JP5107281B2 - Electronic component, duplexer, communication module, communication apparatus, and electronic component manufacturing method - Google Patents

Electronic component, duplexer, communication module, communication apparatus, and electronic component manufacturing method Download PDF

Info

Publication number
JP5107281B2
JP5107281B2 JP2009045339A JP2009045339A JP5107281B2 JP 5107281 B2 JP5107281 B2 JP 5107281B2 JP 2009045339 A JP2009045339 A JP 2009045339A JP 2009045339 A JP2009045339 A JP 2009045339A JP 5107281 B2 JP5107281 B2 JP 5107281B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
filter chip
chip
transmission filter
electronic component
duplexer
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
JP2009045339A
Other languages
Japanese (ja)
Other versions
JP2010200221A (en
Inventor
和則 井上
隆志 松田
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Taiyo Yuden Co Ltd
Original Assignee
Taiyo Yuden Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Taiyo Yuden Co Ltd filed Critical Taiyo Yuden Co Ltd
Priority to JP2009045339A priority Critical patent/JP5107281B2/en
Publication of JP2010200221A publication Critical patent/JP2010200221A/en
Application granted granted Critical
Publication of JP5107281B2 publication Critical patent/JP5107281B2/en
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Landscapes

  • Transceivers (AREA)
  • Surface Acoustic Wave Elements And Circuit Networks Thereof (AREA)
  • Piezo-Electric Or Mechanical Vibrators, Or Delay Or Filter Circuits (AREA)

Description

本願の開示は、電子部品、デュープレクサ、通信モジュール、通信装置、および電子部品の製造方法に関する。   The disclosure of the present application relates to an electronic component, a duplexer, a communication module, a communication device, and a method for manufacturing the electronic component.

電子部品の一つとして、弾性表面波デバイス(以下、SAWデバイスと称する)が知られている。弾性表面波デバイスは、例えばテレビジョン受像機、ビデオテープレコーダ、DVD(Digital Versatile Disk)レコーダ、携帯電話機等のフィルタ素子や発振子に広く用いられている。   As one of electronic components, a surface acoustic wave device (hereinafter referred to as a SAW device) is known. Surface acoustic wave devices are widely used in filter elements and oscillators of, for example, television receivers, video tape recorders, DVD (Digital Versatile Disk) recorders, mobile phones and the like.

現在、SAWデバイスは、例えば45MHz〜2GHzの周波数帯域における無線信号を処理する各種回路に採用されている。SAWデバイスが採用されている回路は、例えば送信用バンドパスフィルタ、受信用バンドパスフィルタ、局部発信フィルタ、アンテナ共用器、中間周波フィルタ、FM変調器等がある。また、先に述べた受信用フィルタと送信用フィルタを備えた回路として、デュープレクサがある。   Currently, SAW devices are employed in various circuits that process radio signals in a frequency band of 45 MHz to 2 GHz, for example. Examples of circuits in which the SAW device is employed include a transmission band-pass filter, a reception band-pass filter, a local transmission filter, an antenna duplexer, an intermediate frequency filter, and an FM modulator. Further, there is a duplexer as a circuit including the reception filter and the transmission filter described above.

図1は、デュープレクサの概略構成を示すブロック図である。図1に示すように、デュープレクサ102は、位相整合回路103、受信フィルタ104、および送信フィルタ105を備えている。デュープレクサ102は、アンテナ101を介して入力される受信信号を受信フィルタ104において所定の周波数帯域のみの信号を抽出し、端子106から出力する。また、端子107を介して入力される送信信号は、送信フィルタ105を介してアンテナ101から出力される。   FIG. 1 is a block diagram illustrating a schematic configuration of a duplexer. As illustrated in FIG. 1, the duplexer 102 includes a phase matching circuit 103, a reception filter 104, and a transmission filter 105. The duplexer 102 extracts a signal of only a predetermined frequency band from the reception signal input via the antenna 101 in the reception filter 104 and outputs the signal from the terminal 106. A transmission signal input via the terminal 107 is output from the antenna 101 via the transmission filter 105.

近年、これらの信号処理機器は小型化が進み、使用されるSAWデバイスなどの電子部品も小型化の要求が強くなってきている。特に、携帯電話機等の携帯用電子機器には、表面実装で且つ薄型のSAWデバイスが要求されるようになってきた。   In recent years, these signal processing devices have been reduced in size, and electronic components such as SAW devices used have been increasingly required to be downsized. In particular, surface-mounted and thin SAW devices have been required for portable electronic devices such as mobile phones.

特許文献1には、パッケージ基板とSAWデバイスチップと周辺部を半田などの金属材料によりロウ付け封止するSAWデバイスが開示されている。   Patent Document 1 discloses a SAW device in which a package substrate, a SAW device chip, and a peripheral portion are brazed and sealed with a metal material such as solder.

図2は、特許文献1に開示されているSAWデバイスの断面図である。図2において、SAWデバイスチップは、圧電基板210上の一主面にSAWを励起及び受信するための電極211が形成されている。圧電基板210の同一主面には、電気信号を入出力するための電極パッド212が配されている。更に、SAWデバイスチップの外周表面には、封止部203が配されている。   FIG. 2 is a cross-sectional view of the SAW device disclosed in Patent Document 1. As shown in FIG. In FIG. 2, the SAW device chip has an electrode 211 for exciting and receiving SAW on one main surface on the piezoelectric substrate 210. On the same main surface of the piezoelectric substrate 210, electrode pads 212 for inputting / outputting electric signals are arranged. Further, a sealing portion 203 is disposed on the outer peripheral surface of the SAW device chip.

パッケージ基板220は、外部端子222と、その反対側の面に形成されSAWデバイスチップ210と電気的に接続するためのパッド部233と、SAWデバイスチップ210の封止部203と対向する封止部232とを備えている。   The package substrate 220 includes an external terminal 222, a pad portion 233 that is formed on the surface opposite to the external terminal 222 and electrically connected to the SAW device chip 210, and a sealing portion that faces the sealing portion 203 of the SAW device chip 210. 232.

外部端子222とパッド部233とは、パッケージ基板220内を貫通する貫通配線221で電気的に接続されている。SAWデバイスチップ210とパッケージ基板220は、金属バンプ240を介して、いわゆるフリップチップ接合されている。   The external terminal 222 and the pad portion 233 are electrically connected by a through wiring 221 that penetrates the package substrate 220. The SAW device chip 210 and the package substrate 220 are so-called flip chip bonded via metal bumps 240.

更に、SAWデバイスチップ210とパッケージ基板220との対向領域において、SAWデバイスチップ210の外周縁近傍は、封止はんだ241により気密封止されている。   Further, in the region where the SAW device chip 210 and the package substrate 220 face each other, the vicinity of the outer peripheral edge of the SAW device chip 210 is hermetically sealed with a sealing solder 241.

特開2004−129193号公報   JP 2004-129193 A

特許文献に開示されているデバイスチップでは、デバイスチップが外装樹脂層250で覆われているため、電磁界が受信フィルタ側には広がりにくく、送信帯域のアイソレーションは悪化しない。しかし、送信フィルタ付近の電磁界は広がったままのため、送信フィルタはノイズの影響を受けることになり、受信帯域のアイソレーションを悪化させることになる。   In the device chip disclosed in the patent document, since the device chip is covered with the exterior resin layer 250, the electromagnetic field is difficult to spread to the reception filter side, and the isolation of the transmission band does not deteriorate. However, since the electromagnetic field in the vicinity of the transmission filter remains widened, the transmission filter is affected by noise, which deteriorates the isolation of the reception band.

本発明は,送信フィルタおよび受信フィルタの帯域の両方のアイソレーション特性を良好にする電子部品、デュープレクサ、通信モジュール、通信装置、および電子部品の製造方法を提供することを目的とする。   An object of the present invention is to provide an electronic component, a duplexer, a communication module, a communication device, and a method for manufacturing the electronic component that improve the isolation characteristics of both the transmission filter and the reception filter.

本願に開示する電子部品は、基板と、前記基板上に搭載された複数のデバイスチップと、前記デバイスチップの少なくとも上部を被覆するように配されている蓋体とを備えた電子部品であって、前記蓋体は、導電部と、電気的に絶縁されている絶縁部とを備え、前記導電部は、前記複数のデバイスチップのうち一方のデバイスチップの少なくとも一部を被覆し、前記絶縁部は、前記複数のデバイスチップのうち他方のデバイスチップの少なくとも一部を被覆している。   An electronic component disclosed in the present application is an electronic component that includes a substrate, a plurality of device chips mounted on the substrate, and a lid disposed so as to cover at least an upper portion of the device chip. The lid includes a conductive portion and an electrically insulated insulating portion, and the conductive portion covers at least a part of one of the plurality of device chips, and the insulating portion Covers at least a part of the other device chip among the plurality of device chips.

本願に開示するデュープレクサは、基板と、前記基板上に搭載され、受信フィルタ回路を備えた受信フィルタチップと、前記基板上に搭載され、送信フィルタ回路を備えた送信フィルタチップと、前記受信フィルタチップ及び前記送信フィルタチップの少なくとも上部を被覆するように配されている蓋体とを備えた、デュープレクサであって、前記蓋体は、導電部と、電気的に絶縁されている絶縁部とを備え、前記導電部は、前記送信フィルタチップの少なくとも一部を被覆し、前記絶縁部は、前記受信フィルタチップの少なくとも一部を被覆している。   A duplexer disclosed in the present application includes a substrate, a reception filter chip mounted on the substrate and including a reception filter circuit, a transmission filter chip mounted on the substrate and including a transmission filter circuit, and the reception filter chip And a duplexer provided to cover at least the upper part of the transmission filter chip, wherein the lid includes a conductive portion and an insulating portion that is electrically insulated. The conductive part covers at least a part of the transmission filter chip, and the insulating part covers at least a part of the reception filter chip.

本願に開示する電子部品の製造方法は、基板に複数のデバイスチップを実装する工程と、前記複数のデバイスチップに感光性樹脂シートを積層する工程と、前記感光性樹脂シートに紫外光を照射し、前記複数のデバイスチップのうち一方のデバイスチップ上の感光性樹脂シートを除去する工程と、前記一方のデバイスチップ上にシート状の半田を配置する工程と、前記半田を加熱溶融し、前記一方のデバイスチップを半田で被覆する工程とを有する。   An electronic component manufacturing method disclosed in the present application includes a step of mounting a plurality of device chips on a substrate, a step of laminating a photosensitive resin sheet on the plurality of device chips, and irradiating the photosensitive resin sheet with ultraviolet light. Removing a photosensitive resin sheet on one of the plurality of device chips, placing a sheet-like solder on the one device chip, heating and melting the solder, Covering the device chip with solder.

本願の開示によれば、送信帯域と受信帯域の両方におけるアイソレーション特性を改善することができる。   According to the disclosure of the present application, the isolation characteristics in both the transmission band and the reception band can be improved.

デュープレクサのブロック図Duplexer block diagram 特許文献1に開示されている電子部品の断面図Sectional drawing of the electronic component currently disclosed by patent document 1 本実施の形態にかかる電子部品の斜視図The perspective view of the electronic component concerning this Embodiment 本実施の形態にかかる電子部品におけるアイソレーション特性を示す特性図The characteristic view which shows the isolation characteristic in the electronic component concerning this Embodiment シミュレーションで用いたデュープレクサの平面図Plan view of duplexer used in simulation シミュレーションで用いたデュープレクサの断面図Cross section of duplexer used in simulation シミュレーションで用いたデュープレクサの断面図Cross section of duplexer used in simulation シミュレーションで用いたデュープレクサの断面図Cross section of duplexer used in simulation 境界位置と原点位置との距離と、境界原点に対するアイソレーションの差分との関係を示す特性図Characteristic diagram showing the relationship between the distance between the boundary position and the origin position and the difference in isolation from the boundary origin 従来のデュープレクサの斜視図A perspective view of a conventional duplexer デュープレクサのアイソレーション特性を示す特性図Characteristic diagram showing isolation characteristics of duplexer 本実施の形態にかかる電子部品の製造工程を示す図The figure which shows the manufacturing process of the electronic component concerning this Embodiment 本実施の形態にかかる電子部品の製造工程を示す図The figure which shows the manufacturing process of the electronic component concerning this Embodiment 本実施の形態にかかる電子部品の製造工程を示す図The figure which shows the manufacturing process of the electronic component concerning this Embodiment 本実施の形態にかかる電子部品の製造工程を示す図The figure which shows the manufacturing process of the electronic component concerning this Embodiment 本実施の形態にかかる電子部品の製造工程を示す図The figure which shows the manufacturing process of the electronic component concerning this Embodiment 本実施の形態にかかる電子部品の製造工程を示す図The figure which shows the manufacturing process of the electronic component concerning this Embodiment 本実施の形態にかかる電子部品の製造工程を示す図The figure which shows the manufacturing process of the electronic component concerning this Embodiment 通信モジュールのブロック図Communication module block diagram 通信装置のブロック図Block diagram of communication device

本発明の実施形態における電子部品は、以下のような態様をとることができる。   The electronic component in the embodiment of the present invention can take the following aspects.

すなわち、電子部品において、前記デバイスチップは、送信フィルタチップと受信フィルタチップとを含み、前記導電部と前記絶縁部との境界部は、前記送信フィルタチップにおける前記受信フィルタチップに対向する面の面方向に重なる位置、またはその近傍に配されている構成とすることができる。   That is, in the electronic component, the device chip includes a transmission filter chip and a reception filter chip, and a boundary portion between the conductive portion and the insulating portion is a surface of the surface of the transmission filter chip that faces the reception filter chip. It can be set as the structure distribute | arranged to the position which overlaps with a direction, or its vicinity.

電子部品において、前記導電部は、半田で形成されている構成とすることができる。このような構成とすることにより、製造性が優れた電子部品を実現することができる。   In the electronic component, the conductive portion can be formed of solder. By setting it as such a structure, the electronic component excellent in manufacturability is realizable.

電子部品において、前記絶縁部は、樹脂で形成されている構成とすることができる。このような構成とすることにより、製造性が優れた電子部品を実現することができる。   In the electronic component, the insulating part can be made of resin. By setting it as such a structure, the electronic component excellent in manufacturability is realizable.

(実施の形態)
〔1.電子部品の構成〕
図3は、本実施の形態の電子部品の一例であるデュープレクサの斜視図である。本実施の形態では、電子部品の一例としてデュープレクサを挙げたが、少なくとも複数のフィルタを備えた電子部品であればよく、例えば受信フィルタを複数備えたデュアルフィルタであってもよい。
(Embodiment)
[1. Configuration of electronic parts)
FIG. 3 is a perspective view of a duplexer that is an example of the electronic component of the present embodiment. In the present embodiment, a duplexer has been described as an example of an electronic component, but any electronic component including at least a plurality of filters may be used. For example, a dual filter including a plurality of reception filters may be used.

図3に示すように、デュープレクサは、パッケージ基板1上に、受信フィルタチップ2、送信フィルタチップ3、および整合回路チップ4が、フリップチップボンディングで実装されている。受信フィルタチップ2、送信フィルタチップ3、および整合回路チップ4は、蓋体5によって被覆されている。   As shown in FIG. 3, in the duplexer, a reception filter chip 2, a transmission filter chip 3, and a matching circuit chip 4 are mounted on a package substrate 1 by flip chip bonding. The reception filter chip 2, the transmission filter chip 3, and the matching circuit chip 4 are covered with a lid 5.

蓋体5は、金属部5aと樹脂部5bとを有する。金属部5aは、少なくとも導電性を有する材料で形成されていればよく、本実施の形態のように錫(Sn)、銀(Ag)、銅(Cu)などを主成分とする半田で形成することが好ましい。樹脂部5bは、少なくとも不導体で形成されていればよく、ポリイミド樹脂やエポキシ樹脂で形成することが好ましい。金属部5aは、送信フィルタチップ3の少なくとも上部を被覆している。金属部5aは、パッケージ基板1上に形成されたグランドパターン(不図示)に接合され、電気的に接地されている。樹脂部5bは、受信フィルタチップ2及び整合回路チップ4の少なくとも上部を被覆している。   The lid 5 has a metal part 5a and a resin part 5b. The metal part 5a is only required to be formed of a material having conductivity, and is formed of solder containing tin (Sn), silver (Ag), copper (Cu) or the like as a main component as in the present embodiment. It is preferable. The resin part 5b should just be formed with the nonconductor at least, and it is preferable to form with a polyimide resin or an epoxy resin. The metal part 5 a covers at least the upper part of the transmission filter chip 3. The metal part 5a is bonded to a ground pattern (not shown) formed on the package substrate 1 and is electrically grounded. The resin part 5 b covers at least the upper parts of the reception filter chip 2 and the matching circuit chip 4.

送信フィルタチップ3が、接地された金属部5aで被覆されていることにより、送信フィルタチップ3付近に生じる電磁波はグランドに落ちる。したがって、電磁波は送信フィルタチップ3の周辺に滞留しないため、受信帯域(以下Rx帯域と称する)のアイソレーションを低減することができる。   Since the transmission filter chip 3 is covered with the grounded metal part 5a, the electromagnetic wave generated in the vicinity of the transmission filter chip 3 falls to the ground. Therefore, since electromagnetic waves do not stay around the transmission filter chip 3, it is possible to reduce isolation in the reception band (hereinafter referred to as Rx band).

また、受信フィルタチップ2及び整合回路チップ4が樹脂部5bで被覆されていることにより、送信フィルタチップ3付近に生じる電磁波が受信フィルタチップ2側へ広がらないため、送信帯域(以下、Tx帯域と称する)のアイソレーションを低減することができる。   In addition, since the reception filter chip 2 and the matching circuit chip 4 are covered with the resin portion 5b, electromagnetic waves generated in the vicinity of the transmission filter chip 3 do not spread to the reception filter chip 2 side. Isolation) can be reduced.

図4は、図3に示すデュープレクサを電磁界シミュレーションで解析した結果を示す。図4において、実線の特性は、図3に示すデュープレクサにおける解析結果である。一点鎖線の特性は、金属のみで形成されている蓋体を備えたデュープレクサ(例えば図3参照)における解析結果である。破線の特性は、樹脂のみで形成されている蓋体を備えたデュープレクサにおける解析結果である。   FIG. 4 shows the result of analyzing the duplexer shown in FIG. 3 by electromagnetic field simulation. In FIG. 4, the characteristic of the solid line is an analysis result in the duplexer shown in FIG. The characteristics of the alternate long and short dash line is an analysis result in a duplexer (see, for example, FIG. 3) including a lid formed only of metal. The characteristic of the broken line is an analysis result in a duplexer provided with a lid formed only of resin.

図4に示すように、蓋体が金属のみで形成されている場合は、Tx帯域のアイソレーションが悪化する。また、蓋体が樹脂のみで形成されている場合は、Rx帯域のアイソレーションが悪化する。一方、送信フィルタチップ3を蓋体5の金属部5aで被覆し、受信フィルタチップ2側を蓋体5の樹脂部5bで被覆する構成とすることにより、Rx帯域及びTx帯域の両方のアイソレーションを低減することができる。   As shown in FIG. 4, when the lid is made of only metal, the isolation in the Tx band is deteriorated. In addition, when the lid is made of only resin, the isolation in the Rx band is deteriorated. On the other hand, the transmission filter chip 3 is covered with the metal part 5a of the lid 5 and the reception filter chip 2 side is covered with the resin part 5b of the lid 5 so that both the Rx band and the Tx band are isolated. Can be reduced.

以下、蓋体5における金属部5aと樹脂部5bとの境界7(図3参照)の位置と、アイソレーションとの関係について説明する。本実施の形態では図3に示すように、境界7を、送信フィルタチップ3の端部3aと一致する位置を原点として、矢印AまたはBに示す方向へ変位させた任意の位置におけるアイソレーション特性の変化を、電磁界シミュレーションを用いて測定した。   Hereinafter, the relationship between the position of the boundary 7 (see FIG. 3) between the metal part 5a and the resin part 5b in the lid 5 and the isolation will be described. In the present embodiment, as shown in FIG. 3, the isolation characteristic at an arbitrary position where the boundary 7 is displaced in the direction indicated by the arrow A or B with the position coincident with the end 3a of the transmission filter chip 3 as the origin. Was measured using electromagnetic field simulation.

図5は、電磁界シミュレーションに用いたデュープレクサのモデルの平面図である。図5において、蓋体5の図示は省略した。図5に示すように、電磁界シミュレーションに用いたモデルは、パッケージ基板1の外寸が縦2.0mm×横2.5mm、受信フィルタチップ2の外寸が縦0.78mm×横1.2mm、送信フィルタチップ3の外寸が縦1.6mm×横0.8mm、整合回路チップ4の外寸が縦0.8mm×横1.2mmである。受信フィルタチップ2及び送信フィルタチップ3の厚さは、それぞれ0.25mmである。整合回路チップ4の厚さは、0.25mmである。受信フィルタチップ2と送信フィルタチップ3との間隔は、0.1mmである。   FIG. 5 is a plan view of a duplexer model used for electromagnetic field simulation. In FIG. 5, illustration of the lid 5 is omitted. As shown in FIG. 5, the model used for the electromagnetic field simulation is that the outer dimension of the package substrate 1 is 2.0 mm long × 2.5 mm wide, and the outer dimension of the reception filter chip 2 is 0.78 mm long × 1.2 mm wide. The outer dimension of the transmission filter chip 3 is 1.6 mm long by 0.8 mm wide, and the outer dimension of the matching circuit chip 4 is 0.8 mm long by 1.2 mm wide. Each of the reception filter chip 2 and the transmission filter chip 3 has a thickness of 0.25 mm. The thickness of the matching circuit chip 4 is 0.25 mm. The interval between the reception filter chip 2 and the transmission filter chip 3 is 0.1 mm.

図6A〜図6Cは、電磁界シミュレーションに用いたデュープレクサのモデルの断面図であり、図5におけるZ−Z部の断面を示す。図6Aは、境界7の位置を、送信フィルタチップ3側の端部近傍に配置しているデュープレクサである。図6Bは、境界7の位置を、送信フィルタチップ3の端部3aと一致する位置に配置しているデュープレクサである。図6Cは、境界7の位置を、受信フィルタチップ2側の端部近傍に配置しているデュープレクサである。本実施の形態では、図6Bに示す境界7の位置を原点位置と定義する。   6A to 6C are cross-sectional views of the duplexer model used in the electromagnetic field simulation, and show a cross-section of the ZZ portion in FIG. FIG. 6A is a duplexer in which the position of the boundary 7 is arranged in the vicinity of the end on the transmission filter chip 3 side. FIG. 6B is a duplexer in which the position of the boundary 7 is arranged at a position that coincides with the end 3 a of the transmission filter chip 3. FIG. 6C shows a duplexer in which the position of the boundary 7 is arranged in the vicinity of the end on the reception filter chip 2 side. In the present embodiment, the position of the boundary 7 shown in FIG. 6B is defined as the origin position.

図7は、図5及び図6A〜図6Cに示すモデルを用いて電磁界シミュレーションを行った結果を示す。図7において、プロットされた黒点は、境界7の任意位置における、Rx帯域のアイソレーションと境界7が原点位置にある時のRx帯域のアイソレーションとの差分値である。プロットされた白点は、境界7の任意位置における、Tx帯域のアイソレーションと境界7が原点位置にある時のTx帯域のアイソレーションとの差分値である。図7において、正値の距離Dは、境界7の位置を図6Bに示す原点位置から矢印Aに示す側に配置した時の、境界7の位置と原点位置との距離である。負値の距離Dは、境界7の位置を図6Bに示す原点位置から矢印Bに示す側に配置した時の、境界7の位置と原点位置との距離である。   FIG. 7 shows the results of electromagnetic field simulations using the models shown in FIGS. 5 and 6A to 6C. In FIG. 7, the plotted black dots are the difference values between the Rx band isolation at an arbitrary position of the boundary 7 and the Rx band isolation when the boundary 7 is at the origin position. The plotted white point is a difference value between the Tx band isolation at an arbitrary position of the boundary 7 and the Tx band isolation when the boundary 7 is at the origin position. In FIG. 7, a positive distance D is the distance between the position of the boundary 7 and the origin position when the position of the boundary 7 is arranged on the side indicated by the arrow A from the origin position shown in FIG. 6B. The negative distance D is the distance between the position of the boundary 7 and the origin position when the position of the boundary 7 is arranged on the side indicated by the arrow B from the origin position shown in FIG. 6B.

図6Aに示す位置に境界7を配置した場合(原点位置からの距離Dが925μm)、パッケージ基板1上に実装されたチップは樹脂部5bで被覆されているため、送信フィルタチップ3の周辺に生じる電磁波が受信フィルタチップ2に影響を及ぼす。したがって、図7に示すようにRx帯域のアイソレーションが、原点位置におけるRx帯域のアイソレーションに比べて大きく変化する(原点位置のアイソレーションに対して+16.5dB)。Tx帯域のアイソレーションは、原点位置におけるTx帯域のアイソレーションとほぼ同等である。   When the boundary 7 is arranged at the position shown in FIG. 6A (distance D from the origin position is 925 μm), the chip mounted on the package substrate 1 is covered with the resin portion 5b, so the periphery of the transmission filter chip 3 is The generated electromagnetic wave affects the reception filter chip 2. Therefore, as shown in FIG. 7, the isolation in the Rx band is greatly changed compared to the isolation in the Rx band at the origin position (+16.5 dB with respect to the isolation at the origin position). The isolation of the Tx band is almost equivalent to the isolation of the Tx band at the origin position.

図6Cに示す位置に境界7を配置した場合(原点位置からの距離Dが−1575μm)、パッケージ基板1上に実装されたチップは、パッケージ基板1を介して接地された金属部5aで被覆されているため。送信フィルタチップ3周辺に生じる電磁波は大きく広がらない。したがって、図7に示すようにRx帯域のアイソレーションは、図6Aに示す位置に境界7を配置した場合のアイソレーションに比べて低減することができる(原点位置のアイソレーションに対して+8dB)。Tx帯域のアイソレーションは、図6Aに示す位置に境界7を配置した場合のアイソレーションに比べて高くなる(原点位置のアイソレーションに対して+4.5dB)。   When the boundary 7 is disposed at the position shown in FIG. 6C (the distance D from the origin position is −1575 μm), the chip mounted on the package substrate 1 is covered with the metal part 5 a grounded via the package substrate 1. Because. The electromagnetic wave generated around the transmission filter chip 3 does not spread greatly. Therefore, as shown in FIG. 7, the isolation in the Rx band can be reduced compared to the isolation when the boundary 7 is arranged at the position shown in FIG. 6A (+8 dB with respect to the isolation at the origin position). The isolation in the Tx band is higher than the isolation when the boundary 7 is arranged at the position shown in FIG. 6A (+4.5 dB with respect to the isolation at the origin position).

図7に示すように、Rx帯域のアイソレーションは、図6Cに示す位置に境界7を配置した場合のアイソレーションの差分値(8dB)よりも低いことが好ましい。また、Tx帯域のアイソレーションは、図6Cに示す位置に境界7を配置した場合のアイソレーションの差分値(+4.5dB)より低いことが好ましい。したがって、図7における破線枠に示すように、境界7の位置と原点位置との距離Dを−500〜300μmの範囲とすることにより、Rx帯域のアイソレーションの差分値を8dB未満に抑え、Tx帯域のアイソレーションの差分値を+4.5dBより低く抑えることができるので好ましい。   As shown in FIG. 7, the isolation in the Rx band is preferably lower than the isolation difference value (8 dB) when the boundary 7 is arranged at the position shown in FIG. 6C. Also, the isolation in the Tx band is preferably lower than the isolation difference value (+4.5 dB) when the boundary 7 is arranged at the position shown in FIG. 6C. Therefore, as shown in the broken line frame in FIG. 7, by setting the distance D between the position of the boundary 7 and the origin position in the range of −500 to 300 μm, the difference value of the isolation in the Rx band is suppressed to less than 8 dB, and Tx This is preferable because the difference value of the band isolation can be kept lower than +4.5 dB.

以上のように、樹脂部5bで受信フィルタチップ2及び整合回路チップ4を被覆し、金属部5aで送信フィルタチップ3を被覆することで、Rx帯域及びTx帯域の両方におけるアイソレーションを低減することができる。   As described above, the reception filter chip 2 and the matching circuit chip 4 are covered with the resin portion 5b, and the transmission filter chip 3 is covered with the metal portion 5a, thereby reducing isolation in both the Rx band and the Tx band. Can do.

また、金属部5aで送信フィルタチップ3の一部を被覆する(本実施の形態では、0<D≦300μm)ことにより、Rx帯域及びTx帯域の両方におけるアイソレーションを低減することができる。   Further, by covering a part of the transmission filter chip 3 with the metal portion 5a (in this embodiment, 0 <D ≦ 300 μm), it is possible to reduce isolation in both the Rx band and the Tx band.

また、金属部5aで、送信フィルタチップ3の全体と、受信フィルタチップ2及び整合回路チップ4の一部とを被覆する(本実施の形態では、−500μm≦D<0)ことにより、Rx帯域及びTx帯域の両方におけるアイソレーションを低減することができる。   Further, the entire transmission filter chip 3 and a part of the reception filter chip 2 and the matching circuit chip 4 are covered with the metal part 5a (in this embodiment, −500 μm ≦ D <0). And isolation in both the Tx band can be reduced.

(比較例)
図8は、従来のパッケージ構造を利用した弾性波デバイスを備えたデュープレクサの斜視図である。図8に示すように、デュープレクサは、セラミック基板301上に、受信フィルタチップ302、送信フィルタチップ303、および、整合回路チップ304を実装している。また、デュープレクサは、受信フィルタチップ302、送信フィルタチップ303、および、整合回路チップ304を覆うように蓋体305(図8における一点鎖線)が配され、封止されている。蓋体305は、樹脂または金属で形成されている。蓋体305は、金属で形成する場合はパッケージ基板220を介して電気的に接地される。
(Comparative example)
FIG. 8 is a perspective view of a duplexer having an acoustic wave device using a conventional package structure. As shown in FIG. 8, the duplexer has a reception filter chip 302, a transmission filter chip 303, and a matching circuit chip 304 mounted on a ceramic substrate 301. Further, the duplexer is sealed with a lid 305 (a chain line in FIG. 8) disposed so as to cover the reception filter chip 302, the transmission filter chip 303, and the matching circuit chip 304. The lid 305 is made of resin or metal. The lid 305 is electrically grounded via the package substrate 220 when formed of metal.

図8に示すデュープレクサでは、デバイスチップの背面を覆っている蓋体305の材質によって、デュープレクサの送信端子107と受信端子106との間のアイソレーション特性が変化する場合がある。   In the duplexer shown in FIG. 8, the isolation characteristic between the transmission terminal 107 and the reception terminal 106 of the duplexer may change depending on the material of the lid 305 covering the back surface of the device chip.

図9は、樹脂で形成された蓋体と、金属で形成された蓋体のアイソレーション特性を示す。図9において、実線は蓋体を樹脂で形成した場合のアイソレーション特性を示し、破線は蓋体を金属で形成した場合のアイソレーション特性を示す。また、低周波側が送信フィルタの通過帯域(以下、Tx帯域と称する)で、高周波側が受信フィルタの通過帯域(以下、Rx帯域と称する)のアイソレーション特性を示す。   FIG. 9 shows the isolation characteristics of a lid body made of resin and a lid body made of metal. In FIG. 9, the solid line shows the isolation characteristic when the lid is formed of resin, and the broken line shows the isolation characteristic when the lid is formed of metal. Also, the low frequency side shows the transmission band of the transmission filter (hereinafter referred to as Tx band), and the high frequency side shows the isolation characteristic of the reception filter pass band (hereinafter referred to as Rx band).

図9に示すように、蓋体を金属で形成した場合、Tx帯域のアイソレーションが悪化する。また、蓋体を樹脂で形成した場合、Rx帯域のアイソレーションが悪化する。このようなアイソレーション悪化の原因は、送信フィルタが発する電磁界を起因とするノイズの影響によるものである。   As shown in FIG. 9, when the lid is made of metal, the isolation in the Tx band is deteriorated. Further, when the lid is formed of resin, the isolation in the Rx band is deteriorated. The cause of such deterioration of the isolation is due to the influence of noise caused by the electromagnetic field generated by the transmission filter.

すなわち、蓋体が金属で形成されている場合は、送信フィルタ付近の電磁界が広がりにくく、ノイズの影響は低減し、Rx帯域のアイソレーションは低減する。しかし、蓋体が金属で形成されているため各チップの背面側が同一電界となり、電磁界が受信フィルタ側にも広がる。したがって、電磁界を起因とするノイズが受信フィルタ側へ影響を及ぼすことになり、Tx帯域のアイソレーションを悪化させることになる。   That is, when the lid is made of metal, the electromagnetic field near the transmission filter is difficult to spread, the influence of noise is reduced, and the isolation in the Rx band is reduced. However, since the lid is made of metal, the back side of each chip has the same electric field, and the electromagnetic field spreads to the reception filter side. Accordingly, noise caused by the electromagnetic field affects the reception filter side, and the isolation in the Tx band is deteriorated.

一方、蓋体が樹脂で形成されている場合は、電磁界が受信フィルタ側には広がりにくいため、Tx帯域のアイソレーションは悪化しない。しかし、送信フィルタ付近の電磁界は広がったままのため、送信フィルタはノイズの影響を受けることになり、Rx帯域のアイソレーションを悪化させることになる。   On the other hand, when the lid is made of resin, the electromagnetic field does not easily spread to the reception filter side, so that the isolation in the Tx band does not deteriorate. However, since the electromagnetic field in the vicinity of the transmission filter is still widened, the transmission filter is affected by noise, and the isolation in the Rx band is deteriorated.

〔2.電子部品の製造方法〕
以下、本実施の形態にかかる電子部品の一例であるデュープレクサの製造方法について説明する。
[2. Manufacturing method of electronic components]
Hereinafter, a manufacturing method of a duplexer which is an example of the electronic component according to the present embodiment will be described.

図10A〜図10Gは、本実施の形態にかかるデュープレクサの製造プロセスを示す。図10A、図10B、図10D、図10E、図10Gにおける(a)は平面図を示し、(b)は(a)におけるZ−Z部の断面図を示す。   10A to 10G show a duplexer manufacturing process according to the present embodiment. 10A, FIG. 10B, FIG. 10D, FIG. 10E, and FIG. 10G, (a) shows a plan view, and (b) shows a cross-sectional view of the ZZ portion in (a).

まず、図10Aに示すように、多面取りが可能なセラミックで形成されたパッケージ基板1に電子部品をフリップチップボンディング実装する。実装する電子部品は、受信フィルタチップ2、送信フィルタチップ3、および整合回路チップ4である。   First, as shown in FIG. 10A, an electronic component is flip-chip bonded and mounted on a package substrate 1 formed of ceramic that can be multi-faced. The electronic components to be mounted are the reception filter chip 2, the transmission filter chip 3, and the matching circuit chip 4.

次に、図10Bに示すように、パッケージ基板1に実装されている電子部品に、感光性樹脂シート16をラミネートする。   Next, as shown in FIG. 10B, a photosensitive resin sheet 16 is laminated on the electronic component mounted on the package substrate 1.

次に、図10Cに示すように、感光性樹脂シート16の上部に露光マスクシート11を配置する。次に、露光マスクシート11の上部から感光性樹脂シート16に向かって紫外光を照射する。この時、露光マスクシート11は、感光性樹脂シート16における送信フィルタチップ3側に紫外光が照射されるように露光パターンが形成されている。上記露光現像処理を行うことにより、図10Dに示すように、受信フィルタチップ2と、整合回路チップ4と、送信フィルタチップ3の一部とを、樹脂で被覆することができる。   Next, as shown in FIG. 10C, the exposure mask sheet 11 is disposed on the photosensitive resin sheet 16. Next, ultraviolet light is irradiated from the upper part of the exposure mask sheet 11 toward the photosensitive resin sheet 16. At this time, the exposure mask sheet 11 is formed with an exposure pattern so that ultraviolet light is irradiated to the side of the transmission filter chip 3 in the photosensitive resin sheet 16. By performing the exposure and development processing, as shown in FIG. 10D, the reception filter chip 2, the matching circuit chip 4, and a part of the transmission filter chip 3 can be covered with resin.

次に、図10Eに示すように、感光性樹脂シート16の上部に、半田シート15を積層する。次に、半田シート15の上部に耐熱性ポリイミドシート12を積層する。半田シート15及び耐熱性ポリイミドシート12は、少なくとも感光性樹脂シート16を介して露出した送信フィルタチップ3を被覆するように積層する。半田シート15は、Sn、Ag、Cuなどを含有したシート状の金属板である。   Next, as shown in FIG. 10E, the solder sheet 15 is laminated on the photosensitive resin sheet 16. Next, the heat-resistant polyimide sheet 12 is laminated on the solder sheet 15. The solder sheet 15 and the heat-resistant polyimide sheet 12 are laminated so as to cover at least the transmission filter chip 3 exposed through the photosensitive resin sheet 16. The solder sheet 15 is a sheet-like metal plate containing Sn, Ag, Cu or the like.

次に、図10Fに示すように、耐熱性ポリイミドシート12の上部を矢印に示す方向に加圧しながら、パッケージ全体を加熱する。加熱により、半田シート15が溶解する。半田シート15から溶解した半田は、送信フィルタチップ3において感光性樹脂シート16で被覆されていない箇所に充填される。   Next, as shown in FIG. 10F, the entire package is heated while pressing the upper portion of the heat-resistant polyimide sheet 12 in the direction indicated by the arrow. The solder sheet 15 is dissolved by heating. The solder melted from the solder sheet 15 is filled in a portion of the transmission filter chip 3 that is not covered with the photosensitive resin sheet 16.

次に、図10Gに示すように、パッケージ基板1を冷却後、耐熱性ポリイミドシート12を除去する。次に、パッケージ基板1をダイシングし、個片化する。以上のプロセスによって、送信フィルタチップ3が主に金属(半田シート15)で被覆され、受信フィルタチップ2及び整合回路チップ4が樹脂(感光性樹脂シート16)で被覆されたデュープレクサが完成する。   Next, as shown in FIG. 10G, after the package substrate 1 is cooled, the heat-resistant polyimide sheet 12 is removed. Next, the package substrate 1 is diced into individual pieces. Through the above process, a duplexer in which the transmission filter chip 3 is mainly coated with metal (solder sheet 15) and the reception filter chip 2 and the matching circuit chip 4 are coated with resin (photosensitive resin sheet 16) is completed.

なお、上記製造工程では、感光性樹脂で受信フィルタチップ2と整合回路チップ4と送信フィルタチップ3の一部とを被覆したが、受信フィルタチップ2の一部と整合回路チップ4の一部のみを感光性樹脂で被覆し、送信フィルタチップ3を半田シート15で被覆してもよい。   In the above manufacturing process, the reception filter chip 2, the matching circuit chip 4, and a part of the transmission filter chip 3 are covered with the photosensitive resin, but only a part of the reception filter chip 2 and a part of the matching circuit chip 4 are covered. May be covered with a photosensitive resin, and the transmission filter chip 3 may be covered with a solder sheet 15.

〔3.通信モジュールの構成〕
図11は、本実施の形態にかかる電子部品の構造を有するデュープレクサを備えた通信モジュールの一例を示す。図11に示すように、デュープレクサ62は、受信フィルタ62aと送信フィルタ62bとを備えている。また、受信フィルタ62aには、例えばバランス出力に対応した受信端子63a及び63bが接続されている。また、送信フィルタ62bは、パワーアンプ64を介して送信端子65に接続している。ここで、デュープレクサ62には、本実施の形態にかかる電子部品の構造を有するデュープレクサで実現することができる。
[3. (Configuration of communication module)
FIG. 11 shows an example of a communication module including a duplexer having the structure of the electronic component according to the present embodiment. As shown in FIG. 11, the duplexer 62 includes a reception filter 62a and a transmission filter 62b. The reception filter 62a is connected to reception terminals 63a and 63b corresponding to, for example, balanced output. The transmission filter 62b is connected to the transmission terminal 65 via the power amplifier 64. Here, the duplexer 62 can be realized by a duplexer having the structure of the electronic component according to the present embodiment.

受信動作を行う際、受信フィルタ62aは、アンテナ端子61を介して入力される受信信号のうち、所定の周波数帯域の信号のみを通過させ、受信端子63a及び63bから外部へ出力する。また、送信動作を行う際、送信フィルタ62bは、送信端子65から入力されてパワーアンプ64で増幅された送信信号のうち、所定の周波数帯域の信号のみを通過させ、アンテナ端子61から外部へ出力する。   When performing a reception operation, the reception filter 62a passes only a signal in a predetermined frequency band among reception signals input via the antenna terminal 61, and outputs the signal from the reception terminals 63a and 63b to the outside. Further, when performing a transmission operation, the transmission filter 62b passes only a signal in a predetermined frequency band among transmission signals input from the transmission terminal 65 and amplified by the power amplifier 64, and outputs the signal from the antenna terminal 61 to the outside. To do.

以上のように本実施の形態にかかる電子部品の構造を有するデュープレクサを、通信モジュールに備えることで、アイソレーション特性を改善した通信モジュールを実現することができる。   As described above, by providing the communication module with the duplexer having the structure of the electronic component according to the present embodiment, a communication module with improved isolation characteristics can be realized.

なお、図11に示す通信モジュールの構成は一例であり、他の形態の通信モジュールに本発明の電子部品を搭載しても、同様の効果が得られる。   The configuration of the communication module shown in FIG. 11 is an example, and the same effect can be obtained even when the electronic component of the present invention is mounted on a communication module of another form.

〔4.通信装置の構成〕
図12は、本実施の形態にかかる電子部品の構造を有するデュープレクサ、または前述の通信モジュールを備えた通信装置の一例として、携帯電話端末のRFブロックを示す。また、図12に示す構成は、GSM(Global System for Mobile Communications)通信方式及びW−CDMA(Wideband Code Division Multiple Access)通信方式に対応した携帯電話端末の構成を示す。また、本実施の形態におけるGSM通信方式は、850MHz帯、950MHz帯、1.8GHz帯、1.9GHz帯に対応している。また、携帯電話端末は、図12に示す構成以外にマイクロホン、スピーカー、液晶ディスプレイなどを備えているが、本実施の形態における説明では不要であるため図示を省略した。ここで、デュープレクサ73は、本実施の形態にかかる電子部品の構造を有するデュープレクサで実現することができる。
[4. Configuration of communication device]
FIG. 12 shows an RF block of a mobile phone terminal as an example of a duplexer having the structure of the electronic component according to the present embodiment or a communication device including the above-described communication module. The configuration shown in FIG. 12 shows the configuration of a mobile phone terminal that supports the GSM (Global System for Mobile Communications) communication system and the W-CDMA (Wideband Code Division Multiple Access) communication system. Further, the GSM communication system in the present embodiment corresponds to the 850 MHz band, 950 MHz band, 1.8 GHz band, and 1.9 GHz band. In addition to the configuration shown in FIG. 12, the mobile phone terminal includes a microphone, a speaker, a liquid crystal display, and the like, but the illustration is omitted because they are not necessary in the description of the present embodiment. Here, the duplexer 73 can be realized by a duplexer having the structure of the electronic component according to the present embodiment.

まず、アンテナ71を介して入力される受信信号は、その通信方式がW−CDMAかGSMかによってアンテナスイッチ回路72で、動作の対象とするLSIを選択する。入力される受信信号がW−CDMA通信方式に対応している場合は、受信信号をデュープレクサ73に出力するように切り換える。デュープレクサ73に入力される受信信号は、受信フィルタ73aで所定の周波数帯域に制限されて、バランス型の受信信号がLNA74に出力される。LNA74は、入力される受信信号を増幅し、LSI76に出力する。LSI76では、入力される受信信号に基づいて音声信号への復調処理を行ったり、携帯電話端末内の各部を動作制御したりする。   First, the received signal input via the antenna 71 selects an LSI to be operated by the antenna switch circuit 72 depending on whether the communication method is W-CDMA or GSM. When the input received signal is compatible with the W-CDMA communication system, switching is performed so that the received signal is output to the duplexer 73. The reception signal input to the duplexer 73 is limited to a predetermined frequency band by the reception filter 73 a, and a balanced reception signal is output to the LNA 74. The LNA 74 amplifies the input received signal and outputs it to the LSI 76. The LSI 76 performs a demodulation process on the audio signal based on the input received signal, and controls the operation of each unit in the mobile phone terminal.

一方、信号を送信する場合は、LSI76は送信信号を生成する。生成された送信信号は、パワーアンプ75で増幅されて送信フィルタ73bに入力される。送信フィルタ73bは、入力される送信信号のうち所定の周波数帯域の信号のみを通過させる。送信フィルタ73bから出力される送信信号は、アンテナスイッチ回路72を介してアンテナ71から外部に出力される。   On the other hand, when transmitting a signal, the LSI 76 generates a transmission signal. The generated transmission signal is amplified by the power amplifier 75 and input to the transmission filter 73b. The transmission filter 73b passes only a signal in a predetermined frequency band among input transmission signals. The transmission signal output from the transmission filter 73 b is output from the antenna 71 to the outside via the antenna switch circuit 72.

また、入力される受信信号がGSM通信方式に対応した信号である場合は、アンテナスイッチ回路72は、周波数帯域に応じて受信フィルタ77〜80のうちいずれか一つを選択し、受信信号を出力する。受信フィルタ77〜80のうちいずれか一つで帯域制限された受信信号は、LSI83に入力される。LSI83は、入力される受信信号に基づいて音声信号への復調処理を行ったり、携帯電話端末内の各部を動作制御したりする。一方、信号を送信する場合は、LSI83は送信信号を生成する。生成された送信信号は、パワーアンプ81または82で増幅されて、アンテナスイッチ回路72を介してアンテナ71から外部に出力される。   In addition, when the received signal to be input is a signal corresponding to the GSM communication system, the antenna switch circuit 72 selects any one of the reception filters 77 to 80 according to the frequency band and outputs the received signal. To do. A reception signal whose band is limited by any one of the reception filters 77 to 80 is input to the LSI 83. The LSI 83 performs a demodulation process on the audio signal based on the input received signal, and controls the operation of each unit in the mobile phone terminal. On the other hand, when transmitting a signal, the LSI 83 generates a transmission signal. The generated transmission signal is amplified by the power amplifier 81 or 82 and output from the antenna 71 to the outside via the antenna switch circuit 72.

本実施の形態にかかる電子部品の構造を有するデュープレクサ、またはそのようなデュープレクサを備えた通信モジュールを通信装置に備えることで、アイソレーション特性を改善した通信装置を実現することができる。   By providing the communication device with a duplexer having the structure of the electronic component according to the present embodiment, or a communication module including such a duplexer, a communication device with improved isolation characteristics can be realized.

〔5.実施の形態の効果、他〕
本実施の形態にかかる電子部品によれば、送信フィルタチップ3を金属部5aで被覆し、受信フィルタチップ2及び整合回路チップ4を樹脂部5bで被覆する蓋体5を備えたことにより、Rx帯域及びTx帯域の両方のアイソレーションを改善することができる。
[5. Effects of the embodiment, etc.]
According to the electronic component according to the present embodiment, the transmission filter chip 3 is covered with the metal portion 5a, and the lid 5 that covers the reception filter chip 2 and the matching circuit chip 4 with the resin portion 5b is provided. Both band and Tx band isolation can be improved.

また、本実施の形態にかかる電子部品によれば、パッケージ基板の配線レイアウトを変更することなく、アイソレーション特性を改善することができる。一般的に、送信フィルタと受信フィルタとの間のアイソレーション特性を改善するためには、送信フィルタチップと受信フィルタチップとの間にグランドパターンを形成すればよい。しかし、パッケージ基板として用いられるセラミック基板は、予め配線パターンが焼成されているため、容易に配線パターンのレイアウトを変更することができず、送信フィルタチップと受信フィルタチップとの間にグランドパターンを新たに追加することが困難である。そこで本実施の形態のように、送信フィルタチップ3側を導電体で被覆した構成とすることにより、パッケージ基板上にグランドパターンを新たに追加する必要がない。よって、パッケージ基板の配線レイアウトを変更することなく、アイソレーション特性を改善することができる。なお、蓋体5における金属部5aは、パッケージ基板1のグランドパターンに電気的に接合されているが、蓋体5を接合するためのグランドパターンは従来より備わるため、本実施の形態にかかる構成を採用したとしても新たにグランドパターンを追加する必要はない、
また、金属部5aを半田で形成したことにより、加熱するだけで金属部5aを形成することができるので、製造性を向上させることができる。
Further, according to the electronic component according to the present embodiment, the isolation characteristics can be improved without changing the wiring layout of the package substrate. Generally, in order to improve the isolation characteristics between the transmission filter and the reception filter, a ground pattern may be formed between the transmission filter chip and the reception filter chip. However, a ceramic substrate used as a package substrate has a wiring pattern pre-fired, so the layout of the wiring pattern cannot be easily changed, and a ground pattern is newly provided between the transmission filter chip and the reception filter chip. Difficult to add to. Therefore, as in the present embodiment, by adopting a configuration in which the transmission filter chip 3 side is covered with a conductor, it is not necessary to newly add a ground pattern on the package substrate. Therefore, the isolation characteristic can be improved without changing the wiring layout of the package substrate. The metal part 5a in the lid 5 is electrically joined to the ground pattern of the package substrate 1. However, since the ground pattern for joining the lid 5 is conventionally provided, the configuration according to the present embodiment. Even if it is adopted, there is no need to add a new ground pattern,
Moreover, since the metal part 5a can be formed only by heating by forming the metal part 5a with solder, the productivity can be improved.

また、樹脂部5bをポリイミド樹脂やエポキシ樹脂で形成したことにより、露光マスクを用いた露光処理で樹脂部5bを形成することができるので、製造性を向上させることができる。   Moreover, since the resin part 5b can be formed by the exposure process using an exposure mask by forming the resin part 5b with a polyimide resin or an epoxy resin, productivity can be improved.

なお、本実施の形態における受信フィルタチップ2、送信フィルタチップ3、整合回路チップ4は、本発明におけるデバイスチップの一例である。本実施の形態におけるパッケージ基板1は、本発明における基板の一例である。本実施の形態における蓋体5は、本発明における蓋体の一例である。本実施の形態における金属部5aは、本発明における導体部の一例である。本実施の形態における樹脂部5bは、本発明における絶縁部の一例である。   The reception filter chip 2, the transmission filter chip 3, and the matching circuit chip 4 in the present embodiment are examples of device chips in the present invention. The package substrate 1 in the present embodiment is an example of a substrate in the present invention. The lid 5 in the present embodiment is an example of the lid in the present invention. The metal part 5a in this Embodiment is an example of the conductor part in this invention. Resin portion 5b in the present embodiment is an example of an insulating portion in the present invention.

本発明の電子部品は、各種電子機器のフィルタ素子や発振子などに用いることができる弾性表面波デバイスなどの電子部品に有用である。また、そのような電子部品の製造方法に有用である。また、そのような電子部品を搭載したデュープレクサ、通信モジュール、通信装置に有用である。   The electronic component of the present invention is useful for an electronic component such as a surface acoustic wave device that can be used in filter elements and oscillators of various electronic devices. Moreover, it is useful for the manufacturing method of such an electronic component. Moreover, it is useful for a duplexer, a communication module, and a communication device in which such electronic components are mounted.

1 パッケージ基板
2 受信フィルタチップ
3 送信フィルタチップ
4 整合回路チップ
5 蓋体
5a 金属部
5b 樹脂部
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Package substrate 2 Reception filter chip 3 Transmission filter chip 4 Matching circuit chip 5 Lid 5a Metal part 5b Resin part

Claims (7)

基板と、
前記基板上に搭載されるとともに、送信フィルタチップと受信フィルタチップとを含んだ複数のデバイスチップと、
前記デバイスチップの少なくとも上部を被覆するように配されている蓋体とを備えた、電子部品であって、
前記蓋体は、導電部と、不導体で形成されている絶縁部とを備え、
前記導電部は、前記送信フィルタチップの少なくとも一部を被覆し、前記絶縁部は、前記受信フィルタチップの少なくとも一部を被覆し、かつ、
前記導電部と前記絶縁部との境界部は、前記送信フィルタチップにおける前記受信フィルタチップに対向する面の面方向に重なる位置、またはその近傍に配されている、電子部品。
A substrate,
Rutotomoni mounted on the substrate, a plurality of device chips including a transmission filter chip and the receiving filter chip,
An electronic component comprising a lid arranged to cover at least the upper part of the device chip,
The lid includes a conductive portion and an insulating portion formed of a non-conductor,
The conductive portion covers at least a part of the transmission filter chip , the insulating portion covers at least a part of the reception filter chip , and
An electronic component, wherein a boundary portion between the conductive portion and the insulating portion is disposed at a position overlapping the surface direction of the surface of the transmission filter chip facing the reception filter chip or in the vicinity thereof.
前記導電部は、半田で形成されている、請求項1記載の電子部品。 The conductive portion is formed by solder, claim 1 Symbol mounting electronic components. 前記絶縁部は、樹脂で形成されている、請求項1記載の電子部品。 The insulating portion is formed of a resin, 1 Symbol mounting electronic component of claim. 基板と、
前記基板上に搭載され、受信フィルタ回路を備えた受信フィルタチップと、
前記基板上に搭載され、送信フィルタ回路を備えた送信フィルタチップと、
前記受信フィルタチップ及び前記送信フィルタチップの少なくとも上部を被覆するように配されている蓋体とを備えた、デュープレクサであって、
前記蓋体は、導電部と、不導体で形成されている絶縁部とを備え、
前記導電部は、前記送信フィルタチップの少なくとも一部を被覆し、前記絶縁部は、前記受信フィルタチップの少なくとも一部を被覆し、かつ、
前記導電部と前記絶縁部との境界部は、前記送信フィルタチップにおける前記受信フィルタチップに対向する面の面方向に重なる位置、またはその近傍に配されている、デュープレクサ。
A substrate,
A reception filter chip mounted on the substrate and provided with a reception filter circuit;
A transmission filter chip mounted on the substrate and provided with a transmission filter circuit;
A duplexer comprising a lid arranged to cover at least the upper part of the reception filter chip and the transmission filter chip,
The lid includes a conductive portion and an insulating portion formed of a non-conductor,
The conductive portion covers at least a part of the transmission filter chip, the insulating portion covers at least a part of the reception filter chip , and
The duplexer is arranged at a position where a boundary portion between the conductive portion and the insulating portion overlaps in a surface direction of a surface of the transmission filter chip facing the reception filter chip or in the vicinity thereof .
請求項1〜のうちいずれか一項に記載の電子部品、または請求項に記載のデュープレクサを備えた、通信モジュール。 The communication module provided with the electronic component as described in any one of Claims 1-3 , or the duplexer as described in Claim 4 . 請求項に記載の通信モジュールを備えた、通信装置。 A communication device comprising the communication module according to claim 5 . 基板に送信フィルタチップと受信フィルタチップとを含んだ複数のデバイスチップを実装する工程と、
前記複数のデバイスチップに感光性樹脂シートを積層する工程と、
前記感光性樹脂シートに紫外光を照射し、前記複数のデバイスチップのうち送信フィルタチップ上の感光性樹脂シートを除去する工程と、
前記送信フィルタチップ上にシート状の半田を配置する工程と、
前記半田を加熱溶融し、当該半田と前記感光性樹脂シートとの境界部が、前記送信フィルタチップにおける前記受信フィルタチップに対向する面の面方向に重なる位置、またはその近傍に配されるように、前記送信フィルタチップを半田で被覆する工程とを有する、電子部品の製造方法。
Mounting a plurality of device chips including a transmission filter chip and a reception filter chip on a substrate;
Laminating a photosensitive resin sheet on the plurality of device chips;
Irradiating the photosensitive resin sheet with ultraviolet light, and removing the photosensitive resin sheet on the transmission filter chip among the plurality of device chips;
Arranging a sheet-like solder on the transmission filter chip ;
The solder is heated and melted, and a boundary portion between the solder and the photosensitive resin sheet is arranged at or near a position where the boundary of the surface of the transmission filter chip facing the reception filter chip overlaps. And a step of coating the transmission filter chip with solder.
JP2009045339A 2009-02-27 2009-02-27 Electronic component, duplexer, communication module, communication apparatus, and electronic component manufacturing method Expired - Fee Related JP5107281B2 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2009045339A JP5107281B2 (en) 2009-02-27 2009-02-27 Electronic component, duplexer, communication module, communication apparatus, and electronic component manufacturing method

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2009045339A JP5107281B2 (en) 2009-02-27 2009-02-27 Electronic component, duplexer, communication module, communication apparatus, and electronic component manufacturing method

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2010200221A JP2010200221A (en) 2010-09-09
JP5107281B2 true JP5107281B2 (en) 2012-12-26

Family

ID=42824428

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2009045339A Expired - Fee Related JP5107281B2 (en) 2009-02-27 2009-02-27 Electronic component, duplexer, communication module, communication apparatus, and electronic component manufacturing method

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP5107281B2 (en)

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2012182395A (en) * 2011-03-02 2012-09-20 Taiyo Yuden Co Ltd Electronic device
JP6074167B2 (en) * 2012-06-12 2017-02-01 太陽誘電株式会社 Filter module and duplexer module
JP2020115616A (en) * 2019-01-17 2020-07-30 太陽誘電株式会社 Filter and multiplexer
WO2022168723A1 (en) * 2021-02-08 2022-08-11 東レ株式会社 Organic resin composition sheet for covering electronic component and method for processing electronic component using same

Family Cites Families (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4466280B2 (en) * 2004-08-24 2010-05-26 パナソニック株式会社 Surface acoustic wave device and manufacturing method thereof

Also Published As

Publication number Publication date
JP2010200221A (en) 2010-09-09

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5358724B1 (en) Elastic wave device built-in module and communication apparatus
JP3949695B2 (en) Receiver
WO2021044691A1 (en) High frequency module and communication device
JP2005198051A (en) High frequency module
JP2008028842A (en) Surface acoustic wave device and its manufacturing method
JP5340756B2 (en) Electronic component and manufacturing method thereof
WO2020179504A1 (en) High-frequency module and communication device
US11496111B2 (en) Methods of plasma dicing bulk acoustic wave components
US20230216482A1 (en) Methods of manufacturing multi-band surface acoustic wave filters
JP5107281B2 (en) Electronic component, duplexer, communication module, communication apparatus, and electronic component manufacturing method
WO2022034821A1 (en) High frequency module and communication device
JP5856592B2 (en) Elastic wave device built-in module and communication apparatus
WO2014013831A1 (en) Module and module manufacturing method
JP2012105097A (en) Splitter and electronic device having the same
KR101633643B1 (en) Filter module
KR20210117949A (en) Radio-frequency module and communications device
JP3576465B2 (en) High frequency semiconductor device and portable communication device using the same
US20220337213A1 (en) Method of manufacturing a cap substrate for acoustic wave device
US20220321090A1 (en) Self-shielded acoustic wave device package
US9379685B2 (en) Built-in-circuit substrate and composite module
US20230298959A1 (en) High-frequency module and communication device
WO2022138441A1 (en) High frequency module and communication apparatus
WO2022014337A1 (en) High frequency module and communication device
US20230139251A1 (en) Dual sided molded package with varying interconnect pad sizes and varying exposed solderable area
WO2014054362A1 (en) Electronic component and electronic module

Legal Events

Date Code Title Description
A711 Notification of change in applicant

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A711

Effective date: 20100527

RD02 Notification of acceptance of power of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7422

Effective date: 20100628

A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20110228

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20120802

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20120816

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20120913

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20121002

A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20121003

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20151012

Year of fee payment: 3

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees