JP5131718B2 - ゼオライト壁材を有する中空シリカマイクロカプセル及びその製造方法 - Google Patents
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Description
1.細孔壁を有し、細孔壁を形成する壁材がゼオライト構造である中空シリカマイクロカプセルの製造方法であって、
(A)アルカリ金属の珪酸塩の少なくとも1種を含む水溶液に、有機溶剤及び界面活性剤を混合してW/O型乳濁液を得る工程、
(B)得られる乳濁液に、無機酸、有機酸、無機酸のアンモニウム塩、有機酸のアンモニウム塩及びアルカリ金属の炭酸塩からなる群から選ばれた少なくとも1種であって且つ上記アルカリ金属珪酸塩との水溶液反応によって水不溶性の沈殿を形成し得る化合物の水溶液を混合して、中空シリカマイクロカプセルを形成する工程、
(C)界面活性剤を除去するためのアルコール洗浄を行うことなく、中空シリカマイクロカプセルを水洗し、乾燥した後、300〜1000℃程度で焼成する工程、
(D)焼成後の中空シリカマイクロカプセルと構造規定剤(SDA)である水酸化テトラアルキルアンモニウムと水との比率が、シリカ源(中空シリカマイクロカプセル)1モルに対してSDA(水酸化テトラアルキルアンモニウム)が0.05〜0.2モル、且つSDA(水酸化テトラアルキルアンモニウム)1モルに対してH2Oが400〜1300モルとなるような割合で、該シリカマイクロカプセルに構造規定剤を含有する水溶液を含浸させる工程、
(E)構造規定剤含有水溶液を含浸した中空シリカマイクロカプセルを、ゼオライトの結晶化温度まで加熱し、水熱合成反応を行う工程、及び
(F)水熱合成反応後の中空シリカマイクロカプセルから構造規定剤を除去する工程
を含む、中空シリカマイクロカプセルの製造方法。
2.水熱合成反応後の中空シリカマイクロカプセルを乾燥し、焼成することにより、該カプセルから構造規定剤を除去する上記1に記載の製造方法。
3.水熱合成反応後の中空シリカマイクロカプセルを、構造規定剤を溶解し得る溶剤中で還流温度下に加熱し、構造規定剤を溶剤に抽出することにより、該カプセルから構造規定剤を除去する上記1に記載の製造方法。
4.細孔壁を有し、細孔壁を形成する壁材がゼオライト結晶構造である中空シリカマイクロカプセルの製造方法であって、
(A)アルカリ金属の珪酸塩の少なくとも1種を含む水溶液に、有機溶剤及び界面活性剤を混合してW/O型乳濁液を得る工程、
(B)得られる乳濁液に、無機酸、有機酸、無機酸のアンモニウム塩、有機酸のアンモニウム塩及びアルカリ金属の炭酸塩からなる群から選ばれた少なくとも1種であって且つ上記アルカリ金属珪酸塩との水溶液反応によって水不溶性の沈殿を形成し得る化合物の水溶液を混合して、中空シリカマイクロカプセルを形成する工程、
(C)界面活性剤を除去するためのアルコール洗浄を行うことなく、中空シリカマイクロカプセルを水洗し、乾燥した後、300〜1000℃程度で焼成する工程、
(D)焼成後の中空シリカマイクロカプセルと構造規定剤(SDA)であるハロゲン化テトラアルキルアンモニウムと水との比率が、シリカ源(中空シリカマイクロカプセル)1モルに対してSDA(ハロゲン化テトラアルキルアンモニウム)が0.3〜0.75モル、且つSDA(ハロゲン化テトラアルキルアンモニウム)1モルに対してH2Oが80〜180モルとなるような割合で、該シリカマイクロカプセルに構造規定剤を含有する水溶液を含浸させる工程、
(E)構造規定剤含有水溶液を含浸した中空シリカマイクロカプセルを、ゼオライトの結晶化温度まで加熱し、水熱合成反応を行う工程、及び
(F)水熱合成反応後の中空シリカマイクロカプセルから構造規定剤を除去する工程
を含む、中空シリカマイクロカプセルの製造方法。
5.水熱合成反応後の中空シリカマイクロカプセルを乾燥し、焼成することにより、該カプセルから構造規定剤を除去する上記4に記載の製造方法。
6.水熱合成反応後の中空シリカマイクロカプセルを、構造規定剤を溶解し得る溶剤中で還流温度下に加熱し、構造規定剤を溶剤に抽出することにより、該カプセルから構造規定剤を除去する上記4に記載の製造方法。
この工程では、アルカリ金属珪酸塩の少なくとも1種を含む水溶液に、有機溶剤及び界面活性剤を混合してW/O型乳濁液を調製する。
この工程では、(A)工程で得られるW/O型乳濁液(又はO/W/O型乳濁液)に、無機酸、有機酸、無機酸のアンモニウム塩、有機酸のアンモニウム塩及びアルカリ金属の炭酸塩からなる群から選ばれた少なくとも1種であって且つ上記アルカリ金属珪酸塩との水溶液反応によって不溶性のシリカの沈殿を形成し得る化合物(以下この化合物を「沈殿剤」という)の水溶液を混合する。
本発明の方法は、(i)界面活性剤を除去するためのアルコール洗浄を行うことなく、(B)工程で得られた中空シリカマイクロカプセルをそのまま水洗すること、及び(ii)水洗後の中空シリカマイクロカプセルを300〜1000℃程度で焼成することを特徴としている。
また、(B)工程で得られた中空シリカマイクロカプセルをアルコール洗浄することなくそのまま水洗しても、1000℃より高温で焼成した場合、クリストバライトの結晶相が析出してしまい、その後本発明の方法を実施しても、中空シリカマイクロカプセルの形状を保持するが、ゼオライト構造にすることができない(後記比較例3参照)。
(D)工程では、焼成後の中空シリカマイクロカプセルにSDAを含有する水溶液を含浸させる。
[式中、Rは炭素数2〜10のアルキル基を、zは1〜3の整数を示す。]
Rで示される炭素数2〜10のアルキル基は、直鎖状、分枝鎖状及び環状のいずれのアルキル基であってもよい。斯かるアルキル基は、エチル基、n−プロピル基、イソプロピル基又はn−ブチル基が好ましい。
フッ化アンモニウムまたは酸性フッ化アンモニウムが好ましい塩である。これらの塩は溶解性が高く、好ましくない元素を与えず、さらに、それらを使うと後で結晶化物を取り出すのが容易である。このようなフッ素系化合物を使用すると、ゼオライト化処理後の中空シリカマイクロカプセルを容易に単離できるメリットがある。
この工程では、SDA含有水溶液を含浸した中空シリカマイクロカプセルを、ゼオライト変成処理(ゼオライト化)する。この処理は、該中空シリカマイクロカプセルをゼオライトの結晶化温度まで加熱し、水熱合成反応を行うことにより行われる。
この工程では、水熱合成反応後の中空シリカマイクロカプセルから構造規定剤を除去する。
低温でのN2吸脱着等温線は、日本ベル株式会社製の BELSORP-miniの標準的な方法に従って測定した。
A工程:
珪酸ナトリウム水溶液(水ガラス3号)(二酸化珪素として4モル/l)36mlに、ポリオキシエチレンソルビタンモノオレート(Tween80、Rohm & Hass Co. 製)1.0g、ソルビタンモノオレート(Span80、Rohm & Hass Co. 製)0.5g及びn−ヘキサン72mlの混合物を、ホモジナイザー(DIAX900、Heidolph製)を使用して16000rpmで高速撹拌することにより、W/O型乳濁液を調製した。
A工程で得られたW/O型乳濁液を、2.0モル/lの塩化アンモニウム水溶液0.25リットルに加え、3時間撹拌を行うと、沈殿物が生成した。
B工程で得られた沈殿物を濾過し、水洗した後、120℃で12時間乾燥し、次いで700℃で12時間焼成を行った。
テフロン(登録商標)製容器に、C工程で作製した焼成後のマイクロカプセル2g、SDAとして40%含有水酸化テトラ−n−プロピルアンモニウム水溶液2g及びイオン交換水52.71gを入れ、この混合物を30分間撹拌した。これは、シリカ源(中空シリカマイクロカプセル):水酸化テトラ−n−プロピルアンモニウム:H2O=1:0.118:90(組成はモル比)に相当する。
容器に蓋をし、ステンレス製密閉容器に入れた後、170℃で24時間水熱合成反応させた。反応液を冷却し、反応生成物を濾過により取り出し、水洗した後、120℃で12時間乾燥した。更にこの乾燥物を、550℃で1時間焼成することにより、SDAを除去し、シリカの壁材がMFI化された中空のマイクロカプセルを得た。
テフロン(登録商標)製容器に、実施例1のC工程で作製した焼成後のマイクロカプセル2g、SDAとして40%含有水酸化テトラ−n−プロピルアンモニウム水溶液2g及びイオン交換水76.8gを入れ、この混合物を30分間撹拌した。これは、シリカ源(中空シリカマイクロカプセル):SDA:H2O=1:0.118:130(組成はモル比)に相当する。
テフロン(登録商標)製容器に、実施例1のC工程で作製した焼成後のマイクロカプセル2g、SDAとして40%含有水酸化テトラ−n−プロピルアンモニウム水溶液2g及びイオン交換水82.8gを入れ、この混合物を30分間撹拌した。これは、シリカ源(中空シリカマイクロカプセル):SDA:H2O=1:0.118:140(組成はモル比)に相当する。
テフロン(登録商標)製容器に、実施例1のC工程で作製した焼成後のマイクロカプセル2g、SDAとして50%含有水酸化テトラ−n−プロピルアンモニウム水溶液1.08g及びイオン交換水53.4gを入れ、この混合物を30分間撹拌した。これは、シリカ源(中空シリカマイクロカプセル):SDA:H2O=1:0.08:90(組成はモル比)に相当する。
テフロン(登録商標)製容器に、実施例1のC工程で作製した焼成後のマイクロカプセル2g、SDAとして10%含有水酸化テトラ−n−プロピルアンモニウム水溶液8。0g及びイオン交換水64.8gを入れ、この混合物を30分間撹拌した。これは、シリカ源(中空シリカマイクロカプセル):SDA:H2O=1:0.118:120(組成はモル比)に相当する。
テフロン(登録商標)製容器に、実施例1のC工程で作製した焼成後のマイクロカプセル2g、SDAとして10%含有水酸化テトラ−n−プロピルアンモニウム水溶液8g及びイオン交換水82.8gを入れ、この混合物を30分間撹拌した。これは、シリカ源(中空シリカマイクロカプセル):SDA:H2O=1:0.118:150(組成はモル比)に相当する。
テフロン(登録商標)製容器に、実施例1のC工程で作製した焼成後のマイクロカプセル2g、SDAとして40%含有水酸化テトラ−n−プロピルアンモニウム水溶液2g及びイオン交換水34.8gを入れ、この混合物を30分間撹拌した。これは、シリカ源(中空シリカマイクロカプセル):SDA:H2O=1:0.118:60(組成はモル比)に相当する。
テフロン(登録商標)製容器に、実施例1のC工程で作製した焼成後のマイクロカプセル2g、SDAとして40%含有水酸化テトラエチルアンモニウム水溶液1.44g及びイオン交換水53.1gを入れ、この混合物を30分間撹拌した。これは、シリカ源(中空シリカマイクロカプセル):SDA:H2O=1:0.118:90(組成はモル比)に相当する。
テフロン(登録商標)製容器に、実施例1のC工程で作製した焼成後のマイクロカプセル2g、SDAとして40%含有水酸化テトラエチルアンモニウム水溶液1.44g及びイオン交換水77.1gを入れ、この混合物を30分間撹拌した。これは、シリカ源(中空シリカマイクロカプセル):SDA:H2O=1:0.118:130(組成はモル比)に相当する。
テフロン(登録商標)製容器に、実施例1のC工程で作製した焼成後のマイクロカプセル2g、SDAとして40%含有水酸化テトラ−n−ブチルアンモニウム水溶液2.54g及びイオン交換水52.4gを入れ、この混合物を30分間撹拌した。これは、シリカ源(中空シリカマイクロカプセル):SDA:H2O=1:0.118:90(組成はモル比)に相当する。
テフロン(登録商標)製容器に、実施例1のC工程で作製した焼成後のマイクロカプセル2g、SDAとして40%含有水酸化テトラ−n−ブチルアンモニウム水溶液2.54g及びイオン交換水76.4gを入れ、この混合物を30分間撹拌した。これは、シリカ源(中空シリカマイクロカプセル):SDA:H2O=1:0.118:130(組成はモル比)に相当する。
テフロン(登録商標)製容器に、実施例1のC工程で作製した焼成後のマイクロカプセル2g、SDAとして20%含有臭化テトラ−n−プロピルアンモニウム水溶液22.2g、イオン交換水12.22g及びトリエチルアミン1.68gを入れ、この混合物を30分間撹拌した。これは、シリカ源(中空シリカマイクロカプセル):SDA:H2O=1:0.5:50(組成はモル比)に相当する。
テフロン(登録商標)製容器に、実施例1のC工程で作製した焼成後のマイクロカプセル2g、SDAとして20%含有塩化テトラ−n−プロピルアンモニウム水溶液14.8g、イオン交換水18.17g及びトリエチルアミン0.67gを入れ、この混合物を30分間撹拌した。これは、シリカ源(中空シリカマイクロカプセル):SDA:H2O=1:0.4:50(組成はモル比)に相当する。
テフロン(登録商標)製容器に、実施例1のC工程で作製した焼成後のマイクロカプセル2g、SDAとして20%含有塩化メチルトリエチルアンモニウム水溶液12.6g、イオン交換水34.9g及び水酸化ナトリウム0.67gを入れ、この混合物を30分間攪拌した。これはシリカ源(中空シリカマイクロカプセル):SDA:H2O=1:0.5:75(組成はモル比)に相当する。
テフロン(登録商標)製容器に、実施例1のC工程で作製した焼成後のマイクロカプセル2g、SDAとして20%含有塩化メチルトリエチルアンモニウム水溶液10.09g、イオン交換水21.9g及び水酸化ナトリウム0.67gを入れ、この混合物を30分間攪拌した。これはシリカ源(中空シリカマイクロカプセル):SDA:H2O=1:0.4:50(組成はモル比)に相当する。
テフロン(登録商標)製容器に、実施例1のC工程で作製した焼成後のマイクロカプセル2g、SDAとして20%含有塩化メチルトリエチルアンモニウム水溶液12.6g、イオン交換水19.9g及び水酸化ナトリウム0.67gを入れ、この混合物を30分間攪拌した。これはシリカ源(中空シリカマイクロカプセル):SDA:H2O=1:0.5:50(組成はモル比)に相当する。
テフロン(登録商標)製容器に、実施例1のC工程で作製した焼成後のマイクロカプセル2g、SDAとして20%含有臭化メチルトリエチルアンモニウム水溶液16.3g、イオン交換水28.9g及び水酸化ナトリウム0.67gを入れ、この混合物を30分間攪拌した。これはシリカ源(中空シリカマイクロカプセル):SDA:H2O=1:0.5:70(組成はモル比)に相当する。
テフロン(登録商標)製容器に、実施例1のC工程で作製した焼成後のマイクロカプセル2g、SDAとして20%含有臭化メチルトリエチルアンモニウム水溶液16.3g、イオン交換水17.0g及び水酸化ナトリウム0.67gを入れ、この混合物を30分間攪拌した。これはシリカ源(中空シリカマイクロカプセル):SDA:H2O=1:0.5:50(組成はモル比)に相当する。
テフロン(登録商標)製容器に、実施例1のC工程で作製した焼成後のマイクロカプセル2g、SDAとして20%含有臭化メチルトリエチルアンモニウム水溶液16.3g、イオン交換水17.0g及び水酸化ナトリウム0.67gを入れ、この混合物を30分間攪拌した。これはシリカ源(中空シリカマイクロカプセル):SDA:H2O=1:0.5:50(組成はモル比)に相当する。
テフロン(登録商標)製容器に、実施例1のC工程で作製した焼成後のマイクロカプセル2g、SDAとして20%含有塩化メチルトリエチルアンモニウム水溶液12.6g、イオン交換水19.9g及び水酸化ナトリウム0.67gを入れ、この混合物を30分間攪拌した。これはシリカ源(中空シリカマイクロカプセル):SDA:H2O=1:0.5:50(組成はモル比)に相当する。
テフロン(登録商標)製容器に、実施例1のC工程で作製した焼成後のマイクロカプセル2g、SDAとして20%含有塩化メチルトリエチルアンモニウム水溶液12.6g、イオン交換水19.9g及び水酸化ナトリウム0.67gを入れ、この混合物を30分間攪拌した。これはシリカ源(中空シリカマイクロカプセル):SDA:H2O=1:0.5:50(組成はモル比)に相当する。
テフロン(登録商標)製容器に、実施例1のC工程で作製した焼成後のマイクロカプセル2g、SDAとして40%含有水酸化テトラ−n−プロピルアンモニウム水溶液2g及びイオン交換水52.71gを入れ、この混合物を30分間撹拌した。これは、シリカ源(中空シリカマイクロカプセル):SDA:H2O=1:0.118:90(組成はモル比)に相当する。
テフロン(登録商標)製容器に、実施例1のC工程で作製した焼成後のマイクロカプセル2g、SDAとして40%含有水酸化テトラ−n−プロピルアンモニウム水溶液2g及びイオン交換水34.8gを入れ、この混合物を30分間撹拌した。これは、シリカ源(中空シリカマイクロカプセル):SDA:H2O=1:0.118:60(モル比)に相当する。
テフロン(登録商標)製容器に、実施例1のC工程で作製した焼成後のマイクロカプセル2g、SDAとして40%含有水酸化テトラ−n−プロピルアンモニウム水溶液2g及びイオン交換水28.8gを入れ、この混合物を30分間撹拌した。これは、シリカ源(中空シリカマイクロカプセル):SDA:H2O=1:0.118:50(モル比)に相当する。
テフロン(登録商標)製容器に、実施例1のC工程で作製した焼成後のマイクロカプセル2g、SDAとして40%含有水酸化テトラ−n−プロピルアンモニウム水溶液2g及びイオン交換水40.78gを入れ、この混合物を30分間撹拌した。これは、シリカ源(中空シリカマイクロカプセル):SDA:H2O=1:0.118:70(モル比)に相当する。
テフロン(登録商標)製容器に、実施例1のC工程で作製した焼成後のマイクロカプセル2g、SDAとして40%含有水酸化テトラ−n−プロピルアンモニウム水溶液1.69g及びイオン交換水23.0gを入れ、この混合物を30分間撹拌した。これは、シリカ源(中空シリカマイクロカプセル):SDA:H2O=1:0.1:40(モル比)に相当する。
テフロン(登録商標)製容器に、実施例1のC工程で作製した焼成後のマイクロカプセル2g、SDAとして20%含有水酸化テトラ−n−プロピルアンモニウム水溶液4g及びイオン交換水50.77gを入れ、この混合物を30分間撹拌した。これは、シリカ源(中空シリカマイクロカプセル):SDA:H2O=1:0.118:90(モル比)に相当する。
テフロン(登録商標)製容器に、実施例1のC工程で作製した焼成後のマイクロカプセル2g、SDAとして20%含有水酸化テトラ−n−プロピルアンモニウム水溶液4g及びイオン交換水56.8gを入れ、この混合物を30分間撹拌した。これは、シリカ源(中空シリカマイクロカプセル):SDA:H2O=1:0.118:100(モル比)に相当する。
テフロン(登録商標)製容器に、実施例1のC工程で作製した焼成後のマイクロカプセル2g、SDAとして20%含有塩化メチルトリエチルアンモニウム水溶液12.6g、イオン交換水44.0g及び水酸化ナトリウム0.67gを入れ、この混合物を30分間攪拌した。これはシリカ源(中空シリカマイクロカプセル):SDA:H2O=1:0.5:90(組成はモル比)に相当する。
実施例1の(B)工程で作製した中空シリカマイクロカプセルをメタノールで洗浄して、(A)工程で使用した界面活性剤を除去し、次いで水洗した後、120℃で12時間乾燥し、次いで700℃で12時間焼成を行った。テフロン(登録商標)製容器に、この焼成したマイクロカプセル2g、SDAとして40%含有水酸化テトラ−n−プロピルアンモニウム水溶液2.0g及びイオン交換水52.71gを入れ、この混合物を30分間攪拌した。これは、シリカ源(中空シリカマイクロカプセル):SDA:H2O=1:0.118:90(組成はモル比)に相当する。
実施例1の(B)工程で作製した中空シリカマイクロカプセルをアルコール洗浄を行わずに、水洗を行い、200℃で12時間焼成を行った。テフロン(登録商標)製容器に、この焼成したマイクロカプセル2g、SDAとして40%含有水酸化テトラ−n−プロピルアンモニウム水溶液2.0g及びイオン交換水52.71gを入れ、この混合物を30分間攪拌した。これは、シリカ源(中空シリカマイクロカプセル):SDA:H2O=1:0.118:90(組成はモル比)に相当する。
実施例1の(B)工程で作製した中空シリカマイクロカプセルをアルコール洗浄を行わずに、水洗を行い、1100℃で12時間焼成を行った。焼成後の中空シリカマイクロカプセルはクリストバライトの結晶相が析出していた。テフロン(登録商標)製容器に、この焼成したマイクロカプセル2g、SDAとして40%含有水酸化テトラ−n−プロピルアンモニウム水溶液2.0g及びイオン交換水52.71gを入れ、この混合物を30分間攪拌した。これは、シリカ源(中空シリカマイクロカプセル):SDA:H2O=1:0.118:90(組成はモル比)に相当する。
テフロン(登録商標)製容器に、実施例1のC工程で作製した焼成後のマイクロカプセル2g、SDAとして40%含有水酸化テトラ−n−プロピルアンモニウム水溶液0.51g、イオン交換水77.7gを入れ、この混合物を30分間攪拌した。これはシリカ源(中空シリカマイクロカプセル):SDA:H2O=1:0.03:130(組成はモル比)に相当する。
テフロン(登録商標)製容器に、実施例1のC工程で作製した焼成後のマイクロカプセル2g、SDAとして40%含有水酸化テトラ−n−プロピルアンモニウム水溶液0.85g、イオン交換水113.4gを入れ、この混合物を30分間攪拌した。これはシリカ源(中空シリカマイクロカプセル):SDA:H2O=1:0.05:190(組成はモル比)に相当する。
テフロン(登録商標)製容器に、実施例1のC工程で作製した焼成後のマイクロカプセル2g、SDAとして40%含有水酸化テトラ−n−プロピルアンモニウム水溶液4.1g、イオン交換水15.6gを入れ、この混合物を30分間攪拌した。これはシリカ源(中空シリカマイクロカプセル):SDA:H2O=1:0.24:30(組成はモル比)に相当する。
テフロン(登録商標)製容器に、実施例1のC工程で作製した焼成後のマイクロカプセル2g、SDAとして40%含有水酸化テトラ−n−プロピルアンモニウム水溶液4.1g、イオン交換水69.5gを入れ、この混合物を30分間攪拌した。これはシリカ源(中空シリカマイクロカプセル):SDA:H2O=1:0.24:120(組成はモル比)に相当する。
テフロン(登録商標)製容器に、実施例1のC工程で作製した焼成後のマイクロカプセル2g、SDAとして40%含有水酸化テトラ−n−プロピルアンモニウム水溶液0.85g、イオン交換水113.4gを入れ、この混合物を30分間攪拌した。これはシリカ源(中空シリカマイクロカプセル):SDA:H2O=1:0.05:190(組成はモル比)に相当する。
テフロン(登録商標)製容器に、実施例1のC工程で作製した焼成後のマイクロカプセル2g、SDAとして40%含有水酸化テトラ−n−プロピルアンモニウム水溶液1.7g、イオン交換水95.0gを入れ、この混合物を30分間攪拌した。これはシリカ源(中空シリカマイクロカプセル):SDA:H2O=1:0.25:160(組成はモル比)に相当する。
テフロン(登録商標)製容器に、実施例1のC工程で作製した焼成後のマイクロカプセル2g、SDAとして40%含有水酸化テトラ−n−プロピルアンモニウム水溶液2.03g、イオン交換水5.98gを入れ、この混合物を30分間攪拌した。これはシリカ源(中空シリカマイクロカプセル):SDA:H2O=1:0.12:12(組成はモル比)に相当する。
テフロン(登録商標)製容器に、実施例1のC工程で作製した焼成後のマイクロカプセル2g、SDAとして40%含有水酸化テトラエチルアンモニウム水溶液1.22g、イオン交換水101.2gを入れ、この混合物を30分間攪拌した。これはシリカ源(中空シリカマイクロカプセル):SDA:H2O=1:0.25:170(組成はモル比)に相当する。
テフロン(登録商標)製容器に、実施例1のC工程で作製した焼成後のマイクロカプセル2g、SDAとして20%含有臭化メチルトリエチルアンモニウム水溶液6.52g、イオン交換水24.8g及び水酸化ナトリウム0.67gを入れ、この混合物を30分間攪拌した。これはシリカ源(中空シリカマイクロカプセル):SDA:H2O=1:0.2:50(組成はモル比)に相当する。
テフロン(登録商標)製容器に、実施例1のC工程で作製した焼成後のマイクロカプセル2g、SDAとして20%含有臭化メチルトリエチルアンモニウム水溶液16.32g、イオン交換水4.9g及び水酸化ナトリウム0.67gを入れ、この混合物を30分間攪拌した。これはシリカ源(中空シリカマイクロカプセル):SDA:H2O=1:0.5:30(組成はモル比)に相当する。
Claims (6)
- 細孔壁を有し、細孔壁を形成する壁材がゼオライト構造である中空シリカマイクロカプセルの製造方法であって、
(A)アルカリ金属の珪酸塩の少なくとも1種を含む水溶液に、有機溶剤及び界面活性剤を混合してW/O型乳濁液を得る工程、
(B)得られる乳濁液に、無機酸、有機酸、無機酸のアンモニウム塩、有機酸のアンモニウム塩及びアルカリ金属の炭酸塩からなる群から選ばれた少なくとも1種であって且つ上記アルカリ金属珪酸塩との水溶液反応によって水不溶性の沈殿を形成し得る化合物の水溶液を混合して、中空シリカマイクロカプセルを形成する工程、
(C)界面活性剤を除去するためのアルコール洗浄を行うことなく、中空シリカマイクロカプセルを水洗し、乾燥した後、300〜1000℃程度で焼成する工程、
(D)焼成後の中空シリカマイクロカプセルと構造規定剤(SDA)である水酸化テトラアルキルアンモニウムと水との比率が、シリカ源(中空シリカマイクロカプセル)1モルに対してSDA(水酸化テトラアルキルアンモニウム)が0.05〜0.2モル、且つSDA(水酸化テトラアルキルアンモニウム)1モルに対してH2Oが400〜1300モルとなるような割合で、該シリカマイクロカプセルに構造規定剤を含有する水溶液を含浸させる工程、
(E)構造規定剤含有水溶液を含浸した中空シリカマイクロカプセルを、ゼオライトの結晶化温度まで加熱し、水熱合成反応を行う工程、及び
(F)水熱合成反応後の中空シリカマイクロカプセルから構造規定剤を除去する工程
を含む、中空シリカマイクロカプセルの製造方法。 - 水熱合成反応後の中空シリカマイクロカプセルを乾燥し、焼成することにより、該カプセルから構造規定剤を除去する請求項1に記載の製造方法。
- 水熱合成反応後の中空シリカマイクロカプセルを、構造規定剤を溶解し得る溶剤中で還流温度下に加熱し、構造規定剤を溶剤に抽出することにより、該カプセルから構造規定剤を除去する請求項1に記載の製造方法。
- 細孔壁を有し、細孔壁を形成する壁材がゼオライト結晶構造である中空シリカマイクロカプセルの製造方法であって、
(A)アルカリ金属の珪酸塩の少なくとも1種を含む水溶液に、有機溶剤及び界面活性剤を混合してW/O型乳濁液を得る工程、
(B)得られる乳濁液に、無機酸、有機酸、無機酸のアンモニウム塩、有機酸のアンモニウム塩及びアルカリ金属の炭酸塩からなる群から選ばれた少なくとも1種であって且つ上記アルカリ金属珪酸塩との水溶液反応によって水不溶性の沈殿を形成し得る化合物の水溶液を混合して、中空シリカマイクロカプセルを形成する工程、
(C)界面活性剤を除去するためのアルコール洗浄を行うことなく、中空シリカマイクロカプセルを水洗し、乾燥した後、300〜1000℃程度で焼成する工程、
(D)焼成後の中空シリカマイクロカプセルと構造規定剤(SDA)であるハロゲン化テトラアルキルアンモニウムと水との比率が、シリカ源(中空シリカマイクロカプセル)1モルに対してSDA(ハロゲン化テトラアルキルアンモニウム)が0.3〜0.75モル、且つSDA(ハロゲン化テトラアルキルアンモニウム)1モルに対してH2Oが80〜180モルとなるような割合で、該シリカマイクロカプセルに構造規定剤を含有する水溶液を含浸させる工程、
(E)構造規定剤含有水溶液を含浸した中空シリカマイクロカプセルを、ゼオライトの結晶化温度まで加熱し、水熱合成反応を行う工程、及び
(F)水熱合成反応後の中空シリカマイクロカプセルから構造規定剤を除去する工程
を含む、中空シリカマイクロカプセルの製造方法。 - 水熱合成反応後の中空シリカマイクロカプセルを乾燥し、焼成することにより、該カプセルから構造規定剤を除去する請求項4に記載の製造方法。
- 水熱合成反応後の中空シリカマイクロカプセルを、構造規定剤を溶解し得る溶剤中で還流温度下に加熱し、構造規定剤を溶剤に抽出することにより、該カプセルから構造規定剤を除去する請求項4に記載の製造方法。
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