JP5130803B2 - Wiring board composite - Google Patents

Wiring board composite Download PDF

Info

Publication number
JP5130803B2
JP5130803B2 JP2007174773A JP2007174773A JP5130803B2 JP 5130803 B2 JP5130803 B2 JP 5130803B2 JP 2007174773 A JP2007174773 A JP 2007174773A JP 2007174773 A JP2007174773 A JP 2007174773A JP 5130803 B2 JP5130803 B2 JP 5130803B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
wiring board
metal pattern
board composite
wiring
composite
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
JP2007174773A
Other languages
Japanese (ja)
Other versions
JP2009016466A (en
Inventor
克 菊池
伸也 船戸
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
NEC Corp
Original Assignee
NEC Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by NEC Corp filed Critical NEC Corp
Priority to JP2007174773A priority Critical patent/JP5130803B2/en
Publication of JP2009016466A publication Critical patent/JP2009016466A/en
Application granted granted Critical
Publication of JP5130803B2 publication Critical patent/JP5130803B2/en
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Landscapes

  • Structure Of Printed Boards (AREA)

Description

本発明は、基板分割用の金属パターンを有する配線基板複合に関し、特に、配線基板を任意形状に分割できるようにした配線基板複合体に関する。   The present invention relates to a wiring board composite having a metal pattern for substrate division, and more particularly to a wiring board composite that can divide a wiring board into arbitrary shapes.

近年、携帯機器に見られるように電子機器の急激な小型化、薄型化、高密度化が進んでおり、そして半導体素子の高速化、および高機能化に伴う端子数増加により、機器実装や半導体素子実装について、使用される配線基板や半導体素子を搭載した半導体装置に対して薄型化、軽量化、高密度化等の特性が求められている。さらに、より小型化への対応のために、電子機器のマザーボードの面積を有効利用するスペースマネージメントが盛んに行われている。このような機器全体としての最適空間利用において、搭載される半導体装置も空間にあわせた形状とすることが求められている。
一方、配線基板や半導体装置が小型化されたことにより、効率的に製造を行なうために多数取りの複合配線基板にて配線基板の製造を行ない、製造後に個々の配線基板に分離・分割することが一般化してきている(例えば、特許文献1参照)。特許文献1に記載された方法では、配線基板上に半導体素子を搭載し、樹脂封止を行なった後、直交するカットラインに沿ってダイシングやスライシングを行ない、個々のパッケージに分割する。また、複合配線基板を分割する際に、分割を効率的にかつ容易に行なえるようにするために、基板にブレーク溝を設けたり(例えば、特許文献2参照)、あるいはスリットを入れたり(例えば、特許文献3参照)することも提案されている。
特開2001−338933号公報 特開2006−86221号公報 特開2000−228566号公報
In recent years, electronic devices have been rapidly downsized, thinned, and densified as seen in portable devices, and due to the increase in the number of terminals associated with higher speeds and higher functionality of semiconductor elements, the mounting of devices and semiconductors With respect to element mounting, characteristics such as thinning, lightening, and high density are required for a wiring board and a semiconductor device on which a semiconductor element is mounted. Furthermore, in order to cope with further downsizing, space management that effectively uses the area of the mother board of electronic equipment is actively performed. In such optimal use of space for the entire device, a semiconductor device to be mounted is also required to have a shape that matches the space.
On the other hand, due to the miniaturization of wiring boards and semiconductor devices, wiring boards are manufactured with multiple composite wiring boards for efficient manufacturing, and separated and divided into individual wiring boards after manufacturing. Has been generalized (see, for example, Patent Document 1). In the method described in Patent Document 1, a semiconductor element is mounted on a wiring board, resin-sealed, and then dicing or slicing is performed along cut lines that are orthogonal to each other to divide into individual packages. In addition, when dividing a composite wiring board, a break groove is provided in the substrate (for example, refer to Patent Document 2) or a slit is formed (for example, in order to perform division efficiently and easily) (for example, , See Patent Document 3).
JP 2001-338933 A JP 2006-86221 A Japanese Patent Application Laid-Open No. 2000-228566

上述した従来技術は、いずれも直交する2方向での分割が基本となっており、正方形や長方形の形状の配線基板に対しては有効であるが、近年では高密度実装のために様々な形状の基板が要望されるようになってきているのに対しこの要求について対応することができない。この場合に、基板単体としては、ルータ装置により任意形状に加工できるが、200μmより薄い基板では複数枚での加工が行いにくくなり、加工時間が増加してしまう。
また、複合基板を分割するのに特許文献2に記載されたような予めブレーク溝を形成しておく手法は、樹脂基板、特に薄型の樹脂基板に対しては適用が困難である。また、特許文献3に記載された、複合基板にスリットを設ける手法は、スリットを形成するのに、金型による打ち抜きやルータ装置による加工が必要となる。ここで、金型による打ち抜きを行なうには、様々な形状の基板に対応するために基板の形状毎に金型を用意する必要があり、コスト高になってしまう。また、ルータ加工を行なう場合は、薄型基板については上記したように加工が困難で加工時間が増加してしまう。
本発明の課題は、上述した従来技術の問題点を解決することであって、その目的は、金型による打ち抜きやルータ加工などの手段を用いることなく、任意の形状の配線基板や半導体装置を容易に製造し得るようにすることである。
The above-described conventional techniques are basically divided in two orthogonal directions, and are effective for square or rectangular wiring boards. However, in recent years, various shapes are required for high-density mounting. However, this requirement cannot be met. In this case, the substrate alone can be processed into an arbitrary shape by the router device. However, it is difficult to process a plurality of substrates with a substrate thinner than 200 μm, and the processing time increases.
In addition, the method of previously forming a break groove as described in Patent Document 2 for dividing the composite substrate is difficult to apply to a resin substrate, particularly a thin resin substrate. Further, the method of providing a slit in a composite substrate described in Patent Document 3 requires punching with a mold or processing with a router device in order to form the slit. Here, in order to perform punching with a metal mold, it is necessary to prepare a metal mold for each shape of the substrate in order to cope with various shapes of substrates, resulting in an increase in cost. Also, when performing router processing, processing of thin substrates is difficult and processing time increases as described above.
An object of the present invention is to solve the above-mentioned problems of the prior art, and an object thereof is to provide a wiring board or a semiconductor device having an arbitrary shape without using means such as punching by a mold or router processing. It is to make it easy to manufacture.

上記の目的を達成するため、本発明によれば、絶縁層と配線層とを有する配線基板が間に分割領域を挟んで複数設けられた配線基板複合体であって、前記分割領域が前記配線基板複合体を分割する金属パターンを有し、前記配線基板および前記分割領域が支持体上に設けられ、前記支持体と前記配線基板との界面に密着力が低い低密着層が形成されており、前記分割領域の全体が前記金属パターンにより形成されていることを特徴とする配線基板複合体、が提供される。 In order to achieve the above object, according to the present invention, there is provided a wiring board composite in which a plurality of wiring boards each having an insulating layer and a wiring layer are provided with a divided area interposed therebetween, wherein the divided area is the wiring. have a Rukin genus pattern to divide the substrate conjugate, the wiring board and the divided regions are provided on a support, the support and interfacial adhesion strength is low low adhesion layer between the wiring substrate is formed A wiring board composite is provided , wherein the entire divided region is formed of the metal pattern .

本発明の配線基板複合体によれば、任意の形状で配線基板を分割できる金属パターンを有しており、この金属パターンを引き抜くことによって配線基板複合体を個々の配線基板に分離することが可能になる。この金属パターンの機能は、タバコなどの製品の包装用フィルムを開封する際に使用するカットテープに類似している。これらの製品の包装用フィルムは、カットテープの一端を摘んで製品の周囲に沿って引き上げることによって、容易に二つに分断することができる。同様にして、本発明においては、基板分割用に設けられた金属パターンを配線基板複合体から引き抜くことによって配線基板複合体を個々の配線基板(あるいは半導体装置)に分割することができる。ここで、金属パターンの平面上のパターンは、必要な配線基板の平面形状に合わせて任意の形状に形成することができるので、最適形状の配線基板(あるいは半導体装置)を容易に形成することができる。また、配線基板の全厚に等しいあるいはそれ以上の厚さの金属パターンを形成する場合には、配線基板の側面形状は金属パターンのそれに倣うので、金属パターンの断面形状を適宜に設計することにより、実装に最適な断面形状の配線基板を容易に得ることができる。配線基板の形状を適宜に制御することができるため、搭載される半導体素子や電子部品を高密度に搭載できると共に、配線基板を搭載する実装基板の小型化にも寄与できる。また、支持体を用いる配線基板複合体では、支持体により剛性を増加させることができるため、製造および搬送におけるハンドリング性を向上させることができ、歩留まりを向上させることができる。   According to the wiring board composite of the present invention, it has a metal pattern that can divide the wiring board in an arbitrary shape, and the wiring board composite can be separated into individual wiring boards by pulling out the metal pattern. become. The function of this metal pattern is similar to a cut tape used to open a packaging film for products such as tobacco. The packaging films for these products can be easily divided into two by picking one end of the cut tape and pulling it up along the periphery of the product. Similarly, in the present invention, the wiring board composite can be divided into individual wiring boards (or semiconductor devices) by pulling out the metal pattern provided for dividing the board from the wiring board composite. Here, the pattern on the plane of the metal pattern can be formed in an arbitrary shape in accordance with the planar shape of the required wiring board, so that an optimally shaped wiring board (or semiconductor device) can be easily formed. it can. In addition, when forming a metal pattern with a thickness equal to or greater than the total thickness of the wiring board, the side surface shape of the wiring board follows that of the metal pattern, so by appropriately designing the cross-sectional shape of the metal pattern Thus, it is possible to easily obtain a wiring board having a cross-sectional shape optimum for mounting. Since the shape of the wiring board can be appropriately controlled, the mounted semiconductor elements and electronic components can be mounted at a high density, and the mounting board on which the wiring board is mounted can also be reduced in size. Moreover, in the wiring board composite body using a support, since the rigidity can be increased by the support, the handling property in manufacturing and transport can be improved, and the yield can be improved.

以下、本発明の実施の形態について図面を参照して具体的に説明する。なお、本発明の実施の形態を示す図1〜図29において、同一機能を有する部分には同一の参照符号付せられており、重複する説明は適宜省略される。
(配線基板複合体)
図1は、本発明の配線基板複合体の第1の実施の形態の一例を示す上面図である。また、図4、図5は、同第1の実施の形態の他の例を示す部分上面図である。そして、図2、図3は、同第1の実施の形態のいくつかの例を示す断面図である。図1に示すように、本実施の形態の配線基板複合体11は、絶縁層と配線層(図示せず)から構成される複数の配線基板12と配線基板12間に介在する分割領域13とから構成される。分割領域13には、配線基板12を分割するための金属パターン13aが設けられている。
配線基板12は、1以上の配線層と絶縁層から成り、複数層の配線層を有する場合は、配線層間を接続するビア(図示せず)が設けられて電気的に接続されている。さらに、搭載される半導体素子や電子部品に適した接続端子が形成されている。分割領域13には、金属パターン13aの外、配線基板12の絶縁層の中の幾つかと同層の絶縁層が設けられることがある。
Hereinafter, embodiments of the present invention will be specifically described with reference to the drawings. 1 to 29 showing the embodiment of the present invention, portions having the same function are denoted by the same reference numerals, and redundant description is omitted as appropriate.
(Wiring board composite)
FIG. 1 is a top view showing an example of the first embodiment of the wiring board composite of the present invention. 4 and 5 are partial top views showing other examples of the first embodiment. 2 and 3 are cross-sectional views showing some examples of the first embodiment. As shown in FIG. 1, the wiring board composite 11 according to the present embodiment includes a plurality of wiring boards 12 each including an insulating layer and a wiring layer (not shown), and divided regions 13 interposed between the wiring boards 12. Consists of In the divided region 13, a metal pattern 13 a for dividing the wiring board 12 is provided.
The wiring board 12 is composed of one or more wiring layers and insulating layers. When the wiring board 12 has a plurality of wiring layers, vias (not shown) for connecting the wiring layers are provided and electrically connected. Furthermore, connection terminals suitable for semiconductor elements and electronic components to be mounted are formed. In addition to the metal pattern 13a, the divided region 13 may be provided with the same insulating layer as some of the insulating layers of the wiring board 12.

配線層の主たる材料は、銅、金、ニッケル、アルミニウム、銀、パラジウムのいずれか若しくは複数の材料から構成されるが、銅が抵抗値やコストの面で最も望ましい。また、ニッケルは、絶縁材料等の他の材料との界面反応を防止できる。また、抵抗配線として使用することもできる。配線層は、前述の如く例えば銅により好ましく形成され、その厚さは例えば10μmである。配線層は、例えばサブトラクティブ法、セミアディティブ法またはフルアディティブ法等の方法により形成する。サブトラクティブ法は、基板上に設けられた銅箔上に所望のパターンのレジストを形成し、これをマスクに不要な銅箔をエッチングした後に、レジストを剥離して所望のパターンを得る方法である。セミアディティブ法は、無電解めっき法、スパッタ法、CVD(Chemical Vapor Deposition)法等で給電層を形成した後、所望のパターンに開口されたレジストを形成し、レジスト開口部内に電解めっき法による金属を析出させ、レジストを除去した後に給電層をエッチングして所望の配線パターンを得る方法である。フルアディティブ法は、基板上に無電解めっき触媒を吸着させた後に、レジストでパターンを形成し、このレジストを絶縁膜として残したまま触媒を活性化し、無電解めっき法により絶縁膜の開口部に金属を析出させることで所望の配線パターンを得る方法である。また、配線層が設けられる絶縁層(図示せず)に配線パターンとなる凹部を設けておき、無電解めっき法、スパッタ法、CVD法等で給電層を形成した後、無電解めっき法や電解めっき法により凹部を埋め込み、表面を研磨により平坦化する埋込み配線法を用いても構わない。   The main material of the wiring layer is composed of one or a plurality of materials of copper, gold, nickel, aluminum, silver, palladium, and copper is most desirable in terms of resistance value and cost. Nickel can also prevent interfacial reactions with other materials such as insulating materials. It can also be used as a resistance wiring. As described above, the wiring layer is preferably formed of copper, for example, and has a thickness of 10 μm, for example. The wiring layer is formed by a method such as a subtractive method, a semi-additive method, or a full additive method. The subtractive method is a method in which a resist having a desired pattern is formed on a copper foil provided on a substrate, an unnecessary copper foil is etched using the resist as a mask, and then the resist is peeled to obtain a desired pattern. . In the semi-additive method, after a power feeding layer is formed by an electroless plating method, a sputtering method, a CVD (Chemical Vapor Deposition) method, etc., a resist having an opening in a desired pattern is formed, and a metal by electrolytic plating is formed in the resist opening. Is deposited, and after removing the resist, the power feeding layer is etched to obtain a desired wiring pattern. In the full additive method, after an electroless plating catalyst is adsorbed on a substrate, a pattern is formed with a resist, and the catalyst is activated while leaving the resist as an insulating film. In this method, a desired wiring pattern is obtained by depositing metal. In addition, a recess serving as a wiring pattern is provided in an insulating layer (not shown) on which a wiring layer is provided, and a power supply layer is formed by an electroless plating method, a sputtering method, a CVD method, etc. An embedded wiring method in which the concave portion is embedded by plating and the surface is flattened by polishing may be used.

絶縁層は、例えば感光性または非感光性の有機材料で形成されており、有機材料としては、例えば、エポキシ樹脂、エポキシアクリレート樹脂、ウレタンアクリレート樹脂、ポリエステル樹脂、フェノール樹脂、ポリイミド樹脂、BCB(benzocyclobutene)、PBO(polybenzoxazole)、ポリノルボルネン樹脂等や、ガラスクロスやアラミド繊維などで形成された織布や不織布にエポキシ樹脂、エポキシアクリレート樹脂、ウレタンアクリレート樹脂、ポリエステル樹脂、フェノール樹脂、ポリイミド樹脂、BCB(benzocyclobutene)、PBO(polybenzoxazole)、ポリノルボルネン樹脂等を含浸させた材料を用いる。特に、ポリイミド樹脂、PBO、および織布や不織布を用いた材料は、膜強度、引張弾性率および破断伸び率等の機械的特性が優れているため、高い信頼性を得ることができる。   The insulating layer is formed of, for example, a photosensitive or non-photosensitive organic material, and examples of the organic material include an epoxy resin, an epoxy acrylate resin, a urethane acrylate resin, a polyester resin, a phenol resin, a polyimide resin, and a BCB (benzocyclobutene). ), PBO (polybenzoxazole), polynorbornene resin, etc., woven or non-woven fabrics made of glass cloth, aramid fiber, etc., epoxy resin, epoxy acrylate resin, urethane acrylate resin, polyester resin, phenol resin, polyimide resin, BCB ( A material impregnated with benzocyclobutylene), PBO (polybenzoxole), polynorbornene resin, or the like is used. In particular, a material using polyimide resin, PBO, and woven or non-woven fabric has excellent mechanical properties such as film strength, tensile elastic modulus, and elongation at break, and thus high reliability can be obtained.

ビアは、絶縁層内に設けられ、上下の配線層間を接続する。これは、絶縁層にビアホールを設けた後に上層の配線層を形成する際に同時にビアホール内に導電体を充填してもよく、別途、ビアホール内に導電性材料を充填若しくはビアホール壁面に導電性材料を塗布するようにしてもよい。絶縁層に設けられるビアホールは、感光性の材料を使用する場合、ビアの断面形状にあわせてフォトリソグラフィーにより形成される。非感光性の材料または、感光性の材料でパターン解像度が低い材料を使用する場合、ビアホールは、レーザ加工法、ドライエッチング法またはブラスト法により形成される。また、ビアの位置に予めめっきポストを形成した後に絶縁膜を形成し、研磨により絶縁膜表面を削ってめっきポストを露出させてビアを形成するようにしてもよい。この方法によれば、絶縁層に予めビアホールを設ける必要はない。さらに、半導体素子と配線層間および各配線層間において、インダクタ結合、キャパシタ結合、無線で信号の伝達を行う場合は、必ずしもビアは必要とならない。さらにまた、配線層を設ける絶縁層が傾斜を持った形状で開口部を設け、上下の配線層が直接接続される状態としても構わない。さらにまた、一部が光結合により信号の伝達が行われていても構わなく、この場合は、配線層が光配線となっていてもよい。   The via is provided in the insulating layer and connects the upper and lower wiring layers. When the upper wiring layer is formed after providing the via hole in the insulating layer, the via hole may be filled with a conductor at the same time. Alternatively, the via hole may be filled with a conductive material or the via hole wall surface may be filled with a conductive material. You may make it apply | coat. When using a photosensitive material, the via hole provided in the insulating layer is formed by photolithography in accordance with the cross-sectional shape of the via. When a non-photosensitive material or a photosensitive material having a low pattern resolution is used, the via hole is formed by a laser processing method, a dry etching method, or a blast method. Alternatively, an insulating film may be formed after a plating post is previously formed at the via position, and the via may be formed by grinding the surface of the insulating film by polishing to expose the plating post. According to this method, there is no need to provide a via hole in the insulating layer in advance. Furthermore, vias are not necessarily required when signals are transmitted between the semiconductor element and the wiring layer and between the wiring layers by inductor coupling, capacitor coupling, and radio. Furthermore, the insulating layer on which the wiring layer is provided may have an opening with an inclined shape, and the upper and lower wiring layers may be directly connected. Furthermore, a part of the signal may be transmitted by optical coupling. In this case, the wiring layer may be an optical wiring.

金属パターン13aは、図2、3に示した断面図の例の通り、少なくとも配線基板複合体11の片側の最外層に一部が露出するように設けられている。図2(a)は、配線基板複合体11の片面上に金属パターン13aが設けられた構造を示している。この場合、分割領域13の絶縁層は、配線基板12の絶縁層と一致している。また、この構造では、後から分割用の金属パターン13aを設けることができ、配線基板12の仕上がりにあわせたパターン調整が容易となる。図2(b)は、配線基板複合体11の片面に金属パターン13aの一部が露出するように埋設されている構造を示している。この場合、分割領域13の絶縁層は、配線基板12の絶縁層の一部が除去された構造となっている。また、この構造では、金属パターン13aを設けた絶縁層や配線層とのパターン精度が向上できるため、良好な外形と内部パターンとの位置精度を達成することができる。図2(c)と(d)は、配線基板複合体11を貫通するように金属パターン13aが設けられた構造を示している。これらの構造では、分割領域13には絶縁層は形成されておらず、金属パターン13aにより配線基板12が確実に分離した状態となっているため、安定した分割が達成できる。また、配線基板複合体11の製造中に金属パターン13aを設けていくため、各層とのパターン精度が高い状態を維持できる。さらに、これらの構造の金属パターン13aは、図2(c)では配線基板複合体11の両表面と同じ平面上に露出面を、図2(d)では配線基板複合体11の両表面から突出した構造を示しているが、これらに限定されず配線基板複合体11表面に対して平坦、突出、および窪んでいる構造の組合せとしても構わない。金属パターン13aの表面と配線基板複合体11の表面とが平坦な場合は、配線基板複合体11表面に半導体素子や電子部品を搭載する際に、金属パターン13aと搭載用ツールとの干渉を回避することができる。また、金属パターン13a表面が突出している場合は、容易に金属パターン13aを引き抜くことが実現できる。さらに、金属パターン13a表面が窪んでいる場合は、平坦な場合と同様に搭載用ツールとの干渉を防ぐことができ、さらに、配線基板12の端部にバリや割れが発生するのを抑制できる。   The metal pattern 13a is provided so that a part of the metal pattern 13a is exposed at least on the outermost layer on one side of the wiring board composite body 11, as in the example of the cross-sectional views shown in FIGS. FIG. 2A shows a structure in which a metal pattern 13 a is provided on one side of the wiring board composite 11. In this case, the insulating layer of the divided region 13 coincides with the insulating layer of the wiring board 12. Further, in this structure, the metal pattern 13a for division can be provided later, and the pattern adjustment according to the finish of the wiring board 12 becomes easy. FIG. 2B shows a structure in which a part of the metal pattern 13 a is embedded on one side of the wiring board composite 11. In this case, the insulating layer of the divided region 13 has a structure in which a part of the insulating layer of the wiring board 12 is removed. Moreover, in this structure, since the pattern accuracy with the insulating layer or wiring layer provided with the metal pattern 13a can be improved, it is possible to achieve a good position accuracy between the outer shape and the internal pattern. FIGS. 2C and 2D show a structure in which a metal pattern 13 a is provided so as to penetrate the wiring board composite 11. In these structures, an insulating layer is not formed in the divided region 13, and the wiring substrate 12 is reliably separated by the metal pattern 13a. Therefore, stable division can be achieved. In addition, since the metal pattern 13a is provided during the production of the wiring board composite body 11, it is possible to maintain a high pattern accuracy with each layer. Furthermore, the metal pattern 13a having these structures protrudes from both surfaces of the wiring board composite 11 in FIG. 2D, and has exposed surfaces on the same plane as both surfaces of the wiring board composite 11 in FIG. 2C. However, the present invention is not limited to these, and a combination of a structure that is flat, protruded, and recessed with respect to the surface of the wiring board composite 11 may be used. When the surface of the metal pattern 13a and the surface of the wiring board composite 11 are flat, avoid interference between the metal pattern 13a and the mounting tool when a semiconductor element or electronic component is mounted on the surface of the wiring board composite 11 can do. Further, when the surface of the metal pattern 13a protrudes, it is possible to easily pull out the metal pattern 13a. Further, when the surface of the metal pattern 13a is recessed, it is possible to prevent interference with the mounting tool as in the case of flatness, and furthermore, the occurrence of burrs and cracks at the end of the wiring board 12 can be suppressed. .

さらにまた、金属パターン13aが配線基板複合体11を貫通する構造では、図3に示す例のように、配線基板複合体11を構成する層構造の積層回数にあわせて金属パターン13aの幅を任意に変更することができ、配線基板12の端部形状を制御することができる。図3(a)〜(f)に示すように、金属パターン13a断面形状を階段状や凹凸のある形状とすることで、配線基板の段差部や凹凸部を部品取り付けとして利用できる。また、図3(f)に示すように配線基板端面に凹・凸を設けることで、凹部や段差部を利用した部品の取り付けが実現できる外、凹凸を利用して配線基板同士を噛み合わせ接続することが可能になる。さらに、図3の例でも、図2の例と同様に、金属パターン13aの断面形状を配線基板複合体11表面に対して平坦、突出、および窪んでいる構造の組合せとしても構わない。さらにまた、図3のような階段状の断面形状だけではなく、滑らかに傾斜した金属パターンとしても構わない。   Furthermore, in the structure in which the metal pattern 13a penetrates the wiring board composite body 11, the width of the metal pattern 13a is arbitrarily set according to the number of times of the layer structure constituting the wiring board composite body 11, as in the example shown in FIG. The end shape of the wiring board 12 can be controlled. As shown in FIGS. 3A to 3F, the cross-sectional shape of the metal pattern 13a is stepped or uneven, so that the stepped portion or the uneven portion of the wiring board can be used for component mounting. Also, as shown in Fig. 3 (f), by providing concave and convex parts on the end face of the wiring board, it is possible to mount components using concave parts and stepped parts, and to connect and connect the wiring boards using concave and convex parts. It becomes possible to do. Further, in the example of FIG. 3, similarly to the example of FIG. 2, the cross-sectional shape of the metal pattern 13 a may be a combination of a structure that is flat, protruding, and recessed with respect to the surface of the wiring board composite 11. Furthermore, not only the step-like cross-sectional shape as shown in FIG. 3 but also a smoothly inclined metal pattern may be used.

金属パターン13aは、搭載される半導体素子や電子部品の構造や特性、さらには、配線基板12が搭載される実装基板の構造や特性にあわせて任意の形状とすることができる。図1では配線基板が長方形となる例を示したが、図4あるいは図5で示した例のようにしてもよい。図4(a)ではL字型の配線基板12が形成されており、図4(b)ではL字型と長方形の2種の配線基板が形成されている。また、図4(c)では、途中で分割領域13が止まっており、配線基板12が分割された後にスリットを持つ形状を得ることができる。また、図4(d)に示すように曲線をもつ形状でも構わない。さらに、図4(d)に示すように、配線基板複合体11がウエハのように円形状である場合などに、デッドスペースを減らすことが可能な六角形などの多角形に形成することもできる。これらのように、金属パターン13aは、配線基板12の取り数を効果的に増加させることができ、さらに、全体システムにあわせた形状を得ることができる。   The metal pattern 13a can have an arbitrary shape in accordance with the structure and characteristics of the semiconductor element and electronic component to be mounted, and further, the structure and characteristics of the mounting board on which the wiring board 12 is mounted. Although FIG. 1 shows an example in which the wiring board is rectangular, the example shown in FIG. 4 or 5 may be used. In FIG. 4A, an L-shaped wiring board 12 is formed, and in FIG. 4B, two types of wiring boards, L-shaped and rectangular, are formed. In FIG. 4C, the divided region 13 stops midway, and a shape having a slit can be obtained after the wiring substrate 12 is divided. Further, a shape having a curve as shown in FIG. Furthermore, as shown in FIG. 4D, when the wiring board composite 11 is circular like a wafer, it can be formed in a polygon such as a hexagon that can reduce dead space. . As described above, the metal pattern 13a can effectively increase the number of wiring boards 12 to be obtained, and can further obtain a shape suitable for the entire system.

金属パターン13aの主たる材料は、銅、金、ニッケル、アルミニウム、銀、パラジウムのいずれか若しくは複数の材料から構成されるが、銅がコストの面で最適である。また、ニッケルは、硬度が高い金属材料となるため、金属パターン13aの強度を増加させることができる。金属パターン13aの厚さは例えば10μmである。金属パターン13aは、配線基板の配線層と同様に例えば前述のサブトラクティブ法、セミアディティブ法またはフルアディティブ法等の方法により形成される。また、金属パターン13aが設けられる絶縁層に金属パターンが形成される凹部を設けておき、前述の埋込み配線法と同様の手法を用いて形成してもよい。また、配線基板の配線層の形成工程と同じ工程で同時に形成するようにしてもよい。   The main material of the metal pattern 13a is composed of one or a plurality of materials of copper, gold, nickel, aluminum, silver, palladium, and copper is optimal in terms of cost. Moreover, since nickel becomes a metal material with high hardness, the intensity | strength of the metal pattern 13a can be increased. The thickness of the metal pattern 13a is, for example, 10 μm. The metal pattern 13a is formed by a method such as the above-described subtractive method, semi-additive method, or full-additive method, similarly to the wiring layer of the wiring board. Alternatively, a recess in which a metal pattern is formed is provided in the insulating layer on which the metal pattern 13a is provided, and the insulating layer may be formed using a technique similar to the above-described embedded wiring method. Moreover, you may make it form simultaneously at the same process as the formation process of the wiring layer of a wiring board.

本実施の形態により、所望の外形と端部形状を有する配線基板12を得るための配線基板複合体11が実現できる。配線基板12の形状が制御できるため、搭載される半導体素子や電子部品を高密度に搭載できると共に、配線基板12を搭載する実装基板の小型化にも寄与できる。   According to the present embodiment, the wiring board composite 11 for obtaining the wiring board 12 having a desired outer shape and end shape can be realized. Since the shape of the wiring board 12 can be controlled, the semiconductor elements and electronic components to be mounted can be mounted at a high density, and the mounting board on which the wiring board 12 is mounted can be reduced in size.

図6、図7は、本発明の配線基板複合体の第2の実施の形態のいくつかの例を示す断面図である。第2の実施の形態の配線基板複合体は、第1の実施の形態の配線基板複合体に、支持体14が設けられた構造となっている。それ以外の部分は第1の実施の形態と同じである。また、第1の実施の形態に記載したとおり、図1から図5に示す組み合わせを行っても構わない。
支持体14は、適度な剛性を有していることが望ましいため、シリコン、GaAs等の半導体ウエハ材料、サファイア、金属、石英、ガラス、セラミック、銅張り若しくは銅箔を有しない樹脂基板を用いることができる。また、支持体14と配線基板12を分離する場合は、支持体14をウェットエッチング法、ドライエッチング法、研削法のいずれか、若しくはそれらの組合せで行ってもよい。また、剥離または切断により分離を行なうこともできる。剥離法によるときは、支持体14表面に低密着層を形成したり、支持体に透明基板を用いて支持体と接触している材料をレーザ光や紫外線により変質させて密着性を低下させたりして分離を行い、切断法によるときは、ウォーターカッターやスライサーにより所望の位置で分割する。なお、支持体14の分離は、金属パターンを配線基板複合体から引き抜いた後に行なってよく、またその前に行なってもよい。
図6(a)に示す例では、支持体14上の分割領域13の絶縁層に金属パターン13aが埋設されている。この構造では、金属パターン13aを、配線基板の配線層と同層に形成することができ、パターン精度を向上することができるため、外形と内部パターンとの位置精度を向上させることができる。図6(b)と(c)は、配線基板複合体11を貫通するように金属パターン13aが設けられた構造を示している。これらの構造では、金属パターン13aにより配線基板12が確実に分離した状態となるため、安定した分割が実現できる。また、配線基板複合体11の製造中に金属パターン13aを設けていくため、配線基板の各層のパターン精度を高い状態に維持することができる。さらに、これらの構造の金属パターン13aは、図6(b)では配線基板複合体11の両表面と同じ平面上に露出面を、図6(c)では配線基板複合体11の表面から突出した構造を示しているが、これらに限定されず配線基板複合体11表面に対して平坦、突出、および窪んでいる構造の組合せとしても構わない。金属パターン13aの表面と配線基板複合体11の表面とが平坦な場合は、配線基板複合体11表面に半導体素子や電子部品を搭載する際に、金属パターン13aと搭載用ツールとの干渉を回避することができる。また、金属パターン13a表面が突出している場合は、容易に金属パターン13aを引き抜くことができる。さらに、金属パターン13a表面が窪んでいる場合は、平坦な場合と同様に搭載用ツールとの干渉を防ぐことができ、さらに、配線基板12の端部にバリや割れを抑制できる。
6 and 7 are cross-sectional views showing some examples of the second embodiment of the wiring board composite of the present invention. The wiring board composite of the second embodiment has a structure in which a support 14 is provided on the wiring board composite of the first embodiment. The other parts are the same as in the first embodiment. Further, as described in the first embodiment, the combinations shown in FIGS. 1 to 5 may be performed.
Since the support 14 preferably has an appropriate rigidity, a semiconductor wafer material such as silicon or GaAs, sapphire, metal, quartz, glass, ceramic, copper-clad, or a resin substrate that does not have copper foil is used. Can do. Further, when the support 14 and the wiring substrate 12 are separated, the support 14 may be performed by any one of wet etching, dry etching, and grinding, or a combination thereof. Separation can also be performed by peeling or cutting. When the peeling method is used, a low adhesion layer is formed on the surface of the support 14, or a material that is in contact with the support using a transparent substrate is altered by laser light or ultraviolet rays to reduce adhesion. Separation is performed, and when the cutting method is used, the sheet is divided at a desired position by a water cutter or a slicer. The support 14 may be separated after the metal pattern is pulled out from the wiring board composite, or before that.
In the example shown in FIG. 6A, a metal pattern 13 a is embedded in the insulating layer of the divided region 13 on the support 14. In this structure, the metal pattern 13a can be formed in the same layer as the wiring layer of the wiring board, and the pattern accuracy can be improved. Therefore, the positional accuracy between the outer shape and the internal pattern can be improved. FIGS. 6B and 6C show a structure in which a metal pattern 13 a is provided so as to penetrate the wiring board composite 11. In these structures, since the wiring substrate 12 is reliably separated by the metal pattern 13a, stable division can be realized. Moreover, since the metal pattern 13a is provided during manufacture of the wiring board composite body 11, the pattern accuracy of each layer of the wiring board can be maintained at a high level. Furthermore, the metal pattern 13a of these structures protruded from the surface of the wiring board composite body 11 in FIG. 6C, and the exposed surface on the same plane as both surfaces of the wiring board composite body 11 in FIG. 6B. Although the structure is shown, the present invention is not limited thereto, and a combination of a structure that is flat, protruded, and recessed with respect to the surface of the wiring board composite 11 may be used. When the surface of the metal pattern 13a and the surface of the wiring board composite 11 are flat, avoid interference between the metal pattern 13a and the mounting tool when a semiconductor element or electronic component is mounted on the surface of the wiring board composite 11 can do. Further, when the surface of the metal pattern 13a protrudes, the metal pattern 13a can be easily pulled out. Further, when the surface of the metal pattern 13a is recessed, it is possible to prevent interference with the mounting tool as in the case of being flat, and furthermore, it is possible to suppress burrs and cracks at the end of the wiring board 12.

さらにまた、金属パターン13aが配線基板複合体11を貫通する構造では、図7に示す例のように、配線基板複合体11を構成する層構造の積層回数にあわせて金属パターン13aの幅を任意に変更することができ、図3に示した第1の実施の形態の場合と同様に、配線基板12の端部形状を制御することができる。そして、本実施の形態の図7(a)〜(f)の構造によれば、図3に示した第1の実施の形態の場合と同様の効果を享受することができる。また、第2の実施の形態の場合にも、金属パターンの断面形状を図7に示される階段形状に代え、滑らかに傾斜した形状としてもよい。
図6および図7には、支持体14の片面に複数の配線基板12が設けられている配線基板複合体11の構造例を示しているが、必要に応じて支持体14の両面に複数の配線基板複合体を設けてもよい。
Furthermore, in the structure in which the metal pattern 13a penetrates the wiring board composite body 11, the width of the metal pattern 13a is arbitrarily set according to the number of stacking of the layer structure constituting the wiring board composite body 11, as in the example shown in FIG. As in the case of the first embodiment shown in FIG. 3, the end shape of the wiring board 12 can be controlled. And according to the structure of Fig.7 (a)-(f) of this Embodiment, the effect similar to the case of 1st Embodiment shown in FIG. 3 can be enjoyed. Also in the second embodiment, the cross-sectional shape of the metal pattern may be a smoothly inclined shape instead of the step shape shown in FIG.
6 and 7 show an example of the structure of the wiring board composite 11 in which a plurality of wiring boards 12 are provided on one side of the support 14. A wiring board composite may be provided.

本実施の形態により、所望の外形と端部形状を有する配線基板12を得るための配線基板複合体11が実現できる。配線基板複合体の第1の実施の形態に記載の効果に加え、支持体14により剛性を増加させることができるため、製造および搬送におけるハンドリング性を向上させることができ、歩留まりの向上が達成できる。   According to the present embodiment, the wiring board composite 11 for obtaining the wiring board 12 having a desired outer shape and end shape can be realized. In addition to the effects described in the first embodiment of the wiring board composite, the support 14 can increase the rigidity, so that the handling property in manufacturing and transport can be improved, and the yield can be improved. .

(配線基板)
図8乃至図11は、本発明の配線基板複合体の第1乃至第2の実施の形態から形成された配線基板の構造例を示す断面図である。
図8は、配線基板12の両端部側面に凹・凸を有する配線基板12の例を示している。この凹・凸部を利用して部品を取り付けることができる外、図9に示すように、端部凹凸を噛み合わせて配線基板12を複数個連結することができる。また、配線基板同士が接触する部分に電気的な接合点を設けることで両配線間での信号の送受が可能となる。このため、個別に実装基板に取り付けられる状態より短距離で複数の配線基板12が連結されるため、システム全体としての性能向上が達成される。図9では、凸型と凹型の側面形状を組み合わせたが、階段状や傾斜形状を組み合せるようにしてもよい。
(Wiring board)
8 to 11 are cross-sectional views showing structural examples of the wiring board formed from the first and second embodiments of the wiring board composite of the present invention.
FIG. 8 shows an example of the wiring board 12 having concave and convex portions on the side surfaces of both ends of the wiring board 12. In addition to being able to attach components using the concave / convex portions, as shown in FIG. 9, a plurality of wiring boards 12 can be connected by engaging the end irregularities. In addition, by providing an electrical junction at a portion where the wiring boards contact each other, signals can be transmitted and received between the two wirings. For this reason, since the several wiring board 12 is connected by a short distance rather than the state attached to a mounting board separately, the performance improvement as the whole system is achieved. In FIG. 9, the convex and concave side shapes are combined, but a stepped shape or an inclined shape may be combined.

図10は、一方の端部側面は垂直で他方の端部側面に階段状の段差を有する配線基板12の例を示している。この配線基板12の段差部分に電気的な接続部や接着部分を設けることで、図11に示されるように、電子部品や電線・ケーブル、光ファイバなどの接続部品を取り付けることができる。
第1、第2の実施の形態の配線基板複合体により、側面形状を利用した連結や部品搭載が可能な配線基板12を製作することができ、高密度に部品を集積することが可能になるため、システムの高精度化や高機能化が実現できる。
FIG. 10 shows an example of the wiring substrate 12 having one end side surface vertical and a stepped step on the other end side surface. By providing an electrical connection portion or an adhesive portion at the step portion of the wiring substrate 12, as shown in FIG. 11, connection components such as electronic components, electric wires / cables, and optical fibers can be attached.
With the wiring board composite according to the first and second embodiments, it is possible to manufacture the wiring board 12 that can be connected and mounted using the side shape, and it is possible to integrate the components at high density. Therefore, high accuracy and high functionality of the system can be realized.

(半導体装置)
図12、図13は、それぞれ、本発明の半導体装置の第1の実施の形態の例を示す上面図と断面図である。
図12、図13に示す半導体装置19は、絶縁層と配線層(図示せず)を有する配線基板12と配線基板上に搭載された半導体素子15とから構成される。配線基板12は、配線基板12と配線基板12間に配置された、配線基板12を分割するための金属パターン13aを有する分割領域13とから構成された配線基板複合体11に含まれている。ここで、配線基板複合体11としては、図1、図2(a)に図示された第1の実施の形態のものが用いられているが、これに限定されず、図1〜図7に示された第1乃至第2の実施の形態の適宜のものの使用が可能である。
(Semiconductor device)
12 and 13 are a top view and a cross-sectional view, respectively, showing an example of the first embodiment of the semiconductor device of the present invention.
A semiconductor device 19 shown in FIGS. 12 and 13 includes a wiring board 12 having an insulating layer and a wiring layer (not shown), and a semiconductor element 15 mounted on the wiring board. The wiring board 12 is included in the wiring board composite body 11 that is formed between the wiring board 12 and the divided region 13 having the metal pattern 13 a for dividing the wiring board 12 disposed between the wiring board 12 and the wiring board 12. Here, as the wiring board composite body 11, the thing of 1st Embodiment illustrated by FIG. 1, FIG. 2 (a) is used, However, It is not limited to this, FIG. Appropriate ones of the first to second embodiments shown can be used.

半導体素子15については、半導体素子15表面の電極(図示せず)と配線基板12の電極(図示せず)とが電気的に接続されている。接続は、半田ボールや金属バンプによるフリップチップ接続や、金を主な材料としたワイヤを用いたワイヤボンディングにより行われる。また、フリップチップ接続では、金属バンプに代え金属粒子を含む異方性導電性材料を用いてもよく、特性面で問題がなければ導電性樹脂を用いた接続を行っても構わない。また、必要に応じてアンダーフィルを施してもよい。   Regarding the semiconductor element 15, an electrode (not shown) on the surface of the semiconductor element 15 and an electrode (not shown) of the wiring board 12 are electrically connected. The connection is performed by flip chip connection using solder balls or metal bumps, or wire bonding using a wire mainly made of gold. In flip chip connection, an anisotropic conductive material containing metal particles may be used instead of metal bumps, and connection using a conductive resin may be performed if there is no problem in terms of characteristics. Moreover, you may give an underfill as needed.

図13では、半導体素子15が配線基板複合体11の金属パターン13aが設けられていない面に搭載されている例を示したが、これに限定されることなく、金属パターン13aが設けられている面に半導体素子15が搭載されていても構わない。さらに、両面に半導体素子15が搭載されていてもよく、一つの配線基板12の片面に複数の半導体素子15が搭載されても構わない。また、これらの状態の組合せでもよい。また、半導体装置の剛性を高めるためにスティフナなどの枠体を取り付けても構わない。
本実施の形態により、所望の外形と端部形状を有する半導体装置を得ることができる。
Although FIG. 13 shows an example in which the semiconductor element 15 is mounted on the surface of the wiring board composite body 11 where the metal pattern 13a is not provided, the metal pattern 13a is provided without being limited thereto. The semiconductor element 15 may be mounted on the surface. Further, the semiconductor elements 15 may be mounted on both sides, and a plurality of semiconductor elements 15 may be mounted on one side of one wiring board 12. Moreover, the combination of these states may be sufficient. A frame such as a stiffener may be attached to increase the rigidity of the semiconductor device.
According to this embodiment, a semiconductor device having a desired outer shape and end shape can be obtained.

図14は、本発明の半導体装置の第2の実施の形態の一例を示す断面図である。本実施の形態の半導体装置19は、図13に示した第1の実施の形態に対し、モールド樹脂16により半導体素子15を封止した構造となっている。それ以外の部分は第1の実施の形態の場合と同じである。また、第1の実施の形態の場合と同様に、図1〜図7に示したいずれの配線基板複合体11を使用することも可能である。   FIG. 14 is a sectional view showing an example of the second embodiment of the semiconductor device of the present invention. The semiconductor device 19 of the present embodiment has a structure in which the semiconductor element 15 is sealed with a mold resin 16 as compared with the first embodiment shown in FIG. The other parts are the same as those in the first embodiment. Further, as in the case of the first embodiment, any of the wiring board composite bodies 11 shown in FIGS. 1 to 7 can be used.

モールド樹脂16は、エポキシ系の材料にシリカフィラーを混ぜた材料からなる。樹脂封止は、金型を用いたトランスファモールド法あるいは圧縮形成モールド法、若しくは印刷法などで行なわれ、搭載されている半導体素子15と接続部分の配線を覆うようにモールド樹脂16が設けられる。モールド樹脂16は、半導体素子15を、ワイヤボンディング法を用いる場合には、ボンディングワイヤを含めて覆う構造となるが、配線基板12の全体を覆っても、配線基板の一部が露出する構造としてもよい。
図14に示す実施の形態でも、半導体素子15は、金属パターン13aが設けられている面に搭載されても、さらに、両面に半導体素子15が搭載されていてもよい。また、一つの配線基板12の片面に複数の半導体素子15が搭載されても構わない。また、これらの状態の組合せでもよい。また、半導体装置の剛性を高めるためにスティフナなどの枠体を取り付けても構わない。
本実施の形態により、半導体装置の第1の実施の形態の効果に加えて、半導体素子15がモールド樹脂16で覆われていることから、半導体素子15を保護することができる。また、モールド樹脂16を設けることで半導体装置全体の剛性を高めることができ、パッケージ全体の信頼性を向上できる。
The mold resin 16 is made of a material obtained by mixing a silica filler with an epoxy-based material. The resin sealing is performed by a transfer molding method using a mold, a compression molding method, a printing method, or the like, and a mold resin 16 is provided so as to cover the mounted semiconductor element 15 and the wiring at the connection portion. When the wire bonding method is used, the mold resin 16 covers the semiconductor element 15 including the bonding wires. However, even if the entire wiring substrate 12 is covered, a part of the wiring substrate is exposed. Also good.
Also in the embodiment shown in FIG. 14, the semiconductor element 15 may be mounted on the surface on which the metal pattern 13 a is provided, or the semiconductor element 15 may be mounted on both surfaces. A plurality of semiconductor elements 15 may be mounted on one side of one wiring board 12. Moreover, the combination of these states may be sufficient. A frame such as a stiffener may be attached to increase the rigidity of the semiconductor device.
According to the present embodiment, in addition to the effects of the first embodiment of the semiconductor device, since the semiconductor element 15 is covered with the mold resin 16, the semiconductor element 15 can be protected. Further, by providing the mold resin 16, the rigidity of the entire semiconductor device can be increased, and the reliability of the entire package can be improved.

(配線基板複合体の製造方法)
図15(a)、(b)は、本発明の配線基板複合体の製造方法の第1の実施の形態の一例を工程順に示す断面図である。本実施の形態の製造方法は、本発明の配線基板複合体の第1の実施の形態〔図2(a)〕を製造するためのものである。なお、各工程間において適宜洗浄および熱処理を行う。この洗浄および熱処理は以下の実施の形態においても同様に工程間において適宜行なわれる。
先ず、図15(a)に示すように、絶縁層と配線層を所望の層数積層して、配線基板12と、絶縁層のみからなる分割領域13とを有する基板を作成し、その片側に金属層18を形成して配線基板複合体前駆体11aを作成する。配線層を複数層形成する場合は、層間は絶縁層内に形成されるビアにより接続されている。
配線基板複合体前駆体11aの配線基板12と分割領域13は、先に説明した材料、方法を用いて形成される。また、ビアも前述の方法を用いて形成される。
(Method for manufacturing wiring board composite)
15A and 15B are cross-sectional views showing an example of the first embodiment of the method for manufacturing a wiring board composite according to the present invention in the order of steps. The manufacturing method of this embodiment is for manufacturing the first embodiment (FIG. 2A) of the wiring board composite of the present invention. Note that cleaning and heat treatment are appropriately performed between the respective steps. This cleaning and heat treatment are also appropriately performed between processes in the following embodiments.
First, as shown in FIG. 15 (a), a desired number of insulating layers and wiring layers are stacked to create a substrate having a wiring substrate 12 and a divided region 13 made of only an insulating layer, and one side thereof is formed. The metal layer 18 is formed to produce the wiring board composite precursor 11a. When a plurality of wiring layers are formed, the layers are connected by vias formed in the insulating layer.
The wiring board 12 and the divided region 13 of the wiring board composite precursor 11a are formed using the materials and methods described above. The via is also formed using the method described above.

金属層18は、配線基板複合体11の片面に形成される。形成方法は、スパッタ法、無電解めっき法、めっき法、蒸着法、および金属箔を貼り付ける方法により行う。金属箔を貼り付ける場合、真空プレス、ラミネート法、真空ラミネート法を用いることができ、金属箔側と配線基板複合体11側のいずれか片方、若しくは両方に接着層を形成して行なってもよい。
次に、図15(b)に示すように、金属層18をパターニングして金属パターン13aを形成する。金属層18のパターニングは、セミアディティブ法やサブトラクティブ法により行う。
以上の製造方法により、図2(a)に示した配線基板複合体11の第1実施の形態を効率的に作製することができる。
The metal layer 18 is formed on one side of the wiring board composite 11. The forming method is performed by a sputtering method, an electroless plating method, a plating method, a vapor deposition method, and a method of attaching a metal foil. When the metal foil is attached, a vacuum press, a laminating method, or a vacuum laminating method can be used, and an adhesive layer may be formed on one or both of the metal foil side and the wiring board composite 11 side. .
Next, as shown in FIG. 15B, the metal layer 18 is patterned to form a metal pattern 13a. Patterning of the metal layer 18 is performed by a semi-additive method or a subtractive method.
With the above manufacturing method, the first embodiment of the wiring board composite body 11 shown in FIG. 2A can be efficiently manufactured.

図16(a)、(b)は、本発明の配線基板複合体の製造方法の第2の実施の形態の一例を工程順に示す断面図である。本実施の形態の製造方法は、本発明の第1の実施の形態の配線基板複合体〔図2(b)〕を製造するためのものである。
先ず、図16(a)に示すように、絶縁層全体を貫通する形の金属パターン13aを有する配線基板複合体中間体11bを形成する。配線基板複合体中間体11bは、配線基板複合体11の配線基板12の絶縁層と配線層の一部および分離領域13の金属パターン13aから形成されている。それらの絶縁層と配線層および金属パターンは、先に説明した材料と方法のいずれかを用いて形成されている。
次に、図16(b)に示すように、配線基板複合体11の絶縁層と配線層を先に説明した材料と方法のいずれかを用いて所望の層数を形成し、配線基板複合体11を形成する。
以上説明した製造方法に代え、図15(b)に示す配線基板複合体を形成した後、基板裏面に絶縁層を形成し、研磨して図16(b)に示す構造の配線基板複合体11を得るようにすることもできる。
以上の製造方法により、図2(b)に示した配線基板複合体の第1の実施の形態を効率的に作製することができる。
16 (a) and 16 (b) are cross-sectional views showing an example of the second embodiment of the method for manufacturing a wiring board composite according to the present invention in the order of steps. The manufacturing method according to the present embodiment is for manufacturing the wiring board composite body (FIG. 2B) according to the first embodiment of the present invention.
First, as shown in FIG. 16A, a wiring board composite intermediate body 11b having a metal pattern 13a penetrating the entire insulating layer is formed. The wiring board composite intermediate 11 b is formed of the insulating layer of the wiring board 12 of the wiring board composite 11, a part of the wiring layer, and the metal pattern 13 a of the separation region 13. These insulating layers, wiring layers, and metal patterns are formed using any of the materials and methods described above.
Next, as shown in FIG. 16B, the insulating layer and the wiring layer of the wiring board composite 11 are formed to have a desired number of layers using any of the materials and methods described above, and the wiring board composite is obtained. 11 is formed.
Instead of the manufacturing method described above, after forming the wiring board composite body shown in FIG. 15B, an insulating layer is formed on the back surface of the board and polished to form the wiring board composite body 11 having the structure shown in FIG. Can also be obtained.
By the above manufacturing method, the first embodiment of the wiring board composite shown in FIG. 2B can be efficiently manufactured.

図17(a)〜(c)および図18(a)〜(c)は、本発明の配線基板複合体の製造方法の第3の実施の形態一例を工程順に示す断面図である。本実施の形態の製造方法は、本発明の配線基板複合体の第1の実施の形態〔図2(c)、図2(d)、図3(a)〕を製造するためのものである。
先ず、図17(a)や18(a)に示すように、絶縁層全体を貫通する形の金属パターン13aを有する配線基板複合体中間体11bを形成する。配線基板複合体中間体11bは、配線基板複合体11の配線基板12の絶縁層と配線層の一部および分離領域13の金属パターン13aの一部から形成されている。これらの絶縁層と配線層および金属パターンは、先に説明した材料と方法のいずれかを用いて形成されている。配線層を複数層形成する場合は、層間は絶縁層内に形成されるビアにより接続されている。
FIGS. 17A to 17C and FIGS. 18A to 18C are cross-sectional views showing an example of the third embodiment of the method for manufacturing a wiring board composite according to the present invention in the order of steps. The manufacturing method of this embodiment is for manufacturing the first embodiment of the wiring board composite of the present invention [FIG. 2 (c), FIG. 2 (d), FIG. 3 (a)]. .
First, as shown in FIGS. 17A and 18A, a wiring board composite intermediate 11b having a metal pattern 13a penetrating the entire insulating layer is formed. The wiring board composite intermediate body 11 b is formed from the insulating layer of the wiring board 12 of the wiring board composite body 11, a part of the wiring layer, and a part of the metal pattern 13 a in the separation region 13. These insulating layers, wiring layers, and metal patterns are formed using any of the materials and methods described above. When a plurality of wiring layers are formed, the layers are connected by vias formed in the insulating layer.

次に、図17(b)または図18(b)に示すように、配線基板複合体中間体11bの両面、若しくは片側に所望の絶縁層と配線層および金属パターンを、先に説明した材料と方法のいずれかを用いて積層して配線基板複合体11を形成する。図18(b)においては、必要に応じて金属パターン13aの幅を変更して形成する。この工程において、図2(c)に示された配線基板複合体を得ることができる。
さらに、図17(c)または図18(c)に示すように、金属パターン13aが配線基板複合体11の配線基板表面より突出するように形成する。金属パターン13aは、例えばサブトラクティブ法、セミアディティブ法、またはフルアディティブ法等により形成する。この工程により、図2(d)、図3(a)の構造を得ることができる。また、この工程は、必要に応じて行うことで構わない。
以上の製造方法により、図2(c)、(d)、図3(a)に示した配線基板複合体の第1の実施の形態を効率的に作製することができる。なお、図3(b)〜(f)に示した配線基板複合体も同様の手法を用いて作製することができる。
Next, as shown in FIG. 17 (b) or FIG. 18 (b), a desired insulating layer, wiring layer, and metal pattern are formed on both sides or one side of the wiring board composite intermediate 11b with the materials described above. The wiring board composite 11 is formed by stacking using any of the methods. In FIG. 18B, the width of the metal pattern 13a is changed as necessary. In this step, the wiring board composite shown in FIG. 2C can be obtained.
Furthermore, as shown in FIG. 17C or FIG. 18C, the metal pattern 13 a is formed so as to protrude from the wiring board surface of the wiring board composite 11. The metal pattern 13a is formed by, for example, a subtractive method, a semi-additive method, a full additive method, or the like. By this step, the structures shown in FIGS. 2D and 3A can be obtained. Further, this step may be performed as necessary.
With the above manufacturing method, the first embodiment of the wiring board composite shown in FIGS. 2C, 2D, and 3A can be efficiently manufactured. Note that the wiring board composite shown in FIGS. 3B to 3F can also be manufactured using the same method.

図19(a)〜(c)は、本発明の配線基板複合体の製造方法の第4の実施の形態の一例を工程順に示す断面図である。本実施の形態の製造方法は、本発明の配線基板複合体の第2の実施の形態〔図6(a)〕を製造するためのものである。
先ず、図19(a)に示すように、上記した材料のいずれかの材料からなる支持体14を用意し、必要であれば表面のウェット洗浄、ドライ洗浄、平坦化、粗化など処理を施す。
次に、図19(b)に示すように、金属パターン13aを、例えばサブトラクティブ法、セミアディティブ法またはフルアディティブ法等の方法により形成する。金属パターン13aは、配線基板複合体11の配線基板の配線層と同時に形成しても構わない。
次に、図19(c)に示すように、前述の材料と方法のいずれかを用いて所望の配線層と絶縁層を積層し、配線基板複合体11を形成する。
19A to 19C are cross-sectional views showing an example of the fourth embodiment of the method for manufacturing a wiring board composite according to the present invention in the order of steps. The manufacturing method of this embodiment is for manufacturing the second embodiment (FIG. 6A) of the wiring board composite of the present invention.
First, as shown in FIG. 19A, a support 14 made of any one of the materials described above is prepared, and if necessary, the surface is subjected to treatment such as wet cleaning, dry cleaning, flattening, and roughening. .
Next, as shown in FIG. 19B, the metal pattern 13a is formed by a method such as a subtractive method, a semi-additive method, or a full additive method. The metal pattern 13 a may be formed simultaneously with the wiring layer of the wiring board of the wiring board composite 11.
Next, as shown in FIG. 19C, a desired wiring layer and an insulating layer are laminated using any of the materials and methods described above to form a wiring board composite body 11.

本実施の形態では、支持体14の片側に配線基板複合体11を形成する例を示したが、これに限定されず、支持体14の両面に配線基板複合体11を設けてもよい。
以上の製造方法により、図6(a)に示した配線基板複合体の第2の実施の形態を効率的に作製することができる。
In the present embodiment, the example in which the wiring board composite body 11 is formed on one side of the support body 14 is shown, but the present invention is not limited to this, and the wiring board composite body 11 may be provided on both surfaces of the support body 14.
With the above manufacturing method, the second embodiment of the wiring board composite shown in FIG. 6A can be efficiently manufactured.

図20(a)〜(d)および図21(a)〜(e)は、本発明の配線基板複合体の製造方法の第5の実施の形態の一例を工程順に示す断面図である。本実施の形態の製造方法は、本発明の第2の実施の形態の配線基板複合体〔図6(b)、図6(c)、図7(a)〕にを製造するためのものである。
先ず、図20(a)、図21(a)に示すように、上記したいずれかの材料からなる支持体14を用意し、必要であれば表面のウェット洗浄、ドライ洗浄、平坦化、粗化など処理を施す。
次に、図20(b)、21(b)に示すように、絶縁層、配線層および金属パターン13aを、前述の材料、方法を用いて形成し、支持体14上に配線基板複合体中間体11bを形成する。
FIGS. 20A to 20D and FIGS. 21A to 21E are cross-sectional views showing an example of the fifth embodiment of the method for manufacturing a wiring board composite according to the present invention in the order of steps. The manufacturing method according to the present embodiment is for manufacturing the wiring board composite body according to the second embodiment of the present invention [FIG. 6 (b), FIG. 6 (c), FIG. 7 (a)]. is there.
First, as shown in FIGS. 20 (a) and 21 (a), a support 14 made of any of the materials described above is prepared, and if necessary wet cleaning, dry cleaning, planarization, and roughening of the surface. And so on.
Next, as shown in FIGS. 20B and 21B, an insulating layer, a wiring layer, and a metal pattern 13a are formed using the materials and methods described above, and the wiring board composite intermediate is formed on the support 14. Form body 11b.

次に、図20(c)および図21(c)、図21(d)に示すように、先に説明した材料と方法のいずれかを用いて所望の配線層、絶縁層および金属パターンを積層し、配線基板複合体11を形成する。図21(c)および図21(d)の工程では、金属パターンが階段状となるように所望の幅で金属パターン13aを形成する。金属パターン13aの形成は、配線層の形成と同時に行っても構わず、別々に行っても構わない。この工程において、図6(b)に示した構造の配線基板複合体を得ることができる。   Next, as shown in FIGS. 20 (c), 21 (c), and 21 (d), a desired wiring layer, insulating layer, and metal pattern are laminated using any of the materials and methods described above. Then, the wiring board composite 11 is formed. In the steps of FIGS. 21C and 21D, the metal pattern 13a is formed with a desired width so that the metal pattern has a stepped shape. The formation of the metal pattern 13a may be performed simultaneously with the formation of the wiring layer or may be performed separately. In this step, the wiring board composite having the structure shown in FIG. 6B can be obtained.

次に、図20(d)、図21(e)に示すように、金属パターン13aが配線基板複合体11の配線基板12表面より突出するように形成する。金属パターン13aは、例えばサブトラクティブ法、セミアディティブ法、またはフルアディティブ法等により形成する。この工程において、図6(c)、図7(a)の構造を得ることができる。また、この工程は、必要に応じて行うことで構わない。図7(b)〜(f)に示される構造も同様の手法により形成することができる。
本実施の形態では、支持体14の片側に配線基板複合体11を形成する例を示したが、これに限定されず、支持体14の両面に配線基板複合体11を設けてもよい。
以上の製造方法により、図6(b)、(c)、図7に示した第2の実施の形態の配線基板複合体を効率的に作製することができる。
Next, as shown in FIGS. 20D and 21E, the metal pattern 13 a is formed so as to protrude from the surface of the wiring board 12 of the wiring board composite 11. The metal pattern 13a is formed by, for example, a subtractive method, a semi-additive method, a full additive method, or the like. In this step, the structure shown in FIGS. 6C and 7A can be obtained. Further, this step may be performed as necessary. The structures shown in FIGS. 7B to 7F can also be formed by a similar method.
In the present embodiment, the example in which the wiring board composite body 11 is formed on one side of the support body 14 is shown, but the present invention is not limited to this, and the wiring board composite body 11 may be provided on both surfaces of the support body 14.
By the above manufacturing method, the wiring board composite body of the second embodiment shown in FIGS. 6B, 6C, and 7 can be efficiently manufactured.

図22(a)、(b)は、本発明の配線基板複合体の製造方法の第6の実施の形態の一例を工程順に示す断面図である。本実施の形態の製造方法は、本発明の配線基板の複合体第1の実施の形態〔図2(b)〕を製造するためのものである。
図19(a)〜(c)に示される工程を実行することにより、図22(a)に示される、支持体14上に金属パターン13aと配線層と絶縁層を有する配線基板複合体11を形成する。図22(a)では、図19に示される工程を実行する例を示しているが、支持体上に配線基板複合体を形成する他の例を実行して、図20(c)、図20(d)、図21(d)、図21(e)に示される構造を用いるようにしてもよい。
次に、図22(b)に示すように、支持体14と配線基板12を、上記したいずれかの方法を用いて分離する。
以上の製造方法により、図2(b)に示した配線基板複合体の第1の実施の形態を効率的に作製することができる。
22A and 22B are cross-sectional views showing an example of the sixth embodiment of the method for manufacturing a wiring board composite according to the present invention in the order of steps. The manufacturing method of the present embodiment is for manufacturing the first embodiment of the composite body of the wiring board of the present invention (FIG. 2B).
By executing the steps shown in FIGS. 19A to 19C, the wiring board composite 11 having the metal pattern 13a, the wiring layer, and the insulating layer on the support 14 shown in FIG. Form. FIG. 22A shows an example in which the process shown in FIG. 19 is executed. However, another example in which a wiring board composite is formed on a support is executed, and FIG. 20C and FIG. The structure shown in (d), FIG. 21 (d), and FIG. 21 (e) may be used.
Next, as shown in FIG. 22B, the support 14 and the wiring board 12 are separated using any of the methods described above.
By the above manufacturing method, the first embodiment of the wiring board composite shown in FIG. 2B can be efficiently manufactured.

(配線基板の製造方法)
図23(a)〜(c)は、本発明の配線基板の製造方法の第1の実施の形態の一例を工程順に示す断面図である。
図15を参照して説明した配線基板複合体の製造方法を用いて、図23(a)に示す配線基板複合体11を得る。図23(a)では、図15(b)の例を示しているが、図16(b)、図22(b)に示す構造のものであってもよい。
次に、図23(b)に示すように、金属パターン13aを矢印の方向である絶縁層が覆っている側に引き上げる。これにより、金属パターン13a上の絶縁層が金属パターンと共に引き上げられる。金属パターン13aを引き上げる場合、配線基板複合体11の一部に起点となる部分を設けておき、その領域の金属パターン上の絶縁層を物理的に切り取ることで金属パターン13aの一端を摘まめるようにしておきその部分の金属パターンを起点として引き上げるようにしてもよい。また、起点となる部分の金属パターン13aを配線基板複合体11を貫通させる〔図30(f)参照〕ことで配線基板複合体11表面でこれを摘まめるようにしておき、この部分を起点として引き上げるようにしてもよい。
図23(b)に示すように金属パターンを引き抜くと、配線基板複合体11は分割され、図23(c)に示すように、個々に分割された配線基板12が得られる。
(Method for manufacturing a wiring board)
23A to 23C are cross-sectional views showing an example of the first embodiment of the method for manufacturing a wiring board according to the present invention in the order of steps.
The wiring board composite body 11 shown in FIG. 23A is obtained by using the method for manufacturing a wiring board composite body described with reference to FIG. FIG. 23A shows the example of FIG. 15B, but the structure shown in FIGS. 16B and 22B may be used.
Next, as shown in FIG. 23B, the metal pattern 13a is pulled up to the side covered with the insulating layer in the direction of the arrow. Thereby, the insulating layer on the metal pattern 13a is pulled up together with the metal pattern. When pulling up the metal pattern 13a, a part serving as a starting point is provided in a part of the wiring board composite 11, and one end of the metal pattern 13a is picked by physically cutting off the insulating layer on the metal pattern in that region. In this way, the metal pattern of the portion may be raised as a starting point. Further, the metal pattern 13a of the starting point is made to penetrate the wiring board composite body 11 (see FIG. 30 (f)) so that it is picked up on the surface of the wiring board composite body 11, and this part is set as the starting point. You may make it raise as.
When the metal pattern is pulled out as shown in FIG. 23 (b), the wiring board composite 11 is divided, and as shown in FIG. 23 (c), individually divided wiring boards 12 are obtained.

図24(a)〜(c)は、本発明の配線基板の製造方法の第2の実施の形態の一例を工程順に示す断面図である。
図17を参照して説明した配線基板複合体の製造方法を用いて図17(b)までの工程を行ない、図24(a)に示す配線基板複合体11を得る。図24(a)では、図17(b)の例を示しているが、図17(c)、18(b)、18(c)の構造を用いてもよい。
次に、図24(b)に示すように、矢印の方向に金属パターン13aを絶縁層が覆っている側に引き上げることで配線基板複合体11を分割する。金属パターン13aを引き上げる場合、金属パターンの一部に起点となる部分を設けてその部分の金属パターンを摘まめるようにしておき〔図31(f)参照〕、この部分を起点として金属パターン13aを引き上げてもよい。
図24(b)に示すように金属パターンを引き抜くと、配線基板複合体11は分割され、図24(c)に示すように、個々に分割された配線基板12が得られる。本実施の形態に従い、図3に示される配線基板複合体を作製し、金属パターンを引き抜くと、図8乃至11に示した配線基板を得ることができる。
24A to 24C are cross-sectional views showing an example of the second embodiment of the method for manufacturing a wiring board according to the present invention in the order of steps.
The process up to FIG. 17B is performed using the method for manufacturing the wiring board composite described with reference to FIG. 17 to obtain the wiring board composite 11 shown in FIG. FIG. 24A shows the example of FIG. 17B, but the structures of FIGS. 17C, 18B, and 18C may be used.
Next, as shown in FIG. 24B, the wiring board composite 11 is divided by pulling up the metal pattern 13a in the direction of the arrow to the side where the insulating layer covers. When the metal pattern 13a is pulled up, a part to be a starting point is provided in a part of the metal pattern and the metal pattern of the part is picked up (see FIG. 31 (f)), and the metal pattern 13a is started from this part. May be raised.
When the metal pattern is pulled out as shown in FIG. 24 (b), the wiring board composite 11 is divided, and as shown in FIG. 24 (c), individually divided wiring boards 12 are obtained. When the wiring board composite body shown in FIG. 3 is manufactured and the metal pattern is pulled out according to the present embodiment, the wiring board shown in FIGS. 8 to 11 can be obtained.

図25(a)〜(d)は、本発明の配線基板の製造方法の第3の実施の形態の一例を工程順に示す断面図である。
図19を参照して説明した配線基板複合体の製造方法を用いて、図24(a)に示す配線基板複合体11を得る。本実施の形態では、図19(c)の例を用いているが、図20(c)、図20(d)、図21(d)、図21(e)の構造を用いてもよい。
次に、図25(b)に示すように、金属パターン13aを矢印の方向である絶縁層が覆っている側に引き上げる。これにより、金属パターン13a上の絶縁層が金属パターンと共に引き上げられる。金属パターン13aを引き上げる場合、配線基板複合体11の一部に起点となる部分を設けておき、その領域の金属パターン上の絶縁層を物理的に切り取ることで金属パターン13aの一端を摘まめるようにしておきその部分の金属パターンを起点として引き上げるようにしてよい。また、起点となる部分の金属パターン13aを配線基板複合体11を貫通させることで配線基板複合体11表面でこれを摘まめるようにしておき、この部分を起点として引き上げるようにしてもよい。いずれの場合にも、金属パターン13aと支持体14との界面の密着性が低いことが望ましい。
図25(b)に示すように金属パターンを引き抜くと、図25(c)に示すように、支持体14に連結された状態で個々の配線基板12に分割される。次に、図25(d)に示すように、支持体14と配線基板12を分離する。分離法としては、先に説明したいずれかの方法が用いられる。
本実施の形態に従い、図7(a)〜(f)に示される配線基板複合体を作製し、金属パターンを引き抜き支持体を除去すると、図8乃至11に示した配線基板を得ることができる。
25A to 25D are cross-sectional views showing an example of the third embodiment of the method for manufacturing a wiring board of the present invention in the order of steps.
Using the method for manufacturing a wiring board composite described with reference to FIG. 19, a wiring board composite 11 shown in FIG. 24A is obtained. In the present embodiment, the example of FIG. 19C is used, but the structures of FIGS. 20C, 20D, 21D, and 21E may be used.
Next, as shown in FIG. 25B, the metal pattern 13a is pulled up to the side covered with the insulating layer in the direction of the arrow. Thereby, the insulating layer on the metal pattern 13a is pulled up together with the metal pattern. When pulling up the metal pattern 13a, a part serving as a starting point is provided in a part of the wiring board composite 11, and one end of the metal pattern 13a is picked by physically cutting off the insulating layer on the metal pattern in that region. In this manner, the metal pattern of the portion may be pulled up as a starting point. Alternatively, the metal pattern 13a of the starting point may be picked up on the surface of the wiring board composite 11 by penetrating the wiring board composite 11, and may be pulled up starting from this part. In any case, it is desirable that the adhesiveness at the interface between the metal pattern 13a and the support 14 is low.
When the metal pattern is pulled out as shown in FIG. 25 (b), it is divided into the individual wiring boards 12 while being connected to the support 14 as shown in FIG. 25 (c). Next, as shown in FIG. 25D, the support 14 and the wiring board 12 are separated. Any of the methods described above is used as the separation method.
When the wiring board composite shown in FIGS. 7A to 7F is manufactured according to the present embodiment, the metal pattern is drawn, and the support is removed, the wiring board shown in FIGS. 8 to 11 can be obtained. .

(半導体装置の製造方法)
図26(a)〜(d)は、本発明の半導体装置の製造方法の第1の実施の形態の一例を工程順に示す断面図である。
図15を参照して説明した配線基板複合体の製造方法を用いて、図26(a)に示す配線基板複合体11を得る。本実施の形態では、、図15(b)の例を用いているが、図16(b)、図17(b)、図17(c)、18(b)、18(c)、図22(b)の構造のものを用いてもよい。
次に、図26(b)に示すように、半導体素子15を配線基板複合体11に搭載する。半導体素子15は、半導体素子15表面の電極(図示せず)と配線基板12の電極(図示せず)とは、先に説明したいずれかの方法を用いて電気的に接続される。また、必要に応じてアンダーフィルを施してもよい。
(Method for manufacturing semiconductor device)
26A to 26D are cross-sectional views showing an example of the first embodiment of the semiconductor device manufacturing method of the present invention in the order of steps.
The wiring board composite body 11 shown in FIG. 26A is obtained by using the method for manufacturing a wiring board composite body described with reference to FIG. In this embodiment, the example of FIG. 15B is used, but FIGS. 16B, 17B, 17C, 18B, 18C, and 22 are used. You may use the thing of the structure of (b).
Next, as shown in FIG. 26B, the semiconductor element 15 is mounted on the wiring board composite body 11. In the semiconductor element 15, an electrode (not shown) on the surface of the semiconductor element 15 and an electrode (not shown) on the wiring board 12 are electrically connected using any of the methods described above. Moreover, you may give an underfill as needed.

次に、図26(c)に示すように、金属パターン13aを矢印の方向である絶縁層が覆っている側に引き上げることで配線基板複合体11を分割する。金属パターン13aを引き上げ方法は、図23(b)を参照して説明した工程と同様である。
図26(c)に示すように金属パターンを引き抜くと、図26(d)に示すように、配線基板複合体は分割され、配線基板12に半導体素子15が搭載された半導体装置19が個々に分離される。
図26の例では、半導体素子15が配線基板複合体11の金属パターンが形成されていない面に搭載された例を示したが、これに限定されることなく、金属パターン13aが設けられている面に半導体素子15が搭載されていても構わない。また、両面に半導体素子15が搭載されていてもよく、さらに、一つの配線基板12の片面に複数の半導体素子15が搭載されても構わない。また、これらの状態の組合せでもよい。また、半導体装置の剛性を高めるためにスティフナなどの枠体を取り付けても構わない。
Next, as shown in FIG. 26C, the wiring board composite 11 is divided by pulling up the metal pattern 13a to the side covered with the insulating layer in the direction of the arrow. The method of pulling up the metal pattern 13a is the same as the process described with reference to FIG.
When the metal pattern is pulled out as shown in FIG. 26C, the wiring board composite is divided as shown in FIG. 26D, and the semiconductor device 19 in which the semiconductor element 15 is mounted on the wiring board 12 is individually formed. To be separated.
In the example of FIG. 26, the example in which the semiconductor element 15 is mounted on the surface of the wiring board composite body 11 on which the metal pattern is not formed is shown, but the metal pattern 13a is provided without being limited thereto. The semiconductor element 15 may be mounted on the surface. Further, the semiconductor elements 15 may be mounted on both surfaces, and a plurality of semiconductor elements 15 may be mounted on one surface of one wiring board 12. Moreover, the combination of these states may be sufficient. A frame such as a stiffener may be attached to increase the rigidity of the semiconductor device.

図27(a)〜(e)は、本発明の半導体装置の製造方法の第2の実施の形態の一例を工程順に示す断面図である。
図15を参照して説明した配線基板複合体の製造方法を用いて、図27(a)に示す配線基板複合体11を得る。本実施の形態では、、図15(b)の例を用いているが、図16(b)、図17(b)、図17(c)、18(b)、18(c)、図22(b)の構造のものを用いてもよい。
次に、図27(b)に示すように、半導体素子15を配線基板複合体11に搭載する。半導体素子15は、半導体素子15表面の電極(図示せず)と配線基板12の電極(図示せず)とは、先に説明したいずれかの方法を用いて電気的に接続される。また、必要に応じてアンダーフィルを施してもよい。
次に、図27(c)に示すように、先に説明した材料と方法を用いて半導体素子15を覆うようにモールド樹脂16を形成する。モールド樹脂16は、配線基板12の全体を覆っても、配線基板の一部が露出する構造としてもよい。
27A to 27E are cross-sectional views showing an example of the second embodiment of the semiconductor device manufacturing method of the present invention in the order of steps.
The wiring board composite body 11 shown in FIG. 27A is obtained by using the method for manufacturing a wiring board composite body described with reference to FIG. In this embodiment, the example of FIG. 15B is used, but FIGS. 16B, 17B, 17C, 18B, 18C, and 22 are used. You may use the thing of the structure of (b).
Next, as shown in FIG. 27B, the semiconductor element 15 is mounted on the wiring board composite body 11. In the semiconductor element 15, an electrode (not shown) on the surface of the semiconductor element 15 and an electrode (not shown) on the wiring board 12 are electrically connected using any of the methods described above. Moreover, you may give an underfill as needed.
Next, as shown in FIG. 27C, a mold resin 16 is formed so as to cover the semiconductor element 15 using the materials and methods described above. The mold resin 16 may cover the entire wiring board 12 or may have a structure in which a part of the wiring board is exposed.

次に、図27(d)に示すように、金属パターン13aを矢印の方向である絶縁層が覆っている側に引き上げることで配線基板複合体11を分割する。金属パターン13aを引き上げ方法は、図23(b)を参照して説明した工程と同様である。
図27(d)に示すように金属パターンを引き抜くと、図27(e)に示すように、配線基板複合体は分割され、配線基板12に半導体素子15が搭載された半導体装置19が個々に分離される。
図27の例では、半導体素子15が配線基板複合体11の金属パターンが形成されていない面に搭載されている例を示したが、これに限定されることなく、金属パターン13aが設けられている面に半導体素子15が搭載されていても構わない。また、両面に半導体素子15が搭載されていてもよく、さらに、一つの配線基板12の片面に複数の半導体素子15が搭載されても構わない。また、これらの状態の組合せでもよい。また、半導体装置の剛性を高めるためにスティフナなどの枠体を取り付けても構わない。
Next, as shown in FIG. 27D, the wiring board composite 11 is divided by pulling up the metal pattern 13a to the side covered with the insulating layer in the direction of the arrow. The method of pulling up the metal pattern 13a is the same as the process described with reference to FIG.
When the metal pattern is pulled out as shown in FIG. 27D, the wiring board composite is divided as shown in FIG. 27E, and the semiconductor device 19 in which the semiconductor element 15 is mounted on the wiring board 12 is individually formed. To be separated.
In the example of FIG. 27, the example in which the semiconductor element 15 is mounted on the surface on which the metal pattern of the wiring board composite body 11 is not formed is shown, but the present invention is not limited to this, and the metal pattern 13a is provided. The semiconductor element 15 may be mounted on the surface. Further, the semiconductor elements 15 may be mounted on both surfaces, and a plurality of semiconductor elements 15 may be mounted on one surface of one wiring board 12. Moreover, the combination of these states may be sufficient. A frame such as a stiffener may be attached to increase the rigidity of the semiconductor device.

図28(a)〜(e)は、本発明の半導体装置の製造方法の第3の実施の形態の一例を工程順に示す断面図である。
図19を参照して説明した配線基板複合体の製造方法を用いて、図28(a)に示す配線基板複合体11を得る。本実施の形態では、、図19(c)に示す例を用いているが、図20(c)、図20(d)、図21(d)、21(e)の構造のものを用いてもよい。
次に、図28(b)に示すように、半導体素子15を配線基板複合体11に搭載する。半導体素子15は、半導体素子15表面の電極(図示せず)と配線基板12の電極(図示せず)とは、先に説明したいずれかの方法を用いて電気的に接続される。また、必要に応じてアンダーフィルを施してもよい。
次に、図28(c)に示すように、金属パターン13aを矢印の方向である絶縁層が覆っている側に引き上げることで配線基板複合体11を分割する。金属パターン13aを引き上げ方法は、図25(b)を参照して説明した工程と同様である。
図28(c)に示すように金属パターンを引き抜くと、図28(d)に示すように、支持体14に連結された状態で配線基板12上に半導体素子15が搭載された半導体装置19に分割される。次に、図28(e)に示すように、支持体14と配線基板12(半導体装置19)を分離する。分離法としては、先に説明したいずれかの方法が用いられる。工程中に半導体素子15を保護するために有機材料によるレジストカバーを形成しても構わない。
28A to 28E are cross-sectional views showing an example of the third embodiment of the semiconductor device manufacturing method of the present invention in the order of steps.
The wiring board composite body 11 shown in FIG. 28A is obtained using the method for manufacturing a wiring board composite body described with reference to FIG. In this embodiment, the example shown in FIG. 19C is used, but the structure shown in FIGS. 20C, 20D, 21D, and 21E is used. Also good.
Next, as shown in FIG. 28B, the semiconductor element 15 is mounted on the wiring board composite 11. In the semiconductor element 15, an electrode (not shown) on the surface of the semiconductor element 15 and an electrode (not shown) on the wiring board 12 are electrically connected using any of the methods described above. Moreover, you may give an underfill as needed.
Next, as shown in FIG. 28C, the wiring board composite 11 is divided by pulling up the metal pattern 13a to the side covered with the insulating layer in the direction of the arrow. The method of pulling up the metal pattern 13a is the same as the process described with reference to FIG.
When the metal pattern is pulled out as shown in FIG. 28C, the semiconductor device 19 in which the semiconductor element 15 is mounted on the wiring board 12 in a state of being connected to the support 14 as shown in FIG. Divided. Next, as shown in FIG. 28E, the support 14 and the wiring substrate 12 (semiconductor device 19) are separated. Any of the methods described above is used as the separation method. In order to protect the semiconductor element 15 during the process, a resist cover made of an organic material may be formed.

図28では、半導体素子15が配線基板12の片面に一個搭載されている例を示したが、これに限定されることなく、片面に複数個搭載されるようにしてもよい。また、図28(e)の状態になった後にもう片面に半導体素子15を搭載してもよい。また、これらの状態の組合せでもよい。
また、図28に示した例では、半導体素子15を搭載した後に金属パターン13aを引き上げて配線基板複合体11を分割していたが、先に金属パターン13aを引き上げて配線基板複合体11を分割した後に、半導体素子15を搭載しても構わない。
また、半導体装置の剛性を高めるためにスティフナなどの枠体を取り付けても構わない。
FIG. 28 shows an example in which one semiconductor element 15 is mounted on one side of the wiring board 12, but the present invention is not limited to this, and a plurality of semiconductor elements 15 may be mounted on one side. Alternatively, the semiconductor element 15 may be mounted on the other side after the state shown in FIG. Moreover, the combination of these states may be sufficient.
In the example shown in FIG. 28, after mounting the semiconductor element 15, the metal pattern 13 a is pulled up to divide the wiring board composite 11. However, the metal pattern 13 a is first lifted to divide the wiring board composite 11. After that, the semiconductor element 15 may be mounted.
A frame such as a stiffener may be attached to increase the rigidity of the semiconductor device.

図29(a)〜(f)は、本発明の半導体装置の製造方法の第4の実施の形態の一例を工程順に示す断面図である。
図28を参照して説明した第3の実施の形態の半導体装置の製造方法と同じ工程を用いて、図29(b)に示す状態とする。次に、図29(c)に示すように、先に説明した材料と方法を用いて半導体素子15を覆うようにモールド樹脂16を形成する。モールド樹脂16は、配線基板12の全体を覆っても、配線基板の一部が露出する構造としてもよい。
次に、図29(d)に示すように、金属パターン13aを矢印の方向である絶縁層が覆っている側に引き上げることで配線基板複合体11を分割する。金属パターン13aを引き上げ方法は、図25(b)を参照して説明した工程と同様である。
図29(d)に示すように金属パターンを引き抜くと、図29(e)に示すように、支持体14に連結された状態で配線基板12上に半導体素子15が搭載された半導体装置19に分割される。次に、図29(f)に示すように、支持体14と配線基板12(半導体装置19)を分離する。分離法としては、先に説明したいずれかの方法が用いられる。工程中に半導体素子15を保護するために有機材料によるレジストカバーを形成しても構わない。
図29では、半導体素子15が配線基板12の片面に一個ずつ搭載されている例を示したが、これに限定されることなく、片面に複数個搭載されるようにしてもよい。また、図29(f)の状態になった後にもう片面に半導体素子15を搭載してもよい。また、これらの状態の組合せでもよい。
また、図29では、半導体素子15を搭載してモールド樹脂16の封止を行った後に金属パターン13aを引き上げて配線基板複合体11を分割する工程としたが、先に金属パターン13aを引き上げて配線基板複合体11を分割した後に、半導体素子15を搭載しても構わなく、また、半導体素子15を搭載した後に金属パターン13aを引き上げて配線基板複合体11を分割し、モールド樹脂16による封止を行っても構わない。
また、半導体装置の剛性を高めるためにスティフナなどの枠体を取り付けても構わない。
29A to 29F are cross-sectional views showing an example of the fourth embodiment of the method for manufacturing a semiconductor device of the present invention in the order of steps.
The state shown in FIG. 29B is obtained by using the same steps as those of the semiconductor device manufacturing method according to the third embodiment described with reference to FIG. Next, as shown in FIG. 29C, a mold resin 16 is formed so as to cover the semiconductor element 15 using the materials and methods described above. The mold resin 16 may cover the entire wiring board 12 or may have a structure in which a part of the wiring board is exposed.
Next, as shown in FIG. 29D, the wiring board composite 11 is divided by pulling up the metal pattern 13a to the side covered with the insulating layer in the direction of the arrow. The method of pulling up the metal pattern 13a is the same as the process described with reference to FIG.
When the metal pattern is pulled out as shown in FIG. 29D, the semiconductor device 19 in which the semiconductor element 15 is mounted on the wiring board 12 in a state of being connected to the support 14 as shown in FIG. Divided. Next, as shown in FIG. 29F, the support 14 and the wiring board 12 (semiconductor device 19) are separated. Any of the methods described above is used as the separation method. In order to protect the semiconductor element 15 during the process, a resist cover made of an organic material may be formed.
FIG. 29 shows an example in which one semiconductor element 15 is mounted on one side of the wiring board 12, but the present invention is not limited to this, and a plurality of semiconductor elements 15 may be mounted on one side. Further, the semiconductor element 15 may be mounted on the other side after the state of FIG. Moreover, the combination of these states may be sufficient.
In FIG. 29, the semiconductor element 15 is mounted and the mold resin 16 is sealed, and then the metal pattern 13a is pulled up to divide the wiring board composite 11. However, the metal pattern 13a is lifted first. The semiconductor element 15 may be mounted after dividing the wiring board composite 11, or after mounting the semiconductor element 15, the metal pattern 13 a is pulled up to divide the wiring board composite 11 and sealed with the mold resin 16. You can stop.
A frame such as a stiffener may be attached to increase the rigidity of the semiconductor device.

図30(a)〜(g)は、本発明の実施例1の工程順の部分断面図である。初期の基材として、30μm厚の銅箔101が30μm厚のポリイミドフィルム102に接着された銅張り樹脂板を用意した〔図30(a)〕。ポリイミドフィルム102の分割領域113となる領域の内、起点となる部分をレーザ光により除去し、その除去部分に銅を電解めっき法により成長させて導電性ポスト103を形成した〔図30(b)〕。次に、給電層にスパッタ膜を用いたセミアディティブ法により、導電性パターン104となる10μm厚の銅膜を形成した〔図30(c)〕。次に、スピンコート法により絶縁層105となる20μm厚のポリイミド膜を形成した。そして、ビア形成個所と、起点となる分割領域の絶縁層をレーザ光により除去し、給電層にスパッタ膜を用いた電解めっき法によりの銅膜を形成し、CMP(Chemical Mechanical Polishing)を行なって開口内を銅膜により埋め込んだ。その後、給電層にスパッタ膜を用いたセミアディティブ法により、導電性パターン104となる10μm厚の銅膜を形成した〔図30(d)〕。同様の工程を行なって、絶縁層105とその開口内に埋設された銅膜(ビアと分割用の金属パターンの一部)および15μm厚の導電性パターン104を形成した。このとき、分離領域113の起点となる部分には2mm角のパターンを形成した〔図30(e)〕。次に、フォトリソグラフィ法により、銅箔を分割領域にのみ残るようにパターニングして金属パターン113aの形成を完了し、配線基板複合体111を形成した〔図30(f)〕。最後に、配線基板複合体111から金属パターン113aを、基板を貫通した金属パターン部分を起点として引き抜いて、個々の配線基板112に分離した〔図30(g)〕。 30 (a) to 30 (g) are partial cross-sectional views in the order of steps in the first embodiment of the present invention. As an initial substrate, a copper-clad resin plate in which a 30 μm thick copper foil 101 was bonded to a 30 μm thick polyimide film 102 was prepared [FIG. 30 (a)]. Of the region to be divided region 113 of polyimide film 102, the starting portion was removed by laser light, and copper was grown by electrolytic plating on the removed portion to form conductive post 103 [FIG. 30 (b). ]. Next, the semi-additive method using sputtered film to the feed layer to form a conductive pattern 104 1 becomes 10μm thick copper film [Fig. 30 (c)]. Next, to form a 20μm thick polyimide film serving as the insulating layer 105 1 by spin coating. Then, the via formation portion and the insulating layer of the divided region that is the starting point are removed by laser light, a copper film is formed by electrolytic plating using a sputtered film for the power feeding layer, and CMP (Chemical Mechanical Polishing) is performed. The opening was filled with a copper film. Thereafter, by a semi-additive method using sputtered film to the feed layer to form a copper film of 10μm thickness as a conductive pattern 104 2 [FIG. 30 (d)]. Perform the same steps, to form an insulating layer 105 2 and the opening in the buried copper film (portion of the metal pattern for dividing the via) and 15μm conductive pattern 104 3 of thickness. At this time, a 2 mm square pattern was formed in the part which becomes the starting point of the separation region 113 [FIG. 30 (e)]. Next, the copper foil was patterned by photolithography so as to remain only in the divided regions to complete the formation of the metal pattern 113a, thereby forming the wiring board composite 111 [FIG. 30 (f)]. Finally, the metal pattern 113a was extracted from the wiring board composite body 111 starting from the metal pattern portion penetrating the board, and separated into individual wiring boards 112 [FIG. 30 (g)].

図31(a)〜(g)は、本発明の実施例2の工程順の部分断面図である。支持体となる0.2mm厚のステンレス基板106上に、低密着層となる銅薄膜107をスパッタ法により100nm厚に形成した〔図30(a)〕。次に、スピンコート法により絶縁層105となる30μm厚のポリイミド膜を形成し、分割領域113の絶縁層105をレーザ光により除去し、その除去部分に銅を電解めっき法により成長させて導電性ポスト103を形成した〔図30(b)〕。次に、給電層にスパッタ膜を用いたセミアディティブ法により、導電性パターン104となる10μm厚の銅膜を形成した〔図30(c)〕。次に、スピンコート法により絶縁層105となる20μm厚のポリイミド膜を形成した。そして、ビア形成個所と、分割領域113の絶縁層105をレーザ光により除去し、給電層にスパッタ膜を用いた電解めっき法によりの銅膜を形成し、CMPを行なって開口内を銅膜により埋め込んだ。その後、給電層にスパッタ膜を用いたセミアディティブ法により、導電性パターン104となる10μm厚の銅膜を形成した〔図30(d)〕。同様の工程を行なって、絶縁層105とその開口内に埋設された銅膜(ビアと分割用の金属パターンの一部)および15μm厚の導電性パターン104を形成した。このとき、分離領域113の起点となる部分には2mm角のパターンを形成した〔図30(e)〕。次に、ステンレス基板106から配線基板複合体111を剥離し、配線基板複合体111側に残る銅薄膜107をエッチング除去した〔図30(f)〕。最後に、配線基板複合体111から金属パターン113aを、2mm角の導電性パターン104の形成された部分を起点として引き抜いて、個々の配線基板112に分離した〔図30(g)〕。 31 (a) to 31 (g) are partial cross-sectional views in the order of processes according to the second embodiment of the present invention. A copper thin film 107 serving as a low adhesion layer was formed to a thickness of 100 nm by sputtering on a 0.2 mm thick stainless steel substrate 106 serving as a support [FIG. 30 (a)]. Next, a polyimide film of 30μm thickness as the insulating layer 105 1 by a spin coating method, the insulating layer 105 the first divided area 113 is removed by the laser beam, and copper is grown by an electrolytic plating method on the removed portion A conductive post 103 was formed [FIG. 30 (b)]. Next, the semi-additive method using sputtered film to the feed layer to form a conductive pattern 104 1 becomes 10μm thick copper film [Fig. 30 (c)]. Next, to form a 20μm thick polyimide film serving as the insulating layer 105 2 by spin coating. Then, the copper film and the via formation positions, an insulating layer 105 and second divided region 113 is removed by a laser beam, to form a more copper film to the electrolytic plating method using the sputtered film to the feed layer, the inside of the opening by performing CMP Embedded in. Thereafter, by a semi-additive method using sputtered film to the feed layer to form a copper film of 10μm thickness as a conductive pattern 104 2 [FIG. 30 (d)]. Perform the same steps, to form an insulating layer 105 3 and buried copper film to the opening (portion of the metal pattern for dividing the via) and 15μm conductive pattern 104 3 of thickness. At this time, a 2 mm square pattern was formed in the part which becomes the starting point of the separation region 113 [FIG. 30 (e)]. Next, the wiring board composite 111 was peeled from the stainless steel substrate 106, and the copper thin film 107 remaining on the wiring board composite 111 side was removed by etching [FIG. 30 (f)]. Finally, the metal pattern 113a from the wiring board composite body 111, pull out the formed part of the conductive pattern 104 3 of 2mm square as a starting point to separate the individual wiring board 112 [FIG. 30 (g)].

図30(a)〜(f)までの工程を行なって配線基板複合体111を形成し、その各配線基板上に、鉛フリー半田材料の半田ボールを有する半導体素子をフリップチップ接続した。そして、エポキシ樹脂によるアンダーフィルを施した後、金属パターンを引き抜いて半導体装置を作製した。   30A to 30F were performed to form a wiring board composite 111, and a semiconductor element having solder balls made of a lead-free solder material was flip-chip connected to each wiring board. And after giving the underfill by an epoxy resin, the metal pattern was extracted and the semiconductor device was produced.

図31(a)〜(e)までの工程を行なってステンレス基板106上に配線基板複合体を形成した後、その各配線基板上に、鉛フリー半田材料の半田ボールを有する半導体素子をフリップチップ接続した。そして、エポキシ樹脂によるアンダーフィルを施し、圧縮形成モールド法を用いて半導体素子をエポキシ樹脂による樹脂封止を行なった後、ステンレス基板から配線基板複合体を剥離した。そして、配線基板複合体111側に残る銅薄膜107をエッチング除去した後、配線基板複合体から金属パターンを引き抜いて、個々に分離された半導体装置を作製した。   31A to 31E, a wiring board composite is formed on the stainless steel substrate 106, and then a semiconductor element having a solder ball of a lead-free solder material is flip-chiped on each wiring board. Connected. Then, underfilling with an epoxy resin was performed, and the semiconductor element was sealed with an epoxy resin using a compression molding method, and then the wiring board composite was peeled from the stainless steel substrate. Then, the copper thin film 107 remaining on the wiring board composite 111 side was removed by etching, and then the metal pattern was extracted from the wiring board composite to produce individually separated semiconductor devices.

本発明の配線基板複合体の第1の実施の形態の例を示す上面図。The top view which shows the example of 1st Embodiment of the wiring board composite_body | complex of this invention. 本発明の配線基板複合体の第1の実施の形態の例を示す断面図。Sectional drawing which shows the example of 1st Embodiment of the wiring board composite_body | complex of this invention. 本発明の配線基板複合体の第1の実施の形態の例を示す断面図。Sectional drawing which shows the example of 1st Embodiment of the wiring board composite_body | complex of this invention. 本発明の配線基板複合体の第1の実施の形態の例を示す上面図。The top view which shows the example of 1st Embodiment of the wiring board composite_body | complex of this invention. 本発明の配線基板複合体の第1の実施の形態の例を示す上面図。The top view which shows the example of 1st Embodiment of the wiring board composite_body | complex of this invention. 本発明の配線基板複合体の第2の実施の形態の例を示す断面図。Sectional drawing which shows the example of 2nd Embodiment of the wiring board composite_body | complex of this invention. 本発明の配線基板複合体の第2の実施の形態の例を示す断面図。Sectional drawing which shows the example of 2nd Embodiment of the wiring board composite_body | complex of this invention. 本発明の配線基板複合体の第1乃至第2の実施の形態により形成される配線基板の例を示す断面図。Sectional drawing which shows the example of the wiring board formed by the 1st or 2nd embodiment of the wiring board composite body of this invention. 本発明の配線基板複合体の第1乃至第2の実施の形態により形成される配線基板の例を示す断面図。Sectional drawing which shows the example of the wiring board formed by the 1st or 2nd embodiment of the wiring board composite body of this invention. 本発明の配線基板複合体の第1乃至第2の実施の形態により形成される配線基板の例を示す断面図。Sectional drawing which shows the example of the wiring board formed by the 1st or 2nd embodiment of the wiring board composite body of this invention. 本発明の配線基板複合体の第1乃至第2の実施の形態により形成される配線基板の例を示す断面図。Sectional drawing which shows the example of the wiring board formed by the 1st or 2nd embodiment of the wiring board composite body of this invention. 本発明の配線基板複合体の第1の実施の形態により形成される半導体装置の例を示す上面図。The top view which shows the example of the semiconductor device formed by 1st Embodiment of the wiring board composite body of this invention. 本発明の配線基板複合体の第1の実施の形態により形成される半導体装置の例を示す断面図。Sectional drawing which shows the example of the semiconductor device formed by 1st Embodiment of the wiring board composite_body | complex of this invention. 本発明の配線基板複合体の第1の実施の形態により形成される半導体装置の例を示す断面図。Sectional drawing which shows the example of the semiconductor device formed by 1st Embodiment of the wiring board composite_body | complex of this invention. 本発明の配線基板複合体の製造方法の第1の実施の形態の例を工程順に示す断面図である。It is sectional drawing which shows the example of 1st Embodiment of the manufacturing method of the wiring board composite_body | complex of this invention to process order. 本発明の配線基板複合体の製造方法の第2の実施の形態の配線基板複合体の製造方法の例を工程順に示す断面図。Sectional drawing which shows the example of the manufacturing method of the wiring board composite of 2nd Embodiment of the manufacturing method of the wiring board composite of this invention in process order. 本発明の配線基板複合体の製造方法の第3の実施の形態のの例を工程順に示す断面図。Sectional drawing which shows the example of 3rd Embodiment of the manufacturing method of the wiring board composite body of this invention in order of a process. 本発明の配線基板複合体の製造方法の第3の実施の形態の例を工程順に示す断面図。Sectional drawing which shows the example of 3rd Embodiment of the manufacturing method of the wiring board composite_body | complex of this invention to process order. 本発明の配線基板複合体の製造方法の第4の実施の形態の例を工程順に示す断面図。Sectional drawing which shows the example of 4th Embodiment of the manufacturing method of the wiring board composite_body | complex of this invention to process order. 本発明の配線基板複合体の製造方法の第5の実施の形態の例を工程順に示す断面図。Sectional drawing which shows the example of 5th Embodiment of the manufacturing method of the wiring board composite_body | complex of this invention to process order. 本発明の配線基板複合体の製造方法の第5の実施の形態の例を工程順に示す断面図。Sectional drawing which shows the example of 5th Embodiment of the manufacturing method of the wiring board composite_body | complex of this invention to process order. 本発明の配線基板複合体の製造方法の第6の実施の形態の例を工程順に示す断面図。Sectional drawing which shows the example of 6th Embodiment of the manufacturing method of the wiring board composite_body | complex of this invention to process order. 本発明の配線基板の製造方法の第1の実施の形態の例を工程順に示す断面図。Sectional drawing which shows the example of 1st Embodiment of the manufacturing method of the wiring board of this invention to process order. 本発明の配線基板の製造方法の第2の実施の形態の例を工程順に示す断面図。Sectional drawing which shows the example of 2nd Embodiment of the manufacturing method of the wiring board of this invention in order of a process. 本発明の配線基板の製造方法の第3の実施の形態の例を工程順に示す断面図。Sectional drawing which shows the example of 3rd Embodiment of the manufacturing method of the wiring board of this invention to process order. 本発明の半導体装置の製造方法の第1の実施の形態の例を工程順に示す断面図。Sectional drawing which shows the example of 1st Embodiment of the manufacturing method of the semiconductor device of this invention to process order. 本発明の半導体装置の製造方法の第2の実施の形態の例を工程順に示す断面図。Sectional drawing which shows the example of 2nd Embodiment of the manufacturing method of the semiconductor device of this invention to process order. 本発明の半導体装置の製造方法の第3の実施の形態の例を工程順に示す断面図。Sectional drawing which shows the example of 3rd Embodiment of the manufacturing method of the semiconductor device of this invention to process order. 本発明の半導体装置の製造方法の第4の実施の形態の例を工程順に示す断面図。Sectional drawing which shows the example of 4th Embodiment of the manufacturing method of the semiconductor device of this invention to process order. 本発明の実施例1を工程順に示す断面図。Sectional drawing which shows Example 1 of this invention in order of a process. 本発明の実施例2を工程順に示す断面図。Sectional drawing which shows Example 2 of this invention in order of a process.

符号の説明Explanation of symbols

11、111 配線基板複合体
11a 配線基板複合体前駆体
11b 配線基板複合体中間体
11 配線基板複合体
12、112 配線基板
13、113 分割領域
13a、113a 金属パターン
14 支持体
15 半導体素子
16 モールド樹脂
17 部品
18 金属層
19 半導体装置
101 銅箔
102 ポリイミドフィルム
103 導電性ポスト
104、104、104 導電性パターン
105、105、105 絶縁層
106 ステンレス基板
107 銅薄膜
DESCRIPTION OF SYMBOLS 11, 111 Wiring board composite body 11a Wiring board composite precursor 11b Wiring board composite intermediate body 11 Wiring board composite bodies 12, 112 Wiring boards 13, 113 Divided regions 13a, 113a Metal pattern 14 Support body 15 Semiconductor element 16 Mold resin 17 Component 18 Metal layer 19 Semiconductor device 101 Copper foil 102 Polyimide film 103 Conductive post 104 1 , 104 2 , 104 3 Conductive pattern 105 1 , 105 2 , 105 3 Insulating layer 106 Stainless steel substrate 107 Copper thin film

Claims (6)

絶縁層と配線層とを有する配線基板が間に分割領域を挟んで複数設けられた配線基板複合体であって、前記分割領域が前記配線基板複合体を分割する金属パターンを有し、前記配線基板および前記分割領域が支持体上に設けられ、前記支持体と前記配線基板との界面に密着力が低い低密着層が形成されており、前記分割領域の全体が前記金属パターンにより形成されていることを特徴とする配線基板複合体。 A plurality obtained wiring board composite body across the divided areas during a wiring substrate having a wiring layer and an insulating layer, the divided regions have a Rukin genus pattern to divide the wiring substrate complexes, The wiring substrate and the divided region are provided on a support, and a low adhesion layer having low adhesion is formed at an interface between the support and the wiring substrate, and the entire divided region is formed by the metal pattern. A wiring board composite characterized by being made . 前記金属パターンの一部が前記配線基板の外表面より高く突出していることを特徴とする請求項に記載の配線基板複合体。 The wiring board composite according to claim 1 , wherein a part of the metal pattern protrudes higher than an outer surface of the wiring board. 前記金属パターンの断面パターンは、パターン幅に変位を有することを特徴とする請求項またはに記載の配線基板複合体。 The cross-sectional pattern of the metal pattern, the wiring board composite body according to claim 1 or 2, characterized in that it has a displacement pattern width. 前記金属パターンの断面パターンが、凹部若しくは突起、または、段差を有することを特徴とする請求項またはに記載の配線基板複合体。 The cross-sectional pattern of the metal pattern, recesses or projections, or the wiring board composite body according to claim 1 or 2, characterized in that it has a step. 前記配線基板上に半導体素子が搭載されていることを特徴とする請求項1からのいずれかに記載の配線基板複合体。 Wiring board composite body according to any one of 4 from claim 1, characterized in that the semiconductor element on the wiring substrate is mounted. 前記半導体素子が樹脂封止されていることを特徴とする請求項に記載の配線基板複合体。 The wiring board composite according to claim 5 , wherein the semiconductor element is resin-sealed.
JP2007174773A 2007-07-03 2007-07-03 Wiring board composite Expired - Fee Related JP5130803B2 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2007174773A JP5130803B2 (en) 2007-07-03 2007-07-03 Wiring board composite

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2007174773A JP5130803B2 (en) 2007-07-03 2007-07-03 Wiring board composite

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2009016466A JP2009016466A (en) 2009-01-22
JP5130803B2 true JP5130803B2 (en) 2013-01-30

Family

ID=40357041

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2007174773A Expired - Fee Related JP5130803B2 (en) 2007-07-03 2007-07-03 Wiring board composite

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP5130803B2 (en)

Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6114181B2 (en) * 2013-12-27 2017-04-12 京セラ株式会社 Manufacturing method of multi-cavity wiring board
JP2015128120A (en) * 2013-12-28 2015-07-09 京セラサーキットソリューションズ株式会社 Multi-piece wiring board and manufacturing method of the same
JP2015222741A (en) * 2014-05-22 2015-12-10 京セラサーキットソリューションズ株式会社 Multi-piece wiring board and method of manufacturing the same
CN112040640B (en) * 2020-09-16 2021-11-26 宁波市国华光电科技有限公司 Multilayer PCB circuit board and assembly device thereof
CN113840456A (en) * 2021-09-26 2021-12-24 珠海格力电器股份有限公司 Circuit board assembly, controller and motor

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6391220B1 (en) * 1999-08-18 2002-05-21 Fujitsu Limited, Inc. Methods for fabricating flexible circuit structures
JP4543688B2 (en) * 2003-02-04 2010-09-15 東レ株式会社 Circuit board manufacturing method and manufacturing apparatus
JP2004343072A (en) * 2003-04-23 2004-12-02 Kyocera Corp Multipiece wiring board
JP2005191090A (en) * 2003-12-24 2005-07-14 Ngk Spark Plug Co Ltd Manufacturing method for wiring board and wiring-board raw material
JP4735941B2 (en) * 2005-01-06 2011-07-27 日立化成工業株式会社 Wiring board for light emitting device

Also Published As

Publication number Publication date
JP2009016466A (en) 2009-01-22

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US9515018B2 (en) Wiring substrate and method for manufacturing wiring substrate
JP4819471B2 (en) Wiring substrate, semiconductor device using the wiring substrate, and manufacturing method thereof
JP3773896B2 (en) Manufacturing method of semiconductor device
JP5423874B2 (en) Semiconductor element-embedded substrate and manufacturing method thereof
JP5267987B2 (en) Semiconductor device and manufacturing method thereof
JP5392847B2 (en) Wiring board, semiconductor device and manufacturing method thereof
WO2010041630A1 (en) Semiconductor device and method for manufacturing same
JP2013150013A (en) Semiconductor device
US8502367B2 (en) Wafer-level packaging method using composite material as a base
US8581388B2 (en) Multilayered wiring substrate
US9253897B2 (en) Wiring substrate and method for manufacturing the same
JP2010232648A (en) Semiconductor device and method of manufacturing the same
JP5357239B2 (en) WIRING BOARD, SEMICONDUCTOR DEVICE, AND WIRING BOARD MANUFACTURING METHOD
JP5130803B2 (en) Wiring board composite
US8872334B2 (en) Method for manufacturing semiconductor device
JP2012069863A (en) Wiring board and manufacturing method therefor
US8723051B2 (en) Wiring substrate and method for manufacturing wiring substrate
WO2010047227A1 (en) Semiconductor device and method for manufacturing same
US8450622B2 (en) Multilayer wiring substrate and method of manufacturing the same
JP4955259B2 (en) WIRING BOARD, SEMICONDUCTOR DEVICE, AND WIRING BOARD MANUFACTURING METHOD
JP4439336B2 (en) Circuit device manufacturing method
JP5193332B2 (en) Wiring substrate, semiconductor device using the wiring substrate, and manufacturing method thereof
KR20230172403A (en) Modular semiconductor devices and electronic devices incorporating the same

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20100616

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20111227

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20111228

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20120123

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20120529

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20120707

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20121009

A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20121022

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20151116

Year of fee payment: 3

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees