JP5111967B2 - 有機ｅｌディスプレイ及びその製造方法 - Google Patents

Description

本発明は、有機ＥＬディスプレイ及びその製造方法に関する。

有機ＥＬディスプレイは、薄型、広視野角、低消費電力、優れた動画表示特性などの特色を有しており、複数個の有機ＥＬ素子をマトリックス状に配列して構成されたものが従来から知られている。

かかる有機ＥＬ素子は、素子基板上に形成される第１電極層と、第１電極層上に形成される有機発光層と、有機発光層上に形成される第２電極層と、から構成されている。なお、有機発光層は、有機材料から成る複数の層から構成されているものが一般的に用いられている。

有機発光層は、第１電極層及び第２電極層に電圧を加えて、第１電極層及び第２電極層から有機発光層に正孔及び電子を注入し、有機発光層中で正孔と電子が再結合することで、放出されるエネルギーの一部が有機発光層中の発光分子を励起する。そして、有機発光層は、その励起された発光分子が基底状態に戻るときにエネルギーを放出して光を発する。

また、第２電極層は、第１電極層と間を空けて形成されるコンタクト電極層と電気的に接続されたものが開示されている（下記特許文献１参照）。

また、図１４に示すように、有機発光層を成膜する際に、コンタクト電極層と第２電極層との間に、両電極層と異なる材料が被着しないように、コンタクト電極層をマスキングすることが行われている。両電極層の間に両電極層と異なる材料が被着すると、両電極層の間にて電気抵抗が大きくなり、有機発光層に電流が流れにくくなる。
特開２００４−１１９２１０号公報

ところが、微細なコンタクト電極層をマスキングするのは、位置合わせが難しく、画素が小さくなるにつれさらにコンタクト電極層も小さくなり、マスキングすることは困難な作業となる。また、有機発光層を構成する材料を被着させている場合は、マスキングの位置合わせがずれると、コンタクト電極層の表面を被覆するように有機材料が被着することがある。その結果、コンタクト電極層と第２電極層との間の電気的接続が不安定になることがある。

本発明は、上述した課題に鑑みなされたものであって、コンタクト電極層と第２電極層との電気的接続を安定にすることが可能な有機ＥＬディスプレイ及びその製造方法を提供することを目的とする。

上記の課題を解決するため、本発明の有機ＥＬディスプレイは、素子基板と、前記素子基板上に形成される第１電極層と、前記素子基板上に形成され、前記第１電極層と間を空けて併設されるコンタクト電極層と、前記第１電極層の端部上から前記コンタクト電極層の端部上にかけて形成される絶縁物と、前記第１電極層の中央領域上から前記絶縁物上を介して前記コンタクト電極層の端部上にかけて形成される電荷注入層と、前記電荷注入層上であって、前記第１電極層の中央領域上に形成される有機発光層と、前記有機発光層上から前記絶縁物上を介して前記コンタクト電極層上にかけて形成され、前記コンタクト電極層と直接接続される第２電極層と、を備えたことを特徴とする。

また、本発明の有機ＥＬディスプレイは、前記絶縁物が、前記コンタクト電極層との間に隙間が形成されており、前記隙間に前記電荷注入層の一部が充填されていることを特徴とする。

また、本発明の有機ＥＬディスプレイは、前記絶縁物が、前記コンタクト電極層の中央領域を囲むように形成されており、前記隙間は、前記コンタクト電極層の中央領域に沿って形成されていることを特徴とする。

また、本発明の有機ＥＬディスプレイの製造方法は、第１電極層と、該第１電極層と間を空けて併設されるコンタクト電極層と、を有する素子基板を準備する工程と、前記第１電極層の端部上から前記コンタクト電極層の端部上にかけて絶縁物を形成する工程と、前記第１電極層の中央領域上から前記絶縁物上を介して前記コンタクト電極層上にかけて電荷注入層を形成する工程と、前記電荷注入層に熱を加え、前記コンタクト電極層上の前記電荷注入層を溶融させて取り除き、前記コンタクト電極層上を露出させる工程と、を備えたことを特徴とする。

また、本発明の有機ＥＬディスプレイの製造方法は、前記絶縁物と前記コンタクト電極層との間には隙間が形成されており、前記コンタクト電極層上に被着した前記電荷注入層を溶融させて、前記絶縁物と前記コンタクト電極層との間の前記隙間に溶融物を流し込むことを特徴とする。

また、本発明の有機ＥＬディスプレイの製造方法は、前記コンタクト電極層と前記絶縁物との間には、モリブデンから成る中間層が形成されており、前記絶縁物を形成後に、前記中間層をエッチングして除去することで、前記絶縁物と前記コンタクト電極層との間に隙間を形成することを特徴とする。

本発明によれば、コンタクト電極層の上面を露出した状態で、第２電極層をコンタクト電極層上に形成し、両者の電気的接続を安定にすることができる有機ＥＬディスプレイ及びその製造方法を提供することができる。

以下に、本発明について、図面を参照しつつ説明する。

図１は、本発明の実施形態に係る有機ＥＬディスプレイ１の上方斜視図である。また、図２は、本発明の実施形態に係る有機ＥＬディスプレイの画素の拡大断面図である。さらに、図３は、有機ＥＬ素子の拡大断面図である。

有機ＥＬディスプレイ１は、図１に示すように、テレビ等の家電機器、携帯電話又はコンピュータ機器等の電子機器に用いるものであり、基板としての平板状の素子基板２と、素子基板２上に複数の画素３と、かかる画素３の発光を制御する駆動ＩＣ４と、を含んで構成されている。

素子基板２は、例えばガラスやプラスチックから成り、素子基板２の中央に位置する表示領域Ｄ１には、マトリックス状に配列された複数の画素３が形成されている。また、素子基板２の端部に位置する非表示領域Ｄ２には、駆動ＩＣ４が実装されている。

かかる画素３は、図２に示すように、発光領域Ｒ１とコンタクト領域Ｒ２とを含んで構成されており、発光領域Ｒ１に発光可能な有機ＥＬ素子５が設けられている。なお、各画素３は、隔壁６によって仕切られている。また、画素３は、赤色、緑色、青色のいずれかの色を発光することができる。このことは、後述するように有機ＥＬ素子５を構成する有機材料を選択することによって、発光する色を決定することができる。

また、素子基板２上には、素子基板２に対して対向するように配置された封止基板７が形成されている。封止基板７は透明の基板から成り、例えばガラスやプラスチックを用いることができる。さらに、素子基板２の表示領域Ｄ１には、表示領域Ｄ１を被覆するようにシール材８が形成されており、素子基板２と隔壁６と封止基板７とシール材８によって複数の画素３を密封している。なお、シール材８は、例えばアクリル樹脂、エポキシ樹脂、ウレタン樹脂又はシリコン樹脂等の光硬化性又は熱硬化性の樹脂を用いることができる。好ましくは、紫外線の照射により硬化する光硬化性のエポキシ樹脂を採用する。

次に、図３に示すように、素子基板２と封止基板７との間に形成される各種層について説明する。

素子基板２上には、ＴＦＴや電気配線が形成されている回路層９と、回路層９上に回路層９を外部と電気的に絶縁するための窒化珪素等から成る絶縁層１０が形成されている。なお、回路層９の一部と、後述するコンタクト電極層１１とが電気的に接続されている。また、絶縁層１０上には、回路層９や絶縁層１０の凹凸を低減するための平坦化膜１２が形成されている。かかる平坦化膜１２は、例えばノボラック樹脂、アクリル樹脂、エポキシ樹脂又はシリコン樹脂等の絶縁性を有する有機材料を用いることができる。なお、平坦化膜１２の厚みは、例えば２μｍ以上、５μｍ以下に設定されている。

また、平坦化膜１２には、平坦化膜１２を貫通するコンタクトホール１３が形成されている。かかるコンタクトホール１３は、上部よりも下部が幅狭な逆テーパー状に形成されている。さらにコンタクトホール１３の内周面から平坦化膜１２の上面にかけて、例えば銅やアルミニウム等の導電材料から成るコンタクト電極層１１が形成されている。

さらに、平坦化膜１２上には、有機ＥＬ素子５が形成されている。

有機ＥＬ素子５は、第１電極層１４と、第１電極層１４上に形成された電荷注入層１５と、電荷注入層１５上に形成された有機発光層１６と、有機発光層１６上に形成された第２電極層１７と、を含んで構成されている。

また、有機ＥＬ素子５を被覆するように、表示領域Ｄ１上には保護層１８が形成されている。保護層１８は、有機ＥＬ素子５を封止し、有機ＥＬ素子を水分や外気から保護するものであって、光透過性の機能を有し、例えば窒化珪素、酸化珪素又は窒化炭化珪素等の無機材料から成る。なお、保護層１８の厚みは、例えば１００ｎｍ以上、５μｍ以下に設定されている。

第１電極層１４は、平坦化膜１２上に形成されるとともに、コンタクト電極層１１と間を空けて併設されている。第１電極層１４は、例えばアルミニウム、銀、銅、金又はロジウム等の金属、又はこれらの合金等の光反射率の大きい材料から成る。このように、第１電極層１４を光反射率の大きい材料から構成することにより、トップエミッション型の有機ＥＬ素子５においては光取り出し効率を向上させることができる。なお、第１電極層１４の厚みは、例えば５０ｎｍ以上、５００ｎｍ以下に設定されている。

また、第１電極層１４は、コンタクト電極層１１と間を空けて併設されており、第１電極層１４の端部上からコンタクト電極層１１の端部上にかけて絶縁物１９が形成されており、かかる絶縁物１９は、その絶縁層１９の端部の一部が第１電極層１４と第２電極層１７との間に介在され、両者の短絡を防止している。なお、第１電極層１４の端部及びコンタクト電極層１１の端部とは、絶縁層１９の少なくとも一部が形成されうる箇所をいう。

また、絶縁物１９には、コンタクト電極層１１と間を空けるように隙間Ｇが形成されている。隙間Ｇの高さが、例えば３０ｎｍ以上、７０ｎｍ以下に設定されており、さらにコンタクト領域Ｒ２側から発光領域Ｒ１側に向かって、例えば５００ｎｍ以上削られている。かかる絶縁物１９は、フェノール樹脂、アクリル樹脂又はポリイミド樹脂等の有機絶縁材料や、窒化珪素等の無機絶縁材料から成る。

また、絶縁物１９は、コンタクト領域Ｒ２を取り囲むように形成されており、絶縁物１９に形成される隙間Ｇは、コンタクト領域Ｒ２に沿って設けられている。その結果、隙間Ｇの領域を十分に大きく確保することができ、後述するように、コンタクト電極層１１上に被着する電荷注入層１５を構成する材料の多くを隙間Ｇに流入させることができ、コンタクト電極層１１を効果的に露出させることができる。

また、絶縁物１９上には、隔壁６が形成されている。

隔壁６は、絶縁物１９上に形成され、画素３を取り囲むように配置されている。隔壁６は、上部よりも下部が幅狭であって、例えばフェノール樹脂、アクリル樹脂又はポリイミド樹脂等の有機絶縁材料から成る。

電荷注入層１５は、第１電極層１４の中央領域上から絶縁物１９上を介してコンタクト電極層１１上まで形成されている。電荷注入層１５は、コンタクト電極層１１の上面の全てを被覆せずに設けられている。また、電荷注入層１５が形成される第１電極層１４の中央領域とは、有機発光層１６が形成される領域をいう。

かかる電荷注入層１５は、例えばＮ，Ｎ’−ビス（３−メチルフェニル）−（１，１’−ビフェニル）−４，４’−ジアミン（ＴＰＤ）、４，４’−ビス[Ｎ−（ナフチル）−Ｎ−フェニル−アミノ]ビフェニル（α−ＮＰＤ）等 の芳香族ジアミン化合物、オキサゾール、オキサジアゾール、トリアゾール、イミダゾール、イミダゾロン、スチルベン誘導体、ピラゾリン誘導体、テトラヒドロイミダゾール、 ポリアリールアルカン、ブタジエン、および４，４’，４”−トリス（Ｎ−（３−メチルフェニル）Ｎ−フェニルアミノ）トリフェニルアミン（ｍ−ＭＴＤＡＴＡ）等のスターバースト芳香族やアミン化合物を用いることができる。なお、第１電極層１４の直上に形成される電荷注入層１５の厚みは、例えば１０ｎｍ以上、５０ｎｍ以下に設定されている。

有機発光層１６は、例えばＣＢＰ、Ａｌｑ_３又はＳＤＰＶＢｉ等の発光樹脂、またはこれらにＤＣＪＴＢ、クマリン、キナクリドン、スチリルアミン又はペルリン等の添加物を含有したものを用いることができる。なお、有機発光層１６と第２電極層１７との間に、例えばα‐ＮＰＤ又はＴＰＤ等の輸送層、酸化ニッケル、酸化チタン、フッ化炭素又はＣｕＰｃ等の注入層を、介在させることができる。

第２電極層１７は、光と透過する導電材料から、有機発光層１６上から絶縁物１９まで延在されており、該延在部がコンタクト電極層１１と直接接続されている。第２電極層１７は、例えばＩＴＯ又はＩＺＯ等の透明電極や、プラチナ、金、ニッケル、銀又は銅や、これらの合金から成る。

以下に、本発明の実施形態に係る有機ＥＬディスプレイ１の製造方法について、図４から図８を用いて詳細に説明する。

まず、回路層９と、絶縁層１０とを上面に有する素子基板２を準備する。なお、回路層９及び絶縁層１０は、従来周知のＣＶＤ法、スパッタリング法やフォトリソグラフィー法等の薄膜加工技術を用いて、所定パターンに形成される。

そして、図４（ａ）に示すように、回路層９及び絶縁層１０を被覆するように例えば従来周知のスピンコート法を用いて、有機樹脂膜１２ａを形成する。なお、有機樹脂膜１２ａは、硬化後に平坦化膜１２となる。

次に、有機樹脂膜１２ａ上に露光マスクを用いて有機樹脂膜１２ａを露光し、さらに現像、ベーキング処理を行い、図４（ｂ）に示すように、回路層９の一部を露出させて、上部よりも下部が幅狭なコンタクトホール１３を有する平坦化膜１２を形成する。そして、図４（ｃ）に示すように、例えばアルミニウムから成る金属膜１４ａを形成する。なお、金属膜１４ａは、後述するようにパターニング後に、第１電極層１４及びコンタクト電極層１１と成る。

さらに、図５（ａ）に示すように、露出した金属膜１４ａに対して、従来周知のエッチング処理を行うことで、パターニングして第１電極層１４及びコンタクト電極層１１を形成する。

次に、図５（ｂ）に示すように、例えばスピンコート法を用いて、第１電極層１４、コンタクト電極層１１及び露出した平坦化膜１２上に、絶縁物１９となりうる有機絶縁材料を被着し、有機絶縁材料層１９ａを形成する。さらに、図５（ｃ）に示すように、有機絶縁材料層１９ａ上に、フォトマスクＭを対向配置する。フォトマスクＭは、絶縁物１９となりうる領域の直上を被覆するとともに、発光領域Ｒ１及びコンタクト領域Ｒ２に対応する領域に開口Ｍ１、Ｍ２を有している。なお、開口Ｍ１、Ｍ２は、有機絶縁材料層１９ａを露光する範囲を調整するために、Ｍ１のテーパーの角度をＭ２のテーパーの角度よりも緩やかに設定されている。

そして、図６（ａ）に示すように、露光装置を用いて、フォトマスクＭを介して、有機絶縁材料層１９ａに光を照射する。なお、光が照射された領域Ｂは、後述するように現像することによって除去される。そして、図６（ｂ）に示すように、フォトマスクＭを有機絶縁材料層１９ａから取り除く。

そして、図６（ｃ）に示すように、光が照射された有機絶縁材料層１９ａの領域Ｂに対し、現像液を浸透させて領域Ｂを除去する。コンタクト領域Ｒ２は、コンタクト領域Ｒ１よりも光の照射された角度が急であるため、サイドエッチングが加わりやすく、隙間Ｇを有する絶縁物１９を形成することができる。かかる絶縁物１９は、コンタクト電極層１１の表面を一部露出するように、コンタクト電極層１１の外周を覆って形成される。

また、別の隙間Ｇを有する絶縁物１９の製造方法としては、例えば、予め、コンタクト電極層１１上にモリブデン又はモリブデン合金から成る中間層を形成しておき、絶縁物１９を形成後に、硝酸、酢酸又は燐酸等から成る混酸を中間層に浸透させて中間層をエッチングする。そして、中間層を選択的に除去することによって、中間層が形成されていた箇所に隙間Ｇを形成することも可能である。

次に、図７（ａ）に示すように、絶縁物１９上に、従来周知の薄膜加工技術を用いて、上部よりも下部が幅狭な隔壁６を形成する。かかる隔壁６は、各画素３を取り囲むように形成される。

そして、図７（ｂ）に示すように、表示領域Ｄ１全体に対し、具体的には、発光領域Ｒ１及びコンタクト領域Ｒ２上に、従来周知の蒸着法を用いて電荷注入層１５を形成する。そして、図７（ｃ）に示すように、電荷注入層１５に対し、該電荷注入層１５を構成する材料のガラス転移点以上の温度、且つ昇華点未満の温度の熱を加えて、電荷注入層１５を溶融させ、隙間Ｇに溶融した電荷注入層１５を構成する材料を流しこむ。かかる場合、コンタク電極層１１上に被着した電荷注入層１５を構成ずる材料は、溶融後に、表面張力によって、絶縁物１９の隙間Ｇに向かって流れる。その結果、図１４に示すように、電荷注入層１５を形成する際に、コンタクト領域Ｒ２をマスクｍにて被覆しなくても、コンタクト電極層１１の上面を一部露出させることができ、製造工程を単純化することができ、生産性を向上させることができる。

次に、図８（ａ）に示すように、電荷注入層１５上に、従来周知の蒸着法を用いて、有機発光層１６を形成する。さらに、図８（ｂ）に示すように、有機発光層１６からコンタクト電極層１１上にかけて、従来周知の蒸着法を用いて、第２電極層１７を形成する。したがって、上面が露出しているコンタクト電極層１１と第２電極層１７とが直接接続され、両者の間に、不純物の層が形成されることがなく、両者を直接接続することができ、コンタクト電極層１１と第２電極層１７との間の電気的接続を安定にすることができる。

このようにして、有機ＥＬ素子５を形成することができる。さらに、図８（ｃ）に示すように、有機ＥＬ素子５を被覆するように、従来周知の薄膜形成技術を用いて、保護層１８を形成する。そして、有機ＥＬ素子が形成された素子基板２に対して、封止基板７を対向配置し、両者をシール材８を介して接着する。なお、封止基板７をシール材８によって、素子基板２に固定する作業は、例えば窒素ガス又はアルゴンガス等の不活性ガス中や、高真空中で行うことによって、素子基板２と封止基板７との間に酸素や水分が含まれるのを抑制することができる。

そして、非表示領域Ｄ２に駆動ＩＣ４を実装することで、有機ＥＬディスプレイ１を製造することができる。

上述したように、本発明の実施形態によれば、絶縁物１９に隙間Ｇを設けることで、仮に発光領域Ｒ１に電荷注入層１５を被着させる際に、コンタクト領域Ｒ２におけるコンタクト電極層１１上に電荷注入層１５を構成する材料が被着しても、コンタクト電極層１１上に被着した電荷注入層１５を構成する材料を溶融させて、絶縁物１９の隙間Ｇに流入させることができる。その結果、コンタクト電極層１１上を露出させることができ、後に形成する第２電極層１７をコンタクト電極層１１に直接接続させることができ、両者の電気的接続を安定にすることができる。

なお、本発明は上述の形態に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲において種々の変更、改良等が可能である。

本発明の第２の実施形態として、図９、図１０に示すように、絶縁物１９には、コンタクト電極層側に切り欠いた溝Ｈを有していても構わない。溝Ｈは、従来周知の薄膜加工技術を用いることにより、有機絶縁材料層１９ａのエッチングパターンを調整し、形成することができる。溝Ｈが形成されていると、電荷注入層１５を、例えば蒸着法を用いて素子基板２上に被着させた後、コンタクト電極層１１上に被着した電荷注入層１５に熱を加えて溶融させ、溶融した電荷注入層１５を構成する材料を、絶縁物１９の側面を介して、毛管現象によって、溝Ｈまで流す。その結果、コンタクト電極層１１上を露出させて、コンタクト電極層１１と第２電極層１７とを直接接続することができる。

また、本発明の第３の実施形態として、図１１に示すように、コンタクト領域Ｒ２におけるコンタクト電極層１１に凹部１１ａが形成されていても構わない。凹部１１ａは、例えば、予め、コンタクト領域Ｒ２に対応する平坦化膜１２に窪みを形成し、その平坦化膜１２上にコンタクト電極層１１を形成することで、凹部１１ａを形成することができる。また、凹部１１ａは、例えば、第１電極層１４及びコンタクト電極層１１と成りうる金属膜１４ａをエッチングする際に、コンタクト領域Ｒ２に対応する金属膜１４ａの表面に対し、該金属膜１４ａの表面が窪んで凹部となるようにエッチングすることによって形成することもできる。凹部１１ａは、コンタクト電極層１１の表面が窪んだものであって、溶融した電荷注入層１５を構成する材料が、窪んだ凹部１１ａに溜まる。その結果、コンタクト電極層１１上を露出させて、コンタクト電極層１１と第２電極層１７とを直接接続することができる。

また、本発明の第４の実施形態として、図１２に示すように、コンタクト領域Ｒ２におけるコンタクト電極層１１に凸部１１ｂが形成されていても構わない。凸部１１ｂは、コンタクト領域Ｒ２に対応する有機絶縁材料層１９ａが一部残存するように、フォトマスクＭを調整し、露光現像することによって形成することができる。コンタクト領域Ｒ２に被着した電荷注入層１５が溶融すると、凸部１１ｂに凝集することができ、コンタクト領域Ｒ２におけるコンタクト電極層１１を露出させることができる。その結果、第２電極層１７を露出したコンタクト電極層１１に直接接続することができる。

また、本発明の第５の実施形態として、図１３に示すように、絶縁物１９ｘは、第１電極層１４上の端部から第１電極層１４とコンタクト電極層１１との間の露出領域Ｆにかけて形成され、且つコンタクト電極層１１と間を空けて設けられている。すなわち、コンタクト領域Ｒ２における絶縁物１９ｘの縁が、コンタクト電極層１１と間を空けて設けられている。そのため、コンタクト領域Ｒ２における平坦化膜１２の上面が露出するため、かかる露出箇所に溶融した電荷注入層１５を構成する材料を流し込むことができる。具体的には、電荷注入層１５を発光領域Ｒ１及びコンタクト領域Ｒ２にかけて被着して形成した後、コンタクト領域Ｒ２のコンタクト電極層１１上に被着した電荷注入層１５を構成する材料を溶融して露出領域Ｆに流す。その結果、コンタクト電極層１１の上面を露出することができ、しいてはコンタクト電極層１１と第２電極層１７とを直接接続することができる。なお、絶縁物１９ｘは、有機絶縁材料層１９ａを従来周知のフォトリソグラフィー技術を用いて、コンタクト領域Ｒ２における平坦化膜１２の上面が一部露出するように、露光現像することによって形成することができる。

また、本発明の第６の実施形態として、図１４に示すように、第５の実施形態における露出領域Ｆに凹部２０が形成されている。電荷注入層１５を、例えば蒸着法を用いて素子基板２上に被着させた後、コンタクト電極層１１上に被着した電荷注入層１５に熱を加えて溶融させ、溶融した電荷注入層１５を構成する材料を、凹部２０に流し込む。凹部２０は、コンタクト電極層１１の下面よりもさらに下方に窪んでいるため、凹部２０に溶融した電荷注入層１５を構成する材料を集中させることができる。その結果、コンタクト電極層１１上を露出させて、コンタクト電極層１１と第２電極層１７とを直接接続することができる。なお、凹部２０は、次の方法によって形成される。例えば、上述した有機絶縁材料層１９ａを現像液にて現像する際に、平坦化膜１２の上面をも現像することで、露出領域Ｆに凹部２０を形成することができる。

本発明の実施形態に係る有機ＥＬディスプレイの平面図である。 本発明の実施形態に係る画素の拡大平面図である。 本発明の実施形態に係る有機ＥＬ素子の拡大断面図である。 本発明の実施形態に係る有機ＥＬディスプレイの製造工程を説明する画素の断面図である。 本発明の実施形態に係る有機ＥＬディスプレイの製造工程を説明する画素の断面図である。 本発明の実施形態に係る有機ＥＬディスプレイの製造工程を説明する画素の断面図である。 本発明の実施形態に係る有機ＥＬディスプレイの製造工程を説明する画素の断面図である。 本発明の実施形態に係る有機ＥＬディスプレイの製造工程を説明する画素の断面図である。 本発明の第２の実施形態に係る有機ＥＬ素子の拡大断面図である。 本発明の第２の実施形態に係る有機ＥＬ素子の平面図である。 本発明の第３の実施形態に係る有機ＥＬ素子の拡大断面図である。 本発明の第４の実施形態に係る有機ＥＬ素子の拡大断面図である。 本発明の第５の実施形態に係る有機ＥＬ素子の拡大断面図である。 本発明の第６の実施形態に係る有機ＥＬ素子の拡大断面図である。 コンタクト領域をマスクで被覆した状態を示す平面図である。

符号の説明

１ 有機ＥＬディスプレイ
２ 素子基板
３ 画素
４ 駆動ＩＣ
５ 有機ＥＬ素子
６ 隔壁
７ 封止基板
８ シール材
９ 回路層
１０ 絶縁層
１１ コンタクト電極層
１２ 平坦化膜
１３ コンタクトホール
１４ 第１電極層
１５ 電荷注入層
１６ 有機発光層
１７ 第２電極層
１８ 保護層
１９ 絶縁物
２０ 凹部
Ｄ１ 表示領域
Ｄ２ 非表示領域
Ｒ１ 発光領域
Ｒ２ コンタクト領域
Ｆ 露出領域
Ｇ 隙間

Claims (6)

1. 素子基板と、
   前記素子基板上に形成される第１電極層と、
   前記素子基板上に形成され、前記第１電極層と間を空けて併設されるコンタクト電極層と、
   前記第１電極層の端部上から前記コンタクト電極層の端部上にかけて形成される絶縁物と、
   前記第１電極層の中央領域上から前記絶縁物上を介して前記コンタクト電極層の端部上にかけて形成される電荷注入層と、
   前記電荷注入層上であって、前記第１電極層の中央領域上に形成される有機発光層と、
   前記有機発光層上から前記絶縁物上を介して前記コンタクト電極層上にかけて形成され、前記コンタクト電極層と直接接続される第２電極層と、
   を備えたことを特徴とする有機ＥＬディスプレイ。
2. 請求項１に記載の有機ＥＬディスプレイにおいて、
   前記絶縁物は、前記コンタクト電極層との間に隙間が形成されており、
   前記隙間に前記電荷注入層の一部が充填されていることを特徴とする有機ＥＬディスプレイ。
3. 請求項２に記載の有機ＥＬディスプレイにおいて、
   前記絶縁物は、前記コンタクト電極層の中央領域を囲むように形成されており、
   前記隙間は、前記コンタクト電極層の中央領域に沿って形成されていることを特徴とする有機ＥＬディスプレイ。
   
   
4. 第１電極層と、該第１電極層と間を空けて併設されるコンタクト電極層と、を有する基板を準備する工程と、
   前記第１電極層の端部上から前記コンタクト電極層の端部上にかけて絶縁物を形成する工程と、
   前記第１電極層の中央領域上から前記絶縁物上を介して前記コンタクト電極層上にかけて電荷注入層を形成する工程と、
   前記電荷注入層に熱を加え、前記コンタクト電極層上の前記電荷注入層を溶融させて取り除き、前記コンタクト電極層上を露出させる工程と、
   を備えたことを特徴とする有機ＥＬディスプレイの製造方法。
5. 請求項４に記載の有機ＥＬディスプレイの製造方法において、
   前記絶縁物と前記コンタクト電極層との間には隙間が形成されており、
   前記コンタクト電極層上に被着した前記電荷注入層を溶融させて、前記絶縁物と前記コンタクト電極層との間の前記隙間に溶融物を流し込むことを特徴とする有機ＥＬディスプレイの製造方法。
6. 請求項４又は請求項５に記載の有機ＥＬディスプレイの製造方法において、
   前記コンタクト電極層と前記絶縁物との間には、モリブデンから成る中間層が形成されており、
   前記絶縁物を形成後に、前記中間層をエッチングして除去することで、前記絶縁物と前記コンタクト電極層との間に隙間を形成することを特徴とする有機ＥＬディスプレイの製造方法。

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