck table. Grinding by the grinding means ends when a value obtained by multiplying the thickness (T0) of the workpiece measured by the non-contact type thickness measuring instrument by the correction value (T1 / T2) reaches a predetermined value. Execute grinding end process,
A grinding device is provided.

上記非接触式の厚み計測器は、被加工物に対して透過性を有する波長のレーザー光線を照射する発光手段と、該発光手段から被加工物に照射されたレーザー光線の反射光を受光する受光手段とを具備し、被加工物に照射されたレーザー光線における被加工物の表面で反射された反射光の位置と被加工物の裏面で反射された反射光の位置の間隔を計測して被加工物の厚みを求める。 The non-contact type thickness measuring instrument includes a light emitting unit that irradiates a laser beam having a wavelength that is transmissive to the workpiece, and a light receiving unit that receives the reflected light of the laser beam irradiated to the workpiece from the light emitting unit. The workpiece is measured by measuring the distance between the position of the reflected light reflected by the surface of the workpiece and the position of the reflected light reflected by the back surface of the workpiece in the laser beam applied to the workpiece. Find the thickness of

本発明による研削装置においては、非接触式の厚み計測器によって被加工物の厚み（Ｔ０）を計測しているので、被加工物の被研削面に傷がつくことはない。そして、非接触式の厚み計測器によって計測された被加工物の厚み（Ｔ０）は、接触式の厚み計測器によって計測された被加工物の加工前の厚み（Ｔ１）と非接触式の厚み計測器によって計測された被加工物の加工前の厚み（Ｔ２）に基づいて求められた非接触式の厚み計測器による計測値の補正値（Ｔ１／Ｔ２）によって補正されるので、被加工物の材質によって屈折率が異なっても被加工物の正確な厚み（Ｔ）に研削することができる。 In the grinding apparatus according to the present invention, since the thickness (T0) of the workpiece is measured by the non-contact type thickness measuring instrument, the surface to be ground of the workpiece is not damaged. The workpiece thickness (T0) measured by the non-contact type thickness measuring instrument is equal to the thickness (T1) of the workpiece before processing measured by the contact-type thickness measuring instrument and the non-contact type thickness. The workpiece is corrected by the correction value (T1 / T2) of the measured value obtained by the non-contact type thickness measuring device obtained based on the thickness (T2) of the workpiece measured by the measuring instrument. Even if the refractive index differs depending on the material, the workpiece can be ground to an accurate thickness (T).

以下、本発明による研削方法および研削装置の好適な実施形態について、添付図面を参照して更に詳細に説明する。
図１には、本発明に従って構成された研削装置１の斜視図が示されている。図１に示す研削装置１は、全体を番号２で示す装置ハウジングを具備している。この装置ハウジング２は、細長く延在する直方体形状の主部２１と、該主部２１の後端部（図１において右上端）に設けられ実質上鉛直に上方に延びる直立壁２２とを有している。直立壁２２の前面には、上下方向に延びる一対の案内レール２２１、２２１が設けられている。この一対の案内レール２２１、２２１に研削手段としての研削ユニット３が上下方向に移動可能に装着されている。 Hereinafter, preferred embodiments of a grinding method and a grinding apparatus according to the present invention will be described in more detail with reference to the accompanying drawings.
FIG. 1 shows a perspective view of a grinding apparatus 1 constructed according to the present invention. A grinding apparatus 1 shown in FIG. 1 includes an apparatus housing generally indicated by numeral 2. This device housing 2 has a rectangular parallelepiped main portion 21 that extends long and an upright wall 22 that is provided at the rear end portion (upper right end in FIG. 1) of the main portion 21 and extends substantially vertically upward. ing. A pair of guide rails 221 and 221 extending in the vertical direction are provided on the front surface of the upright wall 22. A grinding unit 3 as grinding means is mounted on the pair of guide rails 221 and 221 so as to be movable in the vertical direction.

研削ユニット３は、移動基台３１と該移動基台３１に装着されたスピンドルユニット４を具備している。移動基台３１は、後面両側に上下方向に延びる一対の脚部３１１、３１１が設けられており、この一対の脚部３１１、３１１に上記一対の案内レール２２１、２２１と摺動可能に係合する被案内溝３１２、３１２が形成されている。このように直立壁２２に設けられた一対の案内レール２２１、２２１に摺動可能に装着された移動基台３１の前面には前方に突出した支持部３１３が設けられている。この支持部３１３に研削手段としてのスピンドルユニット４が取り付けられる。 The grinding unit 3 includes a moving base 31 and a spindle unit 4 mounted on the moving base 31. The movable base 31 is provided with a pair of legs 311 and 311 extending in the vertical direction on both sides of the rear surface. The pair of legs 311 and 311 is slidably engaged with the pair of guide rails 221 and 221. Guided grooves 312 and 312 are formed. As described above, a support portion 313 protruding forward is provided on the front surface of the movable base 31 slidably mounted on the pair of guide rails 221 and 221 provided on the upright wall 22. A spindle unit 4 as a grinding means is attached to the support portion 313.

研削手段としてのスピンドルユニット４は、支持部３１３に装着されたスピンドルハウジング４１と、該スピンドルハウジング４１に回転自在に配設された回転スピンドル４２と、該回転スピンドル４２を回転駆動するための駆動源としてのサーボモータ４３とを具備している。スピンドルハウジング４１に回転可能に支持された回転スピンドル４２は、一端部(図１において下端部)がスピンドルハウジング４１の下端から突出して配設されており、その一端(図１において下端)にホイールマウント４４が設けられている。そして、このホイールマウント４４の下面に研削ホイール5が取り付けられる。この研削ホイール5は、環状の砥石基台５１と、該砥石基台５１の下面に装着された研削砥石５２からなる複数のセグメントとによって構成されており、砥石基台５１が締結ネジ５３によってホイールマウント４４に装着される。上記サーボモータ４３は、後述する制御手段１０によって制御される。 The spindle unit 4 as grinding means includes a spindle housing 41 mounted on a support portion 313, a rotating spindle 42 rotatably disposed on the spindle housing 41, and a drive source for driving the rotating spindle 42 to rotate. As a servo motor 43. One end (lower end in FIG. 1) of the rotary spindle 42 rotatably supported by the spindle housing 41 is disposed so as to protrude from the lower end of the spindle housing 41, and a wheel mount is mounted on one end (lower end in FIG. 1). 44 is provided. The grinding wheel 5 is attached to the lower surface of the wheel mount 44. The grinding wheel 5 includes an annular grindstone base 51 and a plurality of segments made of a grinding grindstone 52 mounted on the lower surface of the grindstone base 51. Mounted on the mount 44. The servo motor 43 is controlled by the control means 10 described later.

図示の研削装置１は、上記研削ユニット３を上記一対の案内レール２２１、２２１に沿って上下方向（後述するチャックテーブルの保持面に対して垂直な方向）に移動せしめる研削ユニット送り機構６を備えている。この研削ユニット送り機構６は、直立壁２２の前側に配設され実質上鉛直に延びる雄ねじロッド６１を具備している。この雄ねじロッド６１は、その上端部および下端部が直立壁２２に取り付けられた軸受部材６２および６３によって回転自在に支持されている。上側の軸受部材６２には雄ねじロッド６１を回転駆動するための駆動源としてのパルスモータ６４が配設されており、このパルスモータ６４の出力軸が雄ねじロッド６１に伝動連結されている。移動基台３１の後面にはその幅方向中央部から後方に突出する連結部（図示していない）も形成されており、この連結部には鉛直方向に延びる貫通雌ねじ穴（図示していない）が形成されており、この雌ねじ穴に上記雄ねじロッド６１が螺合せしめられている。従って、パルスモータ６４が正転すると移動基台３１即ち研磨ユニット３が下降即ち前進せしめられ、パルスモータ６４が逆転すると移動基台３１即ち研削ユニット３が上昇即ち後退せしめられる。なお、パルスモータ６４は、後述する制御手段１０によって制御される。 The illustrated grinding apparatus 1 includes a grinding unit feed mechanism 6 that moves the grinding unit 3 in the vertical direction (a direction perpendicular to a holding surface of a chuck table described later) along the pair of guide rails 221 and 221. ing. The grinding unit feed mechanism 6 includes a male screw rod 61 disposed on the front side of the upright wall 22 and extending substantially vertically. The male threaded rod 61 is rotatably supported by bearing members 62 and 63 whose upper end and lower end are attached to the upright wall 22. The upper bearing member 62 is provided with a pulse motor 64 as a drive source for rotationally driving the male screw rod 61, and the output shaft of the pulse motor 64 is connected to the male screw rod 61 by transmission. A connecting portion (not shown) that protrudes rearward from the center portion in the width direction is also formed on the rear surface of the movable base 31, and a through female screw hole (not shown) that extends in the vertical direction is formed in this connecting portion. The male screw rod 61 is screwed into the female screw hole. Accordingly, when the pulse motor 64 is rotated forward, the moving base 31, that is, the polishing unit 3 is lowered or advanced, and when the pulse motor 64 is reversed, the movable base 31, that is, the grinding unit 3 is raised or retracted. The pulse motor 64 is controlled by the control means 10 described later.

上記ハウジング２の主部２１にはチャックテーブル機構７が配設されている。チャックテーブル機構７は、チャックテーブル７１と、該チャックテーブル７１の周囲を覆うカバー部材７２と、該カバー部材７２の前後に配設された蛇腹手段７３および７４を具備している。チャックテーブル７１は、図示しない回転駆動手段によって回転せしめられるようになっており、その上面（保持面）に被加工物であるウエーハを図示しない吸引手段を作動することにより吸引保持するように構成されている。また、チャックテーブル７１は、図示しないチャックテーブル移動手段によって図１に示す被加工物載置域７０aと上記スピンドルユニット４を構成する研削ホイール5と対向する研削域７０bとの間で移動せしめられる。蛇腹手段７３および７４はキャンパス布の如き適宜の材料から形成することができる。蛇腹手段７３の前端は主部２１の前面壁に固定され、後端はカバー部材７２の前端面に固定されている。蛇腹手段７４の前端はカバー部材７２の後端面に固定され、後端は装置ハウジング２の直立壁２２の前面に固定されている。チャックテーブル７１が矢印７１ａで示す方向に移動せしめられる際には蛇腹手段７３が伸張されて蛇腹手段７４が収縮され、チャックテーブル７１が矢印７１ｂで示す方向に移動せしめられる際には蛇腹手段７３が収縮されて蛇腹手段７４が伸張せしめられる。 A chuck table mechanism 7 is disposed in the main portion 21 of the housing 2. The chuck table mechanism 7 includes a chuck table 71, a cover member 72 that covers the periphery of the chuck table 71, and bellows means 73 and 74 disposed before and after the cover member 72. The chuck table 71 is configured to be rotated by a rotation driving unit (not shown), and is configured to suck and hold a wafer as a workpiece on its upper surface (holding surface) by operating a suction unit (not shown). ing. Further, the chuck table 71 is moved between a workpiece placement area 70a shown in FIG. 1 and a grinding area 70b facing the grinding wheel 5 constituting the spindle unit 4 by a chuck table moving means (not shown). The bellows means 73 and 74 can be formed from any suitable material such as campus cloth. The front end of the bellows means 73 is fixed to the front wall of the main portion 21, and the rear end is fixed to the front end surface of the cover member 72. The front end of the bellows means 74 is fixed to the rear end surface of the cover member 72, and the rear end is fixed to the front surface of the upright wall 22 of the apparatus housing 2. When the chuck table 71 is moved in the direction indicated by the arrow 71a, the bellows means 73 is expanded and the bellows means 74 is contracted. When the chuck table 71 is moved in the direction indicated by the arrow 71b, the bellows means 73 is By being contracted, the bellows means 74 is extended.

図示の研削装置１は、上記カバー部材７２に配設されチャックテーブル７１に保持された後述する被加工物の厚みを測定する接触式の厚み計測器８を具備している。この非接触式の厚み計測器８は、一般に用いられている厚み計測器でよく、計測用の接触針８１を備え、該計測用の接触針８１を被計測物の表面に接触させることにより被加工物の表面の高さ位置信号を後述する制御手段１０に出力する。 The illustrated grinding apparatus 1 includes a contact-type thickness measuring instrument 8 that measures the thickness of a workpiece, which will be described later, disposed on the cover member 72 and held on the chuck table 71. This non-contact type thickness measuring instrument 8 may be a commonly used thickness measuring instrument, which includes a measuring contact needle 81, and is brought into contact with the surface of the object to be measured by bringing the measuring contact needle 81 into contact therewith. The height position signal of the surface of the workpiece is output to the control means 10 described later.

図示の研削装置１は、上記カバー部材７２に配設されチャックテーブル７１に保持された被加工物の厚みを測定する非接触式の厚み計測器９を具備している。この非接触式の厚み計測器９は、図２に示すように上記カバー部材７２に配設された計測ケース９１を具備している。この計測ケース９１は、垂直に立設された支持部９１１と、支持部９１１の上端から水平に伸びる該水平部９１２と、該水平部９１２の端部から下方に延びる計測部９１３とからなっており、支持部９１１が上記カバー部材７２に回動可能に支持されている。なお、支持部９１１は、図示しない回動駆動手段によって回動せしめられるように構成されている。従って、計測ケース９１は、図示しない回動駆動手段によって支持部９１１を回動することにより、計測部９１３が支持部９１１を中心として揺動せしめられる。 The illustrated grinding apparatus 1 includes a non-contact type thickness measuring instrument 9 that measures the thickness of a workpiece disposed on the cover member 72 and held on the chuck table 71. The non-contact type thickness measuring instrument 9 includes a measuring case 91 disposed on the cover member 72 as shown in FIG. The measurement case 91 includes a support portion 911 erected vertically, the horizontal portion 912 extending horizontally from the upper end of the support portion 911, and a measurement portion 913 extending downward from the end portion of the horizontal portion 912. The support portion 911 is rotatably supported by the cover member 72. The support portion 911 is configured to be rotated by a rotation driving unit (not shown). Therefore, the measurement case 913 is swung around the support portion 911 by rotating the support portion 911 by a rotation driving unit (not shown).

上記計測ケース９１の計測部９１３の下端には、外周部が下方に突出する環状のカバー部９１３aが形成されている。このように形成された計測ケース９１の計測部９１３には、発光手段９２と、該発光手段９２によって照射された光を受光する受光手段９３が配設されているとともに、下面に透明版９４が配設されている。発光手段９２は、図３に示すようにレーザーダイオード(LD)９２１と集光レンズ９２２を具備している。レーザーダイオード(LD)９２１は、後述する被加工物に対して透過性を有する波長、例えば１１００nmの波長を有するレーザー光線を発振する。このレーザーダイオード(LD)９２１から発振されたレーザー光線は、集光レンズ９２２によって集光され、図３に示すように透明版９４を通して上記チャックテーブル７１上に保持される被加工物としての基素ウエーハＷに所定の入射角θをもって照射する。基素ウエーハＷに照射されたレーザー光線は、図３に示すように基素ウエーハＷの上面で反射するとともに、基素ウエーハＷを透過した光が基素ウエーハＷの下面で反射する。 At the lower end of the measurement part 913 of the measurement case 91, an annular cover part 913a whose outer peripheral part protrudes downward is formed. The measuring part 913 of the measuring case 91 formed in this way is provided with a light emitting means 92 and a light receiving means 93 for receiving the light emitted by the light emitting means 92, and a transparent plate 94 is provided on the lower surface. It is arranged. The light emitting means 92 includes a laser diode (LD) 921 and a condenser lens 922 as shown in FIG. The laser diode (LD) 921 oscillates a laser beam having a wavelength that is transparent to a workpiece to be described later, for example, a wavelength of 1100 nm. The laser beam oscillated from the laser diode (LD) 921 is condensed by a condenser lens 922 and, as shown in FIG. 3, a basic wafer as a workpiece to be held on the chuck table 71 through a transparent plate 94. W is irradiated with a predetermined incident angle θ. As shown in FIG. 3, the laser beam applied to the base wafer W is reflected by the upper surface of the base wafer W, and the light transmitted through the base wafer W is reflected by the lower surface of the base wafer W.

上記受光手段９３は、図示の実施形態においてはCCDラインセンサー９３１を具備しており、上記発光手段９２から照射されたレーザー光線が基素ウエーハＷで正反射する位置に配設されている。受光手段９３を構成するCCDラインセンサー９３１は、その検出信号を制御手段１０に送る。 The light receiving means 93 includes a CCD line sensor 931 in the illustrated embodiment, and is disposed at a position where the laser beam emitted from the light emitting means 92 is regularly reflected by the base wafer W. The CCD line sensor 931 constituting the light receiving means 93 sends the detection signal to the control means 10.

図２に示すように上記計測ケース９１には計測部９１３の下面に開口する流体通路９１４が設けられており、この流体通路９１４が流体供給手段９５に接続されている。この流体供給手段９５は、例えば純水を送給する純水送給手段９５１と、該純水送給手段９５１と上記流体通路９１４とを接続する配管９５２に配設された電磁開閉弁９５３とからなっている。上記制御手段１０は、発光素子９２１や電磁開閉弁９５３を制御するとともに、CCDラインセンサー９３１からの受信信号および上記接触式の厚み計測器８からの検出信号に基いて上記研削手段としてのスピンドルユニット４のパルスモータ６４やサーボモータ４３等を制御する。 As shown in FIG. 2, the measurement case 91 is provided with a fluid passage 914 that opens to the lower surface of the measurement section 913, and the fluid passage 914 is connected to the fluid supply means 95. The fluid supply means 95 includes, for example, pure water supply means 951 for supplying pure water, and an electromagnetic on-off valve 953 disposed in a pipe 952 connecting the pure water supply means 951 and the fluid passage 914. It is made up of. The control means 10 controls the light emitting element 921 and the electromagnetic on-off valve 953, and a spindle unit as the grinding means based on the received signal from the CCD line sensor 931 and the detection signal from the contact-type thickness measuring device 8. 4 pulse motor 64, servo motor 43 and the like are controlled.

ここで、上述した非接触式の厚み計測器９を構成する発光手段９２と受光手段９３の作用について、図３を参照して説明する。
発光手段９２から基素ウエーハＷに照射されたレーザー光線は、被加工物Ｗの上面で反射するとともに、基素ウエーハＷを透過した光が基素ウエーハＷの下面で反射する。この基素ウエーハＷの上面で反射した光と、基素ウエーハＷの下面で反射した光を受光手段９３のCCDラインセンサー９３１によって受光し、その間隔(L)と入射角θに基づいて被加工物Ｗの厚みとして求めることができる。しかるに、基素ウエーハＷはその材質によって屈折率が異なるため、基素ウエーハＷの厚みを正確に計測することが困難である。従って、基素ウエーハＷの厚みを正確に計測するには後述するように補正する。 Here, the operation of the light emitting means 92 and the light receiving means 93 constituting the non-contact type thickness measuring instrument 9 will be described with reference to FIG.
The laser beam applied to the basic wafer W from the light emitting means 92 is reflected on the upper surface of the workpiece W, and the light transmitted through the basic wafer W is reflected on the lower surface of the basic wafer W. The light reflected by the upper surface of the basic wafer W and the light reflected by the lower surface of the basic wafer W are received by the CCD line sensor 931 of the light receiving means 93 and processed based on the interval (L) and the incident angle θ. It can be determined as the thickness of the object W. However, since the refractive index of the basic wafer W differs depending on the material, it is difficult to accurately measure the thickness of the basic wafer W. Accordingly, in order to accurately measure the thickness of the base wafer W, correction is made as described later.

図示の研削装置１は以上のように構成されており、以下、上記研削装置１を用いてウエーハを形成するインゴットから切り出された基素ウエーハＷを所定の厚さに研削する研削方法について説明する。
基素ウエーハＷは、図１に示す記研磨装置１における被加工物載置域７０aに位置付けられているチャックテーブル７１上に載置され、図示しない吸引手段を作動することによってチャックテーブル７１上に吸引保持される。チャックテーブル７１上に基素ウエーハＷを吸引保持したならば、制御手段１０は上記接触式の厚み計測器８を作動してチャックテーブル７１に保持された基素ウエーハＷの加工前の厚み(T1)を計測する第１の加工前の厚み計測工程を実施する。 The illustrated grinding apparatus 1 is configured as described above, and a grinding method for grinding the base wafer W cut out from the ingot forming the wafer to the predetermined thickness using the grinding apparatus 1 will be described below. .
The base wafer W is placed on the chuck table 71 positioned in the workpiece placement area 70a in the polishing apparatus 1 shown in FIG. 1, and the suction means (not shown) is operated to act on the chuck table 71. Suction hold. If the base wafer W is sucked and held on the chuck table 71, the control means 10 operates the contact-type thickness measuring instrument 8 to activate the thickness (T1) of the base wafer W held on the chuck table 71 before processing. ) To measure a thickness measurement step before the first processing.

第１の加工前の厚み計測工程は、図４の(a)に示すように接触式の厚み計測器８の計測用の接触針８１をチャックテーブル７１の上面に接触させ、その高さ位置信号(H1)を制御手段１０に送る。なお、このチャックテーブル７１の高さ位置の計測は、吸着テーブル７１４上に基素ウエーハＷを保持する前に、チャックテーブル７１の上面である保持面に接触式の厚み計測器８の計測用の接触針８１を接触させて実施してもよい。次に、図４の(b)に示すように接触式の厚み計測器８の計測用の接触針８１をチャックテーブル７１の上面に保持された基素ウエーハＷの上面に接触させ、その高さ位置信号(H2)を制御手段１０に送る。制御手段１０は、接触式の厚み計測器８から送られた上記高さ位置信号(H1)および高さ位置信号(H2)に基いて、チャックテーブル７１の上面に保持された基素ウエーハＷの上面の高さ位置(H2)からチャックテーブル７１の上面の高さ位置(H1)を減算して基素ウエーハＷの厚み(T1)(T1＝H2−H1)を求める。このようにして求めた基素ウエーハＷの厚み(T1)は、制御手段１０のメモリーに格納される。 In the thickness measurement step before the first processing, as shown in FIG. 4A, the contact needle 81 for measurement of the contact-type thickness measuring instrument 8 is brought into contact with the upper surface of the chuck table 71, and its height position signal is measured. (H1) is sent to the control means 10. Note that the height position of the chuck table 71 is measured by the contact-type thickness measuring instrument 8 on the holding surface which is the upper surface of the chuck table 71 before the base wafer W is held on the suction table 714. You may carry out by making the contact needle 81 contact. Next, as shown in FIG. 4 (b), the contact needle 81 for measurement of the contact-type thickness measuring device 8 is brought into contact with the upper surface of the base wafer W held on the upper surface of the chuck table 71, and the height thereof is reached. A position signal (H2) is sent to the control means 10. Based on the height position signal (H 1) and the height position signal (H 2) sent from the contact-type thickness measuring device 8, the control means 10 controls the basic wafer W held on the upper surface of the chuck table 71. By subtracting the height position (H1) of the upper surface of the chuck table 71 from the height position (H2) of the upper surface, the thickness (T1) (T1 = H2−H1) of the base wafer W is obtained. The thickness (T1) of the base wafer W thus obtained is stored in the memory of the control means 10.

次に、制御手段１０は、上記非接触式の厚み計測器９を作動してチャックテーブル７１に保持された基素ウエーハＷの加工前の厚み(T2)を計測する第２の加工前の厚み計測工程を実施する。即ち、制御手段１０は図３に示すように、図示しない回動駆動手段を作動し非接触式の厚み計測器９の計測ケース９１を構成する支持部９１１を回動して、計測部９１３をチャックテーブル７１上に保持された基素ウエーハＷの上方に位置付け、発光手段９２および受光手段９３を作動する。そして、制御手段１０は、発光手段９２から照射されたレーザー光線が基素ウエーハＷの上面で反射し受光手段９３としてのCCDラインセンサー９３１に受光された位置と、基素ウエーハＷの下面で反射した光をCCDラインセンサー９３１に受光された位置との間隔(L)と入射角θに基づいて基素ウエーハＷの加工前の厚み(T2)(T2＝（cosθ／sin2θ）×L)を求める。 Next, the control means 10 operates the non-contact type thickness measuring instrument 9 to measure the thickness (T2) before processing of the base wafer W held on the chuck table 71 before the second processing thickness. Perform the measurement process. That is, as shown in FIG. 3, the control means 10 operates a rotation driving means (not shown) to rotate the support portion 911 that constitutes the measurement case 91 of the non-contact type thickness measuring instrument 9, thereby causing the measurement portion 913 to move. Positioned above the base wafer W held on the chuck table 71, the light emitting means 92 and the light receiving means 93 are operated. The control means 10 reflects the laser beam emitted from the light emitting means 92 on the upper surface of the base wafer W and received by the CCD line sensor 931 as the light receiving means 93 and on the lower face of the base wafer W. Based on the distance (L) between the position where the light is received by the CCD line sensor 931 and the incident angle θ, the thickness (T2) (T2 = (cosθ / sin2θ) × L) of the base wafer W before processing is obtained.

上記第２の加工前の厚み計測工程によって求められた基素ウエーハＷの加工前の厚み(T2)は、上述したように基素ウエーハＷの材質によって屈折率が異なるため、基素ウエーハＷの正確な厚みとはいえない。即ち、基素ウエーハＷの材質固有の屈折率を上記厚み(T2)の計算式に乗じることにより基素ウエーハＷの正確な厚みを求めることができるが、基素ウエーハＷの正確な屈折率を知ることが困難であるため、便宜的に屈折率を１として厚みを求めているので、上記厚み(T2)は基素ウエーハＷの正確な厚みとはいえない。そこで、制御手段１０は、上記第１の加工前の厚み計測工程によって計測された被加工物の加工前の厚み(T1)と第２の加工前の厚み計測工程によって計測された被加工物の加工前の厚み(T2)に基づいて非接触式の厚み計測器９による計測値を補正する補正値（T1／T2）を求める補正値演算工程を実施する。このようにして求めた補正値（T1／T2）は、制御手段１０のメモリーに格納される。 Since the thickness (T2) before processing of the basic wafer W obtained by the thickness measurement step before the second processing differs depending on the material of the basic wafer W as described above, It is not an accurate thickness. That is, by multiplying the refractive index specific to the material of the basic wafer W by the above formula for calculating the thickness (T2), the accurate thickness of the basic wafer W can be obtained. Since it is difficult to know, the thickness is obtained with a refractive index of 1 for convenience. Therefore, the thickness (T2) cannot be said to be an accurate thickness of the basic wafer W. Therefore, the control means 10 determines the thickness (T1) before processing of the workpiece measured by the thickness measurement step before the first processing and the workpiece measured by the thickness measurement step before the second processing. A correction value calculation step for obtaining a correction value (T1 / T2) for correcting the measurement value by the non-contact type thickness measuring instrument 9 based on the thickness (T2) before processing is performed. The correction value (T1 / T2) obtained in this way is stored in the memory of the control means 10.

上述したように非接触式の厚み計測器９による計測値を補正する補正値（T1／T2）求め、この補正値（T1／T2）によって非接触式の厚み計測器９が計測した厚みを補正することにより、基素ウエーハＷの正確な厚みを求めることが可能となる。次に、制御手段１０は、非接触式の厚み計測器９を作動してチャックテーブル７１の上面（保持面）に保持された基素ウエーハＷの厚みを計測しつつ研削手段を作動してチャックテーブル７１の上面（保持面）に保持された基素ウエーハＷを研削する研削工程を実施する。即ち、制御手段１０は基素ウエーハＷを保持したチャックテーブル７１の図示しない移動手段を作動し、チャックテーブル７１を図１において矢印７１ａで示す方向に移動して研削域７０bに位置付け、図５に示すように研削ホイール5の複数の研削砥石５２の外周縁がチャックテーブル７１の回転中心を通過するように位置付ける。 As described above, the correction value (T1 / T2) for correcting the measurement value by the non-contact type thickness measuring instrument 9 is obtained, and the thickness measured by the non-contact type thickness measuring instrument 9 is corrected by this correction value (T1 / T2). By doing so, it is possible to obtain an accurate thickness of the base wafer W. Next, the control means 10 operates the grinding means while operating the non-contact type thickness measuring instrument 9 to measure the thickness of the base wafer W held on the upper surface (holding surface) of the chuck table 71 to thereby chuck the chuck. A grinding step of grinding the base wafer W held on the upper surface (holding surface) of the table 71 is performed. That is, the control means 10 operates a moving means (not shown) of the chuck table 71 that holds the base wafer W, moves the chuck table 71 in the direction indicated by the arrow 71a in FIG. 1, and positions it in the grinding zone 70b. As shown, the outer peripheral edges of the plurality of grinding wheels 52 of the grinding wheel 5 are positioned so as to pass through the center of rotation of the chuck table 71.

このように研削ホイール5とチャックテーブル７１に保持された基素ウエーハＷが所定の位置関係にセットされ、非接触式の厚み計測器９の計測ケース９１を構成する計測部９１３を上述した計測位置に位置付けたならば、制御手段１０は図示しない回転駆動手段を駆動してチャックテーブル７１を図５において矢印Aで示す方向に例えば３００rpmの回転速度で回転するとともに、上記サーボモータ４３を駆動して研削ホイール5を矢印Bで示す方向に例えば６０００ｒｐｍの回転速度で回転する。そして、制御手段９は、研削ユニット送り機構６のパルスモータ６４を正転駆動し研削ホイール5を下降（研削送り）して複数の研削砥石５２を基素ウエーハＷの上面である被研削面に所定の圧力で押圧する。この結果、基素ウエーハＷのである被研削面が研削される（研削工程）。 In this way, the basic wafer W held on the grinding wheel 5 and the chuck table 71 is set in a predetermined positional relationship, and the measurement position of the measurement unit 913 constituting the measurement case 91 of the non-contact type thickness measuring instrument 9 is described above. Then, the control means 10 drives a rotation driving means (not shown) to rotate the chuck table 71 in the direction indicated by arrow A in FIG. 5 at a rotational speed of, for example, 300 rpm, and drives the servo motor 43. The grinding wheel 5 is rotated in the direction indicated by the arrow B at a rotational speed of, for example, 6000 rpm. Then, the control means 9 drives the pulse motor 64 of the grinding unit feed mechanism 6 in the forward direction to move down the grinding wheel 5 (grind feed), so that a plurality of grinding wheels 52 are placed on the surface to be ground, which is the upper surface of the basic wafer W. Press with a predetermined pressure. As a result, the surface to be ground, which is the base wafer W, is ground (grinding step).

上記研削工程においては、非接触式の厚み計測器９によって基素ウエーハＷの厚み(T0)が測定されている。なお、基素ウエーハＷの厚み(T0)を計測している際には、制御手段１０は純水送給手段９５１の電磁開閉弁９５３が附勢(ONして開路する。この結果、純水送給手段９５１から純水が配管９５２および流体通路９１４を介して計測部９１３の下面と基素ウエーハＷの上面（被研削面）との間に供給される。このように計測部９１３の下面と基素ウエーハＷの上面（被研削面）との間に純水を供給することにより、研削によって発生するコンタミの影響を排除することができる。 In the grinding step, the thickness (T0) of the base wafer W is measured by the non-contact type thickness measuring instrument 9. When measuring the thickness (T0) of the base wafer W, the control means 10 energizes (turns on and opens the electromagnetic on-off valve 953 of the pure water supply means 951. As a result, the pure water is opened. Pure water is supplied from the feeding means 951 through the pipe 952 and the fluid passage 914 between the lower surface of the measuring unit 913 and the upper surface (surface to be ground) of the base wafer W. Thus, the lower surface of the measuring unit 913 By supplying pure water between the substrate and the upper surface (surface to be ground) of the base wafer W, the influence of contamination generated by grinding can be eliminated.

非接触式の厚み計測器９によって計測される基素ウエーハＷの厚み(T0)は、上述した発光手段９２から照射されたレーザー光線が基素ウエーハＷの上面で反射し受光手段９３としてのCCDラインセンサー９３１に受光された位置と、基素ウエーハＷの下面で反射した光がCCDラインセンサー９３１に受光された位置との間隔(L)と入射角θに基づいて算出される。即ち、基素ウエーハＷの厚み(T0)は、(T0＝（cosθ／sin2θ）×L)となる。しかるに、非接触式の厚み計測器９によって計測される基素ウエーハＷの厚み(T0)は、上述したように基素ウエーハＷの屈折率によって異なるので、基素ウエーハＷの正確な厚みとはいえない。そこで、制御手段１０は基素ウエーハＷの厚み(T0)に上記補正値（T1／T2）を乗算して基素ウエーハＷの厚み(T)（T＝T0×（T1／T2））を求める。そして、制御手段１０は、基素ウエーハＷの厚み(T)（T＝T0×（T1／T2））が所定値に達したら、研削ユニット送り機構６のパルスモータ６４を逆転駆動し研削ホイール5を上昇せしめる（切削終了工程）。この結果、研削ホイール5による研削作用は終了する。 The thickness (T0) of the basic wafer W measured by the non-contact type thickness measuring instrument 9 is such that the laser beam emitted from the light emitting means 92 is reflected by the upper surface of the basic wafer W and the CCD line as the light receiving means 93 is obtained. It is calculated based on the distance (L) between the position received by the sensor 931 and the position where the light reflected by the lower surface of the base wafer W is received by the CCD line sensor 931 and the incident angle θ. That is, the thickness (T0) of the base wafer W is (T0 = (cosθ / sin2θ) × L). However, since the thickness (T0) of the basic wafer W measured by the non-contact type thickness measuring instrument 9 varies depending on the refractive index of the basic wafer W as described above, what is the accurate thickness of the basic wafer W? I can't say that. Therefore, the control means 10 multiplies the thickness (T0) of the base wafer W by the correction value (T1 / T2) to obtain the thickness (T) of the base wafer W (T = T0 × (T1 / T2)). . When the thickness (T) (T = T0 × (T1 / T2)) of the base wafer W reaches a predetermined value, the control means 10 drives the pulse motor 64 of the grinding unit feed mechanism 6 in the reverse direction to drive the grinding wheel 5 Is raised (cutting end process). As a result, the grinding action by the grinding wheel 5 ends.

以上のように、研削工程においては非接触式の厚み計測器９によって基素ウエーハＷの厚み(T0)を計測しているので、基素ウエーハＷの被研削面に傷がつくことはない。そして、非接触式の厚み計測器９によって計測された基素ウエーハＷの厚み(T0)は、上記補正値（T1／T2）によって補正されるので、基素ウエーハＷの材質によって屈折率が異なっても基素ウエーハＷの正確な厚み(T)に研削することができる。 As described above, since the thickness (T0) of the base wafer W is measured by the non-contact type thickness measuring instrument 9 in the grinding process, the ground surface of the base wafer W is not damaged. Since the thickness (T0) of the base wafer W measured by the non-contact type thickness measuring instrument 9 is corrected by the correction value (T1 / T2), the refractive index varies depending on the material of the base wafer W. However, it can be ground to an accurate thickness (T) of the base wafer W.

次に、上記非接触式の厚み計測器９に替えて非接触式の研削量計測器を用いた例について、図６を参照して説明する。なお、非接触式の研削量計測器以外は上記研削装置１を構成する各部材と同一である。
図６に示す非接触式の研削量計測器９aは、上記計測ケース９１を構成する計測部９１３に配設され上記基素ウエーハＷに対して透過性を有する波長、例えば１１００nmの波長を有するレーザー光線を発振する発光手段としてのレーザーダイオード(LD)９１aと、該レーザーダイオード(LD)９１aから発振されたレーザー光線を図において下方に分光するビームスプリッター９２aと、該ビームスプリッター９２aによって分光されたレーザー光線を集光してチャックテーブル７１に保持された基素ウエーハＷに向けて照射する集光レンズ９３aと、該集光レンズ９３aから照射されたレーザー光線が基素ウエーハＷの上面および下面で反射した反射光を上記ビームスプリッター９２aを介して受光する干渉カウンタ９４aとからなっており、該干渉カウンタ９４aによってカウントされた干渉数を上記制御手段１０に送る。 Next, an example in which a non-contact type grinding amount measuring device is used in place of the non-contact type thickness measuring device 9 will be described with reference to FIG. The members other than the non-contact type grinding amount measuring device are the same as the members constituting the grinding device 1.
A non-contact type grinding amount measuring instrument 9a shown in FIG. 6 is a laser beam that is disposed in the measuring unit 913 constituting the measuring case 91 and has a wavelength that is transmissive to the base wafer W, for example, a wavelength of 1100 nm. A laser diode (LD) 91a as a light emitting means for oscillating a laser beam, a beam splitter 92a for splitting the laser beam oscillated from the laser diode (LD) 91a downward in the figure, and a laser beam split by the beam splitter 92a. A condensing lens 93a that irradiates and irradiates the base wafer W held on the chuck table 71, and a reflected light reflected from the upper and lower surfaces of the base wafer W by the laser beam irradiated from the condensing lens 93a. An interference counter 94a for receiving light through the beam splitter 92a. The number of interferences counted by 94a is sent to the control means 10.

図６に示す非接触式の研削量計測器９aは以上のように構成されており、以下その作用について説明する。
レーザーダイオード(LD)９１aから発振されたレーザー光線は、ビームスプリッター９２aによって分光され、集光レンズ９３aによって集光されてチャックテーブル７１に保持された基素ウエーハＷに照射される。基素ウエーハＷに照射されたレーザー光線は、基素ウエーハＷの上面および下面で反射し、集光レンズ９３aおよびビームスプリッター９２aを介して干渉カウンタ９４aに到達する。ここで、干渉カウンタ９４aに到達する反射光について説明する。基素ウエーハＷが研削されずに上面の高さ位置が変化しない場合には、基素ウエーハＷの上面と下面で反射した反射光の光波は同一周期で推移する。一方、基素ウエーハＷが研削され上面の高さ位置が変化すると、基素ウエーハＷの上面と下面で反射した反射光の光波は次第に周期がずれてくる。図示の実施形態においては、レーザーダイオード(LD)９１aから発振されるレーザー光線は波長(α)が１１００nmに設定されているので、基素ウエーハＷが１１００nm研削される都度、基素ウエーハＷの上面で反射した反射光の光波と基素ウエーハＷの下面で反射した反射光の光波が干渉することになる。従って、この干渉回数(n)を干渉カウンタ９４aによってカウントし、干渉回数(n)に波長(α)を乗算することにより研削量（n×α）を求めることができる。 The non-contact type grinding amount measuring instrument 9a shown in FIG. 6 is configured as described above, and the operation thereof will be described below.
A laser beam oscillated from a laser diode (LD) 91 a is split by a beam splitter 92 a, condensed by a condensing lens 93 a, and applied to a base wafer W held on a chuck table 71. The laser beam applied to the basic wafer W is reflected by the upper and lower surfaces of the basic wafer W, and reaches the interference counter 94a via the condenser lens 93a and the beam splitter 92a. Here, the reflected light reaching the interference counter 94a will be described. When the base wafer W is not ground and the height position of the upper surface does not change, the light waves of the reflected light reflected by the upper and lower surfaces of the base wafer W change in the same period. On the other hand, when the base wafer W is ground and the height position of the upper surface changes, the light waves of the reflected light reflected by the upper and lower surfaces of the base wafer W gradually shift in period. In the illustrated embodiment, since the wavelength (α) of the laser beam oscillated from the laser diode (LD) 91a is set to 1100 nm, each time the basic wafer W is ground by 1100 nm, the upper surface of the basic wafer W is The light wave of the reflected light reflected and the light wave of the reflected light reflected on the lower surface of the base wafer W interfere with each other. Accordingly, the number of times of interference (n) is counted by the interference counter 94a, and the amount of grinding (n × α) can be obtained by multiplying the number of times of interference (n) by the wavelength (α).

図６に示す非接触式の研削量計測器９aを備えた上記研削装置１を用いてウエーハを形成するインゴットから切り出された基素ウエーハＷを所定の厚さに研削する研削方法について説明する。
上記接触式の厚み計測器８を作動してチャックテーブル７１に保持された基素ウエーハＷの加工前の厚み(T1)を計測する加工前の厚み計測工程は、上述した実施形態の第１の加工前の厚み計測工程と同様に実施する。 A grinding method for grinding the base wafer W cut out from the ingot forming the wafer to a predetermined thickness using the grinding apparatus 1 provided with the non-contact type grinding amount measuring device 9a shown in FIG. 6 will be described.
The thickness measuring step before processing for measuring the thickness (T1) before processing of the base wafer W held on the chuck table 71 by operating the contact-type thickness measuring instrument 8 is the first thickness measuring step of the above-described embodiment. It carries out similarly to the thickness measurement process before a process.

次に、研削手段を作動してチャックテーブル７１の上面（保持面）に保持された基素ウエーハＷを研削する研削工程を上述した実施形態と同様実施する。
この研削工程においては、非接触式の研削量計測器９aによって上述したように研削量（n×α）を求めている。この研削量（n×α）を求めることにより、上記加工前の厚み計測工程によって計測された基素ウエーハＷの加工前の厚み(T1)から研削量（n×α）を減算することにより、現在の基素ウエーハＷの厚み(T)を求める（T＝T1−（n×α））ことができる。そして、現在の基素ウエーハＷの厚み(T)（T＝T1−（n×α））が所定値に達したら、制御手段１０は研削ユニット送り機構６のパルスモータ６４を逆転駆動し研削ホイール5を上昇せしめる（切削終了工程）。この結果、研削ホイール5による研削作用は終了する。なお、基素ウエーハＷの厚みを計測している際には、制御手段１０は純水送給手段９５１の電磁開閉弁９５３が附勢(ONして開路する。この結果、純水送給手段９５１から配管９５２および純水が流体通路９１４を介して計測部９１３の下面と基素ウエーハＷの上面（被研削面）との間に供給される。このように研削工程においては非接触式の研削量計測器９aによって基素ウエーハＷの上面（被研削面）を計測して研削量（n×α）を求め、加工前の厚み計測工程によって計測された基素ウエーハＷの加工前の厚み(T1)から研削量（n×α）を減算することにより、現在の基素ウエーハＷの厚み(T)（T＝T1−（n×α））を求めることができるので、基素ウエーハＷの被研削面に傷がつくことはない。 Next, the grinding step of operating the grinding means to grind the base wafer W held on the upper surface (holding surface) of the chuck table 71 is performed in the same manner as in the above-described embodiment.
In this grinding step, the grinding amount (n × α) is obtained by the non-contact type grinding amount measuring instrument 9a as described above. By obtaining this grinding amount (n × α), by subtracting the grinding amount (n × α) from the thickness (T1) before processing of the base wafer W measured by the thickness measuring step before processing, The thickness (T) of the current basic wafer W can be obtained (T = T1− (n × α)). When the current thickness (T) of the basic wafer W (T = T1− (n × α)) reaches a predetermined value, the control means 10 drives the pulse motor 64 of the grinding unit feed mechanism 6 in reverse to drive the grinding wheel. Raise 5 (cutting end process). As a result, the grinding action by the grinding wheel 5 ends. When measuring the thickness of the base wafer W, the control means 10 energizes (turns on and opens the electromagnetic on-off valve 953 of the pure water feeding means 951. As a result, the pure water feeding means. A pipe 952 and pure water are supplied from 951 between the lower surface of the measuring unit 913 and the upper surface (surface to be ground) of the base wafer W via the fluid passage 914. Thus, in the grinding process, a non-contact type is supplied. The grinding amount measuring device 9a measures the upper surface (surface to be ground) of the basic wafer W to obtain the grinding amount (n × α), and the thickness of the basic wafer W before processing measured by the thickness measuring step before processing. By subtracting the grinding amount (n × α) from (T1), the current thickness (T) (T = T1− (n × α)) of the basic wafer W can be obtained. The surface to be ground is not damaged.

次に、上記図６に示す非接触式の研削量計測器９aに替えて他の非接触式の研削量計測器を用いた例について、図７を参照して説明する。なお、非接触式の研削量計測器以外は上記研削装置１を構成する各部材と同一である。
図７に示す非接触式の研削量計測器９bは、上記計測ケース９１を構成する計測部９１３に配設され上記基素ウエーハＷに対して非透過性を有する波長、例えば６５０nmの波長を有するレーザー光線を発振する発光手段としてのレーザーダイオード(LD)９１bと、該レーザーダイオード(LD)９１bから発振されたレーザー光線を図７において下方と右方に分光するビームスプリッター９２ｂと、該ビームスプリッター９２ｂによって図7において下方に分光されたレーザー光線を集光してチャックテーブル７１に保持された基素ウエーハＷに向けて照射する集光レンズ９３ｂと、ビームスプリッター９２ｂによって図７において右方に分光されたレーザー光線を反射するミラー９４bと、該集光レンズ９３bから照射されたレーザー光線が基素ウエーハＷの上面で反射した反射光を上記ビームスプリッター９２bを介して受光するとともに上記反射するミラー９４bによって反射された反射光を上記ビームスプリッター９２bを介して受光する干渉カウンタ９５bとからなっており、該干渉カウンタ９５bによってカウントされた干渉数を上記制御手段１０に送る。 Next, an example in which another non-contact type grinding amount measuring device is used instead of the non-contact type grinding amount measuring device 9a shown in FIG. 6 will be described with reference to FIG. The members other than the non-contact type grinding amount measuring device are the same as the members constituting the grinding device 1.
A non-contact type grinding amount measuring instrument 9b shown in FIG. 7 is disposed in the measurement unit 913 constituting the measurement case 91 and has a wavelength that is non-transparent to the base wafer W, for example, a wavelength of 650 nm. A laser diode (LD) 91b as a light emitting means for oscillating a laser beam, a beam splitter 92b for splitting the laser beam oscillated from the laser diode (LD) 91b downward and to the right in FIG. 7, and the beam splitter 92b 7, the condensing lens 93b that condenses the laser beam dispersed downward and irradiates the base wafer W held on the chuck table 71, and the laser beam dispersed rightward in FIG. 7 by the beam splitter 92b. The reflecting mirror 94b and the laser beam irradiated from the condenser lens 93b are the basic wafer W. And an interference counter 95b that receives the reflected light reflected by the upper surface of the light beam through the beam splitter 92b and receives the reflected light reflected by the reflecting mirror 94b through the beam splitter 92b. The number of interferences counted by the counter 95b is sent to the control means 10.

図７に示す非接触式の研削量計測器９bは以上のように構成されており、以下その作用について説明する。
レーザーダイオード(LD)９１bから発振されたレーザー光線は、ビームスプリッター９２aによって図７において下方に分光され、集光レンズ９３bによって集光されてチャックテーブル７１に保持された基素ウエーハＷに照射される。基素ウエーハＷに照射されたレーザー光線は、基素ウエーハＷの上面で反射し、集光レンズ９３bおよびビームスプリッター９２bを介して干渉カウンタ９５bに到達する。一方、ビームスプリッター９２ｂによって図７において右方に分光されたレーザー光線は、ミラー９４bによって反射され、その反射光がビームスプリッター９２bを介して干渉カウンタ９５bに到達する。ここで、干渉カウンタ９５bに到達する上記２つの反射光について説明する。基素ウエーハＷが研削されずに上面の高さ位置が変化しない場合には、基素ウエーハＷの上面で反射した反射光とミラー９４bによって反射された反射光の光波は同一周期で推移する。一方、基素ウエーハＷが研削され上面の高さ位置が変化すると、基素ウエーハＷの上面で反射した反射光の光波は次第に周期がずれてくる。図示の実施形態においては、レーザーダイオード(LD)９１bから発振されるレーザー光線は波長(α)が６５０nmに設定されているので、基素ウエーハＷが６５０n m研削される都度、基素ウエーハＷの上面で反射した反射光の光波とミラー９４bによって反射された反射光の光波が干渉することになる。従って、この干渉回数(n)を干渉カウンタ９５bによってカウントし、干渉回数(n)に波長(α)を乗算することにより研削量（n×α）を求めることができる。 The non-contact type grinding amount measuring instrument 9b shown in FIG. 7 is configured as described above, and the operation thereof will be described below.
The laser beam oscillated from the laser diode (LD) 91b is split downward in FIG. 7 by the beam splitter 92a, condensed by the condenser lens 93b, and applied to the base wafer W held on the chuck table 71. The laser beam applied to the base wafer W is reflected by the upper surface of the base wafer W and reaches the interference counter 95b via the condenser lens 93b and the beam splitter 92b. On the other hand, the laser beam dispersed rightward in FIG. 7 by the beam splitter 92b is reflected by the mirror 94b, and the reflected light reaches the interference counter 95b via the beam splitter 92b. Here, the two reflected lights reaching the interference counter 95b will be described. When the base wafer W is not ground and the height position of the upper surface does not change, the reflected light reflected by the upper surface of the basic wafer W and the light wave of the reflected light reflected by the mirror 94b change in the same period. On the other hand, when the base wafer W is ground and the height position of the upper surface changes, the light wave of the reflected light reflected by the upper surface of the base wafer W gradually shifts in period. In the illustrated embodiment, the wavelength (α) of the laser beam oscillated from the laser diode (LD) 91b is set to 650 nm. Therefore, each time the basic wafer W is ground by 650 nm, the upper surface of the basic wafer W is The light wave of the reflected light reflected by the light beam interferes with the light wave of the reflected light reflected by the mirror 94b. Therefore, the number of interferences (n) is counted by the interference counter 95b, and the grinding amount (n × α) can be obtained by multiplying the number of interferences (n) by the wavelength (α).

図７に示す非接触式の研削量計測器９bを備えた上記研削装置１を用いてウエーハを形成するインゴットから切り出された基素ウエーハＷを所定の厚さに研削する研削方法について説明する。
上記接触式の厚み計測器８を作動してチャックテーブル７１に保持された基素ウエーハＷの加工前の厚み(T1)を計測する加工前の厚み計測工程は、上述した実施形態の第１の加工前の厚み計測工程と同様に実施する。 A grinding method for grinding the base wafer W cut out from the ingot forming the wafer to a predetermined thickness using the grinding apparatus 1 provided with the non-contact grinding amount measuring device 9b shown in FIG. 7 will be described.
The thickness measuring step before processing for measuring the thickness (T1) before processing of the base wafer W held on the chuck table 71 by operating the contact-type thickness measuring instrument 8 is the first thickness measuring step of the above-described embodiment. It carries out similarly to the thickness measurement process before a process.

次に、研削手段を作動してチャックテーブル７１の上面（保持面）に保持された基素ウエーハＷを研削する研削工程を上述した実施形態と同様実施する。
この研削工程においては、非接触式の研削量計測器９bによって上述したように研削量（n×α）を求めている。この研削量（n×α）を求めることにより、上記加工前の厚み計測工程によって計測された基素ウエーハＷの加工前の厚み(T1)から研削量（n×α）を減算することにより、現在の基素ウエーハＷの厚み(T)（T＝T1−（n×α））を求めることができる。そして、現在の基素ウエーハＷの厚み(T)（T＝T1−（n×α））が所定値に達したら、制御手段１０は研削ユニット送り機構６のパルスモータ６４を逆転駆動し研削ホイール5を上昇せしめる（切削終了工程）。この結果、研削ホイール5による研削作用は終了する。なお、基素ウエーハＷの厚みを計測している際には、制御手段１０は純水送給手段９５１の電磁開閉弁９５３が附勢(ONして開路する。この結果、純水送給手段９５１から配管９５２および純水が流体通路９１４を介して計測部９１３の下面と基素ウエーハＷの上面（被研削面）との間に供給される。このように研削工程においては非接触式の研削量計測器９bによって基素ウエーハＷの上面（被研削面）を計測して研削量（n×α）を求め、加工前の厚み計測工程によって計測された基素ウエーハＷの加工前の厚み(T1)から研削量（n×α）を減算することにより、現在の基素ウエーハＷの厚み(T)を求める（T＝T1−（n×α））ことができるので、基素ウエーハＷの被研削面に傷がつくことはない。 Next, the grinding step of operating the grinding means to grind the base wafer W held on the upper surface (holding surface) of the chuck table 71 is performed in the same manner as in the above-described embodiment.
In this grinding process, the grinding amount (n × α) is obtained by the non-contact type grinding amount measuring instrument 9b as described above. By obtaining this grinding amount (n × α), by subtracting the grinding amount (n × α) from the thickness (T1) before processing of the base wafer W measured by the thickness measuring step before processing, The thickness (T) (T = T1− (n × α)) of the current basic wafer W can be obtained. When the current thickness (T) of the basic wafer W (T = T1− (n × α)) reaches a predetermined value, the control means 10 drives the pulse motor 64 of the grinding unit feed mechanism 6 in reverse to drive the grinding wheel. Raise 5 (cutting end process). As a result, the grinding action by the grinding wheel 5 ends. When measuring the thickness of the base wafer W, the control means 10 energizes (turns on and opens the electromagnetic on-off valve 953 of the pure water feeding means 951. As a result, the pure water feeding means. A pipe 952 and pure water are supplied from 951 between the lower surface of the measuring unit 913 and the upper surface (surface to be ground) of the base wafer W via the fluid passage 914. Thus, in the grinding process, a non-contact type is supplied. The grinding amount measuring device 9b measures the upper surface (surface to be ground) of the basic wafer W to obtain the grinding amount (n × α), and the thickness before processing of the basic wafer W measured by the thickness measuring step before processing. By subtracting the grinding amount (n × α) from (T1), the current thickness (T) of the basic wafer W can be obtained (T = T1− (n × α)). The surface to be ground is not damaged.

本発明に従って構成された研削装置の斜視図。1 is a perspective view of a grinding apparatus constructed according to the present invention. 図１に示す研削装置に装備される非接触式の厚み計測器の構成ブロック図。FIG. 2 is a configuration block diagram of a non-contact type thickness measuring instrument equipped in the grinding apparatus shown in FIG. 1. 図２に示す非接触式の厚み計測器の計測部を拡大して示す断面図。Sectional drawing which expands and shows the measurement part of the non-contact-type thickness measuring device shown in FIG. 図１に示す研削装置に装備される接触式の厚み計測器を用いて実施する第１の加工前の厚み計測工程の説明図。Explanatory drawing of the thickness measurement process before the 1st process implemented using the contact-type thickness measuring device with which the grinding apparatus shown in FIG. 1 is equipped. 図１に示す研削装置を用いて実施する研削工程の説明図。Explanatory drawing of the grinding process implemented using the grinding apparatus shown in FIG. 図１に示す研削装置に装備ざれる非接触式の研削量計測器の一実施形態を示す構成ブロック図。The block diagram which shows one Embodiment of the non-contact-type grinding amount measuring device with which the grinding apparatus shown in FIG. 1 is equipped. 図１に示す研削装置に装備ざれる非接触式の研削量計測器の他の実施形態を示す構成ブロック図。The block diagram which shows other embodiment of the non-contact-type grinding amount measuring device with which the grinding apparatus shown in FIG. 1 is equipped.

Explanation of symbols

２：装置ハウジング
３：研削ユニット
３１：移動基台
４：スピンドルユニット
４１：スピンドルハウジング
４２：回転スピンドル
４３：サーボモータ
４４：ホイールマウント
５：研削ホイール
５１：砥石基台
５２：研削砥石
６：研削ユニット送り機構
６４：パルスモータ
７：チャックテーブル機構
７１：チャックテーブル
８：接触式の厚み計測器
８１：計測用の接触針
９：非接触式の厚み計測器
９１：計測ケース
９２：発光手段
９２１：レーザーダイオード(LD)
９２２：集光レンズ
９３：受光手段
９３１：CCDラインセンサー
９４：透明版
９５：流体供給手段
９５１：純水送給手段
９５３：電磁開閉弁
１０：制御手段 2: Equipment housing 3: Grinding unit 31: Moving base 4: Spindle unit 41: Spindle housing 42: Rotary spindle 43: Servo motor 44: Wheel mount 5: Grinding wheel 51: Grinding wheel base 52: Grinding wheel 6: Grinding unit Feed mechanism 64: Pulse motor 7: Chuck table mechanism 71: Chuck table 8: Contact-type thickness measuring instrument 81: Contact needle for measurement 9: Non-contact-type thickness measuring instrument 91: Measurement case 92: Light emitting means 921: Laser Diode (LD)
922: Condensing lens 93: Light receiving means 931: CCD line sensor 94: Transparent plate 95: Fluid supply means 951: Pure water supply means 953: Electromagnetic switching valve 10: Control means

Claims

A chuck table having a holding surface for holding the workpiece, a grinding means for grinding an upper surface of the workpiece held on the chuck table, and a contact type for measuring the thickness of the workpiece held on the chuck table Thickness measurement device, a non-contact type thickness measurement device that measures the thickness of the workpiece held on the chuck table, and detection signals from the contact type thickness measurement device and the non-contact type thickness measurement device. A control device for controlling the grinding means based on the grinding device,
The control means includes a first thickness measurement step before processing for measuring a thickness (T1) before processing of the workpiece held on the chuck table by the contact type thickness measuring instrument, and the non-contact type thickness measurement. A thickness measurement step before processing of the workpiece (T2) before being processed held by the chuck table on the chuck table, and a workpiece measured by the thickness measurement step before the first processing Based on the thickness (T1) before processing of the workpiece and the thickness (T2) before processing of the workpiece measured by the thickness measuring step before the second processing, the measurement value by the non-contact type thickness measuring device is corrected. A correction value calculating step for obtaining a correction value (T1 / T2) to be performed, and operating the grinding means while measuring the thickness of the workpiece held on the holding surface of the chuck table by operating the non-contact type thickness measuring instrument On the holding surface of the chuck table A value obtained by multiplying the correction value (T1 / T2) by the grinding step of grinding the workpiece to be held and the thickness (T0) of the workpiece measured by the non-contact type thickness measuring instrument reaches a predetermined value. Then, a grinding end process for ending grinding by the grinding means is performed.
A grinding apparatus characterized by that.

The non-contact type thickness measuring device includes: a light emitting unit that irradiates a laser beam having a wavelength that is transmissive to the workpiece; and a light receiving unit that receives reflected light of the laser beam irradiated to the workpiece from the light emitting unit. And the light receiving means measures the distance between the position of the reflected light reflected from the surface of the workpiece in the laser beam irradiated to the workpiece and the position of the reflected light reflected from the back surface of the workpiece. The grinding apparatus according to claim 1, wherein the thickness of the workpiece is obtained.